JP3037547B2 - 導電性組成物、導電体及びその形成方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は導電性組成物、該導電性
組成物から形成された導電体およびその製造法に関する
ものである。本発明の導電性組成物は、塗布、スプレ
ー、キャスト、ディップ等の簡便な手法によって各種帯
電防止用途に適応可能である。また、前記組成物より得
られる本発明の導電体は、半導体、電器電子部品などの
工業用包装材料、オーバーヘッドプロジェクタ用フィル
ム、スライドフィルムなどの電子写真記録材料等の帯電
防止フィルム、オーディオテープ、ビデオテープ、コン
ピュータ用テープ、フロッピィディスクなどの磁気記録
用テープの帯電防止、更に透明タッチパネル、エレクト
ロルミネッセンスディスプレイ、液晶ディスプレイなど
の入力及び表示デバイス表面の帯電防止や透明電極とし
て利用される透明導電性フィルムあるいは透明導電性ガ
ラスなどとして使用することができる。

【０００２】

【従来の技術と問題点】従来、導電性組成物の導電成分
として７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン（Ｔ
ＣＮＱ）錯塩、ポリアニリンなどの導電性ポリマー、金
属系粉末やカーボン粉末、界面活性剤を用いたもの、お
よびこれらの成分と高分子化合物とを組み合わせたもの
が知られている。また、導電体としては、前記組成物か
らなる導電性塗料を用いて基材上に形成した導電体が知
られている。例えば、プラスチックフィルムまたはガラ
スなどの基材にイオンビームスッパタ装置や真空蒸着装
置を用いて、金、白金などの金属薄膜または酸化インジ
ウム・すず（ＩＴＯ）などの金属酸化物薄膜を形成する
方法は、透明性及び導電性に優れている導電体が得られ
ることが知られている。しかし、その薄膜を形成させる
ために用いられる装置が高価であり、しかも材料として
用いられる金、白金などの貴金属やＩＴＯなども高価で
あるため、得られる導電体も高価になってしまうという
問題がある。ＴＣＮＱを用いる電子電導性の高分子導電
体としては、第４級窒素カチオン性基を有する高分子化
合物とＴＣＮＱとからなる高分子電導体が知られている
が、溶剤に対する溶解性が非常に悪く、ジメチルホルム
アミド等の特殊な溶剤にのみ可溶なものが多く、ワニス
として適するとは言い難い。また、高分子化合物中にＴ
ＣＮＱの有機低分子錯塩を配合した導電性高分子組成物
を電気絶縁性高分子フィルム表面にこの配合物を形成さ
せることによって透明導電化する方法（特開昭６３−２
７６８１５号公報、特開平１−２１０４７０号公報）が
提案されている。この方法によって得られる導電体は、
高分子化合物中にＴＣＮＱ錯塩の結晶が成長し、それら
が重なり合うほど導電性が向上すると考えられている
が、この結晶成長の状態が溶剤の揮発速度や乾燥時の温
度分布に影響を受け易く、単位面積当たりの導電経路数
が不均一となることから表面抵抗のばらつきが大きく、
均一の表面抵抗が得られない。しかも、高温（例えば１
４０℃加熱）または高温高湿（例えば６０℃、９５％Ｒ
Ｈ）の条件下において、結晶の結合点が少しでも劣化す
ると、その導電経路が著しく減少して導電性が大幅に減
少するという問題がある。

【０００３】ドープされたポリアニリン（導電性ポリマ
ー）は良く知られているがほとんどの全ての溶剤に不溶
であり成形、加工に難点がある。また、アニリンを電解
酸化重合する方法〔特開昭６０−２３５８３１号公報、
Ｊ． Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｓｃｉ．， Ｐｏｌｙｍｅｒ
Ｃｈｅｍ． Ｅｄ．， ２６， １５３１（１９８
８）〕は電極上にポリアニリンのフィルムを形成するこ
とが可能であるが、単離操作が煩雑になること及び大量
合成が困難であるという問題がある。一方、アニリンの
化学酸化重合によって得られた脱ドープ状態のポリアニ
リンと酸解離定数ｐＫａが４．８以下であるプロトン酸
のアンモニウム塩からなる導電性組成物（特開平３−２
８５９８３号公報）が報告されているが、脱ドープ状態
のポリアニリンはＮ−メチル−２−ピロリドンなどの特
殊な溶媒にのみ可溶であるためワニスとして適するとは
言い難い。また、近年ドープ剤を添加することなく導電
性を発現するアルカリ可溶性のスルホン化ポリアニリン
と高分子化合物からなる導電性組成物（ＵＳ５１０９７
０）が報告されている。しかし、用いられる高分子化合
物が有機溶剤への溶解性が極めて低いポリ（１，４−ベ
ンゾアミド）樹脂、ポリイミド樹脂などであり、溶剤と
して硫酸などを用いているためワニスとして大きな問題
が残る。

【０００４】更に、上記導電性組成物などは有機溶剤を
用いているが、これらが引火性、爆発性などの性質を有
する危険物の場合、作業環境の安全性などの問題があ
る。更に、毒性による人体に対する安全性や地球環境問
題の高まりとともに人体や環境に影響を及ぼす種々の有
機溶剤への規制が高まっており、導電性組成物の安全性
も重要な課題になっている。

【０００５】また、カーボン粉末や金属粉末と高分子化
合物からなる導電性組成物から形成した導電体は、塗膜
の耐久性に優れるが透明性に欠けるという問題がある。
さらにアニオン系、カチオン系、非イオン系、両性など
の半透明な界面活性剤などをプラスチックフィルム中に
練り込んだり、プラスチックフィルム表面にコーティン
グすることにより、親水性とイオン性を与えてフィルム
表面に導電性を付与したものが知られている。しかし、
この方法で得られる導電体はイオン導電性のため、その
導電性が大気中の湿度の影響を受け易く、なおかつ単位
面積当たりの表面抵抗値が１０⁸Ω／□以下の導電性を
得ることができないという問題がある。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記の従来
技術の諸々の問題を解決するためになされたものであ
り、溶剤として水が使用可能であり、湿度依存性がなく
高い導電性を発現し成膜性、成形性、透明性に優れた導
電性組成物、および該組成物を利用して湿度依存性がな
く高い導電性を発現し、表面抵抗のばらつきが小さく、
成膜性、成形性、透明性に優れた導電性高分子膜を形成
させて得られる導電体及びその形成方法を提供すること
にある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明の第１の特徴は、
スルホン基を全芳香環に対して１５〜８０％の割合で含
有するアニリン系導電性ポリマー類（ａ）、水溶性高分
子化合物及び水系でエマルジョンを形成する高分子化合
物よりなる群から選ばれた少なくとも一種の高分子化合
物（ｂ）、水（ｃ）とアミン類及び第四級アンモニウム
塩類よりなる群から選ばれた少なくとも一種の含窒素化
合物（ｄ）を含有することを特徴とする導電性エマルジ
ョン組成物にある。

【０００８】本発明の第２の特徴は、アニリン、Ｎ−ア
ルキルアニリンおよびフェニレンジアミン類よりなる群
から選ばれた少なくとも１種の化合物（Ａ）と、アルコ
キシ基置換アミノベンゼンスルホン酸類（Ｂ）とを共重
合させたことにより得られたスルホン基を全芳香環に対
して１５〜８０％の割合で含有するアニリン系導電性ポ
リマー（ｆ）、水溶性高分子化合物及び水系でエマルジ
ョンを形成する高分子化合物よりなる群から選ばれた少
なくとも一種の高分子化合物（ｂ）、水（ｃ）とアミン
類及び第四級アンモニウム塩類よりなる群から選ばれた
少なくとも一種の含窒素化合物（ｄ）を含有することを
特徴とする導電性組成物にある。また本発明の第３の特
徴は、前記第１または第２の導電性組成物を成膜、ある
いは基材の少なくとも一つの面上に、塗布し該導電性高
分子組成物を成膜した後、常温で放置あるいは加熱処理
し、（ｃ）および（ｄ）成分を揮発除去させることによ
り得られる導電体、およびその製造法にある。

【０００９】前記透明導電性高分子膜の処理としては、
常温で放置することにより行うこともできるが、加熱処
理により残留する（ｃ）および（ｄ）成分の量をより低
下することができるため導電性がさらに良くなる（抵抗
値が小さくなる）ので好ましい。使用用途により異なる
が、導電体に残留する（ｄ）成分の量は導電膜１０重量
部に対して２重量部以下、好ましくは１重量部以下とす
るのがよい。また（ｃ）成分も実質的に存在しない方が
良い。加熱処理としては、２５０℃以下、好ましくは４
０〜２００℃の範囲の加熱が好ましい。２５０℃より高
いと、（ａ）成分の劣化により導電性が低下することが
ある。

【００１０】以下本発明の導電性組成物および該導電性
組成物より形成した導電体ならびにその製造法について
詳細に説明する。本発明の前記導電性組成物および導電
体を構成する前記のスルホン基を含むアニリン系導電性
ポリマー類（ａ）または（ｆ）の例としては、下式
（Ｉ）の構造式で示される化合物、もしくはこの繰り返
し単位を部分構造として有する化合物が挙げられる。

【００１１】

【化１】 （式中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷又はＲ⁸は
それぞれ水素、スルホン酸基およびアルコキシ基よりな
る群から選ばれ、Ｒ′は水素又は炭素数１〜４のアルキ
ル基、ベンゼンスルホン酸基およびベンゼンカルボン酸
基よりなる群から選ばれる。ｘは０〜１の任意の数を表
す。）

【００１２】前式（Ｉ）の構造式で示される化合物とし
ては、具体的には例えば日本化学会誌、１９８５，１１
２４、特開昭６１−１９７６３３号公報、特開平１−３
０１７１４号公報、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１
９９０，１２２，２８００．、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓ
ｏｃ．，１９９１，１１３，２６６５−２６６６．及び
ＷＯ．９１０６８８７に記載されている種々のスルホン
化ポリアニリン類を用いることができる。また、該ポリ
アニリン化合物は各種合成法によって得られるものを用
いることができるが例えばアニリン、Ｎ−アルキルアニ
リン及びフェニレンジアミン類よりなる群から選ばれた
少なくとも一種の化合物と、アミノアニソールスルホン
酸のようなアルコキシ基置換アミノベンゼンスルホン酸
類とを共重合させて得られる共重合体（以下、前者の共
重合という）、あるいはアニリン、Ｎ−アルキルアニリ
ン及びフェニレンジアミン類よりなる群から選ばれた少
なくとも一種の化合物と、ｏ−，ｍ−，及び／又はｐ−
アミノベンゼンスルホン酸類とを共重合させ、更にスル
ホン化剤によりスルホン化してスルホン化度で調節して
得られる共重合体（以下、後者の共重合という）が好ま
しく用いられる。

【００１３】前記Ｎ−アルキルアニリンとしては、Ｎ−
メチルアニリン、Ｎ−エチルアニリン、Ｎ−ｎプロピル
アニリン、Ｎ−ｉｓｏプロピルアニリン、Ｎ−ブチルア
ニリン等を挙げることができ、フェニレンジアミン類と
しては、フェニレンジアミン、Ｎ−フェニルフェニレン
ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニルフェニレンジアミン、
Ｎ−アミノフェニル−Ｎ’−フェニルフェニレンジアミ
ン等を挙げることができる。アニリン、Ｎ−アルキルア
ニリン及びフェニレンジアミン類は、それぞれ単独ある
いは混合して用いられる。Ｎ−アルキルアニリンのアニ
リン及び／又はフェニレンジアミン類に対して用いられ
る割合（重量）は、アニリン及び／又はフェニレンジア
ミン類の合計量１００に対してＮ−アルキルアニリン０
〜３０が好都合である。Ｎ−アルキルアニリンの割合が
多すぎる場合は、水に対する溶解性が低下し、また導電
性が劣る傾向が認められる。アニリンとフェニレンジア
ミン類は、それぞれ単独で用いられるか、任意の割合で
混合して用いられる。

【００１４】前記のスルホン基を含むアニリン系導電性
ポリマー類（ａ）は、スルホン基が芳香環に対して１５
〜８０％、好ましくは２０〜７５％の範囲で含まれ、し
かもスルホン基を含む芳香環と有さない芳香環が適当に
混在して結合しているものが好ましく、交互に並んだ構
造を持つものがより好ましい。ここで、スルホン基の含
有率が１５％未満であると溶解性が不十分であるため得
られる膜の導電性が低下し、一方、８０％を超える場合
も導電性が低下する傾向が認められる。

【００１５】以下、前者の共重合について説明する。前
者の共重合において、アルコキシ基置換アミノベンゼン
スルホン酸類（Ｂ）としては、もっとも代表的なのがア
ミノアニソールスルホン酸類であり、アミノアニソール
スルホン酸類は、２−アミノアニソール−３−スルホン
酸、２−アミノアニソール−４−スルホン酸、２−アミ
ノアニソール−５−スルホン酸、２−アミノアニソール
−６−スルホン酸、３−アミノアニソール−２−スルホ
ン酸、３−アミノアニソール−４−スルホン酸、３−ア
ミノアニソール−５−スルホン酸、３−アミノアニソー
ル−６−スルホン酸、４−アミノアニソール−２−スル
ホン酸、４−アミノアニソール−３−スルホン酸などを
挙げることができる。また、アニソールのメトキシ基
が、エトキシ基、プロポキシ基などの他のアルコキシ基
に置換されたものも用いることができる。しかしなが
ら、２−アミノアニソール−３−スルホン酸、２−アミ
ノアニソール−４−スルホン酸、２−アミノアニソール
−６−スルホン酸、３−アミノアニソール−２−スルホ
ン酸、３−アミノアニソール−４−スルホン酸、３−ア
ミノアニソール−５−スルホン酸が特に好ましく用いら
れる。

【００１６】重合に用いるアニリン、Ｎ−アルキルアニ
リン及びフェニレンジアミン類よりなる（Ａ）グループ
モノマーとアミノアニソールスルホン酸類で代表される
アルコキシ基置換アミノベンゼンスルホン酸類よりなる
（Ｂ）グループモノマーとの重量比は、Ａ：Ｂ＝８：２
〜１：９、好ましくはＡ：Ｂ＝７：３〜２：８が用いら
れる。アミノアニソールスルホン酸類で代表されるアル
コキシ基置換アミノベンゼンスルホン酸類（Ｂ）はそれ
ぞれ単独で用いるか、異性体が任意の割合で混合したも
のを用いても良い。ここでアルコキシ基置換アミノベン
ゼンスルホン酸類（Ｂ）の割合が少ない場合は、アルコ
キシ基置換アミノベンゼンスルホン酸類の導入割合が低
くなり、溶剤に対する溶解性が低下する傾向があり、多
い場合は、アルコキシ基置換アミノベンゼンスルホン酸
類の導入割合が高くなり導電性の低下する傾向がある。

【００１７】共重合は、酸性溶媒中、酸化剤で酸化重合
することにより行うことができる。重合操作は、−５〜
７０℃の温度範囲で行うのが好ましく、更に好ましくは
０〜６０℃の範囲が適用される。ここで、−５℃以下で
は、共重合体の溶剤に対する溶解性が低下する傾向があ
り、７０℃以上では、導電性が低下する傾向がある。

【００１８】反応に使用する溶媒は、水、メタノール、
エタノール、イソプロパノール、アセトニトリル、メチ
ルイソブチルケトン、ジメチルホルムアミド、ジメチル
アセトアミドなどが好ましく用いられる。

【００１９】また、酸化剤は、ペルオキソ二硫酸アンモ
ニウム、過酸化水素等が用いられ、モノマー１モルに対
して０．１〜５モル、好ましくは０．５〜５モル用いら
れる。酸は、硫酸、塩酸及び、ｐ−トルエンスルホン酸
等又はそれらの混合物が用いられ、酸の濃度は０．１〜
３ｍｏｌ／ｌ、好ましくは０．２〜２ｍｏｌ／ｌの範囲
で用いられる。またこの際、触媒として鉄、銅などの遷
移金属を添加することも有効である。

【００２０】ここで、アニリン及び／又はＮ−アルキル
アニリンとアルコキシ基置換アミノベンゼンスルホン酸
類との共重合体は、スルホン酸基の導入割合が芳香環に
対して２５〜４０％であり、フェニレンジアミン、Ｎ−
フェニレンジアミン等のフェニレンジアミン類を用いた
場合に比較して、一般的にスルホン基の導入割合が低く
なるが導電性は良い傾向がある。一方、フェニレンジア
ミン、Ｎ−フェニレンジアミン等のフェニレンジアミン
類とアルコキシ基置換アミノベンゼンスルホン酸類との
共重合体は、スルホン基の導入割合が芳香環に対して２
５〜５０％と高く、溶解性が良い傾向がある。

【００２１】かくして得られた同一芳香環にアルコキシ
基とスルホン酸基を有するアニリン系導電性ポリマーの
平均重量分子量は、３００〜５００,０００である。ま
た、アルコキシ基及びスルホン酸基は全芳香環に対し２
５〜５０％の含有量であり、更にスルホン化操作を施す
ことなくアンモニア及びアルキルアミン等の塩基を含む
水又は有機溶剤もしくはそれらの混合物に溶解すること
ができる。

【００２２】以下、後者の共重合について説明する。後
者の共重合において、アミノベンゼンスルホン酸類
（Ｃ）は、ｏ−、ｍ−、ｐ−いずれも用いることが可能
である。ｏ−アミノベンゼンスルホン酸またはｍ−アミ
ノベンゼンスルホン酸とアニリンとの共重合体について
は、既にＪ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１９９１，１
１３，２６６７頁及び特開平１−３０１７１４号公報に
記載されているが、本発明者らは、ｐ−アミノベンゼン
スルホン酸とアニリンも共重合することを見い出した。
なお、ｐ−アミノベンゼンスルホン酸とアニリンとの共
重合体は、従来知られている直鎖状の重合体（ｐ位での
結合の繰り返し）とは異なる重合体が得られる。

【００２３】重合に用いるアニリン、Ｎ−アルキルアニ
リンおよびフェニレンジアミン類よりなるＡグループモ
ノマーとアミノベンゼンスルホン酸類よりなるＣグルー
プモノマーとのモル比は、Ａグループモノマーの合計量
１００重量部に対してＣグループモノマー１０〜５００
重量部が用いられる。アミノベンゼンスルホン酸類は、
ｏ−、ｍ−、ｐ−それぞれ単独で用いられるか、任意の
割合で混合して用いられる。

【００２４】共重合体は、酸性溶媒中、酸化剤で酸化重
合することにより得ることができる。溶媒は、水、メタ
ノール、エタノール、イソプロパノール、アセトニトリ
ル、メチルイソブチルケトン、メチルエチルケトン、ジ
メチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド等が好まし
く用いられる。また、酸化剤は、過硫酸アンモニウム、
過酸化水素等が好ましく用いられ、モノマー１モルに対
して０．１〜１０モル、好ましくは０．５〜５モル用い
られる。酸は、硫酸、塩酸及びｐ−トルエンスルホン酸
等またはそれらの混合物が好ましく用いられ、酸の濃度
は０．１〜５モル／リットル、好ましくは０．２〜３モ
ル／リットルの範囲で用いられる。反応温度は、７０℃
以下で行うのが好ましく、−２０℃〜５０℃の範囲で行
うのがより好ましい。ここで、アニリンおよび／または
Ｎ−アルキルアニリンとアミノベンゼンスルホン酸類と
の共重合体は、一般的にスルホン基の導入割合が芳香環
に対して１０〜２５％と低く、導電性及び溶解性が不十
分である。しかし、フェニレンジアミン類とアミノベン
ゼンスルホン酸類との共重合体は、スルホン基の導入割
合が芳香環に対して２５〜４０％と高くなる傾向があ
り、導電性及び溶解性とも良好なスルホン化ポリアニリ
ンが得られる。

【００２５】得られた共重合体は、無溶媒中又は溶媒中
でスルホン化剤によりスルホン化される。フェニレンジ
アミン類とアミノベンゼンスルホン酸類との共重合体は
もちろんのこと、アニリンおよび／またはＮ−アルキル
アニリンとアミノベンゼンスルホン酸との共重合体は、
既に芳香環の一部にスルホン基を有しているため、ポリ
アニリンと比較してスルホン化剤及び溶媒に対する溶解
性が高く、操作性が向上し、反応がスムースに進行する
ためかスルホン基の導入割合が高くなるという利点があ
る。スルホン化剤は、濃硫酸、発煙硫酸、三酸化硫黄及
び三酸化硫黄錯体等が好ましく用いられる。濃硫酸及び
発煙硫酸を用いてスルホン化する場合は無溶媒中で、三
酸化硫黄及び三酸化硫黄錯体を用いる場合は溶媒中で反
応するのが好ましい。溶媒は、ジメチルホルムアミド、
ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、Ｎ−メ
チルピロリドン、ピリジン等が好ましく用いられる。濃
硫酸及び発煙硫酸は、共重合体１ｇに対して１０〜２０
０ｇ、好ましくは２０〜１００ｇの範囲で用いられる。
また、三酸化硫黄及び三酸化硫黄錯体は、共重合体１ｇ
に対して１〜１００ｇ、好ましくは５〜５０ｇ用いられ
る。溶媒は、共重合体１ｇに対して１０〜３００ｇ、好
ましくは２０〜２００ｇ用いられる。反応温度は、２０
０℃以下が好ましく、０〜１００℃が更に好ましい。得
られたスルホン化物は、スルホン基の導入割合が芳香環
に対して４０〜８０％へと増加する。

【００２６】かくして得られたスルホン化ポリアニリン
は、３００〜５００,０００の平均重量分子量を有し、
アンモニア及びアルキルアミン等の塩基又は酢酸アンモ
ニウム、シュウ酸アンモニウム等の前記塩基のカチオン
を含む水又はメチルアルコール、エチルアルコール、イ
ソプロピルアルコール等の溶媒又はそれらの混合物に溶
解することができる。

【００２７】導電体におけるスルホン基を含むアニリン
系導電性ポリマー類（ａ）または（ｆ）と高分子化合物
（ｂ）の比率は、（ａ）または（ｆ）／（ｂ）＝０．０
２５／１００〜１００／０．５ であり、好ましくは、
（ａ）または（ｆ）／（ｂ）＝０．１５ ／１００〜１
００／１ である。アニリン系導電性ポリマー類
（ａ）または（ｆ）が、この比率以外の場合、導電性の
低下や平坦性及び透明性が悪化する。高分子化合物
（ｂ）が、この比率以外の場合は、膜の硬度、耐摩耗
性、導電性などが低下したり、基板との接着性が悪化す
る。また、前記成分（ａ）と（ｃ）の使用割合は、
（ｃ）１００重量部に対して０．１〜２０重量部であ
り、好ましくは０．５〜１５重量部である。成分（ａ）
の割合が０．１重量部未満では導電性が劣ることにな
り、一方２０重量部を超えると溶解性、平坦性、及び透
明性が悪くなるとともに導電性はピークに達しており増
加しない。

【００２８】本発明に用いられる組成物の構成成分
（ｃ）水は単独でも用いられるが、水と相溶性のある有
機溶媒の一種以上を任意の割合で混合して用いることも
できる。有機溶媒は、メタノール、エタノール、プロパ
ノール、イソプロパノールなどのアルコール類、アセト
ン、メチルイソブチルケトンなどのケトン類、メチルセ
ロソルブ、エチルセロソルブなどのセロソルブ類、メチ
ルプロピレングリコール、エチルプロピレングリコール
などのプロピレングリコール類、ジメチルホルムアミ
ド、ジメチルアセトアミドなどのアミド類、Ｎ−メチル
ピロリドン、Ｎ−エチルピロリドンなどのピロリドン類
などを挙げることができる。用いられる割合は、水／有
機溶媒＝１／１００〜１００／０が好ましい。

【００２９】本発明の導電性組成物および導電体の構成
成分（ｂ）はそれぞれ単独でも用いられるが、二種以上
の任意の割合で混合したものであってもよい。水溶性高
分子化合物は、ポリビニルアルコール、ポリビニルホル
マール、ポリビニルブチラールなどのポリビニルアルコ
ール類、ポリアクリルアマイド、ポリ（Ｎ−ｔ−ブチル
アクリルアマイド）、ポリアクリルアマイドメチルプロ
パンスルホン酸などのポリアクリルアマイド類、ポリビ
ニルピロリドン類、水溶性アルキド樹脂、水溶性メラミ
ン樹脂、水溶性尿素樹脂、水溶性フェノール樹脂、水溶
性エポキシ樹脂、水溶性ポリブタジエン樹脂、水溶性ア
クリル樹脂、水溶性ウレタン樹脂、水溶性アクリル／ス
チレン共重合樹脂、水溶性酢酸ビニル／アクリル共重合
樹脂、水溶性ポリエステル樹脂、水溶性スチレン／マレ
イン酸共重合樹脂及びこれらの共重合体などが用いられ
る。水系でエマルジョンを形成する高分子化合物は、水
系アルキド樹脂、水系メラミン樹脂、水系尿素樹脂、水
系フェノール樹脂、水系エポキシ樹脂、水系ポリブタジ
エン樹脂、水系アクリル樹脂、水系ウレタン樹脂、水系
アクリル／スチレン共重合樹脂、水系酢酸ビニル／アク
リル共重合樹脂、水系ポリエステル樹脂、水系スチレン
／マレイン酸共重合樹脂、水系アクリル／シリカ樹脂及
びこれらの共重合体などが用いられる。

【００３０】成分（ｂ）高分子化合物の使用割合は成分
（ｃ）水１００重量部に対して０．１〜４００重量部で
あり、好ましくは０．５〜３００重量部である。０．１
重量部未満では成膜性、成形性、強度が劣ることにな
り、一方４００重量部を超えると成分（ａ）または
（ｆ）のスルホン基を含むアニリン系導電性ポリマー類
の溶解性が低下したり、導電性が劣ることになる。

【００３１】本発明で用いられる組成物の構成成分
（ｄ）の含窒素化合物は、例えば式（II）、式（III）
で表される化合物が用いられる。用いられるアミン類の
構造式を式（II）に示す。

【００３２】

【化２】 式中、Ｒ₁〜Ｒ₃は各々互いに独立に水素、炭素数１〜４
（Ｃ₁〜Ｃ₄）のアルキル基、ＣＨ₂ＯＨ、ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ
Ｈ、ＣＯＮＨ₂又はＮＨ₂を表す。更に用いられる四級ア
ンモニウム塩類の構造式を式（III）に示す。

【００３３】

【化３】 式中、Ｒ₁〜Ｒ₄は各々互いに独立に水素、炭素数１〜４
（Ｃ₁〜Ｃ₄）のアルキル基、ＣＨ₂ＯＨ、ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ
Ｈ、ＣＯＮＨ₂又はＮＨ₂を表し；Ｘ^-はＯＨ^-、１／２・
ＳＯ₄ ^2-、ＮＯ₃ ^-、１／２ＣＯ₃ ^2-、ＨＣＯ₃ ^-、１／２・
（ＣＯＯ）₂ ^2-、又はＲ′ＣＯＯ^-〔式中、Ｒ′は炭素数
１〜３（Ｃ₁〜Ｃ₃）のアルキル基である〕を表す。

【００３４】上記含窒素化合物成分（ｄ）は、これらの
アミン類とアンモニウム塩類を混合して用いることによ
り更に導電性を向上させることができる。具体的には、
ＮＨ₃／（ＮＨ₄）₂ＣＯ₃、ＮＨ₃／（ＮＨ₄）ＨＣＯ₃、
ＮＨ₃／（ＮＨ₄）ＨＣＯ₃、ＮＨ₃／ＣＨ₃ＣＯＯＮＨ₄、
ＮＨ₃／（ＮＨ₄）₂ＳＯ₄、Ｎ（ＣＨ₃）₃／（ＮＨ₄）Ｈ
ＣＯ₃、Ｎ（ＣＨ₃）₃／ＣＨ₃ＣＯＯＮＨ₄、Ｎ（ＣＨ₃）
₃／（ＮＨ₄）₂ＳＯ₄などが挙げられる。また、これらの
混合比は任意の割合で用いることができるが、アミン類
／アンモニウム塩類＝１／１０〜１０／０が好ましい。

【００３５】含窒素化合物成分（ｄ）の使合割合は成分
（ｃ）１００重量部に対して０．０１〜３０重量部、好
ましくは０．５〜２０重量部である。成分（ｄ）の割合
が０．０１重量部未満では成分（ａ）の溶解性が十分で
はなく、一方３０重量部を超えると溶液が強塩基性を示
し、成分（ａ）の分解が促進されるため導電性が劣るこ
ととなる。なお、溶液のｐＨは、含窒素化合物の濃度、
種類及び混合比率で任意に調節することができ、ｐＨ５
〜１２の範囲で用いることができる。

【００３６】本発明の導電性組成物は、前記成分（ａ）
または（ｆ）、（ｂ）、（ｃ）及び（ｄ）の成分のみで
も性能の良い膜を形成することが可能であるが、界面活
性剤（ｅ）を加えると更に平坦性、塗布性及び導電性な
どが向上する。界面活性剤（ｅ）は、アルキルスルホン
酸、アルキルベンゼンスルホン酸、アルキルカルボン酸
などの陰イオン界面活性剤、アルキルアミン、アルキル
四級アミンなどの陽イオン界面活性剤、カルボキシベン
ダイン、アミノカルボン酸などの両性界面活性剤、ポリ
オキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレン
ソルビタン脂肪酸エステルなどの非イオン界面活性剤及
びフルオロアルキルカルボン酸、パーフルオロアルキル
カルボン酸、パーフルオロアルキルベンゼンスルホン
酸、パーフルオロアルキルポリオキシエチレンエタノー
ルなどのフッ素系界面活性剤が用いられる。なお、界面
活性剤は二種以上用いても何らさしつかえない。

【００３７】構成成分（ｅ）の使用割合は、成分（ｃ）
水１００重量部に対して０〜１０重量部、好ましくは０
〜５重量部である。成分（ｅ）の割合が１０重量部を超
えると塗布性は向上するが、平坦性が低下したり、平坦
性は向上するが導電性が劣るなどの現象が生じる。さら
に本発明に用いられる導電性組成物には、必要に応じ
て、保存安定剤、接着助剤などを添加することができ
る。

【００３８】本発明による導電性組成物は、水（ｃ）に
スルホン基を全芳香環に対して１５〜８０％の割合で含
有するアニリン系導電性ポリマー類（ａ）または
（ｆ）、水溶性高分子化合物及び水系でエマルジョンを
形成する高分子化合物から選ばれた少なくとも一種の高
分子化合物（ｂ）およびアミン類及び第四級アンモニウ
ム塩類から選ばれた少なくとも一種の含窒素化合物
（ｄ）を添加し、室温下で又は加熱撹拌して完全に溶解
するか、又は混和して調製する。室温で固形分が析出す
る場合はろ別して用いる。また、本発明の導電体は、前
記のようにして調製した導電性組成物を基材に塗布する
ことにより形成することが可能である。これらの成分を
混合する際、スパイラルミキサー、プラネタリーミキサ
ー、ディスパーサー、ハイブリットミキサーなどのブレ
ード型撹拌混練装置が好適に用いられる。なお、この後
更にボールミル、振動ミル、サンドミル、ロールミルな
どのボール型混練装置を用いて分散溶解を徹底化するこ
とが望ましい。

【００３９】本発明の導電体の形成方法として用いられ
る導電性組成物は、一般の塗料に用いられる方法によっ
て基材の表面に加工される。例えばグラビアコーター、
ロールコーター、カーテンフローコーター、スピンコー
ター、バーコーター、リバースコーター、キスコータ
ー、ファンテンコーター、ロッドコーター、エアドクタ
ーコーター、ナイフコーター、ブレードコーター、キャ
ストコーティング、スクリーンコーティングなどの塗布
法、スプレーコーティングなどの噴霧法、ディップなど
の浸漬法などが用いられる。

【００４０】導電性組成物によって形成される透明導電
性高分子膜は、膜厚０．０１〜１０００μｍに成膜が可
能であるが、膜厚が大きいと透明導電性高分子膜の透明
性が低下するので、なるべく薄いことが要求され、好ま
しくは０．０１〜５００μｍの範囲、更に好ましくは
０．０２〜１００μｍの範囲とするのがよい。また、上
記の厚さの透明導電性高分子膜を得るためには、導電性
組成物の粘度を１０００ｃｐ以下、好ましくは１〜５０
０ｃｐの範囲とし、固形分量０．１〜８０重量％の範囲
とすることが好ましい。

【００４１】導電性組成物を塗工する基材としては、高
分子化合物、木材、紙材、セラミックス及びそのフィル
ムまたはガラス板などが用いられる。例えば高分子化合
物及びフィルムとしては、ポリエチレン、ポリ塩化ビニ
ル、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリエステル、Ａ
ＢＳ樹脂、ＡＳ樹脂、メタクリル樹脂、ポリブタジエ
ン、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリフッ化ビ
ニリデン、ポリアミド、ポリイミド、ポリアラミド、ポ
リフェニレンサルファイド、ポリエーテルエーテルケト
ン、ポリフェニレンエーテル、ポリエーテルニトリル、
ポリアミドイミド、ポリエーテルサルフォン、ポリサル
フォン、ポリエーテルイミド、ポリブチレンテレフタレ
ート及びそのフィルムなどがある。これらの高分子フィ
ルムは、少なくともその一つの面に透明導電性高分子膜
を形成させるため、該高分子膜の密着性を向上させる目
的で上記フィルム表面をコロナ表面処理またはプラズマ
処理することが好ましい。また、基材に透明導電性高分
子膜を形成した後の加熱処理は、２５０℃以下、好まし
くは４０〜２００℃の範囲で処理することにより導電体
が形成される。

【００４２】

【実施例】実施例１ アニリン１０重量部とｍ−アミノベンゼンスルホン酸１
８重量部を塩酸酸性条件下ペルオキソ二硫酸アンモニウ
ムで重合し、共重合体を合成した。この共重合体を発煙
硫酸６４０重量部で更にスルホン化し、スルホン化ポリ
アニリンを合成した。この化合物はＩＲスペクトル（図
２、１５００ｃｍ^-1付近：スルホン化ポリアニリンの骨
格、１１００ｃｍ^-1付近：スルホン基の吸収）において
スルホン化ポリアニリン特有の吸収が認められた。な
お、得られたスルホン化ポリアニリンのスルホン基の含
有量は４８％であった。上記スルホン化ポリアニリン２
重量部、水系でエマルジョンを形成するウレタン樹脂
「アデカボンタイター２３２」（旭電化工業（株）製）
５０重量部、アンモニア０．３重量部を水１００重量部
に室温で撹拌混和し導電性エマルジョン組成物を調製し
た。このようにして得られた溶液を厚さ１ｍｍのガラス
基板上にディップ法により塗布し、１００℃、２分間乾
燥させた。形成された膜に残留する（ｄ）成分は、膜の
重量に対し、１％以下である。膜厚３μｍの表面の平滑
な表面抵抗値１．５×１０⁶Ω／□のフィルムが得られ
た。

【００４３】実施例２ アニリン１０重量部、Ｎ−メチルアニリン１．３重量部
及びｍ−アミノベンゼンスルホン酸２０重量部を硫酸酸
性条件下ペルオキソ二硫酸アンモニウムで重合し、共重
合体を合成した。この共重合体を濃硫酸１５３０重量部
で更にスルホン化し、スルホン化ポリアニリンを合成し
た。この化合物はＩＲスペクトル（図４、１５００ｃｍ
^-1付近：スルホン化ポリアニリンの骨格、１１００ｃｍ
^-1付近：スルホン基の吸収）においてスルホン化ポリア
ニリン特有の吸収が認められた。なお、得られたスルホ
ン化ポリアニリンのスルホン基の含有量は４９％であっ
た。上記スルホン化ポリアニリン５重量部、水系でエマ
ルジョンを形成するアクリル／スチレン樹脂「ニカゾー
ルＲＸ−８３２Ａ」（日本カーバイド工業（株）製）７
０重量部、アンモニア１．０重量部を水／イソプロピル
アコール（１／１）１００重量部に室温で撹拌混和し導
電性エマルジョン組成物を調製した。このようにして得
られた溶液を前記ＰＥＴフィルム上にキャスト法により
塗布し、１００℃、２分間乾燥させた。形成された膜に
残留する（ｄ）成分は、膜の重量に対し、１％以下であ
る。膜厚３．５μｍの表面の平滑な表面抵抗値２．５×
１０⁶Ω／□のフィルムが得られた。

【００４４】実施例３ アニリン１０重量部、２−アミノアニソール−４−スル
ホン酸２０重量部を硫酸酸性条件下ペルオキソ二硫酸ア
ンモニウムで共重合し、芳香環にスルホン基を有するポ
リアニリンを合成した。この化合物はＩＲスペクトル
（図５、１５００ｃｍ^-1付近：スルホン化ポリアニリン
の骨格、１１００ｃｍ^-1付近：スルホン基の吸収）にお
いてスルホン化ポリアニリン特有の吸収が認められた。
なお、得られた芳香環にスルホン基を有するポリアニリ
ンのスルホン基の含有量は４８％であった。上記芳香環
にスルホン基を有するポリアニリン２重量部、水系でエ
マルジョンを形成するエポキシ樹脂「アデカレジン Ｅ
ＰＥ−０４１０」（旭電化工業（株）製）５０重量部、
アンモニア０．５重量部を水１００重量部に室温で撹拌
混和し導電性エマルジョン組成物を調製した。このよう
にして得られた溶液を厚さ１ｍｍのガラス基板上にスピ
ンコート法により塗布し、１００℃、２分間乾燥させ
た。形成された膜に残留する（ｄ）成分は、膜の重量に
対し、１％以下である。膜厚２．０μｍの表面の平滑な
表面抵抗値１．５×１０⁶Ω／□のフィルムが得られ
た。

【００４５】実施例４ 実施例２で合成したスルホン化ポリアニリンに関してス
ルホン化ポリアニリン２重量部、水系でエマルジョンを
形成するウレタン樹脂「アデカボンタイター２３２」
（旭電化工業（株）製）５０重量部、トリエチルアミン
４０重量部を水１００重量部に室温で撹拌混和し導電性
エマルジョン組成物を調製した。このようにして得られ
た溶液をガラス基板上にスピンコート法により塗布し、
１００℃で乾燥させた。膜厚３μｍの表面の平滑な表面
抵抗値６．５×１０⁹Ω／□のフィルムが得られた。

【００４６】比較例１ 実施例３で合成したスルホン化ポリアニリンに関してス
ルホン化ポリアニリン３重量部、トリメチルアミン１．
３重量部、パーフルオロアルキルベンゼンスルホン酸
０．０５重量部を水１００重量部に室温で撹拌溶解し、
導電性組成物を調製した。このようにして得られた溶液
をガラス基板上にスピンコート法により塗布し、１００
℃で乾燥させた。膜厚０．３μｍの表面の円滑な表面抵
抗値１．５×１０⁶Ω／□のフイルムが得られたが、水
溶性高分子化合物を添加した組成物を使用して得られた
実施例３のフイルムに比較してガラス基板との接着性が
著しく悪化し、耐摩擦性が低下した。

【００４７】比較例２ 実施例２で合成したスルホン化ポリアニリンに関してス
ルホン化ポリアニリン２重量部、水系でエマルジョンを
形成するウレタン樹脂「アデカボンタイター２３２」
〔旭電化工業（株）製〕５０重量部、水酸化ナトリウム
１．５重量部を水１００重量部に室温で撹拌混和し導電
性エマルジョン組成物を調製した。このようにして得ら
れた溶液をガラス基板上にスピンコート法により塗布
し、１００℃で乾燥させた。膜厚０．３μｍの表面の円
滑なフイルムが得られたが、アンモニアを使用する実施
例２で得られたフイルムに比較して表面抵抗値が増大
し、１．０×１０¹²Ω／□以上の表面抵抗値を有する。

【００４８】以下、本発明の実施の態様を示す。 １．スルホン基を全芳香環に対して１５〜８０％の割合
で含有するアニリン系導電性ポリマー類（ａ）、水溶性
高分子化合物及び水系でエマルジヨンを形成する高分子
化合物よりなる群から選ばれた少なくとも一種の高分子
化合物（ｂ）、水（ｃ）とアンモニア、アミン類及び第
四級アンモニウム塩類よりなる群から選ばれた少なくと
も一種の含窒素化合物（ｄ）を含有することを特徴とす
るエマルジョン導電性組成物。 ２．前記アニリン系導電性ポリマー（ａ）が、アニリ
ン、Ｎ−アルキルアニリンおよびフェニレンジアミン類
よりなる群から選ばれた少なくとも１種の化合物（Ａ）
と、アミノベンゼンスルホン酸（Ｃ）との共重合体のス
ルホン化物であることを特徴とするアニリン系共重合体
スルホン化物である前記１の導電性組成物。 ３．（Ａ）グループモノマーと（Ｃ）グループモノマー
との重量比が、（Ａ）グループモノマー１００重量部に
対してＣグループモノマー１０〜５００重量部である前
記２の導電性組成物。 ４．前記アニリン系導電性ポリマー（ａ）が、アニリ
ン、Ｎ−アルキルアニリンおよびフェニレンジアミン類
よりなる群から選ばれた少なくとも１種の化合物（Ａ）
と、アミノベンゼンスルホン酸（Ｃ）との共重合体のス
ルホン化物であることを特徴とするアニリン系共重合体
スルホン化物である前記１〜３の導電性組成物。 ５．アニリン、Ｎ−アルキルアニリンおよびフェニレン
ジアミン類よりなる群から選ばれた少なくとも１種の化
合物（Ａ）と、アルコキシ置換基アミノベンゼンスルホ
ン酸類（Ｂ）とを共重合させたことにより得られたスル
ホン基を全芳香環に対して１５〜８０％の割合で含有す
るアニリン系導電性ポリマー（ｆ）、水溶性高分子化合
物及び水系でエマルジョンを形成する高分子化合物より
なる群から選ばれた少なくとも一種の高分子化合物
（ｂ）、水（ｃ）とアミン類及び第四級アンモニウム塩
類よりなる群から選ばれた少なくとも一種の含窒素化合
物（ｄ）を含有することを特徴とする導電性組成物。 ６．（Ａ）グループモノマーと（Ｂ）グループモノマー
との重量比は、Ａ：Ｂ＝８：２〜１：９、好ましくは
Ａ：Ｂ＝７：３〜２：８である前記５の導電性組成物。 ７．界面活性剤（ｅ）を含有させた前記１〜５の導電性
組成物。

【００４９】８．前記成分（ａ）または（ｆ）と成分
（ｂ）の使用割合（重量割合）は、（ａ）または（ｆ）
／（ｂ）＝０．０２５／１００〜１００／０．５、好ま
しくは（ａ）または（ｆ）／（ｂ）＝０．１５／１００
〜１００／１である前記１〜７の導電性組成物。 ９．前記成分（ａ）または（ｆ）と成分（ｃ）の使用割
合は、（ｃ）成分１００重量部に対して０．１〜２０重
量部、好ましくは０．５〜１５重量部である前記１〜８
の導電性組成物。 １０．成分（ｂ）と成分（ｃ）の使用割合は、成分
（ｂ）が成分（ｃ）１００重量部に対して、０．１〜４
００重量部、好ましくは０．５〜３００重量部である前
記１〜９の導電性組成物。 １１．成分（ｄ）と成分（ｃ）の使用割合は、成分
（ｄ）が成分（ｃ）１００重量部に対して、０．０１〜
３０重量部、好ましくは０．５〜２０重量部である前記
１〜１０の導電性組成物。 １２．成分（ｅ）と成分（ｃ）の使用割合は、成分
（ｅ）が成分（ｃ）１００重量部に対して０〜１０重量
部、好ましくは０〜５重量部である前記１〜１１の導電
性組成物。

【００５０】１３．前記１〜１２の導電性高分子膜から
形成されたものであることを特徴とする導電体あるいは
帯電防止体。 １４．前記１〜１２の導電性組成物を成膜してなる透明
導電性高分子膜を形成した後、常温で放置あるいは加熱
処理することによって作製された前記１２の導電体ある
いは帯電防止体。 １５．前記アニリン系導電性ポリマーが、アニリン、Ｎ
−アルキルアニリンおよびフェニレンジアミン類よりな
る群から選ばれた少なくとも１種の化合物（Ａ）と、ア
ルコキシ基置換アミノベンゼンスルホン酸類（Ｂ）とを
共重合させたことにより得られたアニリン系導電性ポリ
マーである前記１３〜１４の導電体あるいは帯電防止
体。 １６．（Ａ）グループモノマーと（Ｃ）グループモノマ
ーとの重量比が、（Ａ）グループモノマー１００重量部
に対してＣグループモノマー１０〜５００重量部である
前記１５の導電体あるいは帯電防止体。 １７．前記アニリン系導電性ポリマーが、アニリン、Ｎ
−アルキルアニリンおよびフェニレンジアミン類よりな
る群から選ばれた少なくとも１種の化合物（Ａ）と、ア
ルコキシ基置換アミノベンゼンスルホン酸類（Ｂ）とを
共重合させたことにより得られたスルホン基を全芳香環
に対して１５〜８０％の割合で含有するアニリン系導電
性ポリマーである前記１３〜１４の導電体あるいは帯電
防止体。 １８．（Ａ）グループモノマーと（Ｂ）グループモノマ
ーとの重量比は、Ａ：Ｂ＝８：２〜１：９、好ましくは
Ａ：Ｂ＝７：３〜２：８である前記１７の導電体あるい
は帯電防止体。 １９．導電体あるいは帯電防止体が工業用包装材である
前記１３〜１８の導電体あるいは帯電防止体。 ２０．導電体が帯電防止フィルム、オーディオテープ、
ビデオテープ、コンピュータ用テープ、フロッピイディ
スクなどの帯電防止磁気記録用テープである前記１３〜
１８の導電体あるいは帯電防止体。

【００５１】２１．基材の少なくとも一つの面上に、前
記１〜１２の導電性組成物を成膜してなる導電性高分子
膜が形成されたものであることを特徴とする導電体ある
いは帯電防止体。 ２２．基材の少なくとも一つの面上に、前記１〜１２の
導電性組成物を塗布して導電性高分子膜を形成した後、
常温で放置あるいは加熱処理することによって作製され
た前記２１の導電体、あるいは帯電防止体。 ２３．加熱処理を４０〜２５０℃の温度範囲で行い、成
分（ｃ）および成分（ｄ）を除去するものである前記２
１〜２２の導電体あるいは帯電防止体。 ２４．前記アニリン系導電性ポリマー類が、アニリン、
Ｎ一アルキルアニリンおよびフェニレンンアミン類より
なる群から選ばれた少なくとも１種の化合物（Ａ）と、
アミノベンゼンスルホン酸（Ｃ）との共重合体のスルホ
ン化物である前記２１〜２３の導電体あるいは帯電防止
体。 ２５．（Ａ）グループモノマーと（Ｃ）グループモノマ
ーとの重量比が、（Ａ）グループモノマー１００重量部
に対してＣグループモノマーが１０〜５００重量部であ
る前記２４の導電体あるいは帯電防止体。 ２６．前記アニリン系導電性ポリマー類が、アニリン、
Ｎ−アルキルアニリンおよびフェニレンンアミンよりな
る群から選ばれた少なくとも１種の化合物（Ａ）と、ア
ルコキシ基置換アミノベンゼンスルホン酸類（Ｂ）とを
共重合させたことにより得られたアニリン系導電性ポリ
マーである前記２１〜２３の導電体あるいは帯電防止
体。 ２７．（Ａ）グループモノマーと（Ｂ）グループモノマ
ーとの重量比は、Ａ：Ｂ＝８：２〜１９、好ましくは
Ａ：Ｂ＝７：３〜２：８である前記２６の導電体あるい
は帯電防止体。 ２８．基材がポリマーフィルムである前記２１〜２７の
導電体あるいは帯電防止体。 ２９．基材が工業用包装材である前記２１〜２８の導電
体あるいは帯電防止体。 ３０．基材がオーディオテープ、ヒデオテープ、コンピ
ュータ用テープ、フロッピイディスクなどの帯電防止磁
気記録用テープである前記２１〜２８の導電体あるいは
帯電防止体。 ３１．基材がオーバーヘッドプロジェクタ用フィルム、
スライドフィルム等の電子写真記録材料である前記２１
〜２８の導電体あるいは帯電防止体。 ３２．基材が透明タッチパネル、エレクトロルミネッセ
ンスディスプレイ、液晶ディスプレイなどの入力及び表
示デバイスである前記２１〜２８の導電体あるいは帯電
防止体。

【００５２】３３．基材がガラス板である２１〜２７の
導電体あるいは帯電防止体。 ３４．基材上に前記１〜１２の導電性組成物の膜を形成
した後、常温で放置あるいは加熱処理することを特徴と
する帯電防止法。 ３５．加熱処理を４０〜２５０℃の温度範囲で行い、
（ｃ）および（ｄ）成分を除去するものである前記３４
の帯電防止法。 ３６．基材が工業用包装材である前記３４〜３５の帯電
防止法。 ３７．基材がオーディオテープ、ヒデオテープ、コンピ
ュータ用テープ、フロッピイディスクなどの磁気記録用
テープである前記３４〜３５の帯電防止法。 ３８．基材がオーバーヘッドプロジェクタ用フィルム、
スライドフィルム等の電子写真記録材料である前記３４
〜３５の帯電防止法。

【００５３】

【効果】１．本発明よる導電性組成物は、溶剤として水
が使用可能であり、該組成物を適当な基材に塗布、スプ
レー、キャスト、ディップ及び加熱処理のみで湿度依存
性がなく高い導電性を発現し成膜性、成形性、透明性に
優れた導電性薄膜を得ることができる。 ２．本発明においては、スルホン基を含有するアニリン
系導電性ポリマー類及び高分子化合物を含んでなる成膜
性、成形性、透明性に優れた透明導電性高分子膜を、適
当な基材に塗布、スプレー、キャスト、ディップなどの
加工により形成後、常温で放置あるいは加熱処理のみで
湿度依存性がなく高い導電性を発現し、表面抵抗のばら
つきが小さい導電体を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例１におけるスルホン化ポリアニリンのＩ
Ｒスペクトル図である。

【図２】実施例２におけるスルホン化ポリアニリンのＩ
Ｒスペクトル図である。

【図３】実施例３におけるスルホン化ポリアニリンのＩ
Ｒスペクトル図である。

【図４】実施例４におけるスルホン化ポリアニリンのＩ
Ｒスペクトル図である。

【図５】実施例５におけるスルホン化ポリアニリンのＩ
Ｒスペクトル図である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 国際公開92／18987（ＷＯ，Ａ１) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) C08L 79/00

Claims (7)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 スルホン酸基を全芳香環に対して１５〜
   ８０％の割合で含有するアニリン系導電性ポリマー
   （ａ）、水溶性高分子化合物および水系でエマルジョン
   を形成する高分子化合物よりなる群より選ばれた少なく
   とも１種の高分子化合物（ｂ）、水（ｃ）と、前記
   （ａ）の繰り返し単位の総モル数に対して１〜３０倍モ
   ルのアミン類及び第四級アンモニウム塩類よりなる群か
   ら選ばれた少なくとも１種の含窒素化合物（ｄ）を含有
   させ、（ａ）が溶液中に均一に溶解していることを特徴
   とする導電性エマルション組成物。
2. 【請求項２】 前記アニリン系導電性ポリマー類（ａ）
   が、アニリン、Ｎ−アルキルアニリンおよびフェニレン
   ジアミン類よりなる群から選ばれた少なくとも１種の化
   合物（Ａ）と、アミノベンゼンスルホン酸（Ｃ）との共
   重合体のスルホン化物であることを特徴とするアニリン
   系共重合体スルホン化物である請求項１記載の導電性エ
   マルジョン組成物。
3. 【請求項３】 アニリン、Ｎ−アルキルアニリン及びフ
   ェニレンジアミン類よりなる群より選ばれた少なくとも
   １種の化合物（Ａ）と、アルコキシ基置換アミノベンゼ
   ンスルホンン酸（Ｂ）とを共重合させたことにより得ら
   れたスルホン基を全芳香環に対して１５〜８０％の割合
   で含有するアニリン系導電性ポリマ一類（ｆ）、水溶性
   高分子化合物及び水系でエマルションを形成する高分子
   化合物よりなる群より選ばれた少なくとも１種の高分子
   化合物（ｂ）、水（ｃ）と、前記（ｆ）の繰り返し単位
   の総モル数に対して１〜３０倍モルのアミン類及び第四
   級アンモニウム塩類よりなる群から選ばれた少なくとも
   １種の含窒素化合物（ｄ）を含有させ、（ｆ）が溶液中
   に均一に溶解していることを特徴とする導電性組成物。
4. 【請求項４】 請求項１、２または３記載の導電性組成
   物を成膜してなる透明導電性高分子膜から形成されたこ
   とを特徴とする導電体。
5. 【請求項５】 基材の少なくとも一つの面上に、請求項
   １、２または３記載の導電性組成物を成膜してなる透明
   導電性高分子膜が形成されたものであることを特徴とす
   る導電体。
6. 【請求項６】 基材の少なくとも一つの面上に、請求項
   １，２または３記載の導電性組成物を塗布し透明導電性
   高分子膜を形成した後、常温で放置あるいは加熱処理し
   て溶剤と含窒素化合物を除去することを特徴とする請求
   項５記載の導電体の製造法。
7. 【請求項７】 加熱処理を４０〜２５０℃の温度範囲で
   行い、（ｃ）および（ｄ）成分を除去するものである請
   求項６記載の導電体の製造法。