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JP2021504356A - 電子デバイス用材料 - Google Patents

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JP2021504356A JP2020528284A JP2020528284A JP2021504356A JP 2021504356 A JP2021504356 A JP 2021504356A JP 2020528284 A JP2020528284 A JP 2020528284A JP 2020528284 A JP2020528284 A JP 2020528284A JP 2021504356 A JP2021504356 A JP 2021504356A
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ムジカ−フェルナウド、テレサ
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フォゲス、フランク
マイヤー−フライク、フロリアン
エベルレ、トマス
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メルク パテント ゲーエムベーハー
メルク パテント ゲーエムベーハー
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Abstract

本願は、定義される式のトリアリールアミン化合物に関する。本願はさらに、その化合物を製造するための方法、電子デバイスにおけるその化合物の使用、およびその化合物を含む電子デバイスに関する。

Description

本願は、以下に定義する式(I)のトリアリールアミン化合物に関する。これらの化合物は、電子デバイスにおける使用に適している。本願はさらに、言及した化合物を調製するための方法、および言及した化合物を含む電子デバイスに関する。
本願に関する電子デバイスは、機能材料として有機半導体材料を含有するいわゆる有機電子デバイスを意味するものと理解される。より詳細には、これらは、OLED(有機エレクトロルミネッセントデバイス)を意味するものと理解される。OLEDという用語は、有機化合物を含む1つ以上の層を有し、電圧を印加すると光を発する電子デバイスを意味するものと理解される。OLEDの構成および機能の一般原理は、当業者に公知である。
電子デバイス、とりわけOLEDにおいて、性能データ、とりわけ寿命、効率および作動電圧の向上に強い関心が集まっている。これらの側面において、十分に満足のいく解決策は未だ見出されていない。
電子デバイスの性能データに大きく影響するのが、発光層と、正孔輸送機能を有する層である。これらの層に使用するための新規な化合物、とりわけ正孔輸送化合物、および発光層においてとりわけリン光発光体用のマトリックス材料として機能できる化合物も求められている。
先行技術において、様々なトリアリールアミン化合物が、電子デバイス用の正孔輸送材料として公知である。同様に公知なのが、発光層におけるマトリックス材料としての特定のトリアリールアミン化合物の使用である。
しかしながら、電子デバイスにおける使用に適する代替的化合物が依然として必要とされている。
電子デバイスの使用における性能データに関し、とりわけ作動電圧、寿命および効率に関しても、改善が必要とされている。さらに、材料の加工性、それらのガラス転移温度、溶解度、溶液中での安定性、および屈折率に関し、改善が必要とされている。
特定のトリアリールアミン化合物が、電子デバイスにおける使用に、とりわけOLEDにおける使用に、殊にとりわけOLEDにおける正孔輸送材料としての使用およびリン光発光体用のマトリックス材料としての使用に極めて適していることが現在見出されている。
したがって、本願は、式(I)
(式中、出現する可変基は、下記の通りである:
は、それぞれの場合において同じであるかまたは異なり、CRおよびNから選択され、ここで、Zは、ArまたはT基がそれに結合している場合はCであり;
Arは、それぞれの場合において同じであるかまたは異なり、6〜30個の芳香族環原子を有し、1つ以上のRラジカルにより置換されていてもよい芳香族環系であり;
Arは、式(A)または(B)
に対応し;
は、それぞれの場合において同じであるかまたは異なり、CRまたはNであり、ここで、Zは、L基がそれに結合している場合はCであり;
は、単結合、または6〜30個の芳香族環原子を有し、1つ以上のRラジカルにより置換されていてもよい芳香族環系、または5〜30個の芳香族環原子を有し、1つ以上のRラジカルにより置換されていてもよいヘテロ芳香族環系であり;
Arは、式(A)、式(B)に対応するか、または6〜30個の芳香族環原子を有し、1つ以上のRラジカルにより置換されていてもよい芳香族環系、または5〜30個の芳香族環原子を有し、1つ以上のRラジカルにより置換されていてもよいヘテロ芳香族環系であり;
Tは、C(R、Si(R、NR、OおよびSから選択され;
、R、R、Rは、それぞれの場合において同じであるかまたは異なり、H、D、F、C(=O)R、CN、Si(R、N(R、P(=O)(R、OR、S(=O)R、S(=O)、1〜20個の炭素原子を有する直鎖アルキルまたはアルコキシ基、3〜20個の炭素原子を有する分枝または環状アルキルまたはアルコキシ基、2〜20個の炭素原子を有するアルケニルまたはアルキニル基、6〜40個の芳香族環原子を有する芳香族環系、および5〜40個の芳香族環原子を有するヘテロ芳香族環系から選択され;ここで、2つ以上のRまたはRまたはRまたはRラジカルは、互いに結合していても、環を形成していてもよく;言及したアルキル、アルコキシ、アルケニルおよびアルキニル基、ならびに言及した芳香族環系およびヘテロ芳香族環系は、それぞれ1つ以上のRラジカルにより置換されていてもよく;言及したアルキル、アルコキシ、アルケニルおよびアルキニル基中の1つ以上のCH基は、−RC=CR−、−C≡C−、Si(R、C=O、C=NR、−C(=O)O−、−C(=O)NR−、NR、P(=O)(R)、−O−、−S−、SOまたはSOにより置きかえられていてもよく;
は、それぞれの場合において同じであるかまたは異なり、H、D、F、C(=O)R、CN、Si(R、N(R、P(=O)(R、OR、S(=O)R、S(=O)、1〜20個の炭素原子を有する直鎖アルキルまたはアルコキシ基、3〜20個の炭素原子を有する分枝または環状アルキルまたはアルコキシ基、2〜20個の炭素原子を有するアルケニルまたはアルキニル基、6〜40個の芳香族環原子を有する芳香族環系、および5〜40個の芳香族環原子を有するヘテロ芳香族環系から選択され;ここで、2つ以上のRラジカルは、互いに結合していても、環を形成していてもよく;言及したアルキル、アルコキシ、アルケニルおよびアルキニル基、ならびに言及した芳香族環系およびヘテロ芳香族環系は、それぞれ1つ以上のRラジカルにより置換されていてもよく;言及したアルキル、アルコキシ、アルケニルおよびアルキニル基中の1つ以上のCH基は、−RC=CR−、−C≡C−、Si(R、C=O、C=NR、C(=O)O−、−C(=O)NR−、NR、P(=O)(R)、−O−、−S−、SOまたはSOにより置きかえられていてもよく;
は、それぞれの場合において同じであるかまたは異なり、H、D、F、CN、1〜20個の炭素原子を有するアルキルまたはアルコキシ基、2〜20個の炭素原子を有するアルケニルまたはアルキニル基、6〜40個の芳香族環原子を有する芳香族環系および5〜40個の芳香族環原子を有するヘテロ芳香族環系から選択され;ここで、2つ以上のRラジカルは、互いに結合していても、環を形成していてもよく;言及したアルキル、アルコキシ、アルケニルおよびアルキニル基、芳香族環系およびヘテロ芳香族環系は、FまたはCNにより置換されていてもよく;
mは、0または1であり;
iは、0、1、2、3、4または5であり;
kは、0、1、2、3または4であり;
ここで、kとiの合計は、少なくとも1であり;
Ar基は、それらが結合している6員環にそれぞれ2価のY基を介して連結されていてもよく、
Yは、それぞれの場合において同じであるかまたは異なり、C(R、Si(R、NR、OおよびSから選択される)
の化合物を提供する。
本発明に関するアリール基は、6〜40個の芳香族環原子を含有し、その何れもヘテロ原子ではない。本発明に関するアリール基は、単一の芳香族環、即ちベンゼン、または縮合芳香族多環、たとえばナフタレン、フェナントレンもしくはアントラセンの何れかを意味するものと理解される。本願に関する縮合芳香族多環は、互いに縮合した2つ以上の単一の芳香族環からなる。環間の縮合は、ここでは環が少なくとも1つの縁を互いに共有することを意味するものと理解される。
本発明に関するヘテロアリール基は、5〜40個の芳香族環原子を含有し、そのうちの少なくとも1つがヘテロ原子である。ヘテロアリール基のヘテロ原子は、好ましくはN、OおよびSから選択される。本発明に関するヘテロアリール基は、単一のヘテロ芳香族環、たとえばピリジン、ピリミジンもしくはチオフェン、または縮合ヘテロ芳香族多環、たとえばキノリンもしくはカルバゾールの何れかである。本願に関する縮合ヘテロ芳香族多環は、互いに縮合した2つ以上の単一のヘテロ芳香族環からなる。環間の縮合は、ここでは環が少なくとも1つの縁を互いに共有することを意味するものと理解される。
アリールまたはヘテロアリール基は、そのそれぞれが上記のラジカルにより置換されていてもよく、任意所望の位置を介して芳香族またはヘテロ芳香族系に結合していてもよいが、とりわけ、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、ピレン、ジヒドロピレン、クリセン、ペリレン、トリフェニレン、フルオランテン、ベンゾアントラセン、ベンゾフェナントレン、テトラセン、ペンタセン、ベンゾピレン、フラン、ベンゾフラン、イソベンゾフラン、ジベンゾフラン、チオフェン、ベンゾチオフェン、イソベンゾチオフェン、ジベンゾチオフェン、ピロール、インドール、イソインドール、カルバゾール、ピリジン、キノリン、イソキノリン、アクリジン、フェナントリジン、ベンゾ−5,6−キノリン、ベンゾ−6,7−キノリン、ベンゾ−7,8−キノリン、フェノチアジン、フェノキサジン、ピラゾール、インダゾール、イミダゾール、ベンゾイミダゾール、ナフトイミダゾール、フェナントロイミダゾール、ピリドイミダゾール、ピラジンイミダゾール、キノキサリンイミダゾール、オキサゾール、ベンゾオキサゾール、ナフトオキサゾール、アントロオキサゾール、フェナントロオキサゾール、イソオキサゾール、1,2−チアゾール、1,3−チアゾール、ベンゾチアゾール、ピリダジン、ベンゾピリダジン、ピリミジン、ベンゾピリミジン、キノキサリン、ピラジン、フェナジン、ナフチリジン、アザカルバゾール、ベンゾカルボリン、フェナントロリン、1,2,3−トリアゾール、1,2,4−トリアゾール、ベンゾトリアゾール、1,2,3−オキサジアゾール、1,2,4−オキサジアゾール、1,2,5−オキサジアゾール、1,3,4−オキサジアゾール、1,2,3−チアジアゾール、1,2,4−チアジアゾール、1,2,5−チアジアゾール、1,3,4−チアジアゾール、1,3,5−トリアジン、1,2,4−トリアジン、1,2,3−トリアジン、テトラゾール、1,2,4,5−テトラジン、1,2,3,4−テトラジン、1,2,3,5−テトラジン、プリン、プテリジン、インドリジンおよびベンゾチアジアゾールから誘導される基を意味するものと理解される。
本発明に関する芳香族環系は、環系に6〜40個の炭素原子を含有し、芳香族環原子としてヘテロ原子を何ら含まない。したがって、本発明に関する芳香族環系は、ヘテロアリール基を何ら含有しない。本発明に関する芳香族環系は、必ずしもアリール基のみを含有するとは限らず、複数のアリール基が単結合または非芳香族単位、たとえば1つ以上の任意に置換されていてもよいC、Si、N、OまたはS原子によって結合していることも可能な系を意味すると当然に理解される。この場合、非芳香族単位は、好ましくは、系中のH以外の原子の総数に基づき10%未満のH以外の原子を含む。たとえば、系、たとえば9,9’−スピロビフルオレン、9,9’−ジアリールフルオレン、トリアリールアミン、ジアリールエーテルおよびスチルベンも、本発明に関する芳香族環系とみなされ、2つ以上のアリール基が、たとえば、直鎖状もしくは環状アルキル、アルケニルもしくはアルキニル基、またはシリル基によって結合している系も同様である。加えて、2つ以上のアリール基が単結合を介して互いに結合している系も、本発明に関する芳香族環系とみなされ、たとえば、系、たとえばビフェニルおよびテルフェニルである。
本発明に関するヘテロ芳香族環系は、5〜40個の芳香族環原子を含有し、そのうち少なくとも1個がヘテロ原子である。ヘテロ芳香族環系のヘテロ原子は、好ましくはN、Oおよび/またはSから選択される。ヘテロ芳香族環系は、芳香族環系に関して前述した定義に対応するが、芳香族環原子のうちの1個として少なくとも1個のヘテロ原子を有する。このようにして、ヘテロ芳香族環系は、本願の定義の意味における芳香族環系とは異なっており、芳香族環系は、この定義によれば、芳香族環原子としてヘテロ原子を何ら含有できない。
6〜40個の芳香族環原子を有する芳香族環系、または5〜40個の芳香族環原子を有するヘテロ芳香族環系はとりわけ、アリール基およびヘテロアリール基の下で先に言及した基から、およびビフェニル、テルフェニル、クアテルフェニル、フルオレン、スピロビフルオレン、ジヒドロフェナントレン、ジヒドロピレン、テトラヒドロピレン、インデノフルオレン、トルキセン、イソトルキセン、スピロトルキセン、スピロイソトルキセン、インデノカルバゾールまたはこれらの基の組合せから誘導される基を意味するものと理解される。
本発明に関して、1〜20個の炭素原子を有する直鎖アルキル基、および3〜20個の炭素原子を有する分枝または環状アルキル基、および2〜40個の炭素原子を有するアルケニルまたはアルキニル基は、個々の水素原子またはCH基がラジカルの定義において先に言及した基により置換されていてもよく、好ましくはメチル、エチル、n−プロピル、i−プロピル、n−ブチル、i−ブチル、s−ブチル、t−ブチル、2−メチルブチル、n−ペンチル、s−ペンチル、シクロペンチル、ネオペンチル、n−ヘキシル、シクロヘキシル、ネオヘキシル、n−ヘプチル、シクロヘプチル、n−オクチル、シクロオクチル、2−エチルヘキシル、トリフルオロメチル、ペンタフルオロエチル、2,2,2−トリフルオロエチル、エテニル、プロペニル、ブテニル、ペンテニル、シクロペンテニル、ヘキセニル、シクロヘキセニル、ヘプテニル、シクロヘプテニル、オクテニル、シクロオクテニル、エチニル、プロピニル、ブチニル、ペンチニル、ヘキシニルまたはオクチニルラジカルを意味するものと理解される。
1〜20個の炭素原子を有するアルコキシまたはチオアルキル基は、個々の水素原子またはCH基がラジカルの定義において先に言及した基により置きかえられていてもよく、好ましくは、メトキシ、トリフルオロメトキシ、エトキシ、n−プロポキシ、i−プロポキシ、n−ブトキシ、i−ブトキシ、s−ブトキシ、t−ブトキシ、n−ペントキシ、s−ペントキシ、2−メチルブトキシ、n−ヘキソキシ、シクロヘキシルオキシ、n−ヘプトキシ、シクロヘプチルオキシ、n−オクチルオキシ、シクロオクチルオキシ、2−エチルヘキシルオキシ、ペンタフルオロエトキシ、2,2,2−トリフルオロエトキシ、メチルチオ、エチルチオ、n−プロピルチオ、i−プロピルチオ、n−ブチルチオ、i−ブチルチオ、s−ブチルチオ、t−ブチルチオ、n−ペンチルチオ、s−ペンチルチオ、n−ヘキシルチオ、シクロヘキシルチオ、n−ヘプチルチオ、シクロヘプチルチオ、n−オクチルチオ、シクロオクチルチオ、2−エチルヘキシルチオ、トリフルオロメチルチオ、ペンタフルオロエチルチオ、2,2,2−トリフルオロエチルチオ、エテニルチオ、プロペニルチオ、ブテニルチオ、ペンテニルチオ、シクロペンテニルチオ、ヘキセニルチオ、シクロヘキセニルチオ、ヘプテニルチオ、シクロヘプテニルチオ、オクテニルチオ、シクロオクテニルチオ、エチニルチオ、プロピニルチオ、ブチニルチオ、ペンチニルチオ、ヘキシニルチオ、ヘプチニルチオまたはオクチニルチオを意味するものと理解される。
2つ以上のラジカルが共に環を形成してもよいという表現は、本願に関して、とりわけ、2つのラジカルが化学結合により互いに結合していることを意味すると当然に理解される。ただし、これに加えて、上記の表現は、2つのラジカルのうちの一方が水素である場合、第2のラジカルは水素原子が結合している位置に結合して環を形成することを意味するものとも当然に理解される。
好ましくは、ZはCRであり、ここで、Zは、ArまたはT基がそれに結合している場合はCである。
好ましくは、それぞれの場合のArは、同じであるかまたは異なり、6〜16個の芳香族環原子を有するアリール基である。より好ましくは、Arは、それぞれの場合において同じであるかまたは異なり、フェニル、ビフェニル、テルフェニル、クアテルフェニル、ナフチル、アントラセニル、フルオレニル、インデノフルオレニルおよびフェナントレニルから選択され、ここで、言及した基は、それぞれ1つ以上のRラジカルにより置換されていてもよい。
好ましくは、式(I)の化合物には、1つのみ、または2つのみのAr基がそれぞれ存在する。これは、式(I)の化合物には、2つ以下のAr基が存在することを意味する。式(I)の化合物に1つのみのAr基が存在する場合、この基は、それが結合している6員環に2価のY基を介して連結されていることが望ましい。好ましくは、この場合のAr基は、1つ以上のRラジカルにより置換されていてもよいフェニル基である。好ましくは、この場合、Ar基、Y架橋およびY架橋とAr基が結合している6員環は、6員環とAr基との間に挿入され、かつ6員環およびAr基と共に縮合単位を形成する、5員環を形成する。この縮合単位は、好ましくはフルオレン、スピロビフルオレン、カルバゾール、ジベンゾフランおよびジベンゾチオフェンから選択される。
式(A)の好ましい態様は、式(A−1)〜(A−10)
(式中、現れる可変基は、上記のように定義され、カルバゾール単位は、それぞれ、それらの2つのベンゼン環のフリーの位置において、1つ以上のRラジカルにより置換されていてもよい)
である。
式(B)の好ましい態様は、式(B−1)〜(B−7)
(式中、現れる可変基は、上記のように定義され、カルバゾール単位は、それぞれ、それらの2つのベンゼン環のフリーの位置において、1つ以上のRラジカルにより置換されていてもよい)
である。
Arは、好ましくは上記の式(A)に対応し、より好ましくは式(A−1)〜(A−3)のうちの1つに対応する。
Ar基の好ましい態様を、下記の表に図示する:
は、好ましくは、それぞれの場合において同じであり、CRであり、ここで、Zは、L基がそれに結合している場合はCである。
は、好ましくは6〜30個の芳香族環原子を有する芳香族環系から選択される。Lは、より好ましくは単結合、ベンゼン、ナフタレン、パラ−ビフェニル、メタ−ビフェニル、オルト−ビフェニル、テルフェニル、ジベンゾフラン、カルバゾール、ジベンゾチオフェン、ピリジン、ピリミジン、ピラジン、ピリダジン、トリアジンおよびフルオレンから選択され、非常に好ましくは単結合およびフェニルから選択され、ここで、記載した基は、それぞれ1つ以上のRラジカルにより置換されていてもよい。
好ましいL基を、下記の表に図示する:
Arは、好ましくは、6〜30個の芳香族環原子を有し、1つ以上のRラジカルにより置換されていてもよい芳香族環系である。Arは、より好ましくはフェニル、ビフェニル、テルフェニル、フルオレニル、フルオレニル−フェニル、ナフチル、ナフチル−フェニル、スピロビフルオレニル、スピロビフルオレニル−フェニル、ピリジル、ピリミジル、トリアジニル、ジベンゾフラニル、ジベンゾフラニル−フェニル、ベンゾ縮合ジベンゾフラニル、ジベンゾチオフェニル、ジベンゾチオフェニル−フェニル、ベンゾ縮合ジベンゾチオフェニル、カルバゾリル、カルバゾリル−フェニルおよびベンゾ縮合カルバゾリル、ならびにこれらの基の2つ、3つまたは4つの組合せから選択される、ここで、言及した基は、それぞれ1つ以上のRラジカルにより置換されていてもよい。
Ar基は、好ましくは、式(A)および(B)のうちの1つに対応しない。
Arの好ましい態様を、以下に図示する:
これらは、フリーの位置において、それぞれ1つ以上のRラジカルにより置換されていてもよい。
、R、RおよびRは、好ましくは、それぞれの場合において同じであるかまたは異なり、H、D、F、CN、Si(R、N(R、1〜20個の炭素原子を有する直鎖アルキル基、3〜20個の炭素原子を有する分枝または環状アルキル基、6〜40個の芳香族環原子を有する芳香族環系および5〜40個の芳香族環原子を有するヘテロ芳香族環系から選択され;ここで、言及したアルキル基、言及した芳香族環系および言及したヘテロ芳香族環系は、それぞれ1つ以上のRラジカルにより置換されていてもよく;言及したアルキル基中の1つ以上のCH基は、−C≡C−、−RC=CR−、Si(R、C=O、C=NR、NR−、−O−、−S−、−C(=O)O−または−C(=O)NR−により置きかえられていてもよい。
より好ましくは、RはHであるが、C(RまたはNRであるT基に結合しているR基は例外である。この場合、Rは、好ましくは1〜20個の炭素原子を有するアルキル基および5〜40個の芳香族環原子を有する芳香族環系から選択され、ここで、言及したアルキル基および言及した芳香族環系は、それぞれ1つ以上のRラジカルにより置換されていてもよい。より好ましくは、RはHである。より好ましくは、RはHである。より好ましくは、RはHである。
は、好ましくは、それぞれの場合において同じであるかまたは異なり、
H、D、F、CN、Si(R、N(R、1〜20個の炭素原子を有する直鎖アルキル基、3〜20個の炭素原子を有する分枝または環状アルキル基、6〜40個の芳香族環原子を有する芳香族環系および5〜40個の芳香族環原子を有するヘテロ芳香族環系から選択され;ここで、言及したアルキル基、言及した芳香族環系および言及したヘテロ芳香族環系は、それぞれ1つ以上のRラジカルにより置換されていてもよく;言及したアルキル基中の1つ以上のCH基は、−C≡C−、−RC=CR−、Si(R、C=O、C=NR、NR−、−O−、−S−、−C(=O)O−または−C(=O)NR−により置きかえられていてもよい。より好ましくは、RはHである。
は、好ましくは、それぞれの場合において同じであるかまたは異なり、H、D、F、CN、1〜20個の炭素原子を有するアルキル基、6〜40個の芳香族環原子を有する芳香族環系および5〜40個の芳香族環原子を有するヘテロ芳香族環系から選択され;ここで、2つ以上のRラジカルは、互いに結合していても、環を形成していてもよく;言及したアルキル基、芳香族環系およびヘテロ芳香族環系は、FまたはCNにより置換されていてもよい。
好ましくは、mは、0である。
好ましくは、iは、0または1である。
好ましくは、kは、0または1である。
好ましくは、iとkの合計は、1または2、より好ましくは1である。
式(I−A)に合致する好ましい式(I)の副次的単位
(式中、破線は、式の残部への結合を表す)
は、下記の構造から選択される
(式中、破線は、式(I)中の窒素原子への結合を表す)。
式(I)の好ましい態様は、下記の式(I−1)
(式中、出現する可変基は、下記の通りであり:
iは、0または1であり、
kは、0または1であり、
ここで、kとiの合計は、1または2、好ましくは1であり、
ベンゼン環上のフリーの位置は、それぞれRラジカルにより置換されていてもよく、
Ar〜Ar基は、上記のように定義され、好ましくは、先に示した通りのそれらの好ましい態様に対応し、
Arは、好ましくは、それぞれの場合において同じであるかまたは異なり、フェニルおよびナフチルから選択され、これらのそれぞれは、1つ以上のRラジカルにより置換されていてもよく、2価のY基は存在しない)
に対応する。
同様に好ましい式(I)の代替的態様は、下記の式(I−2)
(式中、出現する可変基は、下記の通りである:
Yは、C(R、Si(R、NR、OおよびSから、好ましくは、C(R、NR、OおよびSから選択され;
ベンゼン環上のフリーの位置は、それぞれRラジカルにより置換されていてもよく、
出現する他の可変基は、上記のように定義され、好ましくは、先に示した通りのそれらの好ましい態様に対応する)
に対応する。
式(I−2)の好ましい態様は、下記の式(I−2A)
(式中、出現する可変基は、下記の通りである:
ベンゼン環上のフリーの位置は、それぞれRラジカルにより置換されていてもよく、
出現する他の可変基は、上記のように定義され、好ましくは、先に示した通りのそれらの好ましい態様に対応する)
に対応する。
式(I−1)の好ましい態様は、下記の式(I−1−1)〜(I−1−3)
(式中、出現する可変基は、下記の通りである:
iは、0または1であり、
kは、0または1であり、
ここで、kとiの合計は、1または2、好ましくは1であり、
ベンゼン環上のフリーの位置は、それぞれRラジカルにより置換されていてもよく、
ArおよびAr基は、上記のように定義され、好ましくは、先に示した通りのそれらの好ましい態様に対応し、
Arは、好ましくは、それぞれの場合において同じであるかまたは異なり、フェニルおよびナフチルから選択され、これらのそれぞれは、1つ以上のRラジカルにより置換されていてもよく、2価基Yは存在しない)
に対応する。
式(I−2)の好ましい態様は、下記の式(I−2−1)〜(I−2−3)
(式中、出現する可変基は、下記の通りである:
Yは、C(R、Si(R、NR、OおよびSから、好ましくはC(R、NR、OおよびSから選択され;
ベンゼン環上のフリーの位置は、それぞれRラジカルにより置換されていてもよく、
出現する他の可変基は、上記のように定義され、好ましくは、先に示した通りのそれらの好ましい態様に対応する)
に対応する。
式(I−2A)の好ましい態様は、下記の式(I−2A−1)〜(I−2A−3):
(式中、出現する可変基は、下記の通りである:
ベンゼン環上のフリーの位置は、それぞれRラジカルにより置換されていてもよく、
出現する他の可変基は、上記のように定義され、好ましくは、先に示した通りのそれらの好ましい態様に対応する)
に対応する。
式(I)の好ましい具体的化合物を、下記の表に図示する:
式(I)の化合物は、有機化学の公知の反応を用いて、より詳細には、金属触媒カップリング反応、たとえばスズキカップリングおよびブッフバルトカップリングを用いて調製してもよい。
式(I)の化合物を調製する好ましい方法を、以下により詳細に説明する(スキーム1)。当業者は、必要な場合、有機合成化学に関する自身の一般的知識の範囲内で、この方法を修正および改良することができる。
スキーム1によると、第1の工程において、2つの反応基XおよびYにより置換されたビフェニル誘導体(X基は、2つのフェニル基間の結合に対してオルト位置にある)を、スズキ反応においてボロン酸基により置換された芳香族またはヘテロ芳香族環系Arと反応させる。この反応において、反応性Y基の位置で環系Arが導入される。第2の工程において、得られた中間体をブッフバルトカップリング反応において式HNArのアミン化合物と反応させる。この反応において、−NAr基が反応性X基の位置に導入され、そのため、2つのフェニル基間の結合に対してオルト位置となる。
結果として得られる化合物は、任意にさらに改質してもよい。
したがって、本願の主題は、式(I)の化合物を調製するための方法であり、第1の工程i)において、反応基XおよびYにより置換されたビフェニル誘導体(ここで、基Xは、2つのフェニル基間の結合に対してオルト位置に存在する)を、ボロン酸基により置換されている芳香族またはヘテロ芳香族環系と反応させ、その結果芳香族またはヘテロ芳香族環系がY基の位置に導入されること、および第2の工程ii)において、工程i)で得られる中間体を式HNArの化合物と反応させ(式中、Arは、芳香族環系およびヘテロ芳香族環系から選択される)、この反応において、−NAr基がX基の位置に導入されることを特徴とする。
工程i)の反応は、好ましくはスズキカップリング反応である。工程ii)の反応は、好ましくはブッフバルトカップリング反応である。
工程i)で形成される中間体は、ここでは好ましくは式(I−Int−1)
(式中、出現する可変基は、上記のように定義され、Xは、反応基、好ましくは、Cl、Br、Iまたはトリフラートもしくはトシラート基であり、より好ましくはClまたはBrである)
に対応する。
工程ii)で使用される式HNArの化合物は、ここでは好ましくは式(I−Int−2)
(式中、出現する可変基は、先に定義した通りである)
に対応する。
上記の式(I)の化合物、とりわけ反応性脱離基、たとえば臭素、ヨウ素、塩素、ボロン酸またはボロン酸エステルにより置換された化合物は、対応するオリゴマー、デンドリマーまたはポリマーを製造するためのモノマーとしての用途を見出すことができる。適する反応性脱離基は、たとえば臭素、ヨウ素、塩素、ボロン酸、ボロン酸エステル、アミン、末端C−C二重結合もしくはC−C三重結合を有するアルケニルまたはアルキニル基、オキシラン、オキセタン、付加環化、たとえば1,3−双極性付加環化に関与する基、たとえばジエンもしくはアジド、カルボン酸誘導体、アルコールおよびシランである。
したがって、本発明は、1種以上の式(I)の化合物を含有するオリゴマー、ポリマーまたはデンドリマーをさらに提供し、ここで、ポリマー、オリゴマーまたはデンドリマーへの結合(複数可)は、式(I)においてR、R、RまたはRにより置換される任意所望の位置に局在してもよい。式(I)の化合物の結合に応じて、化合物は、オリゴマーもしくはポリマーの側鎖の一部または主鎖の一部となる。本発明に関するオリゴマーは、少なくとも3つのモノマー単位から形成される化合物を意味するものと理解される。本発明に関するポリマーは、少なくとも10個のモノマー単位から形成される化合物を意味するものと理解される。本発明のポリマー、オリゴマーまたはデンドリマーは、共役、部分共役、または非共役であってもよい。本発明のオリゴマーまたはポリマーは、直鎖状、分枝または樹枝状であってもよい。直鎖状結合を有する構造において、式(I)の単位は、互いに直接結合していてもよく、2価基を介して、たとえば置換もしくは無置換アルキレン基を介して、ヘテロ原子を介して、または2価の芳香族もしくはヘテロ芳香族基を介して互いに結合していてもよい。分枝および樹枝状構造においては、たとえば、3つ以上の式(I)の単位が3価以上の基を介して、たとえば3価以上の芳香族またはヘテロ芳香族基を介して結合して、分枝または樹枝状オリゴマーまたはポリマーを形成することが可能である。
オリゴマー、デンドリマーおよびポリマーにおける式(I)の反復単位については、式(I)の化合物について記載したのと同じ選好が当てはまる。
オリゴマーまたはポリマーの調製のためには、本発明のモノマーを単独重合させるか、さらなるモノマーと共重合させる。適する好ましいコモノマーは、フルオレン(たとえばEP842208もしくはWO2000/22026による)、スピロビフルオレン(たとえばEP707020、EP894107もしくはWO2006/061181による)、パラフェニレン(たとえばWO1992/18552による)、カルバゾール(たとえばWO2004/070772もしくはWO2004/113468による)、チオフェン(たとえばEP1028136による)、ジヒドロフェナントレン(たとえばWO2005/014689もしくはWO2007/006383による)、cis−およびtrans−インデノフルオレン(たとえばWO2004/041901もしくはWO2004/113412による)、ケトン(たとえばWO2005/040302による)、フェナントレン(たとえばWO2005/104264もしくはWO2007/017066による)、またはこれらの単位の複数から選択される。ポリマー、オリゴマーおよびデンドリマーは、典型的にはなおさらなる単位、たとえば発光(蛍光もしくはリン光)単位、たとえばビニルトリアリールアミン(たとえばWO2007/068325による)もしくはリン光金属錯体(たとえばWO2006/003000による)、および/または電荷輸送単位、とりわけトリアリールアミンに基づくものを含有する。
本発明のポリマーおよびオリゴマーは一般に、1種類以上のモノマーの重合により調製され、そのうちの少なくとも1種のモノマーが、ポリマー中に式(I)の反復単位をもたらす。適する重合反応は当業者に公知であり、文献に記載されている。C−CまたはC−N結合の形成をもたらす特に適する好ましい重合反応は、スズキ重合、ヤマモト重合、スティル重合およびハートウイッグ−ブッフバルト重合である。
液相から、たとえばスピンコーティングまたは印刷法により本発明の化合物を加工するには、本発明の化合物の調合物が必要である。これらの調合物は、たとえば溶液、分散物またはエマルションであってもよい。この目的のため、2種以上の溶媒の混合物の使用が好ましいことがある。適する好ましい溶媒は、たとえばトルエン、アニソール、o−、m−もしくはp−キシレン、安息香酸メチル、メシチレン、テトラリン、ベラトロール、THF、メチル−THF、THP、クロロベンゼン、ジオキサン、フェノキシトルエン、とりわけ、3−フェノキシトルエン、(−)−フェンコン、1,2,3,5−テトラメチルベンゼン、1,2,4,5−テトラメチルベンゼン、1−メチルナフタレン、2−メチルベンゾチアゾール、2−フェノキシエタノール、2−ピロリジノン、3−メチルアニソール、4−メチルアニソール、3,4−ジメチルアニソール、3,5−ジメチルアニソール、アセトフェノン、α−テルピネオール、ベンゾチアゾール、安息香酸ブチル、クメン、シクロヘキサノール、シクロヘキサノン、シクロヘキシルベンゼン、デカリン、ドデシルベンゼン、安息香酸エチル、インダン、安息香酸メチル、NMP、p−シメン、フェネトール、1,4−ジイソプロピルベンゼン、ジベンジルエーテル、ジエチレングリコールブチルメチルエーテル、トリエチレングリコールブチルメチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、トリプロピレングリコールジメチルエーテル、テトラエチレングリコールジメチルエーテル、2−イソプロピルナフタレン、ペンチルベンゼン、ヘキシルベンゼン、ヘプチルベンゼン、オクチルベンゼン、1,1−ビス(3,4−ジメチルフェニル)エタン、またはこれらの溶媒の混合物である。
したがって、本発明は、少なくとも1種の式(I)の化合物と少なくとも1種の溶媒、好ましくは有機溶媒を含む調合物、とりわけ溶液、分散物またはエマルションをさらに提供する。このような溶液を調製することができる方法は当業者には公知であり、たとえばWO2002/072714、WO2003/019694およびこれらに引用された文献に記載されている。
本発明の化合物は、電子デバイス、とりわけ有機エレクトロルミネッセントデバイス(OLED)への使用に適している。置換に応じて、化合物は、様々な機能および層に使用される。
したがって、本発明は、式(I)の化合物の電子デバイスにおける使用をさらに提供する。この電子デバイスは、好ましくは、有機集積回路(OIC)、有機電界効果トランジスタ(OFET)、有機薄膜トランジスタ(OTFT)、有機発光トランジスタ(OLET)、有機ソーラーセル(OSC)、有機光学検出器、有機光受容器、有機電場消光デバイス(OFQD)、有機発光電気化学セル(OLEC)、有機レーザーダイオード(O−レーザー)、より好ましくは有機エレクトロルミネッセントデバイス(OLED)からなる群から選択される。
既に上記したように、本発明は、少なくとも1種の式(I)の化合物を含む電子デバイスをさらに提供する。この電子デバイスは、好ましくは先に言及したデバイスから選択される。
電子デバイスは、より好ましくは、アノード、カソード、および少なくとも1つの発光層を含む有機エレクトロルミネッセントデバイス(OLED)であって、発光層、正孔輸送層または別の層であってもよい少なくとも1つの有機層が少なくとも1種の式(I)の化合物を含むことを特徴とする。
カソード、アノード、および発光層の他に、有機エレクトロルミネッセントデバイスは、さらなる層をさらに含んでもよい。これらは、それぞれの場合において、たとえば1つ以上の正孔注入層、正孔輸送層、正孔阻止層、電子輸送層、電子注入層、電子阻止層、励起子阻止層、中間層、電荷生成層(IDMC2003、Taiwan;Session 21 OLED(5)、T.Matsumoto、T.Nakada、J.Endo、K.Mori、N.Kawamura、A.Yokoi、J.Kido、Multiphoton Organic EL Device Having Charge Generation Layer)、および/または有機もしくは無機p/n接合から選択される。
式(I)の化合物を含む有機エレクトロルミネッセントデバイスの層の順序は、好ましくは下記の通りである:アノード−正孔注入層−正孔輸送層−任意のさらなる正孔輸送層(複数可)−任意の電子阻止層−発光層−任意の正孔阻止層−電子輸送層−電子注入層−カソード。加えて、さらなる層がOLEDに存在することも可能である。
本発明の有機エレクトロルミネッセントデバイスは、2つ以上の発光層を含有してもよい。より好ましくは、これらの発光層は、この場合、全体として380nm乃至750nmに幾つかの発光極大を有し、全体として白色発光を生じるものである;換言すれば、蛍光またはリン光を発することができ、青色、緑色、黄色、橙色または赤色の光を発する様々な発光化合物が、発光層に使用される。とりわけ好ましいのは、3層系、即ち、3つの発光層を有する系であり、ここで、3層は青色、緑色および橙色または赤色の発光を示す(基本構成については、たとえばWO2005/011013を参照されたい)。本発明の化合物は、ここでは好ましくは、正孔輸送層、正孔注入層、電子阻止層、発光層、正孔阻止層および/または電子輸送層に、より好ましくは発光層にマトリックス材料として、正孔阻止層に、および/または電子輸送層に存在する。
本発明によると、好ましいのは、式(I)の化合物が1種以上のリン光発光化合物を含む電子デバイスに使用される場合である。この場合、化合物は、異なる層に、好ましくは正孔輸送層、電子阻止層、正孔注入層、発光層、正孔阻止層および/または電子輸送層に存在してもよい。より好ましくは、化合物は、この場合、電子阻止層に、またはリン光発光化合物と組み合わせて発光層に存在する。
「リン光発光化合物」という用語は、典型的にはたとえば励起三重項状態またはより高いスピン量子数を有する状態、たとえば五重項状態からのスピン禁制遷移により発光が生じる化合物を包含する。
適するリン光発光化合物(=三重項発光体)はとりわけ、適切に励起されると、好ましくは可視領域の光を発する化合物であり、原子番号が20より大きい、好ましくは38より大きく84より小さい、より好ましくは56より大きく80より小さい少なくとも1種の原子をさらに含有する。リン光発光化合物として、銅、モリブデン、タングステン、レニウム、ルテニウム、オスミウム、ロジウム、イリジウム、パラジウム、白金、銀、金またはユウロピウムを含有する化合物、とりわけ、イリジウム、白金または銅を含有する化合物を使用することが好ましい。本発明に関して、発光性のイリジウム、白金または銅錯体は全て、リン光発光化合物であるとみなされる。
上記の発光化合物の例は、出願WO00/70655、WO01/41512、WO02/02714、WO02/15645、EP1191613、EP1191612、EP1191614、WO05/033244、WO05/019373およびUS2005/0258742に見出すことができる。一般に、先行技術によりリン光OLEDに使用され、有機エレクトロルミネッセントデバイスの分野の当業者に公知であるようなリン光錯体は全て適している。当業者は、独創的な創作能力を発揮することなく、有機エレクトロルミネッセントデバイスにおいてさらなるリン光錯体を式(I)の化合物と組み合わせて使用することも可能である。さらなる例を、下記の表に挙げる:
本発明の好ましい態様において、式(I)の化合物は、正孔輸送材料として使用される。その場合、化合物は、好ましくは正孔輸送層に存在する。正孔輸送層の好ましい態様は、正孔輸送層、電子阻止層および正孔注入層である。特に好ましくは、少なくとも1種の式(I)の化合物が、デバイスの電子阻止層に存在する。
本願による正孔輸送層は、アノードと発光層との間の正孔輸送機能を有する層である。より詳細には、正孔注入層でも電子阻止層でもない正孔輸送層である。
正孔注入層および電子阻止層は、本願に関しては、正孔輸送層の具体的態様であると理解される。正孔注入層は、アノードと発光層との間に複数の正孔輸送層がある場合、アノードに直接隣接しているか、またはアノードの単一のコーティングによりアノードから分離されている正孔輸送層である。電子阻止層は、アノードと発光層との間に複数の正孔輸送層がある場合、アノード側で発光層に直接隣接している正孔輸送層である。好ましくは、本発明のOLEDは、アノードと発光層との間に2つ、3つまたは4つの正孔輸送層を含み、そのうちの少なくとも1つは、好ましくは式(I)の化合物を含有し、より好ましくは1つまたは2つのみが式(I)の化合物を含有する。
式(I)の化合物が正孔輸送層、正孔注入層または電子阻止層において正孔輸送材料として使用される場合、化合物は、純粋な材料として、即ち、100%の割合で正孔輸送層に使用することも、1種以上のさらなる化合物と組み合わせて使用することもできる。
好ましい態様において、式(I)の化合物を含む正孔輸送層は、1種以上のさらなる正孔輸送化合物を追加で含む。これらのさらなる正孔輸送化合物は、好ましくはトリアリールアミン化合物から、より好ましくはモノトリアリールアミン化合物から選択される。特に好ましくは、これらは、後に示す正孔輸送材料の好ましい態様から選択される。記載する好ましい態様において、式(I)の化合物と1種以上のさらなる正孔輸送化合物は、好ましくはそれぞれ少なくとも20%の割合で、より好ましくはそれぞれ少なくとも30%の割合で存在する。
好ましい態様において、式(I)の化合物を含む正孔輸送層は、1種以上のp−ドーパントを追加で含有する。本発明により使用されるp−ドーパントは、好ましくは混合物中の他の化合物の1種以上を酸化することができる有機電子受容体化合物である。
p−ドーパントの特に好ましい態様は、WO2011/073149、EP1968131、EP2276085、EP2213662、EP1722602、EP2045848、DE102007031220、US8044390、US8057712、WO2009/003455、WO2010/094378、WO2011/120709、US2010/0096600、WO2012/095143およびDE102012209523に開示の化合物である。
p−ドーパントとして特に好ましいのは、キノジメタン化合物、アザインデノフルオレンジオン、アザフェナレン、アザトリフェニレン、I、金属ハロゲン化物、好ましくは遷移金属ハロゲン化物、金属酸化物、好ましくは少なくとも1種の遷移金属または第3主族の金属を含む金属酸化物、ならびに遷移金属錯体、好ましくは結合部位として少なくとも1個の酸素原子を含有する配位子を持つCu、Co、Ni、PdおよびPtの錯体である。ドーパントとしてさらに遷移金属酸化物が好ましく、好ましくは、レニウム、モリブデンおよびタングステンの酸化物、より好ましくはRe、MoO、WOおよびReOである。(III)酸化状態のビスマスの錯体、より詳細には電子不足配位子、より詳細にはカルボキシラート配位子を持つビスマス(III)錯体がさらになお好ましい。
p−ドーパントは、好ましくは、p−ドープ層に実質的に均一に分布する。これは、たとえばp−ドーパントと正孔輸送材料マトリックスの同時蒸着によって達成することができる。
好ましいp−ドーパントはとりわけ、下記の化合物である:
本発明のさらなる好ましい態様において、式(I)の化合物は、US2007/0092755に記載されるようなヘキサアザトリフェニレン誘導体と組み合わせて正孔輸送材料としてOLEDに使用される。ここでは、ヘキサアザトリフェニレン誘導体を独立した層に使用することが特に好ましい。
本発明の好ましい態様において、式(I)の化合物は、発光層において1種以上の発光化合物、好ましくはリン光発光化合物と組み合わせてマトリックス材料として使用される。
この場合の発光層におけるマトリックス材料の割合は、体積で50.0%乃至99.9%、好ましくは体積で80.0%乃至99.5%、より好ましくは体積で85.0%乃至97.0%である。
これに対応して、発光化合物の割合は、体積で0.1%乃至50.0%、好ましくは体積で0.5%乃至20.0%、より好ましくは体積で3.0%乃至15.0%である。
有機エレクトロルミネッセントデバイスの発光層は、複数のマトリックス材料(混合マトリックス系)および/または複数の発光化合物を含む系を含有してもよい。この場合も、発光化合物は一般に、系中の割合が低い方の化合物であり、マトリックス材料は、系中の割合が高い方の化合物である。ただし、個々の場合では、系中の単一のマトリックス材料の割合は、単一の発光化合物の割合より低くてもよい。
式(I)の化合物は、好ましくはリン光発光体用の混合マトリックス系の成分として使用されることが好ましい。混合マトリックス系は、好ましくは2または3種の異なるマトリックス材料、より好ましくは2種の異なるマトリックス材料を含む。好ましくは、この場合、2種の材料のうちの一方は、正孔輸送特性を有する材料であり、他方の材料は、電子輸送特性を有する材料である。式(I)の化合物は、好ましくは正孔輸送特性を有するマトリックス材料である。これに対応して、式(I)の化合物は、OLEDの発光層におけるリン光発光体用のマトリックス材料として使用され、電子輸送特性を有する第2のマトリックス化合物が、発光層に存在する。2種の異なるマトリックス材料は、1:50〜1:1、好ましくは1:20〜1:1、より好ましくは1:10〜1:1、最も好ましくは1:4〜1:1の比で存在してもよい。混合マトリックス系に関するより具体的詳細は、とりわけ出願WO2010/108579に記載されており、その対応する技術的教示は、この文脈において参照することにより組み込まれる。
ただし、混合マトリックス成分の所望の電子輸送および正孔輸送特性は、単一の混合マトリックス成分が主として、あるいは完全に併せ持っていてもよく、この場合、さらなる混合マトリックス成分(複数可)は、他の機能を果たす。
混合マトリックス系は、1種以上の発光化合物、好ましくは1種以上のリン光発光化合物を含んでもよい。一般に、混合マトリックス系は、好ましくはリン光有機エレクトロルミネッセントデバイスに使用される。
本発明の化合物と組み合わせて混合マトリックス系のマトリックス成分として使用できる特に適するマトリックス材料は、リン光発光化合物に関して以下に規定する好ましいマトリックス材料から、中でもとりわけ電子輸送特性を有するものから選択される。
電子デバイスにおける異なる機能材料の好ましい態様を、以下に挙げる。
好ましい蛍光発光化合物は、アリールアミンのクラスから選択される。本発明に関するアリールアミンまたは芳香族アミンは、窒素に直接結合している3つの置換または無置換の芳香族またはヘテロ芳香族環系を含有する化合物を意味するものと理解される。好ましくは、これらの芳香族またはヘテロ芳香族環系のうちの少なくとも1つは、縮合環系であり、より好ましくは少なくとも14個の芳香族環原子を有する。これらの好ましい例は、芳香族アントラセンアミン、芳香族アントラセンジアミン、芳香族ピレンアミン、芳香族ピレンジアミン、芳香族クリセンアミンまたは芳香族クリセンジアミンである。芳香族アントラセンアミンは、ジアリールアミノ基がアントラセン基に、好ましくは9位で直接結合している化合物を意味するものと理解される。芳香族アントラセンジアミンは、2つのジアリールアミノ基がアントラセン基に、好ましくは9、10位で直接結合している化合物を意味するものと理解される。芳香族ピレンアミン、ピレンジアミン、クリセンアミンおよびクリセンジアミンも同様に定義され、ここで、ジアリールアミノ基は、ピレンに、好ましくは1位または1、6位で結合している。さらなる好ましい発光化合物は、たとえばWO2006/108497またはWO2006/122630によるインデノフルオレンアミンまたはジアミン、たとえばWO2008/006449によるベンゾインデノフルオレンアミンまたはジアミン、およびたとえばWO2007/140847によるジベンゾインデノフルオレンアミンまたはジアミン、ならびにWO2010/012328に開示の縮合アリール基を有するインデノフルオレン誘導体である。同様に好ましいのは、WO2012/048780およびWO2013/185871に開示のピレンアリールアミンである。同様に好ましいのは、WO2014/037077に開示のベンゾインデノフルオレンアミン、WO2014/106522に開示のベンゾフルオレンアミン、WO2014/111269および未公開出願EP15182993.4に開示の拡張ベンゾインデノフルオレン、未公開出願EP15181178.3およびEP15181177.5に開示のフェノキサジン、ならびにWO2016/150544に開示のフラン単位またはチオフェン単位に結合したフルオレン誘導体である。
好ましくは蛍光発光化合物用の有用なマトリックス材料には、様々な物質のクラスの材料が含まれる。好ましいマトリックス材料は、オリゴアリーレン(たとえば、EP676461による2,2’,7,7’−テトラフェニルスピロビフルオレン、もしくはジナフチルアントラセン)、とりわけ縮合芳香族基を含有するオリゴアリーレン、オリゴアリーレンビニレン(たとえば、EP676461によるDPVBiもしくはスピロ−DPVBi)、ポリポダル金属錯体(たとえばWO2004/081017による)、正孔伝導化合物(たとえばWO2004/058911による)、電子伝導化合物、とりわけケトン、ホスフィンオキシド、スルホキシドなど(たとえばWO2005/084081およびWO2005/084082による)、アトロプ異性体(たとえばWO2006/048268による)、ボロン酸誘導体(たとえばWO2006/117052による)、またはベンゾアントラセン(たとえばWO2008/145239による)のクラスから選択される。特に好ましいマトリックス材料は、ナフタレン、アントラセン、ベンゾアントラセンおよび/もしくはピレンを含むオリゴアリーレンまたはこれらの化合物のアトロプ異性体、オリゴアリーレンビニレン、ケトン、ホスフィンオキシド、およびスルホキシドのクラスから選択される。特に非常に好ましいマトリックス材料は、アントラセン、ベンゾアントラセン、ベンゾフェナントレンおよび/もしくはピレンまたはこれらの化合物のアトロプ異性体を含むオリゴアリーレンのクラスから選択される。本発明に関するオリゴアリーレンは、少なくとも3つのアリールまたはアリーレン基が互いに結合している化合物を意味すると当然に理解される。さらに、WO2006/097208、WO2006/131192、WO2007/065550、WO2007/110129、WO2007/065678、WO2008/145239、WO2009/100925、WO2011/054442およびEP1553154に開示のアントラセン誘導体、EP1749809、EP1905754およびUS2012/0187826に開示のピレン化合物、WO2015/158409に開示のベンゾアントラセニルアントラセン化合物、未公開出願EP15180777.3に開示のインデノベンゾフラン、ならびに未公開出願EP15182962.9に開示のフェナントリルアントラセンが好ましい。
リン光発光化合物用の好ましいマトリックス材料は、式(I)の化合物に加え、たとえばWO2004/013080、WO2004/093207、WO2006/005627もしくはWO2010/006680による芳香族ケトン、芳香族ホスフィンオキシドまたは芳香族スルホキシドもしくはスルホン、WO2005/039246、US2005/0069729、JP2004/288381、EP1205527もしくはWO2008/086851に開示のトリアリールアミン、カルバゾール誘導体、たとえばCBP(N,N−ビスカルバゾリルビフェニル)もしくはカルバゾール誘導体、たとえばWO2007/063754もしくはWO2008/056746によるインドロカルバゾール誘導体、たとえばWO2010/136109、WO2011/000455もしくはWO2013/041176によるインデノカルバゾール誘導体、たとえばEP1617710、EP1617711、EP1731584、JP2005/347160によるアザカルバゾール誘導体、たとえばWO2007/137725による双極性マトリックス材料、たとえばWO2005/111172によるシラン、たとえばWO2006/117052によるアザボロールもしくはボロン酸エステル、たとえばWO2010/015306、WO2007/063754もしくはWO2008/056746によるトリアジン誘導体、たとえばEP652273もしくはWO2009/062578による亜鉛錯体、たとえばWO2010/054729によるジアザシロールもしくはテトラアザシロール誘導体、たとえばWO2010/054730によるジアザホスホール誘導体、たとえばUS2009/0136779、WO2010/050778、WO2011/042107、WO2011/088877もしくはWO2012/143080による架橋カルバゾール誘導体、たとえばWO2012/048781によるトリフェニレン誘導体、またはたとえばWO2011/116865もしくはWO2011/137951によるラクタムである。
本発明の電子デバイスの正孔注入もしくは正孔輸送層または電子阻止層に、または電子輸送層に使用可能な適する電荷輸送材料は、式(I)の化合物に加え、たとえば、Y.Shirotaら、Chem.Rev.2007、107(4)、953−1010に開示の化合物、または先行技術に従いこれらの層に使用されるような他の材料である。
好ましくは、本発明のOLEDは、2つ以上の異なる正孔輸送層を含む。式(I)の化合物は、ここでは、正孔輸送層の1つ以上に、または全てに使用してもよい。好ましい態様において、式(I)の化合物は、正孔輸送層の1つのみ、または2つのみに使用され、他の化合物、好ましくは芳香族アミン化合物が、存在するさらなる正孔輸送層に使用される。式(I)の化合物と共に、好ましくは本発明のOLEDの正孔輸送層において使用されるさらなる化合物はとりわけ、インデノフルオレンアミン誘導体(たとえばWO06/122630またはWO06/100896による)、EP1661888に開示のアミン誘導体、ヘキサアザトリフェニレン誘導体(たとえばWO01/049806による)、縮合芳香族化合物を含むアミン誘導体(たとえばUS5,061,569による)、WO95/09147に開示のアミン誘導体、モノベンゾインデノフルオレンアミン(たとえばWO08/006449による)、ジベンゾインデノフルオレンアミン(たとえばWO07/140847による)、スピロビフルオレンアミン(たとえばWO2012/034627またはWO2013/120577による)、フルオレンアミン(たとえばWO2014/015937、WO2014/015938、WO2014/015935およびWO2015/082056による)、スピロジベンゾピランアミン(たとえばWO2013/083216による)、ジヒドロアクリジン誘導体(たとえばWO2012/150001による)、たとえばWO2015/022051ならびに未公開出願PCT/EP2015/002475およびPCT/EP2016/000084によるスピロジベンゾフランおよびスピロジベンゾチオフェン、たとえばWO2015/131976によるフェナントレジアリールアミン、たとえば未公開出願PCT/EP2015/002225によるスピロトリベンゾトロポロン、たとえば未公開出願PCT/EP2015/002112によるメタフェニルジアミン基を持つスピロビフルオレン、たとえばWO2015/158411によるスピロビスアクリジン、たとえばWO2014/072017によるキサンテンジアリールアミン、ならびにWO2015/086108によるジアリールアミノ基を持つ9,10−ジヒドロアントラセンスピロ化合物である。
電子輸送層に使用される材料は、先行技術に従い電子輸送層に電子輸送材料として使用されるような任意の材料であってもよい。とりわけ適切なのは、アルミニウム錯体、たとえばAlq、ジルコニウム錯体、たとえばZrq、リチウム錯体、たとえばLiq、ベンゾイミダゾール誘導体、トリアジン誘導体、ピリミジン誘導体、ピリジン誘導体、ピラジン誘導体、キノキサリン誘導体、キノリン誘導体、オキサジアゾール誘導体、芳香族ケトン、ラクタム、ボラン、ジアザホスホール誘導体およびホスフィンオキシド誘導体である。さらなる適する材料は、JP2000/053957、WO2003/060956、WO2004/028217、WO2004/080975およびWO2010/072300に開示されるような、上記の化合物の誘導体である。
電子デバイスの好ましいカソードは、低い仕事関数を有する金属、金属合金、または様々な金属、たとえばアルカリ土類金属、アルカリ金属、主族金属もしくはランタノイド(たとえば、Ca、Ba、Mg、Al、In、Mg、Yb、Smなど)で構成される多層構造である。これに加え、適するのは、アルカリ金属またはアルカリ土類金属と銀で構成される合金、たとえばマグネシウムと銀で構成される合金である。多層構造の場合、言及した金属に加え、比較的高い仕事関数を有するさらなる金属、たとえばAgまたはAlを使用することも可能であり、この場合、金属の組合せ、たとえばCa/Ag、Mg/AgまたはBa/Agなどが一般に使用される。高誘電率を有する材料の薄い中間層を金属製カソードと有機半導体との間に導入することが好ましいこともある。この目的に有用な材料の例は、アルカリ金属またはアルカリ土類金属フッ化物に加え、対応する酸化物または炭酸塩(たとえばLiF、LiO、BaF、MgO、NaF、CsF、CsCOなど)である。この目的のためにキノリン酸リチウム(LiQ)を使用することも可能である。この層の層厚は、好ましくは0.5乃至5nmである。
好ましいアノードは、高い仕事関数を有する材料である。好ましくは、アノードは対真空で4.5eVを超える仕事関数を有する。第一に、高い酸化還元電位を有する金属がこの目的に適しており、たとえばAg、PtまたはAuである。第二に、金属/金属酸化物電極(たとえば、Al/Ni/NiO、Al/PtO)が好ましいこともある。用途によっては、電極の少なくとも一方は、有機材料の照射(有機ソーラーセル)または発光(OLED、O−LASER)の何れかを可能とするため、透明または部分的に透明でなければならない。ここでの好ましいアノード材料は、導電性混合金属酸化物である。インジウムスズ酸化物(ITO)またはインジウム亜鉛酸化物(IZO)が特に好ましい。さらに、導電性のドープされた有機材料、とりわけ伝導性のドープされたポリマーが好ましい。加えて、アノードは、2つ以上の層、たとえばITOの内層と、金属酸化物、好ましくはタングステン酸化物、モリブデン酸化物または酸化バナジウムの外層からなっていてもよい。
デバイスは適切に(用途に応じて)構造化され、接点が接続され、水と空気の損傷効果を排除するために、最終的に密閉される。
好ましい一態様において、電子デバイスは、1つ以上の層が昇華プロセスによりコーティングされることを特徴とする。この場合、材料は、真空昇華系において、10−5mbar未満、好ましくは10−6mbar未満の初期圧力で蒸着により付与される。ただし、この場合、初期圧力をさらに低く、たとえば10−7mbar未満とすることも可能である。
同様に、1つ以上の層がOVPD(有機気相堆積)法により、またはキャリアガス昇華の助力によりコーティングされることを特徴とする電子デバイスが好ましい。この場合、材料は、10−5mbar乃至1barの圧力で付与される。この方法の特殊なケースがOVJP(有機蒸気ジェット印刷)法であり、この方法では、材料がノズルにより直接付与され、したがって構造化される(たとえばM.S.Arnoldら、Appl.Phys.Lett.2008、92、053301)。
加えて、1つ以上の層が、溶液から、たとえばスピンコーティングにより、または任意の印刷法、たとえばスクリーン印刷、フレキソ印刷、ノズル印刷もしくはオフセット印刷であるが、より好ましくはLITI(光誘起熱イメージング、熱転写印刷)もしくはインクジェット印刷により生成されることを特徴とする電子デバイスが好ましい。この目的のためには式(I)の可溶性化合物が必要である。高い溶解度は、化合物の適切な置換により実現することができる。
本発明の電子デバイスは、1つ以上の層を溶液から付与し、1つ以上の層を昇華プロセスにより付与することにより製造されることがさらに好ましい。
本発明によると、1つ以上の式(I)の化合物を含む電子デバイスは、照明用途の光源として、医療用および/または美容用途(たとえば、光線療法)の光源として、表示装置に使用することができる。
[例]
A)合成例
化合物ビフェニル−4−イル(9−フェニル−9H−カルバゾール−2−イル)−[1,1’;3’,1”]テルフェニル−2−イル−アミン(1−1)および化合物(1−2)〜(1−22)の合成
中間体I−1:2−ブロモ−[1,1’;3’,1”]−テルフェニルの合成
14.3g(117mmol)のフェニルボロン酸、40g(111.4mmol)の2−ブロモ−3’−ヨード−ビフェニルおよび84mlの2MのKCO水溶液(168mmol)を400mlのトルエンに懸濁させる。この懸濁液に、1.2g(1.2mmol)のテトラキス(トリフェニル)ホスフィンパラジウム(0)を添加する。反応混合物を還流下16時間加熱する。冷却後、有機相を取り出し、シリカゲルを通してろ過し、150mlの水で3回洗浄し、次いで乾燥するまで濃縮する。粗生成物をヘプタン/酢酸エチルと共にシリカゲルを通してろ過した後、29g(85%)の2−ブロモ−[1,1’;3’,1”]−テルフェニルが得られる。
同様の方法で、下記の化合物を調製する:
中間体I−13:5−クロロ−9,9−ジメチル−2−フェニルフルオレンの合成
中間体II−1
8.3gのフェニルボロン酸(68mmol)と20gのジブロモジカルボン酸エステル誘導体(68mmol)を400mlのトルエン、160mlのエタノールおよび80mlの水に懸濁させる。これに、14.4gの炭酸ナトリウムを添加する。溶液を脱気し、Nで飽和させる。その後、0.79g(0.68mmol)のPd(PhP)を添加する。反応混合物を保護雰囲気下で4時間加熱する(80℃)。続いて、混合物をトルエンと水との間で分画し、有機相を水で3回洗浄し、NaSO上で乾燥させ、回転蒸発により濃縮する。粗生成物をヘプタン/酢酸エチルと共にシリカゲルを通してろ過した後、残った残留物をEtOHから再結晶させる。収率は、11.0g(理論値の55%)である。
5.9gの2−クロロフェニルボロン酸(38mmol)と11gの臭素誘導体(38mmol)を200mlのトルエンと70mlの水に懸濁させる。これに7.2gの炭酸ナトリウム(67.6mmol)を添加する。溶液を脱気し、Nで飽和させる。その後、140mg(0.15mmol)のPd(dba)と250mgのSPhos(0.3mmol)を添加する。反応混合物を保護雰囲気下で12時間加熱して沸騰させる。続いて、混合物をトルエンと水との間で分画し、有機相を水で3回洗浄し、NaSO上で乾燥させ、回転蒸発により濃縮する。粗生成物をトルエンと共にシリカゲルを通してろ過した後、残った残留物をEtOHから再結晶させる。収率は、10.4g(理論値の85%)である。
同様の方法で、下記の化合物を調製する:
中間体I−13
10.4g(32.2mmol)の中間体II−1を焼成フラスコ中で100mlの乾燥THFに溶解させる。溶液をNで飽和させる。澄明な溶液を−5℃に冷却し、次いで32.2ml(96.7mmol)の3M塩化メチルマグネシウム溶液を添加する。反応混合物を室温まで徐々に温め、次いで塩化アンモニウムでクエンチする。続いて、混合物を酢酸エチルと水との間で分画し、有機相を水で3回洗浄し、NaSO上で乾燥させ、回転蒸発により濃縮する。回転蒸発により濃縮した溶液をトルエンに溶解させ、8gのAmberlyst15を添加する。混合物を110℃に加熱し、この温度に4時間保持する。この時間の間に白色固体が沈殿する。混合物を次いで室温に冷却し、沈殿した固体を吸引ろ過し、ヘプタンで洗浄する。残留物を減圧下40℃で乾燥させる。粗生成物をヘプタン:酢酸エチル、1:1と共にシリカゲルを通してろ過した後、9.3g(理論値の90%)の生成物が得られる。
同様の方法で、下記の化合物を調製する:
ビフェニル−4−イル(9−フェニル−9H−カルバゾール−2−イル)−[1,1’;3’,1”]テルフェニル−2−イル−アミン)(化合物1−1)および化合物(1−2)〜(1−14)の合成
16.2gのビフェニル−4−イル(9−フェニル−9H−カルバゾール−2−イル)アミン(48.5mmol)と15gの2−ブロモ−[1,1’;3’,1”]−テルフェニル(48.5mmol)を300mlのトルエンに溶解させる。溶液を脱気し、Nで飽和させる。その後、これに1.94ml(1.94mmol)の1Mのトリ−tert−ブチルホスフィン溶液と0.89g(0.97mmol)のPd(dba)を添加する。続いて、7.0gのナトリウムtert−ブトキシド(72.8mmol)を添加する。反応混合物を保護雰囲気下で5時間加熱して沸騰させる。続いて、混合物をトルエンと水との間で分画し、有機相を水で3回洗浄し、NaSO上で乾燥させ、回転蒸発により濃縮する。粗生成物をトルエンと共にシリカゲルを通してろ過した後、残った残留物をヘプタン/トルエンから再結晶させる。22.3g(理論値の72%)の残留物を最終的に高真空下で昇華させる。
同様の方法で、下記の化合物を調製する:
B)デバイス例
例示的OLEDを、下記の一般的方法に従い製造する:
使用した基板は、構造化されたITO(インジウムスズ酸化物)の厚さ50nmの層でコーティングされたガラスプラークである。これに下記の層構造が付与される:正孔注入層(HIL)/正孔輸送層(HTL)/電子阻止層(EBL)/発光層(EML)/電子輸送層(ETL)/電子注入層(EIL)/カソード。カソードは、厚さ100nmのアルミニウム層からなる。例示的OLEDの対応する層に使用される材料を表1に示し、これらの材料の化学構造を表3に挙げる。
材料は、真空チャンバにおいて熱気相堆積によって付与される。ここでの発光層は常に、2種のマトリックス材料(ホスト)と、共蒸発により特定の体積割合でマトリックス材料に添加される発光ドーパント(発光体)からなる。したがって、材料の後のパーセンテージは、体積パーセントとして理解すべきである。同じことが、発光層以外の層にも当てはまる。これらは同様に、これに対応して2種以上の材料を含有してもよい。
OLEDは、標準的な方法により特徴決定される。この目的のため、エレクトロルミネッセンススペクトル、および電流−電圧−輝度特性(IUL特性)から計算される輝度の関数としての外部量子効率(EQE、%単位で測定)を判定する。これは、ランバート発光特性を仮定して行われる。加えて、作動電圧を判定する(U、V単位)。
EQE@1000cd/mは、1000cd/mの作動光束密度での外部量子効率である。EQE@10mA/cmは、10mA/cmの電流密度での外部量子効率である。
緑色リン光OLEDのEBLにおける化合物の使用
OLED例C1〜I12は、表1aに示す層構造を有し、EBLは、各場合において、本発明の化合物1−1、1−2、1−3、1−4、1−6、1−7、1−10、1−14、1−15、1−16、1−17および1−18のうちの1種を含有する。
全ての場合において、本発明のOLEDは、作動電圧およびEQEに関して良好な結果を達成する(表2a)。さらに、本発明のOLEDは、良好な寿命を有する。
N−結合カルバゾールを含有する化合物、たとえば化合物1−13などを用いた場合でも、表2aに示すように、匹敵する電力データを有するOLEDを得ることが可能である。
青色蛍光OLEDのHILおよびHTLにおける化合物の使用
OLED例I13〜I15は、表1bに示す層構造を有し、正孔輸送層HILおよびHTLが、それぞれ本発明の化合物1−15、1−17および1−18のうちの1種を含有する。
全ての場合において、本発明のOLEDは、作動電圧およびEQEに関して良好な結果を達成する(表2b)。さらに、本発明のOLEDは、良好な寿命を有する。
青色蛍光OLEDのEBLにおける化合物の使用
OLED例I16およびI17は、表1cに示す層構造を有し、EBLが、各場合において本発明の化合物1−15および1−16のうちの1種を含有する。
全ての場合において、本発明のOLEDは、作動電圧およびEQEに関して良好な結果を達成する(表2c)。さらに、本発明のOLEDは、良好な寿命を有する。

Claims (17)

  1. 式(I)
    (式中、出現する可変基は、下記の通りである:
    は、それぞれの場合において同じであるかまたは異なり、CRおよびNから選択され、ここで、Zは、ArまたはT基がそれに結合している場合はCであり;
    Arは、それぞれの場合において同じであるかまたは異なり、6〜30個の芳香族環原子を有し、1つ以上のRラジカルにより置換されていてもよい芳香族環系であり;
    Arは、式(A)または(B)
    に対応し;
    は、それぞれの場合において同じであるかまたは異なり、CRまたはNであり、ここで、Zは、L基がそれに結合している場合はCであり;
    は、単結合、または6〜30個の芳香族環原子を有し、1つ以上のRラジカルにより置換されていてもよい芳香族環系、または5〜30個の芳香族環原子を有し、1つ以上のRラジカルにより置換されていてもよいヘテロ芳香族環系であり;
    Arは、式(A)もしくは式(B)に対応するか、または6〜30個の芳香族環原子を有し、1つ以上のRラジカルにより置換されていてもよい芳香族環系、または5〜30個の芳香族環原子を有し、1つ以上のRラジカルにより置換されていてもよいヘテロ芳香族環系であり;
    Tは、C(R、Si(R、NR、OおよびSから選択され;
    、R、R、Rは、それぞれの場合において同じであるかまたは異なり、H、D、F、C(=O)R、CN、Si(R、N(R、P(=O)(R、OR、S(=O)R、S(=O)、1〜20個の炭素原子を有する直鎖アルキルまたはアルコキシ基、3〜20個の炭素原子を有する分枝または環状アルキルまたはアルコキシ基、2〜20個の炭素原子を有するアルケニルまたはアルキニル基、6〜40個の芳香族環原子を有する芳香族環系、および5〜40個の芳香族環原子を有するヘテロ芳香族環系から選択され;ここで、2つ以上のRまたはRまたはRまたはRラジカルは、互いに結合していても、環を形成していてもよく;言及した前記アルキル、アルコキシ、アルケニルおよびアルキニル基、ならびに言及した前記芳香族環系およびヘテロ芳香族環系は、それぞれ1つ以上のRラジカルにより置換されていてもよく;言及した前記アルキル、アルコキシ、アルケニルおよびアルキニル基中の1つ以上のCH基は、−RC=CR−、−C≡C−、Si(R、C=O、C=NR、−C(=O)O−、−C(=O)NR−、NR、P(=O)(R)、−O−、−S−、SOまたはSOにより置きかえられていてもよく;
    は、それぞれの場合において同じであるかまたは異なり、H、D、F、C(=O)R、CN、Si(R、N(R、P(=O)(R、OR、S(=O)R、S(=O)、1〜20個の炭素原子を有する直鎖アルキルまたはアルコキシ基、3〜20個の炭素原子を有する分枝または環状アルキルまたはアルコキシ基、2〜20個の炭素原子を有するアルケニルまたはアルキニル基、6〜40個の芳香族環原子を有する芳香族環系、および5〜40個の芳香族環原子を有するヘテロ芳香族環系から選択され;ここで、2つ以上のRラジカルは、互いに結合していても、環を形成していてもよく;言及した前記アルキル、アルコキシ、アルケニルおよびアルキニル基、ならびに言及した前記芳香族環系およびヘテロ芳香族環系は、それぞれ1つ以上のRラジカルにより置換されていてもよく;言及した前記アルキル、アルコキシ、アルケニルおよびアルキニル基中の1つ以上のCH基は、−RC=CR−、−C≡C−、Si(R、C=O、C=NR、C(=O)O−、−C(=O)NR−、NR、P(=O)(R)、−O−、−S−、SOまたはSOにより置きかえられていてもよく;
    は、それぞれの場合において同じであるかまたは異なり、H、D、F、CN、1〜20個の炭素原子を有するアルキルまたはアルコキシ基、2〜20個の炭素原子を有するアルケニルまたはアルキニル基、6〜40個の芳香族環原子を有する芳香族環系および5〜40個の芳香族環原子を有するヘテロ芳香族環系から選択され;ここで、2つ以上のRラジカルは、互いに結合していても、環を形成していてもよく;言及した前記アルキル、アルコキシ、アルケニルおよびアルキニル基、芳香族環系およびヘテロ芳香族環系は、FまたはCNにより置換されていてもよく;
    mは、0または1であり;
    iは、0、1、2、3、4または5であり;
    kは、0、1、2、3または4であり;
    ここで、kとiの合計は、少なくとも1であり;
    Ar基は、それらが結合している6員環とそれぞれ2価基Yを介して連結されていてもよく、
    Yは、それぞれの場合において同じであるかまたは異なり、C(R、Si(R、NR、OおよびSから選択される)
    の化合物。
  2. がCRであり、ここで、Zは、ArまたはT基がそれに結合している場合はCであること、およびZがCRであり、ここで、Zは、L基がそれに結合している場合はCであることを特徴とする、請求項1に記載の化合物。
  3. Arが、それぞれの場合において同じであるかまたは異なり、フェニル、ビフェニル、テルフェニル、クアテルフェニル、ナフチル、アントラセニル、フルオレニル、インデノフルオレニルおよびフェナントレニルから選択され、ここで、言及した前記基は、それぞれ1つ以上のRラジカルにより置換されていてもよいことを特徴とする、請求項1または2に記載の化合物。
  4. 前記化合物には2つ以下のAr基が存在することを特徴とする、請求項1〜3の何れか1項に記載の化合物。
  5. 前記化合物には1つ以下のAr基が存在し、このAr基は、1つ以上のRラジカルにより置換されていてもよいフェニル基であり、この基Arは、それが結合している6員環に基Yを介して連結されており、ここで、前記Ar基、Y架橋、および前記Y架橋と前記Ar基が結合している前記6員環は、前記6員環と前記Ar基との間に挿入され、かつ前記6員環および前記Ar基と共に縮合単位を形成する、5員環を形成することを特徴とする、請求項1〜4の何れか1項に記載の化合物。
  6. 前記縮合単位が、フルオレン、スピロビフルオレン、カルバゾール、ジベンゾフランおよびジベンゾチオフェンから選択され、これらのそれぞれは、RおよびRにより置換されていてもよいことを特徴とする、請求項5に記載の化合物。
  7. Arが、下記の式の群
    から選択されることを特徴とする、請求項1〜6の何れか1項に記載の化合物。
  8. Arが、フェニル、ビフェニル、テルフェニル、フルオレニル、フルオレニル−フェニル、ナフチル、ナフチル−フェニル、スピロビフルオレニル、スピロビフルオレニル−フェニル、ピリジル、ピリミジル、トリアジニル、ジベンゾフラニル、ジベンゾフラニル−フェニル、ベンゾ縮合ジベンゾフラニル、ジベンゾチオフェニル、ジベンゾチオフェニル−フェニル、ベンゾ縮合ジベンゾチオフェニル、カルバゾリル、カルバゾリル−フェニルおよびベンゾ縮合カルバゾリル、ならびにこれらの基の2つ、3つまたは4つの組合せから選択され、ここで、言及した前記基は、それぞれ1つ以上のRラジカルにより置換されていてもよいことを特徴とする、請求項1〜7の何れか1項に記載の化合物。
  9. 、R、RおよびRが、それぞれの場合において同じであるかまたは異なり、H、D、F、CN、Si(R、N(R、1〜20個の炭素原子を有する直鎖アルキル基、3〜20個の炭素原子を有する分枝または環状アルキル基、6〜40個の芳香族環原子を有する芳香族環系および5〜40個の芳香族環原子を有するヘテロ芳香族環系から選択され;ここで、言及した前記アルキル基、言及した前記芳香族環系および言及した前記ヘテロ芳香族環系は、それぞれ1つ以上のRラジカルにより置換されていてもよく;言及した前記アルキル基中の1つ以上のCH基は、−C≡C−、−RC=CR−、Si(R、C=O、C=NR、NR−、−O−、−S−、−C(=O)O−または−C(=O)NR−により置きかえられていてもよいことを特徴とする、請求項1〜8の何れか1項に記載の化合物。
  10. 式(I−1−1)〜(I−1−3)および(I−2−1)〜(I−2−3)
    (式中、式(I−1−1)〜(I−1−3)については、下記が適用される:
    iは、0または1であり、
    kは、0または1であり、
    kとiの合計は、1または2、好ましくは1であり、
    ベンゼン環上のフリーの位置は、それぞれRラジカルにより置換されていてもよく、
    2価基Yは存在しない;
    式(I−2−1)〜(I−2−3)については、下記が適用される:
    Yは、C(R、Si(R、NR、OおよびSから、好ましくはC(R、NR、OおよびSから選択され;
    ベンゼン環上のフリーの位置は、それぞれRラジカルにより置換されていてもよい)
    に対応することを特徴とする、請求項1〜9の何れか1項に記載の化合物。
  11. 第1の工程i)において、反応基XおよびYにより置換されたビフェニル誘導体(ここで、基Xは、2つのフェニル基間の結合に対してオルト位置に存在する)を、ボロン酸基により置換されている芳香族またはヘテロ芳香族環系と反応させ、その結果、前記芳香族またはヘテロ芳香族環系が前記Y基の位置に導入されること、および第2の工程ii)において、工程i)で得られる中間体を式HNArの化合物と反応させ(式中、Arは、芳香族環系およびヘテロ芳香族環系から選択される)、この反応において、−NAr基が前記X基の位置に導入されることを特徴とする、請求項1〜10の何れか1項に記載の化合物を調製するための方法。
  12. 請求項1〜10の何れか1項に記載の1種以上の化合物を含有するオリゴマー、ポリマーまたはデンドリマーであって、前記ポリマー、オリゴマーまたはデンドリマーへの結合(複数可)が、式(I)中のR、R、RまたはRにより置換されている任意所望の位置に局在していてもよい、オリゴマー、ポリマーまたはデンドリマー。
  13. 請求項1〜10の何れか1項に記載の少なくとも1種の化合物と、少なくとも1種の溶媒を含む調合物。
  14. 請求項1〜10の何れか1項に記載の少なくとも1種の化合物を含む電子デバイス。
  15. アノード、カソードおよび少なくとも1つの発光層を含む有機エレクトロルミネッセントデバイスであって、前記少なくとも1種の化合物を含有するのが、発光層または正孔輸送層であってもよい前記デバイスの少なくとも1つの有機層であることを特徴とする、請求項14に記載の電子デバイス。
  16. 少なくとも1種の前記式(I)の化合物を含む少なくとも1つの電子阻止層を含むことを特徴とする、請求項15に記載のデバイス。
  17. 請求項1〜10の何れか1項に記載の化合物の電子デバイスにおける使用。
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