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JP6256026B2 - 発光装置及び発光装置の製造方法 - Google Patents

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JP6256026B2 JP2014006877A JP2014006877A JP6256026B2 JP 6256026 B2 JP6256026 B2 JP 6256026B2 JP 2014006877 A JP2014006877 A JP 2014006877A JP 2014006877 A JP2014006877 A JP 2014006877A JP 6256026 B2 JP6256026 B2 JP 6256026B2
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伸治 中村
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    • H01L2224/05624—Aluminium [Al] as principal constituent
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    • H01L2224/05638—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/05644—Gold [Au] as principal constituent
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    • H01L2224/05638—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/05647—Copper [Cu] as principal constituent
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    • H01L2224/05638—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/05655—Nickel [Ni] as principal constituent
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    • H01L2224/05663—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
    • H01L2224/05664—Palladium [Pd] as principal constituent
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    • H01L2224/056—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/05663—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
    • H01L2224/05666—Titanium [Ti] as principal constituent
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    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/05599—Material
    • H01L2224/056—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/05663—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
    • H01L2224/05669—Platinum [Pt] as principal constituent
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    • H01L2224/05599—Material
    • H01L2224/056—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/05663—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
    • H01L2224/05671—Chromium [Cr] as principal constituent
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    • H01L2224/05673—Rhodium [Rh] as principal constituent
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Description

本発明は、半導体発光素子と内部配線を有する樹脂層とを備える発光装置に関する。
発光ダイオード等の半導体発光素子（発光素子）を用いた発光装置は小型化が容易で、かつ高い発光効率が得られることから広く用いられている。
例えば、携帯電話等の液晶ディスプレイのバックライトに適した発光装置が、特許文献１に記載されている。特許文献１に記載された発光装置は、発光素子と、発光素子が電気的に接続されたリードフレームと、正面に開口を有し、リードフレームの一部を底面から突出させた樹脂からなるパッケージとから構成され、樹脂パッケージから突出したリードフレーム部で実装基板と接合される。
特許文献１に記載の発光装置のように、フェイスアップ型の発光素子をリードフレーム等にマウントし、発光素子とリードフレームとの間をボンディングワイヤ等により接続すると、発光素子の表面に垂直な方向から観察した場合に、ボンディングワイヤの一部が発光素子よりも外側に位置する必要があり小型化に限界があった。また、リードフレームを用いてパッケージ化すること自体により、発光装置の小型化に限界があった。
一方、フェイスダウン型（フリップチップ型の形態を取ることが多い）では、発光素子の表面に設けたパッド電極と、実装基板上に設けた配線とを、実装基板の表面に垂直な方向から観察した場合に発光素子の内側に位置するバンプ又は金属ピラー等の接続手段により電気的に接続することが可能である。
これにより、発光装置のサイズ（とりわけ実装基板の基板面に垂直な方向から観察したサイズ）を発光素子のチップに近いレベルまで小型化したＣＳＰ（Chip Size Package又はChip Scale Package）を実現することができる。
そして、最近ではより一層の小型化を進めるため、又は発光効率をより高めるために、サファイア等の成長基板（透光性基板）を除去、又はその厚さを薄くしたフェイスダウン型の発光装置が用いられている。
成長基板は、その上に発光素子を構成するｎ型半導体層及びｐ型半導体層を成長させるために用いる基板であって、厚さが薄く強度の低い発光素子を支持することにより発光装置の強度を向上させる効果も有している。
このため、例えば、特許文献２に示されるように、発光素子を形成した後に、成長基板を除去した発光装置又は成長基板の厚さを薄くした発光装置では、発光素子を支持するために電極側（実装基板と対向する側）に樹脂層を設けるとともに、この樹脂層を貫く金属ピラーを形成して、この金属ピラーにより発光素子の電極と実装基板に設けた配線（配線層）とを電気的に接続している。
そして、この金属ピラーを含む樹脂層を有することで発光装置は十分な強度を確保することができる。また、ＣＳＰは、複数個をウエハ上でまとめて形成するウエハレベルでの製造（ＷＣＳＰ）に適しており、小型化とともに生産性にも優れるものである。
特開２００８−１９８８０７号公報 特開２０１０−１４１１７６号公報
ここで、液晶ディスプレイ等のバックライト用光源として用いられる発光装置には、バックライト用導光板における光の入射面に対して、発光装置の実装面が平行となるトップビュー型と、実装面が導光板の入射面に対して垂直となるサイドビュー型との２種類の実装形態がある。
特許文献２に記載された発光装置のようなＣＳＰをウエハレベルで作製する場合は、発光素子の裏面側に樹脂層を介して外部接続用の電極が設けられるため、トップビュー型の発光装置となる。
一方、サイドビュー型の発光装置は、例えば、特許文献１に記載の発光装置のように、サイドビュー型実装が可能なように形成されたリードフレームを用いてパッケージ化することで作製することができる。この場合は、前記したように小型化に限界がある。
また、特許文献２に記載の発光装置にように、ＣＳＰとして形成する場合は、ウエハレベルで作製したＣＳＰを個片化し、個片化の際の割断面として生成されるＣＳＰの側面に外部接続用の電極を形成する必要がある。そのため、個片化後の工程はウエハレベルとはならず、ウエハレベルによるＣＳＰでサイドビュー型実装を可能とすることは難しかった。
そこで本発明は、サイドビュー型実装が可能で、ウエハレベルによる製造が可能なＣＳＰ型の発光装置及びその製造方法を提供することを課題とする。
前記した課題を解決するために、本発明に係る発光装置の製造方法は、ｐ型半導体層及びｎ型半導体層を積層してなる半導体積層体を有し、前記半導体積層体の一方の面に、前記ｐ型半導体層と電気的に接続されるｐ側電極及び前記ｎ型半導体層と電気的に接続されるｎ側電極を有する半導体発光素子を備える発光装置の製造方法であって、成長基板上に複数の前記半導体発光素子が配列して形成されたウエハを準備する発光素子準備工程と、前記半導体積層体の一方の面側に、前記ｐ側電極と接続するｐ側内部配線と、前記ｎ側電極と接続するｎ側内部配線とを内部に有する樹脂層を形成する樹脂層形成工程と、前記複数の半導体発光素子間の境界領域において、前記樹脂層の上面側から前記樹脂層の厚さ方向の一部又は全部を、除去される前記樹脂層の範囲の前記ｐ側内部配線及び前記ｎ側内部配線とともに除去することにより、前記ｐ側内部配線及び前記ｎ側内部配線を露出させる内部配線露出工程と、前記ｐ側内部配線の露出部と電気的に接続するｐ側外部接続用電極と、前記ｎ側内部配線の露出部と電気的に接続するｎ側外部接続用電極とを形成する外部接続用電極形成工程と、前記ウエハを複数の前記半導体発光素子に個片化する個片化工程と、を含むように行う。
また、本発明に係る発光装置は、ｐ型半導体層及びｎ型半導体層を積層してなる半導体積層体を有し、前記半導体積層体の一方の面に、前記ｐ型半導体層と電気的に接続されるｐ側電極及び前記ｎ型半導体層と電気的に接続されるｎ側電極を有する半導体発光素子と、前記半導体積層体の前記一方の面側に設けられる樹脂層を有する支持体と、を備え、前記支持体は、ｐ側外部接続用電極及びｎ側外部接続用電極が側面に設けられ、前記ｐ側電極と前記ｐ側外部接続用電極との間を電気的に接続するｐ側内部配線と、前記ｎ側電極と前記ｎ側外部接続用電極との間を電気的に接続するｎ側内部配線とを前記樹脂層の内部に有し、前記ｐ側外部接続用電極及び前記ｎ側外部接続用電極が設けられる前記樹脂層の側面は、前記半導体発光素子が設けられた側の端部を含む面と、前記ｐ側外部接続用電極及び前記ｎ側外部接続用電極が設けられた面と、が同一面上にないように構成する。
本発明の発光装置の製造方法によれば、発光素子の境界領域の樹脂層及び内部配線を除去することで発光装置の側面を形成し、当該側面に、内部配線と電気的に接続する外部接続用電極を形成するため、サイドビュー型実装が可能なＣＳＰ型の発光装置をウエハレベルで製造することができる。
また、本発明の発光装置によれば、樹脂層の側面に外部接続用電極を有するため、サイドビュー型実装をすることができる。
本発明の第１実施形態に係る発光装置の構成を示す模式図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線における断面図である。 （ａ）は図１（ａ）のＢ−Ｂ線における断面図、（ｂ）は図１（ａ）のＣ−Ｃ線における断面図である。 本発明の第１実施形態における発光素子の構成の一例を示す模式図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線における断面図である。 本発明の第１実施形態における発光素子の構成の他の例を示す模式図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線における断面図である。 （ａ）は図４（ａ）のＢ−Ｂ線における断面図、（ｂ）は図４（ａ）のＣ−Ｃ線における断面図である。 本発明の第１実施形態に係る発光装置の製造方法の流れを示すフローチャートである。 本発明の第１実施形態に係る発光装置の製造工程において、発光素子準備工程を示す模式図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線における断面図、（ｃ）は（ａ）のＢ−Ｂ線における断面図、（ｄ）は（ａ）のＣ−Ｃ線における断面図である。 本発明の第１実施形態に係る発光装置の製造工程において、ワイヤ配線工程を示す模式図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ線における断面図、（ｃ）は（ａ）のＣ−Ｃ線における断面図である。 本発明の第１実施形態に係る発光装置の製造工程の一部を示す模式的断面図であり、（ａ）は樹脂層形成工程、（ｂ）は成長基板除去工程、（ｃ）は蛍光体層形成工程を示す。 本発明の第１実施形態に係る発光装置の製造工程において、内部配線露出工程を示す模式図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＤ−Ｄ線における断面図、（ｃ）は（ａ）のＢ−Ｂ線における断面図である。 本発明の第１実施形態に係る発光装置の製造工程の一部を示す、図１０（ａ）のＢ−Ｂ線に相当する箇所の模式的断面図であり、（ａ）は外部接続用電極形成工程、（ｂ）は個片化工程を示す。 本発明の第１実施形態の変形例に係る発光装置の構成を示す模式的断面図である。 本発明の第１実施形態の変形例に係る発光装置の製造工程において、ワイヤ配線工程を示す模式図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ線における断面図である。 本発明の第２実施形態に係る発光装置の構成を示す模式図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線における断面図である。 （ａ）は図１４（ａ）のＢ−Ｂ線における断面図、（ｂ）は図１４（ａ）のＣ−Ｃ線における断面図である。 本発明の第２実施形態に係る発光装置の製造方法の流れを示すフローチャートである。 本発明の第２実施形態に係る発光装置の製造工程の一部を示す、図１４（ａ）のＡ−Ａ線に相当する箇所の模式的断面図であり、（ａ）は第１メッキ層形成工程、（ｂ）は第１樹脂層形成工程、（ｃ）は第１樹脂層切削工程を示す。 本発明の第２実施形態に係る発光装置の製造工程において、第２メッキ層形成工程を示す模式図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線における断面図、（ｃ）は（ａ）のＢ−Ｂ線における断面図である。 本発明の第２実施形態に係る発光装置の製造工程において、第２樹脂層形成工程を示す模式図であり、（ａ）は図１８（ａ）のＡ−Ａ線に相当する箇所の断面図、（ｂ）は図１８（ａ）のＢ−Ｂ線に相当する箇所の断面図である。 本発明の第２実施形態に係る発光装置の製造工程において、内部配線露出工程を示す模式図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線における断面図、（ｃ）は（ａ）のＢ−Ｂ線における断面図である。 本発明の第２実施形態に係る発光装置の製造工程において、外部接続用電極形成工程の第１サブ工程であるレジストパターン形成工程を示す模式図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線における断面図、（ｃ）は（ａ）のＥ−Ｅ線における断面図である。 本発明の第２実施形態に係る発光装置の製造工程において、外部接続用電極形成工程を示す模式図であり、（ａ）は図２１（ａ）のＡ−Ａ線に相当する箇所の断面図、（ｂ）は図２１（ａ）のＢ−Ｂ線に相当する箇所の断面図である。 本発明の第２実施形態に係る発光装置の製造工程の一部を示す、図２１（ａ）のＡ−Ａ線に相当する箇所の模式的断面図であり、（ａ）は成長基板除去工程、（ｂ）は蛍光体層形成工程を示す。 本発明の第２実施形態に係る発光装置の製造工程において、個片化工程を示す模式図であり、（ａ）は図２１（ａ）のＡ−Ａ線に相当する箇所の断面図、（ｂ）は図２１（ａ）のＢ−Ｂ線に相当する箇所の断面図である。 本発明の第２実施形態の変形例における製造工程の一部を示す、図２１（ａ）のＡ−Ａ線に相当する箇所の模式的断面図であり、（ａ）は第１レジストパターン形成工程、（ｂ）は第１樹脂層形成工程、（ｃ）は第１樹脂層切削工程、（ｄ）は第１レジストパターン除去工程を示す。 本発明の第２実施形態の変形例における製造工程の一部を示す、図２１（ａ）のＡ−Ａ線に相当する箇所の模式的断面図であり、（ａ）はメッキ層形成工程、（ｂ）は第２レジストパターン形成工程、（ｃ）はエッチング工程、（ｄ）は第２レジストパターン除去工程を示す。 本発明の第３実施形態に係る発光装置の構成を示す模式図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線における断面図である。 （ａ）は図２７（ａ）のＢ−Ｂ線における断面図、（ｂ）は図２７（ａ）のＣ−Ｃ線における断面図である。 本発明の第３実施形態に係る発光装置の製造方法の流れを示すフローチャートである。 本発明の第３実施形態に係る発光装置の製造工程において、ワイヤ配線工程を示す模式図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線における断面図である。 本発明の第３実施形態に係る発光装置の製造工程の一部を示す、図３０（ａ）のＡ−Ａ線に相当する箇所の模式的断面図であり、（ａ）は第１樹脂層形成工程、（ｂ）は第１樹脂層切削工程を示す。 本発明の第３実施形態に係る発光装置の製造工程において、メッキ層形成工程を示す模式図であり、（ａ）は図３０（ａ）のＡ−Ａ線に相当する箇所の断面図であり、（ｂ）は図３０（ａ）のＢ−Ｂ線に相当する箇所の断面図である。 本発明の第３実施形態に係る発光装置の製造工程において、第２樹脂層形成工程を示す模式図であり、図３０（ａ）のＡ−Ａ線に相当する箇所の断面図である。 本発明の第３実施形態に係る発光装置の製造工程において、第２樹脂層切削工程を示す模式図であり、（ａ）は図３０（ａ）のＡ−Ａ線に相当する箇所の断面図、（ｂ）は図３０（ａ）のＢ−Ｂ線に相当する箇所の断面図である。 本発明の第３実施形態に係る発光装置の製造工程において、内部配線露出工程を示す模式図であり、（ａ）は図３０（ａ）のＡ−Ａ線に相当する箇所の断面図、（ｂ）は図３０（ａ）のＢ−Ｂ線に相当する箇所の断面図である。 本発明の第３実施形態に係る発光装置の製造工程において、外部接続用電極形成工程を示す模式図であり、（ａ）は図３０（ａ）のＡ−Ａ線に相当する箇所の断面図、（ｂ）は図３０（ａ）のＢ−Ｂ線に相当する箇所の断面図である。 本発明の第３実施形態に係る発光装置の製造工程の一部を示す、図３０（ａ）のＡ−Ａ線に相当する箇所の模式的断面図であり、（ａ）は成長基板除去工程、（ｂ）は蛍光体層形成工程を示す。 本発明の第３実施形態に係る発光装置の製造工程において、個片化工程を示す模式図であり、（ａ）は図３０（ａ）のＡ−Ａ線に相当する箇所の断面図、（ｂ）は図３０（ａ）のＢ−Ｂ線に相当する箇所の断面図である。 （ａ）は、本発明においてバンプ積層体を形成する様子を示す模式的断面図であり、（ｂ）は金属ワイヤを接合する様子を示す模式的断面図である。 本発明の第３実施形態に係る発光装置をサイドビュー型実装した様子を示す模式図であり、（ａ）は図２７（ｂ）のＦ−Ｆ線に相当する箇所の断面図、（ｂ）は図２７（ａ）のＢ−Ｂ線に相当する箇所の断面図である。 本発明の第３実施形態に係る発光装置をトップビュー型実装した様子を示す模式図であり、（ａ）は図２７（ａ）のＡ−Ａ線に相当する箇所の断面図、（ｂ）は図２７（ａ）のＢ−Ｂ線に相当する箇所の断面図である。
以下、本発明に係る発光装置及びその製造方法の実施形態について説明する。
なお、以下の説明において参照する図面は、本発明を概略的に示したものであるため、各部材のスケールや間隔、位置関係などが誇張、あるいは、部材の一部の図示が省略されている場合がある。また、平面図とその断面図において、各部材のスケールや間隔が一致しない場合もある。また、以下の説明では、同一の名称及び符号については原則として同一又は同質の部材を示しており、詳細な説明を適宜省略することとする。
また、本発明の各実施形態に係る発光装置において、「上」、「下」、「左」及び「右」などは、状況に応じて入れ替わるものである。本明細書において、「上」、「下」などは、説明のために参照する図面において構成要素間の相対的な位置を示すものであって、特に断らない限り絶対的な位置を示すことを意図したものではない。
＜第１実施形態＞
［発光装置の構成］
まず、図１及び図２を参照して、本発明の第１実施形態に係る発光装置の構成について説明する。
第１実施形態に係る発光装置１００は、図１及び図２に示すように、成長基板が除去されたＬＥＤ（発光ダイオード）構造を有する半導体発光素子１（以下、適宜に「発光素子」と呼ぶ）と、発光素子１の一方の面側に設けられた支持体３と、発光素子１の他方の面側に設けられた蛍光体層（波長変換層）２とから構成されるＣＳＰである。発光素子１の一方の面側には、ｎ側電極１３及びｐ側電極１５が設けられ、支持体３の母体である樹脂層３１内に設けられた内部配線である金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐを介して、それぞれ、樹脂層３１の長手方向の一方の側面（ＸＺ平面に平行な側面）に設けられたｎ側外部接続用電極３４ｎ及びｐ側外部接続用電極３４ｐと電気的に接続されている。
このため、発光装置１００は、ｎ側外部接続用電極３４ｎ及びｐ側外部接続用電極３４ｐが設けられた長手方向の一方の側面を実装面とするサイドビュー型実装が可能なように構成されている。また、図２（ａ）及び図２（ｂ）に示すように、発光装置１００の長手方向の側面には、高さ方向（Ｚ軸方向）の位置ＨＣを境として段差が設けられ、位置ＨＣよりも下部が上部よりも平面視で内側になるように形成されている。
なお、詳細は後記するが、発光装置１００は、ウエハレベルで作製されるＷＣＳＰ（ウエハプロセスによるＣＳＰ）である。
また、本実施形態における発光装置１００は、蛍光体層２によって、発光素子１が発光する光の一部又は全部を異なる波長の光に変換し、波長変換した光又は波長変換した光及び発光素子１が発光した光を出力光とするものである。例えば、発光素子１が青色光を発光し、蛍光体層２が青色光の一部を吸収して黄色光に波長変換するように構成することで、発光装置１００を、青色光と黄色光とを混色した白色光を出力する白色光源とすることができる。
なお、本実施形態及び後記する他の実施形態において、発光装置１００などは蛍光体層２を備えているが、ＣＳＰを構成する上で蛍光体層２は必須ではなく、設けないようにしてもよい。
なお、本明細書では、各図に適宜に座標軸を付して示すように、便宜上、発光素子１のｎ側電極１３及びｐ側電極１５が設けられた面の法線方向を「＋Ｚ軸方向」とし、＋Ｚ軸方向から−Ｚ軸方向を観察することを平面視と呼ぶ。また、平面視で長方形の形状を有する発光素子１の、長手方向をＸ軸方向とし、短手方向をＹ軸方向とする。
また、断面図として示した図は、図４０（ａ）を除き、何れもＸＹ平面に垂直な面（すなわち、ＸＺ平面又はＹＺ平面に平行な面）による断面を示すものである。なお、図４０（ａ）は、ＸＹ平面に平行な面による断面を示すものである。
次に、発光装置１００の各部の構成について順次に詳細に説明する。
発光素子１は、平面視で略長方形の板状の形状を有しており、一方の面側にｎ側電極１３及びｐ側電極１５を備えたフェイスダウン型のＬＥＤチップである。
（発光素子の例）
ここで、図３を参照して、発光素子１の一例について詳細に説明する。
図３に示した発光素子１は、ｎ型半導体層１２ｎとｐ型半導体層１２ｐとを積層した半導体積層体１２を備えている。半導体積層体１２は、ｎ側電極１３及びｐ側電極１５間に電流を通電することにより発光するようになっており、ｎ型半導体層１２ｎとｐ型半導体層１２ｐとの間に発光層１２ａを備えることが好ましい。
半導体積層体１２には、ｐ型半導体層１２ｐ及び発光層１２ａが部分的に存在しない領域、すなわちｐ型半導体層１２ｐの表面から窪んだ領域（この領域を「段差部１２ｂ」と呼ぶ）が形成されている。段差部１２ｂの底面はｎ型半導体層１２ｎの露出面であり、段差部１２ｂには、ｎ側電極１３が形成されている。また、ｐ型半導体層１２ｐの上面の略全面には、全面電極１４が設けられている。全面電極１４は、良好な反射性を有する反射電極１４ａと、反射電極１４ａの上面及び側面の全体を被覆するカバー電極１４ｂとによって構成されている。また、カバー電極１４ｂの上面の一部にｐ側電極１５が形成されている。
また、発光素子１のパッド電極であるｎ側電極１３及びｐ側電極１５の表面を除き、半導体積層体１２及び全面電極１４の表面は、絶縁性を有する保護層１６で被覆されている。
半導体積層体１２は、ＧａＮ、ＧａＡｓ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＩｎＧａＰ、ＧａＰ、ＳｉＣ、ＺｎＯのように、半導体発光素子に適した材料を用いることができる。本実施形態においては、発光素子１が発光する光の一部が、蛍光体層２によって異なる波長の光に変換されるため、発光波長の短い青色や紫色に発光する半導体積層体１２が好適である。
ｎ型半導体層１２ｎ、発光層１２ａ及びｐ型半導体層１２ｐは、ＩｎＸＡｌＹＧａ１−Ｘ−ＹＮ（０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ＜１）等のＧａＮ系化合物半導体が好適に用いられる。また、これらの半導体層は、それぞれ単層構造でもよいが、組成及び膜厚等の異なる層の積層構造、超格子構造等であってもよい。特に、発光層１２ａは、量子効果が生ずる薄膜を積層した単一量子井戸又は多重量子井戸構造であることが好ましい。
半導体積層体１２としてＧａＮ系化合物半導体を用いる場合は、半導体層を結晶成長させるのに適した成長基板１１（図７参照）上に、例えば、ＭＯＣＶＤ法（有機金属気相成長法）、ＨＶＰＥ法（ハイドライド気相成長法）、ＭＢＥ法（分子線エピタキシャル成長法）等の公知の技術により形成することができる。また、半導体層の膜厚は特に限定されるものではなく、種々の膜厚のものを適用することができる。
また、半導体積層体１２をエピタキシャル成長させるための成長基板としては、例えば、半導体積層体１２をＧａＮ（窒化ガリウム）などの窒化物半導体を用いて形成する場合には、Ｃ面、Ｒ面、Ａ面の何れかを主面とするサファイアやスピネル（ＭｇＡｌ2Ｏ4）のような絶縁性基板、また炭化ケイ素（ＳｉＣ）、ＺｎＳ、ＺｎＯ、Ｓｉ、ＧａＡｓ、ダイヤモンド、及び窒化物半導体と格子接合するニオブ酸リチウム、ガリウム酸ネオジム等の酸化物基板が挙げられる。
なお、本実施形態では、発光装置１００の製造過程で、成長基板が半導体積層体１２から剥離して除去されるため、完成した発光装置１００における発光素子１は成長基板を有していない。
また、成長基板が除去された半導体積層体１２の下面、すなわちｎ型半導体層１２ｎの下面は粗面化により凹凸形状１２ｃを有することが好ましい。凹凸形状１２ｃを設けることにより、この面からの光取り出しの効率を向上させることができる。このような凹凸形状１２ｃは、ｎ型半導体層１２ｎの下面をウェットエッチングすることにより形成することができる。
全面電極１４は、電流拡散層及び反射層としての機能を有するものであり、反射電極１４ａとカバー電極１４ｂとを積層して構成されている。
反射電極１４ａは、ｐ型半導体層１２ｐの上面の略全面を覆うように設けられる。また、反射電極１４ａの上面及び側面の全体を被覆するように、カバー電極１４ｂが設けられている。反射電極１４ａは、カバー電極１４ｂ及びカバー電極１４ｂの上面の一部に設けられたｐ側電極１５を介して供給される電流を、ｐ型半導体層１２ｐの全面に均一に拡散するための導体層である。また、反射電極１４ａは良好な反射性を有し、発光素子１が発光する光を、光取り出し面である下方向に反射する反射膜としても機能する。ここで、反射性を有するとは、発光素子１が発光する波長の光を良好に反射することをいう。更に、反射電極１４ａは、蛍光体層２によって変換された後の波長の光に対しても良好な反射性を有することが好ましい。
反射電極１４ａは、良好な導電性と反射性とを有する金属材料を用いることができる。特に可視光領域で良好な反射性を有する金属材料としては、Ａｇ、Ａｌ又はこれらの金属を主成分とする合金を好適に用いることができる。また、反射電極１４ａは、これらの金属材料を単層で、又は積層したものが利用できる。
また、カバー電極１４ｂは、反射電極１４ａを構成する金属材料のマイグレーションを防止するためのバリア層である。特に反射電極１４ａとして、マイグレーションし易いＡｇを用いる場合には設けることが好ましい。
カバー電極１４ｂとしては、良好な導電性とバリア性とを有する金属材料を用いることができ、例えば、Ａｌ、Ｔｉ、Ｗ、Ａｕなどを用いることができる。また、カバー電極１４ｂは、これらの金属材料を単層で、又は積層したものが利用できる。
ｎ側電極１３は、ｎ型半導体層１２ｎが露出した半導体積層体１２の段差部１２ｂの底面に設けられている。また、ｐ側電極１５は、カバー電極１４ｂの上面の一部に設けられている。ｎ側電極１３はｎ型半導体層１２ｎに、ｐ側電極１５はカバー電極１４ｂ及び反射電極１４ａを介してｐ型半導体層１２ｐに、それぞれ電気的に接続して、発光素子１に外部からの電流を供給するためのパッド電極である。ｎ側電極１３及びｐ側電極１５には、支持体３（図１及び図２参照）の内部配線である金属ワイヤ３２ｎ及び金属ワイヤ３２ｐ等がそれぞれ接続される。
また、図３に示した例では、ｐ側電極１５は、本来のパッド電極であるパッド電極層１５ａと衝撃吸収層１５ｂとが積層されて構成されている。衝撃吸収層１５ｂは、必須の構成ではないが、金属ワイヤ３２ｐをワイヤボンディングする際の衝撃を緩和して、半導体積層体１２へのダメージを低減するためのものである。図２に示した例において、ｐ側電極１５のように、ワイヤボンディングとしてボールボンディングを行う場合は、接合部に印加される衝撃が比較的大きいため、衝撃吸収層１５ｂを設けることが好ましい。
ｎ側電極１３も、ｐ側電極１５と同様に、衝撃吸収層を設けるようにしてもよい。また、ｐ側電極１５を設けずに、全面電極１４の一部をパッド電極として、金属ワイヤ３２ｐを全面電極１４に直接接続するようにしてもよい。
ｎ側電極１３及びパッド電極層１５ａとしては、金属材料を用いることができ、例えば、Ａｇ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｒｈ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｗなどの単体金属又はこれらの金属を主成分とする合金などを好適に用いることができる。なお、合金を用いる場合は、例えば、ＡｌＳｉＣｕ合金のように、組成元素としてＳｉなどの非金属元素を含有するものであってもよい。また、ｎ側電極１３及びパッド電極層１５ａは、これらの金属材料を単層で、又は積層したものを利用することができる。
また、衝撃吸収層１５ｂは、パッド電極層１５ａと同様の材料を用いることができるが、上面に接続される金属ワイヤ３２ｐとの接合性の良好な材料を用いることが好ましい。例えば、金属ワイヤ３２ｐがＣｕである場合、衝撃吸収層１５ｂもＣｕを用いることが好ましい。
保護層１６は、絶縁性を有し、ｎ側電極１３及びｐ側電極１５の外部との接続部を除き、発光素子１の上面及び側面の全体を被覆する被膜である。保護層１６は、発光素子１の保護膜及び帯電防止膜として機能する。
また、半導体積層体１２の側面部に設けられる保護層１６の外側に反射層を設ける場合は、保護層１６は、発光素子１が発光した波長の光に対して、良好な透光性を有することが好ましい。更に、保護層１６は、蛍光体層２が波長変換した後の波長の光に対しても良好な透光性を有することが好ましい。
保護層１６としては、金属酸化物や金属窒化物を用いることができ、例えば、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ａｌからなる群より選択された少なくとも一種の酸化物又は窒化物を好適に用いることができる。
また、保護層１６として、屈折率の異なる２種以上の透光性誘電体を用いて積層し、ＤＢＲ（Distributed Bragg Reflector）膜を構成するようにしてもよい。ＤＢＲ膜によって、発光素子１の上面及び側面から漏出する光を反射して発光素子１内に戻すことで、発光素子１の光取り出し面である下面からの光取り出し効率を向上させることができる。ＤＢＲ膜としては、例えば、ＳｉＯ２とＮｂ２Ｏ５とを交互に積層した多層膜を挙げることができ、少なくとも３ペア以上、好ましくは７ペア以上の多層膜とすることにより、良好な反射率を得ることができる。
（発光素子の他の例）
次に、図４及び図５を参照して、発光素子の他の例について詳細に説明する。
なお、図３に示した例と同一又は対応する構成については、同じ符号を付して説明は適宜省略する。
図４及び図５に示した他の例の発光素子１Ａは、ｐ側のパッド電極であるｐ側電極１５が全面電極１４の上面の一部に形成されているとともに、ｎ側のパッド電極であるｎ側電極１３が、ｐ側電極１５が設けられた領域及びその近傍を除き、半導体積層体１２の上面及び側面の略全面に亘って、絶縁性の保護層１６を介して延在するように設けられている。このように、ｎ側電極１３又はｐ側電極１５を、発光素子１Ａの上面及び側面に広範囲に設けることにより、後記する支持体３の樹脂層３１に対して効率的に熱を伝導させることで放熱性を向上させることがきる。
なお、図４及び図５に示した例では、ｎ側電極１３を半導体積層体１２の上面及び側面の広範囲に延在するように設けたが、ｐ側電極１５を広範囲に設けるようにしてもよい。また、ｎ側電極１３及びｐ側電極１５の両方を、広範囲に相補的に設けるようにしてもよく、例えば、図４（ａ）において、発光素子１Ａの左半分の広範囲な領域にｐ側電極１５を設け、右半分の広範囲な領域にｎ側電極１３を設けるようにすることもできる。
また、ｎ側電極１３及び／又はｐ側電極１５を、反射電極１４ａが設けられない半導体積層体１２の側面にまで延在するように設け、反射膜として機能させるようにしてもよい。これによって、半導体積層体１２の側面から出射する光を半導体積層体１２内へ反射させ、発光素子１の光取り出し面である下面からの光取り出し効率を向上させることができる。
なお、ｎ側電極１３及び／又はｐ側電極１５を反射膜として機能させる場合は、これらの電極の少なくとも下層側（保護層１６側）に、良好な反射性を有する材料を用いることが好ましい。可視光に対して良好な反射性を有する材料としては、例えば、Ａｇ、Ａｌ又はこれらの金属を主成分とする合金を挙げることができる。
発光素子１Ａでは、半導体積層体１２の外周部の全周に、ｎ型半導体層１２ｎが露出する段差部１２ｂが設けられている。また、半導体積層体１２のｐ型半導体層１２ｐの上面の略全面には、反射電極１４ａ及びカバー電極１４ｂが積層された全面電極１４が設けられている。また、半導体積層体１２の下面の全部と、段差部１２ｂの底面の一部と、全面電極１４の上面の一部とを除き、半導体積層体１２及び全面電極１４の表面は、絶縁性の保護層１６によって被覆されている。また、発光素子１Ａは、発光素子１と同様に、ｎ型半導体層１２ｎの下面の全面に、凹凸形状１２ｃが形成されている。
また、段差部１２ｂの底面において、図４（ｂ）及び図５に示すように、保護層１６は開口部を有している。すなわち、この開口部がｎ型半導体層１２ｎが保護層１６によって被覆されていない領域であり、ｎ型半導体層１２ｎとｎ側電極１３との接合部１３ａとなっている。本例では、図４（ａ）にハッチングを施して示すように、半導体積層体１２の外周部の全周に亘り、接合部１３ａが設けられている。このように広範囲に亘って接合部１３ａを設けることにより、ｎ側電極１３を介して供給される電流を、ｎ型半導体層１２ｎに均等に拡散できるため、発光効率を向上させることができる。
なお、段差部１２ｂは、半導体積層体１２の外縁部の全周に設けるのではなく、一部に設けるようにしてもよい。段差部１２ｂを設ける領域を低減することにより、ｐ型半導体層１２ｐ及び発光層１２ａを有する領域が広くなり、発光量を増加させることができる。また、段差部１２ｂを、外縁部に代えて又は外縁部に加えて、平面視で半導体積層体１２の内側に設けるようにしてもよい。なお、段差部１２ｂを、半導体積層体１２の一部に偏在して設けずに、広範囲に断続的に設けることにより、段差部１２ｂの領域を過剰に増加させることなく、前記したように、ｎ型半導体層への電流拡散を均等にすることができる。例えば、段差部１２ｂを、図４及び図５に示した例のように半導体積層体１２の外縁部の全周に亘って連続して設けるのではなく、全周に亘って断続的に設けるようにしてもよい。
また、本実施形態における発光装置１００（図１及び図２参照）では、便宜的に発光素子として発光素子１を用いるものとして説明するが、図３に示した発光素子１、又は図４及び図５に示した発光素子１Ａの何れでも用いることができる。後記する他の実施形態においても同様に、発光素子１又は発光素子１Ａの何れでも用いることができる。
図１及び図２に戻って、発光装置１００の構成について説明を続ける。
蛍光体層（波長変換層）２は、発光素子１が発光する光の一部又は全部を吸収して、発光素子１が発光する波長とは異なる波長の光に変換する波長変換層である。蛍光体層２は、波長変換材料として蛍光体の粒子を含有する樹脂層として形成することができる。また、蛍光体層２は、凹凸形状１２ｃ（図３（ｂ）参照）が設けられた発光素子１の光取り出し面であるｎ型半導体層１２ｎの下面側に設けられている。
蛍光体層２の膜厚は、蛍光体の含有量や、発光素子１が発光する光と波長変換後の光との混色後の所望する色調などに応じて定めることができるが、例えば、１〜５００μｍとすることができ、５〜２００μｍとすることがより好ましく、１０〜１００μｍとすることが更に好ましい。
また、蛍光体層２における蛍光体の含有量は、単位面積当たりの質量で、０．１〜５０ｍｇ／ｃｍ２となるように調整することが好ましい。蛍光体の含有量をこの範囲にすることにより、色変換を十分に行うことができる。
蛍光体層２を構成する樹脂材料としては、発光素子１が発光した光及び蛍光体層２が含有する蛍光体が波長変換した後の光に対して良好な透光性を有するものを用いることが好ましい。
このような樹脂材料としては、例えば、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、ユリア樹脂、フェノール樹脂、アクリレート樹脂、ウレタン樹脂、フッ素樹脂若しくはこれらの樹脂を少なくとも１種以上含む樹脂、又はハイブリッド樹脂などを好適に用いることができる。
また、蛍光体（波長変換材料）としては、発光素子１が発光する波長の光によって励起されて、この励起光と異なる波長の蛍光を発する蛍光物質であれば特に限定されず、粒状の蛍光体を好適に用いることができる。粒状の蛍光体は、光散乱性及び光反射性を有するため、波長変換機能に加えて光散乱部材としても機能し、光の拡散効果を得ることができる。蛍光体は、樹脂層である蛍光体層２中にほぼ均一の割合で混合することが好ましい。また、蛍光体は、蛍光体層２中に、２種類以上を一様に混在させてもよいし、多層構造となるように分布させてもよい。
蛍光体としては、当該分野で公知のものを使用することができる。例えば、Ｃｅ（セリウム）で賦活されたＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）系蛍光体、Ｃｅで賦活されたＬＡＧ（ルテチウム・アルミニウム・ガーネット）系蛍光体、Ｅｕ（ユーロピウム）及び／又はＣｒ（クロム）で賦活された窒素含有アルミノ珪酸カルシウム（ＣａＯ−Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２）系蛍光体、Ｅｕで賦活されたシリケート（（Ｓｒ，Ｂａ）２ＳｉＯ４）系蛍光体、βサイアロン蛍光体、ＫＳＦ（Ｋ２ＳｉＦ６：Ｍｎ）系蛍光体などを挙げることができる。また、量子ドット蛍光体も用いることができる。
また、蛍光体層２に光拡散性を付与するために、透光性の無機化合物粒子、例えばＳｉ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｙなどの希土類若しくはＺｒ、Ｔｉなどの元素の、酸化物、炭酸塩、硫酸塩若しくは窒化物、又はベントナイト、チタン酸カリウムなどの複合塩などの無機フィラーを添加するようにしてもよい。このような無機フィラーの平均粒径は、前記した蛍光体の平均粒径の範囲と同程度の範囲のものとすることができる。
蛍光体層２は、溶剤に前記した樹脂、蛍光体粒子、その他の無機フィラー粒子を含有するスラリーを調整し、調整したスラリーをスプレー法、キャスト法、ポッティング法などの塗布法を用いて半導体積層体１２の下面に塗布し、その後に硬化させることにより形成することができる。
また、別途に蛍光体粒子を含有する樹脂板を作製し、当該樹脂板を半導体積層体１２の下面に接着することで形成することもできる。
なお、発光装置１００において、蛍光体層２を設けずに、半導体積層体１２の下面を光取り出し面として発光素子１が発光した光を直接出力するようにしてもよい。また、蛍光体層２に代えて、蛍光体を含有させずに、透光性の樹脂層を設けるようにしてもよく、光拡散性のフィラーを含有させた光拡散性の樹脂層を設けるようにしてもよい。
支持体３は、平面視で発光素子１の外形を内包する直方体形状をしており、発光素子１のｎ側電極１３及びｐ側電極１５が設けられた面側と接合するように設けられ、成長基板が除去された発光素子１の構造を機械的に保つための補強部材である。また、支持体３は、平面視で蛍光体層２と略同じ外形形状をしている。
支持体３は、樹脂層３１と、実装基板に実装するための外部接続用電極（ｎ側外部接続用電極３４ｎ及びｐ側外部接続用電極３４ｐ）と、ｎ側電極１３及びｐ側電極１５を、それぞれ対応する極性の外部接続電極と電気的に接続するための内部配線（金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐ）とを備えている。
樹脂層３１は、発光素子１の補強部材としての母体である。また、樹脂層３１は、図１（ｂ）及び図２に示すように、支持体３の外形形状と略同じであり、平面視で、発光素子１の外形形状を内包するとともに蛍光体層２と略同じ外形形状をしている。また、樹脂層３１は、発光素子１の上面及び側面を封止する封止樹脂層である。従って、発光素子１は、樹脂層３１と、下面側に設けられた樹脂層である蛍光体層２とによって全面が封止される。
また、樹脂層３１の長手方向の側面において、高さ方向の位置ＨＣを境として段差が設けられ、平面視で、下部が上部より内側となるように形成されている。
樹脂層３１は、ｎ側電極１３及びｐ側電極１５の電極面から略垂直方向に延伸した後にＬ字状（直角）に折れ曲がり、樹脂層３１の長手方向の一方の側面（ＸＺ平面と平行な面）に達する金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐを内部に有している。また、金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐの端面は、樹脂層３１の当該側面と同一面をなしている。
樹脂層３１の樹脂材料としては、前記した蛍光体層２に用いるのと同様の樹脂材料を用いることができる。また、圧縮成型により樹脂層３１を形成する場合は、原料として、例えば、粉状のエポキシ系樹脂であるＥＭＣ（エポキシ・モールド・コンパウンド）や粉状のシリコーン系樹脂であるＳＭＣ（シリコーン・モールド・コンパウンド）などを好適に用いることができる。
また、樹脂層３１には、熱伝導性を高めるため、熱伝導部材を含有させるようにしてもよい。樹脂層３１の熱伝導率を高めることにより、発光素子１が発生した熱を迅速に伝導して外部に放熱させることができる。
熱伝導部材としては、例えば、粒状のカーボンブラックやＡｌＮ（窒化アルミニウム）などを用いることができる。なお、熱伝導部材が導電性を有する材料の場合は、樹脂層３１が導電性を有さない範囲の粒子密度で熱伝導部材を含有させるものとする。
また、樹脂層３１として、透光性の樹脂材料に光反射性のフィラーを含有させた白色樹脂を用いるようにしてもよい。少なくとも、発光素子１の上面に接合する樹脂層３１の下層部に白色樹脂を用いて、発光素子１に隣接する側の樹脂層３１を光反射膜として機能させることにより、発光素子１の上面及び側面側から漏出する光を発光素子１内に戻すことができるため、発光素子１の光取り出し面である下面側からの光取り出し効率を向上させることができる。また、樹脂層３１が光反射膜としての機能を有する場合は、発光素子１の全面電極１４を、ＩＴＯ（インジウム・スズ酸化物）やＩＺＯ（インジウム・亜鉛酸化物）などの透光性導電材料を用いて形成するようにしてもよい。
樹脂層３１の厚さは、成長基板が剥離された発光素子１の補強部材として十分な強度を有するとともに、サイドビュー型で実装する際に、半田などの接着材料が電極接合部から蛍光体層２に回り込まないように、ｎ側外部接続用電極３４ｎ及びｐ側外部接続用電極３４ｐと、蛍光体層２との距離を考慮して下限を定めることができる。
例えば、補強部材としての観点からは樹脂層３１の厚さが５０μｍ程度以上とすることが好ましい。また、更に好ましくは、樹脂層３１の厚さを１００μｍ以上とすることで、樹脂層３１の側面部を実装面としてサイドビュー型で実装基板に実装する際に、発光装置１００を更に安定して実装することができる。また、接着材料の蛍光体層２への回り込み防止の観点からは、蛍光体層２からｎ側外部接続用電極３４ｎ及びｐ側外部接続用電極３４ｐまでは、１００μｍ程度以上離れるようにすることが好ましい。
なお、本実施形態では、金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐは、樹脂層３１の側面部でｎ側外部接続用電極３４ｎ及びｐ側外部接続用電極３４ｐと接続するため、樹脂層３１の厚さの上限については、特に限定されるものではない。
金属ワイヤ３２ｎは、樹脂層３１を、底面から長手方向の一方の側面にかけてＬ字状に折れ曲がりながら貫通するように設けられ、ｎ側電極１３とｎ側外部接続用電極３４ｎとの間を電気的に接続する内部配線である。また、金属ワイヤ３２ｎは、発光素子１が発生した熱を放熱するための熱伝達経路としても機能する。
なお、図１及び図２に示した例では、金属ワイヤ３２ｎは、Ｌ字状に折れ曲がるように設けられているが、これに限定されるものではなく、例えば、円弧状に配線されてもよく、任意の経路で配線することができる。
同様に、金属ワイヤ３２ｐは、樹脂層３１を、底面から長手方向の一方の側面にかけてＬ字状に折れ曲がりながら貫通するように設けられ、ｐ側電極１５とｐ側外部接続用電極３４ｐとの間を電気的に接続する内部配線である。金属ワイヤ３２ｐもまた、発光素子１が発生した熱を放熱するための熱伝達経路としても機能する。
なお、熱伝達経路としての金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐの熱抵抗を低減するためには、極力短い経路で配線されることが好ましい。
金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐとしては、良好な電気伝導性及び熱伝導性を有する材料を用いることが好ましく、例えば、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｇ又はこれらの金属を主成分とする合金などを好適に用いることができる。また、金属ワイヤの表面にコーティングを施したものであってもよい。また、発光素子１が発生する熱を効率よく伝導するために、ワイヤ径は２０μｍ程度以上とすることが好ましく、更に好ましくは３０μｍ程度以上と、太いほど好ましい。
なお、発光素子１のｎ側電極１３及びｐ側電極１５に配線可能なサイズであれば、ワイヤ径の上限は特に限定されるものではないが、ワイヤボンディングの際に、ワイヤボンダから半導体積層体１２にかかる衝撃で、半導体積層体１２にダメージが生じない程度、例えば、３ｍｍ程度以下とすることが好ましく、１ｍｍ程度以下とすることが更に好ましい。
また、安価に、より太いワイヤを利用するために、Ｃｕ、Ａｌ又はこれらを主成分とする合金からなるワイヤを好適に用いることができる。
また、ワイヤの形状は特に限定されず、円形の断面形状を有するワイヤの他に、楕円形や長方形などの断面形状を有するリボン状のワイヤを用いるようにしてもよい。
また、金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐの配線経路は、特に限定されるものではないが、金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐの熱抵抗と発光素子１の発熱量とを考慮して、発光素子１が過剰に温度上昇しないように、金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐの径と配線長とを定めることができる。
また、本実施形態のように、内部配線として金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐを用いると、配線経路を自由に設定することができるために、発光素子１のｎ側電極１３及びｐ側電極１５がどこに配置されていても、ｎ側電極１３及びｐ側電極１５と、ｎ側外部接続用電極３４ｎ及びｐ側外部接続用電極３４ｐとの間を容易に接続することができる。
なお、金属ワイヤ３２ｎとｎ側電極１３との接合及び金属ワイヤ３２ｐとｐ側電極１５との接合は、ワイヤボンダを用いて行うことができるが、ボールボンディング、ウェッジボンディングの何れの方法で接合してもよい。
例えば、図３に示した例では、金属ワイヤ３２ｐは、ボールボンディングによりｐ側電極１５と接合されている。この場合は、ワイヤの端面が、ワイヤボンディングの際の衝撃を吸収して、半導体積層体１２へのダメージを低減するように、衝撃吸収層１５ｂを上層として設けることが好ましい。また、図３に示した例では、金属ワイヤ３２ｎは、ワイヤ端部の側面がｎ側電極１３とウェッジボンディングにより接続されている。なお、図３に示した例は、ワイヤの接続方法の一例を示すものであり、これに限定されるものではない。例えば、何れの電極においても、ボールボンディングにより接続するようにしてもよく、ウェッジボンディングにより接続するようにしてもよい。特にウェッジボンディングを用いて接続することによって、金属ワイヤ３２を湾曲して配線することができるため、樹脂層３１の内部に占める金属の体積を増やすことができる。このため、発光素子１から生じる熱を更に効率よく伝導することができる。
ｎ側外部接続用電極３４ｎ及びｐ側外部接続用電極３４ｐは、発光装置１００を外部の実装基板に接合するためのパッド電極であり、内部配線である金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐの端面と電気的に接続するように設けられている。ｎ側外部接続用電極３４ｎ及びｐ側外部接続用電極３４ｐは、樹脂層３１の側面から突出するように形成される。このため、樹脂層３１から露出する金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐの端面の面積が小さい場合でも、ｎ側外部接続用電極３４ｎ及びｐ側外部接続用電極３４ｐを設けることにより、接合材料を介した実装時の接合面積が増加する。その結果として、発光装置１００と実装基板との接合性を高めることができる。
ｎ側外部接続用電極３４ｎ及びｐ側外部接続用電極３４ｐとしては、例えば、Ａｕ−Ｓｎ共晶半田などのＡｕ合金系の接合材料を用いた実装基板との接合性を高めるため、少なくとも最上層をＡｕで形成することが好ましい。例えば、金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐがＣｕ、Ａｌなどの、Ａｕ以外の金属で形成されている場合は、Ａｕとの密着性を高めるために、無電解メッキ法により、まず、Ｎｉの薄膜を形成し、Ｎｉ層の上層にＡｕ層を積層して形成することが好ましい。
また、ｎ側外部接続用電極３４ｎ及びｐ側外部接続用電極３４ｐは、総膜厚が０．１〜５μｍ程度、更に好ましくは０．５〜４μｍ程度とすることができる。
［発光装置の動作］
次に、図１〜図３を参照して、発光装置１００の動作について説明する。なお、説明の便宜上、発光素子１は青色光を発光し、蛍光体層２は黄色光を発光するものとして説明する。
発光装置１００は、不図示の実装基板を介してｎ側外部接続用電極３４ｎ及びｐ側外部接続用電極３４ｐ間に外部電源が接続されると、金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐを介して、発光素子１のｎ側電極１３及びｐ側電極１５間に電流が供給される。そして、ｎ側電極１３及びｐ側電極１５間に電流が供給されると、発光素子１の発光層１２ａが青色光を発光する。
発光素子１の発光層１２ａが発光した青色光は、半導体積層体１２内を伝播して、発光素子１の下面から出射して、一部は蛍光体層２に含有される蛍光体に吸収され、黄色光に変換されて外部に取り出される。また、青色光の一部は、蛍光体に吸収されずに蛍光体層２を透過して外部に取り出される。
なお、発光素子１内を上方向に伝播する光は、反射電極１４ａによって下方向に反射され、発光素子１の下面から出射する。
そして、発光装置１００の外部に取り出された黄色光及び青色光が混色することにより、白色光が生成される。
［発光装置の製造方法］
次に、図６を参照して、図１及び図２に示した発光装置１００の製造方法について説明する。
図６に示すように、発光装置１００の製造方法は、発光素子準備工程Ｓ１０１と、ワイヤ配線工程Ｓ１０２と、樹脂層形成工程Ｓ１０３と、成長基板除去工程Ｓ１０４と、蛍光体層形成工程（波長変換層形成工程）Ｓ１０５と、内部配線露出工程Ｓ１０６と、外部接続用電極形成工程Ｓ１０７と、個片化工程Ｓ１０８と、を含み、この順で各工程が行われる。
以下、図７〜図１１を参照（適宜図１〜図３及び図６参照）して、各工程について詳細に説明する。なお、図７〜図１１の各図において、発光素子１の詳細な構成（例えば、保護層１６、半導体積層体１２の積層構造など）については、記載を省略している。また、その他の各部材についても、形状、サイズ、位置関係を適宜に簡略化したり、誇張したりしている場合がある。後記する他の実施形態における製造工程の説明図についても同様である。
発光素子準備工程（ウエハ準備工程）Ｓ１０１は、例えば、図３に示した構成の発光素子１を準備する工程である。本実施形態における発光素子準備工程Ｓ１０１では、複数の発光素子１が一枚の成長基板１１上に配列されたウエハ状態で形成される。図７〜図１１では、平面視で、長手方向（Ｘ軸方向）に２個、短手方向に４個の発光素子１が形成される様子を示している。
なお、図７〜図１１において平面視と、複数の面による断面視とを示している場合があるが、各図での方向は座標軸で示している。
具体的には、まず、サファイアなどからなる成長基板１１の上面に、前記した半導体材料を用いて、ｎ型半導体層１２ｎ、発光層１２ａ及びｐ型半導体層１２ｐを順次積層して半導体積層体１２を形成する。
半導体積層体１２が形成されると、半導体積層体１２の上面の一部の領域について、ｐ型半導体層１２ｐ、発光層１２ａ及びｎ型半導体層１２ｎの一部をエッチングにより除去してｎ型半導体層１２ｎが底面に露出した段差部１２ｂを形成する。
また、段差部１２ｂの形成と同時に、発光素子１同士の境界領域をエッチングしてｎ型半導体層１２ｎを露出させるようにしてもよい。これによって、発光素子準備工程Ｓ１０１内の後工程で、半導体積層体１２の、少なくとも発光層１２ａが含まれる側面を保護層１６で被覆することができる。
更に、境界領域については、成長基板１１が露出するように、半導体積層体１２をすべて除去するようにしてもよい。これによって、個片化工程Ｓ１０８において、半導体積層体１２をダイシングする必要がなくなるため、樹脂からなる層のみのダイシングにより個片化を容易に行うことができる。なお、図７（ａ）〜図７（ｄ）に示した例では、発光素子１の境界領域（図７（ａ）〜図７（ｄ）において、太い破線で示した境界線４０の近傍領域）の半導体積層体１２は完全に除去されている。
次に、段差部１２ｂの底面にパッド電極であるｎ側電極１３を形成する。また、ｐ型半導体層１２ｐ及び発光層１２ａを有する発光領域となる領域には、ｐ型半導体層１２ｐの上面の略全面を被覆する反射電極１４ａと反射電極１４ａの上面及び側面を完全に被覆するカバー電極１４ｂとからなる全面電極１４を形成する。また、カバー電極１４ｂの上面の一部にパッド電極であるｐ側電極１５を形成する。
更に、ｎ側電極１３及びｐ側電極１５の表面を除くウエハの表面全体に、例えば、スパッタリングにより、ＳｉＯ２などの絶縁性材料を用いて、保護層１６を形成する。
以上により、図７（ａ）〜図７（ｄ）に示すように、ウエハ状態の発光素子１が形成される。
次に、ワイヤ配線工程Ｓ１０２において、図８（ａ）〜図８（ｃ）に示すように、成長基板１１上で長手方向の側面が対向する方向（Ｙ軸方向）に隣接する発光素子１同士について、ｎ側電極１３同士及びｐ側電極１５同士を接続するように、ワイヤボンダを用いて金属ワイヤ３２を配線する。配線された金属ワイヤ３２は、図８（ａ）及び図８（ｂ）に示すように、側面視（Ｘ軸方向から観察）でΠ字形状又は逆Ｕ字形状となるように配線する。このとき、ｎ側電極１３及びｐ側電極１５の金属ワイヤ３２の接合面からの最大高さ（Ｚ軸方向の距離）が、所定範囲の高さとなるように配線する。
ここで所定範囲の高さの上限は、図１（ｂ）及び図２に示した樹脂層３１の上面の高さである。すなわち、図９（ａ）に示すように、金属ワイヤ３２が樹脂層３１に埋没する高さである。
また、所定範囲の高さの下限は、境界線４０において、金属ワイヤ３２の下端と半導体積層体１２の下面とが離間すべき距離に相当する高さである。当該離間すべき距離は、前記した蛍光体層２とｎ側外部接続用電極３４ｎ及びｐ側外部接続用電極３４ｐとの距離に相当し、例えば、前記したように、例えば、１００μｍとすることができる。
次に、樹脂層形成工程Ｓ１０３において、図９（ａ）に示すように、発光素子１及び金属ワイヤ３２を完全に封止するように、例えば、金型を用いた圧縮成型により樹脂層３１を形成する。
次に、成長基板除去工程Ｓ１０４において、図９（ｂ）に示すように、例えば、ＬＬＯ（レーザーリフトオフ法）やケミカルリフトオフ法等により、成長基板１１を剥離して取り除く。このとき、半導体積層体１２は、樹脂層３１を母体とする支持体３により補強されているため、割れやひびなどの損傷を受けない。
なお、成長基板１１を除去せずに、裏面研磨を行うことで薄肉化するようにしてもよい。
また、成長基板１１を剥離後の後工程として、露出した半導体積層体１２の下面を研磨し、例えば、ウェットエッチング法により粗面化することで凹凸形状１２ｃ（図３（ｂ）、図４（ｂ）参照）を形成するようにしてもよい。
なお、剥離した成長基板１１は、表面を研磨することで、半導体積層体１２を結晶成長させるための成長基板１１として再利用することができる。
次に、蛍光体層形成工程（波長変換層形成工程）Ｓ１０５において、図９（ｃ）に示すように、半導体積層体１２の下面側に蛍光体層２を形成する。蛍光体層２は、前記したように、例えば、溶剤に樹脂及び蛍光体粒子を含有させたスラリーをスプレー塗布することにより形成することができる。
また、発光素子準備工程Ｓ１０１において、発光素子１の境界領域の半導体積層体１２を完全に除去しておいた場合は、半導体積層体１２は、樹脂からなる層である蛍光体層２及び樹脂層３１により全面が樹脂封止されることになる。
次に、内部配線露出工程Ｓ１０６において、図１０（ａ）〜図１０（ｃ）に示すように、境界線４０に沿って、上面側から溝３１ａ及び溝３１ｂを形成する。これによって、隣接する発光素子１同士に配線された内部配線である金属ワイヤ３２が境界線４０の箇所で切断され、金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐに分離される。そして、金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐの切断された端面３２ｎａ，３２ｐａが樹脂層３１の長手方向の側面から露出する。
また、溝３１ａの内側面が発光装置１００の長手方向の上部側面となり、溝３１ｂの内側面が短手方向の上部側面となる。
前記したように金属ワイヤ３２の切断面を、樹脂層３１の側面に露出させるために、少なくとも溝３１ａは、樹脂層３１の上面側から所定範囲の深さで、樹脂層３１及び蛍光体層２からなる樹脂の層の一部をダイシング（ハーフダイシング）して除去する。
ここで、溝３１ａは、後工程である外部接続用電極形成工程Ｓ１０７において、無電解メッキを行う際に、金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐの露出した端面３２ｎａ，３２ｐａにメッキ液が十分に行き渡るような幅で形成する。
なお、本工程では、金属ワイヤ３２の切断及び露出に関与しない溝３１ｂは、溝３１ａとは異なる深さでハーフダイシングして形成してもよく、本工程では溝３１ｂを形成せずに、個片化工程Ｓ１０８でＹ軸方向に沿って厚さ方向に完全に切断するフルダイシングを行うようにしてもよい。
ここで、図１０（ｂ）及び図１０（ｃ）に示すように、高さ方向（Ｚ軸方向）について、樹脂層３１の上面の位置をＨＡ、金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐの露出した端面３２ｎａ，３２ｐａの下端の位置をＨＢ、ハーフダイシングにより形成される溝３１ａ（及び溝３１ｂ）の下端の位置をＨＦ、発光素子１の下端の位置をＨＤ、蛍光体層２の下端の位置をＨＥとする。
溝３１ａの深さ、すなわち、位置ＨＦの下限（浅い方の限度）は、位置ＨＢである。位置ＨＦが位置ＨＢより下側とすることにより、金属ワイヤ３２を完全に切断して、切断面を樹脂層３１の側面から露出させることができる。また、位置ＨＦの上限（深い方の限度）は、後続する工程において、ウエハ状態が維持可能な強度を得られる位置である。位置ＨＦの上限は、樹脂の剛性や、樹脂層３１と蛍光体層２との接合強度に応じて適宜に定めることができる。例えば、蛍光体層２の下面の位置ＨＥから、樹脂層３１及び蛍光体層２を合わせた総膜厚の１／３以上となる位置とすることができる。
なお、発光素子１の境界領域に半導体積層体１２を有している場合や、成長基板１１を除去せずにそのまま、又は薄肉化して残している場合は、樹脂層３１を厚さ方向にすべて除去するように溝３１ａ及び溝３１ｂを形成してもよい。
次に、外部接続用電極形成工程Ｓ１０７において、無電解メッキにより、図１１（ａ）に示すように、金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐの端面３２ｎａ，３２ｐａ（図１０参照）に、Ａｕ膜からなるｎ側外部接続用電極３４ｎ及びｐ側外部接続用電極３４ｐを形成する。
なお、金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐがＡｕ以外のＣｕやＡｌの場合は、密着性を向上させるために、Ａｕ膜を形成する前に、下層側としてＮｉ膜を形成することが好ましい。
このように、金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐの端面３２ｎａ，３２ｐａにのみｎ側外部接続用電極３４ｎ及びｐ側外部接続用電極３４ｐを設ける場合は、無電解メッキ法により簡便にｎ側外部接続用電極３４ｎ及びｐ側外部接続用電極３４ｐを形成することができる。
なお、図１０（ａ）のＣ−Ｃ線に相当する断面については図示を省略したが、図１１（ａ）に示したｐ側の配線構造と同様に、ｎ側の配線構造が形成される。
最後に、個片化工程Ｓ１０８において、境界線４０（図１１（ａ）参照）に沿って、蛍光体層２の下面側からダイシングすることで、溝３１ａの下面に達する深さの溝３１ｃを形成する。また図示は省略したが、Ｙ軸方向に延伸する溝３１ｂについても同様に、蛍光体層２の下面側からダイシングすることで、溝３１ｂの下面に達する深さの溝を形成する。これによって、発光装置１００が個片化される。
なお、成長基板１１を除去せずに有している場合や、境界線４０の近傍領域に半導体積層体１２を有している場合は、成長基板１１や半導体積層体１２もダイシングする。
ここで、溝３１ｃを溝３１ａの下面に達するまでとは、溝３１ｃの上面の位置ＨＣが、溝３１ａの下面の位置ＨＦ（図１１（ａ）参照）よりも上方か同じになることをいうものである。これによって、溝３１ａと溝３１ｃとが連通して、発光装置１００が分離される。
また、溝３１ｃの幅は、溝３１ａよりも広くし、平面視で、溝３１ａが溝３１ｃに内包されるように形成することが好ましい。これによって、溝３１ａの中心線と溝３１ｃの中心線がずれている場合でも、確実に個片化することができ、更に、溝３１ｃの内側面である発光装置１００の下部側面が、溝３１ａの内側面である発光装置１００の上部側面よりも発光装置１００の内側となるように段差が形成される。このため、発光装置１００の実装面である長手方向の側面において、下部側面が、ｎ側外部接続用電極３４ｎ及びｐ側外部接続用電極３４ｐが設けられた上部側面よりも外側になることがない。従って、実装時に下部側面によってｎ側外部接続用電極３４ｎ及びｐ側外部接続用電極３４ｐと実装基板等の配線パターンとの密着性が妨げられずに、高い信頼性で発光装置１００を実装することができる。また、段差が形成されることにより、実装基板の実装面と発光装置１００の下部側面との間に空間ができるため、実装時に接着材料が蛍光体層２に回り込むことを抑制することができる。
以上の工程により、図１及び図２に示した発光装置１００が完成する。
なお、溝３１ｃの幅を、溝３１ａの幅よりも狭くして、平面視で、溝３１ｃが溝３１ａに内包されるように形成することもできる。これによって、発光装置１００の上部側面が下部側面よりも平面視で内側となるように段差が形成される。このように発光装置１００の実装面である側面を構成することによって、実装時に、段差によって接着材料の広がりを留めることができるため、接着材料が蛍光体層２にまで回り込むことを抑制することができる。
すなわち、ｎ側外部接続用電極３４ｎ及びｐ側外部接続用電極３４ｐが設けられる樹脂層３１の側面は、発光素子１が設けられた側（下面側）の端部を含む面である下部側面と、ｎ側外部接続用電極３４ｎ及び前記ｐ側外部接続用電極３４ｐが設けられた面である上部側面とが同一面上にないようにすることにより、実装時に接着材料が光取り出し面である蛍光体層２に回り込むことを抑制することができる。
＜変形例＞
［発光装置の構成］
次に、図１２を参照して、第１実施形態の変形例に係る発光装置について説明する。
図１２に示すように、本変形例に係る発光装置１００Ａは、図１及び図２に示した第１実施形態に係る発光装置１００が、長手方向の一方の側面に、ｎ側外部接続用電極３４ｎ及びｐ側外部接続用電極３４ｐを設けるのに対して、長手方向の両方の側面に、それぞれｎ側外部接続用電極３４ｎ及びｐ側外部接続用電極３４ｐを設けるように構成したものである。
なお、ｎ側の配線構造を示す断面については図示を省略したが、図１２に示したｐ側の配線構造と同様である。
このために、発光装置１００Ａは、発光装置１００における支持体３に代えて支持体３Ａを備えている。この支持体３Ａには、内部配線である金属ワイヤ３２ｐが、Ｔ字状に配線され、Ｔ字の縦線部に相当する部位の下端がｐ側電極１５と接合されるとともに、Ｔ字の横線部に相当する部位の両端面が、それぞれ樹脂層３１の長手方向の両側面に達するように設けられている。また、金属ワイヤ３２ｐの各端面には、ｐ側外部接続用電極３４ｐが設けられている。
なお、図示は省略したが、金属ワイヤ３２ｎについても、金属ワイヤ３２ｐと同様にＴ字状に配線され、各端面には、ｎ側外部接続用電極３４ｎが設けられる。
他の構成は、発光装置１００と同様であるから、説明は省略する。
［発光装置の動作］
本変形例に係る発光装置１００Ａは、ｎ側外部接続用電極３４ｎ及びｐ側外部接続用電極３４ｐが長手方向の両方の側面に設けられ、それに対応した金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐが設けられている。このため、は発光装置１００Ａには、長手方向の何れの側面を実装面としても、実装基板に実装することができる。実装に供されたｎ側外部接続用電極３４ｎ及びｐ側外部接続用電極３４ｐから電力が供給された後の発光装置１００Ａの動作は、発光装置１００と同様であるから説明は省略する。
［発光装置の製造方法］
次に、本変形例に係る発光装置１００Ａの製造方法について説明する。
本変形例に係る発光装置１００Ａは、図６に示した第１実施形態に係る発光装置１００の製造方法のワイヤ配線工程Ｓ１０２において、金属ワイヤ３２の配線方法を変更することで製造することができる。
ここで、図１３を参照して、本変形例におけるワイヤ配線工程Ｓ１０２について説明する。図１３に示すように、１本の金属ワイヤ３２を用いて、Ｙ軸方向に配列されている複数の発光素子１のｐ側電極１５について、順次に金属ワイヤ３２の側面部でウェッジボンディングにより接合する。このとき、図１３（ｂ）に示すように、発光素子１の横方向（Ｘ軸方向）の境界線４０をアーチ状に跨ぐように金属ワイヤ３２を配線する。同様にして、ｎ側電極１３についても、金属ワイヤ３２を配線する。
なお、他の工程については、第１実施形態に係る発光装置１００と同様に行うことで、図１２に示した発光装置１００Ａを製造することができるため、説明は省略する。
また、配線方法として、隣接する発光素子１の電極間同士を逐次に金属ワイヤ３２で接続するようにしてもよい。この配線方法について説明する。図８に示した例では、隣接する２個の発光素子１について、ｎ側電極１３間及びｐ側電極１５間にそれぞれ金属ワイヤ３２を配線されている。例えば、２段目に配置された発光素子１に着目すると、１段目に配置された発光素子１との間でのみ金属ワイヤ３２が配線されている。これに加えて、２段目に配置された発光素子１と、３段目に配置された発光素子１との間でも金属ワイヤ３２を配線する。このような配線方法によっても、発光装置１００Ａの樹脂層３１の長手方向の両側面に金属ワイヤ３２の端面が達するように設けることができる。
＜第２実施形態＞
［発光装置の構成］
次に、図１４及び図１５を参照して、第２実施形態に係る発光装置について説明する。
図１４及び図１５に示すように、第２実施形態に係る発光装置１００Ｂは、発光素子１と蛍光体層２と支持体３Ｂとを備えて構成されている。第２実施形態に係る発光装置１００Ｂは、図１及び図２に示した第１実施形態に係る発光装置１００に対して、支持体３に代えて支持体３Ｂを備えることが異なる。
発光素子１及び蛍光体層２は、第１実施形態に係る発光装置１００と同様のものを用いることができるため、詳細な説明は省略する。
本実施形態における支持体３Ｂは、発光素子１側から順に、内部配線として第１金属メッキ層３３１ｎ，３３１ｐを内部に有する第１樹脂層３１１と、内部配線として第２金属メッキ層３３２ｎ，３３２ｐを内部に有する第２樹脂層３１２とを積層して構成される樹脂層３１を備えている。また、支持体３Ｂの側面には、高さ方向（Ｚ軸方向）の位置ＨＣを境として段差が設けられ、位置ＨＣよりも下部が上部よりも平面視で内側になるように形成されている。また、支持体３Ｂの下面側に接続して設けられる蛍光体層２は、平面視で支持体３Ｂの底面と同じ形状に形成されている。
また、支持体３Ｂの位置ＨＣより上部において、内部配線である第２金属メッキ層３３２ｎ，３３２ｐとそれぞれ電気的に接続されるｎ側外部接続用電極３４ｎ及びｐ側外部接続用電極３４ｐが、電極間の領域を除き、側面及び上面を被覆するように設けられている。
このため、発光装置１００Ｂは、長手方向の何れの側面を実装面としてもサイドビュー型実装が可能であるとともに、上面を実装面とするトップビュー型実装も可能となるように構成されている。
樹脂層３１は、前記したように第１樹脂層３１１と第２樹脂層３１２とを積層して構成されている。
第１樹脂層３１１は、厚さ方向（Ｚ軸方向）に貫通するように、内部配線である第１金属メッキ層３３１ｎ，３３１ｐを内部に有している。また、前記した側面の段差の境である位置ＨＣは、第１樹脂層３１１の側面の上端の位置ＨＢから下端の位置ＨＤの間となるように設けられている。
第２樹脂層３１２は、下面、長手方向の側面、及び短手方向の側面から露出するように内部配線である第２金属メッキ層３３２ｎ，３３２ｐを内部に有している。
また、第１樹脂層３１１及び第２樹脂層３１２は良好に密着して一体化した樹脂層３１を形成している。
第１樹脂層３１１及び第２樹脂層３１２に用いられる樹脂材料は異なる材料を用いてもよいが、より良好な密着性を得るために、同じ樹脂材料を用いて形成することが好ましい。第１樹脂層３１１及び第２樹脂層３１２の樹脂材料としては、前記した第１実施形態と同様の樹脂材料を用いることができる。
第１樹脂層３１１及び／又は第２樹脂層３１２には、熱伝導性を高めるため、熱伝導部材を含有させるようにしてもよい。また、第１樹脂層３１１及び／又は第２樹脂層３１２として、透光性の樹脂材料に光反射性のフィラーを含有させた白色樹脂を用いるようにしてもよい。
少なくとも、発光素子１の上面に接合する第１樹脂層３１１に白色樹脂を用いて、第１樹脂層３１１を光反射膜として機能させることにより、発光素子１の上面及び側面側から漏出する光を発光素子１内に戻すことができるため、発光素子１の光取り出し面である下面側からの光取り出し効率を向上させることができる。この場合において、第２樹脂層３１２に含有させる熱伝導部材としては、光反射性を有さないカーボンブラックなどであっても好適に用いることができる。
本実施形態では、ｎ側電極１３及びｐ側電極１５と、ｎ側外部接続用電極３４ｎ及びｐ側外部接続用電極３４ｐとを電気的に接続する内部配線が、第１金属メッキ層３３１ｎ，３３１ｐと第２金属メッキ層３３２ｎ，３３２ｐとをそれぞれ積層して構成されている。
第１金属メッキ層３３１ｎ，３３１ｐは、第１樹脂層３１１を厚さ方向に貫通するように設けられ、それぞれｎ側電極１３及びｐ側電極１５の上面と電気的に接続されている。平面視において、第１金属メッキ層３３１ｎ，３３１ｐは、第２金属メッキ層３３２ｎ，３３２ｐの内側に内包されるように小さく形成されている。また、第１樹脂層３１１の側面において、高さ方向の位置ＨＣより下部においても第１樹脂層３１１から露出しない大きさで形成されている。
なお、図１４に示した例では、第１金属メッキ層３３１ｎ，３３１ｐは、平面視で矩形となる四角柱形状に形成されているが、これに限定されず、円柱や多角柱形状などであってもよい。
第２金属メッキ層３３２ｎ，３３２ｐは第２樹脂層３１２内に設けられ、下面は、それぞれ対応する極性の第１金属メッキ層３３１ｎ，３３１ｐと電気的に接続されている。第２金属メッキ層３３２ｎ，３３２ｐは、図１４（ａ）に示すように、平面視形状が、略正方形の外形から四隅を円弧で切り欠いた形状を有する柱状構造をしている。四隅の切り欠き部及び第２金属メッキ層３３２ｎと第２金属メッキ層３３２ｐとが対向する面を除き、第２金属メッキ層３３２ｎ，３３２ｐの側面は、第２樹脂層３１２に被覆されず、対応する３方向の側面と同一面となるように形成されている。また、第２金属メッキ層３３２ｎ，３３２ｐの上面は、第２樹脂層３１２により被覆されている。
なお、四隅を切り欠くことにより、第２金属メッキ層３３２ｎ，３３２ｐと第２樹脂層３１２との間の密着性を向上させるとともに、第１樹脂層３１１と第２樹脂層３１２との接合面積を増加させることにより、樹脂層３１として強固に一体化させることができる。
第１金属メッキ層３３１ｎ，３３１ｐ及び第２金属メッキ層３３２ｎ，３３２ｐは、電解メッキ法により形成することができ、良好な電気伝導性及び熱伝導性を有する金属材料を用いることが好ましい。このような金属材料としては、Ｃｕ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄを挙げることができる。更にこれらの中で、安価で、比較的に高い電気伝導性及び熱伝導性を有するＣｕを好適に用いることができる。
ｎ側外部接続用電極３４ｎ及びｐ側外部接続用電極３４ｐは、第２樹脂層３１２に被覆されない第２金属メッキ層３３２ｎ，３３２ｐの側面を被覆するように設けられるとともに、ｎ側外部接続用電極３４ｎ及びｐ側外部接続用電極３４ｐの間の領域を除き、更に樹脂層３１の位置ＨＣより上部の側面及び上面にまで延在して設けられている。
なお、ｎ側外部接続用電極３４ｎ及びｐ側外部接続用電極３４ｐを離間させる距離は、例えば、２００μｍ以上とすることが好ましい。これによって、実装時に導電性接着材料による短絡を防止することができる。
また、図１４（ａ）に示すように、上面側に設けられたｐ側外部接続用電極３４ｐの一部に、電極の極性を識別するための切り欠き部３４ａが設けられている。
ｎ側外部接続用電極３４ｎ及びｐ側外部接続用電極３４ｐは、スパッタリング法又は無電解メッキ法によって形成することができる。
スパッタリング法でｎ側外部接続用電極３４ｎ及びｐ側外部接続用電極３４ｐを、例えば、Ａｕを用いて形成する場合において、第２金属メッキ層３３２ｎ，３３２ｐがＡｕ以外の金属、例えばＣｕのときは、第２金属メッキ層３３２ｎ，３３２ｐとの密着性が向上するように、下層としてＮｉ膜を成膜し、その上にＡｕ膜を積層することが好ましい。
また、スパッタリング法による成膜後に、更に無電解メッキでＡｕ膜を成膜するようにしてもよい。これにより、剥がれの生じ難い強固なｎ側外部接続用電極３４ｎ及びｐ側外部接続用電極３４ｐを形成することができる。
また、ｎ側外部接続用電極３４ｎ及びｐ側外部接続用電極３４ｐを、第２金属メッキ層３３２ｎ，３３２ｐの側面にのみ設ける場合には、無電解メッキ法によりＡｕ膜を成膜することで形成することもできる。
なお、図１５及び図１６に示した例のように、ｎ側外部接続用電極３４ｎ及びｐ側外部接続用電極３４ｐを、内部配線である第２金属メッキ層３３２ｎ，３３２ｐの露出部だけでなく、樹脂層３１の側面及び上面などに延在するように広い面積に設けることで、実装時の接合信頼性や放熱性を向上させることができる。
また、ｎ側外部接続用電極３４ｎ及びｐ側外部接続用電極３４ｐを樹脂層３１の側面及び上面に延在するように設けることに限定されるものではない。例えば、ｎ側外部接続用電極３４ｎ及びｐ側外部接続用電極３４ｐを、上面に設けないようにしてもよく、実装面となる長手方向の側面にのみ設けるようにしてもよく、第２金属メッキ層３３２ｎ，３３２ｐの第２樹脂層３１２に被覆されない側面にのみ設けるようにしてもよい。
また、第２金属メッキ層３３２ｎ，３３２ｐの上面の一部又は全部を第２樹脂層３１２で被覆されないようにし、上面側に設けられたｎ側外部接続用電極３４ｎ及びｐ側外部接続用電極３４ｐと直接接合するようにしてもよい。
［発光装置の動作］
第２実施形態に係る発光装置１００Ｂは、長手方向の何れかの側面又は上面を実装面とし、実装基板に実装される。このとき、当該実装面に設けられたｎ側外部接続用電極３４ｎ及びｐ側外部接続用電極３４ｐに外部から電力が供給される。ｎ側外部接続用電極３４ｎ及びｐ側外部接続用電極３４ｐから電力が供給されると、内部配線である第２金属メッキ層３３２ｎ，３３２ｐ及び第１金属メッキ層３３１ｎ，３３１ｐを介して、ｎ側電極１３及びｐ側電極１５間に電力が供給される。その後の動作は、第１実施形態に係る発光装置１００と同様であるから説明は省略する。
［発光装置の製造方法］
次に、図１６を参照して、図１４及び図１５に示した発光装置１００Ｂの製造方法について説明する。
図１６に示すように、発光装置１００Ｂの製造方法は、発光素子準備工程Ｓ２０１と、第１メッキ層形成工程Ｓ２０２と、第１樹脂層形成工程Ｓ２０３と、第１樹脂層切削工程Ｓ２０４と、第２メッキ層形成工程Ｓ２０５と、第２樹脂層形成工程Ｓ２０６と、内部配線露出工程Ｓ２０７と、外部接続用電極形成工程Ｓ２０８と、成長基板除去工程Ｓ２０９と、蛍光体層形成工程（波長変換層形成工程）Ｓ２１０と、個片化工程Ｓ２１１と、を含み、この順で各工程が行われる。
以下、図１７〜図２４を参照（適宜図１４〜図１６参照）して、各工程について詳細に説明する。
最初の工程である発光素子準備工程Ｓ２０１は、第１実施形態における発光素子準備工程Ｓ１０１と同様であるから説明は省略する。
次に、第１メッキ層形成工程Ｓ２０２において、図１７（ａ）に示すように、ｐ側電極１５上の所定領域に、電解メッキ法により、第１金属メッキ層３３１ｐを形成する。このとき、第１金属メッキ層３３１ｐの高さは、所定の高さ以上に形成する。ここで、所定の高さとは、完成時の第１樹脂層３１１の高さであり、図１７（ｂ）に破線で示した切削線４１の高さのことである。
なお、図示は省略したが、ｎ側電極１３上の所定領域に、電解メッキ法により、第１金属メッキ層３３１ｎを形成する。
この第１メッキ層形成工程Ｓ２０２には、６つのサブ工程が含まれる。
まず、第１サブ工程（第１レジストパターン形成工程）として、フォトリソグラフィ法により、ウエハの上面に、ｎ側電極１３及びｐ側電極１５上の所定領域に開口を有する第１レジストパターンを形成する。ここで所定領域とは、ｎ側電極１３及びｐ側電極１５上であって、第１金属メッキ層３３１ｎ，３３２ｐが形成される領域と同じか、当該領域を包含する領域のことである。
なお、フォトリソグラフィ法は、感光性樹脂であるフォトレジストを用いてレジストパターンを形成する手法であり、フォトレジストの塗布工程、露光工程及び現像工程が含まれる。
次に、第２サブ工程（シード層形成工程）として、ウエハの上面全体、すなわち、第１サブ工程で形成されたレジストマスク及びｎ側電極１３及びｐ側電極１５上に、スパッタリング法により、Ｎｉ及びＡｕの薄膜を順次に積層することでシード層を形成する。
次に、第３サブ工程（メッキ層形成工程）として、電解メッキ法により、第２サブ工程で形成したシード層を電解メッキの電流経路として用いて、当該シード層上にメッキ層を形成する。このとき、メッキ層の上面の高さが、少なくとも図１７（ｂ）に破線で示した切削線４１の高さ以上となるように形成する。
次に、第４サブ工程（第２レジストパターン形成工程）として、フォトリソグラフィ法により、第３サブ工程で形成したメッキ層の上面に、第１金属メッキ層３３１ｎ，３３１ｐとなる領域を被覆する第２レジストパターンを形成する。
次に、第５サブ工程（エッチング工程）として、第２レジストパターンをマスクとして、例えば、ウェットエッチングにより、メッキ層及びシード層を除去する。これによって、第１金属メッキ層３３１ｎ，３３１ｐがパターニングされる。
更に、第６サブ工程（レジストパターン除去工程）として、アッシングや薬剤を用いることにより、第１レジストパターン及び第２レジストパターンを除去することで、図１７（ａ）に示すように、パターニングされた第１金属メッキ層３３１ｎ，３３１ｐが完成する。
なお、シード層はメッキ層に比べて十分に薄い層であるため、本明細書では、便宜上、シード層及びメッキ層を合わせて第１金属メッキ層３３１ｎ，３３１ｐとして取り扱うこととする。第２金属メッキ層３３２ｎ，３３２ｐや他の実施形態における金属メッキ層３３ｎ，３３ｐについても同様である。
また、第１金属メッキ層３３１ｎ，３３１ｐのパターニングは、エッチングを用いずに、次の方法によって行うこともできる。
すなわち、前記した第２サブ工程でシード層を形成した後に、フォトリソグラフィ法により、第１金属メッキ層３３１ｎ，３３１ｐを形成する領域に開口を有するレジストパターンを形成する。次に、シード層を電流経路とする電解メッキ法により、レジストパターンの開口部内に金属膜を形成する。ここで、レジストパターンの開口部内に形成される金属膜は、所定の第１金属メッキ層３３１ｎ，３３１ｐの形状を有するものである。その後、レジストパターンを除去することにより、第１金属メッキ層３３１ｎ，３３１ｐが完成する。
次に、第１樹脂層形成工程Ｓ２０３において、図１７（ｂ）に示すように、第１金属メッキ層３３１ｎ，３３１ｐの上面が被覆されるように（少なくとも、切削線４１より高くなるように）、第１樹脂層３１１を形成する。第１樹脂層３１１の形成は、第１実施形態における樹脂層形成工程Ｓ１０３と同様にして行うことができるため、詳細な説明は省略する。
なお、ｎ側電極１３及び第１金属メッキ層３３１ｎを含むｎ側の配線構造の断面については図示を省略したが、図１７（ｂ）に示したｐ側の配線構造と同様である。
次に、第１樹脂層切削工程Ｓ２０４において、切削装置を用いて、第１樹脂層３１１を上面側から図１７（ｂ）に示した切削線４１の厚さになるまで、内在する第１金属メッキ層３３１ｎ，３３１ｐとともに切削する。これによって、図１７（ｃ）に示すように、第１金属メッキ層３３１ｎ，３３１ｐの上面が、第１樹脂層３１１の上面と同一面となるように露出する。
なお、ｎ側電極１３及び第１金属メッキ層３３１ｎを含むｎ側の配線構造の断面については図示を省略したが、図１７（ｃ）に示したｐ側の配線構造と同様である。
次に、第２メッキ層形成工程Ｓ２０５において、図１８に示すように、第１樹脂層３１１上に、第２金属メッキ層３３２ｎ，３３２ｐを形成する。
第２メッキ層形成工程Ｓ２０５は、第１メッキ層形成工程Ｓ２０２と類似した方法で行うことができる。
まず、第１樹脂層３１１の上面及び第１金属メッキ層３３１ｎ，３３１ｐの上面の全体に、第１メッキ層形成工程Ｓ２０２の第２サブ工程と同様にして、シード層を形成する。次に、このシード層の上面に、第１メッキ層形成工程Ｓ２０２の第１サブ工程と同様にして、第２金属メッキ層３３２ｎ，３３２ｐを形成する領域に開口を有するレジストパターンを形成する。そして、第１メッキ層形成工程Ｓ２０２の第３サブ工程〜第６サブ工程と同様の工程を行うことにより、第２金属メッキ層３３２ｎ，３３２ｐを形成することができる。
また、第２金属メッキ層３３２ｎ，３３２ｐのパターニングは、前記したように、フォトリソグラフィ法により、第２金属メッキ層３３２ｎ，３３２ｐの形状に開口を有するレジストパターンを用い、電解メッキ法により、レジストパターンの開口部内に金属膜を形成する方法でも行うことができる。
次に、第２樹脂層形成工程Ｓ２０６において、第１樹脂層形成工程Ｓ２０３と同様にして、図１９（ａ）及び図１９（ｂ）に示すように、第２樹脂層３１２を形成する。
次に、内部配線露出工程Ｓ２０７において、図２０（ａ）〜図２０（ｃ）に示すように、境界線４０に沿って、上面側から溝３１ａ及び溝３１ｂを形成する。これによって、隣接する発光素子１同士間に連続して形成されていた内部配線である第２金属メッキ層３３２ｎ，３３２ｐが境界線４０の箇所で切断され、素子ごとに分離される。そして、第２金属メッキ層３３２ｎ，３３２ｐの切断面が溝３１ａの内側面に露出する。
なお、図２０（ａ）のＣ−Ｃ線における断面については図示を省略したが、図２０（ｃ）に示したｐ側の配線構造と同様に、ｎ側の配線構造が形成される。
また、溝３１ａの内側面が発光装置１００Ｂの長手方向の上部側面となり、溝３１ｂの内側面が発光装置１００Ｂの短手方向の上部側面となる。
前記したように第２金属メッキ層３３２ｎ，３３２ｐの切断面を、樹脂層３１の側面に露出させるために、少なくとも溝３１ａは、樹脂層３１の上面側から所定範囲の深さで、樹脂層３１及び蛍光体層２からなる樹脂の層の一部をダイシング（ハーフダイシング）して除去する。
ここで、溝３１ａは、後工程である外部接続用電極形成工程Ｓ２０８において、スパッタリング法などにより、ｎ側外部接続用電極３４ｎ及びｐ側外部接続用電極３４ｐが形成できるような幅で形成する。
なお、第２金属メッキ層３３２ｎ，３３２ｐが短手方向の側面から露出しないように形成する場合は、第２金属メッキ層３３２ｎ，３３２ｐの露出に関与しない溝３１ｂは、溝３１ａとは異なる深さでハーフダイシングして形成してもよく、本工程では溝３１ｂを形成せずに、個片化工程Ｓ２１１でＹ軸方向にフルダイシングするようにしてもよい。
ここで、図２０（ｂ）及び図２０（ｃ）に示すように、高さ方向（Ｚ軸方向）について、第２樹脂層３１２の上面の位置をＨＡ、第２金属メッキ層３３２ｎ，３３２ｐの露出した側面の下端の位置をＨＢ、ハーフダイシングにより形成される溝３１ｂ（及び溝３１ａ）の下端の位置をＨＦ、発光素子１の下端の位置をＨＤとする。
溝３１ａの深さ、すなわち、位置ＨＦの下限（浅い方の限度）は、位置ＨＢである。位置ＨＦが位置ＨＢより下側とすることにより、第２金属メッキ層３３２ｎ，３３２ｐを切断して、切断面を第２樹脂層３１２の側面から露出させることができる。また、位置ＨＦの上限（深い方の限度）は、成長基板除去工程Ｓ２０９で成長基板１１を除去した後の工程において、ウエハ状態が維持可能な強度を得られる位置である。位置ＨＦの上限は、樹脂の剛性に応じて適宜に定めることができる。
次に、外部接続用電極形成工程Ｓ２０８において、第２金属メッキ層３３２ｎ，３３２ｐの露出した側面と、樹脂層３１の側面（溝３１ａ，３１ｂの内側面）及び上面とに延在するｎ側外部接続用電極３４ｎ及びｐ側外部接続用電極３４ｐを形成する。
この工程は、３つのサブ工程が含まれる。
まず、第１サブ工程（レジストパターン形成工程）として、図２１（ａ）〜図２１（ｃ）に示すように、樹脂層３１の側面及び上面において、ｎ側外部接続用電極３４ｎ及びｐ側外部接続用電極３４ｐを形成しない領域をマスクするレジストパターン６１を形成する。すなわち、レジストパターン６１は、各素子についてのｎ側外部接続用電極３４ｎ及びｐ側外部接続用電極３４ｐの間の領域に設けられ、ｎ側外部接続用電極３４ｎ及びｐ側外部接続用電極３４ｐとなる金属膜を互いに離間して形成させるためのものである。
このため、ｎ側外部接続用電極３４ｎ及びｐ側外部接続用電極３４ｐを形成せずに離間させる領域については、図２１（ｃ）に示すように、溝３１ａの内側面にもレジストパターン６１を形成する。
なお、図２１（ｃ）は、ｎ側外部接続用電極３４ｎ及びｐ側外部接続用電極３４ｐ間の領域に相当する図２１（ａ）のＥ−Ｅ線における断面である。
このレジストパターンは、例えば、静電吐出方式により高粘度のレジスト材料を吐出することで高精度に塗布可能な塗布装置（例えば、エンジニアリングシステム株式会社のＱ−ｊｅｔ（登録商標）シリーズ）を好適に用いることができる。
なお、レジストパターン６１は、フォトリソグラフィ法を用いて形成することもできる。
次に、第２サブ工程（金属膜成膜工程）として、スパッタリング法により、ウエハ全体に金属膜を成膜する。なお、第２金属メッキ層３３２ｎ，３３２ｐとの密着性を向上させるために、下層としてＮｉ膜を成膜した後に、Ａｕ膜を成膜することが好ましい。
そして、第３サブ工程（レジストパターン除去工程）として、レジストパターン６１を除去する（リフトオフする）ことにより、図２２（ａ）及び図２２（ｂ）に示すように、第２サブ工程で成膜された金属膜がパターニングされて、ｎ側外部接続用電極３４ｎ及びｐ側外部接続用電極３４ｐが形成される。
このように、マスクであるレジストパターンを併用したスパッタリング法により、ｎ側外部接続用電極３４ｎ及びｐ側外部接続用電極３４ｐを形成することにより、内部配線である第２金属メッキ層３３２ｎ，３３２ｐの露出部だけでなく、樹脂層３１の側面や上面にまで延在するように、広い面積にｎ側外部接続用電極３４ｎ及びｐ側外部接続用電極３４ｐを形成することができる。
次に、成長基板除去工程Ｓ２０９において、第１実施形態における成長基板除去工程Ｓ１０４と同様にして、図２３（ａ）に示すように、成長基板１１を剥離して除去する。なお、半導体積層体１２の裏面を粗面化して凹凸形状１２ｃ（図３参照）を形成するようにしてもよい。
次に、蛍光体層形成工程（波長変換層形成工程）Ｓ２１０において、第１実施形態における蛍光体層形成工程Ｓ１０５と同様にして、図２３（ｂ）に示すように、半導体積層体１２の下面側に蛍光体層２を形成する。
最後に、個片化工程Ｓ２１１において、第１実施形態における個片化工程Ｓ１０８と同様にして、図２１（ａ）などに太い破線で示した境界線４０に沿って、蛍光体層２の下面側からダイシングすることで、図２４（ａ）及び図２４（ｂ）に示すように、溝３１ａ，３１ｂの下面に達する深さの溝３１ｃ，３１ｄを形成する。これによって、発光装置１００Ｂが個片化される。
ここで、溝３１ｃ，３１ｄを溝３１ａ，３１ｂの下面に達するまでとは、溝３１ｃ，３１ｄの上面の位置ＨＣが、溝３１ａ，３１ｂの下面の位置ＨＦ（図２２（ａ）及び図２２（ｂ）参照）よりも上方か同じになることをいうものである。これによって、溝３１ａと溝３１ｃと、及び溝３１ｂと溝３１ｄとがそれぞれ連通して、発光装置１００Ｂが分離される。
また、溝３１ｃ，３１ｄの幅は、溝３１ａ，３１ｂよりも広くし、平面視で、溝３１ａが溝３１ｃに、溝３１ｂが溝３１ｄにそれぞれ内包されるように形成することが好ましい。これによって、第１実施形態の個片化工程Ｓ１０８と同様に、確実に個片化することができ、更に、溝３１ｃの内側面である発光装置１００Ｂの下部側面が、溝３１ａの内側面である発光装置１００Ｂの上部側面よりも発光装置１００Ｂの内側となるように段差が形成される。
なお、発光装置１００Ｂの短手方向の側面を実装面としない場合は、溝３１ｄの幅を溝３１ｂの幅より広くして、短手方向の側面に段差を形成する必要はない。
以上の工程により、図１４及び図１５に示した発光装置１００Ｂが完成する。
＜変形例＞
次に、図２５及び図２６を参照（適宜図１６参照）して、第２実施形態に係る発光装置１００Ｂの製造方法の変形例について説明する。
図１６に示したように、第２実施形態において、内部配線は、２段階の電解メッキを行うことにより、第１金属メッキ層３３１ｎ，３３１ｐと第２金属メッキ層３３２ｎ，３３２ｐとが積層されるように形成した。これに対して、本変形例に係る製造方法は、内部配線を１段階の電解メッキを行うことで形成するものである。
本変形例に係る製造方法は、次の手順で行われる。なお、第２実施形態と同様に行う工程については、同じ工程名称及びステップ番号を挙げて、詳細な説明は省略する。
まず、発光素子準備工程Ｓ２０１を行った後に、第１メッキ層形成工程Ｓ２０２に代えて、第１レジストパターン形成工程を行う。この第１レジストパターン形成工程においては、フォトリソグラフィ法により、図２５（ａ）に示すように、ｎ側電極１３及びｐ側電極１５上の第１金属メッキ層３３１ｎ，３３１ｐ（図１７（ａ）参照）が配置されるのと同じ領域に、第１金属メッキ層３３１ｎ，３３１ｐと同じ平面視形状を有する第１レジストパターン６２を形成する。このとき、第１レジストパターン６２の高さは、所定の高さ以上に形成する。ここで、所定の高さとは、完成時の第１樹脂層３１１の高さであり、図２５（ｂ）に破線で示した切削線４１の高さのことである。
次に、第１樹脂層形成工程Ｓ２０３と同様にして、図２５（ｂ）に示すように、第１樹脂層３１１を、上面が切削線４１よりも高くなるように形成する。これにより、第１レジストパターン６２は、第１樹脂層３１１内に埋設された状態となる。
次に、第１樹脂層切削工程Ｓ２０４と同様にして、切削装置を用いて、第１樹脂層３１１を上面側から図２５（ｂ）に示した切削線４１の厚さになるまで、内在する第１レジストパターン６２とともに切削する。これによって、図２５（ｃ）に示すように、第１レジストパターン６２の上面が、第１樹脂層３１１の上面と同一面となるように露出する。
そして、次の工程（第１レジストパターン除去工程）において、アッシングや薬剤を用いることにより、図２５（ｄ）に示すように、第１レジストパターン６２を除去する。これによって、第１樹脂層３１１に開口部が形成され、当該開口部においてｎ側電極１３及びｐ側電極１５の上面の一部が露出する。
次に、第２メッキ層形成工程Ｓ２０５に代えて、変形メッキ層形成工程を行う。この変形メッキ層形成工程において、第１金属メッキ層３３１ｎと第２金属メッキ層３３２ｎとが一体化した形状の金属メッキ層３３ｎ（図２６（ｄ）参照）、及び第１金属メッキ層３３１ｐと第２金属メッキ層３３２ｐとが一体化した形状の金属メッキ層３３ｐ（図２６（ｄ）参照）を形成する。
この変形メッキ層形成工程には５つのサブ工程が含まれ、第１メッキ層形成工程Ｓ２０２の前記したサブ工程を組み合わせて構成することができる。
まず、第１サブ工程（シード層形成工程）として、第１メッキ層形成工程Ｓ２０２の第２サブ工程と同様にして、第１樹脂層３１１の表面及び露出したｎ側電極１３及びｐ側電極１５上に、シード層を形成する。
次に、第２サブ工程（メッキ層形成工程）として、第１メッキ層形成工程Ｓ２０２の第３サブ工程と同様にして、上面が所定の高さとなるように、図２６（ａ）に示すように、金属メッキ層３３を形成する。このサブ工程で形成される金属メッキ層３３は、第１樹脂層３１１の開口部内を含めた表面全体に形成される金属膜である。
次に、第３サブ工程（第２レジストパターン形成工程）として、第１メッキ層形成工程Ｓ２０２の第４サブ工程と同様にして、図２６（ｂ）に示すように、金属メッキ層３３の上面に、金属メッキ層３３ｎ，３３ｐとなる領域を被覆する第２レジストパターン６３を形成する。
次に、第４サブ工程（エッチング工程）として、第１メッキ層形成工程Ｓ２０２の第５サブ工程と同様にして、図２６（ｃ）に示すように、第２レジストパターン６３をマスクとするエッチングにより、金属メッキ層３３及びシード層を除去する。これによって、金属メッキ層３３ｎ，３３ｐがパターニングされる。
更に、第５サブ工程（第２レジストパターン除去工程）として、第１メッキ層形成工程Ｓ２０２の第６サブ工程と同様にして、第２レジストパターン６３を除去することで、図２６（ｄ）に示すように、金属メッキ層３３ｎ，３３ｐが完成する。
なお、図２６（ｄ）に示した状態は、図１８（ａ）〜図１８（ｃ）に示した状態、すなわち、第２メッキ層形成工程Ｓ２０５を行った後の状態と実質的に同じである。
続いて、第２樹脂層形成工程Ｓ２０６〜個片化工程Ｓ２１１を行うことにより、図１４及び図１５に示した発光装置１００Ｂを作製することができる。
＜第３実施形態＞
［発光装置の構成］
次に、図２７及び図２８を参照して、第３実施形態に係る発光装置について説明する。
図２７及び図２８に示すように、第３実施形態に係る発光装置１００Ｃは、発光素子１と蛍光体層２と支持体３Ｃとを備えて構成されている。第３実施形態に係る発光装置１００Ｃは、図１４及び図１５に示した第２実施形態に係る発光装置１００Ｂとは、支持体３Ｂに代えて支持体３Ｃを備えることが異なる。
発光素子１及び蛍光体層２は、第１実施形態に係る発光装置１００又は第２実施形態に係る発光装置１００Ｂと同様のものを用いることができるため、詳細な説明は省略する。
本実施形態における支持体３Ｃは、発光素子１側から順に、内部配線として金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐを内部に有する第１樹脂層３１１と、内部配線として金属メッキ層３３ｎ，３３ｐを内部に有する第２樹脂層３１２とを積層して構成される樹脂層３１を備えている。また、支持体３Ｃの側面には、高さ方向（Ｚ軸方向）の位置ＨＣを境として段差が設けられ、位置ＨＣよりも下部が上部よりも平面視で内側になるように形成されている。また、支持体３Ｃの下面側に接続して設けられる蛍光体層２は、平面視で支持体３Ｃの底面と同じ形状に形成されている。
また、第２樹脂層３１２に内在する内部配線である金属メッキ層３３ｎ，３３ｐは、金属メッキ層３３ｎ，３３ｐ同士が対向する側面を除き、他の３側面及び上面が、第２樹脂層３１２の対応する側面及び上面と同一面をなすように形成されている。
そして、ｎ側外部接続用電極３４ｎ及びｐ側外部接続用電極３４ｐが、金属メッキ層３３ｎ，３３ｐの第２樹脂層３１２によって被覆されていない３側面及び上面を被覆するように設けられている。
このため、発光装置１００Ｃは、長手方向の何れの側面を実装面としてもサイドビュー型実装が可能であるとともに、上面を実装面とするトップビュー型実装も可能となるように構成されている。
すなわち、本実施形態における支持体３Ｃは、第２実施形態における支持体３Ｂに対して、第１樹脂層３１１に内在する内部配線として金属メッキ層に代えて金属ワイヤを備えることと、第２樹脂層３１２に内在する内部配線である金属メッキ層の形状と、外部接続用電極が設けられる領域とが異なる。
樹脂層３１は、第１樹脂層３１１と第２樹脂層３１２とを積層して構成されている。
第１樹脂層３１１は、厚さ方向（Ｚ軸方向）に貫通するように、内部配線である金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐを内部に有している。また、前記した側面の段差の境である位置ＨＣは、第１樹脂層３１１の側面の上端の位置ＨＢから下端の位置ＨＤの間となるように設けられている。
第２樹脂層３１２は、内部配線である金属メッキ層３３ｎ，３３ｐを内部に有しており、金属メッキ層３３ｎ，３３ｐの下面、上面、及び３側面が第２樹脂層３１２から露出して、それぞれの露出面が第２樹脂層３１２の対応する面と同一面をなすように構成されている。
また、第１樹脂層３１１及び第２樹脂層３１２は良好に密着して一体化した樹脂層３１を形成している。
第１樹脂層３１１及び第２樹脂層３１２は、第２実施形態における第１樹脂層３１１及び第２樹脂層３１２と同様の樹脂材料を用いることができるため、詳細な説明は省略する。
金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐは、第１樹脂層３１１を厚さ方向に貫通するように設けられ、それぞれｎ側電極１３及びｐ側電極１５の上面と電気的に接続されている。平面視において、金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐは、金属メッキ層３３ｎ，３３ｐの内側に内包されるように小さく形成されている。また、金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐは、第１樹脂層３１１の側面において露出しないように配線されている。また、金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐの上面は、第１樹脂層３１１の上面と同一面をなしており、金属メッキ層３３ｎ，３３ｐの下面と電気的に接続されている。
なお、金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐとしては、第１実施形態における金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐと同様のものを用いることができる。
金属メッキ層３３ｎ，３３ｐは第２樹脂層３１２内に設けられ、下面は、それぞれ対応する極性の金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐと電気的に接続されている。金属メッキ層３３ｎ，３３ｐは、平面視形状が、略正方形の外形を有する柱状構造をしている。また、金属メッキ層３３ｎと金属メッキ層３３ｐとが対向する面を除き、金属メッキ層３３ｎ，３３ｐの３側面及び上面は、第２樹脂層３１２に被覆されず、対応する３方向の側面及び上面と同一面をなすように形成されている。
なお、金属メッキ層３３ｎ，３３ｐは、第２実施形態における第２金属メッキ層３３２ｎ，３３２ｐと同様に、平面視形状で略正方形の四隅を切り欠くことにより、金属メッキ層３３ｎ，３３ｐと第２樹脂層３１２との間の密着性を向上させるとともに、第１樹脂層３１１と第２樹脂層３１２との接合面積を増加させることにより、樹脂層３１として強固に一体化させるように構成してもよい。
金属メッキ層３３ｎ，３３ｐは、第２実施形態における第１金属メッキ層３３１ｎ，３３１ｐ及び第２金属メッキ層３３２ｎ，３３２ｐと同様に、電解メッキ法により、同様の材料を用いて形成することができる。
ｎ側外部接続用電極３４ｎ及びｐ側外部接続用電極３４ｐは、第２樹脂層３１２に被覆されない金属メッキ層３３ｎ，３３ｐの側面及び上面を被覆するように設けられている。
また、図２７（ａ）に示すように、上面側に設けられたｐ側外部接続用電極３４ｐの一部に、電極の極性を識別するための切り欠き部３４ａが設けられている。
ｎ側外部接続用電極３４ｎ及びｐ側外部接続用電極３４ｐは、金属メッキ層３３ｎ，３３ｐの第２樹脂層３１２によって被覆されない露出した側面及び上面にのみ設けられるため、無電解メッキ法によって簡便に形成することができる。
なお、ｎ側外部接続用電極３４ｎ及びｐ側外部接続用電極３４ｐは、金属メッキ層３３ｎ，３３ｐと異なる金属を用いる場合は、金属多層膜として、下層側に金属メッキ層３３ｎ，３３ｐとの密着性が良好な金属膜を設けるようにしてもよい。例えば、ｎ側外部接続用電極３４ｎ及びｐ側外部接続用電極３４ｐとしてＡｕを用い、金属メッキ層３３ｎ，３３ｐとしてＣｕを用いる場合は、密着層として下層側にＮｉ膜を設け、その上にＡｕ膜を設けるようにすることができる。
また、第２実施形態のように、ｎ側外部接続用電極３４ｎ及びｐ側外部接続用電極３４ｐが、第２樹脂層３１２の表面にまで延在するように設けるようにしてもよい。この場合は、ｎ側外部接続用電極３４ｎ及びｐ側外部接続用電極３４ｐは、スパッタリング法又はスパッタリング法と無電解メッキ法とを併用した方法で形成することができる。
［発光装置の動作］
第３実施形態に係る発光装置１００Ｃは、第２実施形態に係る発光装置１００Ｂと同様に、長手方向の何れかの側面又は上面を実装面とし、実装基板に実装される。発光装置１００Ｃは、発光装置１００Ｂとは、主として内部配線の構成が異なるだけであるから、動作についての詳細な説明は省略する。
［発光装置の製造方法］
次に、図２９を参照して、図２７及び図２８に示した発光装置１００Ｃの製造方法について説明する。
図２９に示すように、発光装置１００Ｃの製造方法は、発光素子準備工程Ｓ３０１と、ワイヤ配線工程Ｓ３０２と、第１樹脂層形成工程Ｓ３０３と、第１樹脂層切削工程Ｓ３０４と、メッキ層形成工程Ｓ３０５と、第２樹脂層形成工程Ｓ３０６と、第２樹脂層切削工程Ｓ３０７と、内部配線露出工程Ｓ３０８と、外部接続用電極形成工程Ｓ３０９と、成長基板除去工程Ｓ３１０と、蛍光体層形成工程（波長変換層形成工程）Ｓ３１１と、個片化工程Ｓ３１２と、を含み、この順で各工程が行われる。
以下、図３０〜図３８を参照（適宜図２７〜図２９参照）して、各工程について詳細に説明する。
最初の工程である発光素子準備工程Ｓ３０１は、第１実施形態における発光素子準備工程Ｓ１０１と同様であるから説明は省略する。
次に、ワイヤ配線工程Ｓ３０２において、図３０（ａ）及び図３０（ｂ）に示すように、成長基板１１上の各発光素子１について、ｎ側電極１３とｐ側電極１５とを接続するように、ワイヤボンダを用いて金属ワイヤ３２を配線する。配線された金属ワイヤ３２は、図３０（ｂ）に示すように、正面視（Ｙ軸方向から観察）でΠ字形状又は逆Ｕ字形状となるように配線する。このとき、ｎ側電極１３及びｐ側電極１５の金属ワイヤ３２の接合面から垂直方向又は垂直に近い方向に延伸する部分が、少なくとも所定の高さより高くなるように配線する。ここで所定の高さとは、図２７（ｂ）に示した第１樹脂層３１１の上面の高さであり、図３１（ａ）に破線で示した切削線４２の高さである。
なお、本例では、金属ワイヤ３２を、各発光素子１内のｎ側電極１３及びｐ側電極１５間に配線するようにしたが、これに限定されず、例えば、隣接する発光素子１のｎ側電極１３間やｐ側電極１５間に配線するようにしてもよい。
次に、第１樹脂層形成工程Ｓ３０３において、図３１（ａ）に示すように、発光素子１及び金属ワイヤ３２を完全に封止するように、例えば、金型を用いた圧縮成型により第１樹脂層３１１を形成する。このとき、第１樹脂層３１１は、上面が少なくとも切削線４２の高さよりも高くなるように形成する。
次に、第１樹脂層切削工程Ｓ３０４において、切削装置を用いて、第１樹脂層３１１を上面側から切削線４２の厚さになるまで、内在する金属ワイヤ３２とともに切削する。これによって、金属ワイヤ３２は、２本の金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐに分離されるとともに、図３１（ｂ）に示すように、第１樹脂層３１１の上面と同一面となるように、金属ワイヤ３２の横断面が、金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐの上面として露出する。
次に、メッキ層形成工程Ｓ３０５において、図３２（ａ）及び図３２（ｂ）に示すように、金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐの上面及び第１樹脂層３１１の上面の所定の領域に、金属メッキ層３３ｎ，３３ｐを形成する。このとき、金属メッキ層３３ｎ，３３ｐの上面は、所定の高さ以上となるように形成する。ここで所定の高さとは、図２７及び図２８に示した第２樹脂層３１２の高さであり、図３３に示した切削線４３の高さである。
なお、メッキ層形成工程Ｓ３０５は、第２実施形態における第２メッキ層形成工程Ｓ２０５と同様にして行うことができるため、詳細な説明は省略する。
また、図３０（ａ）のＣ−Ｃ線に相当する断面については図示を省略したが、図３２（ｂ）に示したｐ側の配線構造と同様に、ｎ側の配線構造が形成される。以降の工程についても、同様である。
次に、第２樹脂層形成工程Ｓ３０６において、図３３に示すように、金属メッキ層３３ｎ，３３ｐを封止するように、例えば、金型を用いた圧縮成型により第２樹脂層３１２を形成する。このとき、第２樹脂層３１２は、上面が少なくとも切削線４３の高さよりも高くなるように形成する。
次に、第２樹脂層切削工程Ｓ３０７において、切削装置を用いて、第２樹脂層３１２を上面側から切削線４３の厚さになるまで、内在する金属メッキ層３３ｎ，３３ｐとともに切削する。これによって、図３４（ａ）及び図３４（ｂ）に示すように、第２樹脂層３１２の上面と同一面となるように、金属メッキ層３３ｎ，３３ｐの上面が露出する。
次に、内部配線露出工程Ｓ３０８において、第２実施形態における内部配線露出工程Ｓ２０７と同様にして、図３５（ａ）及び図３５（ｂ）に示すように、境界線４０に沿って、上面側から溝３１ａ及び溝３１ｂを形成する。これによって、隣接する発光素子１同士間に連続して形成されていた内部配線である金属メッキ層３３ｎ，３３ｐが境界線４０の箇所で切断され、素子ごとに分離される。そして、金属メッキ層３３ｎ，３３ｐの切断面が第２樹脂層３１２の側面から露出する。
また、溝３１ａの内側面が発光装置１００Ｃの長手方向の上部側面となり、溝３１ｂの内側面が発光装置１００Ｃの短手方向の上部側面となる。
前記したように金属メッキ層３３ｎ，３３ｐの切断面を、樹脂層３１の側面に露出させるために、少なくとも溝３１ａは、樹脂層３１の上面側から所定範囲の深さで、樹脂層３１及び蛍光体層２からなる樹脂の層の一部をダイシング（ハーフダイシング）して除去する。
ここで、溝３１ａは、後工程である外部接続用電極形成工程Ｓ３０９において、無電解メッキ法などにより、ｎ側外部接続用電極３４ｎ及びｐ側外部接続用電極３４ｐが形成できるような幅で形成する。
なお、金属メッキ層３３ｎ，３３ｐが短手方向の側面から露出しないように形成する場合は、金属メッキ層３３ｎ，３３ｐの露出に関与しない溝３１ｂは、溝３１ａとは異なる深さでハーフダイシングして形成してもよく、本工程では溝３１ｂを形成せずに、個片化工程Ｓ３１２でＹ軸方向にフルダイシングするようにしてもよい。
ここで、図３５（ａ）及び図３５（ｂ）に示すように、高さ方向（Ｚ軸方向）について、第２樹脂層３１２の上面の位置をＨＡ、金属メッキ層３３ｎ，３３ｐの露出した側面の下端の位置をＨＢ、ハーフダイシングにより形成される溝３１ａ（及び溝３１ｂ）の下端の位置をＨＦ、発光素子１の下端の位置をＨＤとする。
溝３１ａの深さ、すなわち、位置ＨＦの下限（浅い方の限度）は、位置ＨＢである。位置ＨＦが位置ＨＢより下側とすることにより、金属メッキ層３３ｎ，３３ｐを切断して、切断面を第２樹脂層３１２の側面から露出させることができる。また、位置ＨＦの上限（深い方の限度）は、成長基板除去工程Ｓ３１０で成長基板１１を除去した後の工程において、ウエハ状態が維持可能な強度を得られる位置である。位置ＨＦの上限は、樹脂の剛性や、樹脂層３１と蛍光体層２との接合強度に応じて適宜に定めることができる。
次に、外部接続用電極形成工程Ｓ３０９において、図３６（ａ）及び図３６（ｂ）に示すように、金属メッキ層３３ｎ，３３ｐの露出した側面及び上面に、ｎ側外部接続用電極３４ｎ及びｐ側外部接続用電極３４ｐを形成する。
なお、ｎ側外部接続用電極３４ｎ及びｐ側外部接続用電極３４ｐは、第１実施形態における外部接続用電極形成工程Ｓ１０７と同様に、無電解メッキ法を用いて形成することができるため、詳細な説明は省略する。
次に、成長基板除去工程Ｓ３１０において、図３７（ａ）に示すように、成長基板１１を除去する。
続けて、蛍光体層形成工程（波長変換層形成工程）Ｓ３１１において、図３７（ｂ）に示すように、半導体積層体１２の下面側に蛍光体層２を形成する。
なお、成長基板除去工程Ｓ３１０及び蛍光体層形成工程Ｓ３１１は、それぞれ第１実施形態における成長基板除去工程Ｓ１０４及び蛍光体層形成工程Ｓ１０５と同様にして行うことができるため、詳細な説明は省略する。
最後に、個片化工程Ｓ３１２において、第２実施形態における個片化工程Ｓ２１１と同様にして、図３７（ｂ）などに太い破線で示した境界線４０に沿って、蛍光体層２の下面側からダイシングすることで、図３８（ａ）及び図３８（ｂ）に示すように、溝３１ａ，３１ｂの下面に達する深さの溝３１ｃ，３１ｄを形成する。これによって、発光装置１００Ｃが個片化される。
以上の工程により、図２７及び図２８に示した発光装置１００Ｃが完成する。
＜変形例＞
次に、図３９を参照して、ワイヤ配線工程Ｓ３０２の変形例について説明する。
前記した各実施形態において、金属ワイヤ３２ｎ，３２ｐを形成する際に、ワイヤボンダ５０を用いて、ｎ側電極１３とｐ側電極１５との間との間に金属ワイヤ３２を配線することを説明した。図３９（ｂ）に示すように、ワイヤボンダ５０を用いて、金属ワイヤ３２の端部をｎ側電極１３等の上面に加圧するとともに超音波振動を印加するボールボンディングにより、金属ワイヤ３２の端部がｎ側電極１３等に融着する。このとき、融着部には、金属ワイヤ３２のワイヤ径よりも大きなボール状のバンプ３２ａが形成される。
本変形例では、内部配線として金属ワイヤ３２に代えて、図３９（ａ）に示すように、バンプ３２ａを積層したバンプ積層体（金属ワイヤバンプ）３２Ａを用いるものである。前記したように、バンプ積層体３２Ａは、元の金属ワイヤ３２より太く形成される。このため、バンプ積層体３２Ａを用いることにより、金属ワイヤ３２を用いた場合よりも内部配線の熱抵抗が低くなり、その結果、発光装置１００Ｃの放熱性を向上させることができる。
なお、バンプ積層体３２Ａを内部配線として用いる際に、バンプ３２ａの積層数は２以上に限定されず、１個であってもよい。
また、バンプ積層体３２Ａは、ワイヤボンダ５０により、バンプ３２ａの形成と当該バンプ３２ａの上端での金属ワイヤ３２の切断とを繰り返すことにより形成することができる。バンプ積層体３２Ａは、金属ワイヤ３２と比較して径が太く、第１樹脂層３１１を形成する際に倒れない程度の十分な剛性を有するように形成できるため、２つの電極間にΠ字状や逆Ｕ字状などのアーチ状に配線する必要がない。従って、本変形例では、ワイヤ配線工程において、各ｎ側電極１３等の上面に、所定の高さ以上（発光装置１００Ｃが完成時の当該バンプ積層体３２Ａが内在する第１樹脂層３１１の厚さ以上）となるようにバンプ積層体３２Ａを形成する。
なお、後続の工程である第１樹脂層形成工程Ｓ３０３及び第１樹脂層切削工程Ｓ３０４は、金属ワイヤ３２を内部配線として用いる場合と同様に行うことができる。
更にまた、第１実施形態に係る発光装置１００又はその変形例に係る発光装置１００Ａにおいて、Ｌ字状やＴ字状に配線される内部配線の一部について、金属ワイヤ３２に代えて、バンプ積層体３２Ａを用いて形成するようにしてもよい。
例えば、内部配線のｎ側電極１３及びｐ側電極１５の上面から垂直方向に延伸する部分について、バンプ積層体３２Ａを用いることができる。そして、垂直方向に延伸して形成されたバンプ積層体３２Ａの上面間に金属ワイヤ３２を水平方向に配線することで、Ｌ字状又はＴ字状の内部配線構造を形成することができる。
＜その他の変形例＞
以上、本発明に係る発光装置の例として、３つの実施形態及びそれらの変形例について説明したが、更にその他の変形例について説明する。
例えば、内部配線として金属ワイヤ３２を用いた発光装置１００及び発光装置１００Ａにおいて、ｎ側外部接続用電極３４ｎ及びｐ側外部接続用電極３４ｐを、樹脂層３１の長手方向の側面から露出した金属ワイヤ３２の端面上にのみ設けたが、これに限定されるものではない。ｎ側外部接続用電極３４ｎ及びｐ側外部接続用電極３４ｐを、金属ワイヤ３２の端面に加えて、樹脂層３１の長手方向の側面、短手方向の側面、及び上面にまで延在するように設けてもよい。ｎ側外部接続用電極３４ｎ及びｐ側外部接続用電極３４ｐを、樹脂層３１の側面及び上面などに延在するように広い面積に設けることで、金属ワイヤ３２の端面の面積が小さい場合であっても、実装基板と広い接触面積を確保することができるため、接合信頼性や放熱性を向上させることができる。
なお、樹脂層３１の側面や上面にまで延在するようなｎ側外部接続用電極３４ｎ及びｐ側外部接続用電極３４ｐは、第２実施形態における外部接続用電極形成工程Ｓ２０８（図１６参照）と同様にして形成することができる。またこの場合、金属ワイヤ３２の端面は、樹脂層３１の長手方向の側面から露出する場合に限らず、短手方向の側面や上面から露出させて、ｎ側外部接続用電極３４ｎ及びｐ側外部接続用電極３４ｐと接続するように構成することもできる。
また、発光装置１００Ｂ及び発光装置１００Ｃは、内部配線を有する樹脂層３１を２層で構成したが、これに限定されず、３層以上で構成するようにしてもよい。また、各層に内在する内部配線は、金属ワイヤ、バンプ積層体、金属メッキ層などを適宜な組み合わせで、また適宜な順序で積層するようにしてもよい。
また、第１実施形態において、成長基板除去工程Ｓ１０４及び蛍光体層形成工程Ｓ１０５を、外部接続用電極形成工程Ｓ１０７の後に行うようにしてもよい。
また、第２実施形態において、成長基板除去工程Ｓ２０９及び蛍光体層形成工程Ｓ２１０を、内部配線露出工程Ｓ２０７の前に行うようにしてもよい。同様に、第３実施形態において、成長基板除去工程Ｓ３１０及び蛍光体層形成工程Ｓ３１１を、内部配線露出工程Ｓ３０８の前に行うようにしてもよい。
以上説明したように、本発明の発光装置１００は、ウエハレベルでのチップ・スケール・パッケージ（ＷＣＳＰ）として製造することができる。その製造方法において、発光素子１の境界領域の樹脂層３１をダイシング等により除去（ハーフダイシング）することにより、個片化した際の樹脂層３１の側面を形成するとともに、その側面に内部配線である金属（金属ワイヤや金属メッキ層など）を露出させ、当該露出部と電気的に接続する外部接続用のパッド電極であるｎ側外部接続用電極３４ｎ及びｐ側外部接続用電極３４ｐを形成する。これによって、ウエハレベルでサイドビュー実装型として使用可能なＷＣＳＰを製造することができる。
また、本発明の製造方法によれば、樹脂層３１の側面において、内部配線の端面と電気的に接続するｎ側外部接続用電極３４ｎ及びｐ側外部接続用電極３４ｐを形成することができる。このため、ｎ側外部接続用電極３４ｎ及びｐ側外部接続用電極３４ｐを、例えばＡｕを用いて形成する場合でも、内部配線として、Ａｕに比べて安価なＣｕ又はＡｌなどを内部配線に用いて形成することができる。従って、コストを抑制しつつ体積の大きな内部配線を設けることができる。その結果、発光装置は良好な放熱性を得ることができる。
［発光装置の実装］
次に、図４０及び図４１を参照して、本発明の実施形態に係る発光装置を実装基板に実装する形態について説明する。また、ここでは第３実施形態に係る発光装置１００Ｃを例として説明するが、他の実施形態についても同様である。
なお、以下の説明において、発光装置１００Ｃを基準とした座標系を用いることとする。当該座標系では、発光素子１において、支持体３Ｃが設けられた側と反対側の面（蛍光体層２が設けられた面）が光取り出し方向であり、主として「−Ｚ軸方向」に光が出射される。
（サイドビュー型の実装）
まず、図４０を参照して、発光装置１００Ｃを実装基板９０にサイドビュー型で実装する場合について説明する。
図４０（ａ）及び図４０（ｂ）に示すように、実装基板９０は、基板９１と配線パターン９２とを備え、配線パターン９２が設けられた面が実装面である。そして、配線パターン９２上に半田などの導電性の接着材料９３を用いて発光装置１００Ｃのｎ側外部接続用電極３４ｎ及びｐ側外部接続用電極３４ｐと接合することで、発光装置１００Ｃを実装する。
発光装置１００Ｃをサイドビュー型で実装する場合は、発光装置１００Ｃからの光の出射方向が実装基板９０の基板面に平行な方向となるように実装する。図４０に示した例では、発光装置１００Ｃの長手方向の一方の側面を実装面として、当該側面に設けられているｎ側外部接続用電極３４ｎ及びｐ側外部接続用電極３４ｐを、それぞれ対応する極性の配線パターン９２と接着材料９３を用いて接合することで実装されている。
また、発光装置１００Ｃは、ｎ側外部接続用電極３４ｎ及びｐ側外部接続用電極３４ｐが、長手方向の側面に加えて、短手方向の側面（図４０（ａ）において左側及び右側の面）及び上面（図４０（ｂ）において左側の面）にも延在するように設けられているため、接着材料９３がこれらの面まで回り込んでいる。このため、発光装置１００Ｃを実装基板９０に高い強度で接合することができる。
なお、接着材料９３の回り込みによる接合強度が向上することは、第２実施形態に係る発光装置１００Ｂも同様である。
また、発光装置１００Ｃは、高さ方向（Ｚ軸方向。図４０（ｂ）において横方向）の位置ＨＣよりも下部（図４０（ｂ）において右側）が、上部よりも内側になるように段差が形成されているため、実装時に下部に邪魔されてｎ側外部接続用電極３４ｎ及びｐ側外部接続用電極３４ｐと配線パターン９２との間に浮きが生じて密着性が低下することがない。これによって、高い信頼性で発光装置１００Ｃを実装基板９０に実装することができる。
なお、発光装置の実装面に段差を設けることで実装の信頼性が向上することは、他の実施形態に係る発光装置１００、発光装置１００Ａ及び発光装置１００Ｂについても同様である。
（トップビュー型の実装）
次に、図４１を参照して、発光装置１００Ｃを実装基板９０にトップビュー型で実装する場合について説明する。
発光装置１００Ｃをトップビュー型で実装する場合は、発光装置１００Ｃからの光の出射方向が実装基板９０の基板面に垂直な方向となるように実装する。図４１に示した例では、発光装置１００Ｃの上面を実装面として、上面に延在して設けられているｎ側外部接続用電極３４ｎ及びｐ側外部接続用電極３４ｐを、それぞれ対応する極性の配線パターン９２と接着材料９３を用いて接合することで実装されている。
このように、発光装置１００Ｃや第２実施形態に係る発光装置１００Ｂのように、ｎ側外部接続用電極３４ｎ及びｐ側外部接続用電極３４ｐを、長手方向の側面に加えて、上面に延在するように設けることにより、サイドビュー型だけでなく、トップビュー型の実装を行うことも可能となる。
なお、第１実施形態に係る発光装置１００及びその変形例に係る発光装置１００Ａについても、ｎ側外部接続用電極３４ｎ及びｐ側外部接続用電極３４ｐを、樹脂層３１の上面にまで延在するように設けることにより、トップビュー型の実装が可能なように構成することができる。
以上、本発明に係る発光装置及びその製造方法について、発明を実施するための形態により具体的に説明したが、本発明の趣旨はこれらの記載に限定されるものではなく、特許請求の範囲の記載に基づいて広く解釈されなければならない。また、これらの記載に基づいて種々変更、改変などしたものも本発明の趣旨に含まれることはいうまでもない。
１，１Ａ 発光素子（半導体発光素子）
１１ 成長基板
１２ 半導体積層体
１２ｎ ｎ型半導体層
１２ａ 発光層
１２ｐ ｐ型半導体層
１２ｂ 段差部
１２ｃ 凹凸形状
１３ ｎ側電極
１３ａ 接合部
１４ 全面電極
１４ａ 反射電極
１４ｂ カバー電極
１５ ｐ側電極
１５ａ パッド電極層
１５ｂ 衝撃吸収層
１６ 保護層
２ 蛍光体層（波長変換層）
３，３Ａ，３Ｂ，３Ｃ 支持体
３１ 樹脂層
３１１ 第１樹脂層
３１２ 第２樹脂層
３１３ 第３樹脂層
３１ａ，３１ｂ 溝
３１ｃ，３１ｄ 溝
３２ 金属ワイヤ
３２ｎ，３２ｐ 金属ワイヤ（内部配線、金属ワイヤ）
３２ｎａ，３２ｐａ 端面
３２Ａ バンプ積層体（内部配線、金属ワイヤバンプ）
３２ａ バンプ
３３ 金属メッキ層
３３ｎ，３３ｐ 金属メッキ層（内部配線、金属メッキ層）
３３１ｎ，３３１ｐ 第１金属メッキ層（内部配線、金属メッキ層）
３３２ｎ，３３２ｐ 第２金属メッキ層（内部配線、金属メッキ層）
３４ｎ ｎ側外部接続用電極
３４ｐ ｐ側外部接続用電極
３４ａ 切り込み部
４０ 境界線
４１，４２，４３ 切削線
５０ ワイヤボンダ
６１ レジストパターン（マスク）
６２，６３ レジストパターン
９０ 実装基板
９１ 基板
９２ 配線パターン
９３ 接着材料
１００，１００Ａ，１００Ｂ，１００Ｃ 発光装置

Claims (11)

  1. ｐ型半導体層及びｎ型半導体層を積層してなる半導体積層体を有し、前記半導体積層体の一方の面に、前記ｐ型半導体層と電気的に接続されるｐ側電極及び前記ｎ型半導体層と電気的に接続されるｎ側電極を有する半導体発光素子を備える発光装置の製造方法であって、
    成長基板上に複数の前記半導体発光素子が配列して形成されたウエハを準備する発光素子準備工程と、
    前記半導体積層体の一方の面側に、前記ｐ側電極と接続するｐ側内部配線と、前記ｎ側電極と接続するｎ側内部配線とを内部に有する樹脂層を形成する樹脂層形成工程と、
    前記複数の半導体発光素子間の境界領域において、前記樹脂層の上面側から前記樹脂層の厚さ方向の一部又は全部を、除去される前記樹脂層の範囲の前記ｐ側内部配線及び前記ｎ側内部配線とともに除去することにより、前記ｐ側内部配線及び前記ｎ側内部配線を露出させる内部配線露出工程と、
    前記ｐ側内部配線の露出部と電気的に接続するｐ側外部接続用電極と、前記ｎ側内部配線の露出部と電気的に接続するｎ側外部接続用電極とを形成する外部接続用電極形成工程と、
    前記複数の半導体発光素子間の境界領域において、前記内部配線露出工程で除去した領域に達するまで、前記半導体積層体の他方の面側から前記半導体積層体又は前記樹脂層、若しくは前記半導体積層体及び前記樹脂層の厚さ方向の一部又は全部を、前記内部配線露出工程で除去する領域の幅より広い幅で除去することで、前記ウエハを複数の前記半導体発光素子に個片化する個片化工程と、を含むことを特徴とする発光装置の製造方法。
  2. 前記外部接続用電極形成工程は、前記ｐ側内部配線及び前記ｎ側内部配線の露出面に無電解メッキ法により金属膜を形成することにより前記ｐ側外部接続用電極及び前記ｎ側外部接続用電極を形成することを特徴とする請求項１に記載の発光装置の製造方法。
  3. 前記外部接続用電極形成工程は、前記各半導体発光素子についての前記ｐ側内部配線の露出部と前記ｎ側内部配線の露出部との間における前記樹脂層の表面を被覆するマスクを形成し、
    前記内部配線の露出面を含む前記樹脂層の表面にスパッタリング法により金属膜を形成し、
    前記マスクを除去することにより前記スパッタリング法により形成した金属膜をパターニングして前記ｐ側外部接続用電極及び前記ｎ側外部接続用電極を形成することを特徴とする請求項１に記載の発光装置の製造方法。
  4. ｐ型半導体層及びｎ型半導体層を積層してなる半導体積層体を有し、前記半導体積層体の一方の面に、前記ｐ型半導体層と電気的に接続されるｐ側電極及び前記ｎ型半導体層と電気的に接続されるｎ側電極を有する半導体発光素子を備える発光装置の製造方法であって、
    成長基板上に複数の前記半導体発光素子が配列して形成されたウエハを準備する発光素子準備工程と、
    前記半導体積層体の一方の面側に、前記ｐ側電極と接続するｐ側内部配線と、前記ｎ側電極と接続するｎ側内部配線とを内部に有する樹脂層を形成する樹脂層形成工程と、
    前記複数の半導体発光素子間の境界領域において、前記樹脂層の上面側から前記樹脂層の厚さ方向の一部又は全部を、除去される前記樹脂層の範囲の前記ｐ側内部配線及び前記ｎ側内部配線とともに除去することにより、前記ｐ側内部配線及び前記ｎ側内部配線を露出させる内部配線露出工程と、
    前記各半導体発光素子についての前記ｐ側内部配線の露出部と前記ｎ側内部配線の露出部との間における前記樹脂層の表面を被覆するマスクを形成し、
    前記内部配線の露出面を含む前記樹脂層の表面にスパッタリング法により金属膜を形成し、
    前記マスクを除去することにより前記スパッタリング法により形成した金属膜をパターニングしてｐ側外部接続用電極及びｎ側外部接続用電極を形成する外部接続用電極形成工程と、
    前記ウエハを複数の前記半導体発光素子に個片化する個片化工程と、を含むことを特徴とする発光装置の製造方法。
  5. 前記外部接続用電極形成工程は、前記マスクを除去した後に、前記スパッタリング法により形成した金属膜上に、更に無電解メッキ法により金属膜を積層して前記ｐ側外部接続用電極及び前記ｎ側外部接続用電極を形成することを特徴とする請求項３又は４に記載の発光装置の製造方法。
  6. 前記樹脂層形成工程よりも後に、前記成長基板を除去する成長基板除去工程を含むことを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。
  7. 前記発光素子準備工程よりも後に、又は成長基板除去工程を含む場合においては前記成長基板除去工程よりも後に、前記半導体積層体の他方の面側に、前記半導体発光素子が発光する波長の光を異なる波長の光に変換する波長変換層を形成する波長変換層形成工程を含むことを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。
  8. 前記内部配線は、Ｃｕ、Ａｌ又はこれらの金属を主成分とする合金から選択される材料からなり、
    前記ｐ側外部接続用電極及びｎ側外部接続用電極は、少なくとも最表面がＡｕ又はＡｕを主成分とする合金から選択される材料からなることを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。
  9. ｐ型半導体層及びｎ型半導体層を積層してなる半導体積層体を有し、前記半導体積層体の一方の面に、前記ｐ型半導体層と電気的に接続されるｐ側電極及び前記ｎ型半導体層と電気的に接続されるｎ側電極を有する半導体発光素子と、
    前記半導体積層体の前記一方の面側に設けられる樹脂層を有する支持体と、を備え、
    前記支持体は、ｐ側外部接続用電極及びｎ側外部接続用電極が側面に設けられ、前記ｐ側電極と前記ｐ側外部接続用電極との間を電気的に接続するｐ側内部配線と、前記ｎ側電極と前記ｎ側外部接続用電極との間を電気的に接続するｎ側内部配線とを前記樹脂層の内部に有し、
    前記ｐ側外部接続用電極及び前記ｎ側外部接続用電極が設けられる前記樹脂層の側面は、前記半導体発光素子が設けられた側の端部を含む面が、前記ｐ側外部接続用電極及び前記ｎ側外部接続用電極が設けられた面よりも内側にあることを特徴とする発光装置。
  10. 前記半導体積層体の他方の面側に設けられ、前記半導体発光素子が発光する波長の光を異なる波長の光に変換する波長変換層を備えることを特徴とする請求項９に記載の発光装置。
  11. 前記内部配線は、Ｃｕ、Ａｌ又はこれらの金属を主成分とする合金から選択される材料からなり、
    前記ｐ側外部接続用電極及びｎ側外部接続用電極は、少なくとも最表面がＡｕ又はＡｕを主成分とする合金から選択される材料からなることを特徴とする請求項９又は１０に記載の発光装置。
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Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6428249B2 (ja) * 2013-12-25 2018-11-28 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP6384202B2 (ja) * 2014-08-28 2018-09-05 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP6471641B2 (ja) * 2015-08-04 2019-02-20 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP2017054933A (ja) * 2015-09-09 2017-03-16 株式会社東芝 発光装置及びその製造方法
DE102016103354A1 (de) 2016-02-25 2017-08-31 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches bauteil mit einem leiterrahmen
US10043956B2 (en) 2016-09-29 2018-08-07 Nichia Corporation Method for manufacturing light emitting device
JP6504221B2 (ja) * 2016-09-29 2019-04-24 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
US10615305B1 (en) * 2018-04-20 2020-04-07 Facebook Technologies, Llc Self-alignment of micro light emitting diode using planarization
JP6912730B2 (ja) * 2018-07-09 2021-08-04 日亜化学工業株式会社 発光モジュールの製造方法
JP6978697B2 (ja) 2018-11-15 2021-12-08 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP7186358B2 (ja) 2018-11-15 2022-12-09 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法、発光装置及び光源装置
JP6766900B2 (ja) * 2019-01-15 2020-10-14 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP7223938B2 (ja) * 2019-02-12 2023-02-17 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3589187B2 (ja) 2000-07-31 2004-11-17 日亜化学工業株式会社 発光装置の形成方法
JP4214704B2 (ja) 2002-03-20 2009-01-28 日亜化学工業株式会社 半導体素子
US6791116B2 (en) * 2002-04-30 2004-09-14 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light emitting diode
KR100723247B1 (ko) 2006-01-10 2007-05-29 삼성전기주식회사 칩코팅형 ｌｅｄ 패키지 및 그 제조방법
JP5272287B2 (ja) * 2006-03-17 2013-08-28 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2008198807A (ja) 2007-02-14 2008-08-28 Nichia Corp 半導体装置
JP4926787B2 (ja) 2007-03-30 2012-05-09 アオイ電子株式会社 半導体装置の製造方法
JP4903179B2 (ja) * 2007-04-23 2012-03-28 サムソン エルイーディー カンパニーリミテッド． 発光装置及びその製造方法
JP5104385B2 (ja) * 2008-02-20 2012-12-19 豊田合成株式会社 Ｌｅｄランプモジュール
KR20100008620A (ko) * 2008-07-16 2010-01-26 삼성전기주식회사 발광 장치 및 이를 구비하는 백라이트 유닛
JP4799606B2 (ja) 2008-12-08 2011-10-26 株式会社東芝 光半導体装置及び光半導体装置の製造方法
JP4724222B2 (ja) 2008-12-12 2011-07-13 株式会社東芝 発光装置の製造方法
JP5462078B2 (ja) 2010-06-07 2014-04-02 株式会社東芝 半導体発光装置及びその製造方法
US8647900B2 (en) * 2010-09-20 2014-02-11 Tsmc Solid State Lighting Ltd. Micro-structure phosphor coating
JP5537446B2 (ja) * 2011-01-14 2014-07-02 株式会社東芝 発光装置、発光モジュール、発光装置の製造方法
JP2012169332A (ja) * 2011-02-10 2012-09-06 Toshiba Corp 半導体発光装置及びその製造方法
US8952405B2 (en) * 2011-03-06 2015-02-10 Mordehai MARGALIT Light emitting diode package and method of manufacture
KR20140034262A (ko) * 2011-06-01 2014-03-19 코닌클리케 필립스 엔.브이. 지지 기판에 접합된 발광 디바이스
TWI489658B (zh) 2012-05-25 2015-06-21 Toshiba Kk 半導體發光裝置及光源單元

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