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JP2975766B2 - 可撓性のある薄膜太陽電池の製造方法 - Google Patents

可撓性のある薄膜太陽電池の製造方法

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JP2975766B2
JP2975766B2 JP4120698A JP12069892A JP2975766B2 JP 2975766 B2 JP2975766 B2 JP 2975766B2 JP 4120698 A JP4120698 A JP 4120698A JP 12069892 A JP12069892 A JP 12069892A JP 2975766 B2 JP2975766 B2 JP 2975766B2
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Japan
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solar cell
thin
release resin
heat
substrate
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康義 川西
孝之 水村
謙司 沢田
要範 若宮
佳典 海道
浩司 勝部
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Sanyo Denki Co Ltd
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Sanyo Denki Co Ltd
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    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/548Amorphous silicon PV cells

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  • Photovoltaic Devices (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、可撓性のある薄膜太陽
電池の製造法に関し、とくに、支持基板の上に薄膜太陽
電池を形成した後、支持基板から剥離する薄膜太陽電池
の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】可撓性を有する薄膜太陽電池の製造方法
は、金属板タイプと剥離タイプとがある。金属板タイプ
は、例えば0.1mm程度のステンレス板の上にアモル
ファスシリコン太陽電池を積層して製造する。剥離タイ
プは、ガラス等の支持基板の表面にアモルファスシリコ
ン太陽電池を積層した後、支持基板を剥離して薄膜太陽
電池を製造する。
【0003】金属タイプは、薄膜太陽電池に可撓性をも
たせるために極めて薄い金属板を使用する必要がある。
このために下記の欠点がある。 アモルファス太陽電池の製造プロセスにおいて、薄
い金属板に印刷する工程およびレーザー加工する等の工
程において、極めて薄い金属板を移送するので、高精度
に移送位置を制御することができない。この欠点は、金
属板が大型化するにつれて益々顕著になる。 金属板が薄いので完全な平面状に保持することが難
しく、この上にアモルファス太陽電池のアモルファスシ
リコン層を理想的な状態で形成することが難しく、大型
化に制限を受ける。アルミ箔、SUS箔等の利用も制限
がある。金属板には、ステンレスの薄板に代わって、ア
ルミ箔や、ステンレス箔を使用することもできる。しか
しながら、これ等の金属箔を使用しても、同じ欠点があ
る。
【0004】剥離タイプの製造方法は、これ等の欠点が
ない。剥離タイプによる薄膜太陽電池の製造方法は、特
開平1−105581号公報に記載されている。この公
報に記載される製造法は、図1に示すように、支持基板
の上に各層を積層して薄膜太陽電池を製造する。この方
法は下記のようにして薄膜太陽電池を製造する。 ガラス等の支持基板1の上に耐熱性のある未硬化の
樹脂を塗布し、これを硬化させることによって耐熱ベー
ス基板2を形成する。 耐熱ベース基板2の上に、透明電極層3と、アモル
ファスシリコン層4と、背面電極層5とを積層してアモ
ルファス太陽電池を積層する。 デバイス保護のため、アモルファス太陽電池の上に
保護層6を形成する。 水中に浸漬して、支持基板1と耐熱ベース基板2と
の間で剥離して、可撓性のある薄膜太陽電池とする。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】この方法は、厚い支持
基板を使用するので、支持基板を平面状に保持してアモ
ルファス太陽電池を積層することができる。しかしなが
ら、この方法は下記の欠点がある。
【0006】耐熱ベース基板2は、一般にポリイミドワ
ニス(ポリイミドの前駆体)を支持基板1に塗布し、高
温で焼き付けて溶媒を除去するとともに、イミド化反応
を進行させ、ポリイミド被膜(耐熱性樹脂層)を形成し
て設けられる。耐熱ベース基板2は、薄膜太陽電池を補
強して強度を持たせるもので、あまり薄くすることはで
きない。耐熱ベース基板2は、イミド化を完全にするた
めに、充分に高温で焼くと、膜としては充分なものにな
る。しかしながら、このようにしてガラス等の支持基板
1に設けた耐熱ベース基板2は、簡単に剥離できなくな
って実用的でない。耐熱ベース基板の剥離性は、ポリイ
ミドワニスのイミド化温度を低くすることにより改善で
きる。しかしながら、イミド化温度を低くすると、アモ
ルファスシリコン層を形成する時にアウトガスが発生
し、このガスがアモルファスシリコン層の膜質を低下さ
せる。さらに、充分に硬化されない耐熱ベース基板は、
吸水性及び水分の透過性が大きく、アモルファス太陽電
池としての信頼性が低下する。このように、剥離タイプ
は、耐熱ベース基板の剥離性と信頼性とが表裏一体とな
っており、実用面においてはこの問題の解決が不可欠に
なっている。
【0007】さらにまた、剥離タイプは、耐熱ベース基
板2にアモルファス太陽電池を積層して設けるので、耐
熱ベース基板2は、薄膜太陽電池に十分な強度を持たせ
るために、膜厚を10〜20μmとすることが要求され
る。ポリイミドワニスは硬化するときに膜厚が1/10
となる。このため、支持基板には、ポリイミドワニスを
100〜200μmの膜厚に厚く塗布する必要があり、
塗布に手間がかかりスクリーン印刷等の能率的な方法で
塗布できない欠点がある。
【0008】本発明は、さらにこの欠点を解決すること
を目的に開発されたもので、本発明の重要な目的は、耐
熱ベース基板2を支持基板から簡単かつ確実に剥離で
き、しかも、理想的な状態でアモルファス太陽電池を形
成して信頼性の高い太陽電池を積層できる可撓性を有す
る薄膜太陽電池の製造方法を提供するにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明の製造方法は、前
述の目的を達成するために下記のようにして薄膜太陽電
池を製造する。すなわち、本発明は、支持基板1の上に
耐熱ベース基板2を設け、耐熱ベース基板2の上に、両
面に電極層に積層するアモルファスシリコン層4を形成
した後、耐熱ベース基板2を支持基板1から剥離する方
法を改良したものである。
【0010】本発明の製造方法は、とくに、耐熱ベース
基板2を、ポリイミド剥離樹脂層2Aとベースシート2
Bとの2層に分離したことを特徴とする。支持基板1の
上に、未硬化のポリイミド剥離樹脂を塗布して硬化して
ポリイミド剥離樹脂層2Aを形成する。この剥離樹脂層
2Aを介して支持基板1にベースシート2Bを接着す
る。さらに、ベースシート2Bの上に、両面に電極層を
積層したアモルファスシリコン層4を形成し、剥離樹脂
層2Aでもってベースシート2Bを支持基板1から剥離
することを特徴としている。
【0011】剥離樹脂層2Aには、アモルファス太陽電
池を積層する温度に耐性があり、しかも、支持基板1か
ら容易に剥離できる樹脂、例えば、ポリイミドの前駆体
であるポリアミック樹脂等が使用できる。剥離樹脂層2
Aは、ベースシート2Bを剥離するための層であるか
ら、膜厚を薄くすることができ、例えば数μm〜数十μ
mとすることができる。
【0012】ベースシート2Bには、ポリイミドフィル
ム等の耐熱性プラスチックフィルム、薄い金属板や金属
箔、薄いガラス板、金属薄膜やセラミック薄膜等が使用
できる。
【0013】アモルファス太陽電池は、耐熱ベース基板
2の上に順番に、背面電極層5、アモルファスシリコン
層4、透明電極層3を形成し、あるいは逆に、透明電極
層、アモルファスシリコン層、背面電極層を形成する。
【0014】
【作用】本発明の薄膜太陽電池の製造方法は、耐熱ベー
ス基板2を、ベースシート2Bと剥離樹脂層2Aの2層
に分離している。ベースシート2Bは、アモルファス太
陽電池を積層するためのベースとなり、剥離樹脂層2A
は、ベースシート2Bを接着したのち剥離する層として
の役目をする。このため、本発明の方法は、剥離樹脂を
非常に薄くできる。たとえば、この層は、膜厚を1μm
以下とすることも可能である。このことは、非常に重要
な点であり、次のような利点がある。 材料費のコストダウン 硬化時間の短縮(生産性アップ) 塗布方式に、能率よく処理できるスクリーン印刷法
を使用できる。このため、大型化および自動化が容易に
なる。
【0015】さらに、耐熱ベース基板2をベースシート
2Bと剥離樹脂層2Aとに分離するので、剥離樹脂層2
Aには十分な強度が要求されない。このため、支持基板
1に塗布した剥離樹脂を硬化させる温度を、完全重合に
必要な温度から50〜100℃程度低くして、剥離性を
向上することができる。十分に硬化しない剥離樹脂層2
Aは強度は十分にはできないが、重合度が低いと剥離性
は良くなる。さらに、従来の方法で支持基板1に設けら
れる耐熱ベース基板2に比較すると、剥離樹脂層2Aは
膜厚を1/10程度に薄くできるので、アモルファスシ
リコン層4を形成するときに発生するアウトガスを大幅
に低減できる。また、ベースシート2Bは、すでにシー
ト状に加工したものも使用できるので、薄膜太陽電池の
耐湿性能等を向上させて信頼性の高いアモルファス太陽
電池を形成できる。
【0016】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。ただし、以下に示す実施例は、本発明の技術思想
を具体化するための製造方法を例示するものであって、
本発明の製造方法は、製造された薄膜太陽電池の構造や
材質、あるいは、製造工程における条件を下記のものに
特定するものでない。本発明の薄膜太陽電池の製造方法
は、特許請求の範囲において、種々の変更を加えること
ができる。
【0017】さらに、この明細書は、特許請求の範囲を
理解し易いように、実施例に示される部材に対応する番
号を、「特許請求の範囲の欄」、「作用の欄」、および
「課題を解決するための手段の欄」に示される部材に付
記している。ただ、特許請求の範囲に示される部材を、
実施例の部材に特定するものでは決してない。
【0018】下記の工程で、図2に示す薄膜太陽電池を
製造する。 支持基板1として青板ガラスを使用し、支持基板1
を洗浄して、乾燥した後、未硬化ペースト状の剥離樹脂
を塗布する。剥離樹脂には、ポリイミド樹脂の前駆体で
あるポリアミック酸溶液を使用する。未硬化の剥離樹脂
の粘度は、室温で50〜60poiseで、これをスク
リーン印刷により、支持基板1に全面に均一に塗布す
る。乾燥前における剥離樹脂の塗布膜の厚さは、およそ
10〜15μmとする。
【0019】 剥離樹脂が未硬化のときに、ベースシ
ート2Bを積層して熱圧着する。ベースシート2Bに
は、ポリイミドフィルムを使用するポリイミドフィルム
は、ラミネート装置を利用して剥離樹脂層2Aの上に熱
圧着する。その後、必要ならば、内部温度を350℃に
設定した熱風乾燥炉に投入して仮硬化を行う。ベースシ
ート2Bには、ポリイミドフィルムに代わって、可撓性
のある無機シート、例えば、薄い金属箔または金属板、
または薄い硝子板等も使用できる。さらに、剥離樹脂層
2Aの上に、真空蒸着法または溶射法により、金属薄膜
やセラミック薄膜を形成してベースシート2Bとするこ
ともできる。
【0020】 その後、ベースシート2Bの上に、背
面電極とアモルファスシリコン層4と透明電極からなる
アモルファス太陽電池を形成する。
【0021】 アモルファス太陽電池の表面に、デバ
イス保護のためにPETフィルムをラミネートして保護
層6を設ける。
【0022】 その後、水に浸漬して約1時間経過す
ると、自然に、剥離樹脂層2Aを境界として、支持基板
1とベースシート2Bとが遊離し、可撓性のある薄膜太
陽電池が完成する。
【0023】以上の実施例は、ベースシート2Bの表面
に、順番に背面電極層5と、アモルファスシリコン層4
と、透明電極層3とを形成した太陽電池を積層したが、
本発明の方法は、ベースシート2Bの表面に、順番に、
透明電極層と、アモルファスシリコン層と、背面電極層
とを形成してアモルファス太陽電池を形成することも可
能である。
【0024】
【発明の効果】本発明は、ベースシートが剥離後の太陽
電池の基板となるため、ポリイミド剥離樹脂層は剥離性
を重視して形成できる。例えば、ポリイミド剥離樹脂層
の形成温度を低くして、剥離性を向上させることがで
き、ここで形成温度を低くしてもポリイミド剥離樹脂層
を薄くすることによりアウトガスを低減できる。また、
従来では、ポリイミド膜自体を太陽電池の基板にするの
で、これを薄くすることができなかったが、本発明で
は、ポリイミド剥離樹脂層を薄くすることができるので
アモルファスシリコン形成時のアウトガスを低減でき
る。
【0025】さらにまた、本発明の薄膜太陽電池の製造
方法は、ベースシートに優れた剥離性が要求されない。
このため、ベースシートに、耐熱性のプラスチックフィ
ルム、金属やセラミックの薄膜等も使用でき、さらに、
すでにシート状に形成したシート材を支持基板に接着
し、あるいは、真空蒸着法や溶射法によって剥離樹脂層
を介して支持基板に形成することもでき、使用材料の選
択を任意にできる特長もある。
【0026】さらにまた、本発明の製造方法は、たわみ
の少ないガラス等の支持基板の上に剥離樹脂層を介して
ベースシートを積層し、ベースシートの上にアモルファ
ス太陽電池を積層し、その後に支持基板を剥離して薄膜
太陽電池を製造している。このため、大型の支持基板を
使用して、信頼性の高いの薄膜太陽電池を高精度に能率
よく多量生産できる特長もある。
【図面の簡単な説明】
【図1】従来の薄膜太陽電池の製造方法を示す断面図
【図2】本発明の一実施例を示す薄膜太陽電池の製造方
法を示す断面図
【符号の説明】
1…支持基板 2…耐熱ベース基板 2A…剥離樹脂層
2Bベースシート 3…透明電極層 4…アモルファスシリコン層 5…背面電極層 6…保護層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 若宮 要範 大阪府守口市京阪本通2丁目18番地 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 海道 佳典 大阪府守口市京阪本通2丁目18番地 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 勝部 浩司 大阪府守口市京阪本通2丁目18番地 三 洋電機株式会社内 (56)参考文献 特開 昭63−261761(JP,A) 特開 平1−105581(JP,A) 特開 昭60−117682(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H01L 31/04 - 31/078

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 支持基板(1)の上に、耐熱ベース基板(2)
    を設け、耐熱ベース基板(2)の上に、両面に電極層に積
    層するアモルファスシリコン層(4)を形成した後、耐熱
    ベース基板(2)を支持基板(1)から剥離して薄膜太陽電池
    を製造する方法において、 耐熱ベース基板(2)をポリイミド剥離樹脂層(2A)とベー
    スシート(2B)との2層に分離し、支持基板(1)の上に未
    硬化の剥離樹脂を塗布して硬化させてポリイミド剥離樹
    脂層(2A)を設け、この剥離樹脂層(2A)を介して支持基板
    (1)にベースシート(2B)を接着し、ベースシート(2B)の
    上に、両面に電極層を積層したアモルファスシリコン層
    (4)を形成し、剥離樹脂層(2A)でもってベースシート(2
    B)を支持基板(1)から剥離するように構成されたことを
    特徴とする可撓性のある薄膜太陽電池の製造方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2005294807A (ja) * 2004-02-17 2005-10-20 Citizen Watch Co Ltd 光電変換装置の製造方法

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7211828B2 (en) 2001-06-20 2007-05-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and electronic apparatus
TW548860B (en) 2001-06-20 2003-08-21 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of manufacturing the same
TW546857B (en) 2001-07-03 2003-08-11 Semiconductor Energy Lab Light-emitting device, method of manufacturing a light-emitting device, and electronic equipment
JP4166455B2 (ja) 2001-10-01 2008-10-15 株式会社半導体エネルギー研究所 偏光フィルム及び発光装置
US7164155B2 (en) 2002-05-15 2007-01-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US7230271B2 (en) 2002-06-11 2007-06-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device comprising film having hygroscopic property and transparency and manufacturing method thereof
US7202504B2 (en) 2004-05-20 2007-04-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element and display device
US9187676B2 (en) 2010-07-22 2015-11-17 Ube Industries, Ltd. Production process of polyimide film laminate, and polyimide film laminate
JP6032202B2 (ja) 2011-06-14 2016-11-24 宇部興産株式会社 ポリイミド積層体の製造方法、およびポリイミド積層体
JP5900497B2 (ja) 2011-06-14 2016-04-06 宇部興産株式会社 ポリイミド積層体の製造方法、およびポリイミド積層体
JP6350523B2 (ja) * 2013-05-28 2018-07-04 旭硝子株式会社 フレキシブル基材およびその製造方法、ガラス積層体およびその製造方法、電子デバイスの製造方法
CN103465385B (zh) * 2013-09-18 2015-09-16 北京汉能创昱科技有限公司 一种柔性薄膜太阳能电池及其分片、连接与制备方法
US9893228B2 (en) 2014-03-25 2018-02-13 Kaneka Corporation Method for manufacturing compound semiconductor solar cell
WO2015152121A1 (ja) * 2014-03-31 2015-10-08 日産化学工業株式会社 剥離層形成用組成物
JP6473931B2 (ja) 2014-05-29 2019-02-27 パナソニックIpマネジメント株式会社 支持基板付き樹脂基板、及び、その製造方法、並びに、その樹脂基板を用いた電子デバイス

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005294807A (ja) * 2004-02-17 2005-10-20 Citizen Watch Co Ltd 光電変換装置の製造方法

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