JP2024085395A - 積層型電子部品 - Google Patents

Abstract

【課題】本発明は、積層型電子部品に関する。【解決手段】本発明の一実施形態は、誘電体層（１１１）の第１領域及び第２領域（１１１ａ、１１１ｂ）に含まれる元素の含量の割合を調節することで、第１領域（１１１ａ）と第２領域（１１１ｂ）の誘電体グレインサイズのバラツキと緻密度の差を減少することにより、積層型電子部品（１００）のＢＤＶ特性を改善する。【選択図】図２

Description

本発明は、積層型電子部品に関する。

積層型電子部品の一つである積層セラミックキャパシター（ＭＬＣＣ：Ｍｕｌｔｉｌａｙｅｒ Ｃｅｒａｍｉｃ Ｃａｐａｃｉｔｏｒ）は、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ：Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）及びプラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ：Ｐｌａｓｍａ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｐａｎｅｌ）などの映像機器、コンピューター、スマートフォン、及び携帯電話などの種々の電子製品のプリント回路基板に取り付けられ、電気を充電または放電させる役割を果たすチップ形態のコンデンサーである。

近年、電子積層セラミックキャパシターの小型化及び高集積化に伴い、内部電極の積層度を向上させる試みがあったが、内部電極と誘電体層の厚さ及び積層度の差により、内部電極が形成されていない誘電体層の領域に段差が生じるという問題があった。かかる段差は、誘電体層、内部電極の屈曲を発生させ、シートの開きなどの不良を引き起こす恐れがある。

このような段差を改善する方法として、段差補償用シートを内部電極が形成されていないマージン部に挿入することで、段差補償部を形成する試みがあった。しかしながら、内部電極と段差補償部との緻密度の差、誘電体グレインの平均サイズの差などにより、ＢＤＶバラツキの劣化が発生するという問題があった。

したがって、誘電体層と内部電極の段差を相殺し、且つＢＤＶ特性を改善することができるマージン部の微細構造に対する改善が必要とされている状況である。

本発明の様々な目的の１つは、誘電体層と内部電極の積層度の差による段差を相殺するためにマージン部に段差補償部を形成する時に発生し得るＢＤＶ特性の劣化を改善することにある。

但し、本発明の目的は上述の内容に限定されず、本発明の具体的な実施形態を説明する過程でより容易に理解されることができる。

本発明の一実施形態による積層型電子部品は、誘電体層、及び上記誘電体層を挟んで第１方向に交互に配置される第１及び第２内部電極を含み、第１方向に向かい合う第１及び第２面、上記第１及び第２面と連結されて第２方向に向かい合う第３及び第４面、上記第１～第４面と連結されて第３方向に向かい合う第５及び第６面を有する本体と、上記第３面及び第４面上に配置される外部電極と、を含み、上記本体は、上記誘電体層、第１及び第２内部電極が上記第１方向に重なって配置された容量形成部と、上記容量形成部の第２方向の一面及び他面に配置される第１マージン部と、上記容量形成部の第３方向の一面及び他面に配置される第２マージン部と、を含み、上記誘電体層のうち、上記容量形成部に含まれる領域を第１領域とし、上記第１マージン部に含まれる領域を第２領域としたときに、上記第１及び第２領域はＭｎ及びＴｉを含み、上記第２領域でのＴｉの含量に対するＭｎの含量の割合は、上記第１領域でのＴｉの含量に対するＭｎの含量の割合に対して１倍超過１．９倍以下である。

本発明の他の実施形態による積層型電子部品は、誘電体層、及び上記誘電体層を挟んで第１方向に交互に配置される第１及び第２内部電極を含み、第１方向に向かい合う第１及び第２面、上記第１及び第２面と連結されて第２方向に向かい合う第３及び第４面、上記第１～第４面と連結されて第３方向に向かい合う第５及び第６面を有する本体と、上記第３面及び第４面上に配置される外部電極と、を含み、上記本体は、上記誘電体層、第１及び第２内部電極が上記第１方向に重なって配置された容量形成部と、上記容量形成部の第２方向の一面及び他面に配置される第１マージン部と、上記容量形成部の第３方向の一面及び他面に配置される第２マージン部と、を含み、上記誘電体層のうち、上記容量形成部に含まれる誘電体層を第１領域とし、上記第１マージン部に含まれる誘電体層を第２領域としたときに、上記第１領域及び上記第２マージン部はＳｉ、Ｄｙ、及びＴｉを含み、上記第２マージン部でのＴｉの含量に対するＳｉの含量の割合は、上記第１領域でのＴｉの含量に対するＳｉの含量の割合に対して１倍超過１．９倍以下であり、上記第２マージン部でのＴｉの含量に対するＤｙの含量の割合は、上記第１領域でのＴｉの含量に対するＤｙの含量の割合に対して１倍超過１．９倍以下である。

本発明の様々な効果の一つは、積層型電子部品の誘電体層を、組成が異なる領域を有するように形成することで、内部電極と誘電体層の積層度の差による段差を改善するとともに、容量形成部とマージン部に含まれている各誘電体層の元素含量比を調節することで、ＢＤＶ特性の劣化を改善することである。

但し、本発明の多様で且つ有益な利点と効果は上述の内容に限定されず、本発明の具体的な実施形態を説明する過程でより容易に理解されることができる。

本発明の一実施形態による積層型電子部品を示した斜視図である。 図１のＩ－Ｉ’の断面図である。 図１のＩＩ－ＩＩ’の断面図である。 本発明の一実施形態による積層型電子部品の製造方法の一例を示したものである。 本発明の一実施形態による積層型電子部品の製造方法の一例を示したものである。 本発明の一実施形態による積層型電子部品の製造方法の一例を示したものである。 本発明の一実施形態による積層型電子部品の製造方法の一例を示したものである。 本発明の一実施形態による積層型電子部品の製造方法の一例を示したものである。 本発明の一実施形態による積層型電子部品の製造方法の一例を示したものである。 比較例による積層型電子部品の第１方向及び第３方向の断面で、誘電体層の位置によるグレインサイズを測定したものである。 一実施例による積層型電子部品の第１方向及び第３方向の断面で、誘電体層の位置によるグレインサイズを測定したものである。

以下では、添付の図面を参照して本発明の好ましい実施形態について説明する。しかし、本発明の実施形態は様々な他の形態に変形されることができ、本発明の範囲は以下で説明する実施形態に限定されない。また、本発明の実施形態は、当該技術分野で平均的な知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面における要素の形状及び大きさなどはより明確な説明のために拡大縮小表示（または強調表示や簡略化表示）がされることがある。

なお、本発明を明確に説明すべく、図面において説明と関係ない部分は省略し、様々な層及び領域を明確に表現するために厚さを拡大して示し、同一思想の範囲内において機能が同一である構成要素に対しては同一の参照符号を用いて説明する。さらに、明細書全体において、ある構成要素を「含む」とは、特に異なる趣旨の説明がされていない限り、他の構成要素を除外する趣旨ではなく、他の構成要素をさらに含むことができることを意味する。

図面において、第１方向は、誘電体層を挟んで第１及び第２内部電極が交互に配置される方向または厚さ（Ｔ）方向、上記第１方向に垂直な方向である第２方向及び第３方向のうち、上記第２方向は長さ（Ｌ）方向、上記第３方向は幅（Ｗ）方向と定義されることができる。

図１は本発明の一実施形態による積層型電子部品を示した斜視図であり、図２は図１のＩ－Ｉ’の断面図であり、図３は図１のＩＩ－ＩＩ’の断面図であり、図１０は比較例による積層型電子部品の第１方向及び第３方向の断面で、誘電体層の位置によるグレインサイズを測定したものであり、図１１は本発明の一実施例による積層型電子部品の第１方向及び第３方向の断面で、誘電体層の位置によるグレインサイズを測定したものである。

以下では、図１から図３、図１０、及び図１１を参照して、本発明の一実施形態による積層型電子部品１００と多様な実施形態について詳細に説明する。

本発明の一実施形態による積層型電子部品１００は、誘電体層１１１、及び上記誘電体層を挟んで第１方向に交互に配置される第１及び第２内部電極１２１、１２２を含み、第１方向に向かい合う第１及び第２面１、２、上記第１及び第２面と連結されて第２方向に向かい合う第３及び第４面３、４、上記第１～第４面と連結されて第３方向に向かい合う第５及び第６面５、６を有する本体１１０と、上記第３面及び第４面上に配置される外部電極１３１、１３２と、を含み、上記本体は、上記誘電体層、第１及び第２内部電極が上記第１方向に重なって配置された容量形成部Ａｃと、上記容量形成部の第２方向の一面及び他面に配置される第１マージン部ＬＭ１、ＬＭ２と、上記容量形成部の第３方向の一面及び他面に配置される第２マージン部ＷＭ１、ＷＭ２と、を含み、上記誘電体層のうち、上記容量形成部に含まれる領域を第１領域１１１ａとし、上記第１マージン部に含まれる領域を第２領域１１１ｂとしたときに、上記第１及び第２領域はＭｎ及びＴｉを含み、上記第２領域でのＴｉの含量に対するＭｎの含量の割合は、上記第１領域でのＴｉの含量に対するＭｎの含量の割合に対して１倍超過１．９倍以下である。

図２を参照すると、本体１１０は、誘電体層１１１と、誘電体層１１１を挟んで第１方向に交互に配置される第１及び第２内部電極１２１、１２２と、を含む。

本体１１０は、第１方向に向かい合う第１及び第２面１、２と、上記第１及び第２面と連結されて第２方向に向かい合う第３及び第４面３、４と、上記第１～第４面と連結されて第３方向に向かい合う第５及び第６面５、６と、を有する。

本体１１０の具体的な形状は特に制限されないが、図示されたように、本体１１０は、六面体形状またはそれに類似の形状からなることができる。焼成過程における、本体１１０に含まれているセラミック粉末の収縮により、本体１１０は、完全な直線を有する六面体形状ではないが、実質的に六面体形状を有することができる。

本体１１０を成す複数の誘電体層１１１は焼成された状態であって、隣接する誘電体層１１１の間の境界は、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ：Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）を用いずには確認が困難な程度に一体化されていることができる。

誘電体層１１１を形成する原料の主成分は特に制限されない。原料は、十分な静電容量を得ることができれば特に制限されない。例えば、チタン酸バリウム系材料、鉛複合ペロブスカイト系材料、またはチタン酸ストロンチウム系材料などが使用できる。上記チタン酸バリウム系材料は、ＢａＴｉＯ_３系セラミック粉末を含むことができ、上記セラミック粉末の例として、ＢａＴｉＯ_３、ＢａＴｉＯ_３にＣａ（カルシウム）、Ｚｒ（ジルコニウム）などが一部固溶された（Ｂａ_１－ｘＣａ_ｘ）ＴｉＯ_３（０＜ｘ＜１）、Ｂａ（Ｔｉ_１－ｙＣａ_ｙ）Ｏ_３（０＜ｙ＜１）、（Ｂａ_１－ｘＣａ_ｘ）（Ｔｉ_１－ｙＺｒ_ｙ）Ｏ_３（０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１）、またはＢａ（Ｔｉ_１－ｙＺｒ_ｙ）Ｏ_３（０＜ｙ＜１）などが挙げられる。

一方、誘電体層１１１の平均厚さｔｄは特に限定する必要はない。例えば、誘電体層１１１の平均厚さｔｄは０．３５μｍ以下であることができる。

誘電体層１１１の平均厚さｔｄは、上記第１内部電極１２１と第２内部電極１２２との間に配置される誘電体層１１１の平均厚さｔｄを意味し得る。

誘電体層１１１の平均厚さｔｄは、本体１１０の長さ及び厚さ方向（Ｌ－Ｔ）の断面を１万倍率の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ、Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）でイメージスキャンして測定することができる。より具体的に、スキャンされた画像での１つの誘電体層において、長さ方向に等間隔である３０個の地点でその厚さを測定し、平均値を測定することができる。上記等間隔である３０個の地点は、容量形成部Ａｃで指定されることができる。また、このような平均値の測定を１０個の誘電体層に拡張して行うと、誘電体層の平均厚さをさらに一般化することができる。

一実施形態において、上記容量形成部Ａｃの第１方向の一面には上部カバー部１１２が配置されることができ、上記容量形成部Ａｃの第１方向の他面には下部カバー部１１３を含むことができる。

上記上部カバー部１１２及び下部カバー部１１３は、単一の誘電体層または２つ以上の誘電体層を容量形成部Ａｃの上下面にそれぞれ厚さ方向に積層することで形成されることができ、基本的に、物理的または化学的ストレスによる内部電極の損傷を防止する役割を果たすことができる。

上記上部カバー部１１２及び下部カバー部１１３は、内部電極を含まず、誘電体層１１１と同一の材料を含むことができる。

すなわち、上記上部カバー部１１２及び下部カバー部１１３はセラミック材料を含むことができ、例えば、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）系セラミック材料を含むことができる。

一方、カバー部１１２、１１３の平均厚さは特に限定する必要はない。但し、積層型電子部品の小型化及び高容量化をより容易に達成するために、カバー部１１２、１１３の平均厚さｔｃは１５μｍ以下であることができる。

カバー部１１２、１１３の平均厚さは第１方向のサイズを意味し、容量形成部Ａｃの上部または下部において等間隔の５個の地点で測定したカバー部１１２、１１３の第１方向のサイズを平均した値であることができる。

内部電極１２１、１２２は、誘電体層１１１を挟んで第１方向に交互に配置される。内部電極１２１、１２２は第１及び第２内部電極１２１、１２２を含むことができる。第１及び第２内部電極１２１、１２２は、本体１１０を構成する誘電体層１１１を挟んで互いに対向するように交互に配置され、本体１１０の第３及び第４面３、４にそれぞれ露出することができる。

図２を参照すると、第１内部電極１２１は、第４面４から離隔して第３面３を介して露出し、第２内部電極１２２は、第３面３から離隔して第４面４を介して露出することができる。

この時、第１及び第２内部電極１２１、１２２は、その間に配置された誘電体層１１１により互いに電気的に分離されることができる。

図３を参照すると、本体１１０は、第１内部電極１２１が印刷されたセラミックグリーンシートと、第２内部電極１２２が印刷されたセラミックグリーンシートとを交互に積層した後、焼成することで形成されることができる。

内部電極１２１、１２２を形成する材料は特に制限されず、電気伝導性に優れた材料を用いることができる。例えば、内部電極１２１、１２２は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、スズ（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、及びこれらの合金のうち１つ以上を含むことができる。

また、内部電極１２１、１２２は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、スズ（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、及びこれらの合金のうち１つ以上を含む内部電極用導電性ペーストをセラミックグリーンシートに印刷することで形成されることができる。上記内部電極用導電性ペーストの印刷方法としては、スクリーン印刷法またはグラビア印刷法などを用いることができるが、本発明がこれに限定されるものではない。

一方、内部電極１２１、１２２の平均厚さｔｅは特に限定する必要はない。但し、積層型電子部品１００の小型化及び高容量化のために、内部電極の厚さは０．３５μｍ以下であることができる。

内部電極１２１、１２２の平均厚さは、本体１１０の長さ及び厚さ方向（Ｌ－Ｔ）の断面を１万倍率の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ、Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）でイメージスキャンして測定することができる。より具体的に、スキャンされた画像での１つの内部電極において、長さ方向に等間隔である３０個の地点でその厚さを測定し、平均値を測定することができる。上記等間隔である３０個の地点は、容量形成部Ａｃで指定されることができる。また、このような平均値の測定を１０個の内部電極に拡張して行うと、内部電極の平均厚さをさらに一般化することができる。

本体１１０の第３面３及び第４面上には外部電極１３１、１３２が配置される。外部電極１３１、１３２は、本体１１０の第３及び第４面３、４にそれぞれ配置され、第１及び第２内部電極１２１、１２２とそれぞれ連結された第１及び第２外部電極１３１、１３２を含むことができる。

本実施形態では、積層型電子部品１００が２つの外部電極１３１、１３２を有する構造を説明しているが、外部電極１３１、１３２の個数や形状などは、内部電極１２１、１２２の形態やその他の目的によって変わり得る。

一方、外部電極１３１、１３２は、金属などのように電気伝導性を有するものであれば如何なる物質を用いて形成されてもよく、電気的特性、構造的安定性などを考慮して具体的な物質が決定されることができ、さらには、多層構造を有することができる。

例えば、外部電極１３１、１３２は、本体１１０に配置される電極層と、電極層上に形成されためっき層と、を含むことができる。

電極層のより具体的な例として、電極層は、導電性金属及びガラスを含む焼成電極であってもよく、導電性金属及び樹脂を含む樹脂系電極であってもよい。

また、電極層は、本体上に焼成電極及び樹脂系電極が順に形成された形態であることができる。また、電極層は、本体上に導電性金属を含むシートを転写する方式により形成されてもよく、焼成電極上に導電性金属を含むシートを転写する方式により形成されてもよい。

電極層に含まれる導電性金属として、電気伝導性に優れた材料を用いることができるが、特に限定されない。例えば、導電性金属は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、及びこれらの合金のうち１つ以上であることができる。

めっき層は、実装特性を向上させる役割を果たす。めっき層の種類は特に限定されず、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｐｄ、及びこれらの合金のうち１つ以上を含むめっき層であることができ、複数の層で形成されることができる。

めっき層のより具体的な例として、めっき層は、Ｎｉめっき層またはＳｎめっき層であることができ、電極層上にＮｉめっき層及びＳｎめっき層が順に形成された形態であってもよく、Ｓｎめっき層、Ｎｉめっき層、及びＳｎめっき層が順に形成された形態であってもよい。また、めっき層は、複数のＮｉめっき層及び／または複数のＳｎめっき層を含んでもよい。

本発明の一実施形態による本体１１０は、誘電体層１１１、第１及び第２内部電極１２１、１２２が上記第１方向に重なって配置された容量形成部Ａｃと、上記容量形成部の第２方向の一面及び他面に配置される第１マージン部ＬＭ１、ＬＭ２と、上記容量形成部の第３方向の一面及び他面に配置される第２マージン部ＷＭ１、ＷＭ２と、を含む。

容量形成部Ａｃは、誘電体層１１１、第１及び第２内部電極１２１、１２２が第１方向に重なって配置された領域を意味し、この時の誘電体層１１１の領域を第１領域１１１ａと定義する。容量形成部Ａｃは、第１方向に第１及び第２内部電極１２１、１２２が第１領域１１１ａと重なる領域であるため、積層型電子部品１００の静電容量を形成する役割を果たすことができる。

第１マージン部ＬＭ１、ＬＭ２は、容量形成部Ａｃの第２方向の一面及び他面に配置される領域を意味し、第１マージン部ＬＭ１、ＬＭ２に含まれる誘電体層１１１の領域を第２領域１１１ｂと定義する。第１マージン部ＬＭ１、ＬＭ２は、内部電極１２１、１２２の何れか一つが容量形成部から第２方向に延びて形成された区間であり、本体１１０と外部電極１３１、１３２を電気的に連結する役割を果たすことができ、本体１１０と外部電極１３１、１３２の接合面に浸透し得る水分が直接的に容量形成部Ａｃに達しにくくするなど、外部の物理的、化学的ストレスから容量形成部Ａｃを保護する役割を果たすことができる。また、第１マージン部ＬＭ１、ＬＭ２が誘電体層の第２領域１１１ｂを含むことで、第１マージン部ＬＭ１、ＬＭ２に含まれる内部電極の積層度と、容量形成部Ａｃに含まれる内部電極の積層度の差による段差を相殺することができる。第１マージン部ＬＭ１、ＬＭ２は、本体１１０の第３面３に第１内部電極が露出し、本体の第４面４に第２内部電極が露出するようにセラミックグリーンシート上に導電性ペーストを塗布する時に、第１内部電極１２１と第４面４、第２内部電極１２２と第３面３との間の離隔した空間に別のセラミックシートを形成することで形成されたものであることができる。

第２マージン部ＷＭ１、ＷＭ２は、容量形成部Ａｃの第３方向の一面及び他面に配置される領域を意味する。第２マージン部ＷＭ１、ＷＭ２は、セラミックグリーンシート上に、マージン部が形成されるべき箇所を除いて導電性ペーストを塗布して内部電極を形成することにより形成されたものであることができる。また、内部電極１２１、１２２による段差を抑えるために、積層後に内部電極が本体の第５及び第６面５、６に露出するように切断した後、単一の誘電体層または２つ以上の誘電体層を容量形成部Ａｃの両側面に第３方向（幅方向）に積層することで第２マージン部ＷＭ１、ＷＭ２が形成されてもよい。一方、第２マージン部ＷＭ１、ＷＭ２の幅は特に限定する必要はない。但し、積層型電子部品の小型化及び高容量化をより容易に達成するために、第２マージン部ＷＭ１、ＷＭ２の平均幅は１５μｍ以下であることができる。

第２マージン部ＷＭ１、ＷＭ２の平均幅は、第２マージン部ＷＭ１、ＷＭ２の第３方向の平均サイズを意味し、容量形成部Ａｃの側面において等間隔の５個の地点で測定した第２マージン部ＷＭ１、ＷＭ２の第３方向のサイズを平均した値であることができる。

本発明の一実施形態によると、第１及び第２領域１１１ａ、１１１ｂはＭｎ及びＴｉを含むことができる。上記Ｔｉは、誘電体層１１１を形成する原料であるチタン酸バリウム系材料に含まれているＴｉであることができ、上記Ｍｎは、誘電体層１１１の焼結促進、耐電圧強化などのために添加した添加剤に含まれているＭｎであることができる。

第２領域１１１ｂは、第１マージン部ＬＭ１、ＬＭ２に含まれる誘電体層であり、容量形成部Ａｃと第１マージン部ＬＭ１、ＬＭ２の段差を相殺する役割を果たすことができる。従来は、第１マージン部ＬＭ１、ＬＭ２に含まれる内部電極１２１、１２２と第２領域１１１ｂとの間に微細な空隙が重なることで、段差を相殺する効果が低下する恐れがあり、グレインサイズのバラツキが増加したり、緻密度が低下するという問題が発生する恐れがあった。かかる問題は、積層型電子部品のＢＤＶ特性を低下させる原因となる可能性がある。

本発明の一実施形態では、誘電体層１１１の第１領域及び第２領域１１１ａ、１１１ｂ）に含まれる元素の含量の割合を調節することで、第１領域１１１ａと第２領域１１１ｂの誘電体グレインサイズのバラツキと緻密度の差を減少させることにより、積層型電子部品１００のＢＤＶ特性を改善しようとする。

具体的に、本発明の一実施形態では、第２領域１１１ｂでのＴｉの含量に対するＭｎの含量の割合は、第１領域１１１ａでのＴｉの含量に対するＭｎの含量の割合に対して１倍超過１．９倍以下である。

第２領域１１１ｂでのＴｉの含量に対するＭｎの含量の割合が、第１領域１１１ａでのＴｉの含量に対するＭｎの含量の割合より大きい場合、第２領域１１１ｂと第１領域１１１ａの誘電体グレインサイズのバラツキが減少し、緻密度の差も次第に減少することができる。これにより、積層型電子部品１００のＢＤＶ特性が次第に向上することができる。一方、第２領域１１１ｂでのＴｉの含量に対するＭｎの含量の割合が、第１領域１１１ａでのＴｉの含量に対するＭｎの含量の割合の１．９倍を超える場合、誘電体グレインサイズのバラツキ、緻密度の差を十分に減少させることができず、結果として、積層型電子部品１００のＢＤＶ特性が劣化する恐れがある。また、第２領域１１１ｂでのＴｉの含量に対するＭｎの含量の割合が、第１領域１１１ａでのＴｉの含量に対するＭｎの含量の割合の１．９倍を超える場合、容量形成部Ａｃに含まれる誘電体層１１１である誘電体層の第１領域１１１ａにＭｎが拡散し、積層型電子部品１００のＢＤＶ特性が劣化する恐れがある。したがって、本発明の一実施形態のように、第２領域１１１ｂでのＴｉの含量に対するＭｎの含量の割合が、第１領域１１１ａでのＴｉの含量に対するＭｎの含量の割合に対して１倍超過１．９倍以下である場合、積層型電子部品１００のＢＤＶ特性を向上させることができる。

一実施形態において、第１領域１１１ａはＳｉをさらに含み、第２マージン部ＷＭ１、ＷＭ２はＳｉ及びＴｉを含み、第２マージン部ＷＭ１、ＷＭ２でのＴｉの含量に対するＳｉの含量の割合は、第１領域１１１ａでのＴｉの含量に対するＳｉの含量の割合に対して１倍超過１．９倍以下であることができる。これにより、第２領域１１１ｂでのＴｉの含量に対するＭｎの含量の割合を、第１領域１１１ａでのＴｉの含量に対するＭｎの含量の割合に対して１倍超過１．９倍以下に調節することで、第２領域１１１ｂと第１領域１１１ａの誘電体グレインサイズのバラツキ及び緻密度の差を減少させるだけでなく、第２マージン部ＷＭ１、ＷＭ２と第１領域１１１ａの誘電体グレインサイズのバラツキ及び緻密度の差を減少させ、積層型電子部品１００のＢＤＶ特性を著しく向上させることができる。

一実施形態において、第１及び第２領域１１１ａ、１１１ｂはＤｙをさらに含み、第２領域１１１ｂでのＴｉの含量に対するＤｙの含量の割合は、第１領域１１１ａでのＴｉの含量に対するＤｙの含量の割合に対して１倍超過１．９倍以下であることができる。これにより、第２領域１１１ｂと第１領域１１１ａの誘電体グレインサイズのバラツキ及び緻密度の差を減少させ、積層型電子部品１００のＢＤＶ特性をさらに向上させることができる。

一実施形態において、第１領域１１１ａはＤｙをさらに含み、第２マージン部ＷＭ１、ＷＭ２はＤｙ及びＴｉを含み、第２マージン部ＷＭ１、ＷＭ２でのＴｉの含量に対するＤｙの含量の割合は、第１領域１１１ａでのＴｉの含量に対するＤｙの含量の割合に対して１倍超過１．９倍以下であることができる。これにより、第２マージン部ＷＭ１、ＷＭ２と第１領域１１１ａの誘電体グレインサイズのバラツキ及び緻密度の差を減少させ、積層型電子部品１００のＢＤＶ特性をさらに向上させることができる。

一実施形態において、第２領域１１１ｂは、Ｂａ、Ｃａ、Ａｌ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｃｕ、及びＺｎのうち１つ以上をさらに含むか、第２マージン部ＷＭ１、ＷＭ２は、Ｂａ、Ｃａ、Ａｌ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｃｕ、及びＺｎのうち１つ以上をさらに含むことができる。これにより、第２領域１１１ｂの緻密度をさらに向上させることができる。

一実施形態において、第２領域１１１ｂは、Ｈｏ及びＹのうち１つ以上をさらに含むか、第２マージン部ＷＭ１、ＷＭ２は、Ｈｏ及びＹのうち１つ以上をさらに含むことができる。しかし、これに制限されるものではなく、ランタン族の希土類元素をさらに含むことができる。これにより、積層型電子部品１００のＢＤＶ特性を向上させるとともに、高温信頼性を向上させることができる。

積層型電子部品１００のサイズは特に限定する必要はない。

但し、小型化及び高容量化をともに達成するためには、誘電体層及び内部電極の厚さを薄くし、積層数を増加させる必要があるため、０６０３（長さ×幅、０．６ｍｍ×０．３ｍｍ）以下のサイズを有する積層型電子部品１００において、本発明によるＢＤＶ特性向上の効果がより顕著になることができる。

したがって、製造誤差、外部電極のサイズなどを考慮すると、積層型電子部品１００の長さが０．６６ｍｍ以下であり、幅が０．３３ｍｍ以下である場合、本発明による固着強度向上の効果がより顕著になることができる。ここで、積層型電子部品１００の長さは、積層型電子部品１００の第２方向の最大サイズを意味し、積層型電子部品１００の幅は、積層型電子部品１００の第３方向の最大サイズを意味し得る。

以下では、本発明の他の実施形態による積層型電子部品１００について詳細に説明する。第１及び第２領域１１１ａ、１１１ｂ、第２マージン部ＷＭ１、ＷＭ２における特定の元素の濃度分布とそれによる効果を除いては、本発明の一実施形態による積層型電子部品１００と同一の構成を有するため、本発明の一実施形態による積層型電子部品１００と重複される説明は省略する。また、本発明の一実施形態による積層型電子部品１００の多様な実施形態は、後述の本発明の他の実施形態による積層型電子部品１００にも同様に適用されることができる。

本発明の他の実施形態による積層型電子部品１００は、誘電体層１１１、及び上記誘電体層を挟んで第１方向に交互に配置される第１及び第２内部電極１２１、１２２を含み、第１方向に向かい合う第１及び第２面１、２、上記第１及び第２面と連結されて第２方向に向かい合う第３及び第４面３、４、上記第１～第４面と連結されて第３方向に向かい合う第５及び第６面５、６を有する本体１１０と、上記第３面及び第４面上に配置される外部電極１３１、１３２と、を含み、上記本体は、上記誘電体層、第１及び第２内部電極が上記第１方向に重なって配置された容量形成部Ａｃと、上記容量形成部の第２方向の一面及び他面に配置される第１マージン部ＬＭ１、ＬＭ２と、上記容量形成部の第３方向の一面及び他面に配置される第２マージン部ＷＭ１、ＷＭ２と、を含み、上記誘電体層のうち、上記容量形成部に含まれる誘電体層を第１領域１１１ａとし、上記第１マージン部に含まれる誘電体層を第２領域１１１ｂとしたときに、上記第１領域及び上記第２マージン部はＳｉ、Ｄｙ、及びＴｉを含み、上記第２マージン部でのＴｉの含量に対するＳｉの含量の割合は、上記第１領域でのＴｉの含量に対するＳｉの含量の割合に対して１倍超過１．９倍以下であり、上記第２マージン部でのＴｉの含量に対するＤｙの含量の割合は、上記第１領域でのＴｉの含量に対するＤｙの含量の割合に対して１倍超過１．９倍以下である。

本発明の他の実施形態による積層型電子部品１００の第１領域１１１ａ及び第２マージン部ＷＭ１、ＷＭ２はＳｉ、Ｄｙ、及びＴｉを含み、第２マージン部ＷＭ１、ＷＭ２でのＴｉの含量に対するＳｉの含量の割合は、第１領域１１１ａでのＴｉの含量に対するＳｉの含量の割合に対して１倍超過１．９倍以下であり、第２マージン部ＷＭ１、ＷＭ２でのＴｉの含量に対するＤｙの含量の割合は、第１領域１１１ａでのＴｉの含量に対するＤｙの含量の割合に対して１倍超過１．９倍以下である。

第２マージン部ＷＭ１、ＷＭ２でのＴｉの含量に対するＳｉの含量の割合が、第１領域１１１ａでのＴｉの含量に対するＳｉの含量の割合より大きく、第２マージン部ＷＭ１、ＷＭ２でのＴｉの含量に対するＤｙの含量の割合が、第１領域１１１ａでのＴｉの含量に対するＤｙの含量の割合より大きい場合、第２マージン部ＷＭ１、ＷＭ２と第１領域１１１ａの誘電体グレインサイズのバラツキが減少する効果、及び緻密度の差が減少する効果がさらに高くなることができる。これにより、積層型電子部品１００のＢＤＶ特性がさらに向上することができる。一方、第２マージン部ＷＭ１、ＷＭ２でのＴｉの含量に対するＳｉの含量の割合が、第１領域１１１ａでのＴｉの含量に対するＳｉの含量の割合の１．９倍を超えるか、第２マージン部ＷＭ１、ＷＭ２でのＴｉの含量に対するＤｙの含量の割合が、第１領域１１１ａでのＴｉの含量に対するＤｙの含量の割合の１．９倍を超える場合、誘電体グレインサイズのバラツキ、緻密度の差を十分に減少させることができず、結果として、積層型電子部品１００のＢＤＶ特性が劣化する恐れがある。したがって、本発明の他の実施形態のように、第２マージン部ＷＭ１、ＷＭ２でのＴｉの含量に対するＳｉの含量の割合が、第１領域１１１ａでのＴｉの含量に対するＳｉの含量の割合の１．９倍以下であり、第２マージン部ＷＭ１、ＷＭ２でのＴｉの含量に対するＤｙの含量の割合が、第１領域１１１ａでのＴｉの含量に対するＤｙの含量の割合の１．９倍以下である場合、積層型電子部品１００のＢＤＶ特性をさらに向上させることができる。

本発明の一実施形態、他の実施形態、及び多様な実施形態による積層型電子部品１００において、第１領域及び第２領域１１１ａ、１１１ｂ、第２マージン部ＷＭ１、ＷＭ２に含まれるＴｉの含量に対する、特定の元素の含量の割合を測定する方法は特に制限されない。

本発明において、「第１領域及び第２領域１１１ａ、１１１ｂ、第２マージン部ＷＭ１、ＷＭ２に含まれるＴｉの含量に対する、特定の元素の含量の割合」とは、各領域でレーザー－ＩＣＰまたはＴＥＭ－ＥＤＸにより測定した元素毎のピークの結果において、「Ｔｉのピーク強度に対する、該当元素のピーク強度の割合」と定義されることができる。レーザー－ＩＣＰまたはＴＥＭ－ＥＤＸにより測定した結果において、Ｔｉのピーク強度に対する、該当元素のピーク強度の割合は、積層型電子部品１００の第１方向の中央部まで研磨して第２方向及び第３方向の面（ＬＷ面）を露出させた後、任意の第１領域及び第２領域１１１ａ、１１１ｂ、第２マージン部ＷＭ１、ＷＭ２のそれぞれの中央部の１５μｍｘ１５μｍの領域で測定した結果であることができる。この時、１５μｍｘ１５μｍの領域の任意の３個以上の地点で測定した平均値を取ることで、さらに一般化することができる。

図４から図９は本発明の一実施形態による積層型電子部品の製造方法の一例を示したものである。

図４及び図５に示されたように、セラミックグリーンシート２１１上に、所定の間隔の置いて複数の第１内部電極パターン２２１を形成することができる。複数の第１内部電極パターン２２１はストライプ状であることができ、互いに平行に形成することができる。

複数の第１内部電極パターン２２１が所定の間隔を成す離隔した空間には、段差補償用パターン２２３が配置されることができる。

セラミックグリーンシート２１１及び段差補償用パターン２２３は、セラミック粉末、有機溶剤、及び有機バインダーを含むセラミックペーストで形成することができる。セラミック粉末の例として、ＢａＴｉＯ_３、ＢａＴｉＯ_３にＣａ（カルシウム）、Ｚｒ（ジルコニウム）などが一部固溶された（Ｂａ_１－ｘＣａ_ｘ）ＴｉＯ_３（０＜ｘ＜１）、Ｂａ（Ｔｉ_１－ｙＣａ_ｙ）Ｏ_３（０＜ｙ＜１）、（Ｂａ_１－ｘＣａ_ｘ）（Ｔｉ_１－ｙＺｒ_ｙ）Ｏ_３（０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１）、またはＢａ（Ｔｉ_１－ｙＺｒ_ｙ）Ｏ_３（０＜ｙ＜１）などが挙げられる。セラミックグリーンシート２１１及び段差補償用パターン２２３には、互いに異なる添加剤が添加されることができ、互いに同一の添加剤を含む場合には、元素の含量が異なることができる。本発明の一実施形態では、セラミックグリーンシート２１１及び段差補償用パターン２２３に含まれるＴｉに対する、Ｍｎ、Ｄｙ、及びＳｉのうち１つ以上の含量を異ならせることで、積層型電子部品１００のＢＤＶ特性を向上させることができる。セラミックグリーンシート２１１は、焼成後に本発明の誘電体層１１１の第１領域を形成することができ、段差補償用パターン２２３は、セラミックグリーンシート２１１上で焼成により拡散され、誘電体層１１１の第２領域１１１ｂを形成することができる。

第１内部電極パターン２２１は、導電性金属を含む内部電極ペーストで形成することができる。上記導電性金属は、これに制限されるものではないが、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、スズ（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、及びこれらの合金のうち一つ以上であることができる。

上記セラミックグリーンシート２１１上に第１内部電極パターン２２１を形成する方法は特に制限されないが、例えば、スクリーン印刷法またはグラビア印刷法などの印刷法により形成することができる。

また、別のセラミックグリーンシート２１１上に、所定の間隔を置いて複数の第２内部電極パターン２２２を形成することができる。上記複数の第２内部電極パターン２２１はストライプ状であることができ、互いに平行に形成することができる。同様に、複数の第２内部電極パターン２２２の間の所定の間隔を成す離隔した空間には、段差補償用パターン２２３が配置されることができる。

第１内部電極パターン２２１が形成されたセラミックグリーンシートは第１セラミックグリーンシート２１１ａと指称され、第２内部電極パターン２２２が形成されたセラミックグリーンシートは第２セラミックグリーンシート２１１ｂと呼称されることができる。

次に、図５に示されたように、第１内部電極パターン２２１と第２内部電極パターン２２２が交差積層されるように、第１及び第２セラミックグリーンシート２１１ａ、２１１ｂを交互に積層することができる。後で、上記第１内部電極パターン２２１は第１内部電極１２１となり、第２内部電極パターン２２２は第２内部電極１２２となることができる。

図６に示されたように、第１及び第２セラミックグリーンシートが積層されたセラミックグリーンシート積層体２２０を形成することができる。

図６を参照すると、複数の平行な第１内部電極パターン２２１が印刷された第１セラミックグリーンシート２１１ａと、複数の平行な第２内部電極パターン２２２が印刷された第２セラミックグリーンシート２１１ｂは、互いに交互に積層されている。より具体的に、第１セラミックグリーンシート２１１ａに印刷されたストライプ状の第１内部電極パターン２２１の中央部と、第２セラミックグリーンシート２１１ｂに印刷されたストライプ状の第２内部電極パターン２２２の間の間隔とが重なるように積層されることができ、上記間隔を成す空間には、段差補償用パターン２２３が配置されることができる。

図７に示されたように、上記セラミックグリーンシート積層体２２０は、複数のストライプ状の第１内部電極パターン２２１及びストライプ状の第２内部電極パターン２２２を横切るように切断されることができる。すなわち、上記セラミックグリーンシート積層体２２０は、互いに直交するＣ１－Ｃ１及びＣ２－Ｃ２切断線に沿って切断された積層本体２１０となることができる。

より具体的に、ストライプ状の第１内部電極パターン２２１及びストライプ状の第２内部電極パターン２２２は、長さ方向に切断されることで、一定の幅を有する複数の内部電極に分割されることができる。この時、積層されたセラミックグリーンシートも内部電極パターンとともに切断される。これにより、誘電体層は、内部電極の幅と同一の幅を有するように形成されることができる。

また、Ｃ２－Ｃ２切断線に沿って、個別の本体のサイズに合わせて切断することができる。すなわち、第１サイドマージン部及び第２サイドマージン部を形成する前に、棒状の積層体をＣ２－Ｃ２切断線に沿って個別の本体のサイズに切断することで、複数の積層本体２１０を形成することができる。一方、Ｃ２－Ｃ２切断線は、段差補償用パターン２２３を切断することができる。

すなわち、棒状の積層体を、重なっている第１内部電極の中心部と、第２内部電極の間に形成された所定の間隔とが同一の切断線に沿って切断されるように切断することができる。これにより、第１内部電極及び第２内部電極の一端が切断面に交互に露出することができる。

セラミックグリーンシート積層体２２０を切断する方法は特に限定する必要はない。例えば、ブレード（ｂｌａｄｅ）を用いてギロチン方式により切断するか、ダイシングブレード（ｄｉｃｉｎｇ ｂｌａｄｅ）を回転させて切断するダイシング方式を用いることができる。

図８を参照すると、積層本体２１０は、第１方向に対向する第１及び第２面１、２、第２方向に対向する第３及び第４面３、４、第３方向に対向する第５及び第６面５、６を有し、上記第１内部電極パターン２２１が上記第３、第５、及び第６面に露出し、上記第２内部電極パターン２２２が上記第４、第５、及び第６面に露出することができる。第１内部電極パターン２２１と第２内部電極パターン２２２の末端が幅方向に露出した側面は第５及び第６面５、６であることができる。

図９を参照すると、第１及び第２内部電極パターン２２１、２２２の末端が幅方向に露出した側面である第５及び第６面５、６に、第２マージン部用セラミックグリーンシート２２３’が配置されることができる。第２マージン部用セラミックグリーンシート２２３’は、セラミック粉末、有機溶剤、及び有機バインダーを含むセラミックペーストで形成することができる。セラミック粉末の例として、ＢａＴｉＯ_３、ＢａＴｉＯ_３にＣａ（カルシウム）、Ｚｒ（ジルコニウム）などが一部固溶された（Ｂａ_１－ｘＣａ_ｘ）ＴｉＯ_３（０＜ｘ＜１）、Ｂａ（Ｔｉ_１－ｙＣａ_ｙ）Ｏ_３（０＜ｙ＜１）、（Ｂａ_１－ｘＣａ_ｘ）（Ｔｉ_１－ｙＺｒ_ｙ）Ｏ_３（０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１）、またはＢａ（Ｔｉ_１－ｙＺｒ_ｙ）Ｏ_３（０＜ｙ＜１）などが挙げられる。セラミックグリーンシート２１１、段差補償用パターン２２３、第２マージン部用セラミックグリーンシート２２３’には、互いに異なる添加剤が添加されることができ、互いに同一の添加剤を含む場合には、元素の含量が異なることができる。第２マージン部用セラミックグリーンシート２２３’は、焼成後に第２マージン部ＷＭ１、ＷＭ２を形成することができる。

次に、第２マージン部用セラミックグリーンシート２２３’が付着された積層本体２１０を焼成（Ｓｉｎｔｅｒｉｎｇ）することで、本発明の一実施形態による本体１１０を形成することができる。

第１内部電極１２１が露出した本体１１０の第３面と、上記第２内部電極１２２が露出した本体１１０の第４面に、それぞれ外部電極１３１、１３２を形成することができ、外部電極の構造と成分は、本発明の一実施形態及び多様な実施形態による積層型電子部品で説明したとおりである。

（実施例）
下記表１は、焼成後の第２領域、第２マージン部で特定の元素の割合を異ならせ、誘電体グレインサイズ、緻密度、ＢＤＶ値を測定して示したものである。

下記表１に記載の元素の割合は、第１領域１１１ａの該当元素／Ｔｉ元素の数値に対する、各領域での該当元素／Ｔｉ元素の数値の割合で示した。各数値は、元素によってレーザー－ＩＣＰまたはＴＥＭ－ＥＤＸにより測定された。具体的に、Ｍｎ及びＤｙの含量はレーザー－ＩＣＰにより測定し、ＳＩはＴＥＭ－ＥＤＸにより測定して、測定誤差を最小化した。

各領域の「Ｔｉの含量に対する、該当元素の含量の割合」は、レーザー－ＩＣＰまたはＴＥＭ－ＥＤＸにより測定した結果において、Ｔｉのピーク強度に対する、該当元素のピーク強度の割合と定義することができる。レーザー－ＩＣＰまたはＴＥＭ－ＥＤＸにより測定した結果において、Ｔｉのピーク強度に対する、該当元素のピーク強度の割合は、積層型電子部品１００の第１方向の中央部まで研磨して第２方向及び第３方向の面（ＬＷ面）を露出させた後、各領域の中央部の１５μｍｘ１５μｍの領域で測定した。１５μｍｘ１５μｍの領域の任意の３個以上の地点で測定した平均値を取った。

また、下記表１で、誘電体グレインサイズと緻密度は、第１領域１１１ａでの平均誘電体グレインサイズ及び平均緻密度に対する、各領域での平均誘電体グレインサイズ及び平均緻密度の割合で示した。

第１領域及び第２領域１１１ａ、１１１ｂ、第２マージン部ＷＭ１、ＷＭ２の平均誘電体グレインサイズ及び平均緻密度を測定する方法は特に限定されない。積層型電子部品１００の第１方向の中央部まで研磨して第２方向及び第３方向の面（ＬＷ面）を露出させた後、任意の第１領域及び第２領域１１１ａ、１１１ｂ、第２マージン部ＷＭ１、ＷＭ２のそれぞれの中央部の１５μｍｘ１５μｍの領域で走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ、Ｓｃａｎｎｉｎｇ ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）を用いて誘電体グレインサイズを測定した。１５μｍｘ１５μｍの領域の任意の５個以上の地点で測定した平均値を取った。

また、下記表１に示されたＢＤＶ（Ｖ）値は、１００Ｖ／ｓの昇圧条件、２０ｍＡでの絶縁破壊電圧を測定した。絶縁破壊電圧は、絶縁抵抗（ＩＲ、Ｉｎｓｕｌａｔｉｏｎ Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）値が１００００Ω以下に低下した時の電圧で測定し、１２５個の積層型電子部品サンプルで測定した値の平均値を取った。

試験番号２～４は、第２領域でのＴｉの含量に対するＭｎの含量の割合が、第１領域でのＴｉの含量に対するＭｎの含量の割合に対して１倍超過１．９倍以下である場合であり、第１領域と第２領域の平均グレインサイズ及び緻密度の差が減少し、積層型電子部品のＢＤＶ特性が向上することが確認できる。

試験番号５は、第２領域でのＴｉの含量に対するＭｎの含量の割合が、第１領域でのＴｉの含量に対するＭｎの含量の割合の１．９倍を超える場合であり、第１領域と第２領域の平均グレインサイズ及び緻密度の差を十分に減少させることができず、積層型電子部品のＢＤＶ特性が劣化することが確認できる。

試験番号６～８は、第２マージン部でのＴｉの含量に対するＳｉの含量の割合が、第１領域でのＴｉの含量に対するＳｉの含量の割合に対して１倍超過１．９倍以下である場合であり、第１領域と第２マージン部の平均グレインサイズ及び緻密度の差が減少し、積層型電子部品のＢＤＶ特性が向上することが確認できる。

試験番号９は、第２マージン部でのＴｉの含量に対するＳｉの含量の割合が、第１領域でのＴｉの含量に対するＳｉの含量の割合の１．９倍を超える場合であり、第１領域と第２マージン部の平均グレインサイズ及び緻密度の差を十分に減少させることができず、積層型電子部品のＢＤＶ特性が劣化することが確認できる。

試験番号１０～１２は、第２領域でのＴｉの含量に対するＭｎの含量の割合が、第１領域でのＴｉの含量に対するＭｎの含量の割合に対して１倍超過１．９倍以下であり、第２マージン部でのＴｉの含量に対するＳｉの含量の割合が、第１領域でのＴｉの含量に対するＳｉの含量の割合に対して１倍超過１．９倍以下である場合であり、第１領域乃至第２マージン部の平均グレインサイズ及び緻密度の差が減少し、積層型電子部品のＢＤＶ特性がさらに向上することが確認できる。

試験番号１３は、第２領域でのＴｉの含量に対するＭｎの含量の割合が、第１領域でのＴｉの含量に対するＭｎの含量の割合に対して１．９倍を超え、第２マージン部でのＴｉの含量に対するＳｉの含量の割合が、第１領域でのＴｉの含量に対するＳｉの含量の割合に対して１．９倍を超える場合であり、第１領域乃至第２マージン部の平均グレインサイズ及び緻密度の差を十分に減少させることができず、積層型電子部品のＢＤＶ特性が劣化することが確認できる。

試験番号１４～１７は、第２領域でのＴｉの含量に対するＤｙの含量の割合が、第１領域でのＴｉの含量に対するＤｙの含量の割合に対して１倍超過１．９倍以下であり、第２マージン部でのＴｉの含量に対するＤｙの含量の割合が、第１領域でのＴｉの含量に対するＤｙの含量の割合に対して１倍超過１．９倍以下である場合であり、第１領域乃至第２マージン部の平均グレインサイズ及び緻密度の差が減少し、積層型電子部品のＢＤＶ特性がさらに向上することが確認できる。

試験番号１８は、第２領域でのＴｉの含量に対するＤｙの含量の割合が、第１領域でのＴｉの含量に対するＤｙの含量の割合に対して１．９倍を超え、第２マージン部でのＴｉの含量に対するＤｙの含量の割合が、第１領域でのＴｉの含量に対するＤｙの含量の割合に対して１．９倍を超える場合であり、第１領域乃至第２マージン部の平均グレインサイズ及び緻密度の差を十分に減少させることができず、積層型電子部品のＢＤＶ特性が劣化することが確認できる。

図１０は比較例（表１の試験番号１）による積層型電子部品の第１方向及び第３方向の断面で、誘電体層の位置によるグレインサイズを測定したものである。

図１１は一実施例（表１の試験番号１９）による積層型電子部品の第１方向及び第３方向の断面で、誘電体層の位置によるグレインサイズを測定したものである。

誘電体層の位置によるグレインサイズは、積層型電子部品の第２方向の中央部まで研磨して第１方向及び第３方向の面（ＷＴ面）を露出させた後、第３方向の中央部及び第１面に隣接した誘電体層から、容量形成部の中央部に位置した誘電体層までの４個の地点（丸１、丸２、丸３、丸４）で、また、容量形成部の中央部で第３方向に沿って第４面に隣接した誘電体層までの３個の地点（丸５、丸６、丸７）で測定した。

図１０を参照すると、地点丸１、丸２、丸３、丸４までは類似のレベルのグレインサイズ分布を有するのに対し、地点丸５、丸６、丸７では、より小さいグレインサイズを有することが確認できる。

図１１を参照すると、地点丸１～丸７で、何れも類似のサイズのグレインサイズ分布を有することが確認できる。よって、一実施形態による積層型電子部品１００は、第２領域１１１ｂまたは第２マージン部ＷＭ１、ＷＭ２でのＴｉの含量に対する、Ｍｎ、Ｄｙ、及びＳｉのうち１つ以上の含量の割合を、第１領域のＴｉの含量に対する、Ｍｎ、Ｄｙ、及びＳｉのうち１つ以上の含量の割合より高くすることで、誘電体層の位置毎のグレインサイズのバラツキを低減することにより、積層型電子部品１００のＢＤＶ特性を向上させることができる。

以上、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明は上述の実施形態及び添付図面により限定されず、添付の特許請求の範囲により限定される。したがって、特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想から外れない範囲内で、当技術分野の通常の知識を有する者によって様々な形態の置換、変形、及び変更が可能であり、これも本発明の範囲に属するといえる。

また、本発明で用いられた一実施例という表現は、互いに同一の実施例を意味せず、それぞれ互いに異なる固有の特徴を強調して説明するために提供されるものである。しかし、上記提示された一実施例は、他の実施例の特徴と結合して実施される場合を排除しない。例えば、特定の一実施例で説明された事項が他の実施例で説明されていなくても、他の実施例でその事項と反対の説明がされているかその事項と矛盾する説明がされていない限り、他の実施例に関連する説明であると解釈することもできる。

本発明で用いられた用語は、一例を説明するために説明されたものであるだけで、本発明を限定しようとする意図ではない。このとき、単数の表現は文脈上明確に異なる意味でない限り、複数を含む。

１００ 積層型電子部品
１１０ 本体
１１１ 誘電体層
１２１、１２２ 内部電極
１３１、１３２ 外部電極
１１２、１１３ カバー部
ＬＭ１、ＬＭ２ 第１マージン部
ＷＭ１、ＷＭ２ 第２マージン部
２１０ 積層本体
２２０ セラミックグリーンシート積層体
２２１、２２２ 内部電極パターン
２２３：段差補償用パターン
２２３’ 第２マージン部用セラミックグリーンシート

Claims (14)

1. 誘電体層、及び前記誘電体層を挟んで第１方向に交互に配置される第１内部電極及び第２内部電極を含み、第１方向に向かい合う第１面及び第２面、前記第１面及び第２面と連結されて第２方向に向かい合う第３面及び第４面、前記第１面～第４面と連結されて第３方向に向かい合う第５面及び第６面を有する本体と、
   前記第３面及び第４面上に配置される外部電極と、を含み、
   前記本体は、前記誘電体層、第１内部電極及び第２内部電極が前記第１方向に重なって配置された容量形成部と、前記容量形成部の第２方向の一面及び他面に配置される第１マージン部と、前記容量形成部の第３方向の一面及び他面に配置される第２マージン部と、を含み、
   前記誘電体層のうち、前記容量形成部に含まれる領域を第１領域とし、前記第１マージン部に含まれる領域を第２領域としたときに、
   前記第１領域及び第２領域はＭｎ及びＴｉを含み、
   前記第２領域でのＴｉの含量に対するＭｎの含量の割合は、前記第１領域でのＴｉの含量に対するＭｎの含量の割合に対して１倍超過１．９倍以下である、積層型電子部品。
2. 前記第１領域はＳｉをさらに含み、前記第２マージン部はＳｉ及びＴｉを含み、
   前記第２マージン部でのＴｉの含量に対するＳｉの含量の割合は、前記第１領域でのＴｉの含量に対するＳｉの含量の割合に対して１倍超過１．９倍以下である、請求項１に記載の積層型電子部品。
3. 前記第１領域及び第２領域はＤｙをさらに含み、
   前記第２領域でのＴｉの含量に対するＤｙの含量の割合は、前記第１領域でのＴｉの含量に対するＤｙの含量の割合に対して１倍超過１．９倍以下である、請求項１に記載の積層型電子部品。
4. 前記第１領域はＤｙをさらに含み、前記第２マージン部はＤｙ及びＴｉを含み、
   前記第２マージン部でのＴｉの含量に対するＤｙの含量の割合は、前記第１領域でのＴｉの含量に対するＤｙの含量の割合に対して１倍超過１．９倍以下である、請求項１に記載の積層型電子部品。
5. 前記第２領域は、Ｂａ、Ｃａ、Ａｌ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｃｕ、及びＺｎのうち１つ以上をさらに含む、請求項１に記載の積層型電子部品。
6. 前記第２領域は、Ｈｏ及びＹのうち１つ以上をさらに含む、請求項１に記載の積層型電子部品。
7. 前記第２マージン部は、Ｂａ、Ｃａ、Ａｌ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｃｕ、及びＺｎのうち１つ以上をさらに含む、請求項１に記載の積層型電子部品。
8. 前記第２マージン部は、Ｈｏ及びＹのうち１つ以上をさらに含む、請求項１に記載の積層型電子部品。
9. 誘電体層、及び前記誘電体層を挟んで第１方向に交互に配置される第１内部電極及び第２内部電極を含み、第１方向に向かい合う第１面及び第２面、前記第１面及び第２面と連結されて第２方向に向かい合う第３面及び第４面、前記第１面～第４面と連結されて第３方向に向かい合う第５面及び第６面を有する本体と、
   前記第３面及び第４面上に配置される外部電極と、を含み、
   前記本体は、前記誘電体層、第１内部電極及び第２内部電極が前記第１方向に重なって配置された容量形成部と、前記容量形成部の第２方向の一面及び他面に配置される第１マージン部と、前記容量形成部の第３方向の一面及び他面に配置される第２マージン部と、を含み、
   前記誘電体層のうち、前記容量形成部に含まれる誘電体層を第１領域とし、前記第１マージン部に含まれる誘電体層を第２領域としたときに、
   前記第１領域及び前記第２マージン部はＳｉ、Ｄｙ、及びＴｉを含み、
   前記第２マージン部でのＴｉの含量に対するＳｉの含量の割合は、前記第１領域でのＴｉの含量に対するＳｉの含量の割合に対して１倍超過１．９倍以下であり、
   前記第２マージン部でのＴｉの含量に対するＤｙの含量の割合は、前記第１領域でのＴｉの含量に対するＤｙの含量の割合に対して１倍超過１．９倍以下である、積層型電子部品。
10. 前記第２領域はＤｙ及びＴｉを含み、
    前記第２領域でのＴｉの含量に対するＤｙの含量の割合は、前記第１領域でのＴｉの含量に対するＤｙの含量の割合に対して１倍超過１．９倍以下である、請求項９に記載の積層型電子部品。
11. 前記第２領域は、Ｂａ、Ｃａ、Ａｌ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｃｕ、及びＺｎのうち１つ以上をさらに含む、請求項９に記載の積層型電子部品。
12. 前記第２領域は、Ｄｙ、Ｈｏ、及びＹのうち１つ以上をさらに含む、請求項９に記載の積層型電子部品。
13. 前記第２マージン部は、Ｂａ、Ｃａ、Ａｌ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｃｕ、及びＺｎのうち１つ以上をさらに含む、請求項９に記載の積層型電子部品。
14. 前記第２マージン部は、Ｈｏ及びＹのうち１つ以上をさらに含む、請求項９に記載の積層型電子部品。