[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

JP2578646B2 - 非水系二次電池 - Google Patents

非水系二次電池

Info

Publication number
JP2578646B2
JP2578646B2 JP63178803A JP17880388A JP2578646B2 JP 2578646 B2 JP2578646 B2 JP 2578646B2 JP 63178803 A JP63178803 A JP 63178803A JP 17880388 A JP17880388 A JP 17880388A JP 2578646 B2 JP2578646 B2 JP 2578646B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
active material
manganese dioxide
positive electrode
secondary battery
mixture
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP63178803A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0227660A (ja
Inventor
修弘 古川
俊之 能間
祐司 山本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sanyo Denki Co Ltd
Original Assignee
Sanyo Denki Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sanyo Denki Co Ltd filed Critical Sanyo Denki Co Ltd
Priority to JP63178803A priority Critical patent/JP2578646B2/ja
Publication of JPH0227660A publication Critical patent/JPH0227660A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2578646B2 publication Critical patent/JP2578646B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01MPROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
    • H01M4/00Electrodes
    • H01M4/02Electrodes composed of, or comprising, active material
    • H01M4/36Selection of substances as active materials, active masses, active liquids
    • H01M4/48Selection of substances as active materials, active masses, active liquids of inorganic oxides or hydroxides
    • H01M4/50Selection of substances as active materials, active masses, active liquids of inorganic oxides or hydroxides of manganese
    • H01M4/505Selection of substances as active materials, active masses, active liquids of inorganic oxides or hydroxides of manganese of mixed oxides or hydroxides containing manganese for inserting or intercalating light metals, e.g. LiMn2O4 or LiMn2OxFy
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E60/00Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
    • Y02E60/10Energy storage using batteries

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Secondary Cells (AREA)
  • Battery Electrode And Active Subsutance (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 イ 産業上の利用分野 本発明はリチウム或いはリチウム合金を負極活物質と
する非水系二次電池に係り、特に正極の改良に関するも
のである。
ロ 従来の技術 この種二次電池の正極活物質としては三酸化モリブデ
ン、五酸化バナジウム、チタン或いはニオブの硫化物な
どが提案されており、一部実用化されているものもあ
る。
一方、非水系一次電池の正極活物質としては二酸化マ
ンガン、フッ化炭素などが代表的なものとして知られて
おり、且これらは既に実用化されている。
ここで、特に二酸化マンガンは保存性に優れ、資源的
に豊富であり且安価であるという利点を有するものであ
る。
上記せる点に着目し、二次電池の正極活物質として二
酸化マンガンを用いることが有益であると考えられる
が、二酸化マンガンは可逆性に難があり充放電サイクル
特性に問題があつた。
ハ 発明が解決しようとする課題 本発明は可逆性に優れたマンガン酸化物を正極活物質
に用いて非水系二次電池の充放電サイクル特性の向上を
図ることを目的とする。
ニ 課題を解決するための手段 本発明の要旨とするところは、Li2MnO3を含有する二
酸化マンガンと、Liを含有しCuKα線によるX線回折図
において2θ=22゜、31.5゜、37゜、42゜及び55゜付近
にピークを有するマンガン酸化物との混合物を活物質と
する正極にある。
又、Li2MnO3含有二酸化マンガンとCuKα線によるX線
回折図において2θ=22゜、31.5゜、37゜、42゜及び55
゜付近にピークを有するLi含有マンガン酸化物との混合
物を活物質とする正極と、リチウム或いはリチウム合金
を活物質とする負極とを備えた非水系二次電池にある。
ホ 作用 本出願人はLi2MnO3を含有する二酸化マンガンを正極
活物質に用いることを提案した(特願昭61−258940号参
照)。この正極活物質は二酸化マンガンとリチウム塩と
の混合物を300〜430℃の温度で熱処理して得られるもの
であり、二酸化マンガン中にLiが予じめ侵入しているた
め、Liの拡散通路が広がつており二酸化マンガンに比し
て可逆性が優れるものである。
又、本出願人はLiを含有しCuKα線によるX線回折図
において2θ=22゜、31.5゜、37゜、42゜及び55゜付近
にピークを有するマンガン酸化物を正極活物質に用いる
ことを提案した(特願昭63−60785号参照)。この正極
活物質は二酸化マンガンとリチウム塩との混合物を300
℃より低い温度で熱処理して得られるものであり、この
場合にも二酸化マンガン中にLiが予じめ侵入しているた
め、Liの拡散通路が広がつており二酸化マンガンに比し
て可逆性に優れるものである。
第1図は二酸化マンガンとリチウム塩との混合を各種
温度で熱処理した時のX線回折図を示す。
二酸化マンガンとリチウム塩との混合物を300℃より
も低温で熱処理したLi含有二酸化マンガンは、300℃以
上で熱処理を行なつたLi2MnO3含有二酸化マンガンに比
して第1表に示す如く表面積が大きく、放電初期電圧が
高くなるという利点があり、比較的浅い深度での充放電
特性は優れるものの、深い深度での充放電サイクル、即
ち二酸化マンガン粒子の内部まで充放電反応を利用する
場合には結晶内部までLiが侵入していないため充放電サ
イクル特性は劣るものである。
そこで、本発明のように正極活物質としてLi2MnO3を
含有する二酸化マンガンと、Liを含有しCuKα線による
X線回折図において2θ=22゜、31.5゜、37゜、42゜及
び55゜付近にピークを有するマンガン酸化物との混合物
を用いれば、夫々の利点が生かされ浅い深度においても
深い深度においても優れた充放電サイクル特性が得られ
る。
ヘ 実 施 例 以下本発明の実施例について詳述する。
平均粒子径30μ以下の化学二酸化マンガン80gと水酸
化リチウム20gを乳鉢にて混合した後、空気中において3
70℃で20時間熱処理して第1の活物質粉末を得る。一方
平均粒子径30μ以下の化学二酸化マンガン80gと水酸化
リチウム20gを乳鉢にて混合した後、空気中において250
℃で20時間熱処理して第2の活物質粉末を得る。
これら第1の活物質、第2の活物質、導電剤としての
アセチレンブラック及び結着剤としてのフッ素樹脂粉末
を重量比45:45:6:4の比率で混合して正極合剤とし、こ
の合剤を2トン/cm2で直径20mmに加圧成型したのち250
℃で熱処理して正極とする。
負極は所定厚みのリチウム板を直径20mmに打抜いたも
のである。
第2図は上記せる正負極を用いて組立てた扁平形非水
電解液二次電池の半断面図を示し、(1)(2)はステ
ンレス製の正負極罐であつてこれらはポリプロピレン製
の絶縁パッキング(3)により隔離されている。(4)
は本発明の要旨とする正極であつて、正極罐(1)の内
底面に固着せる正極集電体(5)に圧接されている。
(6)は負極であつて、負極罐(2)の内底面に固着せ
る負極集電体(7)に圧着されている。(8)はポリプ
ロピレン製微多孔性薄膜よりなるセパレータであり、プ
ロピレンカーボネートとジメトキシエタンとの混合溶媒
に過塩素酸リチウムを1モル/溶解した非水電解液が
含浸されている。電池寸法は直径24.0mm、厚み3.0mmで
あつた。この本発明電池を(A)とする。
比較例1 活物質として上記実施例における第1の活物質のみを
用い、この第1の活物質と導電剤としてのアセチレンブ
ラック及び結着剤としてのフッ素樹脂粉末とを重量比9
0:6:4の比率で混合して正極合剤とすることを除いて他
は上記実施例と同様の比較電池(B1)を作成した。
比較例2 活物質として上記実施例における第2の活物質のみを
用い、この第2の活物質と導電剤としてのアセチレンブ
ラック及び結着剤としてのフッ素樹脂粉末とを重量比9
0:6:4の比率で混合して正極合剤とすることを除いて他
は上記実施例と同様の比較電池(B2)を作成した。
第3図及び第4図はこれら電池の充放電サイクル特性
図を示し、第3図は充放電電流3mA、放電時間1時間、
充電終止電圧4.0Vの条件における浅い深度での特性であ
り、一方第4図は充放電電流3mA、放電時間12時間、充
電終止電圧4.0Vの条件における深い深度での特性であ
る。
第3図より比較的浅い深度の充放電サイクルにおい
て、本発明電池(A)は比較電池(B1)よりも優れたサ
イクル特性を示し、且比較電池(B2)と略同等のサイク
ル特性を示すことがわかる。
又、第4図より比較的深い深度の充放電サイクルにお
いて、本発明電池(A)は比較電池(B2)よりも優れた
サイクル特性を示し、且比較電池(B1)と略同等のサイ
クル特性を示すことがわかる。
これら第3図及び第4図から本発明電池(A)は浅い
深度においても深い深度においても優れた充放電サイク
ル特性を有する電池であると云える。
尚、本発明の実施例で示したように、第1及び第2の
活物質を、二酸化マンガンとリチウム塩との混合物を熱
処理して得る場合にはリチウム塩としては実施例で示し
た水酸化リチウムに限定されず、炭酸リチウムや硝酸リ
チウムも適用することができ、又二酸化マンガンとリチ
ウム塩との混合比率は90:10〜30:70の範囲が好ましい。
ト 発明の効果 上述した如く、非水系二次電池において、正極活物質
としてLi2MnO3を含有する二酸化マンガンと、Liを含有
しCuKα線によるX線回折図において2θ=22゜、31.5
゜37゜、42゜及び55゜付近にピークを有するマンガン酸
化物との混合物を用いることにより、浅い深度及び深い
深度のいずれにおいても充放電サイクル特性に優れた非
水系二次電池を得ることができるものであり、その工業
的価値は極めて大である。
尚、本発明電池は実施例で示した非水電解液二次電池
に限定されず固体電解質二次電池にも適用することがで
きる。
【図面の簡単な説明】
第1図は二酸化マンガンと水酸化リチウムとの混合物を
各種温度で熱処理した時のX線回折図、第2図は本発明
電池の半断面図、第3図及び第4図は充放電サイクル特
性図であつて、第3図は浅い深度、第4図は深い深度の
場合を夫々示す。 (1)……正極罐、(2)……負極罐、(3)……絶縁
パッキング、(4)……正極、(6)……負極、(8)
……セパレータ。

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】Li2MnO3を含有する二酸化マンガンと、Li
    を含有しCuKα線によるX線回折図において2θ=22
    ゜、31.5゜、37゜、42゜及び55゜付近にピークを有する
    マンガン酸化物との混合物を活物質とすることを特徴と
    する非水系二次電池の正極。
  2. 【請求項2】Li2MnO3含有二酸化マンガンとCuKα線によ
    るX線回折図において2θ=22゜、31.5゜、37゜、42゜
    及び55゜付近にピークを有するLi含有マンガン酸化物と
    の混合物を活物質とする正極と、リチウム或いはリチウ
    ム合金を活物質とする負極とを備えた非水系二次電池。
JP63178803A 1988-07-18 1988-07-18 非水系二次電池 Expired - Fee Related JP2578646B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63178803A JP2578646B2 (ja) 1988-07-18 1988-07-18 非水系二次電池

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63178803A JP2578646B2 (ja) 1988-07-18 1988-07-18 非水系二次電池

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0227660A JPH0227660A (ja) 1990-01-30
JP2578646B2 true JP2578646B2 (ja) 1997-02-05

Family

ID=16054925

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63178803A Expired - Fee Related JP2578646B2 (ja) 1988-07-18 1988-07-18 非水系二次電池

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2578646B2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6602647B2 (en) 1999-12-28 2003-08-05 Nec Corporation Sulfonium salt compound and resist composition and pattern forming method using the same

Families Citing this family (96)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5216135A (en) 1990-01-30 1993-06-01 Wako Pure Chemical Industries, Ltd. Diazodisulfones
JP2919142B2 (ja) * 1990-12-27 1999-07-12 株式会社東芝 感光性組成物およびそれを用いたパターン形成方法
DE4214363C2 (de) * 1991-04-30 1998-01-29 Toshiba Kawasaki Kk Strahlungsempfindliches Gemisch zur Ausbildung von Mustern
KR950002875B1 (ko) * 1991-07-08 1995-03-27 가부시키가이샤 도시바 감광성 조성물
US5506088A (en) * 1991-09-17 1996-04-09 Fujitsu Limited Chemically amplified resist composition and process for forming resist pattern using same
JP2590702B2 (ja) * 1993-09-21 1997-03-12 日本電気株式会社 半導体装置の製造方法
US5688628A (en) * 1993-11-11 1997-11-18 Nippon Zeon Co., Ltd. Resist composition
JP3116751B2 (ja) * 1993-12-03 2000-12-11 ジェイエスアール株式会社 感放射線性樹脂組成物
JP3203995B2 (ja) * 1993-12-24 2001-09-04 ジェイエスアール株式会社 感放射線性樹脂組成物
US5866304A (en) * 1993-12-28 1999-02-02 Nec Corporation Photosensitive resin and method for patterning by use of the same
JP2715881B2 (ja) * 1993-12-28 1998-02-18 日本電気株式会社 感光性樹脂組成物およびパターン形成方法
JP2776273B2 (ja) * 1994-01-31 1998-07-16 日本電気株式会社 ビニル基を有する単量体
US5558971A (en) 1994-09-02 1996-09-24 Wako Pure Chemical Industries, Ltd. Resist material
JP2856116B2 (ja) * 1995-01-26 1999-02-10 日本電気株式会社 ビニルモノマー、重合体、フォトレジスト組成物、及びそれを用いたパターン形成方法
JP2845225B2 (ja) * 1995-12-11 1999-01-13 日本電気株式会社 高分子化合物、それを用いた感光性樹脂組成物およびパターン形成方法
JP2907144B2 (ja) * 1995-12-11 1999-06-21 日本電気株式会社 酸誘導体化合物、高分子化合物、それを用いた感光性樹脂組成物およびパターン形成方法
EP0877294A4 (en) 1996-01-26 1999-09-29 Nippon Zeon Co COMPOSITION OF RESIST
EP0789279B2 (en) 1996-02-09 2004-12-08 Wako Pure Chemical Industries Ltd Polymer and resist material
US5962180A (en) * 1996-03-01 1999-10-05 Jsr Corporation Radiation sensitive composition
JP3198915B2 (ja) * 1996-04-02 2001-08-13 信越化学工業株式会社 化学増幅ポジ型レジスト材料
JP3125678B2 (ja) * 1996-04-08 2001-01-22 信越化学工業株式会社 化学増幅ポジ型レジスト材料
JP3206440B2 (ja) * 1996-06-28 2001-09-10 信越化学工業株式会社 化学増幅ポジ型レジスト材料
TW528932B (en) * 1997-01-24 2003-04-21 Shinetsu Chemical Co Polymers and chemically amplified positive resist compositions
TW530192B (en) * 1997-01-27 2003-05-01 Shinetsu Chemical Co Partially hydrogenated polymer compound and chemically sensitized positive resist material
US6030747A (en) * 1997-03-07 2000-02-29 Nec Corporation Chemically amplified resist large in transparency and sensitivity to exposure light less than 248 nanometer wavelength and process of forming mask
JP2943759B2 (ja) 1997-04-16 1999-08-30 日本電気株式会社 (メタ)アクリレート、重合体、フォトレジスト組成物およびそれを用いたパターン形成方法
US6106998A (en) * 1997-06-19 2000-08-22 Nec Corporation Negative resist materials, pattern formation method making use thereof, and method of manufacturing semiconductor devices
JP3627465B2 (ja) 1997-08-15 2005-03-09 Jsr株式会社 感放射線性樹脂組成物
JP3228193B2 (ja) * 1997-08-27 2001-11-12 日本電気株式会社 ネガ型フォトレジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
JP3055617B2 (ja) * 1997-08-27 2000-06-26 日本電気株式会社 ネガ型フォトレジスト組成物およびそれを用いたパターン形成方法
US6120972A (en) * 1997-09-02 2000-09-19 Jsr Corporation Radiation-sensitive resin composition
TW480370B (en) 1997-10-08 2002-03-21 Shinetsu Chemical Co Polystyrene-based polymer compound, chemical amplification positive type resist material and pattern formation
US6136502A (en) * 1997-10-08 2000-10-24 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Resist composition and patterning process
US6146806A (en) 1998-04-06 2000-11-14 Nec Corporation Negative photoresist composition using polymer having 1,2-diol structure and process for forming pattern using the same
JP3175697B2 (ja) * 1998-06-18 2001-06-11 日本電気株式会社 化学増幅系フォトレジスト
KR100382960B1 (ko) 1998-07-03 2003-05-09 닛뽕덴끼 가부시끼가이샤 락톤 구조를 갖는 (메트)아크릴레이트 유도체, 중합체,포토레지스트 조성물, 및 이것을 사용한 패턴 형성 방법
TW487828B (en) * 1998-10-29 2002-05-21 Shinetsu Chemical Co Positive resist composition
US6437052B1 (en) 1998-11-02 2002-08-20 Nec Corporation Monomer having diol structure, polymer thereof, and negative photoresist composition and pattern forming method using the same
JP3680920B2 (ja) 1999-02-25 2005-08-10 信越化学工業株式会社 新規なエステル化合物、高分子化合物、レジスト材料、及びパターン形成方法
TWI263861B (en) 1999-03-26 2006-10-11 Shinetsu Chemical Co Resist material and pattern forming method
TWI226339B (en) 1999-03-26 2005-01-11 Shinetsu Chemical Co High molecular weight compound and the method to prepare the same
US6461789B1 (en) 1999-08-25 2002-10-08 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polymers, chemical amplification resist compositions and patterning process
US6436606B1 (en) 1999-08-30 2002-08-20 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polymers, resist compositions and patterning process
TW527363B (en) 1999-09-08 2003-04-11 Shinetsu Chemical Co Polymers, chemical amplification resist compositions and patterning process
US6369279B1 (en) 1999-09-08 2002-04-09 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Styrene derivatives
KR100549160B1 (ko) 1999-10-13 2006-02-03 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 고분자 화합물, 화학 증폭 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법
TW487698B (en) 1999-10-13 2002-05-21 Shinetsu Chemical Co Styrene derivatives
JP3755571B2 (ja) 1999-11-12 2006-03-15 信越化学工業株式会社 化学増幅ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
TWI260673B (en) 1999-12-03 2006-08-21 Toyo Gosei Kogyo Kk Method for producing onium salt derivatives
KR100576201B1 (ko) 2000-01-17 2006-05-03 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 화학 증폭형 레지스트 재료
US6835524B2 (en) 2000-02-16 2004-12-28 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polymers, chemical amplification resist compositions and patterning process
US6579658B2 (en) 2000-02-17 2003-06-17 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polymers, resist compositions and patterning process
US6838224B2 (en) 2000-03-07 2005-01-04 Shi-Etsu Chemical Co., Ltd. Chemical amplification, positive resist compositions
KR100536540B1 (ko) 2000-03-07 2005-12-14 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 화학 증폭 포지티브형 레지스트 재료
KR100616399B1 (ko) 2000-03-09 2006-08-29 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 화학 증폭형 레지스트 재료
TW520357B (en) 2000-04-20 2003-02-11 Shinetsu Chemical Co Novel ester compounds, polymers, resist compositions and patterning process
KR100660513B1 (ko) 2000-04-27 2006-12-22 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 고분자 화합물, 화학 증폭 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법
TWI226519B (en) 2000-06-02 2005-01-11 Shinetsu Chemical Co Polymers, resist compositions and patterning process
JP4838437B2 (ja) 2000-06-16 2011-12-14 Jsr株式会社 感放射線性樹脂組成物
JP3386041B2 (ja) 2000-07-25 2003-03-10 日本電気株式会社 光酸発生剤及びそれを含有するフォトレジスト組成物、並びに該組成物を用いたパターン形成方法
JP3712047B2 (ja) 2000-08-14 2005-11-02 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びパターン形成方法
EP1204001B1 (en) 2000-11-01 2013-09-11 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Resist composition and patterning process
JP4378872B2 (ja) 2000-11-15 2009-12-09 日本電気株式会社 光酸発生剤、化学増幅レジスト組成物、およびそれを用いたパターン形成方法
JP3962893B2 (ja) 2001-02-09 2007-08-22 信越化学工業株式会社 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
JP3642316B2 (ja) 2001-06-15 2005-04-27 日本電気株式会社 化学増幅レジスト用単量体、化学増幅レジスト用重合体、化学増幅レジスト組成物、パターン形成方法
TWI245043B (en) 2001-06-25 2005-12-11 Shinetsu Chemical Co Novel ester compounds
JP3891257B2 (ja) 2001-06-25 2007-03-14 信越化学工業株式会社 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
TW584786B (en) 2001-06-25 2004-04-21 Shinetsu Chemical Co Polymers, resist compositions and patterning process
JP2003034705A (ja) 2001-07-24 2003-02-07 Nec Corp フッ素含有フェニルマレイミド誘導体、重合体、化学増幅レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
JP4522628B2 (ja) 2001-11-28 2010-08-11 信越化学工業株式会社 新規なエステル化合物
JP4123920B2 (ja) 2001-12-20 2008-07-23 Jsr株式会社 共重合体、重合体混合物および感放射線性樹脂組成物
JP3874092B2 (ja) 2001-12-26 2007-01-31 信越化学工業株式会社 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
JP3877605B2 (ja) 2002-02-08 2007-02-07 信越化学工業株式会社 ネガ型レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法
JP3912516B2 (ja) 2002-08-09 2007-05-09 信越化学工業株式会社 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
TWI314943B (en) 2002-08-29 2009-09-21 Radiation-sensitive resin composition
US7005230B2 (en) 2003-01-16 2006-02-28 Jsr Corporation Radiation-sensitive resin composition
JP4068006B2 (ja) 2003-05-07 2008-03-26 信越化学工業株式会社 サーマルフロー工程を用いた微細なコンタクトホール形成方法
EP1641848B1 (en) 2003-06-26 2007-08-22 JSR Corporation Photoresist polymer compositions
JP4085034B2 (ja) 2003-07-17 2008-04-30 信越化学工業株式会社 化合物、高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
US7166418B2 (en) 2003-09-03 2007-01-23 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Sulfonamide compound, polymer compound, resist material and pattern formation method
JP2005099683A (ja) 2003-09-05 2005-04-14 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd ポジ型ホトレジスト組成物及びこれを用いたレジストパターンの形成方法
US7169530B2 (en) 2003-10-02 2007-01-30 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Polymer compound, resist material and pattern formation method
US7060775B2 (en) 2003-10-02 2006-06-13 Matsushita Electronic Industrial Co., Ltd. Polymer compound, resist material and pattern formation method
US7189493B2 (en) 2003-10-08 2007-03-13 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polymer, positive resist composition, and patterning process using the same
US7232641B2 (en) 2003-10-08 2007-06-19 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polymerizable compound, polymer, positive-resist composition, and patterning process using the same
JP3694692B2 (ja) 2003-12-11 2005-09-14 丸善石油化学株式会社 レジスト用ポリマー溶液およびその製造方法
JP4360264B2 (ja) 2004-04-30 2009-11-11 Jsr株式会社 ポジ型感放射線性樹脂組成物
JP3978215B2 (ja) 2004-05-25 2007-09-19 松下電器産業株式会社 レジスト材料及びパターン形成方法
JP3978217B2 (ja) 2004-05-27 2007-09-19 松下電器産業株式会社 レジスト材料及びパターン形成方法
JP4544085B2 (ja) 2004-09-28 2010-09-15 Jsr株式会社 ポジ型感放射線性樹脂組成物
JP2006225476A (ja) 2005-02-16 2006-08-31 Shin Etsu Chem Co Ltd ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
JP4784753B2 (ja) 2006-07-06 2011-10-05 信越化学工業株式会社 重合性エステル化合物、重合体、レジスト材料及びパターン形成方法
JP5407866B2 (ja) 2007-10-15 2014-02-05 Jsr株式会社 スルホン化合物、スルホン酸塩および感放射線性樹脂組成物
JP4723557B2 (ja) 2007-12-14 2011-07-13 Azエレクトロニックマテリアルズ株式会社 表面反射防止膜形成用組成物及びそれを用いたパターン形成方法
CN102089709B (zh) 2008-07-14 2013-10-30 Jsr株式会社 放射线敏感性树脂组合物
CN103073062A (zh) * 2011-10-26 2013-05-01 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司 用于锂离子二次电池的锰系正极材料的制备方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6602647B2 (en) 1999-12-28 2003-08-05 Nec Corporation Sulfonium salt compound and resist composition and pattern forming method using the same

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0227660A (ja) 1990-01-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2578646B2 (ja) 非水系二次電池
JPH0746608B2 (ja) 非水系二次電池
JP2634243B2 (ja) リチウムアノードを有する再充電形電気化学電池のカソード物質の製造方法
JPH07107851B2 (ja) 非水系二次電池
JPH09213348A (ja) 非水系電解液電池
JPH07114125B2 (ja) 非水系二次電池
JP2627314B2 (ja) 非水系二次電池及びその正極活物質の製法
JP2815862B2 (ja) 非水系二次電池用正極の製造法
JPH04253162A (ja) リチウム二次電池
JP2703278B2 (ja) 非水系二次電池
JP3025695B2 (ja) 非水系二次電池
JP2979826B2 (ja) 非水電解液二次電池用正極活物質の製造方法
JP2631998B2 (ja) 非水系二次電池用正極の製造法
JP2692932B2 (ja) 非水系二次電池
JP2957589B2 (ja) 非水系二次電池
JPH0679485B2 (ja) 非水系二次電池
JP2627318B2 (ja) 非水系二次電池
JP2627304B2 (ja) 非水系二次電池用正極の製造法
JP2975727B2 (ja) 非水電解液電池
JP2584246B2 (ja) 非水系二次電池
JP2698180B2 (ja) 非水系二次電池
JPH0462764A (ja) 非水電解液電池
JP3021478B2 (ja) 非水系二次電池
JPH0787098B2 (ja) 非水系二次電池
JP2846696B2 (ja) 非水系二次電池

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees