JP2937131B2 - 液晶表示装置 - Google Patents
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- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
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- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
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- G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
- G02F1/134363—Electrodes characterised by their geometrical arrangement for applying an electric field parallel to the substrate, i.e. in-plane switching [IPS]
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置に関
し、特に階調反転が生じにくく広い視野角が得られる表
示品位の高い液晶表示装置に関する。
し、特に階調反転が生じにくく広い視野角が得られる表
示品位の高い液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示装置では、液晶に電界を印加す
る方式の一つとして、各電極にそれぞれ定常的に一定電
圧信号を供給するスタティック駆動があるが、大容量の
表示画素の装置の場合には信号線数が膨大な数となる。
そこで、大容量の情報表示の際には時分割して信号電圧
を供給するマルチプレックス駆動が採用される。特に、
マルチプレックス駆動の中でも電極に与えた電荷が次フ
レームにまで保持するアクティブマトリクス方式が表示
品位が高くなる。また、液晶に印加する電界の方向とし
ては、液晶を挟むガラス基板に垂直に印加する方式と平
行に印加する方式があり、後者の方式は広い視野角が得
られるため大型モニター用途に適している。このガラス
基板に平行に電界を印加する方式の液晶表示装置は、Ｉ
ＰＳ方式アクティブマトリクス液晶表示装置と称され
る。
る方式の一つとして、各電極にそれぞれ定常的に一定電
圧信号を供給するスタティック駆動があるが、大容量の
表示画素の装置の場合には信号線数が膨大な数となる。
そこで、大容量の情報表示の際には時分割して信号電圧
を供給するマルチプレックス駆動が採用される。特に、
マルチプレックス駆動の中でも電極に与えた電荷が次フ
レームにまで保持するアクティブマトリクス方式が表示
品位が高くなる。また、液晶に印加する電界の方向とし
ては、液晶を挟むガラス基板に垂直に印加する方式と平
行に印加する方式があり、後者の方式は広い視野角が得
られるため大型モニター用途に適している。このガラス
基板に平行に電界を印加する方式の液晶表示装置は、Ｉ
ＰＳ方式アクティブマトリクス液晶表示装置と称され
る。
【０００３】このＩＰＳ方式の液晶表示装置の一例を図
６，図７を用いて説明する。この構造は特公昭６３−２
１９０７号公報に示されているものであり、図６はその
各画素の電極構造の断面図、図７は平面図である。図６
において、ＴＦＴ側基板１Ｂは、ＴＦＴガラス基板１０
１上に共通電極１０４が形成され、この上に第１絶縁膜
１０３を介して共通電極１０４と交互に配列されるよう
に映像信号線１０６と画素電極１０７が形成される。さ
らに、画素電極１０７、映像信号線１０６は保護絶縁膜
１０８で被覆され、その上には液晶３を配列させるのに
必要であるＴＦＴ側配向膜１０９が塗布されラビング処
理される。
６，図７を用いて説明する。この構造は特公昭６３−２
１９０７号公報に示されているものであり、図６はその
各画素の電極構造の断面図、図７は平面図である。図６
において、ＴＦＴ側基板１Ｂは、ＴＦＴガラス基板１０
１上に共通電極１０４が形成され、この上に第１絶縁膜
１０３を介して共通電極１０４と交互に配列されるよう
に映像信号線１０６と画素電極１０７が形成される。さ
らに、画素電極１０７、映像信号線１０６は保護絶縁膜
１０８で被覆され、その上には液晶３を配列させるのに
必要であるＴＦＴ側配向膜１０９が塗布されラビング処
理される。
【０００４】一方、対向側基板２は、対向側ガラス基板
２０１上には、対向側の金属遮光膜２０６がマトリクス
状に設けられ、その上に色層２０２が赤、青、緑と素子
単位に並列され、その上に保護樹脂膜２０３が一様に形
成され最後に液晶３を配向させるのに必要である対向側
配向膜２０４が塗布されラビング処理される。ラビング
の方向はＴＦＴ側基板１Ｂに施した方向と同方向であ
る。その上で、ＴＦＴ側基板１Ｂと対向側基板２の間に
は、液晶３が封入される。また、ＴＦＴ側ガラス基板１
０１の電極パターンを形成しない面にはＴＦＴ側偏光板
１１０がラビング方向に透過軸が一致するよう張りつけ
られ、対向側ガラス基板２０１のパターンが存在しない
側には対向側偏光板２０５が、透過軸がＴＦＴ側偏光板
１Ｂの透過軸方向と直交するように張りつけられる。以
上により、液晶パネルが構成される。
２０１上には、対向側の金属遮光膜２０６がマトリクス
状に設けられ、その上に色層２０２が赤、青、緑と素子
単位に並列され、その上に保護樹脂膜２０３が一様に形
成され最後に液晶３を配向させるのに必要である対向側
配向膜２０４が塗布されラビング処理される。ラビング
の方向はＴＦＴ側基板１Ｂに施した方向と同方向であ
る。その上で、ＴＦＴ側基板１Ｂと対向側基板２の間に
は、液晶３が封入される。また、ＴＦＴ側ガラス基板１
０１の電極パターンを形成しない面にはＴＦＴ側偏光板
１１０がラビング方向に透過軸が一致するよう張りつけ
られ、対向側ガラス基板２０１のパターンが存在しない
側には対向側偏光板２０５が、透過軸がＴＦＴ側偏光板
１Ｂの透過軸方向と直交するように張りつけられる。以
上により、液晶パネルが構成される。
【０００５】この液晶パネルでは、図７に示すように、
走査信号線１１１のＯＮ／ＯＦＦ信号により、半導体膜
１１２を含むＴＦＴ（薄膜トランジスタ）１１３がスイ
ッチングし、薄膜トランジスタ１１３がＯＮである時は
映像信号線１０６から電荷が画素電極１０７に流れ込
み、ＯＦＦした後は電荷を保持しある一定の電位を保
つ。共通電極１０４には常時一定の直流電圧が印加され
ており、画素電極１０７と共通電極１０４との間に生じ
る基板と平行な方向の横電界により液晶３のリタデーシ
ョンを変化させる。この液晶３のリタデーション変化と
偏光板１１０，２０５の光学特性により画素電極１０７
と共通電極１０４の間から透過する光量を制御する。こ
の時、映像信号線１０６の両脇、走査信号線１１１と共
通電極１０４の間のように横電界が適切に印加できない
領域は所望の透過率を得ることができないが、この領域
は対向側基板２に設けられている金属遮光膜２０６によ
ってその光洩れが防止される。
走査信号線１１１のＯＮ／ＯＦＦ信号により、半導体膜
１１２を含むＴＦＴ（薄膜トランジスタ）１１３がスイ
ッチングし、薄膜トランジスタ１１３がＯＮである時は
映像信号線１０６から電荷が画素電極１０７に流れ込
み、ＯＦＦした後は電荷を保持しある一定の電位を保
つ。共通電極１０４には常時一定の直流電圧が印加され
ており、画素電極１０７と共通電極１０４との間に生じ
る基板と平行な方向の横電界により液晶３のリタデーシ
ョンを変化させる。この液晶３のリタデーション変化と
偏光板１１０，２０５の光学特性により画素電極１０７
と共通電極１０４の間から透過する光量を制御する。こ
の時、映像信号線１０６の両脇、走査信号線１１１と共
通電極１０４の間のように横電界が適切に印加できない
領域は所望の透過率を得ることができないが、この領域
は対向側基板２に設けられている金属遮光膜２０６によ
ってその光洩れが防止される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来の液
晶パネルでは、光洩れを防止するための金属遮光膜２０
６は対向側基板２に設けているため、対向側基板２とＴ
ＦＴ側基板１Ｂとの重ね合わせ精度が通常１０ミクロン
前後であることを考慮すると、ＴＦＴ側基板１Ｂにおい
て生じる光洩れ領域に対して、かなり大きいマージンを
みて金属遮光膜２０６を設置する必要があり、そのため
に金属遮光膜２０６の平面面積がいたずらに大きくな
り、液晶パネル全体の開口率が低下されるという問題が
生じる。また、映像信号線１０６と画素電極１０７の間
には微弱ながら横電界が生じているため、共通電極１０
４と画素電極１０７に本来印加すべき電界が変調され
る。この変調は映像信号線１０６の電位によるため、図
３（ｂ）のようにベタ画面にウインドウ表示をさせる
と、映像信号線１０６により変調される結果としてウイ
ンドウ上下にクロストークが生じ、著しく表示品位を低
下させることになる。
晶パネルでは、光洩れを防止するための金属遮光膜２０
６は対向側基板２に設けているため、対向側基板２とＴ
ＦＴ側基板１Ｂとの重ね合わせ精度が通常１０ミクロン
前後であることを考慮すると、ＴＦＴ側基板１Ｂにおい
て生じる光洩れ領域に対して、かなり大きいマージンを
みて金属遮光膜２０６を設置する必要があり、そのため
に金属遮光膜２０６の平面面積がいたずらに大きくな
り、液晶パネル全体の開口率が低下されるという問題が
生じる。また、映像信号線１０６と画素電極１０７の間
には微弱ながら横電界が生じているため、共通電極１０
４と画素電極１０７に本来印加すべき電界が変調され
る。この変調は映像信号線１０６の電位によるため、図
３（ｂ）のようにベタ画面にウインドウ表示をさせる
と、映像信号線１０６により変調される結果としてウイ
ンドウ上下にクロストークが生じ、著しく表示品位を低
下させることになる。
【０００７】本発明の目的は、開口率を高めるととも
に、クロストークを防止して表示品位を高めた液晶表示
装置を提供することにある。
に、クロストークを防止して表示品位を高めた液晶表示
装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、共通電極、画
素電極、映像信号線、走査信号線およびスイッチング素
子としてのＴＦＴ等が形成されたＴＦＴ側基板と、これ
に対向する対向側基板との間に液晶層を形成してなる液
晶表示装置において、前記基板の表面に平行な電界を印
加するために交互に配設される前記共通電極と画素電極
とが、共に前記映像信号線とほぼ平行であり、かつ前記
映像信号線側に前記共通電極を配置した構造を有し、少
なくとも前記映像信号線沿いに形成された金属遮光膜に
所定の電位を印加することを特徴とする。この場合、金
属遮光膜は、映像信号線の全平面を覆う領域に形成され
る。あるいは、映像信号線と隣接する共通電極との間の
みを遮光するように形成される。
素電極、映像信号線、走査信号線およびスイッチング素
子としてのＴＦＴ等が形成されたＴＦＴ側基板と、これ
に対向する対向側基板との間に液晶層を形成してなる液
晶表示装置において、前記基板の表面に平行な電界を印
加するために交互に配設される前記共通電極と画素電極
とが、共に前記映像信号線とほぼ平行であり、かつ前記
映像信号線側に前記共通電極を配置した構造を有し、少
なくとも前記映像信号線沿いに形成された金属遮光膜に
所定の電位を印加することを特徴とする。この場合、金
属遮光膜は、映像信号線の全平面を覆う領域に形成され
る。あるいは、映像信号線と隣接する共通電極との間の
みを遮光するように形成される。
【０００９】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施形態について
図面を参照して説明する。図１及び図２は本発明の第１
の実施形態を示す図であり、図１は電極部の断面図、図
２は平面図である。図１において、ＴＦＴ側基板１は、
ＴＦＴ側ガラス基板１０１上に金属遮光膜１０２が形成
され、その上に形成される第１絶縁膜１０３を介して前
記金属遮光膜１０２と一部において平面上で重なるよう
に共通電極１０４が形成されている。また、その上に形
成される第２絶縁膜１０５を介して前記共通電極１０４
に対して交互に配置されるように映像信号線１０６と画
素電極１０７が形成されている。さらに、これら画素電
極１０７、映像信号線１０６は保護絶縁膜１０８で被覆
され、その上には液晶３を配列させるのに必要であるＴ
ＦＴ側配向膜１０９が塗布されラビング処理される。
図面を参照して説明する。図１及び図２は本発明の第１
の実施形態を示す図であり、図１は電極部の断面図、図
２は平面図である。図１において、ＴＦＴ側基板１は、
ＴＦＴ側ガラス基板１０１上に金属遮光膜１０２が形成
され、その上に形成される第１絶縁膜１０３を介して前
記金属遮光膜１０２と一部において平面上で重なるよう
に共通電極１０４が形成されている。また、その上に形
成される第２絶縁膜１０５を介して前記共通電極１０４
に対して交互に配置されるように映像信号線１０６と画
素電極１０７が形成されている。さらに、これら画素電
極１０７、映像信号線１０６は保護絶縁膜１０８で被覆
され、その上には液晶３を配列させるのに必要であるＴ
ＦＴ側配向膜１０９が塗布されラビング処理される。
【００１０】一方、対向側基板２は、対向側ガラス基板
２０１上に色層２０２が赤、青、緑と素子単位に並列さ
れて形成され、その上に保護樹脂膜２０３が一様に形成
され、さらにその上に液晶３を配向させるのに必要であ
る対向側配向膜２０４が塗布されラビング処理される。
ラビングの方向はＴＦＴ側基板１に施した方向と同方向
である。その上で、ＴＦＴ側基板１と対向側基板２の間
には、液晶３が封入される。また、ＴＦＴ側ガラス基板
１０１の電極パターンを形成しない面にはＴＦＴ側偏光
板１１０がラビング方向に透過軸が一致するよう張りつ
けられ、対向側ガラス基板２０１のパターンが存在しな
い側には対向側偏光板２０５が、透過軸がＴＦＴ側偏光
板１１０の透過軸方向と直交するように張りつけられ
る。以上により、液晶パネルが構成される。
２０１上に色層２０２が赤、青、緑と素子単位に並列さ
れて形成され、その上に保護樹脂膜２０３が一様に形成
され、さらにその上に液晶３を配向させるのに必要であ
る対向側配向膜２０４が塗布されラビング処理される。
ラビングの方向はＴＦＴ側基板１に施した方向と同方向
である。その上で、ＴＦＴ側基板１と対向側基板２の間
には、液晶３が封入される。また、ＴＦＴ側ガラス基板
１０１の電極パターンを形成しない面にはＴＦＴ側偏光
板１１０がラビング方向に透過軸が一致するよう張りつ
けられ、対向側ガラス基板２０１のパターンが存在しな
い側には対向側偏光板２０５が、透過軸がＴＦＴ側偏光
板１１０の透過軸方向と直交するように張りつけられ
る。以上により、液晶パネルが構成される。
【００１１】この構成の液晶パネルでは、図２に示され
るように、走査信号線１１１のＯＮ／ＯＦＦ信号によ
り、半導体膜１１２を含む薄膜トランジスタ１１３がス
イッチングし、薄膜トランジスタ１１３がＯＮである時
は映像信号線１０６から電荷が画素電極１０７に流れ込
み、ＯＦＦした後は電荷を保持しある一定の電位を保
つ。共通電極１０４には常時一定の直流電圧が印加され
ており、画素電極１０７と共通電極１０４との間に生じ
る基板と平行な方向の横電界により液晶３のリタデーシ
ョンを変化させる。この液晶３のリタデーション変化と
偏光板１１０，２０５の光学特性により画素電極１０７
と共通電極１０４の間から透過する光量を制御し、所要
の表示を行うことはこれまでと同じである。
るように、走査信号線１１１のＯＮ／ＯＦＦ信号によ
り、半導体膜１１２を含む薄膜トランジスタ１１３がス
イッチングし、薄膜トランジスタ１１３がＯＮである時
は映像信号線１０６から電荷が画素電極１０７に流れ込
み、ＯＦＦした後は電荷を保持しある一定の電位を保
つ。共通電極１０４には常時一定の直流電圧が印加され
ており、画素電極１０７と共通電極１０４との間に生じ
る基板と平行な方向の横電界により液晶３のリタデーシ
ョンを変化させる。この液晶３のリタデーション変化と
偏光板１１０，２０５の光学特性により画素電極１０７
と共通電極１０４の間から透過する光量を制御し、所要
の表示を行うことはこれまでと同じである。
【００１２】これに加えて、この実施形態では、ＴＦＴ
側基板１に形成された金属遮光膜１０２に常時一定のＤ
Ｃを印加している。図３はこの液晶パネルの黒ベタ画面
に白ウインドウを表示した時に発生する縦クロストーク
の程度を、金属遮光膜１０２に印加するＤＣ電圧を変化
させながら観察した実験結果を示す図である。図３
（ａ）はその電圧変化に対する視認性の善し悪しを示す
図、図３（ｂ）はそのときの液晶パネルの表示状態であ
る。この結果から、金属遮光膜１０２にほぼ−１０Ｖ以
下の電位を与えることで縦クロストークが抑制できるこ
とを示している。このように、金属遮光膜１０２に常時
適正なＤＣを印加することで、信号線１０６の画素電極
１０７への変調効果を抑制でき、縦クロストークを抑制
し表示品位が改善される。
側基板１に形成された金属遮光膜１０２に常時一定のＤ
Ｃを印加している。図３はこの液晶パネルの黒ベタ画面
に白ウインドウを表示した時に発生する縦クロストーク
の程度を、金属遮光膜１０２に印加するＤＣ電圧を変化
させながら観察した実験結果を示す図である。図３
（ａ）はその電圧変化に対する視認性の善し悪しを示す
図、図３（ｂ）はそのときの液晶パネルの表示状態であ
る。この結果から、金属遮光膜１０２にほぼ−１０Ｖ以
下の電位を与えることで縦クロストークが抑制できるこ
とを示している。このように、金属遮光膜１０２に常時
適正なＤＣを印加することで、信号線１０６の画素電極
１０７への変調効果を抑制でき、縦クロストークを抑制
し表示品位が改善される。
【００１３】また、この実施形態では、金属遮光膜１０
２をＴＦＴ側基板１上に設けているために、ＴＦＴ側基
板１において生じる光洩れ領域に対する設置マージンを
露光アライメント精度程度に抑えることができ、これに
より金属遮光膜１０２の平面面積を低減し、液晶パネル
の開口率が向上される。
２をＴＦＴ側基板１上に設けているために、ＴＦＴ側基
板１において生じる光洩れ領域に対する設置マージンを
露光アライメント精度程度に抑えることができ、これに
より金属遮光膜１０２の平面面積を低減し、液晶パネル
の開口率が向上される。
【００１４】図４は本発明の第２の実施形態の断面図で
ある。この実施形態では、金属遮光膜１０２Ａを、映像
信号線１０６に対してはその両脇においてのみ平面上で
一部重なる形態、すなわち映像信号線１０６と共通電極
１０４との間のみを遮光すべく形成している点が第１の
実施形態とは相違しており、その他の構成は第１の実施
形態と同じであり、同一部分には同一符号を付してい
る。そして、この実施形態においても、金属遮光膜１０
２に対して一定のＤＣ電圧を印加させている。
ある。この実施形態では、金属遮光膜１０２Ａを、映像
信号線１０６に対してはその両脇においてのみ平面上で
一部重なる形態、すなわち映像信号線１０６と共通電極
１０４との間のみを遮光すべく形成している点が第１の
実施形態とは相違しており、その他の構成は第１の実施
形態と同じであり、同一部分には同一符号を付してい
る。そして、この実施形態においても、金属遮光膜１０
２に対して一定のＤＣ電圧を印加させている。
【００１５】図５にこの第２実施形態の実験結果を示
す。この実験は黒ベタ画面に白ウインドウを表示した時
に発生する縦クロストークの程度を金属遮光膜１０２の
電位を変化させながら観察したものである。この結果で
は、金属遮光膜１０２に−１５Ｖ以下の電位を与えるこ
とで、縦クロストークが抑制できることを示している。
この第２の実施形態では、第１の実施形態に比較して金
属遮光膜１０２と映像信号線１０６のオーバラップ面積
が小さいため、結合容量が小さく、大型のパネルの場合
に問題となる信号電圧パルスの遅延に対して有利であ
る。また、光洩れに対する設置マージンが小さくでき、
液晶パネルの開口率が第１の実施形態と同等に向上でき
ることは言うまでもない。
す。この実験は黒ベタ画面に白ウインドウを表示した時
に発生する縦クロストークの程度を金属遮光膜１０２の
電位を変化させながら観察したものである。この結果で
は、金属遮光膜１０２に−１５Ｖ以下の電位を与えるこ
とで、縦クロストークが抑制できることを示している。
この第２の実施形態では、第１の実施形態に比較して金
属遮光膜１０２と映像信号線１０６のオーバラップ面積
が小さいため、結合容量が小さく、大型のパネルの場合
に問題となる信号電圧パルスの遅延に対して有利であ
る。また、光洩れに対する設置マージンが小さくでき、
液晶パネルの開口率が第１の実施形態と同等に向上でき
ることは言うまでもない。
【００１６】なお、前記各実施形態では、本発明をカラ
ー液晶表示装置に適用しているが、単一色表示の液晶表
示装置においても同様に適用できることは言うまでもな
い。
ー液晶表示装置に適用しているが、単一色表示の液晶表
示装置においても同様に適用できることは言うまでもな
い。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、ＩＰＳ方
式の液晶表示装置において、映像信号線側に前記共通電
極を配置した構造を有し、少なくとも前記映像信号線沿
いに形成された金属遮光膜に所定の電位を印加すること
により、視野角特性が良好であるとともに、クロストー
クが抑制され、しかも金属遮光膜の配置マージンを小さ
くしてその面積の縮小化を図ることで、開口率が高めら
れ、これらにより表示品位の高い液晶表示装置を得るこ
とができる。
式の液晶表示装置において、映像信号線側に前記共通電
極を配置した構造を有し、少なくとも前記映像信号線沿
いに形成された金属遮光膜に所定の電位を印加すること
により、視野角特性が良好であるとともに、クロストー
クが抑制され、しかも金属遮光膜の配置マージンを小さ
くしてその面積の縮小化を図ることで、開口率が高めら
れ、これらにより表示品位の高い液晶表示装置を得るこ
とができる。
【図１】本発明の第１の実施形態の要部の断面図であ
る。
る。
【図２】図１の平面図である。
【図３】第１の実施形態における金属遮光膜への印加電
圧とその視認性の関係を示す図である。
圧とその視認性の関係を示す図である。
【図４】本発明の第２の実施形態の要部の断面図であ
る。
る。
【図５】第２の実施形態における金属遮光膜への印加電
圧とその視認性の関係を示す図である。
圧とその視認性の関係を示す図である。
【図６】従来の液晶表示装置の一部の断面図である。
【図７】図６の平面図である。
１，１Ａ ＴＦＴ側基板 ２ 対向側基板 ３ 液晶 １０１ ＴＦＴ側ガラス基板 １０２，１０２Ａ 金属遮光膜 １０４ 共通電極 １０６ 映像信号線 １０７ 画素電極 １０９ ＴＦＴ側配向膜 １１０ ＴＦＴ側偏光板 １１１ 走査信号線 １１２ 半導体層 １１３ 薄膜トランジスタ（ＴＦＴ） ２０１ 対向側ガラス基板 ２０２ 色層 ２０４ 対向側配向膜 ２０５ 対向側偏光板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平７−159786（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−239480（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−201773（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−136931（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−201847（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−271919（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−15650（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G02F 1/136 G02F 1/1335 G02F 1/133 G09F 9/30 G09G 3/36
Claims (4)
- 【請求項１】 共通電極、画素電極、映像信号線、走査
信号線およびスイッチング素子としての薄膜トランジス
タ（ＴＦＴ）等が形成されたＴＦＴ側基板と、これに対
向する対向側基板との間に液晶層を形成してなる液晶表
示装置において、前記基板の表面に平行な電界を印加す
るために交互に配設される前記共通電極と画素電極と
が、共に前記映像信号線とほぼ平行であり、かつ前記映
像信号線側に前記共通電極を配置した構造を有し、少な
くとも前記映像信号線沿いに形成された金属遮光膜に所
定の電位を印加することを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２】 前記ＴＦＴ側基板は、ＴＦＴ側ガラス基
板の表面に金属遮光膜が形成され、前記金属遮光膜と第
１の絶縁膜を介して前記共通電極と前記走査信号線が形
成され、前記共通電極と第２の絶縁膜を介して前記映像
信号線と前記画素電極が形成され、前記画素電極と第３
の絶縁膜を介して配向膜が形成され、かつ前記ガラス基
板の裏面に偏光板が形成され、前記対向側基板は、対向
側ガラス基板の表面に配向膜が形成され、その裏面に偏
光板が形成され、前記各ガラス基板の配向膜を微小間隔
で対向配置し、これらガラス基板の間に前記液晶層を形
成した請求項１に記載の液晶表示装置。 - 【請求項３】 前記金属遮光膜は、前記映像信号線の全
平面を覆う領域に形成されてなる請求項１または２に記
載の液晶表示装置。 - 【請求項４】 前記金属遮光膜は、前記映像信号線と隣
接する前記共通電極との間のみを遮光するように形成さ
れてなる請求項１または２に記載の液晶表示装置。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8230596A JP2937131B2 (ja) | 1996-08-30 | 1996-08-30 | 液晶表示装置 |
| US08/921,012 US6038007A (en) | 1996-08-30 | 1997-08-29 | In-plane type liquid crystal display apparatus with increased numerical aperture |
| KR1019970044696A KR100311266B1 (ko) | 1996-08-30 | 1997-08-30 | 늘어난개구수를갖는인플레인형액정표시장치 |
| TW086112428A TW357278B (en) | 1996-08-30 | 1997-08-30 | In-plane type liquid crystal display apparatus with increased numerical aperture |
| DE69734697T DE69734697T2 (de) | 1996-08-30 | 1997-09-01 | In-der-Ebene-Typ Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung mit höher numerischer Apertur |
| EP97115115A EP0827010B1 (en) | 1996-08-30 | 1997-09-01 | In-plane type liquid crystal display apparatus with increased numerical aperture |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8230596A JP2937131B2 (ja) | 1996-08-30 | 1996-08-30 | 液晶表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1073844A JPH1073844A (ja) | 1998-03-17 |
| JP2937131B2 true JP2937131B2 (ja) | 1999-08-23 |
Family
ID=16910229
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8230596A Expired - Lifetime JP2937131B2 (ja) | 1996-08-30 | 1996-08-30 | 液晶表示装置 |
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|---|---|
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| EP (1) | EP0827010B1 (ja) |
| JP (1) | JP2937131B2 (ja) |
| KR (1) | KR100311266B1 (ja) |
| DE (1) | DE69734697T2 (ja) |
| TW (1) | TW357278B (ja) |
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| KR100482458B1 (ko) * | 1997-12-08 | 2005-08-10 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 박막트랜지스터액정표시소자및그제조방법 |
| JP3267224B2 (ja) * | 1997-12-26 | 2002-03-18 | 日本電気株式会社 | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
| JP3042491B2 (ja) * | 1998-03-20 | 2000-05-15 | 日本電気株式会社 | 液晶表示パネルおよび液晶表示装置 |
| JP3156671B2 (ja) * | 1998-07-24 | 2001-04-16 | 日本電気株式会社 | 液晶表示パネル |
| JP3099812B2 (ja) * | 1998-07-30 | 2000-10-16 | 日本電気株式会社 | 液晶表示装置 |
| JP2001228457A (ja) * | 1999-12-08 | 2001-08-24 | Sharp Corp | 液晶表示装置 |
| JP2004053896A (ja) * | 2002-07-19 | 2004-02-19 | Sharp Corp | 表示装置 |
| JP4174428B2 (ja) * | 2004-01-08 | 2008-10-29 | Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 | 液晶表示装置 |
| KR101049001B1 (ko) * | 2004-05-31 | 2011-07-12 | 엘지디스플레이 주식회사 | 횡전계 방식(ｉｐｓ)의 컬러필터 온박막트랜지스터(ｃｏｔ) 구조의 액정표시장치 |
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|---|---|---|---|---|
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| JPH10325961A (ja) * | 1994-03-17 | 1998-12-08 | Hitachi Ltd | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
| JPH08136931A (ja) * | 1994-11-10 | 1996-05-31 | Nec Corp | 液晶表示素子 |
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| JP2770763B2 (ja) * | 1995-01-31 | 1998-07-02 | 日本電気株式会社 | アクティブマトリクス液晶表示装置 |
| JPH08271919A (ja) * | 1995-03-31 | 1996-10-18 | Hitachi Ltd | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
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| JPH09156050A (ja) * | 1995-12-08 | 1997-06-17 | Dainippon Printing Co Ltd | 包装用材料およびそれを使用した包装用容器 |
-
1996
- 1996-08-30 JP JP8230596A patent/JP2937131B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1997
- 1997-08-29 US US08/921,012 patent/US6038007A/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-08-30 KR KR1019970044696A patent/KR100311266B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1997-08-30 TW TW086112428A patent/TW357278B/zh not_active IP Right Cessation
- 1997-09-01 DE DE69734697T patent/DE69734697T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1997-09-01 EP EP97115115A patent/EP0827010B1/en not_active Expired - Lifetime
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| EP0827010B1 (en) | 2005-11-23 |
| EP0827010A2 (en) | 1998-03-04 |
| TW357278B (en) | 1999-05-01 |
| DE69734697D1 (de) | 2005-12-29 |
| DE69734697T2 (de) | 2006-08-17 |
| JPH1073844A (ja) | 1998-03-17 |
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| US6038007A (en) | 2000-03-14 |
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