JP4276965B2 - 表示装置 - Google Patents
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Description
(ただし、Vsl 0 は引き込み前の電位(緑画素7Gに画像信号を入力するためのソースライン5GからTFTを介して印加された電位)、ΔVsl 1は緑画素7Gに画像信号を入力するためのソースライン5Gの電圧振幅、ΔVsl 2は緑画素7Gには画像信号を入力しないソースライン5Rまたは5Bの電圧振幅、Cpixは緑画素7Gにかかる容量(寄生容量、補助容量等)の合計である。)
図6はソースライン5から緑画素7Gへの電位の引き込みを示す平面図である。図6中の上段の緑画素7G1は赤画素用ソースライン5Rおよび緑画素用ソースライン5Gにより電位が引き込まれ、図6中の下段の緑画素7G2は緑画素用ソースライン5Gおよび青画素用ソースライン5Bにより電位が引き込まれる。したがって、上段の緑画素7G1および下段の緑画素7G2は緑画素用ソースライン5Gによる引き込み電位が共通である。しかし、赤画素用ソースライン5Rによる引き込み電位と青画素用ソースライン5Bによる引き込み電位とが等しいとは限らないので、上段の緑画素7G1と下段の緑画素7G2とで引き込み電位の差が生じることがある。すなわち、緑画素7Gへの印加電圧が一行毎に異なることがあり得る。この場合、一行毎の画素の輝度差が横縞となって現れ、均一な表示が得られない。例えば赤画素7Rが白表示(透過率が最も高い状態)、緑画素7Gが中間調表示、青画素7Bが黒表示(透過率が最も低い状態)の場合、横縞が顕著に見える。
参考例1のLCDは、TFT基板と、これに対向配置されたCF(カラーフィルタ)基板と、両基板に挟まれた、ネマチック液晶材料などを含む液晶層とを有する。CF基板は、赤緑青の三色のカラーフィルタ層と、カラーフィルタ層を覆うITO(インジウム錫酸化物)などからなる共通電極と、共通電極を覆う液晶配向膜を有する。なお、カラーフィルタ層がTFT基板に形成されることもある。
参考例2のLCDは、参考例1のLCDと同様に、TFT基板と、これに対向配置されたCF基板と、両基板に挟まれた液晶層とを有する。本参考例のLCDは、TFT基板を除いて、参考例1とLCDと同様の構造を有する。図16は本参考例のTFT基板上の一画素を拡大して示す平面図である。図16においては、参考例1のTFT基板の構成要素と実質的に同じ機能を有する構成要素を同じ参照符号で示し、その説明を省略する。
参考例2のLCDは、行方向において、画素電極7とその画素電極7を駆動しないソースライン5とが重畳している。しかし、容量Csd2をできる限り減少させるには、画素電極とその画素電極を駆動しないソースラインとが重畳していないことが望ましい。図17は本実施形態のTFT基板上の一画素を拡大して示す平面図である。図17においては、参考例1のTFT基板の構成要素と実質的に同じ機能を有する構成要素を同じ参照符号で示し、その説明を省略する。
参考例1〜2及び実施形態1では、各画素(電極)7の形状が矩形であるが、各画素(電極)7の形状はこれに限定されない。図18は画素電極7の変形例を模式的に示す平面図である。例えば図18に示すように、画素電極7の形状が六角形であっても良い。
参考例1〜2及び実施形態1〜2では、一行毎に略1.5画素ピッチだけ行方向にずれて同色の画素7が配列されたデルタ配列について説明した。しかし本発明の表示装置は、デルタ配列に限定されず、モザイク配列、スクエア配列であっても良い。例えば、奇数行目の画素に対して、同じ信号線により駆動される偶数行目の画素が、画素幅(行方向における画素ピッチ)の3/2の範囲内で行方向にずれた配列であって良い。
2 ゲートドライバ
3 ソースドライバ
4 ゲートライン
4a ゲート電極
5 ソースライン(信号線)
5R 赤画素用ソースライン
5G 緑画素用ソースライン
5B 青画素用ソースライン
6 TFT
7 画素(電極)
7R 赤画素
7G 緑画素
7B 青画素
8 絶縁膜
10 ガラス基板
11 ベースコート膜
12 半導体層
13 ゲート絶縁膜
14 層間絶縁膜
15 補助容量線
16 ドレイン電極
PS 画像信号
Csd1 画素電極とその画素電極を駆動するソースラインとの間の寄生容量
Csd2 画素電極とその画素電極を駆動しないソースラインとの間の寄生容量
D0 列方向に隣接する画素電極間の距離
w 信号線の幅
D1 画素電極とその画素電極を駆動するソースラインとが重畳する領域の幅
D2 画素電極とその画素電極を駆動しないソースラインとが重畳する領域の幅
CH1,CH2,CH3 コンタクトホール
Claims (8)
- 蛇行して列方向に延び、画像信号がそれぞれ供給される複数の信号線と、
前記複数の信号線を覆う絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成され、前記複数の信号線から前記画像信号がそれぞれ入力される複数の画素電極とを有する表示装置であって、
列方向に隣り合う前記画素電極間の距離は前記信号線の線幅以上の長さであり、
前記信号線は、平面視において、該信号線の少なくとも一部が、前記信号線から前記画像信号が入力される第1画素電極と重畳する一方、該第1画素電極と前記信号線を介して行方向に隣り合う第2画素電極と重畳していない、表示装置。 - 前記画素電極と前記信号線との間のスイッチング制御を行うスイッチ素子と、前記スイッチ素子を開閉制御するための走査信号が供給される走査線とをさらに有し、
前記走査線の形成領域は列方向に隣り合う前記画素電極間の領域を含む、請求項1に記載の表示装置。 - 補助容量を形成するための補助容量線をさらに有し、
前記補助容量線の形成領域は列方向に隣り合う前記画素電極間の領域を含む、請求項1又は2に記載の表示装置。 - 列方向に隣り合う前記画素電極の間の領域を覆う第1の遮光層と、
行方向に前記信号線を介して隣り合う画素電極の間の領域を覆う第2の遮光層とを備えている、請求項1に記載の表示装置。 - 前記画素電極と前記信号線との間のスイッチング制御を行うスイッチ素子と、前記スイッチ素子を開閉制御するための走査信号が供給される走査線とをさらに有し、
前記第1又は第2の遮光層は、前記走査線と同層に形成されている、請求項4に記載の表示装置。 - 前記第1又は第2の遮光層は、配線および電極のいずれとも接触していない、請求項4に記載の表示装置。
- 前記画素電極と前記信号線との間のスイッチング制御を行うスイッチ素子と、前記スイッチ素子を開閉制御するための走査信号が供給される走査線とをさらに有し、
前記第1又は第2の遮光層は、前記走査線と接続されている、請求項4に記載の表示装置。 - 補助容量を形成するための補助容量線をさらに有し、
前記第1又は第2の遮光層は、前記補助容量線と接続されている、請求項4に記載の表示装置。
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