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JP2016102883A - Optical waveguide, manufacturing method of optical waveguide module, and electronic apparatus - Google Patents

Optical waveguide, manufacturing method of optical waveguide module, and electronic apparatus Download PDF

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JP2016102883A
JP2016102883A JP2014240805A JP2014240805A JP2016102883A JP 2016102883 A JP2016102883 A JP 2016102883A JP 2014240805 A JP2014240805 A JP 2014240805A JP 2014240805 A JP2014240805 A JP 2014240805A JP 2016102883 A JP2016102883 A JP 2016102883A
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optical waveguide
refractive index
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waveguide
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JP2014240805A
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章弘 堀元
Akihiro Horimoto
章弘 堀元
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Sumitomo Bakelite Co Ltd
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Sumitomo Bakelite Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an optical waveguide which includes formation lines capable of recognizing their positions more accurately than ever before so as to be able to function as alignment marks, and a manufacturing method of an optical waveguide module using the optical waveguide.SOLUTION: An optical waveguide 1 includes a core layer 11 including a long core part 111, and waveguide pattern formation lines 113. Average values of a refractive index in a thickness direction of the core layer 11 change in a line width direction of the waveguide pattern formation lines 113, so that the waveguide pattern formation lines 113 are formed. A difference in the average values of the refractive index in the thickness direction at both end parts in the line width direction of the waveguide pattern formation lines 113 is a range in which the waveguide pattern formation lines 113 function as alignment marks.SELECTED DRAWING: Figure 2

Description

本発明は、光導波路、光導波路モジュールの製造方法及び電子機器に関する。   The present invention relates to an optical waveguide, a method for manufacturing an optical waveguide module, and an electronic device.

従来、光搬送波を用いてデータを移送する光通信技術において、光搬送波を一地点から他地点に導くための手段として光導波路が知られている。この光導波路は、長尺状のコア部と、その周囲を覆うように設けられたクラッド部と、を有する。コア部は、光搬送波に対して実質的に透明な材料によって構成される。クラッド部は、コア部より屈折率が低い材料によって構成される。   Conventionally, in an optical communication technology for transferring data using an optical carrier wave, an optical waveguide is known as a means for guiding the optical carrier wave from one point to another point. This optical waveguide has a long core part and a clad part provided so as to cover the periphery thereof. The core portion is made of a material that is substantially transparent to the optical carrier wave. The cladding part is made of a material having a lower refractive index than the core part.

光導波路では、コア部の一端から導入された光は、コア部とクラッド部との境界で反射しながら他端に伝搬される。光導波路の入射側には半導体レーザー等の発光素子が配置され、出射側にはフォトダイオード等の受光素子が配置される。発光素子から入射された光は光導波路を伝搬して受光素子により受光され、受光した光の明滅パターン又はその強弱パターンに基づいて光通信が行われる。   In the optical waveguide, light introduced from one end of the core portion is propagated to the other end while being reflected at the boundary between the core portion and the clad portion. A light emitting element such as a semiconductor laser is disposed on the incident side of the optical waveguide, and a light receiving element such as a photodiode is disposed on the emission side. Light incident from the light emitting element propagates through the optical waveguide and is received by the light receiving element, and optical communication is performed based on the flickering pattern of the received light or its intensity pattern.

ところで、光導波路は一般に短距離の光通信に用いられ、長距離の光通信には光ファイバーが用いられる。したがって、ローカルネットワークと基幹系ネットワークとを接続する際には、光導波路と光ファイバーとを光学的に接続する必要がある。   By the way, an optical waveguide is generally used for short-distance optical communication, and an optical fiber is used for long-distance optical communication. Therefore, when connecting the local network and the backbone network, it is necessary to optically connect the optical waveguide and the optical fiber.

例えば、特許文献1の図8等には、光導波路と光ファイバーとが接続された構造が開示されている。この構造では、光路変換用のミラーが形成された光導波路の上方に光ファイバーが配置され、この光ファイバーが光コネクターを介して光導波路に光学的に接続される。   For example, FIG. 8 of Patent Document 1 discloses a structure in which an optical waveguide and an optical fiber are connected. In this structure, an optical fiber is disposed above an optical waveguide in which an optical path conversion mirror is formed, and the optical fiber is optically connected to the optical waveguide via an optical connector.

より詳しくは、光導波路の上面に形成されたガイド穴に、光ファイバーに接続された光コネクターの下面に形成されたガイドピンを嵌合させることで、光ファイバーが光導波路に光学的に接続される。このとき、光導波路の光軸と光ファイバーの光軸とがミラーを介して一致する必要があるため、光導波路の上面に形成するガイド穴の位置精度は極めて重要である。同様に、光導波路に加工形成されるミラーの位置精度も極めて重要である。   More specifically, the optical fiber is optically connected to the optical waveguide by fitting a guide pin formed on the lower surface of the optical connector connected to the optical fiber into a guide hole formed on the upper surface of the optical waveguide. At this time, since it is necessary for the optical axis of the optical waveguide and the optical axis of the optical fiber to coincide with each other via a mirror, the positional accuracy of the guide hole formed in the upper surface of the optical waveguide is extremely important. Similarly, the positional accuracy of the mirror processed and formed in the optical waveguide is extremely important.

ところで、光導波路にガイド穴やミラーを加工形成する際には、これらの加工位置の基準点として、光導波路内に設けられたコア部が用いられていた。ところが、コア部は非常に細い線状のものであるため、その位置を正確に認識することが困難であった。そのため、コア部を基準点とした場合には、基準点の位置が安定しない結果、ガイド穴やミラーの位置精度を十分に高められないという問題があった。   By the way, when processing and forming guide holes and mirrors in the optical waveguide, a core portion provided in the optical waveguide has been used as a reference point for these processing positions. However, since the core part is a very thin line, it is difficult to accurately recognize its position. Therefore, when the core portion is used as a reference point, there is a problem that the position accuracy of the guide hole and the mirror cannot be sufficiently increased as a result of the position of the reference point being unstable.

国際公開第2006/054569号International Publication No. 2006/054569

そこで、光導波路にアライメントマークを設け、これを基準点とすることが提案されている。しかしながら、位置を正確に認識できないアライメントマークの場合には、アライメントマークとして十分に機能し得ず、コア部を基準点とした場合と同様の問題が生じていた。   Therefore, it has been proposed to provide an alignment mark on the optical waveguide and use this as a reference point. However, in the case of an alignment mark whose position cannot be accurately recognized, it cannot function sufficiently as an alignment mark, and the same problem as in the case where the core portion is used as a reference point has occurred.

本発明の目的は、従来よりもその位置を正確に認識でき、アライメントマークとして機能し得る形成線を備えた光導波路及び該光導波路を用いた光導波路モジュールの製造方法を提供することにある。   An object of the present invention is to provide an optical waveguide provided with a forming line that can recognize its position more accurately and function as an alignment mark, and a method for manufacturing an optical waveguide module using the optical waveguide.

(1)長尺状のコア部(例えば、後述のコア部111)を有するコア層(例えば、後述のコア層11)を備えた光導波路であって、前記コア層の厚み方向の屈折率の平均値がその線幅方向において変化することで形成された形成線(例えば、後述の導波路パターン形成線113)を備え、前記形成線の線幅方向の両端部(例えば、後述の両端部P1,P2)における前記平均値の差を、前記形成線がアライメントマークとして機能する範囲とした光導波路(例えば、後述の光導波路1)。   (1) An optical waveguide provided with a core layer (for example, a core layer 11 to be described later) having a long core portion (for example, a core portion 111 to be described later) having a refractive index in the thickness direction of the core layer. A formation line (for example, a waveguide pattern formation line 113 described later) formed by changing the average value in the line width direction is provided, and both end portions (for example, both end portions P1 described later) of the formation line in the line width direction are provided. , P2), an optical waveguide in which the formation line functions as an alignment mark (for example, optical waveguide 1 described later).

(2)前記平均値の差を、0.01〜0.05とした(1)に記載の光導波路。   (2) The optical waveguide according to (1), wherein the difference between the average values is 0.01 to 0.05.

(3)前記形成線の線幅が、1〜7μmである(1)又は(2)に記載の光導波路。   (3) The optical waveguide according to (1) or (2), wherein the formed line has a line width of 1 to 7 μm.

(4)前記コア部の幅が、20〜100μmであり、前記コア部の高さが、20〜100μmである(1)から(3)いずれかに記載の光導波路。   (4) The optical waveguide according to any one of (1) to (3), wherein a width of the core portion is 20 to 100 μm, and a height of the core portion is 20 to 100 μm.

(5)隣接する前記コア部の中心軸間の距離であるピッチが、50〜500μmである(1)から(4)いずれかに記載の光導波路。   (5) The optical waveguide according to any one of (1) to (4), wherein a pitch, which is a distance between the central axes of the adjacent core portions, is 50 to 500 μm.

(6)長尺状のコア部(例えば、後述のコア部111)と、前記コア部の側面に隣接するクラッド部(例えば、後述の側面クラッド部112)と、を有するコア層(例えば、後述のコア層11)を備える光導波路であって、前記コア部と前記クラッド部の界面に、アライメントマークとしての形成線として機能させる傾斜面及び曲面のうち少なくとも一方を設けた光導波路(例えば、後述の光導波路1)。   (6) A core layer (e.g., described later) having a long core (e.g., core unit 111 described later) and a cladding part (e.g., side cladding unit 112 described later) adjacent to the side surface of the core unit. An optical waveguide provided with at least one of an inclined surface and a curved surface functioning as a forming line as an alignment mark at the interface between the core portion and the cladding portion (for example, described later) Optical waveguide 1).

(7)(1)から(6)いずれかに記載の光導波路(例えば、後述の光導波路1)を用いた光導波路モジュールの製造方法であって、前記形成線(例えば、後述の導波路パターン形成線113)の位置を基準にして加工位置を決定し、前記光導波路を加工する加工工程を有する光導波路モジュールの製造方法。   (7) A method of manufacturing an optical waveguide module using the optical waveguide according to any one of (1) to (6) (for example, an optical waveguide 1 described later), wherein the formation line (for example, a waveguide pattern described later) A manufacturing method of an optical waveguide module including a processing step of determining a processing position on the basis of the position of the forming line 113) and processing the optical waveguide.

(8)(1)から(6)いずれかに記載の光導波路(例えば、後述の光導波路1)を備える電子機器。   (8) An electronic device including the optical waveguide according to any one of (1) to (6) (for example, an optical waveguide 1 described later).

本発明によれば、従来よりもその位置を正確に認識でき、アライメントマークとして機能し得る形成線を備えた光導波路及び該光導波路を用いた光導波路モジュールの製造方法を提供できる。また、本発明によれば、光導波路に対して、種々の加工を高い位置精度で行うことができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the manufacturing method of the optical waveguide provided with the formation line which can recognize the position more correctly than before, and can function as an alignment mark, and this optical waveguide can be provided. In addition, according to the present invention, various processing can be performed on the optical waveguide with high positional accuracy.

本発明の一実施形態に係る光導波路の一部を示す斜視図である。It is a perspective view showing some optical waveguides concerning one embodiment of the present invention. 上記実施形態に係るコア部の横断面における屈折率分布がSI型の場合における、厚み方向の屈折率の平均値と導波路パターン形成線との関係を示す図である。It is a figure which shows the relationship between the average value of the refractive index of the thickness direction, and a waveguide pattern formation line in case the refractive index distribution in the cross section of the core part which concerns on the said embodiment is SI type. 横断面における屈折率分布がSI型のアライメントマークにおける、アライメントマーク形成線と横断面形状との関係を示す図である。It is a figure which shows the relationship between the alignment mark formation line and a cross-sectional shape in an alignment mark whose refractive index distribution in a cross-section is SI type. 上記実施形態に係るコア部の横断面における屈折率分布がW型の場合における、厚み方向の屈折率の平均値と導波路パターン形成線との関係を示す図である。It is a figure which shows the relationship between the average value of the refractive index of the thickness direction, and a waveguide pattern formation line in case the refractive index distribution in the cross section of the core part which concerns on the said embodiment is a W type. 上記実施形態に係る光導波路の加工の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the process of the optical waveguide which concerns on the said embodiment.

以下、本発明の一実施形態について、図面を参照して詳しく説明する。
[光導波路]
図1は、本発明の一実施形態に係る光導波路1の一部を示す斜視図である。図1に示すように、光導波路1は、帯状であり、一端から他端に光信号を伝送する光配線として機能する。光導波路1は、コア層11と、下側クラッド層12と、上側クラッド層13と、を備え、下方から下側クラッド層12、コア層11、上側クラッド層13の順に積層されることで形成される。
Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
[Optical waveguide]
FIG. 1 is a perspective view showing a part of an optical waveguide 1 according to an embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1, the optical waveguide 1 has a band shape and functions as an optical wiring that transmits an optical signal from one end to the other end. The optical waveguide 1 includes a core layer 11, a lower clad layer 12, and an upper clad layer 13, and is formed by laminating the lower clad layer 12, the core layer 11, and the upper clad layer 13 in this order from below. Is done.

また、本実施形態に係る光導波路1は、平面視において、後述するコア部111と側面クラッド部112とで形成される導波路パターンの輪郭を構成する複数の導波路パターン形成線113を備える。この導波路パターン形成線113は、光導波路1の平面視において、例えば画像認識システムにより正確に認識可能であり、アライメントマークとして機能し得る。そのため、この導波路パターン形成線113の位置を基準として、光導波路1に対して高い位置精度で各種の加工が可能となっている。この導波路パターン形成線113については、後段で詳述する。   In addition, the optical waveguide 1 according to the present embodiment includes a plurality of waveguide pattern forming lines 113 constituting the outline of a waveguide pattern formed by a core part 111 and a side cladding part 112 described later in plan view. The waveguide pattern forming line 113 can be accurately recognized by, for example, an image recognition system in a plan view of the optical waveguide 1 and can function as an alignment mark. Therefore, various processing can be performed with high positional accuracy with respect to the optical waveguide 1 with reference to the position of the waveguide pattern forming line 113. The waveguide pattern forming line 113 will be described in detail later.

先ず、光導波路1の基本構成について詳述する。   First, the basic configuration of the optical waveguide 1 will be described in detail.

コア層11は、並列に複数設けられた長尺状のコア部111と、各コア部111の両側面にそれぞれ隣接して設けられた複数の側面クラッド部112と、を備える。すなわち、側面クラッド部112は、コア層11において、複数のコア部111間を埋めるように設けられる。側面クラッド部112は、後述する下側クラッド層12及び上側クラッド層13と同様に、コア部111よりも屈折率が低い部材で構成される。これにより、側面クラッド部112、下側クラッド層12及び上側クラッド層13(以下、これらのクラッドを単に「クラッド部」という。)で囲繞された各コア部111では、その一端から導入された光が各コア部111内に閉じ込められ、閉じ込められた光はクラッド部との境界で反射しながら他端まで伝搬される。   The core layer 11 includes a plurality of long core portions 111 provided in parallel and a plurality of side clad portions 112 provided adjacent to both side surfaces of each core portion 111. That is, the side clad portion 112 is provided in the core layer 11 so as to fill a space between the plurality of core portions 111. The side clad portion 112 is formed of a member having a refractive index lower than that of the core portion 111, similarly to the lower clad layer 12 and the upper clad layer 13 described later. Thereby, in each core part 111 surrounded by the side clad part 112, the lower clad layer 12, and the upper clad layer 13 (hereinafter, these clads are simply referred to as “clad parts”), the light introduced from one end thereof. Are confined in each core part 111, and the confined light is propagated to the other end while being reflected at the boundary with the clad part.

コア部111の屈折率は、クラッド部の屈折率より大きく設定され、その差は0.3%以上であることが好ましく、より好ましくは、0.5%以上である。上限値は、好ましくは5.5%以下である。屈折率差が0.3%未満である場合には、光を伝搬する効果が低下するおそれがある。一方、屈折率差が5.5%を超える場合には、光の伝搬効率においてそれ以上の向上は期待できない。   The refractive index of the core part 111 is set larger than the refractive index of the cladding part, and the difference is preferably 0.3% or more, more preferably 0.5% or more. The upper limit is preferably 5.5% or less. When the difference in refractive index is less than 0.3%, the effect of propagating light may be reduced. On the other hand, when the refractive index difference exceeds 5.5%, further improvement in the light propagation efficiency cannot be expected.

なお、上述の屈折率差は、コア部111の屈折率をA、クラッド部の屈折率をBとしたときに、下記の式(1)で表される。
[数1]

屈折率差(%)=|A/B−1|×100 ・・・式(1)

また、コア部111の横断面(コア部111の延設方向に直交する方向の断面。以下同じ。)における屈折率分布は、いかなる形状の分布であってもよい。具体的には、屈折率が不連続的に変化したいわゆるステップインデックス(SI)型の分布でもよく、屈折率が連続的に変化したいわゆるグレーデッドインデックス(GI)型の分布やW型の分布であってもよい。SI型の分布であれば、異なる材料により屈折率分布を形成するため形成が容易である。GI型の分布であれば、屈折率の高い領域に信号光が集まる確率が高くなるため、伝搬効率が向上する。また、W型の分布であれば、GI型の分布と同様に屈折率の高い領域に信号光が集まる確率が高くなるため伝搬効率が向上するうえ、光が漏れ難くクロストークをより抑制できる。
The above refractive index difference is expressed by the following equation (1), where A is the refractive index of the core 111 and B is the refractive index of the cladding.
[Equation 1]

Refractive index difference (%) = | A / B-1 | × 100 (1)

Further, the refractive index distribution in the cross section of the core portion 111 (the cross section in the direction orthogonal to the extending direction of the core portion 111; the same applies hereinafter) may be any shape distribution. Specifically, it may be a so-called step index (SI) type distribution in which the refractive index changes discontinuously, a so-called graded index (GI) type distribution in which the refractive index changes continuously, or a W type distribution. There may be. The SI type distribution is easy to form because the refractive index distribution is formed from different materials. In the case of the GI type distribution, the probability that the signal light is collected in a region having a high refractive index is increased, so that the propagation efficiency is improved. Further, in the case of the W-type distribution, the probability that the signal light is collected in a region having a high refractive index is increased as in the GI-type distribution, so that the propagation efficiency is improved and the crosstalk can be further suppressed because the light hardly leaks.

なお、GI型の分布とW型の分布は、極大値を含む高屈折率領域と、高屈折率領域よりも屈折率が低い低屈折率領域と、を含み、少なくとも一部又は全体的に、屈折率が連続的に変化する。GI型の分布では、低屈折率領域中に屈折率が一定である領域が存在するのに対して、W型の分布では、例えば特開2012−123254号公報に開示されているように、低屈折率領域中においても屈折率が連続的に変化するとともに全体としてW字状に変化する。このような屈折率分布により、コア層11には、高屈折率領域に対応してコア部111が、低屈折率領域に対応して側面クラッド部112が位置することとなる。   The GI type distribution and the W type distribution include a high refractive index region including a maximum value and a low refractive index region having a refractive index lower than that of the high refractive index region, and at least partially or entirely. The refractive index changes continuously. In the GI type distribution, there is a region where the refractive index is constant in the low refractive index region, whereas in the W type distribution, as disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2012-123254, the low refractive index region is low. Even in the refractive index region, the refractive index continuously changes and changes in a W shape as a whole. With such a refractive index distribution, the core layer 111 is positioned in the core layer 11 corresponding to the high refractive index region, and the side clad portion 112 is positioned corresponding to the low refractive index region.

図1では、2本のコア部111のみを示したが、光導波路1全体としては、コア部111の本数は2〜100本であることが好ましく、より好ましくは、2〜50本である。コア部111の本数が多い場合には、必要に応じて、光導波路1を多層化してもよい。具体的には、図1に示す光導波路1の上に、さらにコア層とクラッド層とを交互に重ねることにより多層化してもよい。   In FIG. 1, only the two core portions 111 are shown. However, the number of the core portions 111 is preferably 2 to 100, more preferably 2 to 50, as the entire optical waveguide 1. When the number of core portions 111 is large, the optical waveguide 1 may be multilayered as necessary. Specifically, the optical waveguide 1 shown in FIG. 1 may be multilayered by alternately stacking core layers and cladding layers.

また、図1では、平面視で直線状のコア部111を示したが、これに限定されず、曲線状であってもよい。また、コア部111は、途中で交差していてもよく、分岐していてもよい。   Moreover, in FIG. 1, the linear core part 111 was shown by planar view, However, It is not limited to this, A curved shape may be sufficient. Moreover, the core part 111 may cross | intersect in the middle and may branch.

また、図1では、コア部111の横断面形状が矩形状のものを示したが、例えばテーパ状(台形状)であってもよい。コア部111の横断面形状については、後段で詳述する。   Moreover, although the cross-sectional shape of the core part 111 showed the rectangular shape in FIG. 1, taper shape (trapezoid shape) may be sufficient, for example. The cross-sectional shape of the core part 111 will be described in detail later.

次に、上述の導波路パターン形成線113について詳述する。   Next, the waveguide pattern forming line 113 will be described in detail.

上述したように、本実施形態に係る光導波路1は、コア部111と側面クラッド部112とで形成される導波路パターンの輪郭を構成する複数の導波路パターン形成線113を備える。この導波路パターン形成線113は、コア層11の厚み方向の屈折率の平均値が、その線幅方向において変化することで形成されている。すなわち、この導波路パターン形成線113は、コア層11の厚み方向の屈折率の平均値がその線幅方向において変化することで、隣接するコア部111や側面クラッド部112とは異なる色を呈する。例えば画像認識システムにより、平面視画像を二値化すると、導波路パターン形成線113は隣接するコア部111や側面クラッド部112よりも黒く認識される。そのため、この導波路パターン形成線113は、光導波路1の平面視において、画像認識システム等によりその位置を正確に認識可能となっている。   As described above, the optical waveguide 1 according to this embodiment includes the plurality of waveguide pattern forming lines 113 that form the outline of the waveguide pattern formed by the core part 111 and the side cladding part 112. The waveguide pattern forming line 113 is formed by changing the average value of the refractive index in the thickness direction of the core layer 11 in the line width direction. That is, the waveguide pattern forming line 113 exhibits a color different from that of the adjacent core part 111 and the side cladding part 112 when the average value of the refractive index in the thickness direction of the core layer 11 changes in the line width direction. . For example, when the planar image is binarized by an image recognition system, the waveguide pattern forming line 113 is recognized as blacker than the adjacent core part 111 and side cladding part 112. Therefore, the position of the waveguide pattern forming line 113 can be accurately recognized by an image recognition system or the like in plan view of the optical waveguide 1.

この導波路パターン形成線113は、コア層11中に形成されているため、これを画像認識システム等により認識する際には、コア層11上に積層された上側クラッド層13や、コア層11の下に積層された下側クラッド層12を通して認識することになる。そのため、外部環境によっては外光の反射や散乱に影響されて認識し難い場合もあるところ、本実施形態の導波路パターン形成線113はそのような環境下であっても、画像認識システム等によりその位置を正確に認識でき、アライメントマークとして十分に機能し得る。   Since the waveguide pattern forming line 113 is formed in the core layer 11, when the waveguide pattern forming line 113 is recognized by an image recognition system or the like, the upper clad layer 13 laminated on the core layer 11 or the core layer 11. It will be recognized through the lower clad layer 12 laminated below. Therefore, depending on the external environment, it may be difficult to recognize due to the influence of reflection and scattering of external light. However, the waveguide pattern forming line 113 of the present embodiment may be used by an image recognition system or the like even under such an environment. The position can be accurately recognized and can sufficiently function as an alignment mark.

より詳しくは、導波路パターン形成線113では、その線幅方向の両端部における厚み方向(コア層11の厚み方向。以下同じ。)の屈折率の平均値の差が、導波路パターン形成線113がアライメントマークとして機能する範囲となるように設定されている。   More specifically, in the waveguide pattern forming line 113, the difference in the average refractive index in the thickness direction (the thickness direction of the core layer 11; the same applies hereinafter) at both ends in the line width direction is the waveguide pattern forming line 113. Is set in a range that functions as an alignment mark.

ここで、アライメントマークとして機能する範囲とは、後述する画像認識システムにより、導波路パターン形成線113の位置を正確に認識でき、高い加工精度が得られるような範囲と意味する。   Here, the range functioning as an alignment mark means a range in which the position of the waveguide pattern forming line 113 can be accurately recognized by an image recognition system described later and high processing accuracy can be obtained.

具体的には、導波路パターン形成線113の線幅方向の両端部における厚み方向(コア層11の厚み方向。以下同じ。)の屈折率の平均値の差が、0.01〜0.05に設定されていることが好ましく、0.02〜0.04に設定されていることがより好ましい。これにより、導波路パターン形成線113が画像認識システム等により正確に認識でき、アライメントマークとして十分に機能する。   Specifically, the difference in the average refractive index in the thickness direction (thickness direction of the core layer 11; the same applies hereinafter) at both ends in the line width direction of the waveguide pattern forming line 113 is 0.01 to 0.05. Is preferably set, and more preferably 0.02 to 0.04. Thereby, the waveguide pattern forming line 113 can be accurately recognized by an image recognition system or the like, and functions sufficiently as an alignment mark.

コア層11の厚み方向の屈折率の平均値は、コア層11の横断面において、コア層11の厚み方向に所定間隔ごとに屈折率を測定し、得られた測定値を積算して平均値を算出することで取得できる。具体的には、例えばコア層の厚み方向に10点の測定点を等間隔で設定し、各測定点における屈折率を測定して積算した後、平均値を算出することで取得できる。   The average value of the refractive index in the thickness direction of the core layer 11 is obtained by measuring the refractive index at predetermined intervals in the thickness direction of the core layer 11 in the cross section of the core layer 11 and integrating the obtained measured values. Can be obtained by calculating. Specifically, for example, it can be obtained by setting 10 measurement points at equal intervals in the thickness direction of the core layer, measuring and integrating the refractive index at each measurement point, and then calculating an average value.

なお、屈折率測定装置としては、レーザー干渉顕微鏡等の従来公知の装置を用いることができる。   In addition, as a refractive index measuring apparatus, conventionally well-known apparatuses, such as a laser interference microscope, can be used.

また、導波路パターン形成線113の線幅方向の両端部とは、後述する画像認識システムにより認識される導波路パターン形成線113の平面視において、その線幅方向の両端部を意味する。   Further, both end portions in the line width direction of the waveguide pattern forming line 113 mean both end portions in the line width direction in a plan view of the waveguide pattern forming line 113 recognized by the image recognition system described later.

なお、画像認識システムとしては、後述するパターンマッチング方式やエッジ検出方式が採用される。本実施形態の導波路パターン形成線113は、いずれの方式によってもその位置を正確に認識できる。   Note that a pattern matching method and an edge detection method, which will be described later, are employed as the image recognition system. The position of the waveguide pattern forming line 113 of this embodiment can be accurately recognized by any method.

画像認識システムでは、通常、平面視で光導波路1を撮像装置(例えばCCD、CMOS等)により撮像し、撮像された画像を処理することによって、導波路パターン形成線113の位置と形状が認識される。   In the image recognition system, the position and shape of the waveguide pattern forming line 113 are usually recognized by imaging the optical waveguide 1 with an imaging device (for example, CCD, CMOS, etc.) in plan view and processing the captured image. The

画像認識システムの撮像装置としては、開口数(NA)が0.4以下の光学レンズを備えるものが好ましく用いられる。   As an image pickup apparatus of the image recognition system, an image pickup apparatus including an optical lens having a numerical aperture (NA) of 0.4 or less is preferably used.

ここで、図2は、コア部111の横断面における屈折率分布がSI型の場合における、厚み方向の屈折率の平均値と導波路パターン形成線113との関係を示す図である。より詳しくは、図2の上段では平面視した導波路パターン形成線113を示しており、中段ではコア部111の横断面形状を示しており、下段では厚み方向の屈折率の平均値を示している。   Here, FIG. 2 is a diagram showing the relationship between the average value of the refractive index in the thickness direction and the waveguide pattern forming line 113 when the refractive index distribution in the cross section of the core portion 111 is the SI type. More specifically, the upper part of FIG. 2 shows the waveguide pattern forming line 113 in plan view, the middle part shows the cross-sectional shape of the core part 111, and the lower part shows the average value of the refractive index in the thickness direction. Yes.

図2の中段に示すように、横断面における屈折率分布がSI型であるコア部111は、露光やエッチングにより形成された後に、側面クラッド部112がコア部111とは異なる材料で形成されるため、その横断面形状は矩形状ではなく実際にはテーパ状(台形状)となっている。すなわち、SI型では、コア部111と側面クラッド部112との境界面が傾斜面となっている。   As shown in the middle part of FIG. 2, the core part 111 whose refractive index distribution in the cross section is the SI type is formed by exposure or etching, and then the side cladding part 112 is formed of a material different from that of the core part 111. Therefore, the cross-sectional shape is not a rectangular shape but actually a tapered shape (trapezoidal shape). That is, in the SI type, the boundary surface between the core portion 111 and the side cladding portion 112 is an inclined surface.

そのため、SI型ではコア部111と側面クラッド部112との境界において屈折率が不連続的に変化することから、図2の下段に示すように、厚み方向の屈折率の平均値の分布も、テーパ状(台形状)となる。   Therefore, in the SI type, since the refractive index changes discontinuously at the boundary between the core portion 111 and the side cladding portion 112, as shown in the lower stage of FIG. Tapered (trapezoidal).

また、図2の上段に示す導波路パターン形成線113の幅方向の位置は、厚み方向の屈折率の平均値のテーパ状の分布における傾斜部の一部に対応していることが分かる。すなわち、導波路パターン形成線113の線幅方向の両端部P1,P2の幅方向の位置は、厚み方向の屈折率の平均値のテーパ状の分布における傾斜部に位置していることが分かる。   Further, it can be seen that the position in the width direction of the waveguide pattern forming line 113 shown in the upper part of FIG. 2 corresponds to a part of the inclined portion in the tapered distribution of the average value of the refractive index in the thickness direction. That is, it can be seen that the positions in the width direction of both end portions P1 and P2 in the line width direction of the waveguide pattern forming line 113 are located in the inclined portions in the tapered distribution of the average value of the refractive index in the thickness direction.

そして、導波路パターン形成線113の線幅方向の両端部P1,P2における厚み方向の屈折率の平均値の差とは、図2の下段に示すR2とR1との差である。したがって、本実施形態では、このR2とR1との差が上述の0.01〜0.05の範囲内に設定されていることで、導波路パターン形成線113が画像認識システム等により正確に認識でき、アライメントマークとして十分に機能するようになっている。   The difference in the average value of the refractive index in the thickness direction at both ends P1, P2 in the line width direction of the waveguide pattern forming line 113 is the difference between R2 and R1 shown in the lower part of FIG. Therefore, in this embodiment, the difference between R2 and R1 is set within the above-described range of 0.01 to 0.05, so that the waveguide pattern forming line 113 is accurately recognized by the image recognition system or the like. And can function sufficiently as an alignment mark.

以上のことは、横断面における屈折率分布がSI型の場合には、コア部111と側面クラッド部112との界面に、導波路パターン形成線113をアライメントマークとして機能させ得る傾斜面あるいは曲面を設けることが重要であることを意味する。   As described above, when the refractive index distribution in the cross section is the SI type, an inclined surface or curved surface capable of functioning the waveguide pattern forming line 113 as an alignment mark is formed at the interface between the core portion 111 and the side cladding portion 112. It means that it is important to provide.

なお、R2とR1との差は、コア部111の構成材料と側面クラッド部112の構成材料を変更したり、露光条件、現像条件、エッチング条件等を変更してコア部111の横断面形状を調整することで、調整可能である。   The difference between R2 and R1 is that the cross-sectional shape of the core part 111 is changed by changing the constituent material of the core part 111 and the constituent material of the side cladding part 112, or by changing the exposure conditions, development conditions, etching conditions, etc. It can be adjusted by adjusting.

ところで、コア層11にアライメントマークを形成する場合、アライメントマークは、後述するコア部111の材料と同様の材料を用いて、後述するコア部111の製法と同様の製法により形成される。具体的には、露光等を行うことにより、コア層11の一部の屈折率を変化させるか、あるいは一部の組成を異ならせることで、側面クラッド部112に対して相対的に屈折率の高いアライメントマークが形成される。すなわち、アライメントマークとコア部111の組成は同一である。同様に、コア部111と側面クラッド部112とで形成される導波路パターンの輪郭を構成する複数の導波路パターン形成線113と、アライメントマークの輪郭を構成するアライメントマーク形成線は、同一のものである。したがって、上述した導波路パターン形成線113の線幅方向の両端部における厚み方向の屈折率の平均値の差の規定は、アライメントマーク形成線にも適用できる。   By the way, when forming an alignment mark on the core layer 11, the alignment mark is formed by a manufacturing method similar to the manufacturing method of the core part 111 described later, using the same material as the material of the core part 111 described later. Specifically, by performing exposure or the like, the refractive index of the core layer 11 is changed relative to the side cladding portion 112 by changing a partial refractive index of the core layer 11 or by changing a partial composition. A high alignment mark is formed. That is, the composition of the alignment mark and the core part 111 is the same. Similarly, the plurality of waveguide pattern forming lines 113 constituting the outline of the waveguide pattern formed by the core part 111 and the side clad part 112 and the alignment mark forming lines constituting the outline of the alignment mark are the same. It is. Therefore, the above-mentioned definition of the difference in the average value of the refractive index in the thickness direction at both ends in the line width direction of the waveguide pattern forming line 113 can also be applied to the alignment mark forming line.

図3は、横断面における屈折率分布がSI型のアライメントマークにおける、アライメントマーク形成線と横断面形状との関係を示す図である。より詳しくは、図3の(a)〜(c)では、各上段にアライメントマーク形成線を示しており、各下段にアライメントマークの横断面形状を示している。なお、図3では、平面視で真円状のアライメントマークを例に挙げて示している。   FIG. 3 is a diagram showing a relationship between an alignment mark formation line and a cross-sectional shape in an alignment mark whose refractive index distribution in the cross-section is an SI type. More specifically, in FIGS. 3A to 3C, alignment mark formation lines are shown in each upper stage, and the cross-sectional shape of the alignment mark is shown in each lower stage. In FIG. 3, a perfect alignment mark is shown as an example in plan view.

上述したように、横断面における屈折率分布がSI型の場合には、コア部111の横断面形状がテーパ状であると、厚み方向の屈折率の平均値の分布もテーパ状となる。すなわち、横断面形状と、厚み方向の屈折率の平均値の分布形状には相関があり、同様のことがSI型のアライメントマークにおいても言える。   As described above, when the refractive index distribution in the cross section is the SI type, if the cross sectional shape of the core part 111 is tapered, the distribution of the average value of the refractive index in the thickness direction is also tapered. That is, there is a correlation between the cross-sectional shape and the distribution shape of the average refractive index in the thickness direction, and the same can be said for the SI type alignment mark.

したがって、図3の(a)に示すように、アライメントマーク114aの横断面形状が矩形状の場合、すなわち厚み方向の屈折率の平均値の分布も矩形状の場合には、アライメントマーク形成線の線幅が細く、周囲とのコントラストが付き難い。そのため、画像認識システム等により正確に位置を認識できず、高い位置精度が得られない。   Therefore, as shown in FIG. 3A, when the cross-sectional shape of the alignment mark 114a is rectangular, that is, when the average refractive index distribution in the thickness direction is also rectangular, the alignment mark forming line The line width is thin and it is difficult to get contrast with the surroundings. Therefore, the position cannot be accurately recognized by an image recognition system or the like, and high position accuracy cannot be obtained.

これに対して、図3の(b)に示すように、アライメントマーク114bの横断面形状が適度な傾斜のテーパ状の場合、すなわち厚み方向の屈折率の平均値の分布も適度な傾斜のテーパ状の場合には、アライメントマーク形成線の線幅が適度な太さとなり、周囲とのコントラストも付き易い。そのため、画像認識システム等により正確に位置を認識でき、高い位置精度が得られる。   On the other hand, as shown in FIG. 3B, when the cross-sectional shape of the alignment mark 114b is a moderately tapered shape, that is, the distribution of the average refractive index in the thickness direction is also a moderately tapered shape. In the case of the shape, the line width of the alignment mark forming line becomes an appropriate thickness, and the contrast with the surroundings is easily added. Therefore, the position can be accurately recognized by an image recognition system or the like, and high position accuracy can be obtained.

一方、図3の(c)に示すように、アライメントマーク114cの横断面形状が緩やかな傾斜のテーパ状の場合、すなわち厚み方向の屈折率の平均値の分布も緩やかな傾斜のテーパ状の場合には、アライメントマーク形成線の線幅が太くなり過ぎる。そのため、画像認識システム等により正確に位置を認識し難くなり、高い位置精度が得られ難くなる。   On the other hand, as shown in FIG. 3C, when the cross-sectional shape of the alignment mark 114c is a gently inclined tapered shape, that is, when the distribution of the average value of the refractive index in the thickness direction is also a gently inclined tapered shape. In some cases, the line width of the alignment mark forming line becomes too thick. For this reason, it is difficult to accurately recognize the position by an image recognition system or the like, and it is difficult to obtain high position accuracy.

以上のことから、アライメントマーク形成線と同様に導波路パターン形成線113においても、その線幅L(図2参照)は所定の範囲内とすることが好ましい。具体的には、導波路パターン形成線113の線幅Lは、1μm〜7μmであることが好ましく、より好ましくは、2μm〜5μmである。これにより、導波路パターン形成線113を画像認識システム等により正確に位置を認識でき、高い位置精度が得られるようになる。   From the above, it is preferable that the line width L (see FIG. 2) of the waveguide pattern forming line 113 is within a predetermined range as well as the alignment mark forming line. Specifically, the line width L of the waveguide pattern forming line 113 is preferably 1 μm to 7 μm, and more preferably 2 μm to 5 μm. Thereby, the position of the waveguide pattern forming line 113 can be accurately recognized by an image recognition system or the like, and high position accuracy can be obtained.

なお、SI型の場合には、露光条件、現像条件、エッチング条件等を調整することにより、コア部111(アライメントマーク)の横断面形状を適度な傾斜のテーパ状にでき、導波路パターン形成線113(アライメントマーク形成線)の線幅Lを上記範囲内とすることができる。   In the case of the SI type, by adjusting exposure conditions, development conditions, etching conditions, and the like, the cross-sectional shape of the core part 111 (alignment mark) can be tapered with an appropriate slope, and the waveguide pattern forming line The line width L of 113 (alignment mark forming line) can be within the above range.

次に、図4は、コア部111の横断面における屈折率分布がW型の場合における、厚み方向の屈折率の平均値と導波路パターン形成線113との関係を示す図である。より詳しくは、図4の上段では平面視した導波路パターン形成線113を示しており、中段ではコア部111の横断面形状を示しており、下段では厚み方向の屈折率の平均値を示している。   Next, FIG. 4 is a diagram showing the relationship between the average value of the refractive index in the thickness direction and the waveguide pattern forming line 113 when the refractive index distribution in the cross section of the core 111 is W-type. More specifically, the upper part of FIG. 4 shows the waveguide pattern forming line 113 in plan view, the middle part shows the cross-sectional shape of the core part 111, and the lower part shows the average value of the refractive index in the thickness direction. Yes.

上述したように、W型では横断面における屈折率分布がW字状に連続的に変化しており、コア層11の厚み方向においてその傾向は同様である。したがって、図4の下段に示すように、厚み方向の屈折率の平均値の分布も、全体としてW字状となる。   As described above, in the W type, the refractive index distribution in the cross section continuously changes in a W shape, and the tendency is the same in the thickness direction of the core layer 11. Therefore, as shown in the lower part of FIG. 4, the distribution of the average value of the refractive index in the thickness direction is also W-shaped as a whole.

また、図4の上段に示す導波路パターン形成線113の幅方向の位置は、厚み方向の屈折率の平均値のW字状分布における傾斜部の一部に対応していることが分かる。すなわち、導波路パターン形成線113の線幅方向の両端部P1,P2の幅方向の位置は、厚み方向の屈折率の平均値のW字状分布における傾斜部に位置していることが分かる。   Further, it can be seen that the position in the width direction of the waveguide pattern forming line 113 shown in the upper part of FIG. 4 corresponds to a part of the inclined portion in the W-shaped distribution of the average value of the refractive index in the thickness direction. That is, it can be seen that the positions in the width direction of both end portions P1 and P2 in the line width direction of the waveguide pattern forming line 113 are located in the inclined portions in the W-shaped distribution of the average refractive index in the thickness direction.

そして、導波路パターン形成線113の線幅方向の両端部P1,P2における厚み方向の屈折率の平均値の差とは、図4の下段に示すR2とR1との差である。したがって、本実施形態では、このR2とR1との差が上述の0.01〜0.05の範囲内に設定されていることで、導波路パターン形成線113が画像認識システム等により正確に認識でき、アライメントマークとして十分に機能するようになっている。   The difference in the average value of the refractive index in the thickness direction at both ends P1, P2 in the line width direction of the waveguide pattern forming line 113 is the difference between R2 and R1 shown in the lower part of FIG. Therefore, in this embodiment, the difference between R2 and R1 is set within the above-described range of 0.01 to 0.05, so that the waveguide pattern forming line 113 is accurately recognized by the image recognition system or the like. And can function sufficiently as an alignment mark.

なお、R2とR1との差は、コア部111及び側面クラッド部112に用いる材料を変更したり、露光条件を変更してコア部111及び側面クラッド部112の各屈折率を調整することで、調整可能である。   Note that the difference between R2 and R1 is that the materials used for the core 111 and the side cladding 112 are changed, or the exposure conditions are changed to adjust the refractive indexes of the core 111 and the side cladding 112. It can be adjusted.

図1に戻って、コア部111の幅は、20〜100μmであることが好ましく、より好ましくは、30〜75μmである。これにより、光導波路1を平面視したときに、導波路パターンの輪郭を構成する導波路パターン形成線113をより正確に認識することができる。また、光導波路1の伝送効率の低下を抑制しつつコア部111を高密度化でき、光導波路1の伝送容量を増大できる。   Returning to FIG. 1, the width of the core portion 111 is preferably 20 to 100 μm, and more preferably 30 to 75 μm. Thereby, when the optical waveguide 1 is viewed in plan, the waveguide pattern forming line 113 constituting the outline of the waveguide pattern can be recognized more accurately. In addition, the density of the core 111 can be increased while suppressing a decrease in the transmission efficiency of the optical waveguide 1, and the transmission capacity of the optical waveguide 1 can be increased.

コア部111の高さ、すなわちコア層11の厚みは、20〜100μmであることが好ましく、より好ましくは、30〜75μmである。これにより、光導波路1を平面視したときに、導波路パターンの輪郭を構成する導波路パターン形成線113をより正確に認識することができる。また、光導波路1の伝送効率の低下を抑制しつつ、コア部111を高密度化でき、光導波路1の伝送容量を増大できる。   The height of the core part 111, that is, the thickness of the core layer 11, is preferably 20 to 100 μm, and more preferably 30 to 75 μm. Thereby, when the optical waveguide 1 is viewed in plan, the waveguide pattern forming line 113 constituting the outline of the waveguide pattern can be recognized more accurately. Moreover, the core part 111 can be densified while suppressing a decrease in transmission efficiency of the optical waveguide 1, and the transmission capacity of the optical waveguide 1 can be increased.

隣接するコア部111の中心軸間の距離であるピッチ、すなわちコア部111と側面クラッド部112を足し合わせた幅は、50〜500μmであることが好ましく、より好ましくは、60〜300μmである。これにより、光導波路1を平面視したときに、導波路パターンの輪郭を構成するパターン形成線113をより正確に認識することができる。また、2本のコア部111同士間で生じる光信号の混在(クロストーク)を抑制でき、光導波路1を高密度化できる。   The pitch, which is the distance between the central axes of adjacent core parts 111, that is, the total width of core part 111 and side clad part 112 is preferably 50 to 500 μm, more preferably 60 to 300 μm. Thereby, when the optical waveguide 1 is viewed in plan, the pattern forming line 113 constituting the outline of the waveguide pattern can be recognized more accurately. In addition, mixing of optical signals (crosstalk) generated between the two core portions 111 can be suppressed, and the optical waveguide 1 can be densified.

なお、側面クラッド部112の幅を、その側面クラッド部112に隣接するコア部111の幅よりも狭くしてもよい。これにより、クロストークを抑制できるとともに、光導波路1を高密度化できる。具体的には、側面クラッド部112の幅を、隣接するコア部111の幅の5〜95%としてよく、さらに10〜90%としてもよい。   Note that the width of the side cladding portion 112 may be narrower than the width of the core portion 111 adjacent to the side cladding portion 112. Thereby, while being able to suppress crosstalk, the optical waveguide 1 can be densified. Specifically, the width of the side cladding part 112 may be 5 to 95% of the width of the adjacent core part 111, and may be 10 to 90%.

コア層11の構成材料(主材料)としては、例えば、(メタ)アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリスチレン樹脂、エポキシ樹脂やオキセタン樹脂等の環状エーテル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂、ポリシラン樹脂、ポリシラザン樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリオレフィン樹脂、ポリブタジエン樹脂、ポリイソプレン樹脂、ポリクロロプレン樹脂、ポリエチレンテレフタレート(PET)やポリブチレンテレフタレート(PBT)等のポリエステル樹脂、ポリエチレンサクシネート樹脂、ポリサルフォン樹脂、ポリエーテル樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂やノルボルネン樹脂等の環状オレフィン樹脂のような各種樹脂材料の他、石英ガラスやホウケイ酸ガラス等のガラス材料等が用いられる。これらの主材料は、単独で用いてもよく、複数種を組み合わせて併用してもよい。   The constituent material (main material) of the core layer 11 is, for example, (meth) acrylic resin, polycarbonate resin, polystyrene resin, cyclic ether resin such as epoxy resin or oxetane resin, polyamide resin, polyimide resin, polybenzoxazole resin, polysilane Resins, polysilazane resins, silicone resins, fluororesins, polyurethane resins, polyolefin resins, polybutadiene resins, polyisoprene resins, polychloroprene resins, polyester resins such as polyethylene terephthalate (PET) and polybutylene terephthalate (PBT), polyethylene succinate resins, In addition to various resin materials such as polysulfone resin, polyether resin, cyclic olefin resin such as benzocyclobutene resin and norbornene resin, such as quartz glass and borosilicate glass Las material or the like is used. These main materials may be used alone or in combination of two or more.

これら主材料の中でも、(メタ)アクリル樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂、フッ素樹脂、ポリオレフィン樹脂及びノルボルネン樹脂からなる群より選択される少なくとも1種が好ましく用いられる。特に、(メタ)アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ノルボルネン樹脂がより好ましく用いられる。これらの樹脂材料は光の透過性が特に高いため、これらの樹脂材料を用いてコア層11を形成することで、特に伝送損失の小さい光導波路1が得られる。   Among these main materials, at least one selected from the group consisting of (meth) acrylic resins, epoxy resins, silicone resins, polyimide resins, fluororesins, polyolefin resins and norbornene resins is preferably used. In particular, (meth) acrylic resin, epoxy resin, and norbornene resin are more preferably used. Since these resin materials have particularly high light transmittance, the optical waveguide 1 with particularly small transmission loss can be obtained by forming the core layer 11 using these resin materials.

なお、コア層11を構成するコア部111と、コア部111よりも屈折率の小さい側面クラッド部112は、いずれもこれらの主材料を用いて形成される。すなわち、後述するフォトリソグラフィー法、直接露光法、直接描画法、ナノインプリント法等により、コア層11の一部の屈折率を変化させるか、あるいは一部の組成を異ならせることにより、相対的に屈折率の高いコア部111と相対的に屈折率の低い側面クラッド部112とが形成される。   Note that the core portion 111 constituting the core layer 11 and the side clad portion 112 having a refractive index smaller than that of the core portion 111 are both formed using these main materials. That is, the refractive index is changed by changing the refractive index of a part of the core layer 11 or changing the composition of a part thereof by a photolithography method, a direct exposure method, a direct drawing method, a nanoimprint method, etc., which will be described later. A core part 111 having a high refractive index and a side cladding part 112 having a relatively low refractive index are formed.

下側クラッド層12及び上側クラッド層13は、いずれも、上述のコア層11の構成材料と同様の材料が用いられてもよく、下側クラッド層12及び上側クラッド層13は、コア部111よりも屈折率の低い側面クラッド部112と同様の材料から構成されることが好ましい。   The lower clad layer 12 and the upper clad layer 13 may both be made of the same material as the constituent material of the core layer 11 described above. Is preferably made of the same material as the side cladding portion 112 having a low refractive index.

下側クラッド層12及び上側クラッド層13の厚みは、コア層11の厚みの0.05〜1.5倍であることが好ましく、より好ましくは、0.1〜1.25倍である。具体的には、下側クラッド層12及び上側クラッド層13の厚みは、それぞれ1〜150μmであることが好ましく、より好ましくは、2〜125μmである。これにより、光導波路1が必要以上に厚膜化するのが抑制され、クラッド部としての機能が確保される。   The thickness of the lower cladding layer 12 and the upper cladding layer 13 is preferably 0.05 to 1.5 times the thickness of the core layer 11, more preferably 0.1 to 1.25 times. Specifically, the thicknesses of the lower cladding layer 12 and the upper cladding layer 13 are each preferably 1 to 150 μm, and more preferably 2 to 125 μm. Thereby, it is suppressed that the optical waveguide 1 thickens more than necessary, and the function as a clad part is ensured.

本実施形態では、光導波路1の下面には、必要に応じて支持フィルム(図示せず)が設けられていてもよい。また、光導波路1の上面には、必要に応じてカバーフィルム(図示せず)が設けられていてもよい。   In the present embodiment, a support film (not shown) may be provided on the lower surface of the optical waveguide 1 as necessary. Further, a cover film (not shown) may be provided on the upper surface of the optical waveguide 1 as necessary.

支持フィルム及びカバーフィルムの構成材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレン、ポリプロピレン等のポリオレフィン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂等の各種樹脂材料が用いられる。   As a constituent material of the support film and the cover film, for example, various resin materials such as polyolefin resins such as polyethylene terephthalate (PET), polyethylene, and polypropylene, polyimide resins, and polyamide resins are used.

支持フィルム及びカバーフィルムの平均厚さは、5〜500μmであることが好ましく、より好ましくは、10〜400μmである。これにより、支持フィルム及びカバーフィルムが適度な剛性を有するものとなるため、光導波路1を確実に支持できるとともに、外力や外部環境から光導波路1を確実に保護できる。   The average thickness of the support film and the cover film is preferably 5 to 500 μm, and more preferably 10 to 400 μm. Thereby, since a support film and a cover film will have moderate rigidity, while being able to support the optical waveguide 1 reliably, the optical waveguide 1 can be reliably protected from external force and an external environment.

次に、本実施形態に係る光導波路1の製造方法について説明する。   Next, a method for manufacturing the optical waveguide 1 according to this embodiment will be described.

光導波路1は、下側クラッド層12、コア層11、上側クラッド層13を、この順に積層した後、圧着又は接着することによって製造される。コア層11中にコア部111と側面クラッド部112を形成する方法としては、例えばフォトリソグラフィー法、直接露光法、直接描画法、ナノインプリント法が用いられる。   The optical waveguide 1 is manufactured by laminating the lower clad layer 12, the core layer 11, and the upper clad layer 13 in this order, and then pressure bonding or bonding them. As a method for forming the core part 111 and the side clad part 112 in the core layer 11, for example, a photolithography method, a direct exposure method, a direct drawing method, and a nanoimprint method are used.

このうちフォトリソグラフィー法や直接露光法では、光等の放射線の照射後、現像やエッチングを施してコア部を形成した後、コア部とは異なる材料でクラッド部を形成する。これらフォトリソグラフィー法や直接露光法により、横断面における屈折率分布がSI型の光導波路を形成できる。   Among them, in the photolithography method and the direct exposure method, after irradiation with radiation such as light, development and etching are performed to form the core portion, and then the cladding portion is formed of a material different from that of the core portion. By these photolithography methods and direct exposure methods, an optical waveguide having a refractive index distribution in the cross section can be formed.

また、直接描画法では、光等の放射線の照射により露光領域と非露光領域との間に屈折率差を形成し得る屈折率変調能を有する被膜に向けて局所的に放射線を照射し、屈折率差を形成することによりコア部111と側面クラッド部112とを形成する。このとき、コア部111とともに必要に応じてアライメントマークも同時に形成できる。この直接描画法により、横断面における屈折率分布がW型やGI型の光導波路を形成できる。   In the direct drawing method, irradiation with radiation such as light locally irradiates radiation toward a film having a refractive index modulation ability capable of forming a refractive index difference between an exposed area and an unexposed area, and then refracts. The core part 111 and the side clad part 112 are formed by forming the rate difference. At this time, an alignment mark can be formed simultaneously with the core part 111 as needed. By this direct drawing method, an optical waveguide having a W-type or GI-type refractive index distribution in the cross section can be formed.

屈折率変調の原理には、例えばモノマーディフュージョン、フォトブリーチング、光異性化、光二量化等が挙げられ、これらのうちの1種又は2種以上を組み合わせたものが用いられる。このうち屈折率変調の原理としては、特にモノマーディフュージョンが好ましく採用される。モノマーディフュージョンでは、ポリマー中にこのポリマーと屈折率の異なる光重合性モノマーが分散してなる材料で構成された層に対して部分的に光を照射(露光)し、光重合性モノマーの重合を生起させるとともに、それに伴って光重合性モノマーを移動、偏在させることにより、層内に屈折率の偏りが生じる。すなわち、層の露光領域と非露光領域との間に屈折率差が生じる。このとき、ポリマーと光重合性モノマーとの間における屈折率の大小関係に応じて、露光領域の屈折率が高くなる場合と低くなる場合とがある。このようにして、露光領域と非露光領域のうち、高屈折率側の領域がコア部1111やアライメントマークとなり、低屈折率側の領域が側面クラッド部112となる。   Examples of the principle of refractive index modulation include monomer diffusion, photobleaching, photoisomerization, photodimerization, and the like, and one or a combination of two or more of these is used. Of these, monomer diffusion is particularly preferably employed as the principle of refractive index modulation. In monomer diffusion, light is exposed (exposed) partially to a layer composed of a material in which a photopolymerizable monomer having a refractive index different from that of the polymer is dispersed in the polymer to polymerize the photopolymerizable monomer. In addition to causing the photopolymerizable monomer to move and be unevenly distributed, the refractive index is biased in the layer. That is, a difference in refractive index occurs between the exposed area and the non-exposed area of the layer. At this time, the refractive index of the exposure region may be high or low depending on the refractive index relationship between the polymer and the photopolymerizable monomer. In this way, of the exposed region and the non-exposed region, the region on the high refractive index side becomes the core portion 1111 and the alignment mark, and the region on the low refractive index side becomes the side cladding portion 112.

このような原理の屈折率変調においては、光を照射する領域を選択するのみで、いかなる形状のコア部111をも簡単に形成することができるため、光導波路1を極めて効率よく製造できる。また、このような原理で形成される屈折率分布は、光重合性モノマーの濃度分布に対応して形成されるため、形成されたコア部111の横断面における屈折率分布は滑らかな屈折率変化を伴うものとなる。その結果、製造される光導波路1は、W型やGI型の屈折率分布を有するものとなり、伝送特性が高いものとなる。   In the refractive index modulation based on such a principle, the core portion 111 having any shape can be easily formed only by selecting a region to be irradiated with light, and thus the optical waveguide 1 can be manufactured very efficiently. In addition, since the refractive index distribution formed by such a principle is formed corresponding to the concentration distribution of the photopolymerizable monomer, the refractive index distribution in the cross section of the formed core portion 111 has a smooth refractive index change. Will be accompanied. As a result, the manufactured optical waveguide 1 has a W-type or GI-type refractive index distribution, and has high transmission characteristics.

このようなモノマーディフュージョンを生じる材料としては、例えば、特開2010−090328号公報に記載された感光性樹脂組成物等が挙げられる。   Examples of a material that causes such monomer diffusion include a photosensitive resin composition described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2010-090328.

一方、フォトブリーチング、光異性化及び光二量化等の原理による屈折率変調の場合、照射する光の照射量(放射線の照射量)に応じて屈折率の変化量を調整することができる。フォトブリーチングでは、光の照射によって材料中の分子構造が切断され、離脱性基が主鎖から離脱する。これにより材料の屈折率を変化させ、コア部111やアライメントマークを形成する。また、光異性化及び光二量化では、光の照射によって材料の光異性化又は光二量化を生じ、材料の屈折率が変化する。これによりコア部111やアライメントマークを形成する。   On the other hand, in the case of refractive index modulation based on principles such as photobleaching, photoisomerization, and photodimerization, the amount of change in refractive index can be adjusted according to the amount of irradiated light (radiation amount). In photobleaching, the molecular structure in the material is cleaved by light irradiation, and the leaving group is detached from the main chain. Thereby, the refractive index of the material is changed, and the core portion 111 and the alignment mark are formed. Further, in photoisomerization and photodimerization, photoirradiation of a material causes photoisomerization or photodimerization, and the refractive index of the material changes. Thereby, the core part 111 and the alignment mark are formed.

フォトブリーチングを生じる材料としては、例えば、特開2009−145867号公報に記載されたコアフィルム材料等が挙げられる。光異性化を生じる材料としては、例えば、特開2005−164650号公報に記載されたノルボルネン系樹脂等が挙げられる。光二量化を生じる材料としては、例えば、特開2011−105791号公報に記載された感光性樹脂組成物等が挙げられる。   Examples of the material that causes photobleaching include core film materials described in JP-A-2009-145867. Examples of materials that cause photoisomerization include norbornene resins described in JP-A-2005-164650. Examples of the material that causes photodimerization include a photosensitive resin composition described in JP2011-105791A.

なお、照射する光の照射量を徐々に変化させることにより、形成される屈折率分布も滑らかな屈折率変化を伴うものとなる。照射する光の照射量を徐々に変化させる方法としては、例えば、グレイトーンマスクやハーフトーンマスクといった多階調マスクを用いる方法、光強度に分布がある光ビームを走査する方法、領域ごとの照射時間を変化させつつ照射する方法等が挙げられる。   In addition, by gradually changing the irradiation amount of the light to be irradiated, the formed refractive index distribution is accompanied by a smooth refractive index change. As a method of gradually changing the irradiation amount of the irradiated light, for example, a method using a multi-tone mask such as a gray-tone mask or a half-tone mask, a method of scanning a light beam having a distribution of light intensity, irradiation for each region Examples include a method of irradiating while changing the time.

また、ポリマー中に屈折率調整剤を拡散させ、その際、屈折率調整剤の濃度を連続的に変化させることによって屈折率差を形成するようにしてもよい。ポリマー中に屈折率調整剤を供給する方法としては、例えば、塗布、噴霧、付着、浸漬、堆積等の方法が挙げられる。このような供給方法で屈折率調整剤を供給する際、領域ごとの供給量を調整することによって、任意の屈折率分布を形成することができる。なお、屈折率調整剤としては、例えば、特開2006−276735号公報に記載されたものが挙げられる。   Alternatively, the refractive index difference may be formed by diffusing the refractive index adjusting agent in the polymer and continuously changing the concentration of the refractive index adjusting agent. Examples of a method for supplying the refractive index adjusting agent into the polymer include methods such as coating, spraying, adhesion, dipping, and deposition. When supplying the refractive index adjusting agent by such a supply method, an arbitrary refractive index distribution can be formed by adjusting the supply amount for each region. In addition, as a refractive index regulator, what was described in Unexamined-Japanese-Patent No. 2006-276735 is mentioned, for example.

露光装置としては、形成する光導波路パターンに対応したフォトマスクを介して露光する装置を用いてもよいが、光を照射する領域を細かく制御し、フォトマスクを用いることなく露光すべき領域のみに光を選択的に照射する装置(マスクレス露光装置)が好ましく用いられる。このマスクレス露光装置によれば、高い空間分解能でかつ効率よく露光処理を施すことができる。また、フォトマスクが不要であるため、露光処理を低コスト化できるとともに、異なる光導波路パターンへの切り替えを速やかにでき、多品種少量生産に適している。   As an exposure apparatus, an exposure apparatus that uses a photomask corresponding to the optical waveguide pattern to be formed may be used, but the area to be irradiated with light is finely controlled so that only an area to be exposed without using a photomask is used. An apparatus (maskless exposure apparatus) that selectively irradiates light is preferably used. According to this maskless exposure apparatus, it is possible to perform the exposure process efficiently with high spatial resolution. In addition, since a photomask is not required, the cost of the exposure process can be reduced, and switching to a different optical waveguide pattern can be performed quickly, which is suitable for high-mix low-volume production.

以上より、本実施形態に係る光導波路1によれば、以下の効果が奏される。   As mentioned above, according to the optical waveguide 1 which concerns on this embodiment, the following effects are show | played.

本実施形態では、コア層11の厚み方向の屈折率の平均値を、その線幅方向において変化させることで導波路パターン形成線113(アライメントマークを形成した場合にはアライメントマーク形成線も含む。以下同じ。)を設けた。また、導波路パターン形成線113の線幅方向の両端部における厚み方向の屈折率の平均値の差を、導波路パターン形成線113がアライメントマークとして機能する範囲とした。   In this embodiment, the average value of the refractive index in the thickness direction of the core layer 11 is changed in the line width direction so as to include the waveguide pattern forming line 113 (when the alignment mark is formed, the alignment mark forming line is also included). The same shall apply hereinafter). In addition, the difference in the average refractive index in the thickness direction at both ends in the line width direction of the waveguide pattern forming line 113 was defined as a range in which the waveguide pattern forming line 113 functions as an alignment mark.

これにより、導波路パターン形成線113が画像認識システムにより正確に認識でき、アライメントマークとして機能し得るため、この導波路パターン形成線113を基準にして正確な位置に加工を施すことができる。
[光導波路モジュールの製造方法]
次に、本実施形態に係る光導波路モジュールの製造方法について説明する。
As a result, the waveguide pattern forming line 113 can be accurately recognized by the image recognition system and can function as an alignment mark. Therefore, processing can be performed at an accurate position with reference to the waveguide pattern forming line 113.
[Method of manufacturing optical waveguide module]
Next, a method for manufacturing the optical waveguide module according to this embodiment will be described.

本実施形態に係る光導波路モジュールの製造方法では、上述の光導波路1を用いる。本実施形態に係る光導波路モジュールの製造方法は、上述の導波路パターン形成線113(上述のアライメントマークを形成した場合にはアライメントマーク形成線でもよい。以下同じ。)の位置を基準にして加工位置を決定し、光導波路1を加工する加工工程を有する。   In the method for manufacturing an optical waveguide module according to this embodiment, the above-described optical waveguide 1 is used. The optical waveguide module manufacturing method according to the present embodiment is processed based on the position of the above-described waveguide pattern forming line 113 (the alignment mark forming line may be used when the above-described alignment mark is formed; the same applies hereinafter). It has a processing step for determining the position and processing the optical waveguide 1.

図5は、本実施形態に係る光導波路1の加工の一例を示す図である。   FIG. 5 is a diagram illustrating an example of processing of the optical waveguide 1 according to the present embodiment.

図5に示すように、光導波路1を加工する加工工程としては、例えば、コア部111の一部を凹没させてミラーを形成するミラー加工工程と、側面クラッド部112の一部にガイド穴を形成するガイド穴加工工程と、が挙げられる。以下、これらの加工工程について詳しく説明する。   As shown in FIG. 5, as a processing step for processing the optical waveguide 1, for example, a mirror processing step in which a part of the core part 111 is recessed to form a mirror, and a guide hole in a part of the side cladding part 112. And a guide hole processing step of forming Hereinafter, these processing steps will be described in detail.

ミラー加工工程では、コア部111の一部に光変換用のミラー17を形成する。ミラー17は、コア部111の一部を凹没させ、これにより得られる凹部170の内面の一部を利用して形成する。このミラー17により、コア部111を伝搬する信号光の光路が変換され、信号光を光導波路1の外部に取り出すことができる。ミラー17の位置や角度に応じて信号光の反射角が大きく変わるため、凹部170の形成位置は、光導波路1と他の光学部品との光結合効率の観点から極めて重要である。   In the mirror processing step, the light conversion mirror 17 is formed on a part of the core portion 111. The mirror 17 is formed using a part of the inner surface of the recess 170 obtained by recessing a part of the core part 111. By this mirror 17, the optical path of the signal light propagating through the core portion 111 is converted, and the signal light can be taken out of the optical waveguide 1. Since the reflection angle of the signal light varies greatly depending on the position and angle of the mirror 17, the formation position of the recess 170 is extremely important from the viewpoint of optical coupling efficiency between the optical waveguide 1 and other optical components.

ミラー17の形成には、例えば、ダイサーのような切削・研削加工機、成形型を押し当てて成形する成形加工機、レーザー加工機、電子線加工機等が用いられる。これらの加工機は、いずれも被加工物を載せるステージ及び加工ツールを備え、これらのうちの少なくとも一方を相対的に移動させながら被加工物を加工することにより、任意の形状の加工を施す。加えて、これらの加工機は上述の画像認識システムを備えており、画像認識システムの撮像装置(例えばCCD、CMOS等)によって、光導波路1の導波路パターン形成線113を認識することにより、加工機の内部の座標系を光導波路1の座標系と対応させる。このような座標系の対応により、導波路パターン形成線113を基準点として光導波路1の任意の位置に正確な加工を施すことができる。   For the formation of the mirror 17, for example, a cutting / grinding machine such as a dicer, a molding machine that presses a molding die, a laser beam machine, an electron beam machine, or the like is used. Each of these processing machines includes a stage on which a workpiece is placed and a processing tool, and performs processing of an arbitrary shape by processing the workpiece while relatively moving at least one of them. In addition, these processing machines are provided with the above-described image recognition system, and the processing is performed by recognizing the waveguide pattern forming line 113 of the optical waveguide 1 by the imaging device (for example, CCD, CMOS, etc.) of the image recognition system. The coordinate system inside the machine is made to correspond to the coordinate system of the optical waveguide 1. Such correspondence of the coordinate system enables accurate processing to be performed at an arbitrary position of the optical waveguide 1 with the waveguide pattern forming line 113 as a reference point.

具体的には、先ず、これら加工機の画像認識システムに光導波路1の導波路パターン形成線113を認識させる。導波路パターン形成線113の認識は、あらかじめ画像認識システムに記憶させておいたパターンと撮像装置が捉えた導波路パターン形成線113の画像とが一致するように、ステージ及び画像認識システムの撮像装置のうちの少なくとも一方を相対的に移動させる方式(パターンマッチング方式)や、導波路パターン形成線113のエッジのコントラストを検出する方式(エッジ検出方式)等により行われる。   Specifically, first, the image recognition system of these processing machines is caused to recognize the waveguide pattern forming line 113 of the optical waveguide 1. The recognition of the waveguide pattern forming line 113 is performed by the imaging device of the stage and the image recognition system so that the pattern stored in the image recognition system in advance matches the image of the waveguide pattern forming line 113 captured by the imaging device. These are performed by a method of relatively moving at least one of them (pattern matching method), a method of detecting the contrast of the edge of the waveguide pattern forming line 113 (edge detection method), or the like.

次いで、加工機の内部の座標系と光学設計による加工位置の座標とに基づき、光導波路1に凹部170を加工する。これにより設計通りの位置に加工が施され、ミラー17が形成される。   Next, the recess 170 is processed in the optical waveguide 1 based on the coordinate system inside the processing machine and the coordinates of the processing position by optical design. Thereby, processing is performed at the designed position, and the mirror 17 is formed.

次に、ガイド穴加工工程では、光導波路1に対してガイド穴18を形成する。このガイド穴18の形成にも、マイクロドリルのような機械加工機、成形加工機、レーザー加工機、電子線加工機等が用いられる。   Next, a guide hole 18 is formed in the optical waveguide 1 in the guide hole processing step. For the formation of the guide hole 18, a machine tool such as a micro drill, a molding machine, a laser beam machine, an electron beam machine, or the like is used.

ガイド穴18を形成するには、ミラー17の形成の場合と同様、先ず、加工機の画像認識システムにより光導波路1の導波路パターン形成線113を認識させ、加工機の内部の座標系を光導波路1の座標系と対応させる。次いで、加工機の内部の座標系と他の光学部品が備えるガイドピンの配置や受発光部の配置とに基づき、光導波路1にガイド穴18を形成する。   To form the guide hole 18, as in the case of forming the mirror 17, first, the waveguide pattern forming line 113 of the optical waveguide 1 is recognized by the image recognition system of the processing machine, and the coordinate system inside the processing machine is guided to Corresponding to the coordinate system of the waveguide 1. Next, a guide hole 18 is formed in the optical waveguide 1 on the basis of the coordinate system inside the processing machine and the arrangement of the guide pins provided in other optical components and the arrangement of the light receiving and emitting portions.

このガイド穴18は、光導波路1と光学的に接続される他の光学部品(例えば光ファイバー等)のコア部の光軸と、光導波路1のコア部111の光軸とを一致させ得る。   The guide hole 18 can match the optical axis of the core portion of another optical component (for example, an optical fiber) optically connected to the optical waveguide 1 and the optical axis of the core portion 111 of the optical waveguide 1.

具体的には図5に示すように、形成されたガイド穴18に対し、光ファイバー9の端部に装着された光コネクター91のガイドピン911を挿入する。これにより、光導波路1のコア部111の光軸と光ファイバーのコア部の光軸とを一致させ、光学的に接続することができる。   Specifically, as shown in FIG. 5, the guide pin 911 of the optical connector 91 attached to the end of the optical fiber 9 is inserted into the formed guide hole 18. Thereby, the optical axis of the core part 111 of the optical waveguide 1 and the optical axis of the core part of the optical fiber can be matched and optically connected.

なお、導波路パターン形成線113は、加工の際の基準としてだけでなく、光導波路1に対して、レンズ、回折格子、フィルター、偏光子のような各種光学部品、発光素子(VCSEL)、受光素子(PD)のような各種光学素子、LSI、ICのような各種電気素子、各種電気回路基板等を載置する際の基準としても用いられる。これらの部品や素子を載置する際には、必要に応じてダイボンダー、フリップチップボンダーのような各種ボンダー、チップマウンターのような各種マウンターを用いることができる。これらの装置においても画像認識システムに導波路パターン形成線113を認識させ、装置内部の座標系を光導波路1の座標系と対応させるようにすればよい。   The waveguide pattern forming line 113 is not only used as a reference for processing, but also with respect to the optical waveguide 1, various optical components such as a lens, a diffraction grating, a filter, and a polarizer, a light emitting element (VCSEL), a light receiving element. It is also used as a reference for mounting various optical elements such as an element (PD), various electric elements such as LSI and IC, various electric circuit boards and the like. When mounting these components and elements, various bonders such as a die bonder and a flip chip bonder and various mounters such as a chip mounter can be used as necessary. Even in these apparatuses, the image recognition system may recognize the waveguide pattern forming line 113 so that the coordinate system inside the apparatus corresponds to the coordinate system of the optical waveguide 1.

以上より、本実施形態に係る光導波路モジュールの製造方法によれば、以下の効果が奏される。   As mentioned above, according to the manufacturing method of the optical waveguide module concerning this embodiment, the following effects are produced.

すなわち、導波路パターン形成線113の位置を基準にして加工位置を決定し、光導波路1を加工する加工工程を有することで、画像認識システムにより正確に認識可能でアライメントマークとして機能し得る導波路パターン形成線113を基準にして各種の加工ができるため、正確な位置に加工を施すことができる。ひいては、高い光結合効率を有する光導波路モジュールを製造できる。
[電子機器]
次に、本実施形態に係る電子機器について説明する。
That is, a waveguide that can be accurately recognized by the image recognition system and functions as an alignment mark by determining a processing position based on the position of the waveguide pattern forming line 113 and processing the optical waveguide 1. Since various types of processing can be performed with reference to the pattern forming line 113, processing can be performed at an accurate position. As a result, an optical waveguide module having high optical coupling efficiency can be manufactured.
[Electronics]
Next, the electronic apparatus according to the present embodiment will be described.

本実施形態に係る電子機器は、上述の光導波路1を備える。具体的には、本実施形態に係る電子機器としては、携帯電話、ゲーム機、ルーター装置、WDM装置、パソコン、テレビ、ホーム・サーバー等の電子機器類が挙げられる。これらの電子機器では、いずれも、例えばLSI等の演算装置とRAM等の記憶装置との間で、大容量のデータを高速に伝送する必要があるため、上述の光導波路1が好適に用いられる。   The electronic device according to the present embodiment includes the optical waveguide 1 described above. Specifically, electronic devices according to the present embodiment include electronic devices such as mobile phones, game machines, router devices, WDM devices, personal computers, televisions, home servers, and the like. In these electronic devices, since the large-capacity data needs to be transmitted at high speed between an arithmetic device such as an LSI and a storage device such as a RAM, the above-described optical waveguide 1 is preferably used. .

本実施形態に係る電子機器によれば、以下の効果が奏される。   The electronic device according to this embodiment has the following effects.

上述したように光導波路1は、位置精度の高い各種の加工が可能であることから、他の光学部品と接続する際の光結合効率を高めることができる。したがって、本実施形態に係る電子機器によれば、電気配線に特有なノイズや信号劣化等の不具合が解消され、高品質の光通信を行い得る信頼性の高い電子機器が得られる。また、光導波路1では、従来の電気配線に比べて発熱量が大幅に削減される。そのため、冷却に要する電力を削減でき、電子機器全体の消費電力を削減できる。   As described above, since the optical waveguide 1 can be subjected to various types of processing with high positional accuracy, it is possible to increase the optical coupling efficiency when connecting to other optical components. Therefore, according to the electronic device according to the present embodiment, problems such as noise and signal degradation peculiar to the electrical wiring are solved, and a highly reliable electronic device that can perform high-quality optical communication is obtained. Further, in the optical waveguide 1, the amount of heat generation is greatly reduced as compared with the conventional electric wiring. Therefore, the power required for cooling can be reduced, and the power consumption of the entire electronic device can be reduced.

なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれる。   It should be noted that the present invention is not limited to the above-described embodiment, and modifications, improvements, etc. within a scope that can achieve the object of the present invention are included in the present invention.

次に、本発明の実施例について説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
[光導波路の製造]
<実施例1>
実施例1として、コア部の横断面における屈折率分布がSI型の光導波路を、以下の手順により製造した。
Next, examples of the present invention will be described, but the present invention is not limited to these examples.
[Manufacture of optical waveguides]
<Example 1>
As Example 1, an optical waveguide having an SI refractive index distribution in the cross section of the core portion was manufactured by the following procedure.

(1)クラッド層形成用樹脂組成物の製造
ダイセル化学工業(株)製の脂環式エポキシ樹脂、セロキサイド2081を20g、(株)ADEKA製のカチオン重合開始剤、アデカオプトマーSP−170を0.6g、及び、メチルイソブチルケトン80gを撹拌混合して溶液を調製した。
(1) Production of Cladding Layer Forming Resin Composition Daicel Chemical Industries Co., Ltd. alicyclic epoxy resin, 20 g of Celoxide 2081, ADEKA Co., Ltd. cationic polymerization initiator, Adekaoptomer SP-170 0 .6 g and 80 g of methyl isobutyl ketone were mixed with stirring to prepare a solution.

次いで、得られた溶液を0.2μm孔径のPTFEフィルターでろ過することで、清浄で無色透明なクラッド層形成用樹脂組成物を得た。   Next, the obtained solution was filtered with a PTFE filter having a pore size of 0.2 μm to obtain a clean and colorless and transparent resin composition for forming a cladding layer.

(2)感光性樹脂組成物の製造
エポキシ系ポリマーとして新日鐵化学(株)製のフェノキシ樹脂、YP−50Sを20g、光重合性モノマーとしてダイセル化学工業(株)製のセロキサイド2021Pを5g、及び、重合開始剤として(株)ADEKA製のアデカオプトマーSP−170を0.2g、メチルイソブチルケトン80g中に投入し、撹拌溶解して溶液を調製した。
(2) Manufacture of photosensitive resin composition As epoxy polymer, phenoxy resin manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd., 20 g of YP-50S, and 5 g of Celoxide 2021P manufactured by Daicel Chemical Industries, Ltd. as a photopolymerizable monomer, Then, 0.2 g of Adeka optomer SP-170 manufactured by ADEKA Co., Ltd. was added as a polymerization initiator into 80 g of methyl isobutyl ketone, and dissolved by stirring to prepare a solution.

次いで、得られた溶液を0.2μm孔径のPTFEフィルターでろ過することで、清浄で無色透明な感光性樹脂組成物を得た。   Subsequently, the obtained solution was filtered with a PTFE filter having a pore size of 0.2 μm to obtain a clean, colorless and transparent photosensitive resin composition.

(3)クラッド層の作製
(1)で調製したクラッド層形成用樹脂組成物を、ドクターブレードにより厚さ25μmのポリイミドフィルム上に均一に塗布した後、50℃の乾燥機に10分間投入した。溶媒を完全に除去した後、UV露光機で全面に紫外線を照射し、塗布した樹脂組成物を硬化させた。これにより、厚さ20μmの無色透明なクラッド層を得た。なお、紫外線の積算光量は500mJ/cm2とした。
(3) Production of Cladding Layer After the clad layer forming resin composition prepared in (1) was uniformly applied onto a polyimide film having a thickness of 25 μm with a doctor blade, it was put into a dryer at 50 ° C. for 10 minutes. After the solvent was completely removed, the entire surface was irradiated with ultraviolet rays with a UV exposure machine to cure the applied resin composition. As a result, a colorless and transparent clad layer having a thickness of 20 μm was obtained. The cumulative amount of ultraviolet light was 500 mJ / cm 2 .

(4)コア層の作製
(3)で作製したクラッド層上に、(2)で調製した感光性樹脂組成物をドクターブレードにより均一に塗布した後、40℃の乾燥機に5分間投入した。溶媒を完全に除去して被膜とした後、得られた被膜上に、ライン、スペースの直線パターンが全面に描かれたフォトマスクを圧着した。そして、フォトマスク上から平行露光機により紫外線を照射した。なお、紫外線の積算光量は1000mJ/cm2とした。
(4) Production of core layer On the clad layer produced in (3), the photosensitive resin composition prepared in (2) was uniformly applied with a doctor blade, and then placed in a dryer at 40 ° C for 5 minutes. After completely removing the solvent to form a film, a photomask having a linear pattern of lines and spaces drawn on the entire surface was pressure-bonded onto the obtained film. Then, ultraviolet rays were irradiated from above the photomask with a parallel exposure machine. The cumulative amount of ultraviolet light was 1000 mJ / cm 2 .

次いで、露光後の被膜を150℃のオーブンに30分間投入した。その後、現像液(プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート/シクロヘキサノン=7/3、質量比)を用いて、コアパターンを現像した。   Next, the exposed film was placed in an oven at 150 ° C. for 30 minutes. Thereafter, the core pattern was developed using a developer (propylene glycol monomethyl ether acetate / cyclohexanone = 7/3, mass ratio).

(5)光導波路の作製
(4)で作製したコア層上に、(3)で作製したクラッド層をラミネートし、光導波路を得た。
(5) Production of optical waveguide The clad layer produced in (3) was laminated on the core layer produced in (4) to obtain an optical waveguide.

(6)屈折率の測定
(5)で得た光導波路について、導波路パターン形成線の線幅方向の両端部における厚み方向の屈折率の測定を実施した。測定は、レーザー干渉顕微鏡を用いて、厚み方向に等間隔で10点実施した。次いで、測定により得られた屈折率の平均値の差を求めた。その結果、導波路パターン形成線の線幅方向の両端部における厚み方向の屈折率の平均値の差は0.05あった。また、導波路パターン形成線の線幅は、6μmであった。
(6) Measurement of refractive index About the optical waveguide obtained by (5), the refractive index of the thickness direction in the both ends of the line | wire width direction of a waveguide pattern formation line was implemented. The measurement was performed at 10 points at equal intervals in the thickness direction using a laser interference microscope. Subsequently, the difference of the average value of the refractive index obtained by measurement was calculated | required. As a result, the difference in the average refractive index in the thickness direction at both ends in the line width direction of the waveguide pattern forming line was 0.05. The line width of the waveguide pattern forming line was 6 μm.

(7)ミラーの作製
次いで、(5)で得た光導波路をレーザー加工機にセットし、画像認識システムにより導波路パターン形成線を認識させた。次いで、この導波路パターン形成線の位置に基づき、レーザー加工により、コア部の位置に合わせて設計した位置に凹部を加工した。これによりミラーを作製した。なお、ミラーの形成位置は、図5に示す通りとした。以上のようにして、長さ10cmの光導波路を得た。
<実施例2>
実施例2として、コア部の横断面における屈折率分布がW型の光導波路を、以下の手順により製造した。
(7) Fabrication of mirror Next, the optical waveguide obtained in (5) was set in a laser processing machine, and a waveguide pattern forming line was recognized by an image recognition system. Next, based on the position of the waveguide pattern forming line, a recess was processed at a position designed according to the position of the core by laser processing. This produced a mirror. The mirror formation positions were as shown in FIG. As described above, an optical waveguide having a length of 10 cm was obtained.
<Example 2>
As Example 2, an optical waveguide having a W-shaped refractive index distribution in the cross section of the core portion was manufactured by the following procedure.

(1)離脱性基を有するポリオレフィン系樹脂の合成
水分及び酸素濃度がいずれも1ppm以下に制御され、乾燥窒素で満たされたグローブボックス中において、ヘキシルノルボルネン(HxNB)7.2g(40.1mmol)、ジフェニルメチルノルボルネンメトキシシラン12.9g(40.1mmol)を500mLバイアル瓶に計量し、脱水トルエン60gと酢酸エチル11gを加え、シリコン製のシーラーを被せて上部を密栓した。
(1) Synthesis of a polyolefin-based resin having a leaving group In a glove box filled with dry nitrogen, both moisture and oxygen concentrations are controlled to 1 ppm or less, and 7.2 g (40.1 mmol) of hexylnorbornene (HxNB) Then, 12.9 g (40.1 mmol) of diphenylmethylnorbornenemethoxysilane was weighed into a 500 mL vial, 60 g of dehydrated toluene and 11 g of ethyl acetate were added, and the top was sealed with a silicon sealer.

次に、100mLバイアルビン中にNi触媒1.56g(3.2mmol)と脱水トルエン10mLを計量し、スターラーチップを入れて密栓し、触媒を十分に撹拌して完全に溶解させた。   Next, 1.56 g (3.2 mmol) of Ni catalyst and 10 mL of dehydrated toluene were weighed in a 100 mL vial, and a stirrer chip was placed and sealed, and the catalyst was thoroughly stirred to dissolve completely.

このNi触媒溶液1mLをシリンジで正確に計量し、上記2種のノルボルネンを溶解させたバイアル瓶中に定量的に注入して室温で1時間撹拌したところ、著しい粘度上昇が確認された。この時点で栓を抜き、テトラヒドロフラン(THF)60gを加えて撹拌を行い、反応溶液を得た。   When 1 mL of this Ni catalyst solution was accurately weighed with a syringe, and quantitatively injected into the vial bottle in which the two kinds of norbornene were dissolved and stirred for 1 hour at room temperature, a marked increase in viscosity was confirmed. At this point, the stopper was removed, 60 g of tetrahydrofuran (THF) was added, and the mixture was stirred to obtain a reaction solution.

100mLビーカーに無水酢酸9.5g、過酸化水素水18g(濃度30%)、イオン交換水30gを加えて撹拌し、その場で過酢酸水溶液を調製した。次に、この水溶液全量を上記反応溶液に加えて12時間撹拌してNiの還元処理を行った。   In a 100 mL beaker, 9.5 g of acetic anhydride, 18 g of hydrogen peroxide (concentration 30%) and 30 g of ion-exchanged water were added and stirred to prepare an aqueous solution of peracetic acid on the spot. Next, the total amount of this aqueous solution was added to the above reaction solution, and stirred for 12 hours to reduce Ni.

次に、処理の完了した反応溶液を分液ロートに移し替え、下部の水層を除去した後、イソプロピルアルコールの30%水溶液を100mL加えて激しく撹拌を行った。静置して完全に二層分離が行われた後に水層を除去した。この水洗プロセスを合計で3回繰り返した後、油層を大過剰のアセトン中に滴下して生成したポリマーを再沈殿させ、ろ過によりろ液と分別した後、60℃に設定した真空乾燥機中で12時間加熱乾燥を行うことにより、ポリマー#1を得た。   Next, the treated reaction solution was transferred to a separatory funnel, the lower aqueous layer was removed, and then 100 mL of a 30% aqueous solution of isopropyl alcohol was added and vigorously stirred. The aqueous layer was removed after standing and completely separating the two layers. After repeating this water washing process three times in total, the oil layer was dropped into a large excess of acetone to reprecipitate the polymer produced, separated from the filtrate by filtration, and then in a vacuum dryer set at 60 ° C. Polymer # 1 was obtained by heating and drying for 12 hours.

ポリマー#1の分子量分布は、GPC測定した結果、Mw=10万、Mn=4万であった。また、ポリマー#1中の各構造単位のモル比は、NMR測定による同定の結果、ヘキシルノルボルネン構造単位が50mol%、ジフェニルメチルノルボルネンメトキシシラン構造単位が50mol%であった。   The molecular weight distribution of polymer # 1 was Mw = 100,000 and Mn = 40,000 as a result of GPC measurement. The molar ratio of each structural unit in polymer # 1 was 50 mol% for the hexylnorbornene structural unit and 50 mol% for the diphenylmethylnorbornenemethoxysilane structural unit as a result of identification by NMR measurement.

(2)コア層形成用組成物の製造
精製した上記ポリマー#1の10gを100mLのガラス容器に秤量し、これにメシチレン40g、酸化防止剤Irganox1076(チバガイギー社製)0.01g、シクロヘキシルオキセタンモノマー(東亜合成製 CHOX、CAS#483303−25−9、分子量186、沸点125℃/1.33kPa)2g、重合開始剤(光酸発生剤)「RhodorsilPhotoinitiator 2074」(Rhodia社製、CAS# 178233−72−2)(0.0125g、酢酸エチル0.1mL中)を加えて均一に溶解させた後、0.2μmのPTFEフィルターによりろ過を行い、清浄なコア層形成用組成物を得た。
(2) Production of composition for forming core layer 10 g of the purified polymer # 1 was weighed into a 100 mL glass container, and 40 g of mesitylene, 0.01 g of an antioxidant Irganox 1076 (manufactured by Ciba Geigy), cyclohexyloxetane monomer ( Toagosei CHOX, CAS # 48333-3-25-9, molecular weight 186, boiling point 125 ° C./1.33 kPa) 2 g, polymerization initiator (photoacid generator) “Rhodosil Photoinitiator 2074” (manufactured by Rhodia, CAS # 178233-72 2) (0.0125 g, in 0.1 mL of ethyl acetate) was added and dissolved uniformly, and then filtered through a 0.2 μm PTFE filter to obtain a clean core layer forming composition.

(3)クラッド層の作製
環状オレフィン系樹脂を含むノルボルネン系樹脂組成物(プロメラス社製A vatrel2590の20重量%2−ヘプタノン溶液、10g)に、2−ウンデシルメチルイミダゾール(四国化成工業株式会社製、品番C11Z)(0. 06g)を添加して混合し、光導波路用塗布液を得た。この光導波路用塗布液を、2枚の前記ポリイミドフィルムの上にドクターブレードでそれぞれ均一に塗布した後、45℃の乾燥機において15分間乾燥させた。溶剤を完全に除去した後、乾燥機中160℃で2時間加熱して塗膜を硬化させ、光導波路形成用フィルム(クラッド層)を2枚形成した。
(3) Production of Cladding Layer A norbornene-based resin composition containing a cyclic olefin-based resin (20 wt% 2-heptanone solution of A vatel 2590 manufactured by Promeras, 10 g) was added to 2-undecylmethylimidazole (manufactured by Shikoku Chemical Industries, Ltd. , Product number C11Z) (0.06 g) was added and mixed to obtain an optical waveguide coating solution. The optical waveguide coating solution was uniformly applied onto the two polyimide films with a doctor blade, and then dried in a dryer at 45 ° C. for 15 minutes. After completely removing the solvent, the coating film was cured by heating in a dryer at 160 ° C. for 2 hours to form two optical waveguide forming films (cladding layers).

(4)コア層の作製
離型処理PETフィルム上にコア層形成用組成物を、ドクターブレードにより均一に塗布した後、40℃の乾燥機に5分間投入した。溶媒を完全に除去して被膜とした後、得られた被膜上に、ライン、スペースの直線パターンが全面に描かれたフォトマスクを圧着した。そして、フォトマスク上から平行露光機により紫外線を照射した。なお、紫外線の積算光量は1300mJ/cm2とした。
(4) Preparation of core layer The composition for core layer formation was uniformly apply | coated with the doctor blade on the mold release process PET film, Then, it injected | threw-in to the dryer of 40 degreeC for 5 minutes. After completely removing the solvent to form a film, a photomask having a linear pattern of lines and spaces drawn on the entire surface was pressure-bonded onto the obtained film. Then, ultraviolet rays were irradiated from above the photomask with a parallel exposure machine. The cumulative amount of ultraviolet light was 1300 mJ / cm 2 .

次いで、フォトマスクを取り去り、150℃のオーブンに30分間投入した。オーブンから取り出すと、被膜には断面が矩形状をなす鮮明な導波路パターンが現れているのが確認された。得られたコア層の厚さは50μmであった。   Next, the photomask was removed and placed in an oven at 150 ° C. for 30 minutes. When taken out from the oven, it was confirmed that a clear waveguide pattern having a rectangular cross section appeared on the coating. The thickness of the obtained core layer was 50 μm.

(5)光導波路の作製
前記コア層の両面に、前記クラッド層をラミネータで積層し、積層体を得た。得られた積層体を160℃、2時間の条件で熱処理し、光導波路を得た。
(5) Production of optical waveguide The clad layer was laminated on both surfaces of the core layer with a laminator to obtain a laminate. The obtained laminate was heat-treated at 160 ° C. for 2 hours to obtain an optical waveguide.

(6)屈折率の測定
(5)で得た光導波路について、導波路パターン形成線の線幅方向の両端部における厚み方向の屈折率の測定を実施した。測定は、実施例1と同様にレーザー干渉顕微鏡を用いて、厚み方向に等間隔で10点実施した。次いで、測定により得られた屈折率の平均値の差を求めた。その結果、導波路パターン形成線の線幅方向の両端部における厚み方向の屈折率の平均値の差は0.02であった。また、導波路パターン形成線の線幅は3μmであった。
(6) Measurement of refractive index About the optical waveguide obtained by (5), the refractive index of the thickness direction in the both ends of the line | wire width direction of a waveguide pattern formation line was implemented. The measurement was performed at 10 points at equal intervals in the thickness direction using a laser interference microscope as in Example 1. Subsequently, the difference of the average value of the refractive index obtained by measurement was calculated | required. As a result, the difference in the average refractive index in the thickness direction at both ends in the line width direction of the waveguide pattern forming line was 0.02. The line width of the waveguide pattern forming line was 3 μm.

(7)ミラーの作製
次いで、実施例1と同様にして、ミラーを作製した。
<比較例1>
実施例1と同様の材料を用いて、露光条件以外は実施例1と同様にして光導波路を得た。また、実施例1と同様にして、導波路パターン形成線の線幅方向の両端部における厚み方向の屈折率の測定を実施した。その結果、導波路パターン形成線の線幅方向の両端部における厚み方向の屈折率の平均値の差は0.005であった。また、導波路パターン形成線の線幅は8μmであった。
[光導波路の評価]
実施例1、2及び比較例1で得られた光導波路について、各コア部に対応して形成されたミラーの設計上の位置と加工による実際の位置との最大ずれ量を測定した。そして、8本のコア部における最大ずれ量を平均し、これを加工精度の指標とした。
(7) Production of Mirror Next, a mirror was produced in the same manner as in Example 1.
<Comparative Example 1>
Using the same material as in Example 1, an optical waveguide was obtained in the same manner as in Example 1 except for the exposure conditions. Further, in the same manner as in Example 1, the refractive index in the thickness direction was measured at both ends of the waveguide pattern forming line in the line width direction. As a result, the difference in the average refractive index in the thickness direction at both ends in the line width direction of the waveguide pattern forming line was 0.005. The line width of the waveguide pattern forming line was 8 μm.
[Evaluation of optical waveguide]
For the optical waveguides obtained in Examples 1 and 2 and Comparative Example 1, the maximum deviation between the designed position of the mirror formed corresponding to each core part and the actual position by processing was measured. And the maximum deviation | shift amount in eight core parts was averaged, and this was made into the parameter | index of processing accuracy.

各光導波路について上記指標を比較したところ、実施例1、2の平均最大ずれ量の方が比較例1の平均最大ずれ量よりも小さいことが分かった。この結果から、本発明の光導波路は、導波路パターン形成線の基準点としての安定性及び信頼性が高いことが裏付けられた。したがって本発明の光導波路によれば、導波路パターン形成線がアライメントマークとして機能し、高い位置精度で加工を行い得ることが確認された。   When the above-mentioned index was compared for each optical waveguide, it was found that the average maximum deviation amount of Examples 1 and 2 was smaller than the average maximum deviation amount of Comparative Example 1. From this result, it was confirmed that the optical waveguide of the present invention has high stability and reliability as a reference point of the waveguide pattern forming line. Therefore, according to the optical waveguide of the present invention, it was confirmed that the waveguide pattern forming line functions as an alignment mark and can be processed with high positional accuracy.

1…光導波路
11…コア層
12…下側クラッド層
13…上側クラッド層
111…コア部
112…側面クラッド部(クラッド部)
113…導波路パターン形成線(形成線)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Optical waveguide 11 ... Core layer 12 ... Lower clad layer 13 ... Upper clad layer 111 ... Core part 112 ... Side clad part (clad part)
113 ... Waveguide pattern formation line (formation line)

Claims (8)

長尺状のコア部を有するコア層を備えた光導波路であって、
前記コア層の厚み方向の屈折率の平均値がその線幅方向において変化することで形成された形成線を備え、
前記形成線の線幅方向の両端部における前記平均値の差を、前記形成線がアライメントマークとして機能する範囲とした光導波路。
An optical waveguide having a core layer having a long core portion,
Comprising a forming line formed by changing the average value of the refractive index in the thickness direction of the core layer in the line width direction;
An optical waveguide in which the difference between the average values at both ends in the line width direction of the forming line is a range in which the forming line functions as an alignment mark.
前記平均値の差を、0.01〜0.05とした請求項1に記載の光導波路。   The optical waveguide according to claim 1, wherein the difference between the average values is 0.01 to 0.05. 前記形成線の線幅が、1〜7μmである請求項1又は2に記載の光導波路。   The optical waveguide according to claim 1, wherein the formed line has a line width of 1 to 7 μm. 前記コア部の幅が、20〜100μmであり、前記コア部の高さが、20〜100μmである請求項1から3いずれかに記載の光導波路。   4. The optical waveguide according to claim 1, wherein a width of the core portion is 20 to 100 μm, and a height of the core portion is 20 to 100 μm. 隣接する前記コア部の中心軸間の距離であるピッチが、50〜500μmである請求項1から4いずれかに記載の光導波路。   The optical waveguide according to any one of claims 1 to 4, wherein a pitch, which is a distance between central axes of adjacent core portions, is 50 to 500 µm. 長尺状のコア部と、前記コア部の側面に隣接するクラッド部と、を有するコア層を備える光導波路であって、
前記コア部と前記クラッド部の界面に、アライメントマークとしての形成線として機能させる傾斜面及び曲面のうち少なくとも一方を設けた光導波路。
An optical waveguide comprising a core layer having an elongated core portion and a cladding portion adjacent to a side surface of the core portion,
An optical waveguide in which at least one of an inclined surface and a curved surface functioning as a forming line as an alignment mark is provided at an interface between the core portion and the cladding portion.
請求項1から6いずれかに記載の光導波路を用いた光導波路モジュールの製造方法であって、
前記形成線の位置を基準にして加工位置を決定し、前記光導波路を加工する加工工程を有する光導波路モジュールの製造方法。
A method of manufacturing an optical waveguide module using the optical waveguide according to any one of claims 1 to 6,
A method of manufacturing an optical waveguide module, comprising a processing step of determining a processing position on the basis of the position of the forming line and processing the optical waveguide.
請求項1から6いずれかに記載の光導波路を備える電子機器。   An electronic device comprising the optical waveguide according to claim 1.
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