JP4926632B2 - タンタルと炭素結合物の製造方法、タンタルと炭素の傾斜組成構造及びタンタル−炭素複合体 - Google Patents
タンタルと炭素結合物の製造方法、タンタルと炭素の傾斜組成構造及びタンタル−炭素複合体 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4926632B2 JP4926632B2 JP2006263429A JP2006263429A JP4926632B2 JP 4926632 B2 JP4926632 B2 JP 4926632B2 JP 2006263429 A JP2006263429 A JP 2006263429A JP 2006263429 A JP2006263429 A JP 2006263429A JP 4926632 B2 JP4926632 B2 JP 4926632B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tantalum
- carbon
- heat treatment
- tac
- alloy
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 title claims description 142
- 229910052799 carbon Chemical group 0.000 title claims description 138
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical group [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 130
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 125
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 40
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 25
- 239000002131 composite material Substances 0.000 title claims description 6
- VQYPKWOGIPDGPN-UHFFFAOYSA-N [C].[Ta] Chemical compound [C].[Ta] VQYPKWOGIPDGPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 5
- 229910003468 tantalcarbide Inorganic materials 0.000 claims description 103
- 229910001362 Ta alloys Inorganic materials 0.000 claims description 68
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 62
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 58
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 40
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 claims description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 29
- NFFIWVVINABMKP-UHFFFAOYSA-N methylidynetantalum Chemical compound [Ta]#C NFFIWVVINABMKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 29
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 32
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 16
- 230000008569 process Effects 0.000 description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 description 13
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 8
- 238000003763 carbonization Methods 0.000 description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- 238000005255 carburizing Methods 0.000 description 5
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 5
- -1 TaC Chemical compound 0.000 description 4
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 3
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 3
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 238000010587 phase diagram Methods 0.000 description 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 2
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 2
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CXOWYMLTGOFURZ-UHFFFAOYSA-N azanylidynechromium Chemical compound [Cr]#N CXOWYMLTGOFURZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 1
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 1
- UFGZSIPAQKLCGR-UHFFFAOYSA-N chromium carbide Chemical compound [Cr]#C[Cr]C#[Cr] UFGZSIPAQKLCGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 1
- 230000008034 disappearance Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004299 exfoliation Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000007770 graphite material Substances 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 1
- 230000010070 molecular adhesion Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000002006 petroleum coke Substances 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 1
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003470 tongbaite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Pressure Welding/Diffusion-Bonding (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
Description
本発明は、タンタルと炭素の固相拡散接合を用いたタンタルと炭素結合物の製造方法等に関する。
タンタルと炭素の固相拡散接合に付いては今だ研究の報告がないが神戸製鋼ホームページＫＯＢＥＬＣＯの拡散接合可能な金属としてＴａ及びＴａ合金とグラファイトは接合出来る組み合わせとして認知されていない。図１２にＫＯＢＥＬＣＯホームページより引用した拡散接合可能な金属の組み合わせ可能図を示す。タンタルの炭化物、例えばＴａＣは、遷移金属炭化物中で一番融点が高く、化学的安定性が高く研究の報告がなされている。図１３にＴａＣのフェーズダイアグラムを示す。このようなＴａＣは、従来から高温雰囲気下における各種用途への応用が模索され、以下のような種々の方法による製造方法が報告されている。従来のＴａＣを製造する方法の文献例として次のようなものが挙げられる。
例えば、特許文献１には、微粉末のＴａＣ粉末と、ＨｆＣ，ＺｒＣ，ＨｆＮ等の他の化合物の微粉末を混合し、約１Ｐａの真空中で２０００℃で焼結し、ＴａＣとこれら他の化合物の固溶体を形成し、ＴａＣの粒成長を抑制することによって緻密なＴａＣ焼結体を作製する方法が記載されている。
また、特許文献２には、酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）とカーボンを混合し、水素炉で所定の温度で一次炭化を行い、得られた炭化物の遊離カーボンの量を測定し、次いでこの測定結果に基づいてカーボン量を調整して一次炭化物に添加し、次いで真空炭化炉で所定の温度で二次炭化を行いＴａＣを製造する方法が記載されている。
また、特許文献３には、真空中で金属Ｔａを蒸発させ、同時にＣ2Ｈ2ガスを導入して、両者を反応性イオンプレーティング法により蒸着中圧力／成膜速度を６．０×１０-2Ｐａ・ｍｉｎ／μｍ以上で反応させてタングステン製電子放射材料の表面に組成比１＜Ｃ／Ｔａ＜１．２から成る耐熱性に優れ、悪い真空状態でも安定に放射電流が得られ、且つ長寿命のＴａＣ膜を被覆する方法が記載されている。
また、特許文献４には、レンズやプリズム等の高精度のガラス光学素子をプレス成形する際に用いられる金型表面に被覆される離型膜として、次の（ａ）酸化クロムを５０〜９９モル％と酸化タンタルを１〜５０モル％とからなるセラミック材料、（ｂ）窒化クロムを５０〜９９モル％と窒化タンタルを１〜５０モル％とからなるセラミック材料、（ｃ）炭化クロムを５０〜９９モル％と炭化タンタルを１〜５０モル％とからなるセラミック材料から選ばれる一種から構成したものが記載されている。
また、特許文献５には、１０００℃を超える高温の還元性ガス雰囲気中においても、優れた還元性ガス反応抑制効果を発揮し、製品寿命を大きく延ばすことができる還元性雰囲気炉用炭素複合材料として、金属タンタル及び反応ガスを使用してアークイオンプレーティング（ＡＩＰ）式反応性蒸着法により黒鉛基材の表面に形成される炭化タンタルの皮膜について記載されている。
また、特許文献６には、Ｔａを有する化合物と、炭化水素系の溶媒とを含む導電性Ｔａ系膜形成材料を使用してＣＶＤ法によって導電性のＴａ系膜を形成する方法について記載されている。
また、特許文献７には、黒鉛製ルツボの内壁にＴａ板を配置する。そして、Ｔａ板と接触するように炭素粉末を充填してＴａ板を覆う。その後、黒鉛製ルツボを加熱してＴａ板を炭化させ、黒鉛製ルツボの内壁をＴａＣでコーティングする方法が記載されている。
また、特許文献８には、１３００℃〜１６００℃に加熱した真空炉内でＴａまたはＴａ合金の表面に、炭素源を与えてＴａＣとＴａ2Ｃ膜を形成させその後に表面に付着した未反応の炭素原子をＴａ基材内部に拡散する様に真空中で高温アニール加熱して、炭化処理を行い、ＴａＣ形成する方法が記載されている。
特開平６−８７６５６号公報
特開２０００−４４２２２号公報
特開平８−６４１１０号公報
特開平７−３３０３５１号公報
特開平１０−２４５２８５号公報
特開２０００−２６５２７４号公報
特開平１１−１１６３９９号公報
米国特許第５３８３９８１号明細書
しかしながら、特許文献１に記載のものは、微粉末のＴａＣ粉末と、ＨｆＣ，ＺｒＣ，ＨｆＮ等の他の化合物の微粉末を混合し、約１Ｐａの真空中で２０００℃で焼結してＴａＣを作製するため、任意の形状のＴａＣの形成が困難であるという問題がある。
また、特許文献２に記載のものは、Ｔａ2Ｏ5及びＣとを混合し、成形後、２度の炭化処理を経てＴａＣを形成するものであるため、前述の特許文献１のものと同様、所定の形状のＴａＣを形成することが困難であるという問題を有している。
また、特許文献３に記載のものは、タングステンフィラメントの外周面にＴａＣの被膜を形成するものであり、必然的にタングステン等の基材との界面が形成されるものであるため、ＴａＣのクラック、剥離等の発生を避けることが困難である。
また、特許文献４に記載のものは、特許文献３に記載のものと同様、基材表面に被膜として形成されるものであり、特許文献３と同様に、表面に形成される酸化クロムを５０〜９９モル％と酸化タンタルを１〜５０モル％とからなるセラミック材料等のクラック、剥離等を避けることが困難である。
また、特許文献５に記載のものは、基材である黒鉛材の表面にアークイオンプレーティング式反応性蒸着法によってＴａＣを形成したものであるため、特許文献３及び４に記載のものと同様に、基材とＴａＣとの界面が明確に形成され、ＴａＣのクラック、剥離等を避けることが困難である。
また、特許文献６に記載のものも、ＣＶＤ法によって導電性Ｔａ系膜を形成しているため、前述の特許文献３〜５に記載のものと同様に、基材と導電性Ｔａ系膜との界面が形成されるため、熱履歴等によって導電性Ｔａ系膜のクラック、剥離等を避けることが困難である。
また、特許文献７に記載のものは、Ｔａと炭素粉末とを直接接触させて、熱処理することによってＴａの表面にＴａＣを形成したものであり、明細書中には特に記載はないが、ＴａとＴａＣとの境界が明確に現れているものと考えられる。このため、熱履歴によってＴａＣ層部分が剥離することが考えられる。
また、特許文献８に記載のものは、その明細書のＦＩＧ５Ａ〜ＦＩＧ５Ｆに示されているようにＴａ2Ｃ、ＴａＣ層の形成後に高温アニールで表面の未反応の炭素原子をＴａ基板内部に拡散させることによりＴａ2Ｃ層も消滅しアニール前の約２倍の厚みのＴａＣのバルク状結晶に成している。拡大写真の観察でＴａ基材とＴａＣの境界が明確に分かれており、このため、その明細書中に記載はないが、繰返し受ける熱応力によって、層間での層間剥離とＴａＣ層のクラツクが発生しやすいものと考えられる。
Ｔａ基板表面の自然酸化膜Ｔａ2Ｏ5に１３００℃〜１６００℃の低い温度で炭素原子を反応させても自然酸化膜Ｔａ2Ｏ5が化学的に安定でありＴａの炭化速度が低く炭素原子の拡散深さが非常に浅い為真空加熱アニールを数十時間も行って炭素原子を拡散させてＴａＣ膜を成長させても所望の厚みが得られていない。 合わせて長時間の加熱で結晶粒子が大きく成長してバルク状に成り粒界も大きくなつておりＴａ基材とＴａＣの境界が明確に分かれてしまい層間での層間剥離とＴａＣ層内のクラツクが発生しやすいものと考えられる。
本発明は上記問題に鑑みてなされ、簡易な方法で、タンタル或いはタンタルの合金の基板を炭素基板と固相拡散接合させることが可能であり、また、タンタル或いはタンタルの合金の基板を炭素基板と固相拡散接合させる場所以外のタンタル或いはタンタルの合金の基板表面に均一な厚みのタンタルの炭化物を形成することができるとともに、熱履歴によっても剥離することのない固相拡散接合を行うと同時にタンタル表面にタンタル炭化物を生成出来るタンタルと炭素結合物の製造方法及びタンタル−炭素複合体を提供することを目的とする。
本発明は、上記目的を達成するために以下のような幾つかの特徴を主に有している。本発明において、以下の主な特徴は単独で、若しくは、適宜組合わされて備えられている。
本発明は、タンタル若しくはタンタル合金表面と炭素基板表面とをそれぞれ片面又は両面を重ね合わせた状態で真空熱処理炉内に設置するステップと、前記タンタル若しくはタンタル合金表面に形成されている自然酸化膜であるＴａ２Ｏ５が昇華する条件下で熱処理を行い、前記Ｔａ２Ｏ５を除去するステップと、前記タンタル若しくはタンタル合金の自然酸化膜であるＴａ ２ Ｏ ５ が除去された表面と前記炭素基板表面を固相拡散結合で分子接合する温度条件下で前記タンタル若しくはタンタル合金表面と前記炭素基板表面を固相拡散分子結合するステップとを有することを特徴とするタンタルと炭素結合物の製造方法を提供する。
本発明は、タンタル若しくはタンタル合金表面と炭素基板表面とをそれぞれ片面又は両面を重ね合わせた状態で真空熱処理炉内に設置するステップと、前記タンタル若しくはタンタル合金表面に形成されている自然酸化膜であるＴａ２Ｏ５が昇華する条件下で熱処理を行い、前記Ｔａ２Ｏ５を除去するステップと、前記タンタル若しくはタンタル合金表面と前記炭素基板表面を固相拡散結合で分子接合する温度条件下で前記タンタル若しくはタンタル合金の自然酸化膜であるＴａ ２ Ｏ ５ が除去された表面と前記炭素基板表面を固相拡散分子結合するステップと、前記真空熱処理炉内に炭素源を導入して、前記タンタル若しくはタンタル合金表面のうち前記炭素基板表面を重ね合わせた部分以外の自然酸化膜が除去された表面から炭素を侵入させてタンタルの炭化物を形成するステップとを有することを特徴とするタンタルと炭素結合物の製造方法を提供する。
また、本発明は、タンタル若しくはタンタル合金表面を真空熱処理炉内に設置するステップと、前記タンタル若しくはタンタル合金表面に形成されている自然酸化膜であるＴａ ２ Ｏ ５ が昇華する条件下で熱処理を行い、前記Ｔａ ２ Ｏ ５ を除去するステップと、前記真空熱処理炉内に炭素源を導入して、前記タンタル若しくはタンタル合金の表面の全部の領域に侵入させてタンタルの炭化物を形成するステップと、前記３つのステップによりタンタルの炭化物が形成されたタンタル若しくはタンタル合金表面と炭素基板表面とをそれぞれ片面又は両面を重ね合わせた状態で真空熱処理炉内に設置するステップと、自然酸化膜が除去され、タンタルの炭化物が形成された前記タンタル若しくはタンタル合金の表面と前記炭素基板表面を固相拡散結合で分子接合する温度条件下で前記タンタル若しくはタンタル合金表面と前記炭素基板表面を固相拡散分子結合するステップとを有することを特徴とするタンタルと炭素結合物の製造方法を提供する。
また、本発明のタンタルと炭素結合物の製造方法では前記タンタル若しくはタンタル合金表面と前記炭素基板表面の固相拡散結合部分の組成は前記タンタル若しくはタンタル合金表面からＴａ2Ｃ、Ｔａ４Ｃ３、ＴａＣ、Ｃの順の傾斜組成構造であることを特徴とする。
また、本発明のタンタルと炭素結合物の製造方法では、前記タンタル若しくはタンタル合金の表面のうち前記炭素基板を重ね合わせた部分以外の領域に炭素が侵入して形成されたタンタルの炭化物の組成は前記タンタル若しくはタンタル合金表面からＴａ2Ｃ、Ｔａ４Ｃ３、ＴａＣの順の傾斜組成構造であることを特徴とする。
また、本発明のタンタルと炭素結合物の製造方法では、前記自然酸化膜であるＴａ ２ Ｏ ５ が除去される際の放射率の変化を放射温度計で測定する熱処理法であることを特徴とする。
また、本発明のタンタルと炭素結合物の製造方法では自然酸化膜であるＴａ2Ｏ5が昇華する条件下での前記熱処理条件が、約１７５０℃以上、圧力約１Ｐａ以下であることを特徴とする。
また、本発明のタンタルと炭素結合物の製造方法では前記タンタル若しくはタンタル合金表面に前記炭素基板表面とをそれぞれ片面又は両面を重ね合わせた状態で真空熱処理炉内に設置し、前記タンタル若しくはタンタル合金表面と前記炭素基板表面を固相拡散結合で分子接合する熱処理条件が、１８６０℃以上２５００℃以下、圧力１Ｐａ以下であることを特徴とする。
また、本発明のタンタルと炭素結合物の製造方法では前記真空熱処理炉内に炭素源を導入して、前記タンタル若しくはタンタル合金表面にタンタルの炭化物を形成する前記熱処理条件が、１８６０℃以上２５００℃以下、圧力１Ｐａ以下であることを特徴とする。
本発明は上述した製造方法で製造されたタンタルと炭素結合物におけるタンタルと炭素の傾斜組成構造であって、前記タンタル若しくはタンタル合金表面と前記炭素基板表面の固相拡散結合部分の組成は前記タンタル若しくはタンタル合金表面からＴａ2Ｃ、Ｔａ４Ｃ３、ＴａＣ、Ｃの順であることを特徴とするタンタルと炭素の傾斜組成構造を提供する。
本発明は上述した製造方法で製造されたタンタルと炭素結合物におけるタンタルと炭素の傾斜組成構造であって、前記タンタル若しくはタンタル合金の表面のうち前記炭素基板を重ね合わせた部分以外の領域に炭素が侵入して形成されたタンタルの炭化物の組成は前記タンタル若しくはタンタル合金表面からＴａ2Ｃ、Ｔａ４Ｃ３、ＴａＣの順であることを特徴とするタンタルと炭素の傾斜組成構造を提供する。また、本発明は上述した製造方法で製造されたタンタル−炭素複合体であって、炭素基板とタンタル若しくはタンタル合金とが接合され、炭素基板側からＣ、ＴａＣ、Ｔａ ４ Ｃ ３ 、Ｔａ ２ Ｃ及びＴａの傾斜組成となされていることを特徴とするタンタル−炭素複合体を提供する。
本発明のタンタルと炭素結合物の製造方法では、簡易な方法で、所定形状のタンタルと炭素の結合物を形成することができるとともに、タンタルと炭素の結合物のクラック、剥離等の発生がないため、タンタルと炭素の結合物の優位性、例えば、ＴａＣの持つ、優れた高融点、高硬度、機械特性、電気特性等の性能を確実に発揮することが可能となり、各種用途への応用が容易に行える。
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。図１は、本発明の実施形態に係るタンタルと炭素結合物の製造方法に用いられる真空加熱炉の概要を示す図である。図１において、符号１は真空加熱炉等の真空熱処理炉、２は真空チャンバー、３は予熱室、４は搬送室、５はタンタル若しくはタンタル合金の基材板、６は予熱ランプ、８は支持台、９は搬送トレイ、１０は昇降台、１１ａは保温防護部材を兼ねた炭素トレイ、１１ｂは保温防護部材、１２は熱反射板、１３は炭素源注入口、１４は真空ポンプ接続口、１５は基材５の出入口、１６は温度等の測定窓、１７は赤外線放射温度計、２０は炭素ヒータ、２２は搬送室４と真空チャンバー間２をシールするシール部材を示している。
図２は、本実施形態に係る固相拡散接合工程におけるタンタルとグラファイト拡散接合部の接合面積の増加過程を示す。拡散接合においては、図２に示すような過程で進むと考えられている。図２（ａ）は常温で接合面を突き合わせた様子を示している。加熱・加圧によって、接触した突起部が塑性変形、クリープ変形機構によって変形し、密着面積が増加する。これと並行して、未密着部（空隙）表面への原子の拡散により接合が進行していく（図２（ｂ））。図２（ｃ）では、拡散の役割がより重要となり、空隙の消失と、一部の接合境界の移動が生じる。さらに接合が進行すると図２（ｄ）に示すように、結晶粒界に取り残された空隙が原子の拡散によって消失する。ただし、これらの各段階は重なり合って進行する。
図３に示すように、高温高真空熱処理炉にグラファイトブロック、もしくはグラファイトシートとTaをセットし、高真空環境下においてアニールすることにより接合を行った実施例を説明する。実験条件としては、2000℃〜2200℃(1×10−5torr)で2〜10時間真空アニールを行った。
I．グラファイトブロック、もしくはグラファイトシートとTaを図３のような配置で高温高真空熱処理炉中の予備加熱炉に設置し、炉内を1×10−5torr程度になるまで真空引きを行なう。
II．予備加熱炉内が真空に引けると、真空中で試料温度が800℃になるまで1時間ほど掛けてゆっくりと加熱を行ない、炉内のガス出しを行なう。
III．サンプルを予備加熱炉から熱処理炉に搬送することにより、800℃から2000℃〜2200℃まで瞬間昇温させ、2〜10時間真空アニールを行う。
I．グラファイトブロック、もしくはグラファイトシートとTaを図３のような配置で高温高真空熱処理炉中の予備加熱炉に設置し、炉内を1×10−5torr程度になるまで真空引きを行なう。
II．予備加熱炉内が真空に引けると、真空中で試料温度が800℃になるまで1時間ほど掛けてゆっくりと加熱を行ない、炉内のガス出しを行なう。
III．サンプルを予備加熱炉から熱処理炉に搬送することにより、800℃から2000℃〜2200℃まで瞬間昇温させ、2〜10時間真空アニールを行う。
図４は前記の工程で行ったグラファイトとタンタルを固相拡散結合させた試料の接合部浸炭層の炭化タンタルの傾斜組成断面拡大写真を示す。Ｔａの表面から炭素が内部に拡散し、表層部に略均一なＴａＣ層が形成され、そのＴａＣ層の内面には、ＴａとＴａＣを結合するアンカー層（遷移層）としてＴａ４Ｃ３、Ｔａ2Ｃ層が現れている。図４の接合部拡大断面図がアンカー層（遷移層）を介して炭素とタンタル金属が分子拡散接合している状況が確認出来る。
図５に示すフローチャートは本実施形態に係る浸炭工程を説明しており、真空環境内で炭素蒸気圧を金属Taに直接照射することにより浸炭処理を行い、その後高真空アニールをし、バルク内への炭素原子の拡散を促すことによって炭素濃度の層内均一化を行う。高温真空炭化処理炉に金属Taを挿入し、真空環境下においてカーボンヒーターからの炭素蒸気圧を金属Taに直接照射することにより炭化反応させTaCを合成する。実験条件としては1700℃〜2250℃(1×10−３torr)で２時間浸炭処理を行う。
図６に上記図５の工程中の温度プロファイルを示す。自然酸化膜であるＴａ2Ｏ5が昇華する好ましい熱処理条件は、処理圧力が低ければ、比較的低温で行うことができるが、確実に表面の自然酸化膜を昇華するためには、圧力約１Ｐａ以下において、約１７５０℃以上２２５０℃以下の範囲、更に好ましくは、圧力約０．５Ｐａ以下において約１８６０℃以上２５００℃以下の範囲の条件下で熱処理することが好ましい。このような条件で熱処理を行うことによって、表面に形成されている自然酸化膜であるＴａ2Ｏ5が確実に昇華して、除去される。
自然酸化膜であるＴａ2Ｏ5の除去後、前記真空熱処理炉１内に炭素源を導入して、前記タンタル若しくはタンタル合金基材５の表面にタンタルの炭化物を形成する好ましい熱処理条件は、圧力約１Ｐａ以下において約１８６０℃以上２５００℃以下の範囲である。更に好ましくは圧力約０．５Ｐａ以下において約２０００℃以上２５００℃以下の範囲である。
自然酸化膜であるＴａ2Ｏ5の除去後の熱処理条件において、ヒータに黒鉛製の抵抗加熱ヒータを使用した場合、ヒータからの蒸気が炭素源となり得る。しかしながら、本実施形態に係るタンタルの炭化物製造条件下においては、黒鉛ヒータの消耗も激しくなる為、このように、放射温度計の出力が変化した直後から、別途、炭素源となる炭素材料を基材５とともに加熱処理室内に設置することが好ましい。また、炭素を含むガスを導入することもできる。
図７にはタンタル基板表面に浸炭してＴａ基板表面にＴａ2Ｃ・Ｔａ４Ｃ３・ＴａＣが形成された断面拡大写真を示しておりＴａの表面から炭素が内部に拡散し、表層部に略均一なＴａＣ層が形成され、そのＴａＣ層の内面には、ＴａとＴａＣを結合するアンカー層（遷移層）としてＴａ４Ｃ３、Ｔａ2Ｃ層が現れている。図７のタンタル基板表面の拡大断面図がアンカー層（遷移層）を介して炭化タンタルとタンタル金属が分子接合している状況が確認出来る。
図８にはＰＩＴ方式炭素内芯タンタルチューブ製法工程の一例を示す。タンタル金属をチューブ状に加工し、炭素粉末や石油コークス粉体を注入し圧延引き落しドローイングして真円状又はリボン状形状のワイヤーチューブを形成させる。高温真空加熱によりタンタルチューブの表面の酸化皮膜を昇華させて除去した後に炭素源を挿入して高温真空加熱する事で、タンタルチューブの内面は焼結固形化したカーボン内芯と固相拡散接合して浸炭してＴａＣに改質され、タンタルチューブの外面は炭素源を挿入する事で浸炭してＴａＣに改質され、タンタルチューブの内外面両面からＴａＣに改質されて、カーボンを内芯とするＴａＣ被覆カーボンヒーターが得られる。
図９にはＰＩＴ方式炭素内芯タンタルチューブ断面図の一例を示す。従来からカーボンヒーターは白熱電球のヒーターに使われた歴史もあり数々の長所がある反面、寿命や強度等の問題があり寿命や強度に非常に安定した特性を持つＴａＣチューブを被覆したカーボンヒーターの内芯として高純度高温用途の加熱ヒーター材等に利用が期待できる。
図１０は本発明の実施形態に係るタンタルチューブとＰＩＴ炭素芯を製造するフローチャートを示す図である。Ｔａチューブにカーボン粉末を圧入しチューブを圧延加工成形した後にコイル状に成形した後に、Ｔａチューブを高温真空加熱する事でＴａチューブ表面の酸化膜を昇華させる。更に温度を上げる事で内芯のカーボン粉末を焼結固形化させてＴａチューブ内表面と固相拡散結合させてＴａＣに改質する。Ｔａチューブ外表面は高温真空加熱中に炭素源を挿入して浸炭する事でＴａＣに改質する。以上の工程で内芯カーボンヒーターをＴａＣで被覆してシールする工程概念図を示し、比較的加工のしやすいＴａ若しくはＴａ合金のＰＩＴの段階で所定の形状に加工した後、本実施形態に係るタンタル炭化物の製造方法の条件下で処理すると、所定形状のＴａＣを形成することができる。このため、フィラメントやヒータの電極としても任意の形状に加工して使用することが可能となる。
図１１は、本発明の実施形態に係るタンタル炭化物配線を製造するフローチャートを示す図である。半導体基板表面にレーザー照射等で所定のパターン形状の炭化層を形成する上にタンタル若しくはタンタル合金を本実施形態に係るタンタル炭化物の製造方法の条件下で処理すると、所定形状にパターニングされたＴａＣを形成することができる。炭化ケイ素（以下、ＳｉＣという。）等の半導体基板表面にレーザー照射等で局部加熱して所定のパターン形状の炭化層を形成する。更に半導体基板上に形成された炭化層の上にタンタル若しくはタンタル合金を蒸着等の任意の方法で積み重ねる（Ｔａ金属パターニング工程）。高温真空加熱炉に炭素源を導入して熱処理を行い、前記パターニングされたタンタル若しくはタンタル合金の表面から炭素を浸炭してＴａＣを形成し、タンタル若しくはタンタル合金とＳｉＣ基板の界面からはＳｉＣ基板表面の炭化されたＳｉＣがタンタル若しくはタンタル合金と固相拡散接合してタンタル若しくはタンタル合金を背面からＴａＣに改質させてタンタルの炭化物配線を形成する。
このように本実施形態に係るタンタルの炭化物の製造方法は、１７５０℃以上２２５０℃以下の真空中でＴａ若しくはＴａ合金基材表面に形成されている自然酸化膜であるＴａ2Ｏ5を昇華させて除去してから真空中に炭素源を導入しＴａ若しくはＴａ合金基材表面にＴａＣとＴａ４Ｃ３及びＴａ2Ｃを形成する。
本発明のＴａ基板表面の自然酸化膜除去及び真空中加熱炉に炭素源を挿入した時の化学変化を以下の化学式で説明する。
因みに、特許文献８に記載の従来製法では１３００℃〜１６００℃の真空中に炭素源を導入しＴａＣ及びＴａ2Ｃを形成させた後に１３００℃〜１６００℃の真空中で15時間程度の長時間アニールして表面付着した未反応炭素原子を拡散させてＴａＣ層を成長させる。
特許文献８に記載の従来製法の化学変化を以下の化学式で説明される。
そのため、特許文献８に掲載の拡大写真の観察からわかるように、Ｔａ基材とＴａＣの境界が明確に分かれており、繰返し受ける熱応力によって、層間での層間剥離とＴａＣ層のクラツクが発生しやすいものと考えられる。Ｔａ基板表面の自然酸化膜Ｔａ2Ｏ5に１３００℃〜１６００℃の低い温度で炭素原子を反応させても自然酸化膜Ｔａ2Ｏ5が化学的に安定でありＴａの炭化速度が低く炭素原子の拡散深さが非常に浅い為真空加熱アニールを数十時間も行って炭素原子を拡散させてＴａＣ膜を成長させても所望の厚みが得られていない。合わせて長時間の加熱で結晶粒子が大きく成長してバルク状に成り粒界も大きくなつておりＴａ基材とＴａＣの境界が明確に分かれてしまい層間での層間剥離とＴａＣ層内のクラツクが発生しやすいものと考えられる。
尚、本発明は、上記の好ましい実施形態に記載されているが、本発明はそれだけに制限されない。本発明の精神と範囲から逸脱することのない様々な実施形態が他になされることができることは理解されよう。
本発明に係るタンタルと炭素結合物の製造方法によると、簡易な方法で、確実にタンタルと炭素結合物を製造することが可能であり、その優れた化学的特性を利用した熱処理用治具はもちろんであるが、照明等のフィラメントやヒータとして用いられる電極や半導体ウエハー上の回路の配線等、各種産業用用途への利用可能性を有している。
１ 真空熱処理炉
２ 真空チャンバー
３ 予熱室
４ 搬送室
５ Ｔａ基材
６ 予熱ランプ
８ 支持台
９ 搬送トレイ
１０ 昇降台
１１ａ 炭素トレイ
１１ｂ 保温防護部材
１２ 熱反射板
１３ 炭素源注入口
１４ 真空ポンプ接続口
１５ 試料出入口
１６ 測定窓
１７ 赤外線放射温度計
２０ ヒータ
２２ シール部材
２ 真空チャンバー
３ 予熱室
４ 搬送室
５ Ｔａ基材
６ 予熱ランプ
８ 支持台
９ 搬送トレイ
１０ 昇降台
１１ａ 炭素トレイ
１１ｂ 保温防護部材
１２ 熱反射板
１３ 炭素源注入口
１４ 真空ポンプ接続口
１５ 試料出入口
１６ 測定窓
１７ 赤外線放射温度計
２０ ヒータ
２２ シール部材
Claims (12)
- タンタル若しくはタンタル合金表面と炭素基板表面とをそれぞれ片面又は両面を重ね合わせた状態で真空熱処理炉内に設置するステップと、
前記タンタル若しくはタンタル合金表面に形成されている自然酸化膜であるＴａ２Ｏ５が昇華する条件下で熱処理を行い、前記Ｔａ２Ｏ５を除去するステップと、
前記タンタル若しくはタンタル合金の自然酸化膜であるＴａ ２ Ｏ ５ が除去された表面と前記炭素基板表面を固相拡散結合で分子接合する温度条件下で前記タンタル若しくはタンタル合金表面と前記炭素基板表面を固相拡散分子結合するステップとを有することを特徴とするタンタルと炭素結合物の製造方法。 - タンタル若しくはタンタル合金表面と炭素基板表面とをそれぞれ片面又は両面を重ね合わせた状態で真空熱処理炉内に設置するステップと、
前記タンタル若しくはタンタル合金表面に形成されている自然酸化膜であるＴａ２Ｏ５が昇華する条件下で熱処理を行い、前記Ｔａ２Ｏ５を除去するステップと、
前記タンタル若しくはタンタル合金表面と前記炭素基板表面を固相拡散結合で分子接合する温度条件下で前記タンタル若しくはタンタル合金表面の自然酸化膜であるＴａ ２ Ｏ ５ が除去された部分と前記炭素基板表面を固相拡散分子結合するステップと、
前記真空熱処理炉内に炭素源を導入して、前記タンタル若しくはタンタル合金表面のうち前記炭素基板表面を重ね合わせた部分以外の自然酸化膜が除去された表面から炭素を侵入させてタンタルの炭化物を形成するステップとを有することを特徴とするタンタルと炭素結合物の製造方法。 - タンタル若しくはタンタル合金表面を真空熱処理炉内に設置するステップと、
前記タンタル若しくはタンタル合金表面に形成されている自然酸化膜であるＴａ ２ Ｏ ５ が昇華する条件下で熱処理を行い、前記Ｔａ ２ Ｏ ５ を除去するステップと、
前記真空熱処理炉内に炭素源を導入して、前記タンタル若しくはタンタル合金の表面の全部の領域に炭素を侵入させてタンタルの炭化物を形成するステップと、
前記３つのステップによりタンタルの炭化物が形成されたタンタル若しくはタンタル合金表面と炭素基板表面とをそれぞれ片面又は両面を重ね合わせた状態で真空熱処理炉内に設置するステップと、
自然酸化膜が除去され、タンタルの炭化物が形成された前記タンタル若しくはタンタル合金の表面と前記炭素基板表面を固相拡散結合で分子接合する温度条件下で前記タンタル若しくはタンタル合金表面と前記炭素基板表面を固相拡散分子結合するステップとを有することを特徴とするタンタルと炭素結合物の製造方法。 - 前記タンタル若しくはタンタル合金表面と前記炭素基板表面の固相拡散結合部分の組成は前記タンタル若しくはタンタル合金表面からＴａ2Ｃ、Ｔａ４Ｃ３、ＴａＣ、Ｃの順の傾斜組成構造である請求項１〜３のいずれか１項に記載のタンタルと炭素結合物の製造方法。
- 前記タンタル若しくはタンタル合金の表面のうち前記炭素基板を重ね合わせた部分以外の領域に炭素が侵入して形成されたタンタルの炭化物の組成は前記タンタル若しくはタンタル合金表面からＴａ2Ｃ、Ｔａ４Ｃ３、ＴａＣの順の傾斜組成構造である請求項２に記載のタンタルと炭素結合物の製造方法。
- 前記自然酸化膜であるＴａ ２ Ｏ ５ が除去される際の放射率の変化を放射温度計で測定する熱処理法であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のタンタルと炭素結合物の製造方法。
- 自然酸化膜であるＴａ2Ｏ5が昇華する条件下での前記熱処理条件が、約１７５０℃以上、圧力約１Ｐａ以下である請求項１〜３のいずれか１項に記載のタンタルと炭素結合物の製造方法。
- 前記タンタル若しくはタンタル合金表面に前記炭素基板表面とをそれぞれ片面又は両面を重ね合わせた状態で真空熱処理炉内に設置し、前記タンタル若しくはタンタル合金表面と前記炭素基板表面を固相拡散結合で分子接合する熱処理条件が、１８６０℃以上２５００℃以下、圧力１Ｐａ以下である請求項１〜３のいずれか１項に記載のタンタルと炭素結合物の製造方法。
- 前記真空熱処理炉内に炭素源を導入して、前記タンタル若しくはタンタル合金表面にタンタルの炭化物を形成する前記熱処理条件が、１８６０℃以上２５００℃以下、圧力１Ｐａ以下である請求項１〜３のいずれか１項に記載のタンタルと炭素結合物の製造方法。
- 請求項１〜３のいずれか１項に記載の製造方法で製造されたタンタルと炭素結合物におけるタンタルと炭素の傾斜組成構造であって、前記タンタル若しくはタンタル合金表面と前記炭素基板表面の固相拡散結合部分の組成は前記タンタル若しくはタンタル合金表面からＴａ2Ｃ、Ｔａ４Ｃ３、ＴａＣ、Ｃの順であることを特徴とするタンタルと炭素の傾斜組成構造。
- 請求項２または３に記載の製造方法で製造されたタンタルと炭素結合物におけるタンタルと炭素の傾斜組成構造であって、前記タンタル若しくはタンタル合金の表面のうち前記炭素基板を重ね合わせた部分以外の領域に炭素が侵入して形成されたタンタルの炭化物の組成は前記タンタル若しくはタンタル合金表面からＴａ2Ｃ、Ｔａ４Ｃ３、ＴａＣの順であることを特徴とするタンタルと炭素の傾斜組成構造。
- 炭素基板とタンタル若しくはタンタル合金とが接合され、炭素基板側からＣ、ＴａＣ、Ｔａ ４ Ｃ ３ 、Ｔａ ２ Ｃ及びＴａの傾斜組成となされているタンタル−炭素複合体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2006263429A JP4926632B2 (ja) | 2006-09-27 | 2006-09-27 | タンタルと炭素結合物の製造方法、タンタルと炭素の傾斜組成構造及びタンタル−炭素複合体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2006263429A JP4926632B2 (ja) | 2006-09-27 | 2006-09-27 | タンタルと炭素結合物の製造方法、タンタルと炭素の傾斜組成構造及びタンタル−炭素複合体 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2011198901A Division JP5548174B2 (ja) | 2011-09-12 | 2011-09-12 | ＰＩＴ炭素芯ＴａＣチューブの製造方法、及び、ＰＩＴ炭素芯ＴａＣチューブ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2008081362A JP2008081362A (ja) | 2008-04-10 |
| JP4926632B2 true JP4926632B2 (ja) | 2012-05-09 |
Family
ID=39352578
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006263429A Active JP4926632B2 (ja) | 2006-09-27 | 2006-09-27 | タンタルと炭素結合物の製造方法、タンタルと炭素の傾斜組成構造及びタンタル−炭素複合体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4926632B2 (ja) |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7560325B1 (en) * | 2008-04-14 | 2009-07-14 | Semisouth Laboratories, Inc. | Methods of making lateral junction field effect transistors using selective epitaxial growth |
| WO2010008839A2 (en) | 2008-06-23 | 2010-01-21 | University Of Utah Research Foundation | High-toughness zeta-phase carbides |
| RU2011148907A (ru) | 2009-06-01 | 2013-07-20 | Тойо Тансо Ко., Лтд. | Способ науглероживания танталового элемента и танталовый элемент |
| JP5740637B2 (ja) * | 2009-12-25 | 2015-06-24 | 株式会社日本セラテック | セラミックス接合体及びその製造方法 |
| JP5841329B2 (ja) * | 2009-12-25 | 2016-01-13 | 株式会社日本セラテック | セラミックス接合体の製造方法 |
| KR101766500B1 (ko) | 2009-12-28 | 2017-08-08 | 도요탄소 가부시키가이샤 | 탄화탄탈 피복 탄소재료 및 그 제조방법 |
| JP5673034B2 (ja) | 2010-11-30 | 2015-02-18 | 東洋炭素株式会社 | タンタル容器の浸炭処理方法 |
| AT512329B1 (de) * | 2011-12-27 | 2014-01-15 | Miba Sinter Austria Gmbh | Verfahren zum herstellen eines sinterbauteils |
| JP5946124B2 (ja) * | 2012-03-08 | 2016-07-05 | 学校法人関西学院 | 半導体デバイスの製造方法 |
| JP2015098634A (ja) * | 2013-11-20 | 2015-05-28 | スタンレー電気株式会社 | 炭化タンタルフィラメントの製造方法及び炭化タンタル電球の製造方法 |
| US9714709B2 (en) * | 2014-11-25 | 2017-07-25 | Baker Hughes Incorporated | Functionally graded articles and methods of manufacture |
| US10501376B2 (en) | 2015-01-22 | 2019-12-10 | University Of Utah Research Foundation | Functionally graded carbides |
| FR3037971B1 (fr) * | 2015-06-25 | 2017-07-21 | Commissariat Energie Atomique | Procede de traitement d'une piece en tantale ou en un alliage de tantale |
| WO2017113382A1 (zh) * | 2015-12-31 | 2017-07-06 | 深圳凯世光研股份有限公司 | 一种钍钨电极渗碳处理工艺 |
| JP7293647B2 (ja) | 2018-12-21 | 2023-06-20 | 株式会社レゾナック | 炭化タンタル材の製造方法 |
| CN110823768B (zh) * | 2019-11-21 | 2023-02-28 | 中国核动力研究设计院 | 一种用于研究固体材料界面相容性的装置及方法 |
| CN112159952B (zh) * | 2020-10-10 | 2022-07-12 | 哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司 | 一种能同时碳化多个钽片的装置及方法 |
| CN113088869A (zh) * | 2021-03-31 | 2021-07-09 | 哈尔滨化兴软控科技有限公司 | 一种碳化钽片的制备方法 |
| CN117488271A (zh) * | 2023-11-08 | 2024-02-02 | 苏州清研半导体科技有限公司 | 一种金属碳化物涂层的制备方法及制备系统 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA1045919A (en) * | 1973-03-12 | 1979-01-09 | Raymond V. Sara | Chemically bonded aluminum coating for carbon via monocarbides |
| JPS5428313A (en) * | 1977-08-03 | 1979-03-02 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | Bonding method of carbon material |
| JPH02180770A (ja) * | 1989-01-06 | 1990-07-13 | Toshiba Corp | 黒鉛とモリブデンの接合方法 |
| JP2676413B2 (ja) * | 1989-11-10 | 1997-11-17 | 山梨県 | 黒鉛とチタンまたはチタン合金との接合方法 |
| JPH07257981A (ja) * | 1994-03-17 | 1995-10-09 | Nippon Steel Corp | 炭素含有耐火物の接合体およびその製造方法 |
| JPH1025173A (ja) * | 1996-07-12 | 1998-01-27 | Hitachi Chem Co Ltd | 炭素材料金属接合体その製造法及びプラズマ対向材 |
| JP3680281B2 (ja) * | 2003-08-01 | 2005-08-10 | 学校法人関西学院 | タンタルの炭化物、タンタルの炭化物の製造方法、タンタルの炭化物配線、タンタルの炭化物電極 |
-
2006
- 2006-09-27 JP JP2006263429A patent/JP4926632B2/ja active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2008081362A (ja) | 2008-04-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4926632B2 (ja) | タンタルと炭素結合物の製造方法、タンタルと炭素の傾斜組成構造及びタンタル−炭素複合体 | |
| US8211244B2 (en) | Tantalum carbide, method for producing tantalum carbide, tantalum carbide wiring and tantalum carbide electrode | |
| JP3866320B2 (ja) | 接合体、および接合体の製造方法 | |
| TWI585247B (zh) | 碳化矽－碳化鉭複合材及載置台 | |
| JP2016216352A (ja) | セラミック間接合および関連方法 | |
| JP3680281B2 (ja) | タンタルの炭化物、タンタルの炭化物の製造方法、タンタルの炭化物配線、タンタルの炭化物電極 | |
| CN110330357A (zh) | 一种用于连接碳化硅材料的连接材料及其应用 | |
| TW201704519A (zh) | 發熱體及其製造方法 | |
| JP5548174B2 (ja) | ＰＩＴ炭素芯ＴａＣチューブの製造方法、及び、ＰＩＴ炭素芯ＴａＣチューブ | |
| JP4641533B2 (ja) | 還元性雰囲気炉用炭素複合材料及びその製造方法 | |
| JP4498477B2 (ja) | 還元性雰囲気炉用炭素複合材料及びその製造方法 | |
| JP4498476B2 (ja) | 還元性雰囲気炉用炭素複合材料及びその製造方法 | |
| JP2003007432A (ja) | セラミックスヒータ | |
| JP4641535B2 (ja) | 還元性雰囲気炉用炭素複合材料及びその製造方法 | |
| JP4863176B2 (ja) | 薄膜発熱体 | |
| KR101916238B1 (ko) | 진공 열처리 장치 | |
| US20130216842A1 (en) | Method of bonding ceramic and metal and bonded structure of ceramic and metal | |
| JP4690367B2 (ja) | 還元性雰囲気炉用炭素複合材料 | |
| TW200925108A (en) | Carbon material and method for producing the same | |
| JP4056774B2 (ja) | 発熱体及びその製造方法 | |
| JP3889320B2 (ja) | 加熱装置 | |
| JP7321768B2 (ja) | 化学気相成長装置および被膜形成方法 | |
| JP6131701B2 (ja) | 半導体基板の製造方法 | |
| JP4641534B2 (ja) | 還元性雰囲気炉用炭素複合材料の製造方法 | |
| JP2010070797A (ja) | ＳｉＣ被覆カーボン部材及びＳｉＣ被覆カーボン部材の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090511 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20091225 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20091225 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110616 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110712 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110912 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120207 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120208 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150217 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4926632 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |