JP5308108B2 - 回路装置の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は回路装置の製造方法に関し、特に、比較的大型の回路基板の下面も含めて樹脂封止する回路装置の製造方法に関する。

トランジスタやチップ素子から成る混成集積回路が上面に組み込まれた回路基板を封止する方法としては、ケース材を用いた封止方法と、樹脂により樹脂封止する方法が有る。

ケース材を用いた場合では、中空部を備えた蓋状のケース材を回路基板に嵌合させることで、回路基板の上面に形成された混成集積回路を、ケース材の中空部に収納する。

樹脂封止が採用された場合は、金型を用いた射出成形により回路基板の上面に形成された混成集積回路が被覆される。図６（Ａ）を参照して、樹脂封止された混成集積回路装置１００の構成を説明する。混成集積回路１００では、先ず、アルミニウム等の金属から成る回路基板１０１の上面が全面的に絶縁層１０２により被覆されている。そして、絶縁層１０２の上面に形成された導電パターン１０３に回路素子が接続されて所定の混成集積回路が構成されている。回路基板１０１の上面に配置される素子としては、金属細線１０７により接続された半導体素子１０５Ａとチップ素子１０５Ｂが図示されている。回路基板１０１の端部では、パッド状の導電パターン１０３にリード１０４が固着されている。

封止樹脂１０６は熱可塑性樹脂であり、回路基板１０１の上面、側面および下面を被覆している。ここで、回路基板１０１の上面に形成された回路素子から発生した熱を、回路基板１０１を経由して良好に外部に放出させるためには、回路基板１０１の下面を被覆する封止樹脂１０６を薄くすることが有効である。しかしながら、回路基板１０１の下面を被覆する封止樹脂１０６の厚みを例えば０．５ｍｍ程度に薄く設定すると、回路基板１０１の下面が部分的に封止樹脂１０６により被覆されない問題が発生する。この理由は、金型を用いて封止樹脂１０６を射出成形する工程にて、回路基板１０１の下面と金型の内壁下面との間隙が狭くなり、この間隙に十分に封止樹脂が行き渡らなくなるからである。

この問題を回避するための方法を、図６（Ｂ）を参照して説明する（下記特許文献１）。ここでは、支持部材１１０により回路基板１０１を下面から支持した状態でインジェクションモールドを行っている。具体的には、支持部材１０１は熱可塑性樹脂から成り、内側の面は回路基板１０１の下面および側面の一部に当接するサイズである。また、支持部材１０１の外側の面は金型１１２の内壁下面および側面に接触する大きさとなっている。従って、支持部材１１０により支持された状態の回路基板１０１を金型１１２のキャビティ１１４に収納させると、回路基板１０１の下面と金型１１２の内壁下面との間隙に支持部材１１０が位置する。この状態で、熱可塑性樹脂をキャビティ１１４に注入することにより、回路基板１０１の樹脂封止が行われる。この方法によると、回路基板１０１の下面と金型１１２の内壁下面との間隙には支持部材１１０が位置しており、この間隙に液状の熱硬化性樹脂を注入する必要がないので、回路基板１０１の下面が部分的に被覆されないことによるボイドの発生が防止される。また、樹脂封止時の注入圧から金属細線等を保護するために、回路素子が被覆されるように回路基板１０１の上面にポッティング樹脂１２０が形成されている。
特許第３３１６４４９号公報

モールド金型を使用した封止樹脂の形成方法としては、上記したインジェクションモールドの他にもトランスファーモールドがあり、このトランスファーモールドではエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂により、回路基板１０１の上面、側面および下面が被覆される。近年に於いてはインジェクションモールドよりもトランスファーモールドの方が多用されている。その理由は、インジェクションモールドよりもトランスファーモールドの方が、低温且つ低圧にて樹脂封止を行うので、半導体素子等の回路素子に与える悪影響が小さいからである。

トランスファーモールドも、図６（Ｂ）に示したような金型１１２を使用して樹脂封止を行う。従って、回路基板１０１の下面を被覆する封止樹脂を薄くすると、金型１１２の内壁下面と回路基板１０１の下面との間隙に封止樹脂が充填されない恐れがある。また、上記した特許文献１に記載された技術は、ＰＰＳ（ポリフェニレンスルファイド）等の熱可塑性樹脂を用いたインジェクションモールドにより回路基板１０１を樹脂封止するためのものである。従って、インジェクションモールドに使用される熱可塑性樹脂と、トランスファーモールドに使用される熱硬化性樹脂とは性質が大きく異なるので、インジェクションモールドに関する特許文献１に記載された技術をトランスファーモールドに適用させることは困難である。

本発明は上記した問題点を鑑みて成されたものであり、熱硬化性樹脂から成る封止樹脂により一体的に回路基板を封止し、更に、回路基板の下面を薄く封止樹脂により被覆する回路装置の製造方法を提供することにある。

本発明の回路装置の製造方法は、導電パターンおよび回路素子から成る混成集積回路を回路基板の上面に組み込む工程と、前記回路基板をモールド金型のキャビティに収納させて、前記キャビティに封止樹脂を注入することで、前記回路基板の上面、側面および下面を、熱硬化性樹脂を含む封止樹脂により封止する工程と、を備え、前記封止する工程では、熱硬化性樹脂を含む樹脂シートを、前記回路基板と前記モールド金型の内壁下面との間に介在させ、溶融した前記樹脂シートにより前記回路基板の下面を被覆し、前記封止する工程では、前記回路基板の対向する側辺から導出されるリードを前記モールド金型で狭持することにより、前記樹脂シートが前記回路基板の下面に押圧された状態で固定され、溶融した前記樹脂シートから成る封止樹脂により前記回路基板の下面が被覆される厚さは、前記樹脂シートよりも薄いことを特徴とする。

本発明によれば、熱硬化性樹脂を含む薄い樹脂シートを、回路基板の下面とモールド金型の内壁下面との間隙に介在させた状態で、トランスファーモールドを行っている。従って、回路基板の下面とモールド金型の内壁下面との間隙に、溶融して加熱硬化した樹脂シートが充填されるので、加熱硬化された樹脂シートにより回路基板の下面を薄く被覆することができる。

更に本発明は、モールドに使用される金型の形状を変更しないため、既存の金型をそのまま使用することができるので、本発明を採用することによるコスト増加は小さい。

図１を参照して、本発明の回路装置の製造方法により製造される混成集積回路装置１０の構成を説明する。図１（Ａ）は混成集積回路装置１０の斜視図であり、図１（Ｂ）は図１（Ａ）のＸ−Ｘ’線に於ける断面図であり、図１（Ｃ）は樹脂の構成を説明するための断面図である。

図１（Ａ）および図１（Ｂ）を参照して、混成集積回路装置１０では、回路基板１２の上面に、導電パターン１６と回路素子から成る混成集積回路が構築され、この回路と接続されたリード１７が外部に導出している。更に、回路基板１２の上面に構築された混成集積回路、回路基板１２の上面、側面および下面は、熱硬化性樹脂から成る封止樹脂１４により一体的に被覆されている。

回路基板１２は、アルミニウムや銅等の金属から成る基板である。回路基板１２の材料としてアルミニウムが採用されると、回路基板１２の上面および下面は陽極酸化膜（アルマイト膜）により被覆される。回路基板１２の具体的な大きさは、例えば縦×横×厚さ＝６１ｍｍ×４２．５ｍｍ×１．５ｍｍ程度である。ここで、回路基板１２の材料として金属以外が採用されても良く、例えば、セラミックや樹脂材料が回路基板１２の材料として採用されても良い。

回路基板１２の側面は、ここでは上面に対して垂直な面を呈しているが、上面に対して傾斜した傾斜面でも良い。回路基板１２の側面が傾斜面から成る場合は、回路基板の上面から連続して下方に傾斜する第１傾斜面と、回路基板の下面から連続して上方に傾斜する第２傾斜面が設けられる。

絶縁層１８は、回路基板１２の表面全域を覆うように形成されている。絶縁層１８は、フィラーが高充填されたエポキシ樹脂から成る。フィラーが充填されることにより、絶縁層１８の熱抵抗が低減されているので、内蔵される回路素子から発生した熱は、絶縁層１８を経由して良好に回路基板１２に伝導される。

導電パターン１６は厚みが５０μｍ程度の銅等の金属膜から成り、所定の電気回路が実現されるように絶縁層１８の表面に形成される。また、リード１７が導出する辺に、導電パターン１６からなるパッドが形成される。

半導体素子２０Ａおよびチップ素子２０Ｂの回路素子は、半田等の接合材を介して、導電パターン１６の所定の箇所に固着されている。半導体素子２０Ａとしては、トランジスタ、ＬＳＩチップ、ダイオード等が採用される。ここでは、半導体素子２０Ａと導電パターン１６とは、金属細線２２を介して接続される。チップ素子２０Ｂとしては、チップ抵抗やチップコンデンサ等が採用される。チップ素子２０Ｂの両端の電極は、半田等の接合材を介して導電パターン１６に固着されている。更にまた、樹脂封止型のパッケージ等も、回路素子として導電パターン１６に固着することができる。

回路素子を接合させる接合材としては、半田または導電性ペースト等が採用される。ここで、半田としては、鉛共晶半田または鉛フリー半田を用いることができる。更にまた、採用される半田としては、封止樹脂１４が形成される際の温度（例えば１８０℃）よりも融点が高い高温半田が採用される。導電性ペーストとしては、Ａｇペースト、Ｃｕペースト等が採用される。

リード１７は、回路基板１２の周辺部に設けられたパッドに固着され、入力信号や出力信号が通過する外部接続端子として機能している。図１（Ｂ）を参照すると、回路基板１２の対向する２つの辺に沿って多数個のリード１７が設けられている。ここで、リード１７は回路基板１２の４辺から導出させることも可能であり、１つの辺から導出させることも可能である。

封止樹脂１４は、熱硬化性樹脂を用いるトランスファーモールドにより形成される。図１（Ｂ）では、封止樹脂１４により、導電パターン１６、半導体素子２０Ａ、チップ素子２０Ｂ、金属細線２２が封止されている。そして、回路基板１２の上面、側面および下面が封止樹脂１４により被覆されている。封止樹脂１４を構成する熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、オルソクレゾールノボラック・ビフェニール、ジシクロペンタジエン等が採用される。また、封止樹脂１４には、熱抵抗の低減等を目的としてフィラーが混入されている。例えば、封止樹脂１４に混入されるフィラーの割合は、７０重量％以上９０重量％以下である。そして、フィラーの種類としては、結晶シリカと破砕シリカの混合物が採用されているが、溶融シリカ、アルミナまたは窒化ケイ素が採用されても良い。更に、混入されるフィラーの平均粒径は、例えば、２０μｍ以上３０μｍ以下である。

図１（Ｃ）を参照して、封止樹脂１４に関して更に説明する。封止樹脂１４は、第１封止樹脂１４Ａと、第２封止樹脂１４Ｂとから成る。紙面では、第１封止樹脂１４Ａと第２封止樹脂１４Ｂとの境界が描かれているが、実際の回路装置では両者は一体化している。詳細は下記するが、第１封止樹脂１４Ａは金型のキャビティに液状の樹脂を注入することで形成され、第２封止樹脂１４Ｂは回路基板１２の下面に配置された樹脂シートを溶融することで形成される。回路基板１２の下面を被覆する第２封止樹脂１４Ｂの厚みＴ１は、例えば０．１ｍｍ以上０．３ｍｍ以下であり非常に薄い。薄い第２封止樹脂１４Ｂは熱抵抗も小さくなるので、半導体素子等の回路素子から放出された熱は、回路基板１２および第２封止樹脂１４Ｂを経由して良好に外部に放出される。

本実施の形態では、第２封止樹脂１４Ｂに含まれるフィラーは、第１封止樹脂１４Ａに含まれるフィラーよりも均一に分散した状態となっている。具体的には、第１封止樹脂１４Ａは、金型のキャビティに液状の樹脂を注入することにより形成される。従って、液状の熱硬化性樹脂の流動が阻まれる領域では、フィラーが滞留して比較的密な状態となる。例えば、チップ素子２０Ｂや半導体素子２０Ａが配置された領域Ａ１では、液状の封止樹脂の流動がこれらの素子により阻まれて、フィラーが密な状態となる。一方、半導体素子等の回路素子が配置されていない領域Ａ２では、封止樹脂の流動が良好であるので、領域Ａ１よりも比較的疎にフィラーが配置される。

一方、回路基板１２の下面を被覆する第２封止樹脂１４Ｂは、射出成形により形成されるのではなく、回路基板１２の下面に配置された樹脂シートを溶融して加熱硬化することで形成される。従って、第２封止樹脂１４Ｂは樹脂封止の工程にて基本的には流動しないので、第２封止樹脂１４Ｂ全域にわたり比較的均一にフィラーが充填される。このことにより、第２封止樹脂１４Ｂの熱抵抗が全体にわたり均一となるので、回路基板１２下面からの放熱が全体的に良好となる。

図１（Ｃ）を参照すると、回路基板１２の下面全面と側面の下部の一部が、第２封止樹脂１４Ｂにより被覆されているが、回路基板１２の下面のみが第２封止樹脂１４Ｂにより被覆され、回路基板１２の側面および上面は第１封止樹脂１４Ａにより被覆されても良い。更には、回路基板１２の下面の中心部付近が第２封止樹脂１４Ｂにより被覆され、回路基板１２の上面、側面及び下面の周辺部が第１封止樹脂１４Ａにより被覆されても良い。

図２から図５を参照して、上記した構成の混成集積回路装置の製造方法を説明する。

図２を参照して、先ず、上面に混成集積回路が組み込まれた回路基板１２を金型３０のキャビティ３６の内部に収納させる。図２（Ａ）は本工程を示す平面図であり、図２（Ｂ）は図２（Ａ）のＢ−Ｂ’線に於ける断面図であり、図２（Ｃ）は図２（Ａ）のＣ−Ｃ’線における断面図である。

図２（Ａ）および図２（Ｂ）を参照して、アルミニウム等の金属から成る矩形形状の回路基板１２の上面には、エッチングにより所定形状とされた導電パターン１６が形成されている。そして、導電パターン１６の所定位置に、半導体素子２０Ａおよびチップ素子２０Ｂを固着して混成集積回路が形成されている。また、図２（Ａ）に示すように、回路基板１２の上下側辺に沿って、パッド状の導電パターンに複数個のリード１７が固着されている。

図２（Ｂ）を参照して、ここでは、樹脂シート４２を下金型３４に載置した後に、この樹脂シート４２の上面に回路基板１２を載置している。そして、上金型３２と下金型３４とを当接させることで、キャビティ３６の内部に回路基板１２が収納される。また、回路基板１２の両側辺から導出するリード１７は、上金型３２と下金型３４に狭持されて固定されている。この様に上下金型によりリード１７が狭持されることにより、キャビティ３６の内部における回路基板１２の上下方向および左右方向の位置が固定されている。尚、この工程の初期段階に於いては、樹脂シート４２は、粒状の熱硬化性樹脂が加圧加工された固体の状態である。また、金型３０には不図示のヒータが装備されており、樹脂シート４２が溶融して加熱硬化する温度（例えば１７０℃以上）に金型３０は加熱されている。この金型３０の加熱は、樹脂シート４２を載置する前から開始しても良いし、樹脂シート４２を載置して後から開始しても良い。

図２（Ａ）を参照して、金型３０の構成を説明する。金型３０は、キャビティ３６にランナー３８を経由して複数のポッドが連通した構成と成っている。ここでは、１つのキャビティ３６に、ランナー３８を経由して３つのポッド４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｃが直列に連通している。ポッド４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｃは、円柱状の熱硬化性樹脂から成るペレットが収納される空間である。ランナー３８は、ペレットが溶融された液状の封止樹脂がポッドからキャビティ３６のゲート４４に輸送される経路である。封止樹脂の注入口であるゲート４４に対向するキャビティ３６の側壁にはエアベント４６が２つ設けられている。エアベント４６は、ゲート４４から封止樹脂がキャビティ３６に注入されたときに、キャビティ３６の空気を外部に逃がす経路である。

図２（Ｃ）を参照すると、下金型３４の一部を空洞化させることでポッド４０Ａが設けられており、この構成はポッド４０Ｂ、４０Ｃも同様である。ここで、ポッド４０Ａ等は上金型３２に設けられても良い。

図３を参照して、次に、樹脂シート４２を溶融させて回路基板１２の下面を薄く封止樹脂により被覆する。図３（Ａ）は本工程を示す断面図であり、図３（Ｂ）は樹脂シート４２が溶融する前の状態を示す拡大断面図であり、図３（Ｃ）は樹脂シート４２が溶融した後の状態を示す拡大断面図である。

ここで、回路基板１２の下面を被覆する樹脂シート４２に関して説明する。樹脂シート４２は、溶融して加熱硬化されることで、回路基板１２を被覆する封止樹脂の一部を成すものである。具体的には、樹脂シート４２は、フィラーや硬化剤等が添加された粉末状の熱硬化性樹脂を所定形状のシート状に加圧成型されている。樹脂シート４２の組成としては、金型のキャビティ３６に注入される封止樹脂と同様でも良いし、異なっても良い。樹脂シート４２の具体的な組成としては、上記した封止樹脂と同様であり、フィラーや硬化剤等が添加された熱硬化性樹脂が粒状に成形されたものである。ここで、熱硬化性樹脂は直径が１ｍｍ以下の粒状とされている。

また、樹脂シート４２は極めて高い圧力にて常温で加圧成形されるので、充填率（樹脂シート４２の全体に対して樹脂粉等の構成要素が占める体積割合）は９９％程度であり、後に説明するタブレットよりも高い。従って、樹脂シート４２に含まれる空気は極めて少量であるので、この樹脂シート４２を被覆する封止樹脂にボイドが発生することが抑止される。

図３（Ｂ）を参照して、樹脂シート４２の厚みＴ２は、製造される混成集積回路装置１０にて回路基板１２の下面を被覆する封止樹脂の厚み（図１（Ｃ）に示したＴ１）よりも厚く形成されている。具体的には、図１（Ｃ）に示した封止樹脂の厚みＴ１が０．１ｍｍ以上０．３ｍｍ以下の場合は、樹脂シート４２の厚さＴ２は０．５ｍｍ以上０．６ｍｍ以下に設定される。一方、上記したように、キャビティ３６の内部に於ける回路基板１２の位置は、金型によりリード１７が狭持されることで固定される。従って、リード１７の形状および位置は、回路基板１２の下面と下金型３４の内壁上面との距離が、Ｔ１（図１（Ｃ）参照）と成るように設定されている。このことから、下金型３４に樹脂シート４２と回路基板１２とを重畳して載置して、金型３０によりリード１７を狭持すると、上方から下方に押し曲げる応力によりリード１７が弾性変形し、結果的に回路基板１２の下面により樹脂シート４２が下金型３４に押しつけられて固定される。この図では、金型により狭持されることで、弾性変形したリード１７の状態を示している。

金型３０は上記したように加熱されているので、時間の経過と共に樹脂シート４２は溶融して軟化し、液状又は半固形状の樹脂シート４２により回路基板１２の下面は被覆される。

また、図３（Ｃ）を参照して、上記したようにリード１７は弾性変形した状態で金型に狭持されているので、樹脂シート４２が軟化して支持力を失うと、リード１７の形状が元に戻り、回路基板１２が下方に沈み込む。そして、回路基板１２の沈み込みと共に、軟化した樹脂シート４２の一部分は回路基板１２の下方から側方へ移動し、回路基板１２の側面の下端付近を被覆する。この様に、沈み込んだ回路基板１２の下面を被覆する樹脂シート４２の厚みＴ３は、例えば０．１ｍｍ以上０．３ｍｍ以下であり、図１（Ｃ）に示す封止樹脂の厚みＴ１と同等である。

また、図３（Ａ）を参照すると、樹脂シート４２の平面的な大きさは回路基板１２よりも大きく形成され、樹脂シート４２の周辺部は回路基板１２から側方にはみ出ている。この様に樹脂シート４２を回路基板１２よりも平面的に大きく形成することで、溶融した樹脂シート４２により回路基板１２の下面が全面的に被覆されると共に、回路基板１２の側面も含めて被覆される。

ここで、樹脂シート４２の平面的な大きさは、樹脂シート４２と同等でも良いし、樹脂シート４２よりも若干小さくても良い。樹脂シート４２が回路基板１２よりも小さい場合は、回路基板１２の中心部付近が樹脂シート４２により被覆され、回路基板１２の下面は下金型３４から離間された状態となり、後の工程にて注入される樹脂により被覆される。

図４（Ａ）を参照して、次に、キャビティ３６に封止樹脂を注入する。具体的には、下金型３４に設けたポッド４０Ａに、タブレット４８を投入して加熱溶融した後に、プランジャー５０にてタブレット４８を加圧する。タブレット４８は、上記した樹脂シート４２と同様の組成であり、フィラー等の添加物が混入された粉状の熱硬化性樹脂を筒状に加圧成型したものである。上記したように、金型は１７０℃程度以上に加熱されているので、ポッド４０Ａにタブレット４８を投入すると、タブレット４８は徐々に溶融する。溶融して液状または半固形状の状態となった封止樹脂がランナー３８を流通してゲート４４を通過した後に、キャビティ３６に供給される。以下の説明では、ゲート４４から供給される封止樹脂を第１封止樹脂１４Ａと称し、溶融した樹脂シート４２から成る封止樹脂を第２封止樹脂１４Ｂと称する。

また、図２（Ａ）に示したように、金型には複数個のポッド４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｃが設けられており、これら全てのポッドに対して、同時にタブレット４８が投入されプランジャー５０により加圧される。そして、ポッド４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｃからランナー３８を経由して第１封止樹脂１４Ａがキャビティ３６に供給される。ゲート４４から第１封止樹脂１４Ａが注入されるに伴い、キャビティ３６内部の空気は、エアベント４６から外部に放出される。また、回路基板１２の上面に配置された導電パターンおよび回路素子は、第１封止樹脂１４Ａにより被覆される。

図４（Ｂ）を参照して、注入された液状の第１封止樹脂１４Ａは、キャビティ３６に充填される。ここで、金型の温度は、第１封止樹脂１４Ａが加熱硬化する温度よりも高温となっているので、キャビティ３６に充填された第１封止樹脂１４Ａは時間の経過と共に重合して硬化する。図に示すように、樹脂シート４２から成る第２封止樹脂１４Ｂにより回路基板１２の下面と側面の下部が被覆されている場合は、回路基板１２の上面および側面の上部が第２封止樹脂１４Ｂにより被覆される。一方、第２封止樹脂１４Ｂにより回路基板１２の下面のみが被覆される場合は、回路基板１２の上面と側面が全面的に第１封止樹脂１４Ａにより被覆される。また、第２封止樹脂１４Ｂにより回路基板１２の中心部付近のみが部分的に被覆される場合は、回路基板１２の上面、側面および下面の周辺部が第１封止樹脂１４Ａにより被覆される。

金型にて加熱することにより、第１封止樹脂１４Ａおよび第２封止樹脂１４Ｂの両方が十分に重合して加熱硬化したら、上金型３２と下金型３４とを離間させ、成型品である混成集積回路装置を取り出す。その後に、エアベント４６およびランナー３８に充填された部分の封止樹脂１４を、封止樹脂１４本体から分離する。

図４（Ｂ）を参照すると、第１封止樹脂１４Ａと第２封止樹脂との境界が示されている。しかしながら、回路基板１２の下面に充填された第２封止樹脂１４Ｂと、ゲート４４から注入される第１封止樹脂１４Ａとは、液状または半固形状の状態で混合されるので、両者は一体化して形成されている。ここで、第１封止樹脂１４Ａおよび第２封止樹脂１４Ｂが、溶融されてから硬化するまでに必要とされる時間は１０秒〜２０秒程度である。

本工程では、樹脂シート４２を溶融させた第２封止樹脂１４Ｂを、ゲート４４から注入される第１封止樹脂１４Ａよりも先に加熱硬化させている。この様にすることで、回路基板１２の大部分を被覆する第１封止樹脂１４Ａの硬化収縮により、第１封止樹脂１４Ａと第２封止樹脂１４Ｂとの境界部分に加圧力を加え、この部分の耐湿性を確保することができる。一方、第２封止樹脂１４Ｂが第１封止樹脂１４Ａよりも後に硬化収縮してしまうと、第２封止樹脂１４Ｂに作用する硬化収縮により、前記境界部分にクラックが発生して耐湿性が劣化してしまう恐れがある。

第２封止樹脂１４Ｂを第１封止樹脂１４Ａよりも先に硬化させる方法としては、これらの樹脂を加熱する時間を調整する方法と、樹脂の組成を調整する方法がある。上記した実施の形態では、第２封止樹脂１４Ｂと成る樹脂シート４２を先にキャビティ３６の内部にて加熱し、その後に、第１封止樹脂１４Ａとなるタブレット４８をポッド４０Ａに投入している。また、樹脂の組成を調整する場合は、樹脂シート４２に含まれる熱硬化性樹脂として、タブレット４８に含まれる熱硬化性樹脂よりも、加熱硬化に必要とされる時間が短いものを採用する。この場合は、樹脂シート４２とタブレット４８とが加熱され始めるタイミングを同時にしても良い。

図５を参照して、回路基板１２を樹脂封止する他の方法を説明する。ここでは、回路基板１２の右側の側辺のみに沿ってリード１７が固着される回路装置を樹脂封止する方法を説明する。同図を参照して、紙面上にて右側の側面に沿ってリード１７が固着されているので、図２（Ｂ）を参照して上記したように、リード１７を金型３０により狭持することで回路基板１２の位置を固定することは困難である。ここでは、上金型３２の内壁に当接ピン５２を設け、この当接ピン５２にて回路基板１２の上面の左端付近を下方に押圧することにより、回路基板１２の位置を固定している。この当接ピン５２は、上金型３２の内壁に固定されても良いし、上下方向に移動する可動式でもよい。更には、回路基板１２の下方に載置された樹脂シート４２も、リード１７および当接ピン５２の押圧力により固定されている。尚、回路基板１２を固定する方法以外は、図２から図４を参照した製造方法と同一である。

本発明の回路装置の製造方法により製造される混成集積回路装置を示す図であり、（Ａ）は斜視図であり、（Ｂ）および（Ｃ）は断面図である。 本発明の回路装置の製造方法を示す図であり、（Ａ）は平面図であり、（Ｂ）および（Ｃ）は断面図である。 本発明の回路装置の製造方法を示す図であり、（Ａ）は断面図であり、（Ｂ）および（Ｃ）は拡大された断面図である。 本発明の回路装置の製造方法を示す図であり、（Ａ）および（Ｂ）は断面図である。 本発明の回路装置の製造方法を示す断面図である。 従来の混成集積回路装置を示す図であり、（Ａ）および（Ｂ）は断面図である。

符号の説明

１０ 混成集積回路装置
１２ 回路基板
１４ 封止樹脂
１４Ａ 第１封止樹脂
１４Ｂ 第２封止樹脂
１６ 導電パターン
１７ リード
１８ 絶縁層
２０Ａ 半導体素子
２０Ｂ チップ素子
２２ 金属細線
３０ 金型
３２ 上金型
３４ 下金型
３６ キャビティ
３８ ランナー
４０，４０Ａ，４０Ｂ，４０Ｃ ポッド
４２ 樹脂シート
４４ ゲート
４６ エアベント
４８ タブレット
５０ プランジャー
５２ 当接ピン

Claims (6)

1. 導電パターンおよび回路素子から成る混成集積回路を回路基板の上面に組み込む工程と、
   前記回路基板をモールド金型のキャビティに収納させて、前記キャビティに封止樹脂を注入することで、前記回路基板の上面、側面および下面を、熱硬化性樹脂を含む封止樹脂により封止する工程と、を備え、
   前記封止する工程では、熱硬化性樹脂を含む樹脂シートを、前記回路基板と前記モールド金型の内壁下面との間に介在させ、溶融した前記樹脂シートにより前記回路基板の下面を被覆し、
   前記回路基板の対向する側辺から導出されるリードを前記モールド金型で狭持することにより、前記樹脂シートが前記回路基板の下面に押圧された状態で固定され、
   溶融した前記樹脂シートから成る封止樹脂により前記回路基板の下面が被覆される厚さは、前記樹脂シートよりも薄いことを特徴とする回路装置の製造方法。
2. 前記封止する工程では、前記樹脂シートを溶融させた後に、前記モールド金型のゲートから前記キャビティに液状の封止樹脂を注入し、
   前記樹脂シートを、前記注入される前記封止樹脂よりも先に加熱硬化させることを特徴とする請求項１に記載の回路装置の製造方法。
3. 前記樹脂シートは、加熱硬化する前の粉体の前記熱硬化性樹脂を加圧して成形されることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の回路装置の製造方法。
4. 前記モールド金型のゲートから前記キャビティに注入される樹脂と、前記樹脂シートとは組成が同じであることを特徴とする請求項１から請求項３の何れかに記載の回路装置の製造方法。
5. 前記樹脂シートの大きさを前記回路基板よりも大きく形成し、前記回路基板の下面全域を前記樹脂シートにより被覆することを特徴とする請求項１から請求項４の何れかに記載の回路装置の製造方法。
6. 溶融した前記樹脂シートから成り前記回路基板の下面を被覆する前記封止樹脂に含まれるフィラーは、前記モールド金型のゲートから注入されて前記回路基板の上面を被覆する前記封止樹脂に含まれるフィラーよりも、均一に分散した状態であることを特徴とする請求項１から請求項５の何れかに記載の回路装置の製造方法。
   

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