JP2554771B2 - 芳香族ジメチリディン化合物 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は芳香族ジメチリディン化合物及びその製造方
法に関し、詳しくはエレクトロルミネッセンス（EL）素
子の発光材料などに有用な新規な芳香族ジメチリディン
化合物及びその効率のよい製造方法に関する。

〔従来の技術及び発明が解決しようとする課題〕

有機化合物の高い蛍光効率に着目し、有機化合物のEL
性能を利用した素子の研究は古くから行われている。例
えば、W.Helfrish,Dresmer,Williamsらはアントラセン
結晶を用い、青色発光を得ている（J.Chem.Phys.,44,29
02（1966））。また、VincettやBarlowらは、縮合多環
芳香族化合物を真空蒸着法により発光素子の製作を行っ
ている（Thin Solid Films,99,171（1982））。

しかしいずれも発光輝度，発光効率は低いものしか得
られていない。

最近、テトラフェニルブタジエンを発光材料に用いて
100cd/m²の青色発光を得たことが報告されている（特開
昭59−194393号公報）。さらに、正孔伝導性のジアミン
化合物と発光材料としての蛍光性アルミニウムキレート
錯体を積層することにより、輝度1000cd/m²以上の緑色
発光有機薄膜EL素子を開発したことが報告されている
（Appl.Phys.Lett.,51,913（1987））。

また、レーザー色素として有名なジスチリルベンゼン
系化合物は、青〜青緑の領域で高い蛍光性を有し、これ
を発光材料として単層で80cd/m²程度のEL発光を得られ
たことが報告されている（欧州特許0319881）。

しかしながら、輝度1000cd/m²以上の高輝度で高高率
な発光材料は、緑色以外（特に青色系統）ではまだ得ら
れていないのが現状である。

また、ジスチリル化合物を含有することを特徴とする
感光体について、特開昭63−269158号公報に示されてい
るが、ここに示される化合物は、中心部位が無置換のフ
ェニル基であり、これを発光材料としてEL素子を作成す
ると、結晶化が進行し、薄膜性が劣ることが明らかであ
る。

そこで本発明者らは、青紫〜緑にわたる領域（特に青
色）で輝度1000cd/m²以上の高輝度のEL発光が得られる
化合物を開発すべく鋭意研究を重ねた。

〔課題を解決するための手段〕

その結果、特定の置換基を有する新規な芳香族ジメチ
リディン化合物が、上記目的にかなうものであることを
見出した。本発明はかかる知見に基づいて完成したもの
である。

すなわち本発明は、 一般式 〔式中、R¹〜R⁴は炭素数１〜６のアルキル基，フェニル
基,p−アルキル置換フェニル基,p−フェニル置換フェニ
ル基,p−メトキシ置換フェニル基,p−フェノキシ置換フ
ェニル基,p−ハロゲン置換フェニル基，ビフェニル基，
ナフチル基，ピリジル基あるいはシクロヘキシル基を示
す。またR¹〜R⁴は同一でも、また互いに異なっていても
よい。Arは2,5−ジアルキル置換フェニレン基，ビフェ
ニレン基,3,3′−ジアルキル置換ビフェニレン基，ナフ
チレン基あるいはアントラセンジイル基を表わす。〕 で表わされる芳香族ジメチリディン化合物を提供するも
のであり、好ましくは、上記式（Ｉ）中、R¹〜R⁴がそれ
ぞれメチル基，フェニル基,p−アルキル置換フェニル
基,p−フェニル置換フェニル基,p−メトキシ置換フェニ
ル基,p−フェノキシ置換フェニル基,p−ブロモ置換フェ
ニル基，シクロヘキシル基あるいはピリジル基であり、
Arが2,5−ジメチル置換フェニル基，ナフチレン基，ビ
フェニレン基,3,3′−ジメチル置換ビフェニレン基ある
いはアントラセンジイル基である芳香族ジメチリディン
化合物を提供するものである。

ここで、一般式（Ｉ）中のR¹〜R⁴は、前述の如く同一
でも異なってもよく、それぞれ炭素数１〜６のアルキル
基（メチル基，エチル基,n−プロピル基,i−プロピル
基,n−ブチル基,i−ブチル基,sec−ブチル基,tert−ブ
チル基，イソペンチル基,t−ペンチル基，ネオペンチル
基，イソヘキシル基），炭素数７〜８のアラルキル基
（ベンジル基，フェネチル基等），フェニル基，アルコ
キシ基，シクロヘキシル基，ビフェニル基，ナフチル基
又は複素環式基（ピリジル基，カルバゾリル基，キノリ
ル基等）を示す。また、R¹〜R⁴は、これらに置換基の結
合をしたものでよい。即ち、さらにR¹〜R⁴は、それぞれ
置換基含有フェニル基、置換基含有アラルキル基，置換
基含有シクロヘキシル基，置換基含有ビフェニル基，置
換基含有ナフチル基あるいは置換基含有複素環式基を示
す。ここで、置換基はアルキル基，アルコキシ基又はア
リールオキシ基，フェニル基及びニトロ基，水酸基，ハ
ロゲンであり、複数置換されていてもよい。したがっ
て、置換基含有アラルキル基は、アルキル基置換アラル
キル基（メチルベンジル基，メチルフェネチル基等），
アルコキシ基置換アラルキル基（メトキシベンジル基，
エトキシフェネチル基等），アリールオキシ基置換アラ
ルキル基（フェノキシベンジル基，ナフチルオキシフェ
ネチル基等），フェニル基置換アラルキル基（フェニル
フェネチル基等）上記置換基含有フェニル基は、アルキ
ル基置換フェニル基（トリル基，ジメチルフェニル基，
エチルフェニル基など），アルコキシ基置換フェニル基
（メトキシフェニル基，エトキシフェニル基など）アリ
ールオキシ基置換フェニル基（フェノキシフェニル基，
ナフチルオキシフェニル基等）あるいはフェニル基置換
フェニル基（つまり、ビフェニリル基）である。また、
置換基含有シクロヘキシル基は、アルキル基置換シクロ
ヘキシル基（メチルシクロヘキシル基，ジメチルシクロ
ヘキシル基，エチルシクロヘキシル基等），アルコキシ
基置換シクロヘキシル基（メトキシシクロヘキシル基，
エトキシシクロヘキシル基等）あるいはアリールオキシ
基置換シクロヘキシル基（フェノキシシクロヘキシル
基，ナフチルオキシシクロヘキシル基），フェニル基置
換シクロヘキシル基（フェニルシクロヘキシル基）であ
る。置換基含有ナフチル基は、アルキル基置換ナフチル
基（メチルナフチル基，ジメチルナフチル基等），アル
コキシ基置換ナフチル基（メトキシナフチル基，エトキ
シナフチル基等）あるいはアリールオキシ基置換ナフチ
ル基（フェノキシナフチル基，ナフチルオキシナフチル
基），フェニル基置換ナフチル基である。さらに、置換
基含有複素環式基の例として例えば、置換基含有ピリジ
ル基は、アルキル基置換ピリジル基（メチルピリジル
基，ジメチルピリジル基，エチルピリジル基等），アル
コキシ基置換ピリジル基（メトキシピリジル基，エトキ
シピリジル基等）あるいはアリールオキシ基置換ピリジ
ル基（フェノキシピリジル基，ナフチルオキシピリジル
基），フェニル基置換ピリジル基である。

R¹〜R⁴としては、上述したもののうち、それぞれ炭素
数１〜６のアルキル基，アリールオキシ基，フェニル
基，ナフチル基，ビフェニル基，ピリジル基，シクロヘ
キシル基が好ましい。これらは置換・無置換のいずれで
もよい。

一方、一般式（Ｉ）中のArは置換あるいは無置換のフ
ェニレン基，ビフェニレン基,p−テルフェニレン，ナフ
チレン基，アントラセンジイル基等のアリーレン基であ
り、単一置換されていても複数置換されていてもよい。
又、メチリディン Ｃ＝CH− の結合位置はオルト，メタ，パラ等どこでもよい。但
し、Arが無置換フェニレンの場合、R¹〜R⁴は炭素数１〜
６のアルコキシ基，炭素数７〜８のアラルキル基，置換
あるいは無置換のナフチル基，ビフェニル基，シクロヘ
キシル基，ピリジル基，アリールオキシ基より選ばれた
ものである。置換基はアルキル基（メチル基，エチル
基,n−プロピル基,i−プロピル基,n−ブチル基,i−ブチ
ル基,sec−ブチル基,t−ブチル基，イソペンチル基,t−
ペンチル基，ネオペンチル基，イソヘキシル基等），ア
ルコキシ基（メトキシ基，エトキシ基，プロポキシ基,i
−プロポキシ基，ブチルオキシ基,i−ブチルオキシ基,s
ec−ブチルオキシ基,t−ブチルオキシ基，イソペンチル
オキシ基,t−ペンチルオキシ基），アリールオキシ基
（フェノキシ基，ナフチルオキシ基等）フェニル基，水
酸基，ニトロ基，ハロゲンであり、単一置換でも複数置
換されていてもよい。

前記式（Ｉ）で表わされるジメチリディン芳香族化合
物は、１分子中に２つのメチリディン（Ｃ＝CH−）単
位を有し、このメチリディン単位の幾何異性によって、
４通りの組合わせすなわち、シス−シス，トランス−シ
ス，シス−トランス及びトランス−トランスの組合わせ
があるが、本発明のジメチリディン芳香族化合物は、そ
れらのいずれのものであってもよいし、幾何異性体の混
合したものでもよい。特に好ましくは、全てトランス体
のものである。

一般式（Ｉ）で表わされる化合物の具体例としては、
次に示すものを挙げることができる。

このようにして得られる本発明の芳香族ジメチリディ
ン化合物は、低電圧で高輝度の発光が可能なEL素子とし
て有効に利用できるものである。この本発明の芳香族ジ
メチリディン化合物は、EL素子の発光層として不可欠な
電子注入機能，電子輸送機能及び発光機能を兼備し、し
かも耐熱性，薄膜性にすぐれている。さらに、この芳香
族ジメチリディン化合物は、蒸着温度まで加熱しても、
分解や変質することなく、均一な微結晶粒からなる緻密
な膜が形成できる上、ピンホールが生成しないという長
所がある。

すでに述べたように、本発明の前記一般式（Ｉ）で表
わされる化合物は、EL素子における発光層として有効で
ある。この発光層は、例えば蒸着法，スピンコート法，
キャスト法などの公知の方法によって、一般式（Ｉ）の
化合物を薄膜化してことにより形成することができる
が、特に分子堆積膜とすることが好ましい。ここで分子
堆積膜とは、該化合物の気相状態から沈着され形成され
た薄膜や、該化合物の溶液状態又は液相状態から固体化
され形成された膜のことであり、例えば蒸着膜などを示
すが、通常この分子堆積膜はLB法により形成された薄膜
（分子累積膜）とは区別することができる。また、該発
光層は、特開昭59−194393号公報などに開示されている
ように、樹脂などの結着剤と該化合物とを、溶剤に溶か
して溶液としたのち、これをスピンクコート法などによ
り薄膜化し、形成することができる。

このようにして形成された発光層の薄膜については特
に制限はなく、適宜状況に応じて選ぶことができるが、
通常5nmないし５μｍの範囲で選定される。

このEL素子における発光層は、（１）電界印加時に、
陽極又は正孔注入層により正孔を注入することができ、
かつ陰極又は電子注入層より電子を注入することができ
る注入機能、（２）注入した電荷（電子と正孔）を電界
の力で移動させる輸送機能、（３）電子と正孔の再結合
の場を発光層内部に提供し、これを発光につなげる発光
機能などを有している。

なお、正孔の注入されやすさと、電子の注入されやす
さに違いがあってもよいし、正孔と電子の移動度で表わ
される輸送能に大小があってもよいが、どちらか一方の
電荷を移動することが好ましい。

この発光層に用いる前記一般式（Ｉ）で表わされる化
合物は、一般にイオン化エネルギーが6.0eV程度より小
さいので、適当な陽極金属又は陽極化合物を選べば、比
較的正孔を注入しやすい。また電子親和力は2.8eV程度
より大きいので、適当な陰極金属又は陰極化合物を選べ
ば、比較的電子を注入しやすい上、電子，正孔の輸送能
力も優れている。さらに固体状態の蛍光性が強いため、
該化合物やその会合体又は結晶などの電子と正孔の再結
晶時に形成された励起状態を光に変換する能力が大き
い。

本発明の化合物を用いたEL素子の構成は、各種の態様
があるが、基本的には、一対の電極（陽極と陰極）間
に、前記発光層を挟持した構成とし、これに必要に応じ
て、正孔注入層や電子注入層を介在させればよい。具体
的には（１）陽極／発光層／陰極，（２）陽極／正孔注
入層／発光層／陰極，（３）陽極／正孔注入層／発光層
／電子注入層／陰極などの構成を挙げることができる。
該正孔注入層や電子注入層は、必ずしも必要ではない
が、これらの層があると発光性能が一段と向上する。

また、前記構成の素子においては、いずれも基板に支
持されていることが好ましく、該基板については特に制
限はなく、従来EL素子に慣用されているもの、例えばガ
ラス，透明プラスチック，石英などから成るものを用い
ることができる。

このEL素子における陽極としては、仕事関数の大きい
（4eV以上）金属，合金，電気伝導性化合物及びこれら
の混合物を電極物質とするものが好ましく用いられる。
このような電極物質の具体例としてはAuなどの金属,Cu
I,ITO,SnO₂,ZnOなどの誘電性透明材料が挙げられる。該
陽極は、これらの電極物質を蒸着やスパッタリングなど
の方法により、薄膜を形成させることにより作製するこ
とができる。この電極より発光を取り出す場合には、透
過率を10％より大きくすることが望ましく、また、電極
としてのシート抵抗は数百Ω/mm以下が好ましい。

さらに膜厚は材料にもよるが、通常10nmないし１μm,
好ましくは10〜200nmの範囲で選ばれる。

一方、陰極としては、仕事関数の小さい（4eV以下）
金属，合金，電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電
極物質とするものが用いられる。このような電極物質の
具体例としては、ナトリウム，ナトリウム−カリウム合
金，マグネシウム，リチウム，マグネシウム／銅混合
物,Al/AlO₂,インジウムなどが挙げられる。該陰極は、
これらの電極物質を蒸着やスパッタリングなどの方法に
より、薄膜を形成させることにより、作製することがで
きる。また、電極としてのシート抵抗は数百Ω/mm以下
が好ましく、膜厚は通常10nmないし１μm,好ましくは50
〜200nmの範囲で選ばれる。なお、このEL素子において
は、該陽極又は陰極のいずれか一方が透明又は半透明で
あることが、発光を透過するため、発光の取出し効率が
よく好都合である。

本発明の化合物を用いるEL素子の構成は、前記したよ
うに、各種の態様があり、前記（２）又は（３）の構成
のEL素子における正孔注入層（正孔注入輸送層）は、正
孔伝達化合物からなる層であって、陽極より注入された
正孔を発光層に伝達する機能を有し、この正孔注入層を
陽極と発光層との間に介在させることにより、より低い
電界で多くの正孔が発光層に注入され、その上、発光層
に陰極又は電子注入層より注入された電子は、発光層と
正孔注入層の界面に存在する電子の障壁により、この発
光層内の界面付近に蓄積され発光効率が向上するなど、
発光性能の優れた素子となる。

前記正孔注入層に用いられる正孔伝達化合物は、電界
を与えられた２個の電極間に配置されて陽極から正孔が
注入された場合、該正孔を適切に発光層へ伝達しうる化
合物であって、例えば10⁴〜10⁶V/cmの電界印加時に、少
なくとも10^-6cm²/V・秒の正孔移動度をもつものが好適
である。

このような正孔伝達化合物については、前記の好まし
い性質を有するものであれば特に制限はなく、従来、光
導電材料において、正孔の電荷輸送材として慣用されて
いるものやEL素子の正孔注入層に使用される公知のもの
の中から任意のものを選択して用いることができる。

該電荷輸送材としては、例えばトリアゾール誘導体
（米国特許第3,112,197号明細書などに記載のもの）、
オキサジアゾール誘電体（米国特許第3,189,447号明細
書などに記載のもの）、イミダゾール誘導体（特公昭37
−16096号公報などに記載のもの）、ポリアリールアル
カン誘導体（米国特許第3,615,402号明細書，同3,820,9
89号明細書，同3,542,544号明細書，特公昭45−555号公
報，同51−10983号公報，特開昭51−93224号公報，同55
−17105号公報，同56−4148号公報，同55−108667号公
報，同55−156953号公報，同56−36656号公報などに記
載のもの）ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体（米
国特許第3,180,729号明細書，同4,278,746号明細書，特
開昭55−88064号公報，同55−88065号公報，同49−1055
37号公報，同55−51086号公報，同56−80051号公報，同
56−88141号公報，同57−45545号公報，同54−112637号
公報，同55−74546号公報などに記載のもの）、フェニ
レンジアミン誘導体（米国特許第3,615,404号明細書，
特公昭51−10105号公報，同46−3712号公報，同47−253
36号公報，特開昭54−53435号公報，同54−110536号公
報，同54−119925号公報などに記載のもの）、アリール
アミン誘導体（米国特許第3,567,450号明細書，同3,18
0,703号明細書，同3,240,597号明細書，同3,658,520号
明細書，同4,232,103号明細書，同4,175,961号明細書，
同4,012,376号明細書，特公昭49−35702号公報，同39−
27577号公報，特開昭55−144250号公報，同56−119132
号公報，同56−22437号公報，西独特許第1,110,518号明
細書などに記載のもの）、アミノ置換カルコン誘導体
（米国特許第3,526,501号明細書などに記載のもの）、
オキサゾール誘導体（米国特許第3,257,203号明細書な
どに記載のもの）、スチリルアントラセン誘導体（特開
昭56−46234号公報などに記載のもの）、フルオレノン
誘導体（特開昭54−110837号公報などに記載のもの）、
ヒドラゾン誘導体（米国特許第3,717,462号明細書，特
開昭54−59143号公報，同55−52063号公報，同55−5206
4号公報，同55−46760号公報，同55−85495号公報，同5
7−11350号公報，同57−148749号公報などに記載されて
いるもの）、スチルベル誘導体（特開昭61−210363号公
報，同61−228451号公報，同61−14642号公報，同61−7
2255号公報，同62−47646号公報，同62−36674号公報，
同62−10652号公報，同62−30255号公報，同60−93445
号公報，同60−94462号公報，同60−174749号公報，同6
0−175052号公報などに記載のもの）などを挙げること
ができる。

これらの化合物を正孔伝達化合物として使用すること
ができるが、次に示すポリフィリン化合物（特開昭63−
295695号公報などに記載のもの）及び芳香族第三級アミ
ン化合物及びスチリルアミン化合物（米国特許第4,127,
412号明細書，特開昭53−27033号公報，同54−58445号
公報，同54−149634号公報，同54−64299号公報，同55
−79450号公報，同55−144250号公報，同56−119132号
公報，同61−295558号公報，同61−98353号公報，同63
−295695号公報などに記載のもの）、特に該芳香族第三
級アミン化合物を用いることが好ましい。

該ポリフィリン化合物の代表例としては、ポルフィリ
ン;1,10,15,20−テトラフェニル−21H,23H−ポリフィリ
ン銅（II）;1,10,15,20−テトラフェニル−21H,23H−ポ
リフィリン亜鉛（II）;5,10,15,20−テトラキス（ペン
タフルオロフェニル）−21H,23H−ポリフィリン；シリ
コンフタロシアニンオキシド；アルミニウムフタロシア
ニンクロリド；フタロシアニン（無金属）；ジリチウム
フタロシアニン；銅テトラメチルフタロシアニン；銅フ
タロシアニン；クロムフタロシアニン；亜鉛フタロシア
ニン；鉛フタロシアニン；チタニウムフタロシアニンオ
キシド；マグネシウムフタロシアニン；銅オクタメチル
フタロシアニンなどが挙げられる。また該芳香族第三級
化合物及びスチリルアミン化合物の代表例としては、N,
N,N′,N′−テトラフェニル−4,4′−ジアミノビフェニ
ル;N,N′−ジフェニル−N,N′−ジ（３−メチルフェニ
ル）−4,4′−ジアミノビフェニル;2,2−ビス（４−ジ
−ｐ−トリルアミノフェニル）プロパン;1,1−ビス（４
−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）シクロヘキサン;N,
N,N′,N′−テトラ−ｐ−トリル−4,4′−ジアミノビフ
ェニル;1,1−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニ
ル）−４−フェニルシクロヘキサン；ビス（４−ジメチ
ルアミノ−２−メチルフェニル）フェニルメタン；ビス
（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）フェニルメタ
ン;N,N′−ジフェニル−N,N′−ジ（４−メトキシフェ
ニル）−4,4′−ジアミノビフェニル;N,N,N′,N′−テ
トラフェニル−4,4′−ジアミノジフェニルエーテル;4,
4′−ビス（ジフェニルアミノ）クオードリフェニル;N,
N,N−トリ（ｐ−トリル）アミン;4−（ジ−ｐ−トリル
アミン）−４′−〔４（ジ−ｐ−トリルアミン）スチリ
ル〕スチルベン;4−N,N−ジフェニルアミノ−（２−ジ
フェニルビニル）ベンゼン;3−メトキシ−４′−N,N−
ジフェニルアミノスチルベン;N−フェニルカルバゾール
などが挙げられる。

上記EL素子における該正孔注入層は、これらの正孔伝
達化合物一種又は二種以上からなる一層で構成されても
よいし、あるいは、前記層とは別種の化合物からなる正
孔注入層を積層したものであってもよい。

一方、前記（３）の構成のEL素子における電子注入層
（電子注入輸送層）は、電子伝達化合物からなるもので
あって、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機
能を有している。このような電子伝達化合物について特
に制限はなく、従来公知の化合物の中から任意のものを
選択して用いることができる。該電子伝達化合物の好ま
しい例としては、 などのニトロ置換フルオレノン誘導体、 などのチオピランジオキシド誘導体、 などのジフェニルキノリン誘導体〔「ポリマー・プレプ
リント（Polymer Preprints），ジャパン」第37巻，第
３号，第681ページ（1988年）などに記載のもの〕、あ
るいは などの化合物〔「ジャーナル・オブ・アプライド・フィ
ジックス（J.Apply.Phys.）」第27巻，第269頁（1988
年）などに記載のもの〕や、アントラキノジメタン誘導
体（特開昭57−149259号公報，同58−55450号公報，同6
1−225151号公報，同61−233750号公報，同68−104061
号公報などに記載のもの）、フレオレニリデンメタン誘
導体（特開昭60−69657号公報，同61−143764号公報，
同61−148159号公報などに記載のもの）、アントロン誘
導体（特開昭61−225151号公報，同61−233750号公報な
どに記載のもの）などを挙げることができる。

次に、本発明の化合物を用いたEL素子を作製する好適
な方法の例を、各構成の素子それぞれについて説明す
る。前記の陽極／発光層／陰極からなるEL素子の作製法
について説明すると、まず適当な基板上に、所望の電極
物質、例えば陽極用物質からなる薄膜を、１μｍ以下、
好ましくは10〜200nmの範囲の膜厚になるように、蒸着
やスパッタリングなどの方法により形成させ、陽極を作
製したのち、この上に発光材料である一般式（Ｉ）で表
わされる化合物の薄膜を形成させ、発光層を設ける。該
発光材料の薄膜化の方法としては、例えばスピンコート
法，キャスト法，蒸着法などがあるが、均質な膜が得ら
れやすく、かつピンホールが生成しにくいなどの点か
ら、蒸着法が好ましい。

該発光材料の薄膜化に、この蒸着法を採用する場合、
その蒸着条件は、使用する発光層に用いる有機化合物の
種類，分子堆積膜の目的とする結晶構造，会合構造など
により異なるが、一般にボート加熱温度50〜400℃，真
空度10^-5〜10^-3Pa,蒸着温度0.01〜50nm/sec,基板温度−
50〜＋300℃，膜厚5nmないし５μｍの範囲で適宜選ぶこ
とが望ましい。次にこの発光層の形成後、その上に陰極
用物質からなる薄膜を、１μｍ以下、好ましくは50〜20
0nmの範囲の膜厚になるように、例えば蒸着やスパッタ
リングなどの方法により形成させ、陰極を設けることに
より、所望のEL素子が得られる。なお、このEL素子の作
製においては、作製順序を逆にして、陰極，発光層，陽
極の順に作製することも可能である。

次に、陽極／正孔注入層／発光層／陰極からなるEL素
子の作製法について説明すると、まず、陽極を前記のEL
素子の場合と同様にして形成したのち、その上に、正孔
伝達化合物からなる薄膜を蒸着法などにより形成し、正
孔注入層を設ける。この際の蒸着条件は、前記発光材料
の薄膜形成の蒸着条件に準じればよい。次に、この正孔
注入層の上に、順次発光層及び陰極を、前記EL素子の作
製の場合と同様にして設けることにより、所望のEL素子
が得られる。

なお、このEL素子の作製においても、作製順序を逆に
して、陰極，発光層，正孔注入層，陽極の順に作製する
ことも可能である。

さらに、陽極／正孔注入層／発光層／電子注入層／陰
極からなるEL素子の作製法について説明すると、まず、
前記のEL素子の作製の場合と同様にして、陽極，正孔注
入層，発光層を順次設けたのち、この発光層の上に、電
子伝達化合物からなる薄膜を蒸着法などにより形成し、
電子注入層を設け、次いでこの上に、陰極を前記EL素子
の作製の場合と同様にして設けることにより、所望のEL
素子が得られる。なお、このEL素子の作製においても、
作製順序を逆にして、陰極，電子注入層，発光層，正孔
注入層，陽極の順に作製してもよい。

このようにして得られたEL素子に、直流電圧を印加す
る場合には、陽極を＋，陰極を−の極性として電圧５〜
40V程度を印加すると、発光が透明又は半透明の電極側
より観測できる。また、逆の極性で電圧を印加しても電
流は流れずに発光は全く生じない。さらに、交流電圧を
印加する場合には、陽極が＋，陰極が−の状態になった
ときのみ発光する。なお、印加する交流の波形は任意で
よい。

次に、該EL素子の発光メカニズムについて、陽極／正
孔注入輸送層／発光層／陰極の構成の場合を例に挙げて
説明する。前記陽極を＋、陰極を−の極性として電圧を
印加すると、該陽極より正孔注入層内に電界により注入
される。この注入された正孔は、該正孔注入輸送層内を
発光層との界面に向けて輸送され、この界面から発光機
能が発現される領域（例えば発光層）に注入又は輸送さ
れる。

一方、電子は、陰極から発光層内に電界により注入さ
れ、さらに輸送され、正孔のいる領域、すなわち、発光
機能が発現される領域で正孔と再結合する（この意味
で、前記領域は再結合領域といってもよい）。この再結
合が行われると、分子、その会合体又は結晶などの励起
状態が形成され、これが光に変換される。なお、再結合
領域は、正孔注入輸送層と発光層との界面でもよいし、
発光層と陰極との界面でもよく、あるいは両界面より離
れた発光層中央部であってもよい。これは使用する化合
物の種類、その会合や結晶構造により変わる。

〔実施例〕

次に本発明を実施例及び応用例に基いてさらに詳しく
説明する。

実施例１ （１）アリーレン基含有リン化合物の製造 2,5−ビス（クロロメチル）キシレン25gと亜リン酸ト
リエチル45gを、アルゴン気流下オイルバスで、温度150
℃で７時間加熱撹拌を行った。

その後、過剰の亜リン酸トリエチル及び副生した塩化
エチルを減圧留去した。一晩放置後、白色結晶50g（定
量的）を得た。このものの融点は59.0〜60.5℃であっ
た。また、¹H−NMR分析は以下の通りである。¹ H−NMR（CDCl₃） δ＝6.9ppm（s;2H,中心キシレン環−Ｈ） δ＝3.9ppm（q;8H,エトキシ基メチレン−CH₂） δ＝3.1ppm（d;4H,J＝20Hz（³¹P−¹Hカップリング）Ｐ
−CH₂） δ＝2.2ppm（s;6H,キシレン環−CH₃） δ＝1.1ppm（t;12H,エトキシ基メチル−CH₃） 以上の結果から、上述の生成物は、下記式で表わされ
るアリーレン基含有リン化合物（ホスホネート）である
ことが確認された。

（２）芳香族ジメチリディン化合物の製造 上記（１）で得られたホスホネート5.3gと２−ベンゾ
イルビフェニル5.2gを、テトラヒドロフラン100mlに溶
解し、これにｎ−ブチルリチウムを含有（濃度15％）す
るヘキサン溶液12.3gを加え、アルゴン気流下室温で６
時間撹拌した後、一晩放置した。

得られた混合物にメタノール300mlを加え、析出した
結晶を濾過した。次いで、濾過生成物を水100mlで３
回、続いてメタノール100mlで３回充分に洗浄し、淡黄
色粉末5.5gを得た（収率44％）。このものの融点は187
〜188℃であった。またこの粉末の¹H−NMR分析は以下の
通りである。¹ H−NMR（CDCl₃） δ＝7.7〜7.0ppm（m;30H,芳香環） δ＝6.7ppm（s;2H,メチリディンCH＝Ｃ−） δ＝2.0ppm（s;6H,キシレン環−CH₃） さらに元素分析結果は、組成式C₄₈H₃₈として以下の通
りである。なお括弧内は理論値である。

C:93.79％（93.82％） H:6.06％（6.18％） N:0.00％（０％） また、赤外線（IR）吸収スペクトル（KBr錠剤法）
は、以下の通りである。

ν_c-c 1520,1620cm^-1 以上のことより、上記生成物である淡黄色粉末は、下
記式 で表わされる2,5−キシレンジメチリディン誘導体であ
ることが確認された。

実施例２〜７ 実施例１（２）において、２−ベンゾイルビフェニル
の代わりに、表１に示すケトンを用いた他は、実施例１
（２）と同様に操作し、表１に示す2,5−キシレンジメ
チリディン誘導体を得た。

実施例８（方法Ｂ） （１）リン化合物の製造 （１−ブロモエチル）ベンゼン25.1gと亜リン酸トリ
エチル24.7gを、アルゴン気流下オイルバスで、温度150
℃で７時間加熱撹拌を行った。その後、過剰の亜リン酸
トリエチル及び副生したブロモエチルを減圧留去して、
透明溶液22.3gを得た。このものの¹H−NMR分析結果は、
以下の通りである。

δ＝7.2ppm（s;5H,ベンゼン環−Ｈ） δ＝3.9ppm（q;4H,エトキシ基−OCH₂−） δ＝2.9〜3.5ppm（m;1H,＝CH−） δ＝1.0〜2.0ppm（m;9H,エトキシのメチル及び−CH₃） 以上のことより、上記生成物は、下記式で表わされる
含有リン化合物（ホスホネート）であることが確認され
た。

（２）芳香族ジメチリディン化合物の製造 上記（１）で得られたホスホネート9.7gと2,5−キシ
レンジカルボキシアルデヒド3.0gを、テトラヒドロフラ
ン100mlに溶解し、これにｎ−プチルリチウム（濃度15
u）を含むヘキサン溶液3.0gを加え、アルゴン気流下、
室温で５時間撹拌した後、一晩放置した。

得られた混合物にメタノール100mlを加え、析出した
結晶を濾過した。濾過生成物を水100mlで３回、続いて
メタノール100mlで３回充分に洗浄し、白色鱗片状晶1.3
gを得た（収率20％）。

このものの融点は137.0〜137.8℃であった。また、こ
の結晶の¹H−NMR分析は以下の通りである。¹ H−NMR（CDCl₃） δ＝7.2〜7.5ppm（m;12H,ベンゼン環−H,中心キシレン
環−Ｈ） δ＝6.8ppm（s;2H,メチリディンCH＝Ｃ−） δ＝2.3ppm（s;6H,メチル基） δ＝2.1ppm（s;6H,中心キシレン環−CH₃） さらに元素分析結果は、組成式C₂₆H₂₆として以下の通
りである。なお括弧内は理論値である。

C:92.26％（92.31％） H:7.50％（7.69％） N:0.00％（０％） また、マススペクトルより、目的物の分子イオンピー
クm/Z＝318が検出された。

以上のことより、上記生成物である白色鱗片状晶は、
下記式 で表わされる2,5−キシレンジメチリディン誘導体であ
ることが確認された。

実施例９ （１）アリーレン基含有リン化合物の製造 4,4′−ビス（ブロモメチル）ビフェニル9.0gと亜リ
ン酸トリエチル11gを、アルゴン気流下オイルバスで、
温度140℃で６時間加熱撹拌を行った。

その後、過剰の亜リン酸トリエチル及び副生した塩化
エチルを減圧留去した。一晩放置後、白色結晶9.5g（収
率80％）を得た。このものの融点は97.0〜100.0℃であ
った。また、¹H−NMR分析は以下の通りである。¹ H−NMR（CDCl₃） δ＝7.0〜7.6ppm（m;8H,ビフェニレン環−Ｈ） δ＝4.0ppm（q;8H,エトキシ基メチレン−CH₂） δ＝3.1ppm（d;4H,J＝20Hz（³¹P−¹Hカップリング）Ｐ
−CH₂） δ＝1.3ppm（t;12H,エトキシ基メチル−CH₃） 以上の結果から、上述の生成物は、下記式で表わされ
るアリーレン基含有リン化合物（ホスホネート）である
ことが確認された。

（２）芳香族ジメチリディン化合物の製造 上記（１）で得られたホスホネート4.0gとシクロヘキ
シルフェニルケトン5.0gを、ジメチスルホキシド60mlに
溶解し、カリウム−ｔ−ブトキシド2.0gを加え、アルゴ
ン気流下、還流撹拌した後、一晩放置した。

得られた混合物の溶媒を留去した後、メタノール200m
lを加え、析出した結晶を濾過した。次いで、濾過生成
物を水100mlで３回、続いてメタノール100mlで３回充分
に洗浄し、ベンゼンにて再結晶したところ、淡黄色粉末
1.0gが得られた（収率22％）。このものの融点は153〜1
55℃であった。またこの粉末の¹H−NMR分析結果は以下
の通りである。¹ H−NMR（CDCl₃） δ＝6.3〜7.5ppm（b;18H,芳香族及びメチリディンCH
＝Ｃ−） δ＝1.0〜2.0ppm（b;22H,シクロヘキサン環） さらに元素分析結果は、組成式C₄₀H₄₂として以下の通
りである。なお括弧内は理論値である。

C:91.74％（91.90％） H: 8.25％（ 8.10％） N: 0.00％（ ０％） また、赤外線（IR）吸収スペクトル（KBr錠剤法）
は、以下の通りである。

ν_c-c 1520,1610cm^-1 また、マススペクトルより、目的物の分子イオンピー
クm/Z＝522が検出された。

以上のことより、上記生成物である淡黄色粉末は、下
記式 で表わされる4,4′−ビフェニレンジメチリディン誘導
体であることが確認された。

実施例10 実施例９（２）において、シクロヘキシルフェニルケ
トンの代わりに4,4′−ジメチルベンゾフェノンを、ジ
メチルスルホキシドの代わりにテトラヒドロフランをそ
れぞれ用いた他は、実施例９（２）と同様に操作して、
以下に示す4,4′−ビフェニレンジメチリディン誘導体
を得た。

このものの分析結果等は、以下の通りである。

融点:228〜230℃¹ H−NMR（CDCl₃） δ＝6.7〜7.3ppm（m;26H,芳香環−Ｈ及びメチリディン
CH＝Ｃ−） δ＝2.4ppm（s:12H,p−トリルメチル基−CH₃） 性状：淡黄色粉末 マススペクトルの分子イオンピーク:m/Z＝566元素分
析値：組成式C₄₄H₃₈として以下の通りである。なお括弧
内は理論値である。

C:93.10％（93.24％） H: 7.04％（ 6.76％） N: 0.00％（ ０％） 実施例11 （１）アリーレン基含有リン化合物の製造 2,6−ビス（ブロモメチル）ナフタレン24.3gと亜リン
酸トリエチル50gを、アルゴン気流下オイルバスで、温
度120℃で７時間加熱撹拌を行った。

その後、過剰の亜リン酸トリエチル及び副生した塩化
エチルを減圧留去した。一晩放置後、淡黄色結晶32.5g
（収率定量的）を得た。このものの融点は144.5〜146.0
℃であった。また、¹H−NMR分析結果は以下の通りであ
る。¹ H−NMR（CDCl₃） δ＝7.2〜7.8ppm（m;6H,ナフチレン環−Ｈ） δ＝4.0ppm（q;8H,エトキシ基メチレン−CH₂） δ＝3.3ppm（d;4H,J＝20Hz（³¹P−¹Hカップリング）Ｐ
−CH₂） δ＝1.2ppm（t;12H,エトキシ基メチレン−CH₃） 以上の結果から、上述の生成物は、下記式で表わされ
るアリーレン基含有リン化合物（ホスホネート）である
ことが確認された。

（２）芳香族ジメチリディン化合物の製造 上記（１）で得られたホスホネート5.0gとシクロヘキ
シルフェニルケトン5.0gを、テトラヒドロフラン100ml
に溶解し、カリウム−ｔ−ブトキシド2.5gを加え、アル
ゴン気流下、還流撹拌した後、一晩放置した。

得られた混合物の溶媒を留去した後、メタノール100m
lを加え、析出した結晶を濾過した。次いで濾過生成物
を水100mlで２回、続いてメタノール100mlで２回充分に
洗浄し、ベンゼンに再結晶したところ、淡黄色粉末1.0g
が得られた（収率20％）。このものの融点は215〜216℃
であった。またこの粉末の¹H−NMR分析結果は以下の通
りである。¹ H−NMR（CDCl₃） δ＝6.2〜7.2ppm（m;18H,芳香環及びナフタレン環−Ｈ
及びメチリディンCH＝Ｃ−） δ＝1.0〜2.0ppm（b;22H,シクロヘキサン環） さらに元素分析結果は、組成式C₃₈H₄₀として以下の通
りである。なお括弧内は理論値である。

C:91.63％（91.88％） H: 8.20％（ 8.12％） N: 0.00％（ ０％） 以上のことより、上記生成物である淡黄色粉末は、下
記式 で表わされる2,6−ナフチレンジメチリディン誘導体で
あることが確認された。

実施例12 実施例11（２）において、シクロヘキシルフェニルケ
トンの代わりに4,4′−ジメチルベンゾフェノンを、カ
リウム−ｔ−ブトキシドの代わりにｎ−ブチルリチウム
をそれぞれ用いた他は、実施例11（２）と同様に操作し
て、以下に示す2,6−ナフチレンジメチリディン誘導体
を得た。

このものの分析結果は以下の通りである。

融点:269〜271℃¹ H−NMR（CDCl₃） δ＝6.7〜7.2ppm（m;24H,芳香環−Ｈ及びメチリディン
CH＝Ｃ−） δ＝2.4ppm（s;12H,p−トリルメチル基−CH₃） 性状：黄色粉末 元素分析値：組成式C₄₂H₃₆として以下の通りである。
なお括弧内は理論値である。

C:93.03％（93.29％） H: 6.81％（ 6.71％） N: 0.00％（ ０％） 実施例13 （１）アリーレン基含有リン化合物の製造 9,10−ビス（クロロメチル）アントラセン10gと亜リ
ン酸トリエチル35gを、アルゴン気流下オイルバスで、
温度130℃で６時間加熱撹拌を行った。

その後、過剰の亜リン酸トリエチル及び副生した塩化
エチルを減圧留去した。一晩放置後、得られた淡緑色結
晶を、ベンゼン−ヘキサンより再結晶し、淡黄色鱗片状
晶16g（収率92％）を得た。

このものの分析結果等は、以下の通りである。

融点:160〜161.5℃¹ H−NMR（CDCl₃） δ＝7.3〜8.4ppm（m;8H,アセトラセン環−Ｈ） δ＝4.1ppm（d;4H,J＝20Hz（³¹P−¹Hカップリング）Ｐ
−CH₂） δ＝3.7ppm（q;8H,エトキシ基メチレン−CH₂） δ＝1.0ppm（t;12H,エトキシ基メチル−CH₃） 以上の結果から，上述の生成物は、下記式で表わされ
るアリーレン基含有リン化合物（ホスホネート）である
ことが確認された。

（２）芳香族ジメチリディン化合物の製造 上記（１）で得られたホスホネート3.0gと4,4′−ジ
メチルベンゾフェノン2.5gを、テトラヒドロフラン100m
lに溶解し、これにｎ−ブチルリチウム（濃度15％）を
含むヘキサン溶液5gを加え、アルゴン気流下、室温で４
時間撹拌した後、一晩放置した。

得られた混合物にメタノール100mlを加え、析出した
結晶を濾過した。濾過生成物を水100mlで３回、続いて
メタノール100mlで３回充分に洗浄し、トルエンより再
結晶し、黄橙色粉末0.7gを得た（収率19％）。

このものの分析結果等は、以下の通りである。

融点:297〜298℃¹ H−NMR（CDCl₃） δ＝6.5〜7.5ppm（m;26H,芳香環−H,アセトラセン−Ｈ
及びメチリディンCH＝Ｃ−） δ＝2.2ppm（d;12H,p−トリルメチル基−CH₃） 元素分析値：組成式C₄₆H₃₈として以下の通りである。な
お括弧内は理論値である。

C:93.42％（93.52％） H: 6.53％（ 6.48％） N: 0.00％（ ０％） また、マススペクトルより目的物の分子イオンピーク
m/Z＝590が検出された。

以上のことより、上記生成物である黄橙色粉末は、下
記式 で表わされる9,10−アセトラセンジイルジメチリディン
誘導体であることが確認された。

実施例14〜26 以下、対応するケトン及びホスホン酸エステルを用
い、表２に示す化合物を合成した。

応用例１ 25mm×75mm×1.1mmのガラス基板上にITOを蒸着法にて
100nmの厚さで製膜したもの（HOYA製）を透明支持基板
とした。

この透明支持基板を市販の蒸着装置（日本真空技術
（株）製）の基板ホルダーに固定し、モリブテン製の抵
抗加熱ボートにTPDAを200mg入れ、また別のモリブテン
製ボートに実施例１で得られた2,5−キシレンジメチリ
ディン誘導体である2,5−ビス（２−フェニル−２−ビ
フェニルビニル）キシレン（BPVX）を200mg入れて真空
槽を１×10^-4Paまで減圧した。

その後TPDA入りの前記ボートを、215〜220℃まで加熱
し、TPDAを蒸着速度0.1〜0.3nm/秒で透明支持基板上に
蒸着して、膜厚60nmの正孔注入層を製膜させた。この時
の基板温度は室温であった。

次いで、これを真空槽より取り出すことなく、正孔注
入層の上に、もう一つのボートよりBPVXを発光層として
80nm積層蒸着した。蒸着条件は、ボート温度が184℃で
蒸着速度は0.2〜0.4nm/秒、基板温度は室温であった。

これを真空槽より取り出し、上記発光層の上にステン
レススチール製のマスクを設置し、再び基板ホルダーに
固定した。

次にモリブテン製の抵抗加熱ボートにマグネシウムリ
ボン1gを入れ、また別のモリブテン製の抵抗加熱ボート
にインジウムを500mg装着した。

その後真空槽を２×10^-4Paまで減圧してから、インジ
ウムを0.03〜0.08nm/秒の蒸着速度で、同時にもう一方
のボートよりマグネシウムを1.7〜2.8nm/秒の蒸着速度
で蒸着し始めた。ボートの温度はインジウム入り，マグ
ネシウム入りのボートそれぞれ800℃,500℃程度であっ
た。上記条件でマグネシウムとインジウムの混合金属電
極を発光層の上に150nm積層蒸着して対向電極とし、素
子を形成した。

ITO電極を陽極、マグネシウムとインジウムの混合金
属電極を陰極として、得られた素子に、直流電圧20Vを
印加すると電流が170mA/cm²程度流れ、色度座標でBluis
h Green発光を得た。ピーク波長は分光測定より499nmで
あり、発光輝度は1000cd/m²以上であった。

応用例２ 25mm×75mm×1.1mmのガラス基板上にITOを蒸着法にて
100nmの厚さで製膜したもの（HOYA製）を透明支持基板
とした。

この透明支持基板をUVオゾン処理装置（日本電池社
製）にて２分間UVオゾン洗浄を行った。

次いで、市販の蒸着装置（日本真空技術（株）製）の
基板ホルダーに固定し、モリブテン製の抵抗加熱ボート
にTPDAを200mg入れ、また別のモリブテン製ボートに実
施例２で得られた2,5−キシレンジメチリディン誘導体
である2,5−ビス（2,2−ジ−ｐ−トリビニル）キシレン
（DTVX）を200mg入れて真空槽を１×10^-4Paまで減圧し
た。

その後TPDAの入った前記ボートを215〜220℃まで加熱
し、TPDAを蒸着速度0.1〜0.3nm/秒で透明支持基板上に
蒸着して、膜厚60nmの正孔注入層を製膜させた。この時
の基板温度は室温であった。

次いで、これを真空槽より取り出すことなく、正孔注
入層の上に、もう一つのボートよりDTVXを発光層として
80nm積層蒸着した。蒸着条件は、ボート温度が215℃
で、蒸着速度は0.2〜0.4nm/秒、基板温度は室温であっ
た。

これを真空槽より取り出し、上記発光層の上にステン
レススチール製のマスクを設置し、再び基板ホルダーに
固定した。

次にモリブテン製の抵抗加熱ボートにマグネシウムリ
ボン1gを入れ、また別のモリブテン製の抵抗加熱ボート
にインジウム500mgを装着した。

その後真空槽を２×10^-4Paまで減圧してから、インジ
ウムを0.03〜0.08nm/秒の蒸着速度で、同時にもう一方
のボートよりマグネシウムを1.7〜2.8nm/秒の蒸着速度
で蒸着し始めた。ボートの温度はインジウム入り，マグ
ネシウム入りのボートそれぞれ800℃,500℃程度であっ
た。上記条件でマグネシウムとインジウムの混合金属電
極を発光層の上に150nm積層蒸着して対向電極とし、素
子を形成した。

ITO電極を陽極、マグネシウムとインジウムの混合金
属電極を陰極として、得られた素子に、直流電圧5Vを印
加すると電流が6.3mA/cm²程度流れ、発光輝度300cd/
m²、色度座標でGreen Blue発光を得た。ピーク波長は分
光測定より486nmであった。この時の発光効率は2.9lm/W
であった。なお直流7V印加の時、発光輝度は1000cd/m²
以上であることを確認した。

応用例３ 25mm×75mm×1.1mmのガラス基板上にITOを蒸着法にて
100nmの厚さで製膜したもの（HOYA製）を透明支持基板
とした。

この透明支持基板を市販の蒸着装置（日本真空技術
（株）製）の基板ホルダーに固定し、モリブテン製の抵
抗加熱ボートにTPDAを200mg入れ、また別のモリブテン
製ボートに実施例３で得られた2,5−キシレンジメチリ
ディン誘導体である2,5−ビス〔２−フェニル−２（２
−ナフチル）ビニル〕キシレン（NPVX）を200mg入れて
真空槽を１×10^-4Paまで減圧した。

その後TPDAの入った前記ボートを215〜220℃まで加熱
し、TPDAを蒸着速度0.1〜0.3nm/秒で透明支持基板上に
蒸着して、膜厚60nmの正孔注入層を製膜させた。この時
の基板温度は室温であった。

次いで、これを真空槽より取り出すことなく、正孔注
入層の上に、もう一つのボートよりNPVXを発光層として
80nm積層蒸着した。蒸着条件は、ボート温度が147℃
で、蒸着速度は0.2〜0.4nm/秒、基板温度は室温であっ
た。

これを真空槽より取り出し、上記発光層の上にステン
レススチール製のマスクを設置し、再び基板ホルダーに
固定した。

次にモリブテン製の抵抗加熱ボートにマグネシウムリ
ボン1gを入れ、また別のモリブテン製の抵抗加熱ボート
にインジウム500mgを装着した。

その後真空槽を２×10^-4Paまで減圧してから、インジ
ウムを0.03〜0.08nm/秒の蒸着速度で、同時にもう一方
のボートよりマグネシウムを1.7〜2.8nm/秒の蒸着速度
で蒸着し始めた。ボートの温度はインジウム入り，マグ
ネシウム入りのボートそれぞれ800℃,500℃程度であっ
た。上記条件でマグネシウムとインジウムの混合金属電
極を発光層の上に150nm積層蒸着して対向電極とし、素
子を形成した。

ITO電極を陽極、マグネシウムとインジウムの混合金
属電極を陰極として、得られた素子に、直流電圧17.5V
を印加すると電流が220mA/cm²程度流れ、色度座標でBlu
ish Green発光を得た。ピーク波長は分光測定より502nm
であり、発光輝度は1000cd/m²であった。

応用例４ 25mm×75mm×1.1mmのガラス基板上にITOを蒸着法にて
100nmの厚さで製膜したもの（HOYA製）を透明支持基板
とした。

この透明支持基板を市販の蒸着装置（日本真空技術
（株）製）の基板ホルダーに固定し、モリブテン製の抵
抗加熱ボートにTPDAを200mg入れ、また別のモリブテン
製ボートに実施例５で得られた2,5−キシレンジメチリ
ディン誘導体である2,5−ビス〔２−フェニル−２−
（２−ピリジルビニル〕キシレン（PPVX）を200mg入れ
て真空槽を１×10^-4Paまで減圧した。

その後TPDAの入った前記ボートを215〜220℃まで加熱
し、TPDAを蒸着速度0.1〜0.3nm/秒で透明支持基板上に
蒸着して、膜厚60nmの正孔注入層を製膜させた。この時
の基板温度は室温であった。

これを真空槽より取り出すことなく、正孔注入層の上
に、もう一つのボートよりPPVXを発光層として80nm積層
蒸着した。蒸着条件は、ボート温度が198℃で、蒸着速
度は0.2〜0.4nm/秒、基板温度は室温であった。

これを真空槽より取り出し、上記発光層の上にステン
レススチール製のマスクを設置し、再び基板ホルダーに
固定した。

次にモリブテン製の抵抗加熱ボートにマグネシウムリ
ボン1gを入れ、また別のモリブテン製の抵抗加熱ボート
にインジウム500mgを装着した。

その後真空槽を２×10^-4Paまで減圧してから、インジ
ウムを0.03〜0.08nm/秒の蒸着速度で、同時にもう一方
のボートよりマグネシウムを1.7〜2.8nm/秒の蒸着速度
で蒸着し始めた。

ボートの温度はインジウム入り，マグネシウム入りの
ボートそれぞれ800℃,500℃程度であった。上記条件で
マグネシウムとインジウムの混合金属電極を発光層の上
に150nm積層蒸着して対向電極とし、素子を形成した。

ITO電極を陽極、マグネシウムとインジウムの混合金
属電極を陰極として、得られた素子に、直流電圧12.5V
を印加すると電流が50mA/cm²程度流れ、色度座標でGree
n発光を得た。ピーク波長は分光測定より513nmであり、
発光輝度は100cd/m²であった。

応用例５ 25mm×75mm×1.1mmのガラス基板上にITOを蒸着法にて
100nmの厚さで製膜したもの（HOYA製）を透明支持基板
とした。

この透明支持基板を市販の蒸着装置（日本真空技術
（株）製）の基板ホルダーに固定し、モリブテン製の抵
抗加熱ボートにTPDAを200mg入れ、また別のモリブテン
製ボートに実施例８で得られた2,5−キシレンジメチリ
ディン誘導体である2,5−ビス（２−フェニル−２−メ
チルビニル）キシレン（MePVX）を200mg入れて真空槽を
１×10^-4Paまで減圧した。

その後TPDAの入った前記ボートを、215〜220℃まで加
熱し、TPDAを蒸着速度0.1〜0.3nm/秒で透明支持基板上
に蒸着して、膜厚60nmの正孔注入層を製膜させた。この
時の基板温度は室温であった。

次いで、これを真空槽より取り出すことなく、正孔注
入層の上に、もう一つのボートよりMePVXを発光層とし
て80nm積層蒸着した。蒸着条件はボート温度が152℃で
蒸着速度は0.2〜0.4nm/秒、基板温度は室温であった。
これを真空槽より取り出し、上記発光層の上にステンレ
ススチール製のマスクを設置し、再び基板ホルダーに固
定した。

次にモリブテン製の抵抗加熱ボートにマグネシウムリ
ボン1gを入れ、また別のモリブテン製の抵抗加熱ボート
にインジウム500mgを装着した。その後真空槽を２×10
^-4Paまで減圧してから、インジウムを0.03〜0.08nm/秒
の蒸着速度で、同時にもう一方のボートよりマグネシウ
ムを1.7〜2.8nm/秒の蒸着速度で蒸着し始めた。ボート
の温度はインジウム入り，マグネシウム入りのボートそ
れぞれ800℃,500℃程度であった。上記条件でマグネシ
ウムとインジウムの混合金属電極を発光層の上に150nm
積層蒸着して対向電極とし、素子を形成した。

ITO電極を陽極、マグネシウムとインジウムの混合金
属電極を陰極として、得られた素子に、直流電圧10Vを
印加すると電流が140mA/cm²程度流れ、色度座標でPurpl
ish Blue発光を得た。ピーク波長は分光測定より438nm
であり、発光輝度は20cd/m²程度であった。

応用例６ 25mm×75mm×1.1mmのガラス基板上にITOを蒸着法にて
100nmの厚さで製膜したもの（HOYA製）を透明支持基板
とした。この透明支持基板をUVオゾン処理装置にて２分
間UVオゾン洗浄を行った。

この透明支持基板を市販の蒸着装置（日本真空技術
（株）製）の基板ホルダーに固定し、モリブテン製の抵
抗加熱ボートにTPDAを200mg入れ、また別のモリブテン
製ボートに実施例９で得られた4,4′−ビフェニレンジ
メチリディン誘導体である4,4′−ビス（２−シクロヘ
キシル−２−フェニルビニル）ビフェニル（CPVBi）を2
00mg入れて真空槽を１×10^-4Paまで減圧した。

その後TPDAの入った前記ボートを、215〜220℃まで加
熱し、TPDAを蒸着速度0.1〜0.3nm/秒で透明支持基板上
に蒸着して、膜厚60nmの正孔注入層を製膜させた。この
時の基板温度は室温であった。

次いで、これを真空槽より取り出すことなく、正孔注
入層の上に、もう一つのボートよりCPVBiを発光層とし
て80nm積層蒸着した。蒸着条件はボート温度が210℃で
蒸着速度は0.1〜0.3nm/秒、基板温度は室温であった。

これを真空槽より取り出し、上記発光層の上にステン
レススチール製のマスクを設置し、再び基板ホルダーに
固定した。

次にモリブテン製の抵抗加熱ボートにマグネシウムリ
ボン1gを入れ、また別のモリブテン製の抵抗加熱ボート
にインジウム500mgを装着した。

その後真空槽を２×10^-4Paまで減圧してから、インジ
ウムを0.03〜0.08nm/秒の蒸着速度で、同時にもう一方
のボートよりマグネシウムを1.7〜2.8nm/秒の蒸着速度
で蒸着し始めた。ボートの温度はインジウム入り，マグ
ネシウム入りのボートそれぞれ800℃,500℃程度であっ
た。上記条件でマグネシウムとインジウムの混合金属電
極を発光層の上に150nm積層蒸着して対向電極とし、素
子を形成した。

ITO電極を陽極、マグネシウムとインジウムの混合金
属電極を陰極として、得られた素子に、直流電圧7.5Vを
印加すると電流が14mA/cm²程度流れ、色度座標でPurpli
sh Blue発光を得た。ピーク波長は分光測定より441nmで
あり、発光輝度は200cd/m²程度であった。

応用例７ 25mm×75mm×1.1mmのガラス基板上にITOを蒸着法にて
100nmの厚さで製膜したもの（HOYA製）を透明支持基板
とした。この透明支持基板をUVオゾン処理装置にて２分
間UVオゾン洗浄を行った。

この透明支持基板を市販の蒸着装置（日本真空技術
（株）製）の基板ホルダーに固定し、モリブテン製の抵
抗加熱ボートにTPDAを200mg入れ、また別のモリブテン
製ボートに実施例10で得られた4,4′−ビフェニレンジ
メチリディン誘導体である4,4′−ビス（2,2−ジ−ｐ−
トリルビニル）ビフェニル（DTVBi）を200mg入れて真空
槽を１×10^-4Paまで減圧した。

その後TPDAの入った前記ボートを、215〜220℃まで加
熱し、TPDAを蒸着速度0.1〜0.3nm/秒で透明支持基板上
に蒸着して、膜厚60nmの正孔注入層を製膜させた。この
時の基板温度は室温であった。

次いで、これを真空槽より取り出すことなく、正孔注
入層の上に、もう一つのボートよりDTVBiを発光層とし
て80nm積層蒸着した。蒸着条件はボート温度が253〜271
℃で蒸着速度は0.1〜0.3nm/秒、基板温度は室温であっ
た。これを真空槽より取り出し、上記発光層の上にステ
ンレススチール製のマスクを設置し、再び基板ホルダー
に固定した。

次にモリブテン製の抵抗加熱ボートにマグネシウムリ
ボン1gを入れ、また別のモリブテン製の抵抗加熱ボート
にインジウム500mgを装着した。

その後真空槽を２×10^-4Paまで減圧してから、インジ
ウムを0.03〜0.08nm/秒の蒸着速度で、同時にもう一方
のボートよりマグネシウムを1.7〜2.8nm/秒の蒸着速度
で蒸着し始めた。ボートの温度はインジウム入り，マグ
ネシウム入りのボートそれぞれ800℃,500℃程度であっ
た。上記条件でマグネシウムとインジウムの混合金属電
極を発光層の上に150nm積層蒸着して対向電極とし、素
子を形成した。

ITO電極を陽極、マグネシウムとインジウムの混合金
属電極を陰極として、得られた素子に、直流電圧15Vを
印加すると電流が32mA/cm²程度流れ、色度座標でBlue発
光を得た。ピーク波長は分光測定より473nmであり、最
高発光輝度は1000cd/m²以上であった。

応用例８ 25mm×75mm×1.1mmのガラス基板上にITOを蒸着法にて
100nmの厚さで製膜したもの（HOYA製）を透明支持基板
とした。この透明支持基板をUVオゾン処理装置にて２分
間UVオゾン洗浄を行った。

この透明支持基板を市販の蒸着装置（日本真空技術
（株）製）の基板ホルダーに固定し、モリブテン製の抵
抗加熱ボートにTPDAを200mg入れ、また別のモリブテン
製ボートに実施例12で得られた2,6−ナフチレンジメチ
リディン誘導体である2,6−ビス（2,2−ジ−ｐ−トリル
ビニル）ナフタレン（DTVN）を200mg入れて真空槽を１
×10^-4Paまで減圧した。

その後、TPDAの入った前記ボートを、215〜220℃まで
加熱し、TPDAを蒸着速度0.1〜0.3nm/秒で透明支持基板
上に蒸着して、膜厚60nmの正孔注入層を製膜させた。こ
の時の基板温度は室温であった。

次いで、これを真空槽より取り出すことなく、正孔注
入層の上に、もう一つのボートよりDTVNを発光層として
80nm積層蒸着した。蒸着条件はボート温度が276〜278℃
で、蒸着速度は0.1〜0.3nm/秒、基板温度は室温であっ
た。これを真空槽より取り出し、上記発光層の上にステ
ンレススチール製のマスクを設置し、再び基板ホルダー
に固定した。

次にモリブテン製の抵抗加熱ボートにマグネシウムリ
ボン1gを入れ、また別のモリブテン製の抵抗加熱ボート
にインジウム500mgを装着した。

その後真空槽を２×10^-4Paまで減圧してから、インジ
ウムを0.03〜0.08nm/秒の蒸着速度で、同時にもう一方
のボートよりマグネシウムを1.7〜2.8nm/秒の蒸着速度
で蒸着し始めた。ボートの温度はインジウム入り，マグ
ネシウム入りのボートそれぞれ800℃,500℃程度であっ
た。上記条件でマグネシウムとインジウムの混合金属電
極を発光層の上に150nm積層蒸着して対向電極とし、素
子を形成した。

ITO電極を陽極、マグネシウムとインジウムの混合金
属電極を陰極として、得られた素子に、直流電圧12Vを
印加すると電流が350mA/cm²程度流れ、色度座標でGreen
ish Blue発光を得た。ピーク波長は分光測定より486nm
であり、発光輝度は20cd/m²程度であった。

応用例９ 25mm×75mm×1.1mmのガラス基板上にITOを蒸着法にて
100nmの厚さで製膜したもの（HOYA製）を透明支持基板
とした。この透明支持基板をUVオゾン処理装置にて２分
間UVオゾン洗浄を行った。

この透明支持基板を市販の蒸着装置（日本真空技術
（株）製）の基板ホルダーに固定し、モリブテン製の抵
抗加熱ボートにTPDAを200mg入れ、また別のモリブテン
製ボートに実施例13で得られた9,10−アントラセンジイ
ルメチリディン誘導体である9,10−ビス（2,2−ジ−ｐ
−トリルビニル）アントラセン（DTVA）を200mg入れて
真空槽を１×10^-4Paまで減圧した。

その後TPDAの入った前記ボートを、215〜220℃まで加
熱し、TPDAを蒸着速度0.1〜0.3nm/秒で透明支持基板上
に蒸着して、膜厚60nmの正孔注入層を製膜させた。この
時の基板温度は室温であった。

次いで、これを真空槽より取り出すことなく、正孔注
入層の上に、もう一つのボートよりDTVAを発光層として
80nm積層蒸着した。蒸着条件はボート温度が270℃で、
蒸着速度は0.1〜0.3nm/秒、基板温度は室温であった。
これを真空槽より取り出し、上記発光層の上にステンレ
ススチール製のマスクを設置し、再び基板ホルダーに固
定した。

次にモリブテン製の抵抗加熱ボートにマグネシウムリ
ボン1gを入れ、また別のモリブテン製の抵抗加熱ボート
にインジウム500mgを装着した。その後真空槽を２×10
^-4Paまで減圧してから、インジウムを0.03〜0.08nm/秒
の蒸着速度で、同時にもう一方のボートよりマグネシウ
ムを1.7〜2.8nm/秒の蒸着速度で蒸着し始めた。ボート
の温度はインジウム入り，マグネシウム入りのボートそ
れぞれ800℃,500℃程度であった。上記条件でマグネシ
ウムとインジウムの混合金属電極を発光層の上に150nm
積層蒸着して対向電極とし、素子を形成した。

ITO電極を陽極、マグネシウムとインジウムの混合金
属電極を陰極として、得られた素子に、直流電圧10Vを
印加すると電流が350mA/cm²程度流れ、色度座標でGreen
発光を得た。ピーク波長は分光測定より526nmであり、
発光輝度は400cd/m²以上であった。

応用例10〜19 応用例９において、発光材料は変えた他は応用例９と
同様に操作して、EL素子を形成した。これらのEL発光特
性を表３に示す。

〔発明の効果〕 本発明の芳香族ジメチリディン化合物は、新規な化合
物であり、青紫〜緑にわたる領域で輝度1000cd/m²以上
の高輝度のEL発光が得られると同時に、実用レベルの輝
度（50〜200cd/m²）において効率的なEL発光が得られ
る。

したがって、本発明の芳香族ジメチリディン化合物
は、EL素子の発光材料を始め、各種発光材料として、有
効な利用が期待される。

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】一般式 〔式中、R¹〜R⁴は炭素数１〜６のアルキル基，フェニル
   基,p−アルキル置換フェニル基,p−フェニル置換フェニ
   ル基,p−メトキシ置換フェニル基,p−フェノキシ置換フ
   ェニル基,p−ハロゲン置換フェニル基，ビフェニル基，
   ナフチル基，ピリジル基あるいはシクロヘキシル基を示
   す。またR¹〜R⁴は同一でも、また互いに異なっていても
   よい。Arは2,5−ジアルキル置換フェニレン基，ビフェ
   ニレン基,3,3′−ジアルキル置換ビフェニレン基，ナフ
   チレン基あるいはアントラセンジイル基を表わす。〕 で表わされる芳香族ジメチリディン化合物。
2. 【請求項２】前記一般式（Ｉ）において、R¹〜R⁴がそれ
   ぞれメチル基，フェニル基,p−アルキル置換フェニル
   基,p−フェニル置換フェニル基,p−メトキシ置換フェニ
   ル基,p−フェノキシ置換フェニル基,p−ブロモ置換フェ
   ニル基，シクロヘキシル基あるいはピリジル基であり、
   Arが2,5−ジメチル置換フェニル基，ナフチレン基，ビ
   フェニレン基,3,3′−ジメチル置換ビフェニレン基ある
   いはアントラセンジイル基である請求項１の芳香族ジメ
   チリディン化合物。