[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

JP6958063B2 - Manufacturing method of optical waveguide - Google Patents

Manufacturing method of optical waveguide Download PDF

Info

Publication number
JP6958063B2
JP6958063B2 JP2017144209A JP2017144209A JP6958063B2 JP 6958063 B2 JP6958063 B2 JP 6958063B2 JP 2017144209 A JP2017144209 A JP 2017144209A JP 2017144209 A JP2017144209 A JP 2017144209A JP 6958063 B2 JP6958063 B2 JP 6958063B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
optical waveguide
mask
core
optical
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2017144209A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2019028117A (en
Inventor
遼太 木下
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Bakelite Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Bakelite Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Bakelite Co Ltd filed Critical Sumitomo Bakelite Co Ltd
Priority to JP2017144209A priority Critical patent/JP6958063B2/en
Publication of JP2019028117A publication Critical patent/JP2019028117A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP6958063B2 publication Critical patent/JP6958063B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Optical Integrated Circuits (AREA)

Description

本発明は、光導波路の製造方法に関するものである。 The present invention relates to a method for manufacturing an optical waveguide.

光導波路が形成されているシリコン基板と、光ファイバー等の光配線と、を光学的に接続するとき、これらの間に光導波路を介在させる方法が知られている。光導波路を介在させることにより、シリコン基板における光入出射点を光導波路によって誘導することができるので、機能素子と光配線との光接続を容易に行うことができる。 When optically connecting a silicon substrate on which an optical waveguide is formed and optical wiring such as an optical fiber, a method of interposing an optical waveguide between them is known. By interposing the optical waveguide, the light inlet / output point on the silicon substrate can be guided by the optical waveguide, so that the optical connection between the functional element and the optical wiring can be easily performed.

例えば、特許文献1には、ポリマー上に形成されたポリマー導波路アレイと、シリコンチップ上に形成されたシリコン導波路アレイと、の間において、染み出し光(エバネッセント光)を捉えて光接続するアディアバティック結合によって光接続する構造が開示されている。そして、特許文献1には、ポリマー上に形成された凸部とシリコンチップ上に形成された凹部とを組み合わせることにより、双方を自己整列させることが開示されている。これにより、ポリマー導波路アレイとシリコン導波路アレイとを精度よく整列させることができるので、アディアバティック結合において発生する損失を抑えることができる。 For example, in Patent Document 1, exuded light (evanescent light) is captured and optically connected between a polymer waveguide array formed on a polymer and a silicon waveguide array formed on a silicon chip. Structures that are optically connected by gratings are disclosed. Then, Patent Document 1 discloses that by combining a convex portion formed on a polymer and a concave portion formed on a silicon chip, both are self-aligned. As a result, the polymer waveguide array and the silicon waveguide array can be aligned with each other with high accuracy, so that the loss generated in the adiabatic coupling can be suppressed.

特開2014−81586号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2014-81586

しかしながら、引用文献1に記載の方法では、シリコンチップ上に凹部を形成したり、ポリマー上に凹部を形成したりする必要がある。このため、シリコンチップやポリマーの形状が複雑になるとともに、その製造工程において凹部や凸部の形成工程を追加する必要がある。その結果、製造コストの上昇や製造歩留まりの低下を招くおそれがある。 However, in the method described in Cited Document 1, it is necessary to form a recess on the silicon chip or a recess on the polymer. Therefore, the shape of the silicon chip or the polymer becomes complicated, and it is necessary to add a step of forming a concave portion or a convex portion in the manufacturing process thereof. As a result, there is a risk that the manufacturing cost will increase and the manufacturing yield will decrease.

かかる観点から、光導波路を光学部品に接続する際、構造を複雑にしなくても双方の位置合わせを高精度に行い得る光導波路が求められている。 From this point of view, when connecting an optical waveguide to an optical component, there is a demand for an optical waveguide capable of aligning both with high accuracy without complicating the structure.

このような高精度の位置合わせを実現するためには、まず、光導波路のコア部の位置を正確に把握する必要がある。そこで、コア部に対して高い位置精度を有するアライメントマークを設け、このアライメントマークを基準にして光導波路の位置を合わせる方法が知られている。この方法であれば、視認性の高いアライメントマークの位置を容易に把握することができ、間接的にコア部の位置を正確に把握することが可能になる。 In order to realize such highly accurate positioning, it is first necessary to accurately grasp the position of the core portion of the optical waveguide. Therefore, there is known a method of providing an alignment mark having high position accuracy with respect to the core portion and aligning the position of the optical waveguide with reference to the alignment mark. With this method, the position of the alignment mark with high visibility can be easily grasped, and the position of the core portion can be indirectly grasped accurately.

ところが、このような効果を享受するためには、アライメントマークとコア部との位置関係が正確になっていることが前提となる。しかしながら、アライメントマークおよびコア部は、互いに異なる工程を経て形成されることが多いため、互いの位置関係を正確に再現することは多くの困難を伴う。 However, in order to enjoy such an effect, it is a prerequisite that the positional relationship between the alignment mark and the core portion is accurate. However, since the alignment mark and the core portion are often formed through different steps, it is difficult to accurately reproduce the positional relationship between them.

本発明の目的は、アライメントマークに対して位置精度が高いコア部を備える光導波路を効率よく製造可能な光導波路の製造方法を提供することにある。 An object of the present invention is to provide a method for manufacturing an optical waveguide capable of efficiently manufacturing an optical waveguide having a core portion having a core portion having high position accuracy with respect to an alignment mark.

このような目的は、下記(1)〜(7)の本発明により達成される。
(1) 光透過性を有する基材と、前記基材の一方の面側に設けられたマスクとを備えるマスク付き基材を用意する工程と、
前記マスクを覆うように原料液を塗布することにより、前記マスク付き基材の一方の面側に、平均厚さが前記マスクの3〜200倍であるクラッド層を形成する工程と、
前記クラッド層の前記マスク付き基材側とは反対側にコア形成層を形成する工程と、
前記マスク付き基材側から前記コア形成層に活性放射線を照射し、前記コア形成層にコア部を形成する工程と、
を有し、
前記マスクは、
前記コア部と重なる第1マスクと、
前記コア部以外の領域に設けられた第2マスクと、
を含むことを特徴とする光導波路の製造方法。
Such an object is achieved by the present invention of the following (1) to (7).
(1) a step of preparing a substrate having optical transparency, a mask provided on one surface side of the substrate, the masked substrate with a
A step of forming a clad layer having an average thickness of 3 to 200 times that of the mask on one surface side of the masked base material by applying the raw material liquid so as to cover the mask.
A step of forming a core forming layer on the side of the clad layer opposite to the masked base material side,
A step of irradiating the core forming layer with active radiation from the masked base material side to form a core portion on the core forming layer,
Have a,
The mask is
The first mask that overlaps the core part and
A second mask provided in a region other than the core portion and
A method for manufacturing an optical waveguide, which comprises.

(2) 前記コア形成層は、前記活性放射線の照射によって屈折率が低下する上記(1)に記載の光導波路の製造方法。 (2) The method for producing an optical waveguide according to (1) above, wherein the core forming layer has a refractive index lowered by irradiation with the active radiation.

(3) 前記コア形成層は、前記活性放射線の照射によって二量化可能な官能基を有する化合物を含む上記(1)または(2)に記載の光導波路の製造方法。 (3) The method for producing an optical waveguide according to (1) or (2) above, wherein the core cambium contains a compound having a functional group that can be dimerized by irradiation with active radiation.

(4) 前記マスクは、金属材料を含む上記(1)ないし(3)のいずれかに記載の光導波路の製造方法。 (4) The method for manufacturing an optical waveguide according to any one of (1) to (3) above, wherein the mask contains a metal material.

(5) 前記基材は、前記クラッド層よりも曲げ弾性率が大きい上記(1)ないし(4)のいずれかに記載の光導波路の製造方法。 (5) The method for producing an optical waveguide according to any one of (1) to (4) above, wherein the base material has a flexural modulus larger than that of the clad layer.

(6) 前記クラッド層の平均厚さは、2〜50μmである上記(1)ないし(5)のいずれかに記載の光導波路の製造方法。
(7) 前記コア形成層を形成する工程は、原料液を塗布する操作を含む上記(1)ないし(6)のいずれかに記載の光導波路の製造方法。
(6) The method for producing an optical waveguide according to any one of (1) to (5) above, wherein the average thickness of the clad layer is 2 to 50 μm.
(7) The method for producing an optical waveguide according to any one of (1) to (6) above, wherein the step of forming the core forming layer includes an operation of applying a raw material liquid.

本発明によれば、アライメントマークに対して位置精度が高いコア部を備える光導波路を効率よく製造することができる。 According to the present invention, it is possible to efficiently manufacture an optical waveguide provided with a core portion having high position accuracy with respect to the alignment mark.

本発明の光導波路の製造方法の実施形態を説明するための図である。It is a figure for demonstrating embodiment of the manufacturing method of the optical waveguide of this invention. 本発明の光導波路の製造方法の実施形態を説明するための図である。It is a figure for demonstrating embodiment of the manufacturing method of the optical waveguide of this invention. 図1、2に示す実施形態に係る光導波路の製造方法の変形例を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the modification of the manufacturing method of the optical waveguide which concerns on embodiment shown in FIGS. 1 and 2. 本発明の光導波路の製造方法により製造される光導波路の一例を示す平面図である。It is a top view which shows an example of the optical waveguide manufactured by the manufacturing method of the optical waveguide of this invention. 図4に示す光導波路の断面図である。It is sectional drawing of the optical waveguide shown in FIG. 図4に示す光導波路の変形例1を示す平面図である。It is a top view which shows the modification 1 of the optical waveguide shown in FIG. 図6に示す光導波路の右端面を示す図である。It is a figure which shows the right end surface of the optical waveguide shown in FIG. 図4に示す光導波路の変形例2を示す平面図である。It is a top view which shows the modification 2 of the optical waveguide shown in FIG. 図1、2に示す光導波路と光インターポーザーとを接続して得られる光導波路接続体の一例を示す斜視図である。It is a perspective view which shows an example of the optical waveguide connector obtained by connecting the optical waveguide shown in FIGS. 1 and 2 and an optical interposer. 図9に示す光導波路接続体と光ファイバーとを接続する様子を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the state of connecting the optical waveguide connector shown in FIG. 9 and an optical fiber. 図9に示す光導波路接続体の断面図である。FIG. 9 is a cross-sectional view of the optical waveguide connector shown in FIG. 図11に示す光導波路接続体の部分拡大図である。It is a partially enlarged view of the optical waveguide connector shown in FIG. 図1、2に示す光導波路と光インターポーザーとを接続する様子を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the state of connecting the optical waveguide shown in FIGS. 1 and 2 and an optical interposer.

以下、本発明の光導波路の製造方法について添付図面に示す好適実施形態に基づいて詳細に説明する。 Hereinafter, the method for manufacturing the optical waveguide of the present invention will be described in detail based on the preferred embodiments shown in the accompanying drawings.

<光導波路の製造方法>
まず、本発明の光導波路の製造方法の実施形態について説明する。
<Manufacturing method of optical waveguide>
First, an embodiment of the method for manufacturing an optical waveguide of the present invention will be described.

図1、2は、それぞれ本発明の光導波路の製造方法の実施形態を説明するための図である。なお、以下の説明では、図1、2の上方を「上」、下方を「下」という。 1 and 2 are diagrams for explaining an embodiment of the method for manufacturing an optical waveguide of the present invention, respectively. In the following description, the upper part of FIGS. 1 and 2 is referred to as "upper" and the lower part is referred to as "lower".

本実施形態に係る光導波路の製造方法は、光透過性を有するマスク付き基材7を用意する工程と、マスク付き基材7の上面側(一方の面側)に下側クラッド層11を形成する工程と、下側クラッド層11の上面側(マスク付き基材7側とは反対側)にコア形成層130を形成する工程と、下面側からコア形成層130に活性放射線を照射し、コア形成層130にコア部14および側面クラッド部15を形成しコア層13を得る工程と、コア層13の上面側に上側クラッド層12を形成する工程と、を有する。 The method for manufacturing an optical waveguide according to the present embodiment includes a step of preparing a masked base material 7 having light transmission and forming a lower clad layer 11 on the upper surface side (one surface side) of the masked base material 7. The step of forming the core forming layer 130 on the upper surface side (the side opposite to the masked base material 7 side) of the lower clad layer 11 and the step of irradiating the core forming layer 130 with active radiation from the lower surface side to perform the core. The process includes a step of forming the core portion 14 and the side surface clad portion 15 on the forming layer 130 to obtain the core layer 13, and a step of forming the upper clad layer 12 on the upper surface side of the core layer 13.

[1]マスク付き基材7を用意する工程
まず、図1(a)に示すように、光透過性を有する基材71とマスク72とを備えるマスク付き基材7を用意する。
[1] Step of Preparing Masked Base Material 7 First, as shown in FIG. 1A, a masked base material 7 having a light-transmitting base material 71 and a mask 72 is prepared.

基材71は、光透過性を有するものであれば、特に限定されない。基材71の構成材料としては、例えば、アクリル系樹脂、メタクリル系樹脂、ポリカーボネート、ポリスチレン、エポキシ系樹脂やオキセタン系樹脂のような環状エーテル系樹脂、ポリアミド、ポリイミド、ポリベンゾオキサゾール、ポリシラン、ポリシラザン、シリコーン系樹脂、フッ素系樹脂、ポリウレタン、ポリオレフィン系樹脂、ポリブタジエン、ポリイソプレン、ポリクロロプレン、PETやPBTのようなポリエステル、ポリエチレンサクシネート、ポリサルフォン、ポリエーテル、ベンゾシクロブテン系樹脂やノルボルネン系樹脂等の環状オレフィン系樹脂のような成分をベースポリマーとした各種樹脂材料の他、石英ガラス、ホウケイ酸ガラス、ソーダライムガラスのような各種ガラス材料等が挙げられる。なお、樹脂材料は、異なる組成のものを組み合わせた複合材料やポリマーアロイであってもよい。 The base material 71 is not particularly limited as long as it has light transmittance. Examples of the constituent material of the base material 71 include acrylic resin, methacrylic resin, polycarbonate, polystyrene, cyclic ether resin such as epoxy resin and oxetane resin, polyamide, polyimide, polybenzoxazole, polysilane, polysilazane, and the like. Silicone-based resin, fluorine-based resin, polyurethane, polyolefin-based resin, polybutadiene, polyisoprene, polychloroprene, polyester such as PET and PBT, polyethylene succinate, polysulfone, polyether, benzocyclobutene-based resin, norbornene-based resin, etc. In addition to various resin materials based on a component such as a cyclic olefin resin, various glass materials such as quartz glass, borosilicate glass, and soda lime glass can be mentioned. The resin material may be a composite material or a polymer alloy in which materials having different compositions are combined.

このうち、基材71の構成材料はガラス材料であるのが好ましい。これにより、基材71は、優れた光透過性と十分な剛性とを両立するものとなる。このため、基材71の上面側にコア形成層130を形成しようとするとき、平面性の高いコア形成層130を形成することができるので、マスク72が投影されたとき、マスク72のパターンと投影領域のパターンとの一致性が高くなる。加えて、コア層13中に形成されるコア部14および側面クラッド部15の形状精度を特に高めることができる。 Of these, the constituent material of the base material 71 is preferably a glass material. As a result, the base material 71 has both excellent light transmission and sufficient rigidity. Therefore, when the core forming layer 130 is to be formed on the upper surface side of the base material 71, the core forming layer 130 having high flatness can be formed. Therefore, when the mask 72 is projected, the pattern of the mask 72 and the pattern of the mask 72 are formed. The consistency with the pattern in the projection area is improved. In addition, the shape accuracy of the core portion 14 and the side clad portion 15 formed in the core layer 13 can be particularly improved.

また、基材71の形状は、例えば平板状とされる。これにより、厚さ方向の光透過率が高くなるとともに、光の直進性も高くなる。このため、基材71側から後述するコア形成層130に活性放射線を照射するとき、照射パターンを精度よく制御することができる。 The shape of the base material 71 is, for example, a flat plate. As a result, the light transmittance in the thickness direction is increased, and the straightness of light is also increased. Therefore, when the core forming layer 130, which will be described later, is irradiated with active radiation from the base material 71 side, the irradiation pattern can be accurately controlled.

基材71の厚さは、基材71の構成材料に応じて適宜設定されるが、0.01〜5mm程度であるのが好ましく、0.05〜3mm程度であるのがより好ましく、0.10〜1mm程度であるのがさらに好ましい。このような範囲内に厚さを設定すれば、優れた光透過性と十分な剛性とを両立する基材71が得られる。 The thickness of the base material 71 is appropriately set according to the constituent materials of the base material 71, but is preferably about 0.01 to 5 mm, more preferably about 0.05 to 3 mm, and 0. It is more preferably about 10 to 1 mm. If the thickness is set within such a range, the base material 71 having both excellent light transmission and sufficient rigidity can be obtained.

基材71の光透過率は、できるだけ高いことが好ましいが、波長550nmにおける全光線透過率が85%以上であるのが好ましく、90%以上であるのがより好ましい。これにより、後述する工程において、短時間で効率よくコア部14および側面クラッド部15を形成することができる。 The light transmittance of the base material 71 is preferably as high as possible, but the total light transmittance at a wavelength of 550 nm is preferably 85% or more, and more preferably 90% or more. As a result, the core portion 14 and the side surface clad portion 15 can be efficiently formed in a short time in the step described later.

また、基材71は、後述する下側クラッド層11よりも曲げ弾性率が大きいものが好ましく用いられる。このような基材71は、基材71の厚さを薄くしたとしても、マスク付き基材7の平坦性を高めることができるので、マスク72のパターンの精度も高めることができる。これにより、形成しようとするコア部14のパターンの精度も高めることができ、他の光学部品との光結合効率が高い光導波路1を効率よく製造することができる。 Further, as the base material 71, one having a bending elastic modulus larger than that of the lower clad layer 11 described later is preferably used. With such a base material 71, even if the thickness of the base material 71 is reduced, the flatness of the masked base material 7 can be improved, so that the accuracy of the pattern of the mask 72 can also be improved. As a result, the accuracy of the pattern of the core portion 14 to be formed can be improved, and the optical waveguide 1 having high optical coupling efficiency with other optical components can be efficiently manufactured.

なお、基材71の曲げ弾性率は、下側クラッド層11の曲げ弾性率の110%以上であるのが好ましく、120〜1000%程度であるのがより好ましい。 The flexural modulus of the base material 71 is preferably 110% or more, more preferably about 120 to 1000%, of the flexural modulus of the lower clad layer 11.

また、曲げ弾性率は、例えばJIS K 7171:2016に規定されたプラスチックの曲げ特性の求め方に準じて求められた25℃における測定値とされる。 The flexural modulus is, for example, a measured value at 25 ° C. determined according to the method for determining the bending characteristics of plastic specified in JIS K 7171: 2016.

マスク72は、基材71の上面のうち、コア形成層130に形成するコア部14や側面クラッド部15のパターンに応じた領域に設けられている。具体的には、コア部14を形成しようとする領域にマスク72を設けるようにしてもよく、側面クラッド部15を形成しようとする領域にマスク72を設けるようにしてもよい。 The mask 72 is provided on the upper surface of the base material 71 in a region corresponding to the pattern of the core portion 14 and the side surface clad portion 15 formed on the core forming layer 130. Specifically, the mask 72 may be provided in the region where the core portion 14 is to be formed, or the mask 72 may be provided in the region where the side clad portion 15 is to be formed.

このようなマスク72は、光遮蔽性を有するものであれば、特に限定されない。具体的には、クロムマスク、エマルジョンマスク、フィルムマスクのような各種フォトマスク、メタルマスク、シリコンマスクのような各種ステンシルマスク等が挙げられる。 Such a mask 72 is not particularly limited as long as it has a light shielding property. Specific examples thereof include various photomasks such as chrome masks, emulsion masks and film masks, and various stencil masks such as metal masks and silicon masks.

また、マスク72は、基材71と別体であってもよく、基材71の上面に成膜されたものであってもよい。このうち、マスク72は基材71の上面に成膜されたものであるのが好ましい。このようなマスク72は、精度よく比較的簡単に形成可能なため、寸法精度の高いコア部14を備える光導波路1を低コストで製造することに寄与する。 Further, the mask 72 may be a separate body from the base material 71, or may be formed on the upper surface of the base material 71. Of these, the mask 72 is preferably formed on the upper surface of the base material 71. Since such a mask 72 can be formed with high accuracy and relatively easily, it contributes to manufacturing an optical waveguide 1 provided with a core portion 14 having high dimensional accuracy at low cost.

成膜法により形成されるマスク72の構成材料としては、光遮蔽性を有する材料であれば特に限定されないが、例えば、クロムやクロム合金、ニッケルやニッケル合金のような金属材料、酸化クロム、酸化ニッケルのような酸化物材料の他、各種窒化物材料、各種炭化物材料等が挙げられる。 The constituent material of the mask 72 formed by the film forming method is not particularly limited as long as it has a light-shielding property, but for example, a metal material such as chromium or a chromium alloy, nickel or a nickel alloy, chromium oxide, or oxidation. In addition to oxide materials such as nickel, various nitride materials, various carbide materials, and the like can be mentioned.

このうち、マスク72は金属材料を含むことが好ましい。これにより、薄くても光遮蔽性の高いマスク72が得られるので、より薄型化が図られた光導波路1を製造することができる。また、高い光遮蔽性に伴ってマスク72の視認性が良好になるため、マスク72を後述するようにアライメントマークとして利用する際、その視認性が高くなる。 Of these, the mask 72 preferably contains a metal material. As a result, a mask 72 having a high light shielding property can be obtained even if it is thin, so that the optical waveguide 1 having a thinner thickness can be manufactured. Further, since the visibility of the mask 72 is improved with the high light shielding property, the visibility is improved when the mask 72 is used as an alignment mark as described later.

また、マスク72の厚さは、マスク72の構成材料に応じて適宜設定されるが、20〜2000nm程度であるのが好ましく、50〜500nm程度であるのがより好ましい。マスク72の厚さを前記範囲内に設定することにより、マスク72の光遮蔽性を十分に確保しつつ、マスク72の凹凸によるコア層13への影響を最小限に留めることができる。 The thickness of the mask 72 is appropriately set according to the constituent materials of the mask 72, but is preferably about 20 to 2000 nm, more preferably about 50 to 500 nm. By setting the thickness of the mask 72 within the above range, it is possible to minimize the influence of the unevenness of the mask 72 on the core layer 13 while sufficiently ensuring the light shielding property of the mask 72.

なお、マスク72の成膜方法は、特に限定されず、例えば気相成膜法、液相成膜法、めっき法等が挙げられる。 The film forming method of the mask 72 is not particularly limited, and examples thereof include a vapor phase film forming method, a liquid phase film forming method, and a plating method.

[2]下側クラッド層11を形成する工程
次に、図1(b)に示すように、マスク付き基材7の上面に下側クラッド層11を形成する。
[2] Step of Forming the Lower Clad Layer 11 Next, as shown in FIG. 1 (b), the lower clad layer 11 is formed on the upper surface of the masked base material 7.

下側クラッド層11の形成は、例えばフィルムを貼り付ける方法、原料液を塗布する方法等により行うことができる。このうち、原料液を塗布する方法が好ましく用いられる。この方法では、マスク72を覆うように原料液を塗布することによって、マスク72の厚さの影響が下側クラッド層11の上面に及んでしまうのを防ぐことができる。その結果、後述する工程において形成されるコア形成層130の平坦化が図られ、コア部14の寸法精度をより高めることができる。 The lower clad layer 11 can be formed by, for example, a method of attaching a film, a method of applying a raw material liquid, or the like. Of these, the method of applying the raw material liquid is preferably used. In this method, by applying the raw material liquid so as to cover the mask 72, it is possible to prevent the influence of the thickness of the mask 72 from affecting the upper surface of the lower clad layer 11. As a result, the core forming layer 130 formed in the step described later can be flattened, and the dimensional accuracy of the core portion 14 can be further improved.

塗布方法は、特に限定されず、例えば、ドクターブレード法、スピンコート法、ディッピング法、テーブルコート法、スプレー法、アプリケーター法、カーテンコート法、ダイコート法、インクジェット法等の方法が挙げられる。 The coating method is not particularly limited, and examples thereof include a doctor blade method, a spin coating method, a dipping method, a table coating method, a spray method, an applicator method, a curtain coating method, a die coating method, and an inkjet method.

また、このような方法で形成された液状被膜を乾燥させる方法も、特に限定されないが、例えば、液状被膜を加熱したり、減圧下に置いたり、あるいは乾燥ガスを吹き付けたりする方法が用いられる。 The method for drying the liquid film formed by such a method is also not particularly limited, and for example, a method of heating the liquid film, placing it under reduced pressure, or spraying a dry gas is used.

その後、必要に応じて、乾燥膜を硬化させるプロセスを追加してもよい。
かかるプロセスは、例えば加熱処理であり、その条件は50〜230℃の温度で、1分〜3時間程度とされる。また、加熱処理は複数回に分けて行われてもよい。
Then, if necessary, a process of curing the dry film may be added.
Such a process is, for example, heat treatment, and the conditions thereof are a temperature of 50 to 230 ° C. and a temperature of about 1 minute to 3 hours. Further, the heat treatment may be performed in a plurality of times.

下側クラッド層11の平均厚さは、特に限定されないが、2〜50μm程度であるのが好ましく、5〜40μm程度であるのがより好ましい。下側クラッド層11の平均厚さを前記範囲内に設定することにより、コア形成層130とマスク72との離間距離を十分に確保することができる。これにより、形成されるコア部14を伝搬する光がマスク72側に漏れ出る確率を十分に低下させることができ、伝搬効率の高い光導波路1の実現に寄与する。併せて、マスク72の凹凸の影響がコア層13に及んでしまうのを抑制することができる。また、下側クラッド層11が厚くなり過ぎるのを防止して、活性放射線の直進性の低下を防止するとともに光導波路1の厚膜化を防止することができる。 The average thickness of the lower clad layer 11 is not particularly limited, but is preferably about 2 to 50 μm, and more preferably about 5 to 40 μm. By setting the average thickness of the lower clad layer 11 within the above range, a sufficient separation distance between the core forming layer 130 and the mask 72 can be secured. As a result, the probability that the light propagating through the formed core portion 14 leaks to the mask 72 side can be sufficiently reduced, which contributes to the realization of the optical waveguide 1 having high propagation efficiency. At the same time, it is possible to suppress the influence of the unevenness of the mask 72 on the core layer 13. Further, it is possible to prevent the lower clad layer 11 from becoming too thick, prevent a decrease in the straightness of the active radiation, and prevent the optical waveguide 1 from becoming thicker.

なお、下側クラッド層11の平均厚さとは、下側クラッド層11の厚さを任意の10点以上で測定したとき、それらの測定値の平均値のことをいう。 The average thickness of the lower clad layer 11 means the average value of the measured values when the thickness of the lower clad layer 11 is measured at an arbitrary 10 points or more.

また、マスク72の構成材料によっても異なるが、下側クラッド層11の平均厚さは、マスク72の平均厚さの2〜200倍程度であるのが好ましく、3〜150倍程度であるのがより好ましい。これにより、下側クラッド層11の平坦化が十分に図られ、マスク72の凹凸の影響がコア層13に及んでしまうのを抑制することができる。また、下側クラッド層11が厚くなり過ぎるのを防止して、活性放射線の直進性の低下を防止し、寸法精度の高いコア部14を形成することができる。 Further, although it depends on the constituent material of the mask 72, the average thickness of the lower clad layer 11 is preferably about 2 to 200 times the average thickness of the mask 72, and is preferably about 3 to 150 times. More preferred. As a result, the lower clad layer 11 can be sufficiently flattened, and the influence of the unevenness of the mask 72 on the core layer 13 can be suppressed. Further, it is possible to prevent the lower clad layer 11 from becoming too thick, prevent a decrease in the straightness of active radiation, and form a core portion 14 having high dimensional accuracy.

また、マスク72とコア部14との離間距離を考慮すると、マスク72は、下側クラッド層11の下面側(コア層13側とは反対側)に設けられているのが好ましい。これにより、マスク72を他の部材に設けた後、下側クラッド層11に密着させる(下側クラッド層11を形成する)という製造プロセスをとることができる。このため、マスク72の寸法精度が特に良好になるとともに、マスク72の製造が容易になる。また、コア部14とマスク72との間にクラッド層を設けることで、コア部14との屈折率差の制御が容易となる。 Further, considering the separation distance between the mask 72 and the core portion 14, the mask 72 is preferably provided on the lower surface side (opposite side of the core layer 13 side) of the lower clad layer 11. As a result, it is possible to take a manufacturing process in which the mask 72 is provided on another member and then brought into close contact with the lower clad layer 11 (forming the lower clad layer 11). Therefore, the dimensional accuracy of the mask 72 becomes particularly good, and the mask 72 can be easily manufactured. Further, by providing the clad layer between the core portion 14 and the mask 72, it becomes easy to control the difference in the refractive index from the core portion 14.

また、マスク72は、基材71の少なくとも一方の面(本実施形態では基材71の上面)に設けられている。これにより、マスク72の形状保持性が良好になる。すなわち、比較的剛性が高い基材71の表面にマスク72が設けられることにより、マスク72のパターンが保持され易くなる。このため、マスク72の寸法精度が高くなり、コア部14の位置や形状をより正確に把握し易くなる。 Further, the mask 72 is provided on at least one surface of the base material 71 (in the present embodiment, the upper surface of the base material 71). As a result, the shape retention of the mask 72 is improved. That is, by providing the mask 72 on the surface of the base material 71 having a relatively high rigidity, the pattern of the mask 72 can be easily held. Therefore, the dimensional accuracy of the mask 72 is improved, and it becomes easier to grasp the position and shape of the core portion 14 more accurately.

なお、マスク72は、基材71の上面ではなく、下面に設けられていてもよく、内部に設けられていてもよい。 The mask 72 may be provided on the lower surface of the base material 71 instead of the upper surface, or may be provided inside.

[3]コア形成層130を形成する工程
次に、図1(c)に示すように、下側クラッド層11の上面側(マスク付き基材7側とは反対側)にコア形成層130を形成する。
[3] Step of Forming Core Forming Layer 130 Next, as shown in FIG. 1 (c), the core forming layer 130 is placed on the upper surface side (opposite side of the masked base material 7 side) of the lower clad layer 11. Form.

コア形成層130は、光や紫外線のような活性放射線が照射されることによって屈折率が変化する特性(屈折率変調能)を有する。このため、コア形成層130のうち、特定の領域に活性放射線が照射されると、照射領域と非照射領域との間に屈折率差が形成される。その結果、高屈折率側の領域がコア部14となり、低屈折率側の領域が側面クラッド部15となる。 The core forming layer 130 has a characteristic (refractive index modulation ability) in which the refractive index changes when irradiated with active radiation such as light or ultraviolet rays. Therefore, when the active radiation is irradiated to a specific region of the core forming layer 130, a refractive index difference is formed between the irradiated region and the non-irradiated region. As a result, the region on the high refractive index side becomes the core portion 14, and the region on the low refractive index side becomes the side clad portion 15.

屈折率変調の原理には、例えばモノマーディフュージョン、フォトブリーチング、光異性化、光二量化等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせた原理が用いられる。 Examples of the principle of refractive index modulation include monomer diffusion, photobleaching, photoisomerization, photodimerization, and the like, and one or a combination of two or more of these is used.

このうち、モノマーディフュージョンでは、ポリマー中にこのポリマーと屈折率の異なる光重合性モノマーが分散してなる材料で構成された層に対して部分的に光を照射し、光重合性モノマーの重合を生起させるとともに、それに伴って光重合性モノマーを移動、偏在させることにより、層内に屈折率の偏りを生じさせてコア部14および側面クラッド部15を形成する。 Of these, in monomer diffusion, a layer made of a material in which a photopolymerizable monomer having a different refractive index from this polymer is dispersed in the polymer is partially irradiated with light to polymerize the photopolymerizable monomer. The core portion 14 and the side clad portion 15 are formed by causing a bias in the refractive index in the layer by causing the photopolymerizable monomer to move and unevenly distribute accordingly.

このようなモノマーディフュージョンを生じる材料としては、例えば、特開2010−090328号公報に記載された感光性樹脂組成物等が挙げられる。 Examples of the material that causes such monomer diffusion include the photosensitive resin composition described in JP-A-2010-090328.

また、フォトブリーチングでは、光の照射によって材料中の分子構造が切断され、離脱性基が主鎖から離脱する。これにより材料の屈折率を変化させ、コア部14および側面クラッド部15を形成する。 Further, in photobleaching, the molecular structure in the material is cleaved by irradiation with light, and the leaving group is separated from the main chain. As a result, the refractive index of the material is changed to form the core portion 14 and the side clad portion 15.

フォトブリーチングを生じる材料としては、例えば、特開2009−145867号公報に記載されたコアフィルム材料等が挙げられる。 Examples of the material that causes photobleaching include the core film material described in JP-A-2009-145867.

また、光異性化および光二量化では、それぞれ光の照射によって材料の光異性化または光二量化が生じる。これにより材料の屈折率を変化させ、コア部14および側面クラッド部15を形成する。 Further, in photoisomerization and photodimerization, photoisomerization or photodimerization of a material occurs by irradiation with light, respectively. As a result, the refractive index of the material is changed to form the core portion 14 and the side clad portion 15.

光異性化を生じる材料としては、例えば、特開2005−164650号公報に記載されたノルボルネン系樹脂等が挙げられる。 Examples of the material that causes photoisomerization include norbornene-based resins described in JP-A-2005-164650.

光二量化を生じる材料としては、活性放射線によって二量化可能な官能基を有する化合物が挙げられる。すなわち、コア形成層130は、活性放射線の照射によって二量化可能な官能基を有する化合物を含んでいてもよい。このような官能基としては、例えば、アゾベンゼン基、アゾナフタレン基、芳香族複素環アゾ基、ビスアゾ基、ホルマザン基のようなN=N基、マレイミド基、インデン基、クマリン基、シンナメート基、ポリエン基、スチルベン基、スチルバゾ−ル基、スチルバゾリウム基、シンナモイル基、シンナミル基、シンナミリデン基、ヘミチオインジゴ基、カルコン基、アントリル基のようなC=C基、芳香族シッフ塩基、芳香族ヒドラゾン構造のようなC=N基、ベンゾフェノン基、アントラキノン基等のようなC=O基、アリルエステル基のようなエステル基、アシルフェノール構造等が挙げられ、これらのうちの少なくとも1つが用いられる。 Examples of the material that causes photodimerization include compounds having a functional group that can be dimerized by active radiation. That is, the core cambium 130 may contain a compound having a functional group that can be dimerized by irradiation with active radiation. Examples of such functional groups include N = N groups such as azobenzene group, azonaphthalene group, aromatic heterocyclic azo group, bisazo group and formazan group, maleimide group, inden group, coumarin group, cinnamate group and polyene. C = C groups such as groups, stilben groups, stilvasol groups, stilvazolium groups, cinnamoyl groups, cinnamyl groups, cinnamylidene groups, hemithioindigo groups, chalcone groups, anthryl groups, aromatic Schiff groups, aromatic hydrazone structures. Examples thereof include a C = O group such as a C = N group, a benzophenone group, an anthraquinone group and the like, an ester group such as an allyl ester group, an acylphenol structure and the like, and at least one of these is used.

かかる化合物を含む組成物としては、例えば、特開2011−105791号公報に記載された感光性樹脂組成物等が挙げられる。 Examples of the composition containing such a compound include the photosensitive resin composition described in JP-A-2011-105791.

また、フォトブリーチング、光異性化および光二量化といった原理による屈折率変調の場合、照射する光の照射量(放射線の照射量)に応じて屈折率の変化量を調整することができる。照射位置に応じて光の照射量を徐々に変化させることにより、任意の屈折率分布、例えば滑らかな屈折率変化を伴う屈折率分布を形成することができる。これにより、グレーデッドインデックス型の屈折率分布を容易に形成することができる。 Further, in the case of refractive index modulation based on the principles of photobleaching, photoisomerization and photodimerization, the amount of change in the refractive index can be adjusted according to the irradiation amount of the irradiated light (irradiation amount of radiation). By gradually changing the irradiation amount of light according to the irradiation position, it is possible to form an arbitrary refractive index distribution, for example, a refractive index distribution accompanied by a smooth change in the refractive index. Thereby, a graded index type refractive index distribution can be easily formed.

照射位置に応じて光の照射量を徐々に変化させる方法としては、例えば、グレイトーンマスクやハーフトーンマスクといった多階調マスクを用いる方法、光強度に分布がある光ビームを走査する方法、領域ごとの照射時間または照射強度を変化させつつ照射する方法等が挙げられる。 As a method of gradually changing the irradiation amount of light according to the irradiation position, for example, a method of using a multi-tone mask such as a gray tone mask or a halftone mask, a method of scanning a light beam having a distribution in light intensity, and a region. Examples thereof include a method of irradiating while changing the irradiation time or irradiation intensity for each.

また、コア形成層130の形成は、例えばフィルムを貼り付ける方法、原料液を塗布する方法等により行うことができる。なお、塗布方法は、前述した方法から適宜選択される。 Further, the core forming layer 130 can be formed by, for example, a method of attaching a film, a method of applying a raw material liquid, or the like. The coating method is appropriately selected from the above-mentioned methods.

[4]コア形成層130に活性放射線Lを照射する工程
次に、図2(a)に示すように、下面側からコア形成層130に活性放射線Lを照射する。これにより、コア形成層130にコア部14および側面クラッド部15を形成する。
[4] Step of irradiating the core forming layer 130 with the active radiation L Next, as shown in FIG. 2A, the core forming layer 130 is irradiated with the active radiation L from the lower surface side. As a result, the core portion 14 and the side surface clad portion 15 are formed on the core forming layer 130.

下面側、すなわちマスク付き基材7越しに活性放射線Lを照射すると、マスク72を介してコア形成層130に活性放射線Lが照射されることとなる。このため、マスク72が設けられている領域では、活性放射線Lが遮蔽される一方、マスク72が設けられていない領域では、コア形成層130に活性放射線Lが到達する。 When the active radiation L is irradiated to the lower surface side, that is, through the masked base material 7, the core forming layer 130 is irradiated with the active radiation L via the mask 72. Therefore, the active radiation L is shielded in the region where the mask 72 is provided, while the active radiation L reaches the core forming layer 130 in the region where the mask 72 is not provided.

活性放射線Lは、前述した屈折率変調能においてコア形成層130が反応する放射線の種類に応じて適宜選択されるが、例えば、可視光のような光、赤外線や紫外線のような電磁波等が挙げられる。 The active radiation L is appropriately selected according to the type of radiation to which the core forming layer 130 reacts in the above-mentioned refractive index modulation ability, and examples thereof include light such as visible light and electromagnetic waves such as infrared rays and ultraviolet rays. Be done.

本実施形態では、照射領域の屈折率が低下する屈折率変調能を有するコア形成層130を例として説明する。すなわち、本実施形態に係るコア形成層130は、活性放射線Lの照射によって屈折率が低下する。したがって、図2(a)に示すように、マスク72はコア部14を形成しようとする領域に設けられる。そして、このようなマスク72を介して活性放射線Lが照射されると、照射領域では屈折率が低下して側面クラッド部15が形成される。また、マスク72と重なる領域は、非照射領域となるため、コア部14が形成されることとなる。これにより、後述するように、マスク72を、マスクとしての機能のみでなく、コア部14の位置や形状と一致したパターンを示すアライメントマークとして利用することができる。 In the present embodiment, the core forming layer 130 having a refractive index modulation ability that reduces the refractive index of the irradiation region will be described as an example. That is, the refractive index of the core forming layer 130 according to the present embodiment is lowered by irradiation with the active radiation L. Therefore, as shown in FIG. 2A, the mask 72 is provided in the region where the core portion 14 is to be formed. When the active radiation L is irradiated through such a mask 72, the refractive index is lowered in the irradiated region and the side clad portion 15 is formed. Further, since the region overlapping the mask 72 is a non-irradiated region, the core portion 14 is formed. As a result, as will be described later, the mask 72 can be used not only as a mask but also as an alignment mark indicating a pattern that matches the position and shape of the core portion 14.

なお、コア形成層130は、照射領域の屈折率が上昇する屈折率変調能を有するものであってもよい。その場合、マスク72は、側面クラッド部15を形成しようとする領域に設けられることとなる。 The core forming layer 130 may have a refractive index modulation ability that increases the refractive index of the irradiated region. In that case, the mask 72 will be provided in the region where the side clad portion 15 is to be formed.

その後、必要に応じて、コア形成層130を硬化させるプロセスを追加してもよい。
かかるプロセスは、例えば加熱処理であり、その条件は50〜230℃の温度で、1分〜3時間程度とされる。また、加熱処理は複数回に分けて行われてもよい。
Then, if necessary, a process of curing the core forming layer 130 may be added.
Such a process is, for example, heat treatment, and the conditions thereof are a temperature of 50 to 230 ° C. and a temperature of about 1 minute to 3 hours. Further, the heat treatment may be performed in a plurality of times.

以上のようにしてコア部14および側面クラッド部15を含むコア層13が形成される(図2(b)参照)。 As described above, the core layer 13 including the core portion 14 and the side clad portion 15 is formed (see FIG. 2B).

なお、このようにして形成されたコア部14および側面クラッド部15は、その構成材料のベースポリマーを互いに同じにすることが可能である。ベースポリマーが互いに同じとは、双方の構成材料において配合比が最も多いポリマーに含まれる主要な繰り返し単位の構造が互いに同じであることをいう。これにより、コア部14と側面クラッド部15との間で、熱膨張率や弾性率等の物性が互いに近似することとなる。その結果、光導波路1が置かれる環境が変化したり、光導波路1が折り曲げられたりした場合でも、コア部14が変形したり、コア部14における伝送効率が低下したり、コア部14と他の光学部品との光結合効率が低下したりするのを抑制することができる。また、コア層13の製造が容易になり、コア部14の寸法精度を高め易いという利点もある。 The core portion 14 and the side clad portion 15 formed in this manner can have the same base polymer as the constituent material of the core portion 14 and the side clad portion 15. When the base polymers are the same as each other, it means that the structures of the main repeating units contained in the polymer having the highest compounding ratio in both constituent materials are the same as each other. As a result, the physical characteristics such as the coefficient of thermal expansion and the elastic modulus of the core portion 14 and the side clad portion 15 are approximated to each other. As a result, even when the environment in which the optical waveguide 1 is placed changes or the optical waveguide 1 is bent, the core portion 14 is deformed, the transmission efficiency in the core portion 14 is lowered, the core portion 14 and others are used. It is possible to suppress a decrease in the optical coupling efficiency with the optical component of the above. Further, there is an advantage that the core layer 13 can be easily manufactured and the dimensional accuracy of the core portion 14 can be easily improved.

また、このようなコア部14および側面クラッド部15は、光照射によって同時に形成される。このため、コア部14と側面クラッド部15との界面に異物が付着したり、隙間ができたりすることが抑制される。その結果、コア部14と側面クラッド部15との界面に起因する伝搬損失の増大が抑制され、伝搬効率の高い光導波路1が得られる。 Further, such a core portion 14 and a side clad portion 15 are simultaneously formed by light irradiation. Therefore, it is possible to prevent foreign matter from adhering to the interface between the core portion 14 and the side clad portion 15 and the formation of gaps. As a result, an increase in propagation loss due to the interface between the core portion 14 and the side clad portion 15 is suppressed, and an optical waveguide 1 having high propagation efficiency can be obtained.

[5]上側クラッド層12を形成する工程
次に、コア層13の上面側に上側クラッド層12を形成する。
[5] Step of Forming Upper Clad Layer 12 Next, the upper clad layer 12 is formed on the upper surface side of the core layer 13.

上側クラッド層12の形成は、例えばフィルムを貼り付ける方法、原料液を塗布する方法等により行うことができる。具体的には、下側クラッド層11の形成と同様にして行うことができる。 The upper clad layer 12 can be formed by, for example, a method of attaching a film, a method of applying a raw material liquid, or the like. Specifically, it can be performed in the same manner as the formation of the lower clad layer 11.

以上のようにして、下側クラッド層11、コア層13および上側クラッド層12を含む光導波路1が得られる(図2(c)参照)。 As described above, the optical waveguide 1 including the lower clad layer 11, the core layer 13, and the upper clad layer 12 is obtained (see FIG. 2C).

なお、上側クラッド層12は必要に応じて設けられればよく、省略されてもよい。その場合、本工程も省略することができる。 The upper clad layer 12 may be provided as needed or may be omitted. In that case, this step can also be omitted.

このような製造方法では、その原理上、マスク72のパターンが忠実に反映されたコア部14が形成されることとなる。換言すれば、マスク72のパターンは、コア部14のパターンと実質的に一致することとなる。このため、マスク72は、活性放射線の照射領域を制御するというマスク本来の機能に加え、コア部14の位置や形状を把握するためのマーク(アライメントマーク)にもなり得る。
なお、実質的に一致するとは、製造誤差程度のずれは許容されることを指す。
In such a manufacturing method, in principle, the core portion 14 that faithfully reflects the pattern of the mask 72 is formed. In other words, the pattern of the mask 72 substantially matches the pattern of the core portion 14. Therefore, the mask 72 can be a mark (alignment mark) for grasping the position and shape of the core portion 14 in addition to the mask's original function of controlling the irradiation region of active radiation.
In addition, "substantially matching" means that a deviation of about a manufacturing error is allowed.

また、マスク72は光遮蔽性を有しているため、光導波路1内において高い視認性を有する。 Further, since the mask 72 has a light shielding property, it has high visibility in the optical waveguide 1.

すなわち、原則的には、光導波路1のうち、基材71、下側クラッド層11、コア層13および上側クラッド層12は、それぞれ比較的高い光透過性を有している。このため、コア部14を視認しようとしても、その光透過性によって、視認することが困難な場合がある。 That is, in principle, in the optical waveguide 1, the base material 71, the lower clad layer 11, the core layer 13 and the upper clad layer 12 each have relatively high light transmittance. Therefore, even if the core portion 14 is to be visually recognized, it may be difficult to visually recognize the core portion 14 due to its light transmittance.

これに対し、本実施形態に係る光導波路1がマスク72を備えていることにより、光透過性の高い背景の中に、光遮蔽性を有するマスク72が存在することとなる。このため、例えば光透過性の差に基づいてマスク72の視認性を特に高めることができる。 On the other hand, since the optical waveguide 1 according to the present embodiment includes the mask 72, the mask 72 having a light shielding property exists in the background having high light transmission. Therefore, for example, the visibility of the mask 72 can be particularly enhanced based on the difference in light transmission.

そして、マスク72の位置や形状が容易に把握されることによって、間接的に、コア部14の位置や形状を容易かつ正確に把握することができる。すなわち、マスク72は、コア部14に対して高い位置精度を有するものとなる。これは、コア部14が製造される際、マスク72の領域に対応して形成されるため、必然的にコア部14の位置や形状はマスク72の位置や形状に対応することとなる。 Then, by easily grasping the position and shape of the mask 72, it is possible to indirectly and accurately grasp the position and shape of the core portion 14. That is, the mask 72 has high positional accuracy with respect to the core portion 14. This is because the core portion 14 is formed corresponding to the region of the mask 72 when the core portion 14 is manufactured, so that the position and shape of the core portion 14 inevitably correspond to the position and shape of the mask 72.

したがって、マスク72は、コア部14の位置を他の光学部品に対して合わせるためのアライメントマークとして利用可能なものとなる。すなわち、光導波路1は、アライメントマークに対して位置精度の高いコア部14を備えるものとなる。そして、マスク72をアライメントマークとして利用することにより、光導波路1と他の光学部品との位置合わせをより正確に行うことができるので、光導波路1と他の光学部品との光結合効率を容易に高めることができる。 Therefore, the mask 72 can be used as an alignment mark for aligning the position of the core portion 14 with respect to other optical components. That is, the optical waveguide 1 includes a core portion 14 having high positional accuracy with respect to the alignment mark. By using the mask 72 as an alignment mark, the optical waveguide 1 and other optical components can be aligned more accurately, so that the optical coupling efficiency between the optical waveguide 1 and other optical components can be easily achieved. Can be enhanced to.

この他、マスク72をアライメントマークとして利用することにより、光導波路1におけるコア部14の形状や位置を容易に認識することができるので、製品種類の判別やコネクター等の取り付け作業も容易かつ正確に行うことができる。 In addition, by using the mask 72 as an alignment mark, the shape and position of the core portion 14 in the optical waveguide 1 can be easily recognized, so that it is easy and accurate to identify the product type and attach the connector and the like. It can be carried out.

<光導波路の製造方法の変形例>
次に、実施形態に係る光導波路の製造方法の変形例について説明する。
<Modified example of manufacturing method of optical waveguide>
Next, a modified example of the method for manufacturing the optical waveguide according to the embodiment will be described.

図3は、図1、2に示す実施形態に係る光導波路の製造方法の変形例を説明するための図である。なお、以下の説明では、図3の上方を「上」、下方を「下」という。 FIG. 3 is a diagram for explaining a modified example of the method for manufacturing the optical waveguide according to the embodiment shown in FIGS. 1 and 2. In the following description, the upper part of FIG. 3 is referred to as "upper" and the lower part is referred to as "lower".

以下、図3に基づいて変形例を説明するが、以下の説明では図1、2に示す実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項についてはその説明を省略する。 Hereinafter, a modified example will be described with reference to FIG. 3, but in the following description, the differences from the embodiments shown in FIGS. 1 and 2 will be mainly described, and the description of the same matters will be omitted.

本変形例では、コア部14や側面クラッド部15の形成方法が異なる以外、図1、2に示す実施形態と同様である。 This modification is the same as the embodiment shown in FIGS. 1 and 2 except that the method of forming the core portion 14 and the side clad portion 15 is different.

すなわち、本変形例に係る光導波路の製造方法は、光透過性を有するマスク付き基材7を用意する工程と、マスク付き基材7の上面側に下側クラッド層11を形成する工程と、下側クラッド層11の上面側にコア形成層130を形成する工程と、下面側からコア形成層130に活性放射線Lを照射し、不要部分を除去することによりコア部14を得る工程と、コア部14を覆うように側面クラッド部15および上側クラッド層12を形成する工程と、を有する。 That is, the method for manufacturing the optical waveguide according to this modification includes a step of preparing a masked base material 7 having light transmission, a step of forming a lower clad layer 11 on the upper surface side of the masked base material 7. A step of forming the core forming layer 130 on the upper surface side of the lower clad layer 11, a step of irradiating the core forming layer 130 with active radiation L from the lower surface side and removing unnecessary portions to obtain a core portion 14, and a core. It includes a step of forming a side clad portion 15 and an upper clad layer 12 so as to cover the portion 14.

[1]マスク付き基材7を用意する工程
まず、前記実施形態と同様にして、図1(a)に示すように、光透過性を有する基材71とマスク72とを備えるマスク付き基材7を用意する。
[1] Step of Preparing Masked Base Material 7 First, as shown in FIG. 1A, a masked base material provided with a light-transmitting base material 71 and a mask 72 in the same manner as in the above embodiment. Prepare 7.

[2]下側クラッド層11を形成する工程
次に、前記実施形態と同様にして、図1(b)に示すように、マスク付き基材7の上面に下側クラッド層11を形成する。
[2] Step of Forming the Lower Clad Layer 11 Next, as shown in FIG. 1 (b), the lower clad layer 11 is formed on the upper surface of the masked base material 7 in the same manner as in the above embodiment.

[3]コア形成層130を形成する工程
次に、前記実施形態と同様にして、図1(c)に示すように、下側クラッド層11の上面側にコア形成層130を形成する。
[3] Step of Forming Core Forming Layer 130 Next, as shown in FIG. 1 (c), the core forming layer 130 is formed on the upper surface side of the lower clad layer 11 in the same manner as in the above embodiment.

[4]コア形成層130に活性放射線Lを照射する工程
次に、図3(a)に示すように、下面側からコア形成層130に活性放射線Lを照射する。これにより、照射領域に対し現像液に対する溶解性が付与される。
[4] Step of irradiating the core forming layer 130 with the active radiation L Next, as shown in FIG. 3A, the core forming layer 130 is irradiated with the active radiation L from the lower surface side. As a result, solubility in the developing solution is imparted to the irradiated region.

次に、コア形成層130に現像液を接触させる。これにより、コア形成層130のうち、照射領域に対応する部分(不要部分)が溶解する。その結果、非照射領域に対応する部分が残存する。その後、必要に応じて、残存した部分に加熱処理を施す。 Next, the developer is brought into contact with the core forming layer 130. As a result, the portion (unnecessary portion) corresponding to the irradiation region in the core forming layer 130 is dissolved. As a result, the portion corresponding to the non-irradiated region remains. Then, if necessary, the remaining portion is heat-treated.

以上のようにしてコア部14(コア層13)が得られる(図3(b)参照)。なお、図3の例では、コア部14を形成しようとする部分のコア形成層130を残存させ、コア部14(コア層13)を得ている。 As described above, the core portion 14 (core layer 13) is obtained (see FIG. 3B). In the example of FIG. 3, the core forming layer 130 of the portion where the core portion 14 is to be formed remains, and the core portion 14 (core layer 13) is obtained.

なお、コア形成層130は、上記のようなポジ型の感光性を有するものであってもよいが、ネガ型の感光性を有するものであってもよい。その場合、その感光性に応じてマスク72のパターンを反転させるようにすればよい。 The core cambium 130 may have the above-mentioned positive-type photosensitivity, but may also have a negative-type photosensitivity. In that case, the pattern of the mask 72 may be inverted according to the photosensitivity.

[5]コア部14を覆うように側面クラッド部15および上側クラッド層12を形成する工程
次に、コア部14を覆うように、側面クラッド部15と上側クラッド層12とが一体化した部位を形成する(図3(c)参照)。
[5] Step of forming the side clad portion 15 and the upper clad layer 12 so as to cover the core portion 14 Next, a portion where the side clad portion 15 and the upper clad layer 12 are integrated so as to cover the core portion 14 is formed. Form (see FIG. 3 (c)).

かかる部位の形成は、例えばフィルムを貼り付ける方法、原料液を塗布する方法等により行うことができるが、特に原料液を塗布する方法により行うのが好ましい。これにより、上側クラッド層12の上面の平坦化が図られ、取り扱い易い形状の光導波路1が得られる。 The formation of such a portion can be performed by, for example, a method of pasting a film, a method of applying a raw material liquid, or the like, but it is particularly preferable to perform the formation of such a portion by a method of applying a raw material liquid. As a result, the upper surface of the upper clad layer 12 is flattened, and the optical waveguide 1 having a shape that is easy to handle can be obtained.

なお、かかる部位の形成は、下側クラッド層11の形成と同様にして行うことができる。
以上のような変形例においても、前記実施形態と同様の効果が得られる。
The formation of such a portion can be performed in the same manner as the formation of the lower clad layer 11.
Even in the above-mentioned modified examples, the same effect as that of the above-described embodiment can be obtained.

<光導波路>
次に、本発明の光導波路の製造方法により製造される光導波路の一例について説明する。
<Optical Waveguide>
Next, an example of the optical waveguide manufactured by the method for manufacturing the optical waveguide of the present invention will be described.

図4は、本発明の光導波路の製造方法により製造される光導波路の一例を示す平面図である。また、図5は、図4に示す光導波路の断面図である。 FIG. 4 is a plan view showing an example of an optical waveguide manufactured by the method for manufacturing an optical waveguide of the present invention. Further, FIG. 5 is a cross-sectional view of the optical waveguide shown in FIG.

図4に示す光導波路1は、長尺状でかつシート状をなしている。この光導波路1では、長手方向の一端と他端との間で光信号を伝送することができる。 The optical waveguide 1 shown in FIG. 4 has a long shape and a sheet shape. In this optical waveguide 1, an optical signal can be transmitted between one end and the other end in the longitudinal direction.

このような光導波路1は、図5に示すように、下側クラッド層11、コア層13および上側クラッド層12が下方からこの順で積層された積層体と、マスク付き基材7と、を備えている。なお、本明細書では、図5におけるコア層13の互いに表裏の関係にある2つの主面のうち、下面を「下面103」といい、上面を「上面104」ともいう。 As shown in FIG. 5, such an optical waveguide 1 comprises a laminate in which a lower clad layer 11, a core layer 13, and an upper clad layer 12 are laminated in this order from the bottom, and a masked base material 7. I have. In the present specification, of the two main surfaces of the core layer 13 in FIG. 5, which are in a front-to-back relationship with each other, the lower surface is referred to as "lower surface 103" and the upper surface is also referred to as "upper surface 104".

コア層13には、図4に示すように、並列に設けられた8本の長尺状のコア部14と、各コア部14の側面に隣接する側面クラッド部15と、が含まれている。コア部14は、クラッド部(側面クラッド部15、下側クラッド層11および上側クラッド層12)で囲まれており、コア部14に光を閉じ込めて伝搬させることができる。すなわち、これらのコア部14が、光導波路1において光信号を伝送する伝送路として機能する。 As shown in FIG. 4, the core layer 13 includes eight elongated core portions 14 provided in parallel and side clad portions 15 adjacent to the side surfaces of each core portion 14. .. The core portion 14 is surrounded by a clad portion (side clad portion 15, lower clad layer 11 and upper clad layer 12), and light can be confined and propagated in the core portion 14. That is, these core portions 14 function as transmission lines for transmitting optical signals in the optical waveguide 1.

一方、コア層13の上面104のうち、左端面101近傍の部分(以下、この部分を「左上面105」という。)には、上側クラッド層12が積層されていなくてもよい。この場合、左上面105は露出することとなり、他の光学部品に対してコア部14を近接させることができる。これにより、左上面105において、例えば、コア部14と光インターポーザー2との間でアディアバティック結合を形成させることができる。このアディアバティック結合とは、染み出し光(エバネッセント光)を介して光学的に接続されている結合のことをいう。 On the other hand, the upper clad layer 12 may not be laminated on the portion of the upper surface 104 of the core layer 13 near the left end surface 101 (hereinafter, this portion is referred to as the “upper left surface 105”). In this case, the upper left surface 105 is exposed, and the core portion 14 can be brought close to other optical components. Thereby, on the upper left surface 105, for example, an adibatic bond can be formed between the core portion 14 and the optical interposer 2. This adibatic bond refers to a bond that is optically connected via exuding light (evanescent light).

コア層13の横断面における屈折率分布は、いかなる分布であってもよい。この屈折率分布は、屈折率が不連続的に変化したいわゆるステップインデックス(SI)型の分布であってもよいが、少なくともコア部14の幅方向の屈折率が連続的に変化したいわゆるグレーデッドインデックス(GI)型の分布であるのが好ましい。これにより、多少の製造バラツキがあっても光結合損失に影響し難くなるため、製造条件によらずコア部14の光伝送効率が向上する。 The refractive index distribution in the cross section of the core layer 13 may be any distribution. This refractive index distribution may be a so-called step index (SI) type distribution in which the refractive index changes discontinuously, but at least the so-called graded distribution in which the refractive index in the width direction of the core portion 14 continuously changes. An index (GI) type distribution is preferred. As a result, even if there is some manufacturing variation, it is less likely to affect the optical coupling loss, so that the optical transmission efficiency of the core portion 14 is improved regardless of the manufacturing conditions.

また、光導波路1やその中に形成されているコア部14は、それぞれ平面視で直線状であっても曲線状であってもよい。さらに、光導波路1やその中に形成されているコア部14は、それぞれ途中で分岐または交差していてもよい。 Further, the optical waveguide 1 and the core portion 14 formed therein may be linear or curved in a plan view, respectively. Further, the optical waveguide 1 and the core portion 14 formed therein may be branched or intersect in the middle, respectively.

また、コア部14の横断面形状は特に限定されず、例えば、真円、楕円形、長円形等の円形、三角形、四角形、五角形、六角形等の多角形であってもよいが、四角形(矩形状)であることにより、コア部14を形成し易い利点がある。 The cross-sectional shape of the core portion 14 is not particularly limited, and may be, for example, a circle such as a perfect circle, an ellipse, or an oval, or a polygon such as a triangle, a quadrangle, a pentagon, or a hexagon. Since it has a rectangular shape, there is an advantage that the core portion 14 can be easily formed.

一方、コア部14の導波モードは、マルチモードであってもよいが、シングルモードであるのが好ましい。これにより、エバネッセント光を利用したアディアバティック結合にて、高効率で結合できる。また、導波モードがシングルモードである光学部品に対して良好な光結合効率での光接続が可能な光導波路1が得られる。 On the other hand, the waveguide mode of the core portion 14 may be a multi-mode, but is preferably a single mode. As a result, it is possible to bond with high efficiency by adibatic bonding using evanescent light. Further, an optical waveguide 1 capable of optical connection with good optical coupling efficiency to an optical component whose waveguide mode is a single mode can be obtained.

コア部14の幅および高さ(コア層13の厚さ)は、特に限定されないが、それぞれ1〜15μm程度であるのが好ましく、2〜12μm程度であるのがより好ましく、3〜10μm程度であるのがさらに好ましい。これにより、伝送効率の低下を抑えることができる。また、コア部14の幅および高さを前記範囲内に設定することにより、コア部14の導波モードをシングルモードにし易くなる。 The width and height of the core portion 14 (thickness of the core layer 13) are not particularly limited, but are preferably about 1 to 15 μm, more preferably about 2 to 12 μm, and about 3 to 10 μm, respectively. It is more preferable to have it. As a result, it is possible to suppress a decrease in transmission efficiency. Further, by setting the width and height of the core portion 14 within the above range, it becomes easy to set the waveguide mode of the core portion 14 to the single mode.

また、図4に示すように複数のコア部14が並列しているとき、コア部14同士の間に位置する側面クラッド部15の幅は、特に限定されないものの、0.5〜250μm程度であるのが好ましく、1〜200μm程度であるのがより好ましく、2〜125μm程度であるのがさらに好ましい。これにより、コア部14同士の間で光信号が混在(クロストーク)するのを防止しつつコア部14の狭ピッチ化を図ることができる。 Further, as shown in FIG. 4, when a plurality of core portions 14 are arranged in parallel, the width of the side clad portions 15 located between the core portions 14 is not particularly limited, but is about 0.5 to 250 μm. It is preferably about 1 to 200 μm, more preferably about 2 to 125 μm. As a result, it is possible to narrow the pitch of the core portions 14 while preventing the optical signals from being mixed (crosstalk) between the core portions 14.

また、光導波路1中に形成されるコア部14の数は、特に限定されないが、1〜100本程度であるのが好ましい。 The number of core portions 14 formed in the optical waveguide 1 is not particularly limited, but is preferably about 1 to 100.

また、必要に応じて、光導波路1が多層化されていてもよい。具体的には、図5に示す上側クラッド層12の上に、さらにコア層とクラッド層とを交互に重ねることによって多層化することができる。 Further, if necessary, the optical waveguide 1 may be multi-layered. Specifically, the core layer and the clad layer can be alternately laminated on the upper clad layer 12 shown in FIG. 5 to form a multi-layer.

上述したようなコア層13の構成材料(主材料)としては、例えば、アクリル系樹脂、メタクリル系樹脂、ポリカーボネート、ポリスチレン、エポキシ系樹脂やオキセタン系樹脂のような環状エーテル系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリベンゾオキサゾール、ポリシラン、ポリシラザン、シリコーン系樹脂、フッ素系樹脂、ポリウレタン、ポリオレフィン系樹脂、ポリブタジエン、ポリイソプレン、ポリクロロプレン、PETやPBTのようなポリエステル、ポリエチレンサクシネート、ポリサルフォン、ポリエーテル、ベンゾシクロブテン系樹脂やノルボルネン系樹脂等の環状オレフィン系樹脂のような成分をベースポリマーとした各種樹脂材料の他、石英ガラス、ホウケイ酸ガラスのような各種ガラス材料等が挙げられる。なお、樹脂材料は、異なる組成のものを組み合わせた複合材料やポリマーアロイであってもよい。 Examples of the constituent material (main material) of the core layer 13 as described above include acrylic resin, methacrylic resin, polycarbonate, polystyrene, cyclic ether resin such as epoxy resin and oxetane resin, and polyamide resin. Polygonic resin, polybenzoxazole, polysilane, polysilazane, silicone resin, fluororesin, polyurethane, polyolefin resin, polybutadiene, polyisoprene, polychloroprene, polyester such as PET and PBT, polyethylene succinate, polysulfone, polyether In addition to various resin materials based on components such as cyclic olefin resins such as benzocyclobutene resins and norbornene resins, various glass materials such as quartz glass and borosilicate glass can be mentioned. The resin material may be a composite material or a polymer alloy in which materials having different compositions are combined.

また、下側クラッド層11および上側クラッド層12の構成材料としては、例えば、前述したコア層13の構成材料と同様の材料を用いることができるが、特に(メタ)アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、シリコーン系樹脂、ポリイミド系樹脂、フッ素系樹脂、およびポリオレフィン系樹脂からなる群から選択される少なくとも1種であるのが好ましい。 Further, as the constituent material of the lower clad layer 11 and the upper clad layer 12, for example, the same material as the constituent material of the core layer 13 described above can be used, but in particular, a (meth) acrylic resin or an epoxy resin. , Silicone-based resin, polyimide-based resin, fluororesin, and polyolefin-based resin are preferably at least one selected from the group.

なお、光導波路1は、樹脂材料で構成されているのが好ましい。これにより、光導波路1は、安価で、かつ、可撓性および軽量性に富んだものとなり、取り扱いや実装作業の容易化が図られる。 The optical waveguide 1 is preferably made of a resin material. As a result, the optical waveguide 1 becomes inexpensive, highly flexible and lightweight, and facilitates handling and mounting work.

また、光導波路1は、上側クラッド層12の上面に積層されるカバー層(図示せず)を備えていてもよい。 Further, the optical waveguide 1 may include a cover layer (not shown) laminated on the upper surface of the upper clad layer 12.

カバー層の構成材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレン、ポリプロピレンのようなポリオレフィン、ポリイミド、ポリアミド等の各種樹脂材料、石英ガラス、ホウケイ酸ガラスのような各種ガラス材料等が挙げられる。 Examples of the constituent material of the cover layer include polyethylene terephthalate (PET), polyolefins such as polyethylene and polypropylene, various resin materials such as polyimide and polyamide, and various glass materials such as quartz glass and borosilicate glass.

カバー層の平均厚さは、特に限定されないが、5〜500μm程度であるのが好ましく、10〜400μm程度であるのがより好ましい。これにより、カバー層は、適度な剛性を有するものとなるため、コア層13を確実に支持するとともに、外力や外部環境からコア層13および上側クラッド層12を確実に保護することができる。
なお、カバー層は、必要に応じて設けられればよく、省略されていてもよい。
The average thickness of the cover layer is not particularly limited, but is preferably about 5 to 500 μm, and more preferably about 10 to 400 μm. As a result, the cover layer has an appropriate rigidity, so that the core layer 13 can be reliably supported and the core layer 13 and the upper clad layer 12 can be reliably protected from external forces and the external environment.
The cover layer may be provided as needed and may be omitted.

また、マスク付き基材7と下側クラッド層11との間、および、カバー層と上側クラッド層12との間には、それぞれ、必要に応じて任意の層が介挿されていてもよい。 Further, any layer may be interposed between the masked base material 7 and the lower clad layer 11 and between the cover layer and the upper clad layer 12, respectively, if necessary.

一方、コア層13の上面104に積層されている上側クラッド層12は、必ずしも設けられる必要はなく、省略されてもよい。しかしながら、上側クラッド層12が設けられることによって、例えば光導波路1の端面が光ファイバーと接続されるとき、光ファイバーとの結合効率が向上するとともに、コア部14を外力や外部環境から保護することができる。よって、光導波路1の信頼性をより高めることができる。 On the other hand, the upper clad layer 12 laminated on the upper surface 104 of the core layer 13 does not necessarily have to be provided and may be omitted. However, by providing the upper clad layer 12, for example, when the end face of the optical waveguide 1 is connected to the optical fiber, the coupling efficiency with the optical fiber is improved, and the core portion 14 can be protected from an external force or an external environment. .. Therefore, the reliability of the optical waveguide 1 can be further improved.

また、図5に示す光導波路1では、前述したように、コア層13の上面104のうち、左上面105には上側クラッド層12が積層されていない。すなわち、図5に示す光導波路1では、上側クラッド層12の左端面121が、コア層13の左端面101よりも右側に後退している。これにより、左上面105に他の光学部品を配置するとき、上側クラッド層12と光学部品との干渉が避けられるとともに、コア層13が露出することとなる。このため、光導波路1と光学部品とを配置し易くなり、左上面105以外では上側クラッド層12によってコア部14を確実に保護しつつ、光導波路1と光学部品との接続性を高めることができる。 Further, in the optical waveguide 1 shown in FIG. 5, as described above, the upper clad layer 12 is not laminated on the upper left surface 105 of the upper surface 104 of the core layer 13. That is, in the optical waveguide 1 shown in FIG. 5, the left end surface 121 of the upper clad layer 12 recedes to the right side of the left end surface 101 of the core layer 13. As a result, when another optical component is arranged on the upper left surface 105, interference between the upper clad layer 12 and the optical component is avoided, and the core layer 13 is exposed. Therefore, it becomes easy to arrange the optical waveguide 1 and the optical component, and it is possible to improve the connectivity between the optical waveguide 1 and the optical component while reliably protecting the core portion 14 by the upper clad layer 12 other than the upper left surface 105. can.

なお、上側クラッド層12は、コア層13の上面104の全体を覆うように積層されていてもよい。 The upper clad layer 12 may be laminated so as to cover the entire upper surface 104 of the core layer 13.

また、コア層13の上面104が露出することによって、コア部14も露出するため、コア部14と光学部品との距離を近づけることができる。これにより、両者の間での光結合効率をより高めることができる。 Further, since the upper surface 104 of the core layer 13 is exposed, the core portion 14 is also exposed, so that the distance between the core portion 14 and the optical component can be shortened. As a result, the optical coupling efficiency between the two can be further increased.

このような光導波路1は、前述したようにマスク付き基材7を備えている。このため、マスク72は、コア部14の位置を他の光学部品に対して合わせるためのアライメントマークとして利用可能なものとなる。その結果、光導波路1は、他の光学部品との位置合わせをより正確に行い得るものとなり、他の光学部品との光結合効率を高め得るものとなる。 Such an optical waveguide 1 includes a masked base material 7 as described above. Therefore, the mask 72 can be used as an alignment mark for aligning the position of the core portion 14 with respect to other optical components. As a result, the optical waveguide 1 can be aligned with other optical components more accurately, and the optical coupling efficiency with other optical components can be improved.

<光導波路の変形例1>
次に、図4に示す光導波路の変形例1について説明する。
<Modification example 1 of optical waveguide>
Next, a modification 1 of the optical waveguide shown in FIG. 4 will be described.

図6は、図4に示す光導波路の変形例1を示す平面図である。また、図7は、図6に示す光導波路の右端面を示す図である。なお、図6、7では、それぞれ光導波路の一部のみを図示している。 FIG. 6 is a plan view showing a modification 1 of the optical waveguide shown in FIG. Further, FIG. 7 is a diagram showing a right end surface of the optical waveguide shown in FIG. Note that FIGS. 6 and 7 show only a part of the optical waveguide.

以下、変形例1について説明するが、以下の説明では図4に示す光導波路と異なる事項を中心に説明し、同様の事項についてはその説明を省略する。 Hereinafter, the first modification will be described, but in the following description, items different from the optical waveguide shown in FIG. 4 will be mainly described, and the same items will be omitted.

図6に示す光導波路1が備えるマスク付き基材7は、平面視でコア部14と重なる領域に設けられた前述のマスク72(第1マスク)に加え、それ以外の領域に設けられたマスク73(第2マスク)をさらに備えている。 The masked base material 7 included in the optical waveguide 1 shown in FIG. 6 is a mask provided in a region other than the above-mentioned mask 72 (first mask) provided in a region overlapping the core portion 14 in a plan view. 73 (second mask) is further provided.

具体的には、図6に示すマスク73は、光導波路1のうち、コア部14の一端が露出している右端面102に設けられている。より具体的には、図6に示す光導波路1は、平面視で長方形をなしているが、右側に位置する短辺の両端にマスク73が設けられている。これにより、コア部14の光入出射面が露出している右端面102、すなわち、図7に示す右端面に、2つのマスク73、73が露出している。その結果、マスク73は、例えば、コア部14の両端のいずれか一方のみが光入射に適した仕様になっている場合、あるいは、光出射に適した仕様になっている場合、その一方を容易に識別するための目印となり得る。すなわち、マスク73をアライメントマークとして利用することができる。このため、光結合効率の高い接続を容易に実現する光導波路1が得られる。 Specifically, the mask 73 shown in FIG. 6 is provided on the right end surface 102 of the optical waveguide 1 in which one end of the core portion 14 is exposed. More specifically, the optical waveguide 1 shown in FIG. 6 has a rectangular shape in a plan view, but masks 73 are provided at both ends of a short side located on the right side. As a result, the two masks 73 and 73 are exposed on the right end surface 102 where the light entrance / exit surface of the core portion 14 is exposed, that is, the right end surface shown in FIG. As a result, for example, when only one of both ends of the core portion 14 has specifications suitable for light incident, or when the mask 73 has specifications suitable for light emission, one of them can be easily used. Can be a marker for identification. That is, the mask 73 can be used as an alignment mark. Therefore, an optical waveguide 1 that easily realizes a connection with high optical coupling efficiency can be obtained.

また、本変形例では、図6に示すように、コア層13の上面104を平面視した場合においてマスク73を視認することができる一方、図7に示すように、光導波路1の右端面102を平面視した場合においてもマスク73を視認することができる。このため、マスク73を視認するための自由度が高く、光導波路1と他の光学部品との接続作業をより容易に行うことができる。 Further, in this modification, as shown in FIG. 6, the mask 73 can be visually recognized when the upper surface 104 of the core layer 13 is viewed in a plan view, while the right end surface 102 of the optical waveguide 1 is as shown in FIG. The mask 73 can be visually recognized even when the mask 73 is viewed in a plan view. Therefore, the degree of freedom for visually recognizing the mask 73 is high, and the connection work between the optical waveguide 1 and other optical components can be performed more easily.

なお、マスク73の個数は、特に限定されない。例えば、コア部14が複数本並列している場合には、それに応じてマスク73が増設されてもよいし、増設されなくてもよい。 The number of masks 73 is not particularly limited. For example, when a plurality of core portions 14 are arranged in parallel, the mask 73 may or may not be added accordingly.

また、マスク73の形状も、特に限定されない。図6に示すマスク73は、四角形をなしているが、円形であってもよく、多角形であってもよく、その他の形状であってもよい。
以上のような変形例1においても、前記実施形態と同様の効果が得られる。
Further, the shape of the mask 73 is not particularly limited. Although the mask 73 shown in FIG. 6 has a quadrangular shape, it may have a circular shape, a polygonal shape, or another shape.
In the above-described first modification, the same effect as that of the above-described embodiment can be obtained.

<光導波路の変形例2>
次に、図4に示す光導波路の変形例2について説明する。
<Modification example 2 of optical waveguide>
Next, a modification 2 of the optical waveguide shown in FIG. 4 will be described.

図8は、図4に示す光導波路の変形例2を示す平面図である。なお、図8では、光導波路の一部のみを図示している。 FIG. 8 is a plan view showing a modification 2 of the optical waveguide shown in FIG. Note that FIG. 8 illustrates only a part of the optical waveguide.

以下、変形例2について説明するが、以下の説明では前記変形例1と異なる事項を中心に説明し、同様の事項についてはその説明を省略する。 Hereinafter, the modified example 2 will be described, but in the following description, items different from the modified example 1 will be mainly described, and the same items will be omitted.

図8に示す光導波路1が備えるマスク付き基材7は、マスク73の位置と形状が異なる以外、図6に示す光導波路1と同様である。 The masked base material 7 included in the optical waveguide 1 shown in FIG. 8 is the same as the optical waveguide 1 shown in FIG. 6 except that the position and shape of the mask 73 are different.

図8に示すマスク73は、コア部14の長手方向の中間点付近に設けられている。なお、マスク73の位置は、特に限定されず、これ以外の位置であってもよい。 The mask 73 shown in FIG. 8 is provided near an intermediate point in the longitudinal direction of the core portion 14. The position of the mask 73 is not particularly limited, and may be any other position.

一方、図8に示すマスク73の形状は、円環状をなしている。円環状のマスクは、それが画像認識される際、外縁のみならず、内縁についても、エッジ座標として認識させることができる。このため、より高精度な位置座標の取得が可能になり、この位置座標を利用して光導波路1と他の光学部品とをより高精度に接続することができる。すなわち、マスク73をアライメントマークとして利用することができる。 On the other hand, the shape of the mask 73 shown in FIG. 8 has an annular shape. When the image of the annular mask is recognized, not only the outer edge but also the inner edge can be recognized as edge coordinates. Therefore, it is possible to acquire the position coordinates with higher accuracy, and the optical waveguide 1 and other optical components can be connected with higher accuracy by using the position coordinates. That is, the mask 73 can be used as an alignment mark.

なお、マスク73の形状は、特に限定されず、図8に示す円環状以外の形状であってもよい。
以上のような変形例2においても、前記変形例1と同様の効果が得られる。
The shape of the mask 73 is not particularly limited, and may be a shape other than the annular shape shown in FIG.
In the above-mentioned modification 2, the same effect as that of the modification 1 can be obtained.

<光導波路接続体>
次に、図1、2に示す光導波路と光インターポーザーとを接続して得られる光導波路接続体の一例について説明する。
<Optical waveguide connector>
Next, an example of the optical waveguide connector obtained by connecting the optical waveguide shown in FIGS. 1 and 2 and the optical interposer will be described.

図9は、図1、2に示す光導波路と光インターポーザーとを接続して得られる光導波路接続体の一例を示す斜視図であり、図10は、図9に示す光導波路接続体と光ファイバーとを接続する様子を示す斜視図であり、図11は、図9に示す光導波路接続体の断面図であり、図12は、図11に示す光導波路接続体の部分拡大図である。また、図13は、図1、2に示す光導波路と光インターポーザーとを接続する様子を示す断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図11、12の上方を「上」、下方を「下」として説明する。 FIG. 9 is a perspective view showing an example of an optical waveguide connector obtained by connecting the optical waveguide shown in FIGS. 1 and 2 and an optical interposer, and FIG. 10 is a perspective view of the optical waveguide connector shown in FIG. 9 and an optical fiber. 11 is a cross-sectional view of the optical waveguide connector shown in FIG. 9, and FIG. 12 is a partially enlarged view of the optical waveguide connector shown in FIG. Further, FIG. 13 is a cross-sectional view showing how the optical waveguide shown in FIGS. 1 and 2 and the optical interposer are connected. In the following description, for convenience of explanation, the upper part of FIGS. 11 and 12 will be referred to as “upper” and the lower part will be referred to as “lower”.

図9に示す光導波路接続体10は、光導波路1と、光導波路1の右端部に設けられた光コネクター5と、光導波路1の接続対象である光インターポーザー2と、実装基板3と、を有している。 The optical waveguide connection 10 shown in FIG. 9 includes an optical waveguide 1, an optical connector 5 provided at the right end of the optical waveguide 1, an optical interposer 2 to be connected to the optical waveguide 1, a mounting substrate 3, and the like. have.

また、図9に示す光導波路1は、図10に示すように、光コネクター91を伴う光ファイバー9と接続されるようになっている。すなわち、光導波路1の右端面102は、光信号を入出射させるための光入出射面であり、光コネクター5と光コネクター91とを互いに締結することにより、光ファイバー9の光入出射面と光学的に結合される。 Further, as shown in FIG. 10, the optical waveguide 1 shown in FIG. 9 is connected to an optical fiber 9 having an optical connector 91. That is, the right end surface 102 of the optical waveguide 1 is an optical input / output surface for inputting / outputting an optical signal, and by fastening the optical connector 5 and the optical connector 91 to each other, the optical input / output surface of the optical fiber 9 and the optical Are combined.

一方、光インターポーザー2は、インターポーザー基板21と、導光部22と、導電部23と、バンプ24と、半導体素子25と、受発光素子26と、を備えている。 On the other hand, the optical interposer 2 includes an interposer substrate 21, a light guide unit 22, a conductive unit 23, bumps 24, a semiconductor element 25, and a light emitting / receiving element 26.

そして、光導波路1のコア層13の上面104のうち、左端面101近傍の部分(以下、この部分を「左上面105」という。)には、上側クラッド層12が積層されていない(図12参照)。そして、この左上面105上には、図12に示すように、光インターポーザー2が接するように設けられている。これにより、左上面105において、コア部14と光インターポーザー2との間でアディアバティック結合が形成される。このアディアバティック結合は、染み出し光(エバネッセント光)を介して光学的に接続されていることをいう。その結果、光導波路1と光インターポーザー2との間で光信号を相互に伝送させることができる。 The upper clad layer 12 is not laminated on the portion of the upper surface 104 of the core layer 13 of the optical waveguide 1 near the left end surface 101 (hereinafter, this portion is referred to as the “upper left surface 105”) (FIG. 12). reference). Then, as shown in FIG. 12, an optical interposer 2 is provided on the upper left surface 105 so as to be in contact with the optical interposer 2. As a result, an adibatic bond is formed between the core portion 14 and the optical interposer 2 on the upper left surface 105. This adibatic bond means that it is optically connected via exuding light (evanescent light). As a result, optical signals can be transmitted to each other between the optical waveguide 1 and the optical interposer 2.

このような光導波路接続体10を製造するには、図13に示すように、光導波路1のコア部14の幅の中心と光インターポーザー2の導光部22の幅の中心とが一致するように双方を配置する。これにより、光結合効率を高めることができる。この際、光導波路1では、マスク72によってコア部14の視認性が間接的に高められているため、光導波路1の位置決めを行い易い。その結果、位置合わせの精度が高くなり、光結合効率を高めることができる。 In order to manufacture such an optical waveguide connection 10, as shown in FIG. 13, the center of the width of the core portion 14 of the optical waveguide 1 and the center of the width of the light guide portion 22 of the optical interposer 2 coincide with each other. Place both so that. As a result, the photocoupling efficiency can be increased. At this time, in the optical waveguide 1, since the visibility of the core portion 14 is indirectly enhanced by the mask 72, the optical waveguide 1 can be easily positioned. As a result, the accuracy of alignment is improved, and the optical coupling efficiency can be improved.

(光コネクター)
光コネクター5は、図11に示すように、コネクター本体51と、コネクター本体51に形成された貫通孔50と、を備えている。
(Optical connector)
As shown in FIG. 11, the optical connector 5 includes a connector main body 51 and a through hole 50 formed in the connector main body 51.

光導波路1は、接着剤等を介して貫通孔50の内壁面に接着されている。これにより、光導波路1の端部に対して光コネクター5が固定される。この光コネクター5は、例えば図10に示すような光コネクター91と係合するように構成されている。これにより、光コネクター5が装着されている光導波路1と光コネクター91が装着されている光ファイバー9とを光学的に接続することができる。 The optical waveguide 1 is adhered to the inner wall surface of the through hole 50 via an adhesive or the like. As a result, the optical connector 5 is fixed to the end of the optical waveguide 1. The optical connector 5 is configured to engage, for example, an optical connector 91 as shown in FIG. As a result, the optical waveguide 1 to which the optical connector 5 is mounted and the optical fiber 9 to which the optical connector 91 is mounted can be optically connected.

コネクター本体51の外形状は、特に限定されず、図9〜11に示すような直方体に準じた形状であっても、それ以外の形状であってもよい。 The outer shape of the connector main body 51 is not particularly limited, and may be a shape conforming to a rectangular parallelepiped as shown in FIGS. 9 to 11 or any other shape.

なお、光コネクター5は、必要に応じて設けられればよく、省略されてもよい。その場合、光コネクター5を介することなく光ファイバー9に接続されていてもよく、図示しない受発光素子や光インターポーザーに接続されていてもよい。 The optical connector 5 may be provided as needed or may be omitted. In that case, it may be connected to the optical fiber 9 without passing through the optical connector 5, or may be connected to a light receiving / receiving element or an optical interposer (not shown).

(実装基板)
実装基板3は、光導波路1、光コネクター5および光インターポーザー2を搭載するための基板である。このような実装基板3を用いることにより、光導波路1や光インターポーザー2を安定して保持することができる。それとともに、実装基板3には、LSI(Large-Scale Integration)、IC(Integrated Circuit)、CPU(Central Processing Unit)、RAM(Random Access Memory)等の能動部品、コンデンサー、コイル、抵抗、ダイオード等の受動部品のような電子部品、発光ダイオード、レーザーダイオード、受光センサーのような光部品を混載することができる。これにより、より高機能な光導波路接続体10を構築することができる。
(Mounting board)
The mounting board 3 is a board for mounting the optical waveguide 1, the optical connector 5, and the optical interposer 2. By using such a mounting substrate 3, the optical waveguide 1 and the optical interposer 2 can be stably held. At the same time, the mounting board 3 includes active components such as LSI (Large-Scale Integration), IC (Integrated Circuit), CPU (Central Processing Unit), RAM (Random Access Memory), capacitors, coils, resistors, diodes and the like. Electronic components such as passive components, light emitting diodes, laser diodes, and optical components such as light receiving sensors can be mixedly mounted. This makes it possible to construct a more sophisticated optical waveguide connector 10.

実装基板3は、絶縁基板31と導電層32(電気配線)とを備えている。
このうち、絶縁基板31としては、絶縁性とハンドリングに適した剛性とを有する基板であれば、いかなるものでも用いられる。具体例としては、ポリイミド系樹脂、ポリアミド系樹脂、エポキシ系樹脂、各種ビニル系樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂等のポリエステル系樹脂等の各種樹脂材料が挙げられる。この他、紙、ガラス布、樹脂フィルム等を基材とし、この基材に、フェノール系樹脂、ポリエステル系樹脂、エポキシ系樹脂、シアネート系樹脂、ポリイミド系樹脂、フッ素系樹脂等の樹脂材料を含浸させたもの、具体的には、ガラス布・エポキシ銅張積層板、ガラス不織布・エポキシ銅張積層板等のコンポジット銅張積層板に使用される絶縁性基板の他、ポリエーテルイミド樹脂基板、ポリエーテルケトン樹脂基板、ポリサルフォン系樹脂基板等の耐熱・熱可塑性の有機系リジッド基板や、アルミナ基板、窒化アルミニウム基板、炭化ケイ素基板等のセラミックス系リジッド基板等が挙げられる。
The mounting substrate 3 includes an insulating substrate 31 and a conductive layer 32 (electrical wiring).
Of these, as the insulating substrate 31, any substrate having insulation and rigidity suitable for handling can be used. Specific examples include various resin materials such as polyimide resins, polyamide resins, epoxy resins, various vinyl resins, and polyester resins such as polyethylene terephthalate resins. In addition, paper, glass cloth, resin film, etc. are used as the base material, and the base material is impregnated with resin materials such as phenol-based resin, polyester-based resin, epoxy-based resin, cyanate-based resin, polyimide-based resin, and fluorine-based resin. In addition to insulating substrates used for composite copper-clad laminates such as glass cloth / epoxy copper-clad laminates and glass non-woven fabrics / epoxy copper-clad laminates, polyetherimide resin substrates and poly Examples thereof include heat-resistant and thermoplastic organic rigid substrates such as ether ketone resin substrates and polysulfone resin substrates, and ceramic rigid substrates such as alumina substrates, aluminum nitride substrates, and silicon carbide substrates.

また、導電層32は、絶縁基板31の内部や表面に設けられる。導電層32の構成材料としては、例えば、銅、アルミニウム、ニッケル、クロム、亜鉛、錫、金、銀のような金属単体、またはこれらの金属元素を含む合金等が挙げられる。 Further, the conductive layer 32 is provided inside or on the surface of the insulating substrate 31. Examples of the constituent material of the conductive layer 32 include simple metals such as copper, aluminum, nickel, chromium, zinc, tin, gold, and silver, or alloys containing these metal elements.

なお、実装基板3は、必要に応じて設けられればよく、例えば光導波路1と光インターポーザー2との接続体のみで十分な剛性を有する場合には省略されてもよい。 The mounting substrate 3 may be provided as needed, and may be omitted if, for example, only the connection between the optical waveguide 1 and the optical interposer 2 has sufficient rigidity.

(光インターポーザー)
光インターポーザー2は、インターポーザー基板21と、導光部22と、導電部23と、バンプ24と、半導体素子25と、受発光素子26と、を備えている。
(Optical interposer)
The optical interposer 2 includes an interposer substrate 21, a light guide unit 22, a conductive unit 23, bumps 24, a semiconductor element 25, and a light emitting / receiving element 26.

インターポーザー基板21は、導光部22と導電部23とを混載し得る基板であれば、いかなる基板であってもよい。例えば、前述した絶縁基板31として挙げた基板やガラス基板、セラミック基板、化合物半導体基板等であってもよいが、好ましくはシリコン基板(シリコンウエハー)やSOI(Silicon On Insulator)基板、炭化ケイ素基板が用いられる。 The interposer substrate 21 may be any substrate as long as the light guide portion 22 and the conductive portion 23 can be mixedly mounted. For example, the substrate, glass substrate, ceramic substrate, compound semiconductor substrate, etc. mentioned as the above-mentioned insulating substrate 31 may be used, but a silicon substrate (silicon wafer), an SOI (Silicon On Insulator) substrate, or a silicon carbide substrate is preferable. Used.

導光部22は、受発光素子26と光導波路1とを光学的に接続する。すなわち、導光部22は、受発光素子26の近傍から光導波路1に当接する領域まで延在するように設けられる。 The light guide unit 22 optically connects the light emitting / receiving element 26 and the optical waveguide 1. That is, the light guide unit 22 is provided so as to extend from the vicinity of the light emitting / receiving element 26 to the region in contact with the optical waveguide 1.

導光部22の幅は、特に限定されないが、光導波路1のコア部14の幅より狭いのが好ましい。具体的には0.1〜3μm程度であるのが好ましく、0.2〜2μm程度であるのがより好ましい。このような導光部22は、高密度に形成可能であるため、光インターポーザー2の小型化に寄与する。また、光導波路1との間で良好な光結合効率を実現する。 The width of the light guide portion 22 is not particularly limited, but is preferably narrower than the width of the core portion 14 of the optical waveguide 1. Specifically, it is preferably about 0.1 to 3 μm, and more preferably about 0.2 to 2 μm. Since such a light guide portion 22 can be formed at a high density, it contributes to miniaturization of the optical interposer 2. In addition, good optical coupling efficiency with the optical waveguide 1 is realized.

なお、導光部22には、必要に応じて、光信号を分配する分岐部、合波する合流部、共振器等が含まれていてもよい。 The light guide unit 22 may include a branching unit for distributing an optical signal, a merging unit for merging waves, a resonator, and the like, if necessary.

また、導光部22は、その幅が徐々に変化している部分が含まれていてもよい。例えば、導光部22の長手方向の一端に向かうにつれて幅が徐々に減少している部分(テーパー形状部分)が含まれていてもよい。このようなテーパー形状部分を含むことにより、導光部22とコア部14との光結合効率をより高めることができる。 Further, the light guide unit 22 may include a portion whose width gradually changes. For example, a portion (tapered shape portion) whose width gradually decreases toward one end in the longitudinal direction of the light guide portion 22 may be included. By including such a tapered portion, the optical coupling efficiency between the light guide portion 22 and the core portion 14 can be further improved.

また、導光部22は、前述したように、その幅の中心とコア部14の幅の中心とが一致するように配置されるのが好ましい。このように配置されることで、平面視において双方が重なる面積を最大限に確保し易くなる。これにより、光導波路1と光インターポーザー2との光結合効率をより高めることができる。 Further, as described above, the light guide portion 22 is preferably arranged so that the center of the width coincides with the center of the width of the core portion 14. By arranging in this way, it becomes easy to secure the maximum area where both sides overlap in a plan view. As a result, the optical coupling efficiency between the optical waveguide 1 and the optical interposer 2 can be further increased.

なお、導光部22の幅の中心とコア部14の幅の中心とが一致しているとは、位置ずれがコア部14の幅の20%以下である状態を指す。 The fact that the center of the width of the light guide portion 22 and the center of the width of the core portion 14 coincide with each other means that the misalignment is 20% or less of the width of the core portion 14.

さらに、導光部22の光軸およびコア部14の光軸は、互いに平行であるのが好ましい。このように配置されることで、平面視において双方が重なる面積を最大限に確保し易くなる。これにより、光導波路1と光インターポーザー2との光結合効率をより高めることができる。 Further, it is preferable that the optical axis of the light guide portion 22 and the optical axis of the core portion 14 are parallel to each other. By arranging in this way, it becomes easy to secure the maximum area where both sides overlap in a plan view. As a result, the optical coupling efficiency between the optical waveguide 1 and the optical interposer 2 can be further increased.

なお、導光部22の光軸とコア部14の光軸とが互いに平行であるとは、角度ずれが1°以下である状態を指す。 The fact that the optical axis of the light guide unit 22 and the optical axis of the core unit 14 are parallel to each other means a state in which the angle deviation is 1 ° or less.

導電部23は、半導体素子25や受発光素子26とバンプ24とを電気的に接続する。すなわち、導電部23は、半導体素子25や受発光素子26の近傍からバンプ24まで延在するように設けられる。導電部23の構成材料は、前述した導電層32の構成材料と同様のものから選択可能である。 The conductive portion 23 electrically connects the semiconductor element 25 or the light emitting / receiving element 26 with the bump 24. That is, the conductive portion 23 is provided so as to extend from the vicinity of the semiconductor element 25 and the light emitting / receiving element 26 to the bump 24. The constituent material of the conductive portion 23 can be selected from the same constituent materials as those of the conductive layer 32 described above.

バンプ24は、インターポーザー基板21の下面に設けられ、光インターポーザー2と実装基板3とを電気的および機械的に接続する。バンプ24としては、例えば金バンプやはんだバンプ等が挙げられる。 The bump 24 is provided on the lower surface of the interposer substrate 21 and electrically and mechanically connects the optical interposer 2 and the mounting substrate 3. Examples of the bump 24 include gold bumps and solder bumps.

半導体素子25としては、例えば、ドライバーIC、トランスインピーダンスアンプ(TIA)、リミッティングアンプ(LA)、またはこれらの素子を複合したコンビネーションIC、LSI、CPU、RAM、ROM、センサー素子等のような能動素子が挙げられる。 Examples of the semiconductor element 25 include a driver IC, a transimpedance amplifier (TIA), a limiting amplifier (LA), or an active combination IC, LSI, CPU, RAM, ROM, sensor element, or the like in which these elements are combined. Elements can be mentioned.

また、光インターポーザー2には、その他に、コンデンサー、コイル、抵抗、ダイオード、圧電素子等のような受動素子が搭載されていてもよい。 In addition, the optical interposer 2 may be equipped with a passive element such as a capacitor, a coil, a resistor, a diode, or a piezoelectric element.

なお、半導体素子25は、好ましくはベアチップとして搭載される。これにより、光インターポーザー2のさらなる小型化を図ることができる。 The semiconductor element 25 is preferably mounted as a bare chip. As a result, the optical interposer 2 can be further miniaturized.

受発光素子26としては、例えば、発光ダイオード、レーザーダイオードのような発光素子、フォトダイオードのような受光素子、またはこれらを複合した複合素子等が挙げられる。 Examples of the light receiving / receiving element 26 include a light emitting diode, a light emitting element such as a laser diode, a light receiving element such as a photodiode, and a composite element obtained by combining these.

なお、半導体素子25や受発光素子26の実装方法は、特に限定されず、図示したフェイスダウンでのフリップチップ実装以外の実装方法であってもよい。 The mounting method of the semiconductor element 25 and the light emitting / receiving element 26 is not particularly limited, and a mounting method other than the illustrated face-down flip chip mounting may be used.

また、半導体素子25および受発光素子26は、それぞれ個別の素子である必要はなく、両者が複合された複合素子であってもよい。 Further, the semiconductor element 25 and the light emitting / receiving element 26 do not have to be individual elements, and may be a composite element in which both are combined.

以上のような光インターポーザー2を備える光導波路接続体10は、例えば実装基板3に搭載されたLSI等の制御素子によって制御され、光信号を送信または受信する光トランシーバーとして機能する。すなわち、制御素子と光ファイバー9との間に介挿され、電気・光変換を担うことにより、例えばチップ間、ボード間、サーバー間の光通信の構築に寄与する。 The optical waveguide connector 10 provided with the optical interposer 2 as described above is controlled by a control element such as an LSI mounted on the mounting substrate 3, and functions as an optical transceiver that transmits or receives an optical signal. That is, it is inserted between the control element and the optical fiber 9 and is responsible for electrical / optical conversion, thereby contributing to the construction of optical communication between chips, boards, and servers, for example.

<電子機器>
上述したような光導波路接続体10は、前述したように、光導波路1と光インターポーザー2とが高い光結合効率で接続され、信頼性の高いものである。したがって、光導波路接続体10を備えることにより、高品質の光通信を行い得る信頼性の高い電子機器が得られる。
<Electronic equipment>
As described above, the optical waveguide 10 as described above is highly reliable because the optical waveguide 1 and the optical interposer 2 are connected with high optical coupling efficiency. Therefore, by providing the optical waveguide connector 10, a highly reliable electronic device capable of performing high-quality optical communication can be obtained.

かかる電子機器としては、例えば、スマートフォン、タブレット端末、携帯電話、ゲーム機、ルーター装置、WDM(Wavelength Division Multiplex)装置、パソコン、テレビ、ホーム・サーバー等の電子機器類が挙げられる。これらの電子機器では、いずれも、例えばLSI等の演算装置とRAM等の記憶装置との間で、大容量のデータを高速に伝送する必要がある。したがって、このような電子機器が光導波路接続体10を備えることにより、電気配線に特有なノイズ、信号劣化等の不具合が解消され、その性能の飛躍的な向上が期待できる。 Examples of such electronic devices include electronic devices such as smartphones, tablet terminals, mobile phones, game machines, router devices, WDM (Wavelength Division Multiplex) devices, personal computers, televisions, and home servers. In any of these electronic devices, it is necessary to transmit a large amount of data at high speed between an arithmetic unit such as an LSI and a storage device such as a RAM. Therefore, when such an electronic device is provided with the optical waveguide connector 10, problems such as noise and signal deterioration peculiar to electrical wiring are eliminated, and a dramatic improvement in its performance can be expected.

また、光導波路部分では、電気配線に比べて発熱量が大幅に削減される。このため、冷却に要する電力を削減することができ、電子機器全体の消費電力を削減することができる。 Further, in the optical waveguide portion, the amount of heat generated is significantly reduced as compared with the electric wiring. Therefore, the power required for cooling can be reduced, and the power consumption of the entire electronic device can be reduced.

以上、本発明の光導波路の製造方法を、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものではない。
例えば、前記実施形態には任意の工程が付加されていてもよい。
Although the method for manufacturing the optical waveguide of the present invention has been described above based on the illustrated embodiment, the present invention is not limited thereto.
For example, any step may be added to the embodiment.

1 光導波路
2 光インターポーザー
3 実装基板
5 光コネクター
7 マスク付き基材
9 光ファイバー
10 光導波路接続体
11 下側クラッド層
12 上側クラッド層
13 コア層
14 コア部
15 側面クラッド部
21 インターポーザー基板
22 導光部
23 導電部
24 バンプ
25 半導体素子
26 受発光素子
31 絶縁基板
32 導電層
50 貫通孔
51 コネクター本体
71 基材
72 マスク
73 マスク
91 光コネクター
101 左端面
102 右端面
103 下面
104 上面
105 左上面
121 左端面
130 コア形成層
L 活性放射線
1 Optical Waveguide 2 Optical Interposer 3 Mounting Board 5 Optical Connector 7 Masked Base Material 9 Optical Fiber 10 Optical Waveguide Connection 11 Lower Clad Layer 12 Upper Clad Layer 13 Core Layer 14 Core 15 Side Clad 21 Interposer Board 22 Conductor Optical part 23 Conductive part 24 Bump 25 Semiconductor element 26 Light emitting / receiving element 31 Insulating substrate 32 Conductive layer 50 Through hole 51 Connector body 71 Base material 72 Mask 73 Mask 91 Optical connector 101 Left end surface 102 Right end surface 103 Bottom surface 104 Top surface 105 Left top surface 121 Left end face 130 core forming layer L active radiation

Claims (7)

光透過性を有する基材と、前記基材の一方の面側に設けられたマスクとを備えるマスク付き基材を用意する工程と、
前記マスクを覆うように原料液を塗布することにより、前記マスク付き基材の一方の面側に、平均厚さが前記マスクの3〜200倍であるクラッド層を形成する工程と、
前記クラッド層の前記マスク付き基材側とは反対側にコア形成層を形成する工程と、
前記マスク付き基材側から前記コア形成層に活性放射線を照射し、前記コア形成層にコア部を形成する工程と、
を有し、
前記マスクは、
前記コア部と重なる第1マスクと、
前記コア部以外の領域に設けられた第2マスクと、
を含むことを特徴とする光導波路の製造方法。
A step of preparing a substrate having optical transparency, a mask provided on one surface side of the substrate, the masked substrate with a
A step of forming a clad layer having an average thickness of 3 to 200 times that of the mask on one surface side of the masked base material by applying the raw material liquid so as to cover the mask.
A step of forming a core forming layer on the side of the clad layer opposite to the masked base material side,
A step of irradiating the core forming layer with active radiation from the masked base material side to form a core portion on the core forming layer,
Have a,
The mask is
The first mask that overlaps the core part and
A second mask provided in a region other than the core portion and
A method for manufacturing an optical waveguide, which comprises.
前記コア形成層は、前記活性放射線の照射によって屈折率が低下する請求項1に記載の光導波路の製造方法。 The method for manufacturing an optical waveguide according to claim 1, wherein the core forming layer has a refractive index whose refractive index is lowered by irradiation with the active radiation. 前記コア形成層は、前記活性放射線の照射によって二量化可能な官能基を有する化合物を含む請求項1または2に記載の光導波路の製造方法。 The method for producing an optical waveguide according to claim 1 or 2, wherein the core cambium contains a compound having a functional group that can be dimerized by irradiation with active radiation. 前記マスクは、金属材料を含む請求項1ないし3のいずれか1項に記載の光導波路の製造方法。 The method for manufacturing an optical waveguide according to any one of claims 1 to 3, wherein the mask includes a metal material. 前記基材は、前記クラッド層よりも曲げ弾性率が大きい請求項1ないし4のいずれか1項に記載の光導波路の製造方法。 The method for producing an optical waveguide according to any one of claims 1 to 4, wherein the base material has a flexural modulus larger than that of the clad layer. 前記クラッド層の平均厚さは、2〜50μmである請求項1ないしのいずれか1項に記載の光導波路の製造方法。 The method for manufacturing an optical waveguide according to any one of claims 1 to 5 , wherein the average thickness of the clad layer is 2 to 50 μm. 前記コア形成層を形成する工程は、原料液を塗布する操作を含む請求項1ないし6のいずれか1項に記載の光導波路の製造方法。The method for manufacturing an optical waveguide according to any one of claims 1 to 6, wherein the step of forming the core forming layer includes an operation of applying a raw material liquid.
JP2017144209A 2017-07-26 2017-07-26 Manufacturing method of optical waveguide Active JP6958063B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017144209A JP6958063B2 (en) 2017-07-26 2017-07-26 Manufacturing method of optical waveguide

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017144209A JP6958063B2 (en) 2017-07-26 2017-07-26 Manufacturing method of optical waveguide

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2019028117A JP2019028117A (en) 2019-02-21
JP6958063B2 true JP6958063B2 (en) 2021-11-02

Family

ID=65478352

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017144209A Active JP6958063B2 (en) 2017-07-26 2017-07-26 Manufacturing method of optical waveguide

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP6958063B2 (en)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020226120A1 (en) * 2019-05-09 2020-11-12 Agc株式会社 Polymer optical waveguide and composite optical waveguide
JP7511395B2 (en) 2020-06-23 2024-07-05 Nissha株式会社 Photoelectric conversion element and its manufacturing method

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6366730B1 (en) * 2000-04-03 2002-04-02 Lucent Technologies Inc. Tunable optical waveguides
JP2006058357A (en) * 2004-08-17 2006-03-02 Hitachi Cable Ltd Optical circuit and manufacturing method therefor
JP2012163837A (en) * 2011-02-08 2012-08-30 Sumitomo Bakelite Co Ltd Manufacturing method of optical waveguide, optical waveguide, and electronic apparatus
JP5768545B2 (en) * 2011-07-05 2015-08-26 日立化成株式会社 Flexible optical waveguide and flexible photoelectric composite substrate
JP2014199369A (en) * 2013-03-29 2014-10-23 住友ベークライト株式会社 Optical waveguide and electronic apparatus
JP2015106034A (en) * 2013-11-29 2015-06-08 日立化成株式会社 Optical waveguide

Also Published As

Publication number Publication date
JP2019028117A (en) 2019-02-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9081159B2 (en) Optical waveguide and method of manufacturing the same, and optical waveguide device
WO2013179522A1 (en) Method for producing opto-electric hybrid flexible printed wiring board, and opto-electric hybrid flexible printed wiring board
JP2005157128A (en) Optical transmission substrate, method for manufacturing optical transmission substrate, and photoelectric integrated circuit
JP2010026508A (en) Method for manufacturing optical interface module and optical interface module
WO2012043609A1 (en) Optical waveguide structure and electronic device
JP2010190994A (en) Opto-electric hybrid module and method of manufacturing the same
JP2016102883A (en) Optical waveguide, manufacturing method of optical waveguide module, and electronic apparatus
US20050207693A1 (en) Optical structures and methods for connecting optical circuit board components
JP2011237503A (en) Photoelectric composite substrate and method of manufacturing the same
US8737794B2 (en) Two-layer optical waveguide and method of manufacturing the same
JP6958063B2 (en) Manufacturing method of optical waveguide
JP4690870B2 (en) Opto-electric integrated wiring board and opto-electric integrated wiring system
JP5277874B2 (en) Opto-electric hybrid board and electronic equipment
JP7031125B2 (en) Optical Waveguide, Optical Waveguide Connectivity and Electronic Devices
JP6251989B2 (en) Opto-electric hybrid board and electronic equipment
JP5625706B2 (en) Manufacturing method of laminate
JP2009145817A (en) Optical substrate and its manufacturing method
JP2019028116A (en) Optical waveguide, optical waveguide connection body, and electronic apparatus
JP5444918B2 (en) Optical waveguide structure, opto-electric hybrid board manufacturing method, opto-electric hybrid board, and electronic apparatus
JP7013701B2 (en) Optical Waveguide, Optical Waveguide Connectivity and Electronic Devices
JP7031124B2 (en) Optical Waveguide, Optical Waveguide Connectivity and Electronic Devices
JP2016012006A (en) Optical waveguide, photoelectric hybrid substrate, and electronic apparatus
JP6137971B2 (en) Flexible printed wiring board with optical waveguide and manufacturing method thereof
JP5703922B2 (en) Optical waveguide, opto-electric hybrid board, and electronic equipment
JP4698728B2 (en) Opto-electric integrated wiring board and opto-electric integrated wiring system

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20200622

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20210407

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20210420

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210618

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20210907

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20210920

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 6958063

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151