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JP4451175B2 - ノズル洗浄装置および基板処理装置 - Google Patents

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JP4451175B2 JP2004080188A JP2004080188A JP4451175B2 JP 4451175 B2 JP4451175 B2 JP 4451175B2 JP 2004080188 A JP2004080188 A JP 2004080188A JP 2004080188 A JP2004080188 A JP 2004080188A JP 4451175 B2 JP4451175 B2 JP 4451175B2
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Description

本発明は、所定の処理液を吐出する吐出ノズルを洗浄する技術に関する。
液晶用ガラス角形基板、半導体ウエハ、フィルム液晶用フレキシブル基板、フォトマスク用基板、カラーフィルタ用基板(以下、単に「基板」と称する)などの表面にレジストなどの処理液を塗布する基板処理装置が知られている。このような基板処理装置では、吐出ノズルからレジスト液を吐出することにより、基板の表面にレジスト液の塗布膜を形成する。
図18ないし図20は、レジスト液を基板に塗布する基板処理装置において、塗布処理を繰り返すことによりレジスト液の付着物が吐出ノズルに残留する様子を段階的に示した概念図である。図18は初期状態で、スリットノズル100の先端部が正常な状態を示す。また、図19は数十枚の基板に対して塗布処理を行った状態を示し、図20は数百枚の基板に対して塗布処理を行った状態を示す。すなわち、このような基板処理装置において基板に繰り返し塗布処理を行うと、吐出口101周辺やスリットノズル100の先端部側面にレジスト液Rが徐々に残留する。
特に、スリットノズル100を用いて塗布処理を行う基板処理装置(スリットコータ)では、図19および図20に示すように、レジスト液Rが不均一に付着した状態のスリットノズル100で塗布処理を行うと、スジ状の塗布ムラが発生する。したがって、安定した塗布処理を行うためには、吐出口101周辺に残留しているレジスト液Rを定期的に洗浄除去する必要がある。このような理由から、従来からノズル洗浄処理を行う基板処理装置が提案されており、例えば特許文献1に記載されている。
従来の基板処理装置は、洗浄液を吐出する洗浄ノズルを備えており、ノズル洗浄処理においては、この洗浄ノズルから吐出ノズルの先端部に向けて洗浄液を供給する手法が一般的である。そして、その洗浄効果を高めるためには、洗浄液の供給量を増加させるとともに、洗浄に使用された洗浄液をすみやかに吸引排出することが求められる。すなわち、吐出ノズルの先端部を吸引する際の吸引力を高めることが求められる。
特開平11−074179号公報
ところが、従来の基板処理装置では、吸引力を上昇させると吐出口から吐出ノズル内に充填されたレジスト液Rが吸引され、引き出されてしまうという問題があった。特に、この問題はレジスト液(処理液)が低粘度である場合に顕著となる。
図21は、レジスト液Rが引き出された部分にエアが混入している状態を示す。また、図22は、レジスト液Rが引き出された部分に洗浄液(リンス液LQ)が混入している状態を示す。このように、従来の基板処理装置では、洗浄力を高めるために吸引力を上昇させると、洗浄後の吐出ノズルが長手方向に不均一になるなど状態が悪化するため、吸引力を増加させることができず、洗浄処理における洗浄効果を向上させるには限界があった。
また、従来の基板処理装置では、ノズル洗浄処理が終了した状態においても、吐出ノズルの先端部側面にスジ状の付着物が残留するという問題があった。図23は、従来の基板処理装置において、ノズル洗浄処理の後に見られるスジ状の付着物RLを示す図である。図23に示すような付着物RLは、スリットノズル100の先端部側面の洗浄液が供給される範囲のうち最も高い位置付近において、溶解したレジスト液と洗浄液との混合液が滞留するなどして形成されるものである。このような付着物RLによっても洗浄後のスリットノズル100の状態が悪化する。
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、吐出ノズルの洗浄処理における洗浄効果を向上させることを目的とする。
上記の課題を解決するため、請求項1の発明は、先端部に設けられた吐出口から所定の処理液を吐出する吐出ノズルを洗浄するノズル洗浄装置であって、前記吐出ノズルの先端部付近に向けて吐出口から所定の洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、前記洗浄液供給手段により供給された前記所定の洗浄液を吸引口より吸引する吸引手段と、前記吐出ノズルの吐出口の短手方向幅以上の厚みを有し、前記吐出ノズルの吐出口の下方近傍に配置される遮蔽部材と、を備え、前記吸引手段の吸引口が、前記遮蔽部材の下方から吸引を行うことによって、前記吐出口近傍が前記所定の処理液のほぼ停留点となるように前記吐出ノズルの吐出口近傍における前記吸引手段の吸引力を調整することを特徴とする。
また、請求項2の発明は、先端部に設けられた吐出口から所定の処理液を吐出する吐出ノズルを洗浄するノズル洗浄装置であって、前記吐出ノズルの先端部付近に向けて吐出口から所定の洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、前記洗浄液供給手段により供給された前記所定の洗浄液を吸引口より吸引する吸引手段と、を備え、前記吸引手段は、前記吐出ノズルの先端部側方から吸引を行うことにより、前記吐出口近傍が前記所定の処理液のほぼ停留点となるように前記吐出ノズルの吐出口近傍における前記吸引手段の吸引力を調整することを特徴とする。
また、請求項3の発明は、請求項1の発明に係るノズル洗浄装置であって、前記遮蔽部材は、前記洗浄液供給手段により供給された前記所定の洗浄液を下方に向けて導くガイド面を有することを特徴とする。
また、請求項4の発明は、請求項2の発明に係るノズル洗浄装置であって、前記吸引手段の吸引口は、前記洗浄液供給手段の吐出口よりも前記吐出ノズルに近接配置されることを特徴とする。
また、請求項5の発明は、請求項2または4の発明に係るノズル洗浄装置であって、前記洗浄液供給手段によって供給された前記所定の洗浄液を、前記吐出ノズルの先端部下方に設けられた排出口から排出することを特徴とする。
また、請求項6の発明は、請求項5の発明に係るノズル洗浄装置であって、前記吐出ノズルの先端部下方に配置され、前記洗浄液供給手段により供給された前記所定の洗浄液を下方に向けて導くガイド面を有する案内部材をさらに備えることを特徴とする。
また、請求項7の発明は、請求項1ないし6のいずれかの発明に係るノズル洗浄装置であって、前記洗浄液供給手段による前記所定の洗浄液の供給位置を調整する調整手段をさらに備えることを特徴とする。
また、請求項8の発明は、請求項7の発明に係るノズル洗浄装置であって、前記調整手段は、所定の厚みを有するスペーサであることを特徴とする。
また、請求項9の発明は、請求項1ないし8のいずれかの発明に係るノズル洗浄装置であって、前記吐出ノズルの吐出口は所定の方向に延びるスリットであり、前記洗浄液供給手段を前記所定の方向に沿って移動させる走査機構をさらに備えることを特徴とする。
また、請求項10の発明は、請求項1ないし8のいずれかの発明に係るノズル洗浄装置であって、前記吐出ノズルの吐出口は所定の方向に延びるスリットであり、前記洗浄液供給手段は、前記吐出ノズルの先端部における前記所定の方向の全幅に渡ってほぼ同時に前記所定の洗浄液を供給することを特徴とする。
また、請求項11の発明は、請求項1ないし10のいずれかの発明に係るノズル洗浄装置であって、前記吐出ノズルの先端部に所定の気体を供給する気体供給手段をさらに備え、前記気体供給手段による前記所定の気体の供給位置は、前記洗浄液供給手段による前記所定の洗浄液の供給位置より上方とされていることを特徴とする。
また、請求項12の発明は、基板に所定の処理液を塗布する基板処理装置であって、基板を保持する保持手段と、前記保持手段に保持された基板の表面に、先端部に設けられた吐出口から所定の処理液を吐出する吐出ノズルと、前記吐出ノズルを洗浄するノズル洗浄装置と、を備え、前記ノズル洗浄装置が、前記吐出ノズルの先端部付近に向けて所定の洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、前記洗浄液供給手段によって供給された前記所定の洗浄液を吸引する吸引手段と、前記吐出ノズルの吐出口の短手方向幅以上の厚みを有し、前記吐出ノズルの吐出口の下方近傍に配置される遮蔽部材と、を備え、前記吸引手段の吸引口が、前記遮蔽部材の下方から吸引を行うことによって、前記吐出口近傍が前記所定の処理液のほぼ停留点となるように前記吐出ノズルの吐出口近傍における前記吸引手段の吸引力を調整することを特徴とする。
また、請求項13の発明は、基板に所定の処理液を塗布する基板処理装置であって、基板を保持する保持手段と、前記保持手段に保持された基板の表面に、先端部に設けられた吐出口から所定の処理液を吐出する吐出ノズルと、前記吐出ノズルを洗浄するノズル洗浄装置と、を備え、前記ノズル洗浄装置が、前記吐出ノズルの先端部付近に向けて所定の洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、前記洗浄液供給手段によって供給された前記所定の洗浄液を吸引する吸引手段と、を備え、前記吸引手段は、前記吐出ノズルの先端部側方から吸引を行うことにより、前記吐出口近傍が前記所定の処理液のほぼ停留点となるように前記吐出ノズルの吐出口近傍における前記吸引手段の吸引力を調整することを特徴とする。
請求項1ないし13に記載の発明では、吐出口近傍が所定の処理液のほぼ停留点となるように、吸引手段の吸引力を調整することにより、吸引によって洗浄液と汚染物とをすみやかに排出しつつ、吐出口から吐出ノズル内の処理液が引き出されることを抑制することができる。
請求項1に記載の発明では、吐出ノズルの吐出口の短手方向幅以上の厚みを有し、吐出ノズルの吐出口の下方近傍に配置される遮蔽部材をさらに備え、吸引手段の吸引口が、遮蔽部材の下方から吸引を行うことによって、吐出ノズルの吐出口近傍における吸引手段の吸引力を調整することができる。
請求項3に記載の発明では、洗浄液供給手段により供給された所定の洗浄液を下方に向けて導くガイド面を有することにより、洗浄液をさらにすみやかに排出することができる。
請求項2に記載の発明では、吐出ノズルの先端部側方から吸引を行うことにより、吐出
ノズルの吐出口近傍における吸引手段の吸引力を調整することができる。
請求項5に記載の発明では、洗浄液供給手段によって供給された所定の洗浄液を、吐出ノズルの先端部下方に設けられた排出口から排出することにより、吸引手段だけによらず洗浄液を排出することができるので、吸引手段として小容量の機構を採用することができる。
請求項6に記載の発明では、吐出ノズルの先端部下方に配置され、洗浄液供給手段により供給された前記所定の洗浄液を下方に向けて導くガイド面を有することにより、洗浄液の排出口からの排出をより効果的に行うことができる。
請求項7に記載の発明では、洗浄液供給手段による所定の洗浄液の供給位置を調整する調整手段をさらに備えることにより、処理液の付着状況に応じて、洗浄する位置を柔軟に調整することができる。
請求項8に記載の発明では、調整手段は、所定の厚みを有するスペーサであることにより、請求項7に記載の発明を容易に実現することができる。
請求項9に記載の発明では、吐出ノズルの吐出口は所定の方向に延びるスリットであり、洗浄液供給手段を所定の方向に沿って移動させる走査機構を備えることにより、装置全体を小型化することができる。
請求項10に記載の発明では、洗浄液供給手段は、吐出ノズルの先端部における所定の方向の全幅に渡ってほぼ同時に所定の洗浄液を供給することにより、ノズル洗浄に要する時間を短縮することができる。
請求項11に記載の発明では、吐出ノズルの先端部に所定の気体を供給する気体供給手段を備え、気体供給手段による所定の気体の供給位置は、洗浄液供給手段による所定の洗浄液の供給位置より上方とされていることにより、洗浄液の乾燥を促進させることができる。
以下、本発明の好適な実施の形態について、添付の図面を参照しつつ、詳細に説明する。
<1. 第1の実施の形態>
図1は、本発明に係る基板処理装置1を示す斜視図である。また、図2は、基板処理装置1における塗布処理に係る主な構成を示す側面図である。
なお、図1において、図示および説明の都合上、Z軸方向が鉛直方向を表し、XY平面が水平面を表すものとして定義するが、それらは位置関係を把握するために便宜上定義するものであって、以下に説明する各方向を限定するものではない。以下の図についても同様である。
基板処理装置1は、本体2と制御部8とに大別され、液晶表示装置の画面パネルを製造するための角形ガラス基板を被処理基板(以下、単に「基板」と称する)90としており、基板90の表面に形成された電極層などを選択的にエッチングするためのフォトリソグラフィプロセスにおいて、基板90の表面に処理液としてのレジスト液を塗布する塗布処理装置として構成されている。したがって、この実施の形態では、スリットノズル41はレジスト液を吐出するようになっている。なお、基板処理装置1は、液晶表示装置用のガラス基板だけでなく、一般に、フラットパネルディスプレイ用の種々の基板に処理液を塗布する装置として変形利用することもできる。
本体2は、基板90を載置して保持するための保持台として機能するとともに、付属する各機構の基台としても機能するステージ3を備える。ステージ3は直方体形状を有する例えば一体の石製であり、その上面(保持面30)および側面は平坦面に加工されている。
ステージ3の上面は水平面とされており、基板90の保持面30となっている。保持面30には図示しない多数の真空吸着口が分布して形成されており、基板処理装置1において基板90を処理する間、基板90を吸着することにより、基板90を所定の水平位置に保持する。また、保持面30には、図示しない駆動手段によって上下に昇降自在な複数のリフトピンLPが、適宜の間隔をおいて設けられている。リフトピンLPは、基板90を取り除く際に基板90を押し上げるために用いられる。
保持面30のうち基板90の保持エリア(基板90が保持される領域)を挟んだ両端部には、略水平方向に平行に伸びる一対の走行レール31が固設される。走行レール31は、架橋構造4の両端部の最下方に固設される図示しない支持ブロックとともに、架橋構造4の移動を案内し(移動方向を所定の方向に規定する)、架橋構造4を保持面30の上方に支持するリニアガイドを構成する。
ステージ3の上方には、このステージ3の両側部分から略水平に掛け渡された架橋構造4が設けられている。架橋構造4は、例えばカーボンファイバ補強樹脂を骨材とするノズル支持部40と、その両端を支持する昇降機構43,44とから主に構成される。
ノズル支持部40には、スリットノズル41が取り付けられている。図1においてY軸方向に長手方向を有するスリットノズル41には、スリットノズル41へレジスト液を供給する配管やレジスト用ポンプなどを含むレジスト供給機構6(図2)が接続されている。基板90の表面を走査しつつ、レジスト用ポンプにより供給されたレジスト液を、基板90の表面の所定の領域(以下、「レジスト塗布領域」と称する。)に吐出することにより、スリットノズル41は基板90にレジスト液を塗布する。ここで、レジスト塗布領域とは、基板90の表面のうちでレジスト液を塗布しようとする領域であって、通常、基板90の全面積から、端縁に沿った所定幅の領域を除いた領域である。
昇降機構43,44は、スリットノズル41の両側に分かれて、ノズル支持部40によりスリットノズル41と連結されている。昇降機構43,44は主にACサーボモータ43a,44aおよび図示しないボールネジからなり、制御部8からの制御信号に基づいて、架橋構造4の昇降駆動力を生成する。これにより、昇降機構43,44は、スリットノズル41を並進的に昇降させる。また、昇降機構43,44は、スリットノズル41のYZ平面内での姿勢を調整するためにも用いられる。
架橋構造4の両端部には、ステージ3の両側の縁側に沿って、それぞれ固定子(ステータ)50aと移動子50bおよび固定子51aと移動子51bを備える一対のACコアレスリニアモータ(以下、単に、「リニアモータ」と略する。)50,51が、それぞれ固設される。また、架橋構造4の両端部には、それぞれスケール部と検出子とを備えたリニアエンコーダ52,53が、それぞれ固設される。リニアエンコーダ52,53は、リニアモータ50,51の位置を検出する。これらリニアモータ50,51とリニアエンコーダ52,53とが主として、架橋構造4が走行レール31に案内されつつステージ3上を移動するための走行機構5を構成する。制御部8は、リニアエンコーダ52,53からの検出結果に基づいてリニアモータ50の動作を制御し、ステージ3上における架橋構造4の移動、つまりはスリットノズル41による基板90の走査を制御する。
本体2の保持面30において、保持エリアの(−X)方向側には、開口32が設けられている。開口32はスリットノズル41と同じくY軸方向に長手方向を有し、かつ該長手方向長さはスリットノズル41の長手方向長さとほぼ同じである。また、開口32の下方の本体2の内部には、ノズル初期化機構7が設けられている。ノズル初期化機構7は、基板90へのレジスト液の塗布(以下、「本塗布処理」と称する)に先立って行われる、予備処理(後述する)に際し用いられる。
開口32内に設けられたノズル初期化機構7は、予備塗布機構73を備えている。予備塗布機構73は、回転駆動力を生成する回転機構730、回転機構730によって回転するローラ731、ローラ731を内部に収容する略箱状の筐体732、およびローラ731の付着物を掻き取る液切りブレード733を備えている。
ローラ731は、筐体732の上面開口部から一部が露出するように配置され、その円筒側面はレジスト液が塗布される塗布面となっている。基板処理装置1では、予備塗布処理において、スリットノズル41からローラ731に対してレジスト液が吐出される。なお、予備塗布処理とは、本塗布処理の前に、ローラ731の上方に移動したスリットノズル41から少量のレジスト液を吐出することにより、ローラ731にレジスト液を予備的に塗布する処理である。本実施の形態における基板処理装置1は、予備塗布処理により、スリットノズル41の状態をY軸方向に均一化させる。
ローラ731の塗布面は、筐体732内部の下方において、貯留された洗浄液に浸るようになっている。すなわち、予備塗布処理においてレジスト液が塗布された塗布面は、回転機構730により下方に移動し、洗浄液によって洗浄される。また、洗浄後、洗浄液から引き上げられた塗布面に付着している汚染物は、液切りブレード733によって掻き取られる。このようにして、塗布面はローラ731が一回転する間に清浄な状態に回復され、スリットノズル41によって予備塗布処理が行われるときに、スリットノズル41を汚染させることのないようにされている。
また、ノズル初期化機構7はノズル洗浄機構70を備えている。図3は、ノズル洗浄機構70の構成を示す図である。ノズル洗浄機構70は、ガス供給機構71、吸引機構72、洗浄部74、洗浄液供給機構75、および駆動機構76を備えており、主に先述のノズル洗浄処理を行う機構である。なお、図3において図示を省略しているが、ガス供給機構71、吸引機構72、洗浄液供給機構75、および駆動機構76は、それぞれ制御部8と信号の送受信が可能な状態で接続されており、これらの各機構は制御部8からの制御信号により制御される。
ガス供給機構71は、図示しないボンベから供給配管を介して洗浄部74に窒素ガスを供給する機構である。洗浄部74に供給された窒素ガスは、ガスノズル710から所定の方向に向けて噴出される(詳細後述)。なお、本実施の形態における基板処理装置1では、不活性ガスとして窒素ガスを用いるが、不活性ガスは窒素ガスに限られるものではない。また、清浄な気体であれば、空気(圧空:加圧された空気)でもよい。
吸引機構72は、廃棄配管を介して洗浄部74に設けられている吸引口720(図5)から、洗浄液や洗浄液によって除去されたレジスト液などの吸引を行う機構である。なお、吸引機構72としては、従来から一般的に知られている機構を採用することができる。例えば、真空発生装置やコンプレッサーを用いて吸引する機構であってもよいし、吸引ポンプと気液分離BOXとからなる機構などであってもよい。また、例えば、必要な用力が得られるのであれば、工場内に設けられている排気設備を用いてもよい。
洗浄部74は、主にベース740、スペーサ741、吐出部742、ガイドブロック743、支持部材744から構成され、本塗布処理を繰り返すことによってスリットノズル41の先端部側面に付着したレジスト液を、ノズル洗浄処理において洗浄除去する機能を有している。
洗浄部74の各構成の基台として機能するベース740は、駆動機構76と連結されており、駆動機構76によってY軸方向に往復移動することが可能とされている。
スペーサ741は、所定の厚みを有する板状の部材であって、ベース740と吐出部742との間に着脱可能な状態で挿入される。本実施の形態においてスペーサ741は、ベース740の裏面から吐出部742に向けて挿入されるボルトによって固定されており、当該ボルトを緩めることによって取り外すことができる。
このように、ベース740と吐出部742との間に配置されるスペーサ741を、厚みの異なるものに適宜交換することにより、吐出部742のZ軸方向の位置を調整することができる。後述のように、吐出部742の所定の位置には、洗浄ノズル750が設けられており、吐出部742のZ軸方向の位置を調整することは、洗浄ノズル750の高さ位置(Z軸方向の位置)を調整することに相当する。したがって、本実施の形態におけるノズル洗浄機構70は、洗浄液供給機構75によって供給される洗浄液の供給位置をZ軸方向に調整することができる。
図4は、吐出部742の対向面742aの正面図である。吐出部742は、ガスノズル710および洗浄ノズル750が所定の位置関係で配置されるように規定する部材である。これにより、ガスノズル710による窒素ガスの供給位置および洗浄ノズル750による洗浄液の供給位置が決定される。なお、図4におけるZ1ないしZ4は、対向面742aにおけるガスノズル710および洗浄ノズル750のZ軸方向の座標を示す。また、本実施の形態における吐出部742は、Z1ないしZ4が等間隔に規定されているがこれに限られるものではない。
スリットノズル41の先端部に対向するように配置される対向面742aは、スリットノズル41の先端部の傾斜に応じて、YZ平面に対して所定の角度の傾きを有する斜面となっている。対向面742aには、図3に示すように、ガスノズル710および洗浄ノズル750が分布しており、それぞれガス供給機構71および洗浄液供給機構75と連通接続されている。
ガスノズル710からは、ガス供給機構71によって供給された窒素ガスがスリットノズル41に向けて吹き付けられる。これにより、ノズル洗浄処理によってスリットノズル41に付着した洗浄液が効率よく揮発する(あるいは吹き飛ばされる)。なお、洗浄ノズル750から吐出された洗浄液は、スリットノズル41と衝突することによって、吐出されたときの高さ位置よりも若干高い位置にまで飛散する。本実施の形態における基板処理装置1では、図4に示すように、ガスノズル710による窒素ガスの供給位置が洗浄液の飛散位置より上方となるように、ガスノズル710を洗浄ノズル750より上方に設けている。これにより、ノズル乾燥処理において、スリットノズル41をより効率よく乾燥させることができる。
また、ガスノズル710は、下方ガスノズル710aと上方ガスノズル710bから構成される。対向面742aにおいて、下方ガスノズル710aはZ3の高さ位置に配置され、上方ガスノズル710bは下方ガスノズル710aより上方のZ4の高さ位置に配置される。
また、洗浄ノズル750は、下方洗浄ノズル750aと上方洗浄ノズル750bから構成される。対向面742aにおいて、下方洗浄ノズル750aはZ1の高さ位置に配置され、上方洗浄ノズル750bは下方洗浄ノズル750aより上方のZ2の高さ位置に配置される。
図5は、洗浄部74のガイドブロック743を示す斜視図である。ガイドブロック743は、Y軸方向にほぼ均一な断面を有する棒状の部材であり、そのX軸方向の厚みはスリットノズル41の吐出口41aの幅(X軸方向の幅)以上で、かつ、支持部材744のX軸方向の幅未満である。
ガイドブロック743は、1対の支持部材744によってY軸方向の両端部が固定支持され、ベース740に対しては支持部材744を介して取り付けられている。すなわち、ガイドブロック743の下面はベース740から離間しており、ベース740とガイドブロック743との間には空間が形成されている。本実施の形態における洗浄部74では、ベース740とガイドブロック743との相対位置は固定されている。
また、ガイドブロック743の上面は、スリットノズル41の先端部に近接する近接面743aとなっている。近接面743aはX軸方向の両端に向けて下方に湾曲した曲面である。また、ガイドブロック743の側面のうち吐出部742に対向する面は、YZ平面に略平行なガイド面743bとなっている。ガイド面743bは吐出部742と離間しており、それらの間には空間が形成されている。
一対の支持部材744のうちの(−Y側)の支持部材744には吸引口720が設けられ、先述の廃棄配管を介して吸引機構72(図3)と連通接続されている。吸引口720は、支持部材744を貫通する孔であって、支持部材744に取り付けられているガイドブロック743より下方に設けられる。
これにより、吸引機構72が吸引を開始すると、ガイドブロック743の下方空間が吸引される。なお、両方の支持部材744に吸引口720を設け、それぞれの方向から吸引機構72が吸引を行うように構成してもよい。
図3に戻って、洗浄液供給機構75は、洗浄液ボトルや送液ポンプなどからなる機構であって、供給配管を介して洗浄部74に洗浄液を供給する。
駆動機構76は、洗浄部74をY軸方向に移動させる機構である。駆動機構76としては、回転モータとボールネジとを用いた一般的な直動機構を採用することができる。図6は、吐出部742が移動する様子をスリットノズル41とともに示す図である。なお、図6に示すスリットノズル41の位置を、以下、「洗浄位置」と称する。
このように、洗浄位置にあるスリットノズル41の先端部に対して、吐出部742がY軸方向に往復移動することにより、吐出部742に設けられたガスノズル710および洗浄ノズル750がスリットノズル41の先端部を走査することとなる。なお、駆動機構76は、洗浄部74にスリットノズル41を走査するための動作を行わせるのみならず、洗浄部74をスリットノズル41の下方から退避させる動作も行うことが可能である。これにより、スリットノズル41の先端部が後述する待機ポット77に挿入されるときには、洗浄部74とスリットノズル41とが互いに干渉しないようにされている。
図2に戻って、待機ポット77は、スリットノズル41の長手方向の幅とほぼ同じサイズを有する略箱状の部材である。待機ポット77の内部にはレジスト液の溶剤が貯留されている。待機ポット77は、比較的長時間、本塗布処理が行われない場合において、スリットノズル41の特に吐出口41a付近のレジスト液が乾燥変質しないように設けられる機構である。
待機ポット77の上面には、スリットノズル41の先端部を内部に挿入するための開口部が設けられている。スリットノズル41は、待機中において、洗浄位置からさらにZ軸方向に下降した所定の位置(以下、「待機位置」と称する)に移動する。スリットノズル41が、この待機位置にあるとき、スリットノズル41の先端部は、開口部から待機ポット77の内部に挿入された状態となり、溶剤雰囲気に曝されることにより、レジスト液の乾燥が抑制される。
図1に戻って、制御部8は、プログラムに従って各種データを処理する演算部80、プログラムや各種データを保存する記憶部81を内部に備える。また、前面には、オペレータが基板処理装置1に対して必要な指示を入力するための操作部82、および各種データを表示する表示部83を備える。
制御部8は、図1においては図示しないケーブルにより本体2に付属する各機構と電気的に接続されている。制御部8は、操作部82からの入力信号や、図示しない各種センサなどからの信号に基づいて、昇降機構43,44による昇降動作、走行機構5による走行動作、レジスト供給機構6によるレジスト液の供給動作を制御する。さらにはノズル初期化機構7の各駆動機構、各回動機構および各バルブ等の動作、特に、ガス供給機構71および洗浄液供給機構75の供給流量を制御する。
なお、具体的には、データを一時的に記憶するRAM、読み取り専用のROM、および磁気ディスク装置などが記憶部81に該当する。あるいは、可搬性の光磁気ディスクやメモリーカードなどの記憶媒体、およびそれらの読み取り装置などであってもよい。また、操作部82には、ボタンおよびスイッチ類(キーボードやマウスなどを含む。)などが該当する。もしくは、タッチパネルディスプレイのように表示部83の機能を兼ね備えたものであってもよい。表示部83には、液晶ディスプレイや各種ランプなどが該当する。
以上が、本実施の形態における基板処理装置1の機能および構成の説明である。
次に、ノズル洗浄機構70がスリットノズル41の先端部を洗浄する際の動作(ノズル洗浄処理)について説明する。図7ないし図9は、ノズル洗浄処理の様子を示す図である。なお、図7ないし図9におけるスリットノズル41の位置は洗浄位置である。また、図7ないし図9では、支持部材744について図示を省略するとともに、ガイドブロック743およびスリットノズル41は断面として示している。
まず、ノズル洗浄処理に先立って、制御部8が、駆動機構76を制御することにより、退避している洗浄部74を、スリットノズル41に対する洗浄処理を行う位置に移動させる。また、制御部8は、この処理と並行して、昇降機構43,44および走行機構5を制御することにより、スリットノズル41を洗浄位置に移動させる。
これにより、スリットノズル41と洗浄部74とが、図7に示すような配置関係となる。このとき、図7に示すように、スリットノズル41の先端部側面には、塗布処理を繰り返し行ったことによって、レジスト液が付着している。なお、本実施の形態における基板処理装置1では、ノズル洗浄処理において、スリットノズル41の下端とガイドブロック743の近接面743aとの距離(近接距離)が、約1.5mmとなるように、スリットノズル41の洗浄位置が規定されているが、もちろんこれに限られるものではない。近接距離は、使用される洗浄液の性質や吐出流量などによって予め適切に設定されるものである。
ここまでの移動動作によって、ノズル洗浄処理の準備が完了すると、洗浄液供給機構75がバルブを開放状態にすることにより洗浄液の供給を開始し、図8に示すように、洗浄ノズル750がスリットノズル41の先端部側面に向けて洗浄液を吐出させる。洗浄ノズル750が洗浄液を吐出させる動作と並行して、吸引機構72が吸引口720から吸引を開始する。
図10は、図8に示す状態の拡大図である。図10に示すように、下方洗浄ノズル750aおよび上方洗浄ノズル750bから洗浄液(リンス液LQ)が吐出され、吐出されたリンス液LQがスリットノズル41の先端部側面に衝突することによって、スリットノズル41の洗浄が行われる。
このとき、下方洗浄ノズル750aから吐出されたリンス液LQによって、スリットノズル41の先端部側面に付着していたレジスト液Rが溶解する。これにより、スリットノズル41の先端部側面には、レジスト液Rとリンス液LQの混合液(比較的レジスト液Rの濃度が高い混合液)が存在することとなる。従来の装置では、洗浄ノズルの高さ位置が段違いに配置されていなかったために、この混合液によって、図23に示すような付着物RLが形成される。
しかし、本実施の形態における基板処理装置1は、下方洗浄ノズル750aに加えて、上方洗浄ノズル750bを備えている。したがって、図10に示すように、上方洗浄ノズル750bによって、下方洗浄ノズル750aによるリンス液LQの供給位置よりもさらに高い位置にリンス液LQが供給される。
すなわち、上方洗浄ノズル750bによって供給されたリンス液LQは、下方洗浄ノズル750aがリンス液LQを供給することによって生成された混合液を、さらに上方から下方に向けて洗い流すことができる。したがって、従来の装置のようなスジ状の付着物RLが残留することがなく、ノズル洗浄処理における洗浄効果が向上するため、スリットノズル41の状態を良好に回復させることができる。
洗浄ノズル750によって吐出されたリンス液LQは、スリットノズル41の先端部側面に沿って下方に流れ、その一部はスリットノズル41の下面に付着する。しかし、スリットノズル41の下面に付着したリンス液LQは、近接面743aと接触することによって、すみやかに近接面743aに沿って導かれ、両側のガイド面743bに向けて流れる。この流れによってスリットノズル41の下面が洗浄されるとともに、リンス液LQによって溶解したレジスト液Rが、すみやかに除去される。さらに、リンス液LQは、ガイドブロック743のガイド面743bに導かれて、下方に流れる。
このように、近接面743aが、下方に向けて湾曲する曲面となっていることにより、洗浄部74は、リンス液LQをすみやかに排出することができる。また、ガイドブロック743が、洗浄液供給機構75により供給されたリンス液LQを下方に向けて導くガイド面743bを有することにより、スリットノズル41の下面に付着したリンス液LQをさらにすみやかに排出することができる。
前述のように、洗浄ノズル750からリンス液LQが吐出されている間、吸引機構72によってスリットノズル41の下方吸引が行われている。この吸引機構72による吸引力は、図10に示すように、ガイドブロック743によって吐出口41a近傍に直接作用しないように遮断されている。すなわち、洗浄に使用されたリンス液LQは、吐出部742とガイド面743bとの間に形成された空間の上部開口部(Y軸方向に沿ったスリット状の開口部となる)から吸引されることとなる。
スリットノズル41内に充填されているレジスト液Rは、主に(−Z)方向に作用する力によって引き出されるものである。しかし、吸引機構72の吸引力が、図10に下向きの矢印として示すように、吐出口41aから離れた位置に作用すると、吐出口41aの近傍においては、その吸引力は主にX軸方向に作用し、(−Z)方向に作用する吸引力は弱いものとなる。
洗浄部74において、吸引機構72の吸引力が(−Z)方向に作用する位置は、ガイドブロック743のガイド面743bの位置によって規定される。したがって、ガイドブロック743のX軸方向の厚みを調整することによって、吐出口41aに作用する(−Z)方向の吸引力を調整することができる。
本実施の形態における洗浄部74では、吐出口41aの近傍がレジスト液Rのほぼ停留点となるようにガイドブロック743の厚みが予め決定されており、これによってレジスト液Rの流出が抑制される。なお、吸引力が作用する位置が、スリットノズル41の先端部側面の下方となることにより、先端部側面に付着したレジスト液Rを除去したリンス液LQは、すみやかに下方へと吸引排出される。また、ガイドブロック743のX軸方向の厚みによって、吐出部742とガイドブロック743との間隔が規定されるが、この間隔が狭い程、吸引機構72の吸引力が絞られ、スリットノズル41の先端部側面に作用する吸引力は増加する。
これにより、本実施の形態におけるノズル洗浄機構70は、ガイドブロック743の厚みによって、吐出口41a内のレジスト液Rに作用する吸引機構72の吸引力を弱めることができるため、従来の装置に比べて多量のリンス液LQを使用しても、吸引機構72の吸引力を適宜上昇させることによって、使用されたリンス液LQをすみやかに吸引排出することができる。したがって、ノズル洗浄処理における洗浄効果を向上させることができる。
洗浄液供給機構75からのリンス液LQの供給動作、および吸引機構72による吸引動作に並行して、洗浄部74による走査動作が行われる。すなわち、駆動機構76が洗浄部74をY軸方向に沿って、スリットノズル41の全幅にわたって、往復移動させる動作が行われる。
これにより、スリットノズル41のY軸方向の全幅にわたって、洗浄ノズル750からリンス液LQが吐出され、ノズル洗浄処理が進行する。このように、駆動機構76によって、洗浄部74による走査を行うことにより、例えば、スリットノズル41の全幅にわたって洗浄ノズル750を配置する必要がなく、装置を小型化することができる。なお、この走査動作を繰り返す回数は任意であって、前回のノズル洗浄処理が行われてから実行された本塗布処理の回数や、使用するレジスト液Rの性質などに応じて予め適切な値が設定されている。
所定回数の走査動作が終了すると、洗浄液供給機構75はリンス液LQの供給を停止する。これにより、洗浄ノズル750によるリンス液LQの吐出が停止する。さらに、ガス供給機構71が窒素ガスの供給を開始し、ガスノズル710から窒素ガスが噴出される。なお、この間も駆動機構76による洗浄部74の走査動作は継続している。
このように、ガスノズル710からスリットノズル41の先端部に向けて窒素ガスを噴出しつつ、洗浄部74をY軸方向に沿って移動させることによって、スリットノズル41に付着したリンス液LQの乾燥が促進される。図4に示すように、吐出部742の対向面742aにおいて、全てのガスノズル710が、全ての洗浄ノズル750よりも高い位置に設けられているため、ガスノズル710は、効果的にリンス液LQが付着した領域に窒素ガスを供給することができる。なお、リンス液LQを乾燥させるための走査動作の回数も所定の値が予め設定されている。
所定回数の走査動作が終了すると、制御部8は、駆動機構76を停止させることにより洗浄部74の走査動作を終了させるとともに、ガス供給機構71を制御して窒素ガスの供給を停止させる。これにより、ガスノズル710による窒素ガスの吹きつけが停止し、スリットノズル41を乾燥させるための走査動作が終了する。
以上の動作によって、本実施の形態における基板処理装置1のノズル洗浄処理が終了する。なお、ノズル洗浄処理が終了した後は、予備塗布機構73において予備塗布処理を行い、スリットノズル41の状態を整えてから本塗布処理を行う。ただし、ノズル洗浄処理の後の動作はこれに限られるものではなく、本塗布処理を行うまでに時間がかかるようであれば、スリットノズル41を待機位置に移動させて、スリットノズル41のレジスト液Rの乾燥を防止するようにしてもよい。すなわち、駆動機構76によって洗浄部74をスリットノズル41の下方より退避させて、スリットノズル41を洗浄位置からさらに下降させ、先端部が待機ポット77内の溶剤雰囲気に曝されるようにする。
以上により、本実施の形態における基板処理装置1は、ガイドブロック743が、図7等に示すように、スリットノズル41の吐出口41aの短手方向幅以上の厚みを有し、スリットノズル41の吐出口41aの下方近傍に配置され、吸引機構72の吸引口720が、ガイドブロック743の下方から吸引を行うことによって、スリットノズル41の吐出口41a近傍がレジスト液Rのほぼ停留点となるように吸引機構72の吸引力を調整することにより、吸引排出によって洗浄液と汚染物とをすみやかに排出しつつ、吐出口41aからスリットノズル41内のレジスト液Rが引き出されることを抑制することができる。
また、ガイドブロック743は、洗浄液供給機構75により供給されたリンス液LQを下方に向けて導くガイド面743bを有することにより、使用されたリンス液LQをさらにすみやかに排出することができる。
また、洗浄液供給機構75によるリンス液LQの供給位置を調整するスペーサ741を備えていることにより、状況に応じて洗浄位置を変更することができるため、例えば、レジスト液Rが付着している範囲が異なる場合であっても柔軟に対応することができる。
また、供給位置の調整が、所定の厚みを有するスペーサ741の着脱によって実現されていることにより、複雑な機構を必要とせず容易に実現することができる。
また、洗浄部74をスリットノズル41の長手方向に沿って移動させる駆動機構76を備えることにより、装置全体を小型化することができる。
また、スリットノズル41の先端部に窒素ガスを供給するガス供給機構71を備え、ガス供給機構71による窒素ガスの供給位置は、洗浄液供給機構75によるリンス液LQの供給位置より上方とされていることにより、洗浄液の乾燥を促進させることができる。
また、上方洗浄ノズル750bによるリンス液LQの供給位置が、下方洗浄ノズル750aによるリンス液LQの供給位置に対して、高さ方向が異なるように配置されていることにより、スジ状の付着物RL(図23)がスリットノズル41の先端部側面に残留することを防止することができる。したがって、洗浄効果を向上させることができる。
なお、本実施の形態における基板処理装置1では、下方洗浄ノズル750aおよび上方洗浄ノズル750bが同時にリンス液LQを吐出する構成となっている。しかし、例えば、下方洗浄ノズル750aと上方洗浄ノズル750bとを別系統の配管によって洗浄液供給機構75と連通接続し、往路上の走査(吐出部742によるスリットノズル41の走査)においては下方洗浄ノズル750aのみ吐出を行い、復路上の走査においては上方洗浄ノズル750bのみ吐出を行うように制御してもよい。
また、洗浄ノズル750からリンス液LQを吐出させつつ走査動作を行う際に、窒素ガスの吹きつけを並行して行ってもよい。その場合、いわば窒素ガスのカーテンが洗浄ノズル750の上方に形成されるため、リンス液LQのミストなどがスリットノズル41の上方に飛散することを防止することができる。
<2. 第2の実施の形態>
第1の実施の形態では、吸引機構72の吸引口720が吐出口41aの下方に設けられ、ガイドブロック743の下方からリンス液LQを吸引するように構成していたが、吸引機構72による吸引位置(吸引口が設けられる位置)は、これに限られるものではない。
図11は、このような原理に基づいて構成した第2の実施の形態におけるノズル洗浄機構70の構成を示す図である。また、図12は、第2の実施の形態における吐出部の対向面の正面図である。
本実施の形態におけるノズル洗浄機構70は、第1の実施の形態における洗浄部74の代わりに、洗浄部74aを備えている点が、第1の実施の形態におけるノズル洗浄機構70と異なっている。なお、第1の実施の形態における基板処理装置1とほぼ同様の構成については同符号を付し、適宜説明を省略する。
吐出部745は、洗浄位置にあるスリットノズル41の先端部側面と対向する面として、対向面745aおよび一対の対向面745bを有している。対向面745aは、第1の実施の形態における吐出部742の対向面742aに相当する面であって、図12に示すように、第1の実施の形態とほぼ同様にガスノズル710および洗浄ノズル750が配置されている。
一対の対向面745bは、対向面745aと略平行な面として、対向面745aのY軸方向の両側に設けられている。また、各対向面745bは、洗浄位置におけるスリットノズル41の先端部側面に対して、対向面745aよりも近接する位置となるように形成されており、それぞれに吸引口721が設けられている。吸引口721は、吸引配管を介して吸引機構72に連通接続されている。
図13は、第2の実施の形態におけるノズル洗浄処理において、洗浄ノズル750からリンス液LQが吐出されている様子を示す図である。なお、図13における各部は、XZ平面に平行な面のうち対向面745aと交差する面における断面として示している。
図11において、図示を省略していたが、本実施の形態におけるベース740には、ガイドブロック743の下方となる位置に廃液用の排出口740aがY軸方向に沿ったスリット状に設けられており、ガイドブロック743によって下方に導かれたリンス液LQが排出口740aから排出される。これにより、吸引機構72による吸引排出を補完することができる。
図14は、第2の実施の形態における吸引機構72の作用を説明する図である。なお、図14における各部は、XZ平面に平行な面のうち吸引口721と交差する面における断面として示している。
図14に示すように、本実施の形態における基板処理装置1では、吸引口721が洗浄位置にあるスリットノズル41の先端部の側方に位置しているため、吸引機構72による吸引は、スリットノズル41の先端部の側方から行われる。したがって、スリットノズル41内に充填されているレジスト液Rに作用する吸引機構72の吸引力は、スリットノズル41の先端部下方から吸引する場合に比べて、弱められる。
このように、本実施の形態における基板処理装置1は、吸引口721を吐出部745の対向面745bに設け、スリットノズル41の先端部の側方からリンス液LQの吸引を行うことにより、吐出口41aの近傍がレジスト液Rのほぼ停留点となるように調整することができる。したがって、吸引機構72の吸引力を増加させても、レジスト液Rがスリットノズル41の外に引き出される現象の発生を抑制することができるため、ノズル洗浄処理の洗浄効果を向上させることができる。
また、対向面745bは対向面745aに比べて、スリットノズル41の先端部側面に近接している。したがって、図13と図14とを比較すれば明らかなように、吸引口721は洗浄ノズル750よりもスリットノズル41の先端部側面に近接するように配置される。このように、吸引口721がスリットノズル41の先端部側面に近接することにより、当該先端部側面に付着しているリンス液LQを効率よく吸引排出することができる。
なお、図14では、図示の都合上、ガイドブロック743の周囲にリンス液LQが存在していないかのように示しているが、実際には洗浄部74aの両端部においても洗浄に使用されたリンス液LQの一部がガイドブロック743によって下方に導かれ、排出口740aから排出される。
以上のように、第2の実施の形態における基板処理装置1においても、吸引口721をスリットノズル41の先端部の側方に設け、この位置から吸引機構72による吸引を行うことにより、第1の実施の形態における基板処理装置1と同様に、吐出口41aの近傍がレジスト液Rのほぼ停留点となるように調整することができるため、同様の効果を得ることができる。
また、リンス液LQをスリットノズル41の先端部下方に設けられた排出口740aから排出することにより、吸引機構72だけによらずリンス液LQを排出することができるので、吸引機構72として小容量の機構を採用することができる。あるいは、リンス液LQをすみやかに排出することができるため、ノズル洗浄処理の洗浄効果を向上させることができる。
また、スリットノズル41の先端部下方に配置され、リンス液LQを下方に向けて導く近接面743aおよびガイド面743bを有するガイドブロック743を備えることにより、リンス液LQの排出口740aからの排出をより効果的に行うことができる。
なお、図11に示すように、本実施の形態における基板処理装置1は、スペーサ741を使用していない。すなわち、洗浄ノズル750の所望する高さ位置によっては、スペーサ741は必ずしも使用されなければならない部材ではなく、取り外されていてもよい。本実施の形態における洗浄部74aにおいては、スペーサ741により吐出部745の高さ調整を行うことにより、吸引口721とスリットノズル41の先端部側面との距離についても調整可能である。この場合は、当該距離が0.1ないし5mm程度となるように調整することが好ましい。
本実施の形態における基板処理装置1では、第1の実施の形態における基板処理装置1と同様のガイドブロック743を用いている。しかし、本実施の形態では、排出口740aからの吸引排出は行わないため、排出口740aからは、主に重力の作用によってリンス液LQが排出されることとなる。これにより、吐出口41aに作用する(−Z)方向の力(レジスト液Rを引き出す原因となる力)は、主に重力となる。したがって、ガイドブロック743はX軸方向の厚みが比較的薄い板状の部材であっても、吐出口41aの近傍がレジスト液Rのほぼ停留点となるように調整することができる。
<3. 第3の実施の形態>
上記実施の形態のノズル洗浄機構70は、洗浄液を吐出しつつ、スリットノズル41を走査する機構(洗浄部74および駆動機構76)によって、ノズル洗浄処理を行うとして説明したが、ノズル洗浄処理を行う機構は、スリットノズル41の吐出口41aの周辺をY軸方向について、均一に洗浄することができるものであれば、これに限られるものではない。
図15は、このような原理に基づいて構成した第3の実施の形態における吐出部746と、洗浄位置にあるスリットノズル41との配置関係を示す図である。図15から明らかなように、本実施の形態における吐出部746のY軸方向のサイズは、スリットノズル41の吐出口41aのY軸方向の幅とほぼ等しくなっている。なお、詳細は図示しないが、これと同様に、ベース740、スペーサ741、およびガイドブロック743についても、Y軸方向のサイズが、吐出口41aのY軸方向の幅に応じて決定されている。
すなわち、第3の実施の形態における基板処理装置1の洗浄部74bは、スリットノズル41の吐出口41aのY軸方向の幅とほぼ等しいサイズを有している点が、第1の実施の形態における基板処理装置1の洗浄部74と異なっている。なお、洗浄部74b以外の構成については、第1の実施の形態における基板処理装置1とほぼ同様であるため、説明を適宜省略する。
図16は、第3の実施の形態における吐出部746の対向面746aの正面図である。対向面746aには、ガスノズル710および洗浄ノズル750とが配置される。ガスノズル710は、対向面746aにおいて、洗浄ノズル750の上方となる高さ位置にY軸方向の全幅にわたって配列している。また、洗浄ノズル750のうち、上方洗浄ノズル750bは、対向面746aにおいて、下方洗浄ノズル750aの上方となる高さ位置にY軸方向の全幅にわたって配列している。
以上のような構成を有する本実施の形態におけるノズル洗浄処理について簡単に説明する。まず、洗浄液供給機構75がリンス液LQの供給を開始し、洗浄位置にあるスリットノズル41の先端部に向けて、全ての洗浄ノズル750がリンス液LQを吐出する。この動作と並行して、吸引機構72が吸引を開始する。
これにより、スリットノズル41の先端部の洗浄が行われる。本実施の形態における洗浄ノズル750は、スリットノズル41のY軸方向のほぼ全幅にわたって設けられているため、当該先端部の全域についてほぼ同時に洗浄処理が進行する。また、上記実施の形態において説明したように、駆動機構76によって洗浄部74bを吐出口41aに沿って移動させる動作(走査動作)を行う必要はない。これは、窒素ガスを吹き付ける処理(後述)においても同様である。すなわち、第3の実施の形態における駆動機構76は、スリットノズル41が洗浄位置から待機位置に移動する際に、洗浄部74bを退避させる機能のみ有している。
また、ノズル洗浄処理に使用されるリンス液LQは、第1の実施の形態と同様に、ガイドブロック743の近接面743aおよびガイド面743bによって下方に導かれるとともに、吸引機構72の吸引力によって、すみやかに吸引排出される。
本実施の形態における基板処理装置1においても、ガイドブロック743によって吐出口41aが覆われた状態となっており、吸引機構72の吸引力が直接吐出口41aに作用しないようにされている。すなわち、吐出口41aの近傍がレジスト液Rのほぼ停留点となるように調整されている。
洗浄ノズル750が吐出を開始してから所定の時間が経過すると、洗浄液供給機構75がリンス液LQの供給を停止し、洗浄ノズル750によるリンス液LQの吐出が停止する。
次に、ガス供給機構71が窒素ガスの供給を開始し、スリットノズル41の先端部に向けて、全てのガスノズル710が窒素ガスを吹き付ける。これにより、スリットノズル41の先端部に付着したリンス液LQの乾燥が促進される。なお、ガス供給機構71による窒素ガスの供給が行われている間も、吸引機構72による吸引は継続されており、例えば、リンス液LQの成分を含んだ雰囲気や、窒素ガスによって吹き飛ばされたリンス液LQのミストなどがすみやかに吸引排出される。
ガスノズル710が吹きつけを開始してから所定の時間が経過すると、ガス供給機構71が窒素ガスの供給を停止し、ガスノズル710による窒素ガスの吹きつけが停止する。これにより、本実施の形態におけるノズル洗浄処理が終了する。
このように、本実施の形態における基板処理装置1では、スリットノズル41のY軸方向について、同時にノズル洗浄処理の各工程が行われる。したがって、ノズル洗浄処理におけるY軸方向の均一性を向上させることができ、洗浄後のスリットノズル41の状態をY軸方向に均一化させることができる。
以上のように、第3の実施の形態における基板処理装置1においても、第1の実施の形態と同様に、スリットノズル41の吐出口41aがレジスト液Rのほぼ停留点となるように、吸引機構72の吸引力を調整することができ、上記実施の形態と同様の効果を得ることができる。
また、洗浄部74b(吐出部746)が、スリットノズル41の吐出口41aのY軸方向の幅とほぼ同じサイズを有しており、吐出部746において、ガスノズル710および洗浄ノズル750が、吐出口41aの全幅にわたって配置されていることにより、スリットノズル41の全幅にわたって同時にリンス液LQを吐出することができる。したがって、ノズル洗浄処理に要する時間を短縮することができる。
<4. 変形例>
以上、本発明の実施の形態について説明してきたが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく様々な変形が可能である。
例えば、第2の実施の形態における基板処理装置1のように、スリットノズル41の吐出口41aの側方からリンス液LQを吸引する構造を採用しつつ、第3の実施の形態における基板処理装置1のように、吐出口41aのY軸方向のほぼ全幅を同時に洗浄する構造を採用することもできる。この場合には、吐出部746の対向面746aにおいて、下方洗浄ノズル750aのさらに下方位置に、吸引機構72に連通接続する吸引口を設けるようにしてもよい。また、この場合には、当該吸引口をY軸方向に沿って伸びるスリット状とすることが好ましい。
また、第1の実施の形態における吐出部742では、対向面742aのY軸方向の両側に下方洗浄ノズル750aが設けられ、対向面742aのY軸方向の中央部に上方洗浄ノズル750bが設けられていたが、洗浄ノズル750の配置はこのような配置に限られるものではない。図17は、変形例における吐出部742の対向面742aの正面図である。このように、対向面742aのY軸方向の両側に上方洗浄ノズル750bが設けられ、対向面742aのY軸方向の中央部に下方洗浄ノズル750aが設けられてもよい。
また、下方洗浄ノズル750aのY軸方向の位置と、上方洗浄ノズル750bのY軸方向の位置とが一致していてもよい。すなわち、吐出部742,745,746において、下方洗浄ノズル750aの直上に上方洗浄ノズル750bが配置されていてもよい。
また、ガスノズル710および洗浄ノズル750の開口部形状は円形に限られるものではなく、Y軸方向に伸びるスリット状の形状を有していてもよい。
本発明に係る基板処理装置を示す斜視図である。 基板処理装置における塗布処理に係る主な構成を示す側面図である。 第1の実施の形態におけるノズル洗浄機構の構成を示す図である。 第1の実施の形態における吐出部の対向面の正面図である。 ガイドブロックを示す斜視図である。 吐出部が移動する様子をスリットノズルとともに示す図である。 ノズル洗浄処理の開始時における各構成の配置を示す図である。 ノズル洗浄処理においてリンス液が吐出されている様子を示す図である。 ノズル洗浄処理において窒素ガスが吹き付けられている様子を示す図である。 図8の状態を拡大して示す図である。 第2の実施の形態におけるノズル洗浄機構の構成を示す図である。 第2の実施の形態における吐出部の対向面の正面図である。 第2の実施の形態においてリンス液が吐出されている様子を示す図である。 第2の実施の形態における吸引機構の作用を説明する図である。 第3の実施の形態における吐出部と、洗浄位置にあるスリットノズルとの位置関係を示す図である。 第3の実施の形態における吐出部の対向面の正面図である。 変形例における吐出部の対向面の正面図である。 スリットノズルの先端部の初期状態を示す図である。 数十枚程度の基板に対して塗布処理を行った状態を示す図である。 数百枚程度の基板に対して塗布処理を行った状態を示す図である。 従来の基板処理装置の吐出ノズルにおいて、レジスト液が引き出された部分にエアが混入している状態を示す図である。 従来の基板処理装置の吐出ノズルにおいて、レジスト液が引き出された部分に洗浄液(リンス液)が混入している状態を示す図である。 従来の基板処理装置において、ノズル洗浄処理の後に見られるスジ状の付着物を示す図である。
符号の説明
1 基板処理装置
2 本体
3 ステージ
30 保持面
41 スリットノズル
41a 吐出口
43,44 昇降機構
5 走行機構
6 レジスト供給機構
7 ノズル初期化機構
70 ノズル洗浄機構
71 ガス供給機構
710 ガスノズル
710a 下方ガスノズル
710b 上方ガスノズル
72 吸引機構
720,721 吸引口
74,74a,74b 洗浄部
740a 排出口
741 スペーサ
742,745,746 吐出部
742a,745a,745b,746a 対向面
743 ガイドブロック(遮断部材、案内部材)
743a 近接面
743b ガイド面
75 洗浄液供給機構
750 洗浄ノズル
750a 下方洗浄ノズル
750b 上方洗浄ノズル
76 駆動機構(走査機構)
77 待機ポット
8 制御部
90 基板
LQ リンス液
R レジスト液

Claims (13)

  1. 先端部に設けられた吐出口から所定の処理液を吐出する吐出ノズルを洗浄するノズル洗浄装置であって、
    前記吐出ノズルの先端部付近に向けて吐出口から所定の洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、
    前記洗浄液供給手段により供給された前記所定の洗浄液を吸引口より吸引する吸引手段と、
    前記吐出ノズルの吐出口の短手方向幅以上の厚みを有し、前記吐出ノズルの吐出口の下方近傍に配置される遮蔽部材と、
    を備え、
    前記吸引手段の吸引口が、前記遮蔽部材の下方から吸引を行うことによって、前記吐出口近傍が前記所定の処理液のほぼ停留点となるように前記吐出ノズルの吐出口近傍における前記吸引手段の吸引力を調整することを特徴とするノズル洗浄装置。
  2. 先端部に設けられた吐出口から所定の処理液を吐出する吐出ノズルを洗浄するノズル洗浄装置であって、
    前記吐出ノズルの先端部付近に向けて吐出口から所定の洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、
    前記洗浄液供給手段により供給された前記所定の洗浄液を吸引口より吸引する吸引手段と、
    を備え、
    前記吸引手段は、前記吐出ノズルの先端部側方から吸引を行うことにより、前記吐出口近傍が前記所定の処理液のほぼ停留点となるように前記吐出ノズルの吐出口近傍における前記吸引手段の吸引力を調整することを特徴とするノズル洗浄装置。
  3. 請求項1に記載のノズル洗浄装置であって、
    前記遮蔽部材は、前記洗浄液供給手段により供給された前記所定の洗浄液を下方に向けて導くガイド面を有することを特徴とするノズル洗浄装置。
  4. 請求項2に記載のノズル洗浄装置であって、
    前記吸引手段の吸引口は、前記洗浄液供給手段の吐出口よりも前記吐出ノズルに近接配置されることを特徴とするノズル洗浄装置。
  5. 請求項2または4に記載のノズル洗浄装置であって、
    前記洗浄液供給手段によって供給された前記所定の洗浄液を、前記吐出ノズルの先端部下方に設けられた排出口から排出することを特徴とするノズル洗浄装置。
  6. 請求項5に記載のノズル洗浄装置であって、
    前記吐出ノズルの先端部下方に配置され、前記洗浄液供給手段により供給された前記所定の洗浄液を下方に向けて導くガイド面を有する案内部材をさらに備えることを特徴とするノズル洗浄装置。
  7. 請求項1ないし6のいずれかに記載のノズル洗浄装置であって、
    前記洗浄液供給手段による前記所定の洗浄液の供給位置を調整する調整手段をさらに備えることを特徴とするノズル洗浄装置。
  8. 請求項7に記載のノズル洗浄装置であって、
    前記調整手段は、所定の厚みを有するスペーサであることを特徴とするノズル洗浄装置。
  9. 請求項1ないし8のいずれかに記載のノズル洗浄装置であって、
    前記吐出ノズルの吐出口は所定の方向に延びるスリットであり、
    前記洗浄液供給手段を前記所定の方向に沿って移動させる走査機構をさらに備えることを特徴とするノズル洗浄装置。
  10. 請求項1ないし8のいずれかに記載のノズル洗浄装置であって、
    前記吐出ノズルの吐出口は所定の方向に延びるスリットであり、
    前記洗浄液供給手段は、前記吐出ノズルの先端部における前記所定の方向の全幅に渡ってほぼ同時に前記所定の洗浄液を供給することを特徴とするノズル洗浄装置。
  11. 請求項1ないし10のいずれかに記載のノズル洗浄装置であって、
    前記吐出ノズルの先端部に所定の気体を供給する気体供給手段をさらに備え、
    前記気体供給手段による前記所定の気体の供給位置は、前記洗浄液供給手段による前記所定の洗浄液の供給位置より上方とされていることを特徴とするノズル洗浄装置。
  12. 基板に所定の処理液を塗布する基板処理装置であって、
    基板を保持する保持手段と、
    前記保持手段に保持された基板の表面に、先端部に設けられた吐出口から所定の処理液を吐出する吐出ノズルと、
    前記吐出ノズルを洗浄するノズル洗浄装置と、
    を備え、
    前記ノズル洗浄装置が、
    前記吐出ノズルの先端部付近に向けて所定の洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、
    前記洗浄液供給手段によって供給された前記所定の洗浄液を吸引する吸引手段と、
    前記吐出ノズルの吐出口の短手方向幅以上の厚みを有し、前記吐出ノズルの吐出口の下方近傍に配置される遮蔽部材と、
    を備え、
    前記吸引手段の吸引口が、前記遮蔽部材の下方から吸引を行うことによって、前記吐出口近傍が前記所定の処理液のほぼ停留点となるように前記吐出ノズルの吐出口近傍における前記吸引手段の吸引力を調整することを特徴とする基板処理装置。
  13. 基板に所定の処理液を塗布する基板処理装置であって、
    基板を保持する保持手段と、
    前記保持手段に保持された基板の表面に、先端部に設けられた吐出口から所定の処理液を吐出する吐出ノズルと、
    前記吐出ノズルを洗浄するノズル洗浄装置と、
    を備え、
    前記ノズル洗浄装置が、
    前記吐出ノズルの先端部付近に向けて所定の洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、
    前記洗浄液供給手段によって供給された前記所定の洗浄液を吸引する吸引手段と、
    を備え、
    前記吸引手段は、前記吐出ノズルの先端部側方から吸引を行うことにより、前記吐出口近傍が前記所定の処理液のほぼ停留点となるように前記吐出ノズルの吐出口近傍における前記吸引手段の吸引力を調整することを特徴とする基板処理装置。
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