JP6118577B2 - 基板処理装置 - Google Patents
基板処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6118577B2 JP6118577B2 JP2013026282A JP2013026282A JP6118577B2 JP 6118577 B2 JP6118577 B2 JP 6118577B2 JP 2013026282 A JP2013026282 A JP 2013026282A JP 2013026282 A JP2013026282 A JP 2013026282A JP 6118577 B2 JP6118577 B2 JP 6118577B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- filter
- processing apparatus
- substrate processing
- bubble
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 106
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 66
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 52
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims description 37
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 3
- 238000005086 pumping Methods 0.000 claims description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 7
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000012510 hollow fiber Substances 0.000 description 5
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SWXQKHHHCFXQJF-UHFFFAOYSA-N azane;hydrogen peroxide Chemical compound [NH4+].[O-]O SWXQKHHHCFXQJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- -1 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000010902 straw Substances 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
- B08B3/10—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
- B08B3/14—Removing waste, e.g. labels, from cleaning liquid
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D19/00—Degasification of liquids
- B01D19/0031—Degasification of liquids by filtration
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D35/00—Filtering devices having features not specifically covered by groups B01D24/00 - B01D33/00, or for applications not specifically covered by groups B01D24/00 - B01D33/00; Auxiliary devices for filtration; Filter housing constructions
- B01D35/02—Filters adapted for location in special places, e.g. pipe-lines, pumps, stop-cocks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67023—Apparatus for fluid treatment for general liquid treatment, e.g. etching followed by cleaning
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
- H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Weting (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
また、第3の態様は、第1または第2態様に係る基板処理装置において、前記第1フィルターのポア径が、10nm〜50nmである。
また、第4の態様は、第1から第3までのいずれか1態様に係る基板処理装置において、前記第1フィルター及び前記気泡補足部各々の圧力損失が20kPa以下である。
また、第5の態様は、第1から第4までのいずれか1態様に係る基板処理装置において、前記気体捕捉部は、気泡を外部に放出する脱気機構を有する。
また、第6の態様は、第1から第5までのいずれか1態様に係る基板処理装置において、前記供給配管の流路を開閉することによって、前記処理液供給部から前記吐出部への前記処理液の供給を制御する供給バルブ、をさらに備え、前記供給バルブは、前記供給配管における、前記気体捕捉部よりも前記処理液供給部に近い側に設けられている。
また、第7の態様は、第6の態様に係る基板処理装置において、前記供給配管における、前記気泡捕捉部から前記吐出部までの間には、前記供給配管の前記流路を開閉するバルブが設けられていない。
また、第8の態様は、第6または第7の態様に係る基板処理装置において、前記第1フィルターは、前記供給配管における、前記供給バルブと前記気泡捕捉部との間に介挿されている。
また、第9の態様は、第1の態様に係る基板処理装置において、前記第2フィルターのポア径が、前記第1フィルターのポア径の5倍以上である。
また、第10の態様は、第9態様の基板処理装置において、前記第2フィルターのポア径が、50nm〜200nmである。
図1は、第1実施形態に係る基板処理装置10および処理液供給部20の概略を示す全体図である。基板処理装置10は、処理液供給部20から供給を受けた処理液を、回転ステージ13にて保持した基板9に供給することによって、基板9に処理を施す。回転ステージ13は、不図示のモータを内蔵している。基板処理装置10は、回転ステージ13によって基板9を回転させながら、ノズル11(吐出部)から処理液を基板9の中央付近に供給することで、処理液を基板9の全体に拡げる。これにより、処理液による基板9の処理が施される。基板処理装置10は、例えば、エッチング処理や洗浄処理などを基板9に施す装置として構成される。なお、基板処理装置10において、ノズル11および回転ステージ13は、チャンバー15の内部にて、基板処理を行うように構成されている。
上記実施形態では、第1フィルターF1が、基板処理装置10の外部に設けられているが、第1フィルターF1を設ける位置は、これに限定されるものではない。
上記実施形態では、気泡捕捉部F2は、図2に示されるように、第2フィルター51および脱気機構60とで構成されている。しかしながら、気泡捕捉部F2の構成はこのようなものに限定されない。
以上、実施形態について説明してきたが、本発明は上記のようなものに限定されるものではなく、様々な変形が可能である。
Ba1,101 気泡
103 パーティクル
9,109 基板
11 ノズル
13 回転ステージ
15 チャンバー
20 処理液供給部
21 タンク
30,30a,30b 供給配管
31 ポンプ
40 循環配管
51 第2フィルター
53 膜
55 孔
60 脱気機構
F1 第1フィルター
F2,F2a 気泡捕捉部
SA,SB,SC 区間
Claims (10)
- 処理液を吐出して基板を処理する基板処理装置であって、
前記基板に向けて処理液を吐出する吐出部と、
一方端が、パーティクルを除去する第1フィルターを介して、前記処理液を供給する処理液供給部に接続されており、他方端が前記吐出部に接続されている供給配管と、
前記供給配管における、前記第1フィルターと前記吐出部との間の位置に介挿されており、前記第1フィルターを通過することによって前記処理液中に発生した気泡を捕捉する気泡捕捉部と、
を備え、
前記気泡捕捉部による圧力損失が、前記第1フィルターによる圧力損失と略同じか、それよりも小さく、
前記気泡捕捉部が、第2フィルターを有しており、
前記第2フィルターのポア径が、前記第1フィルターのポア径の2倍よりも大きい、基板処理装置。 - 請求項1に記載の基板処理装置において、
前記供給配管における、前記気泡捕捉部から前記吐出部までの距離が、前記供給配管における、前記処理液を圧送する圧力源から前記気泡捕捉部までの距離よりも短い、基板処理装置。 - 請求項1または請求項2に記載の基板処理装置において、
前記第1フィルターのポア径が、10nm〜50nmである、基板処理装置。 - 請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の基板処理装置において、
前記第1フィルター及び前記気泡補足部各々の圧力損失が20kPa以下である、基板処理装置。 - 請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の基板処理装置において、
前記気体捕捉部は、気泡を外部に放出する脱気機構を有する、基板処理装置。 - 請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の基板処理装置において、
前記供給配管の流路を開閉することによって、前記処理液供給部から前記吐出部への前記処理液の供給を制御する供給バルブ、
をさらに備え、
前記供給バルブは、前記供給配管における、前記気体捕捉部よりも前記処理液供給部に近い側に設けられている、基板処理装置。 - 請求項6に記載の基板処理装置において、
前記供給配管における、前記気泡捕捉部から前記吐出部までの間には、前記供給配管の前記流路を開閉するバルブが設けられていない、基板処理装置。 - 請求項6または請求項7に記載の基板処理装置において、
前記第1フィルターは、前記供給配管における、前記供給バルブと前記気泡捕捉部との間に介挿されている、基板処理装置。 - 請求項1に記載の基板処理装置において、
前記第2フィルターのポア径が、前記第1フィルターのポア径の5倍以上である、基板処理装置。 - 請求項9に記載の基板処理装置において、
前記第2フィルターのポア径が、50nm〜200nmである、基板処理装置。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013026282A JP6118577B2 (ja) | 2013-02-14 | 2013-02-14 | 基板処理装置 |
KR1020157021533A KR101854963B1 (ko) | 2013-02-14 | 2013-11-01 | 기판 처리 장치 |
US14/767,014 US10335837B2 (en) | 2013-02-14 | 2013-11-01 | Substrate processing apparatus |
PCT/JP2013/079715 WO2014125681A1 (ja) | 2013-02-14 | 2013-11-01 | 基板処理装置 |
CN201380072994.1A CN105074880B (zh) | 2013-02-14 | 2013-11-01 | 基板处理装置 |
TW102146259A TWI535496B (zh) | 2013-02-14 | 2013-12-13 | 基板處理裝置及基板處理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013026282A JP6118577B2 (ja) | 2013-02-14 | 2013-02-14 | 基板処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014154860A JP2014154860A (ja) | 2014-08-25 |
JP6118577B2 true JP6118577B2 (ja) | 2017-04-19 |
Family
ID=51353700
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013026282A Active JP6118577B2 (ja) | 2013-02-14 | 2013-02-14 | 基板処理装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10335837B2 (ja) |
JP (1) | JP6118577B2 (ja) |
KR (1) | KR101854963B1 (ja) |
CN (1) | CN105074880B (ja) |
TW (1) | TWI535496B (ja) |
WO (1) | WO2014125681A1 (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6420604B2 (ja) | 2014-09-22 | 2018-11-07 | 株式会社Screenホールディングス | 塗布装置 |
JP6866148B2 (ja) * | 2016-12-20 | 2021-04-28 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP6959743B2 (ja) | 2017-02-22 | 2021-11-05 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
JP6863788B2 (ja) * | 2017-03-21 | 2021-04-21 | 株式会社Screenホールディングス | フィルタ連結装置およびこれを備えた基板処理装置 |
JP6900274B2 (ja) * | 2017-08-16 | 2021-07-07 | 株式会社Screenホールディングス | 薬液供給装置、基板処理装置、薬液供給方法、および基板処理方法 |
JP6979852B2 (ja) | 2017-10-26 | 2021-12-15 | 株式会社Screenホールディングス | 処理液供給装置、基板処理装置、および処理液供給方法 |
CN109326505B (zh) * | 2018-08-27 | 2021-12-03 | 上海中欣晶圆半导体科技有限公司 | 一种提高硅片最终清洗金属程度的方法及装置 |
KR102221258B1 (ko) | 2018-09-27 | 2021-03-02 | 세메스 주식회사 | 약액 토출 장치 |
JP2022149413A (ja) * | 2021-03-25 | 2022-10-06 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2023141806A (ja) * | 2022-03-24 | 2023-10-05 | 株式会社Screenホールディングス | 循環装置、循環装置の制御方法 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2803859B2 (ja) * | 1989-09-29 | 1998-09-24 | 株式会社日立製作所 | 流動体供給装置およびその制御方法 |
KR0130390Y1 (ko) * | 1995-05-09 | 1999-02-18 | 문정환 | 점액 배출 장치 |
JPH08323106A (ja) | 1995-06-02 | 1996-12-10 | Hitachi Ltd | 薬液供給装置及び薬液供給方法 |
JP3595441B2 (ja) | 1997-12-29 | 2004-12-02 | 三菱電機株式会社 | 塩酸過水を用いた洗浄方法 |
JP2001155985A (ja) | 1999-11-25 | 2001-06-08 | Nec Kyushu Ltd | フィルタ装置及びレジスト塗布装置 |
US6616760B2 (en) * | 1999-12-17 | 2003-09-09 | Tokyo Electron Limited | Film forming unit |
JP2002035704A (ja) * | 2000-07-25 | 2002-02-05 | Toshiba Corp | 基板洗浄方法および基板洗浄装置 |
JP3890229B2 (ja) | 2001-12-27 | 2007-03-07 | 株式会社コガネイ | 薬液供給装置および薬液供給装置の脱気方法 |
JP3947398B2 (ja) * | 2001-12-28 | 2007-07-18 | 株式会社コガネイ | 薬液供給装置および薬液供給方法 |
JP2004330056A (ja) * | 2003-05-07 | 2004-11-25 | Ebara Corp | 電子素子基板表面処理液用フィルターカートリッジ |
JP4047259B2 (ja) * | 2003-09-29 | 2008-02-13 | キヤノン株式会社 | インク供給システム |
JP4393910B2 (ja) * | 2004-04-08 | 2010-01-06 | 東京応化工業株式会社 | ホトレジスト組成物の製造方法、ろ過装置、塗布装置及びホトレジスト組成物 |
JP4919665B2 (ja) | 2006-01-25 | 2012-04-18 | オリジン電気株式会社 | 液状物質供給装置 |
JP4646234B2 (ja) * | 2006-03-22 | 2011-03-09 | パナソニック株式会社 | 薬液供給装置および半導体装置の製造方法 |
JP2008066351A (ja) | 2006-09-05 | 2008-03-21 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP4995655B2 (ja) | 2007-07-12 | 2012-08-08 | 信越化学工業株式会社 | 洗浄方法 |
US8956463B2 (en) * | 2008-10-08 | 2015-02-17 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method for cleaning photomask-related substrate, cleaning method, and cleaning fluid supplying apparatus |
JP2010117403A (ja) * | 2008-11-11 | 2010-05-27 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | フォトマスク関連基板の洗浄方法 |
JP2011088109A (ja) | 2009-10-26 | 2011-05-06 | Dainippon Printing Co Ltd | 脱気容器、および塗布装置 |
-
2013
- 2013-02-14 JP JP2013026282A patent/JP6118577B2/ja active Active
- 2013-11-01 KR KR1020157021533A patent/KR101854963B1/ko active IP Right Grant
- 2013-11-01 CN CN201380072994.1A patent/CN105074880B/zh active Active
- 2013-11-01 WO PCT/JP2013/079715 patent/WO2014125681A1/ja active Application Filing
- 2013-11-01 US US14/767,014 patent/US10335837B2/en active Active
- 2013-12-13 TW TW102146259A patent/TWI535496B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2014154860A (ja) | 2014-08-25 |
US20150375273A1 (en) | 2015-12-31 |
TW201434544A (zh) | 2014-09-16 |
KR101854963B1 (ko) | 2018-05-04 |
CN105074880A (zh) | 2015-11-18 |
US10335837B2 (en) | 2019-07-02 |
TWI535496B (zh) | 2016-06-01 |
WO2014125681A1 (ja) | 2014-08-21 |
KR20150116845A (ko) | 2015-10-16 |
CN105074880B (zh) | 2018-06-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6118577B2 (ja) | 基板処理装置 | |
TWI630032B (zh) | 液體處理方法、液體處理裝置及記憶媒體 | |
KR20130007418A (ko) | 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체 | |
KR102104165B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
JP6347708B2 (ja) | 塗布装置および洗浄方法 | |
JP6376457B2 (ja) | 処理液供給装置およびフィルタ劣化検出方法 | |
JP2016150310A (ja) | 脱気装置、塗布装置、および脱気方法 | |
US7373941B2 (en) | Wet cleaning cavitation system and method to remove particulate wafer contamination | |
US9370805B2 (en) | Method of megasonic cleaning of an object | |
WO2020174874A1 (ja) | 基板処理装置、半導体製造装置、および基板処理方法 | |
KR101322771B1 (ko) | 인쇄회로기판 에칭장치 | |
WO2022215497A1 (ja) | 処理液流通方法、及び、処理液供給装置 | |
TWI592988B (zh) | 半導體乾燥設備和用於該設備之半導體乾燥用處理液體的循環與過濾方法 | |
KR101211963B1 (ko) | 포토레지스트 기포 제거 장치 | |
CN203746801U (zh) | 处理平坦基板的装置 | |
JP5561811B1 (ja) | エッチング方法及びlsiデバイスの製造方法、並びに3d集積化lsiデバイス製造方法 | |
CN102784496A (zh) | 清洗槽药液的脱气装置 | |
JP2011129741A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
KR100778871B1 (ko) | 건식 에칭 장비의 펌핑 라인 장치 | |
JP3505554B2 (ja) | 冷却配管設備 | |
KR101003969B1 (ko) | 와이어 컷 방전 가공기의 제트수류 회수 장치 | |
JP6535493B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP7437499B2 (ja) | 基板の洗浄方法及び洗浄装置 | |
CN208288566U (zh) | 一种喷淋系统清洗装置 | |
KR20090020172A (ko) | 연료전지 차량용 가압 순환식 냉각수 주입 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20151215 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160920 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20161121 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20161220 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170206 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170228 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170327 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6118577 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |