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JP3121592B2 - 液晶表示装置 - Google Patents

液晶表示装置

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JP3121592B2
JP3121592B2 JP22352999A JP22352999A JP3121592B2 JP 3121592 B2 JP3121592 B2 JP 3121592B2 JP 22352999 A JP22352999 A JP 22352999A JP 22352999 A JP22352999 A JP 22352999A JP 3121592 B2 JP3121592 B2 JP 3121592B2
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substrate
liquid crystal
polarizing plate
position detecting
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幹夫 栗原
智 軽部
佳寿美 酒井
英介 神崎
裕 三島
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    • G02—OPTICS
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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ペンや指の接触し
た位置を検出する手段を有する液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】タッチパネル、すなわち、触れた場所の
位置検出手段を有するディスプレイとして、種々の方式
のもの、具体的には、アナログ容量結合方式、抵抗膜方
式、赤外線方式、超音波方式などが知られている（日経
バイト１９９８年５月号２８５頁、月刊ディスプレイ１
９９６年７月号７６頁〜１０３頁）。これらをディスプ
レイに適用する場合には、たとえばＡＴＭのように、タ
ッチセンサとして使用可能なガラス基材をＣＲＴ等の画
像表示装置の表面に重ね合わせる。したがって、タッチ
パネルは、全体としては画像表示装置自体よりも少なく
ともタッチセンサの分だけ大型化せざるをえなかった。
【０００３】抵抗膜方式では、２枚の抵抗膜を対向さ
せ、ペン等で触れた部分で抵抗膜同士が接触することに
より位置を検出している。抵抗膜方式では、２枚の抵抗
膜を貼り合わせた抵抗シートを作成し、接着剤を用いて
抵抗シートを画像表示装置の表面に貼り付けることも行
われている。ただし、抵抗膜方式は解像度を高めること
ができず、液晶画像装置の画素オーダーでの解像度を達
成することができない。特開平９−３２２０１３号公報
においては、液晶表示装置の上に抵抗感圧センサーを形
成する感圧膜を重ね合わせて一体にした１ミリ程度の検
出精度を有するリモコンが開示されている。
【０００４】特開昭４６−２１８７９号公報には、四隅
に導電性電極装置を有する導電性の四角シートからなる
電気的タブレット装置が開示されている。
【０００５】米国特許４、１９８、５３９号は、アナロ
グ容量結合方式によるタッチセンサおよび外周部分に設
けられたリニアライゼイションパターンについて記載さ
れている。
【０００６】米国特許５、３６５、４６１号には、アナ
ログ容量結合方式によるタッチセンサの入力手段として
指およびタッチペンを切り替えて用いる点について記載
されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従来のタッチセンサを
液晶表示装置等の携帯可能な画像表示装置に導入するに
は、液晶表示装置の表面にタッチセンサを重ね合わせて
いた。この場合、タッチセンサ自体の厚みのために、液
晶表示装置の厚みや重量が大きくなってしまうという問
題点があった。さらに、画質が劣化するという問題点も
あった。
【課題を解決するための手段】
【０００８】本発明は、液晶層と、前記液晶層の両側に
設けられた一対の基板と、前記一対の基板の前記液晶層
とは反対側の面に設けられた一対の偏光板と、前記基板
または前記偏光板に一体化して設けられたアナログ容量
結合方式の位置検出導電膜とからなる液晶表示装置に関
する。位置検出導電膜は、一方の偏光板と、前記一方の
偏光板に隣接する一方の基板との間に設けられている。
位置検出導電膜の外周領域にはリニアライゼイションパ
ターンが形成されていてもよい。位置検出導電膜は、基
板に一体化して設けられており、偏光板は位置検出導電
膜よりも小さな寸法であることが望ましい。
【０００９】また、本発明は、偏光板と、前記偏光板上
に一体化して設けられたアナログ容量結合方式の位置検
出導電膜とからなる偏光板に関する。偏光板上の位置検
出導電膜の外周領域にはリニアライゼイションパターン
が形成されていてもよい。
【００１０】さらに、本発明は、液晶層と、前記液晶層
の両側に設けられた一対の基板と、前記基板に一体化し
て設けられたアナログ容量結合方式の位置検出導電膜と
からなる液晶表示素子に関する。位置検出導電膜の外周
領域にはリニアライゼイションパターンが形成されてい
てもよい。
【発明の実施の形態】
【００１１】図１は、本発明のタッチセンサを装備した
液晶表示装置の例を示している。液晶層１２が基板８と
基板１８の２枚のガラスの間に挟まれている。基板８お
よび基板１８は例えばガラスでできており、基板８をセ
ルガラス、基板１８をカラーフィルタガラスとよぶこと
もある。基板８の液晶層側にはＴＦＴアレイ１０が形成
され、画素ごとの電極が配置されている。基板１８の液
晶層側にはカラーフィルタ層１６と共通電極であるＩＴ
Ｏ膜１４が形成されている。基板８の液晶層１２とは反
対側の面には、偏光板６、拡散シート４、バックライト
２が配置されている。基板１８の液晶層１２とは反対側
の面には、偏光板２４が配置されている。以上が従来か
ら広く用いられている液晶表示装置の構成である。本発
明ではさらに、位置検出導電膜２０が配置されている。
図１は、位置検出導電膜２０は、基板１８と偏光板２４
の間に設けられている例を示しているが、偏光板２４ま
たは基板１８の表裏いずれかの面に一体化して設けられ
ていればよい。位置検出の可能性だけを考えれるのであ
れば、位置検出導電膜２０は偏光板２４または基板１８
だけでなく、その他の基板や偏光板などに一体化して設
けられていてもよい。ただし、位置検出精度や液晶層１
２に対する電気的な影響を考慮すると、位置検出導電膜
２０は、ＩＴＯ膜１４よりも偏光板２４に近い側に設け
られているほうが望ましい。位置検出導電膜２０をＩＴ
Ｏ膜１４に隣接する位置に形成する場合には、位置検出
導電膜２０とＩＴＯ膜１４の間に絶縁膜を挿入すること
が必要となる。位置検出導電膜を基板１８とカラーフィ
ルタ層１６の間に設ける場合にはカラーフィルタ層自体
が絶縁体としてはたらく。絶縁性能を高めるためにカラ
ーフィルタ層に加えて他の高誘電率材料を位置検出導電
膜とＩＴＯ膜１４の間に介在させてもよい。以上のよう
に、位置検出導電膜２０は、偏光板２４や基板１８など
に対して直接に一体化して設けられている場合に限られ
ず、カラーフィルタ層１６やその他の層を介して偏光板
２４や基板１８などに一体化して設けられていてもよ
い。
【００１２】より好ましくは、位置検出導電膜は偏光板
２４と基板１８の間に設けられている。偏光板の上側の
表面は非光沢処理がなされており凹凸を有するので、均
一な位置検出導電膜を形成しにくい。また、偏光板表面
に位置検出導電膜を設ける場合にはさらに保護膜を設け
る必要があるが、偏光板２４と基板１８の間であれば、
偏光板自体が保護膜の役割を果たす。
【００１３】本発明による位置検出方法について説明す
る。アナログ容量結合方式では、ガラスに位置検出導電
膜をコーティングし、さらに一般的には４隅に電極が形
成されることによりタッチセンサが作成される。４隅の
電極に電圧をかけることにより、位置検出導電膜上に低
電圧電界が均一に分散させる。センサ表面にタッチする
ことにより下地の導電膜がグランドと容量的に結合す
る。容量結合するのは、図１の偏光板２４の表面に指で
触れた場合を例にとると、偏光板２４の有する容量と、
人と地面との間に存在する容量である。容量結合した接
触部分と４隅の電極の間のそれぞれの抵抗値は、接触部
分と電極の間の距離に比例する。したがって、４隅の電
極においては、接触部分と電極の間の距離に比例した電
流が検出されることとなる。それぞれの電極で検出され
た電流値に基づいて接触部分の位置座標が計算されるこ
とにより、位置検出が行われる。この方式において検出
される電流は、たとえば数マイクロアンペア程度であ
り、１ナノアンペア前後の検出精度が要求される。
【００１４】図２は、接触部分と４隅の電極の間の抵抗
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４を含む回路を示しており、図３
は、その等価回路を示している。位置検出導電膜上に分
散される低電圧電界が完全に均一である場合には、位置
座標は以下の式により求めることができる。
【００１５】 Ｘ＝［（Ｉ２＋Ｉ３）−（Ｉ４＋Ｉ１）］／［（Ｉ２＋Ｉ３）＋（Ｉ４＋Ｉ１） ］ ・・・（１）
【００１６】 Ｙ＝［（Ｉ２＋Ｉ１）−（Ｉ４＋Ｉ３）］／［（Ｉ２＋Ｉ３）＋（Ｉ４＋Ｉ１） ］ ・・・（２）
【００１７】図４は、４隅の電極に電圧を印加したとき
の電界曲線３０の分布を示している。電界曲線３０が湾
曲していることからわかるように、位置検出導電膜上に
分布している電界は不均一である。図１のリニアライゼ
イションパターン２２は、電界曲線を均一にするために
設けられているものである。リニアライゼイションパタ
ーン２２は、図１のように位置検出導電膜２０と偏光板
２４の間に形成してもよいし、基板１８と位置検出導電
膜２０の間に形成してもよい。リニアライゼイションパ
ターン２２としては種々のものが考案されており、図５
はその一例である。電極３２が４隅に設けられ、位置検
出導電膜のへりに沿ってリニアライゼイションパターン
３４が設けられている。図６は、理想的なリニアライゼ
イションが実現できた場合の電界曲線３６の分布を示し
ている。図６では直線的な等電位線が均等な間隔で分布
しており、この場合に、上述の数式（１）および数式
（２）が成立する。
【００１８】本発明においては、位置検出導電膜は、液
晶表示装置の構成部品である偏光板または基板に一体化
して設けられている。従来はガラス等の基板上に位置検
出導電膜を設けたタッチセンサを別途用意し、そのタッ
チセンサを画像表示装置の画像表示面に重ねて装着して
いた。この場合、タッチセンサの基板であるガラス等の
分だけ重量が重く、厚く、コスト高にならざるをえなか
った。また、余分な部材が介在するため画質も劣化し
た。さらに、タッチセンサを画像表示装置に外付けする
ことは、振動でタッチセンサが離脱するおそれもあるこ
とから、携帯用途に用いられる画像表示装置には不向き
であった。
【００１９】本発明を適用する画像表示装置が液晶表示
装置である点は、高感度・高分解能の位置検出手段を有
する画像表示装置の実現手段として極めて有用である。
一般に画像表示装置においては、画像データシグナルが
連続的に変動する。したがって、本発明のように微弱な
電気的信号を計測する場合には、そのシグナル変動によ
るノイズの影響を極めて受けやすい。液晶表示装置の場
合でも、画素電極の電位が変化するのでノイズの影響を
受けることになる。しかし、液晶表示装置では電極の駆
動方法として共通電極の電位を固定または一定周期で反
転しているので、図１のように位置検出導電膜２０とＴ
ＦＴアレイ１０の間に存在する共通電極であるＩＴＯ膜
１４をノイズシールドとして利用することが可能とな
る。したがって、液晶表示装置の場合には、ノイズの影
響を受けにくい極めて高精度の位置検出を実現すること
が可能となる。
【００２０】液晶材料を直流駆動するとイオンが片側に
たまりすぐに劣化するので、これを防止するために反転
駆動を行うことが通常であるが、このような反転駆動の
場合でも同様にシールド効果が期待できる。反転駆動に
は、各ドットごとに画素電極の極性を反転させるドット
反転、各走査ラインごとに共通電極の極性を反転させる
Ｈ反転、各フレームごとに共通電極の極性を反転させる
Ｖ反転などの方法がある。ドット反転の場合には、共通
電極の電位は常に一定であるのでシールド効果が期待で
きる。一方、Ｈ反転およびＶ反転の場合には共通電極の
極性が反転するので、位置検出導電膜も反転による電気
的影響を受ける。しかし、これは一定の周期での変動で
あるので、この影響を補償して正確な位置を導出するこ
とは可能である。結局いずれの場合にも、画素電極の電
位のランダムな変動の影響を共通電極によりシールドす
ることが可能となる。
【００２１】このような反転駆動による電気的影響の補
償を正確に行うためにも、位置検出導電膜は図１の基板
１８や偏光板２４に一体化して設けられていることが望
ましい。外部から位置検出導電膜を有するタッチセンサ
を装着する場合には、共通電極であるＩＴＯ膜と位置検
出導電膜との距離が経時的に変動して補償が正確に行え
ないことも生じる。偏光板２４と基板１８は接着剤を介
して貼り合わされることが多いことを考慮すると、構成
材料の経時的・温度的な変動による構造上の変化や内部
応力の発生を最小限に抑えるためには、位置検出導電膜
２０は基板１８に一体化されていることが最も望まし
い。
【００２２】位置検出導電膜に用いる材料は、均一な抵
抗値を有し透明性のある薄膜であればどのようなもので
もよく、たとえば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏ
ｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉ
ｄｅ）などがある。これらの薄膜は、スパッタリングな
どの物理的成膜手段やＣＶＤなどの化学的成膜手段など
により形成することができる。位置検出導電膜の抵抗値
は、２００〜８００Ω／ｓｑｒ、より望ましくは３００
〜５００Ω／ｓｑｒである。抵抗値がこれらの値より小
さいと、位置精度が悪くなる。一方、抵抗値がこれらの
値より大きいと、検出される電流値が低下するので、極
めて高感度のアンプが必要となってしまう。
【００２３】位置検出精度を向上させるためには、リニ
アライゼイションパターンにより図４の電界曲線３０を
図６の電界曲線３６にする、すなわち電極付近の電界は
水平方向の縁に形成されているリニアライゼイションパ
ターンに沿って分布することが必要である。そのため
に、相対的には、リニアライゼイションパターンは小さ
な抵抗値を持ち、位置検出導電膜は大きな抵抗値を持つ
ことが望ましい。したがって、位置検出導電膜の抵抗値
が前述の範囲より小さくなると位置精度が悪くなる。こ
れに対し、リニアライゼイションパターンの抵抗値は小
さな値、具体的には以下の式を満足する値を有すること
が望ましい。 Ｒpattern(side)＜０．５＊Ｒdetect＊（Ｗ／Ｈ） （３） Ｒpattern(top)＜０．５＊Ｒdetect＊（Ｈ／Ｗ） （４） ここで、Ｒpattern(side)はストライプ状に４辺に設け
られたリニアライゼイションパターンのうちの水平方向
の辺のリニアライゼイションパターンの抵抗値、Ｒ
pattern(top)は垂直方向の辺のリニアライゼイションパ
ターンの抵抗値、Ｒde tectは位置検出導電膜の抵抗値、
Ｗは位置検出導電膜の水平方向の辺の長さ、Ｈは位置検
出導電膜の垂直方向の辺の長さである。携帯可能な液晶
表示装置の場合は、リニアライゼイションパターンとし
て確保できるスペースが一般には２〜３ｍｍしかないの
が通常であり、リニアライゼイションパターンの抵抗値
を小さくすることが難しい。そのために位置検出導電膜
の抵抗値も大きくならざるを得ない。したがって、抵抗
値が小さくなるとリニアライゼイションが不十分となり
位置精度が悪くなる。
【００２４】製造プロセス上有利であるのは、図１にお
いて、位置検出導電膜２０を基板１８のカラーフィルタ
層１６とは反対側の面に設ける場合である。まず、基板
１８の一方の面にカラーフィルタ層１６を形成し、その
上にＩＴＯ膜１４、反対面に位置検出導電膜２０を設け
る。ＩＴＯ膜１４と位置検出導電膜２０はいずれを先に
設けてもよい。位置検出導電膜２０とＩＴＯ膜１４は、
ともにスパッタリング等の類似の方法で構成できるの
で、連続処理が可能となり非常に有利である。
【００２５】リニアライゼイションパターンに用いる材
料は、所定の抵抗値を有する安定した物質であればどの
ようなものでもよい。たとえば、銀、ＭｏＷ、酸化クロ
ムなどを用いることが可能である。導電物質自体をリニ
アライゼイションパターンとして設けてもよいし、導電
物質をエポキシ材料のようなポリマに分散させてインキ
化したものを用いてもよい。リニアライゼイションパタ
ーンの形成方法としては、スクリーン印刷、スパッタリ
ング、エッチングなどさまざまな手段が挙げられる。
【００２６】図７は、本発明の別の態様を示した断面図
である。図７では、図１の構成要素のうち、基板１８、
位置検出導電膜２０，リニアライゼイションパターン２
２、偏光板２４のみを抜き出して示している。基板１８
の上に位置検出導電膜２０が形成され、位置検出導電膜
２０上の外周領域にはリニアライゼイションパターン２
２が形成されている。本態様においては、偏光板がリニ
アライゼイションパターンに接触しないようにするた
め、位置検出導電膜２０よりも小さな寸法の偏光板２４
が、接着剤（図示せず）を介して位置検出導電膜２０の
上に貼り合わされている。
【００２７】異なる態様においては、偏光板２４はリニ
アライゼイションパターン２２に接触していてもよい。
この場合、リニアライゼイションパターンが相当な厚み
を有するときには、偏光板２４は位置検出導電膜２０に
十分に接着せず、偏光板２４と基板１８の間にエアギャ
ップが生じることもあり得る。リニアライゼイションパ
ターンがスクリーン印刷により形成される場合には、リ
ニアライゼイションパターンによりエアギャップがしば
しば生じることが確認されている。エアギャップの発生
は、リニアライゼイションパターンの厚みに傾斜をつけ
ることで抑制することが可能である。また、エアギャッ
プは、リニアライゼイションパターンの厚みを低減する
ことで最小限に抑えることができる。たとえば、リニア
ライゼイションパターンが１０μｍ程度より薄ければ、
小さな寸法の偏光板を用いることなくエアギャップの発
生をかなり抑えることができる。ただし、リニアライゼ
イションパターンを薄くするとリニアライゼイションパ
ターンの抵抗値が大きくなり、位置検出精度が低下す
る。したがって、薄膜加工可能な低抵抗材料を用いてリ
ニアライゼイションパターンを形成することが必要とな
る。ＭｏＷや酸化クロム材料を用いる場合には０．０１
μｍ〜数μｍの厚みを有する本願発明に適したリニアラ
イゼイションパターン２２を形成することが可能であ
る。
【００２８】図８は、本発明における信号処理の一例を
示すものである。位置検出導電膜を含む画像表示装置４
０の４隅の電極で計測された電位データが４台のローノ
イズアンプ４２で増幅され、数式（１）と数式（２）の
分子および両者の分母の値が加減算回路４４でアナログ
演算処理される。これらの計算値は、マルチプレクサ４
６で選択的にフィルタ４８、ロックインアンプ５０およ
び積算器５２へと送り出されてＡ／Ｄコンバータ５６で
デジタルデータに変換される。デジタルデータに基づい
てコンピュータにおいて数式１および数式２の割り算が
行われて、タッチ箇所の位置座標が求まる。位置座標が
求まった後の一般的な処理としては、位置座標データを
マウスドライバに受け渡し、マウス動作をエミュレート
する。従来のマウス用アプリケーションソフトを用いる
ことで、タッチ箇所をもとに線を描画したり、タッチ箇
所に表示されたアイコンをクリックするなど、種々の操
作を液晶画像装置のパネル表面で行うことができる。
【００２９】本発明は、指またはタッチペンのいずれに
よっても位置座標を検出することができる。指またはタ
ッチペンの特性に応じて、４隅で検出する物理量として
電流または電圧のいずれかを選択すればよく、指の場合
とタッチペンの場合で検出する物理量が異なってもよ
い。指のモードの場合とタッチペンのモードの場合で
は、演算テーブルを使い分けることができる。指のモー
ドの場合、タッチスクリーンの４隅に電圧が印加され、
指が触れることによりグランドに流れ込む電流が検出さ
れる。タッチペンのモードでは、タッチスクリーンでは
なくペンに電圧が印加され、ペンが触れることによりタ
ッチスクリーンに流れ込む電流が測定される。指または
タッチペンのモード切り替えは手動で行うことも自動で
行うこともできる。指の場合とタッチペンの場合で検出
電位等が大きく異なる場合には、仮定的に一方のモード
で検出電位等をもとに座標を算出し、仮定したモードが
誤りであったときには全く不合理な座標値が算出される
ということを利用して、容易に自動切替を行うことがで
きる。
【００３０】図９は、タッチペン６０の構造を示してい
る。タッチペンに対して所定の電位を与えることで検出
精度を高めることができる。シグナルライン６４の回り
にはシールドケーブル６６が巻き付けられている。タッ
チペン６０は、先端に導電材料からなるヘッド部６２を
有している。ヘッド部の材料としては金属、導電性プラ
スチック、プラスチックに導電材料を分散させたものな
ど導電性を有する材料であれば用いることができる。パ
ネル表面の引っ掻きキズが生じないようにするため、ヘ
ッド部はプラスチックが主体の材料を用いることが望ま
しい。
【００３１】
【発明の効果】本発明により、位置検出機能を有する液
晶表示装置の軽量化、薄型化を達成できるので、携帯可
能な液晶表示装置に導入することが可能となった。ま
た、画像データの変動によるノイズの影響を低減するこ
とができるので、高感度・高解像度の位置検出が可能と
なった。さらに、リニアライゼイションパターンの凹凸
の影響を低減できるので、気泡の発生を抑えることが可
能となった。
【図面の簡単な説明】
【図１】本願発明の液晶表示装置の構成を示す概念図で
ある。
【図２】アナログ容量結合方式を説明するための図であ
る。
【図３】アナログ容量結合方式を説明するための図であ
る。
【図４】リニアライゼイションパターンを説明するため
の図である。
【図５】リニアライゼイションパターンを説明するため
の図である
【図６】リニアライゼイションパターンを説明するため
の図である
【図７】本願発明の液晶表示装置の構成を示す断面図で
ある。
【図８】アナログ容量結合方式における信号処理の一例
を示す図である。
【図９】アナログ容量結合方式におけるタッチペンを説
明するための図である。
【符号の説明】
６、２４ 偏光板 ８、１８ 基板 １０ ＴＦＴアレイ １２ 液晶層 １４ ＩＴＯ膜 １６ ＣＦ層 ２０ 位置検出導電膜 ２２、３４ リニアライゼイションパターン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ジェームス・ルイス・レビン アメリカ合衆国ニューヨーク州ヨークタ ウン・ハイツ、インデアナ・アベニュー 1474 (72)発明者 栗原 幹夫 神奈川県大和市下鶴間1623番地14 日本 アイ・ビー・エム株式会社 大和事業所 内 (72)発明者 軽部 智 神奈川県大和市下鶴間1623番地14 日本 アイ・ビー・エム株式会社 大和事業所 内 (72)発明者 酒井 佳寿美 神奈川県大和市下鶴間1623番地14 日本 アイ・ビー・エム株式会社 大和事業所 内 (72)発明者 神崎 英介 神奈川県大和市下鶴間1623番地14 日本 アイ・ビー・エム株式会社 大和事業所 内 (72)発明者 三島 裕 滋賀県野洲郡野洲町大字市三宅800番地 日本アイ・ビー・エム株式会社 野洲 事業所内 (56)参考文献 特開 昭61−174587（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−19233（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−86328（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−186136（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−11514（ＪＰ，Ａ) 特開 平11−53118（ＪＰ，Ａ) 実開 昭62−84020（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭59−33076（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭62−181926（ＪＰ，Ｕ) 米国特許4198539（ＵＳ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G02F 1/1333 G06F 3/03 335 G06F 3/033 350 G09F 9/00 366

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】第１基板および第２基板と、 前記第１基板と前記第２基板との間に配置された液晶層
    と、 前記第１基板の前記液晶層とは反対面側に設けられた偏
    光板と、 前記偏光板と前記第１基板との間に形成された導電膜
    と、を有し、 前記導電膜は前記導電膜に対して印加された信号に基づ
    いて入力デバイスの位置を検出するための、容量結合方
    式位置検出導電膜であり、 リニアライゼイションパターンが前記導電膜の外周領域
    に形成され、 前記偏光板が前記リニアライゼイションパターンに接触
    しないように、前記偏光板の寸法が前記導電膜の寸法よ
    りも小さくなっている、 液晶表示素子。
  2. 【請求項２】第１基板および第２基板と、 前記第１基板と前記第２基板との間に配置された液晶層
    と、 前記第１基板の前記液晶層とは反対面側に設けられた偏
    光板と、 前記偏光板と前記第１基板との間に形成された導電膜
    と、を有し、 前記導電膜は前記導電膜に対して印加された信号に基づ
    いて入力デバイスの位置を検出するための、容量結合方
    式位置検出導電膜であり、 リニアライゼイションパターンが前記導電膜の外周領域
    に形成され、 前記偏光板と前記リニアライゼイションパターンは接触
    し、 前記リニアライゼイションパターンの厚みは傾斜がつけ
    られている、 液晶表示素子。
  3. 【請求項３】前記導電膜が前記第１基板の上に直接に形
    成されていることを特徴とする、請求項１又は２に記載
    の液晶表示素子。
  4. 【請求項４】前記導電膜が前記偏光板の上に直接に形成
    されていることを特徴とする、請求項２に記載の液晶表
    示素子。
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