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JP3442253B2 - 基板処理装置 - Google Patents

基板処理装置

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Publication number
JP3442253B2
JP3442253B2 JP07668597A JP7668597A JP3442253B2 JP 3442253 B2 JP3442253 B2 JP 3442253B2 JP 07668597 A JP07668597 A JP 07668597A JP 7668597 A JP7668597 A JP 7668597A JP 3442253 B2 JP3442253 B2 JP 3442253B2
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JP
Japan
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substrate
cooling
unit
processing
gas
Prior art date
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JP07668597A
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清久 立山
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Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
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Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
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Priority to TW087102180A priority patent/TW367539B/zh
Priority to US09/041,449 priority patent/US5970717A/en
Priority to KR10-1998-0008320A priority patent/KR100352691B1/ko
Publication of JPH10256344A publication Critical patent/JPH10256344A/ja
Application granted granted Critical
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    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F25—REFRIGERATION OR COOLING; COMBINED HEATING AND REFRIGERATION SYSTEMS; HEAT PUMP SYSTEMS; MANUFACTURE OR STORAGE OF ICE; LIQUEFACTION SOLIDIFICATION OF GASES
    • F25B—REFRIGERATION MACHINES, PLANTS OR SYSTEMS; COMBINED HEATING AND REFRIGERATION SYSTEMS; HEAT PUMP SYSTEMS
    • F25B1/00—Compression machines, plants or systems with non-reversible cycle
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F25—REFRIGERATION OR COOLING; COMBINED HEATING AND REFRIGERATION SYSTEMS; HEAT PUMP SYSTEMS; MANUFACTURE OR STORAGE OF ICE; LIQUEFACTION SOLIDIFICATION OF GASES
    • F25B—REFRIGERATION MACHINES, PLANTS OR SYSTEMS; COMBINED HEATING AND REFRIGERATION SYSTEMS; HEAT PUMP SYSTEMS
    • F25B21/00—Machines, plants or systems, using electric or magnetic effects
    • F25B21/02—Machines, plants or systems, using electric or magnetic effects using Peltier effect; using Nernst-Ettinghausen effect

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  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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  • Computer Hardware Design (AREA)
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  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Re-Forming, After-Treatment, Cutting And Transporting Of Glass Products (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明は、例えば半導体ウエ
ハやＬＣＤ基板等の基板に対して行われる処理において
温度が高められた状態の基板を冷却する基板処理装置に
関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスや液晶ディスプレイ（Ｌ
ＣＤ）の製造においては、基板である半導体ウエハやに
ＬＣＤ基板にフォトレジスト液を塗布してレジスト膜を
形成し、回路パターンに対応してレジスト膜を露光し、
これを現像処理するという、いわゆるフォトリソグラフ
ィー技術により回路パターンが形成される。
【０００３】このような塗布・現像処理においては、レ
ジスト膜を形成する際に、フォトレジストの安定化のた
めのプリベーク、露光後のポストエクスポージャーベー
ク、および現像後のポストベーク等の熱処理が施され
る。また、これらの熱処理後の温度が高められた基板を
冷却するための冷却工程が行われる。
【０００４】熱処理後の温度が高められた基板を冷却す
る場合、基板を支持する支持体であるクーリングプレー
ト上において熱交換を行っている。具体的には、冷却素
子であるペルチェ素子を取り付けたクーリングプレー
ト、または冷却水を循環させるための管路を設けたクー
リングプレート上に温度が高められた基板を載置し、ペ
ルチェ素子または冷却水と基板との間で熱交換を行い、
基板の温度を低下させている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、基板処
理におけるタクトタイムを短くするという要求が高い現
在では、上記のような冷却方法では、十分にその要求を
満足することができない。すなわち、上記のような冷却
方法では、タクトタイムが短くなると、上記熱処理後の
基板を所定の温度まで冷却することが不可能になる。
【０００６】本発明はかかる事情に鑑みてなされたもの
であり、効率良く基板を冷却することができる基板処理
装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、基板にレジスト液を塗布する塗布処理を
行ってレジスト膜を形成する塗布処理ユニットと、レジ
スト膜を露光した後、現像液により現像処理を行う現像
処理ユニットと、前記塗布処理および／または前記現像
処理の後に基板を加熱処理する加熱処理ユニットと、加
熱処理ユニットで温度が高められた基板を所定温度に冷
却する冷却ユニットとを含む複数の処理ユニットと、基
板を保持して前記複数の処理ユニットへ搬送するととも
に、保持した基板を冷却する冷却手段を有する搬送手段
と、前記搬送手段が移動する搬送路とを具備し、前記複
数の処理ユニットが前記搬送路に沿って設けられた基板
処理装置であって、前記搬送手段は、搬送路に沿って移
動可能な基台と、前記基台上に設けられ基板を支持する
複数の支持体とを備え、前記冷却手段は、前記複数の支
持体ごとに取り付けられ、各支持体に支持された基板に
気体を供給する気体供給手段と、各支持体に支持された
基板ごとに個別的に冷却レベルを制御する制御手段とを
備え、前記冷却ユニットは、その上に設置された基板を
冷却するクーリングプレートを備え、前記加熱処理ユニ
ットで温度が高められた基板を前記搬送手段で搬送中に
前記気体供給手段から供給される気体で所定の冷却レベ
ルに冷却してから前記冷却ユニットのクーリングプレー
トで冷却することを特徴とする基板処理装置を提供す
る。
【０００８】上記発明において、前記クーリングプレー
トは、ペルチェ素子および冷却水を通流する冷却水管路
を有し、これら両方を用いて基板を冷却することができ
る。
【０００９】本発明によれば、基板にレジスト液を塗布
する塗布処理を行ってレジスト膜を形成する塗布処理ユ
ニットと、レジスト膜を露光した後、現像液により現像
処理を行う現像処理ユニットと、前記塗布処理および／
または前記現像処理の後に基板を加熱処理する加熱処理
ユニットと、加熱処理ユニットで温度が高められた基板
を所定温度に冷却する冷却ユニットとを含む複数の処理
ユニットと、前記複数の処理ユニットへ基板を搬送する
冷却手段と、前記搬送手段が走行する搬送路とを具備
し、前記複数の処理ユニットが前記搬送路に沿って設け
られた基板処理装置において、搬送手段に、保持した基
板を冷却する冷却手段を設けたので、加熱処理ユニット
で温度が高められた基板が前記冷却ユニットに搬送され
るまでにまず前記搬送手段上で基板に気体を吹き付けて
基板を冷却して基板温度をある程度降下させ、その後に
基板を冷却ユニットのクーリングプレート上に設置して
所定温度に冷却して正確に基板温度の調整を行う。例え
ば、基板に対するフォトレジストの安定化のためのプリ
ベーク、露光後のポストエクスポージャーベーク、およ
び現像後のポストベーク等の熱処理の後に、熱処理が行
われたユニットから冷却ユニットに搬送される間に基板
に対して第１の冷却を行い、その後の基板冷却を冷却ユ
ニットにおいて行う。したがって、通常すべて冷却ユニ
ットにおいて行われていた冷却の一部を搬送中に行う、
すなわち冷却ユニットまでの基板搬送中に予め温度が高
められた基板の荒熱を除去するので、冷却ユニットにお
いて行う冷却は狭い温度範囲で済む。その結果、冷却ユ
ニットにおける冷却時間を短くすることができ、基板処
理におけるタクトタイムを短くすることができる。
【００１０】また、搬送手段が、搬送路に沿って移動可
能な基台と、基台上に設けられ基板を支持する複数の支
持体とを備え、冷却手段が、複数の支持体ごとに取り付
けられ、各支持体に支持された基板に気体を供給する気
体供給手段と、各支持体に支持された基板ごとに個別的
に冷却レベルを制御する制御手段とを有するので、複数
の基板ごとに冷却時間等を制御してタクトタイムを個別
的に制御することができる。
【００１１】さらに、第２の冷却をペルチェ素子および
冷却水の両方を用いて行うことにより、冷却水により比
較的大きな速度で冷却し、ペルチェ素子により高精度で
冷却することができるので、迅速かつ高精度の冷却が実
現される。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して、本発
明の実施の形態について詳細に説明する。図１は、本発
明が適用されるＬＣＤ基板の塗布・現像処理システムを
示す斜視図である。
【００１３】この塗布・現像処理システムは、複数の基
板Ｓを収容するカセットＣを載置するカセットステーシ
ョン１と、基板Ｓにレジスト塗布および現像を含む一連
の処理を施すための複数の処理ユニットを備えた処理部
２と、カセットステーション１上のカセットＣと処理部
２との間で半導体ウエハの搬送を行うための搬送機構３
とを備えている。そして、カセットステーション１にお
いてシステムへのカセットＣの搬入およびシステムから
のカセットＣの搬出が行われる。また、搬送機構３はカ
セットの配列方向に沿って設けられた搬送路１２上を移
動可能な搬送アーム１１を備え、この搬送アーム１１に
よりカセットＣと処理部２との間で基板Ｓの搬送が行わ
れる。
【００１４】処理部２は、前段部分２ａと後段部分２ｂ
とに分かれており、それぞれ中央に通路１５、１６を有
しており、これら通路の両側に各処理ユニットが配設さ
れている。そして、これらの間には中継部１７が設けら
れている。
【００１５】前段部２ａは、通路１５に沿って移動可能
なメインアーム１８を備えており、通路１５の一方側に
は、ブラシ洗浄ユニット２１、水洗ユニット２２、アド
ヒージョン処理ユニット２３、および冷却ユニット２４
が、他方側には２つのレジスト塗布ユニット２５が配置
されている。一方、後段部２ｂは、通路１６に沿って移
動可能なメインアーム１９を備えており、通路１９の一
方側には複数の加熱処理ユニット２６および冷却ユニッ
ト２７からなる熱系ユニット群２８が、他方側には２つ
の現像処理ユニット２９が配置されている。熱系ユニッ
ト群２８は、ユニットが２段積層されてなる組が通路１
９に沿って３つ並んでおり、上段が加熱処理ユニット２
６であり、下段が冷却ユニット２７である。加熱処理ユ
ニット２６は、レジストの安定化のためのプリベーク、
露光後のポストエクスポージャーベーク、および現像後
のポストベーク処理を行うものである。なお、後段部２
ｂの後端には露光装置（図示せず）との間で基板Ｓの受
け渡しを行うためのインターフェース部３０が設けられ
ている。
【００１６】上記メインアーム１８は、搬送機構３のア
ーム１１との間で半導体ウエハＷの受け渡しを行うとと
もに、前段部２ａの各処理ユニットに対する基板Ｓの搬
入・搬出、さらには中継部１７との間で基板Ｓの受け渡
しを行う機能を有している。また、メインアーム１９は
中継部１７との間で基板Ｓの受け渡しを行うとともに、
後段部２ｂの各処理ユニットに対する基板Ｓの搬入・搬
出、さらにはインターフェース部３０との間の基板Ｓの
受け渡しを行う機能を有している。このように各処理ユ
ニットを集約して一体化することにより、省スペース化
および処理の効率化を図ることができる。
【００１７】このように構成される塗布・現像処理シス
テムにおいては、カセットＣ内の基板Ｓが、処理部２に
搬送され、まず、洗浄ユニット２１および水洗ユニット
２２により洗浄処理され、レジストの定着性を高めるた
めにアドヒージョン処理ユニット２３にて疎水化処理さ
れ、冷却ユニット２４で冷却後、レジスト塗布ユニット
２５でレジストが塗布される。その後、基板Ｓは、加熱
処理ユニット２６の一つでプリベーク処理され、冷却ユ
ニット２７で冷却された後、インターフェース部３０を
介して露光装置に搬送されてそこで所定のパターンが露
光される。そして、再びインターフェース部３０を介し
て搬入され、加熱処理ユニット２６の一つでポストエク
スポージャーベーク処理が施される。その後、冷却ユニ
ット２７で冷却された基板Ｓは、現像処理ユニット２９
で現像処理され、所定の回路パターンが形成される。現
像処理された基板Ｓは、メインアーム１９，１８および
搬送機構３によってカセットステーション１上の所定の
カセットに収容される。
【００１８】図２は上記塗布・現像処理システムにおい
て基板を搬送する搬送手段であるメインアーム１８を示
す斜視図、図３はその側面図である。図中３１は水平移
動、昇降、および回転可能な基台である。基台３１上に
は、基板Ｓを支持するフォーク３２が多段（ここでは２
段）に配置されている。フォーク３２上には、冷却手段
である気体供給部材３３が取り付けられている。
【００１９】この気体供給部材３３には、気体供給機構
３４が連結されており、気体供給手段３４から空気、窒
素ガス、イオン化されたガス等の気体が導入されるよう
になっており、気体供給部材３３を介して前記気体が基
板Ｓに供給されるようになっている。搬送の際に基板Ｓ
がフォーク３２に面接触した場合等、静電気が生じる
が、この際の静電気を除去することができることから、
気体としてイオン化されたガスを用いることが好まし
い。
【００２０】また、気体供給機構３４には、制御部３５
が接続されており、これにより気体を基板に吹き付ける
条件、例えば、吹き付け量、吹き付け時間、または吹き
付けのタイミングを制御することができるようになって
いる。したがって、気体供給による基板冷却でどのレベ
ルまで基板を冷却するかを制御することができる。
【００２１】図２、図３では、気体供給部材３３は、フ
ォーク３２に個々に設けて、フォーク３２上に支持され
た基板Ｓを冷却しているが、図４に示すように、基台３
１上に設けて、フォーク３２の個数に対応した複数の吹
き出し部３３ａを有する気体供給部材３６により、フォ
ーク３２上に支持された基板Ｓを冷却するようにしても
良い。図３に示す方式では、個々のフォーク３２上の基
板Ｓの冷却レベルを個別に制御することができる。ま
た、図４に示す方式では、すべてのフォーク３２上の基
板Ｓの冷却を均等に行うことができる。なお、図４に示
す方式では、気体を基板Ｓに供給するために、フォーク
３２に穴部３２ａを設けておき、その穴部３２ａを通し
て気体を基板Ｓに供給する。図４に示す方式において
も、図３に示す方式と同様に、気体供給機構３４には、
制御部３５が接続されており、気体を基板に吹き付ける
条件を制御することができるようになっている。
【００２２】さらに、図５に示すようにフォーク３２に
気体通流孔３７を設けておき、そこから基板Ｓにガスを
吹き付けて冷却してもよく、図６に示すように基台３１
に気体通流孔３８を設け、それに連続する気体供給部材
３９を基台３１のフォーク３２直下の位置に設け、フォ
ーク３２に向けてガスを供給してもよい。
【００２３】冷却ユニット２７は、図７に示すように、
クーリングプレート４１を有している。クーリングプレ
ート４１上には、樹脂やゴム等の柔軟材で構成された支
持部材４２が設けられており、その支持部材４２により
基板Ｓを支持する。
【００２４】クーリングプレート４１には、複数の冷却
素子が配置されているか、または冷却水循環管路が設け
られている。クーリングプレート４１に設置された基板
Ｓは、冷却素子または冷却水循環管路内を循環する冷却
水で冷却される。この場合に、複数の冷却素子を用いる
ことにより、搬送部材で荒熱が除去された基板を高精度
で冷却することができる。
【００２５】また、冷却素子と冷却水循環管路とを両方
有するクーリングプレートを用いてもよい。その例を図
８に示す。ここではクーリングプレート４１は、上部プ
レート４１ａと下部プレート４１ｂとの二層構造となっ
ており、上部プレート４１ａには、クーリングプレート
４１および基板Ｓを冷却するための冷却水用４４ａが埋
設されており、下部プレート４１ｂには冷却素子である
ペルチェ素子４３を冷却するための冷却水用の管路４４
ｂが埋設されている。図中の実線矢印はクーリングプレ
ート４１および基板Ｓを冷却するための冷却水用の管路
４４ａを示している。また、クーリングプレート４１の
上部プレート４１ａには、複数のペルチェ素子４３が整
列配置されている。このように、冷却素子と冷却水管路
とを併用することにより、冷却水により比較的大きな速
度で冷却し、冷却素子により高精度で冷却することがで
き、迅速かつ高精度の冷却が実現される。
【００２６】次に、上記構成を有する基板処理装置を用
いて温度が高められた基板を冷却する方法について説明
する。まず、フォトレジストの安定化のためのプリベー
ク、露光後のポストエクスポージャーベーク、および現
像後のポストベーク等の熱処理が施された基板Ｓを熱処
理が行われたユニットからメインアーム１８により搬出
する。搬出された基板Ｓには、冷却ユニット２７までの
搬送中にメインアーム１８に設けられた気体供給部材３
３を介して気体が供給される。これにより、温度が高め
られた基板は冷却され、ある一定の温度レベルまで基板
温度が降下する（第１の冷却）。このとき、基板温度を
降下させる温度レベルは、制御手段３５により気体の吹
き出し量、吹き出し時間、または吹き出しのタイミング
を調整することにより制御する。
【００２７】次いで、搬送中にある一定の温度レベルま
で冷却された基板Ｓを冷却ユニット２７内に搬入して、
図７に示すように、冷却ユニット２７内のクーリングプ
レート４１上に設置し、ここで第２の冷却を行う。この
場合には、搬送部材で基板Ｓの荒熱が除去されているか
ら、クーリングプレート４１上では、第１の冷却よりも
小さい速度で冷却を行う。これにより基板Ｓを高精度で
冷却することができる。
【００２８】この場合に、冷却手段として冷却素子を用
いることにより、一層高精度で冷却することができる。
また、図８のように、冷却水素子と冷却水循環管路とを
両方有するクーリングプレート４１を用いることによ
り、迅速かつ高精度の冷却を行うことができる。
【００２９】本発明の基板冷却方法においては、温度が
高められた基板Ｓを冷却ユニット２７まで搬送する間に
第１の冷却を行って予め基板Ｓの荒熱を取り除いている
ので、冷却ユニット２７における第２の冷却の時間を短
縮することができる。また、搬送中に予め基板Ｓの荒熱
を取り除いているので、第２の冷却における温度降下の
範囲が狭まり、冷却素子や冷却水循環による温度調整が
容易となり、精度も向上する。
【００３０】このように、温度が高められた基板を冷却
ユニットに搬送する間にある程度の温度レベルまで冷却
しておくことにより、冷却ユニットにおける冷却の温度
範囲を狭くすることができ、これにより冷却時間を短く
することができる。したがって、基板冷却における冷却
時間を短縮することができ、その結果基板処理における
タクトタイムを短くすることができる。実際に、本発明
の方法によれば、基板処理におけるタクトタイムを２０
〜３０％短縮することが可能となる。
【００３１】なお、本発明は上記実施の形態に限定され
ず、種々の変形が可能である。例えば、上記実施の形態
では、本発明の基板冷却装置をレジスト塗布・現像ユニ
ットに適用した例を示したが、これに限らず他の処理に
適用しても良い。また、上記実施形態においては、基板
としてＬＣＤ基板を用いた場合について示したが、これ
に限らず半導体ウエハ等他の基板の処理の場合にも適用
可能であることはいうまでもない。
【００３２】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、基
板にレジスト液を塗布する塗布処理を行ってレジスト膜
を形成する塗布処理ユニットと、レジスト膜を露光した
後、現像液により現像処理を行う現像処理ユニットと、
前記塗布処理および／または前記現像処理の後に基板を
加熱処理する加熱処理ユニットと、加熱処理ユニットで
温度が高められた基板を所定温度に冷却する冷却ユニッ
トとを含む複数の処理ユニットと、前記複数の処理ユニ
ットへ基板を搬送する冷却手段と、前記搬送手段が走行
する搬送路とを具備し、前記複数の処理ユニットが前記
搬送路に沿って設けられた基板処理装置において、搬送
手段に、保持した基板を冷却する冷却手段を設けたの
で、加熱処理ユニットで温度が高められた基板が前記冷
却ユニットに搬送されるまでにまず前記搬送手段上で基
板に気体を吹き付けて基板を冷却して基板温度をある程
度降下させ、その後に基板を冷却ユニットのクーリング
プレート上に設置して所定温度に冷却して正確に基板温
度の調整を行うので、通常すべて冷却ユニットにおいて
行われていた冷却の一部を搬送中に行う、すなわち冷却
ユニットまでの基板搬送中に予め温度が高められた基板
の荒熱を除去するので、冷却ユニットにおいて行う冷却
は狭い温度範囲で済む。その結果、冷却ユニットにおけ
る冷却時間を短くすることができ、基板処理におけるタ
クトタイムを短くすることができる。
【００３３】また、搬送手段が、搬送路に沿って移動可
能な基台と、基台上に設けられ基板を支持する複数の支
持体とを備え、冷却手段が、複数の支持体ごとに取り付
けられ、各支持体に支持された基板に気体を供給する気
体供給手段と、各支持体に支持された基板ごとに個別的
に冷却レベルを制御する制御手段とを有するので、複数
の基板ごとに冷却時間等を制御してタクトタイムを個別
的に制御することができる。
【００３４】さらに、第２の冷却をペルチェ素子および
冷却水の両方を用いて行うことにより、冷却水により比
較的大きな速度で冷却し、ペルチェ素子により高精度で
冷却することができるので、迅速かつ高精度の冷却が実
現される。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の対象となる基板冷却装置が適用される
レジスト塗布・現像システムを示す斜視図。
【図２】本発明の基板処理装置における搬送手段の一実
施形態を示す斜視図。
【図３】本発明の基板処理装置における搬送手段の一実
施形態を示す側面図。
【図４】本発明の基板処理装置における搬送手段の他の
実施形態を示す側面。
【図５】本発明の基板処理装置における搬送手段のさら
に他の実施形態を示す側面。
【図６】本発明の基板処理装置における搬送手段のさら
に他の実施形態を示す側面。
【図７】本発明の基板処理装置における冷却ユニットの
クーリングプレートを一例を説明するための図。
【図８】本発明の基板処理装置における冷却ユニットの
クーリングプレートの他の例を説明するための図。
【符号の説明】
３１…基台 ３２…フォーク ３２ａ…穴部 ３３，３６，３９…気体供給部材 ３３ａ…吹き出し部 ３４…気体供給機構 ３５…制御部 ４１…クーリングプレート ４２…支持部材 Ｓ…基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平３−54844（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−78546（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−335200（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−274143（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−8321（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−147311（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−143311（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/68 G03F 7/38 501 G03F 7/40 501 H01L 21/027

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基板にレジスト液を塗布する塗布処理
    を行ってレジスト膜を形成する塗布処理ユニットと、レ
    ジスト膜を露光した後、現像液により現像処理を行う現
    像処理ユニットと、前記塗布処理および／または前記現
    像処理の後に基板を加熱処理する加熱処理ユニットと、
    加熱処理ユニットで温度が高められた基板を所定温度に
    冷却する冷却ユニットとを含む複数の処理ユニットと、 基板を保持して前記複数の処理ユニットへ搬送するとと
    もに、保持した基板を冷却する冷却手段を有する搬送手
    段と、 前記搬送手段が移動する搬送路とを具備し、前記複数の
    処理ユニットが前記搬送路に沿って設けられた基板処理
    装置であって、 前記搬送手段は、搬送路に沿って移動可能な基台と、前
    記基台上に設けられ基板を支持する複数の支持体とを備
    え、 前記冷却手段は、前記複数の支持体ごとに取り付けら
    れ、各支持体に支持された基板に気体を供給する気体供
    給手段と、各支持体に支持された基板ごとに個別的に冷
    却レベルを制御する制御手段とを備え、 前記冷却ユニットは、その上に設置された基板を冷却す
    るクーリングプレートを備え、 前記加熱処理ユニットで温度が高められた基板を前記搬
    送手段で搬送中に前記気体供給手段から供給される気体
    で所定の冷却レベルに冷却してから前記冷却ユニットの
    クーリングプレートで冷却することを特徴とする基板処
    理装置。
  2. 【請求項２】 前記クーリングプレートは、ペルチェ素
    子および冷却水を通流する冷却水管路を有し、これら両
    方を用いて基板を冷却することを特徴とする請求項１に
    記載の基板処理装置。
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