JP6432824B2 - 基板処理装置 - Google Patents
基板処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6432824B2 JP6432824B2 JP2014165555A JP2014165555A JP6432824B2 JP 6432824 B2 JP6432824 B2 JP 6432824B2 JP 2014165555 A JP2014165555 A JP 2014165555A JP 2014165555 A JP2014165555 A JP 2014165555A JP 6432824 B2 JP6432824 B2 JP 6432824B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- chemical
- liquid
- bat
- nozzle
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 221
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 181
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 277
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 168
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 167
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 79
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 72
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 30
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 28
- 239000008155 medical solution Substances 0.000 claims description 7
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 6
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 4
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 210
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 36
- 238000000034 method Methods 0.000 description 18
- 230000008569 process Effects 0.000 description 18
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 9
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 9
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 5
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 241000288673 Chiroptera Species 0.000 description 4
- 239000002585 base Substances 0.000 description 4
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 4
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 4
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 3
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 2
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N aqua regia Chemical compound Cl.O[N+]([O-])=O QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- SWXQKHHHCFXQJF-UHFFFAOYSA-N azane;hydrogen peroxide Chemical compound [NH4+].[O-]O SWXQKHHHCFXQJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 1
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000004880 explosion Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- JEGUKCSWCFPDGT-UHFFFAOYSA-N h2o hydrate Chemical compound O.O JEGUKCSWCFPDGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 1
- DKAGJZJALZXOOV-UHFFFAOYSA-N hydrate;hydrochloride Chemical compound O.Cl DKAGJZJALZXOOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 150000002978 peroxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
以上により、バットにおける第1薬液と第2薬液との混触を確実に防止でき、したがって、混触に適さないような組合せの薬液の混触がバットにおいて発生するのを確実に防止できる基板処理装置を提供できる。
請求項2に記載の発明は、前記第2のバットは、前記第2の外側空間の底部および前記処理カップの内部空間の底部に跨って配置されている、請求項1に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、第2薬液ノズルの移動範囲の全てに対応するように第2のバットを設けることが可能である。この場合、移動中の第2薬液ノズルの位置の如何に依らずに、第2薬液ノズルから落液する第2薬液を、第2のバットによって確実に受けることができる。たとえば、第2薬液ノズルが処理カップの上方を移動中に第2薬液ノズルから第2薬液が落液する場合であっても、第2薬液ノズルから落液する第2薬液を、第2のバットによって確実に受けることができる。これにより、バットにおける第1薬液と第2薬液との混触を確実に防止できる。
請求項3に記載の発明は、処理チャンバと、前記処理チャンバの内部に配置され、基板を保持する基板保持機構と、前記処理チャンバの内部に配置され、前記基板保持機構の周囲を包囲する筒状の処理カップと、前記基板保持機構に保持されている基板に第1薬液を吐出する第1薬液ノズルと、前記基板保持機構に保持されている基板に、前記第1薬液とは種類の異なる第2薬液を吐出する第2薬液ノズルと、前記第1薬液ノズルを、前記処理チャンバの内部の所定空間であって、平面視で前記処理カップの外側の空間である第1の外側空間と、前記基板保持機構に保持されている基板の上方との間を移動させる第1の移動機構と、前記第2薬液ノズルを、前記処理チャンバの内部の所定空間であって、平面視で前記処理カップの外側の空間でありかつ前記第1の外側空間とは別の第2の外側空間と、前記基板保持機構に保持されている基板の上方との間を移動させる第2の移動機構と、少なくとも前記第1の外側空間の底部に配置され、上方からの液を受けて、第1の排液口に向けて案内する第1のバットと、前記第2の外側空間の底部に配置され、上方からの液を受けて、上方から液を受け、当該受けた液を、前記第1の排液口とは別の第2の排液口に向けて案内する第2のバットとを含み、前記第1の外側空間と前記第2の外側空間とは、少なくとも底部において隔離されており、前記第2のバットが、前記第2の外側空間の底部および前記処理カップの内部空間の底部に跨って配置されている、基板処理装置を提供する。
また、第1の外側空間と第2の外側空間とが少なくとも底部において隔離されているので、第1のバットと第2のバットとの間で液の行き来がない。さらに、第1のバットに受けられた液の排液口と、第2のバットに受けられた液の排液口とがそれぞれ異なっている。
以上により、バットにおける第1薬液と第2薬液との混触を確実に防止でき、したがって、混触に適さないような組合せの薬液の混触がバットにおいて発生するのを確実に防止できる基板処理装置を提供できる。
また、第2薬液ノズルの移動範囲の全てに対応するように第2のバットを設けることが可能である。この場合、移動中の第2薬液ノズルの位置の如何に依らずに、第2薬液ノズルから落液する第2薬液を、第2のバットによって確実に受けることができる。たとえば、第2薬液ノズルが処理カップの上方を移動中に第2薬液ノズルから第2薬液が落液する場合であっても、第2薬液ノズルから落液する第2薬液を、第2のバットによって確実に受けることができる。これにより、バットにおける第1薬液と第2薬液との混触を確実に防止できる。
請求項4に記載のように、前記第1の移動機構は、前記第1の外側空間に配置された第1のホーム位置と、前記基板保持機構に保持されている基板の上方に配置された処理位置との間で、前記第1薬液ノズルを移動させ、前記第2の移動機構は、前記第2の外側空間に配置された第2のホーム位置と、前記基板保持機構に保持されている基板の上方に配置された処理位置との間で、前記第2薬液ノズルを移動させてもよい。
請求項7に記載の発明は、前記第1薬液ノズルに第1薬液を供給する第1薬液供給配管と、前記第1薬液供給配管の内部を吸引する吸引機構とをさらに含む、請求項1〜6のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
硫酸含有液は、比較的高い粘度を有する。そのため、移動中の第1薬液ノズルから第1薬液が落液しにくい。その一方で、有機溶剤、とくに低い表面張力を有する有機溶剤は、比較的低い粘度しか有さない。そのため、移動中の第2薬液ノズルから第2薬液が落液することもある。第2薬液ノズルから落液する第2薬液は、第2のバットによって受けられる。
請求項9に記載のように、前記第1の外側空間の底部と、前記第2の外側空間の底部とが、前記処理カップの円周方向に関し、仕切り壁を介して隣接していてもよい。
図1は、この発明の一実施形態に係る基板処理装置1を水平方向に見た図である。図2は、処理チャンバ2の内部を、図1の切断面線II-IIに沿って切断した模式図である。図3は、処理チャンバ2の内部を、図1の切断面線III-IIIに沿って切断した模式図である。
スピン軸17は、鉛直に配置された中空軸であり、その内部には、下面供給配管(図示しない)が挿通されている。この下面供給配管には、処理液(たとえば、薬液または純水(DIW))が供給されるようになっている。また、下面供給配管の上端部には、下面供給配管に供給される処理液を吐出する下面ノズル19が形成されている。下面ノズル19は、処理液をほぼ鉛直上向きに吐出し、下面ノズル19から吐出された処理液は、スピンチャック3に保持された基板Wの下面中央に対してほぼ垂直に入射する。
図1に示すように、硫酸含有液供給ユニット4は、SPMを基板Wの表面に向けて吐出する硫酸含有液ノズル(第1薬液ノズル)21と、硫酸含有液ノズル21が先端部に取り付けられた第1のノズルアーム22と、スピンチャック3の側方で鉛直方向に延び、第1のノズルアーム22を揺動可能に支持する第1の揺動軸23と、第1の揺動軸23を回転させて第1のノズルアーム22を移動させることにより、硫酸含有液ノズル21を移動させる第1のアーム揺動ユニット(第1の移動機構)24とを含む。硫酸含有液ノズル21は、たとえば、連続流の状態でSPMを吐出するストレートノズルであり、その吐出口をたとえば下方に向けた状態で、水平方向に延びる第1のノズルアーム22に取り付けられている。第1のノズルアーム22は水平方向に延びている。
有機溶剤配管37において有機溶剤ノズル33と有機溶剤バルブ38との間の第2の分岐位置37Aには、有機溶剤配管37内および有機溶剤ノズル33内のIPAを吸引するための第2の吸引配管(吸引機構)39の一端が分岐接続されている。第2の吸引配管39には第2の吸引バルブ(吸引機構)40が介装されており、第2の吸引配管39の他端は第2の吸引装置(図示しない)へと接続されている。たとえば第2の吸引装置は常時作動状態とされており、第2の吸引バルブ40が開かれると、第2の分岐位置37Aよりも下流側の第2の吸引配管39の内部が排気され、当該下流側部分の内部のIPAが吸引される。なお、第2の吸引装置は、第1の吸引装置とは別に設けられた装置であってもよいし、第1の吸引装置と共通の装置であってもよい。
図1に示すように、筒状壁50の周囲には、筒状壁50の上端部と略同じ高さで、蓋55が配置されている。蓋55は、外側空間OSを、外側上空間OSUと外側下空間OSDとに仕切っている。第1および第2の揺動軸23,35ならびに第1および第2のホーム位置29,41、外側上空間OSUに収容配置されている。蓋55は、たとえば複数の分割板56によって設けられている。各分割板56はボルト(図示しない)等を用いて、筒状壁50とおよび側壁15に固定されている。複数の分割板56は、円周方向に間隔を空けて配置されている。外側上空間OSUは、円周方向に隣接する2つの分割板56の間の隙間と、筒状壁50と分割板56との間の隙間と、側壁15と分割板56との間の隙間とを介して、外側下空間OSDに連通している。なお、蓋55および分割板56は、図2での図示を省略している(図10においても同様)。
図3に示すように、第1の外バット61は、第1の外側空間OS1の底部と整合する大きさおよび形状を有し、第1の外側空間OS1の底部の全域の下方を覆うように配置されている。第1の外バット61は、耐薬性を有する材料(例えばPVC)等を用いて形成された板状体で構成されている。第1の外バット61の周縁部は、第1の外側空間OS1からの液漏れを防止するために、その全周において、仕切り壁57の下端部、筒状壁50および側壁15(図1参照)のそれぞれと、溶接により接続されている。
図6は、第1のチューブ配管73の第1の排液配管69への接続を模式的に示す図である。
第2の管継手75は、第1の排液口67に装着された継手本体76と、チューブ側継手77と、排液側継手78とを含む。継手本体76は、フランジ部79が複数本のボルト80により内バット60に固定されている。継手本体76は、チューブ側継手77の先端を差込み可能な第1の差込口81と、排液側継手78を差込み可能な第2の差込口82と、第1および第2の差込口81,82同士を連通する接続穴83とを含む。第1および第2の差込口81,82にチューブ側継手77および排液側継手78を差し込む(ねじ込む)ことにより、チューブ側継手77および排液側継手78が、それぞれロック状態で第1および第2の差込口81,82に保持される。この状態で、第1のチューブ配管73の内部と、第1の排液配管69の内部が連通している。第1の排液口67に装着される継手本体76によって、第1の排液口67と内バット60とは隔離されている。そのため、内バット60を流れるIPAが第1の排液口67(第1の排液配管69内)に進入することは有りえない。
以上の構成により、排液口67を中央部に集めることができ、装置構成を簡略化できる。しかし、排液口67を第1受け面63の最下位置64に設けてもよい。この場合、配管を簡素化することが出来る。
以下、図1、図2および図7を参照しつつレジスト除去処理の一例について説明する。図3〜図5ならびに図8および図9については適宜参照する。
基板処理装置1によって基板Wにレジスト除去処理が施されるときには、シャッタ11が開かれ、搬送ロボット(図示しない)によって、処理チャンバ2の内部に、高ドーズでのイオン注入処理後の基板Wが搬入される(ステップS1)。搬入される基板Wは、レジストをアッシングするための処理を受けていないものとする。また、基板Wの表面には、微細で高アスペクト比の微細パターンが形成されている。具体的には、制御装置8は、ノズル等が全てスピンチャック3の上方から退避し、かつ第1〜第4のガード46〜49が下位置(最も下方位置)に下げられ、第1〜第4のガード46〜49の上端がいずれも、スピンチャック3による基板Wの保持位置よりも下方に配置されている状態で、基板Wを保持している基板搬送ロボット(図示しない)のハンド(図示しない)を処理チャンバ2の内部に進入させることにより、基板Wがその表面を上方に向けた状態でスピンチャック3に受け渡される。
そして、制御装置8は、スピンモータ16によって基板Wの回転を開始させる(ステップS2)。基板Wは予め定める液処理速度(100〜500rpmの範囲内で、たとえば約300rpm)まで上昇させられ、その液処理速度に維持される。
次いで、制御装置8は、有機溶剤供給工程(第2薬液供給工程。ステップS5)を開始する。この処理例では、リンス工程(S4)が終了すると、次いで、有機溶剤供給工程(S5)を実行する。すなわち、次に述べるスピンドライ工程(S6)に先立って、基板Wの表面の微細パターンに進入しているリンス液を、低表面張力を有機溶剤(IPA)で置換する。これにより、スピンドライ工程(S6)におけるパターンの倒壊を防止できる。
具体的には、制御装置8は、第2のアーム揺動ユニット36を制御することにより、図9に示すように、ガード昇降機構を制御して、第1〜第3のガード46〜48を下位置(最も下方の位置)まで下降させて、第4のガード49を基板Wの周端面に対向させる。また、制御装置8は、有機溶剤ノズル33を、第2の外側空間OS2に設定された第2のホーム位置41から、内側空間ISに設定された処理位置に移動させる。
制御装置8は、基板Wの回転速度をパドル速度に維持しつつ、有機溶剤バルブ38を開いて、有機溶剤ノズル33から基板Wの上面中央部に向けて液体のIPAを吐出する。基板Wの上面にIPAが供給され、基板Wの上面のリンス液がIPAに順次置換されていく。これにより、基板Wの上面に、基板Wの上面全域を覆うIPAの液膜がパドル状に保持される。基板Wの上面全域の液膜がほぼIPAの液膜に置換された後も、基板Wの上面へのIPAの供給は続行される。そのため、基板Wの周縁部からIPAが排出される。
IPAの吐出開始から予め定めるパドル時間(たとえば約10秒間)が経過すると、制御装置8は、IPA吐出を継続しながら、スピンモータ16を制御して基板Wをパドル速度から高回転速度(たとえば約1000rpm)まで加速させる。高回転速度まで基板Wが加速された後、制御装置8は、有機溶剤バルブ38を閉じてIPAの吐出を停止する。有機溶剤ノズル33からのIPAの吐出停止後、制御装置8は第2の吸引バルブ40を開く。これにより、第2の分岐位置37Aよりも下流側の有機溶剤配管37内のIPAが吸引される。IPAの吸引は、IPAの先端面が有機溶剤配管37内の所定の待機位置に後退するまで行われる。
前述のように、基板処理装置1の通常運転時において、第1のホーム位置29と処理位置との間を移動中の硫酸含有液ノズル21からのSPMの落液は、ほとんど考えられないが、硫酸含有液ノズル21の移動中に基板処理装置1に異常が発生すると、第1のホーム位置29と処理位置との間に位置する硫酸含有液ノズル21からSPMが落液するおそれがある。硫酸含有液ノズル21から落液したSPMは、第1の外バット61の第1の受け面63に受けられる。
以上により、バット9におけるSPMとIPAとの混触を確実に防止でき、したがって、混触に危険を伴うような薬液の組合せの薬液の混触がバットにおいて発生するのを確実に防止できる基板処理装置1を提供できる。
本発明の他の実施形態に係る基板処理装置101の処理チャンバ2が、前述の実施形態に係る基板処理装置1と相違する点は、スピンチャック3に保持されている基板Wに、第3薬液としてのアルカリ薬液の一例のSC1(アンモニア過酸化水素水混合液)を供給するためのアルカリ薬液供給ユニット90をさらに含む点である。すなわち、図10および図11に示す実施形態では、3種の薬液を使用可能な構成を取り上げている。
図10および図11において、前述の実施形態に示された各部に対応する部分には、図1〜図9の場合と同一の参照符号を付して示し、説明を省略する。
筒状壁50の下端部には、第4の受け面106の第4の最下位置107に対向する位置に、筒状壁50を内外に貫通する第3の連通穴109が形成されている。
以上、この発明の2つの実施形態を例に挙げて説明したが、この発明は他の実施形態で実施することもできる。
また、前述の実施形態では、硫酸含有液配管25および有機溶剤配管37の途中部から、第1の吸引配管27および第2の吸引配管39を分岐させたが、硫酸含有液配管25を開閉する硫酸含有バルブ26や有機溶剤配管37を開閉する有機溶剤バルブ38に吸引機構を設けておき、その駆動により、硫酸含有液配管25または有機溶剤配管37から、それぞれSPMまたはIPAを吸引するようにしてもよい。
前記の実施形態において、硫酸含有液の一例としてSPMを例示したが、硫酸含有液の一例としてSPMの他に、硫酸を用いることができる。
前述の実施形態において、混触に危険が伴うような薬液の組合せとして、SPM等の硫酸含有液およびIPA等の有機溶剤の組合せを例示したが、その他、王水および硫酸の組合せ等を、混触に危険が伴うような組合せとして例示できる。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能で
ある。
2 処理チャンバ
3 スピンチャック
7 処理カップ
9 バット
21 硫酸含有液ノズル
23 第1の揺動軸
24 第1のアーム揺動ユニット
25 硫酸含有液配管
27 第1の吸引配管
28 第1の吸引バルブ
29 第1のホーム位置
33 有機溶剤ノズル
35 第2の揺動軸
36 第2のアーム揺動ユニット
37 有機溶剤配管
39 第2の吸引配管
40 第2の吸引バルブ
41 第2のホーム位置
60 内バット
61 第1の外バット
62 第2の外バット
93 第3の揺動軸
94 第3のホーム位置
OS1 第1の外側空間
OS2 第2の外側空間
OS3 第3の外側空間
OS4 第4の外側空間
W 基板
Claims (9)
- 処理チャンバと、
前記処理チャンバの内部に配置され、基板を保持する基板保持機構と、
前記処理チャンバの内部に配置され、前記基板保持機構の周囲を包囲する筒状の処理カップと、
前記基板保持機構に保持されている基板に第1薬液を吐出する第1薬液ノズルと、
前記基板保持機構に保持されている基板に、前記第1薬液とは種類の異なる第2薬液を吐出する第2薬液ノズルと、
前記第1薬液ノズルを、前記処理チャンバの内部の所定空間であって、平面視で前記処理カップの外側の空間である第1の外側空間と、前記基板保持機構に保持されている基板の上方との間を移動させる第1の移動機構と、
前記第2薬液ノズルを、前記処理チャンバの内部の所定空間であって、平面視で前記処理カップの外側の空間でありかつ前記第1の外側空間とは別の第2の外側空間と、前記基板保持機構に保持されている基板の上方との間を移動させる第2の移動機構と、
少なくとも前記第1の外側空間の底部に配置され、上方からの液を受けて、第1の排液口に向けて案内する第1のバットと、
前記第2の外側空間の底部に配置され、上方からの液を受けて、上方から液を受け、当該受けた液を、前記第1の排液口とは別の第2の排液口に向けて案内する第2のバットとを含み、
前記第1の外側空間と前記第2の外側空間とは、少なくとも底部において隔離されており、
前記第1のバットおよび前記第2のバットが、前記処理チャンバの底部に配置されている、基板処理装置。 - 前記第2のバットは、前記第2の外側空間の底部および前記処理カップの内部空間の底部に跨って配置されている、請求項1に記載の基板処理装置。
- 処理チャンバと、
前記処理チャンバの内部に配置され、基板を保持する基板保持機構と、
前記処理チャンバの内部に配置され、前記基板保持機構の周囲を包囲する筒状の処理カップと、
前記基板保持機構に保持されている基板に第1薬液を吐出する第1薬液ノズルと、
前記基板保持機構に保持されている基板に、前記第1薬液とは種類の異なる第2薬液を吐出する第2薬液ノズルと、
前記第1薬液ノズルを、前記処理チャンバの内部の所定空間であって、平面視で前記処理カップの外側の空間である第1の外側空間と、前記基板保持機構に保持されている基板の上方との間を移動させる第1の移動機構と、
前記第2薬液ノズルを、前記処理チャンバの内部の所定空間であって、平面視で前記処理カップの外側の空間でありかつ前記第1の外側空間とは別の第2の外側空間と、前記基板保持機構に保持されている基板の上方との間を移動させる第2の移動機構と、
少なくとも前記第1の外側空間の底部に配置され、上方からの液を受けて、第1の排液口に向けて案内する第1のバットと、
前記第2の外側空間の底部に配置され、上方からの液を受けて、上方から液を受け、当該受けた液を、前記第1の排液口とは別の第2の排液口に向けて案内する第2のバットとを含み、
前記第1の外側空間と前記第2の外側空間とは、少なくとも底部において隔離されており、
前記第2のバットが、前記第2の外側空間の底部および前記処理カップの内部空間の底部に跨って配置されている、基板処理装置。 - 前記第1の移動機構は、前記第1の外側空間に配置された第1のホーム位置と、前記基板保持機構に保持されている基板の上方に配置された処理位置との間で、前記第1薬液ノズルを移動させ、
前記第2の移動機構は、前記第2の外側空間に配置された第2のホーム位置と、前記基板保持機構に保持されている基板の上方に配置された処理位置との間で、前記第2薬液ノズルを移動させる、請求項1〜3のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 前記第1のバットの上面は、当該上面によって受けられた液が当該上面の高低差により前記第1の排液口に向けて流れるように傾斜しており、
前記第2のバットの上面は、当該上面によって受けられた液が当該上面の高低差により前記第2の排液口に向けて流れるように傾斜している、請求項1〜4のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 前記第1の移動機構は、前記第1薬液ノズルを、所定の第1の揺動軸まわりに揺動させる第1の揺動機構を含み、
前記第2の移動機構は、前記第2薬液ノズルを、前記第1の揺動軸とは異なる第2の揺動軸まわりに揺動させる第2の揺動機構を含む、請求項1〜5のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 前記第1薬液ノズルに第1薬液を供給する第1薬液供給配管と、
前記第1薬液供給配管の内部を吸引する吸引機構とをさらに含む、請求項1〜6のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 前記第1薬液は、硫酸を含む硫酸含有液であり、
前記第2薬液は、有機溶剤である、請求項1〜7のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 前記第1の外側空間の底部と、前記第2の外側空間の底部とが、前記処理カップの円周方向に関し、仕切り壁を介して隣接している、請求項1〜8のいずれか一項に記載の基板処理装置。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014165555A JP6432824B2 (ja) | 2014-08-15 | 2014-08-15 | 基板処理装置 |
US14/822,242 US9601358B2 (en) | 2014-08-15 | 2015-08-10 | Substrate treatment apparatus, and substrate treatment method |
KR1020150112605A KR102342131B1 (ko) | 2014-08-15 | 2015-08-10 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
TW104126267A TWI546881B (zh) | 2014-08-15 | 2015-08-12 | 基板處理裝置及基板處理方法 |
US15/432,379 US10096493B2 (en) | 2014-08-15 | 2017-02-14 | Substrate treatment apparatus, and substrate treatment method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014165555A JP6432824B2 (ja) | 2014-08-15 | 2014-08-15 | 基板処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016042517A JP2016042517A (ja) | 2016-03-31 |
JP6432824B2 true JP6432824B2 (ja) | 2018-12-05 |
Family
ID=55592141
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014165555A Active JP6432824B2 (ja) | 2014-08-15 | 2014-08-15 | 基板処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6432824B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017212335A (ja) * | 2016-05-25 | 2017-11-30 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP6722532B2 (ja) * | 2016-07-19 | 2020-07-15 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および処理カップ洗浄方法 |
JP7042704B2 (ja) * | 2017-06-30 | 2022-03-28 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
CN111085491B (zh) * | 2019-12-27 | 2021-12-03 | 上海至纯洁净系统科技股份有限公司 | 一种防溅回收组件 |
KR20210128290A (ko) * | 2020-04-16 | 2021-10-26 | 주식회사 제우스 | 컵 세정 장치 및 그 동작 방법 |
JP7460448B2 (ja) * | 2020-05-29 | 2024-04-02 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法、および、基板処理装置 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002177856A (ja) * | 2000-12-15 | 2002-06-25 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP4540457B2 (ja) * | 2004-12-03 | 2010-09-08 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
JP2007235033A (ja) * | 2006-03-03 | 2007-09-13 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2008060294A (ja) * | 2006-08-31 | 2008-03-13 | Hitachi High-Technologies Corp | 基板処理装置、基板処理方法、及び基板の製造方法 |
-
2014
- 2014-08-15 JP JP2014165555A patent/JP6432824B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2016042517A (ja) | 2016-03-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI546881B (zh) | 基板處理裝置及基板處理方法 | |
JP5270251B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP6432824B2 (ja) | 基板処理装置 | |
US10639683B2 (en) | Recovery piping cleaning method and substrate processing apparatus | |
KR102262348B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
JP2010010421A (ja) | 基板処理装置 | |
JP6618113B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP2010226043A (ja) | 基板処理装置 | |
JP5265943B2 (ja) | 基板処理装置 | |
TWI643259B (zh) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
JP2013207272A (ja) | 基板処理装置 | |
JP5318010B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP2014027201A (ja) | 基板処理装置 | |
JP6502037B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP6429314B2 (ja) | 基板処理システム | |
JP2017175063A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
JP6499472B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP5667592B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP7002605B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP5963298B2 (ja) | 基板処理装置およびヒータ洗浄方法 | |
JP5967948B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP2008060260A (ja) | 基板処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170626 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180705 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180831 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20181011 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20181025 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6432824 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |