JP5542318B2 - 樹脂シートおよびそれを用いた回路装置の製造方法 - Google Patents
樹脂シートおよびそれを用いた回路装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5542318B2 JP5542318B2 JP2008250912A JP2008250912A JP5542318B2 JP 5542318 B2 JP5542318 B2 JP 5542318B2 JP 2008250912 A JP2008250912 A JP 2008250912A JP 2008250912 A JP2008250912 A JP 2008250912A JP 5542318 B2 JP5542318 B2 JP 5542318B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- resin sheet
- sealing
- sealing resin
- mold
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/0555—Shape
- H01L2224/05552—Shape in top view
- H01L2224/05554—Shape in top view being square
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/2612—Auxiliary members for layer connectors, e.g. spacers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49175—Parallel arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/191—Disposition
- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19105—Disposition of discrete passive components in a side-by-side arrangement on a common die mounting substrate
Landscapes
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
図1を参照して、本実施の形態では、樹脂シート10の構成及びその製造方法を説明する。図1(A)は樹脂シート10を示す斜視図であり、図1(B)は樹脂シート10の断面図であり、図1(C)は樹脂シート10の製造方法を示す断面図である。
本実施の形態では、上記した構成の樹脂シートが、上面に複数の回路素子が実装された回路基板を被覆する封止樹脂に適用された場合に関して説明する。
本実施の形態では、第1の実施の形態に示した樹脂シート10が、リードフレーム型の回路装置を構成する封止樹脂に適用された場合に関して説明する。
12 枠金型
14 上金型
16 下金型
18 粉末樹脂
20 混成集積回路装置
22 回路基板
24 封止樹脂
24A 第1封止樹脂
24B 第2封止樹脂
26 導電パターン
27 リード
28 絶縁層
30A 半導体素子
30B チップ素子
32 金属細線
40 金型
42 上金型
44 下金型
46 キャビティ
48 ランナー
50A ポッド
52 樹脂シート
54 ゲート
56 エアベント
58 タブレット
60 プランジャー
70 回路装置
72 アイランド
74 封止樹脂
74A 第1封止樹脂
74B 第2封止樹脂
78 リード
80 半導体素子
82 金属細線
86 吊りリード
90 金型
92 上金型
94 下金型
96 キャビティ
98 ランナー
100 ポッド
102 樹脂シート
104 ゲート
106 エアベント
108 タブレット
110 プランジャー
120 リードフレーム
122 ブロック
124 ユニット
126 連結部
128 連結部
Claims (9)
- 熱硬化性樹脂を含む粉末状の樹脂材料を加圧して形成され、回路素子を樹脂封止する工程で用いられる厚みが0.6mm以下の樹脂シートであり、
モールド金型を用いて前記回路素子を樹脂封止する際に、前記回路素子と共に前記モールド金型のキャビティの内部に配置され、溶融して加熱硬化されることにより、前記回路素子を封止する封止樹脂の一部を構成し、
粉末状の前記樹脂材料を常温にて加圧加工することで形成されることを特徴とする樹脂シート。 - 粉末状の前記樹脂材料の充填率が99%以上であることを特徴とする請求項1に記載の樹脂シート。
- 前記回路素子が配置される回路基板と、前記モールド金型の内壁との間に配置されて、溶融された後に加熱硬化されることで、前記回路基板の下面を被覆する前記封止樹脂を構成することを特徴とする請求項1または請求項2に記載の樹脂シート。
- 前記回路素子が固着されるアイランドと、前記モールド金型の内壁との間に配置されて、溶融された後に加熱硬化されることで、前記アイランドの下面を被覆する前記封止樹脂を構成することを特徴とする請求項1または請求項2に記載の樹脂シート。
- モールド金型を用いて回路素子を樹脂封止する回路装置の製造方法に於いて、
熱硬化性樹脂を含む粉末状の樹脂材料を常温にて加圧して形成され、厚みが0.6mm以下の樹脂シートを用意する工程と、
前記回路素子と共に前記樹脂シートを前記モールド金型のキャビティに収納し、溶融した樹脂シートを含む封止樹脂により前記回路素子を封止する工程と、を備えることを特徴とする回路装置の製造方法。 - 前記封止する工程では、粉末状の樹脂材料を加圧成型したペレットを加熱溶融して前記キャビティに注入し、溶融した前記ペレットおよび前記樹脂シートにより前記封止樹脂が構成され、
前記樹脂シートを用意する工程では、前記樹脂シートは、前記ペレットよりも薄く形成されることを特徴とする請求項5に記載の回路装置の製造方法。 - 前記樹脂シートを用意する工程では、前記樹脂シートの充填率を99%以上とすることを特徴とする請求項5または請求項6に記載の回路装置の製造方法。
- 前記封止する工程では、
前記回路素子が配置される回路基板と、前記モールド金型の内壁との間に前記樹脂シートが配置され、
溶融された後に加熱硬化された前記樹脂シートが、前記回路基板の下面を被覆する前記封止樹脂を構成することを特徴とする請求項5から請求項7の何れかに記載の回路装置の製造方法。 - 前記封止する工程では、
前記回路素子が固着されるアイランドと、前記モールド金型の内壁との間に前記樹脂シートが配置され、
溶融された後に加熱硬化された前記樹脂シートが、前記アイランドの下面を被覆する前記封止樹脂を構成することを特徴とする請求項5から請求項7の何れかに記載の回路装置の製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008250912A JP5542318B2 (ja) | 2008-09-29 | 2008-09-29 | 樹脂シートおよびそれを用いた回路装置の製造方法 |
US12/557,882 US8084301B2 (en) | 2008-09-11 | 2009-09-11 | Resin sheet, circuit device and method of manufacturing the same |
CN2009101796046A CN101714534B (zh) | 2008-09-29 | 2009-09-29 | 树脂片以及使用了该树脂片的电路装置的制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008250912A JP5542318B2 (ja) | 2008-09-29 | 2008-09-29 | 樹脂シートおよびそれを用いた回路装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010086993A JP2010086993A (ja) | 2010-04-15 |
JP5542318B2 true JP5542318B2 (ja) | 2014-07-09 |
Family
ID=42250710
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008250912A Expired - Fee Related JP5542318B2 (ja) | 2008-09-11 | 2008-09-29 | 樹脂シートおよびそれを用いた回路装置の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5542318B2 (ja) |
CN (1) | CN101714534B (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8581394B2 (en) * | 2010-06-21 | 2013-11-12 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd | Semiconductor package module and electric circuit assembly with the same |
JP5563917B2 (ja) * | 2010-07-22 | 2014-07-30 | セミコンダクター・コンポーネンツ・インダストリーズ・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー | 回路装置及びその製造方法 |
JP5563918B2 (ja) | 2010-07-22 | 2014-07-30 | セミコンダクター・コンポーネンツ・インダストリーズ・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー | 回路装置の製造方法 |
JP2012028511A (ja) * | 2010-07-22 | 2012-02-09 | On Semiconductor Trading Ltd | 回路基板およびその製造方法、回路装置およびその製造方法、絶縁層付き導電箔 |
JP5607447B2 (ja) * | 2010-07-22 | 2014-10-15 | セミコンダクター・コンポーネンツ・インダストリーズ・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー | 回路装置 |
CN104816264B (zh) * | 2015-04-10 | 2017-02-01 | 成都国光电气股份有限公司 | 一种用于行波管灌封复合导热材料的成型夹具及灌封复合材料的方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01119032A (ja) * | 1987-10-30 | 1989-05-11 | Hitachi Chem Co Ltd | 樹脂封止型半導体装置の製造法 |
JP2609918B2 (ja) * | 1988-12-27 | 1997-05-14 | トーワ株式会社 | 電子部品の封止成形に用いられる熱硬化性樹脂タブレットの製造方法 |
JP3059560B2 (ja) * | 1991-12-25 | 2000-07-04 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置の製造方法およびそれに使用される成形材料 |
TW434131B (en) * | 1996-07-25 | 2001-05-16 | Matsushita Electric Works Ltd | Thermoset resin molding apparatus |
JP3740116B2 (ja) * | 2002-11-11 | 2006-02-01 | 三菱電機株式会社 | モールド樹脂封止型パワー半導体装置及びその製造方法 |
JP4634083B2 (ja) * | 2003-07-17 | 2011-02-16 | 日東電工株式会社 | 半導体封止用タブレットの製法 |
JP4515810B2 (ja) * | 2004-04-26 | 2010-08-04 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2006216899A (ja) * | 2005-02-07 | 2006-08-17 | Kyocera Chemical Corp | コンプレッション成形用成形材料及び樹脂封止型半導体装置 |
-
2008
- 2008-09-29 JP JP2008250912A patent/JP5542318B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-09-29 CN CN2009101796046A patent/CN101714534B/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101714534B (zh) | 2012-04-18 |
JP2010086993A (ja) | 2010-04-15 |
CN101714534A (zh) | 2010-05-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101316289B1 (ko) | 회로 장치 및 그 제조 방법 | |
JP5563918B2 (ja) | 回路装置の製造方法 | |
US8084301B2 (en) | Resin sheet, circuit device and method of manufacturing the same | |
JP5542318B2 (ja) | 樹脂シートおよびそれを用いた回路装置の製造方法 | |
KR101323978B1 (ko) | 회로 다이의 패키징 방법 및 전자 디바이스 | |
JP6469660B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2005109100A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2003174124A (ja) | 半導体装置の外部電極形成方法 | |
JP2011054806A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP5308108B2 (ja) | 回路装置の製造方法 | |
JP4760876B2 (ja) | 電子装置およびその製造方法 | |
JP5308107B2 (ja) | 回路装置の製造方法 | |
KR101316273B1 (ko) | 회로 장치 | |
JP2010086996A (ja) | 回路装置の製造方法 | |
JP2011114134A (ja) | 回路装置の製造方法 | |
JP2012004435A (ja) | 回路装置の製造方法および樹脂封止装置 | |
WO2013061603A1 (ja) | 回路装置の製造方法 | |
WO2013076932A1 (ja) | 回路装置の製造方法 | |
JP2010086991A (ja) | 回路装置およびその製造方法 | |
JP2008004971A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2013105759A (ja) | 回路装置 | |
JP2013105758A (ja) | 回路装置およびその製造方法 | |
JP2010165813A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20110602 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110905 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20130215 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130314 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130405 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130514 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130807 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140415 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140507 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5542318 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D04 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |