JP5495510B2 - 表示装置及びそれを用いた電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、エレクトロルミネセンス（ＥＬ）素子等の発光素子を用いた表示装置及びそれを用いた電子機器に関するものである。

近年、次世代ディスプレイとして発光素子を用いた自発光型のディスプレイが注目されている。その中でも電流によって発光輝度が制御される電流制御型の発光素子である有機ＥＬ素子を用いたディスプレイ、即ち、有機ＥＬディスプレイが知られている。有機ＥＬディスプレイには、表示領域及び周辺回路に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を用いたアクティブマトリックス型がある。その駆動方式の１つとして画素内に形成された画素回路に画像データに応じた大きさの電流を設定して有機ＥＬ素子を発光させる電流プログラミング方式が用いられている。

図９は有機ＥＬ素子を含む従来の電流プログラミング方式の画素回路の構成例を示す。図９において、Ｐ１及びＰ２は走査信号であり、データ信号として電流データＩｄａｔａが入力される。有機ＥＬ素子の陽極（アノード）はＴＦＴ（Ｍ４）のドレイン端子に接続され、陰極（カソード）は接地電位ＣＧＮＤに接続されている。Ｍ１、Ｍ２、Ｍ４はＰ型ＴＦＴであり、Ｍ３はＮ型ＴＦＴである。

図１０は画素回路２の駆動動作を示すタイミングチャートである。図１０（ａ）は電流データＩｄａｔａを示す。即ち、図１０（ａ）のＩ（ｉ−１）、Ｉ（ｉ）、Ｉ（ｉ＋１）はｉ−１行（１行前）、ｍ行（対象行）、ｍ＋１行（１行後）の対象列の画素回路２に入力される電流データＩｄａｔａを示す。図１０（ｂ）は走査信号Ｐ１、図１０（ｃ）は走査信号Ｐ２を示す。

まず、時刻ｔ０前の時点では、対象行の画素回路２には、走査信号Ｐ１としてＬｏｗレベルの信号が、走査信号Ｐ２にはＨｉｇｈレベルの信号が入力され、トランジスタＭ２はＯＦＦ、トランジスタＭ３はＯＦＦ、トランジスタＭ４はＯＮ状態である。この状態では、対象行であるｍ行の画素回路２には、１行前の電流データＩｄａｔａに対応するＩ（ｍ−１）は入力されない。

次いで、時刻ｔ０では走査信号Ｐ１にはＨｉｇｈレベルの信号が、走査信号Ｐ２にはＬｏｗレベルの信号が入力され、トランジスタＭ２、Ｍ３がＯＮ、Ｍ４はＯＦＦとなる。この状態で、ｍ行の画素回路２に該当行の電流データＩｄａｔａに対応するＩ（ｍ）が入力される。この時、Ｍ４は導通状態でないため、有機ＥＬ素子には電流が流れない。入力されたＩｄａｔａによりトランジスタＭ１の電流駆動能力に応じた電圧が、Ｍ１のゲート端子と電源電位ＶＣＣの間に配置された容量Ｃ１に生じる。

次いで、時刻ｔ１では走査信号Ｐ２にＨｉｇｈレベルの信号が入力され、トランジスタＭ２はＯＦＦ状態となる。更に、時刻ｔ２では走査信号Ｐ１にＬｏｗレベルの信号が入力され、トランジスタＭ３はＯＦＦ、Ｍ４はＯＮとなる。この状態では、トランジスタＭ４が導通状態であるため、容量Ｃ１に生じた電圧によりトランジスタＭ１の電流駆動能力に応じた電流が有機ＥＬ素子に供給される。これにより、供給された電流に応じた輝度で有機ＥＬ素子が発光する。

しかしながら、１画素における有機ＥＬ素子に流れる電流は微小であり、特に低輝度で素子を発光させる際の電流データＩｄａｔａは極めて小さい。そのため、所望の電流をプログラミングする際のデータ線の充電に非常に多くの時間が必要となり、１走査期間（時刻ｔ０から時刻ｔ１までの走査信号Ｐ２がＬｏｗレベル信号の期間）では不十分である。そこで、画素回路に比較的大きな電流を設定し、発光期間を制御することで輝度を制御するデューティー駆動が知られているが、ある程度高い周波数で駆動しなければフリッカーが発生してしまう。

そのため、特許文献１には、２つのフィールド（奇数フィールド及び偶数フィールド）で１フレームを構成するインターレース方式で表示を行いながらデューティー駆動による発光期間制御を行う表示装置が提案されている。

図１１は上記文献に記載の表示装置の駆動方法を説明するタイミングチャートである。図１１において、１フレーム（図中の１ｆｒａｍｅ）は奇数フィールド（図中のＯＤＤｆｉｅｌｄ）と偶数フィールド（図中のＥＶＥＮｆｉｅｌｄ）からなる。１〜ｍは表示装置の行番号を示している。

Ｘ（１）〜Ｘ（ｍ）は各行に対応する走査信号を示す。Ｈｉｇｈレベル時に行を選択し、電流プログラミングを行う。Ｚ（１）〜Ｚ（ｍ）は各行に対応する発光期間制御信号を示す。Ｌｏｗレベル時に画素が発光し、Ｈｉｇｈレベル時は非発光となる。奇数フィールドにおいては奇数行のみを選択して電流プログラミングを行い、偶数フィールドにおいては偶数行のみを選択して電流プログラミングを行う。

こうして奇数ラインに対応する制御線と偶数ラインに対応する制御線が互いに分離して駆動され、有機ＥＬ素子をデューティー駆動することにより隣接したライン間の発光及び非発光期間が異なるようになるのでフリッカーが除去される。
米国公開特許第２００５／０００７３１９号明細書

上記文献の駆動方法を用いて、例えば、１フィールドを６０Ｈｚで表示した場合には、１フレームは３０Ｈｚで表示することになる。即ち、あるラインでの発光及び非発光を繰り返す駆動周波数は３０Ｈｚとなり、フリッカーを防ぐには十分な周波数であるとは言えない。その結果、画質の低下を招いてしまう。

本発明の目的は、フリッカーを抑制して良好な表示を行うことが可能な表示装置及びそれを用いた電子機器を提供することにある。

本発明の表示装置は、行方向および列方向に複数配列した発光素子と前記発光素子を駆動する駆動回路と、前記駆動回路を行方向に接続する複数の走査線ならびに複数の発光期間制御線と、前記駆動回路を列方向に接続する複数のデータ線と、を有する表示装置であって、
前記複数のデータ線に信号を供給し、前記複数の走査線の各行を選択して、選択した前記走査線に接続された前記駆動回路に前記信号を設定するプログラミング走査が、前記複数の走査線のすべてにわたって行われる期間に、前記複数の発光期間制御線を順次選択して、前記設定された信号に応じた電流を前記駆動回路から前記発光素子に一定期間供給する発光走査が、前記複数の発光期間制御線のすべてにわたって少なくとも２回行われ、
前記発光素子は、前記２回の発光走査における前記電流を供給する期間に異なる輝度で発光し、
前記発光素子の輝度が高いほうの前記電流を供給する期間の長さが、前記発光素子の輝度が低いほうの前記電流を供給する期間の長さより短いことを特徴とする。

本発明によれば、駆動回路に信号を設定するプログラミング走査が全走査線について行われる期間に、設定された信号に応じた電流を、一定期間、発光素子に供給する発光走査を２回以上繰り返して行う。そのため、インターレース走査で１フィールドの駆動周波数を６０Ｈｚにした場合には、全走査線にわたる走査は２フィールドの期間で行われ、３０Ｈｚの周期になるが、発光は毎秒６０回以上で行うことができる。インターレース走査を用いず、全走査線を１回のフィールドで順次走査するプログレッシブ走査の場合は、１フィールド（３０Ｈｚ）で全走査線が走査され、その間に２回以上の発光走査が行われるので、やはり発光周波数は６０Ｈｚまたはそれより高くなる。

また、本発明においては、１つの行について見ると、プログラミング走査が行われた直後の発光走査と、その後の発光走査とで、電流を供給する期間の長さが異なっている。そのため、画素回路に電流設定を行った次のフィールドで出力する電流値が設定した電流値と比べて誤差が生じる場合でも、見かけの輝度として同じ値が得られる。

このように本発明は、発光／非発光の駆動周波数を駆動回路へ電流設定する周波数の２倍以上にし、各フィールドで同じ輝度を得ることができるので、フリッカーの発生を抑制することが可能となる。

本発明は、電流または電圧プログラミング装置、アクティブマトリクス型表示装置及びこれらの電流供給方法に係わり、特に、電流駆動型表示素子を用いたアクティブマトリクス型表示装置に好適に使用することができる。この表示装置を用いて、例えば、情報表示装置を構成できる。この情報表示装置には、例えば、携帯電話機、携帯コンピュータ、スチルカメラ若しくはビデオカメラ等がある。更に、それらの装置の機能を複数有するシステムにも使用することが可能である。

次に、発明を実施するための最良の形態について図面を参照して具体的に説明する。本発明は、特に、有機ＥＬ素子を用いたアクティブマトリクス型の表示装置に好適に適用できるものであり、インターレース方式で電流プログラミングを行いながら発光期間制御を行うものである。

なお、以下の実施形態において、有機ＥＬ素子を用いた表示装置を例に挙げて説明するが、本発明はこれに限定されるものではなく、電流信号によって各画素の表示を制御する装置であれば好ましく使用できる。

（実施形態１）
図１は本発明に係る表示装置の一実施形態の構成を示すブロック図である。図中１はＲＧＢ原色数の有機ＥＬ素子と、この有機ＥＬ素子に入力される電流を制御するためのＴＦＴを有する画素回路とから成る画素である。画素１はｍ行×ｎ列の２次元状に配列され、表示領域が構成されている。ｍは偶数、ｎは自然数とする。

表示領域の周辺には行制御回路３及び列制御回路４が配置されている。行制御回路３の各出力端子からは走査信号Ｐ１（１）〜Ｐ１（ｍ）、Ｐ２（１）〜Ｐ２（ｍ）と発光期間制御信号Ｐ３（１）〜Ｐ３（ｍ）が出力される。走査信号は走査線５を介して各行の画素回路２に入力される。

発光期間制御信号は発光期間制御線６を介して各行の画素回路２に入力される。列制御回路４には映像信号が入力され、各出力端子から電流データＩｄａｔａが出力される。電流データＩｄａｔａはデータ線７を介して各列の画素回路に入力される。

このようにインターレース方式により電流プログラミングを行うとき、１フレームは奇数フィールド及び偶数フィールドの２つのフィールドから構成されている。奇数フィールドにおいて奇数行である第１行、第３行、第５行、第ｍ−１行の画素１を順次選択し、偶数フィールドにおいて偶数行である第２行、第４行、第６行、第ｍ行の画素１を順次選択する。

図２は有機ＥＬ素子を含む画素回路２の構成例を示す。図２において、Ｐ１及びＰ２は走査信号、Ｐ３は発光期間制御信号である。データ信号として電流データＩｄａｔａが入力される。有機ＥＬ素子の陽極（アノード）はＴＦＴ（Ｍ４）のドレイン端子に接続され、陰極（カソード）は接地電位ＣＧＮＤに接続されている。Ｍ１、Ｍ２、Ｍ４はＰ型ＴＦＴであり、Ｍ３はＮ型ＴＦＴである。

図３は画素回路２の駆動動作を示すタイミングチャートである。図３（ａ）は電流データＩｄａｔａである。図３（ａ）のＩ（ｉ−１）、Ｉ（ｉ）、Ｉ（ｉ＋１）は、フィールド単位におけるｉ−１行（１行前）、ｉ行（対象行）、ｉ＋１行（１行後）の対象列の画素回路２に入力される電流データＩｄａｔａを示す。

また、図３（ｂ）は走査信号Ｐ１、図３（ｃ）は走査信号Ｐ２、図３（ｄ）は発光期間制御信号Ｐ３を示す。

まず、時刻ｔ０前の時点では、対象行の画素回路２には、走査信号Ｐ１としてＬｏｗレベルの信号が、走査信号Ｐ２にはＨｉｇｈレベルの信号が、発光期間制御信号Ｐ３にはＨｉｇｈレベルの信号がそれぞれ入力される。

この時、トランジスタＭ２はＯＦＦ、Ｍ３はＯＦＦ、Ｍ４はＯＦＦ状態である。この状態では、対象行であるｍ行の画素回路２には、１行前の電流データＩｄａｔａに対応するＩ（ｉ−１）は入力されない。

次いで、時刻ｔ０では走査信号Ｐ１にはＨｉｇｈレベルの信号が、走査信号Ｐ２にはＬｏｗレベルの信号が入力され、トランジスタＭ２、Ｍ３がＯＮ、Ｍ４はＯＦＦとなる。この状態で、ｍ行の画素回路２に該当行の電流データＩｄａｔａに対応するＩ（ｉ）が入力される。この時、発光期間制御信号Ｐ３はＨｉｇｈレベルのままであってＭ４は導通状態でないため、有機ＥＬ素子には電流は流れない。

入力された電流データＩｄａｔａによりトランジスタＭ１の電流駆動能力に応じた電圧が、Ｍ１のゲート端子と電源電位ＶＣＣの間に接続された容量Ｃ１に生じる。このＩｄａｔａを流すためのゲート端子の電圧を決定して容量Ｃ１に保持させることを電流プログラミングとする。

次いで、時刻ｔ１では走査信号Ｐ１にはＬｏｗレベルの信号が入力され、走査信号Ｐ２にはＨｉｇｈレベルの信号が入力され、Ｍ２、Ｍ３はＯＦＦ状態となる。更に、時刻ｔ２では発光期間制御信号Ｐ３にはＬｏｗレベルの信号が入力され、Ｍ４はＯＮとなる。この状態では、Ｍ４が導通状態であるため、容量Ｃ１に生じた電圧によりＭ１の電流駆動能力に応じた電流が有機ＥＬ素子に供給される。これにより、供給された電流に応じた輝度で有機ＥＬ素子が発光する。

次いで、時刻ｔ３では発光期間制御信号Ｐ３にはＨｉｇｈレベルの信号が入力され、Ｍ４はＯＦＦとなり、有機ＥＬ素子への電流の供給が止まって非発光状態となる。発光期間制御信号Ｐ３によりＬｏｗレベルの期間（時刻ｔ２から時刻ｔ３まで）を変化させることで発光期間を制御して輝度を制御する。

ここで、時刻ｔ０から時刻ｔ１までの走査信号Ｐ１がＨｉｇｈレベル信号の期間を１水平走査期間とする。なお、本実施形態においては画素回路として、図２の構成を一例に挙げたが、本発明はこれに限るものではない。

図４は本実施形態に係る表示装置の駆動動作を示すタイミングチャートである。図４において、Ｐ１（１）〜Ｐ１（ｍ）は第１行〜第ｍ行にそれぞれ対応する走査信号Ｐ１を示している。Ｐ３（１）〜Ｐ３（ｍ）は第１行〜第ｍ行にそれぞれ対応する発光期間制御信号Ｐ３を示している。

図面の複雑化を避けるために記載していないが、走査信号Ｐ２に関しては図３（ｃ）のタイミングと同様にして出力される。

本発明は、インターレース方式により表示を行うため、１フレーム（図中の１ｆｒａｍｅ）は奇数フィールド（図中のＯＤＤｆｉｅｌｄ）と偶数フィールド（図中のＥＶＥＮｆｉｅｌｄ）からなる。

奇数フィールドの間では、奇数行である第１行、第３行、第５行、…、第ｍ−１行の走査信号Ｐ１（１）、Ｐ１（３）、Ｐ１（５）、…、Ｐ１（ｍ−１）を順次Ｈｉｇｈレベルにしている。即ち、奇数行の画素回路２のみについて電流データＩｄａｔａを入力し、電流プログラミングしている。

偶数フィールドの間では、偶数行である第２行、第４行、第６行、…、第ｍ行の走査信号Ｐ１（２）、Ｐ１（４）、Ｐ１（６）、…、Ｐ１（ｍ）を順次Ｈｉｇｈレベルにしている。即ち、偶数行の画素回路２のみについて電流データＩｄａｔａを入力し、電流プログラミングしている。

奇数、偶数各フィールドで、走査信号Ｐ１をＨレベルにしてその行を選択し、電流データをプログラミングしていく動作を、以下、プログラミング走査、または第１の走査と呼ぶ。

次に、発光期間制御信号Ｐ３に関して説明する。奇数行の発光期間制御信号Ｐ３は奇数フィールドの間は電流プログラミングが行われた後に一定期間Ｌｏｗレベル期間（Ｔ１）となる。偶数フィールドの間は次の行で電流プログラミングが行われた後に一定期間Ｌｏｗレベル期間（Ｔ２）となる。

偶数行の発光期間制御信号Ｐ３は偶数フィールドの間は電流プログラミングが行われた後に一定期間Ｌｏｗレベル期間（Ｔ１）となる。奇数フィールドの間は前の行で電流プログラミング（第１の走査）が行われた後に一定期間Ｌｏｗレベル期間（Ｔ２）となる。

このように、発光期間制御信号が一定期間Ｌｏｗレベルになって有機ＥＬ素子を発光させ、それが１水平走査期間ずつずれて順次隣の行にいく動作を、以下、発光走査または第２の走査という。発光走査は、表示装置の上では明るい帯が上から下に移動する動作である。

偶数行だけ、あるいは奇数行だけを見ると、電流プログラミングを行うフィールドと行わないフィールドが交互にあり、いずれの場合にも発光期間を設けている。すなわち、プログラミング走査（電流プログラミング）１回に対して、発光走査（有機ＥＬ素子の発光）を２回行う。

発光走査は偶数フィールド、奇数フィールドのいずれでもすべての行にわたって行われる。奇数行は偶数フィールドではプログラミング走査が行われないが、その前の奇数フィールドでプログラミングされた電流データが保持されており、そのデータで発光することとなる。偶数行についても同様である。

本発明は、２回の発光走査の発光期間が異なり、その長短が奇数行と偶数行で交互に切り替わることを特徴とする。

図４に示すように、奇数フィールドでは、奇数行の発光期間制御信号Ｐ３が期間Ｔ１の間Ｌｏｗレベルとなり、偶数行の発光期間制御信号Ｐ３が期間Ｔ２の間Ｌｏｗレベルとなり、Ｔ１とＴ２は長さが異なる。また、偶数フィールドでは、奇数行の発光期間制御信号Ｐ３が期間Ｔ２の間Ｌｏｗレベルとなり、偶数行の発光期間制御信号Ｐ３が期間Ｔ１の間Ｌｏｗレベルとなり、長さが逆転する。すなわち、各行は、プログラミング走査が行われた直後のフィールドでの発光走査と、プログラミング走査が行われないフィールドでの発光走査とで、発光期間の長さが異なるように発光走査される。

有機ＥＬ素子に電流を供給する期間の長さは、１フレームにわたっての輝度が均一になるように、発光走査中の発光素子（有機ＥＬ素子）の発光輝度に応じて異ならせる。言い換えれば、発光期間の長短は、２回の発光走査のうち輝度の高いほうで短く、輝度の低いほうで長くする。

これによって、電流プログラミングを行うフィールド／行わないフィールドで画素回路２の容量Ｃ１の保持電圧が変化し、有機ＥＬ素子の発光波高値に差違が生じたとしても、発光期間を調整することで見かけの輝度を揃えることができる。

プログラミング直後の発光期間とその次の（プログラミングしない）発光期間とで輝度が異なる理由は、有機ＥＬ素子に流れる電流が異なることにある。プログラミング走査を行った後、Ｔ１の発光期間を経て、プログラミング走査を行わないフィールドでの発光期間に至る間に、画素回路２の容量Ｃ１の保持電圧が変化し、その結果、有機ＥＬ素子の発光輝度に差違が生じるのである。

保持電圧変化の原因としては、オフ状態にあるトランジスタＭ２を通じてリーク電流が流れ、保持容量Ｃ１の電荷を変化させることが考えられる。

トランジスタＭ４を導通させＥＬ素子に電流を流しているとき、Ｍ１のドレイン電位は有機ＥＬ素子ＥＬの端子電圧にほぼ等しい。ＥＬ素子の端子間電圧は、ＥＬ素子自身の特性ばらつき、劣化、周囲温度などによって異なり、したがってＭ１のドレイン電位も一定ではない。Ｍ１のドレイン電位がＭ１のゲート電位に対して高い場合は、Ｍ２を通じたリーク電流の方向はＭ１のドレインからゲートに向かう方向になり、これは保持容量Ｃ１の電荷を減少させ、Ｍ１のゲート電位の上昇、つまりＥＬ素子への供給電流の減少をもたらす。この場合は、時間とともにＥＬの輝度が低下する。逆に、Ｍ１のドレイン電位がＭ１のゲート電位に対して低いと、ＥＬ輝度は時間とともに増加する。

以上のことが、プログラミング走査の終了から発光走査開始までの時間によってＥＬ発光輝度は増加する場合と減少する場合とがあることの理由である。

本実施形態の表示装置は、行方向および列方向に複数配列した発光素子（有機ＥＬ素子）と発光素子を駆動する駆動回路と、駆動回路を行方向に接続する複数の走査線５と、駆動回路を行方向に接続する複数の発光期間制御線６とを有する。また、駆動回路を列方向に接続する複数のデータ線７を有する。

そして、本実施形態の表示装置は、複数のデータ線７に信号を供給し、複数の走査線５を順次選択して、駆動回路に信号を設定するプログラミング走査を行う。また、プログラミング走査が行われた後、複数の発光期間制御線６を順次選択して、設定された信号に応じた電流を、駆動回路から発光素子に一定期間供給する発光走査を２回以上繰り返して行う。更に、そのプログラミング走査が行われた直後の発光走査と、その後の発光走査とで、電流を供給する期間の長さを異ならせる。

また、本実施形態では、上述のように奇数行の走査線を順次選択するプログラミング走査と、偶数行の走査線を順次選択するプログラミング走査とを交互に行う。そして、図４に示すように各々のプログラミング走査の後に、奇数行と偶数行の発光期間制御線６をともに選択する発光走査を行う。

更に、その発光走査において、図４に示すように隣接する奇数行と偶数行の組の電流を供給する期間を同時に開始する（Ｔ１とＴ２の開始が同じ）。本実施形態では発光素子はエレクトロルミネセンス素子（有機ＥＬ素子）である。

図５は行制御回路３の一例を示す回路図である。図５において、行制御回路３はフリップフロップ１０からなるシフトレジスタ１１を有しており、シフトレジスタ１１の各出力はＮＯＴゲート１２、ＡＮＤゲート１３、ＯＲゲート１４からなるロジック回路１５に入力される。更に、ロジック回路１５からバッファ１６を通じて走査信号Ｐ１、Ｐ２や発光期間制御信号Ｐ３を出力する。図５では簡略化のため、第１行から第６行までの出力を図示している。

図６は図５の行制御回路３の動作を説明するタイミングチャートである。ＳＰ１、ＳＰ２はシフトレジスタ１１に入力されるスタートパルス信号であり、ＣＬＫはシフトレジスタ１１に入力されたＳＰを順次転送するクロック信号である。ＣＬＫの１周期は１水平走査期間とする。

Ｑ１１〜Ｑ１４、Ｑ２１〜２４はシフトレジスタ１１における各フリッププロップ１０からの出力を示す。ＦＩＥＬＤは奇数フィールドと偶数フィールドを判別するフィールド信号である。ＦＩＥＬＤがＨｉｇｈレベル期間では奇数行の画素において電流プログラミングを行い、Ｌｏｗレベル期間では偶数行の画素において電流プログラミングを行う。

図５及び図６から明らかなように各行の走査信号Ｐ１、Ｐ２はシフトレジスタ１１におけるその行に対応する段のフリップフロップ１０と、次段のフリップフロップ１０の出力から生成される。発光期間制御信号Ｐ３は次段のフリップフロップ１０の出力から生成される。

発光期間の制御は、ＳＰ１、ＳＰ２のＬｏｗレベル期間のパルス幅を変えて発光期間制御信号Ｐ３のＬｏｗレベルのパルス幅を変えることにより行う。ＦＩＥＬＤがＨｉｇｈレベル期間では奇数行はＳＰ１のＬｏｗレベルのパルス幅が発光期間となり、偶数行はＳＰ２のＬｏｗレベルのパルス幅が発光期間となる。ＦＩＥＬＤがＬｏｗレベル期間では奇数行はＳＰ２のＬｏｗレベルのパルス幅が発光期間となり、偶数行はＳＰ１のＬｏｗレベルのパルス幅が発光期間となる。

図３に示すように走査信号Ｐ１及びＰ２が切り替わる時刻ｔ１からある時間経った時刻ｔ２に発光期間制御信号Ｐ３がＬｏｗレベルに切り替わる。これを実施するには、発光期間制御信号Ｐ３を出力するバッファの駆動能力を走査信号Ｐ１、Ｐ２のバッファより小さくすることが挙げられる。或いは発光期間制御信号Ｐ３の出力のバッファを複数段にしたり、容量を付加する等して遅延回路を設けること等が挙げられる。

なお、本実施形態においては図５の構成による行制御回路を例示したが、本発明はこれに限ることなく、図４の駆動方法を実施できる構成であれば良い。また、本実施形態ではシフトレジスタ１１のＣＬＫの１周期は１水平走査期間としたが、行制御回路の構成によってはそれに限るものではない。

以上のように本実施形態によれば、奇数フィールド／偶数フィールドを交互に電流プログラミングを行いながら各フィールド内に発光期間を設けている。そのため、例えば、１フィールドの駆動周波数を６０Ｈｚにした場合には、電流プログラミングは３０Ｈｚ（各行においてフレーム毎に１回）で行われるが、発光は６０Ｈｚ（各行においてフィールド毎に１回）で行うことができる。

即ち、各画素において１回の電流プログラミングに対して発光回数は２回となる。また、電流プログラミングを行うフィールド／行わないフィールドで画素回路の出力電流量が変化し、有機ＥＬ素子の発光波高値に差違が生じたとしても、発光期間を調整することで見かけの輝度を揃えることができる。こうしてフリッカーの発生を抑制することができる。また、発光／非発光の駆動周波数を電流プログラミングの２倍の駆動周波数にすることができ、各フィールドでの見かけの輝度も揃えられるので、フリッカーの発生を抑制することが可能となる。

（実施形態２）
次に、本発明の実施形態２について説明する。本実施形態の表示装置の全体構成は図１と同様であり、画素回路及びその駆動方法も図２、図３と同様である。実施形態１と異なるのは発光期間制御信号Ｐ３の出力波形である。

図７は本実施形態の表示装置の駆動動作を示すタイミングチャートである。図７において、Ｐ１（１）〜Ｐ１（ｍ）は、第１行〜第ｍ行にそれぞれ対応する走査信号Ｐ１を示している。Ｐ３（１）〜Ｐ３（ｍ）は第１行〜第ｍ行にそれぞれ対応する輝度制御信号Ｐ３を示している。

走査信号Ｐ２に関しては図４のタイミングと同様にして出力される。

本実施形態において実施形態１の図４のタイミングチャートと異なるのは発光期間制御信号Ｐ３の出力波形である。本実施形態の発光期間制御信号Ｐ３に関して詳細に説明する。

奇数行の発光期間制御信号Ｐ３について見ると、奇数フィールドでは、電流プログラミングが行われた後に短いＬｏｗレベル期間（Ｔ１）が複数回設けられている。偶数フィールドでは、次の行（偶数行）で電流プログラミングが行われた後に、長いＬｏｗレベル期間（Ｔ２）が複数回設けられている。

一方、偶数行の発光期間制御信号Ｐ３には、偶数フィールドで電流プログラミングが行われた後に複数回の短いＬｏｗレベル期間（Ｔ１）が設けられている。奇数フィールドでは、前の行（奇数行）で電流プログラミングが行われた後に長いＬｏｗレベル期間（Ｔ２）が複数回設けられている。

実施形態１と同様に電流プログラミングを行うフィールド／行わないフィールドのいずれの場合にも発光期間が設けられている。電流プログラミングを行わないフィールドでの発光期間は、その前のフィールドでプログラミングされた電流で発光する。本実施形態では、１回のプログラミング走査に対して有機ＥＬ素子の発光／非発光を複数回繰り返している。

実施形態１と同様に、有機ＥＬ素子に電流を供給する期間の長さは、１フレームにわたっての輝度が均一になるように設定される。すなわち、発光期間の長短は、輝度の高い発光期間は短く、輝度が低い発光期間は長くする。

以上のように、本実施形態では、１フレーム期間の前半の奇数行の走査線を順次選択するプログラミング走査と、後半の偶数行の走査線を順次選択するプログラミング走査との両方のフィールドで、発光走査を各複数回行う。即ち、上記両方のフィールドで走査線を順次選択して発光素子に一定期間（図７におけるＴ１又はＴ２の期間）電流を供給する発光走査を各複数回行う。

そして、奇数フィールドの発光走査における電流供給期間の長さと、偶数フィールドの発光走査における電流供給期間の長さとが異なるようにする。つまり、図７における複数回のＴ１と複数回のＴ２の長さが異なっている。言い換えると、１フレーム期間に、ＥＬに電流を供給する期間が２Ｎ（Ｎは２以上の整数）回あり、そのうちの前半のＮ回と後半のＮ回とで電流供給期間の長さが異なっている。

本実施形態においても、電流プログラミングを行うフィールド／行わないフィールドで画素回路の出力電流量が変化し、有機ＥＬ素子の発光波高値に差違が生じたとしても、発光期間を調整することで見かけの輝度を揃えることができる。こうして発光／非発光の駆動周波数を高くしつつ電流プログラミングを行うフィールド／行わないフィールドの見かけの輝度を揃えられるのでフリッカーの発生を抑制することが可能となる。

また、奇数フィールド／偶数フィールド交互に電流プログラミングを行いながら各フィールド内に複数の発光期間を設けている。そのため、１フィールドの駆動周波数を６０Ｈｚにした場合には、電流プログラミングは３０Ｈｚ（各行においてフレーム毎に１回）で行われるが、発光は６０Ｈｚ以上（各行においてフィールド毎に１回以上）で行うことができる。これもフリッカーを抑える効果がある。

本実施形態の行制御回路は、図７の駆動方法を実施できる構成であれば良い。例えば、走査信号Ｐ１、Ｐ２を制御する回路と発光期間制御信号Ｐ３を制御する回路を分離しても構わない。

期間Ｔ１・期間Ｔ２の長さを変える代わりに、期間Ｔ１と期間Ｔ２の長さは等しくし、その発光期間の回数を各フィールドで調整しても構わない。つまり、プログラミング走査が行われた直後の発光走査と、その後の発光走査とで、電流を供給する期間の回数を異ならせても良い。この場合は、奇数行と偶数行の発光走査を独立に行う回路が必要である。

なお、実施形態１及び実施形態２では、インターレース走査で画素回路にプログラミングする方式について述べたが、本発明はそれに限るものではない。例えば、あるフィールドＡで全画素回路に電流を設定し、その後のフィールドＢでは前フィールドで画素回路に設定された値にしたがって発光させる。この時、偶数行、奇数行にかかわらず、フィールドＢの発光期間をフィールドＡの発光期間とは異なる期間に設定する。それによって、画素回路の出力電流量が変化し、有機ＥＬ素子の発光波高値に差違が生じたとしても、発光期間を調整することで見かけの輝度を揃えることができる。

（実施形態３）
次に、上述のような本発明の表示装置を用いた電子機器を説明する。図８は本発明に係るデジタルスチルカメラシステムの一例を示すブロック図である。図中、５０はデジタルスチルカメラシステム、５１は撮影部、５２は映像信号処理回路、５３は表示パネル、５４はメモリ、５５はＣＰＵ、５６は操作部を示す。表示パネル５３は本発明の表示装置を表示部として用いたものである。

図８において、撮像部５１で撮影した映像又はメモリ５４に記録された映像を、映像信号処理回路５２で信号処理し、表示パネル５３で見ることができる。ＣＰＵ５５は操作部５６からの入力によって撮影部５１、メモリ５４、映像信号処理回路５２等を制御し、状況に適した撮影、記録、再生、表示を行う。

本発明の表示装置は、この他にも各種電子機器、例えば、携帯電話機、携帯コンピュータ、ビデオカメラ等の表示部として好適に使用することができる。以上のようにこれら電子機器は本発明の表示装置を有する。

本発明に係る表示装置の実施形態１を示すブロック図である。 図１の表示装置の画素回路の一例を示す回路図である。 図２の画素回路の動作を示すタイミングチャートである。 図１の表示装置の動作を示すタイミングチャートである。 図１の表示装置の行制御回路の一例を示す回路図である。 図５の行制御回路の動作を示すタイミングチャートである。 本発明の実施形態２の動作を示すタイミングチャートである。 本発明の表示装置を用いたデジタルスチルカメラシステムの一実施形態を示すブロック図である。 従来例の画素回路の一例を示す図である。 図９の画素回路の動作を示すタイミングチャートである。 従来の表示装置の動作を示すタイミングチャートである。

符号の説明

１ 画素
２ 画素回路
３、３Ａ、３Ｂ、３Ｃ 行制御回路
４ 列制御回路
５ 走査線
６ 発光期間制御線
７ データ線
１０ フリップフロップ
１１、１１Ａ、１１Ｂ、１１Ｃ シフトレジスタ
１２ ＮＯＴゲート
１３ ＡＮＤゲート
１４、１４Ａ、１４Ｂ ロジック回路
１５ バッファ
１６ ＯＲゲート
５０ デジタルスチルカメラシステム
５１ 撮影部
５２ 映像信号処理回路
５３ 表示パネル
５４ メモリ
５５ ＣＰＵ
５６ 操作部
Ｍ１〜Ｍ４ ＴＦＴ

Claims (7)

1. 行方向および列方向に複数配列した発光素子と前記発光素子を駆動する駆動回路と、
   前記駆動回路を行方向に接続する複数の走査線ならびに複数の発光期間制御線と、
   前記駆動回路を列方向に接続する複数のデータ線と、
   を有する表示装置であって、
   前記複数のデータ線に信号を供給し、前記複数の走査線の各行を選択して、選択した前記走査線に接続された前記駆動回路に前記信号を設定するプログラミング走査が、前記複数の走査線のすべてにわたって行われる期間に、前記複数の発光期間制御線を順次選択して、前記設定された信号に応じた電流を前記駆動回路から前記発光素子に一定期間供給する発光走査が、前記複数の発光期間制御線のすべてにわたって少なくとも２回行われ、
   前記発光素子は、前記２回の発光走査における前記電流を供給する期間に異なる輝度で発光し、
   前記発光素子の輝度が高いほうの前記電流を供給する期間の長さが、前記発光素子の輝度が低いほうの前記電流を供給する期間の長さより短いことを特徴とする表示装置。
2. 前記プログラミング走査が行われて前記駆動回路に前記信号が設定された後の１回目の前記発光走査における前記電流を供給する期間の長さが、２回目の前記発光走査における前記電流を供給する期間の長さより短いことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
3. 奇数行の走査線の各行を選択する前記プログラミング走査と、偶数行の走査線の各行を選択する前記プログラミング走査とが交互に行われ、前記奇数行の前記プログラミング走査と前記偶数行の前記プログラミング走査の間で、前記発光走査が少なくとも１回ずつ行われることを特徴とする請求項１または２に記載の表示装置。
4. 前記発光走査において、隣接する奇数行と偶数行の組の前記電流を供給する期間を同時に開始することを特徴とする請求項３に記載の表示装置。
5. 前記プログラミング走査が前記複数の走査線の各行を奇数行、偶数行に関わらず順に選択して行われることを特徴とする請求項１または２に記載の表示装置。
6. 前記発光素子は、エレクトロルミネセンス素子であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
7. 請求項１に記載の表示装置を備えたことを特徴とする電子機器。

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