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TWI585247B - 碳化矽－碳化鉭複合材及載置台 - Google Patents

碳化矽－碳化鉭複合材及載置台 Download PDF

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Publication number
TWI585247B
TWI585247B TW103103723A TW103103723A TWI585247B TW I585247 B TWI585247 B TW I585247B TW 103103723 A TW103103723 A TW 103103723A TW 103103723 A TW103103723 A TW 103103723A TW I585247 B TWI585247 B TW I585247B
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TW
Taiwan
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tantalum
ruthenium
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TW103103723A
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Inventor
Masato Shinohara
Original Assignee
Toyo Tanso Co
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Publication date
Application filed by Toyo Tanso Co filed Critical Toyo Tanso Co
Publication of TW201435159A publication Critical patent/TW201435159A/zh
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Description

碳化矽-碳化鉭複合材及載置台
本發明係關於碳化矽-碳化鉭複合材及載置台。
以往，為人所知者有使用表層由碳化矽所構成之構件作為半導體的製程等中所使用之載置台等。然而，在使碳化矽等磊晶成長於配置在由碳化矽所構成之表層的上方之基板上時，基板與載置台係暴露於例如1500℃以上的高溫下。因而產生構成載置台的表層之碳化矽附著於基板之問題。
為了解決此問題，例如有人提出表層由碳化鉭所構成之載置台。例如於專利文獻1中，揭示一種載置晶圓之部分的至少一部分，由以碳化鉭被覆之石墨材所構成之載置台。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2006-60195號公報
然而，由於鉭極為昂貴，所以專利文獻1所揭示之載置台亦存在著昂貴之問題。
解決此問題之方法，例如可考量在石墨基材的表面上設置碳化矽層，並在碳化矽層上設置較薄的碳化鉭層，藉此使由碳化鉭層被覆之載置台變得便宜之方法。
然而，碳化矽與碳化鉭之熱膨脹係數有極大的差異。因此，於該載置台中，會因溫度變化而使碳化矽層與碳化鉭層產生剝離等，存在著耐久性之問題。
如此狀況下，係要求一種具有由碳化鉭所構成之表層且耐久性優異之構件。
此外，於專利文獻1所揭示之載置台中，具有晶圓之配置面的均熱性低之問題。當晶圓之配置面的均熱性低時，晶圓的溫度產生變動，有時無法於晶圓上使半導體均一地成長。
本發明之第1目的在於提供耐久性優異之碳化矽-碳化鉭複合材。
本發明之第2目的在於提供均熱性優異之載置台。
本發明之第1態樣之碳化矽-碳化鉭複合材，具備：表層的至少一部分由第1碳化矽層所構成之本體、碳化鉭層、以及第2碳化矽層。碳化鉭層配置在第1碳化矽層的上方。第2碳化矽層配置在碳化鉭層與第1碳化矽層之間。第2碳化矽層係由X射線光電子光譜分析法所測定之C/Si組成比為1.2以上。
於本發明之第1態樣之碳化矽-碳化鉭複合材中，第2碳化矽層由X射線光電子光譜分析法所測定之C/Si鉭成比，較佳為6.0以下。
本發明之第2態樣之碳化矽-碳化鉭複合材，具備： 表層的至少一部分由第1碳化矽層所構成之本體、碳化鉭層、以及第2碳化矽層。碳化鉭層配置在第1碳化矽層的上方。第2碳化矽層配置在碳化鉭層與第1碳化矽層之間。第2碳化矽層係由拉曼光譜分析法所測定之碳的G能帶及D能帶之峰值強度比G/D為1.0以上。
於本發明之第2態樣之碳化矽-碳化鉭複合材中，第2碳化矽層由拉曼光譜分析法所測定之碳的G能帶及D能帶之峰值強度比G/D，較佳為7.5以下。
於本發明之第1態樣及第2態樣之碳化矽-碳化鉭複合材中，第2碳化矽層的結晶粒徑較佳為753Å以下。
於本發明之第1態樣及第2態樣之碳化矽-碳化鉭複合材中，本體較佳係具備：石墨基材、以及配置在石墨基材的上方之第1碳化矽層。
於本發明之第1態樣及第2態樣之碳化矽-碳化鉭複合材中，第2碳化矽層的厚度較佳為0.05μm以上。
本發明之第1態樣及第2態樣之載置台，係具備上述本發明之碳化矽-碳化鉭複合材；底面及側面的至少一者具有由前述碳化鉭層所構成之凹部。
本發明之第3態樣之載置台，係具備：基材、碳化鉭層、以及碳化矽層。基材具有凹部。碳化鉭層配置在凹部的底面上。碳化矽層配置在碳化鉭層與基材之間。
於本發明之第3態樣之載置台中，於凹部的底面上，碳化矽層較佳係較碳化鉭層更厚。
於本發明之第3態樣之載置台中，於凹部的底面上 之碳化矽層的厚度較佳為60μm以上。
於本發明之第3態樣之載置台中，於凹部的底面上之碳化鉭層的厚度較佳為10μm以下。
於本發明之第3態樣之載置台中，較佳係碳化鉭層亦配置在凹部的側面上；於凹部的側面上，碳化矽層配置在碳化鉭層與基材之間。
於本發明之第3態樣之載置台中，較佳係基材由石墨所構成。
根據本發明之第1態樣及第2態樣，可提供耐久性優異之碳化矽-碳化鉭複合材。
根據本發明之第3態樣，可提供均熱性優異之載置台。
1‧‧‧碳化矽-碳化鉭複合材
1a‧‧‧凹部
10‧‧‧本體
11‧‧‧石墨基材
11a‧‧‧石墨基材的表面
12‧‧‧第1碳化矽層
12a‧‧‧第1碳化矽層的表面
13‧‧‧第2碳化矽層
13a‧‧‧第2碳化矽層的表面
20、40‧‧‧碳化鉭層
20a、40a‧‧‧碳化鉭層的表面
21‧‧‧載置台
31‧‧‧基材
31a‧‧‧基材的凹部
31a1‧‧‧基材的凹部之底面
31a2‧‧‧基材的凹部之側面
32‧‧‧碳化矽層
32a‧‧‧碳化矽層的表面
第1圖為本發明之第1態樣及第2態樣的一實施形態之碳化矽-碳化鉭複合材之略圖式剖面圖。
第2圖為於實施例1得到之碳化矽-碳化鉭複合材的碳化鉭層之表面照片。
第3圖為於實施例2得到之碳化矽-碳化鉭複合材的碳化鉭層之表面照片。
第4圖為於實施例3得到之碳化矽-碳化鉭複合材的碳化鉭層之表面照片。
第5圖為於實施例4得到之碳化矽-碳化鉭複合材的碳化鉭層 之表面照片。
第6圖為於參考例1得到之碳化矽-碳化鉭複合材的碳化鉭層之表面照片。
第7圖為本發明之第3態樣的一實施形態之載置台之略圖式剖面圖。
以下係說明實施本發明之較佳形態的一例。惟下列實施形態僅為例示。本發明並不限定於下列實施形態。
於實施形態等中所參考之圖面係示意地記載，圖面中所描繪之物體的尺寸及比率等，有時與實際上之物體的尺寸之比率等有所不同。具體之物體的尺寸比率等，應參酌以下說明來判斷。
(碳化矽-碳化鉭複合材1)
第1圖為本實施形態之碳化矽-碳化鉭複合材之略圖式剖面圖。一邊參考第1圖一邊說明本實施形態之碳化矽-碳化鉭複合材1的構成。
碳化矽-碳化鉭複合材1，例如可使用作為半導體的製程等中所使用之載置台等。當碳化矽-碳化鉭複合材1使用作為載置台時，可將晶圓等載置於碳化矽-碳化鉭複合材1的凹部1a來進行半導體的製造。惟在本發明中，碳化矽-碳化鉭複合材並不限於使用作為載置台，可使用在各種用途中。此外，碳化矽-碳化鉭複合材的形狀可適當地設計，例如亦可不具有凹部。
碳化矽-碳化鉭複合材1，具備：本體10、第2碳化矽層13、以及碳化鉭層20。
本體10具備：具有凹部之石墨基材11、以及第1碳化矽層12。
石墨基材11實質上由石墨所構成。於石墨基材11中亦可含有硼等之石墨以外的成分。
第1碳化矽層12配置在石墨基材11的上方。具體而言，第1碳化矽層12配置在石墨基材11地表面11a全體上。亦即，本體10的表層全體由第1碳化矽層12所構成。惟在本發明中，只需在石墨基材的至少一部分上配置第1碳化矽層即可。亦即，只需使本體表層的至少一部分由第1碳化矽層12所構成即可。較佳係在石墨基材的凹部上配置第1碳化矽層。亦即，較佳係本體之凹部的表層由第1碳化矽層所構成。
第1碳化矽層12的厚度並無特別限定。為了提升碳化矽-碳化鉭複合材1的耐久性，第1碳化矽層12的厚度較佳為60μm以上，尤佳為80μm以上。第1碳化矽層12的厚度較佳為200μm以下。
第1碳化矽層12實質上由碳化矽所構成。
第1碳化矽層12中，一般由X射線光電子光譜分析法所測定之C/Si組成比未達1.2。
構成第1碳化矽層12之碳化矽的結晶粒徑，一般大於700Å。
第1碳化矽層12中，一般由拉曼光譜分析法所測定之碳的G能帶及D能帶之峰值強度比G/D未達1.0。本發明中，由拉曼光譜分析法所測定之碳的G能帶及D能帶之峰值強度比G/D，為使用波長532nm的Ar雷射，並藉由Thermo Fisher Scientific 公司製的顯微鏡拉曼光譜分析裝置(Almega分散型雷射拉曼光譜分析裝置)所測得之值。
構成第1碳化矽層12之碳化矽的結晶粒徑，一般為700Å以上，較佳為753Å以上。
於第1碳化矽層12上配置有碳化鉭層20。具體而言，在形成於本體10之凹部中，於第1碳化矽層12上配置有碳化鉭層20。
碳化鉭層20實質上由碳化鉭所構成。
為了提升碳化矽-碳化鉭複合材1的耐久性，碳化鉭層20的厚度較佳為0.1μm以上，尤佳為1μm以上。碳化鉭層20的厚度較佳為10μm以下。
於碳化鉭層20與第1碳化矽層12之間，配置有第2碳化矽層13。具體而言，於碳化矽-碳化鉭複合材1的的凹部1a中，於碳化鉭層20與第1碳化矽層12之間配置有第2碳化矽層13。更具體而言，於第1碳化矽層12之表面12a的正上方配置有第2碳化矽層13，於第2碳化矽層13之表面13a的正上方配置有碳化鉭層20。第2碳化矽層13具有使碳化鉭層20與第1碳化矽層12密著之密著層的功能。
第2碳化矽層13實質上由碳化矽所構成。
第2碳化矽層13中，由X射線光電子光譜分析法所測定之C/Si組成比為1.2以上。藉此可使碳化矽-碳化鉭複合材1具有優異的耐久性。該理由的詳細內容雖未明瞭，但例如可考量如下。如上述般，由於碳化矽與碳化鉭之熱膨脹係數有極大的差異，所以碳化矽層與碳化鉭層一般容易受到溫度變化而剝離。在 此，碳化鉭所含有之鉭與碳形成強鍵結。第2碳化矽層13中，由X射線光電子光譜分析法所測定之C/Si組成比為1.2以上，所以第2碳化矽層13中的碳比率高。由於碳化矽層與碳化鉭層牢固地鍵結，所以可提升第2碳化矽層13與碳化鉭層20之密著性。尤其當形成鉭層時，若對該鉭層進行浸碳處理而轉化為碳化鉭層20，則鉭層的鉭與第2碳化矽層13中的碳容易牢固地鍵結，可得到更高的密著性。
為了提升碳化矽-碳化鉭複合材1的耐久性，第2碳化矽層13由X射線光電子光譜分析法所測定之C/Si組成比較佳為6.0以下，尤佳為5.0以下。此係若第2碳化矽層13中所含有之碳的比率過高，有時第2碳化矽層13與第1碳化矽層12之密著性會降低之故。此外，若第2碳化矽層13中所含有之碳的比率過高，有時第2碳化矽層13的強度會降低。
第2碳化矽層13中，由拉曼光譜分析法所測定之碳的G能帶及D能帶之峰值強度比G/D為1.0以上，較佳為1.1以上。藉此可使碳化矽-碳化鉭複合材1具有優異的耐久性。該理由的詳細內容雖未明瞭，但例如可考量如下。如上述般，由於碳化矽與碳化鉭之熱膨脹係數有極大的差異，所以碳化矽層與碳化鉭層一般容易受到溫度變化而剝離。在此，碳化鉭所含有之鉭與碳形成強鍵結。第2碳化矽層13中，由拉曼光譜分析法所測定之碳的G能帶及D能帶之峰值強度比G/D為1.0以上，碳-碳鍵的比率高。亦即，第2碳化矽層13中之碳的比率高。由於碳化矽層與碳化鉭層強固地鍵結，所以可提升第2碳化矽層13與碳化鉭層20之密著性。尤其當形成鉭層時，若對該鉭層進行浸碳處理而轉化 為碳化鉭層20，則鉭層的鉭與第2碳化矽層13中的碳容易強固地鍵結，可得到更高的密著性。
為了提升碳化矽-碳化鉭複合材1的耐久性，第2碳化矽層13由拉曼光譜分析法所測定之碳的G能帶及D能帶之峰值強度比G/D較佳為7.5以下，尤佳為5.0以下。此係若第2碳化矽層13中所含有之碳的比率過高，有時第2碳化矽層13與第1碳化矽層12之密著性會降低之故。此外，若第2碳化矽層13中所含有之碳的比率過高，有時第2碳化矽層13的強度會降低。
第2碳化矽層13的厚度並無特別限定。為了提升碳化矽-碳化鉭複合材1的耐久性，第2碳化矽層13的厚度較佳為0.05μm以上，尤佳為0.5μm以上。第2碳化矽層13的厚度較佳為1μm以下。
為了提升碳化矽-碳化鉭複合材1的耐久性，構成第2碳化矽層13之碳化矽的結晶粒徑較佳為753Å以下，較佳為740Å以下。認為此係藉由第2碳化矽層13中之矽的比率變小，可降低結晶粒徑，在第2碳化矽層13與碳化鉭層20之間的錨定效應變大之故。構成第2碳化矽層13之碳化矽的結晶粒徑較佳為600Å以上。
碳化矽-碳化鉭複合材1係例如可適合地使用作為半導體的製程等中所使用之載置台等。當碳化矽-碳化鉭複合材1使用作為載置台時，可將晶圓等載置於在碳化矽-碳化鉭複合材1的凹部1a上所形成之碳化鉭層20的表面20a上，以進行半導體的製造。
(碳化矽-碳化鉭複合材1的製造方法)
碳化矽-碳化鉭複合材1例如可藉由下列方式來製造。首先製備石墨基材11。接著，藉由熱CVD法等方法，將第1碳化矽層12形成於石墨基材11的表面11a上。然後，對第1碳化矽層12表面的至少一部分，進行採用了H2氣體、Cl2氣體等之蝕刻處理，或是進行熱碳化處理，藉此形成由X射線光電子光譜分析法所測定之C/Si組成比為1.2以上之第2碳化矽層13，或是由拉曼光譜分析法所測定之碳的G能帶及D能帶之峰值強度比G/D為1.0以上之第2碳化矽層13。接著，於第2碳化矽層13之表面13a的上方，藉由化學蒸鍍(CVD)法等形成鉭層。然後，對鉭層施以浸碳處理而形成碳化鉭層20。藉由上述方法，可製造出碳化矽-碳化鉭複合材1。浸碳處理，例如可藉由日本特開2010-280948號公報所記載的方法等之一般所知的方法來進行。
以下，根據具體的實施例來更詳細說明本發明，但本發明並不限定於下列實施例。在不變更本發明的主旨之範圍內，可適當地變更而實施。
(實施例1)
以下列方式製作出實質上具有與碳化矽-碳化鉭複合材1同樣的構成之碳化矽-碳化鉭複合材。
石墨基材11係使用具有凹部之高純度石墨(東洋炭素股份有限公司製的IG-610U)。將該石墨基材11設置在CVD裝置內，原料氣體使用SiCl4+C3H8，並在爐內壓力250Torr、基材溫度1400℃下進行CVD處理，於高純度石墨的表面全體形成厚度100μm之第1碳化矽層12，而得到具有凹部之碳化矽-石墨複合材。第1碳化矽層12可由β型的碳化矽所構成。
然後，以高純度等向性石墨(東洋炭素股份有限公司製，等級名稱「IG-610U」)來覆蓋扣除碳化矽-石墨複合材的凹部之全面。接著，對形成於凹部之碳化矽層進行H2蝕刻處理，而製作出在第1碳化矽層12上形成有第2碳化矽層13之本體10。於H2蝕刻處理中，首先，在約10Torr的減壓下，於約1300℃使H2氣體流通1小時，以蝕刻位於凹部之第1碳化矽層12的表層的Si。於H2蝕刻處理後，第2碳化矽層13由X射線光電子光譜分析法所測定之C/Si組成比為1.3。C/Si組成比的測定，係使用X射線光電子光譜分析裝置(ESCA，Ulvac-Phi公司製的掃描型X射線光電子光譜分析裝置，PHI Quantera SXM(註冊商標))。此外，於H2蝕刻處理後，第2碳化矽層13由拉曼光譜分析法所測定之碳的G能帶及D能帶之峰值強度比G/D為1.15。拉曼光譜分析法之G/D比的測定，係使用波長532nm的Ar雷射，並藉由Thermo Fisher Scientific公司製的顯微鏡拉曼光譜分析裝置(Almega分散型雷射拉曼光譜分析裝置)來測定。此外，以SEM(日本電子公司製的JSM-6510LA)來測定後，第2碳化矽層13的厚度為0.05μm。藉由XRD(Rigaku公司製，RINT-UltimaIII)來測定後，第2碳化矽層13的結晶粒徑為641.0Å。
接著，以上述高純度等向性石墨來覆蓋扣除本體10的凹部之全面。藉由化學蒸鍍(CVD)法，將厚度4μm的鉭層20形成於本體10的凹部。CVD法的條件如下所述。
原料氣體：TaCl5及H2
載送氣體：氬氣
溫度：1000℃
壓力：200Pa
接著，對所得之鉭層施以浸碳處理，而得到形成有厚度5μm的碳化鉭層20之碳化矽-碳化鉭複合材。浸碳處理係以下列方式來進行。
將形成有鉭層之本體10配置在反應室內。反應室的材質為總體密度1.8之等向性石墨材。將配置了形成有鉭層之本體10之反應室，配置在SUS製的真空容器內。於真空容器內設置有隔熱材，並將反應室配置在形成於隔熱材內之空間內。隔熱材係使用商品名稱「DON-1000」(Osaka Gas Chemical公司製，總體密度0.16g/cm3)。該隔熱材為使樹脂含浸於瀝青系碳纖維並經過成形、硬化、碳化、石墨化處理之多孔質隔熱材。
在由隔熱材所包圍之空間的上方，配置有碳加熱器，碳加熱器是由用以使電流流通於碳加熱器之石墨電極所支撐。藉由使電流流通於碳加熱器，可加熱被隔熱材包覆之空間內。於真空容器中，形成有用以將真空容器內予以排氣之排氣口。排氣口連接於真空泵。以將真空容器內予以排氣並使反應室內減壓成為0.1Pa以下後，藉由碳加熱器以710℃/小時的升溫速度將反應室內加熱至2150℃。保持2150℃ 2小時，進行浸碳處理。反應室內約為0.5至2.0Pa之壓力。浸碳處理後，以自然冷卻冷卻至室溫。冷卻時間約15小時。
第2圖係顯示於實施例1得到之碳化矽-碳化鉭複合材的碳化鉭層20之表面照片。可從第2圖得知，於碳化鉭層20的表面並未觀察到龜裂或剝離等。
(實施例2)
在第1碳化矽層12的蝕刻處理中，採用Cl2氣體來取代H2氣體以進行Cl2蝕刻處理，除此之外，其他與實施例1相同而製作出碳化矽-碳化鉭複合材。於蝕刻處理後，第2碳化矽層13由X射線光電子光譜分析法所測定之C/Si組成比為1.36。此外，第2碳化矽層13由拉曼光譜分析法所測定之碳的G能帶及D能帶之峰值強度比G/D為4.03。第2碳化矽層13的結晶粒徑為663.9Å。結果如第1表所示。第3圖係顯示於實施例2得到之碳化矽-碳化鉭複合材的碳化鉭層20之表面照片。可從第3圖得知，於碳化鉭層20的表面並未觀察到龜裂或剝離等。
(實施例3)
除了將Cl2氣體的流通時間設為2小時之外，其他與實施例2相同而製作出碳化矽-碳化鉭複合材。於熱碳化處理後，第2碳化矽層13由X射線光電子光譜分析法所測定之C/Si組成比為2.12。第2碳化矽層13的結晶粒徑為739.6Å。此外，第2碳化矽層13由拉曼光譜分析法所測定之碳的G能帶及D能帶之峰值強度比G/D為5.88。結果如第1表所示。第4圖係顯示於實施例3得到之碳化矽-碳化鉭複合材的碳化鉭層20之表面照片。可從第4圖得知，雖然於碳化鉭層20的表面觀察到些微的龜裂，但實用上並不成問題。
(實施例4)
除了對第1碳化矽層12進行熱碳化處理來取代蝕刻處理之外，其他與實施例1相同而製作出碳化矽-碳化鉭複合材。熱碳化處理係以下列方式進行。將碳化矽-碳化鉭複合材放置在10-4Pa以 下的減壓下，於約1800℃加熱0.5小時，藉此使Si的一部分從形成於碳化矽-碳化鉭複合材的凹部之第1碳化矽層12昇華，而形成第2碳化矽層13。於熱碳化處理後，第2碳化矽層13由X射線光電子光譜分析法所測定之C/Si組成比為5.39。此外，第2碳化矽層13由拉曼光譜分析法所測定之碳的G能帶及D能帶之峰值強度比G/D為7.20。第2碳化矽層13的結晶粒徑為751.3Å。結果如第1表所示。第5圖係顯示於實施例4得到之碳化矽-碳化鉭複合材的碳化鉭層20之表面照片。可從第5圖得知，雖然於碳化鉭層20的表面觀察到些微的龜裂，但實用上並不成問題。
(參考例1)
除了未進行第1碳化矽層12的蝕刻處理之外，其他與實施例1相同而得到碳化矽-碳化鉭複合材。第1碳化矽層由X射線光電子光譜分析法所測定之C/Si組成比為1.1。此外，第1碳化矽層由拉曼光譜分析法所測定之碳的G能帶及D能帶之峰值強度比G/D為0。第2碳化矽層的結晶粒徑為757.7Å。第6圖係顯示於參考例1得到之碳化矽-碳化鉭複合材的碳化鉭層之表面照片。可從第6圖得知，於碳化鉭層的表面觀察到龜裂及剝離。
第7圖係顯示本發明之第3態樣的實施形態之載置台之略圖式剖面圖。一邊參考第7圖一邊說明本實施形態之載置 台21的構成。
載置台21，例如在將晶圓配置在作為晶圓的配置面之碳化鉭層40的表面40a上以製造半導體時所使用。
載置台21係具備：基材31、碳化鉭層40、以及碳化矽層32。
基材31具有凹部31a。基材31較佳實質上由石墨所構成。當基材31實質上由石墨所構成時，基材31亦可含有硼等之石墨以外的成分。
碳化鉭層40配置在凹部31a之底面31a1上。此外，碳化鉭層40亦配置在凹部31a之側面31a2上。碳化鉭層40實質上由碳化鉭所構成。
碳化矽層32配置在碳化鉭層40與基材31之間。具體而言，於凹部31a之底面31a1上，碳化矽層32配置在碳化鉭層40與基材31之間。即使於凹部31a之側面31a2上，碳化矽層32亦配置在碳化鉭層40與基材31之間。
於載置台21中，碳化矽層32配置在基材31的表面全體上。惟在本發明中，於基材的凹部之底面上，只要碳化矽層配置在碳化鉭層與基材之間即可，於其他部分上，可配置碳化矽層或是不配置。
如上所述，如專利文獻1所揭示般，在由以碳化鉭被覆之石墨材所構成之載置台中，有晶圓之配置面的均熱性低之問題。相對於此，於載置台21中，碳化矽層32配置在碳化鉭層40與基材31之間。碳化矽的熱傳導率高。所以，碳化矽層32可將來自基材31的熱均一性高地傳遞至碳化鉭層40。因此，根據 載置台21，作為晶圓的配置面之碳化鉭層40的表面40a之均熱性高，可將熱均一性高地傳遞至晶圓。
為了提高載置台21的均熱性，於凹部31a之底面31a1上，碳化矽層32較佳係較碳化鉭層40厚。具體而言，碳化矽層32的厚度較佳為60μm以上，尤佳為80μm以上。若碳化矽層32的厚度過厚，表面粗糙度變差且平面性亦變差，所以碳化矽層32的厚度較佳為200μm以下。
碳化鉭層40亦配置在凹部31a之側面31a2上，於凹部31a之側面31a2上，當碳化矽層32配置在碳化鉭層40與基材31之間時，載置台21更可將熱均一性高地傳遞至晶圓。
為了提高載置台21的均熱性，碳化鉭層40的厚度較佳設為10μm以下，尤佳設為5μm以下。此外，由於鉭較昂貴，藉由將碳化鉭層40的厚度設為10μm以下，可使載置台21變得便宜。若碳化鉭層40的厚度過薄，會變得不緻密，所以碳化鉭層40的厚度較佳為1μm以上。
載置台21例如可藉由下列方式製造出。首先，製備基材31。接著，藉由熱CVD法等方法，將碳化矽層32形成於基材31的表面上。於碳化矽層32之表面32a的上方，藉由化學蒸鍍(CVD)法等形成鉭層。之後，對鉭層施以浸碳處理而形成碳化鉭層40。藉由上述方法，可製造出載置台21。浸碳處理例如可藉由日本特開2010-280948號公報所記載的方法等之一般所知的方法來進行。
1‧‧‧碳化矽-碳化鉭複合材
1a‧‧‧凹部
10‧‧‧本體
11‧‧‧石墨基材
11a‧‧‧石墨基材的表面
12‧‧‧第1碳化矽層
12a‧‧‧第1碳化矽層的表面
13‧‧‧第2碳化矽層
13a‧‧‧第2碳化矽層的表面
20‧‧‧碳化鉭層
20a‧‧‧碳化鉭層的表面

Claims (14)

  1. 一種碳化矽-碳化鉭複合材，其特徵為具備：表層的至少一部分由第1碳化矽層所構成之本體、配置在前述第1碳化矽層的上方之碳化鉭層、以及配置在前述碳化鉭層與前述第1碳化矽層之間之第2碳化矽層；前述第2碳化矽層所含有之由X射線光電子光譜分析法所測定之C/Si組成比為1.2以上。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之碳化矽-碳化鉭複合材，其中前述第2碳化矽層所含有之由X射線光電子光譜分析法所測定之C/Si組成比為6.0以下。
  3. 一種碳化矽-碳化鉭複合材，其特徵為具備：表層的至少一部分由第1碳化矽層所構成之本體、配置在前述第1碳化矽層的上方之碳化鉭層、以及配置在前述碳化鉭層與前述第1碳化矽層之間之第2碳化矽層；前述第2碳化矽層所含有之由拉曼光譜分析法所測定之碳的G能帶及D能帶之峰值強度比G/D為1.0以上。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之碳化矽-碳化鉭複合材，其中前述第2碳化矽層所含有之由拉曼光譜分析法所測定之碳的G能帶及D能帶之峰值強度比G/D為7.5以下。
  5. 如申請專利範圍第1項至第4項中任一項所述之碳化矽-碳化鉭複合材，其中前述第2碳化矽層的結晶粒徑為753Å以下。
  6. 如申請專利範圍第1項至第4項中任一項所述之碳化矽-碳化 鉭複合材，其中前述本體具備：石墨基材、以及配置在前述石墨基材的上方之前述第1碳化矽層。
  7. 如申請專利範圍第1項至第4項中任一項所述之碳化矽-碳化鉭複合材，其中前述第2碳化矽層的厚度為0.05μm以上。
  8. 一種載置台，其係具備如申請專利範圍第1項至第4項中任一項所述之碳化矽-碳化鉭複合材；底面及側面的至少一者具有由前述碳化鉭層所構成之凹部。
  9. 一種載置台，其係具備：具有凹部之基材、以及配置在前述凹部的底面上之碳化鉭層之載置台，其特徵為更具備：配置在前述碳化鉭層與前述基材之間之碳化矽層。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之載置台，其中於前述凹部的底面上，前述碳化矽層較前述碳化鉭層更厚。
  11. 如申請專利範圍第9項或第10項所述之載置台，其中於前述凹部的底面上之前述碳化矽層的厚度為60μm以上。
  12. 如申請專利範圍第9項或第10項所述之載置台，其中於前述凹部的底面上之前述碳化鉭層的厚度為10μm以下。
  13. 如申請專利範圍第9項或第10項所述之載置台，其中前述碳化鉭層亦配置在前述凹部的側面上；於前述凹部的側面上，前述碳化矽層配置在前述碳化鉭層與前述基材之間。
  14. 如申請專利範圍第9項或第10項所述之載置台，其中前述基 材由石墨所構成。
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