JP5060654B2 - 光半導体装置用封止剤及び光半導体装置 - Google Patents

Description

本発明は、光半導体装置において光半導体素子を封止するために用いられる光半導体装置用封止剤、並びに該光半導体装置用封止剤を用いた光半導体装置に関する。

発光ダイオード（ＬＥＤ）装置などの光半導体装置の消費電力は低く、かつ寿命は長い。また、光半導体装置は、過酷な環境下でも使用され得る。従って、光半導体装置は、携帯電話用バックライト、液晶テレビ用バックライト、自動車用ランプ、照明器具及び看板などの幅広い用途で使用されている。

光半導体装置に用いられている発光素子である光半導体素子（例えばＬＥＤ）が大気と直接触れると、大気中の水分又は浮遊するごみ等により、光半導体素子の発光特性が急速に低下する。このため、上記光半導体素子は、通常、光半導体装置用封止剤により封止されている。

下記の特許文献１には、光半導体装置用封止剤として、水素添加ビスフェノールＡグリシジルエーテルと、脂環式エポキシモノマーと、潜在性触媒とを含むエポキシ樹脂材料が開示されている。このエポキシ樹脂材料は、熱カチオン重合により硬化する。

下記の特許文献２には、光半導体装置用封止剤として、エポキシ樹脂と、特定のエポキシ変性オルガノポリシロキサンと、硬化剤と、体積平均粒径が１〜１００ｎｍの無機酸化物粒子とを含むエポキシ樹脂組成物が開示されている。ここでは、上記無機酸化物粒子として、二酸化珪素粒子が挙げられている。

また、エポキシ樹脂を含む光半導体装置用封止剤だけでなく、シリコーン樹脂を含む光半導体装置用封止剤も広く用いられている。上記シリコーン樹脂は、青色から紫外領域の短波長の光に対する透過性が高く、耐熱性及び耐光性に優れている。

しかしながら、上記シリコーン樹脂を含む封止剤を用いた場合には、封止剤の硬化物の表面がべたつくため、表面にごみなどの異物が付着しやすくなるという問題がある。また、硬化物の表面がべたつくと、パッケージ同士のくっ付き、及び実装時のピックアップノズルへの付着が生じて、光半導体装置の生産性が大きく低下するという問題がある。

一方で、下記の特許文献３に記載のように、架橋密度が高められたシリコーン樹脂を含む封止剤が知られている。

特開２００３−７３４５２号公報 特開２００９−２２７８４９号公報 特開２００２−３１４１４２号公報

特許文献１に記載のような従来の光半導体装置用封止剤が、加熱と冷却とを繰り返し受ける過酷な環境で使用されると、封止剤にクラックが生じたり、封止剤がハウジング材等から剥離したりすることがある。

また、発光素子の背面側に達した光を反射させるために、発光素子の背面に、銀めっきされた電極が形成されていることがある。封止剤にクラックが生じたり、封止剤がハウジング材から剥離したりすると、銀めっきされた電極が大気に晒される。この場合には、大気中に存在する硫化水素ガス又は亜硫酸ガス等の腐食性ガスによって、銀めっきが変色することがある。電極が変色すると反射率が低下するため、発光素子が発する光の明るさが低下するという問題がある。

特許文献２に記載のような従来の光半導体装置用封止剤では、二酸化珪素粒子などの無機酸化物粒子の分散性が低いことがある。このため、封止剤に蛍光体が添加された場合に、又は封止剤が蛍光体を含む場合に、蛍光体の比重が大きいことなどから、蛍光体が沈降することがある。このため、光半導体装置から取り出される光の明るさが低いことがある。

また、蛍光体が沈降した光半導体装置用封止剤を用いて、光半導体装置を作製すると、得られた複数の光半導体装置から発せられる光の色が異なることがある。また、蛍光体の沈降を防止するために封止剤の粘度を上げた従来の光半導体装置用封止剤では、粘度が高すぎて、ディスペンス性が低いという問題もある。

また、特許文献３に記載の封止剤では、該封止剤に含まれるシリコーン樹脂の架橋密度が高いので、硬化物の表面のべたつきが比較的少ない。しかし、硬化物の表面のべたつきをさらに一層抑制できる封止剤が強く求められている。また、特許文献３に記載の封止剤では、機械的強度及び接着性がかなり低いことがある。このため、熱サイクルを繰り返し受けると、封止剤にクラックが生じたり、封止剤がハウジング材等から剥離したりすることがある。

さらに、従来の光半導体装置用封止剤を用いた光半導体装置では、耐湿性が低いことがある。すなわち、従来の光半導体装置用封止剤を用いた光半導体装置が高温多湿の過酷な環境で使用された場合には、発光時の明るさが徐々に低下するという問題がある。

本発明は、腐食性ガスに対して高いガスバリア性を有し、過酷な環境下で使用されてもクラック又は剥離が生じ難い光半導体装置用封止剤、並びに該光半導体装置用封止剤を用いた光半導体装置を提供することを目的とする。

本発明の限定的な目的は、蛍光体が添加されたときに、又は蛍光体が含まれる場合に、該蛍光体の沈降を抑制でき、かつディスペンス性が良好であり、更に複数の光半導体装置を作製したときに、得られた光半導体装置から取り出される光の明るさが高く、かつ得られた複数の光半導体装置から発せられる光の色のばらつきが生じ難い光半導体装置用封止剤、並びに該光半導体装置用封止剤を用いた光半導体装置を提供することである。

本発明の更に限定的な目的は、表面のべたつきを抑制できる光半導体装置用封止剤、並びに該光半導体装置用封止剤を用いた光半導体装置を提供することである。本発明の他の限定的な目的は、耐湿信頼性が高い光半導体装置用封止剤、並びに該光半導体装置用封止剤を用いた光半導体装置を提供することである。

本発明の広い局面によれば、下記式（１Ａ）で表され、珪素原子に結合した水素原子を有さず、かつアリール基とアルケニル基とを有する第１のシリコーン樹脂Ａ、及び、下記式（１Ｂ）で表され、珪素原子に結合した水素原子を有さず、かつアリール基とアルケニル基とを有する第１のシリコーン樹脂Ｂの内の少なくとも１種の第１のシリコーン樹脂成分と、下記式（５１Ａ）で表され、かつアリール基と珪素原子に直接結合している水素原子とを有する第２のシリコーン樹脂Ａ、及び、下記式（５１Ｂ）で表され、かつアリール基と珪素原子に直接結合している水素原子とを有する第２のシリコーン樹脂Ｂの内の少なくとも１種の第２のシリコーン樹脂成分と、ヒドロシリル化反応用触媒とを含み、上記第１のシリコーン樹脂Ａにおける下記式（ａ１）より求められるアリール基の含有比率が３０モル％以上、７０モル％以下であり、上記第１のシリコーン樹脂Ｂにおける下記式（ｂ１）より求められるアリール基とフェニレン基との合計の含有比率が３０モル％以上、７０モル％以下であり、上記第２のシリコーン樹脂Ａにおける下記式（ａ５１）より求められるアリール基の含有比率が３０モル％以上、７０モル％以下であり、上記第２のシリコーン樹脂Ｂにおける下記式（ｂ５１）より求められるアリール基とフェニレン基との合計の含有比率が３０モル％以上、７０モル％以下である、光半導体装置用封止剤が提供される。

上記式（１Ａ）中、ａ、ｂ及びｃは、ａ／（ａ＋ｂ＋ｃ）＝０〜０．５０、ｂ／（ａ＋ｂ＋ｃ）＝０．４０〜１．０及びｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ）＝０〜０．４０を満たし、Ｒ１〜Ｒ６は、少なくとも１個がアリール基に相当するフェニル基を表し、少なくとも１個がアルケニル基を表し、フェニル基及びアルケニル基以外のＲ１〜Ｒ６は、炭素数１〜８の炭化水素基を表す。

上記式（１Ｂ）中、ａ、ｂ、ｃ及びｄは、ａ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）＝０〜０．４０、ｂ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）＝０．４０〜０．９９、ｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）＝０〜０．５０及びｄ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）＝０．０１〜０．４０を満たし、Ｒ１〜Ｒ６は、少なくとも１個がアリール基に相当するフェニル基を表し、少なくとも１個がアルケニル基を表し、フェニル基及びアルケニル基以外のＲ１〜Ｒ６は、炭素数１〜８の炭化水素基を表し、Ｒ７〜Ｒ１０はそれぞれ、炭素数１〜８の炭化水素基を表し、Ｒ１１は、炭素数１〜８の２価の炭化水素基を表す。

上記式（５１Ａ）中、ｐ、ｑ及びｒは、ｐ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）＝０．０５〜０．５０、ｑ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）＝０．０５〜０．５０及びｒ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）＝０．２０〜０．８０を満たし、Ｒ５１〜Ｒ５６は、少なくとも１個がアリール基に相当するフェニル基を表し、少なくとも１個が珪素原子に直接結合している水素原子を表し、フェニル基及び珪素原子に直接結合している水素原子以外のＲ５１〜Ｒ５６は、炭素数１〜８の炭化水素基を表す。

上記式（５１Ｂ）中、ｐ、ｑ、ｒ及びｓは、ｐ／（ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ）＝０．０５〜０．５０、ｑ／（ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ）＝０．０５〜０．５０、ｒ／（ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ）＝０．２０〜０．８０及びｓ／（ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ）＝０．０１〜０．４０を満たし、Ｒ５１〜Ｒ５６は、少なくとも１個がアリール基に相当するフェニル基を表し、少なくとも１個が珪素原子に直接結合している水素原子を表し、フェニル基及び珪素原子に直接結合している水素原子以外のＲ５１〜Ｒ５６は炭素数１〜８の炭化水素基を表し、Ｒ５７〜６０はそれぞれ、炭素数１〜８の炭化水素基を表し、Ｒ６１は、炭素数１〜８の２価の炭化水素基を表す。

アリール基の含有比率（モル％）＝（上記第１のシリコーン樹脂Ａの１分子あたりに含まれるアリール基の平均個数×アリール基の分子量／上記第１のシリコーン樹脂Ａの数平均分子量）×１００ ・・・式（ａ１）

アリール基とフェニレン基との合計の含有比率（モル％）＝｛（上記第１のシリコーン樹脂Ｂの１分子あたりに含まれるアリール基の平均個数×アリール基の分子量＋上記第１のシリコーン樹脂Ｂの１分子あたりに含まれるフェニレン基の平均個数×フェニレン基の分子量）／上記第１のシリコーン樹脂Ｂの数平均分子量｝×１００ ・・・式（ｂ１）

アリール基の含有比率（モル％）＝（上記第２のシリコーン樹脂Ａの１分子あたりに含まれるアリール基の平均個数×アリール基の分子量／上記第２のシリコーン樹脂Ａの数平均分子量）×１００ ・・・式（ａ５１）

アリール基とフェニレン基との合計の含有比率（モル％）＝｛（上記第２のシリコーン樹脂Ｂの１分子あたりに含まれるアリール基の平均個数×アリール基の分子量＋上記第２のシリコーン樹脂Ｂの１分子あたりに含まれるフェニレン基の平均個数×フェニレン基の分子量）／上記第２のシリコーン樹脂Ｂの数平均分子量｝×１００ ・・・式（ｂ５１）

本発明に係る光半導体装置用封止剤のある特定の局面では、上記第１のシリコーン樹脂Ｂ及び上記第２のシリコーン樹脂Ｂの内の少なくとも一方が含まれている。

本発明に係る光半導体装置用封止剤の他の特定の局面では、上記第１のシリコーン樹脂成分が、上記第１のシリコーン樹脂Ａであり、上記第１のシリコーン樹脂Ａが、下記式（１Ａ−１）で表され、珪素原子に結合した水素原子を有さず、かつアリール基とアルケニル基とを有する第１のシリコーン樹脂Ａ−１を含み、上記第１のシリコーン樹脂Ａ−１における下記式（ａ１−１）より求められるアリール基の含有比率が３０モル％以上、７０モル％以下である。

上記式（１Ａ−１）中、ａ及びｂは、ａ／（ａ＋ｂ）＝０．０５〜０．５０及びｂ／（ａ＋ｂ）＝０．５０〜０．９５を満たし、Ｒ１〜Ｒ５は、少なくとも１個がアリール基に相当するフェニル基を表し、少なくとも１個がアルケニル基を表し、フェニル基及びアルケニル基以外のＲ１〜Ｒ５は、炭素数１〜８の炭化水素基を表す。但し、上記式（１Ａ−１）中の（Ｒ１Ｒ２Ｒ３ＳｉＯ_１／２）で表される構造単位は、Ｒ１がアルケニル基を表し、Ｒ２及びＲ３がアルケニル基、アリール基又は炭素数１〜８の炭化水素基を表す構造単位を含む。

アリール基の含有比率（モル％）＝（上記第１のシリコーン樹脂Ａ−１の１分子あたりに含まれるアリール基の平均個数×アリール基の分子量／上記第１のシリコーン樹脂Ａ−１の数平均分子量）×１００ ・・・式（ａ１−１）

本発明に係る光半導体装置用封止剤のさらに他の特定の局面では、上記第１のシリコーン樹脂Ａが、上記第１のシリコーン樹脂Ａ−１を含み、かつ、下記式（１Ａ−２）で表され、上記第１のシリコーン樹脂Ａ−１に相当せず、珪素原子に結合した水素原子を有さず、かつアリール基とアルケニル基とを有する第１のシリコーン樹脂Ａ−２を含まないか又は含み、上記第１のシリコーン樹脂Ａ−２が含まれる場合に、上記第１のシリコーン樹脂Ａ−２における下記式（ａ１−２）より求められるアリール基の含有比率が３０モル％以上、７０モル％以下であり、上記第１のシリコーン樹脂Ａ−１と上記第１のシリコーン樹脂Ａ−２との合計１００重量％中、上記第１のシリコーン樹脂Ａ−１の含有量が５０重量％を超え、１００重量％以下である。

上記式（１Ａ−２）中、ａ、ｂ及びｃは、ａ／（ａ＋ｂ＋ｃ）＝０〜０．５０、ｂ／（ａ＋ｂ＋ｃ）＝０．４０〜１．０及びｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ）＝０〜０．４０を満たし、Ｒ１〜Ｒ６は、少なくとも１個がアリール基に相当するフェニル基を表し、Ｒ４〜Ｒ６は、少なくとも１個がアルケニル基を表し、フェニル基及びアルケニル基以外のＲ１〜Ｒ６は、炭素数１〜８の炭化水素基を表す。

アリール基の含有比率（モル％）＝（上記第１のシリコーン樹脂Ａ−２の１分子あたりに含まれるアリール基の平均個数×アリール基の分子量／上記第１のシリコーン樹脂Ａ−２の数平均分子量）×１００ ・・・式（ａ１−２）

本発明に係る光半導体装置用封止剤の別の特定の局面では、上記第１のシリコーン樹脂Ａが、上記第１のシリコーン樹脂Ａ−１を含み、かつ、上述した式（１Ａ−２）で表され、上記第１のシリコーン樹脂Ａ−１に相当せず、珪素原子に結合した水素原子を有さず、かつアリール基とアルケニル基とを有する第１のシリコーン樹脂Ａ−２を含み、上記第１のシリコーン樹脂Ａ−２における上述した式（ａ１−２）より求められるアリール基の含有比率が３０モル％以上、７０モル％以下である。

本発明に係る光半導体装置用封止剤のさらに別の特定の局面では、上記第１のシリコーン樹脂Ａが、上記第１のシリコーン樹脂Ａ−１と上記第１のシリコーン樹脂Ａ−２との双方を含み、上記第１のシリコーン樹脂Ａ−２の１００重量部に対して、上記第１のシリコーン樹脂Ａ−１の含有量が５重量部以上、１００重量部以下である。

本発明に係る光半導体装置用封止剤の他の特定の局面では、上記第２のシリコーン樹脂成分は、上記第２のシリコーン樹脂Ａである。

本発明に係る光半導体装置用封止剤のさらに他の特定の局面では、上記式（５１Ａ）中の（Ｒ５１Ｒ５２Ｒ５３ＳｉＯ_１／２）で表される構造単位は、Ｒ５１が珪素原子に結合した水素原子を表し、Ｒ５２及びＲ５３が水素原子、フェニル基又は炭素数１〜８の炭化水素基を表す構造単位を含む。

本発明に係る光半導体装置用封止剤の別の特定の局面では、上記第１のシリコーン樹脂Ａ及び上記第１のシリコーン樹脂Ｂはそれぞれ、１つの珪素原子に２つのフェニル基が結合したジフェニルシロキサン構造単位を含み、上記第１のシリコーン樹脂Ａ及び上記第１のシリコーン樹脂Ｂの全シロキサン構造単位１００モル％中、１つの珪素原子に２つのフェニル基が結合したジフェニルシロキサン構造単位の割合が３０モル％以上である。

本発明に係る光半導体装置用封止剤のさらに別の特定の局面では、上記第２のシリコーン樹脂Ａ及び上記第２のシリコーン樹脂Ｂはそれぞれ、下記式（５１−ａ）で表される構造単位を含み、上記第２のシリコーン樹脂Ａ及び上記第２のシリコーン樹脂Ｂの全シロキサン構造単位１００モル％中、下記式（５１−ａ）で表される構造単位の割合が５モル％以上である。

上記式（５１−ａ）中、Ｒ５２及びＲ５３はそれぞれ、水素原子、フェニル基又は炭素数１〜８の炭化水素基を表す。

本発明に係る光半導体装置用封止剤の他の特定の局面では、酸化珪素粒子がさらに含まれている。

本発明に係る光半導体装置用封止剤のさらに他の特定の局面では、上記酸化珪素粒子は、有機珪素化合物により表面処理されている。

本発明に係る光半導体装置用封止剤の別の特定の局面では、上記有機珪素化合物は、ジメチルシリル基を有する有機珪素化合物、トリメチルシリル基を有する有機珪素化合物及びポリジメチルシロキサン基を有する有機珪素化合物からなる群から選択された少なくとも１種である。

本発明に係る光半導体装置用封止剤のさらに別の特定の局面では、上記第１のシリコーン樹脂Ａ及び上記第１のシリコーン樹脂ＢのＥ型粘度計を用いて測定された２５℃における５ｒｐｍでの各粘度が５００ｍＰａ・ｓ以上、２００００ｍＰａ・ｓ以下であり、上記第２のシリコーン樹脂Ａ及び上記第２のシリコーン樹脂ＢのＥ型粘度計を用いて測定された２５℃における５ｒｐｍでの各粘度が５００ｍＰａ・ｓ以上、５０００ｍＰａ・ｓ以下である。

本発明に係る光半導体装置用封止剤では、Ｅ型粘度計を用いて測定された２５℃における５ｒｐｍでの粘度が１０００ｍＰａ・ｓ以上、１００００ｍＰａ・ｓ以下であることが好ましい。

本発明に係る光半導体装置用封止剤では、パラレルプレート型レオメーターを用いて２５℃から昇温速度２０℃／分で加熱したときに、２５℃から硬化温度までの温度領域における剪断速度１ｓ^−１での最低粘度が２００ｍＰａ・ｓ以上であることが好ましい

本発明に係る光半導体装置用封止剤では、Ｅ型粘度計を用いて測定された２５℃における１ｒｐｍでの粘度のＥ型粘度計を用いて測定された２５℃における１０ｒｐｍでの粘度に対する比が１．２以上、２．５以下であることが好ましい。

本発明に係る光半導体装置用封止剤の他の特定の局面では、蛍光体がさらに含まれている。

本発明に係る光半導体装置は、光半導体素子と、該光半導体素子を封止するように設けられており、かつ本発明に従って構成された光半導体装置用封止剤とを備える。

本発明に係る光半導体装置用封止剤は、式（１Ａ）又は式（１Ｂ）で表され、かつアリール基とアルケニル基とを有する第１のシリコーン樹脂Ａ又は第１のシリコーン樹脂Ｂの内の少なくとも１種の第１のシリコーン樹脂成分と、式（５１Ａ）又は式（５１Ｂ）で表され、かつアリール基と珪素原子に直接結合している水素原子とを有する第２のシリコーン樹脂Ａ又は第２のシリコーン樹脂Ｂの内の少なくとも１種の第２のシリコーン樹脂成分と、ヒドロシリル化反応用触媒とを含み、上記第１，第２のシリコーン樹脂Ａ，Ｂにおけるアリール基の含有比率又はアリール基とフェニレン基との合計の含有比率が特定の範囲内であるので、ガスバリア性に優れている。

さらに、本発明に係る光半導体装置用封止剤により、発光ダイオード等の光半導体素子を封止した際に、硬化した封止剤にクラックが生じ難く、かつ硬化した封止剤はハウジング材等から剥離し難い。

図１は、本発明の一実施形態に係る光半導体装置を示す正面断面図である。

以下、本発明の詳細を説明する。
本発明に係る光半導体装置用封止剤は、下記の構成Ｘを備える。

構成Ｘ：
本発明に係る光半導体装置用封止剤は、第１のシリコーン樹脂成分と、第２のシリコーン樹脂成分と、ヒドロシリル化反応用触媒とを含む。

上記第１のシリコーン樹脂成分は、式（１Ａ）で表され、珪素原子に結合した水素原子を有さず、かつアリール基とアルケニル基とを有する第１のシリコーン樹脂Ａ、及び、式（１Ｂ）で表され、珪素原子に結合した水素原子を有さず、かつアリール基とアルケニル基とを有する第１のシリコーン樹脂Ｂの内の少なくとも１種である。上記第１のシリコーン樹脂成分は、上記第１のシリコーン樹脂Ａのみであってもよく、上記第１のシリコーン樹脂Ｂのみであってもよく、上記第１のシリコーン樹脂Ａと上記第１のシリコーン樹脂Ｂとの双方であってもよい。

上記第２のシリコーン樹脂成分は、式（５１Ａ）で表され、かつアリール基と珪素原子に直接結合している水素原子とを有する第２のシリコーン樹脂Ａ、及び、式（５１Ｂ）で表され、かつアリール基と珪素原子に直接結合している水素原子とを有する第２のシリコーン樹脂Ｂの内の少なくとも１種である。上記第２のシリコーン樹脂成分は、上記第２のシリコーン樹脂Ａのみであってもよく、上記第２のシリコーン樹脂Ｂのみであってもよく、上記第２のシリコーン樹脂Ａと上記第２のシリコーン樹脂Ｂとの双方であってもよい。

上記第１のシリコーン樹脂Ａにおける式（ａ１）より求められるアリール基の含有比率は３０モル％以上、７０モル％以下である。上記第１のシリコーン樹脂Ｂにおける式（ｂ１）より求められるアリール基とフェニレン基との合計の含有比率は３０モル％以上、７０モル％以下である。上記第２のシリコーン樹脂Ａにおける式（ａ５１）より求められるアリール基の含有比率は３０モル％以上、７０モル％以下である。上記第２のシリコーン樹脂Ｂにおける式（ｂ５１）より求められるアリール基とフェニレン基との合計の含有比率は３０モル％以上、７０モル％以下である。

上記構成Ｘの採用により、ガスバリア性に優れており、クラック及び剥離が生じ難い封止剤を得ることができる。

本発明に係る光半導体装置用封止剤は、上述した構成Ｘに加えて、下記の構成Ｙをさらに備えることが好ましい。

構成Ｙ：
本発明に係る光半導体装置用封止剤は、上記第１のシリコーン樹脂成分と、上記第２のシリコーン樹脂成分と、上記ヒドロシリル化反応用触媒とに加えて、有機珪素化合物により表面処理されている酸化珪素粒子をさらに含むことが好ましい。上記第１のシリコーン樹脂Ａ（後述する第１のシリコーン樹脂Ａ−１，Ａ−２が含まれ得る）及び上記第１のシリコーン樹脂Ｂはそれぞれ１つの珪素原子に２つのフェニル基が結合したジフェニルシロキサン構造単位を含み、上記第１のシリコーン樹脂Ａ及び上記第１のシリコーン樹脂Ｂの全シロキサン構造単位１００モル％中、１つの珪素原子に２つのフェニル基が結合したジフェニルシロキサン構造単位の割合が３０モル％以上であり、さらに、上記第１のシリコーン樹脂Ａ及び上記第１のシリコーン樹脂ＢのＥ型粘度計を用いて測定された２５℃における５ｒｐｍでの粘度が５００ｍＰａ・ｓ以上、２００００ｍＰａ・ｓ以下であり、上記第２のシリコーン樹脂Ａ及び上記第２のシリコーン樹脂ＢのＥ型粘度計を用いて測定された２５℃における５ｒｐｍでの粘度が５００ｍＰａ・ｓ以上、５０００ｍＰａ・ｓ以下であるか、又は、光半導体装置用封止剤のＥ型粘度計を用いて測定された２５℃における５ｒｐｍでの粘度η１が１０００ｍＰａ・ｓ以上、１００００ｍＰａ・ｓ以下であり、かつ、光半導体装置用封止剤のＥ型粘度計を用いて測定された２５℃における１ｒｐｍでの粘度η２のＥ型粘度計を用いて測定された２５℃における１０ｒｐｍでの粘度η３に対する比（η２／η３）が１．２以上、２．５以下であることが好ましい。

上記構成Ｙの採用により、封止剤において、蛍光体が添加されたときに、又は蛍光体が含まれる場合に、該蛍光体の沈降を抑制でき、かつ封止剤のディスペンス性（塗布性）を良好にすることができる。さらに、封止剤を用いて複数の光半導体装置を作製したときに、得られた光半導体装置から取り出される光の明るさを高くすることができ、かつ得られた複数の光半導体装置から発せられる光の色のばらつきを生じ難くすることができる。

本発明に係る光半導体装置用封止剤は、上述した構成Ｘに加えて、下記の構成Ｚを備えることが好ましい。

構成Ｚ：
本発明に係る光半導体装置用封止剤は、式（１Ａ−１）で表され、珪素原子に結合した水素原子を有さず、かつアリール基とアルケニル基とを有する第１のシリコーン樹脂Ａ−１と、上記第２のシリコーン樹脂成分と、上記ヒドロシリル化反応用触媒とを含むことが好ましい。すなわち、本発明に係る光半導体装置用封止剤は、第１のシリコーン樹脂Ａ−１を必須成分として含むことが好ましい。この場合に、本発明に係る光半導体装置用封止剤は、式（１Ａ−２）で表され、上記第１のシリコーン樹脂Ａ−１に相当せず、珪素原子に結合した水素原子を有さず、かつアリール基とアルケニル基とを有する第１のシリコーン樹脂Ａ−２を含まないか又は含み、該第１のシリコーン樹脂Ａ−２を含んでいてもよく、含んでいなくてもよい。上記第１のシリコーン樹脂Ａ−１及び上記第１のシリコーン樹脂Ａ−２は、上記第１のシリコーン樹脂Ａに含まれる樹脂である。

上記第１のシリコーン樹脂Ａ−１と上記第２のシリコーン樹脂成分と上記ヒドロシリル化反応用触媒とを含む上記構成Ｚの採用により、特に式（１Ａ−１）中の（Ｒ１Ｒ２Ｒ３ＳｉＯ_１／２）で表される構造単位が、Ｒ１がアルケニル基を表し、Ｒ２及びＲ３がアルケニル基、アリール基又は炭素数１〜８の炭化水素基を表す構造単位を含むことによって、封止剤の表面のべたつきを充分に抑制できる。このことは、本願発明者らによって見出された。

さらに、上記第１のシリコーン樹脂Ａ−１と上記第２のシリコーン樹脂成分と上記ヒドロシリル化反応用触媒とを含む上記構成Ｚの採用により、特に第１のシリコーン樹脂Ａ−１の使用により、光半導体装置用封止剤の耐湿信頼性を高めることができる。このため、本発明に係る光半導体装置用封止剤を用いた光半導体装置が高温多湿の過酷な環境で使用された場合に、発光時の明るさが徐々に低下し難くなる。上記第１のシリコーン樹脂Ａ−１と上記第１のシリコーン樹脂Ａ−２との合計１００重量％中、上記第１のシリコーン樹脂Ａ−１の含有量が５０重量％を超え、１００重量％以下である場合には、光半導体装置用封止剤の耐湿信頼性を効果的に高めることができる。

さらに、上記第１のシリコーン樹脂Ａと上記第１のシリコーン樹脂Ｂと上記第２のシリコーン樹脂とヒドロシリル化反応用触媒とを含む組成の採用により、封止剤を用いた光半導体装置が加熱と冷却とを繰り返し受ける過酷な環境で使用されても、封止剤にクラック及び剥離がより一層生じ難くなる。

本発明に係る光半導体装置用封止剤は、上述した構成Ｘに加えて、下記の他の構成を備えることが好ましい。

他の構成：
ガスバリア性により一層優れており、クラック及び剥離がより一層生じ難い封止剤を得る観点からは、本発明に係る光半導体装置用封止剤は、上記第１のシリコーン樹脂Ｂ及び上記第２のシリコーン樹脂Ｂの内の少なくとも一方を含むことが好ましい。

また、本発明に係る光半導体装置用封止剤は、上記第１のシリコーン樹脂Ａ−１と、上記第１のシリコーン樹脂Ａ−２と、上記第２のシリコーン樹脂成分と、上記ヒドロシリル化反応用触媒とを含むことが好ましい。この場合には、封止剤を用いた光半導体装置が加熱と冷却とを繰り返し受ける過酷な環境で使用されても、封止剤にクラック及び剥離がより一層生じ難くなる。

（第１のシリコーン樹脂）
本発明に係る光半導体装置用封止剤に含まれている第１のシリコーン樹脂成分は、下記式（１Ａ）で表され、珪素原子に結合した水素原子を有さず、かつアリール基とアルケニル基とを有する第１のシリコーン樹脂Ａ、及び、下記式（１Ｂ）で表され、珪素原子に結合した水素原子を有さず、かつアリール基とアルケニル基とを有する第１のシリコーン樹脂Ｂの内の少なくとも１種である。

上記第１のシリコーン樹脂Ａ，Ｂは、珪素原子に結合した水素原子を有さないので、第２のシリコーン樹脂成分とは異なる。上記第１のシリコーン樹脂Ａ，Ｂにおいて、アルケニル基は珪素原子に直接結合していることが好ましく、アリール基は珪素原子に直接結合していることが好ましい。上記アリール基としては、無置換のフェニル基及び置換フェニル基が挙げられる。なお、上記アルケニル基の炭素−炭素二重結合における炭素原子が、珪素原子に結合していてもよく、上記アルケニル基の炭素−炭素二重結合における炭素原子とは異なる炭素原子が、珪素原子に結合していてもよい。下記式（１Ｂ）で表される第１のシリコーン樹脂Ｂは、フェニレン基を有していてもよく、フェニレン基を有していなくてもよい。上記第１のシリコーン樹脂Ａ，Ｂはそれぞれ、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記式（１Ａ）中、ａ、ｂ及びｃは、ａ／（ａ＋ｂ＋ｃ）＝０〜０．５０、ｂ／（ａ＋ｂ＋ｃ）＝０．４０〜１．０及びｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ）＝０〜０．５０を満たし、Ｒ１〜Ｒ６は、少なくとも１個がアリール基に相当するフェニル基を表し、少なくとも１個がアルケニル基を表し、フェニル基及びアルケニル基以外のＲ１〜Ｒ６は、炭素数１〜８の炭化水素基を表す。なお、上記式（１Ａ）中、（Ｒ４Ｒ５ＳｉＯ_２／２）で表される構造単位及び（Ｒ６ＳｉＯ_３／２）で表される構造単位はそれぞれ、アルコキシ基を有していてもよく、ヒドロキシ基を有していてもよい。

上記式（１Ｂ）中、ａ、ｂ、ｃ及びｄは、ａ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）＝０〜０．４０、ｂ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）＝０．４０〜０．９９、ｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）＝０〜０．５０及びｄ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）＝０．０１〜０．４０を満たし、Ｒ１〜Ｒ６は、少なくとも１個がアリール基に相当するフェニル基を表し、少なくとも１個がアルケニル基を表し、フェニル基及びアルケニル基以外のＲ１〜Ｒ６は、炭素数１〜８の炭化水素基を表し、Ｒ７〜Ｒ１０はそれぞれ、炭素数１〜８の炭化水素基を表し、Ｒ１１は、炭素数１〜８の２価の炭化水素基を表す。なお、上記式（１Ｂ）中、（Ｒ４Ｒ５ＳｉＯ_２／２）で表される構造単位、（Ｒ６ＳｉＯ_３／２）で表される構造単位、（Ｒ７Ｒ８Ｒ９Ｒ１０Ｓｉ_２Ｒ１１Ｏ_２／２）で表される構造単位はそれぞれ、アルコキシ基を有していてもよく、ヒドロキシ基を有していてもよい。

上記第１のシリコーン樹脂Ａは、下記式（１Ａ−１）で表され、珪素原子に結合した水素原子を有さず、かつアリール基とアルケニル基とを有する第１のシリコーン樹脂Ａ−１を含むことが好ましい。この場合に、上記第１のシリコーン樹脂成分が、上記第１のシリコーン樹脂Ａを含み、また上記第１のシリコーン樹脂Ａであることが好ましい。

上記式（１Ａ−１）中、ａ及びｂは、ａ／（ａ＋ｂ）＝０．０５〜０．５０及びｂ／（ａ＋ｂ）＝０．５０〜０．９５を満たし、Ｒ１〜Ｒ５は、少なくとも１個がアリール基に相当するフェニル基を表し、少なくとも１個がアルケニル基を表し、フェニル基及びアルケニル基以外のＲ１〜Ｒ５は、炭素数１〜８の炭化水素基を表す。但し、上記式（１Ａ−１）中の（Ｒ１Ｒ２Ｒ３ＳｉＯ_１／２）で表される構造単位は、Ｒ１がアルケニル基を表し、Ｒ２及びＲ３がアルケニル基、アリール基又は炭素数１〜８の炭化水素基を表す構造単位を含む。上記式（１Ａ−１）中の（Ｒ１Ｒ２Ｒ３ＳｉＯ_１／２）で表される構造単位は、Ｒ１がアルケニル基を表し、Ｒ２及びＲ３がアルケニル基、フェニル基又は炭素数１〜８の炭化水素基を表す構造単位を含むことが好ましい。なお、上記式（１Ａ−１）中、（Ｒ４Ｒ５ＳｉＯ_２／２）で表される構造単位は、アルコキシ基を有していてもよく、ヒドロキシ基を有していてもよい。

また、上記第１のシリコーン樹脂Ａは、上記第１のシリコーン樹脂Ａ−１を含み、かつ下記式（１Ａ−２）で表され、上記第１のシリコーン樹脂Ａ−１に相当せず、珪素原子に結合した水素原子を有さず、かつアリール基とアルケニル基とを有する第１のシリコーン樹脂Ａ−２を含まないか、又は含むことが好ましい。また、上記第１のシリコーン樹脂Ａは、上記第１のシリコーン樹脂Ａ−２を含むことが好ましい。

上記式（１Ａ−２）中、ａ、ｂ及びｃは、ａ／（ａ＋ｂ＋ｃ）＝０〜０．５０、ｂ／（ａ＋ｂ＋ｃ）＝０．４０〜１．０及びｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ）＝０〜０．５０を満たし、Ｒ１〜Ｒ６は、少なくとも１個がアリール基に相当するフェニル基を表し、Ｒ４〜Ｒ６は、少なくとも１個がアルケニル基を表し、フェニル基及びアルケニル基以外のＲ１〜Ｒ６は、炭素数１〜８の炭化水素基を表す。なお、上記式（１Ａ−２）中、（Ｒ４Ｒ５ＳｉＯ_２／２）で表される構造単位及び（Ｒ６ＳｉＯ_３／２）で表される構造単位はそれぞれ、アルコキシ基を有していてもよく、ヒドロキシ基を有していてもよい。

上記式（１Ａ）、上記式（１Ａ−１）、上記式（１Ａ−２）及び上記式（１Ｂ）は平均組成式を示す。上記式（１Ａ）、上記式（１Ａ−１）、上記式（１Ａ−２）及び上記式（１Ｂ）における炭化水素基は、直鎖状であってもよく、分岐状であってもよい。上記式（１Ａ）、上記式（１Ａ−２）及び上記式（１Ｂ）中のＲ１〜Ｒ６は同一であってもよく、異なっていてもよい。上記式（１Ａ−１）中のＲ１〜Ｒ５は同一であってもよく、異なっていてもよい。上記式（１Ｂ）中のＲ７〜Ｒ１０は同一であってもよく、異なっていてもよい。

上記式（１Ａ）、上記式（１Ａ−１）、上記式（１Ａ−２）及び上記式（１Ｂ）中、（Ｒ４Ｒ５ＳｉＯ_２／２）で表される構造単位における酸素原子部分、（Ｒ６ＳｉＯ_３／２）で表される構造単位における酸素原子部分、（Ｒ７Ｒ８Ｒ９Ｒ１０Ｓｉ_２Ｒ１１Ｏ_２／２）で表される構造単位における酸素原子部分はそれぞれ、シロキサン結合を形成している酸素原子部分、アルコキシ基の酸素原子部分、又はヒドロキシ基の酸素原子部分を示す。

なお、一般に、上記式（１Ａ）、上記式（１Ａ−１）、上記式（１Ａ−２）及び上記式（１Ｂ）の各構造単位において、アルコキシ基の含有量は少なく、更にヒドロキシ基の含有量も少ない。これは、一般に、第１のシリコーン樹脂Ａ，Ｂを得るために、アルコキシシラン化合物などの有機珪素化合物を加水分解し、重縮合させると、アルコキシ基及びヒドロキシ基の多くは、シロキサン結合の部分骨格に変換されるためである。すなわち、アルコキシ基の酸素原子及びヒドロキシ基の酸素原子の多くは、シロキサン結合を形成している酸素原子に変換される。上記式（１Ａ）、上記式（１Ａ−１）、上記式（１Ａ−２）及び上記式（１Ｂ）の各構造単位がアルコキシ基又はヒドロキシ基を有する場合には、シロキサン結合の部分骨格に変換されなかった未反応のアルコキシ基又はヒドロキシ基がわずかに残存していることを示す。後述の式（５１Ａ）及び（５１Ｂ）の各構造単位がアルコキシ基又はヒドロキシ基を有する場合に関しても、同様のことがいえる。

上記式（１Ａ）、上記式（１Ａ−１）、上記式（１Ａ−２）及び上記式（１Ｂ）中、アルケニル基としては、ビニル基、アリル基、ブテニル基、ペンテニル基及びヘキセニル基等が挙げられる。ガスバリア性をより一層高める観点からは、上記式（１Ａ）、上記式（１Ａ−１）、上記式（１Ａ−２）及び上記式（１Ｂ）中のアルケニル基は、ビニル基又はアリル基であることが好ましく、ビニル基であることがより好ましい。

上記式（１Ａ）、上記式（１Ａ−１）、上記式（１Ａ−２）及び上記式（１Ｂ）における炭素数１〜８の炭化水素基としては特に限定されず、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、イソプロピル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔ−ペンチル基、イソへキシル基及びシクロヘキシル基が挙げられる。上記式（１Ｂ）における炭素数１〜８の２価の炭化水素基としては特に限定されず、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、シクロヘキシレン基及びフェニレン基等が挙げられる。

上記式（１Ａ）で表される第１のシリコーン樹脂Ａにおける下記式（ａ１）より求められるアリール基の含有比率は３０モル％以上、７０モル％以下である。

アリール基の含有比率（モル％）＝（上記第１のシリコーン樹脂Ａの１分子あたりに含まれるアリール基の平均個数×アリール基の分子量／上記第１のシリコーン樹脂Ａの数平均分子量）×１００ ・・・式（ａ１）

上記式（１Ａ−１）で表される第１のシリコーン樹脂Ａ−１における下記式（ａ１−１）より求められるアリール基の含有比率は３０モル％以上、７０モル％以下である。

アリール基の含有比率（モル％）＝（上記第１のシリコーン樹脂Ａ−１の１分子あたりに含まれるアリール基の平均個数×アリール基の分子量／上記第１のシリコーン樹脂Ａ−１の数平均分子量）×１００ ・・・式（ａ１−１）

上記式（１Ａ−２）で表される第１のシリコーン樹脂Ａ−２における下記式（ａ１−２）より求められるアリール基の含有比率は３０モル％以上、７０モル％以下である。

アリール基の含有比率（モル％）＝（上記第１のシリコーン樹脂Ａ−２の１分子あたりに含まれるアリール基の平均個数×アリール基の分子量／上記第１のシリコーン樹脂Ａ−２の数平均分子量）×１００ ・・・式（ａ１−２）

上記式（ａ１）、上記式（ａ１−１）及び上記式（ａ１−２）により求められる上記第１のシリコーン樹脂Ａ，Ａ−１，Ａ−２のアリール基の含有比率が３０モル％未満であると、ガスバリア性が不十分になる。アリール基の含有比率が７０モル％を超えると、封止剤の剥離が生じやすくなる。ガスバリア性をより一層高める観点からは、アリール基の含有比率は３５モル％以上であることが好ましい。封止剤の剥離をより一層生じ難くする観点からは、アリール基の含有比率は、６５モル％以下であることが好ましい。

上記式（１Ｂ）で表される第１のシリコーン樹脂Ｂにおける下記式（ｂ１）より求められるアリール基とフェニレン基との合計の含有比率は３０モル％以上、７０モル％以下である。

アリール基とフェニレン基との合計の含有比率（モル％）＝｛（上記第１のシリコーン樹脂Ｂの１分子あたりに含まれるアリール基の平均個数×アリール基の分子量＋上記第１のシリコーン樹脂Ｂの１分子あたりに含まれるフェニレン基の平均個数×フェニレン基の分子量）／上記第１のシリコーン樹脂Ｂの数平均分子量｝×１００ ・・・式（ｂ１）

上記式（ｂ１）により求められる上記第１のシリコーン樹脂Ｂのアリール基とフェニレン基との合計の含有比率が３０モル％未満であると、ガスバリア性が不十分になる。アリール基とフェニレン基との合計の含有比率が７０モル％を超えると、封止剤の剥離が生じやすくなる。ガスバリア性をより一層高める観点からは、アリール基とフェニレン基との合計の含有比率は３５モル％以上であることが好ましい。封止剤の剥離をより一層生じ難くする観点からは、アリール基とフェニレン基との合計の含有比率は、６５モル％以下であることが好ましい。

なお、上記式（１Ｂ）で表されるシリコーン樹脂がフェニレン基を有さない場合には、上記アリール基とフェニレン基との合計の含有比率は、アリール基の含有比率を示す。

第１のシリコーン樹脂Ａ，Ａ−１，Ａ−２，Ｂはそれぞれ、オルガノポリシロキサンであることが好ましい。第１のシリコーン樹脂Ａ，Ａ−１，Ａ−２，Ｂは、１つの珪素原子に２つのフェニル基が結合したジフェニルシロキサン構造単位を含むことが好ましい。第１のシリコーン樹脂Ａ，Ａ−１，Ａ−２，Ｂの全シロキサン構造単位１００モル％中、１つの珪素原子に２つのフェニル基が結合したジフェニルシロキサン構造単位の割合は３０モル％以上であることが好ましい。ジフェニルシロキサン構造単位の割合が３０モル％以上であると、封止剤のディスペンス性が良好になり、更に複数の光半導体装置から取り出される光の明るさが高くなる。上記ジフェニルシロキサン構造単位の割合は、好ましくは４０モル％以上、好ましくは６０モル％以下である。上記ジフェニルシロキサン構造単位の割合が上記上限以下であると、封止剤のディスペンス性が良好になり、半導体装置から取り出される光の明るさがより高くなる。この効果は、第１のシリコーン樹脂Ａ，Ａ−１,Ａ−２を用いた場合と、第１のシリコーン樹脂Ｂを用いた場合とで、同様に発揮される。

また、上記第１のシリコーン樹脂成分が上記第１のシリコーン樹脂Ａであり、上記第１のシリコーン樹脂Ａは、１つの珪素原子に２つのフェニル基が結合したジフェニルシロキサン構造単位を含み、上記第１のシリコーン樹脂Ａの全シロキサン構造単位１００モル％中、１つの珪素原子に２つのフェニル基が結合したジフェニルシロキサン構造単位の割合が３０モル％以上であることが好ましい。

上記ジフェニルシロキサン構造単位は、下記式（１−ｂ１）で表される構造単位であることが好ましい。また、下記式（１−ｂ１）で表される構造単位において、末端の酸素原子は、一般に隣接する珪素原子とシロキサン結合を形成しており、隣接する構造単位と酸素原子を共有している。従って、末端の１つの酸素原子を「Ｏ_１／２」とする。

上記式（１Ａ）、上記式（１Ａ−１）、上記式（１Ａ−２）及び式（１Ｂ）中、（Ｒ４Ｒ５ＳｉＯ_２／２）で表される構造単位は、上記式（１−ｂ１）で表される構造単位を含むことが好ましい。（Ｒ４Ｒ５ＳｉＯ_２／２）で表される構造単位は、上記式（１−ｂ１）で表される構造単位のみを含んでいてもよく、上記式（１−ｂ１）で表される構造単位と上記式（１−ｂ１）で表される構造単位以外の構造単位とを含んでいてもよい。

上記第１のシリコーン樹脂Ａ，Ａ−１，Ａ−２，ＢのＥ型粘度計を用いて測定された２５℃における５ｒｐｍでの粘度は５００ｍＰａ・ｓ以上、２００００ｍＰａ・ｓ以下であることが好ましい。第１のシリコーン樹脂Ａの粘度がこの範囲内である場合には、蛍光体の沈降をより一層抑制し、封止剤のディスペンス性をより一層高め、かつ光半導体装置から取り出される光をより一層明るくすることができる。

上記式（１Ａ−１）中、（Ｒ１Ｒ２Ｒ３ＳｉＯ_１／２）で表される構造単位は、Ｒ１がアルケニル基を表し、Ｒ２及びＲ３がアルケニル基、アリール基又は炭素数１〜８の炭化水素基を表す構造単位を含むことが好ましい。すなわち、上記式（１Ａ−１）中、（Ｒ１Ｒ２Ｒ３ＳｉＯ_１／２）で表される構造単位は、下記式（１−ａ）で表される構造単位を含むことが好ましい。（Ｒ１Ｒ２Ｒ３ＳｉＯ_１／２）で表される構造単位は、下記式（１−ａ）で表される構造単位のみを含んでいてもよく、下記式（１−ａ）で表される構造単位と下記式（１−ａ）で表される構造単位以外の構造単位とを含んでいてもよい。なお、下記式（１−ａ）で表される構造単位において、末端の酸素原子は、隣接する珪素原子とシロキサン結合を形成しており、隣接する構造単位と酸素原子を共有している。従って、末端の１つの酸素原子を「Ｏ_１／２」とする。

上記式（１−ａ）中、Ｒ１はアルケニル基を表し、Ｒ２及びＲ３はそれぞれアルケニル基、フェニル基又は炭素数１〜８の炭化水素基を表す。Ｒ２及びＲ３はそれぞれフェニル基又は炭素数１〜８の炭化水素基を表すことが好ましい。

封止剤の表面のべたつきをより一層抑制する観点からは、上記式(１Ａ−１)中の全構造単位１００モル％中、（Ｒ１Ｒ２Ｒ３ＳｉＯ_１／２）で表される構造単位であって、Ｒ１がアルケニル基を表し、Ｒ２及びＲ３がアルケニル基、フェニル基又は炭素数１〜８の炭化水素基を表す構造単位（上記式（１−ａ）で表される構造単位）の割合は、好ましくは５モル％以上、好ましくは５０モル％以下、より好ましくは４５モル％以下、更に好ましくは４０モル％以下である。

ガスバリア性をより一層高める観点からは、上記式（１Ｂ）中、（Ｒ７Ｒ８Ｒ９Ｒ１０Ｓｉ_２Ｒ１１Ｏ_２／２）の構造単位は、下記式（１ｂ−１）で表される構造単位であることが好ましい。下記式（１ｂ−１）で表される構造単位はフェニレン基を有し、該フェニレン基は置換又は無置換のフェニレン基である。本明細書において、「フェニレン基」の用語には、炭素数１〜８の炭化水素基がベンゼン環に置換した置換フェニレン基も含まれる。なお、下記式（１ｂ−１）で表される構造単位において、末端の酸素原子は、一般に隣接する珪素原子とシロキサン結合を形成しており、隣接する構造単位と酸素原子を共有している。従って、末端の１つの酸素原子を「Ｏ_１／２」とする。

上記式（１ｂ−１）中、Ｒａは、水素原子又は炭素数１〜８の炭化水素基を表し、Ｒ７〜Ｒ１０はそれぞれ、炭素数１〜８の炭化水素基を表す。上記炭化水素基は直鎖状であってもよく、分岐状であってもよい。なお、上記式（１ｂ−１）中のベンゼン環に結合している３つの基の結合部位は特に限定されない。

上記式（１Ｂ）中、（Ｒ７Ｒ８Ｒ９Ｒ１０Ｓｉ_２Ｒ１１Ｏ_２／２）の構造単位は、下記式（１ｂ−２）で表される構造単位であることが好ましい。下記式（１ｂ−２）で表される構造単位はフェニレン基を有し、該フェニレン基は置換又は無置換のフェニレン基である。下記式（１ｂ−２）中のベンゼン環に結合しているＲａの結合部位は特に限定されない。

上記式（１ｂ−２）中、Ｒａは、水素原子又は炭素数１〜８の炭化水素基を表し、Ｒ７〜Ｒ１０はそれぞれ、炭素数１〜８の炭化水素基を表す。

上記式（１Ｂ）中、（Ｒ７Ｒ８Ｒ９Ｒ１０Ｓｉ_２Ｒ１１Ｏ_２／２）の構造単位は、下記式（１ｂ−３）で表される構造単位であることがより好ましい。下記式（１ｂ−３）で表される構造単位はフェニレン基を有し、該フェニレン基は無置換のフェニレン基である。

上記式（１ｂ−３）中、Ｒ７〜Ｒ１０はそれぞれ、炭素数１〜８の炭化水素基を表す。

上記式（１Ａ）、上記式（１Ａ−１）、上記式（１Ａ−２）及び式（１Ｂ）で表される第１のシリコーン樹脂Ａ，Ａ−１，Ａ−２，Ｂにおいて、（Ｒ４Ｒ５ＳｉＯ_２／２）で表される構造単位（以下、二官能構造単位ともいう）は、下記式（１−２）で表される構造、すなわち、二官能構造単位中の珪素原子に結合した酸素原子の１つがヒドロキシ基又はアルコキシ基を構成する構造を含んでいてもよい。

（Ｒ４Ｒ５ＳｉＸＯ_１／２） ・・・式（１−２）

（Ｒ４Ｒ５ＳｉＯ_２／２）で表される構造単位は、下記式（１−ｂ）で表される構造単位の破線で囲まれた部分を含み、更に下記式（１−２−ｂ）で表される構造単位の破線で囲まれた部分を含んでいてもよい。すなわち、Ｒ４及びＲ５で表される基を有し、かつアルコキシ基又はヒドロキシ基が末端に残存している構造単位も、（Ｒ４Ｒ５ＳｉＯ_２／２）で表される構造単位に含まれる。具体的には、アルコキシ基がシロキサン結合の部分骨格に変換された場合には、（Ｒ４Ｒ５ＳｉＯ_２／２）で表される構造単位は、下記式（１−ｂ）で表される構造単位の破線で囲まれた部分を示す。未反応のアルコキシ基が残存している場合、又はアルコキシ基がヒドロキシ基に変換された場合には、残存アルコキシ基又はヒドロキシ基を有する（Ｒ４Ｒ５ＳｉＯ_２／２）で表される構造単位は、下記式（１−２−ｂ）で表される構造単位の破線で囲まれた部分を示す。

上記式（１−２）及び（１−２−ｂ）中、Ｘは、ＯＨ又はＯＲを表し、ＯＲは、直鎖状又は分岐状の炭素数１〜４のアルコキシ基を表す。上記式（１−ｂ）、（１−２）及び（１−２−ｂ）中のＲ４及びＲ５は、上記式（１Ａ）、上記式（１Ａ−１）、上記式（１Ａ−２）及び式（１Ｂ）中のＲ４及びＲ５と同様の基である。

上記式（１Ａ）、上記式（１Ａ−２）及び式（１Ｂ）で表される第１のシリコーン樹脂Ａ，Ａ−２，Ｂにおいて、（Ｒ６ＳｉＯ_３／２）で表される構造単位（以下、三官能構造単位ともいう）は、下記式（１−３）又は（１−４）で表される構造、すなわち、三官能構造単位中の珪素原子に結合した酸素原子の２つがそれぞれヒドロキシ基若しくはアルコキシ基を構成する構造、又は、三官能構造単位中の珪素原子に結合した酸素原子の１つがヒドロキシ基若しくはアルコキシ基を構成する構造を含んでいてもよい。

（Ｒ６ＳｉＸ_２Ｏ_１／２） ・・・式（１−３）
（Ｒ６ＳｉＸＯ_２／２） ・・・式（１−４）

（Ｒ６ＳｉＯ_３／２）で表される構造単位は、下記式（１−ｃ）で表される構造単位の破線で囲まれた部分を含み、更に下記式（１−３−ｃ）又は（１−４−ｃ）で表される構造単位の破線で囲まれた部分を含んでいてもよい。すなわち、Ｒ６で表される基を有し、かつアルコキシ基又はヒドロキシ基が末端に残存している構造単位も、（Ｒ６ＳｉＯ_３／２）で表される構造単位に含まれる。

上記式（１−３）、（１−３−ｃ）、（１−４）及び（１−４−ｃ）中、Ｘは、ＯＨ又はＯＲを表し、ＯＲは、直鎖状又は分岐状の炭素数１〜４のアルコキシ基を表す。上記式（１−ｃ）、（１−３）、（１−３−ｃ）、（１−４）及び（１−４−ｃ）中のＲ６は、上記式（１Ａ）、上記式（１Ａ−２）及び式（１Ｂ）中のＲ６と同様の基である。

上記式（１Ｂ）で表される第１のシリコーン樹脂Ｂにおいて、（Ｒ７Ｒ８Ｒ９Ｒ１０Ｓｉ_２Ｒ１１Ｏ_２／２）で表される構造単位は、下記式（１−５）で表される構造、すなわち、（Ｒ７Ｒ８Ｒ９Ｒ１０Ｓｉ_２Ｒ１１Ｏ_２／２）の構造単位中の珪素原子に結合した酸素原子の１つがヒドロキシ基又はアルコキシ基を構成する構造を含んでいてもよい。

（Ｒ７Ｒ８Ｒ９Ｒ１０Ｓｉ_２Ｒ１１ＸＯ_１／２） ・・・式（１−５）

（Ｒ７Ｒ８Ｒ９Ｒ１０Ｓｉ_２Ｒ１１Ｏ_２／２）で表される構造単位は、下記式（１−ｄ）で表される構造単位の破線で囲まれた部分を含み、更に下記式（１−５−ｄ）で表される構造単位の破線で囲まれた部分を含んでいてもよい。すなわち、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０及びＲ１１で表される基を有し、かつアルコキシ基又はヒドロキシ基が末端に残存している構造単位も、（Ｒ７Ｒ８Ｒ９Ｒ１０Ｓｉ_２Ｒ１１Ｏ_２／２）で表される構造単位に含まれる。

上記式（１−５）及び（１−５−ｄ）中、Ｘは、ＯＨ又はＯＲを表し、ＯＲは、直鎖状又は分岐状の炭素数１〜４のアルコキシ基を表す。上記式（１−ｄ）、（１−５）及び（１−５−ｄ）中のＲ７〜Ｒ１１は、上記式（１Ｂ）中のＲ７〜Ｒ１１と同様の基である。

上記式（１−ｂ）〜（１−ｄ）、式（１−２）〜（１−５）、並びに式（１−２−ｂ）、（１−３−ｃ）、（１−４−ｃ）、及び（１−５−ｄ）において、直鎖状又は分岐状の炭素数１〜４のアルコキシ基としては特に限定されず、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソプロポキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基及びｔ−ブトキシ基が挙げられる。

上記式（１Ａ）及び上記式（１Ａ−２）中、ａ／（ａ＋ｂ＋ｃ）の下限は０、上限は０．５０である。ａ／（ａ＋ｂ＋ｃ）が上記上限を満たすと、封止剤の耐熱性をより一層高めることができ、かつ封止剤の剥離をより一層抑制できる。上記式（１Ａ）及び上記式（１Ａ−２）中、ａ／（ａ＋ｂ＋ｃ）の好ましい上限は０．４５、より好ましい上限は０．４０である。なお、ａが０であり、ａ／（ａ＋ｂ＋ｃ）が０である場合、上記式（１Ａ）及び上記式（１Ａ−２）中、（Ｒ１Ｒ２Ｒ３ＳｉＯ_１／２）の構造単位は存在しない。

上記式（１Ａ）及び上記式（１Ａ−２）中、ｂ／（ａ＋ｂ＋ｃ）の下限は０．４０、上限は１．０である。ｂ／（ａ＋ｂ＋ｃ）が上記下限を満たすと、封止剤の硬化物が硬くなりすぎず、封止剤にクラックが生じ難くなる。ｂ（ａ＋ｂ＋ｃ）が上記上限を満たし、（Ｒ４Ｒ５ＳｉＯ_２／２）の構造単位が存在することで、封止剤のガスバリア性がより一層高くなる。上記式（１Ａ）及び上記式（１Ａ−２）中、ｂ／（ａ＋ｂ＋ｃ）の好ましい下限は０．５０である。

上記式（１Ａ）及び上記式（１Ａ−２）中、ｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ）の下限は０、上限は０．５０である。ｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ）が上記上限を満たすと、封止剤としての適正な粘度を維持することが容易であり、密着性をより一層高めることができる。上記式（１Ａ）及び上記式（１Ａ−２）中、ｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ）の好ましい上限は０．４５、より好ましい上限は０．４０、更に好ましい上限は０．３５である。なお、ｃが０であり、ｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ）が０である場合、上記式（１Ａ）及び上記式（１Ａ−２）中、（Ｒ６ＳｉＯ_３／２）の構造単位は存在しない。

上記式（１Ａ−２）中、ｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ）が０である場合には、上記第１のシリコーン樹脂Ａ−２として、上記第１のシリコーン樹脂Ａ−１に相当するシリコーン樹脂は除かれる。上記式（１Ａ−２）中、ｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ）が０である場合には、上記式（１Ａ−２）中のＲ１、Ｒ２及びＲ３がアルケニル基ではなく、Ｒ４及びＲ５の内の少なくとも１個がアルケニル基であることが好ましい。上記式（１Ａ−２）中、ｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ）は、０．０１以上であってもよい。

上記式（１Ａ）中のｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ）は、０であることが好ましい。すなわち、上記式（１Ａ）で表される第１のシリコーン樹脂Ａは、下記式（１Ａａ）で表される第１のシリコーン樹脂であることが好ましい。これにより、封止剤のディスペンス性（塗布性）を良好にすることができ、さらに、封止剤にクラックがより一層生じ難くなり、かつ封止剤がハウジング材等からより一層剥離し難くなる。

上記式（１Ａａ）中、ａ及びｂは、ａ／（ａ＋ｂ）＝０〜０．５０及びｂ／（ａ＋ｂ）＝０．５０〜１．０を満たし、Ｒ１〜Ｒ５は、少なくとも１個がアリール基に相当するフェニル基を表し、少なくとも１個がアルケニル基を表し、フェニル基及びアルケニル基以外のＲ１〜Ｒ５は、炭素数１〜８の炭化水素基を表す。

上記式（１Ａａ）中のａ／（ａ＋ｂ）の好ましい上限は０．４５、より好ましい上限は０．４０である。ｂ／（ａ＋ｂ）の好ましい下限は、０．５５、より好ましい下限は０．６０である。

上記式（１Ａ−２）中のｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ）は０であることが好ましい。すなわち、上記式（１Ａ−２）で表される第１のシリコーン樹脂Ａ−２は、下記式（１Ａ−２ａ）で表される第１のシリコーン樹脂であることが好ましい。これにより、封止剤にクラックがより一層生じ難くなり、かつ封止剤がハウジング材等からより一層剥離し難くなる。

上記式（１Ａ−２ａ）中、ａ及びｂは、ａ／（ａ＋ｂ）＝０〜０．５０及びｂ／（ａ＋ｂ）＝０．５０〜１．０を満たし、Ｒ１〜Ｒ５は、少なくとも１個がアリール基に相当するフェニル基を表し、Ｒ４〜Ｒ５は少なくとも１個がアルケニル基を表し、フェニル基及びアルケニル基以外のＲ１〜Ｒ５は、炭素数１〜８の炭化水素基を表す。但し、この第１のシリコーン樹脂として、上記第１のシリコーン樹脂Ａ−１に相当するシリコーン樹脂は除かれる。上記式（１Ａ−２ａ）中のＲ１、Ｒ２及びＲ３がアルケニル基ではなく、Ｒ４及びＲ５の内の少なくとも１個がアルケニル基であることが好ましい。

上記式（１Ａ−２ａ）中のａ／（ａ＋ｂ）の好ましい上限は０．４５、より好ましい上限は０．４０である。ｂ／（ａ＋ｂ）の好ましい下限は０．５５、より好ましい下限は０．６０である。

上記式（１Ａ−１）中、ａ／（ａ＋ｂ）の下限は０．０５、上限は０．５０である。ａ／（ａ＋ｂ）が上記下限を満たすと、封止剤の硬化物の表面のべたつきを抑制できる。ａ／（ａ＋ｂ）が上記上限を満たすと、封止剤の耐熱性をより一層高めることができ、かつ封止剤の剥離をより一層抑制できる。上記式（１Ａ−１）中、ａ／（ａ＋ｂ）の好ましい上限は０．４５、より好ましい上限は０．４０である。封止剤の表面のべたつきをより一層抑制するために、上記式（１Ａ−１）中、ａ／（ａ＋ｂ）の更に好ましい上限は０．３０である。

上記式（１Ａ−１）中、ｂ／（ａ＋ｂ）の下限は０．５０、上限は０．９５である。ｂ／（ａ＋ｂ）が上記下限を満たすと、封止剤の硬化物が硬くなりすぎず、封止剤にクラックが生じ難くなる。封止剤の表面のべたつきをより一層抑制するために、上記式（１Ａ−１）中、ｂ／（ａ＋ｂ）のより好ましい下限は０．７０である。

上記式（１Ｂ）中、ａ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）の下限は０、上限は０．４０である。ａ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）が上記上限を満たすと、封止剤の耐熱性をより一層高めることができ、かつ封止剤の剥離をより一層抑制できる。なお、ａが０であり、ａ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）が０である場合、上記式（１Ｂ）中、（Ｒ１Ｒ２Ｒ３ＳｉＯ_１／２）の構造単位は存在しない。

上記式（１Ｂ）中、ｂ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）の下限は０．４０、上限は０．９９である。ｂ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）が上記下限を満たすと、封止剤の硬化物が硬くなりすぎず、封止剤にクラックが生じ難くなる。ｂ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）が上記上限を満たすと、封止剤のガスバリア性がより一層高くなる。

上記式（１Ｂ）中、ｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）の下限は０、上限は０．５０である。ｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）が上記上限を満たすと、封止剤としての適正な粘度を維持することが容易であり、密着性をより一層高めることができる。なお、ｃが０であり、ｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）が０である場合、上記式（１Ｂ）中、（Ｒ６ＳｉＯ_３／２）の構造単位は存在しない。

上記式（１Ｂ）中、ｄ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）の下限は０．０１、上限は０．４０である。ｄ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）が上記下限及び上限を満たすと、腐食性ガスに対して高いガスバリア性を有し、過酷な環境下で使用されてもクラック又は剥離が生じ難い光半導体装置用封止剤を得ることができる。腐食性ガスに対してより一層高いガスバリア性を有し、過酷な環境下で使用されてもクラック又は剥離がより一層生じ難い光半導体装置用封止剤を得る観点からは、上記式（１Ｂ）中、ｄ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）の好ましい下限は０．０３、より好ましい下限は０．０５、好ましい上限は０．３５、より好ましい上限は０．３０である。

上記式（１Ｂ）中のｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）は、０であることが好ましい。すなわち、上記式（１Ｂ）で表される第１のシリコーン樹脂Ｂは、下記式（１Ｂｂ）で表される第１のシリコーン樹脂であることが好ましい。これにより、封止剤のディスペンス性（塗布性）を良好にすることができ、さらに、封止剤にクラックがより一層生じ難くなり、かつ封止剤がハウジング材等からより一層剥離し難くなる。

上記式（１Ｂｂ）中、ａ、ｂ及びｄは、ａ／（ａ＋ｂ＋ｄ）＝０〜０．４０、ｂ／（ａ＋ｂ＋ｄ）＝０．４０〜０．９９、及びｄ／（ａ＋ｂ＋ｄ）＝０．０１〜０．４０を満たし、Ｒ１〜Ｒ５は、少なくとも１個がアリール基に相当するフェニル基を表し、少なくとも１個がアルケニル基を表し、フェニル基及びアルケニル基以外のＲ１〜Ｒ５は、炭素数１〜８の炭化水素基を表し、Ｒ７〜Ｒ１０はそれぞれ、炭素数１〜８の炭化水素基を表し、Ｒ１１は、炭素数１〜８の２価の炭化水素基を表す。

上記第１のシリコーン樹脂Ａ，Ａ−１，Ａ−２，Ｂについて、テトラメチルシラン（以下、ＴＭＳ）を基準に^２９Ｓｉ−核磁気共鳴分析（以下、ＮＭＲ）を行うと、置換基の種類によって若干の変動は見られるものの、上記式（１Ａ）、上記式（１Ａ−１）、上記式（１Ａ−２）及び式（１Ｂ）中の（Ｒ１Ｒ２Ｒ３ＳｉＯ_１／２）_ａで表される構造単位に相当するピークは＋１０〜−５ｐｐｍ付近に現れ、上記式（１Ａ）、上記式（１Ａ−１）、上記式（１Ａ−２）及び式（１Ｂ）中の（Ｒ４Ｒ５ＳｉＯ_２／２）_ｂ及び（１−２）の二官能構造単位に相当する各ピークは−１０〜−５０ｐｐｍ付近に現れ、上記式（１Ａ）、上記式（１Ａ−２）及び式（１Ｂ）中の（Ｒ６ＳｉＯ_３／２）_ｃ、並びに（１−３）及び（１−４）の三官能構造単位に相当する各ピークは−５０〜−８０ｐｐｍ付近に現れ、上記式（１Ｂ）中の（Ｒ７Ｒ８Ｒ９Ｒ１０Ｓｉ_２Ｒ１１Ｏ_２／２）_ｄ及び（１−５）に相当するピークは０〜−５ｐｐｍ付近に現れる。

従って、^２９Ｓｉ−ＮＭＲを測定し、それぞれのシグナルのピーク面積を比較することによって上記式（１Ａ）、上記式（１Ａ−１）、上記式（１Ａ−２）及び式（１Ｂ）中の各構造単位の比率を測定できる。

但し、上記ＴＭＳを基準にした^２９Ｓｉ−ＮＭＲの測定で上記式（１Ａ）、上記式（１Ａ−１）、上記式（１Ａ−２）及び式（１Ｂ）中の構造単位の見分けがつかない場合は、^２９Ｓｉ−ＮＭＲの測定結果だけではなく、^１Ｈ−ＮＭＲの測定結果を必要に応じて用いることにより、上記式（１Ａ）、上記式（１Ａ−１）、上記式（１Ａ−２）及び式（１Ｂ）中の各構造単位の比率を見分けることができる。

上記第１のシリコーン樹脂Ａ−１と上記第１のシリコーン樹脂Ａ−２との合計１００重量％中、上記第１のシリコーン樹脂Ａ−１の含有量は、５重量％以上、１００重量％以下であることが好ましい。上記第１のシリコーン樹脂Ａ−１と上記第１のシリコーン樹脂Ａ−２との合計１００重量％中、上記第１のシリコーン樹脂Ａ−１の含有量は、５０重量％を超え、１００重量％以下であることが特に好ましい。上記第１のシリコーン樹脂Ａ−１の含有量が５０重量％を超えると、封止剤の耐湿信頼性がかなり高くなる。上記第１のシリコーン樹脂Ａ−１と上記第１のシリコーン樹脂Ａ−２との合計１００重量％中、上記第１のシリコーン樹脂Ａ−１の含有量は、９９．９重量％以下であってもよい。

上記第１のシリコーン樹脂Ａ−２の１００重量部に対して、上記第１のシリコーン樹脂Ａ−１の含有量は５重量部以上、１０００００重量部以下であることが好ましい。上記第１のシリコーン樹脂Ａ−２の１００重量部に対して、上記第１のシリコーン樹脂Ａ−１の含有量は５重量部以上、１００重量部以下であることが特に好ましい。第１のシリコーン樹脂Ａ−１の含有量が５重量部以上、１００重量部以下であると、封止剤のガスバリア性をより一層高めることができる。上記第１のシリコーン樹脂Ａ−２の１００重量部に対して、上記第１のシリコーン樹脂Ａ−１の含有量のより好ましい下限は１０重量部、より好ましい上限は８０重量部である。

（第２のシリコーン樹脂）
本発明に係る光半導体装置用封止剤に含まれている第２のシリコーン樹脂成分は、下記式（５１Ａ）で表され、かつアリール基と珪素原子に直接結合している水素原子とを有する第２のシリコーン樹脂Ａ、及び、下記式（５１Ｂ）で表され、かつアリール基と珪素原子に直接結合している水素原子とを有する第２のシリコーン樹脂Ｂの内の少なくとも１種である。

上記第２のシリコーン樹脂Ａ，Ｂにおいて、アリール基は珪素原子に直接結合していることが好ましい。上記アリール基としては、無置換のフェニル基及び置換フェニル基が挙げられる。下記式（５１Ｂ）で表されるシリコーン樹脂は、フェニレン基を有していてもよく、フェニレン基を有していなくてもよい。上記第２のシリコーン樹脂Ａ，Ｂは、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記式（５１Ａ）中、ｐ、ｑ及びｒは、ｐ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）＝０．０５〜０．５０、ｑ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）＝０．０５〜０．５０及びｒ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）＝０．２０〜０．８０を満たし、Ｒ５１〜Ｒ５６は、少なくとも１個がアリール基に相当するフェニル基を表し、少なくとも１個が珪素原子に直接結合している水素原子を表し、フェニル基及び珪素原子に直接結合している水素原子以外のＲ５１〜Ｒ５６は、炭素数１〜８の炭化水素基を表す。なお、上記式（５１Ａ）中、（Ｒ５４Ｒ５５ＳｉＯ_２／２）で表される構造単位及び（Ｒ５６ＳｉＯ_３／２）で表される構造単位はそれぞれ、アルコキシ基を有していてもよく、ヒドロキシ基を有していてもよい。

上記式（５１Ｂ）中、ｐ、ｑ、ｒ及びｓは、ｐ／（ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ）＝０．０５〜０．５０、ｑ／（ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ）＝０．０５〜０．５０、ｒ／（ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ）＝０．２０〜０．８０及びｓ／（ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ）＝０．０１〜０．４０を満たし、Ｒ５１〜Ｒ５６は、少なくとも１個がアリール基に相当するフェニル基を表し、少なくとも１個が珪素原子に直接結合している水素原子を表し、フェニル基及び珪素原子に直接結合している水素原子以外のＲ５１〜Ｒ５６は炭素数１〜８の炭化水素基を表し、Ｒ５７〜６０はそれぞれ、炭素数１〜８の炭化水素基を表し、Ｒ６１は、炭素数１〜８の２価の炭化水素基を表す。なお、上記式（５１Ｂ）中、（Ｒ５４Ｒ５５ＳｉＯ_２／２）で表される構造単位、（Ｒ５６ＳｉＯ_３／２）で表される構造単位、（Ｒ５７Ｒ５８Ｒ５９Ｒ６０Ｓｉ_２Ｒ６１Ｏ_２／２）で表される構造単位はそれぞれ、アルコキシ基を有していてもよく、ヒドロキシ基を有していてもよい。

上記式（５１Ａ）及び式（５１Ｂ）は平均組成式を示す。上記式（５１Ａ）及び式（５１Ｂ）における炭化水素基は、直鎖状であってもよく、分岐状であってもよい。上記式（５１Ａ）及び式（５１Ｂ）中のＲ５１〜Ｒ５６は同一であってもよく、異なっていてもよい。上記式（５１Ｂ）中のＲ５７〜Ｒ６０は同一であってもよく、異なっていてもよい。

上記式（５１Ａ）及び（５１Ｂ）中、（Ｒ５４Ｒ５５ＳｉＯ_２／２）で表される構造単位における酸素原子部分、（Ｒ５６ＳｉＯ_３／２）で表される構造単位における酸素原子部分、（Ｒ５７Ｒ５８Ｒ５９Ｒ６０Ｓｉ_２Ｒ６１Ｏ_２／２）で表される構造単位における酸素原子部分はそれぞれ、シロキサン結合を形成している酸素原子部分、アルコキシ基の酸素原子部分、又はヒドロキシ基の酸素原子部分を示す。

上記式（５１Ａ）及び式（５１Ｂ）における炭素数１〜８の炭化水素基としては特に限定されず、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、イソプロピル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔ−ペンチル基、イソへキシル基、シクロヘキシル基、ビニル基及びアリル基が挙げられる。

上記式（５１Ｂ）における炭素数１〜８の２価の炭化水素基としては特に限定されず、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、シクロヘキシレン基及びフェニレン基等が挙げられる。

上記式（５１Ａ）で表される第２のシリコーン樹脂Ａにおける下記式（ａ５１）より求められるアリール基の含有比率は３０モル％以上、７０モル％以下である。

アリール基の含有比率（モル％）＝（上記第２のシリコーン樹脂Ａの１分子あたりに含まれるアリール基の平均個数×アリール基の分子量／上記第２のシリコーン樹脂Ａの数平均分子量）×１００ ・・・式（ａ５１）

上記式（ａ５１）より求められる上記第２のシリコーン樹脂Ａのアリール基の含有比率が３０モル％未満であると、ガスバリア性が不十分になる。アリール基の含有比率が７０モル％を超えると、封止剤の剥離が生じやすくなる。ガスバリア性をより一層高める観点からは、アリール基の含有比率は３５モル％以上であることが好ましい。封止剤の剥離をより一層生じ難くする観点からは、アリール基の含有比率は、６５モル％以下であることが好ましい。

上記式（５１Ｂ）で表される第２のシリコーン樹脂Ｂにおける下記式（ｂ５１）より求められるアリール基とフェニレン基との合計の含有比率は３０モル％以上、７０モル％以下である。

アリール基とフェニレン基との合計の含有比率（モル％）＝｛（上記第２のシリコーン樹脂Ｂの１分子あたりに含まれるアリール基の平均個数×アリール基の分子量＋上記第２のシリコーン樹脂Ｂの１分子あたりに含まれるフェニレン基の平均個数×フェニレン基の分子量）／上記第２のシリコーン樹脂Ｂの数平均分子量｝×１００ ・・・式（ｂ５１）

上記式（ｂ５１）より求められる上記第２のシリコーン樹脂Ｂのアリール基とフェニレン基との合計の含有比率が３０モル％未満であると、ガスバリア性が不十分になる。アリール基とフェニレン基との合計の含有比率が７０モル％を超えると、剥離が生じやすくなる。ガスバリア性をより一層高める観点からは、アリール基とフェニレン基との合計の含有比率は３５モル％以上であることが好ましい。剥離をより一層生じ難くする観点からは、アリール基とフェニレン基との合計の含有比率は、６５モル％以下であることが好ましい。

なお、上記式（５１Ｂ）で表される第２のシリコーン樹脂Ｂがフェニレン基を有さない場合には、上記アリール基とフェニレン基との合計の含有比率は、アリール基の含有比率を示す。

封止剤の硬化性を高め、熱サイクルでのクラック及び剥離をより一層抑制する観点からは、上記第２のシリコーン樹脂Ａ，Ｂは、下記式（５１−ａ）で表される構造単位を含むことが好ましい。

上記式（５１−ａ）中、Ｒ５２及びＲ５３はそれぞれ水素原子、フェニル基又は炭素数１〜８の炭化水素基を表す。Ｒ５２及びＲ５３はそれぞれフェニル基又は炭素数１〜８の炭化水素基を表すことが好ましい。

封止剤の硬化性を高め、熱サイクルでのクラック及び剥離をより一層抑制する観点からは、上記式（５１Ａ）及び式（５１Ｂ）中の（Ｒ５１Ｒ５２Ｒ５３ＳｉＯ_１／２）で表される構造単位はそれぞれ、Ｒ５１が珪素原子に結合した水素原子を表し、Ｒ５２及びＲ５３がフェニル基又は炭素数１〜８の炭化水素基を表す構造単位を含むことが好ましい。
すなわち、上記式（５１Ａ）及び式（５１Ｂ）中、（Ｒ５１Ｒ５２Ｒ５３ＳｉＯ_１／２）で表される構造単位は、上記式（５１−ａ）で表される構造単位を含むことが好ましい。（Ｒ５１Ｒ５２Ｒ５３ＳｉＯ_１／２）で表される構造単位は、上記式（５１−ａ）で表される構造単位のみを含んでいてもよく、上記式（５１−ａ）で表される構造単位と上記式（５１−ａ）で表される構造単位以外の構造単位とを含んでいてもよい。

上記第２のシリコーン樹脂Ａ，Ｂはそれぞれ、オルガノシロキサンであることが好ましい。封止剤の硬化性を高め、熱サイクルでのクラック及び剥離をより一層抑制する観点からは、上記第２のシリコーン樹脂Ａ，Ｂの全シロキサン構造単位１００モル％中、上記式（５１−ａ）で表される構造単位の割合は、好ましくは５モル％以上、より好ましくは１０モル％以上、好ましくは５０モル％以下、より好ましくは４５モル％以下である。

上記式（５１Ａ）及び式（５１Ｂ）中の全構造単位１００モル％中、Ｒ５１が珪素原子に結合した水素原子を表し、Ｒ５２及びＲ５３が水素原子、フェニル基又は炭素数１〜８の炭化水素基を表す構造単位（上記式（５１−ａ）で表される構造単位）の割合は、好ましくは５モル％以上、より好ましくは１０モル％以上、好ましくは５０モル％以下、より好ましくは４５モル％以下である。

上記第２のシリコーン樹脂Ａ，ＢのＥ型粘度計を用いて測定された２５℃における５ｒｐｍでの粘度は５００ｍＰａ・ｓ以上、５０００ｍＰａ・ｓ以下であることが好ましい。上記第２のシリコーン樹脂Ａ，Ｂの粘度がこの範囲内である場合には、蛍光体の沈降をより一層抑制し、封止剤のディスペンス性をより一層高め、かつ光半導体装置から取り出される光をより一層明るくすることができる。

ガスバリア性をより一層高める観点からは、上記式（５１Ｂ）中、（Ｒ５７Ｒ５８Ｒ５９Ｒ６０Ｓｉ_２Ｒ６１Ｏ_２／２）の構造単位は、下記式（５１ｂ−１）で表される構造単位であることが好ましい。下記式（５１ｂ−１）で表される構造単位はフェニレン基を有し、該フェニレン基は置換又は無置換のフェニレン基である。

上記式（５１ｂ−１）中、Ｒｂは、水素原子又は炭素数１〜８の炭化水素基を表し、Ｒ５７〜Ｒ６０はそれぞれ、炭素数１〜８の炭化水素基を表す。上記炭化水素基は直鎖状であってもよく、分岐状であってもよい。なお、上記式（５１ｂ−１）中のベンゼン環に結合している３つの基の結合部位は特に限定されない。

上記式（５１Ｂ）中、（Ｒ５７Ｒ５８Ｒ５９Ｒ６０Ｓｉ_２Ｒ６１Ｏ_２／２）の構造単位は、下記式（５１ｂ−２）で表される構造単位であることが好ましい。下記式（５１ｂ−２）で表される構造単位はフェニレン基を有し、該フェニレン基は置換又は無置換のフェニレン基である。下記式（５１ｂ−２）中のベンゼン環に結合しているＲｂの結合部位は特に限定されない。

上記式（５１ｂ−２）中、Ｒｂは、水素原子又は炭素数１〜８の炭化水素基を表し、Ｒ５７〜Ｒ６０はそれぞれ、炭素数１〜８の炭化水素基を表す。

上記式（５１Ｂ）中、（Ｒ５７Ｒ５８Ｒ５９Ｒ６０Ｓｉ_２Ｒ６１Ｏ_２／２）の構造単位は、下記式（５１ｂ−３）で表される構造単位であることがより好ましい。下記式（５１ｂ−３）で表される構造単位はフェニレン基を有し、該フェニレン基は無置換のフェニレン基である。

上記式（５１ｂ−３）中、Ｒ５７〜Ｒ６０はそれぞれ、炭素数１〜８の炭化水素基を表す。

上記式（５１Ａ）又は式（５１Ｂ）で表される第２のシリコーン樹脂において、（Ｒ５４Ｒ５５ＳｉＯ_２／２）で表される構造単位（以下、二官能構造単位ともいう）は、下記式（５１−２）で表される構造、すなわち、二官能構造単位中の珪素原子に結合した酸素原子の１つがヒドロキシ基又はアルコキシ基を構成する構造を含んでいてもよい。

（Ｒ５４Ｒ５５ＳｉＸＯ_１／２） ・・・式（５１−２）

（Ｒ５４Ｒ５５ＳｉＯ_２／２）で表される構造単位は、下記式（５１−ｂ）で表される構造単位の破線で囲まれた部分を含み、更に下記式（５１−２−ｂ）で表される構造単位の破線で囲まれた部分を含んでいてもよい。すなわち、Ｒ５４及びＲ５５で表される基を有し、かつアルコキシ基又はヒドロキシ基が末端に残存している構造単位も、（Ｒ５４Ｒ５５ＳｉＯ_２／２）で表される構造単位に含まれる。

上記式（５１−２）及び（５１−２−ｂ）中、Ｘは、ＯＨ又はＯＲを表し、ＯＲは、直鎖状又は分岐状の炭素数１〜４のアルコキシ基を表す。上記式（５１−ｂ）、（５１−２）及び（５１−２−ｂ）中のＲ５４及びＲ５５は、上記式（５１Ａ）又は式（５１Ｂ）中のＲ５４及びＲ５５と同様の基である。

上記式（５１Ａ）又は式（５１Ｂ）で表される第１のシリコーン樹脂において、（Ｒ５６ＳｉＯ_３／２）で表される構造単位（以下、三官能構造単位ともいう）は、下記式（５１−３）又は（５１−４）で表される構造、すなわち、三官能構造単位中の珪素原子に結合した酸素原子の２つがそれぞれヒドロキシ基若しくはアルコキシ基を構成する構造、又は、三官能構造単位中の珪素原子に結合した酸素原子の１つがヒドロキシ基若しくはアルコキシ基を構成する構造を含んでいてもよい。

（Ｒ５６ＳｉＸ_２Ｏ_１／２） ・・・式（５１−３）
（Ｒ５６ＳｉＸＯ_２／２） ・・・式（５１−４）

（Ｒ５６ＳｉＯ_３／２）で表される構造単位は、下記式（５１−ｃ）で表される構造単位の破線で囲まれた部分を含み、更に下記式（５１−３−ｃ）又は（５１−４−ｃ）で表される構造単位の破線で囲まれた部分を含んでいてもよい。すなわち、Ｒ５６で表される基を有し、かつアルコキシ基又はヒドロキシ基が末端に残存している構造単位も、（Ｒ５６ＳｉＯ_３／２）で表される構造単位に含まれる。

上記式（５１−３）、（５１−３−ｃ）、（５１−４）及び（５１−４−ｃ）中、Ｘは、ＯＨ又はＯＲを表し、ＯＲは、直鎖状又は分岐状の炭素数１〜４のアルコキシ基を表す。上記式（５１−ｃ）、（５１−３）、（５１−３−ｃ）、（５１−４）及び（５１−４−ｃ）中のＲ５６は、上記式（５１Ａ）及び（５１Ｂ）中のＲ５６と同様の基である。

上記式（５１Ｂ）で表される第２のシリコーン樹脂Ｂにおいて、（Ｒ５７Ｒ５８Ｒ５９Ｒ６０Ｓｉ_２Ｒ６１Ｏ_２／２）で表される構造単位は、下記式（５１−５）で表される構造、すなわち、（Ｒ５７Ｒ５８Ｒ５９Ｒ６０Ｓｉ_２Ｒ６１Ｏ_２／２）の構造単位中の珪素原子に結合した酸素原子の１つがヒドロキシ基又はアルコキシ基を構成する構造を含んでいてもよい。

（Ｒ５７Ｒ５８Ｒ５９Ｒ６０Ｓｉ_２ＸＲ６１Ｏ_１／２） ・・・式（５１−５）

（Ｒ５７Ｒ５８Ｒ５９Ｒ６０Ｓｉ_２Ｒ６１Ｏ_２／２）で表される構造単位は、下記式（５１−ｄ）で表される構造単位の破線で囲まれた部分を含み、更に下記式（５１−５−ｄ）で表される構造単位の破線で囲まれた部分を含んでいてもよい。すなわち、Ｒ５７、Ｒ５８、Ｒ５９、Ｒ６０及びＲ６１で表される基を有し、かつアルコキシ基又はヒドロキシ基が末端に残存している構造単位も、（Ｒ５７Ｒ５８Ｒ５９Ｒ６０Ｓｉ_２Ｒ６１Ｏ_２／２）で表される構造単位に含まれる。

上記式（５１−５）及び（５１−５−ｄ）中、Ｘは、ＯＨ又はＯＲを表し、ＯＲは、直鎖状又は分岐状の炭素数１〜４のアルコキシ基を表す。上記式（５１−ｄ）、（５１−５）及び（５１−５−ｄ）中のＲ５７〜Ｒ６１は、上記式（５１Ｂ）中のＲ５７〜Ｒ６１と同様の基である。

上記式（５１−ｂ）〜（５１−ｄ）、式（５１−２）〜（５１−５）、並びに式（５１−２−ｂ）、（５１−３−ｃ）、（５１−４−ｃ）、及び（５１−５−ｄ）において、直鎖状又は分岐状の炭素数１〜４のアルコキシ基としては特に限定されず、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソプロポキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基及びｔ−ブトキシ基が挙げられる。

上記式（５１Ａ）中、ｐ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）の下限は０．０５、上限は０．５０である。ｐ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）が上記上限を満たすと、封止剤の耐熱性をより一層高めることができ、かつ封止剤の剥離をより一層抑制できる。上記式（５１Ａ）中、中、ｐ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）の好ましい下限は０．１０、より好ましい上限は０．４５である。

上記式（５１Ａ）中、ｑ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）の下限は０．０５、上限は０．５０である。ｑ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）が上記下限を満たすと、封止剤の硬化物が硬くなりすぎず、封止剤にクラックが生じ難くなる。ｑ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）が上記上限を満たすと、封止剤のガスバリア性がより一層高くなる。上記式（５１Ａ）中、ｑ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）の好ましい下限は０．１０、より好ましい上限は０．４５である。

上記式（５１Ａ）中、ｒ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）の下限は０．２０、上限は０．８０である。ｒ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）が上記下限を満たすと、封止剤の硬度が上がり、傷及びゴミの付着を防止でき、封止剤の耐熱性が高くなり、高温環境下で封止剤の硬化物の厚みが減少し難くなる。ｒ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）が上記上限を満たすと、封止剤としての適正な粘度を維持することが容易であり、密着性をより一層高めることができる。

上記式（５１Ｂ）中、ｐ／（ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ）の下限は０．０５、上限は０．５０である。ｐ／（ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ）が上記上限を満たすと、封止剤の耐熱性をより一層高めることができ、かつ封止剤の剥離をより一層抑制できる。

上記式（５１Ｂ）中、ｑ／（ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ）の下限は０．０５、上限は０．５０である。ｑ／（ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ）が上記下限を満たすと、封止剤の硬化物が硬くなりすぎず、封止剤にクラックが生じ難くなる。ｑ／（ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ）が上記上限を満たすと、封止剤のガスバリア性がより一層高くなる。

上記式（５１Ｂ）中、ｒ／（ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ）の下限は０．２０、上限は０．８０である。ｒ／（ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ）が上記上限を満たすと、封止剤としての適正な粘度を維持することが容易であり、密着性をより一層高めることができる。

上記式（５１Ｂ）中、ｓ／（ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ）の下限は０．０１、上限は０．４０である。ｓ／（ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ）が上記下限及び上限を満たすと、腐食性ガスに対して高いガスバリア性を有し、過酷な環境下で使用されてもクラック又は剥離が生じ難い光半導体装置用封止剤を得ることができる。腐食性ガスに対してより一層高いガスバリア性を有し、過酷な環境下で使用されてもクラック又は剥離がより一層生じ難い光半導体装置用封止剤を得る観点からは、上記式（５１Ｂ）中、ｓ／（ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ）の好ましい下限は０．０３、より好ましい下限は０．０５、好ましい上限は０．３５、より好ましい上限は０．３０である。

上記第２のシリコーン樹脂Ａ，Ｂについて、テトラメチルシラン（以下、ＴＭＳ）を基準に^２９Ｓｉ−核磁気共鳴分析（以下、ＮＭＲ）を行うと、置換基の種類によって若干の変動は見られるものの、上記式（５１Ａ）及び式（５１Ｂ）中の（Ｒ５１Ｒ５２Ｒ５３ＳｉＯ_１／２）_ｐで表される構造単位に相当するピークは＋１０〜−５ｐｐｍ付近に現れ、上記式（５１Ａ）及び式（５１Ｂ）中の（Ｒ５４Ｒ５５ＳｉＯ_２／２）_ｑ及び（５１−２）の二官能構造単位に相当する各ピークは−１０〜−５０ｐｐｍ付近に現れ、上記式（５１Ａ）及び式（５１Ｂ）中の（Ｒ５６ＳｉＯ_３／２）_ｒ、並びに（５１−３）及び（５１−４）の三官能構造単位に相当する各ピークは−５０〜−８０ｐｐｍ付近に現れ、上記式（５１Ｂ）中の（Ｒ５７Ｒ５８Ｒ５９Ｒ６０Ｓｉ_２Ｒ６１Ｏ_２／２）_ｓ及び（５１−５）に相当するピークは０〜−５ｐｐｍ付近に現れる。

従って、^２９Ｓｉ−ＮＭＲを測定し、それぞれのシグナルのピーク面積を比較することによって上記式（５１Ａ）及び式（５１Ｂ）中の各構造単位の比率を測定できる。

但し、上記ＴＭＳを基準にした^２９Ｓｉ−ＮＭＲの測定で上記式（５１Ａ）及び式（５１Ｂ）中の構造単位の見分けがつかない場合は、^２９Ｓｉ−ＮＭＲの測定結果だけではなく、^１Ｈ−ＮＭＲの測定結果を必要に応じて用いることにより、上記式（５１Ａ）及び式（５１Ｂ）中の各構造単位の比率を見分けることができる。

上記第１のシリコーン樹脂成分１００重量部に対して、上記第２のシリコーン樹脂成分の含有量は１０重量部以上、４００重量部以下であることが好ましい。第１，第２のシリコーン樹脂成分の含有量がこの範囲内であると、ガスバリア性により一層優れた封止剤を得ることができる。ガスバリア性にさらに一層優れた封止剤を得る観点からは、上記第１のシリコーン樹脂成分１００重量部に対して、上記第２のシリコーン樹脂成分の含有量のより好ましい下限は３０重量部、更に好ましい下限は５０重量部、より好ましい上限は３００重量部、更に好ましい上限は２００重量部である。

上記「第１のシリコーン樹脂成分１００重量部」とは、封止剤が上記第１のシリコーン樹脂Ａを含みかつ上記第１のシリコーン樹脂Ｂを含まない場合には、「第１のシリコーン樹脂Ａ１００重量部」を示し、封止剤が上記第１のシリコーン樹脂Ａを含まずかつ上記第１のシリコーン樹脂Ｂを含む場合には、「第１のシリコーン樹脂Ｂ１００重量部」を示し、封止剤が上記第１のシリコーン樹脂Ａと上記第１のシリコーン樹脂Ｂとの双方を含む場合には、「第１のシリコーン樹脂Ａと第１のシリコーン樹脂Ｂとの合計１００重量部」を示す。

上記「第２のシリコーン樹脂成分１００重量部」とは、封止剤が上記第２のシリコーン樹脂Ａを含みかつ上記第２のシリコーン樹脂Ｂを含まない場合には、「第２のシリコーン樹脂Ａ１００重量部」を示し、封止剤が上記第２のシリコーン樹脂Ａを含まずかつ上記第２のシリコーン樹脂Ｂを含む場合には、「第２のシリコーン樹脂Ｂ１００重量部」を示し、封止剤が上記第２のシリコーン樹脂Ａと上記第２のシリコーン樹脂Ｂとの双方を含む場合には、「第２のシリコーン樹脂Ａと第２のシリコーン樹脂Ｂとの合計１００重量部」を示す。

上記「第１のシリコーン樹脂Ａ１００重量部」とは、上記第１のシリコーン樹脂Ａが上記第１のシリコーン樹脂Ａ−１を含みかつ上記第１のシリコーン樹脂Ａ−２を含まない場合には、「第１のシリコーン樹脂Ａ−１の１００重量部」を示し、上記第１のシリコーン樹脂Ａが上記第１のシリコーン樹脂Ａ−１と上記第１のシリコーン樹脂Ａ−２との双方を含む場合には、「上記第１のシリコーン樹脂Ａ−１と上記第１のシリコーン樹脂Ａ−２との合計１００重量部」を示す。

（第１，第２のシリコーン樹脂の他の性質及びその合成方法）
上記第１，第２のシリコーン樹脂のアルコキシ基の含有量の好ましい下限は０．５モル％、より好ましい下限は１モル％、好ましい上限は１０モル％、より好ましい上限は５モル％である。アルコキシ基の含有量が上記好ましい範囲内であると、封止剤の密着性を高めることができる。

アルコキシ基の含有量が上記好ましい下限を満たすと、封止剤の密着性を高めることができる。アルコキシ基の含有量が上記好ましい上限を満たすと、第１，第２のシリコーン樹脂及び封止剤の貯蔵安定性が高くなり、封止剤の耐熱性がより一層高くなる。

上記アルコキシ基の含有量は、第１，第２のシリコーン樹脂の平均組成式中に含まれる上記アルコキシ基の量を意味する。

上記第１，第２のシリコーン樹脂成分はシラノール基を含有しないほうが好ましい。第１，第２のシリコーン樹脂がシラノール基を含有しないと、第１，第２のシリコーン樹脂及び封止剤の貯蔵安定性が高くなる。上記シラノール基は、真空下での加熱により減少させることができる。シラノール基の含有量は、赤外分光法を用いて測定できる。

上記第１，第２のシリコーン樹脂の数平均分子量（Ｍｎ）の好ましい下限は５００、より好ましい下限は８００、更に好ましい下限は１０００、好ましい上限は５００００、より好ましい上限は１５０００である。数平均分子量が上記好ましい下限を満たすと、熱硬化時に揮発成分が少なくなり、高温環境下で封止剤の硬化物の厚みが減少しにくくなる。数平均分子量が上記好ましい上限を満たすと、粘度調節が容易である。

上記数平均分子量（Ｍｎ）は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）を用いて、ポリスチレンを標準物質して求めた値である。上記数平均分子量（Ｍｎ）は、Ｗａｔｅｒｓ社製の測定装置（カラム：昭和電工社製 Ｓｈｏｄｅｘ ＧＰＣ ＬＦ−８０４（長さ３００ｍｍ）を２本、測定温度：４０℃、流速：１ｍＬ／分、溶媒：テトラヒドロフラン、標準物質：ポリスチレン）を用いて測定された値を意味する。

上記第１，第２のシリコーン樹脂を合成する方法としては特に限定されず、アルコキシシラン化合物を加水分解し縮合反応させる方法、クロロシラン化合物を加水分解し縮合させる方法が挙げられる。なかでも、反応の制御の観点からアルコキシシラン化合物を加水分解する方法が好ましい。

アルコキシシラン化合物を加水分解し縮合反応させる方法としては、例えば、アルコキシシラン化合物を、水と酸性触媒又は塩基性触媒との存在下で反応させる方法が挙げられる。また、ジシロキサン化合物を加水分解して用いてもよい。

上記第１，第２のシリコーン樹脂にフェニル基を導入するための有機珪素化合物としては、トリフェニルメトキシシラン、トリフェニルエトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニルジエトキシシラン、メチル（フェニル）ジメトキシシラン、及びフェニルトリメトキシシラン等が挙げられる。

上記第１，第２のシリコーン樹脂に（Ｒ７Ｒ８Ｒ９Ｒ１０Ｓｉ_２Ｒ１１Ｏ_２／２）、（Ｒ５７Ｒ５８Ｒ５９Ｒ６０Ｓｉ_２Ｒ６１Ｏ_２／２）を導入するための有機珪素化合物としては、例えば、１，４−ビス（ジメチルメトキシシリル）ベンゼン、１，４−ビス（ジエチルメトキシシリル）ベンゼン、１，４−ビス（エトキシエチルメチルシリル）ベンゼン、１，６−ビス（ジメチルメトキシシリル）ヘキサン、１，６−ビス（ジエチルメトキシシリル）ヘキサン及び１，６−ビス（エトキシエチルメチルシリル）ヘキサン等が挙げられる。

上記第１のシリコーン樹脂にアルケニル基を導入するための有機珪素化合物としては、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルメチルジメトキシシラン、メトキシジメチルビニルシラン、ビニルジメチルエトキシシラン及び１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン等が挙げられる。

上記第２のシリコーン樹脂に珪素原子に直接結合した水素原子を導入するための有機珪素化合物としては、トリメトキシシラン、トリエトキシシラン、メチルジメトキシシラン、メチルジエトキシシラン、及び１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン等が挙げられる。

上記第１，第２のシリコーン樹脂を得るために用いることができる他の有機珪素化合物としては、例えば、トリメチルメトキシシラン、トリメチルエトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、イソプロピル（メチル）ジメトキシシラン、シクロヘキシル（メチル）ジメトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、ヘキシルトリメトキシシラン及びオクチルトリメトキシシラン等が挙げられる。

上記酸性触媒としては、例えば、無機酸、有機酸、無機酸の酸無水物及びその誘導体、並びに有機酸の酸無水物及びその誘導体が挙げられる。

上記無機酸としては、例えば、塩酸、リン酸、ホウ酸及び炭酸が挙げられる。上記有機酸としては、例えば、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、乳酸、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、フマル酸、マレイン酸及びオレイン酸が挙げられる。

上記塩基性触媒としては、例えば、アルカリ金属の水酸化物、アルカリ金属のアルコキシド及びアルカリ金属のシラノール化合物が挙げられる。

上記アルカリ金属の水酸化物としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム及び水酸化セシウムが挙げられる。上記アルカリ金属のアルコキシドとしては、例えば、ナトリウム−ｔ−ブトキシド、カリウム−ｔ−ブトキシド及びセシウム−ｔ−ブトキシドが挙げられる。

上記アルカリ金属のシラノール化合物としては、例えば、ナトリウムシラノレート化合物、カリウムシラノレート化合物及びセシウムシラノレート化合物が挙げられる。なかでも、カリウム系触媒又はセシウム系触媒が好適である。

（ヒドロシリル化反応用触媒）
本発明に係る光半導体装置用封止剤に含まれているヒドロシリル化反応用触媒は、上記第１のシリコーン樹脂成分中のアルケニル基と、上記第２のシリコーン樹脂成分中の珪素原子に直接結合している水素原子とをヒドロシリル化反応させる触媒である。

上記ヒドロシリル化反応用触媒として、ヒドロシリル化反応を進行させる各種の触媒を用いることができる。上記ヒドロシリル化反応用触媒は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記ヒドロシリル化反応用触媒としては、例えば、白金系触媒、ロジウム系触媒及びパラジウム系触媒等が挙げられる。封止剤の透明性を高くすることができるため、白金系触媒が好ましい。

上記白金系触媒としては、白金粉末、塩化白金酸、白金−アルケニルシロキサン錯体、白金−オレフィン錯体及び白金−カルボニル錯体が挙げられる。特に、白金−アルケニルシロキサン錯体又は白金−オレフィン錯体が好ましい。

上記白金−アルケニルシロキサン錯体におけるアルケニルシロキサンとしては、例えば、１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン、及び１，３，５，７−テトラメチル−１，３，５，７−テトラビニルシクロテトラシロキサン等が挙げられる。上記白金−オレフィン錯体におけるオレフィンとしては、例えば、アリルエーテル及び１，６−ヘプタジエン等が挙げられる。

上記白金−アルケニルシロキサン錯体及び白金−オレフィン錯体の安定性を向上させることができるため、上記白金−アルケニルシロキサン錯体又は白金−オレフィン錯体に、アルケニルシロキサン、オルガノシロキサンオリゴマー、アリルエーテル又はオレフィンを添加することが好ましい。上記アルケニルシロキサンは、好ましくは１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサンである。上記オルガノシロキサンオリゴマーは、好ましくはジメチルシロキサンオリゴマーである。上記オレフィンは、好ましくは１，６−ヘプタジエンである。

上記第１のシリコーン樹脂成分と上記第２のシリコーン樹脂成分とを含む封止剤中で、上記ヒドロシリル化反応用触媒の含有量は、金属原子の重量単位で０．０１〜１０００ｐｐｍの範囲内であることが好ましい。上記ヒドロシリル化反応用触媒の含有量が０．０１ｐｐｍ以上であると、封止剤を十分に硬化させることが容易であり、封止剤のガスバリア性をより一層高めることができる。上記ヒドロシリル化反応用触媒の含有量が１０００ｐｐｍ以下であると、硬化物の着色の問題が生じ難い。上記ヒドロシリル化反応用触媒の含有量のより好ましい下限は１ｐｐｍ、より好ましい上限は５００ｐｐｍである。

（酸化珪素粒子）
本発明に係る光半導体装置用封止剤は、酸化珪素粒子をさらに含むことが好ましい。上記酸化珪素粒子の使用により、封止剤の硬化物の耐熱性及び耐光性を損なうことなく、硬化前の封止剤の粘度を適当な範囲に調整できる。従って、封止剤の取り扱い性を高めることができる。

上記酸化珪素粒子の一次粒子径の好ましい下限は５ｎｍ、より好ましい下限は８ｎｍ、好ましい上限は２００ｎｍ、より好ましい上限は１５０ｎｍである。上記酸化珪素粒子の一次粒子径が上記好ましい下限を満たすと、酸化珪素粒子の分散性がより一層高くなり、封止剤の硬化物の透明性がより一層高くなる。上記酸化珪素粒子の一次粒子径が上記好ましい上限を満たすと、２５℃における粘度の上昇効果を充分に得ることができ、かつ温度上昇における粘度の低下を抑制できる。

上記酸化珪素粒子の一次粒子径は、以下のようにして測定される。光半導体装置用封止剤の硬化物を透過型電子顕微鏡（商品名「ＪＥＭ−２１００」、日本電子社製）を用いて観察する。視野中の１００個の酸化珪素粒子の一次粒子の大きさをそれぞれ測定し、測定値の平均値を一次粒子径とする。上記一次粒子径は、上記酸化珪素粒子が球形である場合には酸化珪素粒子の直径の平均値を意味し、非球形である場合には酸化珪素粒子の長径の平均値を意味する。

上記酸化珪素粒子のＢＥＴ比表面積の好ましい下限は３０ｍ^２／ｇ、好ましい上限は４００ｍ^２／ｇである。上記酸化珪素粒子のＢＥＴ比表面積が３０ｍ^２／ｇ以上であると、封止剤の２５℃における粘度を好適な範囲に制御でき、温度上昇における粘度の低下を抑制できる。上記酸化珪素粒子のＢＥＴ比表面積が４００ｍ^２／ｇ以下であると、酸化珪素粒子の凝集が生じ難くなり、分散性を高くすることができ、更に封止剤の硬化物の透明性をより一層高くすることができる。

上記酸化珪素粒子としては特に限定されず、例えば、フュームドシリカ、溶融シリカ等の乾式法で製造されたシリカ、並びにコロイダルシリカ、ゾルゲルシリカ、沈殿シリカ等の湿式法で製造されたシリカ等が挙げられる。なかでも、揮発成分が少なく、かつ透明性がより一層高い封止剤を得る観点からは、上記酸化珪素粒子として、フュームドシリカが好適に用いられる。

上記フュームドシリカとしては、例えば、Ａｅｒｏｓｉｌ ５０（比表面積：５０ｍ^２／ｇ）、Ａｅｒｏｓｉｌ ９０（比表面積：９０ｍ^２／ｇ）、Ａｅｒｏｓｉｌ １３０（比表面積：１３０ｍ^２／ｇ）、Ａｅｒｏｓｉｌ ２００（比表面積：２００ｍ^２／ｇ）、Ａｅｒｏｓｉｌ ３００（比表面積：３００ｍ^２／ｇ）、及びＡｅｒｏｓｉｌ ３８０（比表面積：３８０ｍ^２／ｇ）（いずれも日本アエロジル社製）等が挙げられる。

上記酸化珪素粒子は、有機珪素化合物により表面処理されていることが好ましい。この表面処理により、酸化珪素粒子の分散性が非常に高くなり、硬化前の封止剤の温度上昇による粘度の低下をより一層抑制できる。

上記有機珪素化合物としては特に限定されず、例えば、アルキル基を有するシラン系化合物、ジメチルシロキサン等のシロキサン骨格を有する珪素系化合物、アミノ基を有する珪素系化合物、（メタ）アクリロイル基を有する珪素系化合物、及びエポキシ基を有する珪素系化合物等が挙げられる。上記「（メタ）アクリロイル基」は、アクリロイル基とメタクリロイル基とを意味する。

酸化珪素粒子の分散性をさらに一層高める観点からは、上記有機珪素化合物は、ジメチルシリル基を有する有機珪素化合物、トリメチルシリル基を有する有機珪素化合物及びポリジメチルシロキサン基を有する有機珪素化合物からなる群から選択された少なくとも１種であることが好ましい。また、酸化珪素粒子の分散性をさらに一層高める観点からは、表面処理に用いられる上記有機珪素化合物は、トリメチルシリル基を有する有機珪素化合物及びポリジメチルシロキサン基を有する有機珪素化合物の内の少なくとも１種であることが好ましい。

有機珪素化合物による表面処理する方法の一例として、ジメチルシリル基を有する有機珪素化合物又はトリメチルシリル基を有する有機珪素化合物を用いる場合には、例えば、ジクロロジメチルシラン、ジメチルジメトキシシラン、ヘキサメチルジシラザン、トリメチルシリルクロライド及びトリメチルメトキシシラン等を用いて、酸化珪素粒子を表面処理する方法が挙げられる。ポリジメチルシロキサン基を有する有機珪素化合物を用いる場合には、ポリジメチルシロキサン基の末端にシラノール基を有する化合物及び環状シロキサン等を用いて、酸化珪素粒子を表面処理する方法が挙げられる。

上記ジメチルシリル基を有する有機珪素化合物により表面処理された酸化珪素粒子の市販品としては、Ｒ９７４（比表面積：１７０ｍ^２／ｇ）、及びＲ９６４（比表面積：２５０ｍ^２／ｇ）（いずれも日本アエロジル社製）等が挙げられる。

上記トリメチルシリル基を有する有機珪素化合物により表面処理された酸化珪素粒子の市販品としては、ＲＸ２００（比表面積：１４０ｍ^２／ｇ）、及びＲ８２００（比表面積：１４０ｍ^２／ｇ）（いずれも日本アエロジル社製）等が挙げられる。

上記ポリジメチルシロキサン基を有する有機珪素化合物により表面処理された酸化珪素粒子の市販品としては、ＲＹ２００（比表面積：１２０ｍ^２／ｇ）（日本アエロジル社製）等が挙げられる。

上記有機珪素化合物により酸化珪素粒子を表面処理する方法は特に限定されない。この方法としては、例えば、ミキサー中に酸化珪素粒子を添加し、攪拌しながら有機珪素化合物を添加する乾式法、酸化珪素粒子のスラリー中に有機珪素化合物を添加するスラリー法、並びに、酸化珪素粒子の乾燥後に有機珪素化合物をスプレー付与するスプレー法などの直接処理法等が挙げられる。上記乾式法で用いられるミキサーとしては、ヘンシェルミキサー及びＶ型ミキサー等が挙げられる。上記乾式法では、有機珪素化合物は、直接、又は、アルコール水溶液、有機溶媒溶液もしくは水溶液として添加される。

上記有機珪素化合物により表面処理されている酸化珪素粒子を得るために、光半導体装置用封止剤を調製する際に、酸化珪素粒子と上記第１，第２のシリコーン樹脂成分等のマトリクス樹脂との混合時に、有機珪素化合物を直接添加するインテグレルブレンド法等を用いてもよい。

上記第１のシリコーン樹脂成分と上記第２のシリコーン樹脂成分との合計１００重量部に対して、上記酸化珪素粒子の含有量は、０．５重量部以上、４０重量部以下であることが好ましい。上記第１のシリコーン樹脂成分と上記第２のシリコーン樹脂成分との合計１００重量部に対して、上記酸化珪素粒子の含有量のより好ましい下限は１重量部、より好ましい上限は３５重量部である。上記酸化珪素粒子の含有量が上記下限を満たすと、硬化時の粘度低下を抑制することが可能になる。上記酸化珪素粒子の含有量が上記上限を満たすと、封止剤の粘度をより一層適正な範囲に制御でき、かつ封止剤の透明性をより一層高めることができる。

ところで、発光素子から発せられる光が明るくても、発光素子から発せられる光が内部から外部に効率よく出なければ、十分な明るさを得ることはできない。十分な明るさを保つためには、より多くの電流を発光素子に流す必要がある。

本発明者は、アリール基又はフェニレン基を有する上記第１，第２のシリコーン樹脂成分を使用することにより、封止剤の硬化物の屈折率が高くなり、発光素子から発せられる光を効率よく取り出すことができることを見出した。これにより、低電流でも、外部に出る光を十分に明るくすることができる。

しかし、アリール基又はフェニレン基を有する上記第１，第２のシリコーン樹脂成分と、蛍光体とを含む封止剤は、硬化前に高温に晒されると封止剤の粘度が急激に低下して、蛍光体が沈降しやすい。このため、硬化の際に、封止剤が高温に晒されると、発光素子の周辺に蛍光体が偏在して、光が乱反射する。この結果、発光素子から発せられる光の一部が封止剤の硬化物中で失われ、光半導体装置から取り出される光量が少なくなるという問題がある。

本発明に係る光半導体装置用封止剤が、上記有機珪素化合物により表面処理された酸化珪素粒子を含む場合には、アリール基又はフェニレン基を有する上記第１，第２のシリコーン樹脂成分を含有するにもかかわらず、封止剤の高温での粘度を十分な高さに維持できる。これにより、封止剤が高温に加熱された時の粘度を適切な範囲に調整でき、封止剤中の蛍光体の分散状態を均一に保つことができる。

（蛍光体）
本発明に係る光半導体装置用封止剤は、蛍光体をさらに含んでいてもよい。上記蛍光体は、光半導体装置用封止剤を用いて封止する発光素子が発する光を吸収し、蛍光を発生することによって、最終的に所望の色の光を得ることができるように作用する。上記蛍光体は、発光素子が発する光によって励起され、蛍光を発し、発光素子が発する光と蛍光体が発する蛍光との組み合わせによって、所望の色の光を得ることができる。

本発明に係る光半導体装置用封止剤が上記構成Ｘに加えて上記構成Ｙを更に備える場合には、封止剤が予め蛍光体を含んでいても、該蛍光体は沈降し難い。

また、本発明に係る光半導体装置用封止剤は、蛍光体を含んでいなくてもよい。この場合には、封止剤は、使用時に蛍光体が添加されて、用いられ得る。本発明に係る光半導体装置用封止剤が上記構成Ｘに加えて上記構成Ｙを更に備える場合には、封止剤に蛍光体が添加されても、添加された蛍光体は沈降し難い。

例えば、発光素子として紫外線ＬＥＤチップを使用して最終的に白色光を得ることを目的とする場合には、青色蛍光体、赤色蛍光体及び緑色蛍光体を組み合わせて用いることが好ましい。発光素子として青色ＬＥＤチップを使用して最終的に白色光を得ることを目的とする場合には、緑色蛍光体及び赤色蛍光体を組み合わせて用いるか、又は、黄色蛍光体を用いることが好ましい。上記蛍光体は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記青色蛍光体としては特に限定されず、例えば、（Ｓｒ、Ｃａ、Ｂａ、Ｍｇ）_１０（ＰＯ_４）_６Ｃｌ_２：Ｅｕ、（Ｂａ、Ｓｒ）ＭｇＡｌ_１０Ｏ_１７：Ｅｕ、（Ｓｒ、Ｂａ）_３ＭｇＳｉ_２Ｏ_８：Ｅｕ等が挙げられる。

上記赤色蛍光体としては特に限定されず、例えば、（Ｓｒ、Ｃａ）Ｓ：Ｅｕ、（Ｃａ、Ｓｒ）_２Ｓｉ_５Ｎ_８：Ｅｕ、ＣａＳｉＮ_２：Ｅｕ、ＣａＡｌＳｉＮ_３：Ｅｕ、Ｙ_２Ｏ_２Ｓ：Ｅｕ、Ｌａ_２Ｏ_２Ｓ：Ｅｕ、ＬｉＷ_２Ｏ_８：（Ｅｕ、Ｓｍ）、（Ｓｒ、Ｃａ、Ｂｓ、Ｍｇ）_１０（ＰＯ_４）_８Ｃｌ_２：（Ｅｕ、Ｍｎ）、Ｂａ_３ＭｇＳｉ_２Ｏ_８：（Ｅｕ、Ｍｎ）等が挙げられる。

上記緑色蛍光体としては特に限定されず、例えば、Ｙ_３（Ａｌ、Ｇａ）_５Ｏ_１２：Ｃｅ、ＳｒＧａ_２Ｓ_４：Ｅｕ、Ｃａ_３Ｓｃ_２Ｓｉ_３Ｏ_１２：Ｃｅ、ＳｒＳｉＯＮ：Ｅｕ、ＺｎＳ：（Ｃｕ、Ａｌ）、ＢａＭｇＡｌ_１０Ｏ_１７（Ｅｕ、Ｍｎ）、ＳｒＡｌ_２Ｏ_４：Ｅｕ等が挙げられる。

上記黄色蛍光体としては特に限定されず、例えば、Ｙ_３Ａｌ_５Ｏ_１２：Ｃｅ、（Ｙ、Ｇｄ）_３Ａｌ_５Ｏ_１２：Ｃｅ、Ｔｂ_３Ａｌ_５Ｏ_１２：Ｃｅ、ＣａＧａ_２Ｓ_４：Ｅｕ、Ｓｒ_２ＳｉＯ_４：Ｅｕ等が挙げられる。

さらに、上記蛍光体としては、有機蛍光体であるペリレン系化合物等が挙げられる。

上記蛍光体の体積平均粒径の好ましい下限は１μｍ、より好ましい下限は２μｍ、好ましい上限は３０μｍ、より好ましい上限は２５μｍである。

所望の色の光を得るように、上記蛍光体の含有量は適宜調整でき、特に限定されない。本発明に係る光半導体装置用封止剤１００重量部に対して、上記蛍光体の含有量は０．１重量部以上、４０重量部以下であることが好ましい。また、本発明に係る光半導体装置用封止剤が蛍光体を含む場合には、光半導体装置用封止剤の蛍光体を除く全成分１００重量部に対して、上記蛍光体の含有量は０．１重量部以上、４０重量部以下であることが好ましい。

（カップリング剤）
本発明に係る光半導体装置用封止剤は、接着性を付与するために、カップリング剤をさらに含有してもよい。

上記カップリング剤としては特に限定されず、例えば、シランカップリング剤等が挙げられる。該シランカップリング剤としては、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。カップリング剤は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記第１のシリコーン樹脂成分と上記第２のシリコーン樹脂成分との合計１００重量部に対して、カップリング剤の含有量の好ましい下限は０．１重量部、好ましい上限は５重量部である。カップリング剤の含有量が０．１重量部以上であると、カップリング剤の添加効果が充分に発揮される。カップリング剤の含有量が５重量部以下であると、余剰のカップリング剤が揮発し難くなり、封止剤を硬化させたときに、高温環境下で硬化物の厚みがより一層減少し難くなる。

（他の成分）
本発明に係る光半導体装置用封止剤は、必要に応じて、分散剤、酸化防止剤、消泡剤、着色剤、変性剤、レベリング剤、光拡散剤、熱伝導性フィラー又は難燃剤等の添加剤をさらに含んでいてもよい。

なお、上記第１のシリコーン樹脂成分と、上記第２のシリコーン樹脂成分と、上記ヒドロシリル化反応用触媒とは、これらを１種又は２種以上含む液を別々に調製しておき、使用直前に複数の液を混合して、本発明に係る光半導体装置用封止剤を調製してもよい。例えば、上記第１のシリコーン樹脂成分及び上記ヒドロシリル化反応用触媒を含むＡ液と、上記第２のシリコーン樹脂成分を含むＢ液とを別々に調製しておき、使用直前にＡ液とＢ液を混合して、本発明に係る光半導体装置用封止剤を調製してもよい。このように上記第１のシリコーン樹脂成分及び上記ヒドロシリル化反応用触媒と上記第２のシリコーン樹脂成分とを別々に、第１の液と第２の液との２液にすることによって保存安定性を向上させることができる。上記酸化珪素粒子と上記蛍光体とはそれぞれ、Ａ液に添加してもよく、Ｂ液に添加してもよい。

（光半導体装置用封止剤の詳細及び用途）
本発明に係る光半導体装置用封止剤は、Ｅ型粘度計を用いて測定された２５℃における５ｒｐｍでの粘度η１は１０００ｍＰａ・ｓ以上、１００００ｍＰａ・ｓであることが好ましい。本発明に係る光半導体装置用封止剤の粘度η１がこの範囲内である場合には、蛍光体の沈降をより一層抑制し、ディスペンス性をより一層高め、かつ光半導体装置から取り出される光をより一層明るくすることができる。

本発明に係る光半導体装置用封止剤のＥ型粘度計を用いて測定された２５℃における１ｒｐｍでの粘度η２のＥ型粘度計を用いて測定された２５℃における１０ｒｐｍでの粘度η３に対する比（η２／η３）は１．２以上、２．５以下であることが好ましい。本発明に係る光半導体装置用封止剤の粘度がこの範囲内である場合には、蛍光体の沈降をより一層抑制し、ディスペンス性をより一層高め、かつ光半導体装置から取り出される光をより一層明るくすることができる。

なお、第１，第２のシリコーン樹脂Ａ，Ａ−１，Ａ−２，Ｂ及び光半導体装置用封止剤における上記「粘度」は、Ｅ型粘度計（ＴＶ−２２型、東機産業社製）を用いて測定された値である。

さらに、本発明に係る光半導体装置用封止剤は、パラレルプレート型レオメーターを用いて２５℃から昇温速度２０℃／分で加熱したときに、２５℃から硬化温度までの温度領域における剪断速度１ｓ^−１での最低粘度が２００ｍＰａ・ｓ以上であることが好ましい。本発明に係る光半導体装置用封止剤の粘度が上記範囲内である場合には、蛍光体を添加した際に、蛍光体の沈降を抑制し、光半導体装置から取り出される光をより一層明るくすることができる。

本発明に係る光半導体装置用封止剤の上記２５℃における５ｒｐｍでの粘度η１が１０００〜１００００ｍＰａ・ｓの範囲内にある場合には、光半導体装置により形成された発光素子を効率よく封止できる。上記２５℃における５ｒｐｍでの粘度η１の好ましい下限は１２００ｍＰａ・ｓ、より好ましい下限は１５００ｍＰａ・ｓ、好ましい上限は８０００ｍＰａ・ｓ、より好ましい上限は６０００ｍＰａ・ｓである。

上記剪断速度１ｓ^−１での最低粘度が２００ｍＰａ・ｓ以上であると、封止剤が加熱され、硬化する間に、蛍光体がほとんど沈降しない。このため、光半導体装置からより一層明るい光を取り出すことができる。上記剪断速度１ｓ^−１での最低粘度のより好ましい下限は３００ｍＰａ・ｓ、更に好ましい下限は５００ｍＰａ・ｓである。

上記剪断速度１ｓ^−１での最低粘度は、パラレルプレート型レオメーター（「ＤＡＲ−２０００」、レオロジカ社製）を用いて測定された値を意味する。

本発明に係る光半導体装置用封止剤の硬化温度は特に限定されない。光半導体装置用封止剤の硬化温度の好ましい下限は８０℃、より好ましい下限は１００℃、好ましい上限は１８０℃、より好ましい上限は１５０℃である。硬化温度が上記好ましい下限を満たすと、封止剤の硬化が充分に進行する。硬化温度が上記好ましい上限を満たすと、パッケージの熱劣化が起こり難い。

硬化方式は特に限定されないが、ステップキュア方式を用いることが好ましい。ステップキュア方式は、一旦低温で仮硬化させておき、その後に高温で硬化させる方法である。ステップキュア方式の使用により、封止剤の硬化収縮を抑えることができる。

本発明に係る光半導体装置用封止剤の製造方法としては特に限定されず、例えば、ホモディスパー、ホモミキサー、万能ミキサー、プラネタリウムミキサー、ニーダー、三本ロール又はビーズミル等の混合機を用いて、常温又は加温下で、上記第１のシリコーン樹脂成分、上記第２のシリコーン樹脂成分、上記ヒドロシリル化反応用触媒、及び必要に応じて配合される他の成分を混合する方法等が挙げられる。

上記発光素子としては、半導体を用いた発光素子であれば特に限定されず、例えば、上記発光素子が発光ダイオードである場合、例えば、基板上にＬＥＤ形式用半導体材料を積層した構造が挙げられる。この場合、半導体材料としては、例えば、ＧａＡｓ、ＧａＰ、ＧａＡｌＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＡｌＧａＩｎＰ、ＧａＮ、ＩｎＮ、ＡｌＮ、ＩｎＧａＡｌＮ、及びＳｉＣ等が挙げられる。

上記基板の材料としては、例えば、サファイア、スピネル、ＳｉＣ、Ｓｉ、ＺｎＯ、及びＧａＮ単結晶等が挙げられる。また、必要に応じ基板と半導体材料との間にバッファー層が形成されていてもよい。上記バッファー層の材料としては、例えば、ＧａＮ及びＡｌＮ等が挙げられる。

本発明に係る光半導体装置としては、具体的には、例えば、発光ダイオード装置、半導体レーザー装置及びフォトカプラ等が挙げられる。このような光半導体装置は、例えば、液晶ディスプレイ等のバックライト、照明、各種センサー、プリンター及びコピー機等の光源、車両用計測器光源、信号灯、表示灯、表示装置、面状発光体の光源、ディスプレイ、装飾、各種ライト並びにスイッチング素子等に好適に用いることができる。

本発明に係る光半導体装置では、本発明に係る光半導体装置用封止剤の硬化物により、光半導体により形成された発光素子が封止されている。本発明に係る光半導体装置では、ＬＥＤなどの光半導体により形成された発光素子を封止するように、光半導体装置用封止剤の硬化物が配置されている。このため、発光素子を封止している光半導体装置用封止剤の硬化物にクラックが生じ難く、パッケージからの剥離が生じ難く、かつ光透過性、耐熱性、耐候性及びガスバリア性を高めることができる。

（光半導体装置の実施形態）
図１は、本発明の一実施形態に係る光半導体装置を示す正面断面図である。
本実施形態の光半導体装置１は、ハウジング２を有する。ハウジング２内にＬＥＤからなる光半導体素子３が実装されている。この光半導体素子３の周囲を、ハウジング２の光反射性を有する内面２ａが取り囲んでいる。本実施形態では、光半導体により形成された発光素子として、光半導体素子３が用いられている。

内面２ａは、内面２ａの径が開口端に向かうにつれて大きくなるように形成されている。従って、光半導体素子３から発せられた光のうち、内面２ａに到達した光が内面２ａにより反射され、光半導体素子３の前方側に進行する。光半導体素子３を封止するように、内面２ａで囲まれた領域内には、光半導体装置用封止剤４が充填されている。

なお、図１に示す構造は、本発明に係る光半導体装置の一例にすぎず、光半導体装置の実装構造等は適宜変形され得る。

以下に、実施例を挙げて本発明をより詳細に説明する。本発明は、以下の実施例に限定されない。

（合成例１）第１のシリコーン樹脂Ａ，Ａ−２の合成
温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた１０００ｍＬのセパラブルフラスコに、トリメチルメトキシシラン６３ｇ、ジメチルジメトキシシラン９０ｇ、ジフェニルジメトキシシラン１８３ｇ、及びビニルトリメトキシシラン１３３ｇを入れ、５０℃で攪拌した。その中に、水酸化カリウム０．８ｇを水１１４ｇに溶かした溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に５０℃で６時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、反応液に酢酸０．９ｇを加え、減圧して揮発成分を除去し、酢酸カリウムをろ過により除去して、ポリマー（Ａ）を得た。

得られたポリマー（Ａ）の数平均分子量（Ｍｎ）は１７００であった。^２９Ｓｉ−ＮＭＲより化学構造を同定した結果、ポリマー（Ａ）は、下記の平均組成式（Ａ１）を有していた。

（Ｍｅ_３ＳｉＯ_１／２）_０．１９（Ｍｅ_２ＳｉＯ_２／２）_０．２４（Ｐｈ_２ＳｉＯ_２／２）_０．２６（ＶｉＳｉＯ_３／２）_０．３１ …式（Ａ１）

上記式（Ａ１）中、Ｍｅはメチル基、Ｐｈはフェニル基、Ｖｉはビニル基を示す。

得られたポリマー（Ａ）のフェニル基の含有比率は３７モル％であった。

なお、合成例１及び合成例２〜１６で得られた各ポリマーの分子量は、１０ｍｇにテトラヒドロフラン１ｍＬを加え、溶解するまで攪拌し、ＧＰＣ測定により測定した。ＧＰＣ測定では、Ｗａｔｅｒｓ社製の測定装置（カラム：昭和電工社製 Ｓｈｏｄｅｘ ＧＰＣ ＬＦ−８０４（長さ３００ｍｍ）×２本、測定温度：４０℃、流速：１ｍＬ／ｍｉｎ、溶媒：テトラヒドロフラン、標準物質：ポリスチレン）を用いた。

（合成例２）第１のシリコーン樹脂Ｂの合成
温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた１０００ｍＬのセパラブルフラスコに、ジメチルジメトキシシラン１２６ｇ、ジフェニルジメトキシシラン１８３ｇ、ビニルメチルジメトキシシラン１１９ｇ、及び１，６−ビス（ジメチルメトキシシリル）ヘキサン７９ｇを入れ、５０℃で攪拌した。その中に、水酸化カリウム０．８ｇを水１０８ｇに溶かした溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に５０℃で６時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、反応液に酢酸０．９ｇを加え、減圧して揮発成分を除去し、酢酸カリウムをろ過により除去して、ポリマー（Ｂ）を得た。

得られたポリマー（Ｂ）の数平均分子量（Ｍｎ）は４１００であった。^２９Ｓｉ−ＮＭＲより化学構造を同定した結果、ポリマー（Ｂ）は、下記の平均組成式（Ｂ１）を有していた。

（Ｍｅ_２ＳｉＯ_２／２）_０．３３（Ｐｈ_２ＳｉＯ_２／２）_０．２７（ＶｉＭｅＳｉＯ_２／２）_０．３０（Ｍｅ_４Ｓｉ _２ ＨｅｘＯ_２／２）_０．１０ …式（Ｂ１）

上記式（Ｂ１）中、Ｍｅはメチル基、Ｐｈはフェニル基、Ｖｉはビニル基、Ｈｅｘはヘキシレン基を示す。

得られたポリマー（Ｂ）のフェニル基の含有比率は３３モル％であった。

（合成例３）第１のシリコーン樹脂Ｂの合成
温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた１０００ｍＬのセパラブルフラスコに、ジメチルジメトキシシラン６０ｇ、ジフェニルジメトキシシラン３１７ｇ、ビニルメチルジメトキシシラン１１９ｇ、及び１，６−ビス（ジメチルメトキシシリル）ヘキサン７９ｇを入れ、５０℃で攪拌した。その中に、水酸化カリウム０．８ｇを水１０８ｇに溶かした溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に５０℃で６時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、反応液に酢酸０．９ｇを加え、減圧して揮発成分を除去し、酢酸カリウムをろ過により除去して、ポリマー（Ｃ）を得た。

得られたポリマー（Ｃ）の数平均分子量（Ｍｎ）は３６００であった。^２９Ｓｉ−ＮＭＲより化学構造を同定した結果、ポリマー（Ｃ）は、下記の平均組成式（Ｃ１）を有していた。

（Ｍｅ_２ＳｉＯ_２／２）_０．１６（Ｐｈ_２ＳｉＯ_２／２）_０．４４（ＶｉＭｅＳｉＯ_２／２）_０．３０（Ｍｅ_４Ｓｉ _２ ＨｅｘＯ_２／２）_０．１０ …式（Ｃ１）

上記式（Ｃ１）中、Ｍｅはメチル基、Ｐｈはフェニル基、Ｖｉはビニル基、Ｈｅｘはヘキシレン基を示す。

得られたポリマー（Ｃ）の全シロキサン構造単位１００モル％中、上記ジフェニルシロキサン構造単位の割合は４４モル％であった。得られたポリマー（Ｃ）のフェニル基の含有比率は４６モル％であった。

（合成例４）第１のシリコーン樹脂Ｂの合成
温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた１０００ｍＬのセパラブルフラスコに、ジメチルジメトキシシラン６０ｇ、ジフェニルジメトキシシラン３１７ｇ、ビニルメチルジメトキシシラン１１９ｇ、及び１，４−ビス（ジメチルメトキシシリル）ベンゼン７６ｇを入れ、５０℃で攪拌した。その中に、水酸化カリウム０．８ｇを水１０８ｇに溶かした溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に５０℃で６時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、反応液に酢酸０．９ｇを加え、減圧して揮発成分を除去し、酢酸カリウムをろ過により除去して、ポリマー（Ｄ）を得た。

得られたポリマー（Ｄ）の数平均分子量（Ｍｎ）は３４００であった。^２９Ｓｉ−ＮＭＲより化学構造を同定した結果、ポリマー（Ｄ）は、下記の平均組成式（Ｄ１）を有していた。

（Ｍｅ_２ＳｉＯ_２／２）_０．１６（Ｐｈ_２ＳｉＯ_２／２）_０．４４（ＶｉＭｅＳｉＯ_２／２）_０．３０（Ｍｅ_４Ｓｉ _２ ＰｈｅＯ_２／２）_０．１０ …式（Ｄ１）

上記式（Ｄ１）中、Ｍｅはメチル基、Ｐｈはフェニル基、Ｖｉはビニル基、Ｐｈｅはフェニレン基を示す。

得られたポリマー（Ｄ）の全シロキサン構造単位１００モル％中、上記ジフェニルシロキサン構造単位の割合は４４モル％であった。得られたポリマー（Ｄ）のフェニル基の含有比率は５２モル％であった。

（合成例５）第２のシリコーン樹脂Ａの合成
温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた１０００ｍＬのセパラブルフラスコに、トリメチルメトキシシラン３１ｇ、１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン５０ｇ、ジメチルジメトキシシラン１０８ｇ、及びフェニルトリメトキシシラン２０８ｇを入れ、５０℃で攪拌した。その中に、塩酸１．４ｇと水１０１ｇの溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に５０℃で６時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、減圧して揮発成分を除去してポリマーを得た。得られたポリマーにヘキサン１５０ｇと酢酸エチル１５０ｇとを添加し、イオン交換水３００ｇで１０回洗浄を行い、減圧して揮発成分を除去してポリマー（Ｅ）を得た。

得られたポリマー（Ｅ）の数平均分子量（Ｍｎ）は１０００であった。^２９Ｓｉ−ＮＭＲより化学構造を同定した結果、ポリマー（Ｅ）は、下記の平均組成式（Ｅ１）を有していた。

（Ｍｅ_３ＳｉＯ_１／２）_０．０９（ＨＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）_０．２３（Ｍｅ_２ＳｉＯ_２／２）_０．２７（ＰｈＳｉＯ_３／２）_０．４１ …式（Ｅ１）

上記式（Ｅ１）中、Ｍｅはメチル基、Ｐｈはフェニル基を示す。

得られたポリマー（Ｅ）のフェニル基の含有比率は３３モル％であった。

（合成例６）第２のシリコーン樹脂Ａの合成
温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた１０００ｍＬのセパラブルフラスコに、トリメチルメトキシシラン１６ｇ、１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン５０ｇ、ジメチルジメトキシシラン３６ｇ、ジフェニルジメトキシシラン１８３ｇ、フェニルトリメトキシシラン１４９ｇ、及びビニルトリメトキシシラン４５ｇを入れ、５０℃で攪拌した。その中に、塩酸１．４ｇと水１０４ｇの溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に５０℃で６時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、減圧して揮発成分を除去してポリマーを得た。得られたポリマーにヘキサン１５０ｇと酢酸エチル１５０ｇとを添加し、イオン交換水３００ｇで１０回洗浄を行い、減圧して揮発成分を除去してポリマー（Ｆ）を得た。

得られたポリマー（Ｆ）の数平均分子量（Ｍｎ）は１０００であった。^２９Ｓｉ−ＮＭＲより化学構造を同定した結果、ポリマー（Ｆ）は、下記の平均組成式（Ｆ１）を有していた。

（Ｍｅ_３ＳｉＯ_１／２）_０．０５（ＨＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）_０．２３（Ｍｅ_２ＳｉＯ_２／２）_０．０９（Ｐｈ_２ＳｉＯ_２／２）_０．２６（ＰｈＳｉＯ_３／２）_０．２７（ＶｉＳｉＯ_３／２）_０．１０ …式（Ｆ１）

上記式（Ｆ１）中、Ｍｅはメチル基、Ｐｈはフェニル基、Ｖｉはビニル基を示す。

得られたポリマー（Ｆ）の全シロキサン構造単位１００モル％中、上記式（５１−ａ）で表される構造単位に相当する構造単位の割合は２３モル％であった。得られたポリマー（Ｆ）のフェニル基の含有比率は５１モル％であった。

（合成例７）第２のシリコーン樹脂Ａの合成
温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた１０００ｍＬのセパラブルフラスコに、トリメチルメトキシシラン３１ｇ、１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン４０ｇ、ジフェニルジメトキシシラン１１０ｇ、フェニルトリメトキシシラン２６８ｇ、及びビニルトリメトキシシラン４５ｇを入れ、５０℃で攪拌した。その中に、塩酸１．４ｇと水１１６ｇの溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に５０℃で６時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、減圧して揮発成分を除去してポリマーを得た。得られたポリマーにヘキサン１５０ｇと酢酸エチル１５０ｇとを添加し、イオン交換水３００ｇで１０回洗浄を行い、減圧して揮発成分を除去してポリマー（Ｇ）を得た。

得られたポリマー（Ｇ）の数平均分子量（Ｍｎ）は１１００であった。^２９Ｓｉ−ＮＭＲより化学構造を同定した結果、ポリマー（Ｇ）は、下記の平均組成式（Ｇ１）を有していた。

（Ｍｅ_３ＳｉＯ_１／２）_０．０９（ＨＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）_０．１９（Ｐｈ_２ＳｉＯ_２／２）_０．１６（ＰｈＳｉＯ_３／２）_０．４６（ＶｉＳｉＯ_３／２）_０．１０ …式（Ｇ１）

上記式（Ｇ１）中、Ｍｅはメチル基、Ｐｈはフェニル基、Ｖｉはビニル基を示す。

得られたポリマー（Ｇ）の全シロキサン構造単位１００モル％中、上記式（５１−ａ）で表される構造単位に相当する構造単位の割合は１９モル％であった。得られたポリマー（Ｇ）のフェニル基の含有比率は５１モル％であった。

（合成例８）第２のシリコーン樹脂Ｂの合成
温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた１０００ｍＬのセパラブルフラスコに、トリメチルメトキシシラン３１ｇ、１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン４０ｇ、ジフェニルジメトキシシラン１８３ｇ、フェニルトリメトキシシラン１４９ｇ、ビニルトリメトキシシラン４５ｇ、及び１，４−ビス（ジメチルメトキシシリル）ベンゼン７６ｇを入れ、５０℃で攪拌した。その中に、塩酸１．４ｇと水１０５ｇの溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に５０℃で６時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、減圧して揮発成分を除去してポリマーを得た。得られたポリマーにヘキサン１５０ｇと酢酸エチル１５０ｇとを添加し、イオン交換水３００ｇで１０回洗浄を行い、減圧して揮発成分を除去してポリマー（Ｈ）を得た。

得られたポリマー（Ｈ）の数平均分子量（Ｍｎ）は１１００であった。^２９Ｓｉ−ＮＭＲより化学構造を同定した結果、ポリマー（Ｈ）は、下記の平均組成式（Ｈ１）を有していた。

（Ｍｅ_３ＳｉＯ_１／２）_０．０９（ＨＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）_０．１９（Ｐｈ_２ＳｉＯ_２／２）_０．２６（ＰｈＳｉＯ_３／２）_０．２６（ＶｉＳｉＯ_３／２）_０．１０（Ｍｅ_４Ｓｉ _２ ＰｈｅＯ_２／２）_０．１０ …式（Ｈ１）

上記式（Ｈ１）中、Ｍｅはメチル基、Ｐｈはフェニル基、Ｖｉはビニル基、Ｐｈｅはフェニレン基を示す。

得られたポリマー（Ｈ）の全シロキサン構造単位１００モル％中、上記式（５１−ａ）で表される構造単位に相当する構造単位の割合は１９モル％であった。得られたポリマー（Ｈ）のフェニル基の含有比率は５１モル％であった。

（合成例９）［比較例用］第１のシリコーン樹脂成分に類似したシリコーン樹脂の合成
温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた１０００ｍＬのセパラブルフラスコに、トリメチルメトキシシラン９４ｇ、ジメチルジメトキシシラン９９ｇ、ジフェニルジメトキシシラン９２ｇ、及びビニルトリメトキシシラン１３３ｇを入れ、５０℃で攪拌した。その中に、水酸化カリウム０．８ｇを水１０８ｇに溶かした溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に５０℃で６時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、反応液に酢酸０．９ｇを加え、減圧して揮発成分を除去し、酢酸カリウムをろ過により除去して、ポリマー（Ｉ）を得た。

得られたポリマー（Ｉ）の数平均分子量（Ｍｎ）は１８００であった。^２９Ｓｉ−ＮＭＲより化学構造を同定した結果、ポリマー（Ｉ）は、下記の平均組成式（Ｉ１）を有していた。

（Ｍｅ_３ＳｉＯ_１／２）_０．２９（Ｍｅ_２ＳｉＯ_２／２）_０．２７（Ｐｈ_２ＳｉＯ_２／２）_０．１３（ＶｉＳｉＯ_３／２）_０．３１ …式（Ｉ１）

上記式（Ｉ１）中、Ｍｅはメチル基、Ｐｈはフェニル基、Ｖｉはビニル基を示す。

得られたポリマー（Ｉ）のフェニル基の含有比率は２１モル％であった。

（合成例１０）［比較例用］シリコーン樹脂の合成
温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた１０００ｍＬのセパラブルフラスコに、ジメチルジメトキシシラン１８０ｇ、ジフェニルジメトキシシラン７３ｇ、ビニルメチルジメトキシシラン１１９ｇ、及び１，４−ビス（ジメチルメトキシシリル）ベンゼン７６ｇを入れ、５０℃で攪拌した。その中に、水酸化カリウム０．８ｇを水１０８ｇに溶かした溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に５０℃で６時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、反応液に酢酸０．９ｇを加え、減圧して揮発成分を除去し、酢酸カリウムをろ過により除去して、ポリマー（Ｊ）を得た。

得られたポリマー（Ｊ）の数平均分子量（Ｍｎ）は３４００であった。^２９Ｓｉ−ＮＭＲより化学構造を同定した結果、ポリマー（Ｊ）は、下記の平均組成式（Ｊ１）を有していた。

（Ｍｅ_２ＳｉＯ_２／２）_０．４９（Ｐｈ_２ＳｉＯ_２／２）_０．１０（ＶｉＭｅＳｉＯ_２／２）_０．３１（Ｍｅ_４Ｓｉ _２ ＰｈｅＯ_２／２）_０．１０ …式（Ｊ１）

上記式（Ｊ１）中、Ｍｅはメチル基、Ｐｈはフェニル基、Ｖｉはビニル基、Ｐｈｅはフェニレン基を示す。

得られたポリマー（Ｊ）のフェニル基の含有比率は２２モル％であった。

（合成例１１）［比較例用］第２のシリコーン樹脂成分に類似したシリコーン樹脂の合成
温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた１０００ｍＬのセパラブルフラスコに、トリメチルメトキシシラン３１ｇ、１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン５０ｇ、ジメチルジメトキシシラン１４０ｇ、ジフェニルジメトキシシラン５９ｇ、フェニルトリメトキシシラン４８ｇ、及びビニルトリメトキシシラン４５ｇを入れ５０℃で攪拌した。その中に、塩酸１．４ｇと水９２ｇの溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に５０℃で６時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、減圧して揮発成分を除去してポリマーを得た。得られたポリマーにヘキサン１５０ｇと酢酸エチル１５０ｇとを添加し、イオン交換水３００ｇで１０回洗浄を行い、減圧して揮発成分を除去してポリマー（Ｋ）を得た。

得られたポリマー（Ｋ）の数平均分子量（Ｍｎ）は６００であった。^２９Ｓｉ−ＮＭＲより化学構造を同定した結果、ポリマー（Ｋ）は、下記の平均組成式（Ｋ１）を有していた。

（Ｍｅ_３ＳｉＯ_１／２）_０．０９（ＨＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）_０．２４（Ｍｅ_２ＳｉＯ_２／２）_０．３８（Ｐｈ_２ＳｉＯ_２／２）_０．０８（ＰｈＳｉＯ_３／２）_０．１０（ＶｉＳｉＯ_３／２）_０．１０ …式（Ｋ１）

上記式（Ｋ１）中、Ｍｅはメチル基、Ｐｈはフェニル基、Ｖｉはビニル基を示す。

得られたポリマー（Ｋ）のフェニル基の含有比率は２３モル％であった。

（合成例１２）第１のシリコーン樹脂Ａ，Ａ−２の合成
温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた１０００ｍＬのセパラブルフラスコに、ジメチルジメトキシシラン９６ｇ、ジフェニルジメトキシシラン３１８ｇ、及びビニルメチルジメトキシシシラン１１９ｇを入れ、５０℃で攪拌した。その中に、水酸化カリウム０．８ｇを水１０８ｇに溶かした溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に５０℃で６時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、反応液に酢酸０．９ｇを加え、減圧して揮発成分を除去し、酢酸カリウムをろ過により除去して、ポリマー（Ｌ）を得た。

得られたポリマー（Ｌ）の数平均分子量（Ｍｎ）は５３００であった。^２９Ｓｉ−ＮＭＲより化学構造を同定した結果、ポリマー（Ｌ）は、下記の平均組成式（Ｌ１）を有していた。

（Ｍｅ_２ＳｉＯ_２／２）_０．２５（Ｐｈ_２ＳｉＯ_２／２）_０．４５（ＶｉＭｅＳｉＯ_２／２）_０．３０ …式（Ｌ１）

上記式（Ｌ１）中、Ｍｅはメチル基、Ｐｈはフェニル基、Ｖｉはビニル基を示す。

得られたポリマー（Ｌ）の全シロキサン構造単位１００モル％中、上記ジフェニルシロキサン構造単位の割合は４５モル％であった。得られたポリマー（Ｌ）のフェニル基の含有比率は５２モル％であった。

（合成例１３）第１のシリコーン樹脂Ａ，Ａ−１の合成
温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた１０００ｍＬのセパラブルフラスコに、メチルフェニルジメトキシシラン３８３ｇ、及びビニルメチルジメトキシシシラン１１９ｇを入れ、５０℃で攪拌した。その中に、水酸化カリウム０．８ｇを水１０８ｇに溶かした溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に５０℃で６時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、反応液に酢酸０．９ｇを加え、減圧して揮発成分を除去し、酢酸カリウムをろ過により除去して、ポリマー（Ｍ）を得た。

得られたポリマー（Ｍ）の数平均分子量（Ｍｎ）は５３００であった。^２９Ｓｉ−ＮＭＲより化学構造を同定した結果、ポリマー（Ｍ）は、下記の平均組成式（Ｍ１）を有していた。

（ＭｅＰｈＳｉＯ_２／２）_０．７（ＶｉＭｅＳｉＯ_２／２）_０．３０…式（Ｍ１）

上記式（Ｍ１）中、Ｍｅはメチル基、Ｐｈはフェニル基、Ｖｉはビニル基を示す。

得られたポリマー（Ｍ）のフェニル基の含有比率は４５モル％であった。

（合成例１４）第１のシリコーン樹脂Ａ，Ａ−１の合成
温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた１０００ｍＬのセパラブルフラスコに、ビニルジメチルエトキシシラン９８ｇ、ジメチルジメトキシシラン１８０ｇ及びジフェニルジメトキシシラン１８３ｇを入れ、５０℃で攪拌した。その中に、水酸化カリウム０．８ｇを水９５ｇに溶かした溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に５０℃で６時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、反応液に酢酸０．９ｇを加え、減圧して揮発成分を除去し、酢酸カリウムをろ過により除去して、ポリマー（Ｎ）を得た。

得られたポリマー（Ｎ）の数平均分子量（Ｍｎ）は１２００であった。^２９Ｓｉ−ＮＭＲより化学構造を同定した結果、ポリマー（Ｎ）は、下記の平均組成式（Ｎ１）を有していた。

（ＶｉＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）_０．２３（Ｍｅ_２ＳｉＯ_２／２）_０．４８（Ｐｈ_２ＳｉＯ_２／２）_０．２９ …式（Ｎ１）

上記式（Ｎ１）中、Ｍｅはメチル基、Ｐｈはフェニル基、Ｖｉはビニル基を示す。

得られたポリマー（Ｎ）のフェニル基の含有比率は３９モル％であった。

（合成例１５）第１のシリコーン樹脂Ａ，Ａ−１の合成
温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた１０００ｍＬのセパラブルフラスコに、ビニルジメチルエトキシシラン９８ｇ、ジメチルジメトキシシラン９０ｇ及びジフェニルジメトキシシラン３６７ｇを入れ、５０℃で攪拌した。その中に、水酸化カリウム０．８ｇを水９５ｇに溶かした溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に５０℃で６時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、反応液に酢酸０．９ｇを加え、減圧して揮発成分を除去し、酢酸カリウムをろ過により除去して、ポリマー（Ｏ）を得た。

得られたポリマー（Ｏ）の数平均分子量（Ｍｎ）は１３００であった。^２９Ｓｉ−ＮＭＲより化学構造を同定した結果、ポリマー（Ｏ）は、下記の平均組成式（Ｏ１）を有していた。

（ＶｉＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）_０．２２（Ｍｅ_２ＳｉＯ_２／２）_０．２３（Ｐｈ_２ＳｉＯ_２／２）_０．５５ …式（Ｏ１）

上記式（Ｏ１）中、Ｍｅはメチル基、Ｐｈはフェニル基、Ｖｉはビニル基を示す。

得られたポリマー（Ｏ）のフェニル基の含有比率は５８モル％であった。

（合成例１６）第１のシリコーン樹脂Ａ，Ａ−１の合成
温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた１０００ｍＬのセパラブルフラスコに、ビニルジメチルエトキシシラン５９ｇ、ジメチルジメトキシシラン１２６ｇ及びジフェニルジメトキシシラン３６７ｇを入れ、５０℃で攪拌した。その中に、水酸化カリウム０．８ｇを水１００ｇに溶かした溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に５０℃で６時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、反応液に酢酸０．９ｇを加え、減圧して揮発成分を除去し、酢酸カリウムをろ過により除去して、ポリマー（Ｐ）を得た。

得られたポリマー（Ｐ）の数平均分子量（Ｍｎ）は２７００であった。^２９Ｓｉ−ＮＭＲより化学構造を同定した結果、ポリマー（Ｐ）は、下記の平均組成式（Ｐ１）を有していた。

（ＶｉＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）_０．１２（Ｍｅ_２ＳｉＯ_２／２）_０．３２（Ｐｈ_２ＳｉＯ_２／２）_０．５６ …式（Ｐ１）

上記式（Ｐ１）中、Ｍｅはメチル基、Ｐｈはフェニル基、Ｖｉはビニル基を示す。

得られたポリマー（Ｐ）のフェニル基の含有比率は５９モル％であった。

（実施例１）
ポリマーＡ（１０ｇ）、ポリマーＥ（１０ｇ）、及び白金の１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン錯体（封止剤中での白金金属の含有量が重量単位で１０ｐｐｍとなる量）を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。

（実施例２）
ポリマーＢ（１０ｇ）、ポリマーＥ（１０ｇ）、及び白金の１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン錯体（封止剤中での白金金属の含有量が重量単位で１０ｐｐｍとなる量）を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。

（実施例３）
ポリマーＣ（１０ｇ）、ポリマーＥ（１０ｇ）、及び白金の１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン錯体（封止剤中での白金金属の含有量が重量単位で１０ｐｐｍとなる量）を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。

（実施例４）
ポリマーＣ（１０ｇ）、ポリマーＥ（１０ｇ）、白金の１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン錯体（封止剤中での白金金属の含有量が重量単位で１０ｐｐｍとなる量）、及び酸化珪素微粒子（ＡＥＲＯＳＩＬ ＲＹ２００、ポリジメチルシロキサン基を有する有機珪素化合物により表面処理された酸化珪素粒子、比表面積１２０ｍ^２／ｇ、日本アエロジル社製）０．４ｇを混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。

（実施例５）
ポリマーＣ（１０ｇ）、ポリマーＥ（１０ｇ）、白金の１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン錯体（封止剤中での白金金属の含有量が重量単位で１０ｐｐｍとなる量）、及び酸化珪素微粒子（ＡＥＲＯＳＩＬ Ｒ８２００、トリメチルシリル基を有する有機珪素化合物により表面処理された酸化珪素粒子、比表面積１４０ｍ^２／ｇ、日本アエロジル社製）２ｇを混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。

（実施例６）
ポリマーＣ（１０ｇ）、ポリマーＦ（１０ｇ）、白金の１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン錯体（封止剤中での白金金属の含有量が重量単位で１０ｐｐｍとなる量）、及び酸化珪素微粒子（ＡＥＲＯＳＩＬ ＲＹ２００、ポリジメチルシロキサン基を有する有機珪素化合物により表面処理された酸化珪素粒子、比表面積１２０ｍ^２／ｇ、日本アエロジル社製）０．４ｇを混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。

（実施例７）
ポリマーＣ（１０ｇ）、ポリマーＧ（１０ｇ）、白金の１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン錯体（封止剤中での白金金属の含有量が重量単位で１０ｐｐｍとなる量）、及び酸化珪素微粒子（ＡＥＲＯＳＩＬ ＲＹ２００、ポリジメチルシロキサン基を有する有機珪素化合物により表面処理された酸化珪素粒子、比表面積１２０ｍ^２／ｇ、日本アエロジル社製）０．４ｇを混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。

（実施例８）
ポリマーＣ（１０ｇ）、ポリマーＨ（１０ｇ）、白金の１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン錯体（封止剤中での白金金属の含有量が重量単位で１０ｐｐｍとなる量）、及び酸化珪素微粒子（ＡＥＲＯＳＩＬ ＲＹ２００、ポリジメチルシロキサン基を有する有機珪素化合物により表面処理された酸化珪素粒子、比表面積１２０ｍ^２／ｇ、日本アエロジル社製）０．４ｇを混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。

（実施例９）
ポリマーＤ（１０ｇ）、ポリマーＥ（１０ｇ）、白金の１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン錯体（封止剤中での白金金属の含有量が重量単位で１０ｐｐｍとなる量）、及び酸化珪素微粒子（ＡＥＲＯＳＩＬ ＲＹ２００、ポリジメチルシロキサン基を有する有機珪素化合物により表面処理された酸化珪素粒子、比表面積１２０ｍ^２／ｇ、日本アエロジル社製）０．４ｇを混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。

（実施例１０）
ポリマーＤ（１０ｇ）、ポリマーＦ（１０ｇ）、白金の１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン錯体（封止剤中での白金金属の含有量が重量単位で１０ｐｐｍとなる量）、及び酸化珪素微粒子（ＡＥＲＯＳＩＬ ＲＹ２００、ポリジメチルシロキサン基を有する有機珪素化合物により表面処理された酸化珪素粒子、比表面積１２０ｍ^２／ｇ、日本アエロジル社製）０．４ｇを混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。

（実施例１１）
ポリマーＤ（１０ｇ）、ポリマーＧ（１０ｇ）、白金の１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン錯体（封止剤中での白金金属の含有量が重量単位で１０ｐｐｍとなる量）、及び酸化珪素微粒子（ＡＥＲＯＳＩＬ ＲＹ２００、ポリジメチルシロキサン基を有する有機珪素化合物により表面処理された酸化珪素粒子、比表面積１２０ｍ^２／ｇ、日本アエロジル社製）０．４ｇを混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。

（実施例１２）
ポリマーＤ（１０ｇ）、ポリマーＨ（１０ｇ）、白金の１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン錯体（封止剤中での白金金属の含有量が重量単位で１０ｐｐｍとなる量）、及び酸化珪素微粒子（ＡＥＲＯＳＩＬ ＲＹ２００、ポリジメチルシロキサン基を有する有機珪素化合物により表面処理された酸化珪素粒子、比表面積１２０ｍ^２／ｇ、日本アエロジル社製）０．４ｇを混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。

（実施例１３）
ポリマーＣ（１０ｇ）、ポリマーＥ（１０ｇ）、白金の１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン錯体（封止剤中での白金金属の含有量が重量単位で１０ｐｐｍとなる量）、及び酸化珪素微粒子（Ｒ９７４、ジメチルシロキサン基を有する有機珪素化合物により表面処理された酸化珪素粒子、比表面積１７０ｍ^２／ｇ、日本アエロジル社製）１．０ｇを混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。

（比較例１）
ポリマーＩ（１０ｇ）、ポリマーＥ（１０ｇ）、及び白金の１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン錯体（封止剤中での白金金属の含有量が重量単位で１０ｐｐｍとなる量）を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。

（比較例２）
ポリマーＪ（１０ｇ）、ポリマーＥ（１０ｇ）、及び白金の１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン錯体（封止剤中での白金金属の含有量が重量単位で１０ｐｐｍとなる量）を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。

（比較例３）
ポリマーＡ（１０ｇ）、ポリマーＫ（１０ｇ）、及び白金の１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン錯体（封止剤中での白金金属の含有量が重量単位で１０ｐｐｍとなる量）を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。

（実施例１〜１３及び比較例１〜３の評価）
（光半導体装置の作製）
銀めっきされたリード電極付きポリフタルアミド製ハウジング材に、ダイボンド材によって主発光ピークが４６０ｎｍの発光素子が実装されており、発光素子とリード電極とが金ワイヤーで接続されている構造において、得られた光半導体装置用封止剤を注入し、１５０℃で２時間加熱して硬化させ、光半導体装置を作製した。この光半導体装置を用いて、下記のガス腐食試験及び熱衝撃試験を実施した。

（ガス腐食試験）
得られた光半導体装置を、４０℃及び相対湿度９０％ＲＨ雰囲気下のチャンバー内に入れ、硫化水素ガスの濃度が５ｐｐｍ、二酸化硫黄ガスの濃度が１５ｐｐｍとなるようにチャンバー内にガスを充填した。ガスの充填から、２４時間後、４８時間後、９６時間後、１６８時間後及び５００時間後にそれぞれ、銀めっきされたリード電極を目視で観察した。

銀めっきに変色が見られない場合を「○○」、銀めっきに茶褐色に変色した箇所が少しみられる場合を「○」、銀めっきのほとんどすべてが茶色に変色した場合を「△」、銀めっきのほとんどすべてが黒色に変色した場合を「×」と判定した。

（熱衝撃試験）
得られた光半導体装置を、液槽式熱衝撃試験機（「ＴＳＢ−５１」、ＥＳＰＥＣ社製）を用いて、−５０℃で５分間保持した後、１３５℃まで昇温し、１３５℃で５分間保持した後−５０℃まで降温する過程を１サイクルとする冷熱サイクル試験を実施した。５００サイクル後、１０００サイクル及び１５００サイクル後にそれぞれ２０個のサンプルを取り出した。

実体顕微鏡（「ＳＭＺ−１０」、ニコン社製）にてサンプルを観察した。２０個のサンプルの光半導体装置用封止剤にそれぞれクラックが生じているか否か、又は光半導体装置用封止剤がパッケージ又は電極から剥離しているか否かを観察し、クラック又は剥離が生じたサンプルの数（ＮＧ数）を数えた。

（２５℃における粘度の測定）
Ｅ型粘度計（ＴＶ−２２型、東機産業社製）を用いて、得られた光半導体装置用封止剤の２５℃における５ｒｐｍでの粘度（ｍＰａ・ｓ）を測定した。

（昇温時の最低粘度の測定）
パラレルプレート型レオメーター（「ＤＡＲ−２０００」、レオロジカ社製）を用いて、得られた光半導体装置用封止剤の２５℃から硬化温度までの温度領域における剪断速度１ｓ^−１での最低粘度（ｍＰａ・ｓ）を測定した。昇温速度に関しては、２５℃から硬化温度までは２０℃／分で温度上昇させ、その後硬化温度で著しい粘度上昇が起こるまで測定を続けた。

（蛍光体入り封止剤の作製）
得られた各光半導体装置用封止剤１０重量部に、蛍光体粉末（体積平均粒径１７μｍ、比重４．７、「ＥＹ４２５４」、インタマティックス社製）０．８重量部入れて、攪拌し、脱泡し、光半導体装置用封止剤（以下、蛍光体入り封止剤と称することがある）を得た。

（蛍光体の沈降性）
得られた蛍光体入り封止剤を透明なガラス容器に入れて、１５０℃で２時間加熱して、封止剤を硬化させた。その後、硬化物中の蛍光体を目視で観察した。蛍光体の沈降がない場合を「○」、蛍光体の沈降がある場合を「△」、蛍光体の沈降が著しい場合を「×」と評価した。

（明るさの評価）
銀めっきされたリード電極付きポリフタルアミド製ハウジング材に、ダイボンド材によって主発光ピークが４６０ｎｍの発光素子が実装されており、発光素子とリード電極とを金ワイヤーで電気的に接続されている光半導体素子に、得られた蛍光体入り封止剤を注入し、１５０℃で２時間加熱して硬化させ、光半導体装置を５０個作製した。

５０個の光半導体装置における発光素子にそれぞれ２３℃で６０ｍＡの電流を流して、光測定装置（ＯＬ７７０、オプトロニックラボラトリーズ社製）を用いて光度を測定し、５０個の平均値が５．３ｃｄ以上を「○」、５．３ｃｄ未満を「×」とした。

結果を下記の表１，２に示す。

（実施例１４）
ポリマーＬ（１０ｇ）、ポリマーＥ（１０ｇ）、白金の１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン錯体（封止剤中での白金金属の含有量が重量単位で１０ｐｐｍとなる量）、及び酸化珪素微粒子（ＡＥＲＯＳＩＬ ＲＹ２００、ポリジメチルシロキサン基を有する有機珪素化合物により表面処理された酸化珪素粒子、比表面積１２０ｍ^２／ｇ、日本アエロジル社製）０．４ｇを混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。

（実施例１５）
ポリマーＬ（１０ｇ）、ポリマーＥ（１０ｇ）、白金の１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン錯体（封止剤中での白金金属の含有量が重量単位で１０ｐｐｍとなる量）、及び酸化珪素微粒子（ＡＥＲＯＳＩＬ Ｒ８２００、トリメチルシリル基を有する有機珪素化合物により表面処理された酸化珪素粒子、比表面積１４０ｍ^２／ｇ、日本アエロジル社製）１．５ｇを混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。

（実施例１６）
ポリマーＬ（１０ｇ）、ポリマーＦ（１０ｇ）、白金の１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン錯体（封止剤中での白金金属の含有量が重量単位で１０ｐｐｍとなる量）、及び酸化珪素微粒子（ＡＥＲＯＳＩＬ ＲＹ２００、ポリジメチルシロキサン基を有する有機珪素化合物により表面処理された酸化珪素粒子、比表面積１２０ｍ^２／ｇ、日本アエロジル社製）０．４ｇを混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。

（実施例１７）
ポリマーＬ（１０ｇ）、ポリマーＧ（１０ｇ）、白金の１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン錯体（封止剤中での白金金属の含有量が重量単位で１０ｐｐｍとなる量）、及び酸化珪素微粒子（ＡＥＲＯＳＩＬ ＲＹ２００、ポリジメチルシロキサン基を有する有機珪素化合物により表面処理された酸化珪素粒子、比表面積１２０ｍ^２／ｇ、日本アエロジル社製）０．４ｇを混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。

（実施例１８）
ポリマーＬ（１０ｇ）、ポリマーＨ（１０ｇ）、白金の１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン錯体（封止剤中での白金金属の含有量が重量単位で１０ｐｐｍとなる量）、及び酸化珪素微粒子（ＡＥＲＯＳＩＬ ＲＹ２００、ポリジメチルシロキサン基を有する有機珪素化合物により表面処理された酸化珪素粒子、比表面積１２０ｍ^２／ｇ、日本アエロジル社製）０．８ｇを混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。

（実施例１９）
ポリマーＬ（１０ｇ）、ポリマーＥ（１０ｇ）、及び白金の１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン錯体（封止剤中での白金金属の含有量が重量単位で１０ｐｐｍとなる量）を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。

（実施例２０）
ポリマーＭ（１０ｇ）、ポリマーＦ（１０ｇ）、白金の１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン錯体（封止剤中での白金金属の含有量が重量単位で１０ｐｐｍとなる量）、及び酸化珪素微粒子（ＡＥＲＯＳＩＬ ＲＹ２００、ポリジメチルシロキサン基を有する有機珪素化合物により表面処理された酸化珪素粒子、比表面積１２０ｍ^２／ｇ、日本アエロジル社製）０．４ｇを混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。

（実施例２１）
ポリマーＭ（１０ｇ）、ポリマーＦ（１０ｇ）、及び白金の１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン錯体（封止剤中での白金金属の含有量が重量単位で１０ｐｐｍとなる量）を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。

（実施例６，１０，１４〜２１の評価）
（光半導体装置の作製）
銀めっきされたリード電極付きポリフタルアミド製ハウジング材に、ダイボンド材によって主発光ピークが４６０ｎｍの発光素子が実装されており、発光素子とリード電極とが金ワイヤーで接続されている構造において、得られた光半導体装置用封止剤を注入し、１５０℃で２時間加熱して硬化させ、光半導体装置を作製した。この光半導体装置を用いて、下記の評価項目について評価を実施した。

（ガス腐食試験）
得られた光半導体装置を、４０℃及び相対湿度９０％ＲＨ雰囲気下のチャンバー内に入れ、硫化水素ガスの濃度が５ｐｐｍ、二酸化硫黄ガスの濃度が１５ｐｐｍとなるようにチャンバー内にガスを充填した。ガスの充填から、２４時間後、４８時間後、９６時間後、１６８時間後及び５００時間後にそれぞれ、銀めっきされたリード電極を目視で観察した。

銀めっきに変色が見られない場合を「○○」、銀めっきに茶褐色に変色した箇所が少しみられる場合を「○」、銀めっきのほとんどすべてが茶色に変色した場合を「△」、銀めっきのほとんどすべてが黒色に変色した場合を「×」と判定した。

（熱衝撃試験）
得られた光半導体装置を、液槽式熱衝撃試験機（「ＴＳＢ−５１」、ＥＳＰＥＣ社製）を用いて、−５０℃で５分間保持した後、１３５℃まで昇温し、１３５℃で５分間保持した後−５０℃まで降温する過程を１サイクルとする冷熱サイクル試験を実施した。５００サイクル後、１０００サイクル及び１５００サイクル後にそれぞれ２０個のサンプルを取り出した。

実体顕微鏡（「ＳＭＺ−１０」、ニコン社製）にてサンプルを観察した。２０個のサンプルの光半導体装置用封止剤にそれぞれクラックが生じているか否か、又は光半導体装置用封止剤がパッケージ又は電極から剥離しているか否かを観察し、クラック又は剥離が生じたサンプルの数（ＮＧ数）を数えた。

（蛍光体入り封止剤の作製）
実施例及び比較例で得られた各光半導体装置用封止剤１０重量部に、蛍光体粉末（体積平均粒径１７μｍ、比重４．７、「ＥＹ４４５３」、インタマティックス社製）０．８重量部入れて、攪拌し、脱泡し、光半導体装置用封止剤（以下、蛍光体入り封止剤と称することがある）を得た。

（２５℃における粘度の測定）
Ｅ型粘度計（ＴＶ−２２型、東機産業社製）を用いて、光半導体装置用封止剤に用いた第１，第２のオルガノシロキサンの２５℃における５ｒｐｍでの粘度（ｍＰａ・ｓ）を測定した。また、Ｅ型粘度計（ＴＶ−２２型、東機産業社製）を用いて、得られた光半導体装置用封止剤の２５℃における５ｒｐｍ、１ｒｐｍ及び１０ｒｐｍでの粘度（ｍＰａ・ｓ）、並びに蛍光体入り封止剤の２５℃における５ｒｐｍ、１ｒｐｍ及び１０ｒｐｍでの粘度（ｍＰａ・ｓ）を測定した。

（昇温時の最低粘度の測定）
パラレルプレート型レオメーター（「ＤＡＲ−２０００」、レオロジカ社製）を用いて、得られた光半導体装置用封止剤の２５℃から硬化温度までの温度領域における剪断速度１ｓ^−１での最低粘度（ｍＰａ・ｓ）を測定した。昇温速度に関しては、２５℃から硬化温度までは２０℃／分で温度上昇させ、その後硬化温度で著しい粘度上昇が起こるまで測定を続けた。また、蛍光体入り封止剤についても同様の評価を実施した。

（ディスペンス性）
銀めっきされたリード電極付きポリフタルアミド製ハウジング材に、ダイボンド材によって主発光ピークが４６０ｎｍの発光素子が実装されており、発光素子とリード電極とが金ワイヤーで接続されている構造において、ディスペンサー装置（「ＳＨＯＴＭＡＳＴＥＲ―３００」武蔵エンジニアリング社製）を用いて得られた蛍光体入り封止剤を充填した。実体顕微鏡（「ＳＭＺ−１０」、ニコン社製）にてサンプルを観察し、封止剤の充填量にバラツキがない場合を「○」、バラツキがある場合を「×」と判定した。

（蛍光体の沈降性）未硬化状態での蛍光体安定性
得られた蛍光体入り封止剤を透明なガラス容器に入れて、２３℃で２４時間放置した。その後、未硬化状態の封止剤中の蛍光体の状態を目視で観察した。蛍光体の沈降がない場合を「○」、蛍光体の沈降がある場合を「△」、蛍光体の沈降が著しい場合を「×」と評価した。

（蛍光体の沈降性）硬化時の蛍光体の安定性
得られた蛍光体入り封止剤を透明なガラス容器に入れて、１００℃で３時間、次に１３０℃で３時間加熱して、封止剤を硬化させた。その後、硬化物中の蛍光体の状態を目視で観察した。蛍光体の沈降がない場合を「○」、蛍光体の沈降がある場合を「△」、蛍光体の沈降が著しい場合を「×」と評価した。

（明るさの評価）
銀めっきされたリード電極付きポリフタルアミド製ハウジング材に、ダイボンド材によって主発光ピークが４６０ｎｍの発光素子が実装されており、発光素子とリード電極とを金ワイヤーで電気的に接続されている光半導体素子に、得られた蛍光体入り封止剤を注入し、１００℃で３時間、次に１３０℃で３時間加熱して硬化させ、光半導体装置を５０個作製した。

５０個の光半導体装置における発光素子にそれぞれ２３℃で６０ｍＡの電流を流して、光測定装置（ＯＬ７７０、オプトロニックラボラトリーズ社製）を用いて光度を測定し、５０個の平均値が５．３ｃｄ以上を「○」、５．３ｃｄ未満を「×」とした。
結果を下記の表３に示す。

（実施例２２）
ポリマーＡ（９ｇ）、ポリマーＮ（１ｇ）、ポリマーＥ（１０ｇ）及び白金の１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン錯体（封止剤中での白金金属の含有量が重量単位で１０ｐｐｍとなる量）を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。

（実施例２３）
ポリマーＬ（９ｇ）、ポリマーＮ（１ｇ）、ポリマーＥ（１０ｇ）及び白金の１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン錯体（封止剤中での白金金属の含有量が重量単位で１０ｐｐｍとなる量）を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。

（実施例２４）
ポリマーＬ（９ｇ）、ポリマーＮ（１ｇ）、ポリマーＦ（１０ｇ）、白金の１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン錯体（封止剤中での白金金属の含有量が重量単位で１０ｐｐｍとなる量）を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。

（実施例２５）
ポリマーＬ（９ｇ）、ポリマーＮ（１ｇ）、ポリマーＦ（１０ｇ）及び白金の１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン錯体（封止剤中での白金金属の含有量が重量単位で１０ｐｐｍとなる量）、及び酸化珪素微粒子（ＡＥＲＯＳＩＬ ＲＹ２００、ポリジメチルシロキサン基を有する有機珪素化合物により表面処理された酸化珪素粒子、比表面積１２０ｍ^２／ｇ、日本アエロジル社製）０．４ｇを混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。

（実施例２６）
ポリマーＬ（９ｇ）、ポリマーＮ（１ｇ）、ポリマーＧ（１０ｇ）及び白金の１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン錯体（封止剤中での白金金属の含有量が重量単位で１０ｐｐｍとなる量）、及び酸化珪素微粒子（ＡＥＲＯＳＩＬ ＲＹ２００、ポリジメチルシロキサン基を有する有機珪素化合物により表面処理された酸化珪素粒子、比表面積１２０ｍ^２／ｇ、日本アエロジル社製）０．４ｇを混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。

実施例２７は欠番とする

（比較例４）
ポリマーＩ（９ｇ）、ポリマーＮ（１ｇ）、ポリマーＥ（１０ｇ）及び白金の１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン錯体（封止剤中での白金金属の含有量が重量単位で１０ｐｐｍとなる量）を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。

（比較例５）
ポリマーＡ（９ｇ）、ポリマーＮ（１ｇ）ポリマーＫ（１０ｇ）及び白金の１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン錯体（封止剤中での白金金属の含有量が重量単位で１０ｐｐｍとなる量）を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。

（実施例２８）
ポリマーＮ（１０ｇ）、ポリマーＦ（２０ｇ）及び白金の１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン錯体（封止剤中での白金金属の含有量が重量単位で１０ｐｐｍとなる量）を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。

（実施例２９）
ポリマーＮ（１０ｇ）、ポリマーＧ（２０ｇ）及び白金の１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン錯体（封止剤中での白金金属の含有量が重量単位で１０ｐｐｍとなる量）を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。

（実施例３０）
ポリマーＯ（１０ｇ）、ポリマーＦ（２０ｇ）、白金の１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン錯体（封止剤中での白金金属の含有量が重量単位で１０ｐｐｍとなる量）、及び酸化珪素微粒子（Ａｅｒｏｓｉｌ ２００、比表面積：２００ｍ^２／ｇ、日本アエロジル社製）１ｇを混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。

（実施例３１）
ポリマーＯ（１０ｇ）、ポリマーＧ（２０ｇ）、白金の１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン錯体（封止剤中での白金金属の含有量が重量単位で１０ｐｐｍとなる量）及び酸化珪素微粒子（Ａｅｒｏｓｉｌ ２００、比表面積：２００ｍ^２／ｇ、日本アエロジル社製）１ｇを混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。

（実施例３２）
ポリマーＰ（１０ｇ）、ポリマーＦ（２０ｇ）及び白金の１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン錯体（封止剤中での白金金属の含有量が重量単位で１０ｐｐｍとなる量）を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。

（実施例３３）
ポリマーＰ（１０ｇ）、ポリマーＧ（２０ｇ）及び白金の１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン錯体（封止剤中での白金金属の含有量が重量単位で１０ｐｐｍとなる量）を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。

（実施例２２〜３３及び比較例４，５の評価）
（光半導体装置の作製）
銀めっきされたリード電極付きポリフタルアミド製ハウジング材に、ダイボンド材によって主発光ピークが４６０ｎｍの発光素子が実装されており、発光素子とリード電極とが金ワイヤーで接続されている構造において、得られた光半導体装置用封止剤を注入し、１５０℃で２時間加熱して硬化させ、光半導体装置を作製した。この光半導体装置を用いて、下記の評価項目について評価を実施した。

（ガス腐食試験）
得られた光半導体装置を、４０℃及び相対湿度９０％ＲＨ雰囲気下のチャンバー内に入れ、硫化水素ガスの濃度が５ｐｐｍ、二酸化硫黄ガスの濃度が１５ｐｐｍとなるようにチャンバー内にガスを充填した。ガスの充填から、２４時間後、４８時間後、９６時間後、１６８時間後及び５００時間後にそれぞれ、銀めっきされたリード電極を目視で観察した。

銀めっきに変色が見られない場合を「○○」、銀めっきに茶褐色に変色した箇所が少しみられる場合を「○」、銀めっきのほとんどすべてが茶色に変色した場合を「△」、銀めっきのほとんどすべてが黒色に変色した場合を「×」と判定した。

（熱衝撃試験）
得られた光半導体装置を、液槽式熱衝撃試験機（「ＴＳＢ−５１」、ＥＳＰＥＣ社製）を用いて、−５０℃で５分間保持した後、１３５℃まで昇温し、１３５℃で５分間保持した後−５０℃まで降温する過程を１サイクルとする冷熱サイクル試験を実施した。５００サイクル後、１０００サイクル、１５００サイクル及び２０００サイクル後にそれぞれ２０個のサンプルを取り出した。

実体顕微鏡（「ＳＭＺ−１０」、ニコン社製）にてサンプルを観察した。２０個のサンプルの光半導体装置用封止剤にそれぞれクラックが生じているか否か、又は光半導体装置用封止剤がパッケージ又は電極から剥離しているか否かを観察し、クラック又は剥離が生じたサンプルの数（ＮＧ数）を数えた。

（光半導体装置用封止剤の硬化物の表面の粘着性（べたつき）の評価）
得られた光半導体装置を、２３℃及び５０ＲＨ％の雰囲気下で２４時間放置した。２４時間放置した後直ちに、光半導体装置用封止剤の硬化物の表面の粘着性（べたつき）を、硬化物に指を接触させて確認した。指を接触させた場合に粘着性（べたつき）をほとんど感じない場合には、粘着性なしとして「○」と評価し、指の表面が粘着性（べたつき）を感じた場合には、粘着性ありとして「×」と評価した。

（耐湿信頼性試験）
得られた光半導体装置について、２３℃の温度下、光度測定装置（「ＯＬ７７０」、オプトロニックラボラトリーズ社製）を用いて発光素子に２０ｍＡの電流を流した時の光度を測定した（以下、「初期光度」と称する）。

次いで、発光素子に２０ｍＡの電流を流した状態で光半導体装置を１１０℃及び相対湿度８５ＲＨ％雰囲気下のチャンバー内に入れて、５００時間放置した。１０００時間後、２３℃の温度下、光度測定装置（「ＯＬ７７０」、オプトロニックラボラトリーズ社製）を用いて発光素子に２０ｍＡの電流を流した時の光度を測定し、初期光度対する光度の低下率を算出した。光度の低下率が５％未満の場合を「○○」、５％以上、１０％未満の場合を「○」、１０％以上、２０％未満の場合を「△」、３０％以上の場合を「×」と判定した。

結果を下記の表４に示す。

１…光半導体装置
２…ハウジング
２ａ…内面
３…光半導体素子
４…光半導体装置用封止剤

Claims (18)

1. 下記式（１Ａ）で表され、珪素原子に結合した水素原子を有さず、かつアリール基とアルケニル基とを有する第１のシリコーン樹脂Ａ、及び、下記式（１Ｂ）で表され、珪素原子に結合した水素原子を有さず、かつアリール基とアルケニル基とを有する第１のシリコーン樹脂Ｂの内の少なくとも１種の第１のシリコーン樹脂成分と、
   下記式（５１Ａ）で表され、かつアリール基と珪素原子に直接結合している水素原子とを有する第２のシリコーン樹脂Ａ、及び、下記式（５１Ｂ）で表され、かつアリール基と珪素原子に直接結合している水素原子とを有する第２のシリコーン樹脂Ｂの内の少なくとも１種の第２のシリコーン樹脂成分と、
   ヒドロシリル化反応用触媒とを含み、
   前記第１のシリコーン樹脂Ａにおける下記式（ａ１）より求められるアリール基の含有比率が３０モル％以上、７０モル％以下であり、前記第１のシリコーン樹脂Ｂにおける下記式（ｂ１）より求められるアリール基とフェニレン基との合計の含有比率が３０モル％以上、７０モル％以下であり、
   前記第２のシリコーン樹脂Ａにおける下記式（ａ５１）より求められるアリール基の含有比率が３０モル％以上、７０モル％以下であり、前記第２のシリコーン樹脂Ｂにおける下記式（ｂ５１）より求められるアリール基とフェニレン基との合計の含有比率が３０モル％以上、７０モル％以下である、光半導体装置用封止剤。
   

   

   前記式（１Ａ）中、ａ、ｂ及びｃは、ａ／（ａ＋ｂ＋ｃ）＝０〜０．５０、ｂ／（ａ＋ｂ＋ｃ）＝０．４０〜１．０及びｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ）＝０〜０．４０を満たし、Ｒ１〜Ｒ６は、少なくとも１個がアリール基に相当するフェニル基を表し、少なくとも１個がアルケニル基を表し、フェニル基及びアルケニル基以外のＲ１〜Ｒ６は、炭素数１〜８の炭化水素基を表す。
   

   

   前記式（１Ｂ）中、ａ、ｂ、ｃ及びｄは、ａ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）＝０〜０．４０、ｂ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）＝０．４０〜０．９９、ｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）＝０〜０．５０及びｄ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）＝０．０１〜０．４０を満たし、Ｒ１〜Ｒ６は、少なくとも１個がアリール基に相当するフェニル基を表し、少なくとも１個がアルケニル基を表し、フェニル基及びアルケニル基以外のＲ１〜Ｒ６は、炭素数１〜８の炭化水素基を表し、Ｒ７〜Ｒ１０はそれぞれ、炭素数１〜８の炭化水素基を表し、Ｒ１１は、炭素数１〜８の２価の炭化水素基を表す。
   

   

   前記式（５１Ａ）中、ｐ、ｑ及びｒは、ｐ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）＝０．０５〜０．５０、ｑ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）＝０．０５〜０．５０及びｒ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）＝０．２０〜０．８０を満たし、Ｒ５１〜Ｒ５６は、少なくとも１個がアリール基に相当するフェニル基を表し、少なくとも１個が珪素原子に直接結合している水素原子を表し、フェニル基及び珪素原子に直接結合している水素原子以外のＲ５１〜Ｒ５６は、炭素数１〜８の炭化水素基を表す。
   

   

   前記式（５１Ｂ）中、ｐ、ｑ、ｒ及びｓは、ｐ／（ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ）＝０．０５〜０．５０、ｑ／（ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ）＝０．０５〜０．５０、ｒ／（ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ）＝０．２０〜０．８０及びｓ／（ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ）＝０．０１〜０．４０を満たし、Ｒ５１〜Ｒ５６は、少なくとも１個がアリール基に相当するフェニル基を表し、少なくとも１個が珪素原子に直接結合している水素原子を表し、フェニル基及び珪素原子に直接結合している水素原子以外のＲ５１〜Ｒ５６は炭素数１〜８の炭化水素基を表し、Ｒ５７〜６０はそれぞれ、炭素数１〜８の炭化水素基を表し、Ｒ６１は、炭素数１〜８の２価の炭化水素基を表す。
   アリール基の含有比率（モル％）＝（前記第１のシリコーン樹脂Ａの１分子あたりに含まれるアリール基の平均個数×アリール基の分子量／前記第１のシリコーン樹脂Ａの数平均分子量）×１００ ・・・式（ａ１）
   アリール基とフェニレン基との合計の含有比率（モル％）＝｛（前記第１のシリコーン樹脂Ｂの１分子あたりに含まれるアリール基の平均個数×アリール基の分子量＋前記第１のシリコーン樹脂Ｂの１分子あたりに含まれるフェニレン基の平均個数×フェニレン基の分子量）／前記第１のシリコーン樹脂Ｂの数平均分子量｝×１００ ・・・式（ｂ１）
   アリール基の含有比率（モル％）＝（前記第２のシリコーン樹脂Ａの１分子あたりに含まれるアリール基の平均個数×アリール基の分子量／前記第２のシリコーン樹脂Ａの数平均分子量）×１００ ・・・式（ａ５１）
   アリール基とフェニレン基との合計の含有比率（モル％）＝｛（前記第２のシリコーン樹脂Ｂの１分子あたりに含まれるアリール基の平均個数×アリール基の分子量＋前記第２のシリコーン樹脂Ｂの１分子あたりに含まれるフェニレン基の平均個数×フェニレン基の分子量）／前記第２のシリコーン樹脂Ｂの数平均分子量｝×１００ ・・・式（ｂ５１）
2. 前記第１のシリコーン樹脂Ｂ及び前記第２のシリコーン樹脂Ｂの内の少なくとも一方を含む、請求項１に記載の光半導体装置用封止剤。
3. 前記第１のシリコーン樹脂成分が、前記第１のシリコーン樹脂Ａであり、
   前記第１のシリコーン樹脂Ａが、下記式（１Ａ−１）で表され、珪素原子に結合した水素原子を有さず、かつアリール基とアルケニル基とを有する第１のシリコーン樹脂Ａ−１を含み、
   前記第１のシリコーン樹脂Ａ−１における下記式（ａ１−１）より求められるアリール基の含有比率が３０モル％以上、７０モル％以下である、請求項１に記載の光半導体装置用封止剤。
   

   

   前記式（１Ａ−１）中、ａ及びｂは、ａ／（ａ＋ｂ）＝０．０５〜０．５０及びｂ／（ａ＋ｂ）＝０．５０〜０．９５を満たし、Ｒ１〜Ｒ５は、少なくとも１個がアリール基に相当するフェニル基を表し、少なくとも１個がアルケニル基を表し、フェニル基及びアルケニル基以外のＲ１〜Ｒ５は、炭素数１〜８の炭化水素基を表す。但し、前記式（１Ａ−１）中の（Ｒ１Ｒ２Ｒ３ＳｉＯ_１／２）で表される構造単位は、Ｒ１がアルケニル基を表し、Ｒ２及びＲ３がアルケニル基、アリール基又は炭素数１〜８の炭化水素基を表す構造単位を含む。
   アリール基の含有比率（モル％）＝（前記第１のシリコーン樹脂Ａ−１の１分子あたりに含まれるアリール基の平均個数×アリール基の分子量／前記第１のシリコーン樹脂Ａ−１の数平均分子量）×１００ ・・・式（ａ１−１）
4. 前記第１のシリコーン樹脂Ａが、前記第１のシリコーン樹脂Ａ−１を含み、かつ、下記式（１Ａ−２）で表され、前記第１のシリコーン樹脂Ａ−１に相当せず、珪素原子に結合した水素原子を有さず、かつアリール基とアルケニル基とを有する第１のシリコーン樹脂Ａ−２を含み、
   前記第１のシリコーン樹脂Ａ−２における下記式（ａ１−２）より求められるアリール基の含有比率が３０モル％以上、７０モル％以下である、請求項３に記載の光半導体装置用封止剤。
   

   

   前記式（１Ａ−２）中、ａ、ｂ及びｃは、ａ／（ａ＋ｂ＋ｃ）＝０〜０．５０、ｂ／（ａ＋ｂ＋ｃ）＝０．４０〜１．０及びｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ）＝０〜０．４０を満たし、Ｒ１〜Ｒ６は、少なくとも１個がアリール基に相当するフェニル基を表し、Ｒ４〜Ｒ６は、少なくとも１個がアルケニル基を表し、フェニル基及びアルケニル基以外のＲ１〜Ｒ６は、炭素数１〜８の炭化水素基を表す。
   アリール基の含有比率（モル％）＝（前記第１のシリコーン樹脂Ａ−２の１分子あたりに含まれるアリール基の平均個数×アリール基の分子量／前記第１のシリコーン樹脂Ａ−２の数平均分子量）×１００ ・・・式（ａ１−２）
5. 前記第１のシリコーン樹脂Ａが、前記第１のシリコーン樹脂Ａ−１と前記第１のシリコーン樹脂Ａ−２との双方を含み、
   前記第１のシリコーン樹脂Ａ−２の１００重量部に対して、前記第１のシリコーン樹脂Ａ−１の含有量が５重量部以上、１００重量部以下である、請求項４に記載の光半導体装置用封止剤。
6. 前記第２のシリコーン樹脂成分が、前記第２のシリコーン樹脂Ａである、請求項１〜５のいずれか１項に記載の光半導体装置用封止剤。
7. 前記式（５１Ａ）中の（Ｒ５１Ｒ５２Ｒ５３ＳｉＯ_１／２）で表される構造単位は、Ｒ５１が珪素原子に結合した水素原子を表し、Ｒ５２及びＲ５３が水素原子、フェニル基又は炭素数１〜８の炭化水素基を表す構造単位を含む、請求項１〜６のいずれか１項に記載の光半導体装置用封止剤。
8. 前記第１のシリコーン樹脂Ａ及び前記第１のシリコーン樹脂Ｂはそれぞれ、１つの珪素原子に２つのフェニル基が結合したジフェニルシロキサン構造単位を含み、
   前記第１のシリコーン樹脂Ａ及び前記第１のシリコーン樹脂Ｂの全シロキサン構造単位１００モル％中、１つの珪素原子に２つのフェニル基が結合したジフェニルシロキサン構造単位の割合が３０モル％以上である、請求項１〜７のいずれか１項に記載の光半導体装置用封止剤。
9. 前記第２のシリコーン樹脂Ａ及び前記第２のシリコーン樹脂Ｂはそれぞれ、下記式（５１−ａ）で表される構造単位を含み、
   前記第２のシリコーン樹脂Ａ及び前記第２のシリコーン樹脂Ｂの全シロキサン構造単位１００モル％中、下記式（５１−ａ）で表される構造単位の割合が５モル％以上である、請求項１〜８のいずれか１項に記載の光半導体装置用封止剤。
   

   

   前記式（５１−ａ）中、Ｒ５２及びＲ５３はそれぞれ、水素原子、フェニル基又は炭素数１〜８の炭化水素基を表す。
10. 酸化珪素粒子をさらに含む、請求項１〜９のいずれか１項に記載の光半導体装置用封止剤。
11. 前記酸化珪素粒子が、有機珪素化合物により表面処理されている、請求項１０に記載の光半導体装置用封止剤。
12. 前記有機珪素化合物は、ジメチルシリル基を有する有機珪素化合物、トリメチルシリル基を有する有機珪素化合物及びポリジメチルシロキサン基を有する有機珪素化合物からなる群から選択された少なくとも１種である、請求項１１に記載の光半導体装置用封止剤。
13. 前記第１のシリコーン樹脂Ａ及び前記第１のシリコーン樹脂ＢのＥ型粘度計を用いて測定された２５℃における５ｒｐｍでの各粘度が５００ｍＰａ・ｓ以上、２００００ｍＰａ・ｓ以下であり、
    前記第２のシリコーン樹脂Ａ及び前記第２のシリコーン樹脂ＢのＥ型粘度計を用いて測定された２５℃における５ｒｐｍでの各粘度が５００ｍＰａ・ｓ以上、５０００ｍＰａ・ｓ以下である、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の光半導体装置用封止剤。
14. Ｅ型粘度計を用いて測定された２５℃における５ｒｐｍでの粘度が１０００ｍＰａ・ｓ以上、１００００ｍＰａ・ｓ以下である、請求項１〜１３のいずれか１項に記載の光半導体装置用封止剤。
15. パラレルプレート型レオメーターを用いて２５℃から昇温速度２０℃／分で加熱したときに、２５℃から硬化温度までの温度領域における剪断速度１ｓ^−１での最低粘度が２００ｍＰａ・ｓ以上である、請求項１〜１４のいずれか１項に記載の光半導体装置用封止剤。
16. Ｅ型粘度計を用いて測定された２５℃における１ｒｐｍでの粘度のＥ型粘度計を用いて測定された２５℃における１０ｒｐｍでの粘度に対する比が１．２以上、２．５以下である、請求項１〜１５のいずれか１項に記載の光半導体装置用封止剤。
17. 蛍光体をさらに含む、請求項１〜１６のいずれか１項に記載の光半導体装置用封止剤。
18. 光半導体素子と、該光半導体素子を封止するように設けられた請求項１〜１７のいずれか１項に記載の光半導体装置用封止剤とを備える、光半導体装置。

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