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JP2708533B2 - Ｃｖｄ装置の残留ガス除去方法 - Google Patents

Ｃｖｄ装置の残留ガス除去方法

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JP2708533B2
JP2708533B2 JP1061508A JP6150889A JP2708533B2 JP 2708533 B2 JP2708533 B2 JP 2708533B2 JP 1061508 A JP1061508 A JP 1061508A JP 6150889 A JP6150889 A JP 6150889A JP 2708533 B2 JP2708533 B2 JP 2708533B2
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Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 CVD装置の残留ガス除去方法に関し， フッ素ガスを用いたプラズマ・セルフ・クリーニング
後にチャンバー内に残留したフッ素ガスを効率良く除去
あるいは抑え込むことにより，均一で，不純物の極めて
少ない成膜を可能にすることを目的とし， フッ素を含有するガスを用いてプラズマ・セルフ・ク
リーニングを行う型のCVD装置において，フッ素を含有
するガスを用いてプラズマ・セルフ・クリーニングを行
った後，予めチャンバー内をプラズマ窒化シリコン膜で
コーティングし，その後,CVD膜の成長を行うように構成
する。
〔産業上の利用分野〕
本発明は,CVD装置の残留ガス除去方法に関する。
近年,CVD装置には，高スループットが要求されてい
る。そのため，チャンバー内の洗浄をプラズマを用いた
セルフ・クリーニングにして,CVD装置のダウン・タイム
を小さくしている。
〔従来の技術〕
従来のCVD装置においては，フッ素を含有するガスを
用いてプラズマ・セルフ・クリーニングを行った後，ウ
ェハ上にCVD膜を成長させる前に，予め目的のCVD膜と同
じ膜をチャンバー内に数μｍの厚さにコーティングして
いた。
しかしながら,SiO2膜やPSG膜などのCVD膜を成長させ
た場合，プラズマ・セルフ・クリーニングで用いたCF4,
SF6,NF3などのフッ素を含有するガスを除去することや
抑えることができず，ウェハ上に成長したSiO2膜やPSG
膜の中にフッ素が混入していた。
１例として,Siウェハ上にCVDSiO２膜を成長させた場
合を説明する。
まず,NF3ガスを用いてプラズマ・セルフ・クリーニン
グを行った後,Siウェハ上にSiO2膜を成長させる前に，
予めSiO2膜をチャンバー内に３μｍの厚さにコーティン
グし，その後,Siウェハ上にCVDSiO２膜を成長させた。
この結果得られたもののSIMS分析結果を第３図に示
す。同図から,SiO2膜中に高濃度のフッ素が混入してい
ることがわかる。
〔発明が解決しようとする課題〕
従来の方法では，ウェハ上に成長したSiO2膜やPSG膜
などのCVD膜中にフッ素が混入してしまうため，膜質が
劣化する，という問題があった。
本発明は，この点に鑑み，フッ素ガスを用いたプラズ
マ・セルフ・クリーニング後にチャンバー内に残留した
フッ素ガスを効率良く除去あるいは抑え込むことによ
り，均一で，不純物の極めて少ない成膜を可能にした,C
VD装置の残留ガス除去方法を提供することを目的とす
る。
〔課題を解決するための手段〕
上記の目的を達成するために，本発明に係るCVD装置
の残留ガス除去方法は，フッ素を含有するガスを用いて
プラズマ・セルフ・クリーニングを行う型のCVD装置に
おいて，フッ素を含有するガスを用いてプラズマ・セル
フ・クリーニングを行った後，予めチャンバー内をプラ
ズマ窒化シリコン膜でコーティングし，その後,CVD膜の
成長を行うように構成する。
〔作 用〕
フッ素を含有するガスを用いてプラズマ・セルフ・ク
リーニングを行う型のCVD装置において，フッ素を含有
するガスを用いてプラズマ・セルフ・クリーニングを行
うと，チャンバー内にフッ素ガスが残留する。
この残留フッ素ガスを除去あるいは抑え込むために，
従来は，予め目的のCVD膜と同じ膜でチャンバー内をコ
ーティングする方法を用いていた。しかしながら，この
方法では，残留フッ素ガスを充分に除去あるいは抑え込
むことができず，成長したCVD膜中にフッ素が高濃度に
混入してしまい，その結果，膜質が劣化する，という問
題が生じていた。これに対して，本発明では，残留フッ
素ガスを除去あるいは抑え込むために，予めチャンバー
内をプラズマ窒化シリコン膜でコーティングし，その
後，目的のCVD膜の成長を行うようにしている。この結
果，成長したCVD膜中に混入するフッ素の濃度は，従来
の方法に比べて，充分に低くなる。したがって，成長し
たCVD膜は，均一で，不純物の極めて少ないものが得ら
れる。
このように，本発明によれば，劣化の無い，極めて安
定した成膜が可能になる。
〔実施例〕
第１図は，プラズマCVD装置を示す図である。
この装置を用いて,Siウェハ上にCVDSiO２膜を成長さ
せた例を説明する。
チャンバー内を0.5Torrにし,NF3を100cc/minの流量で
流し,13.56MHz,300WのRFを印加して，チャンバー内のプ
ラズマ・セルフ・クリーニングを行う。
チャンバー内を1Torrにし,SiH4を20cc/min,NH3を100c
c/min,N2を200cc/minの流量でそれぞれ流し,13.56MHz,3
00WのRFを印加して，チャンバー内を厚さ0.3μｍのプラ
ズマSiN膜でコーティングする。
チャンバー内にSiウェハを設置したのち，チャンバー
内の圧力を1Torr,ウェハの温度を400℃にし,SiH4を20cc
/min,O2を１/min,N2を１/minの流量でそれぞれ流し
て,Siウェハの上に厚さ１μｍのCVDSiO２膜を成長させ
る。
以上の工程により得られたSiウェハ上のCVDSiO２膜の
SIMS分析結果を第２図に示す。
この図と従来例のSIMS分析結果を示す第３図とを比較
すると，本実施例の場合，従来例に比べて,Siウェハ上
に成長させたCVDSiO２膜中のフッ素の混入が極めて少な
いことがわかる。
〔発明の効果〕
本発明によれば，フッ素を含有するガスを用いたプラ
ズマ・セルフ・クリーニング後にチャンバー内に残留し
たフッ素を含有するガスを効率良く除去あるいは抑え込
むことができるので，均一で，不純物の極めて少ない成
膜が可能となり，高品質なCVD膜が得られる。
【図面の簡単な説明】
第１図はプラズマCVD装置を示す図， 第２図は本発明の一実施例のSIMS分析結果を示す図， 第３図は従来例のSIMS分析結果を示す図である。

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】フッ素を含有するガスを用いてプラズマ・
    セルフ・クリーニングを行う型のCVD装置において， フッ素を含有するガスを用いてプラズマ・セルフ・クリ
    ーニングを行った後，予めチャンバー内をプラズマ窒化
    シリコン膜でコーティングし，その後,CVD膜の成長を行
    う ことを特徴とするCVD装置の残留ガス除去方法。
JP1061508A 1989-03-14 1989-03-14 Ｃｖｄ装置の残留ガス除去方法 Expired - Lifetime JP2708533B2 (ja)

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