JP2021504356A - 電子デバイス用材料 - Google Patents
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Abstract
Description
Z1は、それぞれの場合において同じであるかまたは異なり、CR1およびNから選択され、ここで、Z1は、Ar1またはT基がそれに結合している場合はCであり;
Ar1は、それぞれの場合において同じであるかまたは異なり、6〜30個の芳香族環原子を有し、1つ以上のR2ラジカルにより置換されていてもよい芳香族環系であり;
Ar2は、式(A)または(B)
Z2は、それぞれの場合において同じであるかまたは異なり、CR3またはNであり、ここで、Z2は、L1基がそれに結合している場合はCであり;
L1は、単結合、または6〜30個の芳香族環原子を有し、1つ以上のR3ラジカルにより置換されていてもよい芳香族環系、または5〜30個の芳香族環原子を有し、1つ以上のR3ラジカルにより置換されていてもよいヘテロ芳香族環系であり;
Ar3は、式(A)、式(B)に対応するか、または6〜30個の芳香族環原子を有し、1つ以上のR4ラジカルにより置換されていてもよい芳香族環系、または5〜30個の芳香族環原子を有し、1つ以上のR4ラジカルにより置換されていてもよいヘテロ芳香族環系であり;
Tは、C(R1)2、Si(R1)2、NR1、OおよびSから選択され;
R1、R2、R3、R4は、それぞれの場合において同じであるかまたは異なり、H、D、F、C(=O)R5、CN、Si(R5)3、N(R5)2、P(=O)(R5)2、OR5、S(=O)R5、S(=O)2R5、1〜20個の炭素原子を有する直鎖アルキルまたはアルコキシ基、3〜20個の炭素原子を有する分枝または環状アルキルまたはアルコキシ基、2〜20個の炭素原子を有するアルケニルまたはアルキニル基、6〜40個の芳香族環原子を有する芳香族環系、および5〜40個の芳香族環原子を有するヘテロ芳香族環系から選択され;ここで、2つ以上のR1またはR2またはR3またはR4ラジカルは、互いに結合していても、環を形成していてもよく;言及したアルキル、アルコキシ、アルケニルおよびアルキニル基、ならびに言及した芳香族環系およびヘテロ芳香族環系は、それぞれ1つ以上のR5ラジカルにより置換されていてもよく;言及したアルキル、アルコキシ、アルケニルおよびアルキニル基中の1つ以上のCH2基は、−R5C=CR5−、−C≡C−、Si(R5)2、C=O、C=NR5、−C(=O)O−、−C(=O)NR5−、NR5、P(=O)(R5)、−O−、−S−、SOまたはSO2により置きかえられていてもよく;
R5は、それぞれの場合において同じであるかまたは異なり、H、D、F、C(=O)R6、CN、Si(R6)3、N(R6)2、P(=O)(R6)2、OR6、S(=O)R6、S(=O)2R6、1〜20個の炭素原子を有する直鎖アルキルまたはアルコキシ基、3〜20個の炭素原子を有する分枝または環状アルキルまたはアルコキシ基、2〜20個の炭素原子を有するアルケニルまたはアルキニル基、6〜40個の芳香族環原子を有する芳香族環系、および5〜40個の芳香族環原子を有するヘテロ芳香族環系から選択され;ここで、2つ以上のR5ラジカルは、互いに結合していても、環を形成していてもよく;言及したアルキル、アルコキシ、アルケニルおよびアルキニル基、ならびに言及した芳香族環系およびヘテロ芳香族環系は、それぞれ1つ以上のR6ラジカルにより置換されていてもよく;言及したアルキル、アルコキシ、アルケニルおよびアルキニル基中の1つ以上のCH2基は、−R6C=CR6−、−C≡C−、Si(R6)2、C=O、C=NR6、C(=O)O−、−C(=O)NR6−、NR6、P(=O)(R6)、−O−、−S−、SOまたはSO2により置きかえられていてもよく;
R6は、それぞれの場合において同じであるかまたは異なり、H、D、F、CN、1〜20個の炭素原子を有するアルキルまたはアルコキシ基、2〜20個の炭素原子を有するアルケニルまたはアルキニル基、6〜40個の芳香族環原子を有する芳香族環系および5〜40個の芳香族環原子を有するヘテロ芳香族環系から選択され;ここで、2つ以上のR6ラジカルは、互いに結合していても、環を形成していてもよく;言及したアルキル、アルコキシ、アルケニルおよびアルキニル基、芳香族環系およびヘテロ芳香族環系は、FまたはCNにより置換されていてもよく;
mは、0または1であり;
iは、0、1、2、3、4または5であり;
kは、0、1、2、3または4であり;
ここで、kとiの合計は、少なくとも1であり;
Ar1基は、それらが結合している6員環にそれぞれ2価のY基を介して連結されていてもよく、
Yは、それぞれの場合において同じであるかまたは異なり、C(R1)2、Si(R1)2、NR1、OおよびSから選択される)
の化合物を提供する。
である。
である。
H、D、F、CN、Si(R6)3、N(R6)2、1〜20個の炭素原子を有する直鎖アルキル基、3〜20個の炭素原子を有する分枝または環状アルキル基、6〜40個の芳香族環原子を有する芳香族環系および5〜40個の芳香族環原子を有するヘテロ芳香族環系から選択され;ここで、言及したアルキル基、言及した芳香族環系および言及したヘテロ芳香族環系は、それぞれ1つ以上のR6ラジカルにより置換されていてもよく;言及したアルキル基中の1つ以上のCH2基は、−C≡C−、−R6C=CR6−、Si(R6)2、C=O、C=NR6、NR6−、−O−、−S−、−C(=O)O−または−C(=O)NR6−により置きかえられていてもよい。より好ましくは、R5はHである。
は、下記の構造から選択される
iは、0または1であり、
kは、0または1であり、
ここで、kとiの合計は、1または2、好ましくは1であり、
ベンゼン環上のフリーの位置は、それぞれR1ラジカルにより置換されていてもよく、
Ar1〜Ar3基は、上記のように定義され、好ましくは、先に示した通りのそれらの好ましい態様に対応し、
Ar1は、好ましくは、それぞれの場合において同じであるかまたは異なり、フェニルおよびナフチルから選択され、これらのそれぞれは、1つ以上のR2ラジカルにより置換されていてもよく、2価のY基は存在しない)
に対応する。
Yは、C(R1)2、Si(R1)2、NR1、OおよびSから、好ましくは、C(R1)2、NR1、OおよびSから選択され;
ベンゼン環上のフリーの位置は、それぞれR1ラジカルにより置換されていてもよく、
出現する他の可変基は、上記のように定義され、好ましくは、先に示した通りのそれらの好ましい態様に対応する)
に対応する。
ベンゼン環上のフリーの位置は、それぞれR1ラジカルにより置換されていてもよく、
出現する他の可変基は、上記のように定義され、好ましくは、先に示した通りのそれらの好ましい態様に対応する)
に対応する。
iは、0または1であり、
kは、0または1であり、
ここで、kとiの合計は、1または2、好ましくは1であり、
ベンゼン環上のフリーの位置は、それぞれR1ラジカルにより置換されていてもよく、
Ar1およびAr3基は、上記のように定義され、好ましくは、先に示した通りのそれらの好ましい態様に対応し、
Ar1は、好ましくは、それぞれの場合において同じであるかまたは異なり、フェニルおよびナフチルから選択され、これらのそれぞれは、1つ以上のR2ラジカルにより置換されていてもよく、2価基Yは存在しない)
に対応する。
Yは、C(R1)2、Si(R1)2、NR1、OおよびSから、好ましくはC(R1)2、NR1、OおよびSから選択され;
ベンゼン環上のフリーの位置は、それぞれR1ラジカルにより置換されていてもよく、
出現する他の可変基は、上記のように定義され、好ましくは、先に示した通りのそれらの好ましい態様に対応する)
に対応する。
ベンゼン環上のフリーの位置は、それぞれR1ラジカルにより置換されていてもよく、
出現する他の可変基は、上記のように定義され、好ましくは、先に示した通りのそれらの好ましい態様に対応する)
に対応する。
に対応する。
に対応する。
A)合成例
化合物ビフェニル−4−イル(9−フェニル−9H−カルバゾール−2−イル)−[1,1’;3’,1”]テルフェニル−2−イル−アミン(1−1)および化合物(1−2)〜(1−22)の合成
14.3g(117mmol)のフェニルボロン酸、40g(111.4mmol)の2−ブロモ−3’−ヨード−ビフェニルおよび84mlの2MのK2CO3水溶液(168mmol)を400mlのトルエンに懸濁させる。この懸濁液に、1.2g(1.2mmol)のテトラキス(トリフェニル)ホスフィンパラジウム(0)を添加する。反応混合物を還流下16時間加熱する。冷却後、有機相を取り出し、シリカゲルを通してろ過し、150mlの水で3回洗浄し、次いで乾燥するまで濃縮する。粗生成物をヘプタン/酢酸エチルと共にシリカゲルを通してろ過した後、29g(85%)の2−ブロモ−[1,1’;3’,1”]−テルフェニルが得られる。
8.3gのフェニルボロン酸(68mmol)と20gのジブロモジカルボン酸エステル誘導体(68mmol)を400mlのトルエン、160mlのエタノールおよび80mlの水に懸濁させる。これに、14.4gの炭酸ナトリウムを添加する。溶液を脱気し、N2で飽和させる。その後、0.79g(0.68mmol)のPd(Ph3P)4を添加する。反応混合物を保護雰囲気下で4時間加熱する(80℃)。続いて、混合物をトルエンと水との間で分画し、有機相を水で3回洗浄し、Na2SO4上で乾燥させ、回転蒸発により濃縮する。粗生成物をヘプタン/酢酸エチルと共にシリカゲルを通してろ過した後、残った残留物をEtOHから再結晶させる。収率は、11.0g(理論値の55%)である。
10.4g(32.2mmol)の中間体II−1を焼成フラスコ中で100mlの乾燥THFに溶解させる。溶液をN2で飽和させる。澄明な溶液を−5℃に冷却し、次いで32.2ml(96.7mmol)の3M塩化メチルマグネシウム溶液を添加する。反応混合物を室温まで徐々に温め、次いで塩化アンモニウムでクエンチする。続いて、混合物を酢酸エチルと水との間で分画し、有機相を水で3回洗浄し、Na2SO4上で乾燥させ、回転蒸発により濃縮する。回転蒸発により濃縮した溶液をトルエンに溶解させ、8gのAmberlyst15を添加する。混合物を110℃に加熱し、この温度に4時間保持する。この時間の間に白色固体が沈殿する。混合物を次いで室温に冷却し、沈殿した固体を吸引ろ過し、ヘプタンで洗浄する。残留物を減圧下40℃で乾燥させる。粗生成物をヘプタン:酢酸エチル、1:1と共にシリカゲルを通してろ過した後、9.3g(理論値の90%)の生成物が得られる。
16.2gのビフェニル−4−イル(9−フェニル−9H−カルバゾール−2−イル)アミン(48.5mmol)と15gの2−ブロモ−[1,1’;3’,1”]−テルフェニル(48.5mmol)を300mlのトルエンに溶解させる。溶液を脱気し、N2で飽和させる。その後、これに1.94ml(1.94mmol)の1Mのトリ−tert−ブチルホスフィン溶液と0.89g(0.97mmol)のPd2(dba)3を添加する。続いて、7.0gのナトリウムtert−ブトキシド(72.8mmol)を添加する。反応混合物を保護雰囲気下で5時間加熱して沸騰させる。続いて、混合物をトルエンと水との間で分画し、有機相を水で3回洗浄し、Na2SO4上で乾燥させ、回転蒸発により濃縮する。粗生成物をトルエンと共にシリカゲルを通してろ過した後、残った残留物をヘプタン/トルエンから再結晶させる。22.3g(理論値の72%)の残留物を最終的に高真空下で昇華させる。
例示的OLEDを、下記の一般的方法に従い製造する:
使用した基板は、構造化されたITO(インジウムスズ酸化物)の厚さ50nmの層でコーティングされたガラスプラークである。これに下記の層構造が付与される:正孔注入層(HIL)/正孔輸送層(HTL)/電子阻止層(EBL)/発光層(EML)/電子輸送層(ETL)/電子注入層(EIL)/カソード。カソードは、厚さ100nmのアルミニウム層からなる。例示的OLEDの対応する層に使用される材料を表1に示し、これらの材料の化学構造を表3に挙げる。
緑色リン光OLEDのEBLにおける化合物の使用
OLED例C1〜I12は、表1aに示す層構造を有し、EBLは、各場合において、本発明の化合物1−1、1−2、1−3、1−4、1−6、1−7、1−10、1−14、1−15、1−16、1−17および1−18のうちの1種を含有する。
OLED例I13〜I15は、表1bに示す層構造を有し、正孔輸送層HILおよびHTLが、それぞれ本発明の化合物1−15、1−17および1−18のうちの1種を含有する。
OLED例I16およびI17は、表1cに示す層構造を有し、EBLが、各場合において本発明の化合物1−15および1−16のうちの1種を含有する。
Claims (17)
- 式(I)
Z1は、それぞれの場合において同じであるかまたは異なり、CR1およびNから選択され、ここで、Z1は、Ar1またはT基がそれに結合している場合はCであり;
Ar1は、それぞれの場合において同じであるかまたは異なり、6〜30個の芳香族環原子を有し、1つ以上のR2ラジカルにより置換されていてもよい芳香族環系であり;
Ar2は、式(A)または(B)
Z2は、それぞれの場合において同じであるかまたは異なり、CR3またはNであり、ここで、Z2は、L1基がそれに結合している場合はCであり;
L1は、単結合、または6〜30個の芳香族環原子を有し、1つ以上のR3ラジカルにより置換されていてもよい芳香族環系、または5〜30個の芳香族環原子を有し、1つ以上のR3ラジカルにより置換されていてもよいヘテロ芳香族環系であり;
Ar3は、式(A)もしくは式(B)に対応するか、または6〜30個の芳香族環原子を有し、1つ以上のR4ラジカルにより置換されていてもよい芳香族環系、または5〜30個の芳香族環原子を有し、1つ以上のR4ラジカルにより置換されていてもよいヘテロ芳香族環系であり;
Tは、C(R1)2、Si(R1)2、NR1、OおよびSから選択され;
R1、R2、R3、R4は、それぞれの場合において同じであるかまたは異なり、H、D、F、C(=O)R5、CN、Si(R5)3、N(R5)2、P(=O)(R5)2、OR5、S(=O)R5、S(=O)2R5、1〜20個の炭素原子を有する直鎖アルキルまたはアルコキシ基、3〜20個の炭素原子を有する分枝または環状アルキルまたはアルコキシ基、2〜20個の炭素原子を有するアルケニルまたはアルキニル基、6〜40個の芳香族環原子を有する芳香族環系、および5〜40個の芳香族環原子を有するヘテロ芳香族環系から選択され;ここで、2つ以上のR1またはR2またはR3またはR4ラジカルは、互いに結合していても、環を形成していてもよく;言及した前記アルキル、アルコキシ、アルケニルおよびアルキニル基、ならびに言及した前記芳香族環系およびヘテロ芳香族環系は、それぞれ1つ以上のR5ラジカルにより置換されていてもよく;言及した前記アルキル、アルコキシ、アルケニルおよびアルキニル基中の1つ以上のCH2基は、−R5C=CR5−、−C≡C−、Si(R5)2、C=O、C=NR5、−C(=O)O−、−C(=O)NR5−、NR5、P(=O)(R5)、−O−、−S−、SOまたはSO2により置きかえられていてもよく;
R5は、それぞれの場合において同じであるかまたは異なり、H、D、F、C(=O)R6、CN、Si(R6)3、N(R6)2、P(=O)(R6)2、OR6、S(=O)R6、S(=O)2R6、1〜20個の炭素原子を有する直鎖アルキルまたはアルコキシ基、3〜20個の炭素原子を有する分枝または環状アルキルまたはアルコキシ基、2〜20個の炭素原子を有するアルケニルまたはアルキニル基、6〜40個の芳香族環原子を有する芳香族環系、および5〜40個の芳香族環原子を有するヘテロ芳香族環系から選択され;ここで、2つ以上のR5ラジカルは、互いに結合していても、環を形成していてもよく;言及した前記アルキル、アルコキシ、アルケニルおよびアルキニル基、ならびに言及した前記芳香族環系およびヘテロ芳香族環系は、それぞれ1つ以上のR6ラジカルにより置換されていてもよく;言及した前記アルキル、アルコキシ、アルケニルおよびアルキニル基中の1つ以上のCH2基は、−R6C=CR6−、−C≡C−、Si(R6)2、C=O、C=NR6、C(=O)O−、−C(=O)NR6−、NR6、P(=O)(R6)、−O−、−S−、SOまたはSO2により置きかえられていてもよく;
R6は、それぞれの場合において同じであるかまたは異なり、H、D、F、CN、1〜20個の炭素原子を有するアルキルまたはアルコキシ基、2〜20個の炭素原子を有するアルケニルまたはアルキニル基、6〜40個の芳香族環原子を有する芳香族環系および5〜40個の芳香族環原子を有するヘテロ芳香族環系から選択され;ここで、2つ以上のR6ラジカルは、互いに結合していても、環を形成していてもよく;言及した前記アルキル、アルコキシ、アルケニルおよびアルキニル基、芳香族環系およびヘテロ芳香族環系は、FまたはCNにより置換されていてもよく;
mは、0または1であり;
iは、0、1、2、3、4または5であり;
kは、0、1、2、3または4であり;
ここで、kとiの合計は、少なくとも1であり;
Ar1基は、それらが結合している6員環とそれぞれ2価基Yを介して連結されていてもよく、
Yは、それぞれの場合において同じであるかまたは異なり、C(R1)2、Si(R1)2、NR1、OおよびSから選択される)
の化合物。 - Z1がCR1であり、ここで、Z1は、Ar1またはT基がそれに結合している場合はCであること、およびZ2がCR3であり、ここで、Z2は、L1基がそれに結合している場合はCであることを特徴とする、請求項1に記載の化合物。
- Ar1が、それぞれの場合において同じであるかまたは異なり、フェニル、ビフェニル、テルフェニル、クアテルフェニル、ナフチル、アントラセニル、フルオレニル、インデノフルオレニルおよびフェナントレニルから選択され、ここで、言及した前記基は、それぞれ1つ以上のR2ラジカルにより置換されていてもよいことを特徴とする、請求項1または2に記載の化合物。
- 前記化合物には2つ以下のAr1基が存在することを特徴とする、請求項1〜3の何れか1項に記載の化合物。
- 前記化合物には1つ以下のAr1基が存在し、このAr1基は、1つ以上のR2ラジカルにより置換されていてもよいフェニル基であり、この基Ar1は、それが結合している6員環に基Yを介して連結されており、ここで、前記Ar1基、Y架橋、および前記Y架橋と前記Ar1基が結合している前記6員環は、前記6員環と前記Ar1基との間に挿入され、かつ前記6員環および前記Ar1基と共に縮合単位を形成する、5員環を形成することを特徴とする、請求項1〜4の何れか1項に記載の化合物。
- 前記縮合単位が、フルオレン、スピロビフルオレン、カルバゾール、ジベンゾフランおよびジベンゾチオフェンから選択され、これらのそれぞれは、R1およびR2により置換されていてもよいことを特徴とする、請求項5に記載の化合物。
- Ar2が、下記の式の群
- Ar3が、フェニル、ビフェニル、テルフェニル、フルオレニル、フルオレニル−フェニル、ナフチル、ナフチル−フェニル、スピロビフルオレニル、スピロビフルオレニル−フェニル、ピリジル、ピリミジル、トリアジニル、ジベンゾフラニル、ジベンゾフラニル−フェニル、ベンゾ縮合ジベンゾフラニル、ジベンゾチオフェニル、ジベンゾチオフェニル−フェニル、ベンゾ縮合ジベンゾチオフェニル、カルバゾリル、カルバゾリル−フェニルおよびベンゾ縮合カルバゾリル、ならびにこれらの基の2つ、3つまたは4つの組合せから選択され、ここで、言及した前記基は、それぞれ1つ以上のR4ラジカルにより置換されていてもよいことを特徴とする、請求項1〜7の何れか1項に記載の化合物。
- R1、R2、R3およびR4が、それぞれの場合において同じであるかまたは異なり、H、D、F、CN、Si(R5)3、N(R5)2、1〜20個の炭素原子を有する直鎖アルキル基、3〜20個の炭素原子を有する分枝または環状アルキル基、6〜40個の芳香族環原子を有する芳香族環系および5〜40個の芳香族環原子を有するヘテロ芳香族環系から選択され;ここで、言及した前記アルキル基、言及した前記芳香族環系および言及した前記ヘテロ芳香族環系は、それぞれ1つ以上のR5ラジカルにより置換されていてもよく;言及した前記アルキル基中の1つ以上のCH2基は、−C≡C−、−R5C=CR5−、Si(R5)2、C=O、C=NR5、NR5−、−O−、−S−、−C(=O)O−または−C(=O)NR5−により置きかえられていてもよいことを特徴とする、請求項1〜8の何れか1項に記載の化合物。
- 式(I−1−1)〜(I−1−3)および(I−2−1)〜(I−2−3)
iは、0または1であり、
kは、0または1であり、
kとiの合計は、1または2、好ましくは1であり、
ベンゼン環上のフリーの位置は、それぞれR1ラジカルにより置換されていてもよく、
2価基Yは存在しない;
式(I−2−1)〜(I−2−3)については、下記が適用される:
Yは、C(R1)2、Si(R1)2、NR1、OおよびSから、好ましくはC(R1)2、NR1、OおよびSから選択され;
ベンゼン環上のフリーの位置は、それぞれR1ラジカルにより置換されていてもよい)
に対応することを特徴とする、請求項1〜9の何れか1項に記載の化合物。 - 第1の工程i)において、反応基XおよびYにより置換されたビフェニル誘導体(ここで、基Xは、2つのフェニル基間の結合に対してオルト位置に存在する)を、ボロン酸基により置換されている芳香族またはヘテロ芳香族環系と反応させ、その結果、前記芳香族またはヘテロ芳香族環系が前記Y基の位置に導入されること、および第2の工程ii)において、工程i)で得られる中間体を式HNAr2の化合物と反応させ(式中、Arは、芳香族環系およびヘテロ芳香族環系から選択される)、この反応において、−NAr2基が前記X基の位置に導入されることを特徴とする、請求項1〜10の何れか1項に記載の化合物を調製するための方法。
- 請求項1〜10の何れか1項に記載の1種以上の化合物を含有するオリゴマー、ポリマーまたはデンドリマーであって、前記ポリマー、オリゴマーまたはデンドリマーへの結合(複数可)が、式(I)中のR1、R2、R3またはR4により置換されている任意所望の位置に局在していてもよい、オリゴマー、ポリマーまたはデンドリマー。
- 請求項1〜10の何れか1項に記載の少なくとも1種の化合物と、少なくとも1種の溶媒を含む調合物。
- 請求項1〜10の何れか1項に記載の少なくとも1種の化合物を含む電子デバイス。
- アノード、カソードおよび少なくとも1つの発光層を含む有機エレクトロルミネッセントデバイスであって、前記少なくとも1種の化合物を含有するのが、発光層または正孔輸送層であってもよい前記デバイスの少なくとも1つの有機層であることを特徴とする、請求項14に記載の電子デバイス。
- 少なくとも1種の前記式(I)の化合物を含む少なくとも1つの電子阻止層を含むことを特徴とする、請求項15に記載のデバイス。
- 請求項1〜10の何れか1項に記載の化合物の電子デバイスにおける使用。
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