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JP4661953B2 - 光記録媒体およびその製造方法 - Google Patents

光記録媒体およびその製造方法 Download PDF

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Description

この発明は、光記録媒体およびその製造方法に関する。詳しくは、複数の情報信号層を備える光記録媒体に関する。
近年、再生専用型ＤＶＤ（ＤＶＤ−ＲＯＭ：Digital Versatile Disc-Read Only Memory）や、記録型ＤＶＤなどにおける著作権保護技術は広く知られている。その一つとして、未記録ディスクの状態にて最内周側領域（Burst Cutting Area：ＢＣＡ）に、メディアＩＤと称される媒体に固有の２進情報を記録しておき、このメディアＩＤを使用して記録されるコンテンツデータを暗号化するものがある。
また、ブルーレイディスク（Blu-ray Disc（登録商標）：ＢＤ）などの高密度光ディスクにおいても、２進情報であるバーコード状のマーク（以下、ＢＣＡマークと称する）をＢＣＡに記録することが提案されている（特許文献１参照）。
特許文献１では、ＢＣＡマークが相変化記録層の結晶状態およびアモルファス状態を利用して記録されることが記載されている。また、ＢＣＡでは、隣接するエリアのトラックピッチの５倍以上のトラックピッチでもってグルーブまたはピットが形成されることが記載されている。さらに、ＢＣＡマークが複数のトラックを横断して半径方向に形成されることなどが記載されている。
ＢＣＡは以下のようにして形成することができる。
例えば製造段階において、記録層成膜直後の初期化前の状態では、記録層はアモルファス状態にある。データ領域に関しては、その領域全体に対して、例えば赤色ハイパワーレーザーによりレーザー光を照射して初期化を行うことで、アモルファスから結晶の状態に変化させるようにしている。一方、ＢＣＡに関しては、ＢＣＡ全体を初期化して結晶の状態にするのではなく、ＢＣＡマーク例えばディスクＩＤの内容に対応したバーコードのパターンに対応させて円周方向における所要の部分についてのみレーザー光の照射を行って結晶状態とする。この工程の結果、ＢＣＡにおいては、円周方向に沿った所要幅のアモルファス状態のバー部分と、結晶状態のバー部分とのパターンによる、バーコード状の情報記録が行われたことになる。
近年、記録可能なＤＶＤやＢＤなどの高密度光記録媒体において、記録容量を増大させるために、多層の光記録媒体の記録再生フォーマットが提案されている。２層の高密度光記録媒体、例えば２層のＢＤでは、情報読み取り側から奥に位置する情報信号層（Ｌ０層と称する。手前側に位置する情報信号層をＬ１層と称する。）に対してＢＣＡマークが記録される。
図１８は、かかる２層ＢＤのＢＣＡマークの再生信号の波形の一例を示す。結晶状態では、反射率が高いので高レベルＩＨの再生信号が得られ、アモルファス状態では、反射率が低いので、低レベルＩＬの再生信号が得られる。ＩＨとＩＬの比、すなわちＩＨ／ＩＬの式で定義されるＢＣＡ変調度は、規格上４以上（小数第１位までを有効数字とすると３．５以上）とされる。
特開２００５−５１８０５５号公報
２層ＢＤでは、Ｌ０層あるいはＬ１層への情報信号層の記録または再生は、各情報信号層に選択的に焦点を合わせることで行われる。一般的には、Ｌ０層およびＬ１層とも、レーザー光の照射による記録材料の相変化を利用して情報信号を記録する相変化記録膜が用いられる。Ｌ０層は、一般的にはレーザー光入射側より保護層、記録層、保護層、反射層から構成される。Ｌ１層もほぼ同様の層構成となるが、記録層、反射層はいずれも１０ｎｍ程度あるいはそれ以下の合金材料が用いられる。このため、Ｌ１層の光透過率は制限されることになり、更に保護層として使用する材料の光学特性、特に消光係数に応じて光透過率は更に減衰されることとなる。Ｌ１層の透過率の減少はＬ１層を介してＬ０層に入射されるレーザー光の減衰、およびＬ０層で反射したＬ０層の再生信号の減衰に繋がる。例えばＬ１層の反射率Ｒ１、吸収率Ａ１、透過率Ｔ１をそれぞれ５％、４５％、５０％とする。また、Ｌ０層の反射率Ｒ０、吸収率Ａ０、透過率Ｔ０をそれぞれ２０％、０％（Ｌ０層はレーザー光を透過させる必要がないため、反射と吸収のみに振り分けることができる）、８０％とする。このように各パラメータを設定した場合、表面から入射したレーザーＰｒを１００％とすると、Ｌ１層を通してＬ０層で合焦し、反射した光がＬ１層を通って表面に戻ってくる成分Ｐｒ０は図１９および以下の式に示すように５％となる。
Ｐｒ０＝Ｐｒ×Ｔ１×Ｒ０×Ｔ１
＝１００×０．５×０．２×０．５＝５［％］
一方、２層ＢＤでは反射率の規格は４乃至８％となるため、十分な反射率を確保するためにはＬ１層の透過率をできるだけ高めること、およびＬ０層の反射率をできるだけ高めることが必要となる。上述したように相変化記録層および反射層を含むＬ１層では高い透過率を確保するのにも限度があり概ね４５％乃至５０％程度となる。それに対してＬ０層の反射率に関しては、反射率を高めることで吸収率が低下し記録感度は低下するものの、層構成を最適化すれば記録感度を補償することは可能である。一方、結晶状態の反射率と、結晶とアモルファスの反射率比（以下、コントラストと称する）との関係は、多重干渉の計算により図２０に示すようになる。コントラストはほぼＢＣＡ変調度に等しい値となる。即ち、反射率を上げればコントラストまたはＢＣＡ変調度は低下することを示している。そのため、より高い反射率であっても、十分高いコントラストが得られる記録層材料および層構成を実現する必要がある。
したがって、この発明の目的は、高反射率と高コントラストとを両立することができる光記録媒体およびその製造方法を提供することにある。
上述の課題を解決するために、第１の発明は、
基板と、
基板上に設けられた情報信号層と、
情報信号層上に設けられた保護層と
を備え、
情報信号層は、
反射層と
反射層上に設けられた記録層と、
記録層上に順次積層された第１誘電体層、第２誘電体層、および第３誘電体層と
を備え、
第１誘電体層、第２誘電体層、および第３誘電体層の屈折率は、隣接する誘電体層同士で互いに異なり、
第１誘電体層、第２誘電体層、および第３誘電体層のうち、最も屈折率が大きい誘電体層は、酸化チタン、酸化ニオブ、および、硫化亜鉛と酸化シリコンとの混合体の少なくとも１種を主成分とし
最も屈折率が大きい誘電体層の屈折率は、波長４０５ｎｍにおいて２．３以上である光記録媒体である。
第２の発明は、
基板上に情報信号層を形成する工程と、
情報信号層上に保護層を形成する工程と
を備え、
情報信号層の形成工程では、
記録層、第１誘電体層、第２誘電体層、および第３誘電体層を基板上に順次積層する工程を備え、
第１誘電体層、第２誘電体層、および第３誘電体層の屈折率は、隣接する誘電体層同士で互いに異なり、
第１誘電体層、第２誘電体層、および第３誘電体層のうち、最も屈折率が大きい誘電体層は、酸化チタン、酸化ニオブ、および、硫化亜鉛と酸化シリコンとの混合体の少なくとも１種を主成分とし
最も屈折率が大きい誘電体層の屈折率は、波長４０５ｎｍにおいて２．３以上である光記録媒体の製造方法である。
第３の発明は、
基板と、
基板上に設けられた情報信号層と、
情報信号層上に設けられた保護層と
を備え、
情報信号層は、
反射層と
反射層上に設けられた記録層と、
記録層上に順次積層された第１誘電体層、第２誘電体層、および第３誘電体層と
を備え、
第１誘電体層、第２誘電体層、および第３誘電体層の屈折率は、隣接する誘電体層同士で互いに異なり、
第１誘電体層、第２誘電体層、および第３誘電体層のうち、最も屈折率が大きい誘電体層の屈折率は、波長４０５ｎｍにおいて２．３以上である光記録媒体である。
この発明では、第１誘電体層、第２誘電体層、および第３誘電体層の屈折率は、隣接する誘電体層同士で互いに異なる。また、最も屈折率が大きい誘電体層の屈折率は、波長４０５ｎｍにおいて２．３以上である。したがって、反射率を向上させた場合にもコントラストまたはＢＣＡ変調度の低下を抑制することができる。
以上説明したように、この発明によれば、高反射率と高コントラストとを両立することができる。
本発明の実施形態について図面を参照しながら以下の順序で説明する。
１．第１の実施形態（Ｌ０層の記録層上に３層構成の誘電体層を備えた例）
２．第２の実施形態（Ｌ０層の反射層と誘電体層との間にバリア層を備えた例）
（１）第１の実施形態
（１−１）光記録媒体の構成
図１は、この発明の第１の実施形態による光記録媒体の構成の一例を示す。この光記録媒体は、データの消去や書換が可能である書換型の光記録媒体であり、図１に示すように、基板１上に、第１情報信号層（Ｌ０層）２、中間層３、第２情報信号層（Ｌ１層）４、カバー層５が順次積層された構成を有する。
この光記録媒体では、カバー層５側から第１情報信号層２または第２情報信号層４にレーザー光を照射することによって、情報信号の記録および再生が行われる。例えば、４００ｎｍ〜４１０ｎｍの波長を有するレーザー光が０．８４〜０．８６の開口数を有する対物レンズ１０により集光され、カバー層５側から第１情報信号層２または第２情報信号層４に照射されることで、情報信号の記録または再生が行われる。このような光記録媒体としては、例えばＢＤ−ＲＥ（Blu-ray Disk ReWritable）が挙げられる。
図２は、この発明の第１の実施形態による光記録媒体のフォーマットの一例を示す。図２に示すように、光記録媒体の第１情報信号層２には、例えば、その中央から外周側に向かってＢＣＡ１１、リードイン領域１２、データ領域１３、リードアウト領域１４が設定されている。また、第２情報信号層４には、例えば、その中央から外周側に向かってリードアウト領域１５、データ領域１６、アウター領域１７が設定されている。リードイン領域１２は、例えば、さらにＰＩＣ（Permanent Information & Control Data）領域、ＯＰＣ（Optimum Power Control）領域およびＩＮＦＯ領域に分けられる。
以下、光記録媒体を構成する基板１、第１情報信号層２、中間層３、第２情報信号層４、カバー層５について順次説明する。
（基板）
基板１は、中央に開口（以下センターホールと称する）が形成された円環形状を有する。この基板１の一主面は、凹凸面となっており、この凹凸面上に第１情報信号層２が成膜される。以下では、凹凸面のうち凹部をイングルーブＧin、凸部をオングルーブＧonと称する。
このイングルーブＧinおよびオングルーブＧonの形状としては、例えば、スパイラル状、同心円状などの各種形状が挙げられる。また、イングルーブＧinおよび／またはオングルーブＧonが、アドレス情報を付加するためにウォブル（蛇行）されている。ＢＣＡ１１においてオングルーブＧonの形状は、バーコード信号を良好に再生する観点から、Ｖ字状であることが好ましい。
基板１の直径は、例えば１２０ｍｍに選ばれる。基板１の厚さは、剛性を考慮して選ばれ、好ましくは０．３ｍｍ以上１．３ｍｍ以下から選ばれ、より好ましくは０．６ｍｍ以上１．３ｍｍ以下から選ばれ、例えば１．１ｍｍに選ばれる。また、センタホールの径（直径）は、例えば１５ｍｍに選ばれる。
基板１の材料としては、例えば、ポリカーボネート系樹脂、ポリオレフィン系樹脂もしくはアクリル系樹脂などの樹脂材料またはガラスを使用できるが、コストなどの点を考慮すると、樹脂材料を使用することが好ましい。樹脂材料としては、具体的には例えばゼオネックス、ポリカーボネート（ＰＣ）（屈折率１．５９）を用いることができる。
基板１の成形方法は、所望の形状と光学的に十分な基板表面の平滑性が得られる方法であればよく、特に限定されるものではない。例えば、射出成形法（インジェクション法）、紫外線硬化樹脂を使うフォトポリマー（２Ｐ法）法を用いることができる。射出成形法では、作製したマザースタンパを、ディスク基板作製用の金型キャビティ内に配設し、ポリカーボネートなどの透明樹脂をキャビティ内に注入し、マザースタンパの凹凸形状を樹脂に転写することにより、基板１が作製される。
（第１情報信号層、第２情報信号層）
図３は、この発明の第１の実施形態による光記録媒体の第１情報信号層および第２情報信号層の一構成例を示す。図３に示すように、第１情報信号層２は、反射層２１、誘電体層２３、記録層２４、第１誘電体層２５、第２誘電体層２６、第３誘電体層２７を基板１上に順次積層してなる積層膜である。
反射層２１を構成する材料としては、例えば、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｐｄ、Ｃｏ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｗ、Ｍｏ、Ｇｅなどの単体、またはこれらの合金を主成分とするものを挙げることができる。これらのうち、特にＡｌ系、Ａｇ系、Ａｕ系、Ｓｉ系、Ｇｅ系の材料が実用性の面から好ましい。合金としては、例えばＡｌ−Ｔｉ、Ａｌ−Ｃｒ、Ａｌ−Ｃｕ、Ａｌ−Ｍｇ−Ｓｉ、Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ、Ａｇ−Ｐｄ−Ｔｉ、Ｓｉ−Ｂなどが好適に用いられる。これらの材料のうちから、光学特性および熱特性を考慮して設定することが好ましい。例えば、単波長領域においても高反射率を有する点を考慮すると、Ａｌ系またはＡｇ系材料を用いることが好ましい。誘電体層２３を構成する材料としては、例えば、ＳｉＮ、ＺｎＳ−ＳｉＯ2、ＡｌＮ、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2−Ｃｒ2Ｏ3−ＺｒＯ2からなる複合酸化物（以下ＳＣＺと称する）、ＳｉＯ2−Ｉｎ2Ｏ3−ＺｒＯ2からなる複合酸化物（以下ＳＩＺと称する）、ＴｉＯ2、Ｎｂ2Ｏ5を用いることができる。
記録層２４を構成する材料としては、例えば、レーザー光の照射を受けて可逆的な状態変化を生じる相変化材料を主成分とする材料を用いることができる。かかる相変化材料としては、例えば、アモルファス状態と結晶状態との可逆的相変化を生じる共晶系相変化材料または化合物系相変化材料を用いることができ、反射率および結晶化速度の観点からすると、共晶系相変化材料を用いることが好ましい。
共晶系相変化材料としては、例えば、ＳｂＴｅ系の共晶系材料を用いることができる。ＳｂＴｅ系の共晶系材料としては、Ｓｂ70Ｔｅ30の共晶組成近傍の共晶系材料が好ましい。また、この共晶系材料に、保存耐久性の向上、結晶化速度の調整、変調度の向上などを目的として、Ａｇ、Ｉｎ、Ｇｅなどの添加元素を加えることが好ましい。例示するならば、Ｓｂ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ａｕ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ−Ｐｄ、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ−Ｓｅ、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ−Ｂｉ、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ−Ｃｏ、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ−Ａｕを含む系、またはこれらの系に窒素、酸素などのガス添加物を導入した系などを挙げることができる。
第１誘電体層２５、第２誘電体層２６、および第３誘電体層２７の屈折率は、隣接する誘電体層同士で互いに異なる。第１誘電体層２５、第２誘電体層２６、および第３誘電体層２７のうち、最も屈折率が大きい誘電体層は、ＴｉＯ2（酸化チタン）、Ｎｂ2Ｏ5（酸化ニオブ）、および、ＺｎＳ−ＳｉＯ2（硫化亜鉛と酸化シリコンとの混合体）の少なくとも１種を主成分とする。最も屈折率が大きい誘電体層の屈折率は、波長４０５ｎｍにおいて２．３以上、好ましくは２．３以上２．６５以下である。このような構成とすることで、高反射率と高コントラストとを両立することができる。
保存信頼性の観点からすると、記録層２４に隣接する第１誘電体層２５の材料としては、ＺｎＳ−ＳｉＯ2が好ましい。このＺｎＳ−ＳｉＯ2としては、硫化亜鉛の含有量が７０原子％以上９０原子％以下であり、酸化シリコンの含有量が１０原子％以上３０原子％以下であるものが好ましい。具体的には例えば、ＺｎＳ−ＳｉＯ2としては、硫化亜鉛の含有量が８０原子％程度であり、酸化シリコンの含有量が２０原子％程度のものが好ましい。
第１誘電体層２５、第２誘電体層２６および第３誘電体層２７の屈折率をそれぞれｎ1、ｎ2、ｎ3としたとき、例えば、屈折率ｎ1、ｎ2、ｎ3がｎ1＞ｎ2＞ｎ3、またはｎ2＞ｎ1、ｎ2＞ｎ3の関係を満たす。高反射率と高コントラストとをさらに向上させる観点からすると、屈折率ｎ1、ｎ2、ｎ3がｎ1＞ｎ2＞ｎ3の関係を満たすことが好ましい。ｎ2＞ｎ1、ｎ2＞ｎ3の関係は、より具体的にはｎ2＞ｎ1＞ｎ3の関係であることが好ましい。また、記録特性の観点からすると、記録層２４に隣接する第１誘電体層２５の材料としては、ＳｉＮ、ＺｎＳ−ＳｉＯ2、ＡｌＮ、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＳＣＺ、ＳＩＺを主成分とする材料を用いることが好ましい。
最も屈折率が大きい誘電体層以外の、２層の誘電体層の材料としては、例えば、ＳｉＮ、ＺｎＳ−ＳｉＯ2、ＡｌＮ、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＳＣＺ、ＳＩＺを主成分とする材料を用いることができる。
第１誘電体層２５、第２誘電体層２６、および第３誘電体層２７の積層膜は、低屈折率層（以下、Ｌ層と適宜称する。）、中屈折率層（以下、Ｍ層と適宜称する。）、および高屈折率層（以下、Ｈ層と適宜称する。）のうちの少なくとも２種の層を３層積層してなる積層膜である。具体的には例えば、Ｌ層、Ｍ層およびＨ層の３種の層を３層積層してなる積層膜、Ｌ層およびＭ層の２種の層を３層積層してなる積層膜、Ｌ層およびＨ層の２種の層を３層積層してなる積層膜を挙げることができる。なお、この３層の積層膜では、隣接する屈折率層同士は互いに異なる種類の屈折率層とされる。
積層膜の組合せとしては、例えば、Ｌ層−Ｈ層−Ｍ層、Ｈ層−Ｌ層−Ｍ層、Ｌ層−Ｍ層−Ｌ層、Ｌ層−Ｍ層−Ｈ層、Ｍ層−Ｈ層−Ｌ層、Ｍ層−Ｌ層−Ｈ層、Ｍ層−Ｌ層−Ｍ層、Ｌ層−Ｍ層−Ｌ層などが挙げられる。高反射率と高コントラストとをさらに向上させる観点からすると、Ｌ層−Ｍ層−Ｈ層の組合せが好ましい。但し、上記表記“Ｌ層−Ｍ層−Ｈ層”は、記録層２４から中間層３に向かってＨ層、Ｍ層、Ｌ層の積層順を示している。すなわち、上記表記“Ｌ層−Ｍ層−Ｈ層”では、Ｈ層が記録層２４に隣接する層、Ｌ層が中間層３に隣接する層を示している。なお、“Ｌ層−Ｍ層−Ｈ層”以上の上記表記も、上記と同様の内容を示す。
ここで、Ｌ層とは、Ｌ層、Ｍ層およびＨ層のうちで最も屈折率が低い層のことをいい、その屈折率は、２．３０未満、好ましくは１．９６以上２．３０未満である。Ｈ層とは、Ｌ層、Ｍ層およびＨ層のうちで最も屈折率が高い層のことをいい、その屈折率は、２．５５以上、好ましくは２．５５以上２．６５以下である。Ｍ層とは、上述のＬ層およびＨ層の屈折率の間の屈折率を有する層のことをいい、その屈折率は、２．３０以上２．５５未満である。なお、上記屈折率は、波長４０５ｎｍにおけるものである。
図３に示すように、第２情報信号層４は、反射層３１、第２誘電体層３２、第１誘電体層３３、記録層３４、第１誘電体層３５、第２誘電体層３６を中間層３上に順次積層してなる積層膜である。
反射層３１を構成する材料としては、例えば、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｐｄ、Ｃｏ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｗ、Ｍｏ、Ｇｅなどの単体、またはこれらの合金を主成分とするものを挙げることができる。これらのうち、特にＡｌ系、Ａｇ系、Ａｕ系、Ｓｉ系、Ｇｅ系の材料が実用性の面から好ましい。合金としては、例えばＡｌ−Ｔｉ、Ａｌ−Ｃｒ、Ａｌ−Ｃｕ、Ａｌ−Ｍｇ−Ｓｉ、Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ、Ａｇ−Ｐｄ−Ｔｉ、Ｓｉ−Ｂなどが好適に用いられる。これらの材料のうちから、光学特性および熱特性を考慮して設定することが好ましい。例えば、単波長領域においても高反射率を有する点を考慮すると、Ａｌ系またはＡｇ系材料を用いることが好ましい。
第２誘電体層３２、第２誘電体層３６の材料としては、例えばＳｉＮ、ＺｎＳ−ＳｉＯ2、ＡｌＮ、Ａｌ2Ｏ3、ＳＣＺ、ＴｉＯ2、Ｎｂ2Ｏ5を主成分とする材料を用いることができ、ＺｎＳ−ＳｉＯ2を用いることが好ましい。また、第１誘電体層３３、第１誘電体層３５の材料としては、例えばＳｉＮ、ＺｎＳ−ＳｉＯ2、ＡｌＮ、Ａｌ2Ｏ3、ＳＣＺ、ＳＩＺ、ＴｉＯ2、Ｎｂ2Ｏ5を主成分とする材料を用いることができ、ＳｉＮを用いることが好ましい。
（中間層）
基板１に形成された第１情報信号層２上には、例えば、厚さ２５μｍを有する樹脂層としての中間層３が形成される。この中間層３は、透明性を有する樹脂材料からなり、このような材料としては、例えばポリカーボネート系樹脂、ポリオレフィン系樹脂若しくはアクリル系樹脂などのプラスチック材料を用いることができる。中間層３のカバー層５側となる面は、基板１と同様に、イングルーブＧinおよびオングルーブＧonからなる凹凸面となっている。この凹凸面上に第２情報信号層４が成膜される。
中間層３は、例えば、第１情報信号層２上に平坦塗布した紫外線硬化樹脂に対して真空環境下で透明樹脂スタンパを押し当て、このスタンパの凹凸を紫外線硬化樹脂に対して転写し、紫外線を紫外線硬化樹脂に対して照射して硬化させることにより形成される。この中間層３の一主面は、上述の基板１と同様に凹凸面となっており、この凹凸面上に第２情報信号層４が成膜される。以下では、中間層３の凹凸面のうち凹部をイングルーブＧin、凸部をオングルーブＧonと称する。
この凹状のイングルーブＧinおよび凸状のオングルーブＧonの形状としては、例えば、スパイラル状、同心円状などの各種形状が挙げられる。また、イングルーブＧinおよび／またはオングルーブＧonが、アドレス情報を付加するためにウォブル（蛇行）されている。
（カバー層）
カバー層５は、例えば、円環形状を有する光透過性シートと、この光透過性シートを基板１に対して貼り合わせるための接着層とから構成される。光透過性シートは、記録および／または再生に用いられるレーザー光に対して、吸収能が低い材料からなることが好ましく、具体的には透過率９０パーセント以上の材料からなることが好ましい。光透過性シートの材料としては、例えばポリカーボネート樹脂材料、ポリオレフィン系樹脂（例えばゼオネックス（登録商標））が挙げられる。光透過性シートの厚さは、好ましくは０．３ｍｍ以下に選ばれ、より好ましくは３μｍ〜１７７μｍの範囲内から選ばれる。接着層は、例えば紫外線硬化樹脂または感圧性粘着剤（ＰＳＡ：Pressure Sensitive Adhesive）からなる。また、カバー層５が、ＵＶレジンなどの感光性樹脂を硬化してなるレジンカバーから構成するようにしてもよい。レジンカバーの材料としては、例えば紫外線硬化型のアクリル系樹脂が挙げられる。
カバー層５の厚さは、好ましくは１０μｍ〜１７７μｍの範囲内から選ばれ、例えば１００μｍに選ばれる。このような薄いカバー層５と、例えば０．８５程度の高ＮＡ(numerical aperture)化された対物レンズとを組み合わせることによって、高密度記録を実現することができる。
（光記録媒体の各領域）
以下、この発明の第１の実施形態による光記録媒体に設けられたＢＣＡ１１、リードイン領域１２、およびデータ領域１３について説明する。
図４、図５は、この発明の第１の実施形態による光記録媒体の情報信号層２のグルーブ配置の一例を概念的に示すものである。ここでは、オングルーブＧonがデータを記録するためのトラックとなる場合を例として説明する。また、図５では、図示を容易にするために、ＢＣＡ１１に設けられたオングルーブＧonの幅と、リードイン領域１２およびデータ領域１３に設けられたオングルーブＧonの幅とをほぼ同一にしている。しかし、ＢＣＡ１１に設けられたオングルーブＧonの幅ｄは、リードイン領域１２およびデータ領域１３に設けられたオングルーブＧonの幅ｄに比して狭くしてもよい。
最内周側のＢＣＡ１１には、例えば２０００ｎｍトラックピッチのグルーブの配列が形成されている。その外側のリードイン領域１２には、例えば３５０ｎｍトラックピッチのウォブルグルーブの配列が形成されている。さらに外側のデータ領域１３には、例えば３２０ｎｍトラックピッチのウォブリンググルーブが形成されている。これらの各領域に形成されているグルーブは、基板表面に１つの螺旋状に連なるように形成され、トラックピッチが変化する領域間にトラックピッチ切り換えのためのトラックピッチ遷移領域（図示を省略）が配されている。
ＢＣＡ１１は、例えば半径ｒ＝２１．３ｍｍ〜２２．０ｍｍの間に設けられ、ＢＣＡ１１にグルーブ状トラックが形成されている。トラックピッチは例えば２０００ｎｍであり、十分に広い間隔となっている。ＢＣＡ１１には、例えばＢＣＡマーク１７が記録されている。このＢＣＡマークは矩形状であることが好ましい。ＢＣＡマーク１７は、例えば、シリアル番号、ロット番号などの２進情報をバーコード化したデータであり、光記録媒体に固有の情報として著作権保護のために利用される。ＢＣＡマーク１７は、ＢＣＡ１１の複数のグルーブを横断して半径方向に延びる矩形状のマークが例えば１周にわたって形成されたものである。
ＢＣＡマーク１７は、光記録媒体の作製後に記録される。光記録媒体の初期状態では、情報信号層は未記録の状態にあり、ＢＣＡマーク１７に対応させて、所要の部分（図５における斜線を付した領域）についてのみレーザー光の照射を行って記録状態とする。この工程の結果、情報信号層２のＢＣＡ１１においては、円周方向に沿った所要幅の記録状態のバー部分と、未記録状態のバー部分とのパターンによる、バーコード態様の情報記録が行われる。
リードイン領域１２は、再生専用領域であり、例えば半径ｒ＝２２．４ｍｍ〜２３．１９７ｍｍの間に設けられ、リードイン領域１２には、例えば矩形ウォブルグルーブの配列からなるグルーブトラックが例えばトラックピッチ３５０ｎｍで形成されている。矩形ウォブルグルーブの配列から情報が再生される。
データ領域１３は、例えば半径ｒ＝２３．２ｍｍ〜５８．５ｍｍの間に設けられ、データ領域１３に正弦波ウォブルグルーブが形成されている。トラックピッチは例えば３２０ｎｍであり、これはピッチを詰めることによりさらに長時間記録・再生が可能な大容量を得ることができるようにするためである。
ＢＣＡ１１においてオングルーブＧonの幅ｄは、データ領域１３のオングルーブＧonの幅ｄに比べて狭くなっていることが好ましい。また、ＢＣＡ１１のオングルーブＧonの深さ（高さ）ｈは、データ領域１３のオングルーブＧonの深さ（高さ）ｈに比べて浅く（低く）なっていることが好ましい。また、ＢＣＡ１１とデータ領域１３とでは隣り合うオングルーブＧon間の距離、すなわちトラックピッチＴｐが異なっており、ＢＣＡ１１のトラックピッチＴｐはデータ領域１３のトラックピッチＴｐに比べて広くなっていることが好ましい。このようにすることで、オングルーブＧonによる回折でＢＣＡ信号が変調されることを低減できる。すなわち、ＢＣＡマークの再生信号におけるレベルの変動を低減できる。すなわち、コントラストＩＨ／ＩＬを向上させることができる。
ＢＣＡ１１において、オングルーブＧonの位相深さλ／αｎがλ／２９６．８ｎ〜λ／１６．０ｎの範囲内であることが好まく、より好ましくはλ／２９６．８ｎ〜λ／６３．６ｎの範囲内である。このような範囲内にすることで、コントラストＩＨ／ＩＬを向上させることができるからである。但し、λ：記録または再生のレーザー光の波長、α：グルーブ深さの係数、ｎ：記録または再生のレーザー光に対するカバー層の屈折率である。
ＢＣＡ１１において、オングルーブＧonの深さｈは、０．９ｎｍ〜１６．７ｎｍの範囲内であることが好ましく、より好ましくは０．９ｎｍ〜４．２ｎｍの範囲内である。このような範囲内にすることで、コントラストＩＨ／ＩＬを向上することができるからである。
ＢＣＡ１１において、オングルーブＧonの幅ｄは、５５ｎｍ〜１２６ｎｍの範囲内であることが好ましく、より好ましくは５５ｎｍ〜９５ｎｍの範囲内である。このような範囲内にすることで、コントラストＩＨ／ＩＬを向上することができるからである。
ＢＣＡ１１において、オングルーブＧonの幅ｄとトラックピッチＴｐとの比（ｄ／Ｔｐ）は、０．０２７５〜０．０６３の範囲内であることが好ましく、より好ましくは０．０２７５〜０．０４７５の範囲内である。このような範囲内にすることで、コントラストＩＨ／ＩＬを向上することができるからである。ここで、オングルーブＧonの幅ｄは、その最大幅ｄ１maxと、その最小幅ｄ２minとの平均値（ｄ１max＋ｄ２min）／２である。但し、最大幅ｄ１max：レーザー光入射面Ｓの側におけるオングルーブＧonの幅ｄ１のうちの最大幅、ｄ２min：レーザー光入射面Ｓとは反対の底部側におけるオングルーブＧonの幅ｄ２のうちの最小幅である。
（１−２）光記録媒体の製造方法
次に、上述のような構成を有する光記録媒体の製造方法の一例について説明する。
まず、例えば射出成形（インジェクション）法、フォトポリマー法（２Ｐ法：Photo Polymerization）などにより、基板１を成形する。
次に、例えばスパッタリング法により、反射層２１、誘電体層２３、記録層２４、第１誘電体層２５、第２誘電体層２６、第３誘電体層２７を基板１上に順次積層する。これにより、基板１上に第１情報信号層２が形成される。
次に、例えばスピンコート法により紫外線硬化樹脂を第１情報信号層２上に均一に塗布する。その後、基板１上に均一に塗布された紫外線硬化樹脂に対してスタンパの凹凸パターンを押し当て、紫外線を紫外線硬化樹脂に対して照射して硬化させた後、スタンパを剥離する。これらにより、スタンパの凹凸パターンが紫外線硬化樹脂に転写され、イングルーブＧinおよびオングルーブＧonが設けられた中間層３が形成される。
次に、例えばスパッタリング法により、反射層３１、第２誘電体層３２、第１誘電体層３３、記録層３４、第１誘電体層３５、第２誘電体層３６を基板１上に順次積層する。これにより、中間層３上に第２情報信号層４が形成される。
次に、カバー層５を第２情報信号層４上に形成する。カバー層５の形成方法としては、例えば、ＵＶレジンなどの感光性樹脂を第２のカバー層５上にスピンコートし、ＵＶ光などの光を感光性樹脂に照射することにより、カバー層５を形成するレジンコート法を用いることができる。また、光透過性シートを接着剤を用いて、基板１上の凹凸面側に貼り合わせることにより、カバー層５を形成するシート接着法を用いることもできる。このシート接着法としては、例えば、第２情報信号層４上に塗布されたＵＶレジンなどの感光性樹脂を用いて、光透過性シートを基板１上の凹凸面側に貼り合わせることにより、カバー層５を形成するシートレジン接着法を用いることができる。また、シート接着法としては、光透過性シートを、このシートの一主面に予め均一に塗布された感圧性粘着剤（ＰＳＡ）を用いて、基板１上の凹凸面側に貼り合わせることにより、カバー層５を形成するシートＰＳＡ接着法を用いることもできる。
以上の工程により、図１に示す光記録媒体が得られる。
上述したように、この発明の第１の実施形態によれば、記録層２４上に第１誘電体層２５、第２誘電体層２６、第３誘電体層２７を順次積層する。第１誘電体層２５、第２誘電体層２６、および第３誘電体層２７の屈折率は、隣接する誘電体層同士で互いに異なる。第１誘電体層２５、第２誘電体層２６、および第３誘電体層２７のうち、最も屈折率が大きい誘電体層は、酸化チタン、酸化ニオブ、および、硫化亜鉛と酸化シリコンとの混合体の少なくとも１種を主成分とする。最も屈折率が大きい誘電体層の屈折率は、２．３以上である。これにより、高反射率と高コントラストとを両立することができる。
（２）第２の実施形態
図６は、この発明の第２の実施形態による光記録媒体の第１情報信号層および第２情報信号層の一構成例を示す。この第２の実施形態による光記録媒体は、図６に示すように、第１情報信号層２の反射層２１と誘電体層２３との間にバリア層２２を備えている点において、第１の実施形態によるものとは異なっている。
バリア層２２は、反射層２１に含まれる材料と、誘電体層２３に含まれる材料とが反応することを防ぐためのものである。例えば、反射層２１がＡｇを含み、誘電体層２３がＳを含む場合には、ＡｇとＳとの反応およびそれによるＡｇの腐食を防ぐことができる。バリア層２２の材料としては、例えば、Ｓｉ3Ｎ4、ＳｉＯ2、Ｃｒ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、ＺｒＯ２などの誘電体を主成分とする材料を用いることができる。
この発明の第２の実施形態によれば、第１情報信号層２の反射層２１と誘電体層２３との間にバリア層２２を備えているので、反射層２１に含まれる材料と、誘電体層２３に含まれる材料とが反応することを防ぐことができる。したがって、良好な信号特性および高い信頼性を得ることができる。
以下、実施例によりこの発明を具体的に説明するが、この発明はこれらの実施例のみに限定されるものではない。なお、以下の実施例においては、上述の実施形態と対応する部分には同一の符号を付す。
この発明の効果を検証するため、層構成および材料を変えて第１情報信号層（Ｌ０層）２の反射率およびＢＣＡ変調度を評価した。評価サンプルとしては、厚さ１．１ｍｍの基板１上に第１情報信号層（Ｌ０層）２をスパッタリングにより成膜し、この第１情報信号層（Ｌ０層）２上にカバー層５を形成した後、第１情報信号層（Ｌ０層）２を初期化したものを用いた。
すなわち、評価サンプルは、図７に示すように、中間層３、第２情報信号層（Ｌ１層）４のない媒体構造となっている。しかし、結晶−アモルファス間の反射率比であるＢＣＡ変調度は媒体構造にはよらないため、上記手法によりサンプル作製し、ＢＣＡ変調度の評価を行った。
以下、図７を参照しながら、実施例ならびに比較例について説明する。
[実施例１]
まず、厚さ１．１ｍｍのポリカーボネート基板上に反射層２１、バリア層２２、誘電体層２３、記録層２４、第１誘電体層２５、第２誘電体層２６、第３誘電体層２７をスパッタリング法で順次積層した。これにより、第１情報信号層２を基板１上に形成した。次に、円環形状のポリカーボネートシートを、このシートの一主面に予め塗布された感圧性粘着材（ＰＳＡ）により基板１上に貼り合わせて、厚さ０．１ｍｍのカバー層５を第１情報信号層２上に形成した。次に、カバー層５側から第１情報信号層２対して赤色レーザー光を照射することにより、第１情報信号層２を初期化した。
以上により目的とする光記録媒体が得られた。
以下に、第１情報信号層２の各膜の材料および膜厚を示す。
なお、第３誘電体層２７の厚さは以下に示すように変えて、３種のサンプルを作製した。
反射層
材料：Ａｇ合金、膜厚：１００ｎｍ、
バリア層
材料：Ｓｉ3Ｎ4、膜厚：１０ｎｍ
誘電体層
材料：（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20、膜厚：１２ｎｍ
記録層
材料：Ｇｅ5.5Ｓｂ75.6Ｔｅ18.9、膜厚：１１ｎｍ
第１誘電体層
材料：Ｓｉ3Ｎ4、膜厚：１０ｎｍ
第２誘電体層
材料：（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20、膜厚：３２ｎｍ
第３誘電体層
材料：Ｓｉ3Ｎ4、膜厚：１０ｎｍ、１３ｎｍ、１５ｎｍ
記録層２４上下の誘電体層を（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20により形成するのは、当該材料が非常に低い熱伝導率をもつことから十分な記録感度を光記録媒体に付与させることができるからである。また、第３誘電体層２７の膜厚を３水準変化させてサンプルを作製しているのは、反射率を変化させた場合の反射率とＢＣＡ変調度の傾向を調べるためである。
[実施例２]
反射層２１、バリア層２２、誘電体層２３、記録層２４、第１誘電体層２５、第２誘電体層２６、第３誘電体層２７の材料および膜厚を以下のようにする以外のことは、実施例１と同様にして光記録媒体を得た。
反射層
材料：Ａｇ合金、膜厚：１００ｎｍ
バリア層
材料：（ＳｉＯ2）35（Ｉｎ2Ｏ3）30（ＺｒＯ2）35、膜厚：４ｎｍ
誘電体層
材料：（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ２）20、膜厚：１１ｎｍ
記録層
材料：Ｇｅ5.5Ｓｂ75.6Ｔｅ18.9、膜厚：１１ｎｍ
第１誘電体層
材料：（ＺｎＳ）50（ＳｉＯ2）50、膜厚：１０ｎｍ
第２誘電体層
材料：（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20、膜厚：５ｎｍ
第３誘電体層
材料：ＳｉＮ、膜厚：４５ｎｍ、４７ｎｍ、４９ｎｍ
[実施例３]
反射層２１、バリア層２２、誘電体層２３、記録層２４、第１誘電体層２５、第２誘電体層２６、第３誘電体層２７の材料および膜厚を以下のようにする以外のことは、実施例１と同様にして光記録媒体を得た。
反射層
材料：Ａｇ合金、膜厚：１００ｎｍ
バリア層
材料：（ＳｉＯ2）35（Ｉｎ2Ｏ3）30（ＺｒＯ2）35、膜厚：４ｎｍ
誘電体層
材料：（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20、膜厚：１１ｎｍ
記録層
材料：Ｇｅ5.5Ｓｂ75.6Ｔｅ18.9、膜厚：１１ｎｍ
第１誘電体層
材料：（ＺｎＳ）50（ＳｉＯ2）50、膜厚：５ｎｍ
第２誘電体層
材料：（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20、膜厚：１０ｎｍ
第３誘電体層
材料：ＳｉＮ、膜厚：４８ｎｍ、５０ｎｍ、５２ｎｍ
[実施例４]
反射層２１、バリア層２２、誘電体層２３、記録層２４、第１誘電体層２５、第２誘電体層２６、第３誘電体層２７の材料および膜厚を以下のようにする以外のことは、実施例１と同様にして光記録媒体を得た。
反射層
材料：Ａｇ合金、膜厚：１００ｎｍ
バリア層
材料：（ＳｉＯ2）35（Ｉｎ2Ｏ3）30（ＺｒＯ2）35、膜厚：４ｎｍ
誘電体層
材料：（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20、膜厚：１１ｎｍ
記録層
材料：Ｇｅ5.5Ｓｂ75.6Ｔｅ18.9、膜厚：１１ｎｍ
第１誘電体層
材料：（ＺｎＳ）50（ＳｉＯ2）50、膜厚：５ｎｍ
第２誘電体層
材料：（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20、膜厚：５ｎｍ
第３誘電体層
材料：ＳｉＮ、膜厚：４８ｎｍ、５０ｎｍ、５２ｎｍ
[実施例５]
反射層２１、バリア層２２、誘電体層２３、記録層２４、第１誘電体層２５、第２誘電体層２６、第３誘電体層２７の材料および膜厚を以下のようにする以外のことは、実施例１と同様にして光記録媒体を得た。
反射層
材料：Ａｇ合金、膜厚：１００ｎｍ
バリア層
材料：（ＳｉＯ2）35（Ｉｎ2Ｏ3）30（ＺｒＯ2）35、膜厚：４ｎｍ
誘電体層
材料：（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20、膜厚：１１ｎｍ
記録層
材料：Ｇｅ5.5Ｓｂ75.6Ｔｅ18.9、膜厚：１１ｎｍ
第１誘電体層
材料：（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20、膜厚１５ｎｍ
第２誘電体層
材料：ＴｉＯ2、膜厚：６ｎｍ
第３誘電体層
材料：ＳｉＮ、膜厚：３７ｎｍ、４０ｎｍ、４３ｎｍ
[実施例６]
反射層２１、バリア層２２、誘電体層２３、記録層２４、第１誘電体層２５、第２誘電体層２６、第３誘電体層２７の材料および膜厚を以下のようにする以外のことは、実施例１と同様にして光記録媒体を得た。
反射層
材料：Ａｇ合金、膜厚：１００ｎｍ
バリア層
材料：（ＳｉＯ2）35（Ｉｎ2Ｏ3）30（ＺｒＯ2）35、膜厚：４ｎｍ
誘電体層
材料：（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20、膜厚：１１ｎｍ
記録層：
材料：Ｇｅ5.5Ｓｂ75.6Ｔｅ18.9、膜厚：１１ｎｍ
第１誘電体層
材料：（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20、膜厚：１５ｎｍ
第２誘電体層
材料：ＴｉＯ2、膜厚：１２ｎｍ、
第３誘電体層
材料：ＳｉＮ、膜厚：１５ｎｍ、１８ｎｍ、２１ｎｍ
[実施例７]
反射層２１、バリア層２２、誘電体層２３、記録層２４、第１誘電体層２５、第２誘電体層２６、第３誘電体層２７の材料および膜厚を以下のようにする以外のことは、実施例１と同様にして光記録媒体を得た。
反射層
材料：Ａｇ合金、膜厚：１００ｎｍ
バリア層
材料：（ＳｉＯ2）35（Ｉｎ2Ｏ3）30（ＺｒＯ2）35、膜厚：４ｎｍ
誘電体層
材料：（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20、膜厚：１１ｎｍ
記録層
材料：Ｇｅ5.5Ｓｂ75.6Ｔｅ18.9、膜厚：１１ｎｍ
第１誘電体層
材料：（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20、膜厚：１５ｎｍ
第２誘電体層
材料：Ｎｂ2Ｏ5層、膜厚：８ｎｍ
第３誘電体層
材料：ＳｉＮ、膜厚：３７ｎｍ、４０ｎｍ、４３ｎｍ
[実施例８]
反射層２１、バリア層２２、誘電体層２３、記録層２４、第１誘電体層２５、第２誘電体層２６、第３誘電体層２７の材料および膜厚を以下のようにする以外のことは、実施例１と同様にして光記録媒体を得た。
反射層
材料：Ａｇ合金、膜厚：１００ｎｍ
バリア層
材料：（ＳｉＯ2）35（Ｉｎ2Ｏ3）30（ＺｒＯ2）35、膜厚：４ｎｍ
誘電体層
材料：（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20、膜厚：１１ｎｍ
記録層
材料：Ｇｅ5.5Ｓｂ75.6Ｔｅ18.9、膜厚：１１ｎｍ
第１誘電体層
材料：（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20、膜厚：１５ｎｍ
第２誘電体層
材料：Ｎｂ2Ｏ5、膜厚：１２ｎｍ
第３誘電体層
材料：ＳｉＮ、膜厚：１２ｎｍ、１５ｎｍ、１８ｎｍ
[比較例１]
反射層２１、バリア層２２、誘電体層２３、記録層２４、第１誘電体層２５、第３誘電体層２７により第１情報信号層２を形成した。これらの第１情報信号層２を構成する各膜の材料および膜厚を以下のようにした。これ以外のことは、実施例１と同様にして光記録媒体を得た。
反射層
材料：Ａｇ合金、膜厚：１００ｎｍ
バリア層
材料：（ＳｉＯ2）35（Ｉｎ2Ｏ3）30（ＺｒＯ2）35、膜厚：５ｎｍ
誘電体層
材料：（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20、膜厚：１２ｎｍ
記録層
材料：Ｇｅ5.5Ｓｂ75.6Ｔｅ18.9、膜厚：１１ｎｍ
第１誘電体層
材料：（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20、膜厚：２０ｎｍ
第３誘電体層
材料：ＳｉＮ、膜厚：５３ｎｍ、５６ｎｍ、５９ｎｍ
[比較例２]
反射層２１、バリア層２２、誘電体層２３、記録層２４、第１誘電体層２５、第３誘電体層２７により第１情報信号層２を形成した。これらの第１情報信号層２を構成する各膜の材料および膜厚を以下のようにした。これ以外のことは、実施例１と同様にして光記録媒体を得た。
反射層
材料：Ａｇ合金、膜厚：１００ｎｍ
バリア層
材料：（ＳｉＯ2）35（Ｉｎ2Ｏ3）30（ＺｒＯ2）35、膜厚：４ｎｍ
誘電体層
材料：（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20、膜厚：１１ｎｍ
記録層
材料：Ｇｅ5.5Ｓｂ75.6Ｔｅ18.9、膜厚：１１ｎｍ
第１誘電体層
材料：（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20、膜厚：１５ｎｍ
第３誘電体層
材料：ＳｉＮ、膜厚：５３ｎｍ、５６ｎｍ、５９ｎｍ
（ＢＣＡ変調度の評価）
以上のようにして得られたサンプルを光ディスク評価機（パルステック工業株式会社製、商品名：ＯＤＵ−１０００）を用いて、以下のようにしてＢＣＡ変調度を評価した。すなわち、再生レーザーパワーを０．３ｍＷとしてＢＣＡ領域にレーザー光をフォーカスし、ＢＣＡマークの信号を読み取りＢＣＡ変調度を評価した。その結果を表１に示す。
（反射率の評価）
以上のようにして得られたサンプルの反射率を以下のようにして測定した。すなわち、半径２８ｍｍにトラッキングサーボをかけ、グルーブからの反射光レベルを読み取り反射率に換算した。反射率の換算は、反射率が既知の光ディスクを同評価機に取り付け、上記同様に所定の半径にて反射光レベルを読み取り反射率と反射光レベルの校正曲線を求めることにより行った。その結果を表１に示す。
表１は、実施例１〜８、比較例１、２のＢＣＡ変調度および反射率の評価結果を示す。図８に、実施例１〜８、比較例１、２におけるＢＣＡ変調度と反射率との関係を示すグラフ示す。なお、図８中、基準となるＢＣＡ変調度３．５、および反射率２１．０％に引いた直線は、本実施例に係る光記録媒体（ＢＤ）に規格上要求される基準値を示している。すなわち、本実施例に係る光記録媒体のＢＣＡ変調度は規格上３．５以上であることが要求され、反射率は規格上２１．０％以上であることが要求される。なお、この反射率２１．０％は、２層の光記録媒体に要求される反射率４．０％を、１層の光記録媒体に換算した値である。
Figure 0004661953
表２は、実施例１〜８、比較例１、２の各誘電体層の屈折率を示す。なお、屈折率は、波長４０５ｎｍを有する光の屈折率である。
Figure 0004661953
表１、表２および図８から以下のことが分かる。
比較例１は、規格上要求されるＢＣＡ変調度３．５以上、反射率２１．０％の範囲（以下、規格範囲と称する。）を満たすことはできない。また、比較例２は、規格範囲を非常に限られた膜厚の範囲では満たすことができる。しかしながら、第３誘電体電層などの僅かな膜厚の変化により、規格範囲からはずれてしまう。すなわち、実際に光記録媒体を量産する点からすると、比較例２の膜構成は好ましくない。
これに対して、実施例１〜実施例８は、第３誘電体電層などの膜厚の変化によっても、規格範囲を満たすことができる。特に、実施例１、実施例６、実施例８は、広い膜厚の範囲で規格範囲を満たすことができる。
記録層２４の両主面のうち、レーザー光が入射する面上に、第１誘電体層２５、第２誘電体層２６、第３誘電体層２７を連続して成膜し、これらの誘電体層のうちで第２誘電体層２６の屈折率を最も大きくする。そして、最も屈折率が大きい第２誘電体層２６を、波長４０５ｎｍにおいて屈折率２．３以上を有するＴｉＯ2、Ｎｂ2Ｏ5、およびＺｎＳ−ＳｉＯ2の少なくとも１種により形成する。これにより、反射率とＢＣＡ変調度とを両立することができる。
第１誘電体層２５、第２誘電体層２６、および第３誘電体層２７を、低屈折率層（屈折率：２．３０未満）と、中屈折率層（２．３０以上２．５５未満）との組合せで形成することで、反射率とＢＣＡ変調度とを両立できる。また、第１誘電体層２５、第２誘電体層２６、および第３誘電体層２７を、低屈折率層（屈折率：２．３０未満）と、中屈折率層（２．３０以上２．５５未満）と、高屈折率層（屈折率：２．５５以上）との組合せで形成した場合にも、反射率とＢＣＡ変調度とを両立できる。
（保存信頼性の評価）
以上のようにして得られたサンプルに対して、温度８０℃、相対湿度８０％の恒温槽内に２００時間保存する加速試験を行った。実施例１〜８、比較例１、２のうち、実施例１、２、５〜８の加速試験の結果を代表して図９〜図１４に示す。
また、図９〜図１４から以下のことが分かる。
ＳｉＮからなる第１誘電体層２５と記録層２４とが接する構成とした実施例１では、加速試験後に信号エラーレートの上昇が顕著になる傾向がある（図９参照）。
また、（ＺｎＳ）50（ＳｉＯ2）50からなる第１誘電体層２５と記録層２４とが接する構成とした実施例２でも、実施例１と同様に加速試験後に信号エラーレートの上昇が顕著になる傾向がある（図１０参照）。
実施例１および実施例２における信号エラーレートの上昇は、ＳｉＮまたは（ＺｎＳ）50（ＳｉＯ2）50からなる第１誘電体層２５が記録層２４に形成された記録マークの結晶化を促す作用を有するためと考えられる。
これに対して、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20からなる第１誘電体層２５と記録層２４とが接する構成とした実施例５〜８では、加速試験後に信号エラーレートの上昇が抑制される傾向がある（図１１〜図１４参照）。
以上により、反射率とＢＣＡ変調度と両立する観点から、第２誘電体層をＴｉＯ2、Ｎｂ2Ｏ5、およびＺｎＳ−ＳｉＯ2の少なくとも１種を主成分として形成すると共に、その屈折率を２．３以上とすることが好ましい。
また、保存信頼性の観点から、記録層２４に隣接する第１誘電体層２５をＺｎＳ−ＳｉＯ2により形成すると共に、ＺｎＳの含有量を７０原子％以上９０原子％以上、ＳｉＯ2の含有量を１０原子％以上３０原子％以下にすることが好ましいと考えられる。
（実施例９−１）
反射層２１、バリア層２２、誘電体層２３、記録層２４、第１誘電体層２５、第２誘電体層２６、第３誘電体層２７の材料および膜厚を以下のようにする以外のことは、実施例１と同様にして光記録媒体を得た。
反射層
材料：Ａｇ合金、膜厚：１００ｎｍ
バリア層
材料：（ＳｉＯ2）35（Ｉｎ2Ｏ3）30（ＺｒＯ2）35、膜厚：４ｎｍ
誘電体層
材料：（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20、膜厚：１１ｎｍ
記録層
材料：Ｇｅ5.5Ｓｂ75.6Ｔｅ18.9、膜厚：１１ｎｍ
第１誘電体層
材料：（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20、膜厚：１５ｎｍ
第２誘電体層
材料：ＴｉＯ2、膜厚：６ｎｍ
第３誘電体層
材料：ＳｉＮ、膜厚：４１、４３、４５ｎｍ
（実施例９−２）
反射層２１、バリア層２２、誘電体層２３、記録層２４、第１誘電体層２５、第２誘電体層２６、第３誘電体層２７の材料および膜厚を以下のようにする以外のことは、実施例１と同様にして光記録媒体を得た。
反射層
材料：Ａｇ合金、膜厚：１００ｎｍ
バリア層
材料：（ＳｉＯ2）35（Ｉｎ2Ｏ3）30（ＺｒＯ2）35、膜厚：４ｎｍ
誘電体層
材料：（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20、膜厚：１１ｎｍ
記録層
材料：Ｇｅ5.5Ｓｂ75.6Ｔｅ18.9、膜厚：１１ｎｍ
第１誘電体層
材料：（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20、膜厚：１０ｎｍ
第２誘電体層
材料：ＴｉＯ2、膜厚：１６ｎｍ
第３誘電体層
材料：ＳｉＮ、膜厚：３６、３８、４０ｎｍ
（実施例１０−１）
反射層２１、バリア層２２、誘電体層２３、記録層２４、第１誘電体層２５、第２誘電体層２６、第３誘電体層２７の材料および膜厚を以下のようにする以外のことは、実施例１と同様にして光記録媒体を得た。
反射層
材料：Ａｇ合金、膜厚：１００ｎｍ
バリア層
材料：（ＳｉＯ2）35（Ｉｎ2Ｏ3）30（ＺｒＯ2）35、膜厚：４ｎｍ
誘電体層
材料：（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20、膜厚：１１ｎｍ
記録層
材料：Ｇｅ5.5Ｓｂ75.6Ｔｅ18.9、膜厚：１１ｎｍ
第１誘電体層
材料：（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20、膜厚：１０ｎｍ
第２誘電体層
材料：ＳｉＮ、膜厚：２４ｎｍ
第３誘電体層
材料：ＴｉＯ2、膜厚：８、１０、１２、１４ｎｍ
（実施例１０−２）
反射層２１、バリア層２２、誘電体層２３、記録層２４、第１誘電体層２５、第２誘電体層２６、第３誘電体層２７の材料および膜厚を以下のようにする以外のことは、実施例１と同様にして光記録媒体を得た。
反射層
材料：Ａｇ合金、膜厚：１００ｎｍ
バリア層
材料：（ＳｉＯ2）35（Ｉｎ2Ｏ3）30（ＺｒＯ2）35、膜厚：４ｎｍ
誘電体層
材料：（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20、膜厚：１１ｎｍ
記録層
材料：Ｇｅ5.5Ｓｂ75.6Ｔｅ18.9、膜厚：１１ｎｍ
第１誘電体層
材料：（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20、膜厚：３０ｎｍ
第２誘電体層
材料：ＳｉＮ、膜厚：１８ｎｍ
第３誘電体層
材料：ＴｉＯ2、膜厚：２、４、６ｎｍ
（実施例１１−１）
反射層２１、バリア層２２、誘電体層２３、記録層２４、第１誘電体層２５、第２誘電体層２６、第３誘電体層２７の材料および膜厚を以下のようにする以外のことは、実施例１と同様にして光記録媒体を得た。
反射層
材料：Ａｇ合金、膜厚：１００ｎｍ
バリア層
材料：（ＳｉＯ2）35（Ｉｎ2Ｏ3）30（ＺｒＯ2）35、膜厚：４ｎｍ
誘電体層
材料：（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20、膜厚：１１ｎｍ
記録層
材料：Ｇｅ5.5Ｓｂ75.6Ｔｅ18.9、膜厚：１１ｎｍ
第１誘電体層
材料：ＳｉＮ、膜厚：６０ｎｍ
第２誘電体層
材料：（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20、膜厚：５２ｎｍ
第３誘電体層
材料：ＴｉＯ2、膜厚：２４、２６、２８ｎｍ
（実施例１１−２）
反射層２１、バリア層２２、誘電体層２３、記録層２４、第１誘電体層２５、第２誘電体層２６、第３誘電体層２７の材料および膜厚を以下のようにする以外のことは、実施例１と同様にして光記録媒体を得た。
反射層
材料：Ａｇ合金、膜厚：１００ｎｍ
バリア層
材料：（ＳｉＯ2）35（Ｉｎ2Ｏ3）30（ＺｒＯ2）35、膜厚：４ｎｍ
誘電体層
材料：（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20、膜厚：１１ｎｍ
記録層
材料：Ｇｅ5.5Ｓｂ75.6Ｔｅ18.9、膜厚：１１ｎｍ
第１誘電体層
材料：ＳｉＮ、膜厚：２２ｎｍ
第２誘電体層
材料：（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20、膜厚：１０ｎｍ
第３誘電体層
材料：ＴｉＯ2、膜厚：６、８、１０ｎｍ
（実施例１２−１）
反射層２１、バリア層２２、誘電体層２３、記録層２４、第１誘電体層２５、第２誘電体層２６、第３誘電体層２７の材料および膜厚を以下のようにする以外のことは、実施例１と同様にして光記録媒体を得た。
反射層
材料：Ａｇ合金、膜厚：１００ｎｍ
バリア層
材料：（ＳｉＯ2）35（Ｉｎ2Ｏ3）30（ＺｒＯ2）35、膜厚：４ｎｍ
誘電体層
材料：（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20、膜厚：１１ｎｍ
記録層
材料：Ｇｅ5.5Ｓｂ75.6Ｔｅ18.9、膜厚：１１ｎｍ
第１誘電体層
材料：ＴｉＯ2、膜厚：４ｎｍ
第２誘電体層
材料：（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20、膜厚：３０ｎｍ
第３誘電体層
材料：ＳｉＮ、膜厚：２２、２６、３０ｎｍ
（実施例１２−２）
反射層２１、バリア層２２、誘電体層２３、記録層２４、第１誘電体層２５、第２誘電体層２６、第３誘電体層２７の材料および膜厚を以下のようにする以外のことは、実施例１と同様にして光記録媒体を得た。
反射層
材料：Ａｇ合金、膜厚：１００ｎｍ
バリア層
材料：（ＳｉＯ2）35（Ｉｎ2Ｏ3）30（ＺｒＯ2）35、膜厚：４ｎｍ
誘電体層
材料：（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20、膜厚：１１ｎｍ
記録層
材料：Ｇｅ5.5Ｓｂ75.6Ｔｅ18.9、膜厚：１１ｎｍ
第１誘電体層
材料：ＴｉＯ2、膜厚：１６ｎｍ
第２誘電体層
材料：（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20、膜厚：２０ｎｍ
第３誘電体層
材料：ＳｉＮ、膜厚：２６、２８、３０ｎｍ
（実施例１３−１）
反射層２１、バリア層２２、誘電体層２３、記録層２４、第１誘電体層２５、第２誘電体層２６、第３誘電体層２７の材料および膜厚を以下のようにする以外のことは、実施例１と同様にして光記録媒体を得た。
反射層
材料：Ａｇ合金、膜厚：１００ｎｍ
バリア層
材料：（ＳｉＯ2）35（Ｉｎ2Ｏ3）30（ＺｒＯ2）35、膜厚：４ｎｍ
誘電体層
材料：（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20、膜厚：１１ｎｍ
記録層
材料：Ｇｅ5.5Ｓｂ75.6Ｔｅ18.9、膜厚：１１ｎｍ
第１誘電体層
材料：ＳｉＮ、膜厚：３０ｎｍ
第２誘電体層
材料：ＴｉＯ2、膜厚：８ｎｍ
第３誘電体層
材料：（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20、膜厚：２、４、６ｎｍ
（実施例１３−２）
反射層２１、バリア層２２、誘電体層２３、記録層２４、第１誘電体層２５、第２誘電体層２６、第３誘電体層２７の材料および膜厚を以下のようにする以外のことは、実施例１と同様にして光記録媒体を得た。
反射層
材料：Ａｇ合金、膜厚：１００ｎｍ
バリア層
材料：（ＳｉＯ2）35（Ｉｎ2Ｏ3）30（ＺｒＯ2）35、膜厚：４ｎｍ
誘電体層
材料：（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20、膜厚：１１ｎｍ
記録層
材料：Ｇｅ5.5Ｓｂ75.6Ｔｅ18.9、膜厚：１１ｎｍ
第１誘電体層
材料：ＳｉＮ、膜厚：２２ｎｍ
第２誘電体層
材料：ＴｉＯ2、膜厚：１２ｎｍ
第３誘電体層
材料：（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20、膜厚：４、６、８ｎｍ
（実施例１４−１）
反射層２１、バリア層２２、誘電体層２３、記録層２４、第１誘電体層２５、第２誘電体層２６、第３誘電体層２７の材料および膜厚を以下のようにする以外のことは、実施例１と同様にして光記録媒体を得た。
反射層
材料：Ａｇ合金、膜厚：１００ｎｍ
バリア層
材料：（ＳｉＯ2）35（Ｉｎ2Ｏ3）30（ＺｒＯ2）35、膜厚：４ｎｍ
誘電体層
材料：（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20、膜厚：１１ｎｍ
記録層
材料：Ｇｅ5.5Ｓｂ75.6Ｔｅ18.9、膜厚：１１ｎｍ
第１誘電体層
材料：ＴｉＯ2、膜厚：２０ｎｍ
第２誘電体層
材料：ＳｉＮ、膜厚：１８ｎｍ
第３誘電体層
材料：（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20、膜厚：１３、１６、１９ｎｍ
（実施例１４−２）
反射層２１、バリア層２２、誘電体層２３、記録層２４、第１誘電体層２５、第２誘電体層２６、第３誘電体層２７の材料および膜厚を以下のようにする以外のことは、実施例１と同様にして光記録媒体を得た。
反射層
材料：Ａｇ合金、膜厚：１００ｎｍ
バリア層
材料：（ＳｉＯ2）35（Ｉｎ2Ｏ3）30（ＺｒＯ2）35、膜厚：４ｎｍ
誘電体層
材料：（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20、膜厚：１１ｎｍ
記録層
材料：Ｇｅ5.5Ｓｂ75.6Ｔｅ18.9、膜厚：１１ｎｍ
第１誘電体層
材料：ＴｉＯ2、膜厚：４ｎｍ
第２誘電体層
材料：ＳｉＮ、膜厚：２２ｎｍ
第３誘電体層
材料：（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20、膜厚：１７、２０、２３ｎｍ
（実施例１５−１）
反射層２１、バリア層２２、誘電体層２３、記録層２４、第１誘電体層２５、第２誘電体層２６、第３誘電体層２７の材料および膜厚を以下のようにする以外のことは、実施例１と同様にして光記録媒体を得た。
反射層
材料：Ａｇ合金、膜厚：１００ｎｍ
バリア層
材料：（ＳｉＯ2）35（Ｉｎ2Ｏ3）30（ＺｒＯ2）35、膜厚：４ｎｍ
誘電体層
材料：（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20、膜厚：１１ｎｍ
記録層
材料：Ｇｅ5.5Ｓｂ75.6Ｔｅ18.9、膜厚：１１ｎｍ
第１誘電体層
材料：（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20、膜厚：１２ｎｍ
第２誘電体層
材料：ＳｉＮ、膜厚：１２ｎｍ
第３誘電体層
材料：（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20、膜厚：１９、２２、２５ｎｍ
（実施例１５−２）
反射層２１、バリア層２２、誘電体層２３、記録層２４、第１誘電体層２５、第２誘電体層２６、第３誘電体層２７の材料および膜厚を以下のようにする以外のことは、実施例１と同様にして光記録媒体を得た。
反射層
材料：Ａｇ合金、膜厚：１００ｎｍ
バリア層
材料：（ＳｉＯ2）35（Ｉｎ2Ｏ3）30（ＺｒＯ2）35、膜厚：４ｎｍ
誘電体層
材料：（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20、膜厚：１１ｎｍ
記録層
材料：Ｇｅ5.5Ｓｂ75.6Ｔｅ18.9、膜厚：１１ｎｍ
第１誘電体層
材料：（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20、膜厚：１８ｎｍ
第２誘電体層
材料：ＳｉＮ、膜厚：１８ｎｍ
第３誘電体層
材料：（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20、膜厚：１１、１４、１７ｎｍ
（実施例１６−１）
反射層２１、バリア層２２、誘電体層２３、記録層２４、第１誘電体層２５、第２誘電体層２６、第３誘電体層２７の材料および膜厚を以下のようにする以外のことは、実施例１と同様にして光記録媒体を得た。
反射層
材料：Ａｇ合金、膜厚：１００ｎｍ
バリア層
材料：（ＳｉＯ2）35（Ｉｎ2Ｏ3）30（ＺｒＯ2）35、膜厚：４ｎｍ
誘電体層
材料：（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20、膜厚：１１ｎｍ
記録層
材料：Ｇｅ5.5Ｓｂ75.6Ｔｅ18.9、膜厚：１１ｎｍ
第１誘電体層
材料：ＳｉＮ、膜厚：２０ｎｍ
第２誘電体層
材料：（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20、膜厚：１８ｎｍ
第３誘電体層
材料：ＳｉＮ、膜厚：６、１０、１４ｎｍ
（実施例１６−２）
反射層２１、バリア層２２、誘電体層２３、記録層２４、第１誘電体層２５、第２誘電体層２６、第３誘電体層２７の材料および膜厚を以下のようにする以外のことは、実施例１と同様にして光記録媒体を得た。
反射層
材料：Ａｇ合金、膜厚：１００ｎｍ
バリア層
材料：（ＳｉＯ2）35（Ｉｎ2Ｏ3）30（ＺｒＯ2）35、膜厚：４ｎｍ
誘電体層
材料：（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20、膜厚：１１ｎｍ
記録層
材料：Ｇｅ5.5Ｓｂ75.6Ｔｅ18.9、膜厚：１１ｎｍ
第１誘電体層
材料：ＳｉＮ、膜厚：６ｎｍ
第２誘電体層
材料：（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20、膜厚：２８ｎｍ
第３誘電体層
材料：ＳｉＮ、膜厚：１６、２０、２４ｎｍ
（比較例３）
反射層２１、バリア層２２、誘電体層２３、記録層２４、第１誘電体層２５、第３誘電体層２７の材料および膜厚を以下のようにする以外のことは、実施例１と同様にして光記録媒体を得た。
反射層
材料：Ａｇ合金、膜厚：１００ｎｍ
バリア層
材料：（ＳｉＯ2）35（Ｉｎ2Ｏ3）30（ＺｒＯ2）35、膜厚：４ｎｍ
誘電体層
材料：（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20、膜厚：１１ｎｍ
記録層
材料：Ｇｅ5.5Ｓｂ75.6Ｔｅ18.9、膜厚：１１ｎｍ
第１誘電体層
材料：（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20、膜厚：１５ｎｍ
第３誘電体層
材料：ＳｉＮ、膜厚：５２、５６、６０ｎｍ
（反射率Ｒｃ、反射率Ｒａ）
製膜直後の記録膜はアモルファスであるが、サンプルは初期化装置にて適切なレーザーパワーを照射し結晶状態とした（初期化）。本評価では、ディスクの一部の領域は初期化を行わず、アモルファス状態とした。反射率の評価は、光ディスク評価機（パルステック工業株式会社製、商品名：ＯＤＵ−１０００）を用い、初期化（結晶）領域にトラッキングサーボをかけ、未記録状態の反射光レベルから換算した反射率をＲｃ、未初期化（アモルファス）領域にフォーカスした場合の信号レベルから換算した反射率をＲａとした。反射率の換算は、反射率が既知のディスクサンプルで測定される信号レベルから校正曲線を求めることで行っている。その結果を表３に示す。
（コントラストの評価）
初期化領域の反射率Ｒｃと未初期化領域の反射率Ｒａの比で定義されるコントラストは、上記により求めた各反射率の比から算出される。その結果を表３に示す。
表３は、実施例９−１〜１６−２、比較例３のコントラストおよび反射率の評価結果を示す。図１５〜図１７に、実施例９−１〜１６−２、比較例３のコントラストおよび反射率との関係を示すグラフ示す。
Figure 0004661953
表３、および図１５〜図１７から以下のことがわかる。
第２誘電体層２６以外の誘電体層、すなわち第１誘電体層２５または第３誘電体層２７の屈折率を、積層した３層の誘電体層のうちで最も大きくした場合にも、反射率とＢＣＡ変調度とを両立することができる。
特に、第１誘電体層２５、第２誘電体層２６および第３誘電体層２７の屈折率をそれぞれｎ1、ｎ2、ｎ3としたとき、屈折率ｎ1、ｎ2、ｎ3がｎ1＞ｎ2＞ｎ3の関係を満たすようにすることで、高反射率と高コントラストとの向上の効果が顕著となる。
また、上述の実施例の評価結果から判断すると、１層または３層以上の光記録媒体に対して本願発明を適用した場合にも、高反射率と高コントラストとを両立できることがわかる。
以上、この発明の実施形態について具体的に説明したが、この発明は、上述の実施形態に限定されるものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。
例えば、上述の実施形態において挙げた数値はあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる数値を用いてもよい。
また、上述の実施形態および実施例では、書換型光記録媒体に対してこの発明を適用した場合を例として説明したが、この発明は再生専用型光記録媒体および追記型光記録媒体に対しても適用可能である。
また、上述の実施形態および実施例では、中間層またはカバー層側からレーザー光を情報信号層に照射することにより情報信号の記録または再生が行われる光記録媒体に対してこの発明を適用した場合を例として説明した。しかしながら、この発明はこの例に限定されるものではない。例えば、基板上に情報信号層を有し、基板側からレーザー光を情報信号層に照射することにより情報信号の記録または再生が行われる光記録媒体に対してもこの発明は適用可能である。また、２枚の基板を貼り合わせてなり、一方の基板の側からレーザー光を基板間の情報信号層に照射することにより情報信号の記録または再生が行われる光記録媒体に対してもこの発明は適用可能である。
また、上述の実施形態および実施例では、２層の情報信号層を備える光記録媒体に対してこの発明を適用した場合を例として説明したが、単層の情報信号層を備える光記録媒体および３層以上の情報信号層を備える光記録媒体に対してもこの発明は適用可能である。
この発明の第１の実施形態による光記録媒体の構成の一例を示す概略断面図である。 この発明の第１の実施形態による光記録媒体のフォーマットの一例を示す概略図である。 この発明の第１の実施形態による光記録媒体の第１情報信号層および第２情報信号層の一構成例を示す概略断面図である。 この発明の第１の実施形態による光記録媒体の情報信号層のグルーブ配置の一例を概念的に示す概略断面図である。 この発明の第１の実施形態による光記録媒体の情報信号層のグルーブ配置の一例を概念的に示す概略平面図である。 この発明の第２の実施形態による光記録媒体の構成の一例を示す概略断面図である。 実施例による光記録媒体の構成の一例を示す概略断面図である。 実施例１〜８、比較例１〜２による光記録媒体における反射率とＢＣＡ変調度との関係を示すグラフである。 実施例１による光記録媒体の加速試験前後のＳＥＲを示すグラフである。 実施例２による光記録媒体の加速試験前後のＳＥＲを示すグラフである。 実施例５による光記録媒体の加速試験前後のＳＥＲを示すグラフである。 実施例６による光記録媒体の加速試験前後のＳＥＲを示すグラフである。 実施例７による光記録媒体の加速試験前後のＳＥＲを示すグラフである。 実施例８による光記録媒体の加速試験前後のＳＥＲを示すグラフである。 実施例９−１〜１１−２のコントラストおよび反射率との関係を示すグラフ示す。 実施例１２−１〜１４−２のコントラストおよび反射率との関係を示すグラフ示す。 実施例１５−１〜１６−２、比較例３のコントラストおよび反射率との関係を示すグラフ示す。 ２層ＢＤのＢＣＡマークの再生信号の波形の一例を示す波形図である。 Ｌ０層およびＬ１層における透過率および反射率の関係を示す概略断面図である。 反射率とコントラストとの関係を示すグラフである。
符号の説明
１ 基板
２ 第１情報信号層
３ 中間層
４ 第２情報信号層
５ カバー層
１１ ＢＣＡ
１２ リードイン領域
１３，１６ データ領域
１４，１５ リードアウト領域
１７ アウター領域
２１ 反射層
２２ バリア層
２３ 誘電体層
２４ 記録層
２５ 第１誘電体層
２６ 第２誘電体層
２７ 第３誘電体層
３１ 反射層
３２ 第２誘電体層
３３ 第１誘電体層
３４ 記録層
３５ 第１誘電体層
３６ 第２誘電体層
Ｇｉｎ イングルーブ
Ｇｏｎ オングルーブ

Claims (13)

  1. 基板と、
    上記基板上に設けられた情報信号層と、
    上記情報信号層上に設けられた保護層と
    を備え、
    上記情報信号層は、
    反射層と
    上記反射層上に設けられた記録層と、
    上記記録層上に順次積層された第１誘電体層、第２誘電体層、および第３誘電体層と
    を備え、
    上記第１誘電体層、上記第２誘電体層、および上記第３誘電体層の屈折率は、隣接する誘電体層同士で互いに異なり、
    上記第１誘電体層、上記第２誘電体層、および上記第３誘電体層のうち、最も屈折率が大きい誘電体層は、酸化チタン、酸化ニオブ、および、硫化亜鉛と酸化シリコンとの混合体の少なくとも１種を主成分とし
    上記最も屈折率が大きい誘電体層の屈折率は、波長４０５ｎｍにおいて２．３以上である光記録媒体。
  2. 上記第１誘電体層、上記第２誘電体層、上記第３誘電体層の屈折率をそれぞれｎ1、ｎ2、ｎ3としたとき、該屈折率ｎ1、ｎ2、ｎ3がｎ1＞ｎ2＞ｎ3の関係を満たす請求項１記載の光記録媒体。
  3. 上記第１誘電体層、上記第２誘電体層、上記第３誘電体層の屈折率をそれぞれｎ 1 、ｎ 2 、ｎ 3 としたとき、該屈折率ｎ 1 、ｎ 2 、ｎ 3 がｎ 2 ＞ｎ 1 ＞ｎ 3 の関係を満たす請求項１記載の光記録媒体。
  4. 上記第１誘電体層、上記第２誘電体層、上記第３誘電体層の屈折率をそれぞれｎ 1 、ｎ 2 、ｎ 3 としたとき、該屈折率ｎ 1 、ｎ 2 、ｎ 3 がｎ 2 ＞ｎ 3 ＞ｎ 1 の関係を満たす請求項１記載の光記録媒体。
  5. 上記第１誘電体層、上記第２誘電体層、上記第３誘電体層の屈折率をそれぞれｎ1、ｎ2、ｎ3としたとき、該屈折率ｎ1、ｎ2、ｎ3がｎ2＞ｎ1、ｎ2＞ｎ3の関係を満たす請求項１記載の光記録媒体。
  6. 上記第１誘電体層、上記第２誘電体層、および上記第３誘電体層の積層膜は、低屈折率層、中屈折率層および高屈折率層のうちの少なくとも２種の層を３層積層してなる積層膜であり、
    上記低屈折率層の屈折率が、波長４０５ｎｍにおいて２．３０未満であり、
    上記中屈折率層の屈折率が、波長４０５ｎｍにおいて２．３０以上２．５５未満であり、
    上記高屈折率層の屈折率が、波長４０５ｎｍにおいて２．５５以上である請求項１記載の光記録媒体。
  7. 上記硫化亜鉛の含有量が７０原子％以上９０原子％以下であり、上記酸化シリコンの含有量が１０原子％以上３０原子％以下である請求項１記載の光記録媒体。
  8. 上記基板は、該基板の周方向に延びる複数の溝が配列されている領域を有し、
    上記領域の上記記録層には、上記複数の溝を横切る記録マークが形成されている請求項１記載の光記録媒体。
  9. 上記基板は、第１の領域および第２の領域を有し、
    上記基板の第１の領域および第２の領域にはそれぞれ、上記基板の周方向に延びる複数の溝が配列され、
    上記第１の領域の溝が、上記第２の領域の溝に比してより浅くまたはより狭くされている請求項１記載の光記録媒体。
  10. 上記情報信号層と上記保護層との間に情報信号層をさらに備える請求項１記載の光記録媒体。
  11. 上記記録層は、共晶系相変化材料を含んでいる請求項１記載の光記録媒体。
  12. 基板上に情報信号層を形成する工程と、
    上記情報信号層上に保護層を形成する工程と
    を備え、
    上記情報信号層の形成工程では、
    記録層、第１誘電体層、第２誘電体層、および第３誘電体層を上記基板上に順次積層する工程を備え、
    上記第１誘電体層、上記第２誘電体層、および上記第３誘電体層の屈折率は、隣接する誘電体層同士で互いに異なり、
    上記第１誘電体層、上記第２誘電体層、および上記第３誘電体層のうち、最も屈折率が大きい誘電体層は、酸化チタン、酸化ニオブ、および、硫化亜鉛と酸化シリコンとの混合体の少なくとも１種を主成分とし
    上記最も屈折率が大きい誘電体層の屈折率は、波長４０５ｎｍにおいて２．３以上である光記録媒体の製造方法。
  13. 基板と、
    上記基板上に設けられた情報信号層と、
    上記情報信号層上に設けられた保護層と
    を備え、
    上記情報信号層は、
    反射層と
    上記反射層上に設けられた記録層と、
    上記記録層上に順次積層された第１誘電体層、第２誘電体層、および第３誘電体層と
    を備え、
    上記第１誘電体層、上記第２誘電体層、および上記第３誘電体層の屈折率は、隣接する誘電体層同士で互いに異なり、
    上記第１誘電体層、上記第２誘電体層、および上記第３誘電体層のうち、最も屈折率が大きい誘電体層の屈折率は、波長４０５ｎｍにおいて２．３以上である光記録媒体。
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