JP6979852B2 - 処理液供給装置、基板処理装置、および処理液供給方法 - Google Patents
処理液供給装置、基板処理装置、および処理液供給方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6979852B2 JP6979852B2 JP2017207343A JP2017207343A JP6979852B2 JP 6979852 B2 JP6979852 B2 JP 6979852B2 JP 2017207343 A JP2017207343 A JP 2017207343A JP 2017207343 A JP2017207343 A JP 2017207343A JP 6979852 B2 JP6979852 B2 JP 6979852B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- treatment liquid
- pipe
- supply pipe
- supply
- unit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000007788 liquid Substances 0.000 title claims description 371
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 54
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 15
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims description 125
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 109
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 76
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 57
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 53
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 21
- 239000012809 cooling fluid Substances 0.000 claims description 19
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 27
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 24
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 22
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 22
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 12
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 11
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 9
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 9
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 description 8
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 8
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 8
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 7
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 6
- 239000002585 base Substances 0.000 description 5
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 5
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 3
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 3
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N ammonia Natural products N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SWXQKHHHCFXQJF-UHFFFAOYSA-N azane;hydrogen peroxide Chemical compound [NH4+].[O-]O SWXQKHHHCFXQJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- DKAGJZJALZXOOV-UHFFFAOYSA-N hydrate;hydrochloride Chemical compound O.Cl DKAGJZJALZXOOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- CABDFQZZWFMZOD-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide;hydrochloride Chemical compound Cl.OO CABDFQZZWFMZOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-M hydrogensulfate Chemical compound OS([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 1
- 239000003014 ion exchange membrane Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- -1 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000012487 rinsing solution Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- OKIZCWYLBDKLSU-UHFFFAOYSA-N tetramethylazanium;hydrochloride Chemical compound Cl.C[N+](C)(C)C OKIZCWYLBDKLSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KFUSEUYYWQURPO-OWOJBTEDSA-N trans-1,2-dichloroethene Chemical group Cl\C=C\Cl KFUSEUYYWQURPO-OWOJBTEDSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
- B08B3/10—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
- B08B3/14—Removing waste, e.g. labels, from cleaning liquid; Regenerating cleaning liquids
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
- C25D17/02—Tanks; Installations therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
- H01L21/02052—Wet cleaning only
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
- H01L21/67178—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers vertical arrangement
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67248—Temperature monitoring
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
処理対象になる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、有機EL(Electroluminescence)表示装置等のFPD(Flat Panel Display)用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板などの基板が含まれる。
そこで、下記特許文献1に記載の処理液供給システムでは、薬液タンクから処理ユニットに向けて送られた薬液(処理液)が通過する薬液流路に、ヒータおよびフィルタが設けられている。
特許文献1に記載の処理液供給システムでは、薬液流路を通過する薬液の一部は、循環流路を介してタンクに戻される。そのため、ヒータによって加熱された薬液がフィルタを通過する。この加熱された薬液によってフィルタが加熱される。これにより、フィルタが膨張し、フィルタに設けられた孔のポア径が拡大される。したがって、フィルタによって捕捉されずにフィルタを通過するパーティクルの数が増大するおそれがある。そのため、基板の表面で観測されるパーティクルの数が増大するおそれがある。
また、供給配管を通る処理液は、戻り配管を介して処理液タンクに戻される。つまり、処理液タンク内の処理液は、供給配管および戻り配管を通して循環する。その際、処理液は、供給配管の上流側被加熱部分を通る際に第1加熱ユニットによって加熱され、戻り配管の被冷却部分を通る際に冷却ユニットによって冷却される。そのため、処理液は、供給配管および戻り配管を通して循環する際、充分に冷却された状態で第1フィルタを通る。したがって、処理液が供給配管および戻り配管を通して循環することによって、処理液中のパーティクルを充分に除去することができる。
以上により、パーティクルが充分に除去され、かつ、充分に加熱された処理液を処理ユニットに供給することができる。
開閉バルブが閉じられた状態(閉状態)では、処理液タンク内の処理液は、処理ユニットには供給されずに、供給配管および戻り配管を介して循環する。そのため、処理液を処理ユニットに供給する前に、第1フィルタによって処理液からパーティクルを一層除去することができる。
開閉バルブが閉じられた状態(閉状態)では、処理液タンク内の処理液は、処理ユニットには供給されずに、供給配管および戻り配管を介して循環する。そのため、処理液を処理ユニットに供給する前に、第1フィルタによって処理液からパーティクルを一層除去することができる。
この発明の一実施形態では、前記処理液供給装置が、前記上流側被加熱部分よりも下流側で、かつ、前記分岐位置よりも上流側で前記供給配管に介装され、処理液中のパーティクルを除去する第3フィルタをさらに含む。加熱された処理液が供給配管を通ることによって供給配管を構成する成分が処理液に溶出し、これによってパーティクルが発生することがある。このような場合であっても、第3フィルタによって当該パーティクルを除去することができる。
そのため、第1加熱ユニットによって加熱された処理液が戻り配管を通過する際に処理液中にパーティクルが発生した場合であっても、第4フィルタによって当該パーティクルを除去することができる。また、第4フィルタは、供給配管よりも下流側の戻り配管に介装されているため、供給配管に介装されたフィルタと比較して、処理液タンクの汚染を効果的に抑制することができる。
この構成によれば、供給配管の上流側被加熱部分の外周面と第1筒状配管の内周面との間に加熱流体が供給される。そのため、加熱流体によって、上流側被加熱部分が取り囲まれる。したがって、上流側被加熱部分を流れる処理液を満遍なく加熱することができる。
この構成によれば、供給配管の下流側被加熱部分の外周面と第2筒状配管の内周面との間に加熱流体が供給される。そのため、加熱流体によって、下流側被加熱部分が取り囲まれる。したがって、下流側被加熱部分を流れる処理液を満遍なく加熱することができる。
この発明の一実施形態では、前記冷却ユニットが、前記戻り配管の前記被冷却部分の外周面に対向する内周面を有する第3筒状配管と、前記被冷却部分の外周面と前記第3筒状配管の内周面との間に冷却流体を供給する冷却流体供給ユニットとを含む。
この発明の一実施形態では、前記処理液供給装置が、前記分岐位置よりも上流側において前記供給配管に分岐接続され、前記処理ユニットとは別の処理ユニットに処理液を供給する分岐供給配管と、前記分岐供給配管に設定された被加熱部分を加熱する分岐加熱ユニットとをさらに含む。
この発明の一実施形態では、前記処理液供給装置と、前記処理ユニットとを含む、基板処理装置を提供する。この構成によれば、前述と同様の効果を奏することができる。
また、処理液は、供給配管および戻り配管を介して循環する際、供給配管の上流側被加熱部分を通る際に第1加熱ユニットによって加熱され、戻り配管の被冷却部分を通る際に冷却ユニットによって冷却される。そのため、処理液は、充分に冷却された状態でフィルタを通る。したがって、処理液が供給配管および戻り配管を通して循環することによって、処理液中のパーティクルを充分除去することができる。
以上により、パーティクルが充分に除去され、かつ、充分に加熱された処理液を処理ユニットに供給することができる。
図1は、この発明の第1実施形態に係る基板処理装置1に備えられた処理液供給装置3の構成を示す模式図である。基板処理装置1は、シリコンウエハ等の基板Wを一枚ずつ処理する枚葉式の装置である。この実施形態では、基板Wは、円板状の基板である。
基板処理装置1は、処理液で基板Wを処理する処理タワー2と、処理タワー2に処理液を供給する処理液供給装置3と、処理タワー2に処理液を供給するための配管を収容する流体ユニット4と、基板処理装置1を制御する制御ユニット5(後述する図3参照)とを含む。
有機溶剤とは、たとえば、IPA(イソプロピルアルコール)である。有機溶剤は、IPAに限られない。具体的には、有機溶剤は、IPA、HFE(ハイドロフルオロエーテル)、メタノール、エタノール、アセトンおよびTrans-1,2-ジクロロエチレンのうちの少なくとも1つを含む液であってもよい。また、有機溶剤は、単体成分のみからなる必要はなく、他の成分と混合した液体であってもよい。たとえば、IPA液と純水との混合液であってもよいし、IPA液とHFE液との混合液であってもよい。
供給配管21の上流端は、処理液タンク20に接続されている。供給配管21の下流端は、処理ユニット6Aの処理液ノズル12に接続されている。
処理液タンク20は、流体ユニット4に隣接するキャビネット7に収容されている。処理液タンク20には、供給配管21および戻り配管22の他に、処理液供給源100から処理液タンク20に処理液を供給するための配管101が接続されている。配管101には、処理液中の金属イオンを除去するメタル除去フィルタ102が介装されている。メタル除去フィルタ102は、たとえば、PTFE(ポリテトラフルオロエチレン)親水膜とイオン交換膜とをろ過膜として含む。PTFE親水膜は、PTFE製の基材の表面を親水化した膜である。
分岐供給配管23〜25は、処理ユニット6Aとは別の処理ユニット6B〜6Dに処理液を供給する。具体的には、第1分岐供給配管23は、供給配管21内の処理液を処理ユニット6Bに供給する。第1分岐供給配管23の上流端は、戻り配管分岐位置Bよりも上流側の第1供給配管分岐位置C1において供給配管21に接続されている。第1分岐供給配管23の下流端は、処理ユニット6Bの処理液ノズル12に接続されている。
第3分岐供給配管25は、供給配管21内の処理液を処理ユニット6Dに供給する。第3分岐供給配管25の上流端は、第2供給配管分岐位置C2よりも上流側の第3供給配管分岐位置C3において供給配管21に接続されている。第3分岐供給配管25の下流端は、処理ユニット6Dの処理液ノズル12に接続されている。
ポンプ30は、第3供給配管分岐位置C3よりも上流側(戻り配管分岐位置Bよりも上流側)で供給配管21の第1配管21Aに介装されている。ポンプ30は、処理液タンク20内の処理液を供給配管21に送り出す。
下流側ヒータ32は、供給配管21の一部に設定された下流側被加熱部分21b内の処理液を加熱する。下流側被加熱部分21bは、供給配管21において戻り配管分岐位置Bよりも下流側に位置する。下流側ヒータ32は、戻り配管分岐位置Bよりも下流側で供給配管21に配置されている。下流側ヒータ32は、第2加熱ユニットの一例である。
第1分岐供給配管23は、下流端が分岐配管開閉バルブ37に接続された上流側配管23Aと、上流端が分岐配管開閉バルブ37に接続された下流側配管23Bとを含む。第2分岐供給配管24は、下流端が分岐配管開閉バルブ37に接続された上流側配管24Aと、上流端が分岐配管開閉バルブ37に接続された下流側配管24Bとを含む。第3分岐供給配管25は、下流端が分岐配管開閉バルブ37に接続された上流側配管25Aと、上流端が分岐配管開閉バルブ37に接続された下流側配管25Bとを含む。
次に、開閉バルブ35の構成について詳細に説明する。図2A〜2Cは、開閉バルブ35の構成例を説明するための図解的な断面図である。
開閉バルブ35が開かれている状態のことを開状態という。開閉バルブ35が閉じられている状態のことを閉状態という。図2Aには、開状態の開閉バルブ35が図示されている。図2Bには、開状態と閉状態との間の中間状態の開閉バルブ35が図示されている。図2Cには、閉状態の開閉バルブ35が図示されている。
流路42は、流路42の一端に設けられた流入口42aと、流路42の他端に設けられた流出口42bとを含む。第2配管21Bの上流側配管21Cの下流端は、流入口42aに接続されている。第2配管21Bの下流側配管21Dの上流端は、流出口42bに接続されている。
流路42の中間部は、たとえば、S字状に屈曲している。ハウジング40において流路42の中間部を区画する部分には、弁座45が設けられている。弁座45は、中心軸線A2周りの円環状に形成されている。弁座45は、中心軸線A2周りの円錐台状の座面45aを有する。
流路42と収容空間44とは、互いに連通しているが、ダイヤフラム43によって仕切られている。ダイヤフラム43によって、流路42から収容空間44に処理液が漏れることが防止されている。
駆動部41は、ダイヤフラム43を弾性変形させることにより、閉位置(図2Cに示す位置)と開位置(図2Aに示す位置)との間で接触面43aを開閉方向Dに平行移動させる。閉位置は、流路42が閉じられるように接触面43aが座面45aに面接触する位置であり、開位置は、接触面43aが座面45aから離れて流路42が開かれる位置である。また、開閉方向Dは、中心軸線A2に沿う方向である。
収容空間44は、ピストン46Cよりもダイヤフラム43側の空間と、ピストン46Cよりもダイヤフラム43側とは反対側の空間とに、ピストン46Cによって仕切られている。収容空間44においてピストン46Cよりもダイヤフラム43側の部分を第1空間44Aといい、ピストン46Cよりもダイヤフラム43側とは反対側の部分を第2空間44Bという。シャフト46が開閉方向Dに移動することによって、第1空間44Aおよび第2空間44Bの大きさが変化する。
処理液供給装置3は、作動エア供給バルブユニット53と、第1エア配管54と、第2エア配管55と、第1スピードコントローラ56と、第2スピードコントローラ57とを含む。第1エア配管54は、作動エア供給バルブユニット53と第1ポート51とに接続されている。第2エア配管55は、作動エア供給バルブユニット53と第2ポート52とに接続されている。
第2スピードコントローラ57は、第2エア配管55に介装されている。第2スピードコントローラ57は、第2エア配管55内を流れるエアの流量を制御することでピストン46Cの移動速度を調節する。
まず、閉状態の開閉バルブ35を開く動作について説明する。作動エア供給バルブユニット53は、第1ポート51を介して第1空間44Aにエアを供給する。これにより第1空間44Aの空気圧が増加する。一方、作動エア供給バルブユニット53は、第2ポート52を介して第2空間44Bを大気開放する。
図3は、基板処理装置1の主要部の電気的構成を説明するためのブロック図である。制御ユニット5は、マイクロコンピュータを備えており、所定のプログラムに従って、基板処理装置1に備えられた制御対象を制御する。より具体的には、制御ユニット5は、プロセッサ(CPU)5Aと、プログラムが格納されたメモリ5Bとを含み、プロセッサ5Aがプログラムを実行することによって、基板処理のための様々な制御を実行するように構成されている。特に、制御ユニット5は、電動モータ18、冷却器33、ヒータ31,32,36、ポンプ30、および作動エア供給バルブユニット53等の動作を制御する。
処理液供給では、まず、制御ユニット5は、ポンプ30、冷却器33およびヒータ31,32,36を起動する。この処理液供給装置3では、ポンプ30が起動されるとき、全てのバルブ35,37が閉じられている。ポンプ30が起動されることによって、処理液タンク20に貯留された処理液は、供給配管21に送られる。そして、供給配管21を通る処理液は、戻り配管22を介して処理液タンク20に戻される。バルブ35,37が閉じられているので、処理液タンク20内の処理液は、処理ユニット6には供給されずに、供給配管21および戻り配管22を通して処理液タンク20に戻るように循環する(循環工程)。
具体的には、開閉バルブ35が開かれると、処理液が、供給配管21において戻り配管分岐位置Bよりも下流側(第2配管21B)に流れ始める。これにより、処理液タンク20内の処理液が供給配管21を介して処理ユニット6Aに供給される(供給工程)。
第1フィルタ34は、PTFE親水膜をろ過膜として含む。そのため、処理液としてIPA等の有機溶剤を用いた場合、高温のIPAが第1フィルタ34を通過すると、PTFEの基材に親水化を施す際に生じる残留物が処理液中に排出されるおそれがある。さらに、高温のIPAによって、PTFE親水膜の親水基がダメージを受けることがある。この実施形態では、第1フィルタ34を通過する処理液は、冷却器33によって充分に冷却されている。したがって、第1フィルタ34にPTFE親水膜を用いた場合であってもパーティクルの発生を抑制することができる。
図4は、この発明の第2実施形態に係る処理液供給装置3Pの構成を示す模式図である。図4では、今まで説明した部材と同じ部材には同じ参照符号を付して、その説明を省略する。
第2実施形態によれば、処理液供給装置3Pが第2フィルタ60を含む。そのため、処理液が戻り配管分岐位置Bを通過する際にジョイント26が膨張することによって処理液中にパーティクルが発生した場合であっても、第2フィルタ60によって当該パーティクルを除去することができる。
また、第2実施形態とは異なり、図4に二点鎖線で示すように、第2フィルタ60は、開閉バルブ35よりも下流側で供給配管21に介装されていてもよい。開閉バルブ35が開状態であるとき、処理液タンク20内の処理液は、供給配管21を介して処理ユニット6Aへ供給される。第2フィルタ60が供給配管21において開閉バルブ35よりも下流側に位置しているため、開閉バルブ35を処理液が通過する際にパーティクルが発生しても、第2フィルタ60によって、当該パーティクルが除去される。
さらに、第2フィルタ60は、開閉バルブ35よりも上流側と、開閉バルブ35よりも下流側との両方の位置に設けられていてもよい。分岐配管フィルタ61は、分岐配管開閉バルブ37よりも上流側と分岐配管開閉バルブ37よりも下流側の両方の位置に設けられていてもよい。
図5を参照して、第3実施形態に係る処理液供給装置3Qが第1実施形態に係る処理液供給装置3(図1参照)と異なる点は、処理液供給装置3Qが、上流側被加熱部分21aよりも下流側で、かつ、第3供給配管分岐位置C3よりも上流側(戻り配管分岐位置Bよりも上流側でもある)で供給配管21に介装された第3フィルタ65を含む点である。
この発明の一実施形態では、処理液供給装置3Qが第3フィルタ65を含む。そのため、上流側ヒータ31によって加熱された処理液が供給配管21を通過する際に処理液中にパーティクルが発生しても、第3フィルタ65によって当該パーティクルを除去することができる。
図6を参照して、第4実施形態に係る処理液供給装置3Rが第1実施形態に係る処理液供給装置3(図1参照)と異なる点は、処理液供給装置3Rが、被冷却部分22aよりも上流側で戻り配管22に介装された第4フィルタ70をさらに含む点である。
この実施形態によれば、処理液供給装置3Rが第4フィルタ70を含むため、上流側ヒータ31によって加熱された処理液が戻り配管22を通過する際に処理液中にパーティクルが発生した場合であっても、第4フィルタ70によって当該パーティクルを除去することができる。また、第4フィルタ70は、供給配管21よりも下流側の戻り配管22に介装されているため、供給配管21に介装されたフィルタ(第1フィルタ34)と比較して、処理液タンク20の汚染を効果的に抑制することができる。
図7を参照して、第5実施形態に係る処理液供給装置3Sが第1実施形態に係る処理液供給装置3(図1参照)と異なる点は、処理液供給装置3Sが、被冷却部分22aよりも下流側で戻り配管22に介装された第5フィルタ75をさらに含む点である。
図8を参照して、第6実施形態に係る処理液供給装置3Tが第1実施形態に係る処理液供給装置3(図1参照)と異なる点は、供給配管21、戻り配管22および複数の分岐供給配管23〜25のそれぞれが、二重配管構造を有している点である。
図9Aに示すように、第1筒状配管85は、供給配管21の第1配管21Aの外周面に対向する内周面を有する。処理液供給装置3Tは、供給配管21の第1配管21Aの外周面と第1筒状配管85の内周面との間に温水等の加熱流体を供給する第1加熱流体供給ユニット89を含む。この実施形態では、供給配管21の第1配管21Aにおいて第1筒状配管85と対向する部分が上流側被加熱部分21aである。第1筒状配管85および第1加熱流体供給ユニット89は、第1加熱ユニットを構成している。
図9Cに示すように、第3筒状配管87は、戻り配管22の外周面に対向する内周面を有する。処理液供給装置3Tは、戻り配管22の外周面と第3筒状配管87との間に冷水等の冷却流体を供給する冷却流体供給ユニット90を含む。この実施形態では、戻り配管22において第3筒状配管87と対向する部分が被冷却部分22aである。第3筒状配管87および冷却流体供給ユニット90は、冷却ユニットを構成している。
この実施形態によれば、供給配管21の上流側被加熱部分21aの外周面と第1筒状配管85の内周面との間に加熱流体が供給される。そのため、加熱流体によって、上流側被加熱部分21aが取り囲まれる。したがって、上流側被加熱部分21aを流れる処理液を満遍なく加熱することができる。
また、戻り配管22の外周面と第2筒状配管86の内周面との間に冷却流体が供給される。そのため、冷却流体によって、被冷却部分22aが取り囲まれる。したがって、被冷却部分22aを流れる処理液を満遍なく冷却することができる。
この発明は、以上に説明した実施形態に限定されるものではなく、さらに他の形態で実施することができる。
また、上述の実施形態とは異なり、ヒータ31,32,36や冷却器33と、筒状配管85〜88とが併用されてもよい。
また、上述の実施形態とは異なり、第2スピードコントローラ57が設けられていない構成であってもよい。この場合、作動エア供給バルブユニット53が、接触面43aが座面45aに接触した後に第2空間44Bの空気圧がピストン46Cに作用する(第2空間44Bの空気圧が最大になる)ように、第2空間44Bに供給されるエアの流量Fを制御すればよい。これにより、第2空間44Bの空気圧が最大になるタイミングを、接触面43aが座面45aに接触するタイミングよりも遅くすることができる。これにより、接触面43aが座面45aに接触する際の衝撃を低減することができる。
3 :処理液供給装置
3P :処理液供給装置
3Q :処理液供給装置
3R :処理液供給装置
3S :処理液供給装置
3T :処理液供給装置
6A :処理ユニット
6B :処理ユニット(別の処理ユニット)
6C :処理ユニット(別の処理ユニット)
6D :処理ユニット(別の処理ユニット)
20 :処理液タンク
21 :供給配管
21a :上流側被加熱部分
21b :下流側被加熱部分
22 :戻り配管
22a :被冷却部分
31 :上流側ヒータ(第1加熱ユニット)
32 :下流側ヒータ(第2加熱ユニット)
33 :冷却器(冷却ユニット)
34 :第1フィルタ
35 :開閉バルブ
36 :分岐配管ヒータ(分岐加熱ユニット)
60 :第2フィルタ
65 :第3フィルタ
70 :第4フィルタ
75 :第5フィルタ
85 :第1筒状配管(第1加熱ユニット)
86 :第2筒状配管(第2加熱ユニット)
87 :第3筒状配管(冷却ユニット)
89 :第1加熱流体供給ユニット(第1加熱ユニット)
90 :冷却流体供給ユニット(冷却ユニット)
91 :第2加熱流体供給ユニット(第2加熱ユニット)
B :戻り配管分岐位置(分岐位置)
Claims (16)
- 基板を処理する処理ユニットに処理液を供給する処理液供給装置であって、
処理液を貯留する処理液タンク内の処理液が送られ、前記処理液タンクから送られた処理液を前記処理ユニットに供給する供給配管と、
前記供給配管に分岐接続され、前記供給配管内の処理液を前記処理液タンクに戻す戻り配管と、
前記供給配管において前記戻り配管が接続されている分岐位置よりも上流側に設定された上流側被加熱部分内の処理液を加熱する第1加熱ユニットと、
前記供給配管において前記分岐位置よりも下流側に設定された下流側被加熱部分内の処理液を加熱する第2加熱ユニットと、
前記戻り配管に設定された被冷却部分内の処理液を冷却する冷却ユニットであって、前記第1加熱ユニットで加熱されて前記戻り配管に送られた処理液が前記戻り配管を介して前記処理液タンクに戻る前に当該処理液を冷却する冷却ユニットと、
前記上流側被加熱部分よりも上流側で前記供給配管に介装され、前記処理液タンクから送られた処理液中のパーティクルを除去する第1フィルタとを含む、処理液供給装置。 - 前記分岐位置よりも下流側で前記供給配管に介装され、処理液中のパーティクルを除去する第2フィルタをさらに含む、請求項1に記載の処理液供給装置。
- 前記分岐位置よりも下流側において前記供給配管に介装された開閉バルブをさらに含み、
前記第2フィルタが、前記開閉バルブよりも上流側で前記供給配管に介装されている、請求項2に記載の処理液供給装置。 - 前記分岐位置よりも下流側において前記供給配管に介装された開閉バルブをさらに含み、
前記第2フィルタが、前記開閉バルブよりも下流側で前記供給配管に介装されている、請求項2に記載の処理液供給装置。 - 前記上流側被加熱部分よりも下流側で、かつ、前記分岐位置よりも上流側で前記供給配管に介装され、処理液中のパーティクルを除去する第3フィルタをさらに含む、請求項1〜4のいずれか一項に記載の処理液供給装置。
- 前記被冷却部分よりも上流側で前記戻り配管に介装され、処理液中のパーティクルを除去する第4フィルタをさらに含む、請求項1〜5のいずれか一項に記載の処理液供給装置。
- 前記被冷却部分よりも下流側で前記戻り配管に介装され、処理液中のパーティクルを除去する第5フィルタをさらに含む、請求項1〜6のいずれか一項に記載の処理液供給装置。
- 前記第1加熱ユニットが、前記上流側被加熱部分の外周面に対向する内周面を有する第1筒状配管と、前記上流側被加熱部分の外周面と前記第1筒状配管の内周面との間に加熱流体を供給する第1加熱流体供給ユニットとを含む、請求項1〜7のいずれか一項に記載の処理液供給装置。
- 前記第2加熱ユニットが、前記下流側被加熱部分の外周面に対向する内周面を有する第2筒状配管と、前記下流側被加熱部分の外周面と前記第2筒状配管の内周面との間に加熱流体を供給する第2加熱流体供給ユニットとを含む、請求項1〜8のいずれか一項に記載の処理液供給装置。
- 前記第1加熱ユニットが、前記供給配管の前記上流側被加熱部分に配置された第1ヒータを含み、
前記第2加熱ユニットが、前記供給配管の前記下流側被加熱部分に配置された第2ヒータを含む、請求項1〜9のいずれか一項に記載の処理液供給装置。 - 前記冷却ユニットが、前記戻り配管の前記被冷却部分の外周面に対向する内周面を有する第3筒状配管と、前記被冷却部分の外周面と前記第3筒状配管の内周面との間に冷却流体を供給する冷却流体供給ユニットとを含む、請求項1〜10のいずれか一項に記載の処理液供給装置。
- 前記分岐位置よりも上流側において前記供給配管に分岐接続され、前記処理ユニットとは別の処理ユニットに処理液を供給する分岐供給配管と、
前記分岐供給配管に設定された被加熱部分を加熱する分岐加熱ユニットとをさらに含む、請求項1〜11のいずれか一項に記載の処理液供給装置。 - 基板を処理する処理ユニットに処理液を供給する処理液供給装置であって、
処理液を貯留する処理液タンク内の処理液が送られ、前記処理液タンクから送られた処理液を前記処理ユニットに供給する供給配管と、
前記供給配管に分岐接続され、前記供給配管内の処理液を前記処理液タンクに戻す戻り配管と、
前記供給配管において前記戻り配管が接続されている分岐位置よりも上流側に設定された上流側被加熱部分内の処理液を加熱する第1加熱ユニットと、
前記供給配管において前記分岐位置よりも下流側に設定された下流側被加熱部分内の処理液を加熱する第2加熱ユニットと、
前記戻り配管に設定された被冷却部分内の処理液を冷却する冷却ユニットと、
前記上流側被加熱部分よりも上流側で前記供給配管に介装され、処理液中のパーティクルを除去する第1フィルタと、
前記被冷却部分よりも上流側で前記戻り配管に介装され、処理液中のパーティクルを除去する第4フィルタとを含む、処理液供給装置。 - 基板を処理する処理ユニットに処理液を供給する処理液供給装置であって、
処理液を貯留する処理液タンク内の処理液が送られ、前記処理液タンクから送られた処理液を前記処理ユニットに供給する供給配管と、
前記供給配管に分岐接続され、前記供給配管内の処理液を前記処理液タンクに戻す戻り配管と、
前記供給配管において前記戻り配管が接続されている分岐位置よりも上流側に設定された上流側被加熱部分内の処理液を加熱する第1加熱ユニットと、
前記供給配管において前記分岐位置よりも下流側に設定された下流側被加熱部分内の処理液を加熱する第2加熱ユニットと、
前記戻り配管に設定された被冷却部分内の処理液を冷却する冷却ユニットと、
前記上流側被加熱部分よりも上流側で前記供給配管に介装され、処理液中のパーティクルを除去する第1フィルタと、
前記被冷却部分よりも下流側で前記戻り配管に介装され、処理液中のパーティクルを除去する第5フィルタとを含む、処理液供給装置。 - 請求項1〜14のいずれか一項に記載の処理液供給装置と、前記処理ユニットとを含む、基板処理装置。
- 処理液を貯留する処理液タンク内の処理液を処理ユニットに供給する供給配管において、戻り配管が分岐接続されている分岐位置よりも上流側に設定された上流側被加熱部分内の処理液を加熱する第1加熱工程と、
前記第1加熱工程で加熱され前記戻り配管に送られた処理液を、前記戻り配管に設定された被冷却部分内で冷却する冷却工程と、
前記冷却工程で冷却された処理液を前記戻り配管を介して前記処理液タンクに戻すことにより、前記処理液タンク内の処理液を、前記供給配管および前記戻り配管を通して循環させる循環工程と、
前記上流側被加熱部分よりも上流側において前記供給配管に介装されたフィルタによって、前記処理液タンクから送られた処理液中のパーティクルを除去する除去工程と、
前記供給配管において前記分岐位置よりも下流側に設定された下流側被加熱部分内の処理液を加熱する第2加熱工程と、
前記処理液タンクから前記供給配管に送られた処理液を、前記第1加熱工程および前記第2加熱工程において加熱した後、前記供給配管から前記処理ユニットに供給する供給工程とを含む、処理液供給方法。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017207343A JP6979852B2 (ja) | 2017-10-26 | 2017-10-26 | 処理液供給装置、基板処理装置、および処理液供給方法 |
US16/168,949 US11094564B2 (en) | 2017-10-26 | 2018-10-24 | Processing liquid supplying apparatus, substrate processing apparatus and processing liquid supplying method |
CN201811250812.6A CN109712910B (zh) | 2017-10-26 | 2018-10-25 | 处理液供给装置、基板处理装置以及处理液供给方法 |
KR1020180128261A KR102174535B1 (ko) | 2017-10-26 | 2018-10-25 | 처리액 공급 장치, 기판 처리 장치, 및 처리액 공급 방법 |
TW107137881A TWI686847B (zh) | 2017-10-26 | 2018-10-26 | 處理液供給裝置、基板處理裝置、及處理液供給方法 |
TW109102602A TWI714447B (zh) | 2017-10-26 | 2018-10-26 | 處理液供給裝置、基板處理裝置、及處理液供給方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017207343A JP6979852B2 (ja) | 2017-10-26 | 2017-10-26 | 処理液供給装置、基板処理装置、および処理液供給方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019079995A JP2019079995A (ja) | 2019-05-23 |
JP6979852B2 true JP6979852B2 (ja) | 2021-12-15 |
Family
ID=66244185
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017207343A Active JP6979852B2 (ja) | 2017-10-26 | 2017-10-26 | 処理液供給装置、基板処理装置、および処理液供給方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11094564B2 (ja) |
JP (1) | JP6979852B2 (ja) |
KR (1) | KR102174535B1 (ja) |
CN (1) | CN109712910B (ja) |
TW (2) | TWI686847B (ja) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6900274B2 (ja) * | 2017-08-16 | 2021-07-07 | 株式会社Screenホールディングス | 薬液供給装置、基板処理装置、薬液供給方法、および基板処理方法 |
JP7292107B2 (ja) * | 2019-05-27 | 2023-06-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法および基板処理装置 |
KR102288985B1 (ko) * | 2019-06-27 | 2021-08-13 | 세메스 주식회사 | 액공급유닛, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
JP7382164B2 (ja) | 2019-07-02 | 2023-11-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置および液処理方法 |
JP7297591B2 (ja) * | 2019-08-09 | 2023-06-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置およびその製造方法 |
CN110614248A (zh) * | 2019-09-17 | 2019-12-27 | 苏州晶洲装备科技有限公司 | 一种高精度恒温储液装置及具有其的oled平板清洗机 |
JP7455612B2 (ja) * | 2020-02-28 | 2024-03-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 温調媒体処理装置及び温調媒体処理方法 |
KR102622445B1 (ko) | 2020-04-24 | 2024-01-09 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 액 공급 방법 |
TWI790493B (zh) * | 2020-10-23 | 2023-01-21 | 辛耘企業股份有限公司 | 半導體製程廢處理液的排放暫存裝置 |
JP2022138462A (ja) * | 2021-03-10 | 2022-09-26 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および供給弁 |
CN112786499B (zh) * | 2021-03-11 | 2021-12-17 | 长江存储科技有限责任公司 | 供液装置 |
KR102605999B1 (ko) * | 2021-03-17 | 2023-11-23 | 세메스 주식회사 | 처리액 제공 유닛 및 이를 구비하는 기판 처리 장치 |
Family Cites Families (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02138427A (ja) | 1988-11-18 | 1990-05-28 | Isao Tsukamoto | 耐変色性銅合金 |
JPH02138427U (ja) * | 1989-04-24 | 1990-11-19 | ||
CA2120537A1 (en) * | 1993-04-12 | 1994-10-13 | Thomas B. Stanford, Jr. | Megasonic cleaning system using compressed, condensed gases |
JP3585199B2 (ja) | 1997-03-31 | 2004-11-04 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
JP2001332595A (ja) | 2000-05-25 | 2001-11-30 | Sony Corp | 焦点合わせ制御機構及びこれを用いた検査装置 |
US6878216B2 (en) * | 2001-09-03 | 2005-04-12 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing method and substrate processing system |
JP3684356B2 (ja) | 2002-03-05 | 2005-08-17 | 株式会社カイジョー | 洗浄物の乾燥装置及び乾燥方法 |
JP2003297788A (ja) * | 2002-03-29 | 2003-10-17 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置および液処理方法 |
TWI334624B (en) | 2006-01-30 | 2010-12-11 | Dainippon Screen Mfg | Apparatus for and method for processing substrate |
JP5753352B2 (ja) | 2010-07-20 | 2015-07-22 | 株式会社Screenホールディングス | ダイヤフラムバルブおよびこれを備えた基板処理装置 |
JP2012074601A (ja) | 2010-09-29 | 2012-04-12 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2012153936A (ja) * | 2011-01-25 | 2012-08-16 | Tokyo Electron Ltd | めっき処理装置、めっき処理方法および記憶媒体 |
CN103547531B (zh) | 2011-05-18 | 2015-09-23 | 奥加诺株式会社 | 用于制备高纯度液化二氧化碳的方法和设备 |
CN102509714B (zh) * | 2011-11-18 | 2014-08-27 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 快速控制静电吸盘温度的装置及方法 |
JP6300139B2 (ja) * | 2012-05-15 | 2018-03-28 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理システム |
JP5787098B2 (ja) * | 2012-08-22 | 2015-09-30 | 栗田工業株式会社 | 半導体基板の洗浄方法および洗浄システム |
JP6118577B2 (ja) * | 2013-02-14 | 2017-04-19 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
JP5893592B2 (ja) * | 2013-08-23 | 2016-03-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置 |
KR101671118B1 (ko) | 2014-07-29 | 2016-10-31 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
JP6359925B2 (ja) | 2014-09-18 | 2018-07-18 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
JP6425517B2 (ja) * | 2014-11-28 | 2018-11-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、基板処理装置および記憶媒体 |
JP6461641B2 (ja) * | 2015-02-25 | 2019-01-30 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
JP6361071B2 (ja) * | 2015-02-25 | 2018-07-25 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
CN109037111B (zh) * | 2015-02-25 | 2022-03-22 | 株式会社思可林集团 | 基板处理装置 |
JP6468916B2 (ja) | 2015-03-31 | 2019-02-13 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
US10121685B2 (en) | 2015-03-31 | 2018-11-06 | Tokyo Electron Limited | Treatment solution supply method, non-transitory computer-readable storage medium, and treatment solution supply apparatus |
JP6425669B2 (ja) | 2015-03-31 | 2018-11-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理液供給方法、読み取り可能なコンピュータ記憶媒体及び処理液供給装置 |
JP6420707B2 (ja) | 2015-04-07 | 2018-11-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP6929652B2 (ja) * | 2016-02-17 | 2021-09-01 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および間隙洗浄方法 |
-
2017
- 2017-10-26 JP JP2017207343A patent/JP6979852B2/ja active Active
-
2018
- 2018-10-24 US US16/168,949 patent/US11094564B2/en active Active
- 2018-10-25 CN CN201811250812.6A patent/CN109712910B/zh active Active
- 2018-10-25 KR KR1020180128261A patent/KR102174535B1/ko active IP Right Grant
- 2018-10-26 TW TW107137881A patent/TWI686847B/zh active
- 2018-10-26 TW TW109102602A patent/TWI714447B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN109712910B (zh) | 2023-07-14 |
JP2019079995A (ja) | 2019-05-23 |
US11094564B2 (en) | 2021-08-17 |
KR102174535B1 (ko) | 2020-11-05 |
TW202018845A (zh) | 2020-05-16 |
TWI686847B (zh) | 2020-03-01 |
KR20190046691A (ko) | 2019-05-07 |
CN109712910A (zh) | 2019-05-03 |
US20190131144A1 (en) | 2019-05-02 |
TWI714447B (zh) | 2020-12-21 |
TW201923833A (zh) | 2019-06-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6979852B2 (ja) | 処理液供給装置、基板処理装置、および処理液供給方法 | |
JP6881922B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
JP6586697B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
TWI660790B (zh) | 處理液供給裝置、基板處理裝置以及處理液供給方法 | |
JP6811619B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
KR102591343B1 (ko) | 액처리 장치 및 액처리 방법 | |
CN108630571B (zh) | 处理液供给装置、基板处理装置以及处理液供给方法 | |
WO2022180928A1 (ja) | 処理液循環方法、及び、基板処理方法 | |
JP6462462B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
US20080163900A1 (en) | Ipa delivery system for drying | |
JP2009239026A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP5783756B2 (ja) | 基板処理装置 | |
WO2022215497A1 (ja) | 処理液流通方法、及び、処理液供給装置 | |
KR102001735B1 (ko) | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 | |
JP7585124B2 (ja) | 処理液流通方法、及び、処理液供給装置 | |
WO2024142527A1 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
KR20230133231A (ko) | 기판 처리 방법 및 기판 처리 시스템 | |
JP2007266554A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP4054284B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP2024044497A (ja) | 基板処理装置およびパーティクル除去方法 | |
JP2021073736A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190204 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200622 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20210413 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210422 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210526 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20211021 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20211116 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6979852 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |