JP3462135B2 - 二次元画像検出器およびアクティブマトリクス基板並びに表示装置 - Google Patents
二次元画像検出器およびアクティブマトリクス基板並びに表示装置Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、アクティブマトリ
クス基板における電極配線を外部と接続する接続端子
（入出力端子、表示装置では主に入力端子）を備え、光
反応性を有する異方導電接着剤により、外部と接続され
る二次元画像検出器およびアクティブマトリクス基板並
びに表示装置に関するものであり、より詳しくは、低温
で外部との接続が容易であり、また、抵抗値を一定に維
持することができるアクティブマトリクス基板およびそ
れを用いた二次元画像検出器並びに表示装置に関するも
のである。
クス基板における電極配線を外部と接続する接続端子
（入出力端子、表示装置では主に入力端子）を備え、光
反応性を有する異方導電接着剤により、外部と接続され
る二次元画像検出器およびアクティブマトリクス基板並
びに表示装置に関するものであり、より詳しくは、低温
で外部との接続が容易であり、また、抵抗値を一定に維
持することができるアクティブマトリクス基板およびそ
れを用いた二次元画像検出器並びに表示装置に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、放射線二次元画像検出器とし
て、たとえばＸ線を感知して電荷（電子−正孔ペア）を
発生する（すなわち、光導電性を有する）半導体層およ
び画素電極等からなる半導体センサーを二次元状（行方
向および列方向）に配置し、各画素電極毎にスイッチン
グ素子を設けて、各行毎にスイッチング素子を順次オン
にして各列毎に上記電荷を読み出すものが知られてい
る。
て、たとえばＸ線を感知して電荷（電子−正孔ペア）を
発生する（すなわち、光導電性を有する）半導体層およ
び画素電極等からなる半導体センサーを二次元状（行方
向および列方向）に配置し、各画素電極毎にスイッチン
グ素子を設けて、各行毎にスイッチング素子を順次オン
にして各列毎に上記電荷を読み出すものが知られてい
る。
【０００３】たとえば、文献「D.L.Lee,et al., “A Ne
w Digital Detector for Projection Radiography", SP
IE,2432,pp.237-249,1995 」、「L.S.Jeromin,et.al.,
“Application of a-Si Active-Matrix Technology in
a X-Ray Detector Panel",SID97 DIGEST,pp.91-94,1997
」、特開平６−３４２０９８号公報等に具体的な構造
や原理が記載されている。
w Digital Detector for Projection Radiography", SP
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“Application of a-Si Active-Matrix Technology in
a X-Ray Detector Panel",SID97 DIGEST,pp.91-94,1997
」、特開平６−３４２０９８号公報等に具体的な構造
や原理が記載されている。
【０００４】以下において、一般的な放射線二次元画像
検出器の構成と原理について説明する。図６は、放射線
二次元画像検出器の構造を模式的に示した図である。ま
た図７は、上記放射線二次元画像検出器の１画素当たり
の構成断面を模式的に示した図である。
検出器の構成と原理について説明する。図６は、放射線
二次元画像検出器の構造を模式的に示した図である。ま
た図７は、上記放射線二次元画像検出器の１画素当たり
の構成断面を模式的に示した図である。
【０００５】上記放射線二次元画像検出器は、図６ない
し図８に示すように、ガラス基板上に、ＸＹマトリクス
状の電極配線（複数のゲート電極Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３，
…、Ｇｎからなるゲート電極群５２および複数のソース
電極Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３、…、Ｓｎからなるソース電極群
５３）、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）５４、電荷蓄積容
量（Ｃｓ) ５５等が設けられたアクティブマトリクス基
板５１が設けられている。また、図示しない上記アクテ
ィブマトリクス基板５１の周辺部には、入出力端子が設
けられている。また、上記アクティブマトリクス基板５
１上には、そのほぼ全面に、光導電膜５６、誘電体層５
７および上部電極５８が形成されている。
し図８に示すように、ガラス基板上に、ＸＹマトリクス
状の電極配線（複数のゲート電極Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３，
…、Ｇｎからなるゲート電極群５２および複数のソース
電極Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３、…、Ｓｎからなるソース電極群
５３）、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）５４、電荷蓄積容
量（Ｃｓ) ５５等が設けられたアクティブマトリクス基
板５１が設けられている。また、図示しない上記アクテ
ィブマトリクス基板５１の周辺部には、入出力端子が設
けられている。また、上記アクティブマトリクス基板５
１上には、そのほぼ全面に、光導電膜５６、誘電体層５
７および上部電極５８が形成されている。
【０００６】上記電荷蓄積容量５５は、Ｃｓ電極５９
と、上記ＴＦＴ５４のドレイン電極に接続された画素電
極６０とが、絶縁膜６１を介して対抗している構成であ
る。
と、上記ＴＦＴ５４のドレイン電極に接続された画素電
極６０とが、絶縁膜６１を介して対抗している構成であ
る。
【０００７】上記光導電膜５６（非晶質半導体層）に
は、Ｘ線等の放射線が照射されることにより電荷（電子
−正孔ペア) が発生する半導体材料が用いられる。上記
文献によれば半導体材料としては、暗抵抗が高く、Ｘ線
照射に対して良好な光導電性（光導電特性）を示し、蒸
着により大面積成膜が容易な非晶質（アモルファス）−
セレニウム( ａ−Ｓｅ) が用いられている。該光導電膜
( ａ−Ｓｅ膜) ５６は、真空蒸着法によって３００〜６
００μm の厚みで形成されている。
は、Ｘ線等の放射線が照射されることにより電荷（電子
−正孔ペア) が発生する半導体材料が用いられる。上記
文献によれば半導体材料としては、暗抵抗が高く、Ｘ線
照射に対して良好な光導電性（光導電特性）を示し、蒸
着により大面積成膜が容易な非晶質（アモルファス）−
セレニウム( ａ−Ｓｅ) が用いられている。該光導電膜
( ａ−Ｓｅ膜) ５６は、真空蒸着法によって３００〜６
００μm の厚みで形成されている。
【０００８】また、上記アクティブマトリクス基板５１
には、液晶表示装置を製造する過程で形成されるアクテ
ィブマトリクス基板を流用することが可能である。たと
えば、アクティブマトリクス型液晶表示装置（ＡＭＬＣ
Ｄ：Ａｃｔｉｖｅ Ｍａｔｒｉｘ ＬＣＤ）に用いられ
るアクティブマトリクス基板は、アモルファスシリコン
（ａ−Ｓｉ）やポリシリコン（ｐ−Ｓｉ）によって形成
されたＴＦＴや、ＸＹマトリクス電極、電荷蓄積容量を
備えた構造になっており、若干の設計変更を行うだけ
で、放射線二次元画像検出器用のアクティブマトリクス
基板として利用することができる。
には、液晶表示装置を製造する過程で形成されるアクテ
ィブマトリクス基板を流用することが可能である。たと
えば、アクティブマトリクス型液晶表示装置（ＡＭＬＣ
Ｄ：Ａｃｔｉｖｅ Ｍａｔｒｉｘ ＬＣＤ）に用いられ
るアクティブマトリクス基板は、アモルファスシリコン
（ａ−Ｓｉ）やポリシリコン（ｐ−Ｓｉ）によって形成
されたＴＦＴや、ＸＹマトリクス電極、電荷蓄積容量を
備えた構造になっており、若干の設計変更を行うだけ
で、放射線二次元画像検出器用のアクティブマトリクス
基板として利用することができる。
【０００９】次に、上記構造の放射線二次元画像検出器
の動作原理について説明する。ａ−Ｓｅ膜等の上記光導
電膜５６に、放射線が照射されると、光導電膜５６内に
電荷（電子−正孔ペア）が発生する。図６ないし図８に
示すように、光導電膜５６と電荷蓄積容量５５とは、電
気的に直列に接続された構造になっているので、上部電
極５８とＣｓ電極５９との間に電圧を印加しておくと、
光導電膜５６で発生した電荷（電子−正孔ペア）がそれ
ぞれ＋電極側と−電極側に移動し、その結果電荷蓄積容
量５５に電荷が蓄積される仕組みになっている。なお、
光導電膜５６と電荷蓄積容量５５との間には、薄い絶縁
層からなるキャリア阻止層６２が形成されており、これ
が一方側からの電荷の注入を阻止する役割を果たしてい
る。
の動作原理について説明する。ａ−Ｓｅ膜等の上記光導
電膜５６に、放射線が照射されると、光導電膜５６内に
電荷（電子−正孔ペア）が発生する。図６ないし図８に
示すように、光導電膜５６と電荷蓄積容量５５とは、電
気的に直列に接続された構造になっているので、上部電
極５８とＣｓ電極５９との間に電圧を印加しておくと、
光導電膜５６で発生した電荷（電子−正孔ペア）がそれ
ぞれ＋電極側と−電極側に移動し、その結果電荷蓄積容
量５５に電荷が蓄積される仕組みになっている。なお、
光導電膜５６と電荷蓄積容量５５との間には、薄い絶縁
層からなるキャリア阻止層６２が形成されており、これ
が一方側からの電荷の注入を阻止する役割を果たしてい
る。
【００１０】上記の作用で、電荷蓄積容量５５に蓄積さ
れた電荷は、ゲート電極Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３，…，Ｇｎの
入力信号によってＴＦＴ５４をＯＮ状態にすることでソ
ース電極Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，…，Ｓｎより外部に取り出
すことが可能である。ゲート電極群５２およびソース電
極群５３、ＴＦＴ５４および電荷蓄積容量５５等は、す
べてＸＹマトリクス状に設けられているため、各ゲート
電極Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３，…，Ｇｎに入力する信号を線順
次に走査することで、二次元的にＸ線の画像情報を得る
ことが可能となる。
れた電荷は、ゲート電極Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３，…，Ｇｎの
入力信号によってＴＦＴ５４をＯＮ状態にすることでソ
ース電極Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，…，Ｓｎより外部に取り出
すことが可能である。ゲート電極群５２およびソース電
極群５３、ＴＦＴ５４および電荷蓄積容量５５等は、す
べてＸＹマトリクス状に設けられているため、各ゲート
電極Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３，…，Ｇｎに入力する信号を線順
次に走査することで、二次元的にＸ線の画像情報を得る
ことが可能となる。
【００１１】なお、上記放射線二次元画像検出器は、使
用する光導電膜がＸ線等の放射線に対する光導電性だけ
でなく、可視光線や赤外線に対しても光導電性を示す場
合は、可視光線や赤外線の二次元画像検出器としても作
用する。たとえば、上述したａ−Ｓｅ膜は、可視光線に
対して良好な光導電性を有し、高電界印加時のアバラン
シェ効果を利用した高感度イメージセンサの開発等も進
められている。
用する光導電膜がＸ線等の放射線に対する光導電性だけ
でなく、可視光線や赤外線に対しても光導電性を示す場
合は、可視光線や赤外線の二次元画像検出器としても作
用する。たとえば、上述したａ−Ｓｅ膜は、可視光線に
対して良好な光導電性を有し、高電界印加時のアバラン
シェ効果を利用した高感度イメージセンサの開発等も進
められている。
【００１２】ところで、上記の放射線二次元画像検出器
には、アクティブマトリクス基板５１の周辺部におい
て、上述したゲート電極群５２およびソース電極群５３
にそれぞれスイッチング素子（ＴＦＴ）の駆動電圧を供
給する「駆動回路」（駆動ＩＣ）と、画像情報の読み出
しを行なう「読み出し回路」（読み出しＩＣ）とが実装
されている。これらの回路を実装する方法としては、主
にＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇ
ｅ）方式やＣＯＧ（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方式
が用いられる。
には、アクティブマトリクス基板５１の周辺部におい
て、上述したゲート電極群５２およびソース電極群５３
にそれぞれスイッチング素子（ＴＦＴ）の駆動電圧を供
給する「駆動回路」（駆動ＩＣ）と、画像情報の読み出
しを行なう「読み出し回路」（読み出しＩＣ）とが実装
されている。これらの回路を実装する方法としては、主
にＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇ
ｅ）方式やＣＯＧ（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方式
が用いられる。
【００１３】図９（ａ）は、ＴＣＰ方式の実装例を示す
図である。ＴＣＰ方式はポリイミド等のべースフィルム
が備えられたＴＣＰ基板６７上に、銅箔等で配線パター
ンを形成し、駆動ＩＣ６５や読み出しＩＣ６６等の電気
部材を搭載したものである。このＴＣＰ基板６７の一方
端は、放射線二次元画像検出器を形成するアクティブマ
トリクス基板５１周辺部の図示しない入出力端子に接続
され、他方端は外部の回路基盤（ＰＷＢ：Ｐｒｉｎｔｅ
ｄ Ｗｉｒｉｎｇ Ｂｏａｒｄ）６８に接続される。
図である。ＴＣＰ方式はポリイミド等のべースフィルム
が備えられたＴＣＰ基板６７上に、銅箔等で配線パター
ンを形成し、駆動ＩＣ６５や読み出しＩＣ６６等の電気
部材を搭載したものである。このＴＣＰ基板６７の一方
端は、放射線二次元画像検出器を形成するアクティブマ
トリクス基板５１周辺部の図示しない入出力端子に接続
され、他方端は外部の回路基盤（ＰＷＢ：Ｐｒｉｎｔｅ
ｄ Ｗｉｒｉｎｇ Ｂｏａｒｄ）６８に接続される。
【００１４】また、図９（ｂ）は、ＣＯＧ方式の実装例
を示す図である。これは、駆動ＩＣ６５や読み出しＩＣ
６６を、放射線二次元画像検出器におけるアクティブマ
トリクス基板５１上（すなわちガラス基板上）に直接搭
載・接続する方式である。なお、駆動ＩＣ６５や読み出
しＩＣ６６への電源や信号の入出力は、ＦＰＣ（Ｆｌｅ
ｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）基板６
９を用いて行われる。さらに、ＣＯＧ方式の発展形態と
して、アクティブマトリクス基板５１製造時に、駆動Ｉ
Ｃ６５や読み出しＩＣ６６をモノリシックに形成するこ
とも可能である。
を示す図である。これは、駆動ＩＣ６５や読み出しＩＣ
６６を、放射線二次元画像検出器におけるアクティブマ
トリクス基板５１上（すなわちガラス基板上）に直接搭
載・接続する方式である。なお、駆動ＩＣ６５や読み出
しＩＣ６６への電源や信号の入出力は、ＦＰＣ（Ｆｌｅ
ｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）基板６
９を用いて行われる。さらに、ＣＯＧ方式の発展形態と
して、アクティブマトリクス基板５１製造時に、駆動Ｉ
Ｃ６５や読み出しＩＣ６６をモノリシックに形成するこ
とも可能である。
【００１５】上述した実装方法の中で、ＴＣＰ基板６７
とアクティブマトリクス基板５１との接続（ＴＣＰ接
続）、駆動ＩＣ６５または読み出しＩＣ６６とアクティ
ブマトリクス基板５１との接続（ＣＯＧ接続）、ＦＰＣ
基板６９とアクティブマトリクス基板５１との接続（Ｆ
ＰＣ接続）等には、通常、異方導電接着剤が用いられる
接着部６３が設けられている。
とアクティブマトリクス基板５１との接続（ＴＣＰ接
続）、駆動ＩＣ６５または読み出しＩＣ６６とアクティ
ブマトリクス基板５１との接続（ＣＯＧ接続）、ＦＰＣ
基板６９とアクティブマトリクス基板５１との接続（Ｆ
ＰＣ接続）等には、通常、異方導電接着剤が用いられる
接着部６３が設けられている。
【００１６】接着部６３として用いられる異方導電接着
剤とは、接着性を有する樹脂（バインダー）に導電粒子
が均一に分散されたもので、ぺースト状のものやフィル
ム状のものがある。特殊なものでは、接着フィルム内に
柱状に導電材が配列されたものもある。これら異方導電
接着剤に用いられるバインダーには、一般に熱硬化性樹
脂や熱可塑性樹脂が用いられる。以下の表１に、代表的
な異方導電接着剤の接続条件を示す。
剤とは、接着性を有する樹脂（バインダー）に導電粒子
が均一に分散されたもので、ぺースト状のものやフィル
ム状のものがある。特殊なものでは、接着フィルム内に
柱状に導電材が配列されたものもある。これら異方導電
接着剤に用いられるバインダーには、一般に熱硬化性樹
脂や熱可塑性樹脂が用いられる。以下の表１に、代表的
な異方導電接着剤の接続条件を示す。
【００１７】
【表１】
上記表１に示すように、従来の熱硬化性樹脂や熱可塑性
樹脂を用いた異方導電接着剤では、加圧下、上記樹脂の
熱硬化反応または熱可塑反応により接着性および導電性
を発現させるため、通常、( １５０℃以上) ×（５〜３
０秒）の加熱処理が必要とされている。
樹脂を用いた異方導電接着剤では、加圧下、上記樹脂の
熱硬化反応または熱可塑反応により接着性および導電性
を発現させるため、通常、( １５０℃以上) ×（５〜３
０秒）の加熱処理が必要とされている。
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂を用いた放射線二次元
画像検出器では、アクティブマトリクス基板５１の周辺
部に駆動ＩＣ６５や読み出しＩＣ６６をＴＣＰ方式やＣ
ＯＧ方式で実装する場合、異方導電接着剤を硬化等させ
るために外部より加える熱が、アクティブマトリクス基
板５１を伝わり、アクティブマトリクス基板５１上に成
膜されているａ−Ｓｅ膜（光導電膜５６）、特に撮像領
域の周辺部のａ−Ｓｅ膜に伝わってしまうという問題点
がある。具体的には、ａ−Ｓｅ膜に熱が伝わると、以下
のような不都合が発生する。
来の熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂を用いた放射線二次元
画像検出器では、アクティブマトリクス基板５１の周辺
部に駆動ＩＣ６５や読み出しＩＣ６６をＴＣＰ方式やＣ
ＯＧ方式で実装する場合、異方導電接着剤を硬化等させ
るために外部より加える熱が、アクティブマトリクス基
板５１を伝わり、アクティブマトリクス基板５１上に成
膜されているａ−Ｓｅ膜（光導電膜５６）、特に撮像領
域の周辺部のａ−Ｓｅ膜に伝わってしまうという問題点
がある。具体的には、ａ−Ｓｅ膜に熱が伝わると、以下
のような不都合が発生する。
【００１９】一般に、６０〜８０℃以上の温度で蒸着に
より成膜したａ−Ｓｅ膜は非晶質で、暗抵抗が１０12Ω
ｃｍ程度と高く、二次元画像検出器に適した性能を有す
るが、成膜後に加熱処理が加わると、暗抵抗が最大で１
０5 Ωｃｍ程度にまで低下してしまう現象が見られる。
これは、加熱により非晶質であったａ−Ｓｅの結晶化が
促進されるためである。また、ａ−Ｓｅ膜の上記結晶化
は、高温では勿論のこと、６０〜８０℃といった比較的
低温の条件下においても進行することが知られている。
より成膜したａ−Ｓｅ膜は非晶質で、暗抵抗が１０12Ω
ｃｍ程度と高く、二次元画像検出器に適した性能を有す
るが、成膜後に加熱処理が加わると、暗抵抗が最大で１
０5 Ωｃｍ程度にまで低下してしまう現象が見られる。
これは、加熱により非晶質であったａ−Ｓｅの結晶化が
促進されるためである。また、ａ−Ｓｅ膜の上記結晶化
は、高温では勿論のこと、６０〜８０℃といった比較的
低温の条件下においても進行することが知られている。
【００２０】一般に、放射線二次元画像検出器におい
て、ａ−Ｓｅ膜が光導電膜として用いられる理由の一つ
は、その暗抵抗が高いために、Ｘ線に対する感度（Ｓ／
Ｎ比：ｓｉｇｎａｌ ｔｏ ｎｏｉｓｅ ｒａｔｉｏ）
の優れた画像信号が得られるためである。したがって、
加熱による暗抵抗の低下は、放射線二次元画像検出器に
とって、致命的な問題となる。
て、ａ−Ｓｅ膜が光導電膜として用いられる理由の一つ
は、その暗抵抗が高いために、Ｘ線に対する感度（Ｓ／
Ｎ比：ｓｉｇｎａｌ ｔｏ ｎｏｉｓｅ ｒａｔｉｏ）
の優れた画像信号が得られるためである。したがって、
加熱による暗抵抗の低下は、放射線二次元画像検出器に
とって、致命的な問題となる。
【００２１】このような問題を避ける方法として、アク
ティブマトリクス基板に、駆動ＩＣや読み出しＩＣをＴ
ＣＰ方式やＣＯＧ方式で実装した後に、ａ−Ｓｅ膜を常
温で成膜する方法が考えられる。
ティブマトリクス基板に、駆動ＩＣや読み出しＩＣをＴ
ＣＰ方式やＣＯＧ方式で実装した後に、ａ−Ｓｅ膜を常
温で成膜する方法が考えられる。
【００２２】しかしながら、駆動ＩＣや読み出しＩＣが
実装されたアクティブマトリクス基板を真空チャンバー
に入れて、ａ−Ｓｅ膜を蒸着するプロセスが必要となる
ため、その間に、駆動ＩＣや読み出しＩＣが破損される
確率が高くなったり、自動化された量産装置でａ−Ｓｅ
膜の成膜を行なう場合、駆動ＩＣや読み出しＩＣに損傷
を与えないように特殊な基板搬送系が必要とされる等の
問題点がある。
実装されたアクティブマトリクス基板を真空チャンバー
に入れて、ａ−Ｓｅ膜を蒸着するプロセスが必要となる
ため、その間に、駆動ＩＣや読み出しＩＣが破損される
確率が高くなったり、自動化された量産装置でａ−Ｓｅ
膜の成膜を行なう場合、駆動ＩＣや読み出しＩＣに損傷
を与えないように特殊な基板搬送系が必要とされる等の
問題点がある。
【００２３】また、上記したアクティブマトリクス基板
は、液晶表示装置を製造する過程で形成されるアクティ
ブマトリクス基板を流用することが可能であり、上記構
成のアクティブマトリクス基板は、上述の二次元画像検
出器に限らず、液晶表示装置等に用いるアクティブマト
リクス基板としても有効に利用できる。近年、これらア
クティブマトリクス基板を用いた表示装置は、大型化、
高精細化、低価格化が求められているが、特に高精細化
を実現するには、上記アクティブマトリクス基板を外部
と接続する接続端子（入出力端子、表示装置の場合は主
に入力端子）を外部と接続する際、高度な接続精度が求
められる。
は、液晶表示装置を製造する過程で形成されるアクティ
ブマトリクス基板を流用することが可能であり、上記構
成のアクティブマトリクス基板は、上述の二次元画像検
出器に限らず、液晶表示装置等に用いるアクティブマト
リクス基板としても有効に利用できる。近年、これらア
クティブマトリクス基板を用いた表示装置は、大型化、
高精細化、低価格化が求められているが、特に高精細化
を実現するには、上記アクティブマトリクス基板を外部
と接続する接続端子（入出力端子、表示装置の場合は主
に入力端子）を外部と接続する際、高度な接続精度が求
められる。
【００２４】本発明は上記問題点を解決するためになさ
れたもので、その目的は、低温で外部との接続が容易で
あり、また抵抗値を一定に維持することができるアクテ
ィブマトリクス基板およびそれを用いた二次元画像検出
器並びに表示装置を提供することにある。また、本発明
の目的は、特に、外部との接続による接続時の加熱によ
り非晶質半導体層の特性が劣化することを防止でき、画
像の検出感度を維持できる二次元画像検出器を提供する
ことにある。さらに、本発明の目的は、特に、高精細な
表示装置を提供することにある。
れたもので、その目的は、低温で外部との接続が容易で
あり、また抵抗値を一定に維持することができるアクテ
ィブマトリクス基板およびそれを用いた二次元画像検出
器並びに表示装置を提供することにある。また、本発明
の目的は、特に、外部との接続による接続時の加熱によ
り非晶質半導体層の特性が劣化することを防止でき、画
像の検出感度を維持できる二次元画像検出器を提供する
ことにある。さらに、本発明の目的は、特に、高精細な
表示装置を提供することにある。
【００２５】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記の諸
問題を解決するために鋭意研究を続けてきた。その結
果、二次元画像検出器と外部機器との接続あるいは表示
装置と外部機器との接続に用いられる異方導電接着剤が
光硬化性を有することによって接続時の加熱温度を抑え
ることができることを見出すと共に、上記二次元画像検
出器の基板部であるアクティブマトリクス基板における
電極配線に金属電極を含む電極を使用し、該電極を外部
と電気的に接続するための接着部となる接続端子の少な
くとも一部が光透過性を有していることで、該接続端子
を外部と接続するための接着剤として、低温で接続が可
能な光反応性を有する異方導電接着剤を容易に用いるこ
とができ、抵抗値を一定範囲に維持しながら非晶質半導
体層の特性の劣化を防止することができることから、画
像の検出感度を維持できることを見出して本発明を完成
させるに至った。また、本願発明者等は、上記のアクテ
ィブマトリクス基板を表示装置に用いることで、上記外
部端子を外部と接続するための接着剤として、容易に、
低温で接続が可能な光反応性の異方導電接着剤を用いる
ことができ、基板や接続部材の熱膨張に起因する位置精
度の劣化を防止することができると共に、抵抗値を一定
範囲に維持することができ、この結果、高精細な表示装
置を提供することができることもまた見出した。
問題を解決するために鋭意研究を続けてきた。その結
果、二次元画像検出器と外部機器との接続あるいは表示
装置と外部機器との接続に用いられる異方導電接着剤が
光硬化性を有することによって接続時の加熱温度を抑え
ることができることを見出すと共に、上記二次元画像検
出器の基板部であるアクティブマトリクス基板における
電極配線に金属電極を含む電極を使用し、該電極を外部
と電気的に接続するための接着部となる接続端子の少な
くとも一部が光透過性を有していることで、該接続端子
を外部と接続するための接着剤として、低温で接続が可
能な光反応性を有する異方導電接着剤を容易に用いるこ
とができ、抵抗値を一定範囲に維持しながら非晶質半導
体層の特性の劣化を防止することができることから、画
像の検出感度を維持できることを見出して本発明を完成
させるに至った。また、本願発明者等は、上記のアクテ
ィブマトリクス基板を表示装置に用いることで、上記外
部端子を外部と接続するための接着剤として、容易に、
低温で接続が可能な光反応性の異方導電接着剤を用いる
ことができ、基板や接続部材の熱膨張に起因する位置精
度の劣化を防止することができると共に、抵抗値を一定
範囲に維持することができ、この結果、高精細な表示装
置を提供することができることもまた見出した。
【００２６】本発明において、上記光反応性を有する異
方導電接着剤とは、紫外線や可視光等の光照射により硬
化反応が促進される接着剤（光硬化型接着剤）や、紫外
線や可視光等の光照射により活性度が向上し、比較的低
温の熱処理で硬化が促進される接着剤（光アシスト型熱
硬化型接着剤）を示す。
方導電接着剤とは、紫外線や可視光等の光照射により硬
化反応が促進される接着剤（光硬化型接着剤）や、紫外
線や可視光等の光照射により活性度が向上し、比較的低
温の熱処理で硬化が促進される接着剤（光アシスト型熱
硬化型接着剤）を示す。
【００２７】本発明にかかる二次元画像検出器は、上記
の課題を解決するために、格子状に配列された電極配
線、各格子点毎に設けられた複数のスイッチング素子、
および上記電極配線を外部と接続する接続端子を備えた
アクティブマトリクス基板と、上記アクティブマトリク
ス基板上に形成された電磁波導電性を有する非晶質半導
体層とを含む二次元画像検出器であって、上記電極配線
が金属電極を含むと共に、上記接続端子は、板状の金属
電極に厚さ方向に貫通する複数の開口部を形成してなる
金属端子部上に、上記開口部を含めた上記金属端子部の
全面を覆うように透明導電酸化膜が積層されてなる積層
構造を有し、かつ、光反応性を有する異方導電接着剤に
より、外部と接続されていることを特徴としている。
の課題を解決するために、格子状に配列された電極配
線、各格子点毎に設けられた複数のスイッチング素子、
および上記電極配線を外部と接続する接続端子を備えた
アクティブマトリクス基板と、上記アクティブマトリク
ス基板上に形成された電磁波導電性を有する非晶質半導
体層とを含む二次元画像検出器であって、上記電極配線
が金属電極を含むと共に、上記接続端子は、板状の金属
電極に厚さ方向に貫通する複数の開口部を形成してなる
金属端子部上に、上記開口部を含めた上記金属端子部の
全面を覆うように透明導電酸化膜が積層されてなる積層
構造を有し、かつ、光反応性を有する異方導電接着剤に
より、外部と接続されていることを特徴としている。
【００２８】上記の構成によれば、上記電極配線が金属
電極を含むことで、抵抗値を一定範囲に維持することが
できる。しかも、上記の構成によれば、外部との接着部
において電極配線を外部と接続する接続端子が、少なく
ともその一部が光透過性を有することで外部との接続に
光反応性を有する異方導電接着剤を容易に用いることが
でき、また、外部との接続に、光反応性を有する異方導
電接着剤を用いることで、接続時の加熱温度を抑えるこ
とができる。従って、接着部における外部との接続に際
して、高温で熱処理を行う必要がないため、該熱処理に
伴う非晶質半導体層の結晶化の進行を回避できる。これ
により、上記構成では、暗抵抗が高い等の非晶質半導体
層の特性が劣化することを防止できる。従って、上記の
構成によれば、画像の検出感度を良好に維持することが
できる。
電極を含むことで、抵抗値を一定範囲に維持することが
できる。しかも、上記の構成によれば、外部との接着部
において電極配線を外部と接続する接続端子が、少なく
ともその一部が光透過性を有することで外部との接続に
光反応性を有する異方導電接着剤を容易に用いることが
でき、また、外部との接続に、光反応性を有する異方導
電接着剤を用いることで、接続時の加熱温度を抑えるこ
とができる。従って、接着部における外部との接続に際
して、高温で熱処理を行う必要がないため、該熱処理に
伴う非晶質半導体層の結晶化の進行を回避できる。これ
により、上記構成では、暗抵抗が高い等の非晶質半導体
層の特性が劣化することを防止できる。従って、上記の
構成によれば、画像の検出感度を良好に維持することが
できる。
【００２９】また、上記の構成によれば、アクティブマ
トリクス基板における接続端子設置（形成）面の裏面側
から異方導電接着剤に対して光を十分に照射することが
できる。よって、上記構成では、上記アクティブマトリ
クス基板における接続端子と外部との接着部における接
続を確実に行うことができる。
トリクス基板における接続端子設置（形成）面の裏面側
から異方導電接着剤に対して光を十分に照射することが
できる。よって、上記構成では、上記アクティブマトリ
クス基板における接続端子と外部との接着部における接
続を確実に行うことができる。
【００３０】また、上記の構成によれば、上記接続端子
から延伸される電極配線としてのゲート電極やソース電
極を上記金属端子部と同じ金属で形成できるため、上記
接続端子と電極配線との接続部分の接着を行う必要がな
く、製造工程を単純化することが可能である。
から延伸される電極配線としてのゲート電極やソース電
極を上記金属端子部と同じ金属で形成できるため、上記
接続端子と電極配線との接続部分の接着を行う必要がな
く、製造工程を単純化することが可能である。
【００３１】さらに、上記の構成によれば、上記接続端
子の金属部分における上記異方導電接着剤との接触表面
に凹凸を形成することができ、両者の接触界面における
接触強度を向上させることができる。さらに、上記の構
成によれば、上記金属端子部の表面酸化を防止すること
ができる。
子の金属部分における上記異方導電接着剤との接触表面
に凹凸を形成することができ、両者の接触界面における
接触強度を向上させることができる。さらに、上記の構
成によれば、上記金属端子部の表面酸化を防止すること
ができる。
【００３２】また、本発明にかかる二次元画像検出器
は、上記の課題を解決するために、上記接続端子が、網
目状に形成されていることを特徴としている。
は、上記の課題を解決するために、上記接続端子が、網
目状に形成されていることを特徴としている。
【００３３】上記したように、光硬化型の異方導電接着
剤を用いた場合に、上記接続端子が金属端子部（金属部
分）を含む場合、上記接続端子の金属部分における上記
異方導電接着剤との接触表面に凹凸を形成することで両
者の接触界面における接触強度を向上させることができ
る。そして、この場合、上記接続端子の金属部分が網目
状（格子状）に形成されていることで、板状の金属電極
からなる接続端子に、該接続端子を厚さ方向に貫通する
複数の開口部がストライプ状に形成されているスリット
パターンと比較して、段差の分布密度が向上し、かつ二
次元的（Ｘ・Ｙ方向）に同じ割合で段差を分布させるこ
とができる。したがって、上記接続端子が網目状に形成
されている構成とすることは、光硬化型の異方導電接着
剤の硬化性と接着強度とを共に十分に満足させることが
でき、抵抗値を一定範囲に維持しながら非晶質半導体層
の特性が劣化することを防止し、画像の検出感度を維持
する上で好適である。
剤を用いた場合に、上記接続端子が金属端子部（金属部
分）を含む場合、上記接続端子の金属部分における上記
異方導電接着剤との接触表面に凹凸を形成することで両
者の接触界面における接触強度を向上させることができ
る。そして、この場合、上記接続端子の金属部分が網目
状（格子状）に形成されていることで、板状の金属電極
からなる接続端子に、該接続端子を厚さ方向に貫通する
複数の開口部がストライプ状に形成されているスリット
パターンと比較して、段差の分布密度が向上し、かつ二
次元的（Ｘ・Ｙ方向）に同じ割合で段差を分布させるこ
とができる。したがって、上記接続端子が網目状に形成
されている構成とすることは、光硬化型の異方導電接着
剤の硬化性と接着強度とを共に十分に満足させることが
でき、抵抗値を一定範囲に維持しながら非晶質半導体層
の特性が劣化することを防止し、画像の検出感度を維持
する上で好適である。
【００３４】さらに、本発明にかかる二次元画像検出器
は、上記の課題を解決するために、上記接続端子におけ
る金属端子部のライン幅が、２μｍ以上、５０μｍ以下
であることを特徴としている。
は、上記の課題を解決するために、上記接続端子におけ
る金属端子部のライン幅が、２μｍ以上、５０μｍ以下
であることを特徴としている。
【００３５】アクティブマトリクス基板の裏面側から接
続端子としての配線に紫外線を照射したときの硬化率
（％）は、接続端子の一方の側端部を原点として、評価
ポイントまでの距離（配線の幅）が大きくなるにしたが
って低下するが、該配線の幅が５０μｍを超えると、若
干、硬化率の低下の度合いが大きくなる傾向にある。そ
して、十分な接着強度を得るためには、上記硬化率は９
０％以上であることが望ましい。このため、硬化率９０
％以上を判断基準とすると、紫外線の十分な回り込み効
果を得るためには、上記配線の幅が５０μｍ以下である
ことが望ましい。
続端子としての配線に紫外線を照射したときの硬化率
（％）は、接続端子の一方の側端部を原点として、評価
ポイントまでの距離（配線の幅）が大きくなるにしたが
って低下するが、該配線の幅が５０μｍを超えると、若
干、硬化率の低下の度合いが大きくなる傾向にある。そ
して、十分な接着強度を得るためには、上記硬化率は９
０％以上であることが望ましい。このため、硬化率９０
％以上を判断基準とすると、紫外線の十分な回り込み効
果を得るためには、上記配線の幅が５０μｍ以下である
ことが望ましい。
【００３６】しかしながら、一般的に、エポキシ系の熱
硬化型の異方導電接着剤と比較して、光硬化型の異方導
電接着剤の方が接着強度は弱い傾向にある。このため、
単純に上記接続端子を細く形成した場合、異方導電接着
剤として光硬化型の異方導電接着剤を用いると、十分な
接着強度を確保することができない。また、パターニン
グの精度からすると、上記配線の幅は、２μｍ以上であ
ることが好ましい。
硬化型の異方導電接着剤と比較して、光硬化型の異方導
電接着剤の方が接着強度は弱い傾向にある。このため、
単純に上記接続端子を細く形成した場合、異方導電接着
剤として光硬化型の異方導電接着剤を用いると、十分な
接着強度を確保することができない。また、パターニン
グの精度からすると、上記配線の幅は、２μｍ以上であ
ることが好ましい。
【００３７】よって、上記金属端子部は、上記金属端子
部に対して紫外線の回り込みが良く、光硬化型の異方導
電性接着剤の十分な硬化が期待できる幅（ライン幅）に
形成されていることが望ましい。このため、上記接続端
子における金属端子部の幅（ライン幅）は、５０μｍ以
下に形成されていることが好ましく、また、上記接続端
子における金属端子部の幅（ライン幅）が２μｍ以上で
あれば、良好なパターニング精度を得ることができる。
部に対して紫外線の回り込みが良く、光硬化型の異方導
電性接着剤の十分な硬化が期待できる幅（ライン幅）に
形成されていることが望ましい。このため、上記接続端
子における金属端子部の幅（ライン幅）は、５０μｍ以
下に形成されていることが好ましく、また、上記接続端
子における金属端子部の幅（ライン幅）が２μｍ以上で
あれば、良好なパターニング精度を得ることができる。
【００３８】本発明にかかるアクティブマトリクス基板
は、上記の課題を解決するために、格子状に配列された
電極配線、各格子点毎に設けられた複数のスイッチング
素子、および上記電極配線を外部と接続する接続端子を
備え、上記電極配線が金属電極を含むと共に、上記接続
端子は、板状の金属電極に厚さ方向に貫通する複数の開
口部を形成してなる金属端子部上に、上記開口部を含め
た上記金属端子部の全面を覆うように透明導電酸化膜が
積層されてなる積層構造を有していることを特徴として
いる。
は、上記の課題を解決するために、格子状に配列された
電極配線、各格子点毎に設けられた複数のスイッチング
素子、および上記電極配線を外部と接続する接続端子を
備え、上記電極配線が金属電極を含むと共に、上記接続
端子は、板状の金属電極に厚さ方向に貫通する複数の開
口部を形成してなる金属端子部上に、上記開口部を含め
た上記金属端子部の全面を覆うように透明導電酸化膜が
積層されてなる積層構造を有していることを特徴として
いる。
【００３９】上記の構成によれば、上記電極配線が金属
電極を含むことで、抵抗値を一定範囲に維持することが
できる。しかも、上記の構成によれば、上記接続端子の
少なくとも一部が光透過性を有することで、上記接続端
子を、光反応性を有する異方導電接着剤を用いてＴＣＯ
方式やＣＯＧ方式で、外部、たとえば、外部の電気回路
等の外部部材を接続する際に、該接続端子を外部と接続
するための接着剤として光反応性を有する異方導電接着
剤を容易に用いることができ、低温で外部との接続を容
易に行うことができる。
電極を含むことで、抵抗値を一定範囲に維持することが
できる。しかも、上記の構成によれば、上記接続端子の
少なくとも一部が光透過性を有することで、上記接続端
子を、光反応性を有する異方導電接着剤を用いてＴＣＯ
方式やＣＯＧ方式で、外部、たとえば、外部の電気回路
等の外部部材を接続する際に、該接続端子を外部と接続
するための接着剤として光反応性を有する異方導電接着
剤を容易に用いることができ、低温で外部との接続を容
易に行うことができる。
【００４０】つまり、上記の構成によれば、アクティブ
マトリクス基板における接続端子設置（形成）面の裏面
側から異方導電接着剤に対して光を十分に照射すること
ができる。よって、上記の構成によれば、上記アクティ
ブマトリクス基板における接続端子と外部との接着部に
おける接続をより確実に行うことができる。このため、
上記のアクティブマトリクス基板を上述した二次元画像
検出器や、表示装置に使用する場合、上記接続端子を外
部と接続するための接着剤として容易に光反応性を有す
る異方導電接着剤を用いることができる。従って、上記
の構成は、上記接続端子と外部との接続による接続時の
加熱温度を抑える上で好適である。
マトリクス基板における接続端子設置（形成）面の裏面
側から異方導電接着剤に対して光を十分に照射すること
ができる。よって、上記の構成によれば、上記アクティ
ブマトリクス基板における接続端子と外部との接着部に
おける接続をより確実に行うことができる。このため、
上記のアクティブマトリクス基板を上述した二次元画像
検出器や、表示装置に使用する場合、上記接続端子を外
部と接続するための接着剤として容易に光反応性を有す
る異方導電接着剤を用いることができる。従って、上記
の構成は、上記接続端子と外部との接続による接続時の
加熱温度を抑える上で好適である。
【００４１】また、上記の構成によれば、上記接続端子
から延伸される電極配線としてのゲート電極やソース電
極を上記金属端子部と同じ金属で形成できるため、上記
接続端子と電極配線との接続部分の接着を行う必要がな
く、製造工程を単純化することが可能である。
から延伸される電極配線としてのゲート電極やソース電
極を上記金属端子部と同じ金属で形成できるため、上記
接続端子と電極配線との接続部分の接着を行う必要がな
く、製造工程を単純化することが可能である。
【００４２】さらに、上記の構成によれば、上記接続端
子の金属部分における上記異方導電接着剤との接触表面
に凹凸を形成することができ、両者の接触界面における
接触強度を向上させることができる。さらに、上記の構
成によれば、上記金属端子部の表面酸化を防止すること
ができる。
子の金属部分における上記異方導電接着剤との接触表面
に凹凸を形成することができ、両者の接触界面における
接触強度を向上させることができる。さらに、上記の構
成によれば、上記金属端子部の表面酸化を防止すること
ができる。
【００４３】従って、上記のアクティブマトリクス基板
は、二次元画像検出器や表示装置に好適であり、上記の
アクティブマトリクス基板をそれらの基板部に用いるこ
とで、抵抗値を一定に維持しながら非晶質半導体層の特
性の劣化や基板や接続部材の熱膨張に起因する位置精度
の劣化を防止することができる。この結果、該アクティ
ブマトリクス基板を用いることで、二次元画像検出器に
おける画像の検出感度を良好に維持することができ、ま
た、表示装置においては、高精細化を実現することがで
きる。
は、二次元画像検出器や表示装置に好適であり、上記の
アクティブマトリクス基板をそれらの基板部に用いるこ
とで、抵抗値を一定に維持しながら非晶質半導体層の特
性の劣化や基板や接続部材の熱膨張に起因する位置精度
の劣化を防止することができる。この結果、該アクティ
ブマトリクス基板を用いることで、二次元画像検出器に
おける画像の検出感度を良好に維持することができ、ま
た、表示装置においては、高精細化を実現することがで
きる。
【００４４】また、本発明にかかるアクティブマトリク
ス基板は、上記の課題を解決するために、上記接続端子
が、網目状に形成されていることを特徴としている。
ス基板は、上記の課題を解決するために、上記接続端子
が、網目状に形成されていることを特徴としている。
【００４５】上記の構成によれば、上記接続端子の金属
部分が網目状（格子状）に形成されていることで、板状
の金属電極からなる接続端子に、該接続端子を厚さ方向
に貫通する複数の開口部がストライプ状に形成されてい
るスリットパターンと比較して段差の分布密度が向上
し、かつ二次元的（Ｘ・Ｙ方向）に同じ割合で段差を分
布させることができる。したがって、上記接続端子が網
目状に形成されている構成とすることは、光硬化型の異
方導電接着剤の硬化性と接着強度とを共に十分に満足さ
せることができ、抵抗値を一定範囲に維持しながら、た
とえば非晶質半導体層の特性が劣化することを防止し、
画像の検出感度を維持する上で好適である。
部分が網目状（格子状）に形成されていることで、板状
の金属電極からなる接続端子に、該接続端子を厚さ方向
に貫通する複数の開口部がストライプ状に形成されてい
るスリットパターンと比較して段差の分布密度が向上
し、かつ二次元的（Ｘ・Ｙ方向）に同じ割合で段差を分
布させることができる。したがって、上記接続端子が網
目状に形成されている構成とすることは、光硬化型の異
方導電接着剤の硬化性と接着強度とを共に十分に満足さ
せることができ、抵抗値を一定範囲に維持しながら、た
とえば非晶質半導体層の特性が劣化することを防止し、
画像の検出感度を維持する上で好適である。
【００４６】さらに、本発明にかかるアクティブマトリ
クス基板は、上記の課題を解決するために、上記接続端
子における金属端子部のライン幅が、２μｍ以上、５０
μｍ以下であることを特徴としている。
クス基板は、上記の課題を解決するために、上記接続端
子における金属端子部のライン幅が、２μｍ以上、５０
μｍ以下であることを特徴としている。
【００４７】上記金属端子部は、上記金属端子部に対し
て紫外線の回り込みが良く、光硬化型の異方導電性接着
剤の十分な硬化が期待できる幅（ライン幅）に形成され
ていることが望ましい。このため、上記接続端子におけ
る金属端子部の幅（ライン幅）は、５０μｍ以下に形成
されていることが好ましく、また、上記接続端子におけ
る金属端子部の幅（ライン幅）が２μｍ以上であれば、
良好なパターニング精度を得ることができる。
て紫外線の回り込みが良く、光硬化型の異方導電性接着
剤の十分な硬化が期待できる幅（ライン幅）に形成され
ていることが望ましい。このため、上記接続端子におけ
る金属端子部の幅（ライン幅）は、５０μｍ以下に形成
されていることが好ましく、また、上記接続端子におけ
る金属端子部の幅（ライン幅）が２μｍ以上であれば、
良好なパターニング精度を得ることができる。
【００４８】本発明にかかる表示装置は、上記の課題を
解決するために、格子状に配列された電極配線、各格子
点毎に設けられた複数のスイッチング素子、および上記
電極配線を外部と接続する接続端子を備えたアクティブ
マトリクス基板と、電気光学媒体を介して上記アクティ
ブマトリクス基板に対向配置された対向基板とを含む表
示装置であって、上記電極配線が金属電極を含むと共
に、上記接続端子は、板状の金属電極に厚さ方向に貫通
する複数の開口部を形成してなる金属端子部上に、上記
開口部を含めた上記金属端子部の全面を覆うように透明
導電酸化膜が積層されてなる積層構造を有し、かつ、光
反応性を有する異方導電接着剤により、外部と接続され
ていることを特徴としている。
解決するために、格子状に配列された電極配線、各格子
点毎に設けられた複数のスイッチング素子、および上記
電極配線を外部と接続する接続端子を備えたアクティブ
マトリクス基板と、電気光学媒体を介して上記アクティ
ブマトリクス基板に対向配置された対向基板とを含む表
示装置であって、上記電極配線が金属電極を含むと共
に、上記接続端子は、板状の金属電極に厚さ方向に貫通
する複数の開口部を形成してなる金属端子部上に、上記
開口部を含めた上記金属端子部の全面を覆うように透明
導電酸化膜が積層されてなる積層構造を有し、かつ、光
反応性を有する異方導電接着剤により、外部と接続され
ていることを特徴としている。
【００４９】上記の構成によれば、上記電極配線が金属
電極を含むことで、抵抗値を一定範囲に維持することが
できる。しかも、上記の構成によれば、外部との接着部
において電極配線を外部と接続する接続端子が、少なく
ともその一部が光透過性を有することで外部との接続に
光反応性を有する異方導電接着剤を容易に用いることが
でき、また、外部との接続に、光反応性を有する異方導
電接着剤を用いることで、接続時の加熱温度を抑えるこ
とができる。従って、外部との接続に際して、高温で熱
処理を行う必要がないため、上記入出力端子と外部との
接続時の加熱温度を抑え、該加熱による基板や接続部材
の熱膨張に起因する位置精度の劣化を防止することがで
きる。これにより、抵抗値を一定範囲に維持したまま、
表示装置の接続精度を改善することができ、表示装置の
高精細化を図ることができる。
電極を含むことで、抵抗値を一定範囲に維持することが
できる。しかも、上記の構成によれば、外部との接着部
において電極配線を外部と接続する接続端子が、少なく
ともその一部が光透過性を有することで外部との接続に
光反応性を有する異方導電接着剤を容易に用いることが
でき、また、外部との接続に、光反応性を有する異方導
電接着剤を用いることで、接続時の加熱温度を抑えるこ
とができる。従って、外部との接続に際して、高温で熱
処理を行う必要がないため、上記入出力端子と外部との
接続時の加熱温度を抑え、該加熱による基板や接続部材
の熱膨張に起因する位置精度の劣化を防止することがで
きる。これにより、抵抗値を一定範囲に維持したまま、
表示装置の接続精度を改善することができ、表示装置の
高精細化を図ることができる。
【００５０】また、上記の構成によれば、アクティブマ
トリクス基板における接続端子設置（形成）面の裏面側
から異方導電接着剤に対して光を十分に照射することが
できる。よって、上記構成では、上記アクティブマトリ
クス基板における接続端子と外部との接着部における接
続をより確実に行うことができる。
トリクス基板における接続端子設置（形成）面の裏面側
から異方導電接着剤に対して光を十分に照射することが
できる。よって、上記構成では、上記アクティブマトリ
クス基板における接続端子と外部との接着部における接
続をより確実に行うことができる。
【００５１】また、上記の構成によれば、上記接続端子
から延伸される電極配線としてのゲート電極やソース電
極を上記金属端子部と同じ金属で形成できるため、上記
接続端子と電極配線との接続部分の接着を行う必要がな
く、製造工程を単純化することが可能である。
から延伸される電極配線としてのゲート電極やソース電
極を上記金属端子部と同じ金属で形成できるため、上記
接続端子と電極配線との接続部分の接着を行う必要がな
く、製造工程を単純化することが可能である。
【００５２】さらに、上記の構成によれば、上記接続端
子の金属部分における上記異方導電 接着剤との接触表面
に凹凸を形成することができ、両者の接触界面における
接触強度を向上させることができる。さらに、上記の構
成によれば、上記金属端子部の表面酸化を防止すること
ができる。
子の金属部分における上記異方導電 接着剤との接触表面
に凹凸を形成することができ、両者の接触界面における
接触強度を向上させることができる。さらに、上記の構
成によれば、上記金属端子部の表面酸化を防止すること
ができる。
【００５３】また、本発明にかかる表示装置は、上記の
課題を解決するために、上記接続端子が、網目状に形成
されていることを特徴としている。
課題を解決するために、上記接続端子が、網目状に形成
されていることを特徴としている。
【００５４】上記の構成によれば、上記接続端子の金属
部分が網目状（格子状）に形成されていることで、板状
の金属電極からなる接続端子に、該接続端子を厚さ方向
に貫通する複数の開口部がストライプ状に形成されてい
るスリットパターンと比較して段差の分布密度が向上
し、かつ二次元的（Ｘ・Ｙ方向）に同じ割合で段差を分
布させることができる。したがって、上記接続端子が網
目状に形成されている構成とすることは、抵抗値を一定
範囲に維持しながら、光硬化型の異方導電接着剤の硬化
性と接着強度とを共に十分に満足させることができる。
部分が網目状（格子状）に形成されていることで、板状
の金属電極からなる接続端子に、該接続端子を厚さ方向
に貫通する複数の開口部がストライプ状に形成されてい
るスリットパターンと比較して段差の分布密度が向上
し、かつ二次元的（Ｘ・Ｙ方向）に同じ割合で段差を分
布させることができる。したがって、上記接続端子が網
目状に形成されている構成とすることは、抵抗値を一定
範囲に維持しながら、光硬化型の異方導電接着剤の硬化
性と接着強度とを共に十分に満足させることができる。
【００５５】さらに、本発明にかかる表示装置は、上記
の課題を解決するために、上記接続端子における金属端
子部のライン幅が、２μｍ以上、５０μｍ以下であるこ
とを特徴としている。
の課題を解決するために、上記接続端子における金属端
子部のライン幅が、２μｍ以上、５０μｍ以下であるこ
とを特徴としている。
【００５６】上記金属端子部は、上記金属端子部に対し
て紫外線の回り込みが良く、光硬化型の異方導電性接着
剤の十分な硬化が期待できる幅（ライン幅）に形成され
ていることが望ましい。このため、上記接続端子におけ
る金属端子部の幅（ライン幅）は、５０μｍ以下に形成
されていることが好ましく、また、上記接続端子におけ
る金属端子部の幅（ライン幅）が２μｍ以上であれば、
良好なパターニング精度を得ることができる。
て紫外線の回り込みが良く、光硬化型の異方導電性接着
剤の十分な硬化が期待できる幅（ライン幅）に形成され
ていることが望ましい。このため、上記接続端子におけ
る金属端子部の幅（ライン幅）は、５０μｍ以下に形成
されていることが好ましく、また、上記接続端子におけ
る金属端子部の幅（ライン幅）が２μｍ以上であれば、
良好なパターニング精度を得ることができる。
【００５７】
【発明の実施の形態】〔実施の形態１〕
以下において、本発明の一実施の形態について図面を参
照しながら詳細に説明する。
照しながら詳細に説明する。
【００５８】図１は、本実施の形態にかかる二次元画像
検出器の平面図である。また図２は、図１のＡ−Ａ’線
矢視断面図である。本実施の形態にかかる二次元画像検
出器は、図２に示すように、アクティブマトリクス基板
１上に、画素電極１０と、該画素電極１０の上面に積層
された、電磁波導電性を有する非晶質半導体層としての
ａ−Ｓｅ膜６と、共通電極７とが形成された構造になっ
ている。電磁波導電性を有するとは、たとえば、Ｘ線、
紫外線、赤外線、可視光線等の電磁波が照射された場合
に、電荷（電子−正孔ペア）が発生する性質をいう。
検出器の平面図である。また図２は、図１のＡ−Ａ’線
矢視断面図である。本実施の形態にかかる二次元画像検
出器は、図２に示すように、アクティブマトリクス基板
１上に、画素電極１０と、該画素電極１０の上面に積層
された、電磁波導電性を有する非晶質半導体層としての
ａ−Ｓｅ膜６と、共通電極７とが形成された構造になっ
ている。電磁波導電性を有するとは、たとえば、Ｘ線、
紫外線、赤外線、可視光線等の電磁波が照射された場合
に、電荷（電子−正孔ペア）が発生する性質をいう。
【００５９】ここで、ａ−Ｓｅ膜６は、セレニウムを主
成分とする、すなわち、セレニウムを５０重量％以上の
割合で含んでいる非晶質半導体層である。なお、前述し
たように、ａ−Ｓｅ膜６は、６０〜８０℃、一般的に
は、７０℃といった比較的低温条件下の加熱処理におい
ても結晶化が進行するという性質を有し、上記温度以上
（６０〜８０℃以上）の温度負荷で結晶化が促進され
る。
成分とする、すなわち、セレニウムを５０重量％以上の
割合で含んでいる非晶質半導体層である。なお、前述し
たように、ａ−Ｓｅ膜６は、６０〜８０℃、一般的に
は、７０℃といった比較的低温条件下の加熱処理におい
ても結晶化が進行するという性質を有し、上記温度以上
（６０〜８０℃以上）の温度負荷で結晶化が促進され
る。
【００６０】本実施の形態にかかる電磁波導電性を有す
る非晶質半導体層としては、上記ａ−Ｓｅ膜６の他、Ｘ
線、紫外線、赤外線、可視光線等の電磁波画像が入射
（照射）されることにより、電荷（電子−正孔ペア）が
発生する半導体材料が用いられる。ａ−Ｓｅ膜６以外の
他の非晶質半導体層としては、たとえば、ａ−Ｓｉ膜、
ａ−ＳｉＣ膜、ａ−ＳｉＧｅ膜等が挙げられる。
る非晶質半導体層としては、上記ａ−Ｓｅ膜６の他、Ｘ
線、紫外線、赤外線、可視光線等の電磁波画像が入射
（照射）されることにより、電荷（電子−正孔ペア）が
発生する半導体材料が用いられる。ａ−Ｓｅ膜６以外の
他の非晶質半導体層としては、たとえば、ａ−Ｓｉ膜、
ａ−ＳｉＣ膜、ａ−ＳｉＧｅ膜等が挙げられる。
【００６１】本実施の形態にかかる二次元画像検出器に
おける画像検出部は、図１において、画素配列層１１
と、ａ−Ｓｅ膜６と、共通電極７とで形成された領域、
すなわち、図１において、ａ−Ｓｅ膜６の配置領域２０
により上面を覆われた状態の画素配列層１１の配置領域
上に形成されている。上記画像検出部が、上記非晶質半
導体層に入射された電磁波画像を電荷の形で検出する。
おける画像検出部は、図１において、画素配列層１１
と、ａ−Ｓｅ膜６と、共通電極７とで形成された領域、
すなわち、図１において、ａ−Ｓｅ膜６の配置領域２０
により上面を覆われた状態の画素配列層１１の配置領域
上に形成されている。上記画像検出部が、上記非晶質半
導体層に入射された電磁波画像を電荷の形で検出する。
【００６２】なお、上記アクティブマトリクス基板１
は、液晶表示装置を製造する過程で形成されるアクティ
ブマトリクス基板と同じプロセスで形成することが可能
である。
は、液晶表示装置を製造する過程で形成されるアクティ
ブマトリクス基板と同じプロセスで形成することが可能
である。
【００６３】本実施の形態にかかる二次元画像検出器
は、図１および図２において、アクティブマトリクス基
板１上にＸＹマトリクス状（格子状）の電極配線（ゲー
ト電極とソース電極）、各格子点毎、すなわち、各画素
毎に設けられたスイッチング素子（ＴＦＴ）、電荷蓄積
容量、画素電極１０等が形成された上記画素配列層１１
を有している。
は、図１および図２において、アクティブマトリクス基
板１上にＸＹマトリクス状（格子状）の電極配線（ゲー
ト電極とソース電極）、各格子点毎、すなわち、各画素
毎に設けられたスイッチング素子（ＴＦＴ）、電荷蓄積
容量、画素電極１０等が形成された上記画素配列層１１
を有している。
【００６４】また、アクティブマトリクス基板１の周辺
部には、上記ａ−Ｓｅ膜６、すなわち、非晶質半導体層
に入射された電磁波画像を検出するための制御信号を入
力し、上記電磁波画像に応じた画像信号を出力するため
の複数の入出力端子１４が設置されている。
部には、上記ａ−Ｓｅ膜６、すなわち、非晶質半導体層
に入射された電磁波画像を検出するための制御信号を入
力し、上記電磁波画像に応じた画像信号を出力するため
の複数の入出力端子１４が設置されている。
【００６５】図１では、アクティブマトリクス基板１上
に設置（形成）された入出力端子１４に、ＴＣＰ方式を
採用して駆動ＩＣ１５や読み出しＩＣ１６が接続（実
装）されている様子を示している。この入出力端子１４
は、撮像領域内のゲート電極やソース電極へ電気信号の
入出力を行なうため、アクティブマトリクス基板１の周
辺部にそれぞれ設けられている。すなわち、上記入出力
端子１４は、ゲート電極に制御信号を外部の電気回路よ
り入力するために設けられており、該制御信号によっ
て、ＴＦＴがＯＮ状態となることにより、電荷蓄積容量
に蓄積された電荷を画像信号としてソース電極より外部
へ取り出すことができる。また、この外部へ取り出され
る画像信号を出力するためにも、入出力端子１４が同様
に用いられる。なお、図１において、ＴＣＰ基板１７の
接続個数は、わかりやすくするため、実際より少なく示
している。
に設置（形成）された入出力端子１４に、ＴＣＰ方式を
採用して駆動ＩＣ１５や読み出しＩＣ１６が接続（実
装）されている様子を示している。この入出力端子１４
は、撮像領域内のゲート電極やソース電極へ電気信号の
入出力を行なうため、アクティブマトリクス基板１の周
辺部にそれぞれ設けられている。すなわち、上記入出力
端子１４は、ゲート電極に制御信号を外部の電気回路よ
り入力するために設けられており、該制御信号によっ
て、ＴＦＴがＯＮ状態となることにより、電荷蓄積容量
に蓄積された電荷を画像信号としてソース電極より外部
へ取り出すことができる。また、この外部へ取り出され
る画像信号を出力するためにも、入出力端子１４が同様
に用いられる。なお、図１において、ＴＣＰ基板１７の
接続個数は、わかりやすくするため、実際より少なく示
している。
【００６６】なお、上記アクティブマトリクス基板１の
基本的な構造や製造方法は、従来例として前記した文献
にも記載されているように周知のものであり、具体的に
は図６〜図９（ａ）・（ｂ）に示したものと同様である
ため、詳細な説明は省略する。
基本的な構造や製造方法は、従来例として前記した文献
にも記載されているように周知のものであり、具体的に
は図６〜図９（ａ）・（ｂ）に示したものと同様である
ため、詳細な説明は省略する。
【００６７】ただし、このようなアクティブマトリクス
基板を二次元画像検出器に用いるにあたっては、撮像し
た画像信号を十分に保持することができるように、画素
毎に設けられている電荷蓄積容量（Ｃｓ) を大きくする
ことが望ましい。そこで、本実施の形態では、上記電荷
蓄積容量（Ｃｓ) を、従来の表示装置に用いられている
アクティブマトリクス基板の電荷蓄積容量（Ｃｓ) （た
とえば０．１ｐＦ〜０．２ｐＦ）と比較して大きく（た
とえば１ｐＦ〜２ｐＦ）設定している。また、読み出し
信号のＳ／Ｎ比（ｓｉｇｎａｌ ｔｏ ｎｏｉｓｅ ｒ
ａｔｉｏ）を向上させる目的、つまり、ノイズを低減す
る目的で、データバスライン（ソースバスライン、信号
線）の寄生容量を下げるために、電極配線を形成する材
料の変更、並びに、配線の厚み、配線全体の設計レイア
ウトの最適化を行っている。
基板を二次元画像検出器に用いるにあたっては、撮像し
た画像信号を十分に保持することができるように、画素
毎に設けられている電荷蓄積容量（Ｃｓ) を大きくする
ことが望ましい。そこで、本実施の形態では、上記電荷
蓄積容量（Ｃｓ) を、従来の表示装置に用いられている
アクティブマトリクス基板の電荷蓄積容量（Ｃｓ) （た
とえば０．１ｐＦ〜０．２ｐＦ）と比較して大きく（た
とえば１ｐＦ〜２ｐＦ）設定している。また、読み出し
信号のＳ／Ｎ比（ｓｉｇｎａｌ ｔｏ ｎｏｉｓｅ ｒ
ａｔｉｏ）を向上させる目的、つまり、ノイズを低減す
る目的で、データバスライン（ソースバスライン、信号
線）の寄生容量を下げるために、電極配線を形成する材
料の変更、並びに、配線の厚み、配線全体の設計レイア
ウトの最適化を行っている。
【００６８】また、図２において、ＴＣＰ基板１７の構
造自身は、図９（ａ）で示したものと同様であり、ポリ
イミド等のべースフィルム上に、銅箔等で配線パターン
を形成し、駆動ＩＣ１５や読み出しＩＣ１６を搭載（実
装）したものである。
造自身は、図９（ａ）で示したものと同様であり、ポリ
イミド等のべースフィルム上に、銅箔等で配線パターン
を形成し、駆動ＩＣ１５や読み出しＩＣ１６を搭載（実
装）したものである。
【００６９】上述したように、上記アクティブマトリク
ス基板１上には、画素電極１０がマトリクス状に配列し
た画素配列層１１が形成されており、該画素配列層１１
上には、該画素配列層１１を覆うように、ａ−Ｓｅ膜６
および共通電極７がこの順にて配置されている。
ス基板１上には、画素電極１０がマトリクス状に配列し
た画素配列層１１が形成されており、該画素配列層１１
上には、該画素配列層１１を覆うように、ａ−Ｓｅ膜６
および共通電極７がこの順にて配置されている。
【００７０】ａ−Ｓｅ膜６と共通電極７とは、両者とも
真空蒸着法により常温で形成される。ａ−Ｓｅ膜６は、
たとえばＸ線を充分に吸収できるように約５００μｍの
厚みに形成されている。なお、ａ−Ｓｅ膜６の上下面に
は、電極からのキャリア注入を阻止する目的や、ａ−Ｓ
ｅ膜６の結晶化を防ぐ目的でバッファー層を挿入する場
合もある。また共通電極７には、ＡｕやＰｔ等の金属膜
が０．１〜０．３μｍの厚みで形成される。
真空蒸着法により常温で形成される。ａ−Ｓｅ膜６は、
たとえばＸ線を充分に吸収できるように約５００μｍの
厚みに形成されている。なお、ａ−Ｓｅ膜６の上下面に
は、電極からのキャリア注入を阻止する目的や、ａ−Ｓ
ｅ膜６の結晶化を防ぐ目的でバッファー層を挿入する場
合もある。また共通電極７には、ＡｕやＰｔ等の金属膜
が０．１〜０．３μｍの厚みで形成される。
【００７１】図２は、ＴＣＰ方式を用いて、本実施の形
態にかかる二次元画像検出器の接着部１３を形成した実
装例を示している。ＴＣＰ基板１７には、ポリイミド等
のべースフィルムが備えられた基板上に、銅箔等で配線
パターンを形成し、駆動ＩＣ１５や読み出しＩＣ１６お
よびこれらの接続端子（入出力端子）等が搭載されてい
る。上記ＴＣＰ基板１７の一方端は、二次元画像検出器
を形成するアクティブマトリクス基板１周辺部の入出力
端子１４に接続され、他方端は、図示しない外部の回路
基盤（ＰＷＢ）に接続される。
態にかかる二次元画像検出器の接着部１３を形成した実
装例を示している。ＴＣＰ基板１７には、ポリイミド等
のべースフィルムが備えられた基板上に、銅箔等で配線
パターンを形成し、駆動ＩＣ１５や読み出しＩＣ１６お
よびこれらの接続端子（入出力端子）等が搭載されてい
る。上記ＴＣＰ基板１７の一方端は、二次元画像検出器
を形成するアクティブマトリクス基板１周辺部の入出力
端子１４に接続され、他方端は、図示しない外部の回路
基盤（ＰＷＢ）に接続される。
【００７２】上記した実装方法において、ＴＣＰ基板１
７とアクティブマトリクス基板１上に設置された入出力
端子１４との接続（ＴＣＰ接続）、すなわち、接着部１
３の形成には、異方導電接着剤が用いられている。異方
導電接着剤は、接着性により、ＴＣＰ基板１７と入出力
端子１４との接続を行うと共に、異方導電性により、入
出力端子１４を外部と電気的に接続する役割を担ってい
る。
７とアクティブマトリクス基板１上に設置された入出力
端子１４との接続（ＴＣＰ接続）、すなわち、接着部１
３の形成には、異方導電接着剤が用いられている。異方
導電接着剤は、接着性により、ＴＣＰ基板１７と入出力
端子１４との接続を行うと共に、異方導電性により、入
出力端子１４を外部と電気的に接続する役割を担ってい
る。
【００７３】ここで、本実施の形態では、上記異方導電
接着剤として、光硬化性樹脂を含む光硬化型の異方導電
接着剤が用いられている。すなわち、本実施の形態の異
方導電接着剤は、光硬化性を有している。
接着剤として、光硬化性樹脂を含む光硬化型の異方導電
接着剤が用いられている。すなわち、本実施の形態の異
方導電接着剤は、光硬化性を有している。
【００７４】光硬化性樹脂を含む光硬化型の異方導電接
着剤とは、接着性を有する樹脂（バインダー）として光
硬化性樹脂を含むと共に、該樹脂に導電粒子が均一に分
散された構造を有する異方導電接着剤であり、該異方導
電接着剤としては、たとえば、アクリル系またはエポキ
シ系の光硬化性樹脂を含む異方導電接着剤が挙げられ
る。
着剤とは、接着性を有する樹脂（バインダー）として光
硬化性樹脂を含むと共に、該樹脂に導電粒子が均一に分
散された構造を有する異方導電接着剤であり、該異方導
電接着剤としては、たとえば、アクリル系またはエポキ
シ系の光硬化性樹脂を含む異方導電接着剤が挙げられ
る。
【００７５】本実施の形態においては、異方導電接着剤
として、紫外線（ＵＶ）硬化性のペースト状のバインダ
ーに、Ａｕ／Ｎｉがメッキされた樹脂粒子が分散された
ものを用いている。紫外線（ＵＶ）硬化性のペースト状
のバインダーとしては、たとえば、ＴＢ３０２５（スリ
ーボンド社製）等を使用することができる。ペースト状
のバインダーを用いた場合の利点は、異方導電接着剤を
一定の厚みでスクリーン印刷することが可能であるた
め、予め該異方導電接着剤を軟化させる等の工程を必要
としないことである。上記導電粒子の粒径としては、接
着部１３における上記アクティブマトリクス基板１と外
部部材との間のギャップが所望のギャップとなるように
設定すればよく、特に限定されないが、５μｍ〜１０μ
ｍの範囲内のものが好適に用いられる。
として、紫外線（ＵＶ）硬化性のペースト状のバインダ
ーに、Ａｕ／Ｎｉがメッキされた樹脂粒子が分散された
ものを用いている。紫外線（ＵＶ）硬化性のペースト状
のバインダーとしては、たとえば、ＴＢ３０２５（スリ
ーボンド社製）等を使用することができる。ペースト状
のバインダーを用いた場合の利点は、異方導電接着剤を
一定の厚みでスクリーン印刷することが可能であるた
め、予め該異方導電接着剤を軟化させる等の工程を必要
としないことである。上記導電粒子の粒径としては、接
着部１３における上記アクティブマトリクス基板１と外
部部材との間のギャップが所望のギャップとなるように
設定すればよく、特に限定されないが、５μｍ〜１０μ
ｍの範囲内のものが好適に用いられる。
【００７６】具体的な接続方法としては、先ず、アクテ
ィブマトリクス基板１の周辺部に形成された入出力端子
１４に、上記接着部１３となる光硬化型の異方導電接着
剤を一定の厚み（約２０〜５０μｍ厚）でスクリーン印
刷する。次に、その上にＴＣＰ基板１７の接続端子（図
示せず）とアクティブマトリクス基板１の周辺部に形成
された入出力端子１４との位置合わせ、すなわち接続部
分の決定を行なう。最後に９．８ｍＰａ〜２９．４ｍＰ
ａ（１０〜３０kgf/cm2 ）の圧力でＴＣＰ基板１７の接
続端子と入出力端子１４との上記接続部分を加圧しなが
ら紫外線を照射（積算光量：３０００mJ/cm2）し、光硬
化性樹脂を含む異方導電接着剤を硬化させて、接着部１
３が形成される。
ィブマトリクス基板１の周辺部に形成された入出力端子
１４に、上記接着部１３となる光硬化型の異方導電接着
剤を一定の厚み（約２０〜５０μｍ厚）でスクリーン印
刷する。次に、その上にＴＣＰ基板１７の接続端子（図
示せず）とアクティブマトリクス基板１の周辺部に形成
された入出力端子１４との位置合わせ、すなわち接続部
分の決定を行なう。最後に９．８ｍＰａ〜２９．４ｍＰ
ａ（１０〜３０kgf/cm2 ）の圧力でＴＣＰ基板１７の接
続端子と入出力端子１４との上記接続部分を加圧しなが
ら紫外線を照射（積算光量：３０００mJ/cm2）し、光硬
化性樹脂を含む異方導電接着剤を硬化させて、接着部１
３が形成される。
【００７７】上記のように、光硬化性樹脂を含む異方導
電接着剤を接着部１３として用いてアクティブマトリク
ス基板１上の入出力端子１４とＴＣＰ基板１７の接続端
子との接続を行なえば、加熱処理により異方導電接着剤
を硬化させて接着性を付与する必要がないので、従来の
ような、（１５０℃以上）×（５〜３０秒）といった加
熱処理を必要としない。したがって、予めａ−Ｓｅ膜６
が形成されたアクティブマトリクス基板１にＴＣＰ基板
１７を接続する場合でも、ａ−Ｓｅ膜６に熱が伝わるこ
とが無く、ａ−Ｓｅ膜６の結晶化、すなわち暗抵抗が高
いという特性が劣化することを防ぐことができる。
電接着剤を接着部１３として用いてアクティブマトリク
ス基板１上の入出力端子１４とＴＣＰ基板１７の接続端
子との接続を行なえば、加熱処理により異方導電接着剤
を硬化させて接着性を付与する必要がないので、従来の
ような、（１５０℃以上）×（５〜３０秒）といった加
熱処理を必要としない。したがって、予めａ−Ｓｅ膜６
が形成されたアクティブマトリクス基板１にＴＣＰ基板
１７を接続する場合でも、ａ−Ｓｅ膜６に熱が伝わるこ
とが無く、ａ−Ｓｅ膜６の結晶化、すなわち暗抵抗が高
いという特性が劣化することを防ぐことができる。
【００７８】また、これにより、たとえば加熱処理に伴
う特性の劣化を避けるために、ａ−Ｓｅ膜６等を、上記
ＴＣＰ基板１７の実装後に設置するという工程を採用す
る必要がない。したがって、たとえば、駆動ＩＣ１５や
読み出しＩＣ１６が実装された基板を真空チャンバーに
入れてａ−Ｓｅ膜６を蒸着する際に、駆動ＩＣ１５や読
み出しＩＣ１６が破損したり、該破損を避けるための特
殊な基板搬送系が必要とならないため、効率的かつ経済
的に二次元画像検出器を製造することができる。
う特性の劣化を避けるために、ａ−Ｓｅ膜６等を、上記
ＴＣＰ基板１７の実装後に設置するという工程を採用す
る必要がない。したがって、たとえば、駆動ＩＣ１５や
読み出しＩＣ１６が実装された基板を真空チャンバーに
入れてａ−Ｓｅ膜６を蒸着する際に、駆動ＩＣ１５や読
み出しＩＣ１６が破損したり、該破損を避けるための特
殊な基板搬送系が必要とならないため、効率的かつ経済
的に二次元画像検出器を製造することができる。
【００７９】実際に、従来の熱硬化性樹脂を含有する熱
硬化型異方導電接着剤を用いてＴＣＰ方式等で実装した
場合、撮像領域の周辺部のａ−Ｓｅ膜の温度が８０〜１
００℃に上昇する現象と、それに伴うａ−Ｓｅ膜の暗抵
抗の低下が確認されていた。しかしながら、接着部１３
に対し、本実施の形態のように、光硬化性樹脂を含有す
る光硬化型異方導電接着剤を用いた場合は、ａ−Ｓｅ膜
の温度が全く上昇せず、ａ−Ｓｅ膜６の上記特性の劣化
は見られなかった。
硬化型異方導電接着剤を用いてＴＣＰ方式等で実装した
場合、撮像領域の周辺部のａ−Ｓｅ膜の温度が８０〜１
００℃に上昇する現象と、それに伴うａ−Ｓｅ膜の暗抵
抗の低下が確認されていた。しかしながら、接着部１３
に対し、本実施の形態のように、光硬化性樹脂を含有す
る光硬化型異方導電接着剤を用いた場合は、ａ−Ｓｅ膜
の温度が全く上昇せず、ａ−Ｓｅ膜６の上記特性の劣化
は見られなかった。
【００８０】ところで、光硬化型の異方導電接着剤に紫
外線を照射しようとする場合、ＴＣＰ基板１７が紫外線
を透過しにくい材質で構成されているため、図２におけ
る矢印ａで示すように、アクティブマトリクス基板１の
裏面側、すなわち、入出力端子１４が設置されていない
面側から紫外線の照射を行なう必要がある。
外線を照射しようとする場合、ＴＣＰ基板１７が紫外線
を透過しにくい材質で構成されているため、図２におけ
る矢印ａで示すように、アクティブマトリクス基板１の
裏面側、すなわち、入出力端子１４が設置されていない
面側から紫外線の照射を行なう必要がある。
【００８１】しかしながら、一般的に、アクティブマト
リクス基板の周辺部に形成される入出力端子は、ゲート
電極やソース電極を形成する材料により同時に形成され
ているので、ゲート電極やソース電極が光を透過しない
かあるいは光を透過しにくい材質、例えば金属膜からな
る場合、アクティブマトリクス基板の裏面側から光硬化
型の異方導電接着剤に紫外線を照射すると、入出力端子
の幅によっては、上記光硬化型の異方導電接着剤への紫
外線等の光の照射が妨げられ、紫外線等の光を十分に透
過することができない。この結果、上記光硬化型の異方
導電接着剤の硬化反応（光反応）が十分に進行せず、十
分な接着強度を得ることができない場合がある。
リクス基板の周辺部に形成される入出力端子は、ゲート
電極やソース電極を形成する材料により同時に形成され
ているので、ゲート電極やソース電極が光を透過しない
かあるいは光を透過しにくい材質、例えば金属膜からな
る場合、アクティブマトリクス基板の裏面側から光硬化
型の異方導電接着剤に紫外線を照射すると、入出力端子
の幅によっては、上記光硬化型の異方導電接着剤への紫
外線等の光の照射が妨げられ、紫外線等の光を十分に透
過することができない。この結果、上記光硬化型の異方
導電接着剤の硬化反応（光反応）が十分に進行せず、十
分な接着強度を得ることができない場合がある。
【００８２】そこで、入出力端子（接続端子）に対する
紫外線の回り込み効果として、図１０に示すように、ア
クティブマトリクス基板１としての基板４３の裏面側か
ら入出力端子１４としての配線４２に紫外線を照射した
ときの、外部部材としてのガラス基板４５との接着部に
おける配線４２の幅Ｌ（配線４２の一方の側端部４２ａ
を原点Ｏ（起点）として、原点Ｏから評価ポイントＰま
での距離）に対する光硬化型の異方導電接着剤の硬化率
（％）を測定した結果を表２に示す。該測定における測
定方法並びに測定条件は以下に示す通りである。
紫外線の回り込み効果として、図１０に示すように、ア
クティブマトリクス基板１としての基板４３の裏面側か
ら入出力端子１４としての配線４２に紫外線を照射した
ときの、外部部材としてのガラス基板４５との接着部に
おける配線４２の幅Ｌ（配線４２の一方の側端部４２ａ
を原点Ｏ（起点）として、原点Ｏから評価ポイントＰま
での距離）に対する光硬化型の異方導電接着剤の硬化率
（％）を測定した結果を表２に示す。該測定における測
定方法並びに測定条件は以下に示す通りである。
【００８３】上記配線４２の幅Ｌに対する光硬化型の異
方導電接着剤の硬化率は、図１０に示すように、アクテ
ィブマトリクス基板１として、ガラス基板４１上に紫外
線を透過しない材質からなる配線４２を備えた基板４３
を、上記配線４２形成面を対向面として、光硬化型の異
方導電接着剤４４を介してガラス基板４５と対向配置
し、上記ガラス基板４１における配線４２形成面の裏面
側から配線４２の一方の側端部４２ａに向けて斜め４５
°の角度から紫外線を照射し、評価ポイントＰにおいて
ＦＴ−ＩＲ顕微システム（フーリエ変換赤外分光光度
計：ＦｏｕｒｉｅｒＴｒａｎｓｆｏｒｍ Ｉｎｆｒａｒ
ｅｄ Ｓｐｅｃｔｒｏｐｈｏｔｏｍｅｔｅｒ）により計
測した吸収スペクトルにより光反応の度合いを求めるこ
とにより測定した。
方導電接着剤の硬化率は、図１０に示すように、アクテ
ィブマトリクス基板１として、ガラス基板４１上に紫外
線を透過しない材質からなる配線４２を備えた基板４３
を、上記配線４２形成面を対向面として、光硬化型の異
方導電接着剤４４を介してガラス基板４５と対向配置
し、上記ガラス基板４１における配線４２形成面の裏面
側から配線４２の一方の側端部４２ａに向けて斜め４５
°の角度から紫外線を照射し、評価ポイントＰにおいて
ＦＴ−ＩＲ顕微システム（フーリエ変換赤外分光光度
計：ＦｏｕｒｉｅｒＴｒａｎｓｆｏｒｍ Ｉｎｆｒａｒ
ｅｄ Ｓｐｅｃｔｒｏｐｈｏｔｏｍｅｔｅｒ）により計
測した吸収スペクトルにより光反応の度合いを求めるこ
とにより測定した。
【００８４】なお、紫外線の照射条件は、３０ｍＷ／ｃ
ｍ2 ×１０秒間とし、上記ガラス基板４１・４５の厚み
は各々１．１ｍｍ厚とした。また、上記光硬化型の異方
導電接着剤としては、５μｍの樹脂粒子が分散された、
エポキシ変成系のアクリル系異方導電接着剤を使用し
た。上記基板４３とガラス基板４５とは、上記配線４２
形成部におけるギャップ、すなわち、上記基板４３にお
けるガラス基板４１上に設けられた配線４２とガラス基
板４５との間のギャップｇが５μｍとなるように両者の
接着部において対向配置されている。また、上記配線４
２としては、Ａｌ（アルミニウム）配線を使用した。
ｍ2 ×１０秒間とし、上記ガラス基板４１・４５の厚み
は各々１．１ｍｍ厚とした。また、上記光硬化型の異方
導電接着剤としては、５μｍの樹脂粒子が分散された、
エポキシ変成系のアクリル系異方導電接着剤を使用し
た。上記基板４３とガラス基板４５とは、上記配線４２
形成部におけるギャップ、すなわち、上記基板４３にお
けるガラス基板４１上に設けられた配線４２とガラス基
板４５との間のギャップｇが５μｍとなるように両者の
接着部において対向配置されている。また、上記配線４
２としては、Ａｌ（アルミニウム）配線を使用した。
【００８５】
【表２】
上記測定ポイントＰにおける硬化率（％）は、配線４２
の幅Ｌが大きくなるにしたがって低下するが、該配線４
２の幅Ｌが５０μｍを超えると、若干、硬化率の低下の
度合いが大きくなる傾向にある。
の幅Ｌが大きくなるにしたがって低下するが、該配線４
２の幅Ｌが５０μｍを超えると、若干、硬化率の低下の
度合いが大きくなる傾向にある。
【００８６】そして、十分な接着強度を得るためには、
上記硬化率は９０％以上であることが望ましい。このた
め、硬化率９０％以上を判断基準とすると、紫外線の十
分な回り込み効果を得るためには、上記配線４２の幅Ｌ
が５０μｍ以下であることが望ましく、２０μｍ以下で
あることがより望ましく、１０μｍ以下であることがよ
り一層望ましい。
上記硬化率は９０％以上であることが望ましい。このた
め、硬化率９０％以上を判断基準とすると、紫外線の十
分な回り込み効果を得るためには、上記配線４２の幅Ｌ
が５０μｍ以下であることが望ましく、２０μｍ以下で
あることがより望ましく、１０μｍ以下であることがよ
り一層望ましい。
【００８７】しかしながら、一般的に、エポキシ系の熱
硬化型の異方導電接着剤と比較して、光硬化型の異方導
電接着剤の方が接着強度が弱い傾向にある。このため、
単純に上記入出力端子１４を細く形成した場合、異方導
電接着剤として光硬化型の異方導電接着剤を用いると、
十分な接着強度を確保することができない。また、パタ
ーニングの精度からすると、上記配線４２の幅Ｌは、２
μｍ以上であることが好ましく、３μｍ以上であること
がより好ましく、５μｍ以上であることがさらに一層好
ましい。
硬化型の異方導電接着剤と比較して、光硬化型の異方導
電接着剤の方が接着強度が弱い傾向にある。このため、
単純に上記入出力端子１４を細く形成した場合、異方導
電接着剤として光硬化型の異方導電接着剤を用いると、
十分な接着強度を確保することができない。また、パタ
ーニングの精度からすると、上記配線４２の幅Ｌは、２
μｍ以上であることが好ましく、３μｍ以上であること
がより好ましく、５μｍ以上であることがさらに一層好
ましい。
【００８８】このため、アクティブマトリクス基板の裏
面側から紫外線（光）照射を行う場合、異方導電接着剤
の光反応（光硬化反応）を充分に進行させるため、接着
部に近接する入出力端子の少なくとも一部が光を透過さ
せる構造を有している必要があり、アクティブマトリク
ス基板の裏面側から紫外線（光）を照射したとき、紫外
線（光）の入出力端子表面への回り込み効果に応じて上
記入出力端子を介して光硬化型（光反応性）の導電接着
剤の光反応を十分に進行させることができる構造を有し
ていることが好ましい。
面側から紫外線（光）照射を行う場合、異方導電接着剤
の光反応（光硬化反応）を充分に進行させるため、接着
部に近接する入出力端子の少なくとも一部が光を透過さ
せる構造を有している必要があり、アクティブマトリク
ス基板の裏面側から紫外線（光）を照射したとき、紫外
線（光）の入出力端子表面への回り込み効果に応じて上
記入出力端子を介して光硬化型（光反応性）の導電接着
剤の光反応を十分に進行させることができる構造を有し
ていることが好ましい。
【００８９】そこで、本実施の形態においては、アクテ
ィブマトリクス基板１の裏面側から光を照射する場合で
も、入出力端子１４上の異方導電接着剤に紫外線等の光
が到達できるようにするため、以下において説明する構
造を有する入出力端子１４を使用した。
ィブマトリクス基板１の裏面側から光を照射する場合で
も、入出力端子１４上の異方導電接着剤に紫外線等の光
が到達できるようにするため、以下において説明する構
造を有する入出力端子１４を使用した。
【００９０】図３は、本実施の形態で用いたアクティブ
マトリクス基板１の入出力端子１４の拡大図である。こ
こでは、各入出力端子１４の材料として、可視光線や紫
外線等の光透過性を有するＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ−ｔｉ
ｎ ｏｘｉｄｅ）からなる板状の電極を使用した。すな
わち、上記入出力端子１４を光透過性を有する材料にて
形成することで、接着部１３に近接する入出力端子１４
そのものが光を透過させる構造を有している。
マトリクス基板１の入出力端子１４の拡大図である。こ
こでは、各入出力端子１４の材料として、可視光線や紫
外線等の光透過性を有するＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ−ｔｉ
ｎ ｏｘｉｄｅ）からなる板状の電極を使用した。すな
わち、上記入出力端子１４を光透過性を有する材料にて
形成することで、接着部１３に近接する入出力端子１４
そのものが光を透過させる構造を有している。
【００９１】一般に、アクティブマトリクス基板の電極
配線（ゲート電極やソース電極）には、抵抗値を一定範
囲に維持する必要性から、Ｔａ（タンタル）、Ａｌ（ア
ルミニウム）、Ｍｏ（モリブデン）等の金属電極を使用
することが望ましい。このため、本実施の形態では、図
３に示すように、入出力端子１４のみを光透過性を有す
る材料で板状に形成し、入出力端子１４から延伸される
電極配線としてのゲート電極２やソース電極３には金属
電極を使用する構成とした。
配線（ゲート電極やソース電極）には、抵抗値を一定範
囲に維持する必要性から、Ｔａ（タンタル）、Ａｌ（ア
ルミニウム）、Ｍｏ（モリブデン）等の金属電極を使用
することが望ましい。このため、本実施の形態では、図
３に示すように、入出力端子１４のみを光透過性を有す
る材料で板状に形成し、入出力端子１４から延伸される
電極配線としてのゲート電極２やソース電極３には金属
電極を使用する構成とした。
【００９２】ＩＴＯは、０．１〜０．２μｍの厚みとし
た場合、可視光線はもちろん紫外線に対しても、十分な
透過性を有している。したがって、上記構造の入出力端
子１４を採用することで、アクティブマトリクス基板１
の裏面（入出力端子１４の形成面に対して反対面）側か
ら紫外線を照射し、異方導電接着剤を充分に硬化させて
接着部１３を形成させることができる。
た場合、可視光線はもちろん紫外線に対しても、十分な
透過性を有している。したがって、上記構造の入出力端
子１４を採用することで、アクティブマトリクス基板１
の裏面（入出力端子１４の形成面に対して反対面）側か
ら紫外線を照射し、異方導電接着剤を充分に硬化させて
接着部１３を形成させることができる。
【００９３】但し、上記入出力端子１４をＩＴＯにより
形成する場合、ガラス基板、ＩＴＯ共に、波長３５０μ
ｍ付近で紫外線の吸収端を有する。このため、この場合
には、それより短波長側の紫外線を用いても光反応性の
異方導電接着剤を硬化させることはできない。したがっ
て、上記の場合、上記の異方導電接着剤に用いる光反応
性樹脂としては、上記吸収端よりも長波長側の光に対し
て反応性を有する樹脂、好適には、工業的に多用されて
いる波長３６５ｎｍ（ｉ線紫外線）で硬化が促進する材
料か、それより長波長側の光（可視領域の青色光など）
で硬化が促進する樹脂（材料）が使用される。
形成する場合、ガラス基板、ＩＴＯ共に、波長３５０μ
ｍ付近で紫外線の吸収端を有する。このため、この場合
には、それより短波長側の紫外線を用いても光反応性の
異方導電接着剤を硬化させることはできない。したがっ
て、上記の場合、上記の異方導電接着剤に用いる光反応
性樹脂としては、上記吸収端よりも長波長側の光に対し
て反応性を有する樹脂、好適には、工業的に多用されて
いる波長３６５ｎｍ（ｉ線紫外線）で硬化が促進する材
料か、それより長波長側の光（可視領域の青色光など）
で硬化が促進する樹脂（材料）が使用される。
【００９４】同様に、上記入出力端子１４を、透光性を
有する材料にて形成する場合にも、上記光反応性の異方
導電接着剤としては、光を照射する側の基板であるアク
ティブマトリクス基板１および入出力端子１４を構成す
る材料の吸収波長に応じた波長の光に対して光反応性を
有する材料が用いられる。
有する材料にて形成する場合にも、上記光反応性の異方
導電接着剤としては、光を照射する側の基板であるアク
ティブマトリクス基板１および入出力端子１４を構成す
る材料の吸収波長に応じた波長の光に対して光反応性を
有する材料が用いられる。
【００９５】なお、上記光透過性を有する入力端子１４
の材料は、ＩＴＯに限定されるものではなく、たとえ
ば、ＳｎＯ2 やＺｎＯ等を使用することもできる。
の材料は、ＩＴＯに限定されるものではなく、たとえ
ば、ＳｎＯ2 やＺｎＯ等を使用することもできる。
【００９６】このように入出力端子１４をＩＴＯ等から
なる透明導電酸化膜で形成する場合、上記入出力端子１
４は、たとえば、電極配線を、透明導電酸化膜（たとえ
ばＩＴＯ）上に金属膜が積層されてなる積層構造として
おき、入出力端子１４となる端子部分（特に、接着部１
３に用いられる部分）のみ、上層である金属膜をエッチ
ング除去して透明導電酸化膜を露出させる方法等により
容易に形成することができる。この場合、上記金属膜の
エッチングは、上記端子部分（特に、接着部１３に用い
られる部分）全面をエッチングしてもよく、図４または
図１１を用いて後述するように複数の開口部（開口部１
８）を設ける形状にエッチングしてもよい。
なる透明導電酸化膜で形成する場合、上記入出力端子１
４は、たとえば、電極配線を、透明導電酸化膜（たとえ
ばＩＴＯ）上に金属膜が積層されてなる積層構造として
おき、入出力端子１４となる端子部分（特に、接着部１
３に用いられる部分）のみ、上層である金属膜をエッチ
ング除去して透明導電酸化膜を露出させる方法等により
容易に形成することができる。この場合、上記金属膜の
エッチングは、上記端子部分（特に、接着部１３に用い
られる部分）全面をエッチングしてもよく、図４または
図１１を用いて後述するように複数の開口部（開口部１
８）を設ける形状にエッチングしてもよい。
【００９７】また、本実施の形態において用いられる入
出力端子１４としては、上記光透過性を有する入力端子
１４に代えて、図４または図１１に示す構成を有する入
出力端子１４を用いることもできる。図４では、板状の
金属電極からなる入出力端子１４に、該入出力端子１４
を厚さ方向に貫通する複数の開口部１８がストライプ状
に形成されている。上記開口部１８の形状や数は特に限
定されないが、前述したように、金属を含む電極配線に
おける金属端子部（入出力端子１４における金属部分）
に対して紫外線の回り込みが良く、光硬化型の異方導電
性接着剤の十分な硬化が期待できる幅に上記金属端子部
が形成されていることが望ましく、このために必要とさ
れる、接着部１３における金属端子部の幅が好ましくは
５０μｍ以下、より好ましくは２０μｍ以下、より一層
好ましくは１０μｍ以下であり、良好なパターニング精
度が得られる、接着部１３における金属端子部の幅が好
ましくは２μｍ以上、より好ましくは３μｍ以上、より
一層好ましくは５μｍ以上であることから、本実施の形
態では、入出力端子１４各１本当り、Ｌ／Ｓ比（Ｌｉｎ
ｅ／Ｓｐａｃｅ比）が５μｍ／５μｍとなる開口部１８
（スリットパターン）を２００個形成した。なお、図４
では、理解しやすいように１１個の開口部１８しか描写
していない。
出力端子１４としては、上記光透過性を有する入力端子
１４に代えて、図４または図１１に示す構成を有する入
出力端子１４を用いることもできる。図４では、板状の
金属電極からなる入出力端子１４に、該入出力端子１４
を厚さ方向に貫通する複数の開口部１８がストライプ状
に形成されている。上記開口部１８の形状や数は特に限
定されないが、前述したように、金属を含む電極配線に
おける金属端子部（入出力端子１４における金属部分）
に対して紫外線の回り込みが良く、光硬化型の異方導電
性接着剤の十分な硬化が期待できる幅に上記金属端子部
が形成されていることが望ましく、このために必要とさ
れる、接着部１３における金属端子部の幅が好ましくは
５０μｍ以下、より好ましくは２０μｍ以下、より一層
好ましくは１０μｍ以下であり、良好なパターニング精
度が得られる、接着部１３における金属端子部の幅が好
ましくは２μｍ以上、より好ましくは３μｍ以上、より
一層好ましくは５μｍ以上であることから、本実施の形
態では、入出力端子１４各１本当り、Ｌ／Ｓ比（Ｌｉｎ
ｅ／Ｓｐａｃｅ比）が５μｍ／５μｍとなる開口部１８
（スリットパターン）を２００個形成した。なお、図４
では、理解しやすいように１１個の開口部１８しか描写
していない。
【００９８】図１１では、板状の金属電極からなる入出
力端子１４に、該入出力端子１４を厚さ方向に貫通する
複数の開口部１８が網目状（格子状）に形成されてい
る。この場合にも、上記開口部１８の形状や数は特に限
定されないが、前述した理由から、本実施の形態では、
入出力端子１４各１本当り、Ｌ／Ｓ比（Ｌｉｎｅ／Ｓｐ
ａｃｅ比）が５μｍ／５μｍとなる開口部１８を形成し
た。なお、図１１では、理解しやすいように開口部１８
の数を実際よりも少なく記載している。
力端子１４に、該入出力端子１４を厚さ方向に貫通する
複数の開口部１８が網目状（格子状）に形成されてい
る。この場合にも、上記開口部１８の形状や数は特に限
定されないが、前述した理由から、本実施の形態では、
入出力端子１４各１本当り、Ｌ／Ｓ比（Ｌｉｎｅ／Ｓｐ
ａｃｅ比）が５μｍ／５μｍとなる開口部１８を形成し
た。なお、図１１では、理解しやすいように開口部１８
の数を実際よりも少なく記載している。
【００９９】上記のような開口部１８を設ける構造の場
合、入出力端子１４に設けられた複数の開口部１８から
紫外線等の光を照射することができるので、たとえば、
アクティブマトリクス基板１の裏面側から紫外線を照射
し、異方導電接着剤を充分に硬化させることができる。
また、入出力端子１４から延伸される電極配線としての
ゲート電極２やソース電極３を上記金属電極（金属端子
部）と同じ金属で形成できるため、入出力端子１４と上
記電極配線との接続部分の接着を行う必要がなく、製造
工程を単純化することが可能である。
合、入出力端子１４に設けられた複数の開口部１８から
紫外線等の光を照射することができるので、たとえば、
アクティブマトリクス基板１の裏面側から紫外線を照射
し、異方導電接着剤を充分に硬化させることができる。
また、入出力端子１４から延伸される電極配線としての
ゲート電極２やソース電極３を上記金属電極（金属端子
部）と同じ金属で形成できるため、入出力端子１４と上
記電極配線との接続部分の接着を行う必要がなく、製造
工程を単純化することが可能である。
【０１００】また、開口部１８を、１本の入出力端子１
４当たり、Ｌ／Ｓ比が５μｍ／５μｍとなるように形成
することで、異方導電接着剤を充分に硬化させることが
できる紫外線の照射量を確保することができる。
４当たり、Ｌ／Ｓ比が５μｍ／５μｍとなるように形成
することで、異方導電接着剤を充分に硬化させることが
できる紫外線の照射量を確保することができる。
【０１０１】なお、上記図４および図１１ではＬ／Ｓ比
が１（すなわち、ライン幅とスペース幅とが等しい）と
なるように開口部１８の形状並びに大きさを設定した例
を示したが、上記Ｌ／Ｓ比は必ずしも１である必要はな
く、上記開口部１８が、紫外線等の光の照射条件に応じ
て、上記アクティブマトリクス基板１の入出力端子１４
が設けられている面の裏面側から光を照射したときの該
光の入出力端子１４表面への回り込みの程度に応じた大
きさまたは形状に形成されていればよい。
が１（すなわち、ライン幅とスペース幅とが等しい）と
なるように開口部１８の形状並びに大きさを設定した例
を示したが、上記Ｌ／Ｓ比は必ずしも１である必要はな
く、上記開口部１８が、紫外線等の光の照射条件に応じ
て、上記アクティブマトリクス基板１の入出力端子１４
が設けられている面の裏面側から光を照射したときの該
光の入出力端子１４表面への回り込みの程度に応じた大
きさまたは形状に形成されていればよい。
【０１０２】このように入出力端子１４が金属部分（金
属端子部）を含んでいる場合、光硬化型の異方導電接着
剤に含まれる導電粒子と上記入出力端子１４の金属部分
との接着性が低いことから、上記接着部１３近傍におけ
る入出力端子１４における金属部分の割合はできるだけ
多い方が好ましい。しかしながら、光硬化型の異方導電
接着剤の硬化性からみれば、上記接着部１３近傍におけ
る入出力端子１４における開口部１８の開口面積はでき
るだけ大きい方が好ましい。
属端子部）を含んでいる場合、光硬化型の異方導電接着
剤に含まれる導電粒子と上記入出力端子１４の金属部分
との接着性が低いことから、上記接着部１３近傍におけ
る入出力端子１４における金属部分の割合はできるだけ
多い方が好ましい。しかしながら、光硬化型の異方導電
接着剤の硬化性からみれば、上記接着部１３近傍におけ
る入出力端子１４における開口部１８の開口面積はでき
るだけ大きい方が好ましい。
【０１０３】このため、光硬化型の異方導電接着剤を用
いた場合に、上記入出力端子１４が金属端子部（金属部
分）を含む場合、特に、上記入出力端子１４が金属端子
（金属電極）である場合には特に、上記入出力端子１４
の金属部分における両者の接触表面に凹凸を形成するこ
とで両者の接触界面における接触強度を向上させること
ができる。そして、この場合、上記図１１に示すよう
に、接触部１３における上記入出力端子１４の金属部分
が網目状（格子状）に形成されていることで、図４に示
すスリットパターンと比較して段差の分布密度が向上
し、かつ二次元的（Ｘ・Ｙ方向）に同じ割合で段差を分
布させることができる。したがって、上記入出力端子１
４を図１１に示す構成とすることは、光硬化型の異方導
電接着剤の硬化性と接着強度とを共に十分に満足させる
ことができ、抵抗値を一定範囲に維持しながら非晶質半
導体層の特性が劣化することを防止し、画像の検出感度
を維持する上で好適である。
いた場合に、上記入出力端子１４が金属端子部（金属部
分）を含む場合、特に、上記入出力端子１４が金属端子
（金属電極）である場合には特に、上記入出力端子１４
の金属部分における両者の接触表面に凹凸を形成するこ
とで両者の接触界面における接触強度を向上させること
ができる。そして、この場合、上記図１１に示すよう
に、接触部１３における上記入出力端子１４の金属部分
が網目状（格子状）に形成されていることで、図４に示
すスリットパターンと比較して段差の分布密度が向上
し、かつ二次元的（Ｘ・Ｙ方向）に同じ割合で段差を分
布させることができる。したがって、上記入出力端子１
４を図１１に示す構成とすることは、光硬化型の異方導
電接着剤の硬化性と接着強度とを共に十分に満足させる
ことができ、抵抗値を一定範囲に維持しながら非晶質半
導体層の特性が劣化することを防止し、画像の検出感度
を維持する上で好適である。
【０１０４】なお、上記開口部１８の入出力端子１４各
１本当りのＬ／Ｓ比および入出力端子１４各１本当りに
形成される開口部１８の個数は特に限定されるものでは
なく、接着部１３を光硬化により形成させることができ
る範囲内で適宜採用することができる。
１本当りのＬ／Ｓ比および入出力端子１４各１本当りに
形成される開口部１８の個数は特に限定されるものでは
なく、接着部１３を光硬化により形成させることができ
る範囲内で適宜採用することができる。
【０１０５】上記開口部１８の形成方法、言い換えれ
ば、上記入出力端子１４の金属パターンの形成方法は、
特に限定されるものではなく、常用のエッチング技術等
を用いることにより、容易に形成することができる。
ば、上記入出力端子１４の金属パターンの形成方法は、
特に限定されるものではなく、常用のエッチング技術等
を用いることにより、容易に形成することができる。
【０１０６】また、上記入出力端子１４が金属端子部を
備える場合においても、該金属端子部とゲート電極２や
ソース電極３等の電極配線とは、各々異なる材料を用い
て形成することができる。
備える場合においても、該金属端子部とゲート電極２や
ソース電極３等の電極配線とは、各々異なる材料を用い
て形成することができる。
【０１０７】たとえば、入出力端子１４となる部分にの
み抵抗値の異なる、たとえば抵抗値の低い金属材料や、
前記導電粒子との接着性に優れた金属材料等をメッキし
たもの、あるいは、異なる金属膜同士の積層構造とした
もの等が挙げられる。これにより、たとえば抵抗値を一
定範囲に維持しながら光硬化型の異方導電接着剤と上記
入出力端子１４との接着強度を良好に維持することがで
きる。
み抵抗値の異なる、たとえば抵抗値の低い金属材料や、
前記導電粒子との接着性に優れた金属材料等をメッキし
たもの、あるいは、異なる金属膜同士の積層構造とした
もの等が挙げられる。これにより、たとえば抵抗値を一
定範囲に維持しながら光硬化型の異方導電接着剤と上記
入出力端子１４との接着強度を良好に維持することがで
きる。
【０１０８】また、図１２（ａ）または図１２（ｂ）に
示すように、入出力端子１４となる金属電極の端子部分
（特に、接着部１３に用いられる部分）に上記した開口
部１８を形成してなる金属端子部１４ａ上に、ＩＴＯ等
の透明導電酸化膜１４ｂ等を積層してなる積層構造とし
たもの等が挙げられる。このように、金属電極の端子部
分に開口部１８を設ける場合でも、該端子部分（金属端
子部１４ａ）の表面酸化を防止するために、該端子部分
（金属端子部１４ａ）にＩＴＯ等からなる透明導電酸化
膜１４ｂが積層されていることが望ましい。
示すように、入出力端子１４となる金属電極の端子部分
（特に、接着部１３に用いられる部分）に上記した開口
部１８を形成してなる金属端子部１４ａ上に、ＩＴＯ等
の透明導電酸化膜１４ｂ等を積層してなる積層構造とし
たもの等が挙げられる。このように、金属電極の端子部
分に開口部１８を設ける場合でも、該端子部分（金属端
子部１４ａ）の表面酸化を防止するために、該端子部分
（金属端子部１４ａ）にＩＴＯ等からなる透明導電酸化
膜１４ｂが積層されていることが望ましい。
【０１０９】上記透明導電酸化膜１４ｂは、図１２
（ａ）に示すように、開口部１８を含めた金属端子部１
４ａの全面を覆うように設けられていることで、上記開
口部１８が透明導電酸化膜１４ｂによって閉塞されてい
る構成としてもよく、たとえばエッチングあるいはフォ
トマスクを用いたフォトリソグラフィー等により、図１
２（ｂ）に示すように、開口部１８を除く金属端子部１
４ａが透明導電酸化膜１４ｂによって覆われた構成とし
てもよい。
（ａ）に示すように、開口部１８を含めた金属端子部１
４ａの全面を覆うように設けられていることで、上記開
口部１８が透明導電酸化膜１４ｂによって閉塞されてい
る構成としてもよく、たとえばエッチングあるいはフォ
トマスクを用いたフォトリソグラフィー等により、図１
２（ｂ）に示すように、開口部１８を除く金属端子部１
４ａが透明導電酸化膜１４ｂによって覆われた構成とし
てもよい。
【０１１０】このように上記入出力端子１４が金属端子
部を備える場合、上記アクティブマトリクス基板１の裏
面から照射する紫外線等の光の指向性が良すぎると、該
光が金属パターン上の光反応性を有する異方導電性接着
剤にほとんど回り込まなくなる。したがって、上記入出
力端子１４が金属端子部を備える場合、上記光反応性を
有する異方導電性接着剤に照射される光は、指向性が低
いかまたは斜め方向からの照射成分が大きい（放射角が
大きい）光照射器（たとえば紫外線照射器）を用いるこ
とが望ましい。
部を備える場合、上記アクティブマトリクス基板１の裏
面から照射する紫外線等の光の指向性が良すぎると、該
光が金属パターン上の光反応性を有する異方導電性接着
剤にほとんど回り込まなくなる。したがって、上記入出
力端子１４が金属端子部を備える場合、上記光反応性を
有する異方導電性接着剤に照射される光は、指向性が低
いかまたは斜め方向からの照射成分が大きい（放射角が
大きい）光照射器（たとえば紫外線照射器）を用いるこ
とが望ましい。
【０１１１】〔実施の形態２〕
上記実施の形態１では、接着部１３に対して、ペースト
状の光硬化型異方導電接着剤を用いた例を示したが、本
発明はこれに限定されるものではない。たとえば、以下
に示すようなフィルム状の異方導電接着剤を用いること
もできる。なお、本実施の形態にかかる二次元画像検出
器の説明においては、説明の便宜上、上記実施の形態１
で用いた部材と同一の機能を有する部材には同一の部材
番号を付記し、その説明を省略する。
状の光硬化型異方導電接着剤を用いた例を示したが、本
発明はこれに限定されるものではない。たとえば、以下
に示すようなフィルム状の異方導電接着剤を用いること
もできる。なお、本実施の形態にかかる二次元画像検出
器の説明においては、説明の便宜上、上記実施の形態１
で用いた部材と同一の機能を有する部材には同一の部材
番号を付記し、その説明を省略する。
【０１１２】接着部１３としてフィルム状の異方導電接
着剤を用いる場合は、異方導電接着剤自身がフィルムの
形態をしているため、最初に異方導電接着剤を構成する
フィルムを軟化させ、基板上、すなわち、アクティブマ
トリクス基板１上に転写する工程が必要となる。
着剤を用いる場合は、異方導電接着剤自身がフィルムの
形態をしているため、最初に異方導電接着剤を構成する
フィルムを軟化させ、基板上、すなわち、アクティブマ
トリクス基板１上に転写する工程が必要となる。
【０１１３】具体的には、先ず、アクティブマトリクス
基板１の周辺部に形成された入出力端子１４に、上記フ
ィルム状の光硬化性の異方導電接着剤を転写する。転写
には、若干の加熱（約１００℃×数秒）と加圧９．８ｍ
Ｐａ（１０kgf/cm2 ）が必要である。次に、その上に、
ＴＣＰ基板１７に配置されている接続端子と、アクティ
ブマトリクス基板１の周辺部に形成された入出力端子１
４との位置合わせ、すなわち接続部分の決定を行なう。
最後に９．８ｍＰａ〜２９．４ｍＰａ（１０〜３０kgf/
cm2 ）の圧力でＴＣＰ基板１７の接続部分を加圧しなが
ら、若干の加熱（約１００℃×数秒）により異方導電接
着剤を構成するフィルムを軟化させた後、紫外線を照射
（積算光量：３０００mJ/cm2）し、異方導電接着剤を硬
化させる。
基板１の周辺部に形成された入出力端子１４に、上記フ
ィルム状の光硬化性の異方導電接着剤を転写する。転写
には、若干の加熱（約１００℃×数秒）と加圧９．８ｍ
Ｐａ（１０kgf/cm2 ）が必要である。次に、その上に、
ＴＣＰ基板１７に配置されている接続端子と、アクティ
ブマトリクス基板１の周辺部に形成された入出力端子１
４との位置合わせ、すなわち接続部分の決定を行なう。
最後に９．８ｍＰａ〜２９．４ｍＰａ（１０〜３０kgf/
cm2 ）の圧力でＴＣＰ基板１７の接続部分を加圧しなが
ら、若干の加熱（約１００℃×数秒）により異方導電接
着剤を構成するフィルムを軟化させた後、紫外線を照射
（積算光量：３０００mJ/cm2）し、異方導電接着剤を硬
化させる。
【０１１４】上記のような方法で、アクティブマトリク
ス基板１とＴＣＰ基板１７との接続を行なえば、異方導
電接着剤の軟化プロセスに若干の加熱（約１００℃×数
秒）が必要とされるものの、従来のような（１５０℃以
上）×（５〜３０秒）程度の加熱を必要としない。
ス基板１とＴＣＰ基板１７との接続を行なえば、異方導
電接着剤の軟化プロセスに若干の加熱（約１００℃×数
秒）が必要とされるものの、従来のような（１５０℃以
上）×（５〜３０秒）程度の加熱を必要としない。
【０１１５】したがって、予めａ−Ｓｅ膜６が形成され
たアクティブマトリクス基板１にＴＣＰ基板１７を接続
する場合であっても、ａ−Ｓｅ膜６には熱がほとんど伝
わらず、ａ−Ｓｅ膜６の結晶化すなわち暗抵抗が高いと
いう特性が劣化することを防ぐことができる。
たアクティブマトリクス基板１にＴＣＰ基板１７を接続
する場合であっても、ａ−Ｓｅ膜６には熱がほとんど伝
わらず、ａ−Ｓｅ膜６の結晶化すなわち暗抵抗が高いと
いう特性が劣化することを防ぐことができる。
【０１１６】実際に、接着部１３としてのフィルム状の
異方導電接着剤の軟化プロセスに、（約１００℃）×
（５秒）の加熱を行なっても、ａ−Ｓｅ膜６に伝わる温
度は５０℃以下であり、ａ−Ｓｅ膜６の上記特性の劣化
は見られなかった。
異方導電接着剤の軟化プロセスに、（約１００℃）×
（５秒）の加熱を行なっても、ａ−Ｓｅ膜６に伝わる温
度は５０℃以下であり、ａ−Ｓｅ膜６の上記特性の劣化
は見られなかった。
【０１１７】以上のように、本実施の形態にて示したよ
うに、接着部として、フィルム状の光硬化型異方導電接
着剤を用いる場合は、転写時に（約１００℃×数秒）程
度の加熱処理が必要となる。しかしながら、本実施の形
態における接着部は上述のように光硬化性樹脂を含んで
おり、熱硬化のための加熱処理は必要でないことから、
非晶質半導体層の特性を劣化させることなく、入出力端
子の接続を行うことができる。
うに、接着部として、フィルム状の光硬化型異方導電接
着剤を用いる場合は、転写時に（約１００℃×数秒）程
度の加熱処理が必要となる。しかしながら、本実施の形
態における接着部は上述のように光硬化性樹脂を含んで
おり、熱硬化のための加熱処理は必要でないことから、
非晶質半導体層の特性を劣化させることなく、入出力端
子の接続を行うことができる。
【０１１８】〔実施の形態３〕
実施の形態１では、アクティブマトリクス基板とＴＣＰ
基板の接続に光硬化型の異方導電接着剤を使用した例を
示したが、本発明はこれに限定されるものではない。な
お、本実施の形態にかかる二次元画像検出器の構成の説
明においては、説明の便宜上、上記実施の形態１で用い
た部材と同一の機能を有する部材には同一の部材番号を
付記し、その説明を省略する。
基板の接続に光硬化型の異方導電接着剤を使用した例を
示したが、本発明はこれに限定されるものではない。な
お、本実施の形態にかかる二次元画像検出器の構成の説
明においては、説明の便宜上、上記実施の形態１で用い
た部材と同一の機能を有する部材には同一の部材番号を
付記し、その説明を省略する。
【０１１９】具体的には、たとえば、駆動ＩＣや読み出
しＩＣとアクティブマトリクス基板との接続（ＣＯＧ接
続）、ＦＰＣ基板とアクティブマトリクス基板との接続
等、従来より、熱硬化型異方導電接着剤や熱可塑型異方
導電接着剤を用いて接続されていた入出力端子の接続
（実装）に光硬化型の異方導電接着剤を用いることがで
きる。
しＩＣとアクティブマトリクス基板との接続（ＣＯＧ接
続）、ＦＰＣ基板とアクティブマトリクス基板との接続
等、従来より、熱硬化型異方導電接着剤や熱可塑型異方
導電接着剤を用いて接続されていた入出力端子の接続
（実装）に光硬化型の異方導電接着剤を用いることがで
きる。
【０１２０】図５は、アクティブマトリクス基板１上
に、駆動ＩＣ１５や読み出しＩＣ１６をＣＯＧ方式によ
り直接実装し、さらにアクティブマトリクス基板１と、
図示しない外部の回路基板との接続にＦＰＣ基板１９を
用いたモジュール形態を説明する平面図である。
に、駆動ＩＣ１５や読み出しＩＣ１６をＣＯＧ方式によ
り直接実装し、さらにアクティブマトリクス基板１と、
図示しない外部の回路基板との接続にＦＰＣ基板１９を
用いたモジュール形態を説明する平面図である。
【０１２１】なお、駆動ＩＣ１５または読み出しＩＣ１
６の接続個数は、わかりやすくするため、実際より少な
く描いている。図５に示す二次元画像検出器の場合で
も、駆動ＩＣ１５や読み出しＩＣ１６の実装、ＦＰＣ基
板１９の接続（実装）に、実施の形態１や実施の形態２
で示した接着部１３を用いることで、同様の効果を得る
ことができる。
６の接続個数は、わかりやすくするため、実際より少な
く描いている。図５に示す二次元画像検出器の場合で
も、駆動ＩＣ１５や読み出しＩＣ１６の実装、ＦＰＣ基
板１９の接続（実装）に、実施の形態１や実施の形態２
で示した接着部１３を用いることで、同様の効果を得る
ことができる。
【０１２２】以上のように、上記実施の形態１〜３で
は、主にＸ線（放射線）に対する二次元画像検出器の場
合について説明してきたが、本発明の二次元画像検出器
は、これらに限定されるものではなく、使用する半導体
（電磁波導電体）がＸ線等の放射線に対する電磁波導電
性のみならず、可視光線や赤外線に対しても電磁波導電
性を示す場合は、可視光線や赤外線の二次元画像検出器
として使用する事も可能である。
は、主にＸ線（放射線）に対する二次元画像検出器の場
合について説明してきたが、本発明の二次元画像検出器
は、これらに限定されるものではなく、使用する半導体
（電磁波導電体）がＸ線等の放射線に対する電磁波導電
性のみならず、可視光線や赤外線に対しても電磁波導電
性を示す場合は、可視光線や赤外線の二次元画像検出器
として使用する事も可能である。
【０１２３】たとえば上述したａ−Ｓｅ膜は、可視光線
に対して良好な電磁波導電性を有し、高電界印加時のア
バランシェ効果を利用した高感度イメージセンサの開発
等も進められており、このような可視光画像用の二次元
画像検出器にも適用できる。
に対して良好な電磁波導電性を有し、高電界印加時のア
バランシェ効果を利用した高感度イメージセンサの開発
等も進められており、このような可視光画像用の二次元
画像検出器にも適用できる。
【０１２４】また、上述したようなａ−Ｓｅ膜の加熱に
よる結晶化（特性劣化）は、ａ−Ｓｅ膜に限るものでは
なく、結晶化温度の高低差はあるものの、非晶質材料全
般に共通の現象であるため、ａ−Ｓｅ膜以外の非晶質材
料、たとえば上記したａ−Ｓｉ膜、ａ−ＳｉＣ膜、ａ−
ＳｉＧｅ膜等を電磁波導電膜として使用する場合にも広
く適用可能である。
よる結晶化（特性劣化）は、ａ−Ｓｅ膜に限るものでは
なく、結晶化温度の高低差はあるものの、非晶質材料全
般に共通の現象であるため、ａ−Ｓｅ膜以外の非晶質材
料、たとえば上記したａ−Ｓｉ膜、ａ−ＳｉＣ膜、ａ−
ＳｉＧｅ膜等を電磁波導電膜として使用する場合にも広
く適用可能である。
【０１２５】さらに、上記実施の形態１〜３で説明した
アクティブマトリクス基板は、上記の二次元画像検出器
に限らず、液晶表示装置等に用いるアクティブマトリク
ス基板としても有効に利用できる。近年、アクティブマ
トリクス型の液晶表示装置は、大型化、高精細化、低価
格化が求められているが、特に高精細化を実現するに
は、アクティブマトリクス基板の入出力端子（表示装置
の場合は主に入力端子）を外部と接続する際、高度な接
続精度が求められる。そこで、接続時の加熱温度を抑
え、基板や接続部材の熱膨張に起因する位置精度の劣化
を避けるため、低温処理で接続が可能な光反応性の異方
導電接着剤を用いることが好ましい。
アクティブマトリクス基板は、上記の二次元画像検出器
に限らず、液晶表示装置等に用いるアクティブマトリク
ス基板としても有効に利用できる。近年、アクティブマ
トリクス型の液晶表示装置は、大型化、高精細化、低価
格化が求められているが、特に高精細化を実現するに
は、アクティブマトリクス基板の入出力端子（表示装置
の場合は主に入力端子）を外部と接続する際、高度な接
続精度が求められる。そこで、接続時の加熱温度を抑
え、基板や接続部材の熱膨張に起因する位置精度の劣化
を避けるため、低温処理で接続が可能な光反応性の異方
導電接着剤を用いることが好ましい。
【０１２６】したがって、このような液晶表示装置にお
いても、前記アクティブマトリクス基板１、特に、たと
えば図３、図４、図１１、図１２（ａ）・（ｂ）に示す
構成を有するアクティブマトリクス基板１を用いること
により、接続端子としての入出力端子１４を外部と接続
するための接着剤として、容易に光反応性を有する異方
導電接着剤を用いることが可能になる。
いても、前記アクティブマトリクス基板１、特に、たと
えば図３、図４、図１１、図１２（ａ）・（ｂ）に示す
構成を有するアクティブマトリクス基板１を用いること
により、接続端子としての入出力端子１４を外部と接続
するための接着剤として、容易に光反応性を有する異方
導電接着剤を用いることが可能になる。
【０１２７】すなわち、本発明のアクティブマトリクス
基板は、二次元画像検出器のみならず、表示装置にも適
用可能であり、該表示装置の電極基板として好適に用い
られる。そこで、上記実施の形態１〜３では、上記アク
ティブマトリクス基板１を用いた二次元画像検出器につ
いて説明したが、以下の実施の形態４では、上記アクテ
ィブマトリクス基板１を、表示装置として液晶表示装置
に適用した例について説明する。
基板は、二次元画像検出器のみならず、表示装置にも適
用可能であり、該表示装置の電極基板として好適に用い
られる。そこで、上記実施の形態１〜３では、上記アク
ティブマトリクス基板１を用いた二次元画像検出器につ
いて説明したが、以下の実施の形態４では、上記アクテ
ィブマトリクス基板１を、表示装置として液晶表示装置
に適用した例について説明する。
【０１２８】〔実施の形態４〕
本実施の形態について、図１３〜図１５に基づいて説明
すれば以下のとおりである。なお、説明の便宜上、前記
実施形態１〜３で説明した部材と同様の機能を有する部
材には、同一の符号を付記してその説明を省略する。
すれば以下のとおりである。なお、説明の便宜上、前記
実施形態１〜３で説明した部材と同様の機能を有する部
材には、同一の符号を付記してその説明を省略する。
【０１２９】図１３は、本実施の形態にかかる液晶表示
装置の全体構成の概略を示す平面図であり、図１４は、
図１３に示す液晶表示装置のＢ−Ｂ’線矢視断面図であ
る。また、図１５は、上記液晶表示装置の構成を概略的
に示す斜視図である。
装置の全体構成の概略を示す平面図であり、図１４は、
図１３に示す液晶表示装置のＢ−Ｂ’線矢視断面図であ
る。また、図１５は、上記液晶表示装置の構成を概略的
に示す斜視図である。
【０１３０】上記液晶表示素子において用いられるアク
ティブマトリクス基板１は、図１４および図１５に示す
ように、ガラス等からなる透明な絶縁性基板（透光性基
板）２１上に、複数の画素電極１０がＸＹマトリクス状
（格子状）に設けられた構成を有している。
ティブマトリクス基板１は、図１４および図１５に示す
ように、ガラス等からなる透明な絶縁性基板（透光性基
板）２１上に、複数の画素電極１０がＸＹマトリクス状
（格子状）に設けられた構成を有している。
【０１３１】そして、これら画素電極１０の周囲には、
図１５に示すように、走査電極としてのゲート電極２
と、信号電極としてのソース電極３とが、画素電極１０
の外周部分において互いに直交（オーバーラップ）する
ように設けられている。また、ＸＹマトリクス状（格子
状）に配されたゲート電極２…とソース電極３…との交
差部分、すなわち、格子点となる部分には、後述する表
示体（電気光学媒体）に電圧を印加する画素電極１０を
選択駆動するスイッチング素子（アクティブ素子）とし
て、たとえば、画素電極１０に接続されるＴＦＴ（薄膜
トランジスタ）２２が各格子点毎に設けられている。
図１５に示すように、走査電極としてのゲート電極２
と、信号電極としてのソース電極３とが、画素電極１０
の外周部分において互いに直交（オーバーラップ）する
ように設けられている。また、ＸＹマトリクス状（格子
状）に配されたゲート電極２…とソース電極３…との交
差部分、すなわち、格子点となる部分には、後述する表
示体（電気光学媒体）に電圧を印加する画素電極１０を
選択駆動するスイッチング素子（アクティブ素子）とし
て、たとえば、画素電極１０に接続されるＴＦＴ（薄膜
トランジスタ）２２が各格子点毎に設けられている。
【０１３２】さらに、上記ＴＦＴ２２のドレイン電極２
３は、図示しないコンタクトホール等を介して画素電極
１０と接続されると共に、電荷蓄積容量（Ｃｓ) ２４の
一方の電極と接続されている。
３は、図示しないコンタクトホール等を介して画素電極
１０と接続されると共に、電荷蓄積容量（Ｃｓ) ２４の
一方の電極と接続されている。
【０１３３】本実施の形態において、上記ゲート電極２
…およびソース電極３…としては、金属電極が用いら
れ、その表面あるいは下層には、前記した透明導電酸化
膜（透明電極）がさらに形成された構成を有していても
よい。
…およびソース電極３…としては、金属電極が用いら
れ、その表面あるいは下層には、前記した透明導電酸化
膜（透明電極）がさらに形成された構成を有していても
よい。
【０１３４】上記ゲート電極２…を介して走査信号が入
力されることにより、上記ＴＦＴ２２…のＯＮ／ＯＦＦ
が制御される。また、上記ＴＦＴ２２…がＯＮ状態のと
きに、上記ソース電極３…を介して、データ信号が画素
電極１０…に入力される。
力されることにより、上記ＴＦＴ２２…のＯＮ／ＯＦＦ
が制御される。また、上記ＴＦＴ２２…がＯＮ状態のと
きに、上記ソース電極３…を介して、データ信号が画素
電極１０…に入力される。
【０１３５】上記ゲート電極２…およびソース電極３…
の端部には、これらゲート電極２…並びにソース電極３
…へ電気信号の入出力を行なうため、外部、つまり、図
１３に示すように、ＴＣＰ基板１７等の電気回路（外部
回路）や電気部材といった外部部材と接続される接続端
子として、複数の入出力端子１４が設置されている。
の端部には、これらゲート電極２…並びにソース電極３
…へ電気信号の入出力を行なうため、外部、つまり、図
１３に示すように、ＴＣＰ基板１７等の電気回路（外部
回路）や電気部材といった外部部材と接続される接続端
子として、複数の入出力端子１４が設置されている。
【０１３６】一方、対向基板３０には、図１４および図
１５に示すように、ガラス等からなる透明な絶縁性基板
（透光性基板）３１上に、ＩＴＯ等の透明電極からなる
対向電極（対向共通電極）３２がほぼ全面に形成されて
いる。そして、両者の基板、すなわち、アクティブマト
リクス基板１と対向基板３０には、その対向表面に、ラ
ビング処理等の一軸配向処理が施された図示しない配向
膜がそれぞれ形成され、封止剤３３により、表示体（電
気光学媒体）である液晶層３４を介して互いに貼り合わ
された構造になっている。
１５に示すように、ガラス等からなる透明な絶縁性基板
（透光性基板）３１上に、ＩＴＯ等の透明電極からなる
対向電極（対向共通電極）３２がほぼ全面に形成されて
いる。そして、両者の基板、すなわち、アクティブマト
リクス基板１と対向基板３０には、その対向表面に、ラ
ビング処理等の一軸配向処理が施された図示しない配向
膜がそれぞれ形成され、封止剤３３により、表示体（電
気光学媒体）である液晶層３４を介して互いに貼り合わ
された構造になっている。
【０１３７】すなわち、上記の液晶表示装置は、上記の
アクティブマトリクス基板１と対向基板３０とを貼り合
わせ、その間隙に液晶を導入してなる透過型の液晶表示
素子を備えている。
アクティブマトリクス基板１と対向基板３０とを貼り合
わせ、その間隙に液晶を導入してなる透過型の液晶表示
素子を備えている。
【０１３８】また、上記アクティブマトリクス基板１お
よび対向基板３０は、液晶層３４の表示モードに応じ
て、その実装の外部、すなわち、両基板における絶縁性
基板２１・３１の対向面裏面側に、図示しない偏向板や
位相差板が形成された構成を有していてもよく、上記画
素電極１０に反射性電極を用いて反射型表示装置として
もよい。
よび対向基板３０は、液晶層３４の表示モードに応じ
て、その実装の外部、すなわち、両基板における絶縁性
基板２１・３１の対向面裏面側に、図示しない偏向板や
位相差板が形成された構成を有していてもよく、上記画
素電極１０に反射性電極を用いて反射型表示装置として
もよい。
【０１３９】さらに、カラー表示を行う液晶表示装置で
は、対向基板３０に、赤色、緑色、青色等のカラーフィ
ルタ層を設けたり、特定の色を吸収あるいは反射する性
質の液晶層を用いることでカラー表示を行うことができ
る。
は、対向基板３０に、赤色、緑色、青色等のカラーフィ
ルタ層を設けたり、特定の色を吸収あるいは反射する性
質の液晶層を用いることでカラー表示を行うことができ
る。
【０１４０】上記の構成を有する本実施の形態にかかる
液晶表示装置は、図１３において、アクティブマトリク
ス基板１上に、ＸＹマトリクス状（格子状）の電極配線
（ゲート電極２…とソース電極３…）、各格子点毎、す
なわち、各画素毎に設けられたスイッチング素子（ＴＦ
Ｔ２２）、電荷蓄積容量２４、画素電極１０等が形成さ
れた画素配列層１１を有し、その周辺部には、上述した
ように、外部、つまり、ＴＣＰ基板１７等の電気回路
（外部回路）や電気部材といった外部部材と接続される
接続端子として、前記実施の形態１にて、たとえば図
３、図４、図１１、図１２（ａ）・（ｂ）に示した入出
力端子１４と同様の入出力端子１４が複数設置されてい
る。
液晶表示装置は、図１３において、アクティブマトリク
ス基板１上に、ＸＹマトリクス状（格子状）の電極配線
（ゲート電極２…とソース電極３…）、各格子点毎、す
なわち、各画素毎に設けられたスイッチング素子（ＴＦ
Ｔ２２）、電荷蓄積容量２４、画素電極１０等が形成さ
れた画素配列層１１を有し、その周辺部には、上述した
ように、外部、つまり、ＴＣＰ基板１７等の電気回路
（外部回路）や電気部材といった外部部材と接続される
接続端子として、前記実施の形態１にて、たとえば図
３、図４、図１１、図１２（ａ）・（ｂ）に示した入出
力端子１４と同様の入出力端子１４が複数設置されてい
る。
【０１４１】図１３では、アクティブマトリクス基板１
上に設置された入出力端子１４に、ＴＣＰ方式を採用し
て駆動ＩＣ１５が接続（実装）されている様子を示して
いる。この入出力端子１４は、上述したようにゲート電
極２…やソース電極３…へ電気信号の入出力を行なうた
め、アクティブマトリクス基板１の周辺部にそれぞれ設
けられている。これにより、上記入出力端子１４は、表
示される画像に応じた画像信号を外部の電気回路より入
力することができる。なお、図１３において、ＴＣＰ基
板１７の接続個数は、わかりやすくするため、実際より
少なく示している。
上に設置された入出力端子１４に、ＴＣＰ方式を採用し
て駆動ＩＣ１５が接続（実装）されている様子を示して
いる。この入出力端子１４は、上述したようにゲート電
極２…やソース電極３…へ電気信号の入出力を行なうた
め、アクティブマトリクス基板１の周辺部にそれぞれ設
けられている。これにより、上記入出力端子１４は、表
示される画像に応じた画像信号を外部の電気回路より入
力することができる。なお、図１３において、ＴＣＰ基
板１７の接続個数は、わかりやすくするため、実際より
少なく示している。
【０１４２】図１３に示す表示装置においては、上記ゲ
ート電極２…の端部に接続された入出力端子１４は、走
査信号入力端子として機能し、ソース電極３…の端部に
接続された入出力端子１４は、データ信号入力端子とし
て機能する。このような表示装置においては、表示領域
に対してはＬＳＩ（ｌａｒｇｅ ｓｃａｌｅ ｉｎｔｅ
ｇｒａｔｉｏｎ：大規模集積回路) から表示領域に対す
る入力信号しか存在しないため、上記接続端子、すなわ
ち、入出力端子１４は、入力端子として用いられる。但
し、ＣＯＧ方式を採用して表示装置周辺部にＬＳＩを実
装する場合、アクティブマトリクス基板１の周辺部（Ｌ
ＳＩ実装エリア）に設けられた接続端子、すなわち、入
出力端子１４は、ＬＳＩに対する入力端子と出力端子と
して機能する。
ート電極２…の端部に接続された入出力端子１４は、走
査信号入力端子として機能し、ソース電極３…の端部に
接続された入出力端子１４は、データ信号入力端子とし
て機能する。このような表示装置においては、表示領域
に対してはＬＳＩ（ｌａｒｇｅ ｓｃａｌｅ ｉｎｔｅ
ｇｒａｔｉｏｎ：大規模集積回路) から表示領域に対す
る入力信号しか存在しないため、上記接続端子、すなわ
ち、入出力端子１４は、入力端子として用いられる。但
し、ＣＯＧ方式を採用して表示装置周辺部にＬＳＩを実
装する場合、アクティブマトリクス基板１の周辺部（Ｌ
ＳＩ実装エリア）に設けられた接続端子、すなわち、入
出力端子１４は、ＬＳＩに対する入力端子と出力端子と
して機能する。
【０１４３】図１４に、一般的なＴＣＰ方式を用いて、
上記アクティブマトリクス基板１と、外部部材として前
記実施の形態１に示すＴＣＰ基板１７との接着部１３を
形成した実装例を示す。
上記アクティブマトリクス基板１と、外部部材として前
記実施の形態１に示すＴＣＰ基板１７との接着部１３を
形成した実装例を示す。
【０１４４】上記した実装において、ＴＣＰ基板１７と
アクティブマトリクス基板１上に設置された入出力端子
１４との接続（ＴＣＰ接続）、すなわち、接着部１３の
形成には、光反応性の異方導電接着剤として、たとえば
光アシスト型の異方導電接着剤が用いられている。本実
施の形態においても、異方導電接着剤は、その接着性に
より、ＴＣＰ基板１７と入出力端子１４との接続を行う
と共に、異方導電性により、入出力端子１４を外部と電
気的に接続する役割を担っている。
アクティブマトリクス基板１上に設置された入出力端子
１４との接続（ＴＣＰ接続）、すなわち、接着部１３の
形成には、光反応性の異方導電接着剤として、たとえば
光アシスト型の異方導電接着剤が用いられている。本実
施の形態においても、異方導電接着剤は、その接着性に
より、ＴＣＰ基板１７と入出力端子１４との接続を行う
と共に、異方導電性により、入出力端子１４を外部と電
気的に接続する役割を担っている。
【０１４５】上記光アシスト型熱硬化型接着剤として
は、たとえば、光照射により、接着剤中に含まれるラジ
カル発生剤が活性化し、発生したラジカルが接着剤の重
合反応をアシストするものが挙げられる。上記光アシス
ト型熱硬化型の異方導電接着剤を用いれば、紫外線や可
視光等の光照射によりたとえば接着剤内にラジカルが発
生する等して活性度が向上するため、比較的低温の熱処
理施すことで硬化が促進される。
は、たとえば、光照射により、接着剤中に含まれるラジ
カル発生剤が活性化し、発生したラジカルが接着剤の重
合反応をアシストするものが挙げられる。上記光アシス
ト型熱硬化型の異方導電接着剤を用いれば、紫外線や可
視光等の光照射によりたとえば接着剤内にラジカルが発
生する等して活性度が向上するため、比較的低温の熱処
理施すことで硬化が促進される。
【０１４６】上記表示装置においてアクティブマトリク
ス基板１とＴＣＰ基板１７とを接続する際における具体
的な接続方法としては、前記実施の形態１に示す方法と
同様の方法を採用することができる。
ス基板１とＴＣＰ基板１７とを接続する際における具体
的な接続方法としては、前記実施の形態１に示す方法と
同様の方法を採用することができる。
【０１４７】先ず、アクティブマトリクス基板１の周辺
部に形成された入出力端子１４に、上記接着部１３とな
る異方導電接着剤を一定の厚みでたとえばスクリーン印
刷等の手法により塗布する。次に、その上にＴＣＰ基板
１７の接続端子（図示せず）とアクティブマトリクス基
板１の周辺部に形成された入出力端子１４との位置合わ
せ、すなわち接続部分の決定を行なう。最後に、ＴＣＰ
基板１７の接続端子と入出力端子１４との上記接続部分
を加圧しながら紫外線や可視光等の光照射を行う。
部に形成された入出力端子１４に、上記接着部１３とな
る異方導電接着剤を一定の厚みでたとえばスクリーン印
刷等の手法により塗布する。次に、その上にＴＣＰ基板
１７の接続端子（図示せず）とアクティブマトリクス基
板１の周辺部に形成された入出力端子１４との位置合わ
せ、すなわち接続部分の決定を行なう。最後に、ＴＣＰ
基板１７の接続端子と入出力端子１４との上記接続部分
を加圧しながら紫外線や可視光等の光照射を行う。
【０１４８】光照射は、入出力端子１４におけるＴＣＰ
基板１７との接着に用いられる部分の少なくとも一部が
光透過性を有していることから、入出力端子１４によっ
て阻害されることなく、アクティブマトリクス基板１に
おける入出力端子１４設置（形成）面の裏面側から、異
方導電接着剤の光反応が進行するに十分な量の光を入出
力端子１４を介して異方導電接着剤に確実に供給するこ
とができる。これにより、異方導電接着剤の接続を効率
的に行うことができる。このとき、上記異方導電接着剤
として上述したように光アシスト型熱硬化型接着剤を用
いる場合には、光照射後、あるいは光照射と同時に、た
とえば１００℃前後の比較的低温の熱処理を施し、光硬
化性樹脂を含む異方導電接着剤を硬化させることで、接
着部１３が形成される。
基板１７との接着に用いられる部分の少なくとも一部が
光透過性を有していることから、入出力端子１４によっ
て阻害されることなく、アクティブマトリクス基板１に
おける入出力端子１４設置（形成）面の裏面側から、異
方導電接着剤の光反応が進行するに十分な量の光を入出
力端子１４を介して異方導電接着剤に確実に供給するこ
とができる。これにより、異方導電接着剤の接続を効率
的に行うことができる。このとき、上記異方導電接着剤
として上述したように光アシスト型熱硬化型接着剤を用
いる場合には、光照射後、あるいは光照射と同時に、た
とえば１００℃前後の比較的低温の熱処理を施し、光硬
化性樹脂を含む異方導電接着剤を硬化させることで、接
着部１３が形成される。
【０１４９】このように、光反応性の異方導電接着剤を
接着部１３として用いてアクティブマトリクス基板１上
の入出力端子１４とＴＣＰ基板１７の接続端子との接続
を行えば、高温での加熱処理を必要としない。したがっ
て、上記入出力端子１４と外部との接続時の加熱温度を
抑え、該加熱による、アクティブマトリクス基板１や、
接続部材、すなわち、ＴＣＰ基板１７等の外部部材の熱
膨張に起因する位置精度の劣化を防止することができ
る。この結果、表示装置の接続精度を改善でき、表示装
置の高精細化を図ることができる。
接着部１３として用いてアクティブマトリクス基板１上
の入出力端子１４とＴＣＰ基板１７の接続端子との接続
を行えば、高温での加熱処理を必要としない。したがっ
て、上記入出力端子１４と外部との接続時の加熱温度を
抑え、該加熱による、アクティブマトリクス基板１や、
接続部材、すなわち、ＴＣＰ基板１７等の外部部材の熱
膨張に起因する位置精度の劣化を防止することができ
る。この結果、表示装置の接続精度を改善でき、表示装
置の高精細化を図ることができる。
【０１５０】なお、本実施の形態では、本発明にかかる
表示装置として、上記アクティブマトリクス基板１を用
いた液晶表示装置を例に挙げて説明したが、上述したア
クティブマトリクス基板１が適用できる表示装置として
は、液晶表示装置に限定されるものではなく、該アクテ
ィブマトリクス基板１は、たとえば、有機ＥＬ（ｅｌｅ
ｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ：エレクトロルミネ
ッセンス）材料とアクティブマトリクス基板とを組み合
わせた表示装置等、各種表示装置に適用することができ
る。
表示装置として、上記アクティブマトリクス基板１を用
いた液晶表示装置を例に挙げて説明したが、上述したア
クティブマトリクス基板１が適用できる表示装置として
は、液晶表示装置に限定されるものではなく、該アクテ
ィブマトリクス基板１は、たとえば、有機ＥＬ（ｅｌｅ
ｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ：エレクトロルミネ
ッセンス）材料とアクティブマトリクス基板とを組み合
わせた表示装置等、各種表示装置に適用することができ
る。
【０１５１】また、上記アクティブマトリクス基板１で
は、スイッチング素子（アクティブ素子）として、ＴＦ
Ｔ２２を用いたが、上記スイッチング素子（アクティブ
素子）としては、これに限定されるものではなく、ダイ
オード素子やプラズマスイッチング素子等を用いること
もできる。
は、スイッチング素子（アクティブ素子）として、ＴＦ
Ｔ２２を用いたが、上記スイッチング素子（アクティブ
素子）としては、これに限定されるものではなく、ダイ
オード素子やプラズマスイッチング素子等を用いること
もできる。
【０１５２】上記の表示装置によれば、光アシスト型の
異方導電接着剤を効率良く反応（硬化）させることがで
きるので、短時間に、かつ、低温で接続処理を行うこと
ができる。したがって、スループットが良くなることは
勿論であるが、加えて、低温処理によりアクティブマト
リクス基板１とＴＣＰ基板１７との熱膨張係数の差によ
る位置ずれを最小限に抑えることができ、表示装置の高
精細化が進んだ際のＴＣＰ基板１７等の外部部材の実装
（たとえばＴＣＰ実装）に特に有効である。
異方導電接着剤を効率良く反応（硬化）させることがで
きるので、短時間に、かつ、低温で接続処理を行うこと
ができる。したがって、スループットが良くなることは
勿論であるが、加えて、低温処理によりアクティブマト
リクス基板１とＴＣＰ基板１７との熱膨張係数の差によ
る位置ずれを最小限に抑えることができ、表示装置の高
精細化が進んだ際のＴＣＰ基板１７等の外部部材の実装
（たとえばＴＣＰ実装）に特に有効である。
【０１５３】さらに、表示体が液晶の場合、使用する液
晶材料や配向状態によっては、熱に弱い場合がある。ま
た、表示体が有機ＥＬの場合も、材料（有機ＥＬ）自身
が有機物であるため、比較的熱に弱い場合がある。した
がって、このように表示体自身の耐熱性が弱い場合に、
本発明は特に有効である。
晶材料や配向状態によっては、熱に弱い場合がある。ま
た、表示体が有機ＥＬの場合も、材料（有機ＥＬ）自身
が有機物であるため、比較的熱に弱い場合がある。した
がって、このように表示体自身の耐熱性が弱い場合に、
本発明は特に有効である。
【０１５４】なお、上記実施の形態４では、アクティブ
マトリクス基板１上に設置（形成）された入出力端子１
４をＴＣＰ基板１７等の外部回路（外部部材）と電気的
に接続する際、光アシスト型の異方導電接着剤を用いた
例を示したが、上記異方導電接着剤としては、光反応性
を有する異方導電接着剤であれば、これに限定されるも
のではなく、前述したように、紫外線や可視光等の光照
射により硬化反応が促進される接着剤（光硬化型接着
剤）を使用しても構わない。
マトリクス基板１上に設置（形成）された入出力端子１
４をＴＣＰ基板１７等の外部回路（外部部材）と電気的
に接続する際、光アシスト型の異方導電接着剤を用いた
例を示したが、上記異方導電接着剤としては、光反応性
を有する異方導電接着剤であれば、これに限定されるも
のではなく、前述したように、紫外線や可視光等の光照
射により硬化反応が促進される接着剤（光硬化型接着
剤）を使用しても構わない。
【０１５５】すなわち、本発明において、上記光反応性
を有する異方導電接着剤としては、紫外線や可視光等の
光照射により硬化反応が促進される接着剤（光硬化型接
着剤）や、紫外線や可視光等の光照射により活性度が向
上し、比較的低温の熱処理で硬化が促進される接着剤
（光アシスト型熱硬化型接着剤）を示す。
を有する異方導電接着剤としては、紫外線や可視光等の
光照射により硬化反応が促進される接着剤（光硬化型接
着剤）や、紫外線や可視光等の光照射により活性度が向
上し、比較的低温の熱処理で硬化が促進される接着剤
（光アシスト型熱硬化型接着剤）を示す。
【０１５６】逆に、上記実施の形態１〜３では、アクテ
ィブマトリクス基板１上に設置（形成）された入出力端
子１４をＴＣＰ基板１７等の電気回路（外部部材）と電
気的に接続する際、光硬化型の異方導電接着剤を用いた
例を示したが、上記異方導電接着剤としては、光反応性
を有する異方導電接着剤であれば、紫外線や可視光等の
光照射により硬化反応が促進される接着剤（光硬化型接
着剤）に限定されるものではなく、紫外線や可視光等の
光照射により活性度が向上し、比較的低温の熱処理で硬
化が促進される接着剤（光アシスト型熱硬化型接着剤）
を使用しても構わない。
ィブマトリクス基板１上に設置（形成）された入出力端
子１４をＴＣＰ基板１７等の電気回路（外部部材）と電
気的に接続する際、光硬化型の異方導電接着剤を用いた
例を示したが、上記異方導電接着剤としては、光反応性
を有する異方導電接着剤であれば、紫外線や可視光等の
光照射により硬化反応が促進される接着剤（光硬化型接
着剤）に限定されるものではなく、紫外線や可視光等の
光照射により活性度が向上し、比較的低温の熱処理で硬
化が促進される接着剤（光アシスト型熱硬化型接着剤）
を使用しても構わない。
【０１５７】このように、光アシスト型熱硬化型の異方
導電接着剤を用いれば、紫外線や可視光等の光照射によ
りたとえば接着剤内にラジカルが発生する等して活性度
が向上するため、光照射後、あるいは光照射と同時に、
たとえば１００℃前後の比較的低温の熱処理、好ましく
は、上記非晶質半導体層の結晶化が抑制あるいは防止で
きる温度（６０〜８０℃未満）の熱処理を施すことで硬
化を促進させることができる。
導電接着剤を用いれば、紫外線や可視光等の光照射によ
りたとえば接着剤内にラジカルが発生する等して活性度
が向上するため、光照射後、あるいは光照射と同時に、
たとえば１００℃前後の比較的低温の熱処理、好ましく
は、上記非晶質半導体層の結晶化が抑制あるいは防止で
きる温度（６０〜８０℃未満）の熱処理を施すことで硬
化を促進させることができる。
【０１５８】したがって、たとえば、上述の実施の形態
１〜３において、実施の形態４で示したように、光アシ
スト型熱硬化型の異方導電接着剤を用いても、上述の実
施した形態１〜３と同様の効果を得ることが可能にな
る。同様に、たとえば、上述の実施の形態４において、
実施の形態１〜３で示したように、光硬化型の異方導電
接着剤を用いても、上述の実施した形態４と同様の効果
を得ることが可能になる。
１〜３において、実施の形態４で示したように、光アシ
スト型熱硬化型の異方導電接着剤を用いても、上述の実
施した形態１〜３と同様の効果を得ることが可能にな
る。同様に、たとえば、上述の実施の形態４において、
実施の形態１〜３で示したように、光硬化型の異方導電
接着剤を用いても、上述の実施した形態４と同様の効果
を得ることが可能になる。
【０１５９】以上のように、本発明にかかる二次元画像
検出器並びに表示装置は、格子状に電極配線が形成さ
れ、該電極配線を外部と接続する接続端子を備えた電極
基板としてアクティブマトリクス基板を備え、上記電極
配線が金属電極を含むと共に、上記接続端子は少なくと
もその一部が光透過性を有し、かつ、光反応性を有する
異方導電接着剤により、外部と接続されている構成を有
している。上記接続端子は、上記電極配線に外部より電
気信号の入出力を行う入出力端子（表示装置では主に入
力端子）として用いられる。
検出器並びに表示装置は、格子状に電極配線が形成さ
れ、該電極配線を外部と接続する接続端子を備えた電極
基板としてアクティブマトリクス基板を備え、上記電極
配線が金属電極を含むと共に、上記接続端子は少なくと
もその一部が光透過性を有し、かつ、光反応性を有する
異方導電接着剤により、外部と接続されている構成を有
している。上記接続端子は、上記電極配線に外部より電
気信号の入出力を行う入出力端子（表示装置では主に入
力端子）として用いられる。
【０１６０】より具体的には、本発明にかかる二次元画
像検出器は、Ｘ線等の放射線、可視光線、赤外線等の電
磁波画像を検出できる二次元画像検出器であって、金属
電極を含みかつ格子状に配列された電極配線と、各格子
点毎に設けられた複数のスイッチング素子と、外部との
接続端子として、上記電極配線に外部より電気信号の入
出力を行う入出力端子とを備えたアクティブマトリクス
基板を含むと共に、上記アクティブマトリクス基板上に
形成された電磁波導電性を有する非晶質半導体層を含
み、上記非晶質半導体層に入射された電磁波画像を、入
力端子としての入出力端子より入力された制御信号に基
づいて画像検出部において検出し、上記電磁波画像に応
じた画像信号を、出力端子としての入出力端子より出力
する構成を有し、上記入出力端子は少なくともその一部
が光透過性を有し、光反応性を有する異方導電接着剤に
より、外部と接続されている。
像検出器は、Ｘ線等の放射線、可視光線、赤外線等の電
磁波画像を検出できる二次元画像検出器であって、金属
電極を含みかつ格子状に配列された電極配線と、各格子
点毎に設けられた複数のスイッチング素子と、外部との
接続端子として、上記電極配線に外部より電気信号の入
出力を行う入出力端子とを備えたアクティブマトリクス
基板を含むと共に、上記アクティブマトリクス基板上に
形成された電磁波導電性を有する非晶質半導体層を含
み、上記非晶質半導体層に入射された電磁波画像を、入
力端子としての入出力端子より入力された制御信号に基
づいて画像検出部において検出し、上記電磁波画像に応
じた画像信号を、出力端子としての入出力端子より出力
する構成を有し、上記入出力端子は少なくともその一部
が光透過性を有し、光反応性を有する異方導電接着剤に
より、外部と接続されている。
【０１６１】また、本発明にかかる表示装置は、金属電
極を含みかつ格子状に配列された電極配線と、各格子点
毎に設けられた複数のスイッチング素子と、上記電極配
線に外部より電気信号の入力または入出力を行う入出力
端子とを備えたアクティブマトリクス基板を含むと共
に、液晶等の電気光学媒体を介して上記アクティブマト
リクス基板に対向配置された対向基板とを含み、上記入
出力端子は少なくともその一部が光透過性を有し、光反
応性を有する異方導電接着剤により、外部と接続されて
いる。
極を含みかつ格子状に配列された電極配線と、各格子点
毎に設けられた複数のスイッチング素子と、上記電極配
線に外部より電気信号の入力または入出力を行う入出力
端子とを備えたアクティブマトリクス基板を含むと共
に、液晶等の電気光学媒体を介して上記アクティブマト
リクス基板に対向配置された対向基板とを含み、上記入
出力端子は少なくともその一部が光透過性を有し、光反
応性を有する異方導電接着剤により、外部と接続されて
いる。
【０１６２】この場合、上記二次元画像検出器並びに表
示装置は、上記入出力端子を外部と電気的に接続するた
めの接着部とを含み、上記接着部は、光反応性を有する
異方導電接着剤からなっている。
示装置は、上記入出力端子を外部と電気的に接続するた
めの接着部とを含み、上記接着部は、光反応性を有する
異方導電接着剤からなっている。
【０１６３】上記の構成によれば、上記電極配線が金属
電極を含むことで、抵抗値を一定範囲に維持することが
できる。しかも、上記の構成によれば、外部との接着部
において電極配線を外部と接続する接続端子が、少なく
ともその一部が光透過性を有することで外部との接続に
光反応性を有する異方導電接着剤を容易に用いることが
でき、また、外部との接続に、光反応性を有する異方導
電接着剤を用いることで、接続時の加熱温度を抑えるこ
とができる。
電極を含むことで、抵抗値を一定範囲に維持することが
できる。しかも、上記の構成によれば、外部との接着部
において電極配線を外部と接続する接続端子が、少なく
ともその一部が光透過性を有することで外部との接続に
光反応性を有する異方導電接着剤を容易に用いることが
でき、また、外部との接続に、光反応性を有する異方導
電接着剤を用いることで、接続時の加熱温度を抑えるこ
とができる。
【０１６４】それゆえ、上記の構成によれば、上記接着
部における外部との接続に際して、高温で熱処理を行う
必要がないため、たとえば該熱処理に伴う非晶質半導体
層の結晶化の進行を回避できる。これにより、上記構成
では、抵抗値を一定範囲に維持することができることに
加えて、暗抵抗が高い等の非晶質半導体層の特性が劣化
することを防止することができる。従って、上記の構成
によれば、画像の検出感度を良好に維持することができ
る。
部における外部との接続に際して、高温で熱処理を行う
必要がないため、たとえば該熱処理に伴う非晶質半導体
層の結晶化の進行を回避できる。これにより、上記構成
では、抵抗値を一定範囲に維持することができることに
加えて、暗抵抗が高い等の非晶質半導体層の特性が劣化
することを防止することができる。従って、上記の構成
によれば、画像の検出感度を良好に維持することができ
る。
【０１６５】また、表示装置においては、上記入出力端
子と外部との接続時の加熱温度を抑え、該加熱による基
板や接続部材の熱膨張に起因する位置精度の劣化を防止
することができる。それゆえ、上記の構成によれば、抵
抗値を一定範囲に維持することができることに加えて、
表示装置の接続精度を改善でき、表示装置の高精細化を
図ることができる。
子と外部との接続時の加熱温度を抑え、該加熱による基
板や接続部材の熱膨張に起因する位置精度の劣化を防止
することができる。それゆえ、上記の構成によれば、抵
抗値を一定範囲に維持することができることに加えて、
表示装置の接続精度を改善でき、表示装置の高精細化を
図ることができる。
【０１６６】このように、上記二次元画像検出機ならび
に表示装置に用いられる、本発明にかかるアクティブマ
トリクス基板は、格子状に電極配線が形成され、該電極
配線を外部と接続する接続端子を備え、上記電極配線が
金属電極を含むと共に、上記接続端子は少なくともその
一部が光透過性を有している構成を有している。
に表示装置に用いられる、本発明にかかるアクティブマ
トリクス基板は、格子状に電極配線が形成され、該電極
配線を外部と接続する接続端子を備え、上記電極配線が
金属電極を含むと共に、上記接続端子は少なくともその
一部が光透過性を有している構成を有している。
【０１６７】より具体的には、本発明にかかるアクティ
ブマトリクス基板は、格子状に配列された電極配線、各
格子点毎に設けられた複数のスイッチング素子、および
上記電極配線に外部より電気信号の入出力を行う入出力
端子を備え、電極配線を金属電極とし、電極配線端部の
入出力端子のみにＩＴＯやＳｎＯ2 やＺｎＯ等、可視光
線や紫外線等の光透過性を有する板状の電極を使用した
り、入出力端子を厚さ方向に貫通する開口部を設けて入
出力端子に光による異方導電接着剤の反応（光反応）が
進行する量の光を透過させることで、可視光線や紫外線
に対する十分な透過性と、電極配線の抵抗値の維持とを
共に満足することができるものとなっている。なお、上
記電極配線並びに入出力端子は、金属からなる部分（金
属電極）と、透明導電酸化膜（透明電極）との積層構造
としてもよい。
ブマトリクス基板は、格子状に配列された電極配線、各
格子点毎に設けられた複数のスイッチング素子、および
上記電極配線に外部より電気信号の入出力を行う入出力
端子を備え、電極配線を金属電極とし、電極配線端部の
入出力端子のみにＩＴＯやＳｎＯ2 やＺｎＯ等、可視光
線や紫外線等の光透過性を有する板状の電極を使用した
り、入出力端子を厚さ方向に貫通する開口部を設けて入
出力端子に光による異方導電接着剤の反応（光反応）が
進行する量の光を透過させることで、可視光線や紫外線
に対する十分な透過性と、電極配線の抵抗値の維持とを
共に満足することができるものとなっている。なお、上
記電極配線並びに入出力端子は、金属からなる部分（金
属電極）と、透明導電酸化膜（透明電極）との積層構造
としてもよい。
【０１６８】上記のアクティブマトリクス基板を用いれ
ば、上記接続端子の少なくとも一部が光透過性を有する
ことで、上記接続端子を、光反応性を有する異方導電接
着剤を用いてＴＣＯ方式やＣＯＧ方式で、外部、たとえ
ば、外部の電気回路等の外部部材を接続する際に、該接
続端子を外部と接続するための接着剤として光反応性を
有する異方導電接着剤を容易に用いることができ、入出
力端子が接着部とアクティブマトリクス基板との間に介
在する場合であっても、該アクティブマトリクス基板に
おける入出力端子設置（形成）面の裏面側から異方導電
接着剤に対して光を十分に照射することができる。よっ
て、上記の構成では、上記電極配線が金属電極を含むこ
とで、抵抗値を一定範囲に維持することができることに
加えて、接着部における外部との接続を低温で確実に行
うことができる。
ば、上記接続端子の少なくとも一部が光透過性を有する
ことで、上記接続端子を、光反応性を有する異方導電接
着剤を用いてＴＣＯ方式やＣＯＧ方式で、外部、たとえ
ば、外部の電気回路等の外部部材を接続する際に、該接
続端子を外部と接続するための接着剤として光反応性を
有する異方導電接着剤を容易に用いることができ、入出
力端子が接着部とアクティブマトリクス基板との間に介
在する場合であっても、該アクティブマトリクス基板に
おける入出力端子設置（形成）面の裏面側から異方導電
接着剤に対して光を十分に照射することができる。よっ
て、上記の構成では、上記電極配線が金属電極を含むこ
とで、抵抗値を一定範囲に維持することができることに
加えて、接着部における外部との接続を低温で確実に行
うことができる。
【０１６９】従って、上記のアクティブマトリクス基板
は、二次元画像検出器や表示装置に好適であり、上記の
アクティブマトリクス基板をそれらの基板部に用いるこ
とで、抵抗値を一定に維持しながら非晶質半導体層の特
性の劣化や基板や接続部材の熱膨張に起因する位置精度
の劣化を防止することができる。この結果、該アクティ
ブマトリクス基板を用いることで、二次元画像検出器に
おける画像の検出感度を良好に維持することができ、ま
た、表示装置においては、高精細化を実現することがで
きる。
は、二次元画像検出器や表示装置に好適であり、上記の
アクティブマトリクス基板をそれらの基板部に用いるこ
とで、抵抗値を一定に維持しながら非晶質半導体層の特
性の劣化や基板や接続部材の熱膨張に起因する位置精度
の劣化を防止することができる。この結果、該アクティ
ブマトリクス基板を用いることで、二次元画像検出器に
おける画像の検出感度を良好に維持することができ、ま
た、表示装置においては、高精細化を実現することがで
きる。
【０１７０】
【発明の効果】本発明にかかる二次元画像検出器は、以
上のように、格子状に配列された電極配線、各格子点毎
に設けられた複数のスイッチング素子、および上記電極
配線を外部と接続する接続端子を備えたアクティブマト
リクス基板と、上記アクティブマトリクス基板上に形成
された電磁波導電性を有する非晶質半導体層とを含む二
次元画像検出器であって、上記電極配線が金属電極を含
むと共に、上記接続端子は、板状の金属電極に厚さ方向
に貫通する複数の開口部を形成してなる金属端子部上
に、上記開口部を含めた上記金属端子部の全面を覆うよ
うに透明導電酸化膜が積層されてなる積層構造を有し、
かつ、光反応性を有する異方導電接着剤により、外部と
接続されている構成である。
上のように、格子状に配列された電極配線、各格子点毎
に設けられた複数のスイッチング素子、および上記電極
配線を外部と接続する接続端子を備えたアクティブマト
リクス基板と、上記アクティブマトリクス基板上に形成
された電磁波導電性を有する非晶質半導体層とを含む二
次元画像検出器であって、上記電極配線が金属電極を含
むと共に、上記接続端子は、板状の金属電極に厚さ方向
に貫通する複数の開口部を形成してなる金属端子部上
に、上記開口部を含めた上記金属端子部の全面を覆うよ
うに透明導電酸化膜が積層されてなる積層構造を有し、
かつ、光反応性を有する異方導電接着剤により、外部と
接続されている構成である。
【０１７１】それゆえ、接着部における接続に際して、
高温で熱処理を行う必要がない。このため、該熱処理に
伴う非晶質半導体層の結晶化の進行を回避できる。これ
により、上記構成では、暗抵抗が高い等の非晶質半導体
層の特性が劣化することを防止することができる。さら
に、上記構成によれば、上記電極配線が金属電極を含む
ことで、抵抗値を一定範囲に維持することができる。従
って、上記の構成によれば、画像の検出感度を良好に維
持することができるという効果を奏する。
高温で熱処理を行う必要がない。このため、該熱処理に
伴う非晶質半導体層の結晶化の進行を回避できる。これ
により、上記構成では、暗抵抗が高い等の非晶質半導体
層の特性が劣化することを防止することができる。さら
に、上記構成によれば、上記電極配線が金属電極を含む
ことで、抵抗値を一定範囲に維持することができる。従
って、上記の構成によれば、画像の検出感度を良好に維
持することができるという効果を奏する。
【０１７２】また、上記の構成によれば、アクティブマ
トリクス基板における接続端子設置（形成）面の裏面側
から異方導電接着剤に対して光を十分に照射することが
できる。よって、上記二次元画像検出器における外部と
の接着部における接続をより確実化できる。また、上記
の構成によれば、上記接続端子の金属部分における上記
異方導電接着剤との接触表面に凹凸を形成することがで
き、両者の接触界面における接触強度を向上させること
ができる。さらに、上記の構成によれば、上記接続端子
から延伸される電極配線としてのゲート電極やソース電
極を上記金属端子部と同じ金属で形成できるため、上記
接続端子と電極配線との接続部分の接着を行う必要がな
く、製造工程を単純化することが可能である。さらに、
上記の構成によれば、上記金属端子部の表面酸化を防止
することができるという効果を併せて奏する。
トリクス基板における接続端子設置（形成）面の裏面側
から異方導電接着剤に対して光を十分に照射することが
できる。よって、上記二次元画像検出器における外部と
の接着部における接続をより確実化できる。また、上記
の構成によれば、上記接続端子の金属部分における上記
異方導電接着剤との接触表面に凹凸を形成することがで
き、両者の接触界面における接触強度を向上させること
ができる。さらに、上記の構成によれば、上記接続端子
から延伸される電極配線としてのゲート電極やソース電
極を上記金属端子部と同じ金属で形成できるため、上記
接続端子と電極配線との接続部分の接着を行う必要がな
く、製造工程を単純化することが可能である。さらに、
上記の構成によれば、上記金属端子部の表面酸化を防止
することができるという効果を併せて奏する。
【０１７３】また、本発明にかかる二次元画像検出器
は、以上のように、上記接続端子が、網目状に形成され
ている構成である。
は、以上のように、上記接続端子が、網目状に形成され
ている構成である。
【０１７４】それゆえ、板状の金属電極からなる接続端
子に、該接続端子を厚さ方向に貫通する複数の開口部が
ストライプ状に形成されているスリットパターンと比較
して段差の分布密度が向上し、かつ二次元的（Ｘ・Ｙ方
向）に同じ割合で段差を分布させることができる。した
がって、上記接続端子が網目状に形成されている構成と
することは、光硬化型の異方導電接着剤の硬化性と接着
強度とを共に十分に満足させることができ、抵抗値を一
定範囲に維持しながら、非晶質半導体層の特性が劣化す
ることを防止し、画像の検出感度を維持する上で好適で
あるという効果を奏する。
子に、該接続端子を厚さ方向に貫通する複数の開口部が
ストライプ状に形成されているスリットパターンと比較
して段差の分布密度が向上し、かつ二次元的（Ｘ・Ｙ方
向）に同じ割合で段差を分布させることができる。した
がって、上記接続端子が網目状に形成されている構成と
することは、光硬化型の異方導電接着剤の硬化性と接着
強度とを共に十分に満足させることができ、抵抗値を一
定範囲に維持しながら、非晶質半導体層の特性が劣化す
ることを防止し、画像の検出感度を維持する上で好適で
あるという効果を奏する。
【０１７５】さらに、本発明にかかる二次元画像検出器
は、以上のように、上記接続端子における金属端子部の
ライン幅が、２μｍ以上、５０μｍ以下である構成であ
る。
は、以上のように、上記接続端子における金属端子部の
ライン幅が、２μｍ以上、５０μｍ以下である構成であ
る。
【０１７６】上記金属端子部は、上記金属端子部に対し
て紫外線の回り込みが良く、光硬化型の異方導電性接着
剤の十分な硬化が期待できる幅（ライン幅）に形成され
ていることが望ましい。このため、上記接続端子におけ
る金属端子部の幅（ライン幅）は、５０μｍ以下に形成
されていることが好ましく、また、上記接続端子におけ
る金属端子部の幅（ライン幅）が２μｍ以上であれば、
良好なパターニング精度を得ることができるという効果
を奏する。
て紫外線の回り込みが良く、光硬化型の異方導電性接着
剤の十分な硬化が期待できる幅（ライン幅）に形成され
ていることが望ましい。このため、上記接続端子におけ
る金属端子部の幅（ライン幅）は、５０μｍ以下に形成
されていることが好ましく、また、上記接続端子におけ
る金属端子部の幅（ライン幅）が２μｍ以上であれば、
良好なパターニング精度を得ることができるという効果
を奏する。
【０１７７】本発明にかかるアクティブマトリクス基板
は、以上のように、格子状に配列された電極配線、各格
子点毎に設けられた複数のスイッチング素子、および上
記電極配線を外部と接続する接続端子を備え、上記電極
配線が金属電極を含むと共に、上記接続端子は、板状の
金属電極に厚さ方向に貫通する複数の開口部を形成して
なる金属端子部上に、上記開口部を含めた上記金属端子
部の全面を覆うように透明導電酸化膜が積層されてなる
積層構造を有している構成である。
は、以上のように、格子状に配列された電極配線、各格
子点毎に設けられた複数のスイッチング素子、および上
記電極配線を外部と接続する接続端子を備え、上記電極
配線が金属電極を含むと共に、上記接続端子は、板状の
金属電極に厚さ方向に貫通する複数の開口部を形成して
なる金属端子部上に、上記開口部を含めた上記金属端子
部の全面を覆うように透明導電酸化膜が積層されてなる
積層構造を有している構成である。
【０１７８】それゆえ、上記接続端子を、光反応性を有
する異方導電接着剤を用いてＴＣＯ方式やＣＯＧ方式
で、外部、たとえば、外部の電気回路等の外部部材を接
続する際に、該接続端子を外部と接続するための接着剤
として光反応性を有する異方導電接着剤を容易に用いる
ことができ、低温で外部との接続を容易に行うことがで
きる。しかも、上記の構成によれば、上記電極配線が金
属電極を含むことで、抵抗値を一定範囲に維持すること
ができる。
する異方導電接着剤を用いてＴＣＯ方式やＣＯＧ方式
で、外部、たとえば、外部の電気回路等の外部部材を接
続する際に、該接続端子を外部と接続するための接着剤
として光反応性を有する異方導電接着剤を容易に用いる
ことができ、低温で外部との接続を容易に行うことがで
きる。しかも、上記の構成によれば、上記電極配線が金
属電極を含むことで、抵抗値を一定範囲に維持すること
ができる。
【０１７９】また、上記の構成によれば、アクティブマ
トリクス基板における接続端子設置（形成）面の裏面側
から異方導電接着剤に対して光を十分に照射することが
できる。よって、上記の構成によれば、上記アクティブ
マトリクス基板における接続端子と外部との接着部にお
ける接続をより確実に行うことができる。また、上記の
構成によれば、上記接続端子の金属部分における上記異
方導電接着剤との接触表面に凹凸を形成することがで
き、両者の接触界面における接触強度を向上させること
ができる。さらに、上記の構成によれば、上記接続端子
から延伸される電極配線としてのゲート電極やソース電
極を上記金属端子部と同じ金属で形成できるため、上記
接続端子と電極配線との接続部分の接着を行う必要がな
く、製造工程を単純化することが可能である。さらに、
上記の構成によれば、上記金属端子部の表面酸化を防止
することができる。
トリクス基板における接続端子設置（形成）面の裏面側
から異方導電接着剤に対して光を十分に照射することが
できる。よって、上記の構成によれば、上記アクティブ
マトリクス基板における接続端子と外部との接着部にお
ける接続をより確実に行うことができる。また、上記の
構成によれば、上記接続端子の金属部分における上記異
方導電接着剤との接触表面に凹凸を形成することがで
き、両者の接触界面における接触強度を向上させること
ができる。さらに、上記の構成によれば、上記接続端子
から延伸される電極配線としてのゲート電極やソース電
極を上記金属端子部と同じ金属で形成できるため、上記
接続端子と電極配線との接続部分の接着を行う必要がな
く、製造工程を単純化することが可能である。さらに、
上記の構成によれば、上記金属端子部の表面酸化を防止
することができる。
【０１８０】従って、上記のアクティブマトリクス基板
は、二次元画像検出器や表示装置に好適であり、上記の
アクティブマトリクス基板をそれらの基板部に用いるこ
とで、抵抗値を一定に維持しながら非晶質半導体層の特
性の劣化や基板や接続部材の熱膨張に起因する位置精度
の劣化を防止することができる。この結果、該アクティ
ブマトリクス基板を用いることで、二次元画像検出器に
おける画像の検出感度を良好に維持することができ、ま
た、表示装置においては、高精細化を実現することがで
きるという効果を奏する。
は、二次元画像検出器や表示装置に好適であり、上記の
アクティブマトリクス基板をそれらの基板部に用いるこ
とで、抵抗値を一定に維持しながら非晶質半導体層の特
性の劣化や基板や接続部材の熱膨張に起因する位置精度
の劣化を防止することができる。この結果、該アクティ
ブマトリクス基板を用いることで、二次元画像検出器に
おける画像の検出感度を良好に維持することができ、ま
た、表示装置においては、高精細化を実現することがで
きるという効果を奏する。
【０１８１】また、本発明にかかるアクティブマトリク
ス基板は、以上のように、上記接続端子が、網目状に形
成されている構成である。
ス基板は、以上のように、上記接続端子が、網目状に形
成されている構成である。
【０１８２】それゆえ、板状の金属電極からなる接続端
子に、該接続端子を厚さ方向に貫通する複数の開口部が
ストライプ状に形成されているスリットパターンと比較
して段差の分布密度が向上し、かつ二次元的（Ｘ・Ｙ方
向）に同じ割合で段差を分布させることができる。した
がって、上記接続端子が網目状に形成されている構成と
することは、光硬化型の異方導電接着剤の硬化性と接着
強度とを共に十分に満足させることができ、抵抗値を一
定範囲に維持しながら、たとえば非晶質半導体層の特性
が劣化することを防止し、画像の検出感度を維持する上
で好適であるという効果を奏する。
子に、該接続端子を厚さ方向に貫通する複数の開口部が
ストライプ状に形成されているスリットパターンと比較
して段差の分布密度が向上し、かつ二次元的（Ｘ・Ｙ方
向）に同じ割合で段差を分布させることができる。した
がって、上記接続端子が網目状に形成されている構成と
することは、光硬化型の異方導電接着剤の硬化性と接着
強度とを共に十分に満足させることができ、抵抗値を一
定範囲に維持しながら、たとえば非晶質半導体層の特性
が劣化することを防止し、画像の検出感度を維持する上
で好適であるという効果を奏する。
【０１８３】さらに、本発明にかかるアクティブマトリ
クス基板は、以上のように、上記接続端子における金属
端子部のライン幅が、２μｍ以上、５０μｍ以下である
構成である。
クス基板は、以上のように、上記接続端子における金属
端子部のライン幅が、２μｍ以上、５０μｍ以下である
構成である。
【０１８４】上記金属端子部は、上記金属端子部に対し
て紫外線の回り込みが良く、光硬化型の異方導電性接着
剤の十分な硬化が期待できる幅（ライン幅）に形成され
ていることが望ましい。このため、上記接続端子におけ
る金属端子部の幅（ライン幅）は、５０μｍ以下に形成
されていることが好ましく、また、上記接続端子におけ
る金属端子部の幅（ライン幅）が２μｍ以上であれば、
良好なパターニング精度を得ることができるという効果
を奏する。
て紫外線の回り込みが良く、光硬化型の異方導電性接着
剤の十分な硬化が期待できる幅（ライン幅）に形成され
ていることが望ましい。このため、上記接続端子におけ
る金属端子部の幅（ライン幅）は、５０μｍ以下に形成
されていることが好ましく、また、上記接続端子におけ
る金属端子部の幅（ライン幅）が２μｍ以上であれば、
良好なパターニング精度を得ることができるという効果
を奏する。
【０１８５】本発明にかかる表示装置は、以上のよう
に、格子状に配列された電極配線、各格子点毎に設けら
れた複数のスイッチング素子、および上記電極配線を外
部と接続する接続端子を備えたアクティブマトリクス基
板と、電気光学媒体を介して上記アクティブマトリクス
基板に対向配置された対向基板とを含む表示装置であっ
て、上記電極配線が金属電極を含むと共に、上記接続端
子は、板状の金属電極に厚さ方向に貫通する複数の開口
部を形成してなる金属端子部上に、上記開口部を含めた
上記金属端子部の全面を覆うように透明導電酸化膜が積
層されてなる積層構造を有し、かつ、光反応性を有する
異方導電接着剤により、外部と接続されている構成であ
る。
に、格子状に配列された電極配線、各格子点毎に設けら
れた複数のスイッチング素子、および上記電極配線を外
部と接続する接続端子を備えたアクティブマトリクス基
板と、電気光学媒体を介して上記アクティブマトリクス
基板に対向配置された対向基板とを含む表示装置であっ
て、上記電極配線が金属電極を含むと共に、上記接続端
子は、板状の金属電極に厚さ方向に貫通する複数の開口
部を形成してなる金属端子部上に、上記開口部を含めた
上記金属端子部の全面を覆うように透明導電酸化膜が積
層されてなる積層構造を有し、かつ、光反応性を有する
異方導電接着剤により、外部と接続されている構成であ
る。
【０１８６】それゆえ、外部との接続に光反応性を有す
る異方導電接着剤を容易に用いることができ、また、外
部との接続に、光反応性を有する異方導電接着剤を用い
ることで、接続時の加熱温度を抑えることができる。従
って、外部との接続に際して、高温で熱処理を行う必要
がないため、上記入出力端子と外部との接続時の加熱温
度を抑え、該加熱による基板や接続部材の熱膨張に起因
する位置精度の劣化を防止することができる。しかも、
上記の構成によれば、上記電極配線が金属電極を含むこ
とで、抵抗値を一定範囲に維持することができる。これ
により、抵抗値を一定範囲に維持したまま、表示装置の
接続精度を改善することができ、表示装置の高精細化を
図ることができるという効果を奏する。
る異方導電接着剤を容易に用いることができ、また、外
部との接続に、光反応性を有する異方導電接着剤を用い
ることで、接続時の加熱温度を抑えることができる。従
って、外部との接続に際して、高温で熱処理を行う必要
がないため、上記入出力端子と外部との接続時の加熱温
度を抑え、該加熱による基板や接続部材の熱膨張に起因
する位置精度の劣化を防止することができる。しかも、
上記の構成によれば、上記電極配線が金属電極を含むこ
とで、抵抗値を一定範囲に維持することができる。これ
により、抵抗値を一定範囲に維持したまま、表示装置の
接続精度を改善することができ、表示装置の高精細化を
図ることができるという効果を奏する。
【０１８７】また、上記の構成によれば、アクティブマ
トリクス基板における接続端子設置（形成）面の裏面側
から異方導電接着剤に対して光を十分に照射することが
できる。よって、上記構成では、上記アクティブマトリ
クス基板における接続端子と外部との接着部における接
続をより確実に行うことができる。また、上記の構成に
よれば、上記接続端子の金属部分における上記異方導電
接着剤との接触表面に凹凸を形成することができ、両者
の接触界面における接触強度を向上させることができ
る。さらに、上記の構成によれば、上記接続端子から延
伸される電極配線としてのゲート電極やソース電極を上
記金属端子部と同じ金属で形成できるため、上記接続端
子と電極配線との接続部分の接着を行う必要がなく、製
造工程を単純化することが可能である。さらに、上記の
構成によれば、上記金属端子部の表面酸化を防止するこ
とができるという効果を併せて奏する。
トリクス基板における接続端子設置（形成）面の裏面側
から異方導電接着剤に対して光を十分に照射することが
できる。よって、上記構成では、上記アクティブマトリ
クス基板における接続端子と外部との接着部における接
続をより確実に行うことができる。また、上記の構成に
よれば、上記接続端子の金属部分における上記異方導電
接着剤との接触表面に凹凸を形成することができ、両者
の接触界面における接触強度を向上させることができ
る。さらに、上記の構成によれば、上記接続端子から延
伸される電極配線としてのゲート電極やソース電極を上
記金属端子部と同じ金属で形成できるため、上記接続端
子と電極配線との接続部分の接着を行う必要がなく、製
造工程を単純化することが可能である。さらに、上記の
構成によれば、上記金属端子部の表面酸化を防止するこ
とができるという効果を併せて奏する。
【０１８８】また、本発明にかかる表示装置は、以上の
ように、上記接続端子が、網目状に形成されている構成
である。
ように、上記接続端子が、網目状に形成されている構成
である。
【０１８９】それゆえ、板状の金属電極からなる接続端
子に、該接続端子を厚さ方向に貫通する複数の開口部が
ストライプ状に形成されているスリットパターンと比較
して 段差の分布密度が向上し、かつ二次元的（Ｘ・Ｙ方
向）に同じ割合で段差を分布させることができる。した
がって、上記接続端子が網目状に形成されている構成と
することは、抵抗値を一定範囲に維持しながら、光硬化
型の異方導電接着剤の硬化性と接着強度とを共に十分に
満足させることができるという効果を奏する。
子に、該接続端子を厚さ方向に貫通する複数の開口部が
ストライプ状に形成されているスリットパターンと比較
して 段差の分布密度が向上し、かつ二次元的（Ｘ・Ｙ方
向）に同じ割合で段差を分布させることができる。した
がって、上記接続端子が網目状に形成されている構成と
することは、抵抗値を一定範囲に維持しながら、光硬化
型の異方導電接着剤の硬化性と接着強度とを共に十分に
満足させることができるという効果を奏する。
【０１９０】さらに、本発明にかかる表示装置は、以上
のように、上記接続端子における金属端子部のライン幅
が、２μｍ以上、５０μｍ以下である構成である。
のように、上記接続端子における金属端子部のライン幅
が、２μｍ以上、５０μｍ以下である構成である。
【０１９１】上記金属端子部は、上記金属端子部に対し
て紫外線の回り込みが良く、光硬化型の異方導電性接着
剤の十分な硬化が期待できる幅（ライン幅）に形成され
ていることが望ましい。このため、上記接続端子におけ
る金属端子部の幅（ライン幅）は、５０μｍ以下に形成
されていることが好ましく、また、上記接続端子におけ
る金属端子部の幅（ライン幅）が２μｍ以上であれば、
良好なパターニング精度を得ることができるという効果
を奏する。
て紫外線の回り込みが良く、光硬化型の異方導電性接着
剤の十分な硬化が期待できる幅（ライン幅）に形成され
ていることが望ましい。このため、上記接続端子におけ
る金属端子部の幅（ライン幅）は、５０μｍ以下に形成
されていることが好ましく、また、上記接続端子におけ
る金属端子部の幅（ライン幅）が２μｍ以上であれば、
良好なパターニング精度を得ることができるという効果
を奏する。
【図１】本発明の一実施の形態にかかる二次元画像検出
器の全体構成の概略を示す平面図である。
器の全体構成の概略を示す平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ’線矢視断面図である。
【図３】本発明の一実施の形態にかかる二次元画像検出
器のアクティブマトリクス基板周辺部における入出力端
子の一例を示す拡大図である。
器のアクティブマトリクス基板周辺部における入出力端
子の一例を示す拡大図である。
【図４】本発明の一実施の形態にかかる二次元画像検出
器のアクティブマトリクス基板周辺部における入出力端
子の他の一例を示す拡大図である。
器のアクティブマトリクス基板周辺部における入出力端
子の他の一例を示す拡大図である。
【図５】本発明の他の実施の形態にかかる二次元画像検
出器の全体構成の概略を示す平面図である。
出器の全体構成の概略を示す平面図である。
【図６】一般的な二次元画像検出器の構成を示す斜視図
である。
である。
【図７】一般的な二次元画像検出器の一画素当たりの構
成を示す断面図である。
成を示す断面図である。
【図８】一般的な二次元画像検出器の一画素当たりの等
価回路を示す回路図である。
価回路を示す回路図である。
【図９】（ａ）は、一般的な二次元画像検出器における
ＴＣＰ方式による実装例を示す断面図であり、（ｂ）
は、一般的な二次元画像検出器におけるＣＯＧ方式によ
る実装例を示す断面図である。
ＴＣＰ方式による実装例を示す断面図であり、（ｂ）
は、一般的な二次元画像検出器におけるＣＯＧ方式によ
る実装例を示す断面図である。
【図１０】接続端子に対する紫外線の回り込み効果の測
定方法について説明する図である。
定方法について説明する図である。
【図１１】本発明の一実施の形態にかかる二次元画像検
出器のアクティブマトリクス基板周辺部における入出力
端子のさらに他の一例を示す拡大図である。
出器のアクティブマトリクス基板周辺部における入出力
端子のさらに他の一例を示す拡大図である。
【図１２】（ａ）は、本発明の一実施の形態にかかるア
クティブマトリクス基板周辺部における入出力端子のさ
らに他の例として、金属端子部上に透明導電酸化膜が積
層された構造を示す断面図であり、（ｂ）は、本発明の
一実施の形態にかかるアクティブマトリクス基板周辺部
における入出力端子のさらに他の例として、金属端子部
上に透明導電酸化膜が積層された他の構造を示す断面図
である。
クティブマトリクス基板周辺部における入出力端子のさ
らに他の例として、金属端子部上に透明導電酸化膜が積
層された構造を示す断面図であり、（ｂ）は、本発明の
一実施の形態にかかるアクティブマトリクス基板周辺部
における入出力端子のさらに他の例として、金属端子部
上に透明導電酸化膜が積層された他の構造を示す断面図
である。
【図１３】本発明の他の実施の形態にかかる液晶表示装
置の全体構成の概略を示す平面図である。
置の全体構成の概略を示す平面図である。
【図１４】図１３のＢ−Ｂ’線矢視断面図である。
【図１５】上記液晶表示装置の構成を概略的に示す斜視
図である。
図である。
１ アクティブマトリクス基板
２ ゲート電極（電極配線）
３ ソース電極（電極配線）
６ ａ−Ｓｅ膜（非晶質半導体層）
１３ 接着部
１４ 入出力端子（接続端子）
１４ａ 金属端子部
１４ｂ 透明導電酸化膜
１５ 駆動回路（駆動ＩＣ）
１６ 読み出し回路（読み出しＩＣ）
１７ ＴＣＰ基板
１８ 開口部
１９ ＦＰＣ基板
２２ ＴＦＴ（スイッチング素子）
３０ 対向基板
３４ 液晶層（電気光学媒体）
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平10−213664（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−362925（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−302973（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−342098（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 27/146
H01L 21/60
G02F 1/1345
G02F 1/1368
H04N 5/32
H04N 5/335
G09F 9/00
Claims (9)
- 【請求項１】格子状に配列された電極配線、各格子点毎
に設けられた複数のスイッチング素子、および上記電極
配線を外部と接続する接続端子を備えたアクティブマト
リクス基板と、 上記アクティブマトリクス基板上に形成された電磁波導
電性を有する非晶質半導体層とを含む二次元画像検出器
であって、 上記電極配線が金属電極を含むと共に、 上記接続端子は、板状の金属電極に厚さ方向に貫通する
複数の開口部を形成してなる金属端子部上に、上記開口
部を含めた上記金属端子部の全面を覆うように透明導電
酸化膜が積層されてなる積層構造を有し、かつ、光反応
性を有する異方導電接着剤により、外部と接続されてい
ることを特徴とする二次元画像検出器。 - 【請求項２】上記接続端子が、網目状に形成されている
ことを特徴とする請求項１記載の二次元画像検出器。 - 【請求項３】上記接続端子における金属端子部のライン
幅が、２μｍ以上、５０μｍ以下であることを特徴とす
る請求項１または２記載の二次元画像検出器 - 【請求項４】格子状に配列された電極配線、各格子点毎
に設けられた複数のスイッチング素子、および上記電極
配線を外部と接続する接続端子を備え、 上記電極配線が金属電極を含むと共に、 上記接続端子は、板状の金属電極に厚さ方向に貫通する
複数の開口部を形成してなる金属端子部上に、上記開口
部を含めた上記金属端子部の全面を覆うように透明導電
酸化膜が積層されてなる積層構造を有していることを特
徴とするアクティブマトリクス基板。 - 【請求項５】上記接続端子が、網目状に形成されている
ことを特徴とする請求項４記載のアクティブマトリクス
基板。 - 【請求項６】上記接続端子における金属端子部のライン
幅が、２μｍ以上、５０μｍ以下であることを特徴とす
る請求項４または５記載のアクティブマトリクス基板。 - 【請求項７】格子状に配列された電極配線、各格子点毎
に設けられた複数のスイッチング素子、および上記電極
配線を外部と接続する接続端子を備えたアクティブマト
リクス基板と、 電気光学媒体を介して上記アクティブマトリクス基板に
対向配置された対向基板とを含む表示装置であって、 上記電極配線が金属電極を含むと共に、 上記接続端子は、板状の金属電極に厚さ方向に貫通する
複数の開口部を形成してなる金属端子部上に、上記開口
部を含めた上記金属端子部の全面を覆うように透明導電
酸化膜が積層されてなる積層構造を有し、かつ、光反応
性を有する異方導電接着剤により、外部と接続されてい
ることを特徴とする表示装置。 - 【請求項８】上記接続端子が、網目状に形成されている
ことを特徴とする請求項７記載の表示装置。 - 【請求項９】上記接続端子における金属端子部のライン
幅が、２μｍ以上、５０μｍ以下であることを特徴とす
る請求項７または８記載の表示装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35591099A JP3462135B2 (ja) | 1999-01-14 | 1999-12-15 | 二次元画像検出器およびアクティブマトリクス基板並びに表示装置 |
| US09/477,338 US6518557B1 (en) | 1999-01-14 | 2000-01-04 | Two-dimensional image detector, active-matrix substrate, and display device |
| US10/265,408 US6781109B2 (en) | 1999-01-14 | 2002-10-07 | Active matrix substrate having transparent connecting terminals |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP842399 | 1999-01-14 | ||
| JP11-8423 | 1999-01-14 | ||
| JP35591099A JP3462135B2 (ja) | 1999-01-14 | 1999-12-15 | 二次元画像検出器およびアクティブマトリクス基板並びに表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000269475A JP2000269475A (ja) | 2000-09-29 |
| JP3462135B2 true JP3462135B2 (ja) | 2003-11-05 |
Family
ID=26342934
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35591099A Expired - Fee Related JP3462135B2 (ja) | 1999-01-14 | 1999-12-15 | 二次元画像検出器およびアクティブマトリクス基板並びに表示装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6518557B1 (ja) |
| JP (1) | JP3462135B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP2001313384A (ja) * | 2000-04-28 | 2001-11-09 | Shimadzu Corp | 放射線検出器 |
| JP2002244577A (ja) * | 2001-02-16 | 2002-08-30 | Seiko Epson Corp | フレキシブル基板、電気光学装置および電子機器 |
| JP4799746B2 (ja) * | 2001-03-02 | 2011-10-26 | 浜松ホトニクス株式会社 | 放射線検出器モジュール |
| JP2002348680A (ja) * | 2001-05-22 | 2002-12-04 | Sharp Corp | 金属膜パターンおよびその製造方法 |
| JP2002353472A (ja) * | 2001-05-28 | 2002-12-06 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光検出装置および方法 |
| JP2003050280A (ja) * | 2001-08-03 | 2003-02-21 | Konica Corp | 放射線画像検出器 |
| US7183582B2 (en) * | 2002-05-29 | 2007-02-27 | Seiko Epson Coporation | Electro-optical device and method of manufacturing the same, element driving device and method of manufacturing the same, element substrate, and electronic apparatus |
| JP4364553B2 (ja) * | 2002-08-30 | 2009-11-18 | シャープ株式会社 | 光電変換装置及びその製造方法 |
| JP3977299B2 (ja) * | 2002-09-18 | 2007-09-19 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置、マトリクス基板、及び電子機器 |
| US7652359B2 (en) | 2002-12-27 | 2010-01-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Article having display device |
| EP1437683B1 (en) * | 2002-12-27 | 2017-03-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | IC card and booking account system using the IC card |
| US6864942B2 (en) * | 2003-03-10 | 2005-03-08 | Au Optronics Corporation | Liquid crystal display panel |
| TWI231797B (en) * | 2003-03-11 | 2005-05-01 | Au Optronics Corp | Reel-type package of flexible printed circuit boards and its supplying method |
| KR100538328B1 (ko) * | 2003-06-20 | 2005-12-22 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치 및 그 제조방법 |
| KR100512992B1 (ko) * | 2003-07-09 | 2005-09-05 | 엘지전자 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널의 접속 구조 및 방법 |
| US7566001B2 (en) * | 2003-08-29 | 2009-07-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | IC card |
| KR101016284B1 (ko) * | 2004-04-28 | 2011-02-22 | 엘지디스플레이 주식회사 | Ｃｏｇ 방식 액정표시소자 및 그 제조방법 |
| KR101049252B1 (ko) * | 2004-08-23 | 2011-07-13 | 삼성전자주식회사 | 테이프 배선 기판, 그 테이프 배선 기판을 포함하는반도체 칩 패키지 및 그 반도체 칩 패키지를 포함하는액정 표시 장치 |
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