JP5866552B2 - 有機エレクトロルミネッセンス素子及びそれを用いた照明装置 - Google Patents
有機エレクトロルミネッセンス素子及びそれを用いた照明装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5866552B2 JP5866552B2 JP2015505260A JP2015505260A JP5866552B2 JP 5866552 B2 JP5866552 B2 JP 5866552B2 JP 2015505260 A JP2015505260 A JP 2015505260A JP 2015505260 A JP2015505260 A JP 2015505260A JP 5866552 B2 JP5866552 B2 JP 5866552B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- layer
- light emitting
- refractive index
- organic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 title claims description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 103
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 95
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 84
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 claims description 78
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 claims description 23
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 18
- 230000006870 function Effects 0.000 claims description 13
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 claims description 11
- 230000004323 axial length Effects 0.000 claims description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 465
- 239000000463 material Substances 0.000 description 54
- 238000013461 design Methods 0.000 description 42
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 41
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 41
- 238000000034 method Methods 0.000 description 35
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 28
- 239000010408 film Substances 0.000 description 25
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 17
- -1 spray coating Substances 0.000 description 16
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 14
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 12
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 11
- 230000008859 change Effects 0.000 description 11
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 11
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 11
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 10
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 9
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 9
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 9
- 230000009471 action Effects 0.000 description 8
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 8
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 8
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 8
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 7
- 239000002585 base Substances 0.000 description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 5
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 5
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 5
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 5
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 5
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 4
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 4
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 4
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 4
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 4
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 4
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 4
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 4
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 4
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012788 optical film Substances 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- VFUDMQLBKNMONU-UHFFFAOYSA-N 9-[4-(4-carbazol-9-ylphenyl)phenyl]carbazole Chemical group C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 VFUDMQLBKNMONU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TWRXJAOTZQYOKJ-UHFFFAOYSA-L Magnesium chloride Chemical compound [Mg+2].[Cl-].[Cl-] TWRXJAOTZQYOKJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N coronene Chemical compound C1=C(C2=C34)C=CC3=CC=C(C=C3)C4=C4C3=CC=C(C=C3)C4=C2C3=C1 VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N cyclopentadiene Chemical compound C1C=CC=C1 ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 2
- 238000007607 die coating method Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 2
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical group C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 2
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N pyrene Chemical compound C1=CC=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 2
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NGQSLSMAEVWNPU-YTEMWHBBSA-N 1,2-bis[(e)-2-phenylethenyl]benzene Chemical class C=1C=CC=CC=1/C=C/C1=CC=CC=C1\C=C\C1=CC=CC=C1 NGQSLSMAEVWNPU-YTEMWHBBSA-N 0.000 description 1
- KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 1,4,4-triphenylbuta-1,3-dienylbenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(C=1C=CC=CC=1)=CC=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GUPMCMZMDAGSPF-UHFFFAOYSA-N 1-phenylbuta-1,3-dienylbenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1[C](C=C[CH2])C1=CC=CC=C1 GUPMCMZMDAGSPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MQRCTQVBZYBPQE-UHFFFAOYSA-N 189363-47-1 Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=C2C3(C4=CC(=CC=C4C2=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC(=CC=C1C1=CC=C(C=C13)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 MQRCTQVBZYBPQE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QZTQQBIGSZWRGI-UHFFFAOYSA-N 2-n',7-n'-bis(3-methylphenyl)-2-n',7-n'-diphenyl-9,9'-spirobi[fluorene]-2',7'-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C3C4(C5=CC=CC=C5C5=CC=CC=C54)C4=CC(=CC=C4C3=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 QZTQQBIGSZWRGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HONWGFNQCPRRFM-UHFFFAOYSA-N 2-n-(3-methylphenyl)-1-n,1-n,2-n-triphenylbenzene-1,2-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C(=CC=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 HONWGFNQCPRRFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MGADZUXDNSDTHW-UHFFFAOYSA-N 2H-pyran Chemical compound C1OC=CC=C1 MGADZUXDNSDTHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GOLORTLGFDVFDW-UHFFFAOYSA-N 3-(1h-benzimidazol-2-yl)-7-(diethylamino)chromen-2-one Chemical compound C1=CC=C2NC(C3=CC4=CC=C(C=C4OC3=O)N(CC)CC)=NC2=C1 GOLORTLGFDVFDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ONKCIMOQGCARHN-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-n-[4-[4-(3-methylanilino)phenyl]phenyl]aniline Chemical compound CC1=CC=CC(NC=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(NC=3C=C(C)C=CC=3)=CC=2)=C1 ONKCIMOQGCARHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NCGICGYLBXGBGN-UHFFFAOYSA-N 3-morpholin-4-yl-1-oxa-3-azonia-2-azanidacyclopent-3-en-5-imine;hydrochloride Chemical compound Cl.[N-]1OC(=N)C=[N+]1N1CCOCC1 NCGICGYLBXGBGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WEELZNKFYGCZKL-UHFFFAOYSA-N 4-(4-phenylphenyl)-n,n-bis[4-(4-phenylphenyl)phenyl]aniline Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC=CC=2)C=C1 WEELZNKFYGCZKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001148 Al-Li alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000284156 Clerodendrum quadriloculare Species 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical compound N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N Tetrahydroanthracene Natural products C1=CC=C2C=C(CCCC3)C3=CC2=C1 XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UATJOMSPNYCXIX-UHFFFAOYSA-N Trinitrobenzene Chemical compound [O-][N+](=O)C1=CC([N+]([O-])=O)=CC([N+]([O-])=O)=C1 UATJOMSPNYCXIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N [Li].[Al] Chemical compound [Li].[Al] JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JHYLKGDXMUDNEO-UHFFFAOYSA-N [Mg].[In] Chemical compound [Mg].[In] JHYLKGDXMUDNEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N anhydrous quinoline Natural products N1=CC=CC2=CC=CC=C21 SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- WZJYKHNJTSNBHV-UHFFFAOYSA-N benzoquinoline Natural products C1=CN=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 WZJYKHNJTSNBHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005422 blasting Methods 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 125000000609 carbazolyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3NC12)* 0.000 description 1
- 150000001722 carbon compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 1
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GBRBMTNGQBKBQE-UHFFFAOYSA-L copper;diiodide Chemical compound I[Cu]I GBRBMTNGQBKBQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003983 fluorenyl group Chemical class C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC12)* 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009931 harmful effect Effects 0.000 description 1
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 1
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000001989 lithium alloy Substances 0.000 description 1
- 229910001629 magnesium chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N magnesium silver Chemical compound [Mg].[Ag] SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910001512 metal fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000004776 molecular orbital Methods 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N oxadiazole Chemical compound C1=CON=N1 WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000005041 phenanthrolines Chemical class 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 150000003222 pyridines Chemical class 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 1
- WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N rhenium atom Chemical compound [Re] WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N tetracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC=CC=C4C=C3C=C21 IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004905 tetrazines Chemical class 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001131 transforming effect Effects 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/858—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
- H10K50/13—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light comprising stacked EL layers within one EL unit
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/852—Arrangements for extracting light from the devices comprising a resonant cavity structure, e.g. Bragg reflector pair
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/854—Arrangements for extracting light from the devices comprising scattering means
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/32—Stacked devices having two or more layers, each emitting at different wavelengths
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K59/876—Arrangements for extracting light from the devices comprising a resonant cavity structure, e.g. Bragg reflector pair
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K59/877—Arrangements for extracting light from the devices comprising scattering means
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K59/879—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/351—Thickness
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8051—Anodes
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Description
光透過性を有する基板と、この基板の表面に設けられた光拡散層と、この光拡散層の表面に設けられた光透過性電極と、この光透過性電極と対をなす光反射性電極と、前記光透過性電極と前記光反射性電極との間に設けられた一又は複数の発光層と、を有する有機エレクトロルミネッセンス素子であって、
前記発光層のうち、前記光反射性電極から第m番目に配置された前記発光層を第m番発光層とし(mは1以上の整数である)、
前記第m番発光層の重み平均発光波長をλmとし、
前記第m番発光層で生じた光における、下記式(1)で示される前記光反射性電極で生じる位相シフトをφmとし、
前記光反射性電極から前記第m番発光層までの間を満たす媒質の平均屈折率をnm(λm)とし、及び、
前記光反射性電極から前記第m番発光層までの間の距離をdmとしたときに、
下記式(2)の関係が、少なくとも第1番発光層(m=1)において満たされることを特徴とする。
前記発光層から前記光拡散層に到達する光の前記光拡散層への入射角をθとしたときに、
次の式(3)で示される角度θの条件で前記光拡散層へ入射する光におけるu’v’座標での色度と、正面方向から前記光拡散層へ入射する光におけるu’v’座標での色度との差であって前記光拡散層での色差である色差Δu’v’が、絶対値で0.1以下である。
前記第2透明材料層は、前記基板よりも屈折率が大きく、
前記第1透明材料層と前記第2透明材料層との界面に、凹凸構造が形成されている。
d1 < d2 < d3 < ・・・
の関係が満たされる。
有機EL素子の設計モデルにより、上記の関係式が好ましいことを説明する。
上記設計に基づいて、シングルユニットの有機EL素子を試作した。層構成は、図4に示す第4実施形態の層構成にした。発光色は、橙色発光とした。発光層の重み平均発光波長(λ1)は580nmとした。第1番発光層E1と光反射性電極4との間を満たす媒質の平均屈折率(n)は1.80、消衰係数(k)は0.0005とした。この屈折率及び消衰係数は波長λ1における平均値である。また、光反射性電極4をAgで構成した。この光反射性電極4の屈折率(n)は、0.119であり、消衰係数(k)は3.51であった。なお、屈折率及び消衰係数は、発光波長に依存するため、上記の設計モデルとは値が異なっている。光透過性電極3にはITOを用いた。光透過性電極3を陽極として構成し、光反射性電極4を陰極として構成した。基板1はガラス基板(屈折率1.5)を用いた。この有機EL素子では、斜め方向(特にθ=45°)付近の光を活用するため、光拡散層2を基板1と光透過性電極3との間に挿入した。光拡散層2の導入により、光の進行方向が変更されるため、斜め方向の光をより多く取り出すことができる。
φ(λ1)=0.694π
となる。
d1(0.15)= 56 + 0.15×580/1.80 =104nm
と計算され、ファクターAを考慮した距離d1が求まる。
上記設計に基づいて、マルチユニットの有機EL素子を試作した。層構成は、図5に示す第5実施形態の層構成にした。全体の発光色は、白色とした。白色発光は、照明用途などにおいて重要である。第1番発光層E1の重み平均発光波長(λ1)は580nmとした。第1番発光層E1の発光色は橙色である。第2番発光層E2の重み平均発光波長(λ2)は470nmとした。第2番発光層E2の発光色は青色である。第1番発光層E1と光反射性電極4との間を満たす媒質の平均屈折率(n)は1.80、消衰係数(k)は0.0005とした。この屈折率及び消衰係数は波長λ1における平均値である。第2番発光層E2と光反射性電極4との間を満たす媒質の平均屈折率(n)は1.83、消衰係数(k)は0.0007とした。この屈折率及び消衰係数は波長λ2における平均値である。また、光反射性電極4をAgで構成した。この光反射性電極4の、波長λ1における屈折率(n)は、0.119であり、消衰係数(k)は3.51であった。また、光反射性電極4の、波長λ2における屈折率(n)は、0.135であり、消衰係数(k)は2.66であった。光透過性電極3にはITOを用いた。光透過性電極3を陽極として構成し、光反射性電極4を陰極として構成した。基板1はガラス基板(屈折率1.5)を用いた。この有機EL素子では、斜め方向(特にθ=45°)付近の光を活用するため、光拡散層2を基板1と光透過性電極3との間に挿入した。光拡散層2の導入により、光の進行方向が変更されるため、斜め方向の光をより多く取り出すことができる。
d2(0.65)= 40 + 0.65×470/1.83 =207nm
と計算され、ファクターAを考慮した距離d2が求まる。なお、第2番発光層E2の位置は、2次干渉の位置を基準にしてずらした条件としている。1次干渉では第1番発光層E1の位置と近くなり好適化できないからである。
有機EL素子を構成する材料を説明する。有機EL素子は、有機EL素子を製造するために通常用いられる適宜の材料で形成され得る。
有機EL素子では、光拡散層2を設けることによって有機層と基板との界面での全反射を抑制し、光をより多く外部に取り出せるようにしている。そのため、光拡散層2を好適化することによって、さらなる光取り出し性の向上を行うことができる。光拡散層2は、透明材料によって形成される。
凹凸構造20の凹凸は、ランダム性が制御されていることが好ましい。ここで、凹凸構造20の形状について、次のように定義する。凹凸が完全にランダムに配置される場合は完全ランダム構造という。凹凸がある一定のルールの下でランダムに配置される場合は制御ランダム構造という。凹凸がランダムではなく一定の周期性をもって規則的に配置される場合は周期構造という。そして、格子状の区画10の一つをブロックとして考える。一つのブロックのサイズをwと定義する。ブロックのサイズは、四角形の場合、1辺と考えることができる。ブロックのサイズは、六角形の場合、この六角形に内接する円の直径と考えることができる。凸部11が繋がって形成された大きい凸部において、一の凸部とこの凸部に離間して隣り合う他の凸部との同じ側の端縁間の距離を平均周期として規定する。平均周期は、いわば平均ピッチと等しい。
図32は、他の光拡散層2の例であり、第6実施形態の有機EL素子を示している。第6実施形態は、途中の層構成を省略しているが、マルチユニット構造であってもよく、シングルユニット構造であってもよい。発光層Eは、上記で説明した形態と同様に配置されている。
図35は、有機エレクトロルミネッセンス素子(有機EL素子101)を備えた照明装置100の一例である。有機EL素子101は、基板1と光拡散層2と光透過性電極3と複数の発光層Eと光反射性電極4と封止材50とを有している。光拡散層2は第1透明材料層21と第2透明材料層22とを有する。発光層Eを含む有機発光体は、封止材50によって封止されている。光の出射方向は、白抜き矢印で示されている。照明装置100は、有機EL素子101と、有機EL素子101の封止外部に形成された電極パッド102とを有する。電極パッド102と有機EL素子101の電極とは適宜の配線構造によって電気的に接続される。電極パッド102には配線104が接続されている。照明装置は配線104を集積したプラグ103を備えている。プラグ103は、外部配線105を通じて外部電源106と接続され得る。外部電源106に接続されることで、電極間に電気が流れ、発光層Eから光が生じる。それにより、照明装置100から光を出射することができる。
E1 第1番発光層
E2 第2番発光層
Em 第m番発光層
1 基板
2 光拡散層
3 光透過性電極
4 光反射性電極
5 電荷輸送層
6 中間層
7 光取り出し層
10 格子状の区画
11 凸部
12 凹部
13 樹脂層
14 レンズアレイ構造
20 凹凸構造
Claims (13)
- 光透過性を有する基板と、この基板の表面に設けられた光拡散層と、この光拡散層の表面に設けられた光透過性電極と、この光透過性電極と対をなす光反射性電極と、前記光透過性電極と前記光反射性電極との間に設けられた一又は複数の発光層と、を有する有機エレクトロルミネッセンス素子であって、
前記発光層のうち、前記光反射性電極から第m番目に配置された前記発光層を第m番発光層とし(mは1以上の整数である)、
前記第m番発光層の重み平均発光波長をλmとし、
前記第m番発光層で生じた光における、下記式(1)で示される前記光反射性電極で生じる位相シフトをφmとし、
前記光反射性電極から前記第m番発光層までの間を満たす媒質の平均屈折率をnm(λm)とし、及び、
前記光反射性電極から前記第m番発光層までの間の距離をdmとしたときに、
下記式(2)の関係が、少なくとも第1番発光層(m=1)において満たされ、
前記発光層の平均屈折率をnaとし、前記基板の屈折率をnbとしたときに、na>nbの関係が満たされ、
前記発光層から前記光拡散層に到達する光の前記光拡散層への入射角をθとしたときに、
次の式(3)で示される角度θの条件で前記光拡散層へ入射する光におけるu’v’座標での色度と、正面方向から前記光拡散層へ入射する光におけるu’v’座標での色度との差であって前記光拡散層での色差である色差Δu’v’が、絶対値で0.1以下であることを特徴とする、有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記発光層は離間して複数設けられており、
上記式(2)の関係が、複数の前記発光層において満たされることを特徴とする、請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 前記光拡散層は、前記基板側から第1透明材料層と第2透明材料層とを有し、
前記第2透明材料層は、前記基板よりも屈折率が大きく、
前記第1透明材料層と前記第2透明材料層との界面に、凹凸構造が形成されていることを特徴とする、請求項1又は2に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 前記第1透明材料層は、可視光波長領域での屈折率が1.3〜1.5の範囲内であることを特徴とする、請求項3に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記第2透明材料層は、可視光波長領域での屈折率が1.75以上であることを特徴とする、請求項3又は4に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記凹凸構造は、複数の凸部又は凹部が面状に配置された構造であることを特徴とする、請求項3〜5のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記光拡散層は、レンズアレイ構造を有し、
前記レンズアレイ構造を構成するレンズは、前記基板の表面と平行に配置された半径R1の円からこの円に垂直な方向に高さR2で突出する半楕円体状であり、
前記高さR2は、前記半径R1の0.8倍以上4倍以下であることを特徴とする、請求項1〜6のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 前記複数の凸部又は凹部は、前記基板の表面に垂直な方向から見たときに内接する楕円の軸長さ又は内接円の直径が、0.4〜4μmの範囲であることを特徴とする、請求項6に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記一又は複数の発光層からの光の全体の重み平均発光波長をλallとしたときに、前記楕円の軸長さ又は前記内接円の直径の最小値は、λallの2倍以下であることを特徴とする、請求項8に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記複数の凸部又は凹部は、格子状の区画に一区画分の凸部又は凹部がランダムに割り当てられて配置されていることを特徴とする、請求項6、8及び9のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記凸部は、前記格子状の区画に同一方向に所定個数以上連続して並ばないように配置され、
前記凹部は、前記格子状の区画に同一方向に所定個数以上連続して並ばないように配置されていることを特徴とする、請求項10に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 前記基板の前記光拡散層とは反対側の表面に光取り出し層が設けられていることを特徴とする、請求項1〜11のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 請求項1〜12のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えた照明装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015505260A JP5866552B2 (ja) | 2013-03-13 | 2014-02-27 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びそれを用いた照明装置 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013050592 | 2013-03-13 | ||
JP2013050592 | 2013-03-13 | ||
PCT/JP2014/001081 WO2014141611A1 (ja) | 2013-03-13 | 2014-02-27 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びそれを用いた照明装置 |
JP2015505260A JP5866552B2 (ja) | 2013-03-13 | 2014-02-27 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びそれを用いた照明装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP5866552B2 true JP5866552B2 (ja) | 2016-02-17 |
JPWO2014141611A1 JPWO2014141611A1 (ja) | 2017-02-16 |
Family
ID=51536294
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015505260A Active JP5866552B2 (ja) | 2013-03-13 | 2014-02-27 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びそれを用いた照明装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9379359B2 (ja) |
EP (1) | EP2975909A4 (ja) |
JP (1) | JP5866552B2 (ja) |
CN (1) | CN105144846B (ja) |
TW (1) | TWI540780B (ja) |
WO (1) | WO2014141611A1 (ja) |
Families Citing this family (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6308475B2 (ja) | 2013-05-17 | 2018-04-11 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び照明装置 |
KR102360089B1 (ko) * | 2014-08-05 | 2022-02-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법 |
JP6439194B2 (ja) * | 2014-12-03 | 2018-12-19 | 株式会社Joled | 有機発光デバイス |
WO2016136264A1 (ja) * | 2015-02-26 | 2016-09-01 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 透明電極付き基板の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、及び透明電極付き基板 |
KR102425836B1 (ko) * | 2015-03-24 | 2022-07-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
CN105185813A (zh) * | 2015-09-09 | 2015-12-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled显示装置及其制备方法 |
US10580842B2 (en) * | 2016-03-03 | 2020-03-03 | Pioneer Corporation | Light-emitting device and light-emitting system |
US10276756B2 (en) * | 2017-04-28 | 2019-04-30 | Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd | LED display panel |
US10930709B2 (en) | 2017-10-03 | 2021-02-23 | Lockheed Martin Corporation | Stacked transparent pixel structures for image sensors |
US10249800B1 (en) * | 2017-10-03 | 2019-04-02 | Lockheed Martin Corporation | Stacked transparent pixel structures for electronic displays |
US10510812B2 (en) | 2017-11-09 | 2019-12-17 | Lockheed Martin Corporation | Display-integrated infrared emitter and sensor structures |
KR102509038B1 (ko) * | 2018-01-26 | 2023-03-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
US10690910B2 (en) | 2018-02-07 | 2020-06-23 | Lockheed Martin Corporation | Plenoptic cellular vision correction |
US10979699B2 (en) | 2018-02-07 | 2021-04-13 | Lockheed Martin Corporation | Plenoptic cellular imaging system |
US11616941B2 (en) | 2018-02-07 | 2023-03-28 | Lockheed Martin Corporation | Direct camera-to-display system |
US10652529B2 (en) | 2018-02-07 | 2020-05-12 | Lockheed Martin Corporation | In-layer Signal processing |
US10951883B2 (en) | 2018-02-07 | 2021-03-16 | Lockheed Martin Corporation | Distributed multi-screen array for high density display |
US10594951B2 (en) | 2018-02-07 | 2020-03-17 | Lockheed Martin Corporation | Distributed multi-aperture camera array |
US10838250B2 (en) | 2018-02-07 | 2020-11-17 | Lockheed Martin Corporation | Display assemblies with electronically emulated transparency |
KR102650669B1 (ko) * | 2018-07-19 | 2024-03-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
US10866413B2 (en) | 2018-12-03 | 2020-12-15 | Lockheed Martin Corporation | Eccentric incident luminance pupil tracking |
CN110044469B (zh) * | 2019-03-19 | 2022-04-22 | 深圳大学 | 一种运动检测装置及制备方法与应用 |
CN109888127B (zh) * | 2019-03-19 | 2021-12-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板、其制作方法及显示装置 |
US10698201B1 (en) | 2019-04-02 | 2020-06-30 | Lockheed Martin Corporation | Plenoptic cellular axis redirection |
JP7415561B2 (ja) * | 2020-01-06 | 2024-01-17 | セイコーエプソン株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス装置および電子機器 |
JP7419821B2 (ja) | 2020-01-06 | 2024-01-23 | セイコーエプソン株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス装置および電子機器 |
JP7349393B2 (ja) * | 2020-03-10 | 2023-09-22 | シャープ福山レーザー株式会社 | 画像表示素子 |
CN112490260B (zh) * | 2020-11-13 | 2024-02-02 | 泉州三安半导体科技有限公司 | 一种发光器件及其制备方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006236748A (ja) * | 2005-02-24 | 2006-09-07 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機電界発光装置 |
WO2010071195A1 (ja) * | 2008-12-19 | 2010-06-24 | パナソニック電工株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2010272515A (ja) * | 2009-04-20 | 2010-12-02 | Fujifilm Corp | 有機電界発光表示装置 |
JP2012037912A (ja) * | 2007-11-13 | 2012-02-23 | Panasonic Corp | シート |
JP2012227111A (ja) * | 2011-04-20 | 2012-11-15 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 有機発光素子 |
WO2013024787A1 (ja) * | 2011-08-12 | 2013-02-21 | パナソニック株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6037712A (en) * | 1996-06-10 | 2000-03-14 | Tdk Corporation | Organic electroluminescence display device and producing method thereof |
JP2991183B2 (ja) | 1998-03-27 | 1999-12-20 | 日本電気株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2004165154A (ja) | 2002-10-24 | 2004-06-10 | Toray Ind Inc | 有機電界発光素子 |
JP2004296438A (ja) | 2003-03-12 | 2004-10-21 | Mitsubishi Chemicals Corp | エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2005322490A (ja) | 2004-05-07 | 2005-11-17 | Nitto Denko Corp | エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法 |
KR100606772B1 (ko) * | 2004-12-02 | 2006-08-01 | 엘지전자 주식회사 | 유기 el 소자의 제조방법 |
CN101415796A (zh) * | 2006-04-03 | 2009-04-22 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 有机电致发光器件 |
TWI307978B (en) * | 2006-04-28 | 2009-03-21 | Au Optronics Corp | Cascade organic electroluminescent device |
US7633218B2 (en) * | 2006-09-29 | 2009-12-15 | Eastman Kodak Company | OLED device having improved lifetime and resolution |
JP5452853B2 (ja) | 2007-08-28 | 2014-03-26 | パナソニック株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP5155842B2 (ja) | 2008-12-19 | 2013-03-06 | パナソニック株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子の設計方法 |
CN102742352B (zh) * | 2010-04-22 | 2016-08-31 | 出光兴产株式会社 | 有机电致发光元件、照明装置及光输出层的形成方法 |
CN103608943B (zh) | 2011-03-24 | 2016-02-10 | 松下电器产业株式会社 | 白色发光有机电致发光元件和白色发光有机电致发光面板 |
US8471463B2 (en) * | 2011-08-12 | 2013-06-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Organic EL element, and light-emitting apparatus, image-forming apparatus, display apparatus and imaging apparatus using the organic EL element |
WO2013179668A1 (ja) | 2012-06-01 | 2013-12-05 | パナソニック株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び照明装置 |
WO2014057647A1 (ja) | 2012-10-11 | 2014-04-17 | パナソニック株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び照明装置 |
-
2014
- 2014-02-27 JP JP2015505260A patent/JP5866552B2/ja active Active
- 2014-02-27 TW TW103106823A patent/TWI540780B/zh not_active IP Right Cessation
- 2014-02-27 EP EP14765137.6A patent/EP2975909A4/en not_active Withdrawn
- 2014-02-27 CN CN201480013239.0A patent/CN105144846B/zh active Active
- 2014-02-27 US US14/772,599 patent/US9379359B2/en active Active
- 2014-02-27 WO PCT/JP2014/001081 patent/WO2014141611A1/ja active Application Filing
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006236748A (ja) * | 2005-02-24 | 2006-09-07 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機電界発光装置 |
JP2012037912A (ja) * | 2007-11-13 | 2012-02-23 | Panasonic Corp | シート |
WO2010071195A1 (ja) * | 2008-12-19 | 2010-06-24 | パナソニック電工株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2010272515A (ja) * | 2009-04-20 | 2010-12-02 | Fujifilm Corp | 有機電界発光表示装置 |
JP2012227111A (ja) * | 2011-04-20 | 2012-11-15 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 有機発光素子 |
WO2013024787A1 (ja) * | 2011-08-12 | 2013-02-21 | パナソニック株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201442316A (zh) | 2014-11-01 |
TWI540780B (zh) | 2016-07-01 |
EP2975909A1 (en) | 2016-01-20 |
CN105144846A (zh) | 2015-12-09 |
JPWO2014141611A1 (ja) | 2017-02-16 |
CN105144846B (zh) | 2017-04-12 |
US20160020431A1 (en) | 2016-01-21 |
US9379359B2 (en) | 2016-06-28 |
WO2014141611A1 (ja) | 2014-09-18 |
EP2975909A4 (en) | 2016-06-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5866552B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びそれを用いた照明装置 | |
JP5830194B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びそれを用いた照明装置 | |
JP6308475B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び照明装置 | |
JP6286809B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置及び表示装置 | |
US9595648B2 (en) | Light-emitting device | |
US9214649B2 (en) | Light-emitting device | |
JP2013191314A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
JP5513917B2 (ja) | 発光装置 | |
JP2011204645A (ja) | 発光装置 | |
WO2016043175A1 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス装置および有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法 | |
JP5452691B2 (ja) | 発光装置 | |
JP5566069B2 (ja) | 有機電界発光表示装置 | |
US9647240B2 (en) | Light emitting apparatus | |
WO2013001958A1 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
WO2012176584A1 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150929 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5866552 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
S131 | Request for trust registration of transfer of right |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313133 |
|
SZ03 | Written request for cancellation of trust registration |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313Z03 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |