JP4704474B2

JP4704474B2 - 耐屈曲性に優れた圧延銅箔

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Publication number: JP4704474B2
Application number: JP2008540930A
Authority: JP
Inventors: 敬亮山西; 敦史三木
Original assignee: JX Nippon Mining and Metals Corp
Current assignee: JX Nippon Mining and Metals Corp
Priority date: 2006-10-24
Filing date: 2007-10-01
Publication date: 2011-06-15
Anticipated expiration: 2027-10-01
Also published as: JPWO2008050584A1; WO2008050584A1

Description

本発明は、特にフレキシブルプリント配線板（ＦＰＣ）に対応できる耐屈曲性に優れた圧延銅箔に関する。

プリント配線板は、基板の銅箔をエッチングして種々の配線パターンを形成し、電子部品をハンダで接続して実装することにより製造される。銅箔はその製造方法から電解銅箔と圧延銅箔に分類され、フレキシブル基板用銅箔には、耐屈曲性に優れる圧延銅箔が好んで用いられてきた。
フレキシブルプリント配線板（以下、FPC）は、薄く、折り曲げ性に優れるという特性から、電子機器の配線材料として採用されている。さらに電子機器の軽薄短小化、高機能化に対応して、FPC市場は拡大成長を続けている。FPCの用途分野も従来のHDD，デジタルカメラなどから、近年ではLCDや携帯電話において急速に拡大し、さらには車載用としても開発が進んでいる
このように急速に進展するFPC市場の要求に対応して、さらに耐屈曲性に優れた圧延銅箔の開発が要求されている。

FPCの先端技術について見ると、まず折り曲げ径の狭小化という商品の要求がある。すなわち、電子機器の軽薄短小化かつ高機能化から、折り曲げ径の狭小化が急速に進行している。例えば、図１に示すように、携帯電話ではヒンジ部が従来のαタイプだけでなく、クランク、スライドタイプなどの新しい折り曲げも登場しており、従来以上の厳しい折り曲げ性と屈曲信頼性がFPCに要求されている。
また、FPCでは柔らかいことが要求されている。折り曲げ易くなることで作業性の向上や省スペース化が期待できる。またHDD内部のFPCでは、柔らかいほどFPC駆動力の低減が容易となる。結果的に電力消費を低減できることからHDDの省電力化に繋がる。さらにLCD用途などでは、小さく折り曲げたときのスプリングバックによる故障の低減も期待できる。このように折り曲げ径の狭小化が進むにつれて、柔らかいFPCへの要求が高くなっている。

電子機器の高機能化、多機能化、モバイル化などによりFPCの配線密度のファイン化が急速に進展している。最先端の30μmピッチはさらに20μmピッチに向けて今後もファイン化が進むと予想されている。FPCのさらなる配線ファイン化においては、ポリイミドや接着剤の開発だけでなく、表面処理を含めた銅箔の開発も重要となってくる。
電子機器の小型化や鉛フリーはんだの影響から、FPCの耐熱性要求が一段と増している。将来的な車載用FPCを見据えて、耐熱性の要求レベルは今後も上昇していくことが予想される。
以上が、市場からみた圧延銅箔の今後の要求特性の概要であるが、特に上述したFPC技術動向から、圧延銅箔の屈曲の信頼性が問題となっている。

以下に、従来技術を紹介する。例えば、タフピッチ銅又は無酸素銅の圧延銅箔を製造する際に、最終圧延直前の再結晶焼鈍において平均粒径を30μm以下とし、その後圧延し、圧延面のX線回折で測定した(200)，(220)，(311)，(111)面の回折強度を3≦I₍₂₀₀₎/I_0（200）≦10,I₍₂₂₀₎/I_0（220）≦1, I₍₃₁₁₎/I_0（311）≦1,I₍₁₁₁₎/I_0（111）≦1 (I_(hkl):圧延面で測定した(hkl)面のX線回折積分強度、I_0（hkl）:微粉末銅で測定した(hkl)面のX線回折積分強度の関係を満たす条件で行い、次いで最終圧延加工度93%以上で圧延した立方体集合組織が発達した圧延銅箔の提案がある（例えば、特許文献１参照）。これ自体は、屈曲性を向上させる狙いがあるが、必ずしもその効果は期待できず、折り曲げ回数は十分でないという問題がある。

また、フレキシブルプリント回路基板用圧延銅箔において、圧延面のＸ線回折で求めた(200)面の強度Iが微粉末のＸ線回折で求めた(200)面の強度I₀に対して、I/I₀>20である立方体集合組織とする技術が開示されている（特許文献２、３参照）。これらの技術は屈曲寿命の改善を進めたものであるが、スリップバンドへの着目がないため、これだけでは必ずしも所望の高屈曲性が得られるとは限らないことが分かってきた。
以上の技術は、いずれも屈曲性の改善を意図するものであるが、後述するスリップバンドへの着目がないため、大きな屈曲性の向上を期待できないという問題があった。
特開２００１−３２３３５４号公報特開２０００−２１２６６１号公報特許第３００９３８３号公報

本発明は、上記のような問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、特にフレキシブルプリント配線板（ＦＰＣ）に対応できる耐屈曲性に優れた圧延銅箔を提供することにある。

以上から、本願は以下の発明を提供する。
１）圧延銅箔を屈曲した後のスリップバンドが圧延銅箔の表面に50%以上形成される組織を備えていることを特徴とする耐屈曲性に優れた圧延銅箔を提供する。２）このスリップバンドは圧延銅箔の表面に80%以上形成される組織を備えていること、さらには３）スリップバンドが圧延銅箔の表面に90%以上形成される組織を備えていることが望ましい。また、この屈曲時に形成されるスリップバンド組織は銅箔の全面に均一に分布しているのが好ましい。本願発明は、スリップバンドが圧延銅箔の高屈曲性を直接示す指標であることを見出した点にある。これによって、後述するように大幅な屈曲回数の増大が可能となった。

４）再結晶焼鈍後の圧延銅箔表面のＸ線回折で求めた(200)面の積分強度（I₍₂₀₀₎）が、微粉末銅のＸ線回折で求めた(200)面の積分強度（I_o(200)）に対し、I₍₂₀₀₎／I_o(200)>40であり、平均結晶粒径が20μmを超える組織を備えていることが耐屈曲性に優れた圧延銅箔を得るために有効な組織である。このように、結晶粒径が大きく、(200)面が高配向した場合にスリップバンドが顕著に現れる。特に、５）I₍₂₀₀₎／I_o(200)>65であることが望ましい。さらに、６）平均結晶粒径が30μm以上の組織を備えていることが、より有効である。結晶粒が大きいと、それだけ結晶粒界が減少し、結晶方位の不整合を少なくすることができるからである。

高い加工度で圧延した銅を再結晶焼鈍すると、その再結晶集合組織として、立方体方位が発達する。立方体方位とは、結晶の<002>方向が圧延方向、圧延面法線方向及び幅方向と平行になる方位であり、この場合、圧延面（減肉される面）には{200}面が配向する。立方体方位が発達するに従い、立方体方位を有する結晶粒の存在比率が大きくなり、立方体方位を極度に発達させると、ほとんどの結晶粒が立方体方位を示すようになる。
この場合、各結晶粒が同じ方向に配向しているため、あたかも単結晶のような組織構造を呈し、粒界の数が減少する。したがって、立方体集合組織が発達した銅箔では、結晶粒径が大きくなり、粒界の数を減少させることができるという好適な条件を得ることができる。

以上の組織を持つ本願発明の耐屈曲性に優れた圧延銅箔は、７）圧延銅箔18μm箔におけるＩＰＣ摺動屈曲試験（曲げ半径1.5mm）の屈曲回数が50000回以上を達成することができる。本願発明は、これらを全て包含する。
上記の通り、立方体集合組織を発達させたフレキシブル基板用銅箔を使用した場合に、該銅箔面に形成されるスリップバンドは、耐屈曲性の指標となるものでもある。このようなスリップバンドが形成される圧延銅箔が、耐屈曲性を大きく向上させることができるという従来技術は無い。

本発明によって、工業的に受け入れられる製造コストの範囲で、特にフレキシブルプリント配線板（ＦＰＣ）に対応できる耐屈曲性に優れた圧延銅箔が実現できるという優れた効果が得られる。

携帯電話のヒンジ部の多様化を示す図である。曲げ半径を変化させた場合のIPC摺動屈曲試験結果を示す図である。屈曲後の銅箔表面スリップバンドの観察結果を示す図（SEM画像）である。２層銅張積層板のIPC摺動屈曲試験結果を示す図である。２層銅張積層板のMIT耐屈折試験結果を示す図である。回路幅を変化させた場合の銅張積層板のIPC摺動屈曲試験結果を示す図である。銅箔の種類を変えた場合における屈曲回数の分布を示す図である。銅箔の圧延方向の影響を調べたMIT耐屈折試験結果を示す図である。高温における銅箔のIPC摺動屈曲試験結果を示す図である。銅箔のループスティフネスの試験結果を示す図である。

現在、生産されている圧延銅箔はある程度、屈曲信頼性が高いFPC用配線材料ではあるが、さらに高屈曲性を持つ配線材料が要求されている。
銅箔における曲げ半径と摺動屈曲回数の関係については、曲げ半径が小さくなると銅箔にかかる歪みが大きくなるため屈曲性が低下する。そのため、例えば電解銅箔は最も屈曲性が低いので、曲げ半径の小さな製品への適応が困難となってくる。屈曲性が高い従来（現行）の圧延銅箔でも曲げ半径が小さくなると、屈曲回数が激減し、非常に厳しくなってくる。
図２に、本発明の圧延銅箔（本願発明圧延箔）と電解銅箔及び従来（現行）の圧延銅箔の屈曲回数の試験結果を示す。この図２に示すように、本発明の圧延銅箔（本願発明圧延箔）は電解銅箔及び従来の圧延銅箔に比べて、曲げ回数が大幅に向上することが分かる。スリップバンドは、圧延銅箔の高屈曲性を直接示す指標である。

本発明の耐屈曲性に優れた圧延銅箔を製造するに際しては、再結晶焼鈍後の圧延銅箔表面のＸ線回折で求めた(200)面の積分強度（I₍₂₀₀₎）が、微粉末銅のＸ線回折で求めた(200)面の積分強度（I_o(200)）に対し、I₍₂₀₀₎／I_o(200)>40であり、平均結晶粒径が20μmを超える組織とするのが、圧延銅箔を屈曲した後のスリップバンドを形成するのに有効である。圧延面に平行な(200)面のX線回折強度（I）と粉末銅（ランダム方位）の(200)面のX線回折強度（Io）とを同一条件で測定すると、立方体集合組織の発達の程度は、これらＸ線回折強度の比I/Ioで評価することができる。

立方体集合組織の発達は、最終冷間圧延率のみでなく、最終冷間圧延に至る加工・熱処理工程、最終焼鈍温度、素材銅の化学組成や不純物含有量等による。したがって、目標のI/Io値を得るには、使用する素材銅とその加工プロセスに即して最適な最終冷間圧延率等を決める必要がある。
圧延銅箔としては、再結晶集合体組織が立方体方位となる銅を使用できる。この材料の代表的なものとしては、タフピッチ銅及び無酸素銅がある。
一般に、合金元素を添加した銅は立方体方位の発達を阻害するので、適当でない。しかし、Ａｇ等を添加して軟化温度を調整したタフピッチ銅等、０．１ｗｔ％程度の微量な合金元素の添加は、立方体方位の発達を阻害しないので、使用上特に問題がない。

（圧延銅箔の高屈曲性メカニズム）
本発明者は、フレキシブルプリント配線板（ＦＰＣ）に対応できる耐屈曲性を持たせるために、各種の圧延銅箔を研究・開発する中で、耐屈曲性に優れた圧延銅箔について、共通の現象があることが分かった。それは、屈曲後のスリップバンドが圧延銅箔の表面に多量に発生していることである。
本発明の圧延銅箔（本願発明圧延箔）のFPCを屈曲させた後に、銅箔回路のS面側をSEM画像による観察した結果を図３に示す。図３の上段の組織（SEM画像）は、表面の(200)配向が99%であり、I₍₂₀₀₎／I_o(200)=75の場合である。屈曲以外の部分と比較すると、表面には微細なスジ模様が観察された。この図に示されているスジ模様はいわゆる「スリップバンド（すべり帯）」と呼ばれるものである。これは、結晶性の高い（単結晶の）金属に特有な現象である。この場合、スリップバンドは表面の90％で発生した。

単結晶の金属は繰り返し応力を受けると、結晶粒界に溜まる歪み(転位)を緩和しようとして金属表面にスリップバンドを生じる。図３の中段の組織（SEM画像）は、表面の(200)配向が90%であり、I₍₂₀₀₎／I_o(200)=10の場合である。この図３の中段の図では、部分的にスリップバンドが発生しているのが観察できる。この場合、スリップバンドは表面の35％で発生した。この場合は、スリップバンドが発生しているために、やや良好な耐屈曲性を示すが、十分ではない。
一方、図３の下段の組織（SEM画像）は、表面の(200)配向が20%であり、I₍₂₀₀₎／I_o(200)<3の場合である。これは電解銅箔の場合であるが、電解銅箔は表面にスリップバンドが殆んど発生していない。この結果、前記圧延銅箔と同様に繰り返し応力をかけた場合には、クラックすら発生しているのが分かる。

このように、圧延銅箔にスリップバンドが発生するのは、圧延銅箔は単結晶のように結晶性が高く、(200)面で高配向しているためであり、圧延銅箔の繰り返し屈曲後にスリップバンドを生じるのである。
これは屈曲における圧延銅箔内部の疲労蓄積を緩和する現象であることから、結果的に圧延銅箔が高い屈曲性を保有させることが可能となる。すなわち、銅箔の屈曲後にスリップバンドが均一に多量に発生させることができれば、圧延銅箔の耐屈曲性を大幅に向上させることが可能となる。
繰り返し屈曲後のスリップバンドは50%以上形成される組織を備えていることが望ましい。また、好ましくは80%以上、さらには90%以上形成される組織を備えていることが好ましい。そして、この屈曲時に形成されるスリップバンド組織は銅箔の全面に均一に分布していることが望ましい。

（本発明の圧延銅箔（本願発明圧延箔）の高屈曲性のメカニズム）
本発明の圧延銅箔（本願発明圧延箔）が高屈曲性を保有する理由には、主として以下の３点が考えられる。
（１）結晶の(200)面の高配向性
本発明の圧延銅箔（本願発明圧延箔）は、再結晶後の(200)面配向性が従来の圧延銅箔よりも高く、ほぼ100％に近い配向をしている。そして、I₍₂₀₀₎／I_o(200)>40であり、好ましくはI₍₂₀₀₎／I_o(200)>65が達成されている。これより結晶粒界に配向のミスマッチが極めて小さくなる。例えば、結晶がランダム配向の電解銅箔では、結晶粒界の配向性のミスマッチが大きい。この結晶配向性のミスマッチは、結晶粒界への疲労（転位）の蓄積に影響を与える。したがって、ミスマッチが小さい本願発明圧延箔では結晶粒界への転位蓄積も小さくなり、結果的に高屈曲性を生じると考えられる。この様な組織をもつ場合には、屈曲した後のスリップバンドが圧延銅箔の表面に50%以上形成するのに有効である。

（２）結晶粒の大きさ
本発明の圧延銅箔（本願発明圧延箔）は、再結晶後の結晶粒サイズが従来の圧延銅箔よりも著しく大きいため、全体的な結晶粒界も少なくなる。逆に、微細結晶からなる電解銅箔は、結晶粒界が著しく多くなる。また、屈曲におけるクラック発生・進展が、結晶粒界に沿う場合、結晶粒界が少ない本願発明圧延箔はクラック発生の起点が少なくなることから、結果的に高屈曲性を生じると考えられる。この場合も、屈曲した後のスリップバンドを形成するのに有効である。
（３）スリップバンドの生じ易さ
本願発明圧延箔は、圧延、焼鈍、結晶粒径によりスリップバンドの生じ易さが生じる。繰り返し屈曲においては、このスリップバンドの形成が重要となる。上述したようにスリップバンドの形成により屈曲疲労が緩和され、結果的に高屈曲性を生じると考えられる。

圧延銅箔の製造については、繰り返し屈曲後に均一スリップバンドが形成される条件、すなわち圧延銅箔を屈曲した後のスリップバンドが圧延銅箔の表面に50%以上形成される条件であれば、特に制限はないが、例えばタフピッチ銅及び無酸素銅の再結晶集合体組織が立方体方位となる銅を使用できる。この銅インゴットを溶製し、このインゴットを900°Cから熱間圧延し、その後、冷間圧延と焼鈍を繰り返し、最終的に、所定の厚さ（例えば、18μm厚、12μm厚、9μm厚）の銅箔に圧延する。
最終冷間圧延後、焼鈍により結晶粒径：20μmを超え、さらには30μmを超えるように調整する。結晶粒径は大きいほど好ましく、50μm、さらには100μm、200μmを超える結晶粒径とすることも可能である。
前記最終冷間圧延では、圧延加工度（R）を種々変化させ、立方体集合組織の量を調整する。例えば、R=90〜100%（未満）の範囲で調整する。そして、半軟化温度より50°C高い温度で再結晶焼鈍してI₍₂₀₀₎／I_o(200)>40、好ましくはI₍₂₀₀₎／I_o(200)>65を得る。なお、I/Io値の測定はＸ線回折（ディフラクトメーター）法によった（以下、同様）。
また、Rは次式で定義するものである。
R=(t_o−t)/t_o（t_o：圧延前の厚み、t：圧延後の厚み）

以下、実施例により本発明を説明する。なお、本実施例は好適な一例を示すもので、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。したがって、本発明の技術思想に含まれる変形、他の実施例又は態様は、全て本発明に含まれる。なお、本発明との対比のために、必要に応じて、比較例を併記する。

200ppmのAgを含むタフピッチ銅のインゴットを溶製し、このインゴットを900°Cから熱間圧延し、厚さ10mmの板を得た。その後、冷間圧延と焼鈍を繰り返し、最終的に9〜18μm厚の銅箔に冷間圧延した。最終冷間圧延前の焼鈍で結晶粒径を20〜100μmの範囲に調整し、最終冷間圧延では、圧延加工度（R）を種々変化させ、立方体集合組織の強さを変化させた。
下記の実施例では、R=98.2%とし、半軟化温度より50°C高い温度で再結晶焼鈍してI/Io=40〜80の範囲で変化させた。なお、I/Io値の測定は上記の通り、Ｘ線回折（ディフラクトメーター）法によった。
圧延銅箔用素材として無酸素銅（HO材）を用いた場合にも、同様の結果が得られた。実施例においては、特に圧延銅箔用素材の選択、圧延又は熱処理条件を限定する必要はなく、本願明細書に記載する範囲であれば、任意に選択できる。したがって、以下の説明では、圧延工程及び熱処理工程の詳細は割愛した。
以下に、各種試験により、本願発明をより具体的に説明する。

（スリップバンド評価方法）
予め、スリップバンドの評価方法について説明する。
［試験サンプルの作製］
(1) 銅箔(18μm厚、12μm厚)と接着剤付ポリイミドシートを使用し、熱圧着により3層の銅張積層板（Copper Clad Laminates : CCL）を作製
熱圧着条件：180°C、60分間
(2) 3層銅張積層板に、エッチングによりJIS C5016の耐折性試験用パターンを形成
［屈曲試験］
試験サンプルでIPC摺動屈曲試験30000回を実施
屈曲試験条件：曲げ半径2.0mm、屈曲速度1000回/分、ストローク20mm、銅箔側を内側にセットして行う
［スリップバンドの観察］
試験サンプル表面を、SEM(×1500)の60μm×60μmの画面でスリップバンド形成部の面積比を確認

（屈曲性の比較試験）
上記試験に使用した銅箔を使用し、本願実施例については、スリップバンド形成比率64-98%のものを使用し、比較例については、スリップバンド形成比率25-35%のものを使用した。本発明の圧延銅箔（図４及び図５では、「本願発明圧延箔」と表記する。以下同様。）と従来の圧延箔（比較例）との屈曲性の比較評価を行った。曲げ半径1.5mmにおけるIPC摺動屈曲試験結果を図４に示す。
図４より、18μm厚の圧延箔の銅張積層板では、従来の圧延銅箔よりも本願発明圧延箔は2倍以上の高屈曲性を示した。さらに、12μm厚の本発明の圧延銅箔（本願発明圧延箔）は、最も高い屈曲性を示し、18μmの従来の圧延銅箔と比較すると約3倍以上もの優れた屈曲性を有していた。また、曲げ半径0.8mmにおけるMIT耐折試験結果を図５に示す。IPC試験結果と同様に、12μm 本願発明圧延箔が最も高い屈曲性を示していた。
このように本発明の圧延銅箔（本願発明圧延箔）は、一般的な屈曲評価方法であるIPC摺動屈曲試験およびMIT耐折試験について、従来の圧延銅箔の数倍以上の高屈曲性を示している。最新機種の携帯電話ヒンジ部は、非常に高い折り曲げ性が要求されるため、この12μm 本願発明圧延箔が最適である。

（回路幅が異なる屈曲性の比較試験）
本発明の圧延銅箔（本願発明圧延箔）と従来の圧延銅箔について銅箔回路幅を変化させて屈曲性の比較を行った摺動屈曲試験結果を図６に示す。図６より回路幅が1mmから0.5mmに狭くなると、屈曲性も低下することが分かる。回路幅が狭くなると、クラックから断線までの寿命が短くなるためである。
図６より、従来の圧延銅箔の銅張積層板(回路幅1mm，右端)に比べて、本発明の圧延銅箔（本願発明圧延箔）銅張積層板(回路幅0.5mm，左端)は、ほぼ同等の屈曲性が得られていることが分かる。すなわちプリント配線板における回路のファイン化により回路幅が狭幅化しても、本願発明圧延箔は従来の圧延銅箔以上に高屈曲性を維持できる。上記においては、12μm箔で実施したが、さらに9μm箔でも同様に耐屈曲性を向上させることができる。

（屈曲性のばらつきについて）
FPCの市場要求では、高屈曲性だけでなく屈曲信頼性についても、従来以上の高い基準が必要とされる。そこで本発明の圧延銅箔（本願発明圧延箔）、従来の圧延銅箔、電解銅箔（A，B）について屈曲信頼性の評価を行った。評価は180℃，1時間熱処理後の銅箔単体サンプル100個について、曲げ半径1.5mmにて摺動屈曲試験を行った。図７にサンプル100個の屈曲回数の度数分布を示す。
図７より、従来の圧延銅箔は安定して高い屈曲性を示している。一方、特殊電解銅箔は銅箔破断までの屈曲回数にばらつきがあり、安定した屈曲性では従来の圧延銅箔よりも劣っている。これより、従来の電解銅箔に比べて、従来の圧延銅箔は、厳しい折り曲げ条件に優れているのが分かる。
しかし、本発明の圧延銅箔（本願発明圧延箔）の場合は、従来の圧延銅箔に比べて、さらに優れた屈曲回数が得られ、屈曲信頼性が保証されることが分かる。

（屈曲の方向信頼性について）
圧延銅箔は製造プロセスにおいてMD(Machine Direction)方向に圧延加工するため、MD方向とTD(Traversal Direction)方向では銅箔の屈曲性が異なると言われることがある。そこで本発明の圧延銅箔を用いた銅張積層板でMD・TD方向のMIT耐折試験を行った。その結果を図８に示す。
図８より、従来の圧延銅箔の銅張積層板，本発明の圧延銅箔（本願発明圧延箔）の銅張積層板ともにMD・TDにおいて屈曲性の差異は表れず、同等の屈曲性を示した。これより本発明の圧延銅箔はMD方向だけでなく、TD方向においても高い屈曲信頼性を有することが分かる。

（高温屈曲性について）
電子機器の軽薄短小技術によりFPCへの熱負荷も増加しつつある。そこでFPC配線材料である銅箔において高温雰囲気での屈曲評価を行った。25°Cおよび80°Cにおける摺動屈曲試験結果を図９に示す。
図９より、従来の圧延銅箔は、80°Cで、約2万回であり、電解銅箔の約1万回と比較して2倍以上の屈曲性を有している。しかし、本願発明の圧延箔は、従来の圧延銅箔に比べて、飛躍的に屈曲性が向上し、25°Cおよび80°Cにおいて、屈曲回数が７万回を超え、８万回の屈曲回数に近くなっている。これは、従来の圧延銅箔の約４倍である。このように、従来の圧延銅箔と比べても著しい向上があり、25°C(常温)だけでなく、80°Cの高温でも高屈曲性が維持できているのが分かる。

（柔軟性について）
より柔らかいFPCの市場要求について、FPCメーカーによるポリイミドや接着剤の開発が行われている。当然、配線材料である銅箔においても柔らかさが要求されている。そこで、ループスティフネス試験により圧延銅箔の柔らかさの評価を行った結果を、図１０に示す。
図１０より、本発明の圧延銅箔（本願発明圧延箔）は従来の圧延銅箔よりも約35％ループスティフネス性が低いことから、本発明の圧延銅箔（本願発明圧延箔）は従来の圧延銅箔よりも柔らかいと言える。よって、本発明の本願発明圧延箔を使用すれば、従来の従来の圧延銅箔よりも柔らかいFPCの作製が可能となるので、折り曲げ易さやFPCの駆動力低減にともなう省電力化が期待できる。実際に、HDDや光ピックアップにおける本発明の圧延銅箔（本願発明圧延箔）への適用に著しい利点がある。

本発明によって、工業的に受け入れられる製造コストの範囲で、耐屈曲性に優れた圧延銅箔が実現できるという優れた効果が得られ、特にフレキシブルプリント配線板（ＦＰＣ）の製造に際し、工業的に極めて有用である。

Claims

圧延銅箔を屈曲した後のスリップバンドが圧延銅箔の表面に50%以上形成される組織を備え、かつ再結晶焼鈍後の圧延銅箔表面のＸ線回折で求めた（200）面の積分強度（Ｉ_（200））が、微粉末銅のＸ線回折で求めた（200）面の積分強度（Ｉ_0（200））に対し、Ｉ_（200）／Ｉ_0（200）＞40であり、平均結晶粒径が20μmを超える組織を備えていることを特徴とする耐屈曲性に優れた圧延銅箔。
スリップバンドが圧延銅箔の表面に80%以上形成される組織を備えていることを特徴とする請求項１記載の耐屈曲性に優れた圧延銅箔。
スリップバンドが圧延銅箔の表面に90%以上形成される組織を備えていることを特徴とする請求項１記載の耐屈曲性に優れた圧延銅箔。
Ｉ_（200）／Ｉ_0（200）＞65であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の耐屈曲性に優れた圧延銅箔。
平均結晶粒径が30μm以上の組織を備えていることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の耐屈曲性に優れた圧延銅箔。
圧延銅箔18μm箔におけるＩＰＣ摺動屈曲試験（曲げ半径1.5mm）の屈曲回数が50000回以上を達成する組織を備えていることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の耐屈曲性に優れた圧延銅箔。