JP6250554B2 - ソースコレクタデバイス、リソグラフィ装置、及び放射コレクタ - Google Patents

Description

［関連出願の相互参照］
[0001] 本出願は、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる２０１２年１月１８日出願の米国仮出願第６１／５８７，９６５号、２０１２年２月７日出願の米国仮出願第６１／５９５，９８１号及び２０１２年７月１６日出願の米国仮出願第６１／６７２，０７６号の利益を主張する。

[0002] 本発明は、放射を生成して集光するように構築され、配置されたソースコレクタデバイス、このようなデバイスを備えるリソグラフィ装置、及びデバイス製造方法に関する。本発明はまた、リソグラフィ装置で使用するための及び／又はソースコレクタデバイスの一部としての放射源に関する。

[0003] リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上、通常は基板のターゲット部分上に付与する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用可能である。この場合、代替的にマスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを使用して、ＩＣの個々の層上に形成すべき回路パターンを生成することができる。このパターンを、基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば１つ又は幾つかのダイの一部を含む）に転写することができる。パターンの転写は通常、基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）層上への結像により行われる。一般的に、１枚の基板は、連続的にパターニングされる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。

[0004] リソグラフィは、ＩＣやその他のデバイス及び／又は構造の製造の主要なステップの１つとして広く認知されている。しかしながら、リソグラフィを用いて製造されるフィーチャの寸法が小さくなるにつれ、リソグラフィは超小型ＩＣ又はその他のデバイス及び／又は構造を製造可能にするさらに重要な要素になりつつある。パターン印刷の理論的な推定限界は、式（１）に示す解像度のレイリー基準によって与えられる。

ここで、λは、使用する放射の波長であり、ＮＡは、パターンの印刷に使用する投影システムの開口数であり、ｋ_１は、レイリー定数とも呼ばれるプロセス依存調整係数であり、ＣＤは、印刷されるフィーチャのフィーチャサイズ（又はクリティカルディメンション）である。式（１）から、フィーチャの最小印刷可能サイズは、露光波長λを短縮すること、開口数ＮＡを大きくすること、又は、ｋ_１の値を小さくすること、の３つの方法によって縮小することができる。

[0005] 露光波長を短くして、最小印刷可能サイズを低減するために、極単紫外線（ＥＵＶ）放射源を使用することが提案されている。ＥＵＶ放射は５〜２０ｎｍの範囲内、例えば１３〜１４ｎｍの範囲内の波長を有する電磁放射である。さらに、例えば６．７ｎｍ又は６．８ｎｍなどの５〜１０ｎｍの範囲内の、１０ｎｍ未満の波長を有するＥＵＶ放射を使用することができることが提案されてきた。このような放射は極単紫外線放射又は軟ｘ線放射と呼ばれる。可能な放射源には例えば、レーザ生成プラズマ放射源、放電プラズマ放射源、又は電子蓄積リングにより与えられるシンクロトロン放射に基づく放射源が含まれる。

[0006] ＥＵＶ放射はプラズマを用いて生成することができる。ＥＵＶ放射を生成する放射システムは、燃料を励起してプラズマを生成するレーザと、プラズマを含むソースコレクタ装置と、を含んでもよい。プラズマは、例えば、適切な物質（例えば、溶融スズ）の微粒子又はＸｅガス若しくはＬｉ蒸気などの適切なガス又は蒸気のストリームなどの、固体、液体又はガス状物質の燃料ターゲットへレーザビームを誘導することで生成することができる。結果として得られるプラズマは、放射コレクタを用いて収集されるＥＵＶ放射などの出力放射を発する。放射コレクタは、放射を受光して放射をビームに合焦させるミラー付き垂直入射放射コレクタである。ソースコレクタ装置は、プラズマを支持する真空環境を提供するように構成された密閉構造又はチャンバを含んでもよい。そのような放射システムは、通常、レーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）放射源と呼ばれている。

[0007] 放電生成（ＤＰＰ）放射源は、アノードとカソードとの間の、例えばガス又は蒸気などの物質での放電によってプラズマを生成し、その後、プラズマを通って流れるパルス電流に起因する通電加熱によって高温放電プラズマを生成してもよい。この場合、所望の放射は高温放電プラズマによって放出される。動作中、ピンチを生成することによってＥＵＶ放射が生成される。

[0008] 一般に、プラズマは、自由移動電子及びイオン（電子を失った原子）を収集することによって形成される。電子を原子から剥離してプラズマを発生するために必要なエネルギーは、熱、電気又は光（紫外線、又はレーザからの強い可視光）などの様々なエネルギー源からのエネルギーであってもよい。

[0009] 公知の実際のＥＵＶ放射源は、それぞれの液槽に部分的に液浸された一対の回転ディスク形電極を備えている。電極は、液槽からの液体材料（すなわち燃料）が電極の表面に沿って運ばれるように回転させられる。点火源は、第１の電極と第２の電極との間の位置での放電によって、電極に付着した液体から放電生成放射プラズマをトリガするように構成されている。通常は、一方の電極は負の電位にあり、他方の電極は接地電位又は正電位にある。パッシェンの要件に適合するように、電極ギャップは例えば３ｍｍ程度と比較的小さくてもよい。このような放電源は、放電が発生するごとに放射パルスを放出する。生成される有用な放射の量は、放電中、及びパルスの持続期間の電極にわたる電圧に左右される。

[0010] ＥＵＶ放射源の有効出力を高めることが望ましい。代替的に及び／又は追加的に、本明細書又はその他の文献に特定されているか否かに関わらず、先行技術の１つ以上の問題を解決し、又は緩和し、又は既存の放射源又はデバイスの代替形態を提供する放射源、又は放射源と放射コレクタとを備えるソースコレクタデバイスを提供することが望ましい。

[0011] 本発明の一態様によれば、放射ビームを生成するように構築され、配置されたソースコレクタデバイスであって、プラズマ形成材料のターゲット面を与えるように構築され、配置されたターゲットユニットと、ターゲット面に誘導された放射ビームを生成して、プラズマ形成材料からプラズマを形成するように構築されて配置されたレーザユニットと、プラズマによって生成される汚染物質粒子の伝搬を低減するように構築され、配置された汚染物質トラップと、プラズマによって放出された放射を集光し、そこからビームを形成するように配置された複数の斜入射リフレクタを備える放射コレクタと、ビームの少なくとも１つの波長範囲を減衰するように構築され、配置されたフィルタとを備えるソースコレクタデバイスが提供される。

[0012] 本発明の一態様によれば、放射ビームを生成するように構築され、配置されたソースコレクタデバイスを備えるリソグラフィ装置であって、上記デバイスが、プラズマ形成材料のターゲット面を与えるように構築され、配置されたターゲットユニットと、ターゲット面に誘導された放射ビームを生成して、上記プラズマ形成材料からプラズマを形成するように構築され、配置されたレーザユニットと、プラズマによって生成される汚染物質粒子の伝搬を低減するように構築され、配置された汚染物質トラップと、プラズマによって放出された放射を集光し、そこからビームを形成するように配置された複数の斜入射リフレクタを備える放射コレクタと、ビームの少なくとも１つの波長範囲を減衰させるように構築され、配置されたフィルタと、を備えるリソグラフィ装置が提供される。リソグラフィ装置はまた、任意選択として、放射ビームの断面にパターンを与えるように構成されたパターニングデバイスを支持するように構成された支持体、基板を保持するように構成された基板テーブル、及び／又はパターニングされたビームを基板のターゲット部分に投影するように構成された投影システムのうちの１つ以上を含んでもよい。

[0013] 本発明の一態様によれば、デバイス製造方法であって、プラズマ形成材料のターゲット面にレーザビームを誘導してプラズマを形成するステップと、プラズマによって放出された汚染物質粒子を捕集するステップと、プラズマによって放出された放射を集光し、放射をビームへと形成するステップと、ビームをフィルタリングして、少なくとも１つの波長範囲を減衰するステップと、放射ビームの断面にパターンをパターニングするステップと、パターニングされた放射ビームを基板のターゲット部分に投影するステップと、を含む方法が提供される。

[0014] 本発明の一態様によれば、プラズマによって放出された放射を集光し、放射からビームを形成するように配置された複数の斜入射リフレクタと、ビームの少なくとも１つの波長範囲を減衰するように構築されて配置されたフィルタと、を備える放射コレクタであって、フィルタがコレクタの斜入射リフレクタ上に形成された回折格子を備え、回折格子が放射コレクタの光軸と平行な溝を含む放射コレクタが提供される。放射コレクタは、放射源、ソースコレクタデバイス、又はリソグラフィ装置の一部を形成してもよい。

[0015] 本発明の一態様によれば、プラズマ形成材料として使用される燃料を含むように構築され、配置された槽と、使用時に、ホイールのリムが燃料内に液浸されるように上記燃料内に少なくとも一部が液浸され、燃料内で回転可能に構築され、配置されたホイールと、を備え、リムの表面がリムの幅にわたって湾曲している放射源が提供される。

[0016] リムの表面は、ホイールの中心から外方に湾曲してもよい。

[0017] 一態様によれば、放射ビームを生成するように構築され、配置された放射コレクタデバイスであって、第１のチャンバと第２のチャンバとを備え、使用時に、ガスが第１のチャンバ及び第２のチャンバの一方から第１のチャンバ及び第２のチャンバの他方へと通過可能であり、第１のチャンバがプラズマ形成位置（すなわち、例えばレーザ放射がターゲットとするターゲット位置）を収容し、第２のチャンバが、使用時に、プラズマ形成位置で生成される放射を集光し、放射からビームを形成するように配置された斜入射放射コレクタを収容し、ソースコレクタデバイスが、プラズマ形成位置で生成された汚染物質粒子の斜入射放射コレクタへの伝搬を低減するように構築され、配置された汚染物質トラップをさらに備え、汚染物質トラップがプラズマ形成位置と斜入射放射コレクタとの間に位置し、第１のチャンバが、使用時に、第１の圧力にあるガスを含むように配置され、第２のチャンバが、使用時に、第２の圧力にあるガスを含むように配置される、ソースコレクタデバイスが提供される。

[0018] 第１の圧力は第２の圧力より高くてもよい。

[0019] 第１のチャンバは、ガスを第１のチャンバ内に導入するためのガス入口、及び／又はガスを第１のチャンバから除去するためのガス出口を備えてもよい。

[0020] 入口は、ガスを実質的にコレクタの光軸に沿って、及び／又はプラズマ形成位置へ誘導するように配置されてもよい。

[0021] 第２のチャンバはガス出口を備えてもよい。

[0022] 汚染物質トラップは、ガスが第１のチャンバ及び第２のチャンバの一方から第１のチャンバ及び第２のチャンバの他方へと通過することができるように構築されて配置されてもよい。

[0023] デバイスは、ガスが汚染物質トラップを経て第１のチャンバと第２のチャンバとの間だけを通過し得るように構成されてもよい。

[0024] 第１のチャンバ及び第２のチャンバは、少なくとも一部がハウジング内の区画によって画定されるように構成されてもよく、汚染物質トラップはその区画内に開口を設けてもよい。

[0025] 第１のチャンバ及び第２のチャンバは、少なくとも一部が別個のハウジングによって画定されてもよく、汚染物質トラップは、放射及び／又はガスがそこを通過する別個のハウジング間の導管を設けてもよい。

[0026] 本発明の一態様によれば、放射ビームを生成するように構築されて配置されたソースコレクタデバイスであって、プラズマ形成材料のターゲットを与えるように構築されて配置されたターゲットユニットと、使用時に、ターゲットに誘導されて修正されたターゲットを形成する第１の放射ビームを生成するように配置された第１のレーザ構成と、使用時に、修正されたターゲットに誘導されて、プラズマ形成材料から放射生成プラズマを形成するように第２の放射ビームを生成するように配置された第２のレーザ構成と、１つ以上の斜入射リフレクタを備え、プラズマから放出された放射を集光し、そこからビームを形成するように配置された放射コレクタと、を備えるデバイスが提供される。

[0027] 第１及び第２のレーザ構成は、同じ構成でも、又は別の構成でもよい。

[0028] 第１及び／又は第２の放射ビームは、使用時に、実質的に放射コレクタの光軸に沿って、ターゲット又は修正されたターゲットへと誘導されてもよい。

[0029] 第１及び第２の放射ビームは、使用時に、実質的に放射コレクタの光軸に沿って、且つその光軸に沿って実質的に同じ方向に誘導されてもよい。

[0030] 第１及び第２の放射ビームは、使用時に、実質的に放射コレクタの光軸に沿って、且つその光軸に沿って実質的に反対方向に誘導されてもよい。

[0031] 第１の放射ビーム及び第２の放射ビームは、使用時に、放射コレクタの光軸に沿って互いに反対側にある指向性コンポーネントを有してもよい。

[0032] 第２の放射ビームは、使用時に、放射コレクタの光軸に対して実質的に０°より大きく９０°未満の角度で、修正されたターゲットの方向に誘導されてもよい。

[0033] 第１及び／又は第２の放射ビームは、使用時に、本明細書ではターゲットの前側と定義される、放射コレクタと逆方向に面するターゲット又は修正されたターゲットの側へと誘導されてもよい。

[0034] 第１及び／又は第２の放射ビームは、使用時に、本明細書ではターゲットの後側として定義される、放射コレクタ方向に面するターゲット又は修正されたターゲットの側へと誘導されてもよい。

[0035] デブリ緩和装置は、ターゲットと放射コレクタとの間の位置に設置されてもよい。いずれの実施形態でも、この装置は、フォイルトラップなどでもよく、又はガスバッファの形態でもよく、又は電気又は磁気原理によって動作してもよい。

[0036] 第１及び第２の放射ビームは、使用時に、放射コレクタ及び／又はデブリ緩和装置（定冠詞又は不定冠詞）を通過し、ターゲット又は修正されたターゲットへと誘導されてもよい。

[0037] デブリ緩和装置は、固定式又は回転可能な汚染物質トラップであってよい。第１のレーザ放射ビーム及び／又は第２のレーザ放射ビームは、使用時に、汚染物質トラップの中空軸に沿って及び中空軸を通ってターゲット又は修正されたターゲットへと誘導されてもよい。

[0038] 第１のレーザ放射ビームは、（例えば、主としてその入射角に関してであるが、場合によってはその出力、又はその他の幾つかの特性に関して）修正された燃料ターゲットを放射コレクタの光軸に対して実質的に垂直な方向に確実に伸長させるように構成されてもよい。修正されたターゲットは、第１のレーザビームが入射する最初のターゲットよりも平坦で、幅広い、又は大きいターゲットを提供してもよい。例えば、修正されたターゲットは、ディスク状クラウド及び／又は表面であるか又は備えてもよい。

[0039] デバイスは、ビームの少なくとも１つの波長範囲を減衰するように構築されて配置されたフィルタをさらに備えてもよい。フィルタは、１つ以上の格子を備えてもよい。

[0040] 本発明の一態様によれば、使用時に、その表面がプラズマ形成材料のターゲットを画定するプラズマ形成材料の容積を含むように配置された容器と、容器の近傍に位置し、使用時に電極とターゲットとの間の放電を促進して放射生成プラズマを生成するように配置された電極と、を備える放射源が提供される。

[0041] 放射源は、使用時に、実質的にターゲットと電極との間にプラズマ形成材料のクラウドを形成するためにターゲットに誘導される放射ビームを生成するように構築され、配置されたレーザユニットをさらに備えてもよい。

[0042] クラウドの形成は、放射生成プラズマの製造を促進する（例えば一例では、放電をトリガすることを可能にし、容易にする）ように配置されてもよい。

[0043] 放射源は、電極及び／又はプラズマ形成材料の容積に接続され、使用時に、電極とプラズマ形成材料の容積との間の電位差を確立するように配置された電圧源をさらに備えてもよい。

[0044] 本発明の一態様によれば、放射ビームを生成するように構築され、配置されたソースコレクタデバイスであって、本発明の上述のいずれかの態様の放射源と、プラズマによって放出された放射を集光し、放射からビームを形成するように配置された放射コレクタと、を備えるソースコレクタデバイスが提供される。

[0045] ソースコレクタデバイスは、プラズマによって生成された汚染物質粒子の伝搬を低減するように構築されて配置された汚染物質トラップ、及び／又はビームの少なくとも１つの波長範囲を減衰するように構築され、配置されたフィルタのうち１つ以上をさらに備えてもよい。

[0046] 本発明の一態様によれば、放射を生成する方法であって、電極と、容器内に含まれるプラズマ形成材料の容積との間に、プラズマ形成材料から放射生成プラズマを生成するのに十分な放電を提供するステップを含む方法が提供される。

[0047] 上記方法は、放射ビームをプラズマ形成材料に誘導して、実質的に電極とプラズマ形成材料の容積との間にプラズマ形成材料のクラウド（少なくとも蒸気を含むものと理解されたい）を形成するステップを含んでいてもよい。このステップは放電前又は放電中に行われてもよい。

[0048] クラウドの形成により放電がトリガされてもよい。

[0049] 放電は、少なくとも部分的に、電極と、放電が生じるのに十分なプラズマ形成材料の容積との間に電位差を与えることによって提供されてもよい。

[0050] 本発明の一態様によれば、本発明の別の態様による本明細書に記載されているような放射コレクタ、放射源、及び／又はソースコレクタデバイスを備えるリソグラフィ装置が提供される。

[0051] 本明細書に記載の放射源、又はソースコレクタデバイス（コレクタと連係する放射源でよい）は、適宜、プラズマ形成材料のターゲット面を備えるように構築され、配置されたターゲットユニット、ターゲット面に誘導された放射ビームを生成して、上記プラズマ形成材料からプラズマを形成するように構築されて配置されたレーザユニット、プラズマによって生成される汚染物質粒子の伝搬を低減するように構築され、配置された汚染物質トラップ、プラズマによって放出された放射を集光し、放射からビームを形成するように配置された複数の斜入射リフレクタを備える放射コレクタ、ビームの少なくとも１つの波長範囲を減衰するように構築され、配置されたフィルタ、のうちの１つ以上又はそれらの組合せをさらに備えてもよい。

[0052] 本明細書に記載のリソグラフィ装置はまた、任意選択として、パターニングデバイスを支持するように構成された支持体、放射ビームの断面にパターンを付与するように構成されたパターニングデバイス、基板を保持するように構成された基板テーブル、及び／又はパターニングされたビームを基板のターゲット面に投影するように構成された投影システム、のうちの１つ以上を含んでもよい。また、ビームがパターニングデバイスに入射する前に放射ビームを調節するためにイルミネータを備えてもよい。

[0053] 図面を参照して上記態様及びその他の態様をより詳細に説明する。
[0054]本発明の実施形態に係るリソグラフィ装置を示す。 [0055]図１の装置のより詳細な図である。 [0056]本発明のある実施形態に係る放射源デバイスを示す。 [0057]本発明のある実施形態に係る放射源デバイスを示す。 [0058]本発明のある実施形態に係る放射源デバイスで使用可能な放射源モジュールを示す。 [0058]本発明のある実施形態に係る放射源デバイスで使用可能な放射源モジュールを示す。 [0058]本発明のある実施形態に係る放射源デバイスで使用可能な放射源モジュールを示す。 [0058]本発明のある実施形態に係る放射源デバイスで使用可能な放射源モジュールを示す。 [0059]不要な放射を逸らすための格子を有する斜入射コレクタのある実施形態を示す。 [0060]図５及び図７に示す放射源モジュールのホイールの細部を概略的に示す。 [0061]本発明のある実施形態に係る、図１０に示し、これを参照して記載されるホイールの修正形態を概略的に示す。 [0062]本発明のある実施形態に係る、複数の格子の使用に関連するフィルタリング原理を概略的に示す。 [0063]図３に既に示し、これらを参照して記載される放射源と連係したプレパルス放射ビームの使用を概略的に示す。 [0063]図４に既に示し、これらを参照して記載される放射源と連係したプレパルス放射ビームの使用を概略的に示す。 [0064]本発明のある実施形態に係る、異なる圧力にある２つのチャンバを有するソースコレクタデバイスを概略的に示す。 [0064]本発明のある実施形態に係る、異なる圧力にある２つのチャンバを有するソースコレクタデバイスを概略的に示す。 [0065]本発明のある実施形態に係る、放電生成プラズマ放射源、及びコレクタを概略的に示す。

[0066] 図１は、本発明の一実施形態に係るソースコレクタ装置ＳＯを含むリソグラフィ装置１００を概略的に示す。この装置は、放射ビームＢ（例えば、ＥＵＶ放射）を調節するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、パターニングデバイス（例えば、マスク又はレチクル）ＭＡを支持するように構築され、パターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第１のポジショナＰＭに接続された支持構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴと、基板（例えば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構築され、基板を正確に位置決めするように構成された第２のポジショナＰＷに接続された基板テーブル（例えば、ウェーハテーブル）ＷＴと、基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つ以上のダイを含む）上にパターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢへ付与されたパターンを投影するように構成された投影システム（例えば、反射投影システム）ＰＳと、を備える。

[0067] 照明システムは、放射の誘導、整形、又は制御を行うための、屈折、反射、磁気、電磁気、静電型等の光学コンポーネント、又はその任意の組合せなどの種々のタイプの光学コンポーネントを含んでいてもよい。

[0068] 支持構造ＭＴは、パターニングデバイスの方向、リソグラフィ装置の設計等の条件、例えばパターニングデバイスが真空環境で保持されているか否かに応じた方法でパターニングデバイスＭＡを保持する。この支持構造は、パターニングデバイスを保持するために、機械式、真空式、静電式等のクランプ技術を使用することができる。支持構造は、例えばフレーム又はテーブルでよく、必要に応じて固定式又は可動式でよい。支持構造は、パターニングデバイスが例えば投影システムに対して確実に所望の位置に来るようにしてもよい。

[0069] 「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分にパターンを生成するように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用し得る任意のデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。放射ビームに付与されるパターンは、集積回路などのターゲット部分に生成されるデバイスの特定の機能層に相当する。

[0070] パターニングデバイスは透過性又は反射性でよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルＬＣＤパネルがある。マスクはリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、バイナリマスク、レベンソン型（alternating）位相シフトマスク、ハーフトーン型（attenuated）位相シフトマスクのようなマスクタイプ、さらには様々なハイブリッドマスクタイプも含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例として、小さなミラーのマトリクス配列を使用し、そのミラーは各々、入射する放射ビームを異なる方向に反射するよう個々に傾斜させられることが可能である。傾斜したミラーは、ミラーマトリクスによって反射する放射ビームにパターンを付与する。

[0071] 照明システムのような投影システムは、使用する露光放射、又は真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、例えば屈折、反射、磁気、電磁気、静電型等の光学コンポーネント、又はその任意の組合せなどの種々のタイプの光学コンポーネントを含んでいてもよい。その他のガスは放射を吸収しすぎるため、ＥＵＶ放射用には真空を使用することが望ましいことがある。したがって、真空壁及び真空ポンプを用いてビーム経路全体に真空環境を設けてもよい。

[0072] 本明細書で示すように、装置は反射型である（例えば反射型マスクを使用する）。

[0073] リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）又はそれ以上の基板テーブル（及び／又は２つ以上のマスクテーブル）を有するタイプでよい。このような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブルを並行して使用するか、又は１つ以上の他のテーブルを露光に使用している間に１つ以上のテーブルで予備工程を実行してもよい。

[0074] 図１を参照すると、イルミネータＩＬは、ソースコレクタ装置ＳＯから極単紫外線放射ビームを受光する。ＥＵＶ光を生成する方法は、物質を少なくとも１つの元素、例えば、キセノン、リチウム又はスズを有し、ＥＵＶ範囲の１つ以上の輝線を有するプラズマ状態に変換するステップを含むが、これに限定されない。多くの場合、レーザ生成プラズマ（「ＬＰＰ」）と呼ばれるそのような１つの方法では、所望の輝線放出元素を有する物質の液滴、ストリーム又はクラスタなどの燃料をレーザビームで照射することで所望のプラズマを生成することができる。ソースコレクタ装置ＳＯは、燃料を励起するレーザビームを提供するレーザ（図１には示さず）を含むＥＵＶ放射システムの一部であってもよい。結果として得られるプラズマは、ソースコレクタ装置内に配置された放射コレクタを用いて収集される出力放射、例えば、ＥＵＶ放射を放出する。レーザ及びソースコレクタ装置は、例えば、ＣＯ_２レーザを用いて燃料励起のためのレーザビームを提供する場合のように、独立した構成要素であってもよい。

[0075] このような場合は、レーザはリソグラフィ装置の一部を形成するとは見なされず、例えば、適切な誘導ミラー及び／又はビームエキスパンダを備えるビームデリバリシステムを用いて放射ビームはレーザからソースコレクタ装置へ渡される。別の場合は、放射源はソースコレクタ装置の一体部分であってもよい。

[0076] イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調整するアジャスタを備えてもよい。通常、イルミネータの瞳面における強度分布の少なくとも外側及び／又は内側半径範囲（一般にそれぞれ、σ-outer及びσ-innerと呼ばれる）を調整することができる。さらに、イルミネータＩＬは、ファセット型フィールド及び瞳ミラーデバイスなどの他の種々のコンポーネントを備えてもよい。イルミネータを用いて放射ビームを調節し、その断面に所望の均一性と強度分布とが得られるようにしてもよい。

[0077] 放射ビームＢは、支持構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ上に保持されたパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡに入射し、パターニングデバイスによってパターニングされる。パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡに反射した後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳはビームを基板Ｗのターゲット部分Ｃ上に合焦させる。第２のポジショナＰＷと位置センサＰＳ２（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ又は容量センサ）とを用いて、基板テーブルＷＴは、例えば、様々なターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路に位置決めすることができるように正確に移動させられることが可能である。同様に、第１のポジショナＰＭと別の位置センサＰＳ１とを用いて、放射ビームＢの経路に対してパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを正確に位置決めすることができる。パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ及び基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせされることが可能である。

[0078] 図示のリソグラフィ装置は、以下のモードのうち少なくとも１つにて使用可能である。
１．ステップモードにおいては、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴ及び基板テーブルＷＴは、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームに与えたパターン全体が１回でターゲット部分Ｃに投影される（すなわち単一静的露光）。次に、別のターゲット部分Ｃを露光することができるように、基板テーブルＷＴがＸ方向及び／又はＹ方向に移動される。
２．スキャンモードにおいては、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴ及び基板テーブルＷＴは同期的にスキャンされる一方、放射ビームに与えられるパターンがターゲット部分Ｃに投影される（すなわち単一動的露光）。支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）及び像反転特性によって求めることができる。
３．別のモードにおいては、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴはプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルＷＴを移動又はスキャンさせながら、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する。このモードでは、一般にパルス状放射源を使用して、基板テーブルＷＴを移動させるごとに、又はスキャン中に連続する放射パルス間で、プログラマブルパターニングデバイスを所望に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。

[0079] 上述した使用モードの組合せ及び／又は変形、又は全く異なる使用モードも使用することができる。

[0080] 図２は、放射コレクタ装置ＳＯ、照明システムＩＬ、及び投影システムＰＳを含む装置１００をより詳細に示している。放射コレクタ装置ＳＯは、放射コレクタ装置ＳＯの密閉構造ＶＣ内の真空環境を維持することができるように構築されて配置されている。ＥＵＶ放射は、ガス又は蒸気、例えばキセノンガス、リチウム蒸気又はスズ蒸気によって生成可能であり、その中で超高温プラズマが生成されて電磁スペクトルのＥＵＶ範囲の放射が放出される。例えば１０Ｐａのキセノン、リチウム、金、テルビウム蒸気、又はその他の任意の適切なガス又は蒸気の部分圧が、十分な放射の生成をもたらすことができる。ある実施形態では、励起スズ（Ｓｎ）のプラズマが提供されてＥＵＶ放射が生成される。放射コレクタ装置についてさらに詳細に以下に記載する。

[0081] ある実施形態では、放射コレクタ装置ＳＯによって生成された放射６０は仮想放射源ポイントＩＦで合焦される。仮想放射源ポイントＩＦは一般に中間焦点と呼ばれ、放射コレクタ装置は、中間焦点ＩＦが密閉構造ＶＣ内の光軸Ｏ上の開口に、又はその近傍に位置するように配置される。仮想放射源ポイントＩＦは放射放出プラズマの像である。

[0082] その後、放射は、パターニングデバイスＭＡでの放射ビーム２１の所望の角分散とパターニングデバイスＭＡでの放射強度の所望の均一性とを提供するように構成されたファセット型フィールドミラーデバイス２２とファセット型瞳ミラーデバイス２４とを含んでもよい照明システムＩＬを横切る。支持構造ＭＴに保持されたパターニングデバイスＭＡで放射ビーム２１が反射すると、パターン付ビーム２６が形成され、パターン付ビーム２６は、投影システムＰＳによって反射要素２８、３０を介して、ウェーハステージ又は基板テーブルＷＴによって保持された基板Ｗ上に結像される。

[0083] 概して、照明光学ユニットＩＬ及び投影システムＰＳには図示した以上の要素があってもよい。さらに、図示した以上のミラーを備えてもよく、例えば図２に示した投影システムＰＳに１個〜６個の追加の反射要素を備えてもよい。

[0084] 図３は、ソースコレクタ装置ＳＯの実施形態をより詳細に示している。励起レーザ５０は放射ビームをターゲット３０１に誘導してプラズマ５１を形成する。プラズマ５１は、ＥＵＶ放射を含む放射を放出する。少なくともＥＵＶ放射がコレクタ３０３によって集光され、スペクトル純度フィルタ３０４を介して中間焦点ＩＦに誘導される。コンポーネントの構造及び機能は以下にさらに記載する。

[0085] ある実施形態では、ターゲット材料が気化され、イオン化されて明確に定義された位置、すなわちレーザビームがターゲット３０１に当たる位置でプラズマ５１を形成する。プラズマの精密な位置は励起レーザ５０によって制御可能である。このことは放射源デバイスの安定性、すなわち均一性のために望ましく、デバイスの放射出力の恒常性に影響することがある。プラズマ内で、イオンと自由電子とが衝突によって生成される。プラズマ電子はプラズマ内のイオン内の電子を励起し、電子が非励起状態に戻ると放射が放出される。液体材料がガリウム、スズ、インジウム、又はリチウム、又はそれらのいずれかの組合せから選択されると、放射は大量のＥＵＶ放射を含む。放射は、全方向に発散し、放射コレクタ３０３によって集光される。

[0086] ターゲット３０１は、励起レーザ５０によって生成されるレーザビームが入射する材料の実質的に平坦な表面を備える。望ましくは、入射面を形成する材料は継続的に補充される。ターゲット材料は、液体スズ、リチウム、ガリウム、インジウム、ガドリニウム又はテルビウムなどの液体である。ある実施形態では、ターゲット材料は液体金属である。平坦なターゲット面を備えるために使用可能なデバイスは、液槽、流れを有する液槽、昇降デバイスを有する液槽、液滴発生器、及び回転槽又は回転皿を含む。しかしながら、実質的に平坦な表面は、ＥＵＶへの変換効率が高いという利点を有しているが、この実施形態及び以下に記載する本発明の実施形態には小液滴などの小さいターゲットも適している。

[0087] 実質的に平坦なターゲットを使用することによって、ＥＵＶ放出プラズマを形成するために利用可能な材料の量が増加し、変換効率が高まる。本発明の実施形態で使用される平坦なターゲットを用いた変換効率は、ターゲットとして小液滴を使用した放射源の１％〜３％と比較して５％〜６％に高めることができる。ある実施形態では、ターゲット材料の実質的に平坦な表面は、１０μｍ以上、望ましくは４０μｍより大きいターゲット面の最小（すなわち最も小さい）寸法を有している。望ましくは、ターゲット面の最小寸法は１００μｍ未満、例えば約９０μｍ〜約１００μｍの範囲である。最小寸法の例は、液滴／ジェット／ソリッドワイヤターゲットの直径、又は個体スズのシートなどのシート状ターゲットの幅、又は回転ディスク状電極上の液体材料層の幅であってよい。ターゲット面の最小サイズは重要度が低く、レーザの合焦点精度、及び液体金属の生成に関連する熱力学的な考慮によって決定されてもよい。

[0088] 所望の放射と同様に、励起レーザ５０によって形成されるようなプラズマは、例えばイオン、原子、及びターゲット面のより大きい粒子などの比較的大量のデブリを見落とすことが多い。このようなデブリがリソグラフィ装置の残りの部分内に移動し、そこで他のコンポーネントを損傷する可能性を防止することが望ましい。本発明のある実施形態では、汚染物質トラップユニット３０２が設けられる。ある実施形態における汚染物質トラップユニット３０２は回転フォイルトラップの形態を取っている。回転フォイルトラップは、ソースコレクタ装置の光軸Ｏと位置合わせされた軸から放射状に広がる離間された複数のベーンを備える。ベーンはモータ（図示せず）によって回転駆動される。回転フォイルトラップの回転速度は、プラズマから放出されるデブリ粒子がベーンによって掃引される速度に決定される。ギャップが回転ベーンによって掃引される前にデブリ粒子がベーン間を通過する時間は十分ではない。回転フォイルトラップには放射源ポイントから見て極めて小さい領域しかないため、電磁放射が回転フォイルトラップによっては実質的に影響されることはない。回転フォイルトラップ、又はその他の汚染物質トラップは、本発明のある実施形態では別のデブリ緩和デバイス、例えばガスバリアと組み合わされる。ガスバリアは、例えばアルゴン、水素又はヘリウムなどの適切なガス、及び／又は放射経路を横切るガス流の低いバックグラウンド圧を含む。本発明のある実施形態におけるガスバリアは、デブリを機械的に抑止するためだけに使用される。したがって、適切なガスを広範に選択することができる。ある実施形態では、回転フォイルトラップは固定フォイルトラップと組み合わせることができる。

[0089] 汚染物質トラップユニット３０２を通過する放射はコレクタ３０３によって集光される。ある実施形態では、コレクタ３０３は、光軸Ｏを中心に軸方向に対称に配置された斜入射リフレクタ３０３ａを備える入れ子式コレクタである。コレクタ３０３は集光されたＥＵＶ放射６０を中間焦点ＩＦで合焦し、ＥＵＶ放射はそこから照明モジュールＩＬに入射する。

[0090] コレクタ３０３と中間焦点ＩＦとの間に、スペクトル純度フィルタ３０４が設けられている。スペクトル純度フィルタ３０４は、ビームを曲折させる動作もする近斜入射リフレクタとして示されている。フィルタ３０４には、少なくとも１つの波長範囲、例えば赤外線又は深紫外線（ＤＵＶ）をビームダンプ３０５へ回折する格子が設けられている。不要な放射を吸収し、必要な（ＥＵＶ）放射を反射するコーティング又は膜などの、不要な放射を除去する別の代替手段もこの目的に適している。不要な放射を投影ビームから除去することによって、後続のモジュール内の、特に照明モジュールＩＬ内の熱負荷が低減される。

[0091] 図３に示す配置では、プラズマ開始レーザビームは、コレクタモジュールの光軸Ｏから離れた位置からターゲットユニット３０１へと誘導される。これは軸外照射と呼ぶことができる。その結果、プラズマ生成時に吸収されない反射放射５０ｂはコレクタ３０３に入射しない。これによってコレクタ３０３上の熱負荷が低減され、この付加的な不要な放射が光学列の他の部分に入射することが防止される。反射放射５０ｂを吸収するためにビームダンプ３０６を設けることができる。ある実施形態では、プラズマ放射レーザを、光軸上の方向を含む別の方向からコレクタに対してターゲットユニットの前方又は後方のターゲットユニットへと誘導可能である。本発明のある実施形態では、プラズマを開始するために複数のレーザビームが使用される。複数のレーザビームは、材料のクラウドを気化させるプレパルス、及びプラズマを形成し、ＥＵＶ放射を誘発するメインパルスであってよい。複数のレーザパルスを同じ方向、又は別の方向から同時に印加してプレパルスを含む、又は含まないプラズマを形成することができる。

[0092] 図３に示すような本発明のある実施形態では、幾つかの理由から法線入射コレクタ、及びターゲットとして小滴を使用する公知の放電生成プラズマ放射源及びレーザ生成プラズマ放射源と比較して、中間焦点ＩＦでの有効出力を高めることができる。本発明の実施形態は、変換効率、すなわち入力されたレーザ出力の、プラズマによって放出されたＥＵＶ放射への変換効率を高めることができる。放電生成プラズマ放射源と比較して、本発明の実施形態はプラズマ放射源の局限化が改善されるため、フォイルトラップへの透過性をより高めることができる。放電生成プラズマ放射源と比較して、システムの光学系のエタンデュ整合も改善される。レーザ生成プラズマ放射源と比較して、本発明の実施形態は、全体的効率は同様であるが、汚染物質はより良く除去される。

[0093] 本発明のある実施形態が図４に示されている。これは図３の実施形態の変形形態であり、４から始まる番号を付した図４のコンポーネントは、図３の実施形態の対応するコンポーネントと同じである。図３と図４の実施形態の１つの相違点は、図４の実施形態ではスペクトル純度フィルタが使用されないことである。その代わりに、スペクトル純度フィルタは斜入射リフレクタ４０３（図示せず）と組み合わされている。ある実施形態では、例えば赤外線及びＤＵＶなどの不要な放射を、中間焦点ＩＦから離れるように偏光させるため、斜入射リフレクタ４０３ａの反射面に格子が形成される。ビームダンプ（図示せず）は、中間焦点を通る必要な放射と干渉せずに不要な放射を吸収する適切な位置に配置されることが可能である。ある実施形態では、必要な放射を中間焦点へと偏光させるため、斜入射リフレクタ４０３ａ、又は斜入射コレクタ４０３上に格子が形成されている。不要な放射を偏光させるための格子が設けられる場合は、斜入射リフレクタ４０３ａの輪郭は異なっていてもよいが、全体的な効果は同じである。斜入射リフレクタ４０３ａ上に格子を設けることで、必要な放射ビームの光路は曲折せず、コンポーネントの物理的な配置が必要になる。

[0094] 図９に示すある実施形態では、斜入射リフレクタ４０３ａ上に形成された格子は線９０で示され、不要な放射を中間焦点ＩＦから離れるように偏光させるために配置され、且つコレクタ４０３の光軸Ｏと平行な溝を設けている。溝は、不要な放射を抑止するために有効ならばどんな形状を有してもよい。溝は、例えば光軸Ｏの方向の横断面が矩形でもよい。溝の深さＤは以下の関係式の相殺的干渉をもたらす。
Ｄ／λ_ＴＨ＝０．２５／ｃｏｓ（ｏｃ） （２）

[0095] 式（２）で、ａは格子を担持するコレクタミラーの表面の法線に対する入射角であり、λ_ＩＲは抑止される赤外線放射の波長である。

[0096] 適用される入射角は例えば約７０°〜約８０°に設定されてもよく、その場合、対応する溝の深さは約１０μｍ〜約２０μｍの範囲である。

[0097] 溝の周期は、所望の抑圧比によって決定され、その抑圧比に基づいて１０μｍ〜ｅｍの範囲であってよい。望ましい周期は約１ｍｍであり、格子の望ましいデューティサイクル（すなわち溝変調）は望ましくは約１：１である。

[0098] コレクタの光軸と平行なグルーブを有する格子の製造方法は、放出されたシェル上にルテニウム層（すなわち斜入射リフレクタ）４０３ａを堆積させるステップと、エッチング停止層、例えばハフニウム層を堆積させるステップと、厚さ約１０〜２０μｍのルテニウム層を堆積させるステップと、溝パターンを有する第２のエッチング停止層を堆積させるステップと、第２のエッチング停止層の溝内のルテニウムをエッチング除去するステップと、第２のエッチング停止層を除去するステップとを含む。

[0099] 別の選択肢は、例えばニッケルを電鋳により別の材料上に製造し、その上面にルテニウムを堆積させる方法である。

[00100] 図５〜図８は、本発明のある実施形態で使用することができるターゲットユニット３０１、４０１の代替形態を示している。これらのデバイスは各々、変換効率を高めるためにプラズマ生成レーザビーム５０ａ用の十分に大きい（すなわち上述のように実質的に平坦な）ターゲット面を提供する。これらの図では、同様の部品は同様の参照番号で示されている。

[00101] 図５のターゲットユニットでは、層５３はプラズマ形成材料、例えば液体金属の供給を保持する。槽は、使用される金属に応じて適切な温度で金属を維持する適切な加熱及び温度制御システムを含む。ホイール５４はモータ５５によって回転駆動される。ホイール５４は液体金属の槽５３内に部分的に液浸され、ホイールが回転すると金属を引き出してプラズマを形成する。励起レーザ５０はホイール５４の周囲の適切な位置、例えば上面で合焦され、ホイール５４によってそこに移された材料からプラズマを形成する。ホイール５４は、適切な平坦な表面領域にプラズマ形成材料を給送して、それが確実に継続的に補充されるようにする。ホイールは、プラズマ形成材料よりも融点が高い材料から形成されている。ターゲットの近傍に位置する電極６０は、図５〜図８では、放射生成プラズマをそこから生成するために、使用時に、電極６０とプラズマ形成材料との間の放電が促進されるように配置されている。

[00102] 図６は、ホイールが省かれ、励起レーザ５０が槽５３内の液体金属の表面へと誘導される。表面にある材料が所望の速度で確実に補充されるように、ポンプ又は羽根車５６が液体５７内に流れを生成する。

[00103] 図７は、ターゲットが励起レーザ５０のレーザ空洞内に位置する配置を示している。望ましくはレーザの波長範囲内で選択的に反射するように配置されたミラー５９はレーザ空洞の一方のミラーを形成し、他方のミラーは励起レーザ５０内に含まれる。ホイール５４には歯５８が設けられ、２つの機能を果たす。プラズマ形成材料を移送してターゲット面を形成すると共に、歯が所定位置にあるかないかがレーザのトリガを制御する。デバイスは、歯、又はターゲット位置にあるギャップの存在のいずれかによってレーザが放電可能になるように構成することができる。これを可能にするには幾つかの方法がある。一つの配置では、所定位置に歯があるかないかがレーザ空洞の光路の長さを変えて共振を防止するか、又は許容する。別の配置では、所定位置に歯があれば光をミラー５９へと誘導するのに対してギャップはそうせず、又はその逆になるように、歯５８の表面、及び／又は歯の間のギャップが配向される。このようなデバイスでは、新たな材料の給送はレーザパルスと自動的に同期される。

[00104] 図７に示すような歯付きホイールは、ターゲットユニットがレーザ空洞内に位置しない本発明の実施形態にも使用することができる。歯付きホイールの歯は、望ましくはプラズマ形成を向上させ、変換効率を高めるような形状にされる。歯付きホイールの代替として、両方の実施形態（すなわちレーザ空洞の内部、又は外部に位置する実施形態）で同じ目的のために、穴を有するホイールも使用可能である。歯付きホイール又は穴を有するホイールでは、プラズマ形成材料を内部に収集可能な少なくとも１つの空洞を設けることが望ましい。ホイールの周囲に延びる１つの空洞があってもよく、又はホイールの周囲に離間された複数の空洞があってもよい。励起レーザは、レーザパルスの持続期間中にプラズマ形成材料を閉じ込めることによって、プラズマ形成材料により吸収されるエネルギー量を増加させる役割を果たす空洞内に合焦されてもよい。それによって変換効率が高まる。

[00105] 図８に示すデバイスでは、ターゲットユニットは、モータ７１によってシャフト７２を介して駆動される皿（又は槽）７０を備える。プラズマを形成する液体材料は皿の側壁を被覆することで、デバイスが回転すると励起レーザ５０に新たな材料が継続的に補充される。

[00106] 図１０は、図５及び図７を参照して既に図示し、記載したホイール５４の一部を概略的に示している。ホイール５４は、ホイール５４の幅を視認することができるように径方向から見た図として示されている。ホイール５４のリム５００を画定する表面が、ホイール５４の幅にわたって一直線状に延びていることが分かる。すなわち、リム５００の表面はホイール５４の半径及び周囲に対して横方向に平坦である。ホイール５４が回転すると、ホイールの少なくとも一部が液浸される燃料は遠心力によりホイール５４の側面から離れてリム５００へと移動してもよい。しかしながら、燃料は平坦なリム面５００を均一に被覆しないことが判明している。その代わりに、燃料の隆起部などが、例えばリム５００の縁部、及びリム５００にわたる多くの異なる位置でリム上に形成されることが判明している。経験上、燃料のこれらの隆起部などは、平坦なリム面５００の全体に延びる薄膜（又はその他の皮膜）に容易には融合しないことが示されている。薄膜又はその他の均質なコーティングは、プラズマ形成のためのレーザ（すなわち、レーザ生成プラズマ原理）、又は放電を使用してそれを介して放射生成プラズマを生成し得る少なくとも部分的な膨張又は気化のためのレーザ（放電生成プラズマ原理）が燃料をターゲットとする場合に望ましい。リム５００全体にわたって連続する薄膜などが確実に存在し、それによってレーザ放射がリム５００に入射すると、レーザがターゲットとする燃料が存在することが望ましいのは明白である。

[00107] 図１１は、上記の問題を解決する可能性を概略的に示している。本発明のある実施形態によれば、ホイール５４のリム５０２は、リム５０２の幅全体にわたり湾曲した、すなわちホイール５４の半径及び周囲に対して横方向に湾曲した表面を画定している。リム５０２の湾曲は外向きであり、ホイール５４の中心から離れている。しかしながら、別の実施形態（図示せず）では、湾曲はホイール５４の中心に向かって内向きでもよい。

[00108] 図１１に示す実施形態を使用すると、ホイール５４の少なくとも一部が液浸される燃料に加わる遠心力がリム表面全体にわたって、リム５０２の湾曲の中心に向かって燃料を駆動することが判明した。これによって融合が強化され、その結果、リム５０２が良好且つ着実に燃料で被覆される。より詳細には、燃料に作用する遠心力と表面張力との均衡により、燃料の薄膜（など）がリム５０２上に形成され、湾曲したリム５０２はこの均衡を図り、又はより容易に均衡を図ることが可能になる。必要ならば、リム及び／又はホイールのその他の表面に近傍のワイパ要素を使用して、余剰燃料を拭き取ることによって燃料薄膜の幅をさらに制御することができる。より一層均一な層厚にするために、ワイパはリムの湾曲部を辿ってもよい。

[00109] 図５及び図７の両方に示す実施形態は、レーザ生成プラズマ放射源である。しかしながら、図１１に示すホイールは、レーザ生成プラズマ放射源での使用に限定されず、レーザがリム上の燃料に入射して放射生成プラズマの形成を開始する場合に、異なるタイプの放射源、例えば放電生成プラズマ放射源でホイールを使用することができる。

[00110] 上述のように、特に図４及び図９に示し、これらを参照して記載した実施形態に関して、格子は放射のある種の不要な波長をフィルタリングし、又はその他の方法で減衰してもよい。減衰とは、不要な放射（例えばＤＵＶ又は赤外線放射）の強度の減衰でもよく、又は可能性が最も高いのは格子ベースフィルタによる不要な放射のある特定の回折次数への回折でもよく、最大強度次数は必要な（例えばＥＵＶ）放射の伝搬経路から離れるように回折される。実際に、例えば図４及び図９の実施形態に関して上述したようなリソグラフィ装置を通って不要な放射波長が伝搬することを抑止するために、格子を使用することができる。しかしながら、放射が１つの格子から下流の別の格子へと回折される場合は、第１の格子によってなされる抑止が第２の下流の第２の格子により悪影響を受けることがないように（例えば未然に防ぎ、又は緩和するように）注意する必要がある。図１２は、このような潜在的な問題を概略的に示している。

[00111] 図１２を参照すると、第１の格子５１０と第２の格子５１２とが示されている。各格子５１０、５１２の周期性は同じである。放射ビーム５１４は第１の格子５１０へと誘導されるものとして示されている。放射ビーム５１４は、第１の波長（例えばＥＵＶ放射）及び第２の異なる（例えばより長い）波長（例えば赤外線放射）を含んでいる。第１の格子５１０と第２の格子５１２とは両方とも第１の波長の入射放射を実質的に反射し、第２の波長の放射を実質的に回折するように構成されている。ある特定の波長の放射を抑止するために使用される回折格子で一般的であるように、第１の格子５１０は、第２の波長の放射の大多数を第１のより高い回折次数へと回折する。不要な（第２の波長の）放射が必要な（第１の）波長の放射と同じビーム経路に沿って伝搬することを防止するため、回折されない（すなわち反射する）放射と同じ方向に対応するゼロ次数に回折される放射は一般に抑止される。これが減衰／フィルタリングを達成する方法である。

[00112] 図１２は、第１の格子５１０が第１の波長５１６の放射を第２の格子５１２へと、及びその方向に反射することを示している。同時に、第２の波長の放射のほとんどが、＋／−１次回折次数５１８、５２０（又はより高い次数、１次回折次数は明解にするためだけに示している）へと回折され、その１次回折次数の両方５１８、５２０とも第２の格子５１２へと向けられ、これに入射する。

[00113] 第２の格子５１２の状況を参照すると、（第１の格子５１０によって反射した）第１の波長の入射放射５１６は、単に第２の格子５１２から反射される。実質的にそれと同時に、第１の格子５１０から回折された入射放射（例えば１次回折次数の放射５１８、５２０）は、第２の格子５１２によって回折される。各々の回折入射の結果、複数の＋／−１次回折次数放射５２２が生じ、（上述のように）大幅に少ない程度に、場合によっては無視することができるゼロ次放射５２４さえ生じることがある。

[00114] 図に見られるように、２つの同一の格子が組み合わされると（すなわち、一方の格子５１２が他方の格子５１０の下流に位置していると）、第１の格子５１０から回折された１次放射５１８、５２０は、第２の格子５１２のゼロ次の方向（又は言い換えると反射下放射と同じ方向）へと再変換される。このようにして、第２の格子５１２は第１の格子５１０に減衰効果の半分を相殺し、その結果抑止は５０％だけになる。このことは、第１の波長５１６の反射放射（例えばＥＵＶ放射）を含むが、平行な方向に進行する、第２の格子５１２（それ自体は第１の格子５１０からの１次回折放射を含む）から回折された１次回折放射５２２も含むグループ５２６によって示されている。このグループ５２６は平行であるため、不要な放射がそこで損傷又は歪みを引き起こすことがある下流の装置に向かって、及び／又はそれを通って伝搬する可能性がかなりある。その場合、理想的にはこの状況（すなわち、図１２に示した状況）を避けることが望ましい。

[00115] 第１の回折格子５１０、及び第１の回折格子の下流に位置する第２の回折格子５１２を備えるフィルタを備えることによって、上記の問題を未然に防ぎ、又は緩和してもよい。各格子は、使用時に、第１の波長の入射放射（例えばＥＵＶ放射）を実質的に反射し、第２のより長い波長の入射放射（例えばＤＵＶ又は赤外線放射などの不要な放射）を実質的に回折するように構成されている。上記の問題を確実に防止し、又は緩和するため、第１の格子は第２の格子とはやや異なる周期性を有している。周期性の相違は、使用時に、第１の回折格子によって１次回折放射へと回折され、次いで第２の回折格子によって１次回折放射へと回折される第２の波長の放射が、第２の回折格子から第１の回折格子、次いで第２の回折格子の両方から反射される第１の波長の放射とは異なる方向に誘導されることである。言い換えると、第２の格子によって反射される放射は、第２の格子によって１次回折次数へと回折される放射と同じ方向には伝搬されない（すなわち、ＩＲ又はＤＵＶ放射などの不要な放射が必要なＥＵＶ放射とは異なる方向を有している）。周期性の相違はわずかな相違で十分であるため、各格子の反射及び抑止機能は確実に維持されるが、組み合わせた格子の反射及び抑止は図１２を参照して図示し、記載した問題（すなわち、不要な放射がそこで損傷又は歪みを引き起こすことがある下流の装置に向かって、及び／又はそれを通って伝搬することを避けるための問題）は確実に生じない。上記の問題を解決するには、反射放射と１次回折放射とのわずかな角距離しか必要とせず、これは、周期性のわずかな相違しか必要ないことを意味する。機能的には、角度は、不要な放射が、損傷する可能性があるコンポーネント（例えばリソグラフィ装置のイルミネータ又は投影システム）内に、又はそこに向けられないような角度であれば十分である。

[00116] 上述のように、放射生成プラズマの形成又は開始は必ずしも単一のレーザビームだけを用いて行わなくてもよい。例えば、幾つかの実施形態では、望ましい代替策は、２つのレーザビーム、すなわち、使用時に、燃料ターゲットに誘導されて放射生成プラズマを形成する第１の放射ビームと、修正されたターゲットに誘導されて、修正されたターゲットから放射生成プラズマを生成する第２の放射ビームと、を使用することを含んでもよい。第１及び第２の放射ビームは、同じ又は異なるレーザ（１つ以上）によって生成されてもよい。第１の放射ビーム（一般にプレパルス／ビームと呼ばれる）は、第２の、及び後続の第２のビーム（一般にメインパルス／ビームと呼ばれる）の、又はそのための変換効率を高めるために使用されてもよい。例えば、プレパルスは、ターゲットを加熱し又はその他の方法で膨張させて修正されたターゲットを形成するために使用される比較的低出力のパルスでよく、それによって第２の（通常はより強力な）メインパルスは、修正されたターゲットをより効率的なプラズマへと変換可能であり、より効率的に放射を生成するためにターゲットを使用することが可能になる。ある実施形態では、異なる方向から作用する複数のプレパルスビームを使用して、修正されたターゲットを同時に形成してもよい。別の実施形態では、変換効率をさらに高めるために、異なる方向からの複数のメインパルスビームを使用してもよい。さらに別の実施形態では、プレパルス及び／又はメインパルスビーム（１つ以上）の異なる方向の１つは光軸の方向である。１つ以上のプレパルスビーム、及び１つ以上のメインパルスビームの照射は、以下に記載する任意の形状のターゲットに適用されてもよい。

[00117] したがって、本発明のある実施形態によれば、放射ビームを生成するように構築されて配置されたソースコレクタデバイスが提供される。デバイスは、プラズマ形成材料のターゲット（例えば表面、ストリーム、シート、液滴など）を備えるように構築されて配置されたターゲットユニットを備えている。第１のレーザ構成は、使用時に、ターゲットに誘導されて修正されたターゲットを形成する（このような放射のパルスを含む）第１の放射ビームを生成するように配置されている。第２のレーザ構成は、使用時に、修正されたターゲットに誘導されて、上記プラズマ形成材料から（放射生成）プラズマを形成する（このような放射のパルスを含む）第２の放射ビームを生成するように配置されている。第１及び第２のレーザ構成は、異なるレーザユニットなどでもよく、又は実質的に同じユニットであるが異なる構成のユニットでよい。放射コレクタも備えられ、これはプラズマによって放出された放射を集光し、そこからビームを形成するように配置された１つ以上の斜入射リフレクタを備えている。図１３及び図１４を用いて本発明の実施形態を説明する。

[00118] 図１３は、図４を参照して図示し、記載したものと実質的に同じ実施形態を示している。相違点は、この図では放射ビーム５３２のプレパルスをターゲット４０１に提供し、ターゲット４０１を修正し、励起（すなわち第２の）レーザ５０によってメインプラズマ生成レーザビーム５０ａの（プレパルス放射５３２によって修正された）ターゲット４０１に誘導する前に、（すなわち第１の）レーザ構成５３０が提供されることである。

[00119] 例えば機能性、構造的制約などに関する装置全体の要件に応じて、プレパルス５３２及びメインビーム５０ａの特に斜入射リフレクタ４０３の光軸５３４に対する入射方向をそのつど選択し得る。異なる選択と関連する利点（及び場合によっては潜在的な欠点）の例を次に記載する。

[00120] 一例では、プレパルス放射及び／又はメインパルス放射は、ターゲット／修正されたターゲット４０１に入射する前に、斜入射放射コレクタ４０３のリフレクタ４０３ａ及び／又は汚染物質トラップ４０２（又はより一般的にはデブリ緩和装置）の１つ以上を通過してもよい。その結果、可能性のあるその他の利点の中でも特に配置全体をよりコンパクトにし得る。特定の一実施形態では、（携帯式又は固定式の形態でよい）汚染物質トラップは、プレパルス放射とメインビーム放射の一方又は両方がターゲットに入射する前にそれに沿って、又はそれを通って通過し得る中空軸を有してもよい。これによって一層コンパクトな設計が可能になる。プレパルス放射とメインビーム放射の一方又は両方はまた、通常はコレクタ５３４の軸である放射コレクタの縦軸に沿って通過してもよい。

[00121] プレパルス放射及びメインビーム放射の一方又は両方は、コレクタの光軸に沿って同じ方向（両方のビームが放射コレクタに面する（実質的に平坦な表面の）ターゲットの裏側、又は放射コレクタに対して離れて位置するターゲットの前側を照射する）、又は反対方向（一方のビームが放射コレクタに対して前側から、他方のビームが裏側からコレクタの光軸に沿って入射する）に向けられてもよい。より一般的には、プレパルス放射及びメインビーム放射は、同じ方向又は逆方向のコレクタの光軸に沿ったコンポーネントを有してもよい。この場合も、正確な選択は、放射源全体の正確なセットアップ、利用可能なスペース、必要な放射分布、及びプラズマの生成により生じる汚染物質などによって左右され得る。例えば、ある実施形態（ここでは図示せず）では、図１３及び図１４に示した原理を組み合わせてもよい。例えば、図１４のプレパルスの方向性について上述したと同様に、プレパルス放射は、（図１３に示すように）光軸に沿ってコレクタへと向かう方向成分を有してもよく、一方、メイン放射パルスは、実質的にその反対方向から来てもよい。例えば、メイン放射パルスは、図４のプレパルスの誘導に関して記載されている方法とほとんど同じ方法で、光軸に沿って及び／又はコレクタ及び／又は汚染物質トラップを通って誘導されてもよい。

[00122] 図１３に示すように、レーザビーム放射のメインビームは、斜入射放射コレクタ４０３の光軸５３４に対して実質的に０°より大きく９０°未満の角度で修正されたターゲットへと誘導される。その結果、ターゲットを記載のビームダンプ４０６などへ変換する際に使用されないいずれかの放射の反射を促進する入射角を有する放射のメインビームが生じる。これは、放射のメインビームが光軸５３４に沿って、又は光軸５３４に対して垂直に向けられると達成がより困難になることがある。また、レーザ放射が光軸５３４に沿って、又は光軸５３４に対して垂直に誘導されると、プラズマを生成するために使用されないいずれかの放射がレーザに戻るように誘導される可能性が高まり、それによってレーザの損傷、又は意図しないトリガを引き起こすことがある。もちろん、別の実施形態では、この場合も設計の便宜上、レーザ放射のメインビームが確実に光軸に対して垂直であり、又は光軸に沿って誘導されるようにすることが適切である。

[00123] プラズマが生成される場合、プラズマ形成の際に生じるいずれかの汚染物質粒子の分布、及びプラズマからのいずれかの放射放出は必ずしも等方性ではなく、又は実際には等方性である可能性がある。その代わりに、汚染物質が、メインビームがそこから出射する一般的な方向で優先的に後方散乱する可能性があり、またプラズマによって放出される放射が同様の分布を有する可能性もある。したがって、場合によっては、第１の、及び／又は第２の放射ビームがコレクタ４０３から背を向けるターゲットの側（すなわちターゲットの前側）に誘導され、そのコレクタへと誘導される汚染物質の量を低減することが望ましいことがある。しかしながら、それによって、コレクタ４０３へと誘導され、これによって集光される放射が減少する可能性もある。したがって、別の実施形態では、第１及び／又は第２の放射ビームは、図１３に示すようにコレクタ４０３に面するターゲットの側（すなわちターゲットの裏側）へと誘導されてもよい。その結果、より多くの放射がコレクタ４０３へと誘導され、これによって集光されるが、それと同時に、より多くの汚染物質がコレクタ４０３へと誘導されることもある。このことが、ターゲット（したがってプラズマ形成位置）とコレクタとの間に汚染物質トラップ４０２（又は一般にデブリ緩和装置）を配置する理由の１つである。

[00124] プレパルス放射ビームが使用される場合は、ターゲットへのプレパルスビームの入射角は、場合によっては任意の角度でよい。しかしながら、その後にプラズマによって生成されてコレクタによって集光される放射量を最適にすることを少なくとも試みるため又はその他の理由のため、方向を選択することができる。例えば、ターゲットは、プレパルス放射の入射角に対して一般的に実質的に垂直な方向に膨張することが判明している。平坦化又は拡張と記載され又は解釈されてもよいこの伸長は、ターゲットをプラズマに変換する際に使用されない後で誘導されるメインビームにいずれかの部分を反射するために、例えば図１３に示すように、その部分をビームダンプなどに反射するために有用であることがある。代替的に及び／又は追加的に、ターゲットを修正されたターゲットへと伸長させることは、放射の生成及び集光の最適化にも使用し得る。例えば、修正された伸長したターゲットが放射のメインビームのターゲットとされる場合、後に生成されるプラズマによって放出される放射は一般に、ターゲットの伸長方向に対して実質的に垂直な方向、すなわちプレパルス放射がそこから入射する方向と同じ方向で放出される。図１４はこの原理をどのように利用することができるかを示している。

[00125] 図１４は、図４及び図１３を参照して既に図示し、記載した配置の修正形態である。しかしながら、図１４では、プレパルス放射ビーム５３２は、例えば適切な位置に配置された１つ以上の再誘導要素５３６（例えば、ミラーなど、又は反射能力及び／又は合焦能力を有する何らかの別の要素）によってコレクタ４０３の光軸５３４に沿って誘導される。この配置により、プレパルスはコレクタ４０３の光軸５３４に対して実質的に横向きに伸長する修正された燃料ターゲットが確実に生成され、これはメインビーム５０ａが修正されたターゲット３０１をターゲットとして定めた後に、コレクタ４０３へと向かう生成されたＥＵＶ放射の優先的な分布を生じる。伸長した修正されたターゲット３０１の向き、及びメインビーム５０ａの方向により、プラズマによって生成される放射が優先的にコレクタ４０３の方向に放出され、これによって集光されることが確実になされる。別の有利な実施形態では、メインパルスビーム５０ａをコレクタの光軸の方向に、（プレパルスビーム５３２について図１４に示したような）コレクタ４０３により近接するターゲットの裏側へと向けることによって、変換効率がかなり高まることが判明している。この実施形態では、プレパルスビーム５３２は、ある角度でターゲットの前側又は後側に向けられてもよい。しかしながら、変換効率を高めるためには、プレパルスビームは好ましくは、メインパルスビーム５０ａの反対方向にターゲットの前側を照射するプレパルスビームを光軸上に提供するように誘導される（又は、この場合はターゲットの別の側に位置する図１４のデバイス５３６などの再誘導デバイスによって再誘導される）。

[00126] 上記放射源及びソースコレクタデバイスの配置では、例えばプラズマ生成時に生じる汚染物質粒子のバッファガスとして作用するように、配置の１つ以上の領域にガス環境を備えることが便利であり、一方、配置の別の部分には、例えばプラズマによって生成される放射の吸収を最小限にするため、低圧環境を備えることが望ましい（又は少なくとも便利である）。図１５は、本明細書に記載の任意の実施形態と共に使用可能な本発明の実施形態によるソースコレクタデバイスを示している。ソースコレクタデバイスは、第１のチャンバ５４０と、第２のチャンバ５４２と、を備える。ソースコレクタデバイス内にあるガスは、使用時に、第１のチャンバ５４０と第２のチャンバ５４２の一方から第１のチャンバ５４０と第２のチャンバ５４２の他方へと通過可能である。第１のチャンバ５４０は、放射生成プラズマが形成される位置であり、上述のように、ターゲット３０１（又は４０１）の位置と同じであるプラズマ形成位置を収容する。第２のチャンバ５４２は、使用時に、プラズマ形成位置３０１で生成される放射を集光し、そこからビームを形成するように配置された（これも上述の）放射コレクタ３０３（又は４０３）を収容する。ソースコレクタデバイスは、プラズマ形成位置で生成された汚染物質粒子が格子入射放射コレクタ３０３に伝搬することを低減するように構築され、配置された汚染物質トラップ（例えば固定式及び／又は回転式フォイルトラップ）をさらに備える。汚染物質トラップ３０２（又は４０２）は、プラズマ形成位置３０１と放射コレクタ３０３との間に位置している。

[00127] 別個の２つのチャンバを使用することによって、使用時に、第１のチャンバ５４０を第１のガス圧にし（すなわち、第１のチャンバ５４０内のガスが第１のガス圧になるようにし）、第２のチャンバ５４２を第２の異なるガス圧にする（すなわち、第２のチャンバ５４２内のガスが第２のガス圧になるようにする）ことが可能になる。これは特に有利である。例えば、第１のチャンバ５４０内のガスをバッファガスとして使用し、及び／又は、チャンバ５４０内のコンポーネントの温度又はチャンバ５４０自体の温度を低下させることが望ましいこのチャンバ５４０内でより高いガス圧を用いてもよい。ガスは例えば、（そうしないとデバイスの部品に損傷を生じることがある）プラズマ形成の際に生成されるイオンエネルギー又はその他の汚染物質を低減し、及び／又は、そうしないと第２のチャンバ５４２内をこれらの汚染物質が通過し、その結果、高感度コレクタ３０３が被覆され、損傷及び／又は劣化する可能性を低減することができる。ガスはまた、汚染物質がチャンバ５４２上に、またこれを通って（例えばチャンバ内の開口（図示せず）を通って）、またソースコレクタに接続されたリソグラフィ装置の部品上、また部品内を通過することを防止するか、又は少なくとも抑制し得る。代替的に又は追加的に、第１のチャンバ５４０内の増量したガスを使用して、プラズマに近接しているため、及びプラズマ精製後に高エネルギーの汚染物質がコンポーネントと接触するために高温になることがあるチャンバ５４０内の１つ以上のコンポーネントを冷却してもよい。ガスは、例えば、アルゴン、水素、窒素などでよい。

[00128] 第１のチャンバ５４０は、ガスを第１のチャンバ５４０内に誘導するためのガス入口５４４と、ガスを第１のチャンバから直接除去するためのガス出口５４６と、を有する。このような配置によって、ガスを第１のチャンバから直接（すなわち、必ずしも第２のチャンバ５４２を経由せずに）誘導及び除去することが可能になる。これによって、第１のチャンバ５４０内への、又はこれを通るガスの高い流量が可能になり、及び／又は第１のチャンバ５４０内の高圧のガス環境をより容易に確立することが可能になる。汚染物質粒子の速度を遅くし、又は停止させるのに適する第１のチャンバ５４０を通る通常の流量は、７．５ｓｌｍ程度でよい。しかしながら、追加のガスを使用して、第１のチャンバ５４０、又はその内部に含まれるコンポーネントを冷却してもよく、第１のチャンバ５４０専用の入口５４４及び出口５４６を有する上述の配置はこの追加のガス流を促進し得る。したがって、本発明のある実施形態によるガスの全流量は、１５ｓｌｍ〜２００ｓｌｍ、３０ｓｌｍ〜１８０ｓｌｍ、６０ｓｌｍ〜１５０ｓｌｍ、８０ｓｌｍ〜１２０ｓｌｍ、又は実質的に１００ｓｌｍでよい。ガス流量が高いほど、汚染物質粒子の減速又は停止に適している。第１のチャンバ５４０内のガス圧は２０〜３０Ｐａの範囲でよい。第１のチャンバ５４０内でほとんどの汚染物質粒子の緩衝及び／又は冷却が行われるため、第２のチャンバ５４２内の圧力はそれほど高くする必要がない。例えば、圧力は０．５〜１Ｐａの範囲でよい。また、圧力が低いことで、プラズマによって生成され、コレクタ３０３によって合焦される放射の吸収も低減され得る。

[00129] また、第２のチャンバ５４２もガス出口５４８を有してよい。ガス出口５４８は、第２のチャンバ５４２内を低圧に維持するために使用されるターボポンプを備えてもよく、又はこれに接続されてもよい。これに対して、第１のチャンバ５４０内の圧力は大幅に高く、ターボポンプを使用しなくてもよいため、第１のチャンバ５４０の出口５４６はプレポンプを備えてもよく、又はこれに接続されてもよい。

[00130] この点で、第２のチャンバ５４２の１つ以上の出口に接続される他の追加のターボポンプを使用することによって、第１のチャンバ５４０を通るガス流量を増大させ得るものと考えられる。しかしながら、これは関連するコスト及びスペースが必要であるため実際的ではないことが多い。上記解決策はずっと簡単であり、恐らくコストも低い。

[00131] 図１５に見られるように、第１のチャンバ５４０及び第２のチャンバ５４２は、ハウジング５５２内の区画５５０、又は隣接するハウジングの当接壁（この実施形態では図示せず）によって少なくとも部分的に画定されてもよい。汚染物質トラップ３０２は区画５５０の一部を形成してもよく、又はこれに接続されてもよい。第１のチャンバ５４０から第２のチャンバ５４２へと通過することがある汚染物質の量を制限するため、汚染物質トラップ３０２は、ガスが第１のチャンバ５４０から第２のチャンバ５４２へと通過することができるように構築され、配置されてもよい。実際に、ソースコレクタデバイス全体を、ガスが汚染物質トラップ３０２を経由してしかチャンバ５４０と５４２との間を通過しないように配置してもよい。これはガス流量を制限する役割も果たし、したがって、第１のチャンバ５４０内を比較的高圧に維持することにも役立つ。

[00132] 図１６は、図１５に示した実施形態の修正形態を示している。図１６では、生じるガス流が、第１のチャンバ５４０の最も高温な部分であり、その熱エネルギーを緩衝及び／又は低減するためにガスが使用される汚染物質粒子の原因である可能性が高いプラズマ形成位置３０１へと直接誘導されるように、コレクタ３０３の光軸５３４に沿って第１のチャンバ５４０へのガス入口５６０が設けられている。ガス入口５６０は、好都合に汚染物質トラップ３０２及び／又はコレクタ３０３の中空の軸などを通って延びてもよく、その軸は通常は一般的にプラズマ形成位置３０１と一致する（すなわち、プラズマ形成位置のポイントが軸と交差する）。

[00133] 上記実施形態では、レーザ生成プラズマ放射源／ソースコレクタは既に記載されている。しかしながら、これらの実施形態に関して記載した原理の多くは、放電生成プラズマ放射源に適用し得る。例えば、上述のように特定され、本明細書にこれまで記載した実施形態により解決される問題点の多くは、放電生成プラズマ放射源に関する問題（異なる、又は関連する問題）も解決し得る。例えば、放射生成プラズマを生成するために液滴がレーザによってターゲットとされるレーザ生成プラズマ放射源では、放射生成プラズマを形成するために液滴を確実且つ正確にターゲットとすることが困難なことがある。その内部に、又はその表面上に１つ以上の放射ビームが誘導されるプラズマ形成材料の容器（例えば槽、皿など）を使用することで、液滴の使用に関連する問題を避けてもよい。また、プラズマ形成材料の容器を使用することで、以下に記載するように、既存の放電生成プラズマ放射源で問題を解決してもよい。

[00134] 次に放電生成プラズマ放射源に言及すると、プラズマ形成材料に少なくとも部分的に液浸されたホイールを回転させて、その材料でリムを被覆することは一般的に行われる。放射生成プラズマを生成するために、本体とホイールのリムによって担持される材料との間に放電がなされる。しかしながら、このような放電生成プラズマ放射源では、ホイールのリム上に（例えば一定及び／又は一貫した）特定の厚さの望ましい材料層を維持することは困難である。これに対して、本発明のある実施形態によれば、本体（例えば電極）と容器内のプラズマ形成材料の容積との間に放電することでこれらの問題を解決し得る。次に、図１７を参照してある実施形態を説明する。

[00135] 図１７は、本発明のある実施形態による放電生成プラズマ放射源及びコレクタを概略的に示している。放射源（又は、コレクタが配置の一部である場合はソースコレクタデバイス）の配置は、図３及び／又は図４を参照して既に図示し、記載した配置とほぼ同じである。この特定の例では、図１７は図４を参照して示し、記載した実施形態に基づいているが、図３を参照して示し、記載した実施形態、又はその他の変形形態にも同様に適用することができる。

[00136] 図４に示した実施形態とは異なり、図１７に示した実施形態では、この場合はプラズマ形成材料の容積を含むように配置された容器であるターゲット４０１の近傍に位置する電極６００が備えられている。従来の放電生成プラズマ放射源（ここでは詳細に記載しない）の場合と同様に、電極６００は、放射生成プラズマを生成するために、使用時に、電極６００と容器４０１内に含まれるプラズマ形成材料との間の放電を促進するように配置されている。電極６００は、電極がビームを形成するためにコレクタによって集光され、及び／又は使用される放射の量を低減しないように、放射コレクタ４０３のオブスキュレーション（又はその他のオブスキュレーション）内に位置することもできる。

[00137] プラズマ形成材料の容器４０１の使用は、例えばこのような容器内に少なくとも部分的に液浸される回転ホイール上に備えられた材料層とは異なり有利である。これは、ホイールをベースとする方法の場合のように層の厚さが一定で、且つ一貫するように考慮し、維持する必要がないからである。プラズマ形成材料が容器内にある限り、（回転ホイール上の一定で一貫した層の厚さを保つよりも対処するのがはるかに容易な制約である、電極などからの距離に関する実際的な制約で）放電を用いて放射生成プラズマを生成し得る。

[00138] 電極６００と、容器４０１内に含まれるプラズマ形成材料の容積の（ターゲット）表面との間に直接放電を生じさせることも可能である。しかしながら、実際には、電極６００と、プラズマ形成材料の表面との間により導電性が高い経路が選択的に設けられれば、プラズマはより容易に形成され得る。図１７はこれを行う態様を示している。図４の実施形態に戻ってこれを参照すると、励起レーザ５０（又はより一般的にはレーザユニット５０）は、ターゲット４０１を構成するプラズマ形成材料から放射生成プラズマを直接生成する際に使用するためにターゲット４０１に直接向けられるレーザビーム５０ａを提供するように配置されるものとして記載されている。一般論として、容器４０１内のプラズマ形成材料の容積と電極６００との間に、必要な導電性の、又は導電性がより高い経路を設けるために、図１７の配置と併用してほぼ同じ配置を使用することができる。図１７を参照すると、この時点でレーザビーム５０ａは、実質的に電極６００と、容器４０１内に含まれるプラズマ形成材料のターゲット面との間のプラズマ形成材料（蒸気などでよい）のクラウドを形成するのに（例えば方法、出力などに関して）十分である。このクラウドは、導電性の、又はより高導電性の経路を形成し、したがって放電の生成を促進すると言ってもよい。

[00139] 一例では、電極６００と、容器４０１内に含まれるプラズマ形成材料のターゲット面との間の放電は、プラズマ形成材料のクラウドの形成によってトリガされることが可能であるが、それは、この形成が放電（又は言い換えると絶縁破壊）を引き起こす導電（又は導電性が高い）経路を提供するからである。これは特に、電極６００とプラズマ形成材料の容積との間に一定の電位差がある場合である。しかしながら、別の実施形態では、放電は必ずしもプラズマ形成材料のクラウド形成によってトリガされる必要はない。例えば、このようなクラウド形成が実際に必要な場合にクラウド形成のタイミングと一致させるため、例えば何らかの形態のドライバによって放電が選択的に開始されてもよい。

[00140] しかしながら、放電がどのように生成されても、電圧源は電極及び／又はプラズマ形成材料の容積に接続され、使用時に、電極とプラズマ形成材料の容積との間に電位差を確立して、後続の放電の条件を確立するように配置されることになろう。電圧源は、特にクラウドの形成を使用して放電をトリガする場合には定電圧源でよい。代替的に及び／又は追加的に、電圧源は、何らかの方法でパルス化などがされた電圧源でよく、放電が必要な場合、電圧源は必要な電位差だけを確立する。

[00141] 図１７では、流体容器は非水平に示されている。例えば、放射源全体に何らかの角度を付す必要がある場合に便利であり、又は望ましい。これが必要であるのは、放射源の構造的な制約のため、又は装置（例えばリソグラフィ装置）が放射源と共に使用されるためである。しかしながら、このような向きで、ターゲット面は重力の影響で水平になる。プラズマ形成材料の容積のターゲット面が確実に、放射コレクタ４０３の光軸５３４に対して実質的に垂直になることが望ましく、これは図１７では、ターゲット面が非水平であることに等しい。光軸５３４に対して垂直な向きによって、放射生成プラズマによって生成される放射が実質的に放射コレクタ４０３の光軸５３４の方向で確実に生成され、集光が最適化される。容器４０１内の材料は、例えば羽根車又は上記のその他の配置、又はその他の配置（例えばポンプなど）を使用して、例えば流体の容積がそれに沿って、又はその上に落下、通過、又は駆動され得る１つ以上の表面を容器に備えることによって、光軸５３４に対して実質的に垂直な向きで含まれ得る。もちろん、別の例では、光軸５３４は実質的に垂直で、ターゲット面を水平の向きに維持し易くしてもよい。すなわち、これは容積が重力の影響で容器内に適合する表面の自然な向きである。

[00142] ターゲット面は、プラズマ形成材料の容積の表面のどの部分でもよい。ターゲット面は、例えばレーザビーム５０ａが入射した位置内の、その周囲の、又は少なくともその位置を含む領域であってよい。

[00143] 上記実施形態では、クラウドは蒸気に関して例示された。しかしながら、クラウドは、電極と、プラズマ形成材料の容積との間の放電を促進する任意の形態のプラズマ形成材料として機能的に記載されてもよい。例えば、クラウドは液滴の配列、複数のストリーム、材料の飛沫又はバックスプラッシュでよいであろう。

[00144] 本明細書の（特に例えば槽又は皿などの容器を記載した）別の実施形態で記載した原理、及び関連する実施装置の１つ以上が、本発明のこの態様と共に使用されてもよい。例えば、表面にある材料が確実に循環及び／又は補充されるように、プラズマ形成材料の容積に流れなどを導入してもよい。

[00145] 本文ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることを理解されたい。例えば、これは、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用誘導及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造である。このような代替的用途に照らして、本明細書で「ウェーハ」又は「ダイ」という用語を使用している場合、それぞれ、「基板」又は「ターゲット部分」という、より一般的な用語と同義と見なしてよいことが当業者には理解される。本明細書に述べている基板は、露光前又は露光後に、例えばトラック（通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール）、メトロロジーツール及び／又はインスペクションツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上及びその他の基板処理ツールに適用することができる。さらに基板は、例えば多層ＩＣを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。

[00146] 光リソグラフィの分野での本発明の実施形態の使用に特に言及してきたが、本発明はその他の用途、例えばインプリントリソグラフィでも使用することができ、文脈によっては、光リソグラフィに限定されないことを理解されたい。インプリントリソグラフィでは、パターニングデバイス内のトポグラフィが基板上に作成されたパターンを画定する。パターニングデバイスのトポグラフィは基板に供給されたレジスト層内に刻印され、電磁放射、熱、圧力又はそれらの組合せを印加することでレジストは硬化する。パターニングデバイスはレジストから取り除かれ、レジストが硬化すると、内部にパターンが残される。

[00147] 「レンズ」という用語は、文脈によっては、屈折、反射、磁気、電磁気、及び静電型光学コンポーネントを含む種々のタイプの光学コンポーネントのうちいずれか１つ、又はそれらの組合せを指すことができる。

[00148] 以上、本発明の具体的な実施形態について説明してきたが、本発明は上記以外の方法でも実施することができることを理解されたい。例えば、本発明は、上記開示した方法を記述する機械可読命令の１つ以上のシーケンスを含むコンピュータプログラム、又はそのようなコンピュータプログラムを内部に記憶したデータ記憶媒体（例えば、半導体メモリ、磁気又は光ディスク）の形態をとってもよい。上記説明は例示するものであって限定するものではない。したがって、添付の特許請求の範囲から逸脱することなく、かつ、以下の番号を付与した条項から逸脱することなく、上記の本発明を様々に修正することができることは当業者には明らかであろう。
１． 放射ビームを生成するソースコレクタデバイスであって、前記デバイスが、
プラズマ形成材料のターゲット面を与えるターゲットユニットと、
前記ターゲット面に誘導された放射ビームを生成して、前記プラズマ形成材料からプラズマを形成するレーザユニットと、
前記プラズマによって生成される汚染物質粒子の伝搬を低減する汚染物質トラップと、
前記プラズマによって放出された放射を集光し、前記放射からビームを形成する複数の斜入射リフレクタを備える放射コレクタと、
前記ビームの少なくとも１つの波長範囲を減衰するフィルタと、を備えるソースコレクタデバイス。
２． 前記ターゲット面の最小寸法が１０μｍ以上である、条項１に記載のデバイス。
３． 前記ターゲット面の最小寸法が４０μｍより大きい、条項２に記載のデバイス。
４． 前記ターゲット面の最小寸法が約９０μｍ〜約１００μｍの範囲である、条項３に記載のデバイス。
５． 前記ターゲットユニットが、前記プラズマ形成材料として液体金属を含む槽を備える、条項１〜４のいずれか１項に記載のデバイス。
６． 前記ターゲットユニットが、前記液体金属に部分的に液浸されるホイールを備える、条項５に記載のデバイス。
７． 前記ホイールが複数の歯を有する、条項６に記載のデバイス。
８． 前記ホイールが、前記レーザユニットによって照射されると前記プラズマ形成材料を閉じ込める少なくとも１つの空洞を有する、条項６又は７に記載のデバイス。
９． 前記ターゲットユニットが、前記槽内に含まれる前記液体材料内に流れを生じさせる羽根車をさらに備える、条項５に記載のデバイス。
１０． 前記ターゲットユニットが、前記プラズマ形成材料として液体材料を含む皿と、前記皿を回転させるモータと、を備える、条項１〜４のいずれか１項に記載のデバイス。
１１． 前記ターゲットユニットが前記レーザユニットの共振空洞内に位置する、条項１〜１０のいずれか１項に記載のデバイス。
１２． 前記汚染物質トラップが回転フォイルトラップを備える、条項１〜１１のいずれか１項に記載のデバイス。
１３． 前記汚染物質トラップがガスバリアを備える、条項１〜１２のいずれか１項に記載のデバイス。
１４． 前記フィルタが、回折格子がその上に形成された斜入射リフレクタを備える、条項１〜１３のいずれか１項に記載のデバイス。
１５． 前記フィルタが、前記放射コレクタの前記斜入射リフレクタ上に形成された回折格子を備える、条項１〜１３のいずれか１項に記載のデバイス。
１６． 前記フィルタが、第１の回折格子と、前記第１の回折格子の下流に位置する第２の回折格子と、を備え、各回折格子が、使用時に、第１の波長の放射を実質的に反射し、第２のより長い波長の放射を実質的に回折するように構成され、前記第１の回折格子が前記第２の回折格子とは異なる周期性を有する、条項１〜１３のいずれか１項に記載のデバイス。
１７． 前記周期性の相違は、使用時に、前記第１の回折格子によって１次回折次数へと回折され、次いで前記第２の回折格子によって１次回折次数へと回折される前記第２の波長の放射が、前記第２の回折格子から前記第１の回折格子、次いで前記第２の回折格子の両方から反射される前記第１の波長の放射とは異なる方向に誘導される、条項１６に記載のデバイス。
１８． 前記第１の回折格子及び／又は前記第２の回折格子が、前記斜入射リフレクタ及び前記放射コレクタのうち１つ以上の部品を形成する、条項１６又は１７に記載のデバイス。
１９． 第１のチャンバと第２のチャンバとを備え、使用時に、ガスが前記第１のチャンバ及び前記第２のチャンバの一方から前記第１のチャンバ及び前記第２のチャンバの他方へと通過可能であり、
前記第１のチャンバが、使用時に、ターゲット位置を収容し、
前記第２のチャンバが、前記放射コレクタを収容し、
前記汚染物質トラップが、前記ターゲット位置と前記斜入射放射コレクタとの間に位置し、
前記第１のチャンバが、使用時に、ガスを第１の圧力で含むように配置され、前記第２のチャンバが、使用時に、ガスを第２の圧力で含むように配置される、条項１〜１８のいずれか１項に記載のデバイス。
２０． 前記ターゲットユニットが、前記プラズマ形成材料として液滴を噴射する液体インジェクタの形態の液体供給源を備える、条項１〜４のいずれか１項に記載のデバイス。
２１． リソグラフィ装置であって、
条項１〜２０のいずれか１項に記載のソースコレクタデバイスと、
前記放射ビームの断面にパターンを付与するパターニングデバイスを支持する支持体と、
基板を保持する基板テーブルと、
前記パターニングされたビームを前記基板のターゲット部分に投影する投影システムと、を備えるリソグラフィ装置。
２２． デバイス製造方法であって、
プラズマ形成材料のターゲット面にレーザビームを誘導してプラズマを形成するステップと、
前記プラズマによって放出された汚染物質粒子を捕集するステップと、
前記プラズマによって放出された放射を集光し、前記放射をビームへと形成するステップと、
前記ビームをフィルタリングして、少なくとも１つの波長範囲を減衰させるステップと、
前記放射ビームの断面にパターンをパターニングするステップと、
前記パターニングされた放射ビームを基板のターゲット部分に投影するステップと、を含む方法。
２３． リソグラフィ装置であって、
放射ビームを生成するソースコレクタデバイスを備え、前記ソースコレクタデバイスが、
プラズマ形成材料のターゲット面を与えるターゲットユニットと、
前記ターゲット面に誘導された放射ビームを生成して、前記プラズマ形成材料からプラズマを形成するレーザユニットと、
前記プラズマによって生成される汚染物質粒子の伝搬を低減する汚染物質トラップと、
前記プラズマによって放出された放射を集光し、前記放射からビームを形成する複数の斜入射リフレクタを備える放射コレクタと、
前記ビームの少なくとも１つの波長範囲を減衰させるフィルタと、
前記放射ビームの断面にパターンを付与するパターニングデバイスを支持する支持体と、
基板を保持する基板テーブルと、
前記パターニングされたビームを前記基板のターゲット部分に投影する投影システムと、を備えるリソグラフィ装置。
２４． プラズマによって放出された放射を集光し、前記放射からビームを形成する複数の斜入射リフレクタと、
前記ビームを少なくとも１つの波長範囲で減衰させるフィルタと、を備え、前記フィルタが、前記放射コレクタの光軸に対して平行な向きの溝を有する前記コレクタの前記斜入射リフレクタ上に形成された回折格子を備える、放射コレクタ。
２５． 放射源であって、
プラズマ形成材料として使用するための燃料を含む槽と、
前記燃料内に少なくとも部分的に液浸され、前記燃料内で回転可能であり、使用時に、ホイールのリムが前記燃料内に液浸される、ホイールと、を備え、
前記リムの表面が前記リムの幅にわたって湾曲する、放射源。
２６． 前記リムの表面が、前記ホイールの中心から外方に湾曲する、条項２５に記載の放射源。
２７． 放射ビームを生成するソースコレクタデバイスであって、
第１のチャンバと第２のチャンバとを備え、使用時に、ガスが前記第１のチャンバ及び前記第２のチャンバの一方から前記第１のチャンバ及び前記第２のチャンバの他方へと通過可能であり、
前記第１のチャンバがプラズマ形成位置を収容し、
前記第２のチャンバが、使用時に、プラズマ形成位置で生成される放射を集光し、前記放射からビームを形成する斜入射放射コレクタを収容し、
前記ソースコレクタデバイスが、前記プラズマ形成位置で生成された汚染物質粒子の前記斜入射放射コレクタへの伝搬を低減する汚染物質トラップをさらに備え、前記汚染物質トラップが、前記プラズマ形成位置と前記斜入射放射コレクタとの間に位置し、
前記第１のチャンバが、使用時に、第１の圧力にあるガスを含み、前記第２のチャンバが、使用時に、第２の圧力にあるガスを含む、デバイス。
２８． 前記第１の圧力が前記第２の圧力よりも高い、条項２７に記載のデバイス。
２９． 前記第１のチャンバが、ガスを前記第１のチャンバ内に導入するためのガス入口と、前記第１のチャンバからガスを除去するためのガス出口と、を備える、条項２７又は２８に記載のデバイス。
３０． 前記入口が、ガスを実質的に前記コレクタの光軸に沿って及び／又は前記プラズマ形成位置へと誘導する、条項２９に記載のデバイス。
３１． 前記第２のチャンバが、ガス出口を備える、条項２７〜３０のいずれか１項に記載のデバイス。
３２． 前記汚染物質トラップが、ガスが前記第１のチャンバ及び前記第２のチャンバの一方から前記第１のチャンバ及び前記第２のチャンバの他方へと通過可能である、条項２７〜３１のいずれか１項に記載のデバイス。
３３． 前記デバイスが、前記汚染物質トラップを経て前記第１のチャンバと前記第２のチャンバとの間だけを通過し得るように構成された、条項２７〜３２のいずれか１項に記載のデバイス。
３４． 前記第１のチャンバ及び前記第２のチャンバが、少なくとも一部がハウジング内の区画によって画定され、前記汚染物質トラップが前記区画内に開口を設けた、条項２７〜３３のいずれか１項に記載のデバイス。
３５． 前記第１のチャンバ及び前記第２のチャンバが、少なくとも一部が別個のハウジングによって画定され、前記汚染物質トラップが、放射及び／又はガスがそこを通過する別個のハウジング間の導管を設けた、条項２７〜３３のいずれか１項に記載のデバイス。
３６． 放射ビームを生成するソースコレクタデバイスであって、前記デバイスが、
プラズマ形成材料のターゲットを与えるターゲットユニットと、
使用時に、ターゲットに誘導されて修正されたターゲットを形成する第１の放射ビームを生成する第１のレーザ構成と、
使用時に、前記修正されたターゲットに誘導されて、前記プラズマ形成材料から放射生成プラズマを形成するように第２の放射ビームを生成する第２のレーザ構成と、
１つ以上の斜入射リフレクタを備え、前記プラズマから放出された放射を集光し、前記放射からビームを形成する放射コレクタと、を備えるデバイス。
３７． 前記第１の放射ビーム及び／又は前記第２の放射ビームが、使用時に、実質的に前記放射コレクタの光軸に沿って、前記ターゲット又は修正されたターゲットへと誘導される、条項３６に記載のデバイス。
３８． 前記第１の放射ビーム及び前記第２の放射ビームが、使用時に、実質的に前記放射コレクタの光軸に沿って、且つ実質的に前記光軸に沿って同じ方向に誘導される、条項３７に記載のデバイス。
３９． 前記第１の放射ビーム及び前記第２の放射ビームが、使用時に、実質的に前記放射コレクタの光軸に沿って、且つ実質的に前記光軸に沿って反対方向に誘導される、条項３７に記載のデバイス。
４０． 前記第１の放射ビーム及び前記第２の放射ビームが、使用時に、前記放射コレクタの前記光軸に沿って互いに反対の方向成分を有する、条項３６又は３７に記載のデバイス。
４１． 前記第２の放射ビームが、使用時に、前記放射コレクタの前記光軸に対して実質的に０°より大きく９０°未満の角度で前記修正されたターゲットの方向に誘導される、条項３６又は３７に記載のデバイス。
４２． 前記第１の放射ビーム及び前記第２の放射ビームが、使用時に、前記放射コレクタと逆方向に面する前記ターゲット又は修正されたターゲットの側へと誘導される、条項３６〜４１のいずれか１項に記載のデバイス。
４３． 前記第１の放射ビーム及び／又は前記第２の放射ビームが、使用時に、前記放射コレクタ方向に面する前記ターゲット又は修正されたターゲットの側へと誘導される、条項３６〜４１のいずれか１項に記載のデバイス。
４４． デブリ緩和装置が、前記ターゲットと前記放射コレクタとの間の位置に設置される、条項３６〜４３のいずれか１項に記載のデバイス。
４５． 前記第１の放射ビーム及び／又は前記第２のレーザ放射ビームが、使用時に、前記放射コレクタ及び／又はデブリ緩和装置を通過し、前記ターゲット又は修正されたターゲットへと誘導される、条項３６〜４４のいずれか１項に記載のデバイス。
４６． 前記デブリ緩和装置が、固定式又は回転可能な汚染物質トラップであり、前記第１の放射ビーム及び／又は前記第２の放射ビームが、使用時に、前記汚染物質トラップの中空軸に沿って及び中空軸を通って前記ターゲット又は修正されたターゲットへと誘導される、条項４４又は４５に記載のデバイス。
４７． 前記第１の放射ビームが、前記修正された燃料ターゲットを前記放射コレクタの前記光軸に対して実質的に垂直な方向に伸長させるように構成された、条項３６〜４６のいずれか１項に記載のデバイス。
４８． 前記デバイスが、前記ビームの少なくとも１つの波長範囲を減衰させるフィルタをさらに備える、条項３６〜４７のいずれか１項に記載のデバイス。
４９． 条項２２〜４７のいずれか１項の前記放射コレクタ、前記放射源及び／又は前記ソースコレクタデバイスを備えるリソグラフィ装置。
５０． 放射源であって、
使用時に、その表面がプラズマ形成材料のターゲットを画定するプラズマ形成材料の容積を含む容器と、
前記容器の近傍に位置し、使用時に前記電極と前記ターゲットとの間の放電を促進して放射生成プラズマを生成する電極と、を備える放射源。
５１． 使用時に、実質的に前記ターゲットと前記電極との間にプラズマ形成材料のクラウドを形成するために前記ターゲットに誘導される放射ビームを生成するレーザユニットをさらに備える、条項５０に記載の放射源。
５２． 前記クラウドの形成が、前記放電の生成を促進する、条項５０又は５１に記載の放射源。
５３． 前記電極及び／又は前記プラズマ形成材料の容積に接続され、使用時に、前記電極と前記プラズマ形成材料の容積との間の電位差を確立する電圧源をさらに備える、条項５０〜５２のいずれか１項に記載の放射源。
５４． 放射ビームを生成するソースコレクタデバイスであって、
条項１〜５３のいずれか１項に記載の放射源と、
前記プラズマによって放出された放射を集光し、前記放射からビームを形成する放射コレクタと、を備えるデバイス。
５５． 前記プラズマによって生成される汚染物質粒子の伝搬を低減する汚染物質トラップと、
前記ビームの少なくとも１つの波長範囲を減衰するフィルタのうち１つ以上をさらに備える、条項５４に記載のデバイス。
５６． 条項５０〜５５のいずれか１項に記載の放射源又はソースコレクタデバイスを備えるリソグラフィ装置。
５７． 前記リソグラフィ装置が、
前記放射ビームの断面にパターンを付与するパターニングデバイスを支持する支持体と、
基板を保持する基板テーブルと、
前記パターニングされたビームを前記基板のターゲット部分に投影する投影システムのうち１つ以上を備える、条項５６に記載のリソグラフィ装置。
５８． 放射を生成する方法であって、
電極と、容器内に含まれるプラズマ形成材料の容積との間に、プラズマ形成材料から放射生成プラズマを生成するのに十分な放電を提供するステップをさらに含む方法。
５９． 前記方法が、放射ビームをプラズマ形成材料に誘導して、実質的に前記電極と前記プラズマ形成材料の容積との間にプラズマ形成材料のクラウドを形成するステップを含む、条項５８に記載の方法。
６０． 前記クラウドの形成が前記放電をトリガする、条項５９に記載の方法。
６１． 前記放電が、少なくとも部分的に、前記電極と、前記放電が生じるのに十分な前記プラズマ形成材料の容積との間に電位差を与えることによって提供される、条項５８〜６０のいずれか１項に記載の方法。

Claims (6)

1. 放射ビームを生成するソースコレクタデバイスであって、前記デバイスが、
   プラズマ形成材料のターゲット面を与えるターゲットユニットと、
   前記ターゲット面に誘導された放射ビームを生成して、前記プラズマ形成材料からプラズマを形成するレーザユニットと、
   前記プラズマによって生成される汚染物質粒子の伝搬を低減する汚染物質トラップと、
   前記プラズマによって放出された放射を集光し、前記放射からビームを形成する複数の斜入射リフレクタを備える放射コレクタと、
   前記ビームの少なくとも１つの波長範囲を減衰させるフィルタと、を備え、
   前記フィルタが、第１の回折格子と、前記第１の回折格子の下流に位置する第２の回折格子と、を備え、各回折格子が、使用時に、第１の波長の放射を実質的に反射し、第２のより長い波長の放射を実質的に回折するように構成され、前記第１の回折格子が前記第２の回折格子とは異なる周期性を有する、ソースコレクタデバイス。
2. 前記周期性の相違は、使用時に、前記第１の回折格子によって１次回折次数へと回折され、次いで前記第２の回折格子によって１次回折次数へと回折される前記第２の波長の放射が、前記第２の回折格子から前記第１の回折格子、次いで前記第２の回折格子の両方から反射される前記第１の波長の放射とは異なる方向に誘導される、請求項１に記載のデバイス。
3. 前記第１の回折格子及び／又は前記第２の回折格子が、前記斜入射リフレクタ及び前記放射コレクタのうち１つ以上の部品を形成する、請求項１又は２に記載のデバイス。
4. リソグラフィ装置であって、
   請求項１〜３のいずれか１項に記載のソースコレクタデバイスと、
   前記放射ビームの断面にパターンを付与するパターニングデバイスを支持する支持体と、
   基板を保持する基板テーブルと、
   パターニングされた前記ビームを前記基板のターゲット部分に投影する投影システムと、を備えるリソグラフィ装置。
5. プラズマによって放出された放射を集光し、前記放射からビームを形成する複数の斜入射リフレクタと、
   前記ビームを少なくとも１つの波長範囲で減衰させるフィルタであって、前記放射コレクタの光軸に対して平行な向きの溝を有する前記コレクタの前記斜入射リフレクタ上に形成された回折格子を備えるフィルタと、を備える放射コレクタ。
6. 放射ビームを生成するソースコレクタデバイスであって、
   第１のチャンバと第２のチャンバとを備え、使用時に、ガスが前記第１のチャンバ及び前記第２のチャンバの一方から前記第１のチャンバ及び前記第２のチャンバの他方へと通過可能であり、
   前記第１のチャンバがプラズマ形成位置を収容し、
   前記第２のチャンバが、使用時に、プラズマ形成位置で生成される放射を集光し、前記放射からビームを形成する斜入射放射コレクタを収容し、
   前記ソースコレクタデバイスが、前記プラズマ形成位置で生成された汚染物質粒子の前記斜入射放射コレクタへの伝搬を低減する汚染物質トラップをさらに備え、前記汚染物質トラップが、前記プラズマ形成位置と前記斜入射放射コレクタとの間に位置し、
   前記第１のチャンバが、使用時に、第１の圧力にあるガスを含み、前記第２のチャンバが、使用時に、第２の圧力にあるガスを含み、前記第１の圧力が前記第２の圧力よりも高い、デバイス。
   

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