JP2007073564A

JP2007073564A - アッシング装置

Info

Publication number: JP2007073564A
Application number: JP2005255746A
Authority: JP
Inventors: Teru Ogura; 輝小倉; Fukashi Harada; 深志原田; Tatsuro Kawabata; 辰郎川畑
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 2005-09-02
Filing date: 2005-09-02
Publication date: 2007-03-22

Abstract

【課題】アッシング装置に関し、スループットを低下させることなくＳｉ掘られ欠陥の発生を抑制することが可能な新規な構成を提供する。
【解決手段】アッシング処理を行うアッシング処理室１とアッシング処理室１にガス遮断機構３を介して連結する搬送室２とを備えるとともに、アッシング処理後の被処理基板６を大気に曝露することなく次の被処理基板のアッシング処理中に基板温度を１３０℃以下にする基板冷却機構を備える。
【選択図】図１

Description

本発明はアッシング装置に関するものであり、特に、Ｐ（燐）イオン注入マスクとして用いたレジストをアッシング除去する場合のＳｉ掘られ欠陥の発生を抑制するための機構に特徴のあるアッシング装置に関するものである。

従来より半導体装置の製造工程、液晶パネルや有機ＥＬパネルのアクティブ基板の製造工程等の電子デバイスの製造工程においては、ソース・ドレイン領域等を形成するためにイオン注入法が用いられており、その際のイオン注入マスクとしてはフォトレジストが用いられている。

イオン注入後にはこのフォトレジストマスクを剥離する必要があるが、近年、このフォトレジストマスクの剥離を剥離液を用いたウエット処理に代えて、Ｏ₂プラズマを用いたアッシング処理が採用されているので、ここで、図２６及び図２７を参照して従来のアッシング工程の一例を説明する（例えば、特許文献１参照）。

図２６参照
まず、ｐ型シリコン基板９１に素子分離領域９２を形成して素子形成領域を区画したのち、素子形成領域の一部にＰをイオン注入してｎ型ウエル領域９３を形成するとともに、他の素子形成領域にＢをイオン注入してｐ型ウエル領域９４を形成する。

次いで、熱酸化を施すことによってゲート絶縁膜９５を形成したのち、全面に多結晶シリコン膜を形成しマスクパターンを利用してエッチングすることによってゲート電極９６，９７を形成する。

次いで、ｎ型ウエル領域９３をレジストマスク９８で覆った状態でｐ型ウエル領域９４にＰイオン９９をイオン注入することによってｎ型ソース・ドレイン領域１００を形成する。
なお、このイオン注入に際して、レジストマスク９８の表面にＰイオンの注入に伴う変質層１０１が形成される。

次いで、Ｏ₂を主成分とし、Ｎ₂、Ｈ₂、及び、ＣＦ₄を添加したガスをプラスマ化したプラズマ中から陽イオン及び電子を除去して中性ラジカルとし、この中性ラジカル雰囲気１０２中でアッシング処理を行うことによって変質層１０１及びレジストマスク９８を除去する。
なお、このアッシング処理工程において、処理速度を高めるために高温でアッシング処理を行った場合には、未変質のレジストが破裂（ポッピング）する現象を抑えるために、変質層１０１の除去工程を１５０℃の基板温度で行い、変質層１０１を除去したのちに、２００℃の基板温度で未変質のレジストマスク９８を除去する。

図２７参照
次いで、被処理基板を大気中に取り出したのち、硫酸水溶液で洗浄処理してアッシング残渣を除去し、次いで、ｐ型ウエル領域９４をレジストマスク１０３で覆った状態でｎ型ウエル領域９３にＢイオン１０４をイオン注入することによってｐ型ソース・ドレイン領域１０５を形成する。

次いで、Ｏ₂を主成分とし、Ｎ₂、Ｈ₂、及び、ＣＦ₄を添加したガスをプラスマ化したプラズマ中から陽イオン及び電子を除去して中性ラジカル１０７とし、この中性ラジカル１０７雰囲気中でアッシング処理を行うことによって変質層１０６及びレジストマスク１０３を除去することによってＣＭＯＳトランジスタの基本部分が形成される。

なお、この場合も、ポッピング現象を抑制するために、変質層１０６の除去工程を１５０℃の基板温度で行い、変質層１０６を除去したのちに、２００℃の基板温度で未変質のレジストマスク１０３を除去する。

一方、アッシング工程を一定の基板温度で行うために、基板温度を１８０℃にした状態で、変質層を１％のＣＦ₄を含んだＯ₂プラズマ中でアッシング処理し、変質層を除去したのち、未変質のレジストマスクを５％のＮ₂を含んだＯ₂プラズマ中でアッシング処理を行うことも提案されている（例えば、特許文献２参照）。

近年の半導体装置の高速化にともなって、駆動電流増加とリーク電流低減の両立を図るために相当回数の不純物注入を繰り返しているが、当然、イオン注入マスクとして使用されたレジストは剥離する必要があり、注入の回数が増えればその分のレジスト剥離回数も増加して製造時間の増加をもたらすことになる。

そこで、近年では、上述のようにレジスト剥離時の基板温度を１５０℃以上の高温として反応速度を高めて、一回当たりのレジスト剥離時間を短縮することが行われている。

また、ロードロック室を備えたアッシング装置等においては、高温処理した半導体ウェハをロードロック室を介して大気中に取り出した場合、アーム等の基板保持具と接触している部分と非接触部分との間で温度むらが発生し、大気中で急冷される際に熱変形が発生して半導体ウェハに反りが生じたり、或いは、熱応力が発生して配線に断線や短絡を発生させる虞がある。

そこで、ロードロック室に冷却機構を設けて、ロードロック室にウェハ載置ステージを設けて、ウェハ載置ステージ上に処理済みの半導体ウェハを載置することによって均一な熱分布とした状態で所定温度まで降温することが提案されている（例えば、特許文献３参照）。

或いは、ロードロック室が大気圧になった時点でロードロック室を開放して処理済みの半導体ウェハを自然冷却すること或いは、ロードロック室を大気圧にする際に不活性ガスをロードロック室内に導入することによって処理済みの半導体ウェハを自然冷却することも提案されている（例えば、特許文献４参照）。
特開平１１−０９７４２１号公報特開平０５−２７５３２６号公報特開平１１−３４５７７１号公報特開２００１−３１９８８５号公報

しかし、本発明者は、鋭意研究の結果、５×１０¹⁵ｃｍ^-2の高濃度のＰをイオン注入した後のアッシング工程において、シリコン基板におけるＰ注入領域やＰが注入された多結晶シリコン層が不所望にエッチングされるＳｉ掘られ現象が発生することを見い出した。

このようなＳｉ掘られ欠陥は、配線層や拡散抵抗層の抵抗値の増加をもたらし、信号遅延の原因になったり、駆動電流の低下の原因となるという問題がある。
なお、Ｂをイオン注入した場合には、Ｐのイオン注入に比べてＳｉ掘られ欠陥が全く発生しておらず、このような事情はＡｓ等の他の不純物の場合にも同様で、Ｐに特有な現象であることが確認された。

Ｓｉ掘られ欠陥の発生の原因は、高温（＞１３０℃）時にアッシング処理後のウェハが大気（Ｎ₂／Ｏ₂／Ｈ₂Ｏ）中に曝露されると、露出したイオン注入領域のＰと、大気中のＯとＨとが反応して燐酸（Ｈ₃ＰＯ₄）を発生させ、このＨ₃ＰＯ₄がＳｉを溶解するためとの結論に至った。

また、アッシングプラズマにより表面に残留したＦとＨとが反応してＨＦを発生させて、イオン注入領域の表面に形成されている２ｎｍ以下の自然酸化膜を溶かしてイオン注入領域を露出させ、上記の反応をより促進することも発見した。

なお、Ｓｉ掘られ欠陥の発生をなくすためには、アッシング処理後のウェハを充分降温してから大気中に取り出せば良いが、そうすると、アッシング処理工程のスループットを高めるために高温で処理しているので、充分降温させた場合には降温のために時間がかかることになり、全体のスループットは寧ろ低下するという問題がある。

このような事情は上述の特許文献３或いは特許文献４に記載された冷却機構付ロードロック室を備えたアッシング装置の場合も同様であり、ロードロック室でアッシング処理済のウェハを冷却したのち大気中に取り出すことによってＳｉ掘られ欠陥は発生することはないが、冷却のために時間がかかるため、全体のスループットは寧ろ低下する。

そこで、本発明者は、Ｐのイオン注入後のアッシング工程に起因するＨ₃ＰＯ₄の発生によるＳｉ掘られ欠陥の発生をスループットを低下させることなく抑制する方法を提案している（特願２００５−２１０３５３参照）。

具体的には、アッシング処理した基板をアッシング処理室から取り出す際の基板の温度をスループットを低下させることなく１３０℃以下に降温することによって、Ｈ₃ＰＯ₄の発生によるＳｉ掘られ欠陥を回避するものである。

しかし、上記の提案は、基本的には既存のアッシング装置を前提としたものであり、必ずしも使い勝手の良いものではなかった。

したがって、本発明は、スループットを低下させることなくＳｉ掘られ欠陥の発生を抑制することが可能な新規な構成のアッシング装置を提供することを目的とする。

図１は本発明の原理的構成図であり、ここで図１を参照して、本発明における課題を解決するための手段を説明する。
図１参照
上記課題を解決するために、本発明は、アッシング装置において、アッシング処理を行うアッシング処理室１とアッシング処理室１にガス遮断機構３を介して連結する搬送室２とを備えるとともに、アッシング処理後の被処理基板６を大気に曝露することなく次の被処理基板のアッシング処理中に基板温度を１３０℃以下にする基板冷却機構を備えたことを特徴とする。

このように、アッシング処理後の被処理基板６を大気に曝露することなく次の被処理基板のアッシング処理中に基板温度を１３０℃以下にする基板冷却機構を設けることによって、Ｈ₃ＰＯ₄の発生によるＳｉ掘られ欠陥を回避することができる。
また、この降温工程は、次の被処理基板のアッシング処理中に行うので、スループットが低下することがない。

この場合の基板冷却機構として、搬送室２内に備えられた３個以上の搬送アーム７で構成しても良く、３個以上の搬送アーム７の内の１個にアッシング処理後の被処理基板６を次の被処理基板のアッシング処理中に保持し続ければ良い。

或いは、基板冷却機構として、搬送室２に連結するとともに被処理基板６を載置する載置ステージ８を備えた待機室４を用いても良く、次の被処理基板のアッシング処理中にアッシング処理後の被処理基板６を載置ステージ８に載置した状態で待機すれば良い。

この場合、待機室４はガス遮断機構５を介することなく搬送室２に直結しても良く、それによって、構成が簡素化される。

或いは、待機室４はガス遮断機構５を介して搬送室２に連接するとともに、待機室４に冷却ガスを導入する冷却ガス導入機構を設けるようにしても良く、それによって、次の被処理基板のアッシング処理中にアッシング処理後の被処理基板６を確実に１３０℃以下にすることができる。

また、待機室４に保護皮膜、例えば、フォトレジスト或いはフォトレジストから感光剤を除いた有機被膜の塗布機構を設けても良く、それによって、次の被処理基板のアッシング処理中にアッシング処理後の被処理基板６を確実に１３０℃以下にすることができる。なお、フォトレジスト或いはフォトレジストから感光剤を除いた有機被膜は、アッシング処理後に行う洗浄工程において容易に剥離することができる。

また、載置ステージ８に公転機構を設けても良く、被処理基板６を公転させることによって気体を吹きつけた場合と同等の効果を得ることができるので、次の被処理基板のアッシング処理中にアッシング処理後の被処理基板６を確実に１３０℃以下にすることができる。

或いは、載置ステージ８に冷却機構を設けても良く、載置ステージ８を冷却することによって、その上に載置するアッシング処理後の被処理基板６を降温することができる。

また、基板冷却機構として、被処理基板６との接触平板部の面積を被処理基板６の底面積の少なくとも３／４以上と接触する大きさとした搬送アーム７を用いても良く、搬送アーム７で保持するアッシング処理後の被処理基板６を降温することができる。

また、基板冷却機構として、被処理基板６を搬送する搬送アーム７に設けた搬送アーム冷却機構を用いても良く、搬送アーム７を冷却することによって、搬送アーム７で保持するアッシング処理後の被処理基板６を降温することができる。

また、基板冷却機構として、被処理基板６を搬送する搬送アーム７に設けた被処理基板６を冷却する送風機構を用いても良く、搬送アーム７で保持するアッシング処理後の被処理基板６に送風することによって、降温することができる。

また、搬送室２を、搬入用搬送室と搬出用搬送室とで構成しても良く、それによって、アッシング処理室１において被処理基板６をバッチ処理することが可能になりスループットが向上する。

また、アッシング処理室１におけるアッシング処理が、燐のイオン注入に伴うアッシング工程と燐以外の不純物のイオン注入に伴うアッシング工程とを判別し、基板冷却機構を作動させるか否かを決定する制御機構を設けても良く、それによって、基板冷却機構の作動を燐のイオン注入に伴うアッシング工程に限定することができるので、全体の製造工程のスループットを向上することができる。

本発明においては、アッシング処理後の被処理基板を大気に曝露することなく次の被処理基板のアッシング処理中に基板温度を１３０℃以下にする基板冷却機構を備えているので、スループットを低下することなくＳｉ掘られ欠陥の発生を低減することができ、製造歩留りの向上が可能になる。

本発明は、アッシング処理を行うアッシング処理室とアッシング処理室にガス遮断機構を介して連結する搬送室とを備えるとともに、アッシング処理後の被処理基板を大気に曝露することなく次の被処理基板のアッシング処理中に基板温度を１３０℃以下にする基板冷却機構を備えたものである。

この場合の基板冷却機構としては、搬送室内に備えられた３個以上の搬送アームで構成しても良いし、或いは、搬送室に連結するとともに被処理基板を載置する載置ステージを備えた待機室を用いるものである。

また、被処理基板との接触平板部の面積を被処理基板の底面積の少なくとも３／４以上と接触する大きさとした搬送アーム、或いは、被処理基板を搬送する搬送アームに設けた搬送アーム冷却機構または搬送アームに設けた被処理基板を冷却する送風機構を単独で或いは上記の各構成と併せて採用するものである。

次に、図２乃至図５を参照して、本発明の実施例１のアッシング装置を説明する。
図２参照
図２は、本発明の実施例１のアッシング装置の概念的構成図であり、反応チャンバー１０、反応チャンバー１０とゲートバルブ１９を介して接続される搬送室３０、搬送室３０とゲートバルブ４１を介して接続される放置室４０から構成され、搬送室３０には、ウェハキャリア５０に収容された不純物のイオン注入の終了した被処理基板５２の出し入れを行うゲートバルブ５１が設けられている。

図３参照
図３は、本発明の実施例１のアッシング装置を構成する反応チャンバーの概略的構成図であり、反応チャンバー１０は、シャワー板１３によって分離されたアッシング処理室１１とプラズマ発生室１２を備えるとともに、プラズマ発生室１２上には石英製のマイクロ波透過窓１４を介してマイクロ波導入室１５が設けられており、このマイクロ波導入室１５にはオートチューナ１７を備えたマイクロ波導波管１６を介してマグネトロン１８に接続されている。

また、アッシング処理室１１には、ウェハの出し入れを行うゲートバルブ１９及び排気口２０が設けられているとともに、内部にヒータ２２を格納したステージ２１が設置されており、このステージ２１にはステージ２１から突出するピン２３が設けられており、このピン２３によって被処理基板５２をステージ２１から浮かせた状態で保持する。

また、プラズマ発生室１２にはガス導入管２５に接続するガス導入口２４が設けられており、分岐管２６ａ〜２６ｄ及びマスフローコントローラ２７ａ〜２７ｄを介して、ガス供給源２８ａ〜２８ｄに接続されている。

このアッシング用の反応チャンバー１０においては、マスフローコントローラ２７ａ〜２７ｄ、分岐管２６ａ〜２６ｄ、ガス導入管２５、及び、ガス導入口２４を介してガス供給源２８ａ〜２８ｄからプラズマ発生室１２に導入されたＯ₂を主成分とするＯ₂／Ｎ₂／Ｈ₂／ＣＦ₄混合ガスは、マグネトロン１８で発生されてマイクロ波導波管１６を介してマイクロ波導入室１５に導入され、マイクロ波透過窓１４を透過したマイクロ波によってプラズマ化される。

発生した酸素プラズマを主成分とするプラズマ２９の内の陽イオンと電子を接地されたシャワー板１３によって捕捉し、中性ラジカル（中性活性種）のみをシャワー板１３に設けた孔からアッシング処理室１１に導入し、中性ラジカルにより被処理基板５２上に設けられたレジストマスクをアッシングにより除去する。

図４参照
図４は、搬送室内に設けられる２段式の搬送アームの概略的平面図であり、搬送室３０には回転板３１に伸縮部３５を介して取り付けられた２段式の搬送アーム３２₁，３２₂が収容されており、この搬送アーム３２₁，３２₂はウェハ保持部３３₁，３３₂及び支持部３４₁，３４₂から構成されている。

図５参照
図５は、放置室４０の概念的構成図であり、放置室４０にはステージ４２が設けられており、このステージ４２にはステージ４２から突出するピン４３が設けられているとともに、天井にはガス吹出管４４が設けられており、このガス吹出管４４から冷却ガス４５が吹き出し、ステージ４２上に載置しアッシング処理後の被処理基板５２を冷却する。

なお、この場合の冷却ガス４５としては、Ｎ₂ガス或いは、水分を徹底除去し、さらにＮＨ₃、ＳＯ_x、有機ガス等のガス状汚染物質を除去したクリーンな超低露点空気（ＣＤＡ：ＣｌｅａｎＤｒｙＡｉｒ）を用いる。

次に、図６乃至図８を参照して、本発明の実施例１のアッシング装置を用いたアッシング処理のシーケンスを説明する。
図６参照
まず、ステップ１において、ゲートバルブ５１を開いて搬送室３０を大気圧として、搬送アーム３２₁を用いてウェハキャリア５０から被処理基板５２₁を搬入する。

次いで、ステップ２において、ゲートバルブ５１を閉じて搬送室３０を真空状態としたのち、ゲートバルブ１９を開き、搬送アーム３２₁を回転させて被処理基板５２₁を反応チャンバー１０内のステージ２１上に載置する。

次いで、ステップ３において、ゲートバルブ１９を閉じてアッシング処理を行っている最中に、ゲートバルブ５１を開いて搬送室３０を大気圧として、搬送アーム３２₁を用いてウェハキャリア５０から次の被処理基板５２₂を搬入する。

この時のアッシング処理を説明すると、例えば、Ｏ₂ガスを９５５ｓｃｃｍ、Ｎ₂ガスを４８５ｓｃｃｍ、Ｈ₂ガスを１５ｓｃｃｍ、及び、ＣＦ₄ガスを４５ｓｃｃｍ導入して、プラズマ発生室１２の圧力を１Ｔｏｒｒに調整した状態で、１０００Ｗのマイクロ波を導入することによってプラズマを発生させ、このプラズマ中の中性ラジカルをアッシング処理室１１に導入して、例えば、２５０℃に加熱したステージ２１により被処理基板５２₁を１５０℃程度に加熱した状態でアッシング処理を行うことによって変質層及びレジストマスク（図示を省略）を除去する。

図７参照
次いで、ステップ４において、ゲートバルブ５１を閉じて搬送室３０を真空状態としたのち、ゲートバルブ１９を開き、搬送アーム３２₂を用いて被処理基板５２₁を取り出すとともに、搬送アーム３２₁を用いて次の被処理基板５２₂をステージ２１上に載置する。

次いで、ステップ５において、ゲートバルブ１９を閉じて被処理基板５２₂のアッシング処理を行っている最中に、ゲートバルブ４１を開いて、搬送アーム３２₂を用いて被処理基板５２₁を放置室４０のステージ４２に設けたピン４３上に載置したのち、ピン４３を降下させたステージ４２と接触するようにする。
なお、冷却ガス４５が常に吹き出した状態であるので、搬送室３０の冷却ガス雰囲気となる。

次いで、ステップ６において、被処理基板５２₂のアッシング処理を行っている最中に、ゲートバルブ４１を閉じるとともに、ゲートバルブ５１を開いて、搬送アーム３２₁を用いて次の被処理基板５２₃を搬送室３０内に搬入する。

図８参照
次いで、ステップ７において、ゲートバルブ５１を閉じて搬送室３０を真空状態としたのち、ゲートバルブ１９を開き、搬送アーム３２₂を用いて被処理基板５２₂を取り出すとともに、搬送アーム３２₁を用いて次の被処理基板５２₃をステージ２１上に載置する。

このステップ５〜ステップ７の間、放置室４０のステージ４２上に載置された被処理基板５２₁には冷却ガス４５が吹きつけられるので、１３０℃以下の温度まで十分冷却される。

次いで、ステップ８において、ゲートバルブ１９を閉じて被処理基板５２₃のアッシング処理を行っている最中に、ゲートバルブ４１を開いて、ピン４３を上昇させ、搬送アーム３２₁を用いて被処理基板５２₁を搬送室３０内に取り出すとともに、搬送アーム３２₂を用いて放置室４０のステージ４２上に被処理基板５２₂を載置する。

次いで、ステップ９において、被処理基板５２₃のアッシング処理を行っている最中に、ゲートバルブ４１を閉じるとともに、ゲートバルブ５１を開いて、搬送アーム３２₁を用いて被処理基板５２₁をウェハキャリア５０に収容するとともに、搬送アーム３２₂を用いて次の被処理基板５２₄を搬送室３０内に搬入することによって、最初の被処理基板５２₁のアッシング処理工程が終了する。

このシーケンスを全ての被処理基板の処理が終了するまで繰り返すことによって、全体のアッシング処理工程が終了する。
なお、最初の被処理基板５２₁については、３番目の被処理基板５２₃からみたウェハキャリア５０中でのステップ４及びステップ５の状態、及び、アッシング処理中のステップ８の状態がないため９ステップであるが、３番目以降の被処理基板については全体で１２ステップとなる。
また、ウェハキャリア５０に収容されたアッシング処理終了後の被処理基板５２は、硫酸水溶液で洗浄処理して、アッシング残渣を除去する。

この本発明の実施例１においては、アッシング処理済みの被処理基板は、次の被処理基板のアッシング処理中に放置室において大気にさらされることなく１３０℃以下に冷却されたのち大気中に取り出しているので、Ｓｉ掘られ欠陥が発生することがない。

また、この冷却工程は、次の被処理基板のアッシング処理中に行っているので、冷却のための時間を別に設ける必要はないので、スループットが低下することはない。

次に、図９を参照して、本発明の実施例２のアッシング装置を説明する。
図９参照
図９は、本発明の実施例２のアッシング装置の概念的構成図であり、反応チャンバー１０、反応チャンバー１０とゲートバルブ１９を介して接続される搬送室３０、搬送室３０とゲートバルブを介さないで直結する放置室４０から構成され、搬送室３０には、ウェハキャリア５０に収容された不純物のイオン注入の終了した被処理基板５２の出し入れを行うゲートバルブ５１が設けられている。
この実施例８においては、放置室４０がゲートバルブを介さないで搬送室に直結するとともに、天井にガス吹出管を備えていない点で上記の実施例１のアッシング装置と相違するものである。

次に、図１０乃至図１２を参照して、本発明の実施例２のアッシング装置を用いたアッシング処理のシーケンスを説明する。
図１０参照
まず、ステップ１において、搬送室３０をＮ₂ガスを満たして大気圧とした状態でゲートバルブ５１を開いて、搬送アーム３２₁を用いてウェハキャリア５０から被処理基板５２₁を搬入する。

次いで、ステップ３において、ゲートバルブ１９を閉じてアッシング処理を行っている最中に、搬送室３０をＮ₂ガスを満たして大気圧とした状態でゲートバルブ５１を開いて、搬送アーム３２₁を用いてウェハキャリア５０から次の被処理基板５２₂を搬入する。

図１１参照
次いで、ステップ４において、ゲートバルブ５１を閉じて搬送室３０を真空状態としたのち、ゲートバルブ１９を開き、搬送アーム３２₂を用いて被処理基板５２₁を取り出すとともに、搬送アーム３２₁を用いて次の被処理基板５２₂をステージ２１上に載置する。

次いで、ステップ５において、ゲートバルブ１９を閉じて被処理基板５２₂のアッシング処理中に、搬送アーム３２₂を用いて被処理基板５２₁を放置室４０のステージ４２上に載置する。

次いで、ステップ６において、被処理基板５２₂のアッシング処理の終了間際に、搬送室３０をＮ₂ガスで満たして大気圧とした状態でゲートバルブ５１を開いて、搬送アーム３２₁を用いて次の被処理基板５２₃を搬送室３０内に搬入する。

図１２参照
次いで、ステップ７において、ゲートバルブ５１を閉じて搬送室３０を真空状態としたのち、ゲートバルブ１９を開き、搬送アーム３２₂を用いて被処理基板５２₂を取り出すとともに、搬送アーム３２₁を用いて次の被処理基板５２₃をステージ２１上に載置する。

次いで、ステップ８において、ゲートバルブ１９を閉じて被処理基板５２₃のアッシング処理を行っている最中に、搬送アーム３２₁を用いて被処理基板５２₁を搬送室３０内に取り出すとともに、搬送アーム３２₂を用いて放置室４０のステージ４２上に被処理基板５２₂を載置する。

次いで、ステップ９において、被処理基板５２₃のアッシング処理の終了間際に、搬送室３０をＮ₂ガスで満たして大気圧とした状態でゲートバルブ５１を開いて、搬送アーム３２₁を用いて被処理基板５２₁をウェハキャリア５０に収容するとともに、搬送アーム３２₂を用いて次の被処理基板５２₄を搬送室３０内に搬入することによって、最初の被処理基板５２₁のアッシング処理工程が終了する。

このシーケンスを全ての被処理基板の処理が終了するまで繰り返すことによって、全体のアッシング処理工程が終了する。
この場合も、最初の被処理基板５２₁については、９ステップであるが、３番目以降の被処理基板については全体で１２ステップとなる。

この本発明の実施例２においては、アッシング処理済みの被処理基板は、次の被処理基板のアッシング処理の終了間際まで放置室において熱源に接触しない低温の載置ステージ上で冷却されて１３０℃以下に冷却されたのち大気中に取り出しているので、Ｓｉ掘られ欠陥が発生することがない。

また、被処理基板を冷却するために特別の待機時間を必要としないので、スループットが低下することがない。
なお、ステップ６或いはステップ７において、放置室の大気圧のＮ₂ガスで満たされているので、水分を含む大気に直接曝されることがない。

次に、図１３を参照して本発明の実施例３のアッシング装置を説明するが、この実施例３のアッシング装置は、放置室に備えたステージに冷却機構を設けた以外は、上記の実施例１と全く同様であるので、放置室の構成のみ説明する。
図１３参照
図１３は、本発明の実施例２の放置室４０の概念的構成図であり、放置室４０にはステージ４２が設けられており、このステージ４２にはステージ４２から突出するピン４３が設けられているとともに、ステージ４２の内部には冷媒を循環させる冷媒循環パイプ４６が設けられており、ステージ４２上に載置しアッシング処理後の被処理基板５２を冷却する。

また、天井にはガス吹出管４４が設けられており、このガス吹出管４４からＮ₂ガス或いはＣＤＡからなる冷却ガス４５が吹き出すが、この場合の吹き出し量は上記の実施例１より少なくても良い。

この本発明の実施例２においては、ステージ４２の内部には冷媒循環パイプ４６を設けているので、被処理基板５２をより速やかに１３０℃以下に降温することができる。

次に、図１４を参照して本発明の実施例４のアッシング装置を説明するが、この実施例４のアッシング装置は、放置室に有機溶剤滴下機構を設けた以外は、上記の実施例１と全く同様であるので、放置室の構成のみ説明する。
図１４参照
図１４は、本発明の実施例４の放置室４０の概念的構成図であり、放置室４０にはステージ４２が設けられており、このステージ４２にはステージ４２から突出するピン４３が設けられているとともに、天井にはガス吹出管４４と有機溶剤滴下機構４７が設けられている。

上述のステップ６及びステップ７において、ステージ４２を回転させながら有機溶剤滴下機構４７から、アッシング処理後の洗浄工程において除去が容易な有機溶剤４８を滴下して、被処理基板５２上に有機保護皮膜４９を形成するものである。
なお、この場合の有機溶剤としては、イオン注入マスクに用いたフォトレジストや、フォトレジストから感光剤を除いた有機溶剤を用いれば良い。

この本発明の実施例４においては、被処理基板５２の表面に有機保護皮膜４９を塗布しているので、この塗布工程において、被処理基板５２が降温されるとともに、被処理基板５２を大気中に取り出した時に、被処理基板５２の表面が大気に曝露されることがないので、仮に、被処理基板５２が１３０℃以上であってもＳｉ掘られ欠陥が発生することがない。

次に、図１５及び図１６を参照して本発明の実施例５のアッシング装置を説明するが、この実施例５のアッシング装置は、放置室に備えたステージに傾斜公転機構を設けた以外は、上記の実施例１と全く同様であるので、放置室の構成のみ説明する。
図１５参照
図１５は、本発明の実施例５の放置室６０の概念的構成図であり、放置室６０には回転軸６１に支持軸６２を介して取り付けられたステージ６３が設けられており、このステージ６３にはステージ６３から突出するピン６４が設けられているとともに、真空チャック機構（図示を省略）が設けられている。

また、天井にはガス吹出管６５が設けられており、このガス吹出管６５からＮ₂ガス或いはＣＤＡからなる冷却ガス６６が吹き出すが、この場合の吹き出し量は上記の実施例１より少なくても良い。

図１６参照
上述のステップ６及びステップ７において、被処理基板５２を載置したのちピン６４を下ろすとともに、真空チャック機構で被処理基板５２をステージ６３上に固定したのち、支持軸６２を回転させることによって、ステージ６３を傾斜させ、ステージ６３を傾斜させた状態で回転軸６１を回転させることによって、被処理基板５２を同時に回転させて、冷却ガス６６に対する相対速度を高めて降温を速やかに行う。

この本発明の実施例５においては、被処理基板５２を傾斜公転させているので、被処理基板５２を１３０℃以下に降温することが容易になる。
なお、傾斜角及び公転速度は任意であり、使用環境及びアッシング処理時間に応じて被処理基板５２が１３０℃以下になる条件を選択すれば良い。

次に、図１７及び図１８を参照して本発明の実施例６のアッシング装置を説明する。
図１７参照
図１７は、本発明の実施例６のアッシング装置の概念的構成図であり、反応チャンバー１０、反応チャンバー１０とゲートバルブ１９を介して接続される搬送室３０から構成され、搬送室３０には、ウェハキャリア５０に収容された不純物のイオン注入の終了した被処理基板５２の出し入れを行うゲートバルブ５１が設けられている。
なお、反応チャンバー１０の構成は上記の実施例１と全く同様である。

図１８参照
図１８は、搬送室３０内に設けられた２段式の搬送アーム３６₁，３６₂の概念的平面図であり、ここでは搬送アーム３６₁のみを示す。
この搬送アーム３６₁の先端部のウェハ保持部３７₁は、通常のアームより大型にしており、被処理基板５２とは被処理基板５２の底面積の３／４以上の面積で接触することになるので、ウェハ保持部３７₁との非接触部、即ち、ピン回避スリット部３９₁においても基板温度が低下して１３０℃以下となる。

次に、図１９を参照して、本発明の実施例６のアッシング装置を用いたシーケンスを説明する。
図１９参照
まず、ステップ１において、搬送室３０をＮ₂ガスで満たして大気圧とした状態でゲートバルブ５１を開いて、搬送アーム３６₁を用いてウェハキャリア５０から被処理基板５２₁を搬入する。

次いで、ステップ２において、ゲートバルブ５１を閉じて搬送室３０を真空状態としたのち、ゲートバルブ１９を開き、搬送アーム３６₁を回転させて被処理基板５２₁を反応チャンバー１０内のステージ２１上に載置する。

次いで、ステップ３において、ゲートバルブ１９を閉じてアッシング処理を行っている最中に、搬送室３０をＮ₂ガスで満たして大気圧とした状態でゲートバルブ５１を開いて、搬送アーム３６₁を用いてウェハキャリア５０から次の被処理基板５２₂を搬入する。

次いで、ステップ４において、ゲートバルブ５１を閉じて搬送室３０を真空状態としたのち、ゲートバルブ１９を開き、搬送アーム３６₂を用いて被処理基板５２₁を取り出すとともに、搬送アーム３６₁を用いて次の被処理基板５２₂をステージ２１上に載置する。

次いで、ステップ５において、ゲートバルブ１９を閉じて被処理基板５２₂のアッシング処理を行い、アッシング処理終了間際に、搬送室３０をＮ₂ガスで満たして大気圧とした状態でゲートバルブ５１を開いて、搬送アーム３２₂を用いて被処理基板５２₁をウェハキャリア５０に収容するとともに、搬送アーム３２₂を用いて次の被処理基板５２₃を搬送室３０内に搬入することによって、最初の被処理基板５２₁のアッシング処理工程が終了する。

このシーケンスを全ての被処理基板の処理が終了するまで繰り返すことによって、全体のアッシング処理工程が終了する。
この場合、ステップ５のアッシング処理時間の内の殆どの時間、アッシング処理後の被処理基板５２₁は接触面積の大きな搬送アーム３６₂上に保持されているので、１３０℃以下の温度まで十分冷却される。

このように、本発明の実施例６においては、搬送室における搬送アームの形状を変更しただけであり、放置室を設けていないので、装置構成は従来と実質的に同じ大きさにすることができる。

また、冷却時間は、次の被処理基板のアッシング処理時間だけであるので、冷却のための特別の待機時間を要することなく、基板温度を１３０℃以下にすることができるので、スループットが低下することがない。

次に、図２０を参照して本発明の実施例７のアッシング装置を説明するが、搬送アームの構成が異なるだけで、他の構成は上記の実施例５と全く同様であるので、搬送アームの構成のみ説明する。
図２０参照
図２０の上図は、搬送室３０内に設けられた２段式の搬送アーム５３₁，５３₂の概略的断面図であり、また、下図はその平面図であり、ここでは搬送アーム５３₁のみを示す。

この搬送アーム５３₁の先端部のウェハ保持部５４₁の内部に冷媒循環流路５５₁を形成するとともに、支持部５６₁の内部にも冷媒循環流路５７₁を設けたものである。

この場合、ステップ５のアッシング処理時間の内の殆どの時間、アッシング処理後の被処理基板５２₁は接触面積の大きな搬送アーム５３₂上に保持されるとともに、内部を循環する冷媒によって冷却されるので、１３０℃以下の温度まで十分冷却される。

このように、本発明の実施例７においては、搬送室における搬送アームの形状を変更するとともに冷却機構を設けただけであり、放置室を設けていないので、装置構成は従来と実質的に同じ大きさにすることができる。

次に、図２１を参照して本発明の実施例８のアッシング装置を説明するが、搬送アームの構成が異なるだけで、他の構成は上記の実施例５と全く同様であるので、搬送アームの構成のみ説明する。
図２１参照
図２１の上図は、搬送室３０内に設けられた２段式の搬送アーム７１₁，７１₂の概略的断面図であり、また、下図はその平面図であり、ここでは搬送アーム７１₁のみを示す。

この搬送アーム７１₁の先端部のウェハ保持部７２₁の内部にガス流路７３₁を形成するとともに、４つのガス吹出用突起部７４₁〜７７₁を設け、また、支持部７８₁の内部にもガス流路７９₁を設けたものである。

この場合も、図１９に示したシーケンスのステップ５において、アッシング処理が終了した被処理基板５２₁を取り出した段階で、ガス吹出用突起部７４₁〜７７₁から冷却ガス８０を吹き出して被処理基板５２₁に吹きつけ、被処理基板５２₁を１３０℃以下に冷却する。
なお、この場合も冷却ガス８０としては、Ｎ₂ガス或いはＣＤＡを用いる。

このように、本発明の実施例８においては、搬送室における従来の搬送アーム３２にガス吹き出し機構を設けただけであり、放置室を設けていないので、装置構成は従来と実質的に同じ大きさにすることができる。

次に、図２２及び図２３を参照して、本発明の実施例９のアッシング装置を説明する。図２２参照
図２２は、本発明の実施例９のアッシング装置の概念的構成図であり、反応チャンバー１０、反応チャンバー１０とゲートバルブ１９を介して接続される搬送室３０から構成され、搬送室３０には、ウェハキャリア５０に収容された不純物のイオン注入の終了した被処理基板５２の出し入れを行うゲートバルブ５１が設けられている。
なお、反応チャンバー１０の構成は上記の実施例１と全く同様である。

図２３参照
図２３は、本発明の実施例９のアッシング装置内に設けられた搬送アームの概略的構成図であり、搬送室３０には回転円盤８１に取り付けられた３つの搬送アーム８２₁〜８２₃が収容されており、この搬送アーム８２₁〜８２₃はそれぞれウェハ保持部８３₁〜８３₃、支持部８４₁〜８４₃及び伸縮部８５₁〜８５₃及びから構成されている。

次に、図２４及び図２５を参照して、本発明の実施例９のアッシング装置を用いたアッシング処理のシーケンスを説明する。
図２４参照
まず、ステップ１において、搬送室３０をＮ₂ガスを満たして大気圧とした状態でゲートバルブ５１を開いて、搬送アーム８２₁を用いてウェハキャリア５０から被処理基板５２₁を搬入する。

次いで、ステップ２において、ゲートバルブ５１を閉じて搬送室３０を真空状態としたのち、ゲートバルブ１９を開き、回転円盤８１を１８０°回転させたのち被処理基板５２₁をステージ２１上に載置する。

次いで、ステップ３において、ゲートバルブ１９を閉じてアッシング処理を行っている最中に、搬送室３０をＮ₂ガスで満たして大気圧とした状態でゲートバルブ５１を開いて、回転円盤８１を３００°回転させたのち、搬送アーム８２₂を用いてウェハキャリア５０から次の被処理基板５２₂を搬入する。

次いで、ステップ４において、ゲートバルブ５１を閉じて搬送室３０を真空状態としたのち、ゲートバルブ１９を開き、回転円盤８１を６０°回転させたのち搬送アーム８２₁を用いて被処理基板５２₁を搬送室３０に取り出し、次いで、回転円盤８１を１２０°回転させたのち、搬送アーム８２₂用いて次の被処理基板５２₂をステージ２１上に載置する。

図２５参照
次いで、ステップ５において、アッシング処理終了間際に、搬送室３０をＮ₂ガスで満たして大気圧とした状態でゲートバルブ５１を開いて、回転円盤８１を３００°回転させたのち搬送アーム８２₃を用いて次の被処理基板５２₃をウェハキャリア５０からを搬入する。

次いで、ステップ６において、ゲートバルブ１９を開き、回転円盤８１を６０°回転させたのち搬送アーム８２₂を用いて被処理基板５２₂を搬送室３０に取り出し、次いで、回転円盤８１を１２０°回転させたのち、搬送アーム８２₃用いて次の被処理基板５２₃をステージ２１上に載置する。

次いで、ステップ７において、回転円盤８１を３００°回転させたのち、アッシング処理終了間際に、搬送室３０をＮ₂ガスで満たして大気圧とした状態でゲートバルブ５１を開いて、搬送アーム８２₁を用いて被処理基板５２₁をウェハキャリア５０に取り出すとともに、同じ搬送アーム８２₁を用いて次の被処理基板５２₄を搬送室３０内に搬入することによって、被処理基板５２₁のアッシング処理工程が完了する。

このシーケンスを全ての被処理基板の処理が終了するまで繰り返すことによって、全体のアッシング処理工程が終了する。
なお、最初の被処理基板５２₁については７ステップであるが、２番目以降の被処理基板についてはウェハキャリアでの待機時にステップ２に相当するステップが加わるので全体で８ステップとなる。

この本発明の実施例９においても、ステップ５のアッシング処理時間中、アッシング処理後の被処理基板５２₁はＮ₂ガス中にあり水分を含んだ大気に直接曝されることがないので、ステップ７までの間に、１３０℃以下の温度まで降温することが可能である。

以上、本発明の各実施例を説明してきたが、本発明は各実施例に記載した条件・構成に限られるものではなく、各種の変更が可能であり、例えば、上記の各実施例においては、Ｐのイオン注入に伴うアッシング工程を中性ラジカル雰囲気中で行っているが、中性ラジカル雰囲気に限られるものではなく、発生したままのプラズマ雰囲気中で行っても良いものである。

また、上記の実施例２においても、放置室に配置するステージに実施例３と同様のステージ冷却機構を設けても良いものであり、それによって、より確実に被処理基板を１３０℃以下に降温することができる。

また、上記の実施例２及び実施例９においても、上記実施例６乃至８に記載した大型アーム或いは冷却機構付アームを用いても良いものであり、それによって、より確実に被処理基板を１３０℃以下に降温することができる。

さらには、上記実施例１においても、実施例３乃至実施例５に記載した放置室の構成と、上記実施例６乃至８に記載した搬送アームの構成を単独に或いは適宜組み合わせて採用しても良いものである。

また、上記の各実施例においては、枚葉式アッシング装置として説明しているが、バッチ式アッシング装置にも適用されるものであり、その場合には、搬送室を、搬入用搬送室と搬出用搬送室とで構成すれば良く、搬出用搬送室側の構成として、上記の実施例１乃至実施例８の構成を採用すれば良い。

ここで再び図１を参照して、本発明の詳細な特徴を改めて説明する。
再び、図１参照
（付記１）アッシング処理を行うアッシング処理室１と前記アッシング処理室１にガス遮断機構３を介して連結する搬送室２とを備えるとともに、アッシング処理後の被処理基板６を大気に曝露することなく次の被処理基板のアッシング処理中に基板温度を１３０℃以下にする基板冷却機構を備えたことを特徴とするアッシング装置。
（付記２）上記基板冷却機構が、上記搬送室２内に備えられた３個以上の搬送アーム７であることを特徴とする付記１記載のアッシング装置。
（付記３）上記基板冷却機構が、上記搬送室２に連結するとともに、上記被処理基板６を載置する載置ステージ８を備えた待機室４であることを特徴とする付記１記載のアッシング装置。
（付記４）上記待機室４をガス遮断機構５を介することなく上記搬送室２に直結したことを特徴とする付記３記載のアッシング装置。
（付記５）上記待機室４をガス遮断機構５を介して上記搬送室２に連接するとともに、前記待機室４に冷却ガスを導入する冷却ガス導入機構を設けたことを特徴とする付記３記載のアッシング装置。
（付記６）上記待機室４に保護皮膜の塗布機構を設けたことを特徴とする付記５記載のアッシング装置。
（付記７）上記載置ステージ８に公転機構を設けたことを特徴とする付記３乃至５のいずれか１に記載のアッシング装置。
（付記８）上記載置ステージ８に冷却機構を設けたことを特徴とする付記３乃至７のいずれか１に記載のアッシング装置。
（付記９）上記基板冷却機構が、上記被処理基板６との接触平板部の面積を、前記被処理基板６の底面積の少なくとも３／４以上と接触する大きさとした搬送アーム７であることを特徴とする付記１乃至８のいずれか１に記載のアッシング装置。
（付記１０）上記基板冷却機構が、上記被処理基板６を搬送する搬送アーム７に設けた搬送アーム７冷却機構であることを特徴とする付記１乃至９のいずれか１に記載のアッシング装置。
（付記１１）上記基板冷却機構が、上記被処理基板６を搬送する搬送アーム７に設けた、前記被処理基板６を冷却する送風機構であることを特徴とする付記１乃至９のいずれか１に記載のアッシング装置。
（付記１２）上記搬送室２が、搬入用搬送室と搬出用搬送室とからなり、上記アッシング処理室１において上記被処理基板６をバッチ処理することを特徴とする付記１記載のアッシング装置。
（付記１３）上記アッシング処理室１におけるアッシング処理が、燐のイオン注入に伴うアッシング工程と燐以外の不純物のイオン注入に伴うアッシング工程とを判別し、上記基板冷却機構を作動させるか否かを決定する制御機構を設けたことを特徴とする付記１乃至１２のいずれか１に記載のアッシング装置。

本発明の活用例としては、半導体装置の製造工程におけるＰのイオン注入に伴うアッシング工程が典型的なものであるが、半導体装置の製造工程に限られるものではなく、液晶パネルや有機ＥＬパネルのアクティブ基板等の他の電子デバイスの製造工程にも適用されるものであり、その場合のＰイオン注入対象は、多結晶シリコン或いはアモルファスシリコンになる場合もある。

本発明の原理的構成の説明図である。本発明の実施例１のアッシング装置の概念的構成図である。本発明の実施例１のアッシング装置を構成する反応チャンバーの概略的構成図である。本発明の実施例１の搬送室内に設けられた２段式の搬送アームの概略的平面図である。本発明の実施例１の放置室の概念的構成図である。本発明の実施例１のアッシング装置を用いたアッシング処理の途中までのシーケンスの説明図である。本発明の実施例１のアッシング装置を用いたアッシング処理の図６以降の途中までのシーケンスの説明図である。本発明の実施例１のアッシング装置を用いたアッシング処理の図７以降のシーケンスの説明図である。本発明の実施例２のアッシング装置の概念的構成図である。本発明の実施例２のアッシング装置を用いたアッシング処理の途中までのシーケンスの説明図である。本発明の実施例２のアッシング装置を用いたアッシング処理の図１０以降の途中までのシーケンスの説明図である。本発明の実施例２のアッシング装置を用いたアッシング処理の図１１以降のシーケンスの説明図である。本発明の実施例３の放置室の概念的構成図である。本発明の実施例４の放置室の概念的構成図である。本発明の実施例５の放置室の概念的構成図である。本発明の実施例５におけるステージ公転状態の説明図である。本発明の実施例６のアッシング装置の概念的構成図である。本発明の実施例６の搬送室内に設けられた２段式の搬送アームの概略的平面図である。本発明の実施例６のアッシング装置を用いたアッシング処理のシーケンスの説明図である。本発明の実施例７の搬送室内に設けられた２段式の搬送アームの概略的構成図である。本発明の実施例８の搬送室内に設けられた２段式の搬送アームの概略的構成図である。本発明の実施例９のアッシング装置の概念的構成図である。本発明の実施例９の搬送室内に設けられた搬送アームの概略的構成図である。本発明の実施例９のアッシング装置を用いたアッシング処理の途中までのシーケンスの説明図である。本発明の実施例９のアッシング装置を用いたアッシング処理の図２４以降のシーケンスの説明図である。従来のアッシング工程の途中までの説明図である。従来のアッシング工程の図２６以降の説明図である。

符号の説明

１アッシング処理室
２搬送室
３ガス遮断機構
４待機室
５ガス遮断機構
６被処理基板
７搬送アーム
８載置ステージ
１０反応チャンバー
１１アッシング処理室
１２プラズマ発生室
１３シャワー板
１４マイクロ波透過窓
１５マイクロ波導入室
１６マイクロ波導波管
１７オートチューナ
１８マグネトロン
１９ゲートバルブ
２０排気口
２１ステージ
２２ヒータ
２３ピン
２４ガス導入口
２５ガス導入管
２６ａ〜２６ｄ分岐管
２７ａ〜２７ｄマスフローコントローラ
２８ａ〜２８ｄガス供給源
２９プラズマ
３０搬送室
３１回転板
３２₁，３２₂ 搬送アーム
３３₁ ウェハ保持部
３４₁ 支持部
３５伸縮部
３６₁，３６₂ 搬送アーム
３７₁ ウェハ保持部
３８₁ 支持部
３９₁ ピン回避スリット部
４０放置室
４１ゲートバルブ
４２ステージ
４３ピン
４４ガス吹出管
４５冷却ガス
４６冷媒循環パイプ
４７有機溶剤滴下機構
４８有機溶剤
４９有機保護皮膜
５０ウェハキャリア
５１ゲートバルブ
５２被処理基板
５２₁〜５２₄ 被処理基板
５３₁ 搬送アーム
５４₁ ウェハ保持部
５５₁ 冷媒循環流路
５６₁ 支持部
５７₁ 冷媒循環流路
５８₁ ピン回避スリット部
６０放置室
６１回転軸
６２支持軸
６３ステージ
６４ピン
６５ガス吹出管
６６冷却ガス
７１₁ 搬送アーム
７２₁ ウェハ保持部
７３₁ ガス流路
７４₁〜７７₁ ガス吹出用突起部
７８₁ 支持部
７９₁ ガス流路
８０冷却ガス
８１回転円盤
８２₁〜８２₃ 搬送アーム
８３₁〜８３₃ ウェハ保持部
８４₁〜８４₃ 支持部
８５₁〜８５₃ 伸縮部
９１ｐ型シリコン基板
９２素子分離領域
９３ｎ型ウエル領域
９４ｐ型ウエル領域
９５ゲート絶縁膜
９６ゲート電極
９７ゲート電極
９８レジストマスク
９９Ｐイオン
１００ｎ型ソース・ドレイン領域
１０１変質層
１０２中性ラジカル
１０３レジストマスク
１０４Ｂイオン
１０５ｐ型ソース・ドレイン領域
１０６変質層
１０７中性ラジカル

Claims

アッシング処理を行うアッシング処理室と前記アッシング処理室にガス遮断機構を介して連結する搬送室とを備えるとともに、アッシング処理後の被処理基板を大気に曝露することなく次の被処理基板のアッシング処理工程中に基板温度を１３０℃以下にする基板冷却機構を備えたことを特徴とするアッシング装置。
上記基板冷却機構が、上記搬送室内に備えられた３個以上の搬送アームであることを特徴とする請求項１記載のアッシング装置。
上記基板冷却機構が、上記搬送室に連結するとともに、上記被処理基板を載置する載置ステージを備えた待機室であることを特徴とする請求項１記載のアッシング装置。
上記基板冷却機構が、上記被処理基板との接触平板部の面積を、前記被処理基板の底面積の少なくとも３／４以上と接触する大きさとした搬送アームであることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のアッシング装置。
上記基板冷却機構が、上記被処理基板を搬送する搬送アームに設けた、前記被処理基板を冷却する送風機構であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のアッシング装置。