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JP3143925B2 - アクティブマトリクス型液晶表示装置 - Google Patents

アクティブマトリクス型液晶表示装置

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Publication number
JP3143925B2
JP3143925B2 JP07523943A JP52394395A JP3143925B2 JP 3143925 B2 JP3143925 B2 JP 3143925B2 JP 07523943 A JP07523943 A JP 07523943A JP 52394395 A JP52394395 A JP 52394395A JP 3143925 B2 JP3143925 B2 JP 3143925B2
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JP
Japan
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electrode
liquid crystal
signal
substrates
pixel
Prior art date
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JP07523943A
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English (en)
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益幸 太田
玄士朗 河内
雅明 北島
亨 佐々木
昌人 大江
克己 近藤
津村　　誠
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は、例えばパーソナルコンピュータの表示装置
に使用するアクティブマトリクス型液晶表示装置に関す
る。
背景技術 従来のアクティブマトリクス型液晶表示装置は、液晶
層を駆動する電極として２枚の基板界面上に相対向させ
形成した透明電極を用いていた。これは、液晶に印加す
る電界の方向を基板界面にほぼ垂直な方向とすることで
動作するツイステッドネマティック表示方式を採用して
いることによる。
一方、液晶に印加する電界の方向を基板界面にほぼ平
行な方向とする方式を用いたアクティブマトリクス型液
晶表示装置は、例えば、特開昭56−91277号公報により
提案されている。
前記のツイステッドネマティック表示方式を用いた従
来技術は、Indiumu Tin Oxide（ITO）に代表される透明
電極を形成しなければならない。しかし、透明電極はそ
の表面に数10nm程度の凹凸があり、薄膜トランジスタ
（以下、TFTと云う）のような微細なアクティブ素子の
加工を困難にしている。さらに、透明電極の凸部はしば
しば離脱し、電極等の他の部分に混入し、点状或いは線
状の表示欠陥を引き起こすため、製品の歩留まりを著し
く低下させていた。
また、前記従来技術においては、画質面でも多くの課
題を有していた。特に、視角方向を変化させた際の輝度
変化が著しく、中間調表示を困難にしていた。
更にまた、スイッチングトランジスタ素子を用いたア
クティブマトリクス型表示素子においては、液晶に電圧
または電界を印加し、透過光または反射光を変調する画
素電極以外に、スイッチングトランジスタ素子を駆動す
るための走査電極および信号電極が必要である。この走
査電極および信号電極は、走査電極−画素電極間の寄生
容量Cgs、信号電極−画素電極間の寄生容量Cdsによっ
て、画素電極の電位を変動させる。特に、信号電極の電
位は、映像情報によって絶えず変動するので、信号電極
−画素電極間の寄生容量Cdsによって、画素電極の電位
が変動し、コントラストの低下あるいはクロストークと
呼ばれる画質不良を発生させている。
液晶に印加する電界の方向を基板界面にほぼ平行な方
向とする方式では、ツイステッドネマティック表示方式
の場合と比較して、信号電極−画素電極間の寄生容量Cd
sが大きくなり、クロストークが激しく、画像パターン
によってコントラストが低下するという問題があった。
なぜなら、液晶に印加する電界方向を基板界面にほぼ平
行とする方式では、ツイステッドネマティック表示方式
と異なり、スイッチングトランジスタ素子を有する基板
と対向する基板の全面に共通電極を構成していないの
で、信号電極からの電気力線がシールドされず、画素電
極に終端してしまうためである。このため、電界方向を
基板界面にほぼ平行とする方式ではアクティブマトリク
ス駆動は画質面において問題があった。
発明の開示 本発明の第一の目的は、透明電極を必要としないアク
ティブマトリクス型液晶表示装置を提供することにあ
る。
本発明の第二の目的は、視角特性が良好で多階調表示
が容易であるアクティブマトリクス型液晶表示装置を提
供することにある。
本発明の第三の目的は、高コントラストで、クロスト
ークが生じない高画質のアクティブマトリクス型液晶表
示装置を提供することにある。
前記目的を達成するための本発明に係るアクティブマ
トリクス型液晶表示装置の構成は次のとおりである。
（１） 第１と第２の基板間に液晶組成物が挾持され、
第１の基板には、マトリクス状に配置された複数の走査
電極と信号電極により複数の画素部が構成されており、
前記画素部にはスイッチングが設けられている。
前記スイッチング素子には画素電極が接続され、前記
画素電極とこれに対向した共通電極により液晶分子の長
軸方向を基板面とほぼ平行に保ちながら動作できるよう
構成されている。
また、前記画素部には信号電極、画素電極および信号
電極と画素電極間にシールド電極が形成されている。
（２） 本発明の他の観点によれば、前記シールド電極
は、画素電極と共通電極の間の光透過部を除く光透過部
に形成されている。
（３） さらに、他の観点によれば、前記画素部の画素
電極と共通電極の間の光透過部を除く光透過部に、顔料
または染料を含む黒色または低光透過率の遮光膜が形成
されている。
（４） さらに、他の観点によれば、前記スイッチング
素子には画素電極が接続され、前記画素部には、信号電
極および信号電極と画素電極間にシールド電極が形成さ
れている。
さらに、前記シールド電極と画素電極は対向して形成
されており、前記両電極により液晶組成物層の液晶分子
の長軸方向が基板面とほぼ平行に保ちながら動作するよ
うに構成されている。
（５） さらに、他の観点によれば、前記シールド電極
の一部は、信号電極と重なるように形成されている。
（６） さらに、他の観点によれば、前記画素部の画素
電極とシールド電極の間の光透過部を除く光透過部に、
顔料または染料を含む黒色または低光透過率の遮光膜が
形成されている。
（７） さらに、他の観点によれば、前記シールド電極
は、前記第１の基板に形成されている。
（８） さらに、他の観点によれば、前記シールド電極
は、信号電極と同一層に形成されている。
（９） さらに、他の観点によれば、前記シールド電極
は、走査電極と同一層に形成されている。
（10） さらに、他の観点によれば、前記スイッチング
が正スタガ構造の薄膜トランジスタである。
（11） さらに、他の観点によれば、前記シールド電極
は、走査配線から信号配線の長軸方向に突き出してい
る。
図面の簡単な説明 図１は、実施例１の画素部の構成を示す模式図であ
る。
図２は、実施例１、２、３および７の駆動システム構
成を示す模式図である。
図３は、本発明の液晶表示装置の視角依存性を示す図
である。
図４は、従来の液晶表示装置の視角依存性を示す図で
ある。
図５は、本発明の液晶表示装置の信号電極電圧の変化
に伴う信号電圧−明るさ特性の変化を示す図である。
図６は、従来の液晶表示装置の信号電極電圧の変化に
伴う信号電圧−明るさ特性の変化を示す図である。
図７は、実施例２の画素部の構成を示す模式図であ
る。
図８は、実施例３の画素部の構成を示す模式図であ
る。
図９は、実施例４の画素部の構成を示す模式図であ
る。
図10は、実施例４〜６、８〜９の駆動システム構成を
示す模式図である。
図11は、実施例５の画素部の構成を示す模式図であ
る。
図12は、実施例６の画素部の構成を示す模式図であ
る。
図13は、実施例７の画素部の構成を示す模式図であ
る。
図14は、実施例８の画素部の構成を示す模式図であ
る。
図15は、実施例９の画素部の構成を示す模式図であ
る。
図16は、本発明の実施例10の画素構成を示す図であ
る。
図17は、図16のＡ線における断面構造を示す図であ
る。
図18は、図16のＢ線における断面構造を示す図であ
る。
図19は、図16のＣ線における断面構造を示す図であ
る。
図20は、本発明の作用の概略を示す図である。
発明を実施するための最良の形態 実施例について説明する前に、発明の理解を助けるた
めに、本発明の作用を図20を用いて説明する。
図20（ａ），（ｂ）は本発明の液晶セル内での一画素
の側断面図、図20（ｃ），（ｄ）はその平面図である。
図20ではアクティブ素子は省略してある。また、本発明
では、走査電極と信号電極をマトリクス状に形成して複
数の画素を構成するが、ここでは一画素の部分を示し
た。
電圧無印加時のセル側断面図を図20（ａ）に、その時
の平面図を図20（ｃ）に示す。透明な一対の基板19,20
の内側にストライプ状の画素電極３、共通電極５、信号
電極２、シールド電極14が形成され、その上に配向制御
膜21,22（配向方向29）が形成されており、その間に液
晶組成物が挾持されている。
棒状の液晶分子13は、電界無印加時にはストライプ状
の電極の長手方向に対して若干の角度、即ち、45度≦｜
電界方向に対する界面近傍での液晶分子長軸（光学軸）
方向のなす角｜＜90度、となるように配向されている。
なお、ここでは、液晶分子の上下界面での配向方向が平
行な場合を例に説明する。また、液晶組成物の誘電異方
性は正とする。
次に、画素電極３、共通電極５に電界Ｅを印加すると
図20（ｂ）、（ｄ）に示すように、電界Ｅの方向に液晶
分子が向きを変える。偏光板27,28の偏光透過軸30を所
定角度となるように配置することで、電界印加によって
光透過率を変えることが可能となる。
このように、本発明によれば透明電極がなくともコン
トラストのある表示が可能となる。コントラストを付与
する具体的構成としては、上下基板上の液晶分子配向が
ほぼ平行な状態を利用したモード（複屈折位相差による
干渉色を利用するので、ここでは複屈折モードと呼ぶ）
と、上下基板上の液晶分子配向方向が交差しセル内での
分子配列がねじれた状態を利用したモード（液晶組成物
層内で偏光面が回転する旋光性を利用するので、ここで
は旋光性モードと呼ぶ）とがある。
複屈折モードでは、電圧印加により分子長軸（光軸）
方向が基板界面にほぼ平行なままで面内でその方位を変
え、所定角度に設定された偏光板27,28の軸（吸収軸あ
るいは透過軸）とのなす角が変わって光透過率を変え
る。旋光性モードも同様に電圧印加により分子長軸方向
の方位を変えるが、この場合は螺旋が解けることによる
旋光性の変化を利用する。
液晶に印加する電界の方向を基板界面にほぼ平行とす
る本表示モードでは、液晶分子の長軸は基板と常にほぼ
平行であり、立ち上がることがない。従って、視角方向
を変えても明るさの変化が小さく（視角依存性がな
い）、いわゆる視角特性が優れている。
本表示モードは従来のように電圧印加で複屈折位相差
をほぼゼロにすることで暗状態を得るものではなく、液
晶分子長軸と偏光板の軸（吸収軸あるいは透過軸）との
なす角を変えることで暗状態を得るもので、その作用が
基本的に異なる。従来のTN型のように液晶分子長軸を基
板界面に垂直に立ち上がらせる場合では、複屈折位相差
がゼロとなる視角方向は正面、即ち、基板界面に垂直な
方向であり、視角が僅かでも傾斜すると複屈折位相差が
現れる。従って、ノーマリオープン型では光が漏れ、コ
ントラストの低下や階調レベルの反転を引き起こす。
次に、本発明の液晶表示装置のもう一方の重要な作用
を示す。画素電極３が、信号電極２と隣接して構成され
ると、信号電極２からの電気力線は、画素電極３に終端
し、次式よって表されるような信号電極２−画素電極３
間の寄生容量Cdsが発生する。
Ｗは画素電極３の幅（短手方向の長さ）、ｄは信号電
極２と画素電極３との距離、εは電極間の媒体の誘電
率、πは円周率を表し、寄生容量Cdsは単位長あたりの
容量を示す。
なお、上記においては電極間の媒体の誘電率は一定
で、信号電極２の幅が画素電極３の幅と等しいか、それ
以上であると仮定している。
本発明の液晶表示装置では、信号電極２と画素電極３
の間にシールド電極14を設けたため、信号電極２からの
電気力線のほとんどが、シールド電極14に終端する。シ
ールド電極14の電位が一定になるように常時外部から電
位を付与すれば、信号電極２−画素電極３間の寄生容量
Cdsは激減する。これにより、信号電極２の電位が変化
しても、画素電極３の電位が変化しないので、クロスト
ークが無くなる。これにより、本表示モードをアクティ
ブマトリクスに適用することができ、視角特性が良好
で、高コントラスト、高画質の液晶表示装置を得ること
ができる。
また、シールド電極14を遮光層（ブラックマトリク
ス）として兼用することもできるので、遮光層の形成の
必要がなく、かつ、透明電極を必要としない点と合わ
せ、製造歩留まりを向上することができる。
更にまた、シールド電極に共通電極を兼ねさせること
ができ、シールド電極は共通電極が占有していた面積を
利用できるので開口率が向上し、高輝度または低消費電
力とすることができる。
さて、次に本発明を実施例により具体的に説明する。
なお、以下の実施例では、液晶表示装置の表示パネル面
において、信号電極の長手方向と平行（走査電極の長手
方向と垂直）な方向を垂直方向、信号電極の長手方向と
垂直（走査電極の長手方向と平行）な方向を水平方向と
し、マトリクス電極の列方向は前記垂直方向と平行、行
方向は前記水平方向と平行な方向とする。また、画素数
は640（×３）×480とし、各画素のピッチとしては横方
向は110μｍ、縦方向は330μｍとした。
〔実施例１〕 図１（ａ）に本実施例の液晶表示パネルの画素部の模
式平面図を、また、図１（ｂ）に図１（ａ）のＡ−Ａ′
の模式断面図を示す。また、図２に本実施例の液晶表示
装置の駆動システムの構成図を示す。なお、基板19,20
としては表面を研磨した厚さ1.1mmのガラス基板を用い
た。
基板８上に、水平方向にCrの走査電極1,17を形成し
た。また、走査電極1,17と直交させてCr/Alの信号電極
2,18を形成した。更に、画素にはアモルファスシリコン
15と走査電極１の一部（ゲート電極として働く）と、信
号電極２の一部（ドレイン電極またはソース電極として
働く）と、画素電極３（ソース電極またはドレイン電極
として働く）を用いた薄膜トランジスタ（TFT）素子を
形成した。TFT素子のゲート絶縁膜７には窒化シリコン
膜を用いた。
画素電極３は、信号電極2,18と同一材料で同層に同一
工程で、長手方向が垂直方向になるように形成した。ま
た、信号電極２および画素電極３とアモルファスシリコ
ン15との間には、オーミックコンタクトをとるためのｎ
＋型アモルファスシリコン16を形成した。
共通電極５は、画素電極３、信号電極2,18と同一材料
で同層に同一工程で、ストライプ状に形成し、垂直方向
に引き出して、他の列の共通電極と共通接続した。
液晶層の液晶分子の配向は、主に画素電極３と共通電
極５との間の水平方向に印加される電界Ｅによって制御
する。光は、画素電極３と共通電極５の間を透過し、液
晶層９に入射し、変調される。従って、画素電極３は特
に透光性（例えば、ITO等の透明電極）である必要はな
い。
TFT素子上には、それを保護する窒化シリコンの保護
膜８を形成した。また、TFT素子群を設けた基板19（以
下,TFT基板と云う）に相対向する基板20（以下、対向基
板と称する）上に、シールド電極14を形成した。この
時、シールド電極14は、信号電極２と画素電極３との間
にストライプ状に配置されるよう形成し、垂直方向に引
き出して他の列のシールド電極と共通接続した。
更に、対向基板20上には、垂直方向にストライプ状の
R,G,Bからなる３色のカラーフィルタ12を形成した。カ
ラーフィルタ12上には表面を平坦化する透明樹脂からな
る平坦化膜10を積層した。平坦化膜10の材料としはエポ
キシ樹脂を用いた。更に、この平坦化膜13上と保護膜11
上にポリイミド系の配向制御膜21,22を塗布，形成し
た。
上記の基板8,9間に誘電率異方性Δεが正で、その値
が7.3であり、複屈折Δｎが0.073（589nm,20℃）のネマ
チック液晶組成物16を挟んだ。なお、本実施例では、誘
電率異方性Δεが正の液晶を用いたが、負の液晶を用い
てもよい。
上記配向制御膜21,22をラビング処理し、プレチルト
角を1.0度とした。
上下界面のラビング方向は互いにほぼ平行で、かつ、
印加電界Ｅとのなす角度を85度とした。また、上下基板
のギャップ（ｄ）は球形のポリマビーズを基板間に分
散，挾持し、液晶封入状態で4.5μｍとした。これによ
りΔｎ・ｄは0.329μｍである。
２枚の偏光板〔日東電工社製G1220DU〕で上記パネル
を挾み（偏光板は図示省略）、一方の偏光板の偏光透過
軸をラビング方向にほぼ平行（85度）とし、他方をそれ
に直交（−５度）とした。これによりノーマリクローズ
特性の液晶表示装置を得た。
次に、図２に示すような液晶表示パネル26のTFT基板1
9上に垂直走査回路23、映像信号駆動回路24を接続し、
電源およびコントロール回路25から走査信号電圧、映像
信号電圧、タイミング信号、共通電極電圧、シールド電
極電圧を供給し、アクティブマトリクス駆動した。
また、本実施例では、シールド電極電圧と共通電極電
圧は独立にし、シールド電極電圧は、TFT基板19から銀
ペーストを用いて、対向電極上のシールド電極に電気的
に接続し、供給した。
なお、本実施例では、アモルファスシリコンTFT素子
を用いているがポリシリコンTFT素子でもよい。反射型
表示装置の場合はシリコンウエハ上に形成したMOSトラ
ンジスタでもよい。配線材料も限定しない。
また、本実施例では、配向制御膜を設けたが、平坦化
膜10の表面を直接ラビングして配向制御膜を兼ねてもよ
い。同様に、TFTの保護膜８としてエポキシ樹脂を用
い、ラビング処理をすることもできる。
次に、本実施例の液晶への印加電圧と明るさの関係を
図３に示す。コントラスト比は7V駆動時に150以上とな
り、視角を左右、上下に変えた場合のカーブの差は従来
方式（比較例１）に較べて極めて小さく、視角を変化さ
せても表示特性はほとんど変化しなかった。また、液晶
の配向性も良好で、配向不良に基づくドメイン等も発生
しなかった。
図４に本実施例における信号電極電圧Vdの波形の違い
による信号電圧Vsig−明るさ曲線の変化を示す。なお、
図４（ａ）は電圧波形を、図４（ｂ）は信号電圧Vsig−
明るさ曲線の変化を示す。
走査電極電圧Vgがオンレベルになり、信号電圧Vsigが
書き込まれた後、信号電極電圧Vdを変化させたが、信号
電圧Vsig−明るさ曲線には、特に目立った変化は起きな
かった。
以上、本実施例では、透明電極を用いることなく、透
過光の強度を変調させることができ、視角依存性を著し
く向上させることができた。更に、電界を基板界面と平
行に印加する方式の弱点である垂直方向のクロストーク
を抑えることができ、高スループット、高歩留りで、か
つ、広視角、高コントラストで高画質の液晶表示装置を
得ることができた。
〔比較例１〕 透明電極を有する従来方式のツイステッドネマティッ
ク（TN）型表示装置を作製し、これと前記実施例１と比
較した。液晶組成物としては、実施例１で用いた誘電異
方性Δεが正のネマチック液晶組成物を用い、ギャップ
（ｄ）は7.3μｍ、ツイスト角は90度とした。よってΔ
ｎ・ｄは0.526μｍである。
電気光学特性を図５に示す。視角方向によりカーブが
著しく変化し、また、TFT隣接部の段差部付近で、液晶
の配向不良に基づくドメインが生じた。
〔比較例２〕 図６に、図１のシールド電極５を形成しない場合の信
号電極電圧の変化に伴う信号電圧−明るさ特性の変化を
示す。信号電極電圧Vdの波形の違いによって、信号電圧
Vsig−明るさ曲線に大きな差が生じることが分かった。
また、画質的には垂直方向のクロストークが発生し、
更に図中のVd′の曲線に示されるようにコントラストの
低下が著しかった。
〔実施例２〕 本実施例の構成は下記の要件を除けば、実施例１と同
一である。
図７（ａ）に本実施例の液晶表示パネルの画素の模式
平面図を、また、図７（ｂ）に図７（ａ）のＢ−Ｂ′に
おける模式断面図を示す。本実施例の構成上の特徴は、
画素電極３と信号電極２との間、および共通電極５と信
号電極18との間の光透過部分の全てを覆うシールド電極
14aを形成した点にある。これにより、遮光層を設けな
くとも光漏れが生じず、高コントラストを得ることがで
きた。
更に、アモルファスシリコン15上も覆ったので、アモ
ルファスシリコンの光によるリーク電流の増加もなく、
良好な表示特性を得ることができた。
また、信号電極−シールド電極間の容量が可能な限り
増大しないように、シールド電極14aの信号電極2,18上
の部分にスリット状の開口部を設け、合わせ精度のマー
ジン分の重なりだけになるように、信号電極2,18との重
なりを最小限にした。
以上、本実施例では、実施例１と同等の効果が得ら
れ、更に高コントラスト、高画質のアクティブマトリク
ス型液晶表示装置を得ることができた。
〔実施例３〕 本実施例の構成は下記の要件を除けば、実施例１と同
一である。
図８（ａ）に本実施例の液晶表示パネルの画素の模式
平面図を、また、図８（ｂ）に図８（ａ）のＣ−Ｃ′に
おける模式断面図を示す。本実施例の構成上の特徴は、
対向基板20上に黒色の顔料を含む絶縁物で、マトリクス
状の遮光膜11（ブラックマトリクス）をカラーフィルタ
12aと同層に形成した点にある。絶縁物からなる遮光膜1
1は、画素電極３と共通電極４との間に印加される電界
Ｅに及ぼす影響がなく、画素電極３と走査電極1,17との
間と、共通電極５と走査電極1,17との間の電界による配
向不良領域（ドメイン）を覆い隠すことができ、更にコ
ントラストを向上させることができた。
また、実施例２と同様にアモルファスシリコン15上も
覆うように形成したので、光によるリーク電流の増加も
なく、良好な表示特性を得ることができた。本実施例で
は、黒色顔料を用いているが染料でもよい。なお、黒色
でなくとも可視光の透過率が十分低くできるものであれ
ばよい。
また、信号電極2,18上には電極が存在しないので、実
施例２より信号電極−シールド電極間の容量が軽減し、
映像信号駆動回路24負荷が軽くなり、駆動LSIのチップ
サイズを小さくすることができ、かつ、信号電極の負荷
軽減により、消費電力も低減することができた。
以上、本実施例では、実施例１、２と同等の効果が得
られ、更に高コントラストで低消費電力のアクテイブマ
トリクス型液晶表示装置を得ることができた。
〔実施例４〕 本実施例の構成は下記の要件を除けば、実施例１と同
一である。
図９（ａ）に本実施例の液晶表示パネルの画素の模式
平面図を、また、図９（ｂ）に図９（ａ）のＤ−Ｄ′に
おける模式断面図を示す。本実施例では、１画素の構成
において、２本のシールド電極5a,5bを信号電極2a,18a
に隣接するよう対向基板20上に形成し、画素電極3aをシ
ールド電極14aとシールド電極40a間に配置した。
これにより、信号電極2a,18aからの電界Ｅはシールド
電極14a,14bに終端し、信号電極と画素電極間の寄生容
量Cdsが大幅に低減される。また、画素電極3aが、信号
電極2a,18aとの距離が最も離れた場所（信号電極2aと信
号電極18aの間の中央部）に配置したので、信号電極2a,
18aと画素電極3a間の容量を更に軽減することができ
た。本実施例の特徴は、共通電極を構成しなくとも、シ
ールド電極14a,14bと画素電極3aの間の電界により、液
晶分子の長軸方向を基板面とほぼ平行を保ちながら動作
させ、光の透過量をコントロールすることができる点に
ある。
また、本実施例の液晶表示装置の駆動システムの構成
を図10に示す。本実施例では、シールド電極14a,14bが
共通電極を兼ねるので、共通電極電圧は不要である。本
実施例では、画素電極3aを信号電極2aと信号電極18aと
の中央に配置し画素を２分割しているが、画素電極を更
に複数本設けて４分割以上してもよい。なお、本実施例
のようにシールド電極に共通電極を兼用させる方式で
は、画素の分割数は2n分割になる（ｎは自然数）。
また、本実施例では、共通電極が占有していた画素平
面上の面積をシールド電極に利用することができ、更に
シールド電極と画素電極間の開口部を利用することによ
って高開口率になり、高輝度またはバックライトの消費
電力が低減でき低消費電力の液晶表示装置を得ることが
できた。
以上、本実施例では、シールド電極に共通電極を兼ね
させることにより、実施例１と同等の効果が得られ、更
に高輝度または低消費電力のアクティブマトリクス型液
晶表示装置を得ることができた。
〔実施例５〕 本実施例の構成は下記の要件を除けば、実施例４と同
一である。
図11（ａ）に本実施例の液晶表示パネルの画素の模式
平面図を、また、図11（ｂ）に図11（ａ）のＦ−Ｆ′に
おける模式断面図を示す。本実施例の構成上の特徴は、
シールド電極14aと信号電極14a、シールド電極14bと信
号電極18aを水平方向に重ねて形成した。
これにより、遮光層を設けなくともシールド電極と信
号電極の間の余分な光漏れがなく、高コントラストを得
ることができた。更に、画素電極3aとシールド電極14a,
14b間の距離が長くなり、画素電極3aとシールド電極14
a,14b間の光透過部の面積（開口率）が増して透過率が
向上した。
以上、本実施例では、実施例４と同等と効果が得ら
れ、更に高コントラストで高輝度または低消費電力のア
クティブマトリクス型液晶表示装置を得ることができ
た。
〔実施例６〕 本実施例の構成は下記の要件を除けば、実施例４と同
一である。
図12（ａ）に本実施例の液晶表示パネルの画素の模式
平面図を、また、図12（ｂ）に図12（ａ）のＧ−Ｇ′に
おける模式断面図を示す。本実施例の構成上の特徴は、
対向基板20上に黒色の顔料を含む絶縁物で、マトリクス
状の遮光膜22（ブラックマトリクス）をカラーフィルタ
12Aと同層に形成した点にある。絶縁物からなる遮光膜1
1は、画素電極３とシールド電極14a,14bとの間に印加さ
れる電界Ｅに及ぼす影響がなく、画素電極３と走査電極
1,17間と、シールド電極14a,14bと走査電極1,17との間
の電界による配向不良領域（ドメイン）を覆い隠すこと
ができ、更にコントラストを向上させることができた。
また、アモルファスシリコン15上も覆うように形成し
たので、光によるリーク電流の増加もなく、良好な表示
特性を得ることができた。また、基板19,20の位置合わ
せのずれは、水平方向に関しては問題なく、遮光膜11が
シールド電極14a,14bの間でずれても開口率が減少しな
い。
なお、本実施例では黒色顔料を用いているが染料でも
よい。なお、黒色でなくとも可視光の透過率が十分低く
できるものであればよい。
以上、本実施例では、実施例４と同等の効果が得ら
れ、更に高コントラストで高画質のアクティブマトリク
ス型液晶表示装置を得ることができた。
〔実施例７〕 本実施例の構成は下記の要件を除けば、実施例１と同
一である。
図13（ａ）に本実施例の液晶表示パネルの画素の模式
平面図を、また、図13（ｂ）に図13（ａ）のＨ−Ｈ′に
おける模式断面図を示す。本実施例の構成上の特徴は、
シールド電極14をTFT基板19の保護膜８上に形成した点
にある。そのため、対向基板20上には、いっさい導電性
の物質は存在していない。従って、仮に製造工程中に導
電性の異物が混入しても、対向基板20を介しての電極間
接触の可能性がなく、それによる不良率はゼロに抑制さ
れ、配向膜の形成、ラビング、液晶封入工程などのクリ
ーン度の裕度が広がり、製造工程管理の簡略化を図るこ
とができる。
シールド電極14に電位を供給するためのTFT基板19と
対向基板20の電気的な接続も不必要となる。
以上、本実施例では、実施例１と同等の効果が得ら
れ、更に、製造歩留りを向上することができた。
また、本実施例は実施例１を基に述べたが、本実施例
のようにシールド電極をTFT基板８上に構成することは
実施例２、３、４、５、６においても可能であり、本実
施例と同等の効果が得られる。
〔実施例８〕 本実施例の構成は下記の要件を除けば、実施例４と同
一である。
図14（ａ）に本実施例の液晶表示パネルの画素の模式
平面図を、また、図14（ｂ）に図14（ａ）のＩ−Ｉ′に
おける模式断面図を示す。本実施例の構成上の特徴は、
シールド電極14a,14bを信号電極2a,18aと同材料で同層
に同一工程で形成した。共通電極5bとシールド電極14b
の電気的な接続は、ゲート絶縁膜７にスルーホール42を
穿け、走査電極1,17と同材料で同層に同一工程で形成し
た配線41を用いた。
これにより、シールド電極を別工程で設ける必要がな
く、更に、実施例７と同様に対向基板20上には一切導電
性の物質は存在しないので、対向基板20を介しての電極
間接触の可能性がない。従って、それによる不良率がゼ
ロに抑制され、配向膜の形成、ラビング、液晶封入工程
などのクリーン度の裕度が広がり、製造工程管理の簡略
化を図ることができる。
電界Ｅの強度は、画素電極３とシールド電極14aとの
距離によって変わる。よって、画素電極とシールド電極
の間の距離のバラツキが明るさのバラツキを生み、問題
となる。従って、画素電極と共通電極の高いアライメン
ト精度が要求される。それぞれに電極を備えた２枚の基
板を貼り合わせる方式では、アライメント精度はホトマ
スクのアライメント精度より２〜３倍悪くなる。本実施
例では画素電極３とシールド電極14a,14bを同材料で同
層に同一工程で形成しているので、上記アライメント精
度の問題もない。
以上、本実施例では、実施例４と同等の効果が得ら
れ、更に高スループット、高歩留まりのアクティブマト
リクス型液晶表示装置を得ることができた。
また、本実施例は実施例４を基に述べたが、本実施例
のようにシールド電極を信号電極と同材料で同層に同一
工程で形成することは実施例１、３および６においても
可能であり本実施例と同等の効果が得られる。
〔実施例９〕 本実施例の構成は下記の要件を除けば、実施例４と同
一である。
図15（ａ）に本実施例のの液晶表示パネルの画素の模
式平面図を、また、図15（ｂ）に図15（ａ）のＪ−Ｊ′
における模式断面図を示す。本実施例の構成上の特徴
は、シールド電極14を走査電極1,17と同材料で同層に同
一工程で形成し、水平方向に電極を引き出し、他の行の
共通電極と共通接続した点にある。液晶分子は、長手方
向が垂直方向にある画素電極３とシールド電極14の垂直
方向に突出した突起部との間の電界Ｅによって制御す
る。これにより、実施例８と同様に、シールド電極14を
別工程で設ける必要がない。
更に、実施例２と同様に対向基板20上には一切導電性
の物質は存在しないので、対向基板20を介しての電極間
接触の可能性がなく、それに基づく不良率がゼロに抑制
される。従って、配向膜の形成、ラビング、液晶封入工
程などのクリーン度の裕度が広がり、製造工程管理の簡
略化ができた。
更に、実施例８の様にスルーホールを設ける必要もな
く、共通電極間の接続不良もなくなる。また、本実施例
では画素電極３とシールド電極14を同一基板内に形成し
ているので、画素電極３とシールド電極14のアライメン
ト精度も高い。
また、シールド電極14の垂直方向に突出した突起は、
信号電極2a,18aと水平方向に重ねて形成してもよい。こ
れにより、実施例５と同様に遮光層を設けなくとも信号
電極とシールド電極の間の余分な光漏れが無く、高コン
トラストを得ることができる。更に、画素電極３と共通
電極５の突起間の距離が長くなり、画素電極３とシール
ド電極14の突起間の光透過部の面積（開口率）が増加し
透過率が向上する。また、本実施例ではシールド電極の
接続を図15の様にしたが特に接続位置は制限しない。
以上、本実施例では、実施例４と同等の効果が得ら
れ、更に高スループット、高歩留まりのアクティブマト
リクス型液晶表示装置を得ることができた。
また、本実施例は実施例４を基に述べたが、本実施例
のようにシールド電極を走査電極と同材料で同層に同一
工程で形成することは実施例１、２、３、５、６におい
ても可能であり本実施例と同等の効果が得られる。
〔実施例10〕 本実施例の構成は下記の要件を除けば実施例１と同一
である。
画素の構成を図16に示す。走査配線１（ゲート電極と
共通）と信号配線２（ドレイン電極と共通）は直交し、
画素電極３（ソース電極と共通）と共通電極４は平行
で、画素電極３と共通電極４間で電界がかかり、かつそ
の方向が基板界面にほぼ平行となるようにした。図17に
図16のＡ線における断面図を示す。薄膜トランジスタは
ドレイン電極2,ソース電極３が最下層にあり、アモルフ
ァスシリコン4,窒化シリコン7,ゲート電極の順に積み上
げられた正スタガ構造を有している。
図18に図16のＢ線における断面図を示す。ここで、信
号配線２を前段の走査配線1aから信号配線の長辺方向に
突き出した突起で覆い、信号配線２と画素電極３との間
にかかる電界をシールドする。走査配線の電位は走査期
間以外は一定電位であるので、画素電極３の電位をふら
つかせることはない。これにより、映像信号により変化
する信号配線の電位の変化による画素電極３の電位のふ
らつきがなくなり、安定した表示を得ることができる。
また、図19に図16のＣ線における断面図を示す。画素電
極３の電位を安定するために蓄積容量を画素電極３と前
段の走査配線17とゲート絶縁膜７で構成している。
発明の効果 本発明によれば、画素電極は透明である必要がなく、
通常の金属電極を用いることができるので、高歩留まり
で量産可能なアクティブマトリクス型液晶表示装置が得
られる。
また、視角特性が良好で多階調表示が容易なアクティ
ブマトリクス型液晶表示装置が得られる。
特に、シールド電極を形成したことにより、信号電極
と画素電極の間の寄生容量を軽減することができ、高コ
ントラストで、クロストークのない高画質のアクティブ
マトリクス型液晶表示装置が得られ、上記２つの効果と
の両立が得られる。更に、シールド電極が共通電極を兼
ねることにより、製造工程数が低減される。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 近藤 克己 茨城県勝田市青葉町19―21 (72)発明者 津村 誠 茨城県日立市みかの原町１―16―１ (56)参考文献 特開 平７−128683（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−5793（ＪＰ，Ａ) 特開 平11−190856（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−306417（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−239480（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−36058（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−202073（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G02F 1/1343 G02F 1/1368

Claims (11)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】第１と第２の基板間に液晶組成物が挾持さ
    れ、該第１の基板には、マトリクス状に配置された複数
    の走査電極と信号電極により複数の画素が構成されてお
    り、前記画素にはスイッチング素子が設けられているア
    クティブマトリクス型液晶表示装置において、 前記スイッチング素子には画素電極が接続され、前記画
    素電極とこれに対向した共通電極により液晶分子の長軸
    方向を基板面とほぼ平行に保ちながら動作できるように
    構成され、 前記画素には信号電極，信号電極と画素電極の間の光透
    過部，信号電極と共通電極の間の光透過部および前記ス
    イッチング素子の半導体層上にシールド電極が形成され
    ていることを特徴とするアクティブマトリクス型液晶表
    示装置。
  2. 【請求項２】第１と第２の基板間に液晶組成物が挾持さ
    れ、該第１の基板には、マトリクス状に配置された複数
    の走査電極と信号電極により複数の画素が構成されてお
    り、前記画素にはスイッチング素子が設けられているア
    クティブマトリクス型液晶表示装置において、 前記スイッチング素子には画素電極が接続され、前記画
    素電極とこれに対向した共通電極により液晶分子の長軸
    方向を基板面とほぼ平行に保ちながら動作できるように
    構成され、 前記画素には信号電極，画素電極および信号電極と画素
    電極との間にシールド電極が形成され、 前記画素の信号電極と画素電極の間の光透過部、信号電
    極と共通電極の間の光透過部、前記スイッチング素子の
    半導体層上および走査電極からの電気力線が通過する光
    透過部に、顔料または染料を含む黒色または低光透過率
    の遮光膜が形成されていることを特徴とするアクティブ
    マトリクス型液晶表示装置。
  3. 【請求項３】第１と第２の基板間に液晶組成物が挾持さ
    れ、該第１の基板には、マトリクス状に配置された複数
    の走査電極と信号電極により複数の画素が構成されてお
    り、前記画素にはスイッチング素子が設けられているア
    クティブマトリクス型液晶表示装置において、 前記スイッチング素子には画素電極が接続され、前記画
    素には、信号電極および信号電極と画素電極間にあっ
    て、外部から電位を付与できるシールド電極が形成され
    ており、 前記画素の信号電極とシールド電極の間の光透過部、前
    記スイッチング素子の半導体層上および走査電極からの
    電気力線が通過する光透過部に、顔料または染料を含む
    黒色または低光透過率の遮光膜が形成され、 前記シールド電極と画素電極は対向して形成されてお
    り、前記両電極により液晶分子の長軸方向を基板面とほ
    ぼ平行に保ちながら動作できるように構成されているこ
    とを特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装置。
  4. 【請求項４】第１と第２の基板間に液晶組成物が挾持さ
    れ、該第１の基板には、マトリクス状に配置された複数
    の走査電極と信号電極により複数の画素が構成されてお
    り、前記画素にはスイッチング素子が設けられているア
    クティブマトリクス型液晶表示装置において、 前記スイッチング素子には画素電極が接続され、前記画
    素には、信号電極および信号電極と画素電極間にあって
    一部が信号電極に重なり外部から電位を付与できるシー
    ルド電極が形成されており、 前記画素の信号電極とシールド電極の間の光透過部、前
    記スイッチング素子の半導体層上および走査電極からの
    電気力線が通過する光透過部に、顔料または染料を含む
    黒色または低光透過率の遮光膜が形成され、 前記シールド電極と画素電極は対向して形成されてお
    り、前記両電極により液晶分子の長軸方向を基板面とほ
    ぼ平行に保ちながら動作できるように構成されているこ
    とを特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装置。
  5. 【請求項５】前記シールド電極は走査電極と同一層に形
    成されている請求の範囲第１項乃至第４項のいずれか１
    項に記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置。
  6. 【請求項６】前記シールド電極が、走査配線から信号配
    線の長軸方向に突き出した突起からなることを特徴とす
    る請求の範囲第１項乃至第５項のいずれか１項に記載の
    液晶表示装置。
  7. 【請求項７】一対の基板と、該一対の基板に挾持された
    液晶層と、前記一対の基板のいずれか一方の基板上に形
    成され、マトリクス状に互いを交差させて配置された複
    数の走査電極と複数の信号電極とを有し、該複数の走査
    電極と複数の信号電極とで囲まれた部分で複数の画素を
    構成している液晶表示装置であって、 前記複数の画素のそれぞれは、 対応する走査電極と信号電極の交点付近に形成された少
    なくとも１つのスイッチング素子と、 前記一対の基板の一方の基板に形成され、前記スイッチ
    ング素子に接続され、前記信号電極の延びている方向と
    同じ方向に延びている少なくとも１つの部分を有する画
    素電極と、 前記一対の基板の一方の基板に形成され、前記画素電極
    の少なくとも１つの部分の延びている方向と同じ方向に
    延びている少なくとも１つの部分を有する共通電極とを
    有し、 前記一対の基板のいずれか一方の基板に、前記信号電極
    と前記画素電極の少なくとも１つの部分の間の位置に配
    置された電極を有し、前記電極は、前記信号電極と前記
    画素電極の少なくとも１つの部分の間で発生する寄生容
    量を、前記電極を配置しない場合と比較して低減するこ
    とを特徴とする液晶表示装置。
  8. 【請求項８】一対の基板と、該一対の基板に挾持された
    液晶層と、前記一対の基板のいずれか一方の基板上に形
    成され、マトリクス状に互いを交差させて配置された複
    数の走査電極と複数の信号電極とを有し、該複数の走査
    電極と複数の信号電極とで囲まれた部分で複数の画素を
    構成している液晶表示装置であって、 前記複数の画素のそれぞれは、 対応する走査電極と信号電極の交点付近に形成された少
    なくとも１つのスイッチング素子と、 前記一対の基板の一方の基板に形成され、前記スイッチ
    ング素子に接続され、前記信号電極の延びている方向と
    同じ方向に延びている少なくとも１つの部分を有する画
    素電極と、 前記一対の基板の一方の基板に形成され、前記画素電極
    の少なくとも１つの部分の延びている方向と同じ方向に
    延びている少なくとも１つの部分を有する共通電極とを
    有し、 前記一対の基板の一方の基板とは別の基板に、前記信号
    電極と前記画素電極の少なくとも１つの部分の間の位置
    に配置された電極を有することを特徴とする液晶表示装
    置。
  9. 【請求項９】一対の基板と、該一対の基板に挾持された
    液晶層と、前記一対の基板のいずれか一方の基板上に形
    成され、マトリクス状に互いを交差させて配置された複
    数の走査電極と複数の信号電極とを有し、該複数の走査
    電極と複数の信号電極とで囲まれた部分で複数の画素を
    構成している液晶表示装置であって、 前記複数の画素のそれぞれは、 対応する走査電極と信号電極の交点付近に形成された少
    なくとも１つのスイッチング素子と、 前記一対の基板の一方の基板に形成され、前記スイッチ
    ング素子に接続され、前記信号電極の延びている方向と
    同じ方向に延びている少なくとも１つの部分を有する画
    素電極と、 前記一対の基板の一方の基板に形成され、前記画素電極
    の少なくとも１つの部分の延びている方向と同じ方向に
    延びている少なくとも１つの部分を有する共通電極とを
    有し、 前記一対の基板の一方の基板とは別の基板に、前記信号
    電極と前記画素電極の少なくとも１つの部分の間の位置
    に配置された電極を有し、前記電極は、前記信号電極と
    前記画素電極の少なくとも１つの部分の間で発生する寄
    生容量を、前記電極を配置しない場合と比較して低減す
    ることを特徴とする液晶表示装置。
  10. 【請求項１０】一対の基板と、該一対の基板に挾持され
    た液晶層と、前記一対の基板のいずれか一方の基板上に
    形成され、マトリクス状に互いに交差させて配置された
    複数の走査電極と複数の信号電極とを有し、該複数の走
    査電極と複数の信号電極とで囲まれた部分で複数の画素
    を構成している液晶表示装置であって、 前記複数の画素のそれぞれは、 対応する走査電極と信号電極の交点付近に形成された少
    なくとも１つのスイッチング素子と、 前記一対の基板の一方の基板に形成され、前記半導体ス
    イッチング素子に接続され、前記信号電極の延びている
    方向と同じ方向に延びている少なくとも１つの部分を有
    する画素電極と、 前記一対の基板の一方の基板に形成され、前記画素電極
    の少なくとも１つの部分の延びている方向と同じ方向に
    延びている少なくとも２つの部分を有する共通電極とを
    有し、 前記信号電極と前記画素電極の少なくとも１つの部分の
    間の位置に、前記共通電極の少なくとも２つの部分の１
    つの部分が配置され、前記共通電極の少なくとも２つの
    部分は、前記信号電極と前記画素電極の少なくとも１つ
    の部分の間の寄生容量を、前記共通電極の少なくとも２
    つの部分を配置しない場合と比較して低減することを特
    徴とする液晶表示装置。
  11. 【請求項１１】一対の基板と、該一対の基板に挾持され
    た液晶層と、前記一対の基板のいずれか一方の基板上に
    形成され、マトリクス状に互いに交差させて配置された
    複数の走査電極と複数の信号電極とを有し、該複数の走
    査電極と複数の信号電極とで囲まれた部分で複数の画素
    を構成している液晶表示装置であって、 前記複数の画素のそれぞれは、 対応する走査電極と信号電極の交点付近に形成された少
    なくとも１つの半導体スイッチング素子と、 前記一対の基板の一方の基板に形成され、前記半導体ス
    イッチング素子に接続され、前記信号電極の延びている
    方向と同じ方向に延びている少なくとも１つの部分を有
    する画素電極と、 前記一対の基板の一方の基板に形成され、前記画素電極
    の少なくとも１つの部分の延びている方向と同じ方向に
    延びている少なくとも２つの部分をもつ共通電極とを有
    し、 前記共通電極は、前記走査電極間の中央部に配置され前
    記走査電極が延びている方向と同じ方向に延びて前記共
    通電極の少なくとも２つの部分を接続する接続部を有
    し、 前記信号電極と前記画素電極の少なくとも１つの部分の
    間の位置に、前記共通電極の少なくとも２つの部分の１
    つの部分が配置されていることを特徴とする液晶表示装
    置。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101157870B1 (ko) * 2004-03-26 2012-06-22 후지필름 가부시키가이샤 감광성 조성물, 감광성 전사재료, 표시장치용 차광층,컬러필터, 액정표시소자 및 표시장치용 차광층이 형성된기판 및 그 제조방법

Families Citing this family (96)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5673127A (en) 1993-12-01 1997-09-30 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Display panel and display device using a display panel
JP3109967B2 (ja) * 1993-12-28 2000-11-20 キヤノン株式会社 アクティブマトリクス基板の製造方法
JPH10325961A (ja) * 1994-03-17 1998-12-08 Hitachi Ltd アクティブマトリクス型液晶表示装置
TW354380B (en) * 1995-03-17 1999-03-11 Hitachi Ltd A liquid crystal device with a wide visual angle
KR100412933B1 (ko) * 1995-09-14 2004-03-22 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 액티브매트릭스형액정표시장치
JPH09146108A (ja) 1995-11-17 1997-06-06 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶表示装置およびその駆動方法
JP3963974B2 (ja) * 1995-12-20 2007-08-22 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶電気光学装置
JP3583534B2 (ja) * 1995-12-27 2004-11-04 株式会社 日立ディスプレイズ アクティブマトリックス型液晶表示パネル
KR100474194B1 (ko) * 1996-03-14 2005-08-01 세이코 엡슨 가부시키가이샤 액정장치및이를이용한전자기기
KR100225910B1 (ko) 1996-04-04 1999-10-15 구자홍 액정표시장치(liquid crystal display device)
KR100209531B1 (ko) 1996-06-22 1999-07-15 구자홍 액정표시장치
JP2937131B2 (ja) * 1996-08-30 1999-08-23 日本電気株式会社 液晶表示装置
US6812985B1 (en) 1996-09-23 2004-11-02 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Liquid crystal display device
FR2754377B1 (fr) * 1996-10-07 1998-11-06 Thomson Lcd Ecran de visualisation a matrice active
KR19980028453A (ko) * 1996-10-22 1998-07-15 김광호 평면 구동 방식의 액정 표시 장치
JP3362612B2 (ja) * 1996-10-28 2003-01-07 エルジー フィリップス エルシーディー カンパニー リミテッド 液晶表示装置
TW396289B (en) * 1996-10-29 2000-07-01 Nippon Electric Co Liquid crystal display device
JPH10142635A (ja) * 1996-11-15 1998-05-29 Furontetsuku:Kk 液晶表示装置
JP3788649B2 (ja) * 1996-11-22 2006-06-21 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
US6184946B1 (en) * 1996-11-27 2001-02-06 Hitachi, Ltd. Active matrix liquid crystal display
JP3691854B2 (ja) * 1996-12-18 2005-09-07 株式会社日立製作所 開口率向上に適する横電界方式液晶表示装置
US6532053B2 (en) 1996-12-18 2003-03-11 Hitachi, Ltd. Transverse electric field system liquid crystal display device suitable for improving aperture ratio
JP3883244B2 (ja) * 1997-01-23 2007-02-21 エルジー フィリップス エルシーディー カンパニー リミテッド 液晶表示装置
JPH10232629A (ja) * 1997-02-20 1998-09-02 Sony Corp 液晶表示素子およびこれを用いた投射型液晶表示装置
KR100537020B1 (ko) * 1997-03-03 2006-03-03 삼성전자주식회사 Ips모드박막트랜지스터용액정표시소자제조방법
JPH10268309A (ja) * 1997-03-21 1998-10-09 Furontetsuku:Kk 液晶表示装置
KR100697903B1 (ko) * 1997-04-11 2007-03-20 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 액정표시장치
KR100257370B1 (ko) * 1997-05-19 2000-05-15 구본준 횡전계방식액정표시장치
KR100257369B1 (ko) 1997-05-19 2000-05-15 구본준 횡전계방식액정표시장치
US6972818B1 (en) 1997-05-19 2005-12-06 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. In-plane switching mode liquid crystal display device
JP3478709B2 (ja) * 1997-07-07 2003-12-15 株式会社 日立ディスプレイズ 液晶表示装置
US6184961B1 (en) 1997-07-07 2001-02-06 Lg Electronics Inc. In-plane switching mode liquid crystal display device having opposite alignment directions for two adjacent domains
KR100251512B1 (ko) 1997-07-12 2000-04-15 구본준 횡전계방식 액정표시장치
WO1999005567A1 (en) * 1997-07-22 1999-02-04 Koninklijke Philips Electronics N.V. Display device
US6335770B1 (en) * 1997-07-22 2002-01-01 Lg. Philips Lcd Co., Ltd. In-plane switching mode LCD with specific arrangement of common bus line, data electrode, and common electrode
US6697140B2 (en) 1997-07-29 2004-02-24 Lg. Philips Lcd Co., Ltd. In-plane switching mode liquid crystal display device wherein portions of second gate line overlaps with data electrode
KR100255931B1 (ko) 1997-08-14 2000-05-01 구본준, 론 위라하디락사 횡전계방식 액정표시소자
US6549258B1 (en) * 1997-09-04 2003-04-15 Lg. Philips Lcd Co., Ltd. Hybrid switching mode liquid crystal display device
KR100293434B1 (ko) 1997-09-08 2001-08-07 구본준, 론 위라하디락사 횡전계방식액정표시소자
KR100477130B1 (ko) * 1997-09-25 2005-08-29 삼성전자주식회사 평면구동방식액정표시장치의박막트랜지스터기판및제조방법
KR100375732B1 (ko) * 1997-11-25 2004-10-14 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 액정표시장치
US5905557A (en) * 1997-12-22 1999-05-18 Yaniv; Zvi Multipole liquid crystal display with alignment layer
KR100293436B1 (ko) 1998-01-23 2001-08-07 구본준, 론 위라하디락사 횡전계방식액정표시장치
TW530180B (en) * 1998-04-27 2003-05-01 Hitachi Ltd Active matrix type liquid crystal display
JP3039517B2 (ja) * 1998-06-19 2000-05-08 日本電気株式会社 アクティブマトリクス液晶表示装置
JP4364332B2 (ja) 1998-06-23 2009-11-18 シャープ株式会社 液晶表示装置
KR100344844B1 (ko) 1998-07-07 2002-11-18 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시소자및그제조방법
KR100487424B1 (ko) * 1998-07-09 2005-08-29 엘지.필립스 엘시디 주식회사 복합전계방식액정표시소자및그제조방법
KR100320416B1 (ko) 1998-08-26 2002-09-17 엘지.필립스 엘시디 주식회사 횡전계방식액정표시소자
US6407418B1 (en) 1998-09-16 2002-06-18 Nec Corporation Semiconductor device, method of manufacturing the same, image sensor apparatus having the same and image reader having the same
JP4094759B2 (ja) * 1999-02-05 2008-06-04 株式会社日立製作所 液晶表示装置
JP2000292801A (ja) * 1999-04-06 2000-10-20 Nec Corp 液晶表示装置
KR100595294B1 (ko) 1999-12-14 2006-07-03 엘지.필립스 엘시디 주식회사 횡전계방식 액정표시장치용 칼라필터 기판의 제조방법
KR100504531B1 (ko) * 1999-12-15 2005-08-03 엘지.필립스 엘시디 주식회사 횡전계방식 액정표시장치
KR100671509B1 (ko) * 2000-06-01 2007-01-19 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 프린지 필드 구동 액정표시장치
JP2003107438A (ja) * 2000-09-12 2003-04-09 Canon Inc 液晶素子
US7710522B1 (en) 2000-09-23 2010-05-04 Motorola, Inc. Liquid crystal device having variable reflected wavelength
TW554206B (en) * 2000-11-10 2003-09-21 Au Optronics Corp Display cell of liquid crystal display
KR100730495B1 (ko) * 2000-12-15 2007-06-20 엘지.필립스 엘시디 주식회사 횡전계 방식의 액정표시장치 및 그 제조방법
KR100857719B1 (ko) 2001-03-26 2008-09-08 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법
KR100412213B1 (ko) * 2001-05-17 2003-12-31 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 박막 트랜지스터 액정표시장치
KR100814339B1 (ko) * 2001-11-16 2008-03-18 엘지.필립스 엘시디 주식회사 콜레스테릭 액정 컬러필터를 가지는 반사형 액정표시장치
JP3677011B2 (ja) * 2002-04-30 2005-07-27 アルプス電気株式会社 液晶表示装置
DE10253606A1 (de) * 2002-11-15 2004-05-27 Merck Patent Gmbh Elektrooptisches Lichtsteuerelement, elektrooptische Anzeige und Steuermedium
WO2004046805A1 (de) * 2002-11-15 2004-06-03 Merck Patent Gmbh Elektrooptisches lichtsteuerelelment, elektrooptische anzeige und steuermedium
JP3835422B2 (ja) * 2003-04-01 2006-10-18 セイコーエプソン株式会社 液晶装置及び電子機器
JP2004341465A (ja) 2003-05-14 2004-12-02 Obayashi Seiko Kk 高品質液晶表示装置とその製造方法
TWI337678B (en) * 2003-05-16 2011-02-21 Chimei Innolux Corp An active matrix liquid crystal display
KR20050000653A (ko) * 2003-06-24 2005-01-06 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정 표시 패널
US7675501B2 (en) * 2003-12-17 2010-03-09 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid crystal display apparatus with light sensor
JP3592706B2 (ja) * 2003-12-26 2004-11-24 株式会社 日立ディスプレイズ アクティブマトリックス型液晶表示パネル
CN100451784C (zh) * 2004-01-29 2009-01-14 夏普株式会社 显示装置
JP4276965B2 (ja) * 2004-02-04 2009-06-10 シャープ株式会社 表示装置
JP3972918B2 (ja) * 2004-04-16 2007-09-05 ソニー株式会社 液晶表示装置
JP4361844B2 (ja) * 2004-07-28 2009-11-11 富士通株式会社 液晶表示装置
KR20060073826A (ko) 2004-12-24 2006-06-29 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판
US8305507B2 (en) 2005-02-25 2012-11-06 Samsung Display Co., Ltd. Thin film transistor array panel having improved storage capacitance and manufacturing method thereof
KR101251993B1 (ko) * 2005-02-25 2013-04-08 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판
JP4639968B2 (ja) * 2005-05-31 2011-02-23 カシオ計算機株式会社 液晶表示装置
TW200705018A (en) * 2005-07-11 2007-02-01 Samsung Electronics Co Ltd Liquid crystal display
US20070222923A1 (en) * 2005-12-28 2007-09-27 Jian Wang Electronic device having black layers
KR101222955B1 (ko) * 2005-12-28 2013-01-17 엘지디스플레이 주식회사 액정표시소자 및 그 제조방법
JP5397219B2 (ja) * 2006-04-19 2014-01-22 イグニス・イノベーション・インコーポレイテッド アクティブマトリックス表示装置用の安定な駆動スキーム
KR101293950B1 (ko) * 2006-06-30 2013-08-07 삼성디스플레이 주식회사 표시기판 및 이를 갖는 표시패널
JP5100076B2 (ja) * 2006-10-04 2012-12-19 株式会社ジャパンディスプレイウェスト 表示装置
JP5051690B2 (ja) * 2007-01-30 2012-10-17 株式会社ジャパンディスプレイウェスト 入力機能付表示装置
US8493302B2 (en) * 2007-03-29 2013-07-23 Nlt Technologies, Ltd. Liquid crystal display device with correction voltage different from video signal applied to data line in display period
JP4386102B2 (ja) * 2007-06-28 2009-12-16 エプソンイメージングデバイス株式会社 横電界方式の液晶表示パネル
RU2453882C1 (ru) * 2008-04-25 2012-06-20 Шарп Кабусики Кайся Жидкокристаллическое дисплейное устройство и телевизионный приемник
US8593450B2 (en) 2010-12-22 2013-11-26 Apple Inc. Relay driving of conductive segments in displays
JP5707183B2 (ja) * 2011-03-10 2015-04-22 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示装置
JP6020079B2 (ja) * 2012-11-19 2016-11-02 ソニー株式会社 表示装置およびその製造方法、ならびに電子機器
KR102147520B1 (ko) * 2013-07-29 2020-08-25 삼성디스플레이 주식회사 곡면표시장치
JP6369801B2 (ja) * 2014-07-24 2018-08-08 Ｔｉａｎｍａ Ｊａｐａｎ株式会社 液晶表示装置
KR102587647B1 (ko) * 2016-05-04 2023-10-11 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 그 제조방법
CN108594517B (zh) * 2018-05-04 2021-04-06 京东方科技集团股份有限公司 一种液晶显示装置及其控制方法

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5691277A (en) * 1979-12-25 1981-07-24 Citizen Watch Co Ltd Liquiddcrystal display panel
JPS5823016A (ja) * 1981-08-04 1983-02-10 Seiko Epson Corp 液晶ライトバルブ
JPH0697317B2 (ja) * 1984-04-11 1994-11-30 ホシデン株式会社 液晶表示器
JPS62194231A (ja) * 1986-02-20 1987-08-26 Seiko Epson Corp 液晶駆動装置
US4952031A (en) * 1987-06-19 1990-08-28 Victor Company Of Japan, Ltd. Liquid crystal display device
US5365357A (en) * 1988-04-21 1994-11-15 Asahi Glass Company Ltd. Color liquid crystal display having color filters and light blocking layers in the periphery
JP2693513B2 (ja) * 1988-08-30 1997-12-24 株式会社東芝 アクティブマトリクス型液晶表示素子
US5576867A (en) * 1990-01-09 1996-11-19 Merck Patent Gesellschaft Mit Beschrankter Haftung Liquid crystal switching elements having a parallel electric field and βo which is not 0° or 90°
DE4002879A1 (de) * 1990-02-01 1991-08-08 Wacker Chemie Gmbh Alkenylgruppen aufweisende siloxancopolymere, deren herstellung und verwendung
JPH04174417A (ja) * 1990-11-07 1992-06-22 Sharp Corp カラー液晶表示装置
JPH04358127A (ja) * 1991-05-22 1992-12-11 Oki Electric Ind Co Ltd 薄膜トランジスタ型液晶表示装置
JP3157186B2 (ja) * 1991-05-28 2001-04-16 株式会社東芝 アクティブマトリクス型液晶表示装置
EP0916992B1 (en) * 1992-09-18 2003-11-26 Hitachi, Ltd. A liquid crystal display device
JPH06148596A (ja) * 1992-10-30 1994-05-27 Hitachi Ltd アクティブマトリクス型液晶表示装置
JP3123273B2 (ja) * 1992-12-28 2001-01-09 株式会社日立製作所 アクティブマトリクス型液晶表示装置およびその製造方法
JPH06214244A (ja) * 1993-01-14 1994-08-05 Hitachi Ltd アクティブマトリクス型液晶表示装置
JPH06331971A (ja) * 1993-05-18 1994-12-02 Sony Corp 液晶表示装置
JPH10325961A (ja) * 1994-03-17 1998-12-08 Hitachi Ltd アクティブマトリクス型液晶表示装置
TW354380B (en) * 1995-03-17 1999-03-11 Hitachi Ltd A liquid crystal device with a wide visual angle
TWI234674B (en) * 1995-10-12 2005-06-21 Hitachi Ltd In-plane electric field LCD panel with structure for preventing electric charging
JP2735099B2 (ja) * 1996-06-11 1998-04-02 日本電気株式会社 液晶表示装置
JP2776376B2 (ja) * 1996-06-21 1998-07-16 日本電気株式会社 アクティブマトリクス液晶表示パネル

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101157870B1 (ko) * 2004-03-26 2012-06-22 후지필름 가부시키가이샤 감광성 조성물, 감광성 전사재료, 표시장치용 차광층,컬러필터, 액정표시소자 및 표시장치용 차광층이 형성된기판 및 그 제조방법

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