JP6083930B2 - 光電変換装置および撮像システム、光電変換装置の製造方法 - Google Patents
光電変換装置および撮像システム、光電変換装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6083930B2 JP6083930B2 JP2012008200A JP2012008200A JP6083930B2 JP 6083930 B2 JP6083930 B2 JP 6083930B2 JP 2012008200 A JP2012008200 A JP 2012008200A JP 2012008200 A JP2012008200 A JP 2012008200A JP 6083930 B2 JP6083930 B2 JP 6083930B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoelectric conversion
- nitrogen concentration
- silicon oxide
- atomic
- oxide film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims description 228
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 18
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims description 11
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 463
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 232
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical group O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 154
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 154
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 67
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 61
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 61
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 61
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 53
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 34
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 27
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 27
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 26
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 claims description 25
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 22
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 20
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims description 19
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims description 19
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 claims description 16
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 13
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 13
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 12
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims description 12
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 152
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 86
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 29
- 230000008569 process Effects 0.000 description 24
- 230000006870 function Effects 0.000 description 19
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 15
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 9
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 8
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 8
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 7
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 6
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 5
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 5
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 4
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 4
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 4
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000001004 secondary ion mass spectrometry Methods 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 229910017855 NH 4 F Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 2
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 2
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 2
- 238000001095 inductively coupled plasma mass spectrometry Methods 0.000 description 2
- QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N n-(2,4-dichloro-5-propan-2-yloxyphenyl)acetamide Chemical compound CC(C)OC1=CC(NC(C)=O)=C(Cl)C=C1Cl QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005375 photometry Methods 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 238000005001 rutherford backscattering spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000000740 bleeding effect Effects 0.000 description 1
- 239000005380 borophosphosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 150000002829 nitrogen Chemical class 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000004347 surface barrier Methods 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
- H01L27/14612—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements involving a transistor
- H01L27/14614—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements involving a transistor having a special gate structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
- H01L27/14612—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements involving a transistor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14689—MOS based technologies
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14698—Post-treatment for the devices, e.g. annealing, impurity-gettering, shor-circuit elimination, recrystallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/186—Particular post-treatment for the devices, e.g. annealing, impurity gettering, short-circuit elimination, recrystallisation
- H01L31/1864—Annealing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/49—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET
- H01L29/51—Insulating materials associated therewith
- H01L29/518—Insulating materials associated therewith the insulating material containing nitrogen, e.g. nitride, oxynitride, nitrogen-doped material
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Description
転送トランジスタ103(104)のソースである光電変換部101(102)は、転送トランジスタ103(104)のドレイン1032(1042)よりも延在部2041で覆われる面積が大きい。そのため、延在部2041における窒素の存在の影響は、ドレイン1032(1042)よりも光電変換部101(102)で大きくなる。したがって、とりわけ、光電変換部101(102)上の延在部2041のピーク窒素濃度を、本実施形態のように、主部2040のピーク窒素濃度よりも低くすることが好ましい。
図7(a)を用いて工程A(第1のイオン注入工程)を説明する。まず、シリコンウエハ300を用意する。本例のシリコンウエハ300は、シリコン基体の上にn型のエピタキシャル層を形成したものであり、シリコンウエハ300としてはエピタキシャル層の部分のみを図示している。シリコンウエハ300には光電変換領域CR、周辺領域PRに絶縁分離部310が形成されている。ここでは絶縁分離部310は、STI(Shallow trench isolation)構造を有する。絶縁分離部310の形成時に、光電変換領域CRにのみ、分離絶縁体の界面における格子欠陥からのノイズを低減するためのp型半導体領域311を形成する。その後、周辺領域PRの低電圧部LN,LP,高電圧部HN,HPにそれぞれp型ウエル303と、n型ウエル304と、p型ウエル305と、n型ウエル306を形成する。後に、p型ウエル303には低電圧用のn型トランジスタである第1周辺nMOSFETが形成され、n型ウエル304には低電圧用のp型トランジスタである第1周辺pMOSFETが形成される。p型ウエル305には高電圧用のn型トランジスタである第2周辺nMOSFETが形成され、n型ウエル306に高低電圧用のp型トランジスタである第2周辺pMOSFETが形成される。
図7(b)を用いて工程B(酸化膜形成工程)を説明する。シリコンウエハ300の主面に、熱酸化法、プラズマ酸化法またはラジカル酸化法を用いて酸化シリコン膜を形成する。この酸化シリコン膜の上にを、フォトレジストパターン(不図示)を形成する。そして、フォトレジストパターンを用いて転送部TX,増幅部SF,高電圧部HN,高電圧部HPに酸化シリコン膜を残すように、低電圧部LNと低電圧部LPから酸化シリコン膜を除去する。酸化シリコン膜の除去には例えば、フッ酸(HF)、バッファードフッ酸(HF,NH4F,H2O2)、フッ化アンモニウム(NH4F)などによるウエットエッチングで行う。そして、フォトレジストパターンの除去を行う。これにより、転送部TX,増幅部SFに第1酸化シリコン膜4410が、高電圧部HN,高電圧部HPに第3酸化シリコン膜4430が、同時に形成される。
図7(c)を用いて工程B(酸化シリコン膜形成工程)を引き続き説明する。シリコンウエハ300の主面に、熱酸化法、プラズマ酸化法またはラジカル酸化法を用いて第2酸化シリコン膜4420を形成する。この第2酸化シリコン膜4420は、低電圧部LNと低電圧部LPに形成される。第2酸化シリコン膜4420は第3酸化シリコン膜4430よりも薄く形成する。第2酸化シリコン膜4420の厚みは、酸化処理の時間を調整することで設定すればよい。なお、第1〜第3酸化シリコン膜の形成を、スパッタ法やCVD法を用いても行うことが出来るが、酸化法を用いた酸化シリコン膜形成工程(酸化工程)を採用することでノイズを低減できる。
図8(a)を用いて工程C(窒化工程)を説明する。第1酸化シリコン膜4410、第2酸化シリコン膜4420、第3酸化シリコン膜4430を形成した後に第1酸化シリコン膜4410、第2酸化シリコン膜4420、第3酸化シリコン膜4430を窒化する。窒化処理にはプラズマ窒化法を用いることが好ましい。窒化処理ではシリコンウエハ300の全面がプラズマに晒される。
高周波電力 : 2.45GHz 500W
ガス : N2、Ar
圧力 : 0.05〜5Torr
処理時間 : 10〜150秒
ステージ温度 : 100〜400℃
工程D(アニール工程)を説明する。窒化処理を行った後にシリコンウエハ300のアニール処理を行う。アニール処理の条件は、例えば、以下の通りである。
温度 : 950〜1150℃
ガス : O2
圧力 : 0.5〜5Torr
処理時間 : 5〜30秒
図8(b)を用いて工程E(パターニング工程)を説明する。シリコンウエハ300上に、MOSFETのゲート電極となる導電体膜を形成する。ここで、導電体膜はポリシリコン膜である他の材料でもよい。本例では、ノンドープのポリシリコン膜を形成する。
図8(c)を用いて工程E(パターニング工程)を引き続き説明する。
図9(a)を用いて工程F(第2のイオン注入工程)を説明する。本工程では各トランジスタのソース及び/又はドレインを構成するための半導体領域を形成する。
図9(b)を用いて工程G(サイドウォールスペーサ形成工程)を説明する。シリコンウエハ300の全面に、図4(a)で説明した第1の酸化シリコン層2051となり、また、図4(b)で説明した第1の酸化シリコン層2151となる薄い酸化シリコン層(不図示)を形成する。本例での酸化シリコン層の厚みは10nmである。この酸化シリコン層をゲート電極の熱酸化によって形成すると、熱酸化に伴って、ゲート絶縁膜の主部が変形して、各MOSFETの特性が低下する可能性がある。そのため、この酸化シリコン層をCVD法により形成することが好ましい。次いで、酸化シリコン層の上に、シリコンウエハ300の全面に、図4(a)で説明した第1の窒化シリコン層2052となり、また、図4(b)で説明した第1の窒化シリコン層2152となる窒化シリコン層を形成する。この窒化シリコン層はCVD法により形成することができる。適切なフォトレジストパターンをマスクとして光電変換領域CRに形成し、周辺領域RPの窒化シリコン層および酸化シリコン層をエッチングする。これにより、周辺領域PRにサイドウォールスペーサ215が形成される。この時のエッチングは異方性のドライエッチングを用いることができる。なお、周辺領域PRにおいて、ゲート電極の上面の上に設けられた第2無機絶縁部材412および第3無機絶縁部材413はサイドウォールスペーサ215を形成するためのエッチングで薄くなる。第2無機絶縁部材412および第3無機絶縁部材413が完全に除去されてもよい。一方第1無機絶縁部材411は少なくとも第1の窒化シリコン層2052で覆われており、残ったまままとなる。また、ゲート絶縁膜2340、2440の延在部は、サイドウォールスペーサ215を形成するためのエッチングで、サイドウォール215の下に位置する部分を除いて、薄くなる。ゲート絶縁膜2340、2440の延在部が完全に除去されてもよい。
図9(c)を用いて工程H(第3のイオン注入工程)を説明する。
低電圧部LN、高電圧部HNにソース・ドレインの高濃度領域2110、2120を、低電圧部LP、HPにソース・ドレインの高濃度領域2210、2220をそれぞれ形成する。このようにして、LDD(Lightly Doped Drain)構造を有する周辺MOSFETが形成される。なお、先の工程で第2無機絶縁部材412、第3無機絶縁部材413が薄くなっているか完全に除去されているため、本工程のイオン注入により周辺MOSFETのゲート電極にはソース・ドレインへイオン注入とほぼ同量の不純物が注入される。これによって、周辺MOSFETのゲート電極の不純物濃度は、光電変換MOSFETのゲート電極の不純物濃度よりも高くなる。また、周辺MOSFETのゲート電極のシート抵抗は、光電変換MOSFETのゲート電極のシート抵抗よりも低くなる。これにより、周辺MOSFETの性能を向上することができる。なお、工程Fで形成された光電変換MOSFETのソース・ドレインの不純物濃度は、周辺MOSFETのソース・ドレインの不純物濃度よりも低い。このように、光電変換MOSFETのソース・ドレインと周辺MOSFETのソース・ドレインを別々に形成することにより、例えば増幅トランジスタのダイナミックレンジを向上することが可能となる。
図10(a)を用いて工程I(シリサイド化工程)を説明する。光電変換領域CRを覆う第2の酸化シリコン層250を形成する。この第2の酸化シリコン層250は周辺領域PRには設けられず、周辺MOSFETのソース211、212と、ドレイン212、222と、ゲート電極230を露出している。なお、工程Gで、第2無機絶縁部材412および第3無機絶縁部材413が薄く残っている場合には、本工程で完全に除去して、ゲート電極230を露出させる。
図10(b)を用いて工程Jを説明する。
図10(c)を用いて工程K(配線工程)を説明する。図10(c)に示すような層間絶縁層500を形成する。この層間絶縁層500は、本例ではHDP(High Density Plasma)酸化シリコン膜であるが、PSG,BSGやBPSGなどのケイ酸塩ガラス膜あってもよい。層間絶縁層500はCMP法やリフロー法、エッチバック法などの公知の方法により平坦化されている。
シリコンウエハ300の上に、カラーフィルタアレイやマイクロレンズアレイなどを含む光学ユニットを形成する。光電変換部101(102)上に導波路構造を形成することもできる。
以上のようにして光電変換手段10や信号処理手段20、駆動手段30が形成されたシリコンウエハ300をダイシングして、複数のチップに分割する。各チップをパッケージングして光電変換装置1を作製する。
10 光電変換手段
20 信号処理手段
130 ゲート電極
204 ゲート絶縁膜
2040 主部
2041 延在部
201 ソース
202 ドレイン
2030 チャネル領域
230 ゲート電極
214 ゲート絶縁膜
2140 主部
2141 延在部
211 ソース
212 ドレイン
2130 チャネル領域
Claims (20)
- 光電変換手段を備えた光電変換装置において、
前記光電変換手段は、導電体、半導体、および前記導電体と前記半導体との間に設けられた絶縁体からなる積層構造を有する半導体素子を含み、
前記絶縁体は、前記導電体と前記半導体との間に位置する主部において窒素を含有する酸化シリコン膜であって、
前記主部の最高窒素濃度が0.10原子%より高く5.00原子%より低く、前記主部の前記半導体側の面における界面窒素濃度が0.10原子%以下であり、
前記半導体素子は、前記積層構造をゲートとし、光電変換部であるソースとドレインとをさらに有する転送トランジスタを含み、
前記酸化シリコン膜は、前記主部から前記光電変換部の上に延在した延在部を有しており、前記延在部の厚みが前記主部の厚みよりも小さく、前記延在部の最高窒素濃度が前記主部の前記最高窒素濃度よりも低いことを特徴とする光電変換装置。 - 前記導電体はn型のポリシリコンからなる請求項1に記載の光電変換装置。
- 前記延在部の最高窒素濃度が1.00原子%以下であり、前記延在部の前記光電変換部側の面における界面窒素濃度が0.05原子%以下である請求項1または2に記載の光電変換装置。
- 前記延在部の最高窒素濃度が前記主部の前記最高窒素濃度の1/2以下である請求項3に記載の光電変換装置。
- 前記半導体素子は、前記積層構造をゲートとし、光電変換部で発生した信号電荷の量に応じた電気信号を生成する増幅トランジスタを含む請求項1乃至4のいずれか1項に記載の光電変換装置。
- 前記積層構造における前記主部の厚みが5.0nm以上である請求項1乃至5のいずれか1項に記載の光電変換装置。
- nMOSFETとpMOSFETを含む、前記光電変換手段からの信号を処理する信号処理手段をさらに備え、
前記nMOSFETおよび前記pMOSFETのゲート絶縁膜は、窒素を含有する酸化シリコン膜であって、
前記ゲート絶縁膜の最高窒素濃度が0.50原子%以上5.0原子%以下であり、前記ゲート絶縁膜のチャネル領域側の面における界面窒素濃度が0.50原子%未満である請求項1乃至6のいずれか1項に記載の光電変換装置。 - 前記信号処理手段は、前記nMOSFETと前記pMOSFETを含むCMOS回路を有し、前記CMOS回路において、前記nMOSFETと前記pMOSFETのゲート電極は、前記nMOSFETに対応するn型のポリシリコンからなるn型部分と、前記pMOSFETに対応するp型のポリシリコンからなり前記n型部分に連続するp型部分と、を有し、
前記n型部分の上から前記p型部分の上に渡って、第1シリサイド層が設けられており、前記nMOSFETと前記pMOSFETのそれぞれのソースおよびドレインの上には第2シリサイド層が設けられている請求項7に記載の光電変換装置。 - 前記nMOSFETは、第1のnMOSFETと第2のnMOSFETを含み、前記pMOSFETは第1のpMOSFETと第2のpMOSFETを含み、
前記第1のnMOSFETおよび前記第1のpMOSFETのゲート絶縁膜の厚みは、前記第2のnMOSFETおよび前記第2のpMOSFETのゲート絶縁膜の厚みよりも小さい請求項7または8に記載の光電変換装置。 - 前記第1のnMOSFETおよび前記第1のpMOSFETの前記ゲート絶縁膜の最高窒素濃度が0.50原子%以上であり、前記ゲート絶縁膜のチャネル領域側の面における界面窒素濃度が0.50原子%未満であり、
前記第2のnMOSFETおよび前記第2のpMOSFETの前記ゲート絶縁膜の最高窒素濃度が0.50原子%以上であり、前記ゲート絶縁膜のチャネル領域側の面における界面窒素濃度が0.10原子%以下である請求項9に記載の光電変換装置。 - 前記第1のnMOSFETおよび前記第1のpMOSFETの前記ゲート絶縁膜の厚みが5.0nm未満である請求項9または10に記載の光電変換装置。
- 光電変換手段と前記光電変換手段からの信号を処理する信号処理手段を備えた光電変換装置において、
前記光電変換手段は、第1のMOS構造を有する半導体素子を含み、
前記信号処理手段は、第2のMOS構造を有する半導体素子を含み、
前記第1のMOS構造および前記第2のMOS構造の絶縁体は、導電体と半導体との間に位置する主部において窒素を含有し、前記主部から延在する延在部を有する酸化シリコン膜であって、前記導電体の側の第1面および前記半導体の側の第2面を有し、
前記第2のMOS構造の前記主部の厚みT2は、前記第1のMOS構造の前記主部の厚みT1よりも小さく、
前記第1のMOS構造および前記第2のMOS構造の前記主部の最高窒素濃度が0.10原子%より大きくかつ10.00原子%以下であり、
前記第1のMOS構造の前記主部のうち前記第1面からの距離がT1/2である第1部分における窒素濃度が、前記第2のMOS構造の前記主部のうち、前記第1面からの距離がT2/2である第2部分における窒素濃度よりも小さく、
前記第1のMOS構造および前記第2のMOS構造の前記主部の前記第2面における界面窒素濃度が0.10原子%以下であり、
前記第1のMOS構造および前記第2のMOS構造のそれぞれの前記酸化シリコン膜において、前記延在部の厚みは前記主部の厚みよりも小さく、前記延在部の最高窒素濃度が前記主部の前記最高窒素濃度よりも低いことを特徴とする光電変換装置。 - 前記第1のMOS構造および前記第2のMOS構造の導電体はn型のポリシリコンからなり、前記第1のMOS構造および前記第2のMOS構造の前記主部の最高窒素濃度が0.50原子%以上5.00原子%以下であり、前記第1部分および前記第2部分における窒素濃度は1.00原子%以下であり、前記第1のMOS構造の前記主部の前記界面窒素濃度が0.05原子%以下である請求項12に記載の光電変換装置。
- 前記信号処理手段は、第3のMOS構造を有する半導体素子を含み、
前記第3のMOS構造の絶縁体は、導電体と半導体との間に位置する主部において窒素を含有する酸化シリコン膜であって、前記第3のMOS構造の前記主部の厚みは、前記第2のMOS構造の前記主部の厚みT2よりも大きく、
前記第3のMOS構造の前記主部の最高窒素濃度が0.50原子%以上5.00原子%以下であり、前記第3のMOS構造の前記主部の半導体側の面における界面窒素濃度が0.10原子%以下である請求項12または13に記載の光電変換装置。 - 請求項1乃至14のいずれか1項に記載の光電変換装置と、前記光電変換装置からの出力信号に基づいて画像を生成する画像生成装置と、を備える撮像システム。
- 第1領域に、光電変換部およびMOSFETを有する光電変換手段と、
第2領域に、nMOSFETおよびpMOSFETを有する信号処理手段と、
を備えた光電変換装置の製造方法において、
シリコンウエハの第1領域に第1酸化シリコン膜を形成し、前記シリコンウエハの第2領域に前記第1酸化シリコンよりも厚みの小さい第2酸化シリコン膜を形成する酸化シリコン膜形成工程と、
プラズマ窒化法を用いて、前記第1酸化シリコン膜と前記第2酸化シリコン膜へ窒素を同時に導入する窒化工程と、
窒素が導入された前記第1酸化シリコン膜の上に、前記MOSFETのゲート電極をパターニングし、窒素が導入された前記第2酸化シリコン膜の上に、前記nMOSFETおよび前記pMOSFETのゲート電極をパターニングするパターニング工程と、を有し、
前記窒化工程を、前記第1酸化シリコン膜および前記第2酸化シリコン膜の最高窒素濃度が5.00原子%より低く、前記第1酸化シリコン膜および前記第2酸化シリコン膜の前記シリコンウエハ側の面における界面窒素濃度が0.10原子%以下となるように行い、
前記窒化工程の後に、前記第1酸化シリコン膜のうちの、前記MOSFETの前記ゲート電極と前記シリコンウエハとの間に位置する第1部分とは別の第2部分の厚みを薄くすることによって、前記光電変換部の上に残る前記第2部分の最高窒素濃度を前記第1部分の最高窒素濃度よりも低くすることを特徴とする光電変換装置の製造方法。 - 前記窒化工程の後、かつ、前記パターニング工程の前に、950℃以上1150℃以下の温度で前記シリコンウエハをアニールするアニール工程を有する請求項16に記載の光電変換装置の製造方法。
- 前記パターニング工程の後に、前記第1酸化シリコン膜の前記第2部分の下にイオン注入する第1イオン注入工程と、
前記第1イオン注入工程の後に、前記第1領域および前記第2領域に窒化シリコン層を形成し、前記第2領域において前記窒化シリコン層をエッチングすることにより、前記nMOSFETおよび前記pMOSFETのサイドウォールスペーサを形成するサイドウォールスペーサ形成工程と、
前記サイドウォールスペーサ形成工程の後に、前記シリコンウエハの前記第2領域にイオン注入する第2イオン注入工程と、を有する請求項16または17に記載の光電変換装置の製造方法。 - 前記酸化シリコン膜形成工程は、熱酸化法、プラズマ酸化法またはラジカル酸化法を用いて前記シリコンウエハの前記第2領域の別の部分に前記第2酸化シリコン膜より厚い第3酸化シリコン膜を、前記第1酸化シリコン膜と同時に形成する段階と、熱酸化法、プラズマ酸化法またはラジカル酸化法を用いて前記シリコンウエハの前記第2領域に前記第2酸化シリコン膜を形成する段階と、を含み、
前記窒化工程において、前記第1酸化シリコン膜と前記第2酸化シリコン膜への窒素の導入と同時に、前記第3酸化シリコン膜へ窒素を導入し、
前記パターニング工程において、窒素が導入された前記第3酸化シリコン膜の上にもnMOSFETおよびpMOSFETのゲート電極を形成する請求項16乃至18のいずれか1項に記載の光電変換装置の製造方法。 - 前記パターニング工程は、前記シリコンウエハの上にポリシリコン膜を形成する段階と、前記ポリシリコン膜の前記nMOSFETの前記ゲート電極になる部分へn型の不純物を導入する段階と、前記ポリシリコン膜の前記pMOSFETの前記ゲート電極になる部分へp型の不純物を導入する段階を含み、
前記パターニング工程の後、前記nMOSFETおよび前記pMOSFETの各々のソースおよびドレインを形成する工程と、
前記nMOSFETおよび前記pMOSFETの各々のソースおよびドレインの表面および前記ゲート電極の表面をシリサイド化するシリサイド化工程と、を有する請求項16乃至19のいずれか1項に記載の光電変換装置の製造方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012008200A JP6083930B2 (ja) | 2012-01-18 | 2012-01-18 | 光電変換装置および撮像システム、光電変換装置の製造方法 |
US13/742,226 US9412773B2 (en) | 2012-01-18 | 2013-01-15 | Photoelectric conversion apparatus, image pickup system, and method for manufacturing photoelectric conversion apparatus |
CN201310019208.3A CN103219348B (zh) | 2012-01-18 | 2013-01-18 | 光电转换装置、图像拾取系统和光电转换装置的制造方法 |
US15/209,632 US10103186B2 (en) | 2012-01-18 | 2016-07-13 | Photoelectric conversion apparatus, image pickup system, and method for manufacturing photoelectric conversion apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012008200A JP6083930B2 (ja) | 2012-01-18 | 2012-01-18 | 光電変換装置および撮像システム、光電変換装置の製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017009714A Division JP6362121B2 (ja) | 2017-01-23 | 2017-01-23 | 光電変換装置および撮像システム、光電変換装置の製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013149741A JP2013149741A (ja) | 2013-08-01 |
JP2013149741A5 JP2013149741A5 (ja) | 2015-03-05 |
JP6083930B2 true JP6083930B2 (ja) | 2017-02-22 |
Family
ID=48779386
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012008200A Active JP6083930B2 (ja) | 2012-01-18 | 2012-01-18 | 光電変換装置および撮像システム、光電変換装置の製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9412773B2 (ja) |
JP (1) | JP6083930B2 (ja) |
CN (1) | CN103219348B (ja) |
Families Citing this family (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9236411B2 (en) | 2011-08-03 | 2016-01-12 | Omnivision Technologies, Inc. | Color filter patterning using hard mask |
US20130341692A1 (en) * | 2012-06-22 | 2013-12-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Novel [N] Profile in Si-Ox Interface for CMOS Image Sensor Performance Improvement |
US8941159B2 (en) | 2013-01-30 | 2015-01-27 | Omnivision Technologies, Inc. | Color filter including clear pixel and hard mask |
JP6206012B2 (ja) * | 2013-09-06 | 2017-10-04 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素半導体装置 |
JP6355311B2 (ja) * | 2013-10-07 | 2018-07-11 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置、その製造方法及び撮像システム |
JP2015109343A (ja) * | 2013-12-04 | 2015-06-11 | キヤノン株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US9608033B2 (en) * | 2014-05-12 | 2017-03-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state image sensor, method of manufacturing the same, and camera |
JP6246076B2 (ja) * | 2014-06-05 | 2017-12-13 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
JP2016103615A (ja) * | 2014-11-28 | 2016-06-02 | キヤノン株式会社 | 撮像装置の製造方法、撮像装置および撮像システム |
EP3113224B1 (en) * | 2015-06-12 | 2020-07-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Imaging apparatus, method of manufacturing the same, and camera |
US10978489B2 (en) * | 2015-07-24 | 2021-04-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, display panel, method for manufacturing semiconductor device, method for manufacturing display panel, and information processing device |
JP2017037907A (ja) * | 2015-08-07 | 2017-02-16 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 撮像装置およびその製造方法 |
JP2017045873A (ja) * | 2015-08-27 | 2017-03-02 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
JP2017059563A (ja) * | 2015-09-14 | 2017-03-23 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 撮像素子 |
JP2017085065A (ja) * | 2015-10-30 | 2017-05-18 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2018006443A (ja) * | 2016-06-29 | 2018-01-11 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2018088495A (ja) * | 2016-11-29 | 2018-06-07 | キヤノン株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP7293190B2 (ja) | 2018-03-16 | 2023-06-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
WO2021152943A1 (ja) * | 2020-01-30 | 2021-08-05 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 撮像装置 |
CN117480610A (zh) * | 2021-06-30 | 2024-01-30 | 松下知识产权经营株式会社 | 摄像装置及其制造方法 |
Family Cites Families (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3288796B2 (ja) | 1993-03-15 | 2002-06-04 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
JPH104145A (ja) | 1996-06-18 | 1998-01-06 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP4308341B2 (ja) | 1998-05-25 | 2009-08-05 | 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP3264265B2 (ja) | 1999-03-12 | 2002-03-11 | 日本電気株式会社 | Cmos半導体装置及びその製造方法 |
JP2002305196A (ja) * | 2001-04-09 | 2002-10-18 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
US6773999B2 (en) | 2001-07-18 | 2004-08-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for treating thick and thin gate insulating film with nitrogen plasma |
JP2003282567A (ja) * | 2002-03-26 | 2003-10-03 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
JP4128396B2 (ja) | 2002-06-07 | 2008-07-30 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体装置の製造方法 |
TWI289905B (en) * | 2002-07-23 | 2007-11-11 | Fujitsu Ltd | Image sensor and image sensor module |
US7405757B2 (en) | 2002-07-23 | 2008-07-29 | Fujitsu Limited | Image sensor and image sensor module |
JP2004241755A (ja) * | 2003-01-15 | 2004-08-26 | Renesas Technology Corp | 半導体装置 |
JP2004266040A (ja) * | 2003-02-28 | 2004-09-24 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置 |
JP4135541B2 (ja) * | 2003-03-26 | 2008-08-20 | ソニー株式会社 | プラズマ表面処理方法 |
JP4485754B2 (ja) * | 2003-04-08 | 2010-06-23 | パナソニック株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP4190940B2 (ja) | 2003-05-13 | 2008-12-03 | エルピーダメモリ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
TWI220654B (en) | 2003-07-02 | 2004-09-01 | Ind Tech Res Inst | Adjustable whirlpool electrostatic filter |
JP4175649B2 (ja) | 2004-07-22 | 2008-11-05 | 松下電器産業株式会社 | 半導体装置 |
US7214631B2 (en) * | 2005-01-31 | 2007-05-08 | United Microelectronics Corp. | Method of forming gate dielectric layer |
DE102006017281A1 (de) | 2005-05-02 | 2006-11-16 | Samsung Electronics Co., Ltd., Suwon | CMOS-Bildsensoren und Verfahren zum Herstellen derselben |
US20080296644A1 (en) * | 2005-05-02 | 2008-12-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Cmos image sensors and methods of fabricating same |
KR100632954B1 (ko) * | 2005-05-06 | 2006-10-12 | 삼성전자주식회사 | 씨모스 이미지센서 및 그 제조방법 |
JP4954508B2 (ja) | 2005-08-05 | 2012-06-20 | パナソニック株式会社 | 半導体装置 |
US7821823B2 (en) | 2005-12-02 | 2010-10-26 | Nec Electronics Corporation | Semiconductor memory device, method of driving the same and method of manufacturing the same |
US7544533B2 (en) * | 2006-01-09 | 2009-06-09 | Aptina Imaging Corporation | Method and apparatus for providing an integrated circuit having p and n doped gates |
JP2007317741A (ja) | 2006-05-23 | 2007-12-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置およびその製造方法 |
CN101620994B (zh) | 2008-06-30 | 2011-01-12 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | 掺杂栅介质层、多晶硅层及叠层顶层的最小厚度确定方法 |
JP5446281B2 (ja) * | 2008-08-01 | 2014-03-19 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、その製造方法および撮像装置 |
JP5538922B2 (ja) * | 2009-02-06 | 2014-07-02 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置の製造方法 |
US8450221B2 (en) * | 2010-08-04 | 2013-05-28 | Texas Instruments Incorporated | Method of forming MOS transistors including SiON gate dielectric with enhanced nitrogen concentration at its sidewalls |
CN201845782U (zh) | 2010-10-19 | 2011-05-25 | 格科微电子(上海)有限公司 | Mos晶体管及cmos图像传感器 |
-
2012
- 2012-01-18 JP JP2012008200A patent/JP6083930B2/ja active Active
-
2013
- 2013-01-15 US US13/742,226 patent/US9412773B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2013-01-18 CN CN201310019208.3A patent/CN103219348B/zh active Active
-
2016
- 2016-07-13 US US15/209,632 patent/US10103186B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9412773B2 (en) | 2016-08-09 |
JP2013149741A (ja) | 2013-08-01 |
US10103186B2 (en) | 2018-10-16 |
US20160322409A1 (en) | 2016-11-03 |
CN103219348B (zh) | 2016-08-10 |
CN103219348A (zh) | 2013-07-24 |
US20130181268A1 (en) | 2013-07-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6083930B2 (ja) | 光電変換装置および撮像システム、光電変換装置の製造方法 | |
US10319758B2 (en) | Solid-state imaging device, method for manufacturing solid-state imaging device, and imaging apparatus | |
JP5493382B2 (ja) | 固体撮像装置、その製造方法および撮像装置 | |
US8431880B2 (en) | Solid-state imaging device, method of producing the same, and imaging device | |
JP2015109343A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US20200035740A1 (en) | Method of manufacturing solid-state image sensor, solid-state image sensor, and camera | |
US10777596B2 (en) | Imaging apparatus, method of manufacturing the same, and device | |
US10916574B2 (en) | Imaging device, method of manufacturing the same, and apparatus | |
JP6362121B2 (ja) | 光電変換装置および撮像システム、光電変換装置の製造方法 | |
JP6781745B2 (ja) | 撮像装置の製造方法 | |
KR101569532B1 (ko) | 고체 촬상 장치, 그 제조 방법 및 촬상 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150119 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150119 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20151015 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20151027 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20151224 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160614 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160808 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20161227 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170124 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6083930 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |