JP3454955B2 - 光磁気記録媒体及び光磁気記録媒体再生装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、光磁気記録媒体及び光
磁気記録媒体再生装置に関し、より詳細には、情報再生
用の光ビームの光学的回折限界より小さな記録マークに
より記録された情報を再生する、いわゆる超解像再生が
可能な光磁気記録媒体及び光磁気記録媒体再生装置に関
する。

【０００２】

【従来の技術】いわゆる光磁気ディスク等の光磁気記録
媒体は、その情報記録面に高密度で情報を記録すること
ができることから、今日、映像の記録やコンピュータデ
ータの記録用の記録媒体として広く利用されている。

【０００３】近年、この光磁気記録媒体に高精細度テレ
ビジョン信号を記録しようという試みが成されている
が、従来の記録密度を有する光磁気記録媒体に対して上
記の高精細度テレビジョン信号を記録しようとすると、
一枚の光磁気記録媒体に記録できる情報量は、再生時間
にして１０分程度しかない。従って、光磁気記録媒体に
おける情報の記録密度を向上させることが要求されてい
る。

【０００４】情報の記録密度を向上させる方法として
は、時間軸方向（光磁気記録媒体の進行方向）の記録密
度を向上させる方法と、情報に対応する記録マークによ
り構成される情報トラックのトラックピッチ方向（前記
時間軸方向に直交する方向であり、光磁気ディスクの場
合には、その半径方向）の記録密度を向上させる方法が
考えられる。

【０００５】ここで、前者（時間軸方向の記録密度を向
上させる場合）の方法として、従来より、ＭＳＲ（Magn
etically induced Super Resolution ）等のいわゆる超
解像再生が提案されている。

【０００６】ここで、ＭＳＲについて、その概要を説明
する。従来より、顕微鏡の世界では、観察すべき物体の
位置にピンホールのような光学的マスクを設けることに
より解像度が向上することが知られていた。そこで、Ｍ
ＳＲは光磁気記録媒体の記録面に物理的なマスクを設け
るのではなく、記録面を含む媒体上の温度分布を利用し
て、媒体内に実効的なマスクを作り出し、実効的に再生
限界の空間周波数を大きくするものであり、記録密度を
１．５〜３倍程度向上させることができる（より詳細に
ついては、「超解像光磁気ディスク」、日本応用磁気学
会誌、Vol1.15,No.5,1991 等を参照のこと）。

【０００７】このようなＭＳＲを応用した光磁気記録媒
体は、種々提案されており、その一例を図１３に示す。
光磁気記録媒体としての光磁気ディスク１Ｐは、図１３
（ａ）に示すように、レーザビーム等の光ビームに対し
て透過性のある基板Ｂ’と、保磁力が小さい再生層Ｐ’
と、保磁力が大きく、垂直磁化状態で情報が記録された
記録層Ｒ’と、再生層Ｐ’と記録層Ｒ’との間の交換結
合力を制御するためのスイッチ層Ｓ’と、再生層Ｐ’、
記録層Ｒ’及びスイッチ層Ｓ’より構成される光磁気層
を保護するために当該光磁気層を挟むように形成される
Ｓi Ｎ層等の誘電体保護層Ｃ’と、光磁気ディスク１Ｐ
全体を保護するために、２Ｐ（Photo Polymer ）オーバ
コート等で形成される樹脂保護層ＣＰ’により構成され
ている。

【０００８】ここで、記録層Ｒ’のキュリー温度
Ｔ_CR’、再生層Ｐ’のキュリー温度Ｔ_CP’及びスイッチ
層Ｓ’のキュリー温度Ｔ_CS’の間において、 Ｔ_CR’＞Ｔ_CS’、且つ、Ｔ_CP’＞Ｔ_CS’ の関係が成立するように再生層Ｐ’、記録層Ｒ’及びス
イッチ層Ｓ’の組成が決定される。

【０００９】光磁気ディスク１Ｐの各層の具体的な組成
については、例えば、再生層Ｐ’の組成は、ＧｄＦｅＣ
ｏとされ、スイッチ層Ｓ’の組成は、ＴｂＦｅとされ、
記録層Ｒ’の組成としては、ＴｂＦｅＣｏが用いられ
る。

【００１０】次に、上記光磁気ディスク１Ｐに対する情
報の記録動作について説明する。情報の記録時において
は、記録光である光ビームの出力パワーが、光ビームの
光磁気ディスク上の照射範囲（以下、光スポットとい
う。）における最高温度が記録層Ｒ’のキュリー温度Ｔ
_CR’以上になるように設定される。すると、記録層
Ｒ’、スイッチ層Ｓ’及び再生層Ｐ’の保磁力が消滅す
るので、この時、外部から記録すべき情報に対応した外
部磁界を与えておくと、光磁気ディスクの移動により記
録層Ｒ’、スイッチ層Ｓ’及び再生層Ｐ’の温度が低下
するに伴い、外部磁界の方向に記録層Ｒ’、スイッチ層
Ｓ’及び再生層Ｐ’が磁化され、情報が記録される。

【００１１】次に、上記光磁気ディスク１Ｐにおける情
報の再生動作について図１３（ｂ）を用いて説明する。
情報の再生時においては、再生光である光ビームの出力
パワーの第１条件として、光スポット内の最高温度Ｔ_H
が、 Ｔ_H ＜Ｔ_CR’ となるように設定される。そして、このように出力パワ
ーが設定された光ビームが再生層Ｐ’側から光磁気ディ
スク１Ｐに照射されると、光磁気ディスク１Ｐの移動に
伴い、図１３（ｂ）に示すように、光スポットの後方部
分に周囲と比較して温度の高い領域（以下、高温領域と
いう。）ができる。

【００１２】この高温領域の温度がスイッチ層Ｓ’のキ
ュリー点以上になり、且つ、その他の光スポット内の領
域（以下、低温領域という。）の温度がスイッチ層Ｓ’
のキュリー点以下になることを第２条件として、レーザ
ビームの出力パワーが設定される。このとき、低温領域
の形は図１３（ｂ）に示すように略三日月形となり、高
温領域の形は略楕円形となるように光ビームの出力パワ
ーが設定される。

【００１３】そして、高温領域の温度がスイッチ層Ｓ’
のキュリー点以上になると、スイッチ層Ｓ’の磁区が消
滅し、すなわち、保磁力が零となって再生層Ｐ’と記録
層Ｒ’の交換結合力が弱くなる。これと同時に外部から
図１３（ａ）に示すように再生磁界Ｈ_r を印加すると、
保磁力の小さな再生層Ｐ’の磁化方向が再生磁界Ｈ_rの
方向に揃えられてしまう。

【００１４】したがって、高温領域は記録層Ｒ’の記録
情報が読み出せないマスク領域となり、記録層Ｒ’の記
録情報の読み出しは、光スポット内の三日月形の低温領
域からのみとなる。なお、このときでも、光スポット内
の温度は、記録層Ｒ’のキュリー温度Ｔ_CR’以上にはな
らないので、記録層Ｒ’に記録された情報は消去されな
い。

【００１５】以上説明した低温領域及び高温領域（マス
ク領域）の機能により、記録層Ｒ’の情報の再生は光ス
ポット内の低温領域からのみとなる。つまり、低温領域
が情報再生に対する窓領域として機能することにより、
実質的に光スポットの大きさを小さくすることができ、
光スポットの物理的な空間周波数よりも高い空間周波数
を有する情報を再生することができる。すなわち、光磁
気ディスクの時間軸方向における超解像再生を行うこと
ができるのである。

【００１６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来技
術の光磁気ディスク１Ｐを用いた超解像再生において
は、再生磁界Ｈ_r を印加するための磁石が必要であるの
で装置構成が複雑化し小型化が図れないという問題点が
あった。

【００１７】また、マスク領域においては、再生層Ｐ’
に対して再生磁界Ｈ_r が印加され、その磁化方向が再生
磁界の方向に揃えられる。従って、低温領域とマスク領
域との境界部分においては、磁化の方向が急激に変化す
る場合があるので、その場合には、再生光の反射光にお
けるカー回転角が当該境界部分で急激に変化することと
なる。このことにより、記録マークに対応する再生ＲＦ
波形が急激に変化することとなり、波形の対称性が失わ
れ大きく歪むという問題点があった。

【００１８】そこで、本発明は、上記問題点に鑑みて成
されたもので、その目的は、再生磁界を不要とすること
により、装置構成を簡略化し、更に、再生ＲＦ波形が歪
むことなく超解像再生が可能な光磁気記録媒体及び光磁
気記録媒体再生装置を提供することにある。

【００１９】

【００２０】

【課題を解決するための手段】 上記の課題を解決するた
めに、 請求項１に記載の発明の光磁気記録媒体は、情報
記録用の光磁気層として、室温からそのキュリー温度ま
での間で垂直磁化状態を維持しつつ情報が記録されると
ともに、当該キュリー温度がその厚さ方向において連続
的に変化し、且つ、所定の再生光が照射される照射面側
の面のキュリー温度が、前記照射面でない面側の面のキ
ュリー温度より低い当該光磁気層を一層のみ備えて構成
される。

【００２１】

【００２２】

【００２３】請求項３に記載の発明は、請求項１又は２
に記載の光磁気記録媒体の記録情報を再生する光磁気記
録媒体再生装置であって、前記光磁気記録媒体にレーザ
等の再生光を照射する再生光照射手段と、前記光磁気記
録媒体上のマスク領域に対応する前記照射面側の前記光
磁気層の温度が、前記光磁気層における最も高いキュリ
ー温度以下の温度になるとともに、前記光磁気層におけ
る前記照射面側の面のキュリー温度以上、又は、前記照
射面側の面のキュリー温度以下の温度であって、前記光
磁気層における前記照射面側の磁化を実質的に消失させ
る温度となるように前記再生光の出力パワーを制御する
再生出力制御手段と、前記光磁気記録媒体上の前記再生
光の照射範囲からの当該再生光の反射光を受光して前記
記録情報の再生を行う再生手段と、を備えて構成され
る。

【００２４】

【００２５】

【００２６】

【００２７】

【作用】 請求項１に記載の発明の光磁気記録媒体によれ
ば、再生時においては、情報記録用の光磁気層を一層の
み備える光磁気記録媒体に対して、マスク領域に対応す
る照射面側の光磁気層の温度が当該光磁気層における最
も高いキュリー温度以下の温度になるとともに、光磁気
層における所定の再生光の照射面側の面のキュリー温度
以上、又は、所定の再生光の照射面側の面のキュリー温
度以下の温度であって光磁気層における照射面側の磁化
を実質的に消失させる温度となるように当該再生光が照
射される。

【００２８】すると、マスク領域に対応する光磁気層の
照射面側近傍の磁化が消失するか、又は実質的に消失す
る。これにより、当該マスク領域は、記録情報が読み出
せない領域となる。

【００２９】よって、再生光の照射範囲内のマスク領域
以外の部分からのみ情報が読み出せることとなるので、
再生磁界を印加すること無く、いわゆる超解像再生が可
能となる。また、情報記録用の光磁気層が一層のみであ
るので、光磁気記録媒体の製造工程を簡略化することが
できる。

【００３０】

【００３１】

【００３２】

【００３３】

【００３４】

【００３５】

【００３６】請求項３に記載の発明によれば、再生光照
射手段は、請求項２又は３に記載の光磁気記録媒体に再
生光を照射する。このとき、再生出力制御手段は、マス
ク領域に対応する照射面側の光磁気層の温度が光磁気層
における最も高いキュリー温度以下の温度になるととも
に、光磁気層における所定の再生光の照射面側の面のキ
ュリー温度以上、又は、所定の再生光の照射面側の面の
キュリー温度以下の温度であって、光磁気層における照
射面側の磁化を実質的に消失させる温度となるように当
該再生光の出力パワーを制御する。

【００３７】そして、再生手段は、光磁気記録媒体上の
再生光の照射範囲からの当該再生光の反射光を受光して
記録情報の再生を行う。よって、マスク領域に対応する
光磁気層の照射面側近傍の磁化が消失するか、又は実質
的に消失するので、当該マスク領域は、記録情報が読み
出せない領域となる。

【００３８】従って、再生光の照射範囲内のマスク領域
以外の部分からのみ情報が読み出せることとなるので、
再生磁界を印加すること無く、いわゆる超解像再生が可
能となる。

【００３９】

【００４０】

【００４１】

【００４２】

【実施例】次に、本発明に好適な実施例について図面に
基づいて説明する。なお、以下の実施例においては、光
磁気記録媒体として、円盤状の光磁気ディスクを用いた
場合について説明する。 （Ｉ）装置構成 始めに、以下の各実施例に係る光磁気ディスクから記録
情報を再生するための光磁気ディスク再生装置につい
て、図１及び図２を用いて説明する。

【００４３】先ず、図１を用いて、光磁気ディスク再生
装置の構成について説明する。なお、図１に示す光磁気
ディスク再生装置においては、光磁気ディスク１の記録
信号の再生のみならず、外部からの記録データを処理し
て光磁気ディスク１に記録することも可能である。

【００４４】図１に示す光磁気ディスク再生装置Ｓは、
後述の制御用マイコンＭＣの制御の下、光磁気ディスク
１を回転駆動するためのディスク駆動部ＤＳと、図示し
ないレーザダイオード、アクチュエータ及び偏向ビーム
スプリッタ等を有し、回転する光磁気ディスク１に再生
光としてのレーザ光等の光ビームＢを照射し、この光ビ
ームＢが光磁気ディスク１の光磁気層において、磁気カ
ー効果により偏向面が僅かに回転して反射され戻ってき
た光ビームＢ中の信号成分をＲＦ（Radio Frequency ）
信号として出力する光ピックアップ２と、光ピックアッ
プ２から出力されたＲＦ信号を増幅するＲＦアンプ及び
増幅されたＲＦ信号から記録情報に対応する変調信号を
復調するために、パーシャルレスポンス及びビタビ復号
等を行うデコーダ等を有し、ＲＦ信号を処理して再生信
号に変換し、後述の制御用マイコンＭＣに出力する再生
処理部ＰＳと、光ピックアップ２の位置における周囲気
温を測定し、気温信号を後述の制御用マイコンＭＣに出
力する温度センサ４と、温度センサ４からの気温信号に
基づく制御用マイコンＭＣの制御の下、光ピックアップ
２に含まれるレーザダイオードを介して光ビームＢの出
力を制御するレーザ駆動回路３と、制御用マイコンＭＣ
を介して外部から入力される記録データを符号化するＮ
ＲＺ１（NonReturn-to-Zero change-on-ones recordin
g）エンコーダ及びＮＲＺ１エンコーダの出力に基づき
後述の磁気ヘッド５を駆動する磁気ヘッド駆動回路を含
み、当該記録データに基づき、情報記録のための後述の
磁気ヘッド５を制御する記録処理部ＲＳと、記録処理部
ＲＳの制御の下、光磁気ディスク１に対する情報記録に
おいて、光磁気ディスク１の情報記録部分に所定の磁界
を印加する磁気ヘッド５と、光磁気ディスク再生装置Ｓ
全体を制御する制御用マイコンＭＣと、により構成され
る。

【００４５】また、ディスク駆動部ＤＳは、制御用マイ
コンＭＣの制御によりスピンドルモータ７の回転を制御
するスピンドル駆動回路６と、スピンドル駆動回路６の
制御の下、光磁気ディスク１を回転駆動するスピンドル
モータ７と、により構成されている。

【００４６】なお、実際の光磁気ディスク再生装置Ｓに
おいては、上記の構成の他に、光ピックアップ２に対し
てフォーカスサーボ、トラッキングサーボ等のサーボ制
御を行い、さらに、スピンドルモータ７に対してスピン
ドルサーボ等のサーボ制御を行うためのサーボ制御部を
有しているが、説明の簡略化のために、図１には示して
いない。

【００４７】上記の光磁気ディスク再生装置Ｓにおける
記録情報の再生の際には、始めに、温度センサ４により
検出される光ピックアップ２の周囲気温に基づき、周囲
気温と光ビームＢの出力の関係が図２に示す関係となる
ように光ビームＢの出力が制御される。そして、後述の
各実施例において説明する再生動作により再生動作を実
行しつつそのときのＢＥＲ（Bit Error Rate）を参照し
て、光ビームＢの出力が細かく制御される。

【００４８】より具体的には、先ず、光ビームＢの出力
が図２に示す周囲気温と光ビームＢの出力の関係となる
ように制御され、次に以下の各実施例の再生動作が実行
される。そして、再生時のＢＥＲが１０^-6台より大きく
なると、光ビームＢの出力を変更し、ＢＥＲが１０^-6台
以下となるようにする。光ビームＢの出力の変更方法
は、図２に示す関係にある光ビームＢの出力を基準値と
し、０．０５mW毎に基準値の上下０．４mW幅まで変更す
る。但し、この際、最大出力は２．４mWとされる。そし
て、最終的にＢＥＲが最低となってときの光ビームＢの
出力が当該光ビームＢの出力の最適値とされる。

【００４９】ここで、図１の光磁気ディスク再生装置Ｓ
による記録動作については、従来技術と同様であるの
で、細部の説明は省略する。次に、本発明の光磁気ディ
スクの構造及びその再生動作を説明する。 （II）第１参考例 始めに、本発明に関連する第１の参考例について図３乃
至図５を用いて説明する。

【００５０】始めに、第１参考例に係る光磁気ディスク
の構造について図３を用いて説明する。図３に示す第１
参考例に係る光磁気ディスク１は、光ビームＢの照射側
から順に、光磁気ディスク１の本体たる基板１０と、光
磁気層を保護するための誘電体保護層１１と、室温にお
いて、後述の記録層１３との交換結合により記録層１３
と同一の磁化方向（記録マーク）を保持するとともに、
再生時においては、キュリー温度以上に加熱されること
により記録層１２の磁化が転写されないマスク層となる
再生層１２と、垂直磁化状態で磁化の方向により情報が
記録される記録層１３と、光磁気層を保護するための誘
電体保護層１４と、光磁気ディスク１をコーティングし
て保護するための２Ｐオーバコート等で形成される樹脂
保護層１５とを積層して構成される。上記の構成におい
て、実質的に再生動作に関与するのは、再生層１２及び
記録層１３であり、これらをまとめて光磁気層という。

【００５１】次に、各層の働き、組成及び膜厚について
説明する。基板１０は、光磁気ディスク１全体を支持す
る働きをし、その材質としては、光ビームＢを透過し、
且つ、屈折させ難い材質が用いられ、具体的には、ガラ
ス等が用いられる。また、その厚さは、光磁気ディスク
１を支持するのに充分な強度を有し、且つ、光ビームＢ
の透過に影響を与えない膜厚であればよい。具体的に
は、０．６乃至１．２mm程度とされる。

【００５２】誘電体保護層１１及び１４は、光ビームＢ
を透過するとともに、後述の光磁気層を保護する働きを
する。この膜の性質としては、光ビームＢの透過に影響
を与えないように透明であって水分等を透過させない緻
密な組成を有する必要がある。この性質を有する組成と
しては、ＳｉＮ_x 、ＡｌＮ、Ｔａ₂ Ｏ₅ 等が使用可能で
ある。膜厚としては、経年変化や酸化に対して抵抗でき
る程度の厚さ（例えば、２０〔nm〕程度）以上の厚さは
必要で、熱伝導特性や光透過特性に影響を与えない程度
の厚さ（例えば、１００〔nm〕程度）以下であることが
好ましい。

【００５３】再生層１２は、室温で記録層１３の記録情
報が転写されるとともに、再生時に再生層１２のキュリ
ー温度（以下、Ｔ_C1という。）以上に昇温されると、昇
温された部分の磁区が消失し、当該昇温された部分が情
報が読み出せないマスク領域として動作する。この時、
昇温時のマスク領域の到達温度（以下、再生温度とい
う。）は、記録層１３の記録情報を保持するために記録
層１３のキュリー温度（以下、Ｔ_C2とする。）より低く
なくてはならない。更に、光磁気ディスク１の移動に伴
う降温過程において、記録層１３の記録情報（記録層１
３の磁化）が再び転写されなければならない。以上の条
件から、再生層１２のキュリー温度Ｔ_C2及び保磁力（以
下、Ｈ_C1という。）については、以下の条件を満たすこ
とが必要である。

【００５４】Ｔ_C1＜Ｔ_C2 ……（１） 及び、再生温度付近において、 Ｈ_C1＜Ｈ_C2 ……（２） ここで、Ｈ_C2は、記録層１３の保磁力である。

【００５５】以上の条件に適した再生層１２の組成及び
膜厚としては、Ｔｂ₂₀Ｆｅ₈₀〔at%〕（４０nm（膜厚、
以下同様））、Ｔｂ₂₀（Ｆｅ₉₅Ｃｏ₅ ）₈₀〔at% 〕（４
０nm）等が用いられる。また、膜厚に関しては、Ｔｂ₂₀
Ｆｅ₈₀の場合には、１０nm乃至６０nmの範囲が適当であ
る。

【００５６】ここで、組成式中の数値は２種の合金の原
子数量比を表すもので、原子パーセントという。例え
ば、 Ａ_n Ｂ_m 〔at% 〕 という表示では、 n ＋m ＝１００ であり、この式は、全原子の個数中ｎ％のＡ原子および
ｍ％のＢ原子によってこの物質が組成されることを意味
する。

【００５７】また、再生層１２の組成としては、上記組
成の他に、ＤｙＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅ等を用いること
もできる。記録層１３は、記録情報を保持する働きをす
る。この膜の性質としては、垂直磁化を有する磁性材料
であって、記録時の光ビームＢの照射により到達可能な
最高温度よりキュリー温度Ｔ_C2が低く、最高温度時に一
旦磁区を消失させる必要がある。また、再生時には、光
磁気ディスク１の光ビームＢの照射範囲の一部（マスク
領域）が再生温度に到達したときでも記録情報（磁化の
方向）が消失しないことが必要である。以上の条件か
ら、記録層１３のキュリー温度Ｔ_C2及び保磁力Ｈ_C2につ
いては、上式（１）及び（２）の条件を満たすことが必
要である。

【００５８】以上の条件に適した記録層１３の組成及び
膜厚としては、再生層１２として、Ｔｂ₂₀Ｆｅ₈₀〔at%
〕（４０nm）を用いた場合には、Ｔｂ₂₀（Ｆｅ₉₀Ｃｏ
₁₀）₈₀〔at% 〕（４０nm）等が用いられ、再生層１２と
して、Ｔｂ₂₀（Ｆｅ₉₅Ｃｏ₅ ） ₈₀〔at% 〕（４０nm）を
用いた場合には、（Ｇｄ₂₀Ｔｂ₈₀）₂₃（Ｆｅ₉₀Ｃｏ₁₀）
₇₇〔at% 〕（４０nm）等が用いられる。また、膜厚に関
しては、Ｔｂ₂₀（Ｆｅ₉₀Ｃｏ₁₀）₈₀の場合には、２０nm
乃至６０nmの範囲が適当である。

【００５９】また、記録層１３の組成としては、上記組
成の他に、ＧｄＤｙＦｅＣｏ等を用いることもできる。
次に、図３に示す光磁気ディスク１を用いた記録情報の
再生動作について図４乃び図５を用いて説明する。

【００６０】図４（ｂ）において、記録層１３に記録さ
れた記録情報（以下、記録マークＭという。）は記録層
１３における上向きの磁化に対応している。そして、室
温部分（光ビームＢが照射されていない部分）では、記
録層１３の記録マークＭが再生層１３に転写され、再生
層１３にも記録層１３の記録マークＭに対応した記録マ
ークが形成されている。

【００６１】情報の再生時においては、再生光である光
ビームＢの出力パワーは、レーザ駆動回路３により、光
ビームの光磁気ディスク上の照射範囲（以下、光スポッ
トＢ _P という。）における最高温度（再生温度に相当す
る）Ｔ_H が、 Ｔ_C1＜Ｔ_H ＜Ｔ_C2 となるように設定される。そして、このように出力パワ
ーが設定された光ビームＢが再生層１２側から光磁気デ
ィスク１に照射されると、光磁気ディスク１の移動に伴
い、図４に示すように、光スポットの前方部分にはその
温度Ｔ_F がＴ_F ＜Ｔ_C1となる領域（以下、低温領域とい
う。）ができ、光スポットの後方部分には、その温度Ｔ
_B がＴ_C1＜Ｔ_B となる領域（以下、高温領域（マスク領
域Ａ_M ）という。）ができる。このとき、低温領域の形
は図４に示すように三日月形となり、マスク領域Ａ_M の
形は略楕円形となるように光ビームの出力パワーが設定
される。

【００６２】低温領域においては、温度が再生層１２の
キュリー温度Ｔ_C2に達するまでの間は、記録層１３の記
録マークＭが再生層１２に転写される（図４（ｂ）参
照）。そして、転写による再生層１２の磁化の方向に基
づくカー効果により記録マーク部分に照射された光ビー
ムの偏光面が回転し、この回転した偏光面を有する光ビ
ームと、記録マークＭ以外の部分（情報記録部分とは異
なった磁化の方向を有する）に照射された光ビーム（カ
ー効果により記録マークＭに照射された光ビームとは異
なった偏光面を有する）とが、光ピックアップ２により
偏光分離されることにより情報が再生される。

【００６３】次に、光磁気ディスク１の移動に伴って、
低温領域は移動しつつ昇温され、マスク領域となる（図
４（ａ）参照）。この時、マスク領域においては、その
再生温度Ｔ_H が再生層１２のキュリー温度Ｔ_C1に比し
て、 Ｔ_C1＜Ｔ_H となるため、図４（ｂ）に示すように、再生層１２の磁
化は消失する。従って、マスク領域においては、記録層
１３の磁化は、再生層１２に転写されないこととなり、
マスク領域に対応する記憶層１３に記録されている情報
は読み出せなくなる。換言すれば、マスク領域は情報が
読み出せない領域となるのである。なお、このときで
も、光ビームの照射領域内の温度は、記録層１３のキュ
リー温度Ｔ_C2以上にはならないので、記録層１３に記録
された情報は消去されない。

【００６４】そして、更に光磁気ディスク１が移動する
ことにより、光ビームＢが照射されなくなると、マスク
領域Ａ_M は降温され、その温度がキュリー温度Ｔ_C1以下
となると、再生温度付近で上式（２）の関係を有するの
で、記録層１３の記録マークＭが再生層１２に再転写さ
れ、再生層１２にも記録層１３と同様の記録マークＭが
形成される。

【００６５】以上説明した低温領域及びマスク領域Ａ_M
の機能により、記録層１３に記憶された情報の再生は光
スポット内の低温領域からのみとなる。つまり、低温領
域が情報再生に対する窓領域として機能することによ
り、実質的に光スポットの大きさを小さくすることがで
き、再生磁界Ｈ_r を印加することなく光磁気ディスク１
の時間軸方向におけるいわゆる超解像再生を行うことが
できるのである。

【００６６】ここで、図５には、記録マークＭに対応す
る再生ＲＦ信号の波形について、再生磁界を必要としな
い第１実施例の光磁気ディスク１を用いた情報再生の場
合と、再生磁界Ｈ_r が必要な従来技術の光磁気ディスク
を用いた情報再生の場合との比較結果を示している。

【００６７】図５（ａ）に示すように、従来技術におい
ては、マスク領域Ａ_M に対して再生磁界Ｈ_r が印加され
るため（図５（ａ）（ｉ）参照）、低温領域とマスク領
域Ａ _M との境界部分においては、磁化の方向が急激に変
化する場合があり、これにより、再生光の反射光におけ
るカー回転角が当該境界部分で急激に変化して、記録マ
ークＭに対応する再生ＲＦ波形が急激に変化し（図５
（ａ）（ii）参照）、波形の対称性が失われ大きく歪む
こととなる。

【００６８】これに対し、図５（ｂ）示すように、第１
実施例の光磁気ディスク１を用いた情報再生の場合に
は、マスク領域Ａ_M に対して再生磁界Ｈ_r が印加されな
いため（図５（ｂ）（ｉ）参照）、低温領域とマスク領
域Ａ_M との境界部分において、磁化の方向は急激に変化
することなく、温度上昇に伴って、滑らかに連続的に変
化する。よって、再生光の反射光におけるカー回転角が
急激に変化することもなく、記録マークＭに対応する再
生ＲＦ波形についても連続的に変化し（図５（ｂ）（i
i）参照）、波形の対称性も失われない。従って、再生
信号が歪むこともなく雑音の少ない再生信号が得られ
る。

【００６９】以上説明した第１参考例によれば、光磁気
ディスクの構成を簡略化することができるとともに、再
生磁界Ｈｒを印加すること無く、いわゆる超解像再生が
可能となる。よって、光磁気ディスク再生装置の構成も
簡略化することができる。

【００７０】また、再生磁界Ｈ_r により再生層１２の磁
化方向が急激に変化されることが無いので、記録マーク
Ｍに対応する再生ＲＦ波形が歪むことがなく、雑音の少
ない良好な再生信号を得ることができる。

【００７１】なお、上記の第１参考例においては、マス
ク領域ＡＭに対応する再生層１２の温度をそのキュリー
温度ＴＣ１以上の再生温度とすることにより、マスク領
域ＡＭに対応する再生層１２の磁化を完全に消失させた
が、これに限られるものではなく、マスク領域ＡＭに対
応する再生層１２の温度をそのキュリー温度ＴＣ１以下
の温度であって、マスク領域ＡＭに対応する再生層１２
の磁化が実質的に消失する温度となるように光ビームＢ
の出力を制御してもよい。

【００７２】より具体的には、再生温度ＴＨを、再生層
１２の磁化の方向の変化による光ビームＢの反射光にお
けるカー回転角の変化に基づく再生ＲＦ信号の変化が再
生処理部ＰＳにおける所定のスレッショルド以下の値と
なるように再生層１２の磁化を小さくする温度とするの
である。このようにすれば、再生層１２の磁化が実質的
に消失したこととなり、上記第１参考例と同様の効果が
得られる。 （III）実施例 次に、本発明に対応する実施例について図６乃至図８を
用いて説明する。

【００７３】第１参考例においては、光磁気層の構成を
再生層１２及び記録層１３の２層構造としたが、実施例
では、光磁気層は１層構造とされ、その厚さ方向でキュ
リー温度が連続的に変化するように構成されている。

【００７４】始めに、実施例に係る光磁気ディスクの構
造について図６を用いて説明する。図６に示す実施例に
係る光磁気ディスク２０は、光ビームＢの照射側から順
に、光磁気ディスク２０の本体たる基板２１と、後述の
光磁気層２３を保護するための誘電体保護層２２と、室
温において、垂直磁化の方向の違いにより記録マークＭ
を保持するとともに、そのキュリー温度が厚さ方向にお
いて連続的に変化するように、キュリー温度を変化させ
るための含有元素（例えば、Ｃｏ等）の量がその厚さ方
向において連続的に変化する（図６（ｂ）参照）ように
構成されている光磁気層２３と、光磁気層２３を保護す
るための誘電体保護層２４と、光磁気ディスク２０をコ
ーティングして保護するための２Ｐオーバコート等で形
成される樹脂保護層２５とを積層して構成される。上記
の構成において、実質的に再生動作に関与するのは、光
磁気層２３である。

【００７５】また、光磁気層２３においては、図６
（ｂ）に示すように、光ビームＢが照射される照射面側
（基板２１側）のキュリー温度が、照射面でない面側
（樹脂保護層２５側）のキュリー温度より低くなるよう
に、キュリー温度を変化させるための含有元素は基板２
１側で少なくなり、樹脂保護層２５側で多くなるように
構成されている。

【００７６】次に、各層の働き、組成及び膜厚について
説明する。基板２１、誘電体保護層２２及び２４につい
ては、第１参考例と同様であるので、細部の説明は省略
する。

【００７７】光磁気層２３は、室温で記録マークＭが保
持されるとともに、再生時に光磁気層２３の基板２１側
の面の近傍が基板２１側の面のキュリー温度（以下、Ｔ
_C3という。）以上に昇温されると、昇温された部分が情
報が読み出せないマスク領域として動作する。この時、
再生温度Ｔ_H は、記録情報を保持するために光磁気層２
３の樹脂保護層２５側の面近傍のキュリー温度（以下、
Ｔ_C4という。）より低くなくてはならない。更に、光磁
気ディスク２０の移動に伴う降温過程において、光磁気
層２３の樹脂保護層２５側に保持された記録マークＭが
再び光磁気層２３の基板２１側の面まで転写されなけれ
ばならない。以上の条件から、光磁気層２３のキュリー
温度Ｔ_C3及びＴ_C4、並びに光磁気層２３の基板２１側の
面近傍の保磁力（以下、Ｈ_C3という。）及び光磁気層２
３の樹脂保護層２５側の面近傍の保磁力（以下、Ｈ_C4と
いう。）については、以下の条件を満たすことが必要で
ある。

【００７８】Ｔ_C3＜Ｔ_C4 ……（３） 及び、再生温度付近において、 Ｈ_C3＜Ｈ_C4 ……（４） 以上の条件に適した光磁気層２３の組成及び膜厚として
は、Ｔｂ₂₀（Ｆｅ_{100- x} Ｃｏ_x ）₈₀〔at% 〕（９０n
m）、Ｇｄ₂₆（Ｆｅ_100-x Ｃｏ_x ）₇₄〔at% 〕（９０n
m）等が用いられる。ここで、ｘは、光磁気層２３の厚
さ方向で可変とされる。また、膜厚に関しては、再生時
に、光磁気層２３の基板２１側の面近傍が昇温されてそ
のキュリー温度Ｔ_C3以上になっても、光磁気層２３の樹
脂保護層２５側の面近傍の温度が、そのキュリー温度Ｔ
_C4以下となって、記録マークＭが消失しない（磁化が消
失しない）ように設定される。

【００７９】より具体的には、Ｔｂ₂₀（Ｆｅ_100-x Ｃｏ
_x ）₈₀〔at% 〕の場合には、３０乃至１５０nmの範囲と
され、また、Ｇｄ₂₆（Ｆｅ_100-x Ｃｏ_x ）₇₄〔at% 〕の
場合にも３０乃至１５０nmの範囲とされる。

【００８０】ここで、光磁気層２３としてＧｄ₂₆（Ｆｅ
_100-x Ｃｏ_x ）₇₄〔at% 〕を用いた場合のコバルト（Ｃ
ｏ）の含有量（ｘの大きさ）とキュリー温度との関係を
図７に示す。図７から明らかなように、コバルト（Ｃ
ｏ）の含有量が大きいとキュリー温度が上昇する。よっ
て、光磁気層２３の厚さ方向の位置とコバルト（Ｃｏ）
の含有量との関係を図６（ｂ）に示すような関係とすれ
ば、光磁気層２３のキュリー温度を厚さ方向において単
調かつ連続的に変化させ、且つ、光磁気層２３の基板２
１側の面近傍のキュリー温度Ｔ_C3を樹脂保護層２５側の
面近傍のキュリー温度Ｔ_C4より低くすることができる 次に、図６に示す光磁気ディスク２０を用いた記録情報
の再生動作について図８を用いて説明する。

【００８１】図８（ｂ）において、光磁気層２３に記録
された記録マークＭは光磁気層２３における上向きの磁
化に対応している。そして、室温部分（光ビームＢが照
射されていない部分）では、光磁気層２３の記録マーク
Ｍが光磁気層２３の基板２１側の面まで転写され、光磁
気層２３の基板２１側の面に記録マークＭが形成されて
いる。

【００８２】情報の再生時においては、再生光である光
ビームＢの出力パワーは、レーザ駆動回路３により、光
スポットＢ_P における再生温度Ｔ_H が、 Ｔ_C3＜Ｔ_H ＜Ｔ_C4 となるように設定される。そして、このように出力パワ
ーが設定された光ビームＢが基板２１側から照射される
と、光磁気ディスク２０の移動に伴い、図８（ａ）に示
すように、光スポットの前方部分にはその温度Ｔ_F がＴ
_F ＜Ｔ_C3となる第１実施例と同様な低温領域ができ、光
スポットの後方部分には、その温度Ｔ_BがＴ_C3＜Ｔ_B と
なる高温領域（マスク領域Ａ_M ）ができる。このとき、
第１実施例と同様に、低温領域の形は略三日月形とな
り、マスク領域Ａ_M の形は略楕円形となるように光ビー
ムの出力パワーが設定される。

【００８３】低温領域においては、温度がキュリー温度
ＴＣ３に達するまでの間は、記録マークＭが光磁気層２
３の基板２１側の面に形成されている（図８（ｂ）参
照）。そして、記録マークＭの磁化の方向に基づくカー
効果により記録マークＭ部分に照射された光ビームの偏
光面が回転し、第１参考例と同様の動作により情報が再
生される。

【００８４】次に、光磁気ディスク２０の移動に伴っ
て、低温領域は、移動しつつ昇温されマスク領域Ａ_M と
なる（図８（ａ）参照）。この時、マスク領域Ａ_M にお
いては、その再生温度Ｔ_H が光磁気層２３の基板２１側
の面のキュリー温度Ｔ_C3に比して、 Ｔ_C3＜Ｔ_H となるため、図８（ｂ）に示すように、光磁気層２３の
基板２１側の面近傍の磁化が消失する。従って、マスク
領域Ａ_M においては、記録マークＭが光磁気層２３の基
板２１側の面に形成されないこととなり、記録マークＭ
に対応する情報は読み出せなくなる。なお、このときで
も、光ビームの照射領域内の温度は、光磁気層２３の樹
脂保護層２５側の面のキュリー温度Ｔ_C4以上にはならな
いので、光磁気層２３の樹脂保護層２５側の面近傍にお
いては、記録マークＭがそのまま保持され続ける。

【００８５】そして、更に光磁気ディスク２０が移動す
ることにより、光ビームＢが照射されなくなると、マス
ク領域Ａ_M は降温され、その温度がキュリー温度Ｔ_C3以
下となると、再生温度付近で上式（４）の関係を有する
ので、光磁気層２３の樹脂保護層２５側の面近傍に残っ
ている記録マークＭが光磁気層２３の基板２１側の面に
再転写され、光磁気層２３の基板２１側の面にも光磁気
層２３の樹脂保護層２５側の面と同様の記録マークＭが
形成される。

【００８６】以上説明した低温領域及びマスク領域ＡＭ
の機能により、光磁気層２３の情報の再生は光スポット
内の低温領域からのみとなり、第１参考例と同様に、光
磁気ディスク２０の時間軸方向におけるいわゆる超解像
再生を行うことができるのである。

【００８７】以上説明した実施例によれば、光磁気ディ
スクの構成を簡略化することができるとともに、再生磁
界Ｈｒを印加すること無く、いわゆる超解像再生が可能
となる。よって、光磁気ディスク再生装置の構成も簡略
化することができる。

【００８８】また、再生磁界Ｈｒにより光磁気層２３の
基板２１側の面の磁化方向が急激に変化されることが無
いので、記録マークＭに対応する再生ＲＦ波形が歪むこ
とがなく、雑音の少ない良好な再生信号を得ることがで
きる。更に、情報記録用の光磁気層２３が一層のみであ
るので、光磁気ディスクの製造工程を簡略化することが
できる。

【００８９】なお、上記の実施例においては、マスク領
域ＡＭに対応する光磁気層２３の基板２１側の面の温度
をそのキュリー温度ＴＣ３以上の再生温度とすることに
より、マスク領域ＡＭに対応する光磁気層２３の基板２
１側の面近傍の磁化を完全に消失させたが、これに限ら
れるものではなく、第１参考例と同様に、マスク領域Ａ
Ｍに対応する光磁気層２３の基板２１側の面の温度をそ
のキュリー温度ＴＣ３以下の温度であって、マスク領域
ＡＭに対応する光磁気層２３の基板２１側の面近傍の磁
化が実質的に消失する温度となるように光ビームＢの出
力を制御してもよい。このようにしても、上記実施例と
同様の効果が得られる。 （IV）第２参考例 次に、本発明に関連する第２の参考例について図９乃至
図１２を用いて説明する。

【００９０】これまでの第１参考例及び実施例において
は、マスク領域ＡＭにおける磁化を消失させるか、又は
実質的に消失したと等価にすることにより、マスク領域
ＡＭからの情報の再生ができないようにしたが、第２参
考例においては、マスク領域ＡＭにおける磁化を消失さ
せるのではなく、昇温により当該マスク領域ＡＭの角形
比（Squareness ratio（矩形比））を減少させ、カー回
転角を小さくすることでマスク領域ＡＭからの情報の再
生を実質的に不可としている。

【００９１】始めに、第２参考例に係る光磁気ディスク
の構造について図９を用いて説明する。図９に示す光磁
気ディスク３０は、光ビームＢの照射側から順に、光磁
気ディスク１の本体たる基板３１と、光磁気層を保護す
るための誘電体保護層３２と、室温において、後述の記
録層３４との交換結合により記録層３４と同一の記録マ
ークＭを保持するとともに、再生時においては、所定の
再生温度以上に加熱されることにより角形比が減少しカ
ー回転角の小さいマスク層となる再生層３３と、垂直磁
化状態で磁化の方向により情報が記録される記録層３４
と、光磁気層を保護するための誘電体保護層３５と、光
磁気ディスク３０をコーティングして保護するための２
Ｐオーバコート等で形成される樹脂保護層３６とを積層
して構成される。上記の構成において、実質的に再生動
作に関与するのは、光磁気層である再生層３３及び記録
層３４である。

【００９２】次に、各層の働き、組成及び膜厚について
説明する。基板３１、誘電体保護層３２及び３５につい
ては、第１参考例及び実施例と同様であるので、細部の
説明は省略する。

【００９３】再生層３３は、室温で記録層３４の記録マ
ークＭが転写されるとともに、再生時に所定の再生温度
Ｔ_H 以上に昇温されると、昇温された領域に対応する部
分の角形比が減少し、当該領域中の記録マークＭに照射
された光ビームＢにおけるカー回転角が小さくなり、こ
れにより当該昇温された領域が情報が実質的に読み出せ
ないマスク領域Ａ_M として動作する。この時、再生温度
Ｔ_H は、記録層３５の記録マークＭを保持するために記
録層３５のキュリー温度（以下、Ｔ_C6とする。）より低
くなくてはならない。以上の条件から、再生層３３にお
ける所定の再生温度Ｔ_H については、以下の条件を満た
すことが必要である。

【００９４】Ｔ_H ＜Ｔ_C6 ……（５） なお、第３実施例の光磁気ディスク３０においては、再
生層３３のキュリー温度と、記録層３４のキュリー温度
との間には相関関係はない。また、再生層３３における
昇温された領域においては、記録マークＭが消失するこ
とはなく、記録マークＭに対応する部分に照射された光
ビームＢにおけるカー回転角が小さくなる。

【００９５】更に、マスク領域Ａ_M において、角形比を
小さくして光ビームＢにおけるカー回転角を小さくする
ためには再生層３３の磁気異方性が充分に小さくなけれ
ばならない。

【００９６】以上の条件に適した再生層３３の組成及び
膜厚としては、Ｇｄ₂₄（Ｆｅ₈₀Ｃｏ ₂₀）₇₆〔at% 〕（６
０nm）等が用いられる。ここで、膜厚の範囲としては、
２０乃至１００nmが適当である。また、Ｃｏの含有量に
ついては角形比を１より小さくし易くするため２０乃至
６０〔at% 〕とされる。

【００９７】ここで、再生層３３として、Ｇｄ₂₄（Ｆｅ
₈₀Ｃｏ₂₀）₇₆〔at% 〕（６０nm）を用いた場合の角形比
Ｒとカー回転角の関係について図１０を用いて説明す
る。図１０において、横軸は磁化の強さを示し、縦軸は
カー回転角を示している。また、角形比Ｒは、図１０中
の「Ａ」及び「Ｂ」又は「Ｃ」及び「Ｄ」を用いて、 Ｒ＝Ｂ／Ａ又は、Ｒ＝Ｄ／Ｃ で表される。

【００９８】図１０から明らかなように、角形比Ｒが小
さくなるとカー回転角も小さくなる。また、図１０に、
２２０℃の場合と２５℃の場合を示すように、温度が高
いほど角形比が小さくなり、従って、カー回転角も小さ
くなる。

【００９９】次に、再生層３３として、Ｇｄ₂₄（Ｆｅ₈₀
Ｃｏ₂₀）₇₆〔at% 〕（６０nm）を用いた場合の角形比Ｒ
と温度の関係について図１１を用いて説明する。図１１
において、横軸は温度を示し、縦軸は角形比を示す。図
１１から明らかなように、角形比Ｒは約２００度以下で
はほぼ１になる。従って、この温度領域では、情報再生
に充分なカー回転角が得られる。また、約２００度以上
では、角形比Ｒも小さくなり、従って、カー回転角も小
さくなる。

【０１００】なお、図１１に示すような光磁気ディスク
３０における温度と角形比の関係は、例えば、再生層３
３を保護する誘電体保護層３２としてのＳｉＮ層を形成
する際のスパッタガス圧を変化させることにより得られ
る。より具体的には、図１１に示す関係は、誘電体保護
層（Ｓi Ｎ層）３２を形成する際の成膜圧力が７mTorr
のときに得られる。

【０１０１】記録層３４は、記録情報を保持する働きを
する。この膜の性質としては、第１参考例と同様の条件
を満たすことが必要である。ここで、第２参考例におい
ては、上述のようにマスク領域ＡＭに対応する再生層の
磁化による記録マークＭは昇温によっても消失しないの
で、記録層３４の保磁力について、第１参考例における
式（２）のような関係を満たす必要はない。

【０１０２】以上の条件に適した記録層３４の組成及び
膜厚としては、再生層３３として、Ｇｄ₂₄（Ｆｅ₈₀Ｃｏ
₂₀）₇₆〔at% 〕（６０nm）を用いた場合には、Ｔｂ
₂₀（Ｆｅ ₉₀Ｃｏ₁₀）₈₀〔at% 〕（４０nm）等が用いられ
る。また、膜厚の範囲としては２０nm乃至６０nmが適当
である。

【０１０３】次に、図９に示す光磁気ディスク３０を用
いた記録情報の再生動作について図１２を用いて説明す
る。なお、図１２（ｂ）における再生層３３の回転矢印
は、記録層３４の記録マークＭに対応する再生層３３の
記録マークＭ毎の、当該記録マークＭの部分に照射され
た光ビームＢにおけるカー回転角の大きさを示してい
る。

【０１０４】図１２（ｂ）において、記録層３４に記録
された記録マークＭは記録層３４における上向きの磁化
に対応している。そして、室温部分（光ビームＢが照射
されていない部分）では、記録層３４の記録マークＭが
再生層３３に転写され、再生層３３にも記録層１３の記
録マークＭに対応した記録マークＭが形成されている。
更に、室温においては角形比Ｒがほぼ１であるので、再
生層３３のそれぞれの記録マークＭに対応してカー回転
角も大きくなっている。

【０１０５】情報の再生時においては、再生光である光
ビームＢの出力パワーは、レーザ駆動回路３により、光
スポットＢ_P における再生温度Ｔ_H が、図１１に示す範
囲であって、上式（５）の条件を満たす温度とされる。
そして、このように出力パワーが設定された光ビームＢ
が再生層３３側から光磁気ディスク３０に照射される
と、光磁気ディスク３０の移動に伴い、図１２（ａ）に
示すように、光スポットＢ_P の前方部分にはその温度Ｔ
_F がＴ_F ＜Ｔ_H となる低温領域ができ、光スポットＢ_P
の後方部分には、その温度Ｔ_B がＴ_H ＜Ｔ_B となる高温
領域（マスク領域Ａ_M ）ができる。このとき、低温領域
の形は図１２（ａ）に示すように三日月形となり、マス
ク領域Ａ_M の形は略楕円形となるように光ビームＢの出
力パワーが設定される。

【０１０６】低温領域においては、温度が再生温度Ｔ_H
に達するまでの間は、記録層３５の記録マークＭと同様
の記録マークが再生層３３にも形成され、記録マークＭ
に対応するカー回転角も大きくなる（図１２（ｂ）参
照）。そして、再生層３３に照射された光ビームＢのカ
ー回転角の変化により、第１実施例又は第２実施例と同
様の動作により情報が再生される。

【０１０７】次に、光磁気ディスク３０の移動に伴っ
て、低温領域は移動しつつ昇温され、マスク領域Ａ_M と
なる（図１２（ａ）参照）。この時、マスク領域Ａ_M に
おいては、その再生温度Ｔ_H が上述のように図１１に示
す範囲であって、上式（５）の条件を満たす温度とされ
る。このため、図１２（ｂ）に示すように、再生層３３
のマスク領域Ａ_M に対応する部分では、角形比Ｒが小さ
くなり、これに伴って、光ビームＢにおけるカー回転角
も小さくなる。従って、このカー回転角の減少により、
再生ＲＦ信号の変化が再生処理部ＰＳにおける所定のス
レッショルド以下の値となり、実質的にマスク領域Ａ_M
の記録マークＭは読み出せなくなる。なお、このときで
も、光ビームの照射領域内の温度は、記録層３４のキュ
リー温度Ｔ _C6以上にはならないので、記録層３４に記録
された情報は消去されない。

【０１０８】そして、更に光磁気ディスク３０が移動す
ることにより、光ビームＢが照射されなくなると、マス
ク領域Ａ_M は降温され、その温度が再生温度Ｔ_H 以下と
なると、再生層３３の角形比が再び１となる。よって、
次の情報再生において光ビームＢが再生層３３に照射さ
れた場合に、光ビームＢにおける再生層３３の記録マー
クＭに対応したカー回転角も大きくなり、情報再生が可
能となる。

【０１０９】以上説明した低温領域及びマスク領域Ａ_M
の機能により、記録層３４の情報の再生は光スポットＢ
_P 内の低温領域からのみとなり、第１及び第２実施例と
同様に、光磁気ディスク３０の時間軸方向におけるいわ
ゆる超解像再生を行うことができるのである。

【０１１０】以上説明した第２参考例によれば、光磁気
ディスクの構成を簡略化することができるとともに、再
生磁界Ｈｒを印加すること無く、いわゆる超解像再生が
可能となる。よって、光磁気ディスク再生装置の構成も
簡略化することができる。

【０１１１】また、再生磁界Ｈ_r により再生層３３のカ
ー回転角が急激に変化されることが無いので、記録マー
クＭに対応する再生ＲＦ波形が歪むことがなく、雑音の
少ない良好な再生信号を得ることができる。

【０１１２】なお、これまでの第１及び第２参考例並び
に実施例においては、光磁気ディスクを対象として説明
してきたが、本発明はこれに限られるものではなく、テ
ープ状の支持体上に上述の光磁気層等を形成した、いわ
ゆる光テープ等のテープ状の光磁気記録媒体に対しても
適用が可能である。

【０１１３】

【０１１４】

【０１１５】

【０１１６】

【発明の効果】 以上説明したように、 請求項１又は３に
記載の発明によれば、マスク領域に対応する光磁気層の
照射面側近傍の磁化が消失するか、又は実質的に消失さ
れるので、当該マスク領域はは、記録情報が読み出せな
い領域となる。

【０１１７】従って、再生光の照射範囲内のマスク領域
以外の部分からのみ情報が読み出せることとなるので、
情報記録用の光磁気層を一層のみ備えることで光磁気記
録媒体の構成を簡略化することができるとともに、再生
磁界を印加すること無く、いわゆる超解像再生が可能と
なり、光磁気記録媒体再生装置の構成を簡略化すること
ができる。

【０１１８】また、再生磁界により再生層の磁化方向が
急激に変化されることが無いので、記録情報に対応する
再生ＲＦ波形が歪むことがなく、雑音の少ない良好な再
生ＲＦ波形を得ることができる。更に、情報記録用の光
磁気層が一層のみであるので、光磁気記録媒体の製造工
程を簡略化することができる。

【０１１９】

【０１２０】

【０１２１】

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例の光磁気記録媒体再生装置の概要構成を
示す図である。

【図２】周囲温度と再生光パワーとの関係を示す図であ
る。

【図３】第１参考例の光磁気記録媒体の構造を示す図で
ある。

【図４】第１参考例の光磁気記録媒体における再生動作
を示す図であり、（ａ）は光スポット付近の平面図、
（ｂ）は断面図である。

【図５】再生ＲＦ波形の比較を示す図であり、（ａ）
（ｉ）は従来技術における光スポット付近の平面図、
（ａ）（ii）は従来技術における一の記録マークに対応
する再生ＲＦ波形を示す図、（ｂ）（ｉ）は本発明にお
ける光スポット付近の平面図、（ｂ）（ii）は本発明に
おける一の記録マークに対応する再生ＲＦ波形を示す図
である。

【図６】実施例の光磁気記録媒体の構造を示す図であ
り、（ａ）は光磁気記録媒体の構造を示す図、（ｂ）
は、光磁気層における膜厚（厚さ方向の位置）とコバル
ト含有量との関係を示す図である。

【図７】コバルト含有量とキュリー温度との関係を示す
図である。

【図８】実施例の光磁気記録媒体における再生動作を示
す図であり、（ａ）は光スポット付近の平面図、（ｂ）
は断面図である。

【図９】第２参考例の光磁気記録媒体の構造を示す図で
ある。

【図１０】角形比とカー回転角の関係を示す図である。

【図１１】角形比と温度との関係を示す図である。

【図１２】第２参考例の光磁気記録媒体における再生動
作を示す図であり、（ａ）は光スポット付近の平面図、
（ｂ）は断面図である。

【図１３】従来技術の光磁気記録媒体を示す図であり、
（ａ）は光磁気記録媒体の構造を示す図、（ｂ）は光ス
ポット付近の平面図である

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 齋藤 嘉朗 埼玉県鶴ケ島市富士見６丁目１番１号 パイオニア株式会社総合研究所内 (72)発明者 ▲吉▼川 高正 埼玉県鶴ケ島市富士見６丁目１番１号 パイオニア株式会社総合研究所内 (56)参考文献 特開 平５−342670（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−49058（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G11B 11/105

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 情報記録用の光磁気層として、 室温からそのキュリー温度までの間で 垂直磁化状態を維
   持しつつ情報が記録されるとともに、 当該キュリー温度がその厚さ方向において連続的に変化
   し、且つ、所定の再生光が照射される照射面側の面のキ
   ュリー温度が、前記照射面でない面側の面のキュリー温
   度より低い当該光磁気層 を一層のみ備えることを特徴と
   する光磁気記録媒体。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の光磁気記録媒体であっ
   て、 キュリー温度を変化させる元素の含有量が前記光磁気記
   録媒体の厚さ方向において連続的に変化している 光磁気
   層を備えることを特徴とする光磁気記録媒体。
3. 【請求項３】 請求項１又は２に記載の光磁気記録媒体
   の記録情報を再生する光磁気記録媒体再生装置であっ
   て、 前記光磁気記録媒体に再生光を照射する再生光照射手段
   と、 前記光磁気記録媒体上のマスク領域に対応する前記照射
   面側の前記光磁気層の温度が、前記光磁気層における最
   も高いキュリー温度以下の温度になるとともに、前記光
   磁気層における前記照射面側の面のキュリー温度以上、
   又は、前記照射面側の面のキュリー温度以下の温度であ
   って、前記光磁気層における前記照射面側の磁化を実質
   的に消失させる温度となるように前記再生光の出力パワ
   ーを制御する再生出力制御手段と、 前記光磁気記録媒体上の前記再生光の照射範囲からの当
   該再生光の反射光を受光して前記記録情報の再生を行う
   再生手段と、 を備えることを特徴とする光磁気記録媒体再生装置 。