JP7293647B2 - 炭化タンタル材の製造方法 - Google Patents
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Description
[1]一対の黒鉛ガイド部材で挟持されたタンタル材を、炭素源含有ガスの雰囲気下で、1500℃以上、0.5時間以上で加熱する、炭化タンタル材の製造方法。
[2]前記一対の黒鉛ガイド部材で挟持された前記タンタル材を準備する工程と、
前記一対の黒鉛ガイド部材で挟持された前記タンタル材と、炭化水素ガス源とを、容器内に設置する工程と、
前記容器内を閉空間とした状態で、前記炭化水素ガス源を加熱して前記炭素源含有ガスを生成すると共に、前記炭素源含有ガスの雰囲気下で前記タンタル材を加熱して、炭化タンタル材を得る工程と、
を有する、上記[1]に記載の炭化タンタル材の製造方法。
[3]前記炭化水素ガス源は、炭化水素を含み、
前記炭化水素は、芳香族炭化水素および脂肪族炭化水素のいずれか又は双方を含む、上記[2]に記載の炭化タンタル材の製造方法。
[4]前記タンタル材の厚さは、0.1mm以上3.0mm以下である、上記[1]~[3]のいずれかに記載の炭化タンタル膜の製造方法。
[5]前記一対の黒鉛ガイド部材は、一対の黒鉛板である、上記[1]~[4]のいずれか1項に記載の炭化タンタル材の製造方法。
炭化水素は、芳香族炭化水素および脂肪族炭化水素のいずれか又は双方を含むのが好ましい。芳香族炭化水素としては、例えば、ビフェニルやベンゼンなどが挙げられる。脂肪族炭化水素としては、例えば、メタンやノナデカンなどが挙げられる。この炭化水素は、上記黒鉛粉に付着した状態で容器内に設置されてもよいし、黒鉛粉に付着していない状態で容器内に設置されてもよい。
図2において、炭化タンタル材の製造装置10は、例えば、一対の黒鉛ガイド部材2,3で挟持されたタンタル材1と黒鉛紛4aとを収容する坩堝11と、一対の黒鉛ガイド部材2,3およびタンタル材1で構成される積層体6上に載置される錘12と、坩堝11の側方に配置されたヒーター13と、坩堝11およびヒーター13を覆って外装された断熱部材14と、断熱部材14に外装されたチャンバー15とを備える。
このような製造装置を用いてタンタル板材を加熱することで、一対の黒鉛ガイド部材2,3で挟持されたタンタル材1を、炭素源含有ガスの雰囲気下で、所定の温度条件で加熱することが可能となる。
図5に示すように、質量電荷比(m/z)=91のピークから、混合物を構成する炭化水素には芳香族炭化水素が含まれており、また、混合物の加熱後のイオン強度は、混合物の加熱前のイオン強度に比べて格段に小さいことが分かる。この結果から、混合物とタンタル材を上記加熱条件で加熱した際には、混合物を構成する炭化水素のうち、芳香族炭化水素が炭素含有ガスとなって混合物から分離していると推察される。複数の化合物が含まれていたため化合物の種類を特定することはできなかったが、類似度の高いものとして2,2’,5,5’-テトラメチルビフェニル、3,5,3’,5’-テトラメチルビフェニルが挙げられた。
図6に示すように、質量電荷比(m/z)=41のピークから、混合物を構成する炭化水素には脂肪族炭化水素が含まれており、また、混合物の加熱後のイオン強度は、混合物の加熱前のイオン強度に比べて格段に小さいことが分かる。この結果から、脂肪族炭化水素も、芳香族炭化水素と同様、炭素含有ガスとなって混合物から分離していると推察することができる。こちらも複数の化合物が含まれていたため化合物の種類を特定することはできなかったが、類似度の高いものとしてノナデカン、1-ヨード-2-メチルウンデカンが挙げられた。
2 黒鉛ガイド部材
2a 主面
3 黒鉛ガイド部材
3a 主面
4 炭素源含有ガス
4a 黒鉛紛
5 炭化タンタル材
5a 主面
5b 主面
6 積層体
11 坩堝
12 錘
13 ヒーター
14 断熱部材
15 チャンバー
Claims (5)
- 一対の黒鉛ガイド部材で挟持されたタンタル材を、炭素源含有ガスの雰囲気下で、1500℃以上、0.5時間以上で加熱して、前記タンタル材の全体を炭化させる、炭化タンタル材の製造方法。
- 前記一対の黒鉛ガイド部材で挟持された前記タンタル材を準備する工程と、
前記一対の黒鉛ガイド部材で挟持された前記タンタル材と、炭化水素ガス源とを、容器内に設置する工程と、
前記容器内を閉空間とした状態で、前記炭化水素ガス源を加熱して前記炭素源含有ガスを生成すると共に、前記炭素源含有ガスの雰囲気下で前記タンタル材を加熱して、炭化タンタル材を得る工程と、
を有する、請求項1に記載の炭化タンタル材の製造方法。 - 前記炭化水素ガス源は、炭化水素を含み、
前記炭化水素は、芳香族炭化水素および脂肪族炭化水素のいずれか又は双方を含む、請求項2に記載の炭化タンタル材の製造方法。 - 前記タンタル材の厚さは、0.1mm以上3.0mm以下である、請求項1~3のいずれか1項に記載の炭化タンタル材の製造方法。
- 前記一対の黒鉛ガイド部材は、一対の黒鉛板である、請求項1~4のいずれか1項に記載の炭化タンタル材の製造方法。
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Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008081362A (ja) | 2006-09-27 | 2008-04-10 | Kwansei Gakuin | タンタルと炭素結合物の製造方法、タンタルと炭素の傾斜組成構造、タンタルチューブとpit炭素芯の製造方法、タンタルチューブとpit炭素芯、タンタル炭化物配線の製造方法、タンタル炭化物配線 |
JP2010248060A (ja) | 2009-03-23 | 2010-11-04 | Toyota Central R&D Labs Inc | 耐高温部材およびその製造方法と耐高温接着剤 |
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US20070059501A1 (en) * | 2003-08-01 | 2007-03-15 | The New Industry Research Organization | Tantalum carbide, method for producing tantalum carbide, tantalum carbide wiring and tantalum carbide electrode |
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---|---|---|---|---|
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JP2010248060A (ja) | 2009-03-23 | 2010-11-04 | Toyota Central R&D Labs Inc | 耐高温部材およびその製造方法と耐高温接着剤 |
CN103482625A (zh) | 2012-06-14 | 2014-01-01 | 中国人民解放军63971部队 | 一种碳化铌和碳化钽电极的制备方法 |
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