[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

JP4276965B2 - 表示装置 - Google Patents

表示装置 Download PDF

Info

Publication number
JP4276965B2
JP4276965B2 JP2004028592A JP2004028592A JP4276965B2 JP 4276965 B2 JP4276965 B2 JP 4276965B2 JP 2004028592 A JP2004028592 A JP 2004028592A JP 2004028592 A JP2004028592 A JP 2004028592A JP 4276965 B2 JP4276965 B2 JP 4276965B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pixel
line
display device
signal
pixel electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2004028592A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2005221682A (ja
Inventor
晶一 安藤
恵一 伊奈
一郎 白木
睦 中島
圭介 吉田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP2004028592A priority Critical patent/JP4276965B2/ja
Priority to KR1020050009473A priority patent/KR100764079B1/ko
Priority to US11/047,820 priority patent/US7394513B2/en
Priority to TW094103453A priority patent/TWI277917B/zh
Priority to CNA2009101321206A priority patent/CN101556419A/zh
Priority to CNA2005100091656A priority patent/CN1652165A/zh
Publication of JP2005221682A publication Critical patent/JP2005221682A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4276965B2 publication Critical patent/JP4276965B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133509Filters, e.g. light shielding masks
    • G02F1/133514Colour filters
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B42BOOKBINDING; ALBUMS; FILES; SPECIAL PRINTED MATTER
    • B42FSHEETS TEMPORARILY ATTACHED TOGETHER; FILING APPLIANCES; FILE CARDS; INDEXING
    • B42F5/00Sheets and objects temporarily attached together; Means therefor; Albums
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B42BOOKBINDING; ALBUMS; FILES; SPECIAL PRINTED MATTER
    • B42DBOOKS; BOOK COVERS; LOOSE LEAVES; PRINTED MATTER CHARACTERISED BY IDENTIFICATION OR SECURITY FEATURES; PRINTED MATTER OF SPECIAL FORMAT OR STYLE NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; DEVICES FOR USE THEREWITH AND NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; MOVABLE-STRIP WRITING OR READING APPARATUS
    • B42D1/00Books or other bound products
    • B42D1/08Albums
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B42BOOKBINDING; ALBUMS; FILES; SPECIAL PRINTED MATTER
    • B42DBOOKS; BOOK COVERS; LOOSE LEAVES; PRINTED MATTER CHARACTERISED BY IDENTIFICATION OR SECURITY FEATURES; PRINTED MATTER OF SPECIAL FORMAT OR STYLE NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; DEVICES FOR USE THEREWITH AND NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; MOVABLE-STRIP WRITING OR READING APPARATUS
    • B42D3/00Book covers
    • B42D3/12Book covers combined with other articles
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286Wiring, e.g. gate line, drain line
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2201/00Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
    • G02F2201/12Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode
    • G02F2201/122Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode having a particular pattern

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Business, Economics & Management (AREA)
  • Educational Administration (AREA)
  • Educational Technology (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Description

本発明は、液晶表示装置(LCD)、プラズマ表示装置(PDP)、無機または有機エレクトロルミネッセンス(EL)表示装置、発光ダイオード(LED)表示装置、蛍光表示管、電界放出型表示装置、電気泳動表示装置、エレクトロクロミック表示装置などの表示装置に関する。
アクティブマトリクス駆動のLCDとして、薄膜トランジスタ(TFT)を用いたカラーLCDが挙げられる。このカラーLCDは、アクティブマトリクス基板としてのTFT基板と、TFT基板に対向して配置され、共通電極を備えた対向基板と、両基板間に介在する液晶層とを有する。TFT基板は、ゲートラインおよびソースラインの交点近傍に形成されたTFTと、TFTに接続された画素電極とを備える。各画素電極に対応して赤(R)、緑(G)、青(B)のカラーフィルタが配置されることによって、各色の画素が形成される。画素の配列方法としては、例えば特許文献1に開示されたデルタ配列が挙げられる。
図1は、デルタ配列された画素を有するLCDのTFT基板を模式的に示す平面図である。TFT基板の表示部1には、ゲートドライバ2から延びたゲートライン4、ソースドライバ3から延びたソースライン5が形成されている。ゲートライン4とソースライン5との交点近傍にはTFT6が形成され、それぞれのTFT6には画素電極7が接続されている。ゲートライン4でアドレスされたTFT6を通して、各画素に対応した信号がソースライン5から画素電極7に供給される。これにより画素電極7と共通電極(不図示)との間に電圧が印加され、その画素の領域に対応する液晶層の光学特性が制御されて、表示が行なわれる。
図1に示すTFT基板では、ゲートライン4が行方向に直線状に延びているのに対して、ソースライン5は列方向に蛇行しながら延びている。また同一のソースライン5から信号が供給される画素電極7は、ソースライン5に対して一行毎に左右交互に、すなわち千鳥状に配置されている。
一方、画素の開口率を高める目的で、ソースラインを絶縁膜で覆い、この絶縁膜上に画素電極を形成した高開口率化LCDが開発されている。しかし、例えばデルタ配列を用いた高開口率化LCDでは、以下に示す問題が生じる。
特公平3−64046号公報
図2は、図1に示すデルタ配列パネルにおけるソースラインと画素電極との間の容量を模式的に表した平面図である。図2に示すように、各画素7は行方向に隣り合うソースライン5に平面視において挟まれている。例えば図2に示す第1行目の緑画素7G1および第3行目の緑画素7G3は、緑画素7Gに画像信号PSを入力するための緑画素用ソースライン5Gと、緑画素7Gと行方向に隣り合う青画素7Bに画像信号PSを入力するための青画素用ソースライン5Bとに挟まれている。
一方、図2に示す第2行目の緑画素7G2および第4行目の緑画素7G4は、緑画素用ソースライン5Gと、緑画素7Gと行方向に隣り合う赤画素7Rに画像信号PSを入力するための赤画素用ソースライン5Rとに挟まれている。言い換えれば、緑画素用ソースライン5Gと青画素用ソースライン5Bとに挟まれた緑画素7G1,7G3,と、緑画素用ソースライン5Gと赤画素用ソースライン5Rとに挟まれた緑画素7G2,7G4とが一行毎に交互に並んでいる。すなわち行方向に挟むソースライン5が異なる2種類の緑画素7Gが一行毎に交互に並んでいる。
図3は図2中の第2行目の緑画素7G2を中心とする画素配列の部分拡大図であり、図4は図3中のA−B線断面を模式的に示す図、図5は図3中のC−D線断面を模式的に示す図である。図4および図5に示すように、画素電極7とソースライン5は絶縁膜8を介して配置されているので、寄生容量であるソース・ドレイン間容量が存在する。ある画素電極7とその画素電極7に画像信号PSを入力するソースライン5(言い換えれば、その画素電極7を駆動するソースライン5)との寄生容量を容量Csd1とし、ある画素電極7とその画素電極7に画像信号PSを入力しないソースライン5(言い換えれば、その画素電極7を駆動しないソースライン5)との寄生容量を容量Csd2とする。例えば赤画素用ソースライン5Rと赤画素7Rとの間に容量Csd1が存在し、赤画素用ソースライン5Rと緑画素7Gまたは青画素7Bとの間に容量Csd2が存在する。これらの寄生容量Csd1,Csd2を介してソースライン5の電位変動により画素電極7の電位が引き込まれる。例えば赤画素用ソースライン5Rおよび緑画素用ソースライン5Gに挟まれた第2行目の緑画素7G2はこれらのソースライン5R,5Gにより電位が引き込まれ、緑画素用ソースライン5Gおよび青画素用ソースライン5Bに挟まれた第1行目の緑画素7G1はこれらのソースライン5G,5Bにより電位が引き込まれる。したがって、引き込み後の画素電極(例えば緑画素7G)の電位Vpixは下記の式で表すことができる。
Vpix=Vsl 0+(Csd1/Cpix) *ΔVsl 1+(Csd2/Cpix) *ΔVsl 2
(ただし、Vsl 0 は引き込み前の電位(緑画素7Gに画像信号を入力するためのソースライン5GからTFTを介して印加された電位)、ΔVsl 1は緑画素7Gに画像信号を入力するためのソースライン5Gの電圧振幅、ΔVsl 2は緑画素7Gには画像信号を入力しないソースライン5Rまたは5Bの電圧振幅、Cpixは緑画素7Gにかかる容量(寄生容量、補助容量等)の合計である。)
図6はソースライン5から緑画素7Gへの電位の引き込みを示す平面図である。図6中の上段の緑画素7G1は赤画素用ソースライン5Rおよび緑画素用ソースライン5Gにより電位が引き込まれ、図6中の下段の緑画素7G2は緑画素用ソースライン5Gおよび青画素用ソースライン5Bにより電位が引き込まれる。したがって、上段の緑画素7G1および下段の緑画素7G2は緑画素用ソースライン5Gによる引き込み電位が共通である。しかし、赤画素用ソースライン5Rによる引き込み電位と青画素用ソースライン5Bによる引き込み電位とが等しいとは限らないので、上段の緑画素7G1と下段の緑画素7G2とで引き込み電位の差が生じることがある。すなわち、緑画素7Gへの印加電圧が一行毎に異なることがあり得る。この場合、一行毎の画素の輝度差が横縞となって現れ、均一な表示が得られない。例えば赤画素7Rが白表示(透過率が最も高い状態)、緑画素7Gが中間調表示、青画素7Bが黒表示(透過率が最も低い状態)の場合、横縞が顕著に見える。
この現象は、緑画素7Gだけでなく、赤画素7Rおよび青画素7Bにも生じる。またデルタ配列だけでなく、モザイク配列、スクエア配列でも生じることがある。本発明の目的は、横縞の発生を低減し、表示品位を向上させることである。
例えば緑画素7Gでは、赤画素用ソースライン5Rによる引き込み電位と青画素用ソースライン5Bによる引き込み電位との間で差が生じることにより、横縞が発生する。すなわち、上記横縞の発生は、上記の式中の第3項の値が水平ラインごとで異なることによる。したがって、第3項中のCsd2を小さくすることで、第3項の値が小さくなり、横縞を低減することができる。
本発明者らは、画素電極とその画素電極を駆動しないソースラインとの間の寄生容量Csd2、例えば緑画素7Gに対しては、赤画素用ソースライン5Rおよび青画素用ソースライン5Bによるソース・ドレイン容量Csd2をできる限り低減させることに着眼し、本発明の表示装置を完成させるに至った。
本発明の表示装置は、蛇行して列方向に延び、画像信号がそれぞれ供給される複数の信号線と、前記複数の信号線を覆う絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成され、前記複数の信号線から前記画像信号がそれぞれ入力される複数の画素電極とを有する表示装置であって、列方向に隣り合う前記画素電極間の距離は前記信号線の線幅以上の長さであり、前記信号線は、平面視において、該信号線の少なくとも一部が、前記信号線から前記画像信号が入力される第1画素電極と重畳する一方、該第1画素電極と前記信号線を介して行方向に隣り合う第2画素電極と重畳していない
図7は本発明の表示装置における画素配列の模式的な平面図であり、図8は図7中のA−B線断面図である。本発明の表示装置は、列方向に信号線5を介して隣り合う画素電極7,7間の距離D0が信号線5の線幅w以上の長さである。
本発明との対比説明のために、図9および図10に比較例を示す。図9は比較例による画素配列の模式的な平面図であり、図10は図9中のA−B線断面図である。比較例の表示装置は、列方向に信号線5を介して隣り合う画素電極7,7間の距離dが信号線5の線幅wよりも短い。したがって、比較例の表示装置は、信号線5の行方向に延びる部分と画素電極7,7とが平面視において重畳するので、信号線5による容量Csd2が大きい。
これに対して、本発明の表示装置では、信号線5の行方向に延びる部分と画素電極7,7とが平面視において重畳していないので、信号線5による容量Csd2が小さい。図6を参照しながら説明した通り、横縞は異なるソースライン間の引き込み電位の差により生じる。引き込み電位は寄生容量に起因して生じるので、寄生容量Csd2を減少させることにより、引き込み電位が減少し、異なるソースライン間の引き込み電位の差も減少する。したがって、横縞が低減された良好な表示品位が得られる
さらに、前記信号線は、平面視において、前記信号線の少なくとも一部が、前記信号線から前記画像信号が入力される第1画素電極と重畳する一方、該第1画素電極と前記信号線を介して行方向に隣り合う第2画素電極と重畳していない。この態様によれば、第2容量Csd2をさらに減少させることができるので、横縞の発生をさらに抑えることができる。
本発明の表示装置は、前記画素電極と前記信号線との間のスイッチング制御を行うスイッチ素子と、前記スイッチ素子を開閉制御するための走査信号が供給される走査線とをさらに有し、前記走査線の形成領域は列方向に隣り合う前記画素電極間の領域を含んでいても良い。また補助容量を形成するための補助容量線をさらに有し、前記補助容量線の形成領域は列方向に隣り合う前記画素電極間の領域を含んでいても良い。言い換えれば、列方向に信号線を介して隣り合う前記画素電極間の領域を前記走査線または前記補助容量線により遮光しても良い。
また、本発明の表示装置は、さらに、列方向に隣り合う前記画素電極の間の領域を覆う第1の遮光層と、行方向に前記信号線を介して隣り合う画素電極の間の領域を覆う第2の遮光層とを備えていてもよい。
さらに、前記画素電極と前記信号線との間のスイッチング制御を行うスイッチ素子と、前記スイッチ素子を開閉制御するための走査信号が供給される走査線とをさらに有し、前記第1又は第2の遮光層は、前記走査線と同層に形成されていてもよく、前記走査線と接続されていてもよい。
また、前記第1又は第2の遮光層は、配線および電極のいずれとも接触していなくてもよい。
また、補助容量を形成するための補助容量線をさらに有し、前記第1又は第2の遮光層は、前記補助容量線と接続されていてもよい。
なお、本明細書において「行方向」および「列方向」は、必ずしも横方向と縦方向とを意味するものではない。また必ずしも相互に直交する二つの方向を意味するものでもなく、相互に交差する二つの方向を意味する。例えば、行方向に対して傾斜した方向に列方向が設定され得る。
本発明によれば、開口率を確保しながらも、横縞の発生を低減し、表示品位を向上させることができる。
以下、図面を参照しながら本発明の実施形態を説明する。以下の実施形態では、LCDについて説明するが、本発明の表示装置は、LCDだけでなく、無機または有機EL表示装置、PDP、LED表示装置、蛍光表示管、電界放出型表示装置、電気泳動表示装置、エレクトロクロミック表示装置などの各種の表示装置を包含する。
なお、本明細書で用いる参照符号において、同族的な構成要素を総括的に表すために、英字を省略して数字のみを表記することがある。例えば、赤画素用ソースライン5R、緑画素用ソースライン5Gおよび青画素用ソースライン5Bを総括的にソースライン5と表記することがある。
参考例1
参考例1のLCDは、TFT基板と、これに対向配置されたCF(カラーフィルタ)基板と、両基板に挟まれた、ネマチック液晶材料などを含む液晶層とを有する。CF基板は、赤緑青の三色のカラーフィルタ層と、カラーフィルタ層を覆うITO(インジウム錫酸化物)などからなる共通電極と、共通電極を覆う液晶配向膜を有する。なお、カラーフィルタ層がTFT基板に形成されることもある。
図1を参照しながら、本参考例によるTFT基板を説明する。TFT基板の表示部1には、ゲートドライバ2から延びた複数のゲートライン4、ソースドライバ3から延びた複数のソースライン5が形成されている。複数のゲートライン4と複数のソースライン5との各交点近傍には、スイッチ素子として複数のTFT6が形成され、それぞれのTFT6には画素電極7が接続されている。画素電極7上にはポリイミドなどからなる液晶配向膜が形成されている。ゲートライン4でアドレスされたTFT6を通して、ソースライン5から各画素に対応した信号(画像信号)が画素電極7に供給される。これにより画素電極7とCF基板の共通電極との間に電圧が印加され、その画素の領域に対応する液晶層の光学特性が制御されて、表示が行なわれる。
本参考例のLCDにおいては、画素電極7と共通電極とが重畳する領域が画素となる。本明細書では、説明の便宜上、赤緑青の三色のカラーフィルタ層に対応する各画素を赤画素7R、緑画素7Gおよび青画素7Bと呼ぶ。また各色に対応する画素電極7を単に画素7と呼ぶこともある。例えば緑色に対応する画素電極7を緑画素7Gと呼ぶこともある。
図1に示すTFT基板では、行方向に赤画素7R、緑画素7Gおよび青画素7Bが周期的に直線状に配列されている。また一行毎に略1.5画素ピッチだけ行方向にずれて同色の画素7が配列されている。ゲートライン4は行方向に直線状に延びている。これに対して、ソースライン5は蛇行しながら、言い換えればクランク状または曲線状をなして列方向に延びている。同一のソースバスライン5から信号(画像信号)が供給される画素電極7は、ソースバスライン5に対して一行毎に左右交互に、すなわち千鳥状に配置されている。
図13はTFT基板上の一画素を拡大して示す平面図であり、図14は図13中のA−B−C線断面図、図15は図13中のD−E線断面図である。図13、図14および図15を参照しながら、本参考例のTFT基板の製造工程を説明するとともに、TFT基板の具体的な構成について説明する。
まず、ガラス基板10の基板全面に、プラズマCVD(Chemical Vapor Deposition )法により、SiON膜(厚さ100nm程度)を成膜することにより、ベースコート膜11を形成する。ベースコート膜11の全面に、プラズマCVD法により、原料ガスとしてジシラン(Si)を用いてアモルファスシリコン膜(厚さ50nm程度)を成膜する。さらに加熱処理を行なうことにより、アモルファスシリコン膜を結晶化(ポリシリコン膜に変成)する。その後、フォトリソグラフィ法によりパターン形成することにより、半導体層12を形成する。
半導体層12が形成されたベースコート膜11の全面に、プラズマCVD法により、SiON膜(厚さ115nm程度)を成膜することにより、ゲート絶縁膜13を形成する。ゲート絶縁膜13の全面に、スパッタリング法により窒化タンタル膜(厚さ50nm程度)およびタングステン膜(厚さ370nm程度)を順次成膜する。なお、窒化タンタル膜およびタングステン膜の積層膜に代わりに、タンタル、タングステン、チタン、モリブデン、アルミニウムおよび銅よりなる金属群から選ばれる少なくとも1種の金属元素、前記金属群から選ばれる少なくとも1種の金属元素を主成分とする合金材料または化合物材料を用いて、単層膜または積層膜を形成しても良い。
その後、フォトリソグラフィ法を用いてパターン形成することにより、ゲートライン4、ゲート電極4a、補助容量線15および所望により遮光層(不図示)を形成する。なお、遮光層はゲートライン4、ゲート電極4aおよび補助容量線15のいずれかと接触(物理的に接続)していても良く、あるいはゲートライン4、ゲート電極4aおよび補助容量線15のいずれとも接触していなくても良い。また本参考例では、2つのゲート電極4aが形成されたマルチゲート型であるが、ゲート電極4aが1つであっても良い。
ゲート電極4aをマスクとして、ゲート絶縁膜13を通して半導体層12に不純物元素をドープすることにより、ゲート電極4aに対応する部分にチャネル領域、その外側にソース電極領域およびドレイン電極領域を形成する。その後、加熱処理を行うことにより、ドープした不純物元素の活性化を行う。なお、不純物元素としてリンをドープすることによりNチャネル型のTFT6が形成され、ボロンをドープすることによりPチャネル型のTFT6が形成される。
ガラス基板10上に、CVD法により、窒化シリコン膜および酸化シリコン膜の二層構造からなる積層膜(厚さ950nm程度)を成膜することにより、層間絶縁膜14を形成する。半導体層12のソース電極領域に達するコンタクトホールCH1をゲート絶縁膜13および層間絶縁膜14に形成すると共に、 半導体層12のドレイン電極領域に達するコンタクトホールCH2をゲート絶縁膜13および層間絶縁膜14に形成する。
層間絶縁膜13の全面に、スパッタリング法により、チタン膜(厚さ100nm程度)、アルミニウム膜(厚さ500nm程度)およびチタン膜(厚さ100nm程度)を順次成膜する。その後、フォトリソグラフィ法を用いてパターン形成することにより、ソースライン(ソース電極を含む)5およびドレイン電極16を形成する。加熱処理を行なうことにより、半導体層12を水素化する工程を行なう。この水素化工程は、 窒化シリコン膜などからなる層間絶縁膜14に含まれる水素によって、半導体層12中のシリコンのダングリングボンドを終端する工程である。 さらに、 層間絶縁膜14上に、アクリル樹脂等の有機絶縁材料を膜厚1.6μm程度で塗布することにより、絶縁膜8を形成する。
ドレイン電極16に達するコンタクトホールCH3を絶縁膜8に形成する。絶縁膜8上に、スパッタリング法により、ITO膜を厚さ100nm程度で成膜した後、フォトリソグラフィ法を用いてパターン形成することにより、画素電極7を形成する。さらに、印刷法により、画素電極7および絶縁膜8上にポリイミド系樹脂の薄膜を成膜した後、ラビング処理を施すことにより、液晶配向膜を形成する。以上の工程により、本参考例のTFT基板が形成される。
次に、CF基板および本参考例のLCDの製造工程について説明する。Cr(クロム)あるいは黒色樹脂のブラックマスク材料をガラス基板上に塗布し、フォトプロセスにて遮光層(厚さ100nm程度)を形成する。赤緑青のそれぞれについて、カラーフィルタ膜のコーティング、フォトプロセスによる所定パターンの形成および焼成を行なうことにより、赤緑青のカラーフィルタ層(厚さ2μm程度)を形成する。カラーフィルタ層上に1μm程度の厚さでアクリル樹脂を塗布することにより、オーバコート層を形成する。オーバコート層上にマスクを介してITO膜(厚さ100nm程度)を成膜することにより、共通電極を形成する。TFT基板と同様に、CF基板上に液晶配向膜を形成する。
TFT基板またはCF基板に球状スペーサを散布しあるいは柱状スペーサを形成する。周辺シール材を介して両基板を貼り合せ、焼成を行なう。貼り合わされた基板をパネル単位に分断する。分断されたパネルのセル内に例えばTN(Twisted Nematic )液晶材料を減圧法により注入し、封止することにより、液晶層が形成される。以上の工程により、本参考例のLCDが作成される。
本参考例のLCDは、図13および図15に示すように、列方向に信号線5を介して隣り合う画素電極7,7間の距離D0が信号線(ソースライン)5の線幅w以上の長さである。なお、列方向に隣り合う画素電極7,7間の距離D0は、一方の画素電極7の端縁から列方向に信号線5を介して隣り合う他方の画素電極7の端縁までの最短距離である。また信号線(ソースライン)5の線幅wは、信号線5の幅方向(信号線5が延びる方向に対して直交する方向)における信号線5の両端縁間の距離である。
本参考例のLCDは、信号線5の行方向に延びる部分5aと画素電極7,7とが平面視において重畳していないので、信号線5による寄生容量Csd2が小さい。これにより、信号線5による引き込み電位を低減することができ、横縞の発生を抑えることができる。
列方向に信号線5を介して隣り合う画素電極7,7間の距離D0が信号線(ソースライン)5の線幅wよりも長い場合、平面視において画素電極7と信号線5との間に隙間が生じ、この隙間から光漏れが生じるおそれがある。本参考例では、列方向に信号線5を介して隣り合う画素電極7,7間の領域を少なくとも含む領域に、補助容量線15が形成されている。この補助容量線15が遮光層として機能するので、画素電極7と信号線5との隙間からの光漏れを防ぐことができる。なお、補助容量線15は、層間絶縁膜13を介して半導体層12と補助容量を形成する。
本参考例では、列方向に隣り合う画素電極7,7間の領域を少なくとも含む領域に、補助容量線15が形成されているが、補助容量線15に代えて走査線(ゲートライン)4が形成されていても良い。なお、所望により形成される遮光層は、列方向または行方向に隣り合う画素電極7,7間の領域を含む領域に配置され得る。
参考例2
参考例2のLCDは、参考例1のLCDと同様に、TFT基板と、これに対向配置されたCF基板と、両基板に挟まれた液晶層とを有する。本参考例のLCDは、TFT基板を除いて、参考例1とLCDと同様の構造を有する。図16は本参考例のTFT基板上の一画素を拡大して示す平面図である。図16においては、参考例1のTFT基板の構成要素と実質的に同じ機能を有する構成要素を同じ参照符号で示し、その説明を省略する。
本参考例のTFT基板において、列方向に延びる信号線5は、行方向に信号線5を介して隣り合う2つの画素電極7,7のうち信号線5により駆動される画素電極7側にずれて配置されている。図16を参照しながら、具体的に説明する。例えば緑画素7Gは緑画素用ソースライン5Gおよび青画素用ソースライン5Bに平面視において挟まれている。緑画素用ソースライン5Gの一部は、緑画素7Gおよび赤画素7Rと平面視においてそれぞれ重畳している。ただし、緑画素用ソースライン5Gと緑画素7Gとが重畳する領域の幅D1は、緑画素用ソースライン5Gと赤画素7Rとが重畳する領域の幅D2よりも広い。言い換えれば、緑画素用ソースライン5Gと緑画素7Gとの間の容量Csd1は、緑画素用ソースライン5Gと赤画素7Rとの間の容量Csd2よりも大きい。
同様に、青画素用ソースライン5Bと青画素7Bとが重畳する領域の幅D1は、青画素用ソースライン5Bと緑画素7Gとが重畳する領域の幅D2よりも広い。言い換えれば、青画素用ソースライン5Bと青画素7Bとの間の容量Csd1は、青画素用ソースライン5Bと緑画素7Gとの間の容量Csd2よりも大きい。したがって、列方向に延びるソースライン5が行方向に隣接する2つの画素電極7,7の中間に配置された場合と比べると、寄生容量Csd1は増加するが、寄生容量Csd2は減少する。
本参考例によれば、容量Csd2に起因する引き込み電位が減少するので、参考例1よりも行毎の引き込み電位の差がさらに小さくなり、横縞の発生を抑えることができる。
(実施形態
参考例2のLCDは、行方向において、画素電極7とその画素電極7を駆動しないソースライン5とが重畳している。しかし、容量Csd2をできる限り減少させるには、画素電極とその画素電極を駆動しないソースラインとが重畳していないことが望ましい。図17は本実施形態のTFT基板上の一画素を拡大して示す平面図である。図17においては、参考例1のTFT基板の構成要素と実質的に同じ機能を有する構成要素を同じ参照符号で示し、その説明を省略する。
本実施形態のTFT基板において、列方向に延びる信号線5は、行方向に信号線5を介して隣り合う2つの画素電極7,7のうち一方の画素電極と一部が重畳し、他方の画素電極7とは重畳していない。図17を参照しながら、具体的に説明する。例えば、緑画素用ソースライン5Gは一部が緑画素7Gと平面視において重畳しているが、行方向に緑画素用ソースライン5Gを介して緑画素7Gと隣り合う赤画素7Rとは重畳していない。同様に、青画素用ソースライン5Bは一部が青画素7Bと平面視において重畳しているが、行方向に青画素用ソースライン5Bを介して青画素7Bと隣り合う緑画素7Gとは重畳していない。本実施形態によれば、参考例1および2よりも、信号線5と画素電極7との間に生じる寄生容量Csd2をさらに減少させることができる。したがって、容量Csd2に起因する引き込み電位がさらに減少するので、参考例1および2よりも行毎の引き込み電位の差がさらに小さくなり、横縞の発生をさらに抑えることができる。
本実施形態では、行方向だけでなく、列方向においても画素電極7と信号線5との間に隙間が生じ、この隙間から光漏れが生じるおそれがある。したがって、行方向に信号線5を介して隣り合う画素電極7,7間の領域を少なくとも含む領域に、遮光層を形成することが望ましい。
(実施形態
参考例12及び実施形態1では、各画素(電極)7の形状が矩形であるが、各画素(電極)7の形状はこれに限定されない。図18は画素電極7の変形例を模式的に示す平面図である。例えば図18に示すように、画素電極7の形状が六角形であっても良い。
図18に示す画素配列では、参考例12及び実施形態1と同様に、赤画素7R、緑画素7Gおよび青画素7Bが行方向に周期的に配列されている。また信号線は蛇行して列方向に延び、走査線は蛇行して行方向に延びている。
(他の実施形態)
参考例12及び実施形態1〜2では、一行毎に略1.5画素ピッチだけ行方向にずれて同色の画素7が配列されたデルタ配列について説明した。しかし本発明の表示装置は、デルタ配列に限定されず、モザイク配列、スクエア配列であっても良い。例えば、奇数行目の画素に対して、同じ信号線により駆動される偶数行目の画素が、画素幅(行方向における画素ピッチ)の3/2の範囲内で行方向にずれた配列であって良い。
参考例12及び実施形態1〜2のLCDは透過型だけでなく、反射型や透過反射両用型であっても良い。例えば、画素領域の一部を反射画素電極で形成することによって、透過反射両用型LCDが得られる。透過型LCDでは走査線4や補助容量線15などにより有効画素面積が低下する。しかし走査線4や補助容量線15などの形成領域に反射画素電極を形成することによって、有効画素面積が向上する。
画素電極7と信号線5との間のスイッチング制御を行うスイッチ素子はTFTに限定されず、例えばMOS−FET(Metal Oxide Semiconductor - Field Effect Transistor)などの他の三端子素子でも良い。あるいは三端子素子に代えて、MIM(Metal Insulator Metal) などの非線型二端子素子を用いることもできる。
本発明の表示装置は、LCD、PDP、無機または有機EL表示装置、LED表示装置、蛍光表示管、電界放出型表示装置、電気泳動表示装置、エレクトロクロミック表示装置などの各種の表示装置に利用することができる。例えば、パソコンのディスプレイ、携帯端末のディスプレイ、カラーテレビなどに利用することができる。
デルタ配列された画素を有するLCDのTFT基板を模式的に示す平面図である。 図1に示すデルタ配列パネルにおけるソースラインと画素電極との間の容量を模式的に表した平面図である。 図2中の第2行目の緑画素7G2を中心とする画素配列の部分拡大図である。 図3中のA−B線断面を模式的に示す図である。 図3中のC−D線断面を模式的に示す図である。 ソースライン5から緑画素7Gへの電位の引き込みを示す平面図である。 本発明の表示装置における画素配列の模式的な平面図である。 図7中のA−B線断面図である。 比較例による画素配列の模式的な平面図である。 図9中のA−B線断面図である。 好ましい態様の表示装置における画素配列の模式的な平面図である。 図11中のC−D線断面図である。 TFT基板上の一画素を拡大して示す平面図である。 図13中のA−B−C線断面図である。 図13中のD−E線断面図である。 参考例2のTFT基板上の一画素を拡大して示す平面図である。 実施形態のTFT基板上の一画素を拡大して示す平面図である。 画素電極7の変形例を模式的に示す平面図である。
1 表示部
2 ゲートドライバ
3 ソースドライバ
4 ゲートライン
4a ゲート電極
5 ソースライン(信号線)
5R 赤画素用ソースライン
5G 緑画素用ソースライン
5B 青画素用ソースライン
6 TFT
7 画素(電極)
7R 赤画素
7G 緑画素
7B 青画素
8 絶縁膜
10 ガラス基板
11 ベースコート膜
12 半導体層
13 ゲート絶縁膜
14 層間絶縁膜
15 補助容量線
16 ドレイン電極
PS 画像信号
Csd1 画素電極とその画素電極を駆動するソースラインとの間の寄生容量
Csd2 画素電極とその画素電極を駆動しないソースラインとの間の寄生容量
D0 列方向に隣接する画素電極間の距離
w 信号線の幅
D1 画素電極とその画素電極を駆動するソースラインとが重畳する領域の幅
D2 画素電極とその画素電極を駆動しないソースラインとが重畳する領域の幅
CH1,CH2,CH3 コンタクトホール

Claims (8)

  1. 蛇行して列方向に延び、画像信号がそれぞれ供給される複数の信号線と、
    前記複数の信号線を覆う絶縁膜と、
    前記絶縁膜上に形成され、前記複数の信号線から前記画像信号がそれぞれ入力される複数の画素電極とを有する表示装置であって、
    列方向に隣り合う前記画素電極間の距離は前記信号線の線幅以上の長さであり
    前記信号線は、平面視において、該信号線の少なくとも一部が、前記信号線から前記画像信号が入力される第1画素電極と重畳する一方、該第1画素電極と前記信号線を介して行方向に隣り合う第2画素電極と重畳していない、表示装置。
  2. 前記画素電極と前記信号線との間のスイッチング制御を行うスイッチ素子と、前記スイッチ素子を開閉制御するための走査信号が供給される走査線とをさらに有し、
    前記走査線の形成領域は列方向に隣り合う前記画素電極間の領域を含む、請求項1に記載の表示装置。
  3. 補助容量を形成するための補助容量線をさらに有し、
    前記補助容量線の形成領域は列方向に隣り合う前記画素電極間の領域を含む、請求項1又は2に記載の表示装置。
  4. 列方向に隣り合う前記画素電極の間の領域を覆う第1の遮光層と、
    行方向に前記信号線を介して隣り合う画素電極の間の領域を覆う第2の遮光層とを備えている、請求項1に記載の表示装置。
  5. 前記画素電極と前記信号線との間のスイッチング制御を行うスイッチ素子と、前記スイッチ素子を開閉制御するための走査信号が供給される走査線とをさらに有し、
    前記第1又は第2の遮光層は、前記走査線と同層に形成されている、請求項に記載の表示装置。
  6. 前記第1又は第2の遮光層は、配線および電極のいずれとも接触していない、請求項に記載の表示装置。
  7. 前記画素電極と前記信号線との間のスイッチング制御を行うスイッチ素子と、前記スイッチ素子を開閉制御するための走査信号が供給される走査線とをさらに有し、
    前記第1又は第2の遮光層は、前記走査線と接続されている、請求項に記載の表示装置。
  8. 補助容量を形成するための補助容量線をさらに有し、
    前記第1又は第2の遮光層は、前記補助容量線と接続されている、請求項に記載の表示装置
JP2004028592A 2004-02-04 2004-02-04 表示装置 Expired - Fee Related JP4276965B2 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004028592A JP4276965B2 (ja) 2004-02-04 2004-02-04 表示装置
KR1020050009473A KR100764079B1 (ko) 2004-02-04 2005-02-02 표시장치
US11/047,820 US7394513B2 (en) 2004-02-04 2005-02-02 Display device having particular signal lines
TW094103453A TWI277917B (en) 2004-02-04 2005-02-03 Display device
CNA2009101321206A CN101556419A (zh) 2004-02-04 2005-02-04 显示装置
CNA2005100091656A CN1652165A (zh) 2004-02-04 2005-02-04 显示装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004028592A JP4276965B2 (ja) 2004-02-04 2004-02-04 表示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2005221682A JP2005221682A (ja) 2005-08-18
JP4276965B2 true JP4276965B2 (ja) 2009-06-10

Family

ID=34805924

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004028592A Expired - Fee Related JP4276965B2 (ja) 2004-02-04 2004-02-04 表示装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7394513B2 (ja)
JP (1) JP4276965B2 (ja)
KR (1) KR100764079B1 (ja)
CN (2) CN101556419A (ja)
TW (1) TWI277917B (ja)

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100637433B1 (ko) * 2004-05-24 2006-10-20 삼성에스디아이 주식회사 발광 표시 장치
CN100451784C (zh) * 2004-01-29 2009-01-14 夏普株式会社 显示装置
JP4276965B2 (ja) 2004-02-04 2009-06-10 シャープ株式会社 表示装置
US7605885B2 (en) * 2004-10-05 2009-10-20 Sharp Kabushiki Kaisha Electrode substrate and display device including the same
KR100612392B1 (ko) * 2004-10-13 2006-08-16 삼성에스디아이 주식회사 발광 표시 장치 및 발광 표시 패널
KR20070051037A (ko) * 2005-11-14 2007-05-17 삼성전자주식회사 액정 표시 장치
CN100412671C (zh) * 2006-03-30 2008-08-20 友达光电股份有限公司 液晶显示装置
EP2924498A1 (en) * 2006-04-06 2015-09-30 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Liquid crystal desplay device, semiconductor device, and electronic appliance
CN101553755A (zh) * 2006-12-12 2009-10-07 夏普株式会社 液晶显示装置
WO2009087705A1 (ja) * 2008-01-10 2009-07-16 Sharp Kabushiki Kaisha アクティブマトリクス基板及び液晶表示装置
TWI386902B (zh) * 2008-03-18 2013-02-21 Au Optronics Corp 基於點反轉操作之液晶顯示裝置
JP5206343B2 (ja) * 2008-11-13 2013-06-12 株式会社ワコム 位置指示器
US8681080B2 (en) * 2009-09-30 2014-03-25 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device
TWI398711B (zh) * 2009-12-22 2013-06-11 Au Optronics Corp 畫素結構及顯示面板
KR101699901B1 (ko) * 2010-07-09 2017-01-26 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판
CN104508547B (zh) * 2012-07-19 2017-09-19 夏普株式会社 液晶显示装置
CN104238217B (zh) * 2014-09-05 2017-03-01 深圳市华星光电技术有限公司 一种抗色偏显示面板
CN107077034B (zh) * 2014-09-12 2020-11-17 夏普株式会社 显示装置
JP2016075868A (ja) * 2014-10-09 2016-05-12 Nltテクノロジー株式会社 画素アレイ及び電気光学装置並びに電気機器並びに画素レンダリング方法
JP2016085365A (ja) * 2014-10-27 2016-05-19 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
CN105572950A (zh) * 2014-11-06 2016-05-11 立景光电股份有限公司 硅基液晶显示装置
CN104570531A (zh) * 2015-02-05 2015-04-29 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及显示装置
US9865646B2 (en) * 2015-09-30 2018-01-09 Cheng-Chang TransFlex Display Corp. Flexible LED display
JP6727952B2 (ja) * 2016-06-24 2020-07-22 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
WO2019026132A1 (ja) * 2017-07-31 2019-02-07 シャープ株式会社 表示デバイス
CN110808263B (zh) * 2018-08-06 2020-09-22 云谷(固安)科技有限公司 显示面板、显示屏及显示终端
CN110767830A (zh) * 2018-12-28 2020-02-07 云谷(固安)科技有限公司 透明oled基板、阵列基板、显示屏及显示装置
KR20200127073A (ko) * 2019-04-30 2020-11-10 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN114442383B (zh) * 2022-01-30 2024-01-09 合肥京东方光电科技有限公司 显示面板和显示装置

Family Cites Families (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60218626A (ja) 1984-04-13 1985-11-01 Sharp Corp カラ−液晶表示装置
JPH05127195A (ja) 1991-11-08 1993-05-25 Toshiba Corp 液晶表示装置
JPH05144288A (ja) * 1991-11-19 1993-06-11 Toshiba Corp 半導体メモリ装置
US5459595A (en) 1992-02-07 1995-10-17 Sharp Kabushiki Kaisha Active matrix liquid crystal display
EP0592063A3 (en) 1992-09-14 1994-07-13 Toshiba Kk Active matrix liquid crystal display device
US5822026A (en) 1994-02-17 1998-10-13 Seiko Epson Corporation Active matrix substrate and color liquid crystal display
JPH10325961A (ja) 1994-03-17 1998-12-08 Hitachi Ltd アクティブマトリクス型液晶表示装置
JP3164489B2 (ja) 1994-06-15 2001-05-08 シャープ株式会社 液晶表示パネル
JP3688786B2 (ja) 1995-07-24 2005-08-31 富士通ディスプレイテクノロジーズ株式会社 トランジスタマトリクス装置
JP3208318B2 (ja) * 1996-03-06 2001-09-10 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション カードホルダ
JPH1090702A (ja) 1996-09-18 1998-04-10 Toshiba Corp 液晶表示装置
JP3992797B2 (ja) * 1996-09-25 2007-10-17 東芝松下ディスプレイテクノロジー株式会社 液晶表示装置
US5953088A (en) 1997-12-25 1999-09-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Liquid crystal display with shield electrodes arranged to alternately overlap adjacent pixel electrodes
KR19990060948A (ko) * 1997-12-31 1999-07-26 김영환 횡전극구동 모드 박막트랜지스터 액정표시소자
JP3361049B2 (ja) 1998-03-20 2003-01-07 株式会社東芝 液晶表示装置
KR19990080392A (ko) * 1998-04-16 1999-11-05 김영환 액정 표시 소자
JP3036512B2 (ja) * 1998-05-26 2000-04-24 日本電気株式会社 液晶表示装置
JP2000206560A (ja) 1999-01-18 2000-07-28 Toshiba Corp アクティブマトリクス型液晶表示装置
JP2000221524A (ja) * 1999-01-29 2000-08-11 Sanyo Electric Co Ltd カラー液晶表示装置
KR100330363B1 (ko) 1999-03-18 2002-04-01 니시무로 타이죠 액티브 매트릭스형 액정표시장치
JP3716132B2 (ja) * 1999-06-23 2005-11-16 アルプス電気株式会社 液晶表示装置
JP3777893B2 (ja) * 1999-08-05 2006-05-24 セイコーエプソン株式会社 液晶表示装置
JP2001318390A (ja) 2000-05-12 2001-11-16 Toshiba Corp アクティブマトリクス型液晶表示装置
JP3918412B2 (ja) 2000-08-10 2007-05-23 ソニー株式会社 薄膜半導体装置及び液晶表示装置とこれらの製造方法
JP2002151699A (ja) * 2000-11-15 2002-05-24 Casio Comput Co Ltd アクティブマトリクス型液晶表示装置
JP3793915B2 (ja) 2001-02-28 2006-07-05 株式会社日立製作所 液晶表示装置
KR100475636B1 (ko) * 2001-08-20 2005-03-10 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치용 어레이기판 제조방법
JP2002156647A (ja) 2001-09-12 2002-05-31 Seiko Epson Corp 液晶表示装置および電子機器
JP3625283B2 (ja) 2002-01-18 2005-03-02 株式会社日立製作所 アクティブマトリクス型液晶表示装置
US7428218B2 (en) 2002-08-01 2008-09-23 Teradyne, Inc. Flexible approach for representing different bus protocols
CN100451784C (zh) 2004-01-29 2009-01-14 夏普株式会社 显示装置
JP4276965B2 (ja) 2004-02-04 2009-06-10 シャープ株式会社 表示装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR20050079227A (ko) 2005-08-09
CN101556419A (zh) 2009-10-14
TW200530965A (en) 2005-09-16
US20050168678A1 (en) 2005-08-04
JP2005221682A (ja) 2005-08-18
US7394513B2 (en) 2008-07-01
TWI277917B (en) 2007-04-01
KR100764079B1 (ko) 2007-10-09
CN1652165A (zh) 2005-08-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4276965B2 (ja) 表示装置
JP4438665B2 (ja) 液晶表示装置
JP5351498B2 (ja) 液晶表示装置、及びその駆動方法
JP4972526B2 (ja) 液晶表示装置及びその製造方法
JP3892841B2 (ja) 液晶表示装置
JP5102848B2 (ja) アクティブマトリクス基板及び液晶表示装置
US9606392B2 (en) Display panel and liquid crystal display including the same
JP2003207803A (ja) 横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置
US7843539B2 (en) Thin film transistor substrate and liquid crystal display having the same
US6850303B2 (en) Liquid crystal display device having additional storage capacitance
JP2008197493A (ja) 液晶表示装置
KR20080075687A (ko) 박막 트랜지스터 기판 및 이를 구비하는 액정 표시 장치
JP2001281696A (ja) アクティブマトリクス型液晶表示装置
WO2010103676A1 (ja) アクティブマトリクス基板、表示パネル、表示装置、並びに電子機器
JP6960002B2 (ja) 液晶表示装置
JP5124297B2 (ja) 薄膜トランジスタアレイ基板、及び表示装置
US12072591B2 (en) Liquid crystal display device
KR102064737B1 (ko) 액정표시장치 및 그 제조방법
KR101378055B1 (ko) 액정표시장치
WO2015141739A1 (ja) 液晶表示装置
JP2022000717A (ja) 液晶表示装置
KR20070121266A (ko) 액정표시장치 및 그 제조방법
JP2007212513A (ja) アクティブマトリクス基板及びそれを備えた表示装置
JP2008096730A (ja) 表示パネル及びそれに用いられるカラーフィルタ基板
JP2022072219A (ja) アクティブマトリクス基板および表示装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20060125

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20081022

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20081125

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090121

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20090210

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20090309

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120313

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120313

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130313

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140313

Year of fee payment: 5

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees