JPH07224012A - ジフェニルアミン誘導体 - Google Patents
ジフェニルアミン誘導体Info
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- JPH07224012A JPH07224012A JP6034150A JP3415094A JPH07224012A JP H07224012 A JPH07224012 A JP H07224012A JP 6034150 A JP6034150 A JP 6034150A JP 3415094 A JP3415094 A JP 3415094A JP H07224012 A JPH07224012 A JP H07224012A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 新規ジフェニルアミン誘導体であって有機Ｅ
Ｌ用電荷注入物質および発光物質として有効に機能し、
素子として発光強度、発光効率の高いものの提供。 【構成】 一般式 【化１】 で示されるジフェニルアミン誘導体、これを発光材料と
する電界発光素子。（ただし、式中Ｘはハロゲン、アミ
ノ基等、ｎは１〜１０、Ｒ1 〜Ｒ9 は水素、フッ素等） 【効果】 本発明の化合物を用い所定方法で製造した電
界発光素子に直流電圧を印加するとＧｒｅｅｎ又はＧｒ
ｅｅｎｉｓｈ Ｙｅｌｌｏｗの発光が得られた。
Ｌ用電荷注入物質および発光物質として有効に機能し、
素子として発光強度、発光効率の高いものの提供。 【構成】 一般式 【化１】 で示されるジフェニルアミン誘導体、これを発光材料と
する電界発光素子。（ただし、式中Ｘはハロゲン、アミ
ノ基等、ｎは１〜１０、Ｒ1 〜Ｒ9 は水素、フッ素等） 【効果】 本発明の化合物を用い所定方法で製造した電
界発光素子に直流電圧を印加するとＧｒｅｅｎ又はＧｒ
ｅｅｎｉｓｈ Ｙｅｌｌｏｗの発光が得られた。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は新規なジフェニルアミン
誘導体に関するもので、詳しくは蛍光塗料、エレクトロ
ルミネッセンス（ＥＬ）素子の電荷注入輸送材料および
発光材料に有用な新規なジフェニルアミン誘導体に関す
るものである。
誘導体に関するもので、詳しくは蛍光塗料、エレクトロ
ルミネッセンス（ＥＬ）素子の電荷注入輸送材料および
発光材料に有用な新規なジフェニルアミン誘導体に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術とその問題点】有機化合物の高い蛍光効率
に着目し、有機化合物のＥＬ性能を利用した素子の研究
は古くから行われている。例えば、Ｗ．Ｈｅｌｆｒｉｓ
ｈ，Ｗ．Ｇ．Ｓｃｈｎｅｉｄｅｒらはアントラセン結晶
を用い、青色発光を得ている（Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｐｈｙ
ｓ．，４４，２９０２（１９６６））。また、Ｖｉｎｃ
ｅｔｔやＢａｒｌｏｗらは、縮合多環系化合物を真空蒸
着法により発光素子の製作を行っている（Ｔｈｉｎ Ｓ
ｏｌｉｄ Ｆｉｌｍｓ，９９，１７１（１９８２））。
しかしいずれも発光強度、発光効率は低いものしか得ら
れていない。従って、本発明の目的は発光効率が高く、
電荷注入輸送性を有する新規な化合物、特に有機ＥＬ用
の正孔注入輸送を兼ね備えた発光材料として有効に機能
する新規な化合物を開発すべく鋭意研究を重ねた。その
結果、下記一般式
に着目し、有機化合物のＥＬ性能を利用した素子の研究
は古くから行われている。例えば、Ｗ．Ｈｅｌｆｒｉｓ
ｈ，Ｗ．Ｇ．Ｓｃｈｎｅｉｄｅｒらはアントラセン結晶
を用い、青色発光を得ている（Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｐｈｙ
ｓ．，４４，２９０２（１９６６））。また、Ｖｉｎｃ
ｅｔｔやＢａｒｌｏｗらは、縮合多環系化合物を真空蒸
着法により発光素子の製作を行っている（Ｔｈｉｎ Ｓ
ｏｌｉｄ Ｆｉｌｍｓ，９９，１７１（１９８２））。
しかしいずれも発光強度、発光効率は低いものしか得ら
れていない。従って、本発明の目的は発光効率が高く、
電荷注入輸送性を有する新規な化合物、特に有機ＥＬ用
の正孔注入輸送を兼ね備えた発光材料として有効に機能
する新規な化合物を開発すべく鋭意研究を重ねた。その
結果、下記一般式
【化２】 （式中Ｘは無置換またはハロゲン、アミノ基、シアノ
基、アルコキシカルボニル基、アルキル基、アルコキシ
基、アリル基、アラルキル基で置換されたアントラセニ
ル基、フェナントレニル基、ピレニル基、ペリレニル基
であり、ｎは１〜１０、さらにＲ1 〜Ｒ9 は水素、フッ
素、塩素、臭素、アミノ基、シアノ基、アルコキシカル
ボニル基、アルキル基、アルコキシ基、アリル基、アラ
ルキル基を示す）で表されるジフェニルアミン誘導体が
有効なＥＬ材料であることを見い出した。本発明はかか
る知見に基づいて完成したものである。
基、アルコキシカルボニル基、アルキル基、アルコキシ
基、アリル基、アラルキル基で置換されたアントラセニ
ル基、フェナントレニル基、ピレニル基、ペリレニル基
であり、ｎは１〜１０、さらにＲ1 〜Ｒ9 は水素、フッ
素、塩素、臭素、アミノ基、シアノ基、アルコキシカル
ボニル基、アルキル基、アルコキシ基、アリル基、アラ
ルキル基を示す）で表されるジフェニルアミン誘導体が
有効なＥＬ材料であることを見い出した。本発明はかか
る知見に基づいて完成したものである。
【０００３】以上の記述から明らかなように、本発明の
目的は、有機ＥＬ用電荷注入物質および発光物質として
有効に機能し、素子としての発光強度および発光効率の
高い材料として新規なジフェニルアミン誘導体を提供す
ることである。
目的は、有機ＥＬ用電荷注入物質および発光物質として
有効に機能し、素子としての発光強度および発光効率の
高い材料として新規なジフェニルアミン誘導体を提供す
ることである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、下記（１）な
いし（３）の構成を有する。 （１） 一般式
いし（３）の構成を有する。 （１） 一般式
【化３】 （式中Ｘは無置換またはハロゲン、アミノ基、シアノ
基、アルコキシカルボニル基、アルキル基、アルコキシ
基、アリル基、アラルキル基で置換されたアントラセニ
ル基、フェナントレニル基、ピレニル基、ペリレニル基
であり、ｎは１〜１０、さらにＲ1 〜Ｒ9 は水素、フッ
素、塩素、臭素、アミノ基、シアノ基、アルコキシカル
ボニル基、アルキル基、アルコキシ基、アリル基、アラ
ルキル基を示す）で表されるジフェニルアミン誘導体。 （２）前記第１項記載の化合物を発光材料とする電界発
光素子。 （３）前記第２項記載の化合物を正孔注入輸送材料とす
る電界発光素子。
基、アルコキシカルボニル基、アルキル基、アルコキシ
基、アリル基、アラルキル基で置換されたアントラセニ
ル基、フェナントレニル基、ピレニル基、ペリレニル基
であり、ｎは１〜１０、さらにＲ1 〜Ｒ9 は水素、フッ
素、塩素、臭素、アミノ基、シアノ基、アルコキシカル
ボニル基、アルキル基、アルコキシ基、アリル基、アラ
ルキル基を示す）で表されるジフェニルアミン誘導体。 （２）前記第１項記載の化合物を発光材料とする電界発
光素子。 （３）前記第２項記載の化合物を正孔注入輸送材料とす
る電界発光素子。
【０００５】本発明の構成と効果について以下に詳述す
る。本発明の化合物の具体例としては、下記の化合物を
挙げる事ができるが、これらに限定するものではない。
る。本発明の化合物の具体例としては、下記の化合物を
挙げる事ができるが、これらに限定するものではない。
【化４】
【化５】
【化６】
【化７】
【化８】
【化９】
【化１０】
【化１１】
【化１２】
【化１３】 ［式中、ｎは前記と同じ］
【０００６】上述した本発明の新規なジフェニルアミン
誘導体は、以下の方法で製造することができる。すなは
ち、後述［化１４］の芳香族カルボン酸誘導体（式中、
Ｘおよびｎは前記と同じである）と同じく［化１５］の
で表されるジフェニルベンジジン誘導体（式中、Ｙ1 〜
Ｙ9 は前記と同じ）をカップリングさせ、得られたアミ
ド化合物を還元することによって目的のジフェニルアミ
ン誘導体を得ることができる。アミド化合物は、カルボ
ン酸塩化物または臭化物等のカルボン酸ハロゲン化物を
用いる方法、Ｎ，Ｎ−ジシクロヘキシルカルボジイミド
等の縮合剤用いる方法など各種の方法で得ることができ
る。還元反応は、ボラン、水素化リチウムアルミニウ
ム、水素化ホウ素ナトリウム等の各種の還元剤を用いる
ことができるが、中でもボランは副反応が起こりにくい
という点で最適である。ここで用られる反応溶媒として
は、テトラヒドロフラン；ジメチルグリオキザル等のエ
ーテル類が好ましく、また、反応温度は、用いる原材料
の種類や他の条件によって異なり、一義的に定める事は
できないが、通常は、約−２０〜約１００℃まで広範囲
に選択する事ができる。
誘導体は、以下の方法で製造することができる。すなは
ち、後述［化１４］の芳香族カルボン酸誘導体（式中、
Ｘおよびｎは前記と同じである）と同じく［化１５］の
で表されるジフェニルベンジジン誘導体（式中、Ｙ1 〜
Ｙ9 は前記と同じ）をカップリングさせ、得られたアミ
ド化合物を還元することによって目的のジフェニルアミ
ン誘導体を得ることができる。アミド化合物は、カルボ
ン酸塩化物または臭化物等のカルボン酸ハロゲン化物を
用いる方法、Ｎ，Ｎ−ジシクロヘキシルカルボジイミド
等の縮合剤用いる方法など各種の方法で得ることができ
る。還元反応は、ボラン、水素化リチウムアルミニウ
ム、水素化ホウ素ナトリウム等の各種の還元剤を用いる
ことができるが、中でもボランは副反応が起こりにくい
という点で最適である。ここで用られる反応溶媒として
は、テトラヒドロフラン；ジメチルグリオキザル等のエ
ーテル類が好ましく、また、反応温度は、用いる原材料
の種類や他の条件によって異なり、一義的に定める事は
できないが、通常は、約−２０〜約１００℃まで広範囲
に選択する事ができる。
【化１４】
【化１５】 このようにして得られた本発明のジフェニルアミン誘導
体は、低電圧で高輝度の発光が可能なＥＬ素子として有
効に利用できるものである。この本発明のジフェニルア
ミン誘導体は、ＥＬ素子の発光層として不可欠な電荷注
入機能、電荷輸送機能および発光機能を兼備している。
体は、低電圧で高輝度の発光が可能なＥＬ素子として有
効に利用できるものである。この本発明のジフェニルア
ミン誘導体は、ＥＬ素子の発光層として不可欠な電荷注
入機能、電荷輸送機能および発光機能を兼備している。
【０００７】本発明の化合物は、ＥＬ素子における発光
層および正孔注入輸送層として用いることが出来るが、
特に発光層として有効である。この発光層は、例えば蒸
着法、スピンコート法、キャスト法等の公知の方法によ
って、本発明の化合物を薄膜化する事により形成するこ
とができるが、特に分子堆積膜とすることが好ましい。
ここで分子堆積膜とは、該化合物の気相状態から沈着さ
れ形成された薄膜や、該化合物の溶液状態叉は液相状態
から固体化され形成された膜のことであり、例えば、蒸
着膜などを示すが、通常この分子堆積膜はＬＢ法により
形成された薄膜（分子累積膜）とは区別することができ
る。また、該発光層は、特開昭５９−１９４３９３号公
報などに開示されているように、樹脂などの結着剤と該
化合物とを、溶剤に溶かして溶液とした後、これをスピ
ンコート法などにより薄膜化し、形成することができ
る。このようにして形成された発光層の膜厚については
特に制限はなく、適宜状況に応じて選ぶことができる
が、通常５ｎｍないし５０００ｎｍの範囲で選定され
る。このＥＬ素子における発光層は、（１）電界印加時
に、陽極叉は正孔注入層から正孔を受け取ることがで
き、かつ陰極叉は電子注入層から電子を受け取ることが
でき、導入された電荷（電子と正孔）を電界の力で移動
させる輸送機能、（２）電子と正孔の再結合の場を発光
層内部に提供し、これを発光につなげる発光機能などを
有している。なお、正孔の注入されやすさと、電子の注
入されやすさに違いがあってもよいし、正孔と電子の移
動度で表される輸送能に大小があってもよいが、どちら
か一方の電荷を移動することが好ましい。
層および正孔注入輸送層として用いることが出来るが、
特に発光層として有効である。この発光層は、例えば蒸
着法、スピンコート法、キャスト法等の公知の方法によ
って、本発明の化合物を薄膜化する事により形成するこ
とができるが、特に分子堆積膜とすることが好ましい。
ここで分子堆積膜とは、該化合物の気相状態から沈着さ
れ形成された薄膜や、該化合物の溶液状態叉は液相状態
から固体化され形成された膜のことであり、例えば、蒸
着膜などを示すが、通常この分子堆積膜はＬＢ法により
形成された薄膜（分子累積膜）とは区別することができ
る。また、該発光層は、特開昭５９−１９４３９３号公
報などに開示されているように、樹脂などの結着剤と該
化合物とを、溶剤に溶かして溶液とした後、これをスピ
ンコート法などにより薄膜化し、形成することができ
る。このようにして形成された発光層の膜厚については
特に制限はなく、適宜状況に応じて選ぶことができる
が、通常５ｎｍないし５０００ｎｍの範囲で選定され
る。このＥＬ素子における発光層は、（１）電界印加時
に、陽極叉は正孔注入層から正孔を受け取ることがで
き、かつ陰極叉は電子注入層から電子を受け取ることが
でき、導入された電荷（電子と正孔）を電界の力で移動
させる輸送機能、（２）電子と正孔の再結合の場を発光
層内部に提供し、これを発光につなげる発光機能などを
有している。なお、正孔の注入されやすさと、電子の注
入されやすさに違いがあってもよいし、正孔と電子の移
動度で表される輸送能に大小があってもよいが、どちら
か一方の電荷を移動することが好ましい。
【０００８】本発明の化合物を用いたＥＬ素子の構成
は、各種の態様があるが、基本的には一対の電極（陽極
と陰極）間に、前記発光層を挟持した構成とし、これに
必要に応じて電子注入層を介在させればよい。また、正
孔注入層を介在させても差し支えない。具体的には
（１）陽極／発光層／陰極、（２）陽極／正孔注入層／
発光層／陰極、（３）陽極／発光層／電子注入層／陰
極、（４）陽極／正孔注入層／発光層／電子注入層／陰
極などの構成を挙げることができる。該正孔注入層や電
子注入層は、必ずしも必要ではないが、これらの層があ
ると発光性能が一段と向上する。また、前記構成の素子
においては、いずれも基板に支持されていることが好ま
しく、該基板に付いては特に制限はなく、従来ＥＬ素子
に慣用されているもの、例えばガラス、透明プラスチッ
ク、石英などから成るものを用いることができる。
は、各種の態様があるが、基本的には一対の電極（陽極
と陰極）間に、前記発光層を挟持した構成とし、これに
必要に応じて電子注入層を介在させればよい。また、正
孔注入層を介在させても差し支えない。具体的には
（１）陽極／発光層／陰極、（２）陽極／正孔注入層／
発光層／陰極、（３）陽極／発光層／電子注入層／陰
極、（４）陽極／正孔注入層／発光層／電子注入層／陰
極などの構成を挙げることができる。該正孔注入層や電
子注入層は、必ずしも必要ではないが、これらの層があ
ると発光性能が一段と向上する。また、前記構成の素子
においては、いずれも基板に支持されていることが好ま
しく、該基板に付いては特に制限はなく、従来ＥＬ素子
に慣用されているもの、例えばガラス、透明プラスチッ
ク、石英などから成るものを用いることができる。
【０００９】このＥＬ素子における陽極としては、仕事
関数の大きい（４ｅＶ以上）金属、合金、電気伝導性化
合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好まし
く用いられる。このような電極物質の具体例としてはＡ
ｕなどの金属、ＣｕＩ、ＩＴＯ、ＳｎＯ2 、ＺｎＯなど
の誘電性透明材料が挙げられる。該陽極は、これらの電
極物質を蒸着やスパッタリングなどの方法により、薄膜
を形成させることにより作製することができる。この電
極より発光を取り出す場合には、透過率を１０％より大
きくすることが望ましく、また、電極としてのシート抵
抗は数百Ω／ｍｍ以下が好ましい。さらに膜厚は材料に
もよるが、通常１０ｎｍないし１μｍ、好ましくは１０
〜２００ｎｍの範で選ばれる。
関数の大きい（４ｅＶ以上）金属、合金、電気伝導性化
合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好まし
く用いられる。このような電極物質の具体例としてはＡ
ｕなどの金属、ＣｕＩ、ＩＴＯ、ＳｎＯ2 、ＺｎＯなど
の誘電性透明材料が挙げられる。該陽極は、これらの電
極物質を蒸着やスパッタリングなどの方法により、薄膜
を形成させることにより作製することができる。この電
極より発光を取り出す場合には、透過率を１０％より大
きくすることが望ましく、また、電極としてのシート抵
抗は数百Ω／ｍｍ以下が好ましい。さらに膜厚は材料に
もよるが、通常１０ｎｍないし１μｍ、好ましくは１０
〜２００ｎｍの範で選ばれる。
【００１０】一方、陰極としては、仕事関数の小さい
（４ｅＶ以下）金属、合金、電気伝導性化合物及びこれ
らの混合物を電極物質とするものが用いられる。このよ
うな電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウ
ム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシ
ウム／銅混合物、Ａｌ／ＡｌＯ2 、インジウムなどが挙
げられる。該陰極は、これらの電極物質を蒸着やスパッ
タリングなどの方法により、薄膜を形成させることによ
り、作製することができる。また、電極としてのシート
抵抗は数百Ω／ｍｍ以下が好ましく、膜厚は通常１０ｎ
ｍないし１μｍ、好ましくは５０〜２００ｎｍの範で選
ばれる。なお、このＥＬ素子においては、該陽極叉は陰
極のいずれか一方が透明叉は半透明であることが、発光
を透過するため、発光の取出し効率がよく好都合であ
る。本発明の化合物を用いるＥＬ素子の構成は、前記し
たように、各種の態様があり、前記（３）叉は（４）の
構成のＥＬ素子における電子注入層（電子注入輸送層）
は、電子伝達化合物からなるものであって、陰極より注
入された電子を発光層に伝達する機能を有している。こ
のような電子伝達化合物について特に制限はなく、従来
公知の化合物の中から任意のものを選択して用いる事が
できる。
（４ｅＶ以下）金属、合金、電気伝導性化合物及びこれ
らの混合物を電極物質とするものが用いられる。このよ
うな電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウ
ム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシ
ウム／銅混合物、Ａｌ／ＡｌＯ2 、インジウムなどが挙
げられる。該陰極は、これらの電極物質を蒸着やスパッ
タリングなどの方法により、薄膜を形成させることによ
り、作製することができる。また、電極としてのシート
抵抗は数百Ω／ｍｍ以下が好ましく、膜厚は通常１０ｎ
ｍないし１μｍ、好ましくは５０〜２００ｎｍの範で選
ばれる。なお、このＥＬ素子においては、該陽極叉は陰
極のいずれか一方が透明叉は半透明であることが、発光
を透過するため、発光の取出し効率がよく好都合であ
る。本発明の化合物を用いるＥＬ素子の構成は、前記し
たように、各種の態様があり、前記（３）叉は（４）の
構成のＥＬ素子における電子注入層（電子注入輸送層）
は、電子伝達化合物からなるものであって、陰極より注
入された電子を発光層に伝達する機能を有している。こ
のような電子伝達化合物について特に制限はなく、従来
公知の化合物の中から任意のものを選択して用いる事が
できる。
【００１１】該電子伝達化合物の好ましい例としては、
【化１６】
【化１７】 などのニトロ置換フルオレノン誘導体、
【化１８】 などのチオピランオキシド誘導体、
【化１９】 などのジフェニルキノン誘導体［「ポリマー・プレプリ
ント（ＰｏｌｙｍｅｒＰｒｅｐｒｉｎｔｓ），ジャパ
ン」第３７巻，第９号，第６８１ページ（１９８８
年）］などに記載のもの、あるいは
ント（ＰｏｌｙｍｅｒＰｒｅｐｒｉｎｔｓ），ジャパ
ン」第３７巻，第９号，第６８１ページ（１９８８
年）］などに記載のもの、あるいは
【化２０】
【化２１】 などの化合物［「ジャーナル・オブ・アプライド・フィ
ジックス（Ｊ．Ａｐｐｌｙ．Ｐｈｙｓ．）」第２７巻，
第２６９ページ（１９８８年）などに記載のもの］や、
アントラキノジメタン誘導体（特開昭５７−１４９２５
９号公報、同５８−５５４５０号公報、同６１−２２５
１５１号公報、同６１−２３３７５０号公報、同６３−
１０４０６１号公報などに記載のもの）、フルオレニリ
デンメタン誘導体（特開昭６０−６９６５７号公報、同
６１−１４３７６４号公報、同６１−１４８１５９号公
報などに記載のもの）、アントロン誘導体（特開昭６１
−２２５１５１号公報、同６１−２３３７５０号公報な
どに記載のもの）、（特開昭５９−１９４３９３号公報
に記載されている２，５−ビス（５，７−ジ−ｔ−ペン
チル−２−ベンゾキサゾリル）−１，３，４−チアジア
ゾール、４，４−ビス（５，７−ジ−ｔ−ペンチル−２
−ベンゾキサゾリル）スチルベン、２，５−ビス（５，
７−ジ−ｔ−ペンチル−２−ベンゾキサゾリル）チオフ
ェン、２，２’−（ｐ−フェニレンジビニレン）−ビス
ベンゾチアゾール、４，４’−ビス（２−ベンゾキサゾ
リル）ビフェニル、２，５−ビス［５−（α，α’−ジ
メチルベンジル）−２−ベンゾキサゾリル］チオフェ
ン、４，４−ビス［５，７−ジ−（２−メチル−２−ブ
チル）−２−ベンゾキサゾイル）スチルベン、２，５−
ビス［５，７−ジ−（２−メチル−２−ブチル）−２−
ベンゾキサゾイル）−３，４−ジフェニルチオフェン、
２−｛２−［４−（２−ベンゾイミダゾリル）フェニ
ル］ビニル｝ベンゾイミダゾール、５−メチル−２−
｛２−［４−（５−メチル−２−ベンゾキサゾリル）フ
ェニル］ビニル｝ベンゾキサゾール、２，５−ビス（５
−メチル−２−ベンゾキサゾリル）チオフェン、２−
［２−（４−カルボキシフェニル）ビニル］ベンゾイミ
ダゾール、２−［２−（４−クロロフェニル）ビニル］
ナフト［１，２−ｄ］オキサゾールおよび８−キノリノ
ールおよび誘導体の金属錯体、テレビジョン学会誌，Ｖ
ｏｌ．４４，５９８（１９９０）および特開平４−３６
３８９４号公報の記載されているオキサジアゾール系化
合物などを挙げることができる。一方、本発明の化合物
は正孔注入性能を兼備しているため、前記（２）叉は
（４）の構成のＥＬ素子のおける正孔注入層（正孔注入
輸送層）は、必ずしも必要ないが、発光効率の向上が期
待できるので、（２）または（４）の構成のＥＬ素子も
用いることができる。この正孔注入層は、正孔伝達化合
物からなる層であって、陽極より注入された正孔を発光
層に伝達する機能を有し、この正孔注入層を陽極と発光
層との間に介在させることにより、より低い電界で多く
の正孔が発光層に注入され、その上、発光層に陰極叉は
電子注入層より注入された電子は、発光層と正孔注入層
の界面に存在する電子の障壁により、この発光層内の界
面付近に蓄積され発光効率が向上するなど、発光性能の
優れた素子となる。
ジックス（Ｊ．Ａｐｐｌｙ．Ｐｈｙｓ．）」第２７巻，
第２６９ページ（１９８８年）などに記載のもの］や、
アントラキノジメタン誘導体（特開昭５７−１４９２５
９号公報、同５８−５５４５０号公報、同６１−２２５
１５１号公報、同６１−２３３７５０号公報、同６３−
１０４０６１号公報などに記載のもの）、フルオレニリ
デンメタン誘導体（特開昭６０−６９６５７号公報、同
６１−１４３７６４号公報、同６１−１４８１５９号公
報などに記載のもの）、アントロン誘導体（特開昭６１
−２２５１５１号公報、同６１−２３３７５０号公報な
どに記載のもの）、（特開昭５９−１９４３９３号公報
に記載されている２，５−ビス（５，７−ジ−ｔ−ペン
チル−２−ベンゾキサゾリル）−１，３，４−チアジア
ゾール、４，４−ビス（５，７−ジ−ｔ−ペンチル−２
−ベンゾキサゾリル）スチルベン、２，５−ビス（５，
７−ジ−ｔ−ペンチル−２−ベンゾキサゾリル）チオフ
ェン、２，２’−（ｐ−フェニレンジビニレン）−ビス
ベンゾチアゾール、４，４’−ビス（２−ベンゾキサゾ
リル）ビフェニル、２，５−ビス［５−（α，α’−ジ
メチルベンジル）−２−ベンゾキサゾリル］チオフェ
ン、４，４−ビス［５，７−ジ−（２−メチル−２−ブ
チル）−２−ベンゾキサゾイル）スチルベン、２，５−
ビス［５，７−ジ−（２−メチル−２−ブチル）−２−
ベンゾキサゾイル）−３，４−ジフェニルチオフェン、
２−｛２−［４−（２−ベンゾイミダゾリル）フェニ
ル］ビニル｝ベンゾイミダゾール、５−メチル−２−
｛２−［４−（５−メチル−２−ベンゾキサゾリル）フ
ェニル］ビニル｝ベンゾキサゾール、２，５−ビス（５
−メチル−２−ベンゾキサゾリル）チオフェン、２−
［２−（４−カルボキシフェニル）ビニル］ベンゾイミ
ダゾール、２−［２−（４−クロロフェニル）ビニル］
ナフト［１，２−ｄ］オキサゾールおよび８−キノリノ
ールおよび誘導体の金属錯体、テレビジョン学会誌，Ｖ
ｏｌ．４４，５９８（１９９０）および特開平４−３６
３８９４号公報の記載されているオキサジアゾール系化
合物などを挙げることができる。一方、本発明の化合物
は正孔注入性能を兼備しているため、前記（２）叉は
（４）の構成のＥＬ素子のおける正孔注入層（正孔注入
輸送層）は、必ずしも必要ないが、発光効率の向上が期
待できるので、（２）または（４）の構成のＥＬ素子も
用いることができる。この正孔注入層は、正孔伝達化合
物からなる層であって、陽極より注入された正孔を発光
層に伝達する機能を有し、この正孔注入層を陽極と発光
層との間に介在させることにより、より低い電界で多く
の正孔が発光層に注入され、その上、発光層に陰極叉は
電子注入層より注入された電子は、発光層と正孔注入層
の界面に存在する電子の障壁により、この発光層内の界
面付近に蓄積され発光効率が向上するなど、発光性能の
優れた素子となる。
【００１２】前記正孔注入層に用いられる正孔伝達化合
物は、電界を与えられた２個の電極間に配置されて陽極
から正孔が注入された場合、該正孔を適切に発光層へ伝
達しうる化合物であって、例えば、１０4 〜１０6 Ｖ／
ｃｍの電界印加時に、少なくとも１０-6ｃｍ2 ／Ｖ・秒
の正孔移動度をもつものが好適である。このような正孔
伝達化合物については、前記の好ましい性質を有する物
であれば特に制限はなく、従来、光導電材料において、
正孔の電荷輸送材として慣用されているものやＥＬ素子
の正孔注入層に使用される公知のものの中から任意のも
のを選択して用いることができる。
物は、電界を与えられた２個の電極間に配置されて陽極
から正孔が注入された場合、該正孔を適切に発光層へ伝
達しうる化合物であって、例えば、１０4 〜１０6 Ｖ／
ｃｍの電界印加時に、少なくとも１０-6ｃｍ2 ／Ｖ・秒
の正孔移動度をもつものが好適である。このような正孔
伝達化合物については、前記の好ましい性質を有する物
であれば特に制限はなく、従来、光導電材料において、
正孔の電荷輸送材として慣用されているものやＥＬ素子
の正孔注入層に使用される公知のものの中から任意のも
のを選択して用いることができる。
【００１３】該電荷輸送材料としては、例えばトリアゾ
ール誘導体（米国特許第３，１１２，１９７号明細書な
どに記載のもの）、オキサジアゾール誘導体（米国特許
第３，１８９，４４７号明細書などに記載のもの）、イ
ミダゾール誘導体（特公昭３７−１６０９６号公報など
に記載のもの）、ポリアリールアルカン誘導体（米国特
許第３，６１５，４０２号明細書、同３，８２０，９８
９号明細書、同３，５４２，５４４号明細書、特公昭４
５−５５５号公報、同５１−１０９８３号公報、特開昭
５１−９３２２４号公報、同５５−１７１０５号公報、
同５６−４１４８号公報、同５５−１０８６６７号公
報、同５５−１５６９５３号公報、同５６−３６６５６
号公報などに記載のもの）、ピラゾリン誘導体及びピラ
ゾロン誘導体（米国特許第３，１８０，７２９号明細
書、同４，２７８，７４６号明細書、特開昭５５−８８
０６４号公報、同５５−８８０６５号公報、同４９−１
０５５３７号公報、同５５−５１０８６号公報、同５６
−８００５１号公報、同５６−８８１４１号公報、同５
７−４５５４５号公報、同５４−１１２６３７号公報、
同５５−７４５４６号公報などに記載のもの）、フェニ
レンジアミン誘導体（米国特許第３，６１５，４０４号
明細書、特公昭５１−１０１０５号公報、同４６−３７
１２号公報、同４７−２５３３６号公報、特開昭５４−
５３４３５号公報、同５４−１１０５３６号公報、同５
４−１１９９２５号公報などに記載のもの）、アリール
アミン誘導体（米国特許第３，５６７，４５０号明細
書、同３，１８０，７０３号明細書、同３，２４０，５
９７号明細書、同３，６５８，５２０号明細書、同４，
２３２，１０３号明細書、同４，１７５，９６１号明細
書、同４，０１２，３７６号明細書、特公昭４９−３５
７０２号公報、同３９−２７５７７号公報、特開昭５５
−１４４２５０号公報、同５６−１１９１３２号公報同
５６−２２４３７号公報、西独特許第１，１１０，５１
８号明細書などに記載のもの）、アミノ置換カルコン誘
導体（米国特許第３，５２６，５０１号明細書などに記
載のもの）、オキサゾール誘導体（米国特許第３，２５
７，２０３号明細書などに記載のもの）、スチリルアン
トラセン誘導体（特開昭５６−４６２３４号公報などに
記載のもの）、フルオレノン誘導体（特開昭５４−１１
０８３７号公報などに記載のもの）、ヒドラゾン誘導体
（米国特許第３，７１７，４６２号明細書、特開昭５４
−５９１４３号公報、同５５−５２０６３号公報、同５
５−５２０６４号公報、同５５−４６７６０号公報、同
５５−８５４９５号公報、同５７−１１３５０号公報、
同５７−１４８７４９号公報などに記載されているも
の）、スチルベン誘導体（特開昭６１−２１０３６３号
公報、同６１−２２８４５１号公報、同６１−１４６４
２号公報、同６１−７２２５５号公報、同６２−４７６
４６号公報、同６２−３６６７４号公報、同６２−１０
６５２号公報、同６２−３０２５５号公報、同６０−９
３４４５号公報、同６０−９４４６２号公報、同６０−
１７４７４９号公報、同６０−１７５０５２号公報に記
載のもの）などを挙げることができる。
ール誘導体（米国特許第３，１１２，１９７号明細書な
どに記載のもの）、オキサジアゾール誘導体（米国特許
第３，１８９，４４７号明細書などに記載のもの）、イ
ミダゾール誘導体（特公昭３７−１６０９６号公報など
に記載のもの）、ポリアリールアルカン誘導体（米国特
許第３，６１５，４０２号明細書、同３，８２０，９８
９号明細書、同３，５４２，５４４号明細書、特公昭４
５−５５５号公報、同５１−１０９８３号公報、特開昭
５１−９３２２４号公報、同５５−１７１０５号公報、
同５６−４１４８号公報、同５５−１０８６６７号公
報、同５５−１５６９５３号公報、同５６−３６６５６
号公報などに記載のもの）、ピラゾリン誘導体及びピラ
ゾロン誘導体（米国特許第３，１８０，７２９号明細
書、同４，２７８，７４６号明細書、特開昭５５−８８
０６４号公報、同５５−８８０６５号公報、同４９−１
０５５３７号公報、同５５−５１０８６号公報、同５６
−８００５１号公報、同５６−８８１４１号公報、同５
７−４５５４５号公報、同５４−１１２６３７号公報、
同５５−７４５４６号公報などに記載のもの）、フェニ
レンジアミン誘導体（米国特許第３，６１５，４０４号
明細書、特公昭５１−１０１０５号公報、同４６−３７
１２号公報、同４７−２５３３６号公報、特開昭５４−
５３４３５号公報、同５４−１１０５３６号公報、同５
４−１１９９２５号公報などに記載のもの）、アリール
アミン誘導体（米国特許第３，５６７，４５０号明細
書、同３，１８０，７０３号明細書、同３，２４０，５
９７号明細書、同３，６５８，５２０号明細書、同４，
２３２，１０３号明細書、同４，１７５，９６１号明細
書、同４，０１２，３７６号明細書、特公昭４９−３５
７０２号公報、同３９−２７５７７号公報、特開昭５５
−１４４２５０号公報、同５６−１１９１３２号公報同
５６−２２４３７号公報、西独特許第１，１１０，５１
８号明細書などに記載のもの）、アミノ置換カルコン誘
導体（米国特許第３，５２６，５０１号明細書などに記
載のもの）、オキサゾール誘導体（米国特許第３，２５
７，２０３号明細書などに記載のもの）、スチリルアン
トラセン誘導体（特開昭５６−４６２３４号公報などに
記載のもの）、フルオレノン誘導体（特開昭５４−１１
０８３７号公報などに記載のもの）、ヒドラゾン誘導体
（米国特許第３，７１７，４６２号明細書、特開昭５４
−５９１４３号公報、同５５−５２０６３号公報、同５
５−５２０６４号公報、同５５−４６７６０号公報、同
５５−８５４９５号公報、同５７−１１３５０号公報、
同５７−１４８７４９号公報などに記載されているも
の）、スチルベン誘導体（特開昭６１−２１０３６３号
公報、同６１−２２８４５１号公報、同６１−１４６４
２号公報、同６１−７２２５５号公報、同６２−４７６
４６号公報、同６２−３６６７４号公報、同６２−１０
６５２号公報、同６２−３０２５５号公報、同６０−９
３４４５号公報、同６０−９４４６２号公報、同６０−
１７４７４９号公報、同６０−１７５０５２号公報に記
載のもの）などを挙げることができる。
【００１４】これらの化合物を正孔伝達化合物として使
用することができるが、次に示すポリフィリン化合物
（特開昭６３−２９５６９５号公報などに記載のもの）
及び芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合
物（米国特許第４，１２７，４１２号明細書、特開昭５
３−２７０３３号公報、同５４−５８４４５号公報、同
５４−１４９６３４号公報、同５４−６４２９９号公
報、同５５−７９４５０号公報、同５５−１４４２５０
号公報、同５６−１１９１３２号公報、同６１−２９５
５５８号公報、同６１−９８３５３号公報、同６３−２
９５６９５号公報などに記載のもの）、特に該芳香族第
三級アミン化合物を用いることが好ましい。
用することができるが、次に示すポリフィリン化合物
（特開昭６３−２９５６９５号公報などに記載のもの）
及び芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合
物（米国特許第４，１２７，４１２号明細書、特開昭５
３−２７０３３号公報、同５４−５８４４５号公報、同
５４−１４９６３４号公報、同５４−６４２９９号公
報、同５５−７９４５０号公報、同５５−１４４２５０
号公報、同５６−１１９１３２号公報、同６１−２９５
５５８号公報、同６１−９８３５３号公報、同６３−２
９５６９５号公報などに記載のもの）、特に該芳香族第
三級アミン化合物を用いることが好ましい。
【００１５】該ポリフィリン化合物の代表例としては、
ポリフィリン；５，１０，１５，２０−テトラフェニル
−２１Ｈ，２３Ｈ−ポリフィリン銅（II）；５，１０，
１５，２０−テトラフェニル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポリフ
ィリン亜鉛（II）；５，１０，１５，２０−テトラキス
（ペンタフルオロフェニル）−２１Ｈ，２３Ｈ−ポリフ
ィリン；シリコンフタロシアニンオキシド；アルミニウ
ムフタロシアニンクロリド；フタロシアニン（無金
属）；ジリチウムフタロシアニン；銅テトラメチルフタ
ロシアニン；銅フタロシアニン；クロムフタロシアニ
ン；亜鉛フタロシアニン；鉛フタロシアニン；チタニウ
ムフタロシアニンオキシド；マグネシウムフタロシアニ
ン；銅オクタメチルフタロシアニン；などが挙げられ
る。
ポリフィリン；５，１０，１５，２０−テトラフェニル
−２１Ｈ，２３Ｈ−ポリフィリン銅（II）；５，１０，
１５，２０−テトラフェニル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポリフ
ィリン亜鉛（II）；５，１０，１５，２０−テトラキス
（ペンタフルオロフェニル）−２１Ｈ，２３Ｈ−ポリフ
ィリン；シリコンフタロシアニンオキシド；アルミニウ
ムフタロシアニンクロリド；フタロシアニン（無金
属）；ジリチウムフタロシアニン；銅テトラメチルフタ
ロシアニン；銅フタロシアニン；クロムフタロシアニ
ン；亜鉛フタロシアニン；鉛フタロシアニン；チタニウ
ムフタロシアニンオキシド；マグネシウムフタロシアニ
ン；銅オクタメチルフタロシアニン；などが挙げられ
る。
【００１６】また該芳香族第三級アミン化合物及びスチ
リルアミン化合物の代表例としては、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，
Ｎ’−テトラフェニル−４，４’−ジアミノビフェニ
ル；Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（３−メチル
フェニル）−４，４’−ジアミノビフェニル（ＴＰ
Ｄ）；２，２−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニ
ル）プロパン；１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミ
ノフェニル）シクロヘキサン；Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テ
トラ−ｐ−トリル−４，４’−ジアミノビフェニル；
１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）−
４−フェニルシクロヘキサン；ビス（４−ジメチルアミ
ノ−２−メチルフェニル）フェニルメタン；Ｎ，Ｎ’−
ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（４−メチキシフェニル）−
４，４’−ジアミノビフェニル；Ｎ，Ｎ’−テトラフェ
ニル−４，４’−ジアミノビフェニルエーテル；４，
４’−ビス（ジフェニルアミノ）クオードリフェニル；
Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリ（ｐ−トリル）アミン；４−（ジ−ｐ
−トリルアミン）−４’−［４（ジ−ｐ−トリルアミ
ン）スチリル］スチルベン；４−Ｎ，Ｎ−ジフェニルア
ミノ−（２−ジフェニルビニル）ベンゼン；３−メトキ
シ−４’−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノスチルベン；Ｎ−
フェニルカルバゾールなどが挙げられる。
リルアミン化合物の代表例としては、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，
Ｎ’−テトラフェニル−４，４’−ジアミノビフェニ
ル；Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（３−メチル
フェニル）−４，４’−ジアミノビフェニル（ＴＰ
Ｄ）；２，２−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニ
ル）プロパン；１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミ
ノフェニル）シクロヘキサン；Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テ
トラ−ｐ−トリル−４，４’−ジアミノビフェニル；
１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）−
４−フェニルシクロヘキサン；ビス（４−ジメチルアミ
ノ−２−メチルフェニル）フェニルメタン；Ｎ，Ｎ’−
ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（４−メチキシフェニル）−
４，４’−ジアミノビフェニル；Ｎ，Ｎ’−テトラフェ
ニル−４，４’−ジアミノビフェニルエーテル；４，
４’−ビス（ジフェニルアミノ）クオードリフェニル；
Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリ（ｐ−トリル）アミン；４−（ジ−ｐ
−トリルアミン）−４’−［４（ジ−ｐ−トリルアミ
ン）スチリル］スチルベン；４−Ｎ，Ｎ−ジフェニルア
ミノ−（２−ジフェニルビニル）ベンゼン；３−メトキ
シ−４’−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノスチルベン；Ｎ−
フェニルカルバゾールなどが挙げられる。
【００１７】上記ＥＬ素子における該正孔注入層は、こ
れらの正孔伝達化合物一種叉は二種以上からなる一層で
構成されてもよいし、あるいは、前記層とは別種の化合
物からなる正孔注入層を積層したものであってもよい。
れらの正孔伝達化合物一種叉は二種以上からなる一層で
構成されてもよいし、あるいは、前記層とは別種の化合
物からなる正孔注入層を積層したものであってもよい。
【００１８】次に、本発明の化合物を用いたＥＬ素子を
作製する好適な方法の例を各構成の素子それぞれについ
て説明する。前記の陽極／発光層／陰極からなるＥＬ素
子の作製法について説明すると、まず適当な基板上に、
所望の電極物質、例えば陽極用物質からなる薄膜を、１
μｍ以下、好ましくは１０〜２００ｎｍの範囲の膜厚に
なるように、蒸着やスパッタリングなどの方法により形
成させ、陽極を作製したのち、この上に発光材料である
一般式（Ｉ）で表される化合物の薄膜を形成させ、発光
層を設ける。該発光材料の薄膜化の方法としては、例え
ば、スピンコート法、キャスト法、蒸着法などがある
が、均質な膜が得られやすく、かつピンホールが生成し
にくいなどの点から、蒸着法が好ましい。
作製する好適な方法の例を各構成の素子それぞれについ
て説明する。前記の陽極／発光層／陰極からなるＥＬ素
子の作製法について説明すると、まず適当な基板上に、
所望の電極物質、例えば陽極用物質からなる薄膜を、１
μｍ以下、好ましくは１０〜２００ｎｍの範囲の膜厚に
なるように、蒸着やスパッタリングなどの方法により形
成させ、陽極を作製したのち、この上に発光材料である
一般式（Ｉ）で表される化合物の薄膜を形成させ、発光
層を設ける。該発光材料の薄膜化の方法としては、例え
ば、スピンコート法、キャスト法、蒸着法などがある
が、均質な膜が得られやすく、かつピンホールが生成し
にくいなどの点から、蒸着法が好ましい。
【００１９】該発光材料の薄膜化に、この蒸着法を採用
する場合、その蒸着条件は、使用する発光層に用いる有
機化合物の種類、分子累積膜の目的とする結晶構造、会
合構造などにより異なるが、一般にボート加熱温度５０
〜４００℃、真空度１０-5〜１０-3Ｐａ、蒸着速度０．
０１〜５０ｎｍ／ｓｅｃ、基板温度−５０〜＋３００
℃、膜厚５ｎｍないし５μｍの範囲で適宜選ぶ事が望ま
しい。次にこの発光層の形成後、その上に陰極用物質か
らなる薄膜を、１μｍ以下、例えば蒸着やスパッタリン
グ等の方法により形成させ、陰極を設けることにより、
所望のＥＬ素子が得られる。なお、このＥＬ素子の作製
ににおいては、作製順序を逆にして、陰極、発光層、陽
極の順に作製することも可能である。
する場合、その蒸着条件は、使用する発光層に用いる有
機化合物の種類、分子累積膜の目的とする結晶構造、会
合構造などにより異なるが、一般にボート加熱温度５０
〜４００℃、真空度１０-5〜１０-3Ｐａ、蒸着速度０．
０１〜５０ｎｍ／ｓｅｃ、基板温度−５０〜＋３００
℃、膜厚５ｎｍないし５μｍの範囲で適宜選ぶ事が望ま
しい。次にこの発光層の形成後、その上に陰極用物質か
らなる薄膜を、１μｍ以下、例えば蒸着やスパッタリン
グ等の方法により形成させ、陰極を設けることにより、
所望のＥＬ素子が得られる。なお、このＥＬ素子の作製
ににおいては、作製順序を逆にして、陰極、発光層、陽
極の順に作製することも可能である。
【００２０】次に、陽極／正孔注入層／発光層／陰極か
らなるＥＬ素子の作製法について説明すると、まず、陽
極を前記のＥＬ素子の場合と同様にして形成した後、そ
の上に、正孔伝達化合物からなる薄膜を蒸着法などによ
り形成し、正孔注入層を設ける。この際の蒸着条件は、
前記発光材料の薄膜形成の蒸着条件に準じれば良い。次
に、この正孔注入層の上に、順次発光層及び陰極を、前
記ＥＬ素子の作製の場合と同様にして設けることによ
り、所望のＥＬ素子が得られる。なお、このＥＬ素子の
作製においても、作製順序を逆にして、陰極、発光層、
正孔注入層、陽極の順に作製することも可能である。ま
た、陽極／発光層／電子注入層／陰極からなるＥＬ素子
の作製法について説明すると、まず、陽極を前記のＥＬ
素子の場合と同様にして形成した後、その上に、前記の
蒸着条件に準じ発光材料からなる薄膜を形成し、発光層
を設ける。次に、この発光層の上に、電子伝達化合物か
らなる薄膜を蒸着法等により形成し、電子注入層を設
け、ついでこの上に、陰極を前記ＥＬ素子の作製の場合
と同様にして設けることにより、所望のＥＬ素子が得ら
れる。なお、このＥＬ素子の作製においても、作製順序
を逆にして、陰極、電子注入層、発光層、陽極の順に作
製することも可能である。さらに、陽極／正孔注入層／
発光層／電子注入層／陰極からなるＥＬ素子の作製法に
ついて説明すると、前記のＥＬ素子の場合と同様にし
て、陽極、正孔注入層、発光層、電子注入層、陰極を順
次設けることにより所望のＥＬ素子が得られる。なお、
このＥＬ素子の作製においても、作製順序を逆にして、
陰極、発光層、正孔注入層、陽極の順に作製することも
可能である。
らなるＥＬ素子の作製法について説明すると、まず、陽
極を前記のＥＬ素子の場合と同様にして形成した後、そ
の上に、正孔伝達化合物からなる薄膜を蒸着法などによ
り形成し、正孔注入層を設ける。この際の蒸着条件は、
前記発光材料の薄膜形成の蒸着条件に準じれば良い。次
に、この正孔注入層の上に、順次発光層及び陰極を、前
記ＥＬ素子の作製の場合と同様にして設けることによ
り、所望のＥＬ素子が得られる。なお、このＥＬ素子の
作製においても、作製順序を逆にして、陰極、発光層、
正孔注入層、陽極の順に作製することも可能である。ま
た、陽極／発光層／電子注入層／陰極からなるＥＬ素子
の作製法について説明すると、まず、陽極を前記のＥＬ
素子の場合と同様にして形成した後、その上に、前記の
蒸着条件に準じ発光材料からなる薄膜を形成し、発光層
を設ける。次に、この発光層の上に、電子伝達化合物か
らなる薄膜を蒸着法等により形成し、電子注入層を設
け、ついでこの上に、陰極を前記ＥＬ素子の作製の場合
と同様にして設けることにより、所望のＥＬ素子が得ら
れる。なお、このＥＬ素子の作製においても、作製順序
を逆にして、陰極、電子注入層、発光層、陽極の順に作
製することも可能である。さらに、陽極／正孔注入層／
発光層／電子注入層／陰極からなるＥＬ素子の作製法に
ついて説明すると、前記のＥＬ素子の場合と同様にし
て、陽極、正孔注入層、発光層、電子注入層、陰極を順
次設けることにより所望のＥＬ素子が得られる。なお、
このＥＬ素子の作製においても、作製順序を逆にして、
陰極、発光層、正孔注入層、陽極の順に作製することも
可能である。
【００２１】このようにして得られたＥＬ素子に、直流
電圧を印加する場合には、陽極を＋、陰極を−の極性と
して電圧５〜４０Ｖ程度を印加すると、発光が透明叉は
半透明の電極側より観測できる。また、逆の極性で電圧
を印加しても電流は流れずに発光は全く生じない。さら
に、交流電圧を印加する場合には、陽極が＋、陰極が−
の状態になったときのみ発光する。なお印加する交流の
波形は任意でよい。
電圧を印加する場合には、陽極を＋、陰極を−の極性と
して電圧５〜４０Ｖ程度を印加すると、発光が透明叉は
半透明の電極側より観測できる。また、逆の極性で電圧
を印加しても電流は流れずに発光は全く生じない。さら
に、交流電圧を印加する場合には、陽極が＋、陰極が−
の状態になったときのみ発光する。なお印加する交流の
波形は任意でよい。
【００２２】次に、該ＥＬ素子の発光メカニズムについ
て、陽極／正孔注入輸送層／発光層／陰極の構成の場合
を例に上げて説明する。前記陽極を＋、陰極を−の極性
として電圧を印加すると、該陽極より正孔注入層内に電
界により注入される。この注入された正孔は、該正孔注
入輸送層内を発光層との界面に向けて輸送され、この界
面から発光機能が発現される領域（例えば発光層）に注
入叉は輸送される。一方、電子は、陰極から発光層内に
電界により注入され、さらに輸送され、正孔のいる領
域、すなわち、発光機能が発現される領域で正孔と再結
合する（この意味で、前記領域は再結合領域といっても
よい）。この再結合が行われると、分子、その会合体ま
たは結晶などの励起状態が形成され、これが光に変換さ
れる。なお、再結合領域は、正孔注入輸送層と発光層と
の界面でもよいし、発光層と陰極との界面でもよく、あ
るいは両界面より離れた発光層中央部であってもよい。
これは使用する化合物の種類、その会合や結晶構造によ
り変わる。
て、陽極／正孔注入輸送層／発光層／陰極の構成の場合
を例に上げて説明する。前記陽極を＋、陰極を−の極性
として電圧を印加すると、該陽極より正孔注入層内に電
界により注入される。この注入された正孔は、該正孔注
入輸送層内を発光層との界面に向けて輸送され、この界
面から発光機能が発現される領域（例えば発光層）に注
入叉は輸送される。一方、電子は、陰極から発光層内に
電界により注入され、さらに輸送され、正孔のいる領
域、すなわち、発光機能が発現される領域で正孔と再結
合する（この意味で、前記領域は再結合領域といっても
よい）。この再結合が行われると、分子、その会合体ま
たは結晶などの励起状態が形成され、これが光に変換さ
れる。なお、再結合領域は、正孔注入輸送層と発光層と
の界面でもよいし、発光層と陰極との界面でもよく、あ
るいは両界面より離れた発光層中央部であってもよい。
これは使用する化合物の種類、その会合や結晶構造によ
り変わる。
【００２３】
【実施例】次に本発明を実施例及び応用例に基づいて更
に詳しく説明する。 実施例１ Ｎ，Ｎ’−ジ（９−アンスリルエチル）−Ｎ，Ｎ’−ジ
フェニルベンジジンの合成 ９−アンスリル酢酸４．７ｇ（０．０２０ｍｏｌ）を乾
燥トルエン３０ｍｌに溶解し、塩化チオニル３ｍｌ
（０．４１ｍｏｌ）を加え、７０℃で２時間攪拌した。
トルエンと共に過剰の塩化チオニルを減圧留去した後再
びトルエン３０ｍｌに溶解し、この溶液とＮ，Ｎ’−ジ
フェニルベンジジン１．７ｇ（０．００５ｍｏｌ）をト
ルエン３０ｍｌに溶解し、カリウムｔ−ブトキシド１．
３ｇ（０．０１２ｍｏｌ）を加えた溶液中に滴下した。
反応液を２時間還流した後、放冷し、沈澱をろ去した。
ろ液をエバポレートした後トルエンで再結晶し、黄色結
晶２．６ｇを得た。得られた化合物２．３ｇ（０．００
３ｍｏｌ）をテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）５０ｍｌに
懸濁させ、氷冷下１Ｍボラン−ＴＨＦ溶液１０ｍｌ
（０．０１０ｍｏｌ）を滴下した。氷冷下１時間攪拌し
た後１時間還流した。放冷後、６規定塩酸５ｍｌを滴下
してボランを分解し、そのあとＴＨＦを留去した。残さ
に水酸化ナトリウムを加え、強アルカリ性にした後トル
エンを加えて抽出した。トルエン層を水洗した後、硫酸
マグネシウムで脱水し、エバポレーターで濃縮し、トル
エンで再結晶して黄色結晶１．１ｇ（収率３０％）を得
た。この化合物のクロロホルム中での蛍光極大は５３８
ｎｍであった。また、 1Ｈ−ＮＭＲのケミカルシフトは
以下の通りである。1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ） δ＝８．３７ｐｐｍ（１
Ｈ，ｓ）、８．１４ｐｐｍ（２Ｈ，ｄｓ）、８．０９ｐ
ｐｍ（２Ｈ，ｄ）、６．９〜７．６（１４Ｈ，ｍ）、
４．１４（２Ｈ，ｍ）、３．９９（２Ｈ，ｍ）
に詳しく説明する。 実施例１ Ｎ，Ｎ’−ジ（９−アンスリルエチル）−Ｎ，Ｎ’−ジ
フェニルベンジジンの合成 ９−アンスリル酢酸４．７ｇ（０．０２０ｍｏｌ）を乾
燥トルエン３０ｍｌに溶解し、塩化チオニル３ｍｌ
（０．４１ｍｏｌ）を加え、７０℃で２時間攪拌した。
トルエンと共に過剰の塩化チオニルを減圧留去した後再
びトルエン３０ｍｌに溶解し、この溶液とＮ，Ｎ’−ジ
フェニルベンジジン１．７ｇ（０．００５ｍｏｌ）をト
ルエン３０ｍｌに溶解し、カリウムｔ−ブトキシド１．
３ｇ（０．０１２ｍｏｌ）を加えた溶液中に滴下した。
反応液を２時間還流した後、放冷し、沈澱をろ去した。
ろ液をエバポレートした後トルエンで再結晶し、黄色結
晶２．６ｇを得た。得られた化合物２．３ｇ（０．００
３ｍｏｌ）をテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）５０ｍｌに
懸濁させ、氷冷下１Ｍボラン−ＴＨＦ溶液１０ｍｌ
（０．０１０ｍｏｌ）を滴下した。氷冷下１時間攪拌し
た後１時間還流した。放冷後、６規定塩酸５ｍｌを滴下
してボランを分解し、そのあとＴＨＦを留去した。残さ
に水酸化ナトリウムを加え、強アルカリ性にした後トル
エンを加えて抽出した。トルエン層を水洗した後、硫酸
マグネシウムで脱水し、エバポレーターで濃縮し、トル
エンで再結晶して黄色結晶１．１ｇ（収率３０％）を得
た。この化合物のクロロホルム中での蛍光極大は５３８
ｎｍであった。また、 1Ｈ−ＮＭＲのケミカルシフトは
以下の通りである。1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ） δ＝８．３７ｐｐｍ（１
Ｈ，ｓ）、８．１４ｐｐｍ（２Ｈ，ｄｓ）、８．０９ｐ
ｐｍ（２Ｈ，ｄ）、６．９〜７．６（１４Ｈ，ｍ）、
４．１４（２Ｈ，ｍ）、３．９９（２Ｈ，ｍ）
【００２４】実施例２ Ｎ，Ｎ’−ジ（９−アンスリルエチル）−Ｎ，Ｎ’−ジ
（３−メチルフェニル）ベンジジンの合成 実施例１で用いたＮ，Ｎ’−ジフェニルベンジジンを
Ｎ，Ｎ’−ジ（３−メチルフェニル）ベンジジンに代え
て、実施例１に準じる方法で合成した。
（３−メチルフェニル）ベンジジンの合成 実施例１で用いたＮ，Ｎ’−ジフェニルベンジジンを
Ｎ，Ｎ’−ジ（３−メチルフェニル）ベンジジンに代え
て、実施例１に準じる方法で合成した。
【００２５】実施例３ Ｎ，Ｎ’−ジ（９−アンスリルエチル）−Ｎ，Ｎ’−ジ
フェニル−２，２’−ジメチルベンジジンの合成 実施例１で用いたＮ，Ｎ’−ジフェニルベンジジンを
Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−２，２’−メチルベンジジンに
代えて、実施例１に準じる方法で合成した。
フェニル−２，２’−ジメチルベンジジンの合成 実施例１で用いたＮ，Ｎ’−ジフェニルベンジジンを
Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−２，２’−メチルベンジジンに
代えて、実施例１に準じる方法で合成した。
【００２６】実施例４ Ｎ，Ｎ’−ジ（１−ピレニルエチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフ
ェニルベンジジンの合成 実施例１で用いた９−アンスリル酢酸を１−ピレニル酢
酸に代えて、実施例１に準じる方法で合成した。
ェニルベンジジンの合成 実施例１で用いた９−アンスリル酢酸を１−ピレニル酢
酸に代えて、実施例１に準じる方法で合成した。
【００２７】実施例５ Ｎ，Ｎ’−ジ［３−（９−アンスリル）プロピル］−
Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジンの合成 実施例１で用いた９−アンスリル酢酸を９−アンスリル
プロピオン酸に代えて、実施例１に準じる方法で合成し
た。
Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジンの合成 実施例１で用いた９−アンスリル酢酸を９−アンスリル
プロピオン酸に代えて、実施例１に準じる方法で合成し
た。
【００２８】応用例１（２層積層型ＥＬ素子） ２５ｍｍ×７５ｍｍ×１．１ｍｍのガラス基板上にＩＴ
Ｏを蒸着法にて５０ｎｍの厚さで製膜したもの（東京三
容真空（株）製）を透明支持基板とした。この透明支持
基板を市販の蒸着装置（真空機工（株）製）の基板ホル
ダーに固定し、石英製のるつぼに実施例１で得られた化
合物をいれて真空槽を１×１０ー4Ｐａまで減圧した。そ
の後、前記るつぼより実施例１で得られた化合物を発光
層として５０ｎｍ蒸着した。蒸着速度は０．１〜０．２
ｎｍ／秒であった。これを真空槽より取り出し、上記発
光層の上にアルミニウム製のマスクを設置し、再び基板
ホルダーに固定した。次に、グラファイト製のるつぼに
マグネシウムを入れ、また別のるつぼに銀を装着した。
その後真空槽を２×１０-4Ｐａまで減圧してから、マグ
ネシウムを１．２〜２．４ｎｍ／秒の蒸着速度で、同時
にもう一方のるつぼから銀を０．１〜０．２ｎｍ／秒の
蒸着速度で蒸着した。上記条件でマグネシウムと銀の混
合金属電極を発光層の上に２００ｎｍ積層蒸着して対向
電極とし、素子を形成した。ＩＴＯ電極を陽極、マグネ
シウムと銀の混合電極を陰極として、得られた素子に、
直流電圧を印加すると電流が流れ、色度座標でＧｒｅｅ
ｎｉｓｈ Ｙｅｌｌｏｗで表される発光を得た。
Ｏを蒸着法にて５０ｎｍの厚さで製膜したもの（東京三
容真空（株）製）を透明支持基板とした。この透明支持
基板を市販の蒸着装置（真空機工（株）製）の基板ホル
ダーに固定し、石英製のるつぼに実施例１で得られた化
合物をいれて真空槽を１×１０ー4Ｐａまで減圧した。そ
の後、前記るつぼより実施例１で得られた化合物を発光
層として５０ｎｍ蒸着した。蒸着速度は０．１〜０．２
ｎｍ／秒であった。これを真空槽より取り出し、上記発
光層の上にアルミニウム製のマスクを設置し、再び基板
ホルダーに固定した。次に、グラファイト製のるつぼに
マグネシウムを入れ、また別のるつぼに銀を装着した。
その後真空槽を２×１０-4Ｐａまで減圧してから、マグ
ネシウムを１．２〜２．４ｎｍ／秒の蒸着速度で、同時
にもう一方のるつぼから銀を０．１〜０．２ｎｍ／秒の
蒸着速度で蒸着した。上記条件でマグネシウムと銀の混
合金属電極を発光層の上に２００ｎｍ積層蒸着して対向
電極とし、素子を形成した。ＩＴＯ電極を陽極、マグネ
シウムと銀の混合電極を陰極として、得られた素子に、
直流電圧を印加すると電流が流れ、色度座標でＧｒｅｅ
ｎｉｓｈ Ｙｅｌｌｏｗで表される発光を得た。
【００２９】応用例２（３層積層型ＥＬ素子） ２５ｍｍ×７５ｍｍ×１．１ｍｍのガラス基板上にＩＴ
Ｏを蒸着法にて５０ｎｍの厚さで製膜したもの（東京三
容真空（株）製）を透明支持基板とした。この透明支持
基板を市販の蒸着装置（真空機工（株）製）の基板ホル
ダーに固定し、石英製のるつぼにＴＰＤをいれ、また別
のるつぼに実施例１で得られた化合物をいれて真空槽を
１×１０ー4Ｐａまで減圧した。その後ＴＰＤ入りの前記
るつぼを加熱し、ＴＰＤを蒸着速度０．１〜０．２ｎｍ
／秒で透明支持基板上に蒸着して、膜厚５０ｎｍの正孔
注入層を製膜させた。次いで、これを真空槽より取り出
す事なく、正孔注入層の上に、もう一つのるつぼより実
施例１で得られた化合物を発光層として５０ｎｍ蒸着し
た。蒸着速度は０．１〜０．２ｎｍ／秒であった。これ
を真空槽より取り出し、上記発光層の上にアルミニウム
製のマスクを設置し、再び基板ホルダーに固定した。次
に、グラファイト製のるつぼにマグネシウムを入れ、ま
た別のるつぼに銀を装着した。その後真空槽を２×１０
-4Ｐａまで減圧してから、マグネシウムを１．２〜２．
４ｎｍ／秒の蒸着速度で、同時にもう一方のるつぼから
銀を０．１〜０．２ｎｍ／秒の蒸着速度で蒸着した。上
記条件でマグネシウムと銀の混合金属電極を発光層の上
に２００ｎｍ積層蒸着して対向電極とし、素子を形成し
た。ＩＴＯ電極を陽極、マグネシウムと銀の混合電極を
陰極として、得られた素子に、直流電圧２８Ｖを印加す
ると電流が１００ｍＡ／ｃｍ2 程度流れ、色度座標でＧ
ｒｅｅｎｉｓｈ Ｙｅｌｌｏｗの発光を得た。
Ｏを蒸着法にて５０ｎｍの厚さで製膜したもの（東京三
容真空（株）製）を透明支持基板とした。この透明支持
基板を市販の蒸着装置（真空機工（株）製）の基板ホル
ダーに固定し、石英製のるつぼにＴＰＤをいれ、また別
のるつぼに実施例１で得られた化合物をいれて真空槽を
１×１０ー4Ｐａまで減圧した。その後ＴＰＤ入りの前記
るつぼを加熱し、ＴＰＤを蒸着速度０．１〜０．２ｎｍ
／秒で透明支持基板上に蒸着して、膜厚５０ｎｍの正孔
注入層を製膜させた。次いで、これを真空槽より取り出
す事なく、正孔注入層の上に、もう一つのるつぼより実
施例１で得られた化合物を発光層として５０ｎｍ蒸着し
た。蒸着速度は０．１〜０．２ｎｍ／秒であった。これ
を真空槽より取り出し、上記発光層の上にアルミニウム
製のマスクを設置し、再び基板ホルダーに固定した。次
に、グラファイト製のるつぼにマグネシウムを入れ、ま
た別のるつぼに銀を装着した。その後真空槽を２×１０
-4Ｐａまで減圧してから、マグネシウムを１．２〜２．
４ｎｍ／秒の蒸着速度で、同時にもう一方のるつぼから
銀を０．１〜０．２ｎｍ／秒の蒸着速度で蒸着した。上
記条件でマグネシウムと銀の混合金属電極を発光層の上
に２００ｎｍ積層蒸着して対向電極とし、素子を形成し
た。ＩＴＯ電極を陽極、マグネシウムと銀の混合電極を
陰極として、得られた素子に、直流電圧２８Ｖを印加す
ると電流が１００ｍＡ／ｃｍ2 程度流れ、色度座標でＧ
ｒｅｅｎｉｓｈ Ｙｅｌｌｏｗの発光を得た。
【００３０】応用例３ ２５ｍｍ×７５ｍｍ×１．１ｍｍのガラス基板上にＩＴ
Ｏを蒸着法にて１００ｎｍの厚さで製膜したもの（東京
三容真空（株）製）を透明支持基板とした。この透明支
持基板に、正孔注入輸送材料として、ポリ（Ｎ−ビニル
カルバゾール）０．５重量部、電子注入輸送材料とし
て、２−（４’−ターシャリー−ブチルフェニル）−５
−（４”−ビフェニル）−１，３，４−オキサジアゾー
ル０．５重量部、発光材料として実施例４の化合物を
０．０１重量部を含む１，２−ジクロロエタン溶液か
ら、１０００ｒｐｍ、１０ｓｅｃおよび６０００ｒｐ
ｍ、１５ｓｅｃの逐次２段の回転数で発光層をスピンコ
ートして薄膜化した。次いで、蒸着装置（真空機工
（株）製）の基板ホルダーに固定して真空層を１×１０
ー4Ｐａまで減圧し、石英製のるつぼに入れたトリス（８
−ヒドキシキノリノ）アルミニウムを電子注入輸送層と
して２０ｎｍ蒸着した。さらに、グラファイト製のるつ
ぼにマグネシウムを入れ、その後真空槽を２×１０-4Ｐ
ａまで減圧してから、マグネシウムを５〜５０ｎｍ／秒
の蒸着速度で、マグネシウム電極を発光層の上に２００
ｎｍ積層蒸着して対向電極とし、素子を形成した。ＩＴ
Ｏ電極を陽極、マグネシウム電極を陰極として、得られ
た素子に、直流電圧を印加すると、１００ｍＡ／ｃｍ2
の電流が流れ、Ｇｒｅｅｎの発光が見られた。
Ｏを蒸着法にて１００ｎｍの厚さで製膜したもの（東京
三容真空（株）製）を透明支持基板とした。この透明支
持基板に、正孔注入輸送材料として、ポリ（Ｎ−ビニル
カルバゾール）０．５重量部、電子注入輸送材料とし
て、２−（４’−ターシャリー−ブチルフェニル）−５
−（４”−ビフェニル）−１，３，４−オキサジアゾー
ル０．５重量部、発光材料として実施例４の化合物を
０．０１重量部を含む１，２−ジクロロエタン溶液か
ら、１０００ｒｐｍ、１０ｓｅｃおよび６０００ｒｐ
ｍ、１５ｓｅｃの逐次２段の回転数で発光層をスピンコ
ートして薄膜化した。次いで、蒸着装置（真空機工
（株）製）の基板ホルダーに固定して真空層を１×１０
ー4Ｐａまで減圧し、石英製のるつぼに入れたトリス（８
−ヒドキシキノリノ）アルミニウムを電子注入輸送層と
して２０ｎｍ蒸着した。さらに、グラファイト製のるつ
ぼにマグネシウムを入れ、その後真空槽を２×１０-4Ｐ
ａまで減圧してから、マグネシウムを５〜５０ｎｍ／秒
の蒸着速度で、マグネシウム電極を発光層の上に２００
ｎｍ積層蒸着して対向電極とし、素子を形成した。ＩＴ
Ｏ電極を陽極、マグネシウム電極を陰極として、得られ
た素子に、直流電圧を印加すると、１００ｍＡ／ｃｍ2
の電流が流れ、Ｇｒｅｅｎの発光が見られた。
【００３１】応用例４ 応用例３の発光材料を、実施例４で得られた化合物から
実施例５で得られた化合物に代えて、応用例３に準じる
方法で素子を作成した。得られた素子に、ＩＴＯ電極を
陽極、マグネシウム電極を陰極として、直流電圧を印加
すると、１１０ｍＡ／ｃｍ2 の電流が流れ、色度座標で
Ｂｌｕｅｉｓｈ Ｇｒｅｅｎの発光が見られた。
実施例５で得られた化合物に代えて、応用例３に準じる
方法で素子を作成した。得られた素子に、ＩＴＯ電極を
陽極、マグネシウム電極を陰極として、直流電圧を印加
すると、１１０ｍＡ／ｃｍ2 の電流が流れ、色度座標で
Ｂｌｕｅｉｓｈ Ｇｒｅｅｎの発光が見られた。
Claims (3)
- 【請求項１】 一般式 【化１】 （式中Ｘは無置換またはハロゲン、アミノ基、シアノ
基、アルコキシカルボニル基、アルキル基、アルコキシ
基、アリル基、アラルキル基で置換されたアントラセニ
ル基、フェナントレニル基、ピレニル基、ペリレニル基
であり、ｎは１〜１０、さらにＲ1 〜Ｒ9 は水素、フッ
素、塩素、臭素、アミノ基、シアノ基、アルコキシカル
ボニル基、アルキル基、アルコキシ基、アリル基、アラ
ルキル基を示す）で表されるジフェニルアミン誘導体。 - 【請求項２】 上記請求項第１項記載の化合物を発光材
料とする電界発光素子。 - 【請求項３】 上記請求項第１項記載の化合物を正孔注
入輸送材料とする電界発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03415094A JP3579746B2 (ja) | 1994-02-07 | 1994-02-07 | ジフェニルアミン誘導体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03415094A JP3579746B2 (ja) | 1994-02-07 | 1994-02-07 | ジフェニルアミン誘導体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07224012A true JPH07224012A (ja) | 1995-08-22 |
| JP3579746B2 JP3579746B2 (ja) | 2004-10-20 |
Family
ID=12406178
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03415094A Expired - Lifetime JP3579746B2 (ja) | 1994-02-07 | 1994-02-07 | ジフェニルアミン誘導体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3579746B2 (ja) |
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| US6396209B1 (en) | 1998-12-16 | 2002-05-28 | International Manufacturing And Engineering Services Co., Ltd. | Organic electroluminescent device |
| US6423429B2 (en) | 1998-03-02 | 2002-07-23 | Junji Kido | Organic electroluminescent devices |
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| EP1978574A2 (en) | 2007-04-05 | 2008-10-08 | Yamagata Promotional Organization for Industrial Technology | Organic electroluminescent device |
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-
1994
- 1994-02-07 JP JP03415094A patent/JP3579746B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| JP2016502734A (ja) * | 2012-11-06 | 2016-01-28 | オーティーアイ ルミオニクス インコーポレーテッドＯｔｉ Ｌｕｍｉｏｎｉｃｓ Ｉｎｃ． | 導電性コーティングを表面に堆積する方法 |
| US10439081B2 (en) | 2012-11-06 | 2019-10-08 | Oti Lumionics Inc. | Method for depositing a conductive coating on a surface |
| US11145771B2 (en) | 2012-11-06 | 2021-10-12 | Oti Lumionics Inc. | Method for depositing a conductive coating on a surface |
| US11532763B2 (en) | 2012-11-06 | 2022-12-20 | Oti Lumionics Inc. | Method for depositing a conductive coating on a surface |
| US11764320B2 (en) | 2012-11-06 | 2023-09-19 | Oti Lumionics Inc. | Method for depositing a conductive coating on a surface |
| US10355246B2 (en) | 2015-12-16 | 2019-07-16 | Oti Lumionics Inc. | Barrier coating for opto-electronics devices |
| US11152587B2 (en) | 2016-08-15 | 2021-10-19 | Oti Lumionics Inc. | Light transmissive electrode for light emitting devices |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3579746B2 (ja) | 2004-10-20 |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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| S531 | Written request for registration of change of domicile |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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| R350 | Written notification of registration of transfer |
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