KR20120024828A - 광 반도체 장치용 밀봉제 및 광 반도체 장치 - Google Patents
광 반도체 장치용 밀봉제 및 광 반도체 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20120024828A KR20120024828A KR1020117030741A KR20117030741A KR20120024828A KR 20120024828 A KR20120024828 A KR 20120024828A KR 1020117030741 A KR1020117030741 A KR 1020117030741A KR 20117030741 A KR20117030741 A KR 20117030741A KR 20120024828 A KR20120024828 A KR 20120024828A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- silicone resin
- group
- formula
- optical semiconductor
- aryl group
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 273
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 265
- 239000000565 sealant Substances 0.000 title claims abstract description 156
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 claims abstract description 401
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims abstract description 204
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 199
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims abstract description 168
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 80
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 76
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 75
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims abstract description 59
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims abstract description 35
- 238000006459 hydrosilylation reaction Methods 0.000 claims abstract description 25
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 127
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 109
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 83
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 claims description 72
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 72
- 125000000843 phenylene group Chemical group C1(=C(C=CC=C1)*)* 0.000 claims description 68
- 150000003961 organosilicon compounds Chemical class 0.000 claims description 56
- -1 dimethylsilyl group Chemical group 0.000 claims description 50
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 48
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 33
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 27
- NYMPGSQKHIOWIO-UHFFFAOYSA-N hydroxy(diphenyl)silicon Chemical class C=1C=CC=CC=1[Si](O)C1=CC=CC=C1 NYMPGSQKHIOWIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 125000000026 trimethylsilyl group Chemical group [H]C([H])([H])[Si]([*])(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 claims description 8
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 claims description 3
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000008096 xylene Substances 0.000 claims description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 54
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 abstract description 29
- 238000005336 cracking Methods 0.000 abstract description 8
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 164
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 121
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 52
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 44
- 239000000463 material Substances 0.000 description 43
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 41
- BITPLIXHRASDQB-UHFFFAOYSA-N ethenyl-[ethenyl(dimethyl)silyl]oxy-dimethylsilane Chemical compound C=C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C=C BITPLIXHRASDQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 40
- 229910002012 Aerosil® Inorganic materials 0.000 description 38
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 36
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 36
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 36
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 34
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 34
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 32
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 30
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 28
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 27
- 238000005481 NMR spectroscopy Methods 0.000 description 26
- SCVFZCLFOSHCOH-UHFFFAOYSA-M potassium acetate Chemical compound [K+].CC([O-])=O SCVFZCLFOSHCOH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 22
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 20
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 19
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 19
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 18
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 18
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 17
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 17
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- JJQZDUKDJDQPMQ-UHFFFAOYSA-N dimethoxy(dimethyl)silane Chemical compound CO[Si](C)(C)OC JJQZDUKDJDQPMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- AHUXYBVKTIBBJW-UHFFFAOYSA-N dimethoxy(diphenyl)silane Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Si](OC)(OC)C1=CC=CC=C1 AHUXYBVKTIBBJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 239000000047 product Substances 0.000 description 15
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 13
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 235000011054 acetic acid Nutrition 0.000 description 12
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 12
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 12
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 12
- 239000012295 chemical reaction liquid Substances 0.000 description 11
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 11
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 11
- 235000011056 potassium acetate Nutrition 0.000 description 11
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 9
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 9
- POPACFLNWGUDSR-UHFFFAOYSA-N methoxy(trimethyl)silane Chemical compound CO[Si](C)(C)C POPACFLNWGUDSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 8
- NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C=C NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 7
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 7
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 description 7
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 7
- 239000004954 Polyphthalamide Substances 0.000 description 6
- RAHZWNYVWXNFOC-UHFFFAOYSA-N Sulphur dioxide Chemical compound O=S=O RAHZWNYVWXNFOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 6
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 6
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 229920006375 polyphtalamide Polymers 0.000 description 6
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 6
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 6
- CZDYPVPMEAXLPK-UHFFFAOYSA-N tetramethylsilane Chemical compound C[Si](C)(C)C CZDYPVPMEAXLPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- KWEKXPWNFQBJAY-UHFFFAOYSA-N (dimethyl-$l^{3}-silanyl)oxy-dimethylsilicon Chemical compound C[Si](C)O[Si](C)C KWEKXPWNFQBJAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 5
- ZLNAFSPCNATQPQ-UHFFFAOYSA-N ethenyl-dimethoxy-methylsilane Chemical compound CO[Si](C)(OC)C=C ZLNAFSPCNATQPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 125000005372 silanol group Chemical group 0.000 description 5
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen sulfide Chemical compound S RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 4
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 4
- JEWCZPTVOYXPGG-UHFFFAOYSA-N ethenyl-ethoxy-dimethylsilane Chemical compound CCO[Si](C)(C)C=C JEWCZPTVOYXPGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 4
- 125000004836 hexamethylene group Chemical group [H]C([H])([*:2])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[*:1] 0.000 description 4
- 229910000037 hydrogen sulfide Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000003301 hydrolyzing effect Effects 0.000 description 4
- 125000005375 organosiloxane group Chemical group 0.000 description 4
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 4
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 3
- 229910002016 Aerosil® 200 Inorganic materials 0.000 description 3
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Malonic acid Chemical compound OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 3
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 125000003647 acryloyl group Chemical group O=C([*])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 3
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 3
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000001588 bifunctional effect Effects 0.000 description 3
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000002845 discoloration Methods 0.000 description 3
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 3
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 3
- 229910021485 fumed silica Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 3
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N olefin Natural products CCCCCCCC=C JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 3
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 3
- 238000000518 rheometry Methods 0.000 description 3
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 3
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZNOCGWVLWPVKAO-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(phenyl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C1=CC=CC=C1 ZNOCGWVLWPVKAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 3
- 125000000229 (C1-C4)alkoxy group Chemical group 0.000 description 2
- 238000005160 1H NMR spectroscopy Methods 0.000 description 2
- ATVJXMYDOSMEPO-UHFFFAOYSA-N 3-prop-2-enoxyprop-1-ene Chemical compound C=CCOCC=C ATVJXMYDOSMEPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N Butyric acid Chemical compound CCCC(O)=O FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N Fumaric acid Chemical compound OC(=O)\C=C\C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N 0.000 description 2
- 108010043121 Green Fluorescent Proteins Proteins 0.000 description 2
- 229910017639 MgSi Inorganic materials 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 2
- 150000008065 acid anhydrides Chemical class 0.000 description 2
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 2
- WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N adipic acid Chemical compound OC(=O)CCCCC(O)=O WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 2
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011203 carbon fibre reinforced carbon Substances 0.000 description 2
- 239000007809 chemical reaction catalyst Substances 0.000 description 2
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 2
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 2
- 125000004956 cyclohexylene group Chemical group 0.000 description 2
- CVQVSVBUMVSJES-UHFFFAOYSA-N dimethoxy-methyl-phenylsilane Chemical compound CO[Si](C)(OC)C1=CC=CC=C1 CVQVSVBUMVSJES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N dimethylselenoniopropionate Natural products CCC(O)=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(triethoxy)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C=C FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 2
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 125000000816 ethylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 2
- GEAWFZNTIFJMHR-UHFFFAOYSA-N hepta-1,6-diene Chemical compound C=CCCCC=C GEAWFZNTIFJMHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 125000002510 isobutoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])O* 0.000 description 2
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 125000004491 isohexyl group Chemical group C(CCC(C)C)* 0.000 description 2
- 125000001972 isopentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 125000003253 isopropoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(O*)C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N lactic acid Chemical compound CC(O)C(O)=O JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 2
- 125000001570 methylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])[*:2] 0.000 description 2
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 125000003136 n-heptyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 125000000740 n-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 125000003506 n-propoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 2
- 125000004123 n-propyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 125000001971 neopentyl group Chemical group [H]C([*])([H])C(C([H])([H])[H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 2
- 125000004817 pentamethylene group Chemical group [H]C([H])([*:2])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[*:1] 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 125000004805 propylene group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 2
- 125000005920 sec-butoxy group Chemical group 0.000 description 2
- 125000002914 sec-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 2
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- MFRIHAYPQRLWNB-UHFFFAOYSA-N sodium tert-butoxide Chemical compound [Na+].CC(C)(C)[O-] MFRIHAYPQRLWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 239000010421 standard material Substances 0.000 description 2
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 2
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 125000001973 tert-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 125000000383 tetramethylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N (E)-8-Octadecenoic acid Natural products CCCCCCCCCC=CCCCCCCC(O)=O WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N (S)-malic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- RTBFRGCFXZNCOE-UHFFFAOYSA-N 1-methylsulfonylpiperidin-4-one Chemical compound CS(=O)(=O)N1CCC(=O)CC1 RTBFRGCFXZNCOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 2,2,4,4,6,6-hexaphenoxy-1,3,5-triaza-2$l^{5},4$l^{5},6$l^{5}-triphosphacyclohexa-1,3,5-triene Chemical compound N=1P(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP=1(OC=1C=CC=CC=1)OC1=CC=CC=C1 RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VMAWODUEPLAHOE-UHFFFAOYSA-N 2,4,6,8-tetrakis(ethenyl)-2,4,6,8-tetramethyl-1,3,5,7,2,4,6,8-tetraoxatetrasilocane Chemical compound C=C[Si]1(C)O[Si](C)(C=C)O[Si](C)(C=C)O[Si](C)(C=C)O1 VMAWODUEPLAHOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MFGOFGRYDNHJTA-UHFFFAOYSA-N 2-amino-1-(2-fluorophenyl)ethanol Chemical compound NCC(O)C1=CC=CC=C1F MFGOFGRYDNHJTA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PUBBYOSDAJWXFW-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethyl-[4-[2-ethoxyethyl(methyl)silyl]phenyl]-methylsilane Chemical compound C(C)OCC[SiH](C1=CC=C(C=C1)[SiH](C)CCOCC)C PUBBYOSDAJWXFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SDTMFDGELKWGFT-UHFFFAOYSA-N 2-methylpropan-2-olate Chemical compound CC(C)(C)[O-] SDTMFDGELKWGFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 20:1omega9c fatty acid Natural products CCCCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropan-1-amine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCN SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDLMVUHYZWKMMD-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOC(=O)C(C)=C XDLMVUHYZWKMMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGUJJOYLOCXENZ-UHFFFAOYSA-N 4-[2-[4-(oxiran-2-ylmethoxy)phenyl]propan-2-yl]phenol Chemical class C=1C=C(OCC2OC2)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 DGUJJOYLOCXENZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 9-Heptadecensaeure Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002014 Aerosil® 130 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002018 Aerosil® 300 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002019 Aerosil® 380 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002013 Aerosil® 90 Inorganic materials 0.000 description 1
- HKKGIHCPNBYMFD-UHFFFAOYSA-N C1=CC=[I]C=C1 Chemical compound C1=CC=[I]C=C1 HKKGIHCPNBYMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005046 Chlorosilane Substances 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N Dextrotartaric acid Chemical compound OC(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004566 IR spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 229910020068 MgAl Inorganic materials 0.000 description 1
- 101100476480 Mus musculus S100a8 gene Proteins 0.000 description 1
- 239000005642 Oleic acid Substances 0.000 description 1
- ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N Oleic acid Natural products CCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004283 SiO 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003668 SrAl Inorganic materials 0.000 description 1
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N Succinic acid Natural products OC(=O)CCC(O)=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-N Sulfurous acid Chemical compound OS(O)=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N Tartaric acid Natural products [H+].[H+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- QDYVGVVVCMSHAN-UHFFFAOYSA-N [4-[diethyl(methoxy)silyl]phenyl]-diethyl-methoxysilane Chemical compound CC[Si](CC)(OC)C1=CC=C([Si](CC)(CC)OC)C=C1 QDYVGVVVCMSHAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LIIMLZAKCVIOCI-UHFFFAOYSA-N [4-[dimethoxy(propan-2-yloxy)silyl]phenyl]-dimethoxy-propan-2-yloxysilane Chemical compound CC(O[Si](C1=CC=C(C=C1)[Si](OC(C)C)(OC)OC)(OC)OC)C LIIMLZAKCVIOCI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 239000001361 adipic acid Substances 0.000 description 1
- 235000011037 adipic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000004964 aerogel Substances 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N alpha-hydroxysuccinic acid Natural products OC(=O)C(O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- JFCQEDHGNNZCLN-UHFFFAOYSA-N anhydrous glutaric acid Natural products OC(=O)CCCC(O)=O JFCQEDHGNNZCLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 1
- KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N butanedioic acid Chemical compound O[14C](=O)CC[14C](O)=O KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N 0.000 description 1
- 125000004369 butenyl group Chemical group C(=CCC)* 0.000 description 1
- HUCVOHYBFXVBRW-UHFFFAOYSA-M caesium hydroxide Inorganic materials [OH-].[Cs+] HUCVOHYBFXVBRW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N carbonic acid Chemical compound OC(O)=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000010538 cationic polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- IJOOHPMOJXWVHK-UHFFFAOYSA-N chlorotrimethylsilane Chemical compound C[Si](C)(C)Cl IJOOHPMOJXWVHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000015165 citric acid Nutrition 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 1
- 239000011231 conductive filler Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- SJJCABYOVIHNPZ-UHFFFAOYSA-N cyclohexyl-dimethoxy-methylsilane Chemical compound CO[Si](C)(OC)C1CCCCC1 SJJCABYOVIHNPZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005034 decoration Methods 0.000 description 1
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- ZZNQQQWFKKTOSD-UHFFFAOYSA-N diethoxy(diphenyl)silane Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Si](OCC)(OCC)C1=CC=CC=C1 ZZNQQQWFKKTOSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GAURFLBIDLSLQU-UHFFFAOYSA-N diethoxy(methyl)silicon Chemical compound CCO[Si](C)OCC GAURFLBIDLSLQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PKTOVQRKCNPVKY-UHFFFAOYSA-N dimethoxy(methyl)silicon Chemical compound CO[Si](C)OC PKTOVQRKCNPVKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LIKFHECYJZWXFJ-UHFFFAOYSA-N dimethyldichlorosilane Chemical group C[Si](C)(Cl)Cl LIKFHECYJZWXFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YYLGKUPAFFKGRQ-UHFFFAOYSA-N dimethyldiethoxysilane Chemical compound CCO[Si](C)(C)OCC YYLGKUPAFFKGRQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 1
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 1
- NUFVQEIPPHHQCK-UHFFFAOYSA-N ethenyl-methoxy-dimethylsilane Chemical compound CO[Si](C)(C)C=C NUFVQEIPPHHQCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RSIHJDGMBDPTIM-UHFFFAOYSA-N ethoxy(trimethyl)silane Chemical compound CCO[Si](C)(C)C RSIHJDGMBDPTIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZVJXKUWNRVOUTI-UHFFFAOYSA-N ethoxy(triphenyl)silane Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Si](C=1C=CC=CC=1)(OCC)C1=CC=CC=C1 ZVJXKUWNRVOUTI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SBRXLTRZCJVAPH-UHFFFAOYSA-N ethyl(trimethoxy)silane Chemical compound CC[Si](OC)(OC)OC SBRXLTRZCJVAPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 239000003063 flame retardant Substances 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000001530 fumaric acid Substances 0.000 description 1
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000006038 hexenyl group Chemical group 0.000 description 1
- CZWLNMOIEMTDJY-UHFFFAOYSA-N hexyl(trimethoxy)silane Chemical compound CCCCCC[Si](OC)(OC)OC CZWLNMOIEMTDJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 description 1
- QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N isooleic acid Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCCC(O)=O QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004310 lactic acid Substances 0.000 description 1
- 235000014655 lactic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 description 1
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 description 1
- 239000001630 malic acid Substances 0.000 description 1
- 235000011090 malic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- BKXVGDZNDSIUAI-UHFFFAOYSA-N methoxy(triphenyl)silane Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Si](C=1C=CC=CC=1)(OC)C1=CC=CC=C1 BKXVGDZNDSIUAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VQECZZRUEDMVCU-UHFFFAOYSA-N methoxy-[4-[methoxy(dimethyl)silyl]phenyl]-dimethylsilane Chemical compound CO[Si](C)(C)C1=CC=C([Si](C)(C)OC)C=C1 VQECZZRUEDMVCU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DDBXHJPSBDINQC-UHFFFAOYSA-N methoxy-[6-[methoxy(dimethyl)silyl]hexyl]-dimethylsilane Chemical compound CO[Si](C)(C)CCCCCC[Si](C)(C)OC DDBXHJPSBDINQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ARYZCSRUUPFYMY-UHFFFAOYSA-N methoxysilane Chemical compound CO[SiH3] ARYZCSRUUPFYMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N methyltrimethoxysilane Chemical compound CO[Si](C)(OC)OC BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- KBJFYLLAMSZSOG-UHFFFAOYSA-N n-(3-trimethoxysilylpropyl)aniline Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCNC1=CC=CC=C1 KBJFYLLAMSZSOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006606 n-butoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000001280 n-hexyl group Chemical group C(CCCCC)* 0.000 description 1
- ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N oleic acid Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N 0.000 description 1
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002255 pentenyl group Chemical group C(=CCCC)* 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- LPNYRYFBWFDTMA-UHFFFAOYSA-N potassium tert-butoxide Chemical compound [K+].CC(C)(C)[O-] LPNYRYFBWFDTMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 235000019260 propionic acid Nutrition 0.000 description 1
- IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N quinbolone Chemical compound O([C@H]1CC[C@H]2[C@H]3[C@@H]([C@]4(C=CC(=O)C=C4CC3)C)CC[C@@]21C)C1=CCCC1 IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000012925 reference material Substances 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 238000006884 silylation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 238000007613 slurry method Methods 0.000 description 1
- 239000011029 spinel Substances 0.000 description 1
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000005650 substituted phenylene group Chemical group 0.000 description 1
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 1
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 1
- 239000011975 tartaric acid Substances 0.000 description 1
- 235000002906 tartaric acid Nutrition 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- LGQXXHMEBUOXRP-UHFFFAOYSA-N tributyl borate Chemical compound CCCCOB(OCCCC)OCCCC LGQXXHMEBUOXRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DENFJSAFJTVPJR-UHFFFAOYSA-N triethoxy(ethyl)silane Chemical compound CCO[Si](CC)(OCC)OCC DENFJSAFJTVPJR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N triethoxy(methyl)silane Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)OCC CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QQQSFSZALRVCSZ-UHFFFAOYSA-N triethoxysilane Chemical compound CCO[SiH](OCC)OCC QQQSFSZALRVCSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NMEPHPOFYLLFTK-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(octyl)silane Chemical compound CCCCCCCC[Si](OC)(OC)OC NMEPHPOFYLLFTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DQZNLOXENNXVAD-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[2-(7-oxabicyclo[4.1.0]heptan-4-yl)ethyl]silane Chemical compound C1C(CC[Si](OC)(OC)OC)CCC2OC21 DQZNLOXENNXVAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOCC1CO1 BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YUYCVXFAYWRXLS-UHFFFAOYSA-N trimethoxysilane Chemical compound CO[SiH](OC)OC YUYCVXFAYWRXLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- 239000003643 water by type Substances 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
- H01L23/293—Organic, e.g. plastic
- H01L23/296—Organo-silicon compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G77/04—Polysiloxanes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L83/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers
- C08L83/04—Polysiloxanes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L83/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers
- C08L83/14—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers in which at least two but not all the silicon atoms are connected by linkages other than oxygen atoms
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G77/04—Polysiloxanes
- C08G77/12—Polysiloxanes containing silicon bound to hydrogen
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G77/04—Polysiloxanes
- C08G77/20—Polysiloxanes containing silicon bound to unsaturated aliphatic groups
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G77/48—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule in which at least two but not all the silicon atoms are connected by linkages other than oxygen atoms
- C08G77/50—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule in which at least two but not all the silicon atoms are connected by linkages other than oxygen atoms by carbon linkages
- C08G77/52—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule in which at least two but not all the silicon atoms are connected by linkages other than oxygen atoms by carbon linkages containing aromatic rings
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G77/80—Siloxanes having aromatic substituents, e.g. phenyl side groups
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12044—OLED
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Sealing Material Composition (AREA)
Abstract
본 발명은 부식성 가스에 대하여 높은 가스 배리어성을 갖고, 가혹한 환경 하에서 사용되더라도 균열 또는 박리가 생기기 어려운 광 반도체 장치용 밀봉제를 제공한다. 본 발명에 따른 광 반도체 장치용 밀봉제는, 식 (1A)로 표시되고 규소 원자에 결합한 수소 원자를 갖지 않으며 아릴기와 알케닐기를 갖는 제1 실리콘 수지 A, 및 식 (1B)로 표시되고 규소 원자에 결합한 수소 원자를 갖지 않으며 아릴기와 알케닐기를 갖는 제1 실리콘 수지 B 중 적어도 1종의 제1 실리콘 수지 성분과, 식 (51A)로 표시되며 아릴기와 규소 원자에 직접 결합하고 있는 수소 원자를 갖는 제2 실리콘 수지 A, 및 식 (51B)로 표시되며 아릴기와 규소 원자에 직접 결합하고 있는 수소 원자를 갖는 제2 실리콘 수지 B 중 적어도 1종의 제2 실리콘 수지 성분과, 히드로실릴화 반응용 촉매를 포함한다.
Description
본 발명은 광 반도체 장치에 있어서 광 반도체 소자를 밀봉하기 위해 이용되는 광 반도체 장치용 밀봉제, 및 상기 광 반도체 장치용 밀봉제를 이용한 광 반도체 장치에 관한 것이다.
발광 다이오드(LED) 장치 등의 광 반도체 장치는 소비 전력은 낮으면서 수명은 길다. 또한, 광 반도체 장치는 가혹한 환경 하에서도 사용될 수 있다. 따라서, 광 반도체 장치는 휴대 전화용 백 라이트, 액정 텔레비젼용 백 라이트, 자동차용 램프, 조명 기구 및 간판 등의 폭넓은 용도로 사용되고 있다.
광 반도체 장치에 이용되고 있는 발광 소자인 광 반도체 소자(예를 들면 LED)가 대기와 직접 접촉하면, 대기 중의 수분 또는 부유하는 먼지 등에 의해 광 반도체 소자의 발광 특성이 급속히 저하된다. 이 때문에, 상기 광 반도체 소자는 통상, 광 반도체 장치용 밀봉제에 의해 밀봉되어 있다.
하기 특허문헌 1에는 광 반도체 장치용 밀봉제로서, 수소 첨가 비스페놀 A 글리시딜에테르와, 지환식 에폭시 단량체와, 잠재성 촉매를 포함하는 에폭시 수지 재료가 개시되어 있다. 이 에폭시 수지 재료는 열 양이온 중합에 의해 경화한다.
하기 특허문헌 2에는 광 반도체 장치용 밀봉제로서, 에폭시 수지와, 특정 에폭시 변성 오르가노폴리실록산과, 경화제와, 부피 평균 입경이 1 내지 100 nm인 무기 산화물 입자를 포함하는 에폭시 수지 조성물이 개시되어 있다. 여기서는 상기 무기 산화물 입자로서 이산화규소 입자가 예시되어 있다.
또한, 에폭시 수지를 포함하는 광 반도체 장치용 밀봉제뿐만 아니라, 실리콘 수지를 포함하는 광 반도체 장치용 밀봉제도 널리 이용되고 있다. 상기 실리콘 수지는 청색으로부터 자외 영역의 단파장의 빛에 대한 투과성이 높고, 내열성 및 내광성이 우수하다.
그러나, 상기 실리콘 수지를 포함하는 밀봉제를 이용한 경우에는 밀봉제의 경화물의 표면이 끈적거리기 때문에, 표면에 먼지 등의 이물질이 부착되기 쉬워진다는 문제가 있다. 또한, 경화물의 표면이 끈적거리면, 패키지끼리의 달라붙음 및 실장시의 픽업 노즐에의 부착이 발생하여 광 반도체 장치의 생산성이 크게 저하된다는 문제가 있다.
한편, 하기 특허문헌 3에 기재된 바와 같이, 가교 밀도가 높아진 실리콘 수지를 포함하는 밀봉제가 알려져 있다.
특허문헌 1에 기재된 바와 같은 종래의 광 반도체 장치용 밀봉제가 가열과 냉각을 반복하여 받는 가혹한 환경에서 사용되면, 밀봉제에 균열이 생기거나 밀봉제가 하우징재 등으로부터 박리되거나 할 수 있다.
또한, 발광 소자의 배면측에 도달한 빛을 반사시키기 위해, 발광 소자의 배면에, 은도금된 전극이 형성되어 있을 수 있다. 밀봉제에 균열이 생기거나 밀봉제가 하우징재로부터 박리되거나 하면, 은도금된 전극이 대기에 노출된다. 이 경우에는, 대기 중에 존재하는 황화수소 가스 또는 아황산 가스 등의 부식성 가스에 의해 은도금이 변색될 수 있다. 전극이 변색되면 반사율이 저하되기 때문에, 발광 소자가 발하는 빛의 밝기가 저하된다는 문제가 있다.
특허문헌 2에 기재된 바와 같은 종래의 광 반도체 장치용 밀봉제에서는 이산화규소 입자 등의 무기 산화물 입자의 분산성이 낮을 수 있다. 이 때문에, 밀봉제에 형광체가 첨가된 경우에 또는 밀봉제가 형광체를 포함하는 경우에, 형광체의 비중이 큰 점 등으로 인해 형광체가 침강할 수 있다. 이 때문에, 광 반도체 장치로부터 취출되는 빛의 밝기가 낮을 수 있다.
또한, 형광체가 침강한 광 반도체 장치용 밀봉제를 이용하여 광 반도체 장치를 제작하면, 얻어진 복수의 광 반도체 장치로부터 발해지는 빛의 색이 상이할 수 있다. 또한, 형광체의 침강을 방지하기 위해 밀봉제의 점도를 올린 종래의 광 반도체 장치용 밀봉제에서는 점도가 너무 높아 디스펜스성이 낮다는 문제도 있다.
또한, 특허문헌 3에 기재된 밀봉제에서는 상기 밀봉제에 포함되는 실리콘 수지의 가교 밀도가 높기 때문에, 경화물의 표면의 끈적임이 비교적 적다. 그러나, 경화물의 표면의 끈적임을 더 한층 억제할 수 있는 밀봉제가 강하게 요구되고 있다. 또한, 특허문헌 3에 기재된 밀봉제에서는 기계적 강도 및 접착성이 상당히 낮을 수 있다. 이 때문에, 열 사이클을 반복하여 받으면, 밀봉제에 균열이 생기거나 밀봉제가 하우징재 등으로부터 박리되거나 할 수 있다.
또한, 종래의 광 반도체 장치용 밀봉제를 이용한 광 반도체 장치에서는 내습성이 낮을 수 있다. 즉, 종래의 광 반도체 장치용 밀봉제를 이용한 광 반도체 장치가 고온 다습의 가혹한 환경에서 사용된 경우에는 발광시의 밝기가 서서히 저하된다는 문제가 있다.
본 발명은 부식성 가스에 대하여 높은 가스 배리어성을 갖고, 가혹한 환경 하에서 사용되더라도 균열 또는 박리가 생기기 어려운 광 반도체 장치용 밀봉제, 및 상기 광 반도체 장치용 밀봉제를 이용한 광 반도체 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 한정적인 목적은 형광체가 첨가되었을 때에 또는 형광체가 포함되는 경우에, 상기 형광체의 침강을 억제할 수 있으면서 디스펜스성이 양호하고, 또한 복수의 광 반도체 장치를 제작했을 때에, 얻어진 광 반도체 장치로부터 취출되는 빛의 밝기가 높으면서 얻어진 복수의 광 반도체 장치로부터 발해지는 빛의 색의 편차가 생기기 어려운 광 반도체 장치용 밀봉제, 및 상기 광 반도체 장치용 밀봉제를 이용한 광 반도체 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 더 한정적인 목적은 표면의 끈적임을 억제할 수 있는 광 반도체 장치용 밀봉제, 및 상기 광 반도체 장치용 밀봉제를 이용한 광 반도체 장치를 제공하는 것이다. 본 발명의 다른 한정적인 목적은 내습 신뢰성이 높은 광 반도체 장치용 밀봉제, 및 상기 광 반도체 장치용 밀봉제를 이용한 광 반도체 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 넓은 국면에 따르면, 하기 식 (1A)로 표시되고 규소 원자에 결합한 수소 원자를 갖지 않으며 아릴기와 알케닐기를 갖는 제1 실리콘 수지 A, 및 하기 식 (1B)로 표시되고 규소 원자에 결합한 수소 원자를 갖지 않으며 아릴기와 알케닐기를 갖는 제1 실리콘 수지 B 중 적어도 1종의 제1 실리콘 수지 성분과, 하기 식 (51A)로 표시되며 아릴기와 규소 원자에 직접 결합하고 있는 수소 원자를 갖는 제2 실리콘 수지 A, 및 하기 식 (51B)로 표시되며 아릴기와 규소 원자에 직접 결합하고 있는 수소 원자를 갖는 제2 실리콘 수지 B 중 적어도 1종의 제2 실리콘 수지 성분과, 히드로실릴화 반응용 촉매를 포함하고, 상기 제1 실리콘 수지 A에서의 하기 식 (a1)로부터 구해지는 아릴기의 함유 비율이 30 몰％ 이상 70 몰％ 이하이고, 상기 제1 실리콘 수지 B에서의 하기 식 (b1)로부터 구해지는 아릴기와 페닐렌기의 합계의 함유 비율이 30 몰％ 이상 70 몰％ 이하이고, 상기 제2 실리콘 수지 A에서의 하기 식 (a51)로부터 구해지는 아릴기의 함유 비율이 30 몰％ 이상 70 몰％ 이하이고, 상기 제2 실리콘 수지 B에서의 하기 식 (b1)로부터 구해지는 아릴기와 페닐렌기의 합계의 함유 비율이 30 몰％ 이상 70 몰％ 이하인 광 반도체 장치용 밀봉제가 제공된다.
상기 식 (1A) 중, a, b 및 c는 a/(a+b+c)=0 내지 0.50, b/(a+b+c)=0.40 내지 1.0 및 c/(a+b+c)=0 내지 0.50을 만족시키고, R1 내지 R6은 적어도 1개가 아릴기에 상당하는 페닐기를 나타내고, 적어도 1개가 알케닐기를 나타내며, 페닐기 및 알케닐기 이외의 R1 내지 R6은 탄소수 1 내지 8의 탄화수소기를 나타낸다.
상기 식 (1B) 중, a, b, c 및 d는 a/(a+b+c+d)=0 내지 0.40, b/(a+b+c+d)=0.40 내지 0.99, c/(a+b+c+d)=0 내지 0.50 및 d/(a+b+c+d)=0.01 내지 0.40을 만족시키고, R1 내지 R6은 적어도 1개가 아릴기에 상당하는 페닐기를 나타내고, 적어도 1개가 알케닐기를 나타내며, 페닐기 및 알케닐기 이외의 R1 내지 R6은 탄소수 1 내지 8의 탄화수소기를 나타내고, R7 내지 R10은 각각 탄소수 1 내지 8의 탄화수소기를 나타내고, R11은 탄소수 1 내지 8의 2가의 탄화수소기를 나타낸다.
상기 식 (51A) 중, p, q 및 r은 p/(p+q+r)=0.05 내지 0.50, q/(p+q+r)=0.05 내지 0.50 및 r/(p+q+r)=0.20 내지 0.80을 만족시키고, R51 내지 R56은 적어도 1개가 아릴기에 상당하는 페닐기를 나타내고, 적어도 1개가 규소 원자에 직접 결합하고 있는 수소 원자를 나타내며, 페닐기 및 규소 원자에 직접 결합하고 있는 수소 원자 이외의 R51 내지 R56은 탄소수 1 내지 8의 탄화수소기를 나타낸다.
상기 식 (51B) 중, p, q, r 및 s는 p/(p+q+r+s)=0.05 내지 0.50, q/(p+q+r+s)=0.05 내지 0.50, r/(p+q+r+s)=0.20 내지 0.80 및 s/(p+q+r+s)=0.01 내지 0.40을 만족시키고, R51 내지 R56은 적어도 1개가 아릴기에 상당하는 페닐기를 나타내고, 적어도 1개가 규소 원자에 직접 결합하고 있는 수소 원자를 나타내며, 페닐기 및 규소 원자에 직접 결합하고 있는 수소 원자 이외의 R51 내지 R56은 탄소수 1 내지 8의 탄화수소기를 나타내고, R57 내지 60은 각각 탄소수 1 내지 8의 탄화수소기를 나타내고, R61은 탄소수 1 내지 8의 2가의 탄화수소기를 나타낸다.
아릴기의 함유 비율( 몰％)=(상기 제1 실리콘 수지 A의 1 분자당에 포함되는 아릴기의 평균 개수×아릴기의 분자량/상기 제1 실리콘 수지 A의 수 평균 분자량)×100 … 식 (a1)
아릴기와 페닐렌기의 합계의 함유 비율( 몰％)={(상기 제1 실리콘 수지 B의 1 분자당에 포함되는 아릴기의 평균 개수×아릴기의 분자량+상기 제1 실리콘 수지 B의 1 분자당에 포함되는 페닐렌기의 평균 개수×페닐렌기의 분자량)/상기 제1 실리콘 수지 B의 수 평균 분자량}×100 … 식 (b1)
아릴기의 함유 비율( 몰％)=(상기 제2 실리콘 수지 A의 1 분자당에 포함되는 아릴기의 평균 개수×아릴기의 분자량/상기 제2 실리콘 수지 A의 수 평균 분자량)×100 … 식 (a51)
아릴기와 페닐렌기의 합계의 함유 비율( 몰％)={(상기 제2 실리콘 수지 B의 1 분자당에 포함되는 아릴기의 평균 개수×아릴기의 분자량+상기 제2 실리콘 수지 B의 1 분자당에 포함되는 페닐렌기의 평균 개수×페닐렌기의 분자량)/상기 제2 실리콘 수지 B의 수 평균 분자량}×100 … 식 (b51)
본 발명에 따른 광 반도체 장치용 밀봉제의 어느 특정 국면에서는 상기 제1 실리콘 수지 B 및 상기 제2 실리콘 수지 B 중 적어도 한쪽이 포함되어 있다.
본 발명에 따른 광 반도체 장치용 밀봉제의 다른 특정 국면에서는 상기 제1 실리콘 수지 성분이 상기 제1 실리콘 수지 A이고, 상기 제1 실리콘 수지 A가 하기 식 (1A-1)로 표시되고 규소 원자에 결합한 수소 원자를 갖지 않으며 아릴기와 알케닐기를 갖는 제1 실리콘 수지 A-1을 포함하고, 상기 제1 실리콘 수지 A-1에서의 하기 식 (a1-1)로부터 구해지는 아릴기의 함유 비율이 30 몰％ 이상 70 몰％ 이하이다.
상기 식 (1A-1) 중, a 및 b는 a/(a+b)=0.05 내지 0.50 및 b/(a+b)=0.50 내지 0.95를 만족시키고, R1 내지 R5는 적어도 1개가 아릴기에 상당하는 페닐기를 나타내고, 적어도 1개가 알케닐기를 나타내며, 페닐기 및 알케닐기 이외의 R1 내지 R5는 탄소수 1 내지 8의 탄화수소기를 나타내되, 단 상기 식 (1B) 중의 (R1R2R3SiO1 /2)로 표시되는 구조 단위는, R1이 알케닐기를 나타내고, R2 및 R3이 알케닐기, 아릴기 또는 탄소수 1 내지 8의 탄화수소기를 나타내는 구조 단위를 포함한다.
아릴기의 함유 비율( 몰％)=(상기 제1 실리콘 수지 A-1의 1 분자당에 포함되는 아릴기의 평균 개수×아릴기의 분자량/상기 제1 실리콘 수지 A-1의 수 평균 분자량)×100 … 식 (a1-1)
본 발명에 따른 광 반도체 장치용 밀봉제의 또 다른 특정 국면에서는 상기 제1 실리콘 수지 A가 상기 제1 실리콘 수지 A-1을 포함하며, 하기 식 (1A-2)로 표시되고 상기 제1 실리콘 수지 A-1에 상당하지 않고 규소 원자에 결합한 수소 원자를 갖지 않으며 아릴기와 알케닐기를 갖는 제1 실리콘 수지 A-2를 포함하지 않거나 또는 포함하고, 상기 제1 실리콘 수지 A-2가 포함되는 경우에, 상기 제1 실리콘 수지 A-2에서의 하기 식 (a1-2)로부터 구해지는 아릴기의 함유 비율이 30 몰％ 이상 70 몰％ 이하이고, 상기 제1 실리콘 수지 A-1과 상기 제1 실리콘 수지 A-2의 합계 100 중량％ 중, 상기 제1 실리콘 수지 A-1의 함유량이 50 중량％ 초과 100 중량％ 이하이다.
상기 식 (1A-2) 중, a, b 및 c는 a/(a+b+c)=0 내지 0.50, b/(a+b+c)=0.40 내지 1.0 및 c/(a+b+c)=0 내지 0.50을 만족시키고, R1 내지 R6은 적어도 1개가 아릴기에 상당하는 페닐기를 나타내고, R4 내지 R6은 적어도 1개가 알케닐기를 나타내며, 페닐기 및 알케닐기 이외의 R1 내지 R6은 탄소수 1 내지 8의 탄화수소기를 나타낸다.
아릴기의 함유 비율( 몰％)=(상기 제1 실리콘 수지 A-2의 1 분자당에 포함되는 아릴기의 평균 개수×아릴기의 분자량/상기 제1 실리콘 수지 A-2의 수 평균 분자량)×100 … 식 (a1-2)
본 발명에 따른 광 반도체 장치용 밀봉제의 다른 특정 국면에서는 상기 제1 실리콘 수지 A가 상기 제1 실리콘 수지 A-1을 포함하며, 상술한 식 (1A-2)로 표시되고 상기 제1 실리콘 수지 A-1에 상당하지 않고 규소 원자에 결합한 수소 원자를 갖지 않으며 아릴기와 알케닐기를 갖는 제1 실리콘 수지 A-2를 포함하고, 상기 제1 실리콘 수지 A-2에서의 상술한 식 (a1-2)로부터 구해지는 아릴기의 함유 비율이 30 몰％ 이상 70 몰％ 이하이다.
본 발명에 따른 광 반도체 장치용 밀봉제의 또 다른 특정 국면에서는 상기 제1 실리콘 수지 A가 상기 제1 실리콘 수지 A-1과 상기 제1 실리콘 수지 A-2의 양쪽을 포함하고, 상기 제1 실리콘 수지 A-2의 100 중량부에 대하여 상기 제1 실리콘 수지 A-1의 함유량이 5 중량부 이상 100 중량부 이하이다.
본 발명에 따른 광 반도체 장치용 밀봉제의 다른 특정 국면에서는 상기 제2 실리콘 수지 성분은 상기 제2 실리콘 수지 A이다.
본 발명에 따른 광 반도체 장치용 밀봉제의 또 다른 특정 국면에서는 상기 식 (51A) 중의 (R51R52R53SiO1 /2)로 표시되는 구조 단위는, R51이 규소 원자에 결합한 수소 원자를 나타내고, R52 및 R53이 수소 원자, 페닐기 또는 탄소수 1 내지 8의 탄화수소기를 나타내는 구조 단위를 포함한다.
본 발명에 따른 광 반도체 장치용 밀봉제의 다른 특정 국면에서는 상기 제1 실리콘 수지 A 및 상기 제2 실리콘 수지 B는 각각 1개의 규소 원자에 2개의 페닐기가 결합한 디페닐실록산 구조 단위를 포함하고, 상기 제1 실리콘 수지 A 및 상기 제2 실리콘 수지 B의 전체 실록산 구조 단위 100 몰％ 중, 1개의 규소 원자에 2개의 페닐기가 결합한 디페닐실록산 구조 단위의 비율이 30 몰％ 이상이다.
본 발명에 따른 광 반도체 장치용 밀봉제의 또 다른 특정 국면에서는 상기 제2 실리콘 수지 A 및 상기 제2 실리콘 수지 B는 각각 하기 식 (51-a)로 표시되는 구조 단위를 포함하고, 상기 제2 실리콘 수지 A 및 상기 제2 실리콘 수지 B의 전체 실록산 구조 단위 100 몰％ 중, 하기 식 (51-a)로 표시되는 구조 단위의 비율이 5 몰％ 이상이다.
상기 식 (51-a) 중, R52 및 R53은 각각 수소 원자, 페닐기 또는 탄소수 1 내지 8의 탄화수소기를 나타낸다.
본 발명에 따른 광 반도체 장치용 밀봉제의 다른 특정 국면에서는 산화규소 입자가 더 포함되어 있다.
본 발명에 따른 광 반도체 장치용 밀봉제의 또 다른 특정 국면에서는 상기 산화규소 입자는 유기 규소 화합물에 의해 표면 처리되어 있다.
본 발명에 따른 광 반도체 장치용 밀봉제의 다른 특정 국면에서는 상기 유기 규소 화합물은 디메틸실릴기를 갖는 유기 규소 화합물, 트리메틸실릴기를 갖는 유기 규소 화합물 및 폴리디메틸실록산기를 갖는 유기 규소 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종이다.
본 발명에 따른 광 반도체 장치용 밀봉제의 또 다른 특정 국면에서는 상기 제1 실리콘 수지 A 및 상기 제1 실리콘 수지 B의 E형 점도계를 이용하여 측정된 25℃에서의 5 rpm에서의 각 점도가 500 mPa?s 이상 20000 mPa?s 이하이고, 상기 제2 실리콘 수지 A 및 상기 제2 실리콘 수지 B의 E형 점도계를 이용하여 측정된 25℃에서의 5 rpm에서의 각 점도가 500 mPa?s 이상 5000 mPa?s 이하이다.
본 발명에 따른 광 반도체 장치용 밀봉제에서는 E형 점도계를 이용하여 측정된 25℃에서의 5 rpm에서의 점도가 1000 mPa?s 이상 10000 mPa?s 이하인 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 광 반도체 장치용 밀봉제에서는 평행판형 레오미터를 이용하여 25℃에서부터 승온 속도 20℃/분으로 가열했을 때에, 25℃에서부터 경화 온도까지의 온도 영역에서의 전단 속도 1 s-1에서의 최저 점도가 200 mPa?s 이상인 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 광 반도체 장치용 밀봉제에서는 E형 점도계를 이용하여 측정된 25℃에서의 1 rpm에서의 점도의 E형 점도계를 이용하여 측정된 25℃에서의 10 rpm에서의 점도에 대한 비가 1.2 이상 2.5 이하인 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 광 반도체 장치용 밀봉제의 다른 특정 국면에서는 형광체가 더 포함되어 있다.
본 발명에 따른 광 반도체 장치는 광 반도체 소자와, 상기 광 반도체 소자를 밀봉하도록 설치되어 있으며 본 발명에 따라 구성된 광 반도체 장치용 밀봉제를 구비한다.
본 발명에 따른 광 반도체 장치용 밀봉제는 식 (1A) 또는 식 (1B)로 표시되며 아릴기와 알케닐기를 갖는 제1 실리콘 수지 A 또는 제1 실리콘 수지 B 중 적어도 1종의 제1 실리콘 수지 성분과, 식 (51A) 또는 식 (51B)로 표시되며 아릴기와 규소 원자에 직접 결합하고 있는 수소 원자를 갖는 제2 실리콘 수지 A 또는 제2 실리콘 수지 B 중 적어도 1종의 제2 실리콘 수지 성분과, 히드로실릴화 반응용 촉매를 포함하고, 상기 제1, 제2의 실리콘 수지 A, B에서의 아릴기의 함유 비율 또는 아릴기와 페닐렌기의 합계의 함유 비율이 특정 범위 내이기 때문에, 가스 배리어성이 우수하다.
또한, 본 발명에 따른 광 반도체 장치용 밀봉제에 의해 발광 다이오드 등의 광 반도체 소자를 밀봉했을 때에, 경화한 밀봉제에 균열이 생기기 어려우면서 경화한 밀봉제는 하우징재 등으로부터 박리되기 어렵다.
도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 광 반도체 장치를 나타내는 정면 단면도이다.
이하, 본 발명의 상세를 설명한다.
본 발명에 따른 광 반도체 장치용 밀봉제는 하기의 구성 X를 구비한다.
구성 X:
본 발명에 따른 광 반도체 장치용 밀봉제는 제1 실리콘 수지 성분과, 제2 실리콘 수지 성분과, 히드로실릴화 반응용 촉매를 포함한다.
상기 제1 실리콘 수지 성분은 식 (1A)로 표시되고 규소 원자에 결합한 수소 원자를 갖지 않으며 아릴기와 알케닐기를 갖는 제1 실리콘 수지 A, 및 식 (1B)로 표시되고 규소 원자에 결합한 수소 원자를 갖지 않으며 아릴기와 알케닐기를 갖는 제1 실리콘 수지 B 중 적어도 1종이다. 상기 제1 실리콘 수지 성분은 상기 제1 실리콘 수지 A만일 수도 있고, 상기 제1 실리콘 수지 B만일 수도 있으며, 상기 제1 실리콘 수지 A와 상기 제1 실리콘 수지 B의 양쪽일 수도 있다.
상기 제2 실리콘 수지 성분은 식 (51A)로 표시되며 아릴기와 규소 원자에 직접 결합하고 있는 수소 원자를 갖는 제2 실리콘 수지 A, 및 식 (51B)로 표시되며 아릴기와 규소 원자에 직접 결합하고 있는 수소 원자를 갖는 제2 실리콘 수지 B 중 적어도 1종이다. 상기 제2 실리콘 수지 성분은 상기 제2 실리콘 수지 A만일 수도 있고, 상기 제2 실리콘 수지 B만일 수도 있으며, 상기 제2 실리콘 수지 A와 상기 제2 실리콘 수지 B의 양쪽일 수도 있다.
상기 제1 실리콘 수지 A에서의 식 (a1)로부터 구해지는 아릴기의 함유 비율은 30 몰％ 이상 70 몰％ 이하이다. 상기 제1 실리콘 수지 B에서의 식 (b1)로부터 구해지는 아릴기와 페닐렌기의 합계의 함유 비율은 30 몰％ 이상 70 몰％ 이하이다. 상기 제2 실리콘 수지 A에서의 식 (a51)로부터 구해지는 아릴기의 함유 비율은 30 몰％ 이상 70 몰％ 이하이다. 상기 제2 실리콘 수지 B에서의 식 (b1)로부터 구해지는 아릴기와 페닐렌기의 합계의 함유 비율은 30 몰％ 이상 70 몰％ 이하이다.
상기 구성 X의 채용에 의해 가스 배리어성이 우수하고 균열 및 박리가 생기기 어려운 밀봉제를 얻을 수 있다.
본 발명에 따른 광 반도체 장치용 밀봉제는 상술한 구성 X에 더하여 하기의 구성 Y를 더 구비하는 것이 바람직하다.
구성 Y:
본 발명에 따른 광 반도체 장치용 밀봉제는 상기 제1 실리콘 수지 성분과, 상기 제2 실리콘 수지 성분과, 상기 히드로실릴화 반응용 촉매에 더하여, 유기 규소 화합물에 의해 표면 처리되어 있는 산화규소 입자를 더 포함하는 것이 바람직하다. 상기 제1 실리콘 수지 A(후술하는 제1 실리콘 수지 A-1, A-2가 포함될 수 있음) 및 상기 제1 실리콘 수지 B는 각각 1개의 규소 원자에 2개의 페닐기가 결합한 디페닐실록산 구조 단위를 포함하고, 상기 제1 실리콘 수지 A 및 상기 제1 실리콘 수지 B의 전체 실록산 구조 단위 100 몰％ 중, 1개의 규소 원자에 2개의 페닐기가 결합한 디페닐실록산 구조 단위의 비율이 30 몰％ 이상이고, 또한 상기 제1 실리콘 수지 A 및 상기 제1 실리콘 수지 B의 E형 점도계를 이용하여 측정된 25℃에서의 5 rpm에서의 점도가 500 mPa?s 이상 20000 mPa?s 이하이고, 상기 제2 실리콘 수지 A 및 상기 제2 실리콘 수지 B의 E형 점도계를 이용하여 측정된 25℃에서의 5 rpm에서의 점도가 500 mPa?s 이상 5000 mPa?s 이하이거나, 또는 광 반도체 장치용 밀봉제의 E형 점도계를 이용하여 측정된 25℃에서의 5 rpm에서의 점도 η1이 1000 mPa?s 이상 10000 mPa?s 이하이며, 광 반도체 장치용 밀봉제의 E형 점도계를 이용하여 측정된 25℃에서의 1 rpm에서의 점도 η2의 E형 점도계를 이용하여 측정된 25℃에서의 10 rpm에서의 점도 η3에 대한 비(η2/η3)가 1.2 이상 2.5 이하인 것이 바람직하다.
상기 구성 Y의 채용에 의해, 밀봉제에 있어서, 형광체가 첨가되었을 때에 또는 형광체가 포함되는 경우에, 상기 형광체의 침강을 억제할 수 있으면서 밀봉제의 디스펜스성(도포성)을 양호하게 할 수 있다. 또한, 밀봉제를 이용하여 복수의 광 반도체 장치를 제작했을 때에, 얻어진 광 반도체 장치로부터 취출되는 빛의 밝기를 높게 할 수 있으면서 얻어진 복수의 광 반도체 장치로부터 발해지는 빛의 색의 편차가 생기기 어렵게 할 수 있다.
본 발명에 따른 광 반도체 장치용 밀봉제는 상술한 구성 X에 더하여, 하기의 구성 Z를 구비하는 것이 바람직하다.
구성 Z:
본 발명에 따른 광 반도체 장치용 밀봉제는 식 (1A-1)로 표시되고 규소 원자에 결합한 수소 원자를 갖지 않으며 아릴기와 알케닐기를 갖는 제1 실리콘 수지 A-1과, 상기 제2 실리콘 수지 성분과, 상기 히드로실릴화 반응용 촉매를 포함하는 것이 바람직하다. 즉, 본 발명에 따른 광 반도체 장치용 밀봉제는 제1 실리콘 수지 A-1을 필수 성분으로서 포함하는 것이 바람직하다. 이 경우에, 본 발명에 따른 광 반도체 장치용 밀봉제는 식 (1A-2)로 표시되고 상기 제1 실리콘 수지 A-1에 상당하지 않고 규소 원자에 결합한 수소 원자를 갖지 않으며 아릴기와 알케닐기를 갖는 제1 실리콘 수지 A-2를 포함하지 않거나 또는 포함하며, 상기 제1 실리콘 수지 A-2를 포함할 수도 있고, 포함하지 않을 수도 있다. 상기 제1 실리콘 수지 A-1 및 상기 제1 실리콘 수지 A-2는 상기 제1 실리콘 수지 A에 포함되는 수지이다.
상기 제1 실리콘 수지 A-1과 상기 제2 실리콘 수지 성분과 상기 히드로실릴화 반응용 촉매를 포함하는 상기 구성 Z의 채용에 의해, 특히 식 (1A-1) 중의 (R1R2R3SiO1/2)로 표시되는 구조 단위가, R1이 알케닐기를 나타내고, R2 및 R3이 알케닐기, 아릴기 또는 탄소수 1 내지 8의 탄화수소기를 나타내는 구조 단위를 포함함으로써, 밀봉제의 표면의 끈적임을 충분히 억제할 수 있다. 이것은 본원 발명자들에 의해 발견되었다.
또한, 상기 제1 실리콘 수지 A-1과 상기 제2 실리콘 수지 성분과 상기 히드로실릴화 반응용 촉매를 포함하는 상기 구성 Z의 채용에 의해, 특히 제1 실리콘 수지 A-1의 사용에 의해, 광 반도체 장치용 밀봉제의 내습 신뢰성을 높일 수 있다. 이 때문에, 본 발명에 따른 광 반도체 장치용 밀봉제를 이용한 광 반도체 장치가 고온 다습의 가혹한 환경에서 사용된 경우에, 발광시의 밝기가 서서히 저하되기 어려워진다. 상기 제1 실리콘 수지 A-1과 상기 제1 실리콘 수지 A-2의 합계 100 중량％ 중, 상기 제1 실리콘 수지 A-1의 함유량이 50 중량％ 초과 100 중량％ 이하인 경우에는 광 반도체 장치용 밀봉제의 내습 신뢰성을 효과적으로 높일 수 있다.
또한, 상기 제1 실리콘 수지 A와 상기 제1 실리콘 수지 B와 상기 제2 실리콘 수지와 히드로실릴화 반응용 촉매를 포함하는 조성의 채용에 의해, 밀봉제를 이용한 광 반도체 장치가 가열과 냉각을 반복하여 받는 가혹한 환경에서 사용되더라도 밀봉제에 균열 및 박리가 보다 한층 생기기 어려워진다.
본 발명에 따른 광 반도체 장치용 밀봉제는 상술한 구성 X에 더하여, 하기의 다른 구성을 구비하는 것이 바람직하다.
다른 구성:
가스 배리어성이 보다 한층 우수하고 균열 및 박리가 보다 한층 생기기 어려운 밀봉제를 얻는 관점에서는, 본 발명에 따른 광 반도체 장치용 밀봉제는 상기 제1 실리콘 수지 B 및 상기 제2 실리콘 수지 B 중 적어도 한쪽을 포함하는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명에 따른 광 반도체 장치용 밀봉제는 상기 제1 실리콘 수지 A-1과, 상기 제1 실리콘 수지 A-2와, 상기 제2 실리콘 수지 성분과, 상기 히드로실릴화 반응용 촉매를 포함하는 것이 바람직하다. 이 경우에는 밀봉제를 이용한 광 반도체 장치가 가열과 냉각을 반복하여 받는 가혹한 환경에서 사용되더라도 밀봉제에 균열 및 박리가 보다 한층 생기기 어려워진다.
(제1 실리콘 수지)
본 발명에 따른 광 반도체 장치용 밀봉제에 포함되어 있는 제1 실리콘 수지 성분은 하기 식 (1A)로 표시되고 규소 원자에 결합한 수소 원자를 갖지 않으며 아릴기와 알케닐기를 갖는 제1 실리콘 수지 A, 및 하기 식 (1B)로 표시되고 규소 원자에 결합한 수소 원자를 갖지 않으며 아릴기와 알케닐기를 갖는 제1 실리콘 수지 B 중 적어도 1종이다.
상기 제1 실리콘 수지 A, B는 규소 원자에 결합한 수소 원자를 갖지 않기 때문에, 제2 실리콘 수지 성분과는 상이하다. 상기 제1 실리콘 수지 A, B에 있어서, 알케닐기는 규소 원자에 직접 결합되어 있는 것이 바람직하고, 아릴기는 규소 원자에 직접 결합하고 있는 것이 바람직하다. 상기 아릴기로서는 비치환 페닐기 및 치환 페닐기를 들 수 있다. 또한, 상기 알케닐기의 탄소-탄소 이중 결합에서의 탄소 원자가 규소 원자에 결합하고 있을 수도 있고, 상기 알케닐기의 탄소-탄소 이중 결합에서의 탄소 원자와는 상이한 탄소 원자가 규소 원자에 결합하고 있을 수도 있다. 하기 식 (1B)로 표시되는 제1 실리콘 수지 B는 페닐렌기를 가질 수도 있고, 페닐렌기를 갖지 않을 수도 있다. 상기 제1 실리콘 수지 A, B는 각각 1종만이 사용될 수도 있고, 2종 이상이 병용될 수도 있다.
상기 식 (1A) 중, a, b 및 c는 a/(a+b+c)=0 내지 0.50, b/(a+b+c)=0.40 내지 1.0 및 c/(a+b+c)=0 내지 0.50을 만족시키고, R1 내지 R6은 적어도 1개가 아릴기에 상당하는 페닐기를 나타내고, 적어도 1개가 알케닐기를 나타내며, 페닐기 및 알케닐기 이외의 R1 내지 R6은 탄소수 1 내지 8의 탄화수소기를 나타낸다. 또한, 상기 식 (1A) 중, (R4R5SiO2 /2)로 표시되는 구조 단위 및 (R6SiO3 /2)로 표시되는 구조 단위는 각각 알콕시기를 가질 수도 있고, 히드록시기를 가질 수도 있다.
상기 식 (1B) 중, a, b, c 및 d는 a/(a+b+c+d)=0 내지 0.40, b/(a+b+c+d)=0.40 내지 0.99, c/(a+b+c+d)=0 내지 0.50 및 d/(a+b+c+d)=0.01 내지 0.40을 만족시키고, R1 내지 R6은 적어도 1개가 아릴기에 상당하는 페닐기를 나타내고, 적어도 1개가 알케닐기를 나타내며, 페닐기 및 알케닐기 이외의 R1 내지 R6은 탄소수 1 내지 8의 탄화수소기를 나타내고, R7 내지 R10은 각각 탄소수 1 내지 8의 탄화수소기를 나타내고, R11은 탄소수 1 내지 8의 2가의 탄화수소기를 나타낸다. 또한, 상기 식 (1B) 중, (R4R5SiO2/2)로 표시되는 구조 단위, (R6SiO3/2)로 표시되는 구조 단위, (R7R8R9R10Si2R11O2 /2)로 표시되는 구조 단위는 각각 알콕시기를 가질 수도 있고, 히드록시기를 가질 수도 있다.
상기 제1 실리콘 수지 A는 하기 식 (1A-1)로 표시되고 규소 원자에 결합한 수소 원자를 갖지 않으며 아릴기와 알케닐기를 갖는 제1 실리콘 수지 A-1을 포함하는 것이 바람직하다. 이 경우에, 상기 제1 실리콘 수지 성분이 상기 제1 실리콘 수지 A를 포함하고, 또한 상기 제1 실리콘 수지 A인 것이 바람직하다.
상기 식 (1A-1) 중, a 및 b는 a/(a+b)=0.05 내지 0.50 및 b/(a+b)=0.50 내지 0.95를 만족시키고, R1 내지 R5는 적어도 1개가 아릴기에 상당하는 페닐기를 나타내고, 적어도 1개가 알케닐기를 나타내며, 페닐기 및 알케닐기 이외의 R1 내지 R5는 탄소수 1 내지 8의 탄화수소기를 나타내되, 단 상기 식 (1A-1) 중의 (R1R2R3SiO1/2)로 표시되는 구조 단위는, R1이 알케닐기를 나타내고, R2 및 R3이 알케닐기, 아릴기 또는 탄소수 1 내지 8의 탄화수소기를 나타내는 구조 단위를 포함한다. 상기 식 (1A-1) 중의 (R1R2R3SiO1 /2)로 표시되는 구조 단위는, R1이 알케닐기를 나타내고, R2 및 R3이 알케닐기, 페닐기 또는 탄소수 1 내지 8의 탄화수소기를 나타내는 구조 단위를 포함하는 것이 바람직하다. 또한, 상기 식 (1A-1) 중, (R4R5SiO2/2)로 표시되는 구조 단위는 알콕시기를 가질 수도 있고, 히드록시기를 가질 수도 있다.
또한, 상기 제1 실리콘 수지 A는 상기 제1 실리콘 수지 A-1을 포함하며, 하기 식 (1A-2)로 표시되고 상기 제1 실리콘 수지 A-1에 상당하지 않고 규소 원자에 결합한 수소 원자를 갖지 않으며 아릴기와 알케닐기를 갖는 제1 실리콘 수지 A-2를 포함하지 않거나, 또는 포함하는 것이 바람직하다. 또한, 상기 제1 실리콘 수지 A는 상기 제1 실리콘 수지 A-2를 포함하는 것이 바람직하다.
상기 식 (1A-2) 중, a, b 및 c는 a/(a+b+c)=0 내지 0.50, b/(a+b+c)=0.40 내지 1.0 및 c/(a+b+c)=0 내지 0.50을 만족시키고, R1 내지 R6은 적어도 1개가 아릴기에 상당하는 페닐기를 나타내고, R4 내지 R6은 적어도 1개가 알케닐기를 나타내며, 페닐기 및 알케닐기 이외의 R1 내지 R6은 탄소수 1 내지 8의 탄화수소기를 나타낸다. 또한, 상기 식 (1A-2) 중, (R4R5SiO2/2)로 표시되는 구조 단위 및 (R6SiO3/2)로 표시되는 구조 단위는 각각 알콕시기를 가질 수도 있고, 히드록시기를 가질 수도 있다.
상기 식 (1A), 상기 식 (1A-1), 상기 식 (1A-2) 및 상기 식 (1B)는 평균 조성식을 나타낸다. 상기 식 (1A), 상기 식 (1A-1), 상기 식 (1A-2) 및 상기 식 (1B)에서의 탄화수소기는 직쇄상일 수도 있고 분지상일 수도 있다. 상기 식 (1A), 상기 식 (1A-2) 및 상기 식 (1B) 중의 R1 내지 R6은 동일할 수도 있고 상이할 수도 있다. 상기 식 (1A-1) 중의 R1 내지 R5는 동일할 수도 있고 상이할 수도 있다. 상기 식 (1B) 중의 R7 내지 R10은 동일할 수도 있고 상이할 수도 있다.
상기 식 (1A), 상기 식 (1A-1), 상기 식 (1A-2) 및 상기 식 (1B) 중, (R4R5SiO2/2)로 표시되는 구조 단위에서의 산소 원자 부분, (R6SiO3/2)로 표시되는 구조 단위에서의 산소 원자 부분, (R7R8R9R10Si2R11O2/2)로 표시되는 구조 단위에서의 산소 원자 부분은 각각 실록산 결합을 형성하고 있는 산소 원자 부분, 알콕시기의 산소 원자 부분, 또는 히드록시기의 산소 원자 부분을 나타낸다.
또한, 일반적으로 상기 식 (1A), 상기 식 (1A-1), 상기 식 (1A-2) 및 상기 식 (1B)의 각 구조 단위에 있어서, 알콕시기의 함유량은 적고, 또한 히드록시기의 함유량도 적다. 이것은 일반적으로, 제1 실리콘 수지 A, B를 얻기 위해 알콕시실란 화합물 등의 유기 규소 화합물을 가수분해하고, 중축합시키면, 알콕시기 및 히드록시기의 대부분은 실록산 결합의 부분 골격으로 변환되기 때문이다. 즉, 알콕시기의 산소 원자 및 히드록시기의 산소 원자의 대부분은 실록산 결합을 형성하고 있는 산소 원자로 변환된다. 상기 식 (1A), 상기 식 (1A-1), 상기 식 (1A-2) 및 상기 식 (1B)의 각 구조 단위가 알콕시기 또는 히드록시기를 갖는 경우에는, 실록산 결합의 부분 골격으로 변환되지 않은 미반응 알콕시기 또는 히드록시기가 미미하게 잔존해 있는 것을 나타낸다. 후술하는 식 (51A) 및 (51B)의 각 구조 단위가 알콕시기 또는 히드록시기를 갖는 경우에 대해서도 동일하다고 할 수 있다.
상기 식 (1A), 상기 식 (1A-1), 상기 식 (1A-2) 및 상기 식 (1B) 중 알케닐기로서는, 비닐기, 알릴기, 부테닐기, 펜테닐기 및 헥세닐기 등을 들 수 있다. 가스 배리어성을 보다 한층 높이는 관점에서는, 상기 식 (1A), 상기 식 (1A-1), 상기 식 (1A-2) 및 상기 식 (1B) 중의 알케닐기는 비닐기 또는 알릴기인 것이 바람직하고, 비닐기인 것이 보다 바람직하다.
상기 식 (1A), 상기 식 (1A-1), 상기 식 (1A-2) 및 상기 식 (1B)에서의 탄소수 1 내지 8의 탄화수소기로서는 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 메틸기, 에틸기, n-프로필기, n-부틸기, n-펜틸기, n-헥실기, n-헵틸기, n-옥틸기, 이소프로필기, 이소부틸기, sec-부틸기, t-부틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기, t-펜틸기, 이소헥실기 및 시클로헥실기를 들 수 있다. 상기 식 (1B)에서의 탄소수 1 내지 8의 2가의 탄화수소기로서는 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 메틸렌기, 에틸렌기, 프로필렌기, 부틸렌기, 펜틸렌기, 헥실렌기, 시클로헥실렌기 및 페닐렌기 등을 들 수 있다.
상기 식 (1A)로 표시되는 제1 실리콘 수지 A에서의 하기 식 (a1)로부터 구해지는 아릴기의 함유 비율은 30 몰％ 이상 70 몰％ 이하이다.
아릴기의 함유 비율( 몰％)=(상기 제1 실리콘 수지 A의 1 분자당에 포함되는 아릴기의 평균 개수×아릴기의 분자량/상기 제1 실리콘 수지 A의 수 평균 분자량)×100 … 식 (a1)
상기 식 (1A-1)로 표시되는 제1 실리콘 수지 A-1에서의 하기 식 (a1-1)로부터 구해지는 아릴기의 함유 비율은 30 몰％ 이상 70 몰％ 이하이다.
아릴기의 함유 비율( 몰％)=(상기 제1 실리콘 수지 A-1의 1 분자당에 포함되는 아릴기의 평균 개수×아릴기의 분자량/상기 제1 실리콘 수지 A-1의 수 평균 분자량)×100 … 식 (a1-1)
상기 식 (1A-2)로 표시되는 제1 실리콘 수지 A-2에서의 하기 식 (a1-2)로부터 구해지는 아릴기의 함유 비율은 30 몰％ 이상 70 몰％ 이하이다.
아릴기의 함유 비율( 몰％)=(상기 제1 실리콘 수지 A-2의 1 분자당에 포함되는 아릴기의 평균 개수×아릴기의 분자량/상기 제1 실리콘 수지 A-2의 수 평균 분자량)×100 … 식 (a1-2)
상기 식 (a1), 상기 식 (a1-1) 및 상기 식 (a1-2)에 의해 구해지는 상기 제1 실리콘 수지 A, A-1, A-2의 아릴기의 함유 비율이 30 몰％ 미만이면, 가스 배리어성이 불충분해진다. 아릴기의 함유 비율이 70 몰％를 초과하면, 밀봉제의 박리가 생기기 쉬워진다. 가스 배리어성을 보다 한층 높이는 관점에서는 아릴기의 함유 비율은 35 몰％ 이상인 것이 바람직하다. 밀봉제의 박리를 보다 한층 생기기 어렵게 하는 관점에서는 아릴기의 함유 비율은 65 몰％ 이하인 것이 바람직하다.
상기 식 (1B)로 표시되는 제1 실리콘 수지 B에서의 하기 식 (b1)로부터 구해지는 아릴기와 페닐렌기의 합계의 함유 비율은 30 몰％ 이상 70 몰％ 이하이다.
아릴기와 페닐렌기의 합계의 함유 비율( 몰％)={(상기 제1 실리콘 수지 B의 1 분자당에 포함되는 아릴기의 평균 개수×아릴기의 분자량+상기 제1 실리콘 수지 B의 1 분자당에 포함되는 페닐렌기의 평균 개수×페닐렌기의 분자량)/상기 제1 실리콘 수지 B의 수 평균 분자량}×100 … 식 (b1)
상기 식 (b1)에 의해 구해지는 상기 제1 실리콘 수지 B의 아릴기와 페닐렌기의 합계의 함유 비율이 30 몰％ 미만이면, 가스 배리어성이 불충분해진다. 아릴기와 페닐렌기의 합계의 함유 비율이 70 몰％를 초과하면, 밀봉제의 박리가 생기기 쉬워진다. 가스 배리어성을 보다 한층 높이는 관점에서는 아릴기와 페닐렌기의 합계의 함유 비율은 35 몰％ 이상인 것이 바람직하다. 밀봉제의 박리를 보다 한층 생기기 어렵게 하는 관점에서는 아릴기와 페닐렌기의 합계의 함유 비율은 65 몰％ 이하인 것이 바람직하다.
또한, 상기 식 (1B)로 표시되는 실리콘 수지가 페닐렌기를 갖지 않는 경우에는 상기 아릴기와 페닐렌기의 합계의 함유 비율은 아릴기의 함유 비율을 나타낸다.
제1 실리콘 수지 A, A-1, A-2, B는 각각 오르가노폴리실록산인 것이 바람직하다. 제1 실리콘 수지 A, A-1, A-2, B는 1개의 규소 원자에 2개의 페닐기가 결합한 디페닐실록산 구조 단위를 포함하는 것이 바람직하다. 제1 실리콘 수지 A, A-1, A-2, B의 전체 실록산 구조 단위 100 몰％ 중, 1개의 규소 원자에 2개의 페닐기가 결합한 디페닐실록산 구조 단위의 비율은 30 몰％ 이상인 것이 바람직하다. 디페닐실록산 구조 단위의 비율이 30 몰％ 이상이면, 밀봉제의 디스펜스성이 양호해지고, 복수의 광 반도체 장치로부터 취출되는 빛의 밝기가 더욱 높아진다. 상기 디페닐실록산 구조 단위의 비율은 바람직하게는 40 몰％ 이상, 바람직하게는 60 몰％ 이하이다. 상기 디페닐실록산 구조 단위의 비율이 상기 상한 이하이면, 밀봉제의 디스펜스성이 양호해지고, 반도체 장치로부터 취출되는 빛의 밝기가 보다 높아진다. 이 효과는 제1 실리콘 수지 A, A-1, A-2를 이용한 경우와 제1 실리콘 수지 B를 이용한 경우에서 동일하게 발휘된다.
또한, 상기 제1 실리콘 수지 성분이 상기 제1 실리콘 수지 A이고, 상기 제1 실리콘 수지 A는 1개의 규소 원자에 2개의 페닐기가 결합한 디페닐실록산 구조 단위를 포함하고, 상기 제1 실리콘 수지 A의 전체 실록산 구조 단위 100 몰％ 중, 1개의 규소 원자에 2개의 페닐기가 결합한 디페닐실록산 구조 단위의 비율이 30 몰％ 이상인 것이 바람직하다.
상기 디페닐실록산 구조 단위는 하기 식 (1-b1)로 표시되는 구조 단위인 것이 바람직하다. 또한, 하기 식 (1-b1)로 표시되는 구조 단위에 있어서, 말단의 산소 원자는 일반적으로 인접하는 규소 원자와 실록산 결합을 형성하고 있고, 인접하는 구조 단위와 산소 원자를 공유하고 있다. 따라서, 말단의 1개의 산소 원자를「O1/2」로 한다.
상기 식 (1A), 상기 식 (1A-1), 상기 식 (1A-2) 및 식 (1B) 중, (R4R5SiO2 /2)로 표시되는 구조 단위는 상기 식 (1-b1)로 표시되는 구조 단위를 포함하는 것이 바람직하다. (R4R5SiO2/2)로 표시되는 구조 단위는 상기 식 (1-b1)로 표시되는 구조 단위만을 포함할 수도 있고, 상기 식 (1-b1)로 표시되는 구조 단위와 상기 식 (1-b1)로 표시되는 구조 단위 이외의 구조 단위를 포함할 수도 있다.
상기 제1 실리콘 수지 A, A-1, A-2, B의 E형 점도계를 이용하여 측정된 25℃에서의 5 rpm에서의 점도는 500 mPa?s 이상 20000 mPa?s 이하인 것이 바람직하다. 제1 실리콘 수지 A의 점도가 범위 내인 경우에는, 형광체의 침강을 보다 한층 억제하고, 밀봉제의 디스펜스성을 보다 한층 높이면서 광 반도체 장치로부터 취출되는 빛을 보다 한층 밝게 할 수 있다.
상기 식 (1A-1) 중, (R1R2R3SiO1/2)로 표시되는 구조 단위는, R1이 알케닐기를 나타내고, R2 및 R3이 알케닐기, 아릴기 또는 탄소수 1 내지 8의 탄화수소기를 나타내는 구조 단위를 포함하는 것이 바람직하다. 즉, 상기 식 (1A-1) 중, (R1R2R3SiO1/2)로 표시되는 구조 단위는 하기 식 (1-a)로 표시되는 구조 단위를 포함하는 것이 바람직하다. (R1R2R3SiO1/2)로 표시되는 구조 단위는 하기 식 (1-a)로 표시되는 구조 단위만을 포함할 수도 있고, 하기 식 (1-a)로 표시되는 구조 단위와 하기 식 (1-a)로 표시되는 구조 단위 이외의 구조 단위를 포함할 수도 있다. 또한, 하기 식 (1-a)로 표시되는 구조 단위에 있어서, 말단의 산소 원자는 인접하는 규소 원자와 실록산 결합을 형성하고 있고, 인접하는 구조 단위와 산소 원자를 공유하고 있다. 따라서, 말단의 1개의 산소 원자를 「O1 /2」로 한다.
상기 식 (1-a) 중, R1은 알케닐기를 나타내고, R2 및 R3은 각각 알케닐기, 페닐기 또는 탄소수 1 내지 8의 탄화수소기를 나타낸다. R2 및 R3은 각각 페닐기 또는 탄소수 1 내지 8의 탄화수소기를 나타내는 것이 바람직하다.
밀봉제의 표면의 끈적임을 보다 한층 억제하는 관점에서는 상기 식 (1A-1) 중의 전체 구조 단위 100 몰％ 중, (R1R2R3SiO1 /2)로 표시되는 구조 단위로서, R1이 알케닐기를 나타내고, R2 및 R3이 알케닐기, 페닐기 또는 탄소수 1 내지 8의 탄화수소기를 나타내는 구조 단위(상기 식 (1-a)로 표시되는 구조 단위)의 비율은, 바람직하게는 5 몰％ 이상, 바람직하게는 50 몰％ 이하, 보다 바람직하게는 45 몰％ 이하, 더욱 바람직하게는 40 몰％ 이하이다.
가스 배리어성을 보다 한층 높이는 관점에서는, 상기 식 (1B) 중 (R7R8R9R10Si2R11O2/2)의 구조 단위는 하기 식 (1b-1)로 표시되는 구조 단위인 것이 바람직하다. 하기 식 (1b-1)로 표시되는 구조 단위는 페닐렌기를 갖고, 상기 페닐렌기는 치환 또는 비치환 페닐렌기이다. 본 명세서에 있어서, 「페닐렌기」의 용어에는, 탄소수 1 내지 8의 탄화수소기가 벤젠환으로 치환된 치환 페닐렌기도 포함된다. 또한, 하기 식 (1b-1)로 표시되는 구조 단위에 있어서, 말단의 산소 원자는 일반적으로 인접하는 규소 원자와 실록산 결합을 형성하고 있고, 인접하는 구조 단위와 산소 원자를 공유하고 있다. 따라서, 말단의 1개의 산소 원자를 「O1/2」로 한다.
상기 식 (1b-1) 중, Ra는 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 8의 탄화수소기를 나타내고, R7 내지 R10은 각각 탄소수 1 내지 8의 탄화수소기를 나타낸다. 상기 탄화수소기는 직쇄상일 수도 있고, 분지상일 수도 있다. 또한, 상기 식 (1b-1) 중의 벤젠환에 결합하고 있는 3개의 기의 결합 부위는 특별히 한정되지 않는다.
상기 식 (1B) 중, (R7R8R9R10Si2R11O2/2)의 구조 단위는 하기 식 (1b-2)로 표시되는 구조 단위인 것이 바람직하다. 하기 식 (1b-2)로 표시되는 구조 단위는 페닐렌기를 갖고, 상기 페닐렌기는 치환 또는 비치환 페닐렌기이다. 하기 식 (1b-2) 중의 벤젠환에 결합하고 있는 Ra의 결합 부위는 특별히 한정되지 않는다.
상기 식 (1b-2) 중, Ra는 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 8의 탄화수소기를 나타내고, R7 내지 R10은 각각 탄소수 1 내지 8의 탄화수소기를 나타낸다.
상기 식 (1B) 중, (R7R8R9R10Si2R11O2/2)의 구조 단위는 하기 식 (1b-3)으로 표시되는 구조 단위인 것이 보다 바람직하다. 하기 식 (1b-3)으로 표시되는 구조 단위는 페닐렌기를 갖고, 상기 페닐렌기는 비치환 페닐렌기이다.
상기 식 (1b-3) 중, R7 내지 R10은 각각 탄소수 1 내지 8의 탄화수소기를 나타낸다.
상기 식 (1A), 상기 식 (1A-1), 상기 식 (1A-2) 및 식 (1B)로 표시되는 제1 실리콘 수지 A, A-1, A-2, B에 있어서, (R4R5SiO2/2)로 표시되는 구조 단위(이하, 이관능 구조 단위라고도 함)는 하기 식 (1-2)로 표시되는 구조, 즉 이관능 구조 단위 중의 규소 원자에 결합한 산소 원자의 1개가 히드록시기 또는 알콕시기를 구성하는 구조를 포함할 수도 있다.
(R4R5SiO2 /2)로 표시되는 구조 단위는 하기 식 (1-b)로 표시되는 구조 단위의 파선으로 둘러싸인 부분을 포함하고, 추가로 하기 식 (1-2-b)로 표시되는 구조 단위의 파선으로 둘러싸인 부분을 포함할 수도 있다. 즉, R4 및 R5로 표시되는 기를 가지며 알콕시기 또는 히드록시기가 말단에 잔존해 있는 구조 단위도, (R4R5SiO2 /2)로 표시되는 구조 단위에 포함된다. 구체적으로는, 알콕시기가 실록산 결합의 부분 골격으로 변환된 경우에는, (R4R5SiO2 /2)로 표시되는 구조 단위는 하기 식 (1-b)로 표시되는 구조 단위의 파선으로 둘러싸인 부분을 나타낸다. 미반응 알콕시기가 잔존해 있는 경우, 또는 알콕시기가 히드록시기로 변환된 경우에는, 잔존 알콕시기 또는 히드록시기를 갖는 (R4R5SiO2/2)로 표시되는 구조 단위는 하기 식 (1-2-b)로 표시되는 구조 단위의 파선으로 둘러싸인 부분을 나타낸다.
상기 식 (1-2) 및 (1-2-b) 중, X는 OH 또는 OR을 나타내고, OR은 직쇄상 또는 분지상의 탄소수 1 내지 4의 알콕시기를 나타낸다. 상기 식 (1-b), (1-2) 및 (1-2-b) 중의 R4 및 R5는 상기 식 (1A), 상기 식 (1A-1), 상기 식 (1A-2) 및 식 (1B) 중의 R4 및 R5와 동일한 기이다.
상기 식 (1A), 상기 식 (1A-2) 및 식 (1B)로 표시되는 제1 실리콘 수지 A, A-2, B에 있어서, (R6SiO3/2)로 표시되는 구조 단위(이하, 삼관능 구조 단위라고도 함)는 하기 식 (1-3) 또는 (1-4)로 표시되는 구조, 즉 삼관능 구조 단위 중의 규소 원자에 결합한 산소 원자의 2개가 각각 히드록시기 또는 알콕시기를 구성하는 구조, 또는 삼관능 구조 단위 중의 규소 원자에 결합한 산소 원자의 1개가 히드록시기 또는 알콕시기를 구성하는 구조를 포함할 수도 있다.
(R6SiO3 /2)로 표시되는 구조 단위는 하기 식 (1-c)로 표시되는 구조 단위의 파선으로 둘러싸인 부분을 포함하고, 추가로 하기 식 (1-3-c) 또는 (1-4-c)로 표시되는 구조 단위의 파선으로 둘러싸인 부분을 포함할 수도 있다. 즉, R6으로 표시되는 기를 가지며 알콕시기 또는 히드록시기가 말단에 잔존해 있는 구조 단위도, (R6SiO3/2)로 표시되는 구조 단위에 포함된다.
상기 식 (1-3), (1-3-c), (1-4) 및 (1-4-c) 중, X는 OH 또는 OR을 나타내고, OR은 직쇄상 또는 분지상의 탄소수 1 내지 4의 알콕시기를 나타낸다. 상기 식 (1-c), (1-3), (1-3-c), (1-4) 및 (1-4-c) 중의 R6은 상기 식 (1A), 상기 식 (1A-2) 및 식 (1B) 중의 R6과 동일한 기이다.
상기 식 (1B)로 표시되는 제1 실리콘 수지 B에 있어서, (R7R8R9R10Si2R11O2/2)로 표시되는 구조 단위는 하기 식 (1-5)로 표시되는 구조, 즉 (R7R8R9R10Si2R11O2/2)의 구조 단위 중의 규소 원자에 결합한 산소 원자의 1개가 히드록시기 또는 알콕시기를 구성하는 구조를 포함할 수도 있다.
(R7R8R9R10Si2R11O2 /2)로 표시되는 구조 단위는 하기 식 (1-d)로 표시되는 구조 단위의 파선으로 둘러싸인 부분을 포함하고, 추가로 하기 식 (1-5-d)로 표시되는 구조 단위의 파선으로 둘러싸인 부분을 포함할 수도 있다. 즉, R7, R8, R9, R10 및 R11로 표시되는 기를 가지며 알콕시기 또는 히드록시기가 말단에 잔존해 있는 구조 단위도, (R7R8R9R10Si2R11O2 /2)로 표시되는 구조 단위에 포함된다.
상기 식 (1-5) 및 (1-5-d) 중, X는 OH 또는 OR을 나타내고, OR은 직쇄상 또는 분지상의 탄소수 1 내지 4의 알콕시기를 나타낸다. 상기 식 (1-d), (1-5) 및 (1-5-d) 중의 R7 내지 R11은 상기 식 (1B) 중의 R7 내지 R11과 동일한 기이다.
상기 식 (1-b) 내지 (1-d), 식 (1-2) 내지 (1-5), 및 식 (1-2-b), (1-3-c), (1-4-c) 및 (1-5-d)에 있어서, 직쇄상 또는 분지상의 탄소수 1 내지 4의 알콕시기로서는 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 메톡시기, 에톡시기, n-프로폭시기, n-부톡시기, 이소프로폭시기, 이소부톡시기, sec-부톡시기 및 t-부톡시기를 들 수 있다.
상기 식 (1A) 및 상기 식 (1A-2) 중, a/(a+b+c)의 하한은 0, 상한은 0.50이다. a/(a+b+c)가 상기 상한을 만족시키면, 밀봉제의 내열성을 보다 한층 높일 수 있으면서 밀봉제의 박리를 보다 한층 억제할 수 있다. 상기 식 (1A) 및 상기 식 (1A-2) 중, a/(a+b+c)의 바람직한 상한은 0.45, 보다 바람직한 상한은 0.40이다. 또한, a가 0이어서 a/(a+b+c)가 0인 경우, 상기 식 (1A) 및 상기 식 (1A-2) 중, (R1R2R3SiO1/2)의 구조 단위는 존재하지 않는다.
상기 식 (1A) 및 상기 식 (1A-2) 중, b/(a+b+c)의 하한은 0.40, 상한은 1.0이다. b/(a+b+c)가 상기 하한을 만족시키면, 밀봉제의 경화물이 너무 단단해지지는 않아 밀봉제에 균열이 생기기 어려워진다. b/(a+b+c)가 상기 상한을 만족시키고, (R4R5SiO2/2)의 구조 단위가 존재함으로써, 밀봉제의 가스 배리어성이 보다 한층 높아진다. 상기 식 (1A) 및 상기 식 (1A-2) 중, b/(a+b+c)의 바람직한 하한은 0.50이다.
상기 식 (1A) 및 상기 식 (1A-2) 중, c/(a+b+c)의 하한은 0, 상한은 0.50이다. c/(a+b+c)가 상기 상한을 만족시키면, 밀봉제로서의 적정한 점도를 유지하는 것이 용이하고, 밀착성을 보다 한층 높일 수 있다. 상기 식 (1A) 및 상기 식 (1A-2) 중, c/(a+b+c)의 바람직한 상한은 0.45, 보다 바람직한 상한은 0.40, 더욱 바람직한 상한은 0.35이다. 또한, c가 0이어서 c/(a+b+c)가 0인 경우, 상기 식 (1A) 및 상기 식 (1A-2) 중, (R6SiO3/2)의 구조 단위는 존재하지 않는다.
상기 식 (1A-2) 중, c/(a+b+c)가 0인 경우에는, 상기 제1 실리콘 수지 A-2로서, 상기 제1 실리콘 수지 A-1에 상당하는 실리콘 수지는 제외된다. 상기 식 (1A-2) 중, c/(a+b+c)가 0인 경우에는, 상기 식 (1A-2) 중의 R1, R2 및 R3이 알케닐기가 아니고, R4 및 R5 중 적어도 1개가 알케닐기인 것이 바람직하다. 상기 식 (1A-2) 중, c/(a+b+c)는 0.01 이상일 수도 있다.
상기 식 (1A) 중의 c/(a+b+c)는 0인 것이 바람직하다. 즉, 상기 식 (1A)로 표시되는 제1 실리콘 수지 A는 하기 식 (1Aa)로 표시되는 제1 실리콘 수지인 것이 바람직하다. 이에 따라, 밀봉제의 디스펜스성(도포성)을 양호하게 할 수 있고, 또한 밀봉제에 균열이 보다 한층 생겨 어려워지면서 밀봉제가 하우징재 등으로부터 보다 한층 박리되기 어려워진다.
상기 식 (1Aa) 중, a 및 b는 a/(a+b)=0 내지 0.50 및 b/(a+b)=0.50 내지 1.0을 만족시키고, R1 내지 R5는 적어도 1개가 아릴기에 상당하는 페닐기를 나타내고, 적어도 1개가 알케닐기를 나타내며, 페닐기 및 알케닐기 이외의 R1 내지 R5는 탄소수 1 내지 8의 탄화수소기를 나타낸다.
상기 식 (1Aa) 중의 a/(a+b)의 바람직한 상한은 0.45, 보다 바람직한 상한은 0.40이다. b/(a+b)의 바람직한 하한은 0.55, 보다 바람직한 하한은 0.60이다.
상기 식 (1A-2) 중의 c/(a+b+c)는 0인 것이 바람직하다. 즉, 상기 식 (1A-2)로 표시되는 제1 실리콘 수지 A-2는 하기 식 (1A-2a)로 표시되는 제1 실리콘 수지인 것이 바람직하다. 이에 따라, 밀봉제에 균열이 보다 한층 생기기 어려워지면서 밀봉제가 하우징재 등으로부터 보다 한층 박리되기 어려워진다.
상기 식 (1A-2a) 중, a 및 b는 a/(a+b)=0 내지 0.50 및 b/(a+b)=0.50 내지 1.0을 만족시키고, R1 내지 R5는 적어도 1개가 아릴기에 상당하는 페닐기를 나타내고, R4 내지 R5는 적어도 1개가 알케닐기를 나타내며, 페닐기 및 알케닐기 이외의 R1 내지 R5는 탄소수 1 내지 8의 탄화수소기를 나타낸다. 단, 이 제1 실리콘 수지로서, 상기 제1 실리콘 수지 A-1에 상당하는 실리콘 수지는 제외된다. 상기 식 (1A-2a) 중의 R1, R2 및 R3이 알케닐기가 아니고, R4 및 R5 중 적어도 1개가 알케닐기인 것이 바람직하다.
상기 식 (1A-2a) 중의 a/(a+b)의 바람직한 상한은 0.45, 보다 바람직한 상한은 0.40이다. b/(a+b)의 바람직한 하한은 0.55, 보다 바람직한 하한은 0.60이다.
상기 식 (1A-1) 중, a/(a+b)의 하한은 0.05, 상한은 0.50이다. a/(a+b)가 상기 하한을 만족시키면, 밀봉제의 경화물의 표면의 끈적임을 억제할 수 있다. a/(a+b)가 상기 상한을 만족시키면, 밀봉제의 내열성을 보다 한층 높일 수 있으면서 밀봉제의 박리를 보다 한층 억제할 수 있다. 상기 식 (1A-1) 중, a/(a+b)의 바람직한 상한은 0.45, 보다 바람직한 상한은 0.40이다. 밀봉제의 표면의 끈적임을 보다 한층 억제하기 위해, 상기 식 (1A-1) 중, a/(a+b)의 더욱 바람직한 상한은 0.30이다.
상기 식 (1A-1) 중, b/(a+b)의 하한은 0.50, 상한은 0.95이다. b/(a+b)가 상기 하한을 만족시키면, 밀봉제의 경화물이 너무 단단해지지는 않아 밀봉제에 균열이 생기기 어려워진다. 밀봉제의 표면의 끈적임을 보다 한층 억제하기 위해, 상기 식 (1A-1) 중 b/(a+b)의 보다 바람직한 하한은 0.70이다.
상기 식 (1B) 중, a/(a+b+c+d)의 하한은 0, 상한은 0.40이다. a/(a+b+c+d)가 상기 상한을 만족시키면, 밀봉제의 내열성을 보다 한층 높일 수 있으면서 밀봉제의 박리를 보다 한층 억제할 수 있다. 또한, a가 0이어서 a/(a+b+c+d)가 0인 경우, 상기 식 (1B) 중, (R1R2R3SiO1 /2)의 구조 단위는 존재하지 않는다.
상기 식 (1B) 중, b/(a+b+c+d)의 하한은 0.40, 상한은 0.99이다. b/(a+b+c+d)가 상기 하한을 만족시키면, 밀봉제의 경화물이 너무 단단해지지는 않아 밀봉제에 균열이 생기기 어려워진다. b/(a+b+c+d)가 상기 상한을 만족시키면, 밀봉제의 가스 배리어성이 보다 한층 높아진다.
상기 식 (1B) 중, c/(a+b+c+d)의 하한은 0, 상한은 0.50이다. c/(a+b+c+d)가 상기 상한을 만족시키면, 밀봉제로서의 적정한 점도를 유지하는 것이 용이하고, 밀착성을 보다 한층 높일 수 있다. 또한, c가 0이어서 c/(a+b+c+d)가 0인 경우, 상기 식 (1B) 중, (R6SiO3 /2)의 구조 단위는 존재하지 않는다.
상기 식 (1B) 중, d/(a+b+c+d)의 하한은 0.01, 상한은 0.40이다. d/(a+b+c+d)가 상기 하한 및 상한을 만족시키면, 부식성 가스에 대하여 높은 가스 배리어성을 갖고, 가혹한 환경 하에서 사용되더라도 균열 또는 박리가 생기기 어려운 광 반도체 장치용 밀봉제를 얻을 수 있다. 부식성 가스에 대하여 보다 한층 높은 가스 배리어성을 갖고, 가혹한 환경 하에서 사용되더라도 균열 또는 박리가 보다 한층 생기기 어려운 광 반도체 장치용 밀봉제를 얻는 관점에서는 상기 식 (1B) 중, d/(a+b+c+d)의 바람직한 하한은 0.03, 보다 바람직한 하한은 0.05, 바람직한 상한은 0.35, 보다 바람직한 상한은 0.30이다.
상기 식 (1B) 중의 c/(a+b+c+d)는 0인 것이 바람직하다. 즉, 상기 식 (1B)로 표시되는 제2 실리콘 수지 B는 하기 식 (1Bb)로 표시되는 제2 실리콘 수지인 것이 바람직하다. 이에 따라, 밀봉제의 디스펜스성(도포성)을 양호하게 할 수 있고, 또한 밀봉제에 균열이 보다 한층 생기기 어려워지면서 밀봉제가 하우징재 등으로부터 보다 한층 박리되기 어려워진다.
상기 식 (1Ba) 중, a, b 및 d는 a/(a+b+d)=0 내지 0.40, b/(a+b+d)=0.40 내지 0.99 및 d/(a+b+d)=0.01 내지 0.40을 만족시키고, R1 내지 R5는 적어도 1개가 아릴기에 상당하는 페닐기를 나타내고, 적어도 1개가 알케닐기를 나타내며, 페닐기 및 알케닐기 이외의 R1 내지 R5는 탄소수 1 내지 8의 탄화수소기를 나타내고, R7 내지 R10은 각각 탄소수 1 내지 8의 탄화수소기를 나타내고, R11은 탄소수 1 내지 8의 2가의 탄화수소기를 나타낸다.
상기 제1 실리콘 수지 A, A-1, A-2, B에 대하여, 테트라메틸실란(이하, TMS)를 기준으로 29Si-핵자기 공명 분석(이하, NMR)을 행하면, 치환기의 종류에 따라 약간의 변동은 보이지만, 상기 식 (1A), 상기 식 (1A-1), 상기 식 (1A-2) 및 식 (1B) 중의 (R1R2R3SiO1/2)a로 표시되는 구조 단위에 상당하는 피크는 +10 내지 -5 ppm 부근에 나타나고, 상기 식 (1A), 상기 식 (1A-1), 상기 식 (1A-2) 및 식 (1B) 중의 (R4R5SiO2/2)b 및 (1-2)의 이관능 구조 단위에 상당하는 각 피크는 -10 내지 -50 ppm 부근에 나타나고, 상기 식 (1A), 상기 식 (1A-2) 및 식 (1B) 중의 (R6SiO3/2)c, 및 (1-3) 및 (1-4)의 삼관능 구조 단위에 상당하는 각 피크는 -50 내지 -80 ppm 부근에 나타나고, 상기 식 (1B) 중의 (R7R8R9R10Si2R11O2/2)d 및 (1-5)에 상당하는 피크는 0 내지 -5 ppm 부근에 나타난다.
따라서, 29Si-NMR을 측정하여 각각의 시그널의 피크 면적을 비교함으로써 상기 식 (1A), 상기 식 (1A-1), 상기 식 (1A-2) 및 식 (1B) 중의 각 구조 단위의 비율을 측정할 수 있다.
단, 상기 TMS를 기준으로 한 29Si-NMR의 측정으로 상기 식 (1A), 상기 식 (1A-1), 상기 식 (1A-2) 및 식 (1B) 중의 구조 단위의 분간이 가지 않는 경우에는, 29Si-NMR의 측정 결과뿐만 아니라, 1H-NMR의 측정 결과를 필요에 따라 이용함으로써, 상기 식 (1A), 상기 식 (1A-1), 상기 식 (1A-2) 및 식 (1B) 중의 각 구조 단위의 비율을 분간할 수 있다.
상기 제1 실리콘 수지 A-1과 상기 제1 실리콘 수지 A-2의 합계 100 중량％ 중, 상기 제1 실리콘 수지 A-1의 함유량은 5 중량％ 이상 100 중량％ 이하인 것이 바람직하다. 상기 제1 실리콘 수지 A-1과 상기 제1 실리콘 수지 A-2의 합계 100 중량％ 중, 상기 제1 실리콘 수지 A-1의 함유량은 50 중량％ 초과 100 중량％ 이하인 것이 특히 바람직하다. 상기 제1 실리콘 수지 A-1의 함유량이 50 중량％를 초과하면, 밀봉제의 내습 신뢰성이 상당히 높아진다. 상기 제1 실리콘 수지 A-1과 상기 제1 실리콘 수지 A-2의 합계 100 중량％ 중, 상기 제1 실리콘 수지 A-1의 함유량은 99.9 중량％ 이하일 수도 있다.
상기 제1 실리콘 수지 A-2의 100 중량부에 대하여 상기 제1 실리콘 수지 A-1의 함유량은 5 중량부 이상 100000 중량부 이하인 것이 바람직하다. 상기 제1 실리콘 수지 A-2의 100 중량부에 대하여 상기 제1 실리콘 수지 A-1의 함유량은 5 중량부 이상 100 중량부 이하인 것이 특히 바람직하다. 제1 실리콘 수지 A-1의 함유량이 5 중량부 이상 100 중량부 이하이면, 밀봉제의 가스 배리어성을 보다 한층 높일 수 있다. 상기 제1 실리콘 수지 A-2의 100 중량부에 대하여 상기 제1 실리콘 수지 A-1의 함유량의 보다 바람직한 하한은 10 중량부, 보다 바람직한 상한은 80 중량부이다.
(제2 실리콘 수지)
본 발명에 따른 광 반도체 장치용 밀봉제에 포함되어 있는 제2 실리콘 수지 성분은 하기 식 (51A)로 표시되며 아릴기와 규소 원자에 직접 결합하고 있는 수소 원자를 갖는 제2 실리콘 수지 A, 및 하기 식 (51B)로 표시되며 아릴기와 규소 원자에 직접 결합하고 있는 수소 원자를 갖는 제2 실리콘 수지 B 중 적어도 1종이다.
상기 제2 실리콘 수지 A, B에 있어서, 아릴기는 규소 원자에 직접 결합하고 있는 것이 바람직하다. 상기 아릴기로서는 비치환 페닐기 및 치환 페닐기를 들 수 있다. 하기 식 (51B)로 표시되는 실리콘 수지는 페닐렌기를 가질 수도 있고, 페닐렌기를 갖지 않을 수도 있다. 상기 제2 실리콘 수지 A, B는 1종만이 사용될 수도 있고, 2종 이상이 병용될 수도 있다.
상기 식 (51A) 중, p, q 및 r은 p/(p+q+r)=0.05 내지 0.50, q/(p+q+r)=0.05 내지 0.50 및 r/(p+q+r)=0.20 내지 0.80을 만족시키고, R51 내지 R56은 적어도 1개가 아릴기에 상당하는 페닐기를 나타내고, 적어도 1개가 규소 원자에 직접 결합하고 있는 수소 원자를 나타내며, 페닐기 및 규소 원자에 직접 결합하고 있는 수소 원자 이외의 R51 내지 R56은 탄소수 1 내지 8의 탄화수소기를 나타낸다. 또한, 상기 식 (51A) 중, (R54R55SiO2/2)로 표시되는 구조 단위 및 (R56SiO3/2)로 표시되는 구조 단위는 각각 알콕시기를 가질 수도 있고, 히드록시기를 가질 수도 있다.
상기 식 (51B) 중, p, q, r 및 s는 p/(p+q+r+s)=0.05 내지 0.50, q/(p+q+r+s)=0.05 내지 0.50, r/(p+q+r+s)=0.20 내지 0.80 및 s/(p+q+r+s)=0.01 내지 0.40을 만족시키고, R51 내지 R56은 적어도 1개가 아릴기에 상당하는 페닐기를 나타내고, 적어도 1개가 규소 원자에 직접 결합하고 있는 수소 원자를 나타내며, 페닐기 및 규소 원자에 직접 결합하고 있는 수소 원자 이외의 R51 내지 R56은 탄소수 1 내지 8의 탄화수소기를 나타내고, R57 내지 60은 각각 탄소수 1 내지 8의 탄화수소기를 나타내고, R61은 탄소수 1 내지 8의 2가의 탄화수소기를 나타낸다. 또한, 상기 식 (51B) 중, (R54R55SiO2/2)로 표시되는 구조 단위, (R56SiO3/2)로 표시되는 구조 단위, (R57R58R59R60Si2R61O2 /2)로 표시되는 구조 단위는 각각 알콕시기를 가질 수도 있고, 히드록시기를 가질 수도 있다.
상기 식 (51A) 및 식 (51B)는 평균 조성식을 나타낸다. 상기 식 (51A) 및 식 (51B)에서의 탄화수소기는 직쇄상일 수도 있고, 분지상일 수도 있다. 상기 식 (51A) 및 식 (51B) 중의 R51 내지 R56은 동일할 수도 있고, 상이할 수도 있다. 상기 식 (51B) 중의 R57 내지 R60은 동일할 수도 있고, 상이할 수도 있다.
상기 식 (51A) 및 (51B) 중, (R54R55SiO2/2)로 표시되는 구조 단위에서의 산소 원자 부분, (R56SiO3/2)로 표시되는 구조 단위에서의 산소 원자 부분, (R57R58R59R60Si2R61O2/2)로 표시되는 구조 단위에서의 산소 원자 부분은 각각 실록산 결합을 형성하고 있는 산소 원자 부분, 알콕시기의 산소 원자 부분, 또는 히드록시기의 산소 원자 부분을 나타낸다.
상기 식 (51A) 및 식 (51B)에서의 탄소수 1 내지 8의 탄화수소기로서는 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 메틸기, 에틸기, n-프로필기, n-부틸기, n-펜틸기, n-헥실기, n-헵틸기, n-옥틸기, 이소프로필기, 이소부틸기, sec-부틸기, t-부틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기, t-펜틸기, 이소헥실기, 시클로헥실기, 비닐기 및 알릴기를 들 수 있다.
상기 식 (51B)에서의 탄소수 1 내지 8의 2가의 탄화수소기로서는 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 메틸렌기, 에틸렌기, 프로필렌기, 부틸렌기, 펜틸렌기, 헥실렌기, 시클로헥실렌기 및 페닐렌기 등을 들 수 있다.
상기 식 (51A)로 표시되는 제2 실리콘 수지 A에서의 하기 식 (a51)로부터 구해지는 아릴기의 함유 비율은 30 몰％ 이상 70 몰％ 이하이다.
아릴기의 함유 비율( 몰％)=(상기 제2 실리콘 수지 A의 1 분자당에 포함되는 아릴기의 평균 개수×아릴기의 분자량/상기 제2 실리콘 수지 A의 수 평균 분자량)×100 … 식 (a51)
상기 식 (a51)로부터 구해지는 상기 제2 실리콘 수지 A의 아릴기의 함유 비율이 30 몰％ 미만이면, 가스 배리어성이 불충분해진다. 아릴기의 함유 비율이 70 몰％를 초과하면, 밀봉제의 박리가 생기기 쉬워진다. 가스 배리어성을 보다 한층 높이는 관점에서는 아릴기의 함유 비율은 35 몰％ 이상인 것이 바람직하다. 밀봉제의 박리를 보다 한층 생기기 어렵게 하는 관점에서는 아릴기의 함유 비율은 65 몰％ 이하인 것이 바람직하다.
상기 식 (51B)로 표시되는 제2 실리콘 수지 B에서의 하기 식 (b51)로부터 구해지는 아릴기와 페닐렌기의 합계의 함유 비율은 30 몰％ 이상 70 몰％ 이하이다.
아릴기와 페닐렌기의 합계의 함유 비율( 몰％)={(상기 제2 실리콘 수지 B의 1 분자당에 포함되는 아릴기의 평균 개수×아릴기의 분자량+상기 제2 실리콘 수지 B의 1 분자당에 포함되는 페닐렌기의 평균 개수×페닐렌기의 분자량)/상기 제2 실리콘 수지 B의 수 평균 분자량}×100 … 식 (b51)
상기 식 (b51)로부터 구해지는 상기 제2 실리콘 수지 B의 아릴기와 페닐렌기의 합계의 함유 비율이 30 몰％ 미만이면, 가스 배리어성이 불충분해진다. 아릴기와 페닐렌기의 합계의 함유 비율이 70 몰％를 초과하면, 박리가 생기기 쉬워진다. 가스 배리어성을 보다 한층 높이는 관점에서는 아릴기와 페닐렌기의 합계의 함유 비율은 35 몰％ 이상인 것이 바람직하다. 박리를 보다 한층 생기기 어렵게 하는 관점에서는 아릴기와 페닐렌기의 합계의 함유 비율은 65 몰％ 이하인 것이 바람직하다.
또한, 상기 식 (51B)로 표시되는 제2 실리콘 수지 B가 페닐렌기를 갖지 않는 경우에는, 상기 아릴기와 페닐렌기의 합계의 함유 비율은 아릴기의 함유 비율을 나타낸다.
밀봉제의 경화성을 높이고, 열 사이클에서의 균열 및 박리를 보다 한층 억제하는 관점에서는, 상기 제2 실리콘 수지 A, B는 하기 식 (51-a)로 표시되는 구조 단위를 포함하는 것이 바람직하다.
상기 식 (51-a) 중, R52 및 R53은 각각 수소 원자, 페닐기 또는 탄소수 1 내지 8의 탄화수소기를 나타낸다. R52 및 R53은 각각 페닐기 또는 탄소수 1 내지 8의 탄화수소기를 나타내는 것이 바람직하다.
밀봉제의 경화성을 높이고, 열 사이클에서의 균열 및 박리를 보다 한층 억제하는 관점에서는, 상기 식 (51A) 및 식 (51B) 중의 (R51R52R53SiO1/2)로 표시되는 구조 단위는 각각 R51이 규소 원자에 결합한 수소 원자를 나타내고, R52 및 R53이 페닐기 또는 탄소수 1 내지 8의 탄화수소기를 나타내는 구조 단위를 포함하는 것이 바람직하다.
즉, 상기 식 (51A) 및 식 (51B) 중, (R51R52R53SiO1/2)로 표시되는 구조 단위는 상기 식 (51-a)로 표시되는 구조 단위를 포함하는 것이 바람직하다. (R51R52R53SiO1/2)로 표시되는 구조 단위는 상기 식 (51-a)로 표시되는 구조 단위만을 포함할 수도 있고, 상기 식 (51-a)로 표시되는 구조 단위와 상기 식 (51-a)로 표시되는 구조 단위 이외의 구조 단위를 포함할 수도 있다.
상기 제2 실리콘 수지 A, B는 각각 오르가노실록산인 것이 바람직하다. 밀봉제의 경화성을 높이고, 열 사이클에서의 균열 및 박리를 보다 한층 억제하는 관점에서는 상기 제2 실리콘 수지 A, B의 전체 실록산 구조 단위 100 몰％ 중, 상기 식 (51-a)로 표시되는 구조 단위의 비율은 바람직하게는 5 몰％ 이상, 보다 바람직하게는 10 몰％ 이상, 바람직하게는 50 몰％ 이하, 보다 바람직하게는 45 몰％ 이하이다.
상기 식 (51A) 및 식 (51B) 중의 전체 구조 단위 100 몰％ 중, R51이 규소 원자에 결합한 수소 원자를 나타내고, R52 및 R53이 수소 원자, 페닐기 또는 탄소수 1 내지 8의 탄화수소기를 나타내는 구조 단위(상기 식 (51-a)로 표시되는 구조 단위)의 비율은, 바람직하게는 5 몰％ 이상, 보다 바람직하게는 10 몰％ 이상, 바람직하게는 50 몰％ 이하, 보다 바람직하게는 45 몰％ 이하이다.
상기 제2 실리콘 수지 A, B의 E형 점도계를 이용하여 측정된 25℃에서의 5 rpm에서의 점도는 500 mPa?s 이상 5000 mPa?s 이하인 것이 바람직하다. 상기 제2 실리콘 수지 A, B의 점도가 범위 내인 경우에는, 형광체의 침강을 보다 한층 억제하고, 밀봉제의 디스펜스성을 보다 한층 높이면서 광 반도체 장치로부터 취출되는 빛을 보다 한층 밝게 할 수 있다.
가스 배리어성을 보다 한층 높이는 관점에서는, 상기 식 (51B) 중, (R57R58R59R60Si2R61O2/2)의 구조 단위는 하기 식 (51b-1)로 표시되는 구조 단위인 것이 바람직하다. 하기 식 (51b-1)로 표시되는 구조 단위는 페닐렌기를 갖고, 상기 페닐렌기는 치환 또는 비치환 페닐렌기이다.
상기 식 (51b-1) 중, Rb는 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 8의 탄화수소기를 나타내고, R57 내지 R60은 각각 탄소수 1 내지 8의 탄화수소기를 나타낸다. 상기 탄화수소기는 직쇄상일 수도 있고, 분지상일 수도 있다. 또한, 상기 식 (51b-1) 중의 벤젠환에 결합하고 있는 3개의 기의 결합 부위는 특별히 한정되지 않는다.
상기 식 (51B) 중, (R57R58R59R60Si2R61O2/2)의 구조 단위는 하기 식 (51b-2)로 표시되는 구조 단위인 것이 바람직하다. 하기 식 (51b-2)로 표시되는 구조 단위는 페닐렌기를 갖고, 상기 페닐렌기는 치환 또는 비치환 페닐렌기이다. 하기 식 (51b-2) 중의 벤젠환에 결합하고 있는 Rb의 결합부위는 특별히 한정되지 않는다.
상기 식 (51b-2) 중, Rb는 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 8의 탄화수소기를 나타내고, R57 내지 R60은 각각 탄소수 1 내지 8의 탄화수소기를 나타낸다.
상기 식 (51B) 중, (R57R58R59R60Si2R61O2/2)의 구조 단위는 하기 식 (51b-3)으로 표시되는 구조 단위인 것이 보다 바람직하다. 하기 식 (51b-3)으로 표시되는 구조 단위는 페닐렌기를 갖고, 상기 페닐렌기는 비치환 페닐렌기이다.
상기 식 (51b-3) 중, R57 내지 R60은 각각 탄소수 1 내지 8의 탄화수소기를 나타낸다.
상기 식 (51A) 또는 식 (51B)로 표시되는 제2 실리콘 수지에 있어서, (R54R55SiO2/2)로 표시되는 구조 단위(이하, 이관능 구조 단위라고도 함)는 하기 식 (51-2)로 표시되는 구조, 즉 이관능 구조 단위 중의 규소 원자에 결합한 산소 원자의 1개가 히드록시기 또는 알콕시기를 구성하는 구조를 포함할 수도 있다.
(R54R55SiO2 /2)로 표시되는 구조 단위는 하기 식 (51-b)로 표시되는 구조 단위의 파선으로 둘러싸인 부분을 포함하고, 추가로 하기 식 (51-2-b)로 표시되는 구조 단위의 파선으로 둘러싸인 부분을 포함할 수도 있다. 즉, R54 및 R55로 표시되는 기를 가지며 알콕시기 또는 히드록시기가 말단에 잔존해 있는 구조 단위도, (R54R55SiO2/2)로 표시되는 구조 단위에 포함된다.
상기 식 (51-2) 및 (51-2-b) 중, X는 OH 또는 OR을 나타내고, OR은 직쇄상 또는 분지상의 탄소수 1 내지 4의 알콕시기를 나타낸다. 상기 식 (51-b), (51-2) 및 (51-2-b) 중의 R54 및 R55는 상기 식 (51A) 또는 식 (51B) 중의 R54 및 R55와 동일한 기이다.
상기 식 (51A) 또는 식 (51B)로 표시되는 제1 실리콘 수지에 있어서, (R56SiO3/2)로 표시되는 구조 단위(이하, 삼관능 구조 단위라고도 함)는 하기 식 (51-3) 또는 (51-4)로 표시되는 구조, 즉 삼관능 구조 단위 중의 규소 원자에 결합한 산소 원자의 2개가 각각 히드록시기 또는 알콕시기를 구성하는 구조, 또는 삼관능 구조 단위 중의 규소 원자에 결합한 산소 원자의 1개가 히드록시기 또는 알콕시기를 구성하는 구조를 포함할 수도 있다.
(R56SiO3 /2)로 표시되는 구조 단위는 하기 식 (51-c)로 표시되는 구조 단위의 파선으로 둘러싸인 부분을 포함하고, 추가로 하기 식 (51-3-c) 또는 (51-4-c)로 표시되는 구조 단위의 파선으로 둘러싸인 부분을 포함할 수도 있다. 즉, R56으로 표시되는 기를 가지며 알콕시기 또는 히드록시기가 말단에 잔존해 있는 구조 단위도, (R56SiO3/2)로 표시되는 구조 단위에 포함된다.
상기 식 (51-3), (51-3-c), (51-4) 및 (51-4-c) 중, X는 OH 또는 OR을 나타내고, OR은 직쇄상 또는 분지상의 탄소수 1 내지 4의 알콕시기를 나타낸다. 상기 식 (51-c), (51-3), (51-3-c), (51-4) 및 (51-4-c) 중의 R56은 상기 식 (51A) 및 (51B) 중의 R56과 동일한 기이다.
상기 식 (51B)로 표시되는 제2 실리콘 수지 B에 있어서, (R57R58R59R60Si2R61O2/2)로 표시되는 구조 단위는 하기 식 (51-5)로 표시되는 구조, 즉 (R57R58R59R60Si2R61O2/2)의 구조 단위 중의 규소 원자에 결합한 산소 원자의 1개가 히드록시기 또는 알콕시기를 구성하는 구조를 포함할 수도 있다.
(R57R58R59R60Si2R61O2 /2)로 표시되는 구조 단위는 하기 식 (51-d)로 표시되는 구조 단위의 파선으로 둘러싸인 부분을 포함하고, 추가로 하기 식 (51-5-d)로 표시되는 구조 단위의 파선으로 둘러싸인 부분을 포함할 수도 있다. 즉, R57, R58, R59, R60 및 R61로 표시되는 기를 가지며 알콕시기 또는 히드록시기가 말단에 잔존해 있는 구조 단위도, (R57R58R59R60Si2R61O2 /2)로 표시되는 구조 단위에 포함된다.
상기 식 (51-5) 및 (51-5-d) 중, X는 OH 또는 OR을 나타내고, OR은 직쇄상 또는 분지상의 탄소수 1 내지 4의 알콕시기를 나타낸다. 상기 식 (51-d), (51-5) 및 (51-5-d) 중의 R57 내지 R61은 상기 식 (51B) 중의 R57 내지 R61과 동일한 기이다.
상기 식 (51-b) 내지 (51-d), 식 (51-2) 내지 (51-5), 및 식 (51-2-b), (51-3-c), (51-4-c) 및 (51-5-d)에 있어서, 직쇄상 또는 분지상의 탄소수 1 내지 4의 알콕시기로서는 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 메톡시기, 에톡시기, n-프로폭시기, n-부톡시기, 이소프로폭시기, 이소부톡시기, sec-부톡시기 및 t-부톡시기를 들 수 있다.
상기 식 (51A) 중, p/(p+q+r)의 하한은 0.05, 상한은 0.50이다. p/(p+q+r)이 상기 상한을 만족시키면, 밀봉제의 내열성을 보다 한층 높일 수 있으면서 밀봉제의 박리를 보다 한층 억제할 수 있다. 상기 식 (51A) 중, p/(p+q+r)의 바람직한 하한은 0.10, 보다 바람직한 상한은 0.45이다.
상기 식 (51A) 중, q/(p+q+r)의 하한은 0.05, 상한은 0.50이다. q/(p+q+r)이 상기 하한을 만족시키면, 밀봉제의 경화물이 너무 단단해지지는 않아 밀봉제에 균열이 생기기 어려워진다. q/(p+q+r)이 상기 상한을 만족시키면, 밀봉제의 가스 배리어성이 보다 한층 높아진다. 상기 식 (51A) 중, q/(p+q+r)의 바람직한 하한은 0.10, 보다 바람직한 상한은 0.45이다.
상기 식 (51A) 중, r/(p+q+r)의 하한은 0.20, 상한은 0.80이다. r/(p+q+r)이 상기 하한을 만족시키면, 밀봉제의 경도가 상승하여, 흠집 및 먼지의 부착을 방지할 수 있고, 밀봉제의 내열성이 높아져, 고온 환경 하에서 밀봉제의 경화물의 두께가 감소하기 어려워진다. r/(p+q+r)이 상기 상한을 만족시키면, 밀봉제로서의 적정한 점도를 유지하는 것이 용이하고, 밀착성을 보다 한층 높일 수 있다.
상기 식 (51B) 중, p/(p+q+r+s)의 하한은 0.05, 상한은 0.50이다. p/(p+q+r+s)가 상기 상한을 만족시키면, 밀봉제의 내열성을 보다 한층 높일 수 있으면서 밀봉제의 박리를 보다 한층 억제할 수 있다.
상기 식 (51B) 중, q/(p+q+r+s)의 하한은 0.05, 상한은 0.50이다. q/(p+q+r+s)가 상기 하한을 만족시키면, 밀봉제의 경화물이 너무 단단해지지는 않아 밀봉제에 균열이 생기기 어려워진다. q/(p+q+r+s)가 상기 상한을 만족시키면, 밀봉제의 가스 배리어성이 보다 한층 높아진다.
상기 식 (51B) 중, r/(p+q+r+s)의 하한은 0.20, 상한은 0.80이다. r/(p+q+r+s)가 상기 상한을 만족시키면, 밀봉제로서의 적정한 점도를 유지하는 것이 용이하고, 밀착성을 보다 한층 높일 수 있다.
상기 식 (51B) 중, s/(p+q+r+s)의 하한은 0.01, 상한은 0.40이다. s/(p+q+r+s)가 상기 하한 및 상한을 만족시키면, 부식성 가스에 대하여 높은 가스 배리어성을 갖고, 가혹한 환경 하에서 사용되더라도 균열 또는 박리가 생기기 어려운 광 반도체 장치용 밀봉제를 얻을 수 있다. 부식성 가스에 대하여 보다 한층 높은 가스 배리어성을 갖고, 가혹한 환경 하에서 사용되더라도 균열 또는 박리가 보다 한층 생기기 어려운 광 반도체 장치용 밀봉제를 얻는 관점에서는, 상기 식 (51B) 중 s/(p+q+r+s)의 바람직한 하한은 0.03, 보다 바람직한 하한은 0.05, 바람직한 상한은 0.35, 보다 바람직한 상한은 0.30이다.
상기 제2 실리콘 수지 A, B에 대하여 테트라메틸실란(이하, TMS)을 기준으로 29Si-핵자기 공명 분석(이하, NMR)을 행하면, 치환기의 종류에 따라 약간의 변동은 보이지만, 상기 식 (51A) 및 식 (51B) 중의 (R51R52R53SiO1/2)p로 표시되는 구조 단위에 상당하는 피크는 +10 내지 -5 ppm 부근에 나타나고, 상기 식 (51A) 및 식 (51B) 중의 (R54R55SiO2/2)q 및 (51-2)의 이관능 구조 단위에 상당하는 각 피크는 -10 내지 -50 ppm 부근에 나타나고, 상기 식 (51A) 및 식 (51B) 중의 (R56SiO3/2)r, 및 (51-3) 및 (51-4)의 삼관능 구조 단위에 상당하는 각 피크는 -50 내지 -80 ppm 부근에 나타나고, 상기 식 (51B) 중의 (R57R58R59R60Si2R61O2/2)s 및 (51-5)에 상당하는 피크는 0 내지 -5 ppm 부근에 나타난다.
따라서, 29Si-NMR을 측정하여 각각의 시그널의 피크 면적을 비교함으로써 상기 식 (51A) 및 식 (51B) 중의 각 구조 단위의 비율을 측정할 수 있다.
단, 상기 TMS를 기준으로 한 29Si-NMR의 측정으로 상기 식 (51A) 및 식 (51B) 중의 구조 단위의 분간이 가지 않는 경우에는, 29Si-NMR의 측정 결과뿐 아니라, 1H-NMR의 측정 결과를 필요에 따라 이용함으로써, 상기 식 (51A) 및 식 (51B) 중의 각 구조 단위의 비율을 분간할 수 있다.
상기 제1 실리콘 수지 성분 100 중량부에 대하여 상기 제2 실리콘 수지 성분의 함유량은 10 중량부 이상 400 중량부 이하인 것이 바람직하다. 제1, 제2의 실리콘 수지 성분의 함유량이 이 범위 내이면, 가스 배리어성이 보다 한층 우수한 밀봉제를 얻을 수 있다. 가스 배리어성이 더 한층 우수한 밀봉제를 얻는 관점에서는, 상기 제1 실리콘 수지 성분 100 중량부에 대하여 상기 제2 실리콘 수지 성분의 함유량의 보다 바람직한 하한은 30 중량부, 더욱 바람직한 하한은 50 중량부, 보다 바람직한 상한은 300 중량부, 더욱 바람직한 상한은 200 중량부이다.
상기 「제1 실리콘 수지 성분 100 중량부」란, 밀봉제가 상기 제1 실리콘 수지 A를 포함하면서 상기 제1 실리콘 수지 B를 포함하지 않는 경우에는 「제1 실리콘 수지 A 100 중량부」를 나타내고, 밀봉제가 상기 제1 실리콘 수지 A를 포함하지 않으면서 상기 제1 실리콘 수지 B를 포함하는 경우에는 「제1 실리콘 수지 B 100 중량부」를 나타내고, 밀봉제가 상기 제1 실리콘 수지 A와 상기 제1 실리콘 수지 B의 양쪽을 포함하는 경우에는 「제1 실리콘 수지 A와 제1 실리콘 수지 B의 합계 100 중량부」를 나타낸다.
상기 「제2 실리콘 수지 성분 100 중량부」란, 밀봉제가 상기 제2 실리콘 수지 A를 포함하면서 상기 제2 실리콘 수지 B를 포함하지 않는 경우에는 「제2 실리콘 수지 A 100 중량부」를 나타내고, 밀봉제가 상기 제2 실리콘 수지 A를 포함하지 않으면서 상기 제2 실리콘 수지 B를 포함하는 경우에는 「제2 실리콘 수지 B 100 중량부」를 나타내고, 밀봉제가 상기 제2 실리콘 수지 A와 상기 제2 실리콘 수지 B의 양쪽을 포함하는 경우에는 「제2 실리콘 수지 A와 제2 실리콘 수지 B의 합계 100 중량부」를 나타낸다.
상기 「제1 실리콘 수지 A 100 중량부」란, 상기 제1 실리콘 수지 A가 상기 제1 실리콘 수지 A-1을 포함하면서 상기 제1 실리콘 수지 A-2를 포함하지 않는 경우에는 「제1 실리콘 수지 A-1 100 중량부」를 나타내고, 상기 제1 실리콘 수지 A가 상기 제1 실리콘 수지 A-1과 상기 제1 실리콘 수지 A-2의 양쪽을 포함하는 경우에는 「상기 제1 실리콘 수지 A-1과 상기 제1 실리콘 수지 A-2의 합계 100 중량부」를 나타낸다.
(제1, 제2의 실리콘 수지의 다른 성질 및 그의 합성 방법)
상기 제1, 제2의 실리콘 수지의 알콕시기의 함유량의 바람직한 하한은 0.5 몰％, 보다 바람직한 하한은 1 몰％, 바람직한 상한은 10 몰％, 보다 바람직한 상한은 5 몰％이다. 알콕시기의 함유량이 상기 바람직한 범위 내이면, 밀봉제의 밀착성을 높일 수 있다.
알콕시기의 함유량이 상기 바람직한 하한을 만족시키면, 밀봉제의 밀착성을 높일 수 있다. 알콕시기의 함유량이 상기 바람직한 상한을 만족시키면, 제1, 제2의 실리콘 수지 및 밀봉제의 저장 안정성이 높아지고, 밀봉제의 내열성이 보다 한층 높아진다.
상기 알콕시기의 함유량은 제1, 제2의 실리콘 수지의 평균 조성식 중에 포함되는 상기 알콕시기의 양을 의미한다.
상기 제1, 제2의 실리콘 수지 성분은 실란올기를 함유하지 않는 편이 바람직하다. 제1, 제2의 실리콘 수지가 실란올기를 함유하지 않으면, 제1, 제2의 실리콘 수지 및 밀봉제의 저장 안정성이 높아진다. 상기 실란올기는 진공 하에서의 가열에 의해 감소시킬 수 있다. 실란올기의 함유량은 적외분광법을 이용하여 측정할 수 있다.
상기 제1, 제2의 실리콘 수지의 수 평균 분자량(Mn)의 바람직한 하한은 500, 보다 바람직한 하한은 800, 더욱 바람직한 하한은 1000, 바람직한 상한은 50000, 보다 바람직한 상한은 15000이다. 수 평균 분자량이 상기 바람직한 하한을 만족시키면, 열경화시에 휘발 성분이 적어지고, 고온 환경 하에서 밀봉제의 경화물의 두께가 감소하기 어려워진다. 수 평균 분자량이 상기 바람직한 상한을 만족시키면, 점도 조절이 용이하다.
상기 수 평균 분자량(Mn)은 겔 투과 크로마토그래피(GPC)를 이용하여 폴리스티렌을 표준 물질로 하여 구한 값이다. 상기 수 평균 분자량(Mn)은 워터스(Waters)사 제조의 측정 장치(컬럼: 쇼와 덴꼬사 제조 쇼덱스(Shodex) GPC LF-804(길이 300 mm)를 2개, 측정 온도: 40℃, 유속: 1 mL/분, 용매: 테트라히드로푸란, 표준 물질: 폴리스티렌)를 이용하여 측정된 값을 의미한다.
상기 제1, 제2의 실리콘 수지를 합성하는 방법으로서는 특별히 한정되지 않으며, 알콕시실란 화합물을 가수분해하여 축합 반응시키는 방법, 클로로실란 화합물을 가수분해하여 축합시키는 방법을 들 수 있다. 그 중에서도, 반응의 제어 관점에서 알콕시실란 화합물을 가수분해하는 방법이 바람직하다.
알콕시실란 화합물을 가수분해하여 축합 반응시키는 방법으로서는, 예를 들면 알콕시실란 화합물을 물과 산성 촉매 또는 염기성 촉매의 존재하에서 반응시키는 방법을 들 수 있다. 또한, 디실록산 화합물을 가수분해하여 이용할 수도 있다.
상기 제1, 제2의 실리콘 수지에 페닐기를 도입하기 위한 유기 규소 화합물로서는, 트리페닐메톡시실란, 트리페닐에톡시실란, 디페닐디메톡시실란, 디페닐디에톡시실란, 메틸(페닐)디메톡시실란 및 페닐트리메톡시실란 등을 들 수 있다.
상기 제1, 제2의 실리콘 수지에 (R7R8R9R10Si2R11O2 /2), (R57R58R59R60Si2R61O2/2)를 도입하기 위한 유기 규소 화합물로서는, 예를 들면 1,4-비스(디메틸메톡시실릴)벤젠, 1,4-비스(디에틸메톡시실릴)벤젠, 1,4-비스(에톡시에틸메틸실릴)벤젠, 1,6-비스(디메틸메톡시실릴)헥산, 1,6-비스(디에틸메톡시실릴)헥산 및 1,6-비스(에톡시에틸메틸실릴)헥산 등을 들 수 있다.
상기 제1 실리콘 수지에 알케닐기를 도입하기 위한 유기 규소 화합물로서는, 비닐트리메톡시실란, 비닐트리에톡시실란, 비닐메틸디메톡시실란, 메톡시디메틸비닐실란, 비닐디메틸에톡시실란 및 1,3-디비닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산 등을 들 수 있다.
상기 제2 실리콘 수지에 규소 원자에 직접 결합한 수소 원자를 도입하기 위한 유기 규소 화합물로서는, 트리메톡시실란, 트리에톡시실란, 메틸디메톡시실란, 메틸디에톡시실란 및 1,1,3,3-테트라메틸디실록산 등을 들 수 있다.
상기 제1, 제2의 실리콘 수지를 얻기 위해 사용할 수 있는 다른 유기 규소 화합물로서는, 예를 들면 트리메틸메톡시실란, 트리메틸에톡시실란, 디메틸디메톡시실란, 디메틸디에톡시실란, 이소프로필(메틸)디메톡시실란, 시클로헥실(메틸)디메톡시실란, 메틸트리메톡시실란, 메틸트리에톡시실란, 에틸트리메톡시실란, 에틸트리에톡시실란, 헥실트리메톡시실란 및 옥틸트리메톡시실란 등을 들 수 있다.
상기 산성 촉매로서는, 예를 들면 무기산, 유기산, 무기산의 산 무수물 및 그의 유도체, 및 유기산의 산 무수물 및 그의 유도체를 들 수 있다.
상기 무기산으로서는, 예를 들면 염산, 인산, 붕산 및 탄산을 들 수 있다. 상기 유기산으로서는, 예를 들면 포름산, 아세트산, 프로피온산, 부티르산, 락트산, 말산, 타르타르산, 시트르산, 옥살산, 말론산, 숙신산, 글루타르산, 아디프산, 푸마르산, 말레산 및 올레산을 들 수 있다.
상기 염기성 촉매로서는, 예를 들면 알칼리 금속의 수산화물, 알칼리 금속의 알콕시드 및 알칼리 금속의 실란올 화합물을 들 수 있다.
상기 알칼리 금속의 수산화물로서는, 예를 들면 수산화나트륨, 수산화칼륨 및 수산화세슘을 들 수 있다. 상기 알칼리 금속의 알콕시드로서는, 예를 들면 나트륨-t-부톡시드, 칼륨-t-부톡시드 및 세슘-t-부톡시드를 들 수 있다.
상기 알칼리 금속의 실란올 화합물로서는, 예를 들면 나트륨실란올레이트 화합물, 칼륨실란올레이트 화합물 및 세슘실란올레이트 화합물을 들 수 있다. 그 중에서도 칼륨계 촉매 또는 세슘계 촉매가 바람직하다.
(히드로실릴화 반응용 촉매)
본 발명에 따른 광 반도체 장치용 밀봉제에 포함되어 있는 히드로실릴화 반응용 촉매는 상기 제1 실리콘 수지 성분 중의 알케닐기와, 상기 제2 실리콘 수지 성분 중의 규소 원자에 직접 결합하고 있는 수소 원자를 히드로실릴화 반응시키는 촉매이다.
상기 히드로실릴화 반응용 촉매로서, 히드로실릴화 반응을 진행시키는 각종 촉매를 사용할 수 있다. 상기 히드로실릴화 반응용 촉매는 1종만이 사용될 수도 있고, 2종 이상이 병용될 수도 있다.
상기 히드로실릴화 반응용 촉매로서는, 예를 들면 백금계 촉매, 로듐계 촉매 및 팔라듐계 촉매 등을 들 수 있다. 밀봉제의 투명성을 높게 할 수 있기 때문에, 백금계 촉매가 바람직하다.
상기 백금계 촉매로서는, 백금 분말, 염화백금산, 백금-알케닐실록산 착체, 백금-올레핀 착체 및 백금-카르보닐 착체를 들 수 있다. 특히 백금-알케닐실록산 착체 또는 백금-올레핀 착체가 바람직하다.
상기 백금-알케닐실록산 착체에서의 알케닐실록산으로서는, 예를 들면 1,3-디비닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산 및 1,3,5,7-테트라메틸-1,3,5,7-테트라비닐시클로테트라실록산 등을 들 수 있다. 상기 백금-올레핀 착체에서의 올레핀으로서는, 예를 들면 알릴에테르 및 1,6-헵타디엔 등을 들 수 있다.
상기 백금-알케닐실록산 착체 및 백금-올레핀 착체의 안정성을 향상시킬 수 있기 때문에, 상기 백금-알케닐실록산 착체 또는 백금-올레핀 착체에, 알케닐실록산, 오르가노실록산 올리고머, 알릴에테르 또는 올레핀을 첨가하는 것이 바람직하다. 상기 알케닐실록산은, 바람직하게는 1,3-디비닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산이다. 상기 오르가노실록산 올리고머는, 바람직하게는 디메틸실록산 올리고머이다. 상기 올레핀은, 바람직하게는 1,6-헵타디엔이다.
상기 제1 실리콘 수지 성분과 상기 제2 실리콘 수지 성분을 포함하는 밀봉제 중에서, 상기 히드로실릴화 반응용 촉매의 함유량은 금속 원자의 중량 단위로 0.01 내지 1000 ppm의 범위 내인 것이 바람직하다. 상기 히드로실릴화 반응용 촉매의 함유량이 0.01 ppm 이상이면, 밀봉제를 충분히 경화시키는 것이 용이하고, 밀봉제의 가스 배리어성을 보다 한층 높일 수 있다. 상기 히드로실릴화 반응용 촉매의 함유량이 1000 ppm 이하이면, 경화물의 착색의 문제가 생기기 어렵다. 상기 히드로실릴화 반응용 촉매의 함유량의 보다 바람직한 하한은 1 ppm, 보다 바람직한 상한은 500 ppm이다.
(산화규소 입자)
본 발명에 따른 광 반도체 장치용 밀봉제는 산화규소 입자를 더 포함하는 것이 바람직하다. 상기 산화규소 입자의 사용에 의해, 밀봉제의 경화물의 내열성 및 내광성을 손상시키지 않고 경화 전의 밀봉제의 점도를 적당한 범위로 조정할 수 있다. 따라서, 밀봉제의 취급성을 높일 수 있다.
상기 산화규소 입자의 일차 입경의 바람직한 하한은 5 nm, 보다 바람직한 하한은 8 nm, 바람직한 상한은 200 nm, 보다 바람직한 상한은 150 nm이다. 상기 산화규소 입자의 일차 입경이 상기 바람직한 하한을 만족시키면, 산화규소 입자의 분산성이 보다 한층 높아지고, 밀봉제의 경화물의 투명성이 보다 한층 높아진다. 상기 산화규소 입자의 일차 입경이 상기 바람직한 상한을 만족시키면, 25℃에서의 점도의 상승 효과를 충분히 얻을 수 있으면서 온도 상승에서의 점도의 저하를 억제할 수 있다.
상기 산화규소 입자의 일차 입경은 이하와 같이 하여 측정된다. 광 반도체 장치용 밀봉제의 경화물을 투과형 전자 현미경(상품명 「JEM-2100」, 니혼 덴시사 제조)을 이용하여 관찰한다. 시야 중의 100개의 산화규소 입자의 일차 입자의 크기를 각각 측정하고, 측정치의 평균치를 일차 입경으로 한다. 상기 일차 입경은 상기 산화규소 입자가 구형인 경우에는 산화규소 입자의 직경의 평균치를 의미하고, 비구형인 경우에는 산화규소 입자의 장경의 평균치를 의미한다.
상기 산화규소 입자의 BET 비표면적의 바람직한 하한은 30 m2/g, 바람직한 상한은 400 m2/g이다. 상기 산화규소 입자의 BET 비표면적이 30 m2/g 이상이면, 밀봉제의 25℃에서의 점도를 바람직한 범위로 제어할 수 있고, 온도 상승에서의 점도의 저하를 억제할 수 있다. 상기 산화규소 입자의 BET 비표면적이 400 m2/g 이하이면, 산화규소 입자의 응집이 생기기 어려워져, 분산성을 높게 할 수 있고, 또한 밀봉제의 경화물의 투명성을 보다 한층 높게 할 수 있다.
상기 산화규소 입자로서는 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 흄드 실리카, 용융 실리카 등의 건식법으로 제조된 실리카, 및 콜로이달 실리카, 졸겔 실리카, 침전 실리카 등의 습식법으로 제조된 실리카 등을 들 수 있다. 그 중에서도 휘발 성분이 적으면서 투명성이 보다 한층 높은 밀봉제를 얻는 관점에서는, 상기 산화규소 입자로서 흄드 실리카가 바람직하게 이용된다.
상기 흄드 실리카로서는, 예를 들면 아에로질(Aerosil) 50(비표면적: 50 m2/g), 아에로질 90(비표면적: 90 m2/g), 아에로질 130(비표면적: 130 m2/g), 아에로질 200(비표면적: 200 m2/g), 아에로질 300(비표면적: 300 m2/g) 및 아에로질 380(비표면적: 380 m2/g)(모두 닛본 아에로질사 제조) 등을 들 수 있다.
상기 산화규소 입자는 유기 규소 화합물에 의해 표면 처리되어 있는 것이 바람직하다. 이 표면 처리에 의해 산화규소 입자의 분산성이 매우 높아지고, 경화 전의 밀봉제의 온도 상승에 의한 점도의 저하를 보다 한층 억제할 수 있다.
상기 유기 규소 화합물로서는 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 알킬기를 갖는 실란계 화합물, 디메틸실록산 등의 실록산 골격을 갖는 규소계 화합물, 아미노기를 갖는 규소계 화합물, (메트)아크릴로일기를 갖는 규소계 화합물, 및 에폭시기를 갖는 규소계 화합물 등을 들 수 있다. 상기 「(메트)아크릴로일기」는 아크릴로일기와 메타크릴로일기를 의미한다.
산화규소 입자의 분산성을 더 한층 높이는 관점에서는, 상기 유기 규소 화합물은 디메틸실릴기를 갖는 유기 규소 화합물, 트리메틸실릴기를 갖는 유기 규소 화합물 및 폴리디메틸실록산기를 갖는 유기 규소 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종인 것이 바람직하다. 또한, 산화규소 입자의 분산성을 더 한층 높이는 관점에서는, 표면 처리에 이용되는 상기 유기 규소 화합물은 트리메틸실릴기를 갖는 유기 규소 화합물 및 폴리디메틸실록산기를 갖는 유기 규소 화합물 중 적어도 1종인 것이 바람직하다.
유기 규소 화합물에 의해 표면 처리하는 방법의 일례로서, 디메틸실릴기를 갖는 유기 규소 화합물 또는 트리메틸실릴기를 갖는 유기 규소 화합물을 이용하는 경우에는, 예를 들면 디클로로디메틸실란, 디메틸디메톡시실란, 헥사메틸디실라잔, 트리메틸실릴클로라이드 및 트리메틸메톡시실란 등을 이용하여 산화규소 입자를 표면 처리하는 방법을 들 수 있다. 폴리디메틸실록산기를 갖는 유기 규소 화합물을 이용하는 경우에는, 폴리디메틸실록산기의 말단에 실란올기를 갖는 화합물 및 환상 실록산 등을 이용하여 산화규소 입자를 표면 처리하는 방법을 들 수 있다.
상기 디메틸실릴기를 갖는 유기 규소 화합물에 의해 표면 처리된 산화규소 입자의 시판품으로서는, R974(비표면적: 170 m2/g) 및 R964(비표면적: 250 m2/g)(모두 닛본 아에로질사 제조) 등을 들 수 있다.
상기 트리메틸실릴기를 갖는 유기 규소 화합물에 의해 표면 처리된 산화규소 입자의 시판품으로서는, RX200(비표면적: 140 m2/g) 및 R8200(비표면적: 140 m2/g)(모두 닛본 아에로질사 제조) 등을 들 수 있다.
상기 폴리디메틸실록산기를 갖는 유기 규소 화합물에 의해 표면 처리된 산화규소 입자의 시판품으로서는 RY200(비표면적: 120 m2/g)(닛본 아에로질사 제조) 등을 들 수 있다.
상기 유기 규소 화합물에 의해 산화규소 입자를 표면 처리하는 방법은 특별히 한정되지 않는다. 이 방법으로서는, 예를 들면 믹서 중에 산화규소 입자를 첨가하고, 교반하면서 유기 규소 화합물을 첨가하는 건식법, 산화규소 입자의 슬러리 중에 유기 규소 화합물을 첨가하는 슬러리법, 및 산화규소 입자의 건조 후에 유기 규소 화합물을 스프레이 부여하는 스프레이법 등의 직접 처리법 등을 들 수 있다. 상기 건식법에서 이용되는 믹서로서는 헨셀 믹서 및 V형 믹서 등을 들 수 있다. 상기 건식법에서는 유기 규소 화합물은 직접, 또는 알코올 수용액, 유기 용매 용액 또는 수용액으로서 첨가된다.
상기 유기 규소 화합물에 의해 표면 처리되어 있는 산화규소 입자를 얻기 위해, 광 반도체 장치용 밀봉제를 제조할 때에, 산화규소 입자와 상기 제1, 제2의 실리콘 수지 성분 등의 매트릭스 수지의 혼합시에 유기 규소 화합물을 직접 첨가하는 인티그럴 블렌드법 등을 이용할 수도 있다.
상기 제1 실리콘 수지 성분과 상기 제2 실리콘 수지 성분의 합계 100 중량부에 대하여 상기 산화규소 입자의 함유량은 0.5 중량부 이상 40 중량부 이하인 것이 바람직하다. 상기 제1 실리콘 수지 성분과 상기 제2 실리콘 수지 성분의 합계 100 중량부에 대하여 상기 산화규소 입자의 함유량의 보다 바람직한 하한은 1 중량부, 보다 바람직한 상한은 35 중량부이다. 상기 산화규소 입자의 함유량이 상기 하한을 만족시키면, 경화시의 점도 저하를 억제하는 것이 가능해진다. 상기 산화규소 입자의 함유량이 상기 상한을 만족시키면, 밀봉제의 점도를 보다 한층 적정한 범위로 제어할 수 있으면서 밀봉제의 투명성을 보다 한층 높일 수 있다.
그런데, 발광 소자로부터 발해지는 빛이 밝더라도, 발광 소자로부터 발해지는 빛이 내부로부터 외부로 효율적으로 나오지 않으면, 충분한 밝기를 얻을 수는 없다. 충분한 밝기를 유지하기 위해서는 보다 많은 전류를 발광 소자에 흐르게 할 필요가 있다.
본 발명자는 아릴기 또는 페닐렌기를 갖는 상기 제1, 제2의 실리콘 수지 성분을 사용함으로써, 밀봉제의 경화물의 굴절률이 높아져, 발광 소자로부터 발해지는 빛을 효율적으로 취출할 수 있음을 발견하였다. 이에 따라, 저전류로도 외부로 나오는 빛을 충분히 밝게 할 수 있다.
그러나, 아릴기 또는 페닐렌기를 갖는 상기 제1, 제2의 실리콘 수지 성분과, 형광체를 포함하는 밀봉제는, 경화 전에 고온에 노출되면 밀봉제의 점도가 급격히 저하되어 형광체가 침강하기 쉽다. 이 때문에, 경화 시에 밀봉제가 고온에 노출되면, 발광 소자의 주변에 형광체가 편재하여 빛이 난반사한다. 그 결과, 발광 소자로부터 발해지는 빛의 일부가 밀봉제의 경화물 중에서 상실되어, 광 반도체 장치로부터 취출되는 광량이 적어진다는 문제가 있다.
본 발명에 따른 광 반도체 장치용 밀봉제가 상기 유기 규소 화합물에 의해 표면 처리된 산화규소 입자를 포함하는 경우에는, 아릴기 또는 페닐렌기를 갖는 상기 제1, 제2의 실리콘 수지 성분을 함유함에도 불구하고, 밀봉제의 고온에서의 점도를 충분한 높이로 유지할 수 있다. 이에 따라, 밀봉제가 고온으로 가열되었을 때의 점도를 적절한 범위로 조정할 수 있고, 밀봉제 중의 형광체의 분산 상태를 균일하게 유지할 수 있다.
(형광체)
본 발명에 따른 광 반도체 장치용 밀봉제는 형광체를 더 포함할 수도 있다. 상기 형광체는 광 반도체 장치용 밀봉제를 이용하여 밀봉하는 발광 소자가 발하는 빛을 흡수하고, 형광을 발생함으로써, 최종적으로 원하는 색의 빛을 얻을 수 있도록 작용한다. 상기 형광체는 발광 소자가 발하는 빛에 의해 여기되고, 형광을 발하여, 발광 소자가 발하는 빛과 형광체가 발하는 형광의 조합에 의해 원하는 색의 빛을 얻을 수 있다.
본 발명에 따른 광 반도체 장치용 밀봉제가 상기 구성 X에 더하여 상기 구성 Y를 더 구비하는 경우에는, 밀봉제가 미리 형광체를 포함하고 있더라도 상기 형광체는 침강하기 어렵다.
또한, 본 발명에 따른 광 반도체 장치용 밀봉제는 형광체를 포함하지 않을 수도 있다. 이 경우에는, 밀봉제는 사용시에 형광체가 첨가되어 사용될 수 있다. 본 발명에 따른 광 반도체 장치용 밀봉제가 상기 구성 X에 더하여 상기 구성 Y를 더 구비하는 경우에는, 밀봉제에 형광체가 첨가되더라도, 첨가된 형광체는 침강하기 어렵다.
예를 들면, 발광 소자로서 자외선 LED 칩을 사용하여 최종적으로 백색광을 얻는 것을 목적으로 하는 경우에는, 청색 형광체, 적색 형광체 및 녹색 형광체를 조합하여 사용하는 것이 바람직하다. 발광 소자로서 청색 LED 칩을 사용하여 최종적으로 백색광을 얻는 것을 목적으로 하는 경우에는, 녹색 형광체 및 적색 형광체를 조합하여 사용하거나, 또는 황색 형광체를 이용하는 것이 바람직하다. 상기 형광체는 1종만이 사용될 수도 있고, 2종 이상이 병용될 수도 있다.
상기 청색 형광체로서는 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 (Sr,Ca,Ba,Mg)10(PO4)6Cl2:Eu, (Ba,Sr)MgAl10O17:Eu, (Sr,Ba)3MgSi2O8:Eu 등을 들 수 있다.
상기 적색 형광체로서는 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 (Sr,Ca)S:Eu, (Ca,Sr)2Si5N8:Eu, CaSiN2:Eu, CaAlSiN3:Eu, Y2O2S:Eu, La2O2S:Eu, LiW2O8:(Eu,Sm), (Sr,Ca,Bs,Mg)10(PO4)8Cl2:(Eu,Mn), Ba3MgSi2O8:(Eu,Mn) 등을 들 수 있다.
상기 녹색 형광체로서는 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 Y3(Al, Ga)5O12:Ce, SrGa2S4:Eu, Ca3Sc2Si3O12:Ce, SrSiON:Eu, ZnS:(Cu,Al), BaMgAl10O17(Eu,Mn), SrAl2O4:Eu 등을 들 수 있다.
상기 황색 형광체로서는 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 Y3Al5O12:Ce, (Y,Gd)3Al5O12:Ce, Tb3Al5O12:Ce, CaGa2S4:Eu, Sr2SiO4:Eu 등을 들 수 있다.
또한, 상기 형광체로서는 유기 형광체인 페릴렌계 화합물 등을 들 수 있다.
상기 형광체의 부피 평균 입경의 바람직한 하한은 1 μm, 보다 바람직한 하한은 2 μm, 바람직한 상한은 30 μm, 보다 바람직한 상한은 25 μm이다.
원하는 색의 빛을 얻도록 상기 형광체의 함유량은 적절히 조정할 수 있고, 특별히 한정되지 않는다. 본 발명에 따른 광 반도체 장치용 밀봉제 100 중량부에 대하여 상기 형광체의 함유량은 0.1 중량부 이상 40 중량부 이하인 것이 바람직하다. 또한, 본 발명에 따른 광 반도체 장치용 밀봉제가 형광체를 포함하는 경우에는, 광 반도체 장치용 밀봉제의 형광체를 제외한 전체 성분 100 중량부에 대하여 상기 형광체의 함유량은 0.1 중량부 이상 40 중량부 이하인 것이 바람직하다.
(커플링제)
본 발명에 따른 광 반도체 장치용 밀봉제는 접착성을 부여하기 위해 커플링제를 더 함유할 수도 있다.
상기 커플링제로서는 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 실란 커플링제 등을 들 수 있다. 상기 실란 커플링제로서는, 비닐트리에톡시실란, 비닐트리메톡시실란, 3-글리시독시프로필트리메톡시실란, 2-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, γ-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, γ-아미노프로필트리메톡시실란, N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실란 등을 들 수 있다. 커플링제는 1종만이 사용될 수도 있고, 2종 이상이 병용될 수도 있다.
상기 제1 실리콘 수지 성분과 상기 제2 실리콘 수지 성분의 합계 100 중량부에 대하여 커플링제의 함유량의 바람직한 하한은 0.1 중량부, 바람직한 상한은 5 중량부이다. 커플링제의 함유량이 0.1 중량부 이상이면, 커플링제의 첨가 효과가 충분히 발휘된다. 커플링제의 함유량이 5 중량부 이하이면, 잉여의 커플링제가 휘발하기 어려워져, 밀봉제를 경화시켰을 때에 고온 환경 하에서 경화물의 두께가 보다 한층 감소하기 어려워진다.
(다른 성분)
본 발명에 따른 광 반도체 장치용 밀봉제는, 필요에 따라 분산제, 산화 방지제, 소포제, 착색제, 변성제, 레벨링제, 광 확산제, 열전도성 충전재 또는 난연제 등의 첨가제를 더 포함할 수도 있다.
또한, 상기 제1 실리콘 수지 성분과, 상기 제2 실리콘 수지 성분과, 상기 히드로실릴화 반응용 촉매는, 이들을 1종 또는 2종 이상 포함하는 액을 따로따로 제조해 두고, 사용 직전에 복수의 액을 혼합하여 본 발명에 따른 광 반도체 장치용 밀봉제를 제조할 수도 있다. 예를 들면, 상기 제1 실리콘 수지 성분 및 상기 히드로실릴화 반응용 촉매를 포함하는 A액과, 상기 제2 실리콘 수지 성분을 포함하는 B액을 따로따로 제조해 두고, 사용 직전에 A액과 B액을 혼합하여 본 발명에 따른 광 반도체 장치용 밀봉제를 제조할 수도 있다. 이와 같이 상기 제1 실리콘 수지 성분 및 상기 히드로실릴화 반응용 촉매와 상기 제2 실리콘 수지 성분을 따로따로, 제1 액과 제2 액의 2액으로 함으로써 보존 안정성을 향상시킬 수 있다. 상기 산화규소 입자와 상기 형광체는 각각 A액에 첨가할 수도 있고, B액에 첨가할 수도 있다.
(광 반도체 장치용 밀봉제의 상세 및 용도)
본 발명에 따른 광 반도체 장치용 밀봉제는 E형 점도계를 이용하여 측정된 25℃에서의 5 rpm에서의 점도 η1은 1000 mPa?s 이상 10000 mPa?s인 것이 바람직하다. 본 발명에 따른 광 반도체 장치용 밀봉제의 점도 η1이 이 범위 내인 경우에는, 형광체의 침강을 보다 한층 억제하고, 디스펜스성을 보다 한층 높이면서 광 반도체 장치로부터 취출되는 빛을 보다 한층 밝게 할 수 있다.
본 발명에 따른 광 반도체 장치용 밀봉제의 E형 점도계를 이용하여 측정된 25℃에서의 1 rpm에서의 점도 η2의 E형 점도계를 이용하여 측정된 25℃에서의 10 rpm에서의 점도 η3에 대한 비(η2/η3)는 1.2 이상 2.5 이하인 것이 바람직하다. 본 발명에 따른 광 반도체 장치용 밀봉제의 점도가 이 범위 내인 경우에는, 형광체의 침강을 보다 한층 억제하고, 디스펜스성을 보다 한층 높이면서 광 반도체 장치로부터 취출되는 빛을 보다 한층 밝게 할 수 있다.
또한, 제1, 제2의 실리콘 수지 A, A-1, A-2, B 및 광 반도체 장치용 밀봉제에서의 상기 「점도」는 E형 점도계(TV-22형, 도키 산교사 제조)를 이용하여 측정된 값이다.
또한, 본 발명에 따른 광 반도체 장치용 밀봉제는 평행판형 레오미터를 이용하여 25℃에서부터 승온 속도 20℃/분으로 가열했을 때에, 25℃에서부터 경화 온도까지의 온도 영역에서의 전단 속도 1 s-1에서의 최저 점도가 200 mPa?s 이상인 것이 바람직하다. 본 발명에 따른 광 반도체 장치용 밀봉제의 점도가 상기 범위 내인 경우에는, 형광체를 첨가했을 때에 형광체의 침강을 억제하고, 광 반도체 장치로부터 취출되는 빛을 보다 한층 밝게 할 수 있다.
본 발명에 따른 광 반도체 장치용 밀봉제의 상기 25℃에서의 5 rpm에서의 점도 η1이 1000 내지 10000 mPa?s의 범위 내에 있는 경우에는, 광 반도체 장치에 의해 형성된 발광 소자를 효율적으로 밀봉할 수 있다. 상기 25℃에서의 5 rpm에서의 점도 η1의 바람직한 하한은 1200 mPa?s, 보다 바람직한 하한은 1500 mPa?s, 바람직한 상한은 8000 mPa?s, 보다 바람직한 상한은 6000 mPa?s이다.
상기 전단 속도 1 s-1에서의 최저 점도가 200 mPa?s 이상이면, 밀봉제가 가열되고 경화하는 동안에 형광체가 거의 침강하지 않는다. 이 때문에, 광 반도체 장치로부터 보다 한층 밝은 빛을 취출할 수 있다. 상기 전단 속도 1 s-1에서의 최저 점도의 보다 바람직한 하한은 300 mPa?s, 더욱 바람직한 하한은 500 mPa?s이다.
상기 전단 속도 1 s-1에서의 최저 점도는 평행판형 레오미터(「DAR-2000」, 레올로지카사 제조)를 이용하여 측정된 값을 의미한다.
본 발명에 따른 광 반도체 장치용 밀봉제의 경화 온도는 특별히 한정되지 않는다. 광 반도체 장치용 밀봉제의 경화 온도의 바람직한 하한은 80℃, 보다 바람직한 하한은 100℃, 바람직한 상한은 180℃, 보다 바람직한 상한은 150℃이다. 경화 온도가 상기 바람직한 하한을 만족시키면, 밀봉제의 경화가 충분히 진행된다. 경화 온도가 상기 바람직한 상한을 만족시키면, 패키지의 열 열화가 발생하기 어렵다.
경화 방식은 특별히 한정되지 않지만, 스텝 경화 방식을 이용하는 것이 바람직하다. 스텝 경화 방식은 일단 저온에서 가경화시켜 두고, 그 후에 고온에서 경화시키는 방법이다. 스텝 경화 방식의 사용에 의해 밀봉제의 경화 수축을 억제할 수 있다.
본 발명에 따른 광 반도체 장치용 밀봉제의 제조 방법으로서는 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 호모 디스퍼, 호모 믹서, 만능 믹서, 플라네타륨 믹서, 혼련기, 3축 롤 또는 비드 밀 등의 혼합기를 이용하여 상온 또는 가온하에서 상기 제1 실리콘 수지 성분, 상기 제2 실리콘 수지 성분, 상기 히드로실릴화 반응용 촉매, 및 필요에 따라 배합되는 다른 성분을 혼합하는 방법 등을 들 수 있다.
상기 발광 소자로서는 반도체를 이용한 발광 소자이면 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 상기 발광 소자가 발광 다이오드인 경우, 예를 들면 기판 상에 LED 형식용 반도체 재료를 적층한 구조를 들 수 있다. 이 경우, 반도체 재료로서는, 예를 들면 GaAs, GaP, GaAlAs, GaAsP, AlGaInP, GaN, InN, AlN, InGaAlN 및 SiC 등을 들 수 있다.
상기 기판의 재료로서는, 예를 들면 사파이어, 스피넬, SiC, Si, ZnO 및 GaN 단결정 등을 들 수 있다. 또한, 필요에 따라 기판과 반도체 재료 사이에 버퍼층이 형성될 수도 있다. 상기 버퍼층의 재료로서는, 예를 들면 GaN 및 AlN 등을 들 수 있다.
본 발명에 따른 광 반도체 장치로서는, 구체적으로는 예를 들면, 발광 다이오드 장치, 반도체 레이저 장치 및 포토 커플러 등을 들 수 있다. 이러한 광 반도체 장치는, 예를 들면 액정 디스플레이 등의 백 라이트, 조명, 각종 센서, 프린터 및 복사기 등의 광원, 차량용 계측기 광원, 신호등, 표시등, 표시 장치, 면상 발광체의 광원, 디스플레이, 장식, 각종 라이트 및 스위칭 소자 등에 바람직하게 사용할 수 있다.
본 발명에 따른 광 반도체 장치에서는 본 발명에 따른 광 반도체 장치용 밀봉제의 경화물에 의해, 광 반도체에 의해 형성된 발광 소자가 밀봉되어 있다. 본 발명에 따른 광 반도체 장치에서는 LED 등의 광 반도체에 의해 형성된 발광 소자를 밀봉하도록 광 반도체 장치용 밀봉제의 경화물이 배치되어 있다. 이 때문에, 발광 소자를 밀봉하고 있는 광 반도체 장치용 밀봉제의 경화물에 균열이 생기기 어렵고, 패키지로부터의 박리가 생기기 어려우면서 광 투과성, 내열성, 내후성 및 가스 배리어성을 높일 수 있다.
(광 반도체 장치의 실시 형태)
도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 광 반도체 장치를 나타내는 정면 단면도이다.
본 실시 형태의 광 반도체 장치 (1)은 하우징 (2)를 갖는다. 하우징 (2) 내에 LED를 포함하는 광 반도체 소자 (3)이 실장되어 있다. 이 광 반도체 소자 (3)의 주위를, 하우징 (2)의 광 반사성을 갖는 내면 (2a)가 둘러싸고 있다. 본 실시 형태에서는 광 반도체에 의해 형성된 발광 소자로서 광 반도체 소자 (3)이 이용되고 있다.
내면 (2a)는 내면 (2a)의 직경이 개구단을 향함에 따라 커지도록 형성되어 있다. 따라서, 광 반도체 소자 (3)으로부터 발해진 빛 중 내면 (2a)에 도달한 빛이 내면 (2a)에 의해 반사되고, 광 반도체 소자 (3)의 전방측으로 진행된다. 광 반도체 소자 (3)을 밀봉하도록, 내면 (2a)로 둘러싸인 영역 내에는 광 반도체 장치용 밀봉제 (4)가 충전되어 있다.
또한, 도 1에 나타내는 구조는 본 발명에 따른 광 반도체 장치의 일례에 불과하며, 광 반도체 장치의 실장 구조 등은 적절히 변형될 수 있다.
이하에, 실시예를 들어 본 발명을 보다 상세히 설명한다. 본 발명은 이하의 실시예로 한정되지 않는다.
(합성예 1) 제1 실리콘 수지 A, A-2의 합성
온도계, 적하 장치 및 교반기를 구비한 1000 mL의 분리 플라스크에, 트리메틸메톡시실란 63 g, 디메틸디메톡시실란 90 g, 디페닐디메톡시실란 183 g, 및 비닐트리메톡시실란 133 g을 넣고, 50℃에서 교반하였다. 그 속에, 수산화칼륨 0.8 g을 물 114 g에 녹인 용액을 천천히 적하하고, 적하 후에 50℃에서 6시간 교반하며 반응시켜 반응액을 얻었다. 다음으로, 반응액에 아세트산 0.9 g을 가하고, 감압하여 휘발 성분을 제거하고, 아세트산칼륨을 여과에 의해 제거하여 중합체 (A)를 얻었다.
얻어진 중합체 (A)의 수 평균 분자량(Mn)은 1700이었다. 29Si-NMR로부터 화학 구조를 동정한 결과, 중합체 (A)는 하기의 평균 조성식 (A1)을 갖고 있었다.
상기 식 (A1) 중, Me는 메틸기, Ph는 페닐기, Vi는 비닐기를 나타낸다.
얻어진 중합체 (A)의 페닐기의 함유 비율은 37 몰％였다.
또한, 합성예 1 및 합성예 2 내지 16에서 얻어진 각 중합체의 분자량은, 10 mg에 테트라히드로푸란 1 mL를 가하여 용해될 때까지 교반하고, GPC 측정에 의해 측정하였다. GPC 측정에서는 워터스사 제조의 측정 장치(컬럼: 쇼와 덴꼬사 제조 쇼덱스 GPC LF-804(길이 300 mm)×2개, 측정 온도: 40℃, 유속: 1 mL/분, 용매: 테트라히드로푸란, 표준 물질: 폴리스티렌)를 이용하였다.
(합성예 2) 제1 실리콘 수지 A, A-2의 합성
온도계, 적하 장치 및 교반기를 구비한 1000 mL의 분리 플라스크에, 디메틸디메톡시실란 126 g, 디페닐디메톡시실란 183 g, 비닐메틸디메톡시실란 119 g, 및 1,6-비스(디메틸메톡시실릴)헥산 79 g을 넣고, 50℃에서 교반하였다. 그 속에, 수산화칼륨 0.8 g을 물 108 g에 녹인 용액을 천천히 적하하고, 적하 후에 50℃에서 6시간 교반하며 반응시켜 반응액을 얻었다. 다음으로, 반응액에 아세트산 0.9 g을 가하고, 감압하여 휘발 성분을 제거하고, 아세트산칼륨을 여과에 의해 제거하여 중합체 (B)를 얻었다.
얻어진 중합체 (B)의 수 평균 분자량(Mn)은 4100이었다. 29Si-NMR로부터 화학 구조를 동정한 결과, 중합체 (B)는 하기의 평균 조성식 (B1)을 갖고 있었다.
상기 식 (B1) 중, Me는 메틸기, Ph는 페닐기, Vi는 비닐기, Hex는 헥실렌기를 나타낸다.
얻어진 중합체 (B)의 페닐기의 함유 비율은 33 몰％였다.
(합성예 3) 제1 실리콘 수지 A, A-2의 합성
온도계, 적하 장치 및 교반기를 구비한 1000 mL의 분리 플라스크에, 디메틸디메톡시실란 60 g, 디페닐디메톡시실란 317 g, 비닐메틸디메톡시실란 119 g, 및 1,6-비스(디메틸메톡시실릴)헥산 79 g을 넣고, 50℃에서 교반하였다. 그 속에, 수산화칼륨 0.8 g을 물 108 g에 녹인 용액을 천천히 적하하고, 적하 후에 50℃에서 6시간 교반하며 반응시켜 반응액을 얻었다. 다음으로, 반응액에 아세트산 0.9 g을 가하고, 감압하여 휘발 성분을 제거하고, 아세트산칼륨을 여과에 의해 제거하여 중합체 (C)를 얻었다.
얻어진 중합체 (C)의 수 평균 분자량(Mn)은 3600이었다. 29Si-NMR로부터 화학 구조를 동정한 결과, 중합체 (C)는 하기의 평균 조성식 (C1)을 갖고 있었다.
상기 식 (C1) 중, Me는 메틸기, Ph는 페닐기, Vi는 비닐기, Hex는 헥실렌기를 나타낸다.
얻어진 중합체 (C)의 전체 실록산 구조 단위 100 몰％ 중, 상기 디페닐실록산 구조 단위의 비율은 44 몰％였다. 얻어진 중합체 (C)의 페닐기의 함유 비율은 46 몰％였다.
(합성예 4) 제1 실리콘 수지 B의 합성
온도계, 적하 장치 및 교반기를 구비한 1000 mL의 분리 플라스크에, 디메틸디메톡시실란 60 g, 디페닐디메톡시실란 317 g, 비닐메틸디메톡시실란 119 g, 및 1,4-비스(디메틸메톡시실릴)벤젠 76 g을 넣고, 50℃에서 교반하였다. 그 속에, 수산화칼륨 0.8 g을 물 108 g에 녹인 용액을 천천히 적하하고, 적하 후에 50℃에서 6시간 교반하며 반응시켜 반응액을 얻었다. 다음으로, 반응액에 아세트산 0.9 g을 가하고, 감압하여 휘발 성분을 제거하고, 아세트산칼륨을 여과에 의해 제거하여 중합체 (D)를 얻었다.
얻어진 중합체 (D)의 수 평균 분자량(Mn)은 3400이었다. 29Si-NMR로부터 화학 구조를 동정한 결과, 중합체 (D)는 하기의 평균 조성식 (D1)을 갖고 있었다.
상기 식 (D1) 중, Me는 메틸기, Ph는 페닐기, Vi는 비닐기, Phe는 페닐렌기를 나타낸다.
얻어진 중합체 (D)의 전체 실록산 구조 단위 100 몰％ 중, 상기 디페닐실록산 구조 단위의 비율은 44 몰％였다. 얻어진 중합체 (D)의 페닐기의 함유 비율은 52 몰％였다.
(합성예 5) 제2 실리콘 수지 A의 합성
온도계, 적하 장치 및 교반기를 구비한 1000 mL의 분리 플라스크에, 트리메틸메톡시실란 31 g, 1,1,3,3-테트라메틸디실록산 50 g, 디메틸디메톡시실란 108 g, 및 페닐트리메톡시실란 208 g을 넣고, 50℃에서 교반하였다. 그 속에, 염산 1.4 g과 물 101 g의 용액을 천천히 적하하고, 적하 후에 50℃에서 6시간 교반하며 반응시켜 반응액을 얻었다. 다음으로, 감압하여 휘발 성분을 제거하여 중합체를 얻었다. 얻어진 중합체에 헥산 150 g과 아세트산에틸 150 g을 첨가하고, 이온 교환수 300 g으로 10회 세정을 행하고, 감압하여 휘발 성분을 제거하여 중합체 (E)를 얻었다.
얻어진 중합체 (E)의 수 평균 분자량(Mn)은 1000이었다. 29Si-NMR로부터 화학 구조를 동정한 결과, 중합체 (E)는 하기의 평균 조성식 (E1)을 갖고 있었다.
상기 식 (E1) 중, Me는 메틸기, Ph는 페닐기를 나타낸다.
얻어진 중합체 (E)의 페닐기의 함유 비율은 33 몰％였다.
(합성예 6) 제2 실리콘 수지 A의 합성
온도계, 적하 장치 및 교반기를 구비한 1000 mL의 분리 플라스크에, 트리메틸메톡시실란 16 g, 1,1,3,3-테트라메틸디실록산 50 g, 디메틸디메톡시실란 36 g, 디페닐디메톡시실란 183 g, 페닐트리메톡시실란 149 g, 및 비닐트리메톡시실란 45 g을 넣고, 50℃에서 교반하였다. 그 속에, 염산 1.4 g과 물 104 g의 용액을 천천히 적하하고, 적하 후에 50℃에서 6시간 교반하며 반응시켜 반응액을 얻었다. 다음으로, 감압하여 휘발 성분을 제거하여 중합체를 얻었다. 얻어진 중합체에 헥산 150 g과 아세트산에틸 150 g을 첨가하고, 이온 교환수 300 g으로 10회 세정을 행하고, 감압하여 휘발 성분을 제거하여 중합체 (F)를 얻었다.
얻어진 중합체 (F)의 수 평균 분자량(Mn)은 1000이었다. 29Si-NMR로부터 화학 구조를 동정한 결과, 중합체 (F)는 하기의 평균 조성식 (F1)을 갖고 있었다.
상기 식 (F1) 중, Me는 메틸기, Ph는 페닐기, Vi는 비닐기를 나타낸다.
얻어진 중합체 (F)의 전체 실록산 구조 단위 100 몰％ 중, 상기 식 (51-a)로 표시되는 구조 단위에 상당하는 구조 단위의 비율은 23 몰％였다. 얻어진 중합체 (F)의 페닐기의 함유 비율은 51 몰％였다.
(합성예 7) 제2 실리콘 수지 A의 합성
온도계, 적하 장치 및 교반기를 구비한 1000 mL의 분리 플라스크에, 트리메틸메톡시실란 31 g, 1,1,3,3-테트라메틸디실록산 40 g, 디페닐디메톡시실란 110 g, 페닐트리메톡시실란 268 g, 및 비닐트리메톡시실란 45 g을 넣고, 50℃에서 교반하였다. 그 속에, 염산 1.4 g과 물 116 g의 용액을 천천히 적하하고, 적하 후에 50℃에서 6시간 교반하며 반응시켜 반응액을 얻었다. 다음으로, 감압하여 휘발 성분을 제거하여 중합체를 얻었다. 얻어진 중합체에 헥산 150 g과 아세트산에틸 150 g을 첨가하고, 이온 교환수 300 g으로 10회 세정을 행하고, 감압하여 휘발 성분을 제거하여 중합체 (G)를 얻었다.
얻어진 중합체 (G)의 수 평균 분자량(Mn)은 1100이었다. 29Si-NMR로부터 화학 구조를 동정한 결과, 중합체 (G)는 하기의 평균 조성식 (G1)을 갖고 있었다.
상기 식 (G1) 중, Me는 메틸기, Ph는 페닐기, Vi는 비닐기를 나타낸다.
얻어진 중합체 (G)의 전체 실록산 구조 단위 100 몰％ 중, 상기 식 (51-a)로 표시되는 구조 단위에 상당하는 구조 단위의 비율은 19 몰％였다. 얻어진 중합체 (G)의 페닐기의 함유 비율은 51 몰％였다.
(합성예 8) 제2 실리콘 수지 B의 합성
온도계, 적하 장치 및 교반기를 구비한 1000 mL의 분리 플라스크에, 트리메틸메톡시실란 31 g, 1,1,3,3-테트라메틸디실록산 40 g, 디페닐디메톡시실란 183 g, 페닐트리메톡시실란 149 g, 비닐트리메톡시실란 45 g, 및 1,4-비스(디메틸메톡시실릴)벤젠 76 g을 넣고, 50℃에서 교반하였다. 그 속에, 염산 1.4 g과 물 105 g의 용액을 천천히 적하하고, 적하 후에 50℃에서 6시간 교반하며 반응시켜 반응액을 얻었다. 다음으로, 감압하여 휘발 성분을 제거하여 중합체를 얻었다. 얻어진 중합체에 헥산 150 g과 아세트산에틸 150 g을 첨가하고, 이온 교환수 300 g으로 10회 세정을 행하고, 감압하여 휘발 성분을 제거하여 중합체 (H)를 얻었다.
얻어진 중합체 (H)의 수 평균 분자량(Mn)은 1100이었다. 29Si-NMR로부터 화학 구조를 동정한 결과, 중합체 (H)는 하기의 평균 조성식 (H1)을 갖고 있었다.
상기 식 (H1) 중, Me는 메틸기, Ph는 페닐기, Vi는 비닐기, Phe는 페닐렌기를 나타낸다.
얻어진 중합체 (H)의 전체 실록산 구조 단위 100 몰％ 중, 상기 식 (51-a)로 표시되는 구조 단위에 상당하는 구조 단위의 비율은 19 몰％였다. 얻어진 중합체 (H)의 페닐기의 함유 비율은 51 몰％였다.
(합성예 9) [비교예용] 제1 실리콘 수지 성분과 유사한 실리콘 수지의 합성
온도계, 적하 장치 및 교반기를 구비한 1000 mL의 분리 플라스크에, 트리메틸메톡시실란 94 g, 디메틸디메톡시실란 99 g, 디페닐디메톡시실란 92 g, 및 비닐트리메톡시실란 133 g을 넣고, 50℃에서 교반하였다. 그 속에, 수산화칼륨 0.8 g을 물 108 g에 녹인 용액을 천천히 적하하고, 적하 후에 50℃에서 6시간 교반하며 반응시켜 반응액을 얻었다. 다음으로, 반응액에 아세트산 0.9 g을 가하고, 감압하여 휘발 성분을 제거하고, 아세트산칼륨을 여과에 의해 제거하여 중합체 (I)를 얻었다.
얻어진 중합체 (I)의 수 평균 분자량(Mn)은 1800이었다. 29Si-NMR로부터 화학 구조를 동정한 결과, 중합체 (I)는 하기의 평균 조성식 (I1)을 갖고 있었다.
상기 식 (I1) 중, Me는 메틸기, Ph는 페닐기, Vi는 비닐기를 나타낸다.
얻어진 중합체 (I)의 페닐기의 함유 비율은 21 몰％였다.
(합성예 10) [비교예용] 제2 실리콘 수지 성분과 유사한 실리콘 수지의 합성
온도계, 적하 장치 및 교반기를 구비한 1000 mL의 분리 플라스크에, 디메틸디메톡시실란 180 g, 디페닐디메톡시실란 73 g, 비닐메틸디메톡시실란 119 g, 및 1,4-비스(디메틸메톡시실릴)벤젠 76 g을 넣고, 50℃에서 교반하였다. 그 속에, 수산화칼륨 0.8 g을 물 108 g에 녹인 용액을 천천히 적하하고, 적하 후에 50℃에서 6시간 교반하며 반응시켜 반응액을 얻었다. 다음으로, 반응액에 아세트산 0.9 g을 가하고, 감압하여 휘발 성분을 제거하고, 아세트산칼륨을 여과에 의해 제거하여 중합체 (J)를 얻었다.
얻어진 중합체 (J)의 수 평균 분자량(Mn)은 3400이었다. 29Si-NMR로부터 화학 구조를 동정한 결과, 중합체 (J)는 하기의 평균 조성식 (J1)을 갖고 있었다.
상기 식 (J1) 중, Me는 메틸기, Ph는 페닐기, Vi는 비닐기, Phe는 페닐렌기를 나타낸다.
얻어진 중합체 (J)의 페닐기의 함유 비율은 22 몰％였다.
(합성예 11) [비교예용] 제2 실리콘 수지 성분과 유사한 실리콘 수지의 합성
온도계, 적하 장치 및 교반기를 구비한 1000 mL의 분리 플라스크에, 트리메틸메톡시실란 31 g, 1,1,3,3-헥사메틸디실록산 50 g, 디메틸디메톡시실란 140 g, 디페닐디메톡시실란 59 g, 페닐트리메톡시실란 48 g, 및 비닐트리메톡시실란 45 g을 넣고 50℃에서 교반하였다. 그 속에, 염산 1.4 g과 물 92 g의 용액을 천천히 적하하고, 적하 후에 50℃에서 6시간 교반하며 반응시켜 반응액을 얻었다. 다음으로, 감압하여 휘발 성분을 제거하여 중합체를 얻었다. 얻어진 중합체에 헥산 150 g과 아세트산에틸 150 g을 첨가하고, 이온 교환수 300 g으로 10회 세정을 행하고, 감압하여 휘발 성분을 제거하여 중합체 (K)를 얻었다.
얻어진 중합체 (K)의 수 평균 분자량(Mn)은 600이었다. 29Si-NMR로부터 화학 구조를 동정한 결과, 중합체 (K)는 하기의 평균 조성식 (K1)을 갖고 있었다.
상기 식 (K1) 중, Me는 메틸기, Ph는 페닐기, Vi는 비닐기를 나타낸다.
얻어진 중합체 (K)의 페닐기의 함유 비율은 23 몰％였다.
(합성예 12) 제1 실리콘 수지 A, A-2의 합성
온도계, 적하 장치 및 교반기를 구비한 1000 mL의 분리 플라스크에, 디메틸디메톡시실란 96 g, 디페닐디메톡시실란 318 g, 및 비닐메틸디메톡시시실란 119 g을 넣고, 50℃에서 교반하였다. 그 속에, 수산화칼륨 0.8 g을 물 108 g에 녹인 용액을 천천히 적하하고, 적하 후에 50℃에서 6시간 교반하며 반응시켜 반응액을 얻었다. 다음으로, 반응액에 아세트산 0.9 g을 가하고, 감압하여 휘발 성분을 제거하고, 아세트산칼륨을 여과에 의해 제거하여 중합체 (L)을 얻었다.
얻어진 중합체 (L)의 수 평균 분자량(Mn)은 5300이었다. 29Si-NMR로부터 화학 구조를 동정한 결과, 중합체 (L)는 하기의 평균 조성식 (L1)을 갖고 있었다.
상기 식 (L1) 중, Me는 메틸기, Ph는 페닐기, Vi는 비닐기를 나타낸다.
얻어진 중합체 (L)의 전체 실록산 구조 단위 100 몰％ 중, 상기 디페닐실록산 구조 단위의 비율은 45 몰％였다. 얻어진 중합체 (L)의 페닐기의 함유 비율은 52 몰％였다.
(합성예 13) 제1 실리콘 수지 A, A-1의 합성
온도계, 적하 장치 및 교반기를 구비한 1000 mL의 분리 플라스크에, 메틸페닐디메톡시실란 383 g, 및 비닐메틸디메톡시시실란 119 g을 넣고, 50℃에서 교반하였다. 그 속에, 수산화칼륨 0.8 g을 물 108 g에 녹인 용액을 천천히 적하하고, 적하 후에 50℃에서 6시간 교반하며 반응시켜 반응액을 얻었다. 다음으로, 반응액에 아세트산 0.9 g을 가하고, 감압하여 휘발 성분을 제거하고, 아세트산칼륨을 여과에 의해 제거하여 중합체 (M)을 얻었다.
얻어진 중합체 (M)의 수 평균 분자량(Mn)은 5300이었다. 29Si-NMR로부터 화학 구조를 동정한 결과, 중합체 (M)은 하기의 평균 조성식 (M1)을 갖고 있었다.
상기 식 (M1) 중, Me는 메틸기, Ph는 페닐기, Vi는 비닐기를 나타낸다.
얻어진 중합체 (M)의 페닐기의 함유 비율은 45 몰％였다.
(합성예 14) 제1 실리콘 수지 A, A-1의 합성
온도계, 적하 장치 및 교반기를 구비한 1000 mL의 분리 플라스크에, 비닐디메틸에톡시실란 98 g, 디메틸디메톡시실란 180 g 및 디페닐디메톡시실란 183 g을 넣고, 50℃에서 교반하였다. 그 속에, 수산화칼륨 0.8 g을 물 95 g에 녹인 용액을 천천히 적하하고, 적하 후에 50℃에서 6시간 교반하며 반응시켜 반응액을 얻었다. 다음으로, 반응액에 아세트산 0.9 g을 가하고, 감압하여 휘발 성분을 제거하고, 아세트산칼륨을 여과에 의해 제거하여 중합체 (N)을 얻었다.
얻어진 중합체 (N)의 수 평균 분자량(Mn)은 1200이었다. 29Si-NMR로부터 화학 구조를 동정한 결과, 중합체 (N)은 하기의 평균 조성식 (N1)을 갖고 있었다.
상기 식 (N1) 중, Me는 메틸기, Ph는 페닐기, Vi는 비닐기를 나타낸다.
얻어진 중합체 (N)의 페닐기의 함유 비율은 39 몰％였다.
(합성예 15) 제1 실리콘 수지 A, A-1의 합성
온도계, 적하 장치 및 교반기를 구비한 1000 mL의 분리 플라스크에, 비닐디메틸에톡시실란 98 g, 디메틸디메톡시실란 90 g 및 디페닐디메톡시실란 367 g을 넣고, 50℃에서 교반하였다. 그 속에, 수산화칼륨 0.8 g을 물 95 g에 녹인 용액을 천천히 적하하고, 적하 후에 50℃에서 6시간 교반하며 반응시켜 반응액을 얻었다. 다음으로, 반응액에 아세트산 0.9 g을 가하고, 감압하여 휘발 성분을 제거하고, 아세트산칼륨을 여과에 의해 제거하여 중합체 (O)를 얻었다.
얻어진 중합체 (O)의 수 평균 분자량(Mn)은 1300이었다. 29Si-NMR로부터 화학 구조를 동정한 결과, 중합체 (O)는 하기의 평균 조성식 (O1)을 갖고 있었다.
상기 식 (O1) 중, Me는 메틸기, Ph는 페닐기, Vi는 비닐기를 나타낸다.
얻어진 중합체 (O)의 페닐기의 함유 비율은 58 몰％였다.
(합성예 16) 제1 실리콘 수지 A, A-1의 합성
온도계, 적하 장치 및 교반기를 구비한 1000 mL의 분리 플라스크에, 비닐디메틸에톡시실란 59 g, 디메틸디메톡시실란 126 g 및 디페닐디메톡시실란 367 g을 넣고, 50℃에서 교반하였다. 그 속에, 수산화칼륨 0.8 g을 물 100 g에 녹인 용액을 천천히 적하하고, 적하 후에 50℃에서 6시간 교반하며 반응시켜 반응액을 얻었다. 다음으로, 반응액에 아세트산 0.9 g을 가하고, 감압하여 휘발 성분을 제거하고, 아세트산칼륨을 여과에 의해 제거하여 중합체 (P)를 얻었다.
얻어진 중합체 (P)의 수 평균 분자량(Mn)은 2700이었다. 29Si-NMR로부터 화학 구조를 동정한 결과, 중합체 (P)는 하기의 평균 조성식 (P1)을 갖고 있었다.
상기 식 (P1) 중, Me는 메틸기, Ph는 페닐기, Vi는 비닐기를 나타낸다.
얻어진 중합체 (P)의 페닐기의 함유 비율은 59 몰％였다.
(실시예 1)
중합체 A(10 g), 중합체 E(10 g), 및 백금의 1,3-디비닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산 착체(밀봉제 중에서의 백금 금속의 함유량이 중량 단위로 10 ppm이 되는 양)를 혼합하고, 탈포를 행하여 광 반도체 장치용 밀봉제를 얻었다.
(실시예 2)
중합체 B(10 g), 중합체 E(10 g), 및 백금의 1,3-디비닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산 착체(밀봉제 중에서의 백금 금속의 함유량이 중량 단위로 10 ppm이 되는 양)를 혼합하고, 탈포를 행하여 광 반도체 장치용 밀봉제를 얻었다.
(실시예 3)
중합체 C(10 g), 중합체 E(10 g), 및 백금의 1,3-디비닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산 착체(밀봉제 중에서의 백금 금속의 함유량이 중량 단위로 10 ppm이 되는 양)를 혼합하고, 탈포를 행하여 광 반도체 장치용 밀봉제를 얻었다.
(실시예 4)
중합체 C(10 g), 중합체 E(10 g), 백금의 1,3-디비닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산 착체(밀봉제 중에서의 백금 금속의 함유량이 중량 단위로 10 ppm이 되는 양), 및 산화규소 미립자(아에로질 RY200, 폴리디메틸실록산기를 갖는 유기 규소 화합물에 의해 표면 처리된 산화규소 입자, 비표면적 120 m2/g, 닛본 아에로질사 제조) 0.4 g을 혼합하고, 탈포를 행하여 광 반도체 장치용 밀봉제를 얻었다.
(실시예 5)
중합체 C(10 g), 중합체 E(10 g), 백금의 1,3-디비닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산 착체(밀봉제 중에서의 백금 금속의 함유량이 중량 단위로 10 ppm이 되는 양), 및 산화규소 미립자(아에로질 R8200, 트리메틸실릴기를 갖는 유기 규소 화합물에 의해 표면 처리된 산화규소 입자, 비표면적 140 m2/g, 닛본 아에로질사 제조) 2 g을 혼합하고, 탈포를 행하여 광 반도체 장치용 밀봉제를 얻었다.
(실시예 6)
중합체 C(10 g), 중합체 F(10 g), 백금의 1,3-디비닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산 착체(밀봉제 중에서의 백금 금속의 함유량이 중량 단위로 10 ppm이 되는 양), 및 산화규소 미립자(아에로질 RY200, 폴리디메틸실록산기를 갖는 유기 규소 화합물에 의해 표면 처리된 산화규소 입자, 비표면적 120 m2/g, 닛본 아에로질사 제조) 0.4 g을 혼합하고, 탈포를 행하여 광 반도체 장치용 밀봉제를 얻었다.
(실시예 7)
중합체 C(10 g), 중합체 G(10 g), 백금의 1,3-디비닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산 착체(밀봉제 중에서의 백금 금속의 함유량이 중량 단위로 10 ppm이 되는 양), 및 산화규소 미립자(아에로질 RY200, 폴리디메틸실록산기를 갖는 유기 규소 화합물에 의해 표면 처리된 산화규소 입자, 비표면적 120 m2/g, 닛본 아에로질사 제조) 0.4 g을 혼합하고, 탈포를 행하여 광 반도체 장치용 밀봉제를 얻었다.
(실시예 8)
중합체 C(10 g), 중합체 H(10 g), 백금의 1,3-디비닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산 착체(밀봉제 중에서의 백금 금속의 함유량이 중량 단위로 10 ppm이 되는 양), 및 산화규소 미립자(아에로질 RY200, 폴리디메틸실록산기를 갖는 유기 규소 화합물에 의해 표면 처리된 산화규소 입자, 비표면적 120 m2/g, 닛본 아에로질사 제조) 0.4 g을 혼합하고, 탈포를 행하여 광 반도체 장치용 밀봉제를 얻었다.
(실시예 9)
중합체 D(10 g), 중합체 E(10 g), 백금의 1,3-디비닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산 착체(밀봉제 중에서의 백금 금속의 함유량이 중량 단위로 10 ppm이 되는 양), 및 산화규소 미립자(아에로질 RY200, 폴리디메틸실록산기를 갖는 유기 규소 화합물에 의해 표면 처리된 산화규소 입자, 비표면적 120 m2/g, 닛본 아에로질사 제조) 0.4 g을 혼합하고, 탈포를 행하여 광 반도체 장치용 밀봉제를 얻었다.
(실시예 10)
중합체 D(10 g), 중합체 F(10 g), 백금의 1,3-디비닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산 착체(밀봉제 중에서의 백금 금속의 함유량이 중량 단위로 10 ppm이 되는 양), 및 산화규소 미립자(아에로질 RY200, 폴리디메틸실록산기를 갖는 유기 규소 화합물에 의해 표면 처리된 산화규소 입자, 비표면적 120 m2/g, 닛본 아에로질사 제조) 0.4 g을 혼합하고, 탈포를 행하여 광 반도체 장치용 밀봉제를 얻었다.
(실시예 11)
중합체 D(10 g), 중합체 G(10 g), 백금의 1,3-디비닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산 착체(밀봉제 중에서의 백금 금속의 함유량이 중량 단위로 10 ppm이 되는 양), 및 산화규소 미립자(아에로질 RY200, 폴리디메틸실록산기를 갖는 유기 규소 화합물에 의해 표면 처리된 산화규소 입자, 비표면적 120 m2/g, 닛본 아에로질사 제조) 0.4 g을 혼합하고, 탈포를 행하여 광 반도체 장치용 밀봉제를 얻었다.
(실시예 12)
중합체 D(10 g), 중합체 H(10 g), 백금의 1,3-디비닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산 착체(밀봉제 중에서의 백금 금속의 함유량이 중량 단위로 10 ppm이 되는 양), 및 산화규소 미립자(아에로질 RY200, 폴리디메틸실록산기를 갖는 유기 규소 화합물에 의해 표면 처리된 산화규소 입자, 비표면적 120 m2/g, 닛본 아에로질사 제조) 0.4 g을 혼합하고, 탈포를 행하여 광 반도체 장치용 밀봉제를 얻었다.
(실시예 13)
중합체 C(10 g), 중합체 E(10 g), 백금의 1,3-디비닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산 착체(밀봉제 중에서의 백금 금속의 함유량이 중량 단위로 10 ppm이 되는 양), 및 산화규소 미립자(R974, 디메틸실록산기를 갖는 유기 규소 화합물에 의해 표면 처리된 산화규소 입자, 비표면적 170 m2/g, 닛본 아에로질사 제조) 1.0 g을 혼합하고, 탈포를 행하여 광 반도체 장치용 밀봉제를 얻었다.
(비교예 1)
중합체 I(10 g), 중합체 E(10 g), 및 백금의 1,3-디비닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산 착체(밀봉제 중에서의 백금 금속의 함유량이 중량 단위로 10 ppm이 되는 양)를 혼합하고, 탈포를 행하여 광 반도체 장치용 밀봉제를 얻었다.
(비교예 2)
중합체 J(10 g), 중합체 E(10 g), 및 백금의 1,3-디비닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산 착체(밀봉제 중에서의 백금 금속의 함유량이 중량 단위로 10 ppm이 되는 양)를 혼합하고, 탈포를 행하여 광 반도체 장치용 밀봉제를 얻었다.
(비교예 3)
중합체 A(10 g), 중합체 K(10 g), 및 백금의 1,3-디비닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산 착체(밀봉제 중에서의 백금 금속의 함유량이 중량 단위로 10 ppm이 되는 양)를 혼합하고, 탈포를 행하여 광 반도체 장치용 밀봉제를 얻었다.
(실시예 1 내지 13 및 비교예 1 내지 3의 평가)
(광 반도체 장치의 제작)
은도금된 리드 전극 부착 폴리프탈아미드제 하우징재에, 다이본드재에 의해 주 발광 피크가 460 nm인 발광 소자가 실장되어 있고, 발광 소자와 리드 전극이 금 와이어로 접속되어 있는 구조에 있어서, 얻어진 광 반도체 장치용 밀봉제를 주입하고, 150℃에서 2시간 가열하여 경화시켜 광 반도체 장치를 제작하였다. 이 광 반도체 장치를 이용하여 하기의 가스 부식 시험 및 열충격 시험을 실시하였다.
(가스 부식 시험)
얻어진 광 반도체 장치를 40℃ 및 상대 습도 90％ RH 분위기 하의 챔버 내에 넣고, 황화수소 가스의 농도가 5 ppm, 이산화황 가스의 농도가 15 ppm이 되도록 챔버 내에 가스를 충전하였다. 가스의 충전으로부터 24시간 후, 48시간 후, 96시간 후, 168시간 후 및 500시간 후에 각각, 은도금된 리드 전극을 육안으로 관찰하였다.
은도금에 변색이 보이지 않는 경우를 「○○」, 은도금에 다갈색으로 변색한 개소가 약간 보이는 경우를 「○」, 은도금의 거의 모두가 차색으로 변색한 경우를 「△」, 은도금의 거의 모두가 흑색으로 변색한 경우를 「×」로 판정하였다.
(열충격 시험)
얻어진 광 반도체 장치를, 액조식 열충격 시험기(「TSB-51」, 에스펙(ESPEC)사 제조)를 이용하여 -50℃에서 5분간 유지한 후, 135℃까지 승온시키고, 135℃에서 5분간 유지한 후 -50℃까지 강온하는 과정을 1 사이클로 하는 냉열 사이클 시험을 실시하였다. 500 사이클 후, 1000 사이클 및 1500 사이클 후에 각각 20개의 샘플을 취출하였다.
실체 현미경(「SMZ-10」, 니콘사 제조)으로 샘플을 관찰하였다. 20개의 샘플의 광 반도체 장치용 밀봉제에 각각 균열이 생겼는지의 여부, 또는 광 반도체 장치용 밀봉제가 패키지 또는 전극으로부터 박리되었는지의 여부를 관찰하고, 균열 또는 박리가 생긴 샘플의 수(NG 수)를 세었다.
(25℃에서의 점도의 측정)
E형 점도계(TV-22형, 도키 산교사 제조)를 이용하여, 얻어진 광 반도체 장치용 밀봉제의 25℃에서의 5 rpm에서의 점도(mPa?s)를 측정하였다.
(승온시의 최저 점도의 측정)
평행판형 레오미터(「DAR-2000」, 레올로지카사 제조)를 이용하여, 얻어진 광 반도체 장치용 밀봉제의 25℃에서부터 경화 온도까지의 온도 영역에서의 전단 속도 1 s-1에서의 최저 점도(mPa?s)를 측정하였다. 승온 속도에 관해서는, 25℃에서부터 경화 온도까지는 20℃/분으로 온도 상승시키고, 그 후 경화 온도에서 현저한 점도 상승이 발생할 때까지 측정을 계속하였다.
(형광체 함유 밀봉제의 제작)
얻어진 각 광 반도체 장치용 밀봉제 10 중량부에 형광체 분말(부피 평균 입경 17 μm, 비중 4.7, 「EY4254」, 인터매틱스사 제조) 0.8 중량부를 넣고, 교반하고, 탈포하여 광 반도체 장치용 밀봉제(이하, 형광체 함유 밀봉제라 칭할 수 있음)를 얻었다.
(형광체의 침강성)
얻어진 형광체 함유 밀봉제를 투명한 유리 용기에 넣고, 150℃에서 2시간 가열하여 밀봉제를 경화시켰다. 그 후, 경화물 중의 형광체를 육안으로 관찰하였다. 형광체의 침강이 없는 경우를 「○」, 형광체의 침강이 있는 경우를 「△」, 형광체의 침강이 현저한 경우를 「×」로 평가하였다.
(밝기의 평가)
은도금된 리드 전극 부착 폴리프탈아미드제 하우징재에, 다이본드재에 의해 주 발광 피크가 460 nm인 발광 소자가 실장되어 있고, 발광 소자와 리드 전극이 금 와이어로 전기적으로 접속되어 있는 광 반도체 소자에, 얻어진 형광체 함유 밀봉제를 주입하고, 150℃에서 2시간 가열하여 경화시켜 광 반도체 장치를 50개 제작하였다.
50개의 광 반도체 장치에서의 발광 소자에 각각 23℃에서 60 mA의 전류를 흐르게 하고, 광측정 장치(OL770, 옵트로닉 래보래토리즈사 제조)를 이용하여 광도를 측정하고, 50개의 평균치 5.3 cd 이상을 「○」, 5.3 cd 미만을 「×」로 하였다.
결과를 하기의 표 1, 2에 나타낸다.
(실시예 14)
중합체 L(10 g), 중합체 E(10 g), 백금의 1,3-디비닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산 착체(밀봉제 중에서의 백금 금속의 함유량이 중량 단위로 10 ppm이 되는 양), 및 산화규소 미립자(아에로질 RY200, 폴리디메틸실록산기를 갖는 유기 규소 화합물에 의해 표면 처리된 산화규소 입자, 비표면적 120 m2/g, 닛본 아에로질사 제조) 0.4 g을 혼합하고, 탈포를 행하여 광 반도체 장치용 밀봉제를 얻었다.
(실시예 15)
중합체 L(10 g), 중합체 E(10 g), 백금의 1,3-디비닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산 착체(밀봉제 중에서의 백금 금속의 함유량이 중량 단위로 10 ppm이 되는 양), 및 산화규소 미립자(아에로질 R8200, 트리메틸실릴기를 갖는 유기 규소 화합물에 의해 표면 처리된 산화규소 입자, 비표면적 140 m2/g, 닛본 아에로질사 제조) 1.5 g을 혼합하고, 탈포를 행하여 광 반도체 장치용 밀봉제를 얻었다.
(실시예 16)
중합체 L(10 g), 중합체 F(10 g), 백금의 1,3-디비닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산 착체(밀봉제 중에서의 백금 금속의 함유량이 중량 단위로 10 ppm이 되는 양), 및 산화규소 미립자(아에로질 RY200, 폴리디메틸실록산기를 갖는 유기 규소 화합물에 의해 표면 처리된 산화규소 입자, 비표면적 120 m2/g, 닛본 아에로질사 제조) 0.4 g을 혼합하고, 탈포를 행하여 광 반도체 장치용 밀봉제를 얻었다.
(실시예 17)
중합체 L(10 g), 중합체 G(10 g), 백금의 1,3-디비닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산 착체(밀봉제 중에서의 백금 금속의 함유량이 중량 단위로 10 ppm이 되는 양), 및 산화규소 미립자(아에로질 RY200, 폴리디메틸실록산기를 갖는 유기 규소 화합물에 의해 표면 처리된 산화규소 입자, 비표면적 120 m2/g, 닛본 아에로질사 제조) 0.4 g을 혼합하고, 탈포를 행하여 광 반도체 장치용 밀봉제를 얻었다.
(실시예 18)
중합체 L(10 g), 중합체 H(10 g), 백금의 1,3-디비닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산 착체(밀봉제 중에서의 백금 금속의 함유량이 중량 단위로 10 ppm이 되는 양), 및 산화규소 미립자(아에로질 RY200, 폴리디메틸실록산기를 갖는 유기 규소 화합물에 의해 표면 처리된 산화규소 입자, 비표면적 120 m2/g, 닛본 아에로질사 제조) 0.8 g을 혼합하고, 탈포를 행하여 광 반도체 장치용 밀봉제를 얻었다.
(실시예 19)
중합체 L(10 g), 중합체 E(10 g), 및 백금의 1,3-디비닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산 착체(밀봉제 중에서의 백금 금속의 함유량이 중량 단위로 10 ppm이 되는 양)를 혼합하고, 탈포를 행하여 광 반도체 장치용 밀봉제를 얻었다.
(실시예 20)
중합체 M(10 g), 중합체 F(10 g), 백금의 1,3-디비닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산 착체(밀봉제 중에서의 백금 금속의 함유량이 중량 단위로 10 ppm이 되는 양), 및 산화규소 미립자(아에로질 RY200, 폴리디메틸실록산기를 갖는 유기 규소 화합물에 의해 표면 처리된 산화규소 입자, 비표면적 120 m2/g, 닛본 아에로질사 제조) 0.4 g을 혼합하고, 탈포를 행하여 광 반도체 장치용 밀봉제를 얻었다.
(실시예 21)
중합체 M(10 g), 중합체 F(10 g), 및 백금의 1,3-디비닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산 착체(밀봉제 중에서의 백금 금속의 함유량이 중량 단위로 10 ppm이 되는 양)를 혼합하고, 탈포를 행하여 광 반도체 장치용 밀봉제를 얻었다.
(실시예 6, 10, 14 내지 21의 평가)
(광 반도체 장치의 제작)
은도금된 리드 전극 부착 폴리프탈아미드제 하우징재에, 다이본드재에 의해 주 발광 피크가 460 nm인 발광 소자가 실장되어 있고, 발광 소자와 리드 전극이 금 와이어로 접속되어 있는 구조에 있어서, 얻어진 광 반도체 장치용 밀봉제를 주입하고, 150℃에서 2시간 가열하여 경화시켜 광 반도체 장치를 제작하였다. 이 광 반도체 장치를 이용하여 하기의 평가 항목에 대하여 평가를 실시하였다.
(가스 부식 시험)
얻어진 광 반도체 장치를, 40℃ 및 상대 습도 90％ RH 분위기 하의 챔버 내에 넣고, 황화수소 가스의 농도가 5 ppm, 이산화황 가스의 농도가 15 ppm이 되도록 챔버 내에 가스를 충전하였다. 가스의 충전으로부터 24시간 후, 48시간 후, 96시간 후, 168시간 후 및 500시간 후에 각각, 은도금된 리드 전극을 육안으로 관찰하였다.
은도금에 변색이 보이지 않는 경우를 「○○」, 은도금에 다갈색으로 변색한 개소가 약간 보이는 경우를 「○」, 은도금의 거의 모두가 차색으로 변색한 경우를 「△」, 은도금의 거의 모두가 흑색으로 변색한 경우를 「×」로 판정하였다.
(열충격 시험)
얻어진 광 반도체 장치를, 액조식 열충격 시험기(「TSB-51」, 에스펙사 제조)를 이용하여, -50℃에서 5분간 유지한 후, 135℃까지 승온시키고, 135℃에서 5분간 유지한 후 -50℃까지 강온하는 과정을 1 사이클로 하는 냉열 사이클 시험을 실시하였다. 500 사이클 후, 1000 사이클 및 1500 사이클 후에 각각 20개의 샘플을 취출하였다.
실체 현미경(「SMZ-10」, 니콘사 제조)으로 샘플을 관찰하였다. 20개의 샘플의 광 반도체 장치용 밀봉제에 각각 균열이 생겼는지의 여부, 또는 광 반도체 장치용 밀봉제가 패키지 또는 전극으로부터 박리되었는지의 여부를 관찰하고, 균열 또는 박리가 생긴 샘플의 수(NG 수)를 세었다.
(형광체 함유 밀봉제의 제작)
실시예 및 비교예에서 얻어진 각 광 반도체 장치용 밀봉제 10 중량부에, 형광체 분말(부피 평균 입경 17 μm, 비중 4.7, 「EY4453」, 인터매틱스사 제조) 0.8 중량부를 넣고, 교반하고, 탈포하여 광 반도체 장치용 밀봉제(이하, 형광체 함유 밀봉제라 칭할 수 있음)를 얻었다.
(25℃에서의 점도의 측정)
E형 점도계(TV-22형, 도키 산교사 제조)를 이용하여, 광 반도체 장치용 밀봉제에 이용한 제1, 제2의 오르가노실록산의 25℃에서의 5 rpm에서의 점도(mPa?s)를 측정하였다. 또한, E형 점도계(TV-22형, 도키 산교사 제조)를 이용하여, 얻어진 광 반도체 장치용 밀봉제의 25℃에서의 5 rpm, 1 rpm 및 10 rpm에서의 점도(mPa?s), 및 형광체 함유 밀봉제의 25℃에서의 5 rpm, 1 rpm 및 10 rpm에서의 점도(mPa?s)를 측정하였다.
(승온시의 최저 점도의 측정)
평행판형 레오미터(「DAR-2000」, 레올로지카사 제조)를 이용하여, 얻어진 광 반도체 장치용 밀봉제의 25℃에서부터 경화 온도까지의 온도 영역에서의 전단 속도 1 s-1에서의 최저 점도(mPa?s)를 측정하였다. 승온 속도에 관해서는, 25℃에서부터 경화 온도까지는 20℃/분으로 온도 상승시키고, 그 후 경화 온도에서 현저한 점도 상승이 발생할 때까지 측정을 계속하였다. 또한, 형광체 함유 밀봉제에 대해서도 동일한 평가를 실시하였다.
(디스펜스성)
은도금된 리드 전극 부착 폴리프탈아미드제 하우징재에, 다이본드재에 의해 주 발광 피크가 460 nm인 발광 소자가 실장되어 있고, 발광 소자와 리드 전극이 금 와이어로 접속되어 있는 구조에 있어서, 디스펜서 장치(「쇼트마스터-300(SHOTMASTER-300)」 무사시 엔지니어링사 제조)를 이용하여 얻어진 형광체 함유 밀봉제를 충전하였다. 실체 현미경(「SMZ-10」, 니콘사 제조)으로 샘플을 관찰하여, 밀봉제의 충전량에 편차가 없는 경우를 「○」, 편차가 있는 경우를 「×」로 판정하였다.
(형광체의 침강성) 미경화 상태에서의 형광체 안정성
얻어진 형광체 함유 밀봉제를 투명한 유리 용기에 넣고, 23℃에서 24시간 방치하였다. 그 후, 미경화 상태의 밀봉제 중의 형광체의 상태를 육안으로 관찰하였다. 형광체의 침강이 없는 경우를 「○」, 형광체의 침강이 있는 경우를 「△」, 형광체의 침강이 현저한 경우를 「×」로 평가하였다.
(형광체의 침강성) 경화시의 형광체의 안정성
얻어진 형광체 함유 밀봉제를 투명한 유리 용기에 넣고, 100℃에서 3시간, 다음으로 130℃에서 3시간 가열하여 밀봉제를 경화시켰다. 그 후, 경화물 중의 형광체의 상태를 육안으로 관찰하였다. 형광체의 침강이 없는 경우를 「○」, 형광체의 침강이 있는 경우를 「△」, 형광체의 침강이 현저한 경우를 「×」로 평가하였다.
(밝기의 평가)
은도금된 리드 전극 부착 폴리프탈아미드제 하우징재에, 다이본드재에 의해 주 발광 피크가 460 nm인 발광 소자가 실장되어 있고, 발광 소자와 리드 전극이 금 와이어로 전기적으로 접속되어 있는 광 반도체 소자에, 얻어진 형광체 함유 밀봉제를 주입하고, 100℃에서 3시간, 다음으로 130℃에서 3시간 가열하여 경화시켜 광 반도체 장치를 50개 제작하였다.
50개의 광 반도체 장치에서의 발광 소자에 각각 23℃에서 60 mA의 전류를 흐르게 하고, 광측정 장치(OL770, 옵트로닉 래보래토리즈사 제조)를 이용하여 광도를 측정하고, 50개의 평균치 5.3 cd 이상을 「○」, 5.3 cd 미만을 「×」로 하였다.
결과를 하기의 표 3에 나타낸다.
(실시예 22)
중합체 A(9 g), 중합체 N(1 g), 중합체 E(10 g) 및 백금의 1,3-디비닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산 착체(밀봉제 중에서의 백금 금속의 함유량이 중량 단위로 10 ppm이 되는 양)를 혼합하고, 탈포를 행하여 광 반도체 장치용 밀봉제를 얻었다.
(실시예 23)
중합체 L(9 g), 중합체 N(1 g), 중합체 E(10 g) 및 백금의 1,3-디비닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산 착체(밀봉제 중에서의 백금 금속의 함유량이 중량 단위로 10 ppm이 되는 양)를 혼합하고, 탈포를 행하여 광 반도체 장치용 밀봉제를 얻었다.
(실시예 24)
중합체 L(9 g), 중합체 N(1 g), 중합체 F(10 g), 백금의 1,3-디비닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산 착체(밀봉제 중에서의 백금 금속의 함유량이 중량 단위로 10 ppm이 되는 양)를 혼합하고, 탈포를 행하여 광 반도체 장치용 밀봉제를 얻었다.
(실시예 25)
중합체 L(9 g), 중합체 N(1 g), 중합체 F(10 g) 및 백금의 1,3-디비닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산 착체(밀봉제 중에서의 백금 금속의 함유량이 중량 단위로 10 ppm이 되는 양), 및 산화규소 미립자(아에로질 RY200, 폴리디메틸실록산기를 갖는 유기 규소 화합물에 의해 표면 처리된 산화규소 입자, 비표면적 120 m2/g, 닛본 아에로질사 제조) 0.4 g을 혼합하고, 탈포를 행하여 광 반도체 장치용 밀봉제를 얻었다.
(실시예 26)
중합체 L(9 g), 중합체 N(1 g), 중합체 G(10 g) 및 백금의 1,3-디비닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산 착체(밀봉제 중에서의 백금 금속의 함유량이 중량 단위로 10 ppm이 되는 양), 및 산화규소 미립자(아에로질 RY200, 폴리디메틸실록산기를 갖는 유기 규소 화합물에 의해 표면 처리된 산화규소 입자, 비표면적 120 m2/g, 닛본 아에로질사 제조) 0.4 g을 혼합하고, 탈포를 행하여 광 반도체 장치용 밀봉제를 얻었다.
(실시예 27)
중합체 A(10 g), 중합체 E(10 g) 및 백금의 1,3-디비닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산 착체(밀봉제 중에서의 백금 금속의 함유량이 중량 단위로 10 ppm이 되는 양)를 혼합하고, 탈포를 행하여 광 반도체 장치용 밀봉제를 얻었다.
(비교예 4)
중합체 I(9 g), 중합체 N(1 g), 중합체 E(10 g) 및 백금의 1,3-디비닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산 착체(밀봉제 중에서의 백금 금속의 함유량이 중량 단위로 10 ppm이 되는 양)를 혼합하고, 탈포를 행하여 광 반도체 장치용 밀봉제를 얻었다.
(비교예 5)
중합체 A(9 g), 중합체 N(1 g), 중합체 K(10 g) 및 백금의 1,3-디비닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산 착체(밀봉제 중에서의 백금 금속의 함유량이 중량 단위로 10 ppm이 되는 양)를 혼합하고, 탈포를 행하여 광 반도체 장치용 밀봉제를 얻었다.
(실시예 28)
중합체 N(10 g), 중합체 F(20 g) 및 백금의 1,3-디비닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산 착체(밀봉제 중에서의 백금 금속의 함유량이 중량 단위로 10 ppm이 되는 양)를 혼합하고, 탈포를 행하여 광 반도체 장치용 밀봉제를 얻었다.
(실시예 29)
중합체 N(10 g), 중합체 G(20 g) 및 백금의 1,3-디비닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산 착체(밀봉제 중에서의 백금 금속의 함유량이 중량 단위로 10 ppm이 되는 양)를 혼합하고, 탈포를 행하여 광 반도체 장치용 밀봉제를 얻었다.
(실시예 30)
중합체 O(10 g), 중합체 F(20 g), 백금의 1,3-디비닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산 착체(밀봉제 중에서의 백금 금속의 함유량이 중량 단위로 10 ppm이 되는 양), 및 산화규소 미립자(아에로질 200, 비표면적: 200 m2/g, 닛본 아에로질사 제조) 1 g을 혼합하고, 탈포를 행하여 광 반도체 장치용 밀봉제를 얻었다.
(실시예 31)
중합체 O(10 g), 중합체 G(20 g), 백금의 1,3-디비닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산 착체(밀봉제 중에서의 백금 금속의 함유량이 중량 단위로 10 ppm이 되는 양) 및 산화규소 미립자(아에로질 200, 비표면적: 200 m2/g, 닛본 아에로질사 제조) 1 g을 혼합하고, 탈포를 행하여 광 반도체 장치용 밀봉제를 얻었다.
(실시예 32)
중합체 P(10 g), 중합체 F(20 g) 및 백금의 1,3-디비닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산 착체(밀봉제 중에서의 백금 금속의 함유량이 중량 단위로 10 ppm이 되는 양)를 혼합하고, 탈포를 행하여 광 반도체 장치용 밀봉제를 얻었다.
(실시예 33)
중합체 P(10 g), 중합체 G(20 g) 및 백금의 1,3-디비닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산 착체(밀봉제 중에서의 백금 금속의 함유량이 중량 단위로 10 ppm이 되는 양)를 혼합하고, 탈포를 행하여 광 반도체 장치용 밀봉제를 얻었다.
(실시예 22 내지 33 및 비교예 4, 5의 평가)
(광 반도체 장치의 제작)
은도금된 리드 전극 부착 폴리프탈아미드제 하우징재에, 다이본드재에 의해 주 발광 피크가 460 nm인 발광 소자가 실장되어 있고, 발광 소자와 리드 전극이 금 와이어로 접속되어 있는 구조에 있어서, 얻어진 광 반도체 장치용 밀봉제를 주입하고, 150℃에서 2시간 가열하여 경화시켜 광 반도체 장치를 제작하였다. 이 광 반도체 장치를 이용하여 하기의 평가 항목에 대하여 평가를 실시하였다.
(가스 부식 시험)
얻어진 광 반도체 장치를, 40℃ 및 상대 습도 90％ RH 분위기 하의 챔버 내에 넣고, 황화수소 가스의 농도가 5 ppm, 이산화황 가스의 농도가 15 ppm이 되도록 챔버 내에 가스를 충전하였다. 가스의 충전으로부터 24시간 후, 48시간 후, 96시간 후, 168시간 후 및 500시간 후에 각각, 은도금된 리드 전극을 육안으로 관찰하였다.
은도금에 변색이 보이지 않는 경우를 「○○」, 은도금에 다갈색으로 변색한 개소가 약간 보이는 경우를 「○」, 은도금의 거의 모두가 차색으로 변색한 경우를 「△」, 은도금의 거의 모두가 흑색으로 변색한 경우를 「×」로 판정하였다.
(열충격 시험)
얻어진 광 반도체 장치를, 액조식 열충격 시험기(「TSB-51」, 에스펙사 제조)를 이용하여, -50℃에서 5분간 유지한 후, 135℃까지 승온시키고, 135℃에서 5분간 유지한 후 -50℃까지 강온하는 과정을 1 사이클로 하는 냉열 사이클 시험을 실시하였다. 500 사이클 후, 1000 사이클, 1500 사이클 및 2000 사이클 후에 각각 20개의 샘플을 취출하였다.
실체 현미경(「SMZ-10」, 니콘사 제조)으로 샘플을 관찰하였다. 20개의 샘플의 광 반도체 장치용 밀봉제에 각각 균열이 생겼는지의 여부, 또는 광 반도체 장치용 밀봉제가 패키지 또는 전극으로부터 박리되었는지의 여부를 관찰하고, 균열 또는 박리가 생긴 샘플의 수(NG 수)를 세었다.
(광 반도체 장치용 밀봉제의 경화물의 표면의 점착성(끈적임)의 평가)
얻어진 광 반도체 장치를, 23℃ 및 50 RH％의 분위기 하에서 24시간 방치하였다. 24시간 방치한 후 즉시, 광 반도체 장치용 밀봉제의 경화물의 표면의 점착성(끈적임)을 경화물에 손가락을 접촉시켜 확인하였다. 손가락을 접촉시킨 경우에 점착성(끈적임)을 거의 느끼지 않는 경우에는 점착성 없음으로 하여 「○」으로 평가하고, 손가락의 표면이 점착성(끈적임)을 느낀 경우에는 점착성 있음으로 하여 「×」로 평가하였다.
(내습 신뢰성 시험)
얻어진 광 반도체 장치에 대하여, 23℃의 온도 하, 광도 측정 장치(「OL770」, 옵트로닉 래보래토리즈사 제조)를 이용하여 발광 소자에 20 mA의 전류를 흐르게 했을 때의 광도를 측정하였다(이하, 「초기 광도」라 칭함).
이어서, 발광 소자에 20 mA의 전류를 흐르게 한 상태에서 광 반도체 장치를 110℃ 및 상대 습도 85 RH％ 분위기 하의 챔버 내에 넣고 500시간 방치하였다. 1000시간 후, 23℃의 온도 하에 광도 측정 장치(「OL770」, 옵트로닉 래보래토리즈사 제조)를 이용하여 발광 소자에 20 mA의 전류를 흐르게 했을 때의 광도를 측정하고, 초기 광도에 대한 광도의 저하율을 산출하였다. 광도의 저하율이 5％ 미만인 경우를 「○○」, 5％ 이상 10％ 미만인 경우를 「○」, 10％ 이상 20％ 미만인 경우를 「△」, 30％ 이상인 경우를 「×」로 판정하였다.
결과를 하기의 표 4에 나타낸다.
1: 광 반도체 장치
2: 하우징
2a: 내면
3: 광 반도체 소자
4: 광 반도체 장치용 밀봉제
2: 하우징
2a: 내면
3: 광 반도체 소자
4: 광 반도체 장치용 밀봉제
Claims (19)
- 하기 식 (1A)로 표시되고 규소 원자에 결합한 수소 원자를 갖지 않으며 아릴기와 알케닐기를 갖는 제1 실리콘 수지 A, 및 하기 식 (1B)로 표시되고 규소 원자에 결합한 수소 원자를 갖지 않으며 아릴기와 알케닐기를 갖는 제1 실리콘 수지 B 중 적어도 1종의 제1 실리콘 수지 성분과,
하기 식 (51A)로 표시되며 아릴기와 규소 원자에 직접 결합하고 있는 수소 원자를 갖는 제2 실리콘 수지 A, 및 하기 식 (51B)로 표시되며 아릴기와 규소 원자에 직접 결합하고 있는 수소 원자를 갖는 제2 실리콘 수지 B 중 적어도 1종의 제2 실리콘 수지 성분과,
히드로실릴화 반응용 촉매를 포함하고,
상기 제1 실리콘 수지 A에서의 하기 식 (a1)로부터 구해지는 아릴기의 함유 비율이 30 몰％ 이상 70 몰％ 이하이고, 상기 제1 실리콘 수지 B에서의 하기 식 (b1)로부터 구해지는 아릴기와 페닐렌기의 합계의 함유 비율이 30 몰％ 이상 70 몰％ 이하이고,
상기 제2 실리콘 수지 A에서의 하기 식 (a51)로부터 구해지는 아릴기의 함유 비율이 30 몰％ 이상 70 몰％ 이하이고, 상기 제2 실리콘 수지 B에서의 하기 식 (b1)로부터 구해지는 아릴기와 페닐렌기의 합계의 함유 비율이 30 몰％ 이상 70 몰％ 이하인 광 반도체 장치용 밀봉제.
상기 식 (1A) 중, a, b 및 c는 a/(a+b+c)=0 내지 0.50, b/(a+b+c)=0.40 내지 1.0 및 c/(a+b+c)=0 내지 0.50을 만족시키고, R1 내지 R6은 적어도 1개가 아릴기에 상당하는 페닐기를 나타내고, 적어도 1개가 알케닐기를 나타내며, 페닐기 및 알케닐기 이외의 R1 내지 R6은 탄소수 1 내지 8의 탄화수소기를 나타낸다.
상기 식 (1B) 중, a, b, c 및 d는 a/(a+b+c+d)=0 내지 0.40, b/(a+b+c+d)=0.40 내지 0.99, c/(a+b+c+d)=0 내지 0.50 및 d/(a+b+c+d)=0.01 내지 0.40을 만족시키고, R1 내지 R6은 적어도 1개가 아릴기에 상당하는 페닐기를 나타내고, 적어도 1개가 알케닐기를 나타내며, 페닐기 및 알케닐기 이외의 R1 내지 R6은 탄소수 1 내지 8의 탄화수소기를 나타내고, R7 내지 R10은 각각 탄소수 1 내지 8의 탄화수소기를 나타내고, R11은 탄소수 1 내지 8의 2가의 탄화수소기를 나타낸다.
상기 식 (51A) 중, p, q 및 r은 p/(p+q+r)=0.05 내지 0.50, q/(p+q+r)=0.05 내지 0.50 및 r/(p+q+r)=0.20 내지 0.80을 만족시키고, R51 내지 R56은 적어도 1개가 아릴기에 상당하는 페닐기를 나타내고, 적어도 1개가 규소 원자에 직접 결합하고 있는 수소 원자를 나타내며, 페닐기 및 규소 원자에 직접 결합하고 있는 수소 원자 이외의 R51 내지 R56은 탄소수 1 내지 8의 탄화수소기를 나타낸다.
상기 식 (51B) 중, p, q, r 및 s는 p/(p+q+r+s)=0.05 내지 0.50, q/(p+q+r+s)=0.05 내지 0.50, r/(p+q+r+s)=0.20 내지 0.80 및 s/(p+q+r+s)=0.01 내지 0.40을 만족시키고, R51 내지 R56은 적어도 1개가 아릴기에 상당하는 페닐기를 나타내고, 적어도 1개가 규소 원자에 직접 결합하고 있는 수소 원자를 나타내며, 페닐기 및 규소 원자에 직접 결합하고 있는 수소 원자 이외의 R51 내지 R56은 탄소수 1 내지 8의 탄화수소기를 나타내고, R57 내지 60은 각각 탄소수 1 내지 8의 탄화수소기를 나타내고, R61은 탄소수 1 내지 8의 2가의 탄화수소기를 나타낸다.
아릴기의 함유 비율( 몰％)=(상기 제1 실리콘 수지 A의 1 분자당에 포함되는 아릴기의 평균 개수×아릴기의 분자량/상기 제1 실리콘 수지 A의 수 평균 분자량) ×100 … 식 (a1)
아릴기와 페닐렌기의 합계의 함유 비율( 몰％)={(상기 제1 실리콘 수지 B의 1 분자당에 포함되는 아릴기의 평균 개수×아릴기의 분자량+상기 제1 실리콘 수지 B의 1 분자당에 포함되는 페닐렌기의 평균 개수×페닐렌기의 분자량)/상기 제1 실리콘 수지 B의 수 평균 분자량}×100 … 식 (b1)
아릴기의 함유 비율( 몰％)=(상기 제2 실리콘 수지 A의 1 분자당에 포함되는 아릴기의 평균 개수×아릴기의 분자량/상기 제2 실리콘 수지 A의 수 평균 분자량) ×100 … 식 (a51)
아릴기와 페닐렌기의 합계의 함유 비율( 몰％)={(상기 제2 실리콘 수지 B의 1 분자당에 포함되는 아릴기의 평균 개수×아릴기의 분자량+상기 제2 실리콘 수지 B의 1 분자당에 포함되는 페닐렌기의 평균 개수×페닐렌기의 분자량)/상기 제2 실리콘 수지 B의 수 평균 분자량}×100 … 식 (b51) - 제1항에 있어서, 상기 제1 실리콘 수지 B 및 상기 제2 실리콘 수지 B 중 적어도 한쪽을 포함하는 광 반도체 장치용 밀봉제.
- 제1항에 있어서, 상기 제1 실리콘 수지 성분이 상기 제1 실리콘 수지 A이고,
상기 제1 실리콘 수지 A가 하기 식 (1A-1)로 표시되고 규소 원자에 결합한 수소 원자를 갖지 않으며 아릴기와 알케닐기를 갖는 제1 실리콘 수지 A-1을 포함하고,
상기 제1 실리콘 수지 A-1에서의 하기 식 (a1-1)로부터 구해지는 아릴기의 함유 비율이 30 몰％ 이상 70 몰％ 이하인 광 반도체 장치용 밀봉제.
상기 식 (1A-1) 중, a 및 b는 a/(a+b)=0.05 내지 0.50 및 b/(a+b)=0.50 내지 0.95를 만족시키고, R1 내지 R5는 적어도 1개가 아릴기에 상당하는 페닐기를 나타내고, 적어도 1개가 알케닐기를 나타내며, 페닐기 및 알케닐기 이외의 R1 내지 R5는 탄소수 1 내지 8의 탄화수소기를 나타내되, 단 상기 식 (1B) 중의 (R1R2R3SiO1/2)로 표시되는 구조 단위는, R1이 알케닐기를 나타내고, R2 및 R3이 알케닐기, 아릴기 또는 탄소수 1 내지 8의 탄화수소기를 나타내는 구조 단위를 포함한다.
아릴기의 함유 비율( 몰％)=(상기 제1 실리콘 수지 A-1의 1 분자당에 포함되는 아릴기의 평균 개수×아릴기의 분자량/상기 제1 실리콘 수지 A-1의 수 평균 분자량)×100 … 식 (a1-1) - 제3항에 있어서, 상기 제1 실리콘 수지 A가 상기 제1 실리콘 수지 A-1을 포함하며, 하기 식 (1A-2)로 표시되고 상기 제1 실리콘 수지 A-1에 상당하지 않고 규소 원자에 결합한 수소 원자를 갖지 않으며 아릴기와 알케닐기를 갖는 제1 실리콘 수지 A-2를 포함하지 않거나 또는 포함하고,
상기 제1 실리콘 수지 A-2가 포함되는 경우에, 상기 제1 실리콘 수지 A-2에서의 하기 식 (a1-2)로부터 구해지는 아릴기의 함유 비율이 30 몰％ 이상 70 몰％ 이하이고,
상기 제1 실리콘 수지 A-1과 상기 제1 실리콘 수지 A-2의 합계 100 중량％ 중, 상기 제1 실리콘 수지 A-1의 함유량이 50 중량％ 초과 100 중량％ 이하인 광 반도체 장치용 밀봉제.
상기 식 (1A-2) 중, a, b 및 c는 a/(a+b+c)=0 내지 0.50, b/(a+b+c)=0.40 내지 1.0 및 c/(a+b+c)=0 내지 0.50을 만족시키고, R1 내지 R6은 적어도 1개가 아릴기에 상당하는 페닐기를 나타내고, R4 내지 R6은 적어도 1개가 알케닐기를 나타내며, 페닐기 및 알케닐기 이외의 R1 내지 R6은 탄소수 1 내지 8의 탄화수소기를 나타낸다.
아릴기의 함유 비율( 몰％)=(상기 제1 실리콘 수지 A-2의 1 분자당에 포함되는 아릴기의 평균 개수×아릴기의 분자량/상기 제1 실리콘 수지 A-2의 수 평균 분자량)×100 … 식 (a1-2) - 제3항 또는 제4항에 있어서, 상기 제1 실리콘 수지 A가 상기 제1 실리콘 수지 A-1을 포함하며, 하기 식 (1A-2)로 표시되고 상기 제1 실리콘 수지 A-1에 상당하지 않고 규소 원자에 결합한 수소 원자를 갖지 않으며 아릴기와 알케닐기를 갖는 제1 실리콘 수지 A-2를 포함하고,
상기 제1 실리콘 수지 A-2에서의 하기 식 (a1-2)로부터 구해지는 아릴기의 함유 비율이 30 몰％ 이상 70 몰％ 이하인 광 반도체 장치용 밀봉제.
상기 식 (1A-2) 중, a, b 및 c는 a/(a+b+c)=0 내지 0.50, b/(a+b+c)=0.40 내지 1.0 및 c/(a+b+c)=0 내지 0.50을 만족시키고, R1 내지 R6은 적어도 1개가 아릴기에 상당하는 페닐기를 나타내고, R4 내지 R6은 적어도 1개가 알케닐기를 나타내며, 페닐기 및 알케닐기 이외의 R1 내지 R6은 탄소수 1 내지 8의 탄화수소기를 나타낸다.
아릴기의 함유 비율( 몰％)=(상기 제1 실리콘 수지 A-2의 1 분자당에 포함되는 아릴기의 평균 개수×아릴기의 분자량/상기 제1 실리콘 수지 A-2의 수 평균 분자량)×100 … 식 (a1-2) - 제4항 또는 제5항에 있어서, 상기 제1 실리콘 수지 A가 상기 제1 실리콘 수지 A-1과 상기 제1 실리콘 수지 A-2의 양쪽을 포함하고,
상기 제1 실리콘 수지 A-2의 100 중량부에 대하여 상기 제1 실리콘 수지 A-1의 함유량이 5 중량부 이상 100 중량부 이하인 광 반도체 장치용 밀봉제. - 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제2 실리콘 수지 성분이 상기 제2 실리콘 수지 A인 광 반도체 장치용 밀봉제.
- 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 식 (51A) 중의 (R51R52R53SiO1/2)로 표시되는 구조 단위는, R51이 규소 원자에 결합한 수소 원자를 나타내고, R52 및 R53이 수소 원자, 페닐기 또는 탄소수 1 내지 8의 탄화수소기를 나타내는 구조 단위를 포함하는 광 반도체 장치용 밀봉제.
- 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 실리콘 수지 A 및 상기 제2 실리콘 수지 B는 각각 1개의 규소 원자에 2개의 페닐기가 결합한 디페닐실록산 구조 단위를 포함하고,
상기 제1 실리콘 수지 A 및 상기 제2 실리콘 수지 B의 전체 실록산 구조 단위 100 몰％ 중, 1개의 규소 원자에 2개의 페닐기가 결합한 디페닐실록산 구조 단위의 비율이 30 몰％ 이상인 광 반도체 장치용 밀봉제. - 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제2 실리콘 수지 A 및 상기 제2 실리콘 수지 B는 각각 하기 식 (51-a)로 표시되는 구조 단위를 포함하고,
상기 제2 실리콘 수지 A 및 상기 제2 실리콘 수지 B의 전체 실록산 구조 단위 100 몰％ 중, 하기 식 (51-a)로 표시되는 구조 단위의 비율이 5 몰％ 이상인 광 반도체 장치용 밀봉제.
상기 식 (51-a) 중, R52 및 R53은 각각 수소 원자, 페닐기 또는 탄소수 1 내지 8의 탄화수소기를 나타낸다. - 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 산화규소 입자를 더 포함하는 광 반도체 장치용 밀봉제.
- 제11항에 있어서, 상기 산화규소 입자가 유기 규소 화합물에 의해 표면 처리되어 있는 광 반도체 장치용 밀봉제.
- 제12항에 있어서, 상기 유기 규소 화합물은 디메틸실릴기를 갖는 유기 규소 화합물, 트리메틸실릴기를 갖는 유기 규소 화합물 및 폴리디메틸실록산기를 갖는 유기 규소 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종인 광 반도체 장치용 밀봉제.
- 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 실리콘 수지 A 및 상기 제1 실리콘 수지 B의 E형 점도계를 이용하여 측정된 25℃에서의 5 rpm에서의 각 점도가 500 mPa?s 이상 20000 mPa?s 이하이며,
상기 제2 실리콘 수지 A 및 상기 제2 실리콘 수지 B의 E형 점도계를 이용하여 측정된 25℃에서의 5 rpm에서의 각 점도가 500 mPa?s 이상 5000 mPa?s 이하인 광 반도체 장치용 밀봉제. - 제1항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서, E형 점도계를 이용하여 측정된 25℃에서의 5 rpm에서의 점도가 1000 mPa?s 이상 10000 mPa?s 이하인 광 반도체 장치용 밀봉제.
- 제1항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서, 평행판형 레오미터를 이용하여 25℃에서부터 승온 속도 20℃/분으로 가열했을 때에, 25℃에서부터 경화 온도까지의 온도 영역에서의 전단 속도 1s-1에서의 최저 점도가 200 mPa?s 이상인 광 반도체 장치용 밀봉제.
- 제1항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서, E형 점도계를 이용하여 측정된 25℃에서의 1 rpm에서의 점도의 E형 점도계를 이용하여 측정된 25℃에서의 10 rpm에서의 점도에 대한 비가 1.2 이상 2.5 이하인 광 반도체 장치용 밀봉제.
- 제1항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서, 형광체를 더 포함하는 광 반도체 장치용 밀봉제.
- 광 반도체 소자와, 상기 광 반도체 소자를 밀봉하도록 설치된 제1항 내지 제18항 중 어느 한 항에 기재된 광 반도체 장치용 밀봉제를 구비하는 광 반도체 장치.
Applications Claiming Priority (15)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010082102 | 2010-03-31 | ||
| JPJP-P-2010-082102 | 2010-03-31 | ||
| JPJP-P-2010-098086 | 2010-04-21 | ||
| JP2010098086 | 2010-04-21 | ||
| JP2010153904 | 2010-07-06 | ||
| JPJP-P-2010-153904 | 2010-07-06 | ||
| JP2010167380 | 2010-07-26 | ||
| JPJP-P-2010-167380 | 2010-07-26 | ||
| JP2010172091 | 2010-07-30 | ||
| JPJP-P-2010-172091 | 2010-07-30 | ||
| JP2010277913 | 2010-12-14 | ||
| JPJP-P-2010-277913 | 2010-12-14 | ||
| JPJP-P-2011-052423 | 2011-03-10 | ||
| JP2011052423 | 2011-03-10 | ||
| PCT/JP2011/056595 WO2011125463A1 (ja) | 2010-03-31 | 2011-03-18 | 光半導体装置用封止剤及び光半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20120024828A true KR20120024828A (ko) | 2012-03-14 |
| KR101274350B1 KR101274350B1 (ko) | 2013-06-13 |
Family
ID=44762419
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020117030741A KR101274350B1 (ko) | 2010-03-31 | 2011-03-18 | 광 반도체 장치용 밀봉제 및 광 반도체 장치 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20120126282A1 (ko) |
| EP (1) | EP2554601A4 (ko) |
| JP (1) | JP5060654B2 (ko) |
| KR (1) | KR101274350B1 (ko) |
| CN (1) | CN102639643B (ko) |
| TW (1) | TWI391447B (ko) |
| WO (1) | WO2011125463A1 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9564562B2 (en) | 2011-05-31 | 2017-02-07 | Momentive Performance Materials Japan Llc | Silicone composition for sealing semiconductor |
Families Citing this family (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012007136A (ja) * | 2010-05-21 | 2012-01-12 | Sekisui Chem Co Ltd | 光半導体装置用封止剤及びそれを用いた光半導体装置 |
| JP5693063B2 (ja) * | 2010-07-01 | 2015-04-01 | 積水化学工業株式会社 | 光半導体装置用封止剤及びそれを用いた光半導体装置 |
| EP2631275A4 (en) * | 2010-10-19 | 2014-09-03 | Sekisui Chemical Co Ltd | CAPACITANT FOR OPTICAL SEMICONDUCTOR COMPONENTS AND OPTICAL SEMICONDUCTOR COMPONENT THEREWITH |
| KR20120078606A (ko) * | 2010-12-31 | 2012-07-10 | 제일모직주식회사 | 봉지재 및 상기 봉지재를 포함하는 전자 소자 |
| JP5284490B2 (ja) * | 2011-05-31 | 2013-09-11 | モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社 | 半導体封止用シリコーン組成物 |
| JP4951147B1 (ja) * | 2011-09-08 | 2012-06-13 | 積水化学工業株式会社 | 光半導体装置用硬化性組成物 |
| JP5498465B2 (ja) * | 2011-10-19 | 2014-05-21 | 積水化学工業株式会社 | 光半導体装置用ダイボンド材及びそれを用いた光半導体装置 |
| WO2013077706A1 (ko) * | 2011-11-25 | 2013-05-30 | 주식회사 엘지화학 | 경화성 조성물 |
| JP2013191687A (ja) * | 2012-03-13 | 2013-09-26 | Sekisui Chem Co Ltd | 光半導体装置の製造方法及び光半導体装置 |
| KR101757786B1 (ko) * | 2012-05-18 | 2017-07-14 | 스미토모 오사카 세멘토 가부시키가이샤 | 표면수식 금속산화물 입자재료, 분산액, 실리콘 수지 조성물, 실리콘 수지 복합체, 광반도체 발광 장치, 조명 기구 및 액정 화상 장치 |
| TWI596008B (zh) * | 2012-12-21 | 2017-08-21 | 道康寧公司 | 層狀聚合物結構及方法 |
| EP2957599A4 (en) * | 2013-02-14 | 2015-12-23 | Daicel Corp | HARDENABLE RESIN COMPOSITION, HARDENED PRODUCT, SEALING ELEMENT AND SEMICONDUCTOR ELEMENT |
| JP6105966B2 (ja) * | 2013-02-15 | 2017-03-29 | 東レ・ダウコーニング株式会社 | 硬化性シリコーン組成物、その硬化物、および光半導体装置 |
| JP2015070156A (ja) * | 2013-09-30 | 2015-04-13 | サンケン電気株式会社 | 発光装置 |
| JP6254833B2 (ja) * | 2013-11-25 | 2017-12-27 | 信越化学工業株式会社 | シリコーン樹脂組成物及び光半導体装置 |
| WO2015153415A1 (en) * | 2014-03-31 | 2015-10-08 | Osram Sylvania Inc. | Wavelength converting compositions, wavelength converters and devices including the same |
| JPWO2016043082A1 (ja) * | 2014-09-17 | 2017-07-06 | 株式会社ダイセル | 硬化性シリコーン樹脂組成物及びその硬化物 |
| JP2017036416A (ja) * | 2015-08-12 | 2017-02-16 | 株式会社ダイセル | 硬化性シリコーン樹脂組成物及びその硬化物 |
| JP6445947B2 (ja) | 2015-09-04 | 2018-12-26 | 株式会社東芝 | 光結合装置 |
| JP6447557B2 (ja) * | 2016-03-24 | 2019-01-09 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
| EP3559117B1 (en) * | 2016-12-20 | 2023-12-06 | Dow Silicones Corporation | Curable silicone composition |
| JP7128162B2 (ja) * | 2019-08-29 | 2022-08-30 | 信越化学工業株式会社 | 付加硬化型シリコーン組成物及び光学素子 |
| CN115103872B (zh) * | 2020-01-28 | 2024-02-02 | 东亚合成株式会社 | 倍半硅氧烷衍生物及其用途 |
| US11584882B2 (en) * | 2020-02-14 | 2023-02-21 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Wavelength converter; method of its making and light-emitting device incorporating the element |
Family Cites Families (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4101468B2 (ja) | 2001-04-09 | 2008-06-18 | 豊田合成株式会社 | 発光装置の製造方法 |
| JP3654353B2 (ja) | 2001-09-03 | 2005-06-02 | スタンレー電気株式会社 | 紫外発光素子用のエポキシ樹脂及びエポキシ樹脂材料 |
| US7160972B2 (en) * | 2003-02-19 | 2007-01-09 | Nusil Technology Llc | Optically clear high temperature resistant silicone polymers of high refractive index |
| JP2004359756A (ja) * | 2003-06-03 | 2004-12-24 | Wacker Asahikasei Silicone Co Ltd | Ｌｅｄ用封止剤組成物 |
| JP4180474B2 (ja) * | 2003-09-03 | 2008-11-12 | モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社 | 付加硬化型シリコーン組成物 |
| JP4908736B2 (ja) * | 2003-10-01 | 2012-04-04 | 東レ・ダウコーニング株式会社 | 硬化性オルガノポリシロキサン組成物および半導体装置 |
| JP2009523856A (ja) * | 2006-01-17 | 2009-06-25 | ダウ・コーニング・コーポレイション | 熱安定性の透明なシリコーン樹脂組成物、並びにその調製方法及び使用 |
| CN101389695B (zh) * | 2006-02-24 | 2012-07-04 | 陶氏康宁公司 | 用硅氧烷包封的发光器件和用于制备该硅氧烷的可固化的硅氧烷组合物 |
| RU2401846C2 (ru) * | 2006-04-25 | 2010-10-20 | Учреждение Российской академии наук Институт синтетических полимерных материалов им. Н.С. Ениколопова РАН (ИСПМ РАН) | Функциональные полиорганосилоксаны и композиция, способная к отверждению на их основе |
| EP2402796A3 (en) * | 2006-08-28 | 2012-04-18 | Dow Corning Corporation | Optical devices and silicone compositions and processes fabricating the optical devices |
| TWI361205B (en) * | 2006-10-16 | 2012-04-01 | Rohm & Haas | Heat stable aryl polysiloxane compositions |
| WO2008065786A1 (fr) * | 2006-11-27 | 2008-06-05 | Panasonic Electric Works Co., Ltd. | Dispositif optique à semiconducteur et élément optique transparent |
| JP5279197B2 (ja) * | 2007-05-07 | 2013-09-04 | 信越化学工業株式会社 | 硬化性有機ケイ素組成物およびその硬化物 |
| US20090166665A1 (en) * | 2007-12-31 | 2009-07-02 | Lumination Llc | Encapsulated optoelectronic device |
| JP2009227849A (ja) | 2008-03-24 | 2009-10-08 | Sanyo Chem Ind Ltd | 光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物 |
| JP5579371B2 (ja) * | 2008-04-23 | 2014-08-27 | 東レ・ダウコーニング株式会社 | 含ケイ素ポリマー、及び硬化性ポリマー組成物 |
| JP2010013503A (ja) * | 2008-07-01 | 2010-01-21 | Showa Highpolymer Co Ltd | 硬化性樹脂組成物およびオプトデバイス |
| JP2010180323A (ja) * | 2009-02-05 | 2010-08-19 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | 硬化性シリコーン組成物およびその硬化物 |
| JP5549568B2 (ja) * | 2009-12-15 | 2014-07-16 | 信越化学工業株式会社 | 光半導体素子封止用樹脂組成物及び当該組成物で封止した光半導体装置 |
| DE202011110487U1 (de) * | 2010-01-25 | 2014-04-17 | Lg Chem, Ltd. | Härtbare Zusammensetzung |
| JP5522111B2 (ja) * | 2011-04-08 | 2014-06-18 | 信越化学工業株式会社 | シリコーン樹脂組成物及び当該組成物を使用した光半導体装置 |
-
2011
- 2011-03-18 WO PCT/JP2011/056595 patent/WO2011125463A1/ja active Application Filing
- 2011-03-18 KR KR1020117030741A patent/KR101274350B1/ko active IP Right Grant
- 2011-03-18 EP EP11765365.9A patent/EP2554601A4/en not_active Withdrawn
- 2011-03-18 CN CN2011800045702A patent/CN102639643B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2011-03-18 US US13/387,725 patent/US20120126282A1/en not_active Abandoned
- 2011-03-18 JP JP2011512764A patent/JP5060654B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2011-03-23 TW TW100109977A patent/TWI391447B/zh not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9564562B2 (en) | 2011-05-31 | 2017-02-07 | Momentive Performance Materials Japan Llc | Silicone composition for sealing semiconductor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN102639643A (zh) | 2012-08-15 |
| CN102639643B (zh) | 2013-06-12 |
| JP5060654B2 (ja) | 2012-10-31 |
| JPWO2011125463A1 (ja) | 2013-07-08 |
| US20120126282A1 (en) | 2012-05-24 |
| TW201139562A (en) | 2011-11-16 |
| TWI391447B (zh) | 2013-04-01 |
| EP2554601A1 (en) | 2013-02-06 |
| KR101274350B1 (ko) | 2013-06-13 |
| EP2554601A4 (en) | 2013-10-09 |
| WO2011125463A1 (ja) | 2011-10-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101274350B1 (ko) | 광 반도체 장치용 밀봉제 및 광 반도체 장치 | |
| KR101274418B1 (ko) | 광 반도체 장치용 밀봉제 및 이를 이용한 광 반도체 장치 | |
| JP5167419B2 (ja) | 光半導体装置用封止剤及びそれを用いた光半導体装置 | |
| WO2013008842A1 (ja) | 光半導体装置用封止剤及び光半導体装置 | |
| JP5693063B2 (ja) | 光半導体装置用封止剤及びそれを用いた光半導体装置 | |
| JP4951147B1 (ja) | 光半導体装置用硬化性組成物 | |
| JP2012007136A (ja) | 光半導体装置用封止剤及びそれを用いた光半導体装置 | |
| JP2012111836A (ja) | 光半導体装置用封止剤及びそれを用いた光半導体装置 | |
| WO2013035736A1 (ja) | 光半導体装置用硬化性組成物 | |
| JP2013253210A (ja) | 光半導体装置用硬化性組成物、光半導体装置及び光半導体装置の製造方法 | |
| JP5323037B2 (ja) | 光半導体装置用封止剤及びそれを用いた光半導体装置 | |
| JP2012199345A (ja) | 光半導体装置用レンズ材料、光半導体装置及び光半導体装置の製造方法 | |
| JP5323038B2 (ja) | 光半導体装置用封止剤及びそれを用いた光半導体装置 | |
| JP2012197409A (ja) | 光半導体装置用封止剤及びそれを用いた光半導体装置 | |
| JP2012193235A (ja) | 光半導体装置用コーティング材料及びそれを用いた光半導体装置 | |
| JP2013018900A (ja) | 光半導体装置用封止剤及びそれを用いた光半導体装置 | |
| JP2013181061A (ja) | 光半導体装置用レンズ材料、光半導体装置及び光半導体装置の製造方法 | |
| JP2013053186A (ja) | 光半導体装置用封止剤及びそれを用いた光半導体装置 | |
| JP2012188627A (ja) | 光半導体装置用レンズ材料、光半導体装置及び光半導体装置の製造方法 | |
| JP2012190952A (ja) | 光半導体装置用封止剤、光半導体装置用封止剤の硬化物及び光半導体装置 | |
| JP2013006997A (ja) | 光半導体装置用封止剤、光半導体装置用封止剤の硬化物及び光半導体装置 | |
| JP2012193313A (ja) | 光半導体装置用レンズ材料、光半導体装置及び光半導体装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| A302 | Request for accelerated examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160517 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170522 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180517 Year of fee payment: 6 |