JP6098439B2 - 波長変換部材、発光装置、及び発光装置の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、発光素子からの光の波長を変換する波長変換部材、その波長変換部材を用いた発光装置、及び発光装置の製造方法に関する。

一般的に、発光装置は、例えばＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）ガラスなどの波長変換部材を用いた構成のものが知られている。この発光装置に用いられる波長変換部材は、発光素子から出射された光の波長を変換するためのものであり、発光素子の光取り出し側に配置されている。

また、特許文献１及び特許文献２には、光取り出し側に発光素子の電極が配置されている場合、その電極上面を波長変換部材の表面側に露出させて、電極上面にワイヤボンディングができる波長変換部材が開示されている。

特許文献１に記載された波長変換部材には、表裏面を貫通する貫通孔が形成されている。そして、波長変換部材の貫通孔内に発光素子の電極を挿通させることで、貫通孔内の電極上面が波長変換部材の表面側に露出するようになっている。
また、特許文献２に記載された複数の波長変換部材では、波長変換部材の端部に切り欠きが設けられている。そして、複数の波長変換部材の端部同士を付き合わせることで、切り欠きが上下方向に貫通する貫通孔を構成するようになっている。そのため、複数の波長変換部材の端部同士を電極の両側から挟み込むように付き合わせることで、貫通孔内の電極上面が波長変換部材の表面側に露出するようになっている。

特開２００８−１６６７４０号公報 特開２００７−８０８７６号公報

しかしながら、特許文献１、２で示すように波長変換部材に貫通孔を設ける場合、設計の際に電極を貫通孔内に確実に収容するための公差を考慮する必要がある。そのため、従来の波長変換部材では、波長変換部材と電極との間に隙間が生じてしまい、電極周辺から未変換の光が漏出するおそれがある。さらに、特許文献２の構成では、波長変換部材同士の繋ぎ目に隙間が生じないように、波長変換部材の端部を精密に付き合わせることは極めて困難である。そのため、波長変換部材同士の繋ぎ目から未変換の光が漏出するおそれがある。

また、特許文献１の構成では、波長変換部材を接着させるために発光素子の光取り出し側に接着材を塗布するとき、電極上面に接着剤が付着するおそれがある。そして、接着剤の付着は、ボンディングパッドが汚染してワイヤが接着しない原因となる。

さらに、電極が発光素子上面の外周端部側に設けられた発光素子に波長変換部材を配置しようとする場合、従来技術のように貫通孔を波長変換部材に形成すると、波長変換部材の外周端部が切り欠かれた形状となる。この場合、波長変換部材は、電極の外周全周を囲むように構成されないため、波長変換部材によって囲まれていない電極の周辺部分から未変換の光が漏出するおそれがある。そのため、このようなおそれがない波長変換部材を製造しようとすれば、波長変換部材が発光素子の電極の外周全周を囲むような位置に、発光素子上面の電極を設けざるを得ず、発光素子の外周端部側に電極を設けることができないという問題があった。

そこで、本発明は、前記する問題に鑑みて創案された発明であって、未変換の光の漏出を抑制すること、電極上面の汚染を抑制すること、そして、電極を設ける位置の制限を解消することができる波長変換部材、発光装置、及び発光装置の製造方法を提供することを課題とする。

前記課題を解決するために、本発明に係る波長変換部材は、光取り出し側に電極が在る発光素子の前記光取り出し側に配置され、前記発光素子からの出射光の波長を変換する波長変換部材であって、前記出射光を吸収する蛍光体を含み、前記電極に対応して表裏面を貫通する貫通孔が形成された波長変換板と、前記貫通孔に充填された導電性材料からなり、上面が波長変換板の表面側に露出しているビアフィル電極と、を備えることを特徴とする。

また、本発明に係る発光装置は、光取り出し側に電極が在る発光素子と、前記光取り出し側に配置され、前記ビアフィル電極が前記電極と対向配置された前記波長変換部材と、前記電極と前記ビアフィル電極との間に設けられて前記電極と前記ビアフィル電極とを接合している金属接合部と、を備えることを特徴とする。

さらに、本発明に係る発光装置の製造方法は、前記波長変換部材を複数個含む波長変換原板と、光取り出し側に電極が在る発光素子を複数個基板上に備える発光素子群とを用いて、発光装置を製造する発光装置の製造方法であって、前記波長変換原板のビアフィル電極と前記発光素子群の電極とを金属接合させる金属接合工程と、前記金属接合された前記波長変換原板と前記発光素子群との隙間に透明樹脂を充填して接着させる接着工程と、前記接着された前記波長変換原板と前記発光素子群とをダイシングするダイシング工程と、を含むことを特徴とする。

本発明に係る波長変換部材及び発光装置によれば、未変換の光の漏出を抑制でき、ボンディングパッドの汚染を抑制でき、電極を設ける位置の制限を解消することができる。
本発明に係る発光装置の製造方法によれば、未変換の光が漏出することが抑制され、ボンディングパッドの汚染を抑制され、外周端辺に電極を有する発光素子を備えた発光装置を製造することができる。また、波長変換部材にビアフィル電極が直接設けられているため、発光素子に波長変換部材を配置する際に、従来技術のように公差を考慮する必要がなくなる。

実施形態に係る波長変換部材を上下方向に切った場合の断面図である。 実施形態に係る波長変換部材を備えた発光装置を上下方向に切った場合の断面図である。 実施形態に係る波長変換原板を上方から見た平面図である。 実施形態に係る金属接合工程において、バンプを介して波長変換原板と発光素子とが重ね合わせられた状態の断面図である。 実施形態に係る接着工程において、波長変換原板と発光素子と間に充填された透明樹脂が硬化した状態の断面図である。 実施形態に係る波長変換部材を発光素子に直接接合させてなる発光装置を上下方向に切った場合の断面図である。 バンプを介して波長変換部材と貼り合わせ型の発光素子とが合わせられた状態の断面図である。 バンプを介して波長変換部材とワンワイヤ型の発光素子とが合わせられた状態の断面図である。

本発明に係る波長変換部材の実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、各図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするため誇張して示すことがある。さらに、以下の説明において、同一の名称、符号については同一若しくは同質の部材を示しており、説明を適宜省略する。

（波長変換部材１）
図１に示すように、波長変換部材１は、発光素子２０の光取り出し側に配置され（図２参照）、発光素子２０から出射された光の波長を長波長に変換するためのものである。
波長変換部材１は、貫通孔３が形成された平板状の波長変換板２と、貫通孔３を臨む波長変換板２の内周面２ａに固着する透明層４と、貫通孔３内に設けられたビアフィル電極５とを備え、各構成が一体となった部材である。

（波長変換板２）
波長変換板２は、ガラス、セラミックス、樹脂などの光透過性を有する母材に、蛍光体、蛍光顔料、蛍光染料（以下、これらを総称して「蛍光体」という）を混合してなるもの、又は母材を用いることなく蛍光体のみを焼結してなるものである。

（貫通孔３）
貫通孔３は、波長変換板２内にビアフィル電極５を形成するための孔であり、波長変換板２の板厚方向に貫通している。貫通孔３が形成される位置は、波長変換部材１を発光素子の光取り出し側に配置した場合、発光素子２０のパッド電極２５に対応するようになっている（図２参照）。

（透明層４）
図１に示すように、透明層４は、波長変換板２の内周面２ａに固着して、内周面２ａを被覆する層である。
透明層４は、波長変換板２がガラス、セラミックス、樹脂などの母材を含んで構成されている場合、母材の屈折率よりも屈折率が低い材料で構成されている。または、波長変換板２が母材を用いることなく蛍光体のみを焼結してなる場合、透明層４は、たとえばＹＡＧなどの蛍光体そのもののよりも屈折率が低い材料で構成されている。
この透明層４によれば、波長変換板２の内部にからビアフィル電極５に向かう光が、波長変換板２の内周面２ａと透明層４との界面で全反射し易くなる（図２に示す矢印Ａを参照）。このため、ビアフィル電極５に向かって光が照射されても、ビアフィル電極５に吸収される光量が抑制される。この結果、波長変換板２の光取り出し量の低減を抑制することができる。
なお、透明層４を構成する材料としては、たとえばＭｇＦ_２、ＳｉＯ_２などが挙げられる。また、透明層４の厚みは、少なくとも０．１μｍ以上であることが好ましく、より好ましくは０．３μｍ以上である。

（ビアフィル電極５）
図１に示すように、ビアフィル電極５は、導電性材料を貫通孔３に充填することで形成された電極である。このため、波長変換板２の貫通孔３内が導電性材料で塞がれており、ビアフィル電極５と波長変換板２との間に隙間が生じないようになっている。
また、ビアフィル電極５は、貫通孔３に沿って上下方向に延びている。このため、ビアフィル電極５の上面は、波長変換板２の上面側に露出し、ワイヤボンディングを行うことができるようになっている（図２参照）。一方で、ビアフィル電極５の下面は、波長変換板２の下面側に露出し、発光素子の電極との接合可能となっている（図２参照）。

つぎに、波長変換部材１を用いた発光装置３０について説明する。
図２に示すように、発光装置３０は、光取り出し側にパッド電極２４、２４を有する発光素子２０と、発光素子２０の光取り出し側に配置された波長変換部材１と、パッド電極２４、２４とビアフィル電極５，５との間に設けられた金属接合部２５、２５と、発光素子２０と波長変換部材１との間に充填された透明樹脂層２６とを備えている。

（発光素子２０）
発光素子２０は、図示しない基板上に設けられたｎ型半導体層２１と、ｎ型半導体層場に設けられた活性層２２と、活性層２２上に設けられたｐ型半導体層２３と、ｎ型半導体層２１とｐ型半導体層２３とのそれぞれに設けられた一対のパッド電極２４、２４とを備えている。
なお、実施形態の発光素子２０では、パッド電極２４、２４が光取り出し側にあるフェイスアップ型となっているが本発明はこれに限定されず、電極が上下に分かれて配置される張り合わせ型であってもよい。

金属接合部２５は、発光素子２０のパッド電極２４の上面と波長変換部材１のビアフィル電極５の下面とに金属接合して、パッド電極２４とビアフィル電極５とを電気的に接続させるためのものである。
また、透明樹脂層２６は、発光素子２０と波長変換部材１とのそれぞれに接着して、発光素子２０と波長変換部材１との接合を強固とするためのものである。これによれば、金属接合部２５によるビアフィル電極５とパッド電極２４との電気的接続が断絶し難くすることができる。
以上の構成により、光取り出し側に設けられたパッド電極２４と、波長変換部材１の表面側に配置されるワイヤＷとを電気的に接続することができる。

（波長変換部材１の製造方法）
実施形態に係る波長変換部材１の製造方法について説明する。
まず、波長変換板２の製造について説明する。波長変換板２は、製造効率の向上を図るために、図３に示すように複数の波長変換板２を含む大きさの波長変換原板１０をダイシング加工することで所望の大きさの波長変換板２を得ることができる。
本発明では、波長変換原板１０をダイシング加工する時期について特に限定されない。すなわち、波長変換原板１０に透明層４とビアフィル電極５を形成した後に、波長変換原板１０をダイシング加工してもよい。あるいは、波長変換原板１０をダイシング加工した後に、その波長変換原板１０に透明層４とビアフィル電極５を形成してもよい。以下では、波長変換原板１０に透明層４、ビアフィル電極５を形成した後に、波長変換原板１０をダイシング加工する場合について説明する。

つぎに、図３に示すように、波長変換原板１０の板厚方向に貫通する貫通孔３を形成する。貫通孔３の形成方法として、切削加工、ショットブラスト、レーザ加工などが挙げられる。なお、貫通孔３の形状に関し、本発明においては特に限定されないが、後述するように波長変換原板１０の内周面２ａに透明層４や後記するシード層を形成し易くするために、貫通孔３をテーパ状としても良い。

つぎに、貫通孔３を臨む波長変換原板１０の内周面２ａに透明層４を形成する（図１参照）。透明層４の形成方法として、スピンオングラス塗布、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、ＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、スパッタ、蒸着のいずれかの成膜方法が挙げられる。
また、透明層４の内周面側は、ビアフィル電極５を形成するための内部空間が存在している必要がある。そのため、上記する成膜方法により、透明層４の内部空間が狭小となっている場合には、所望の大きさとなるように透明層４の内周面側を切削加工してもよい。
そのほか、透明層４の形成方法としては、スピンオングラス塗布、ＣＶＤ，ＡＬＤ、スパッタ、蒸着などの方法で貫通孔３を塞ぎ、その後に切削加工によりビアフィル電極５を形成するための内部空間を形成する方法が挙げられる。

つぎに、波長変換原板１０の貫通孔３に導電性材料を充填してビアフィル電極５を形成する（図１参照）。ビアフィル電極５を形成するために導電性材料を充填する方法として、つぎの２通りが挙げられる。

導電性材料を貫通孔３に充填する第１の方法として、ＣＶＤ、スパッタ、蒸着などにより透明層４の内周面に図示しないシード層を形成し、その後、めっき処理によりシード層の内周面に導電性材料を付着させ、貫通孔３を塞ぐ方法が挙げられる。
なお、導電性材料から構成される部分に光が吸収されることを抑制するために、シード層がＡｌ、Ａｇなどの高反射の金属から構成されることが好ましい。また、このシード層は、特許請求の範囲に記載される「金属層」に含まれるものである。

導電性材料を貫通孔３に充填する第２の方法として、導電性材料を含む導電性ペーストにて貫通孔３を塞ぎ、その後に焼成する方法がある。また、波長変換板２の母材としてガラス、セラミックを用いる場合において、波長変換板２の母材であるガラス、セラミックの焼成時に、上記貫通孔３内に充填させた導電性ペーストの焼成を併せて行ってもよい。
また、第２の方法によりビアフィル電極５を形成する場合であっても、導電性材料から構成される部分に光が吸収されることを抑制するために、ＣＶＤ、スパッタ、蒸着などによりＡｌ、Ａｇなどの高反射の金属を用いて金属層を形成してもよい。

つぎに、ビアフィル電極５を波長変換原板１０に形成した後に、波長変換原板１０の表裏面を研磨し、仕上げる。
そして、ワイヤボンディングによる金属接合を容易するため、仕上げ後の波長変換原板１０のビアフィル電極５の上面に、金、銀、銅、白金、又はこれらの合金のフラッシュめっきやキャップパターン形成を行い、ボンディングパッド２７（図２、図４参照）を形成する。なお、本発明において、ボンディングパッド２７を形成する工程は、後記する発光装置３０の製造方法で行ってもよい工程である。
つぎに、波長変換原板１０をダイシング加工することで所望の大きさの波長変換板２が形成され、図１に示すような個片化された波長変換部材１を製造できる。なお、図２に示すように、波長変換部材１は、発光素子２０よりも大きくなるようにダイシング加工され、発光素子２０の光取り出し側を覆うように構成されている。
さらに、波長変換原板１０をダイシング加工する際に、ビアフィル電極５に接するように切削することで、外周端部側に電極が配置された波長変換部材１を製造することができる。

以上、説明した実施形態では、波長変換原板１０のみのダイシング加工により、波長変換部材１を製造する場合について説明したが、本発明はこれに限定されない。たとえば、波長変換原板１０を、半導体層の成長用基板上に複数の発光素子２０が設けられた発光素子群に接着し固定した後に、波長変換原板１０と、半導体層や成長用基板とを一緒にダイシング加工して発光素子および波長変換部材を備えた発光装置を製造することにより、その発光装置の一部として波長変換部材１が製造されることとしてもよい。これによれば、ダイシング加工が一回で済み、生産効率を高めることができる。

（発光装置３０の製造方法）
次に、波長変換原板１０と、半導体層の成長用の基板上に複数の発光素子２０が設けられた発光素子群とを用いて、発光装置３０を製造する製造方法について、図面を参照しながら説明する。発光装置３０の製造方法は、金属接合工程と、接着工程と、ダイシング工程と、ワイヤボンディング工程とを含む。

（金属接合工程）
図４に示すように、金属接合工程は、波長変換原板１０のビアフィル電極５と発光素子群のパッド電極２４との間に金属接合部２５を形成することで、ビアフィル電極５とパッド電極２４とを金属接合させるための工程である。
金属接合工程は、まず、ビアフィル電極５の下面と一対のパッド電極２４の上面とのそれぞれに、突起上の金属であるバンプを形成する。つぎに、ビアフィル電極５の下面とパッド電極２４の上面とが当接するように波長変換原板１０と発光素子群とを重ね合わせ、加熱処理によりバンプを溶融させる。つぎに、バンブを凝固させることで、図３に示すように、ビアフィル電極５の下面とパッド電極２４の上面とに固着する金属接合部２５が形成される。

（接着工程）
図５に示すように、接着工程は、発光素子２０と波長変換原板１０との隙間に透明樹脂層２６を形成することで、発光素子２０と波長変換原板１０とを接着させるための工程である。接着工程は、まず、熱硬化型のエポキシ樹脂などのアンダーフィル材を発光素子２０のｎ型半導体層２１上に塗布し、毛細管現象により発光素子２０と波長変換原板１０との隙間に浸透させる。そして、加熱処理を行ってアンダーフィル材を硬化させることで、図４に示すように、発光素子２０と波長変換原板１０とに固着した透明樹脂層２６が形成される。

（ダイシング工程）
図２に示すように、ダイシング工程は、ダイシングブレードにより、一体化された発光素子２０と波長変換原板１０とを所定の大きさに切り分けて個片化して、発光装置３０が製造される。

（ワイヤボンディング工程）
ワイヤボンディング工程は、図２に示すように、ワイヤＷの両端をビアフィル電極５の上面と外部電源とに接合することで、発光素子２０と外部電源を電気的に接続させるための工程である。
ワイヤＷの接合方法として、ビアフィル電極５の上面のボンディングパッド２７にワイヤＷの一端を当てて、加熱しながら上方から加圧するとともに超音波振動を加える方法が挙げられる。これによれば、ボンディングパッド２７とワイヤＷとを接合するボールＢが形成される。なお、ワイヤＷの素材としては、金、銀、銅、白金、又はこれらの合金が挙げられる。

以上、実施形態に係る波長変換部材１によれば、波長変換板２とビアフィル電極５との間に隙間がないため、ビアフィル電極５周辺から未変換の光が漏出するおそれがない。
また、実施形態に係る波長変換部材１によれば、１枚の波長変換板２により構成されているため、従来技術で説明したような複数の波長変換板２の繋ぎ目から未変換の光が漏出するおそれがない。
よって、実施形態に係る波長変換部材１によれば、未変換の光が漏出するということが抑制される。

また、実施形態に係る波長変換部材１によれば、ボンディングパッド２７が形成されるビアフィル電極５の上面が波長変換部材１の上面側に位置している。
そのため、波長変換部材１を発光素子２０に接着固定させるために、波長変換部材１の下面側や発光素子２０の光取り出し面に接着材を塗布しても、ビアフィル電極５の上面に接着材が付着するおそれがない。
よって、実施形態に係る波長変換部材１によれば、ボンディングパッド２７が汚染することが抑制され、ワイヤＷが接着しないという事態を回避できるようになっている。

また、実施形態に係る波長変換部材１によれば、ビアフィル電極５周辺から未変換の光が漏出するおそれがないとともに、外周端部側に電極が配置された波長変換部材１を製造することができる。そのため、パッド電極２４、２４を発光素子２０の外周端部側に設けることができないという問題が解消される。

以上、実施形態について説明したが、本発明は実施形態で示した例に限定されるものではない。たとえば、実施形態では、一対のパッド電極２４、２４が光取り出し側（上面側）に設けられたフェイスアップ型の発光素子２０を用いているが、本発明はこれに限定されない。本発明は、上面側と下面側とに電極を備えた上下導通型の発光素子であってもよい。
なお、上下導通型の発光素子の例として、支持基板３１が張り合わせられた貼り合わせ型の発光素子２０ａ（図７参照）や、上面側に設けられたパッド電極が一つのためボンディングされるワイヤが一つであるワンワイヤ型の発光素子２０ｂ（図８参照）が挙げられる。
構成についてより詳細に説明すると、貼り合わせ型の発光素子２０ａとして、支持基板３１上に反射電極３２と、ｐ型半導体層２３ａと、活性層２２ａと、ｎ型半導体層２１ａと、保護層３３とが順に積層され、さらに、ｎ型半導体層２３ａの上面に、複数のｎパッド電極３４、３４が設けられているものが挙げられる。
また、ワンワイヤ型の発光素子２０ｂは、下方から順に、反射電極３５と、ｎ型半導体２１ｂと、活性層２２ｂと、ｐ型半導体層２３ｂと、全面電極３６と、ｐパッド電極３７とが積層されてなるものが挙げられる。
そして、本発明に係る波長変換部材１を、貼り合わせ型の発光素子２０ａやワンワイヤ型の発光素子２０ｂに組み合せて発光装置を製造する方法によっても、未変換の光の漏出が抑えられた発光装置を提供することができ、ボンディングパッド２７の汚染を回避できる。
そのほか、上述の貼り合わせ型の発光素子２０ａやワンワイヤ型の発光素子２０ｂを用いた場合であっても、光の取り出し効率の観点から、金属接合後に発光素子と波長変換部材１との間に樹脂を充填することが望ましい。

また、実施形態では、ビアフィル電極５の下面とパッド電極２４の上面との間に金属接合部２５を設けることで、波長変換部材１の電極面と発光素子２０の電極面とを接合させているが、本発明はこれに限定されない。
さらに、実施形態では、波長変換板２の下面と半導体構造の上面との間に透明樹脂層２６を設けることで、波長変換部材１の非電極面と発光素子２０の非電極面とを接合させているが、本発明はこれに限定されない。
たとえば、図６に示すように、波長変換部材１の電極面及び非電極面を、発光素子２０の電極面及び非電極面に直接接合させて、発光装置３０を製造してもよい。ここで、直接接合とは、表面活性化接合、原子拡散接合、水酸基接合等の常温接合法を指す。
なお、表面活性接合とは、接合面を真空中で表面処理することで接合面の原子が化学結合を形成しやすい活性な状態にし、重ね合わせて接合させる方法を指す。
原子拡散接合は、接合面に超高真空中で微細結晶膜を形成し、その微細結晶膜を真空中で重ね合わせることで接合させる方法を指す。
水酸基接合とは、薄い酸化膜が形成された接合面に多数の水酸基を付着させて親水化処理し、そして、親水化処理した接合面同士を重ね合わせて接合させる方法を指す。
ただし、直接接合させる場合には、発光素子２０の上面側の平坦化を図るために、埋め込み材を埋め込み、パッド電極２４、２４の上面と同じ高さの埋め込み層２８を形成する必要がある。この場合、埋め込み層２８としては、ＳｉＯ_２、ＳｉＯ_ｘＮ_{（１−ｘ）}、Ａｌ_２Ｏ_３などの透明な中屈折材料が挙げられる。
または、埋め込み層２８の代わりに、パッド電極２４の上面と同じ高さ保護層が形成されて平坦化された発光素子を用いて、波長変換部材１と直接接合させてもよい。この直接接合により、発光素子から蛍光体層への光取り込みの向上、蛍光体の放熱向上を図ることができ、結果として明るさを向上させることができる。また、発光素子直上の樹脂材料が無くなることにより、短波の励起光による光劣化が抑制され、長寿命の発光素子を得ることができる。

１ 波長変換部材
２ 波長変換板
３ 貫通孔
４ 透明層
５ ビアフィル電極
１０ 波長変換原板
２０ 発光素子
２４ パッド電極
２５ 金属接合部
２６ 透明樹脂層
２７ ボンディングパッド
３０ 発光装置

Claims (9)

1. 光取り出し側に電極を有する発光素子の前記光取り出し側に配置され、前記発光素子からの出射光の波長を変換する波長変換部材であって、
   前記出射光により励起される蛍光体を含み、前記電極に対応して表裏面を貫通する貫通孔が形成された波長変換板と、
   前記貫通孔に充填された導電性材料からなり、上面が波長変換板の表面側に露出するビアフィル電極とを備え、
   該ビアフィル電極は、当該ビアフィル電極の外周面を覆う金属層を有し、
   前記金属層の反射率は、その内側に配置された前記導電性材料の反射率よりも高いことを特徴とする波長変換部材。
2. 光取り出し側に電極を有する発光素子の前記光取り出し側に配置され、前記発光素子からの出射光の波長を変換する波長変換部材であって、
   前記出射光により励起される蛍光体を含み、前記電極に対応して表裏面を貫通する貫通孔が形成された波長変換板と、
   前記貫通孔に充填された導電性材料からなり、上面が波長変換板の表面側に露出するビアフィル電極と、
   前記貫通孔を臨む前記波長変換板の内周面を被覆する透明層を備え、
   該透明層の屈折率は、前記波長変換板の母材の屈折率よりも低いことを特徴とする波長変換部材。
3. 前記貫通孔を臨む前記波長変換板の内周面を被覆する透明層を備え、
   前記透明層の屈折率は、前記波長変換板の母材の屈折率よりも低い請求項１に記載の波長変換部材。
4. 前記透明層の厚みは、０．１μｍ以上である請求項３に記載の波長変換部材。
5. 光取り出し側に電極を有する発光素子と、
   前記光取り出し側に配置され、前記ビアフィル電極が前記電極と対向配置された請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の波長変換部材と、
   前記電極と前記ビアフィル電極との間に設けられて前記電極と前記ビアフィル電極とを接合している金属接合部とを備える発光装置。
6. 前記発光素子と前記波長変換部材との隙間に充填された透明樹脂からなる透明樹脂層を備える請求項５に記載の発光装置。
7. 光取り出し側に電極を有する発光素子と、
   前記光取り出し側に配置され、前記ビアフィル電極が前記電極と対向配置された請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の波長変換部材とを備える発光装置であって、
   前記波長変換板の下面とビアフィル電極の下面とからなる前記波長変換部材の下面は、電極面と非電極面とからなる前記発光素子の上面に直接接合されている発光装置。
8. 波長変換部材を複数個含む波長変換原板と、光取り出し側に電極を有する発光素子を複数個基板上に備える発光素子群とを用いて、発光装置を製造する発光装置の製造方法であって、
   前記波長変換部材が、前記発光素子の前記光取り出し側に配置され、前記発光素子からの出射光により励起される蛍光体を含み、前記電極に対応して表裏面を貫通する貫通孔が形成された波長変換板と、前記貫通孔に充填された導電性材料からなり、上面が波長変換板の表面側に露出するビアフィル電極とを備えており、
   前記製造方法が、
   前記波長変換原板のビアフィル電極と前記発光素子群の電極とを金属接合させる金属接合工程と、
   前記金属接合された前記波長変換原板と前記発光素子群との隙間に透明樹脂を充填して接着させる接着工程と、
   前記接着された前記波長変換原板と前記発光素子群とをダイシングするダイシング工程とを含むことを特徴とする発光装置の製造方法。
9. 前記ダイシング工程後に、前記ビアフィル電極の上面にワイヤをボンディングするワイヤボンディング工程をさらに含む請求項８に記載の発光装置の製造方法。

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