JP2019168667A

JP2019168667A - 表示パネル及び表示パネルを製造する方法

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Publication number: JP2019168667A
Application number: JP2018109892A
Authority: JP
Inventors: 柏宏潘; Bai Hong Pan
Original assignee: Himax Display Inc
Current assignee: Himax Display Inc
Priority date: 2018-03-21
Filing date: 2018-06-08
Publication date: 2019-10-03
Anticipated expiration: 2038-06-08
Also published as: TW201940936A; US10514571B2; KR102087870B1; CN110297351A; TWI683153B; CN110297351B; EP3543773A1; KR20190110918A; US20190293994A1; EP3543773B1; JP6814767B2

Abstract

【課題】紫外線に敏感なコンポーネントに悪影響を及ぼし、寿命を縮めることを防止する表示パネル、およびその製造方法を提供する。【解決手段】表示パネル２００Ａは、第２領域１０４を囲む第１領域１０２を有する。表示パネルは、上基板１３０と、上基板に対向する下基板１６０と、第１領域内に位置するシール剤１５０と、上基板、下基板、及びシール剤に閉じ込められた表示媒体層１４０とを含む。パターン遮光層１１０が、第１領域で上基板の上面に配置される。光フィルタ層１２０が、表示パネルの第２領域で上基板に配置される。光フィルタ層は、約３００ｎｍ〜約４１０ｎｍの範囲の波長の透過率を少なくとも約２０％〜約５０％低下させ、約４５０ｎｍ〜約８００ｎｍの範囲の波長の光に関する光フィルタ層の透過率は、少なくとも約８０％〜９５％である。【選択図】図２Ａ

Description

本発明は、概して電子装置及び電子装置を製造する方法に関し、特に表示パネル及び表示パネルを製造する方法に関する。

通常の液晶表示パネルでは、液晶材料を含む層が上基板と下基板との間に挟まれている。上基板及び下基板は、シール剤又は接着剤を介して組み合わせられる。さらに、液晶表示パネルは、上基板と下基板との間に形成された能動素子、電極、配向層等の他のコンポーネントをさらに含み得る。一部のコンポーネントは、ＵＶ（紫外）光に対する耐性が低い場合がある。ＵＶ硬化型接着剤を用いて上基板と下基板とを組み立てる場合、ＵＶ光での照射ステップがそれらの紫外線に敏感な（UV sensitive）コンポーネントの老化又は劣化を加速させ得る。あるいは、外部からのＵＶ光がそれらの紫外線に敏感なコンポーネントに悪影響を及ぼして、液晶パネルの寿命を縮めることもあり得る。

外部からのＵＶ光が、それらの紫外線に敏感なコンポーネントの老化又は劣化を加速させ且つそれらの紫外線に敏感なコンポーネントに悪影響を及ぼして、液晶パネルの寿命を縮めることがあり得る。

したがって、本発明は、光フィルタ層を含む表示パネルを対象とする。

したがって、本発明は、光フィルタ層を含む表示パネルを製造する方法を対象とする。

一実施形態によれば、表示パネルは、第１領域と、第１領域に隣接して位置する第２領域を有し得る。表示パネルは、上基板と、上基板に対向して配置された下基板と、上基板と下基板との間に配置されて表示パネルの第１領域内に位置するシール剤と、上基板、下基板、及びシール剤に閉じ込められた表示媒体層とを含み得る。パターン遮光層が、表示パネルの第１領域で上基板の上面に配置される。光フィルタ層が、第２領域で上基板に配置される。光フィルタ層は、約３００ｎｍ〜約４１０ｎｍの範囲の波長の透過率を少なくとも約２０％〜約５０％低下させることができ、約４５０ｎｍ〜約８００ｎｍの範囲の波長の光に関する光フィルタ層の透過率は、少なくとも約８０％〜９５％であり得る。通常は、表示パネルで用いられる上基板の透過率は、３００ｎｍの波長では約３０％、４１０ｎｍの波長では約９２％である。

一実施形態によれば、光フィルタ層は、表示パネルの第１領域を露出させ得る。

一実施形態によれば、約５００ｎｍ〜約８００ｎｍの範囲の波長の光に関する光フィルタ層の透過率は、少なくとも８５％〜９５％である。

一実施形態によれば、光フィルタ層の材料は無機材料であり得る。

一実施形態によれば、光フィルタ層の材料は、ＺｎＯ又はマグネシウム等の他の金属でのドープＺｎＯを含み得る。

一実施形態によれば、光フィルタ層は、複数の薄膜により構成され、複数の薄膜は薄膜毎に異なる材料を含み得る。

一実施形態によれば、上基板は表示パネルの第２領域に凹部を有し、光フィルタ層はそこに配置される。

一実施形態によれば、上基板は表示パネルの第１領域に凹部を有し、パターン遮光層はそこに配置される。

一実施形態によれば、反射防止層が、ディスプレイの第２領域で上基板の上面にさらに配置され得る。

一実施形態によれば、表示パネルの第１領域におけるパターン遮光層は、表示パネルの第２領域における反射防止層の一部と面一であり得る。

一実施形態によれば、反射防止層は、表示パネルの第１領域に延び得ると共にパターン遮光層と接触し得る。

一実施形態によれば、光フィルタ層は、反射防止層の上面と接触し得る。

一実施形態によれば、表示パネルは、表示パネルの第２領域に延びる疎水層をさらに含み得る。

一実施形態によれば、表示パネルは、表示媒体層に接触した配向層をさらに含むことができ、配向層は有機材料製である。

一実施形態によれば、表示パネルを製造する方法は以下のステップを含み得る。第２領域に隣接して第２領域を囲む第１領域に位置するシール剤を介して、上基板を下基板と組み合わせる。表示媒体層を第２領域で上基板と下基板との間に形成し、表示媒体層を上基板、下基板、及びシール剤で閉じ込める。光フィルタ層を表示パネルの第２領域で上基板の上面に形成し、光フィルタ層は、約３００ｎｍ〜約４１０ｎｍの範囲の波長の光の透過率を少なくとも約２０％〜約５０％低下させ、約４５０ｎｍ〜約８００ｎｍの範囲の波長の光に関する光フィルタ層の透過率は、少なくとも約８０％〜９５％である。パターン遮光層を第１領域で上基板の上面に形成する。

一実施形態によれば、シール剤はＵＶ硬化型シール剤である。

一実施形態によれば、光フィルタ層の形成は、シール剤を介して上基板と下基板とを組み立てる前に行い、光フィルタ層は第１領域を露出させる。

一実施形態によれば、シール剤の硬化中にマスクを用いて第２領域を遮蔽し、シール剤の硬化後にマスクを除去する。

一実施形態によれば、光フィルタ層はさらに、約１５０℃〜約４００℃の範囲の温度で約１０分間〜約３時間の範囲の時間にわたって焼鈍する。

一実施形態によれば、光フィルタ層の形成前に上基板の一部を除去して凹部を形成し、光フィルタ層及びパターン遮光層の少なくとも一方を凹部内に配置する。

一実施形態によれば、反射防止層を上基板の上面にさらに形成する。

一実施形態によれば、パターン遮光層の形成前に疎水層をさらに形成し、疎水層は第１領域で空白である。

一実施形態によれば、表示媒体層に接触した配向層をさらに形成し、配向層の材料は有機材料である。

上記に鑑みて、光フィルタ層は、表示パネルの第２領域で上基板の外面に配置される。光フィルタ層は、入射ＵＶ光を減衰させて紫外線に敏感なコンポーネントがＵＶ光照射を受けないようにすることができる。したがって、表示パネルの光フィルタ層は、表示パネルの紫外線に敏感なコンポーネントにとって望ましい保護機能を提供することができる。光フィルタ層の上面を、防塵性又は耐水性を与えるようにさらに機能化することも可能であり得る。

添付図面は、本発明の理解を促すために含まれるものであり、本明細書に包含されてその一部を構成する。図面は、本発明の実施形態を示すものであり、説明と併せて本発明の原理を説明する役割を果たす。

本開示の一実施形態に従って表示パネルの上面図を概略的に示す。本開示のいくつかの実施形態による表示パネルの断面図を示す。本開示の一実施形態に従って製造方法のステップの一部を施されている表示パネルの概略断面図を示す。本開示の一実施形態に従って製造方法のステップの一部を施されている表示パネルの概略断面図を示す。本開示の一実施形態に従って製造方法のステップの一部を施されている表示パネルの概略断面図を示す。本開示の一実施形態に従って製造方法のステップの一部を施されている表示パネルの概略断面図を示す。本開示のいくつかの実施形態による表示パネルの断面図を示す。本開示のいくつかの実施形態による表示パネルの断面図を示す。本開示のいくつかの実施形態による表示パネルの断面図を示す。本開示のいくつかの実施形態による表示パネルの断面図を示す。本開示のいくつかの実施形態による表示パネルの断面図を示す。本開示のいくつかの実施形態による表示パネルの断面図を示す。本開示のいくつかの実施形態による表示パネルの断面図を示す。本開示のいくつかの実施形態による表示パネルの断面図を示す。本開示のいくつかの実施形態による表示パネルの断面図を示す。本開示のいくつかの実施形態による表示パネルの断面図を示す。本開示のいくつかの実施形態による表示パネルの断面図を示す。本開示のいくつかの実施形態による表示パネルの断面図を示す。本開示のいくつかの実施形態による表示パネルの断面図を示す。本開示のいくつかの実施形態による表示パネルの断面図を示す。本開示のいくつかの実施形態による表示パネルの断面図を示す。本開示のいくつかの実施形態による表示パネルの断面図を示す。本開示のいくつかの実施形態による表示パネルの断面図を示す。本開示のいくつかの実施形態による表示パネルの断面図を示す。本開示のいくつかの実施形態による表示パネルの断面図を示す。

図中、疎水層１８０は、図面の明確化のために実施形態の他のコンポーネントと比べて厚さを大幅に拡大して表されている。

次に、添付図面に例を示す本発明の現在の好適な実施形態を詳細に参照する。可能な場合は常に、図面及び説明において同一又は同様の部分を指すのに同じ参照符号を用いる。

本発明の開示において、位置関係を説明するために用いられる「要素Ａは要素Ｂの上に配置される」という表現は、要素Ａと要素Ｂとの間に他の要素が全くない場合だけでなく、１つ又は複数の他の要素が要素Ａと要素Ｂとの間に配置される可能性を包含する。

図１は、本開示の一実施形態に従って表示パネル１００の上面図を概略的に示す。表示パネル１００は、第１領域１０２と、第１領域１０２に隣接して位置する第２領域１０４とを含み得る。第１領域１０２は、上から見るとフレーム状のパターンを有し得ると共に、第２領域１０４を囲み得る。さらに、表示パネル１００は、第１領域１０２内に位置するパターン遮光層１１０と、第２領域１０４内に位置する光フィルタ層１２０とを含み得る。具体的には、パターン遮光層１１０は、本実施形態では第１領域１０２に沿って配置されたフレーム状パターンを有し、光フィルタ層１２０を囲む。第１領域１０２は、パターン遮光層１１０が配置される領域と考えることができ、第２領域１０４は、光フィルタ層１２０が配置される領域と考えることができる。

表示パネル１００は、周辺領域１０６をさらに含み得る。周辺領域１０６は、図１に示すように上から見るとフレーム状パターンを有し得ると共に、第１領域１０２を囲み得る。換言すれば、周辺領域１０６は、第１領域１０２と表示パネル１００の外縁Ｅ１００との間に位置し得る。周辺領域１０６の一部又は全体が、例えば製造プロセス中に除去されたために代替的な実施形態による表示パネル１００には存在しない場合がある。

パターン遮光層１１０は、遮光効果を有する。したがって、表示パネル１００の表示光がパターン遮光層１１０により遮断又は遮蔽されるので、表示画像は、表示区域と考えることができる第２領域１０４に提示される。可視光に関するパターン遮光層１１０の透過率は非常に低いので、人間の眼は、パターン遮光層１１０を通過する可視光を認識できない。光フィルタ層１２０は、約３００ｎｍ〜約４１０ｎｍの範囲の波長の光の透過率を少なくとも約２０％〜約５０％低下させることができ、約４５０ｎｍ〜約８００ｎｍの範囲の波長の光に関する光フィルタ層１２０の透過率は、少なくとも約８０％〜９５％である。すなわち、第２領域１０４における可視光透過率は、第１領域１０２における可視光透過率よりも大幅に高くなり得るので、表示パネル１００の表示画像は、第２領域１０４に提示される。

図２Ａは、本開示の一実施形態による表示パネル２００Ａの断面図を示す。図２Ａの断面図に示すように、表示パネル２００Ａは、パターン遮光層１１０と、光フィルタ層１２０と、上基板１３０と、表示媒体層１４０と、シール剤１５０と、下基板１６０とを含み得る。具体的には、表示パネル２００Ａは、図１に示すものと同様の上面図を有することができ、上面図でのパターン遮光層１１０及び光フィルタ層１２０の配置は、図１に示すものと同様であり得る。

具体的には、表示パネル２００Ａは、第１領域１０２と、第２領域１０４と、周辺領域１０６とを有し得る。上基板１３０は、下基板１６０に対向して位置決めされる。表示媒体１４０は、上基板１３０と下基板１６０との間に配置され、シール剤１５０で囲まれる。さらに、パターン遮光層１１０及び光フィルタ層１２０は、両方が上基板１３０の上面１３０ｕに配置される。パターン遮光層１１０は第１領域１０２に位置し、光フィルタ層１２０は第２領域１０４に位置する。

表示パネル２２０Ａは、電極層１７２及び反射防止層１７４をさらに含み得る。電極層１７２は、電極層１７２が上基板１３０と表示媒体層１４０との間に位置するように表示媒体層１４０に近い上基板１３０の下面１３０ｂに配置される。反射防止層１７４は、上基板１３０の上面１３０ｕに配置され得る。反射防止層１７４が上基板１３０の上面１３０ｕ全体に延び得る一方で、パターン遮光層１１０は、第１領域１０２内で反射防止層１７４上に配置され得る。反射防止層１７４の材料は、酸化ケイ素又は酸化チタンであり得る。反射防止層１７４は、例えばＳｉＯ_ｘ−ＴｉＯ_ｘ−ＳｉＯ_ｘ−ＴｉＯ_ｘ−ＳｉＯ_ｘの構造を有し得るがそれに限定されない積み重ね多層薄膜であり得る。積み重ね多層薄膜の各ＳｉＯ_ｘ層の厚さは、５ｎｍ〜３００ｎｍの範囲にあり得るが、積み重ね多層薄膜の各ＴｉＯ_ｘ層の厚さは、５ｎｍ〜１００ｎｍの範囲にあり得る。ＳｉＯ_ｘ及びＴｉＯ_ｘの５５０ｎｍの波長での反射率は、それぞれ１．５及び２．３に近いものであり得る。

表示媒体層１４０は、１層の液晶により構成され得るので、上基板１３０、下基板１６０、表示媒体層１４０、及びシール剤１５０は、液晶セルとして働くことがきるが、それに限定されない。表示パネル２００Ａはさらに、表示媒体層１４０の材料を配向させるために２つの配向層１４２及び１４４を含み得る。配向層１４２は、上基板１３０上に配置されて上基板１３０と表示媒体層１４０との間に位置する。配向層１４４は、下基板１６０上に配置されて下基板１６０と表示媒体層１４０との間に位置する。表示媒体層１４０は、配向層１４２及び１４４と接触することができる。いくつかの実施形態では、表示媒体層１４０の特性に従って、配向層１４２及び１４４の一方のみが存在し得る。いくつかの代替的な実施形態での表示パネル２００Ａは、配向層を含まない場合がある。配向層１４２及び１４４は、無機材料又は有機材料製であり得る。例えば、配向層１４２及び１４４の材料は、ポリイミド又は加熱蒸発（thermal evaporation）による斜め蒸着酸化ケイ素であり得る。

さらに、図面は下基板１６０を板状構造として示しているが、下基板１６０は、ガラス板等の別の支持基板から成るトランジスタアレイ基板、又はシリコンバックプレーン（図示せず）及びその上の薄膜トランジスタアレイ若しくはＣＯＭＳ（相補型金属酸化膜半導体）素子アレイ等のトランジスタアレイ（図示せず）とすることができ、その場合、トランジスタアレイ及び電極層１７２を用いて、表示媒体層１４０を駆動するための駆動電界を提供することができる。いくつかの実施形態では、表示パネル２００Ａは、薄膜トランジスタ液晶表示（ＴＦＴ−ＬＣＤ）パネル又はＬＣｏＳ（ＬｉｑｕｉｄＣｒｙｓｔａｌｏｎＳｉｌｉｃｏｎ）表示パネルであり得る。いくつかの代替的な実施形態では、表示パネル２００Ａの駆動回路設計に基づいて電極層１７２を省くことができる。電極層１７２は、ＩＴＯ製又は導電性且つ表示光に対して透明な他の材料製とすることができ、上基板１３０はガラス製とすることができるが、これらに限定されない。

パターン遮光層１１０は、表示パネル２００Ａの第１領域１０２で反射防止層１７４上に配置されて反射防止層１７４の上面１７４ａと接触し得る。パターン遮光層１１０は、鮮明なパターン及び直線性の良好な縁を呈することができる。光フィルタ層１２０は、表示パネル２００Ａの第２領域１０４で、反射防止層１７４の上に配置され得る。パターン遮光層１１０と同様に、光フィルタ層１２０は、反射防止層１７４の上面１７４ａと接触することができる。光フィルタ層１２０の下面１２０ｂは、パターン遮光層１１０の下面１１０ｂと面一であり得る。光フィルタ層１２０は、表示パネル２００Ａの第２領域１０４が第１領域１０２で囲まれるのと同じようにパターン遮光層１１０で囲まれ得る。

光フィルタ層１２０は、上基板１３０及び／又は反射防止層１７４よりもＵＶ光に関して低い透過率を示し得る。例えば、光フィルタ層１２０は、約３００ｎｍ〜約４１０ｎｍの範囲の波長の光の透過率を約２０％〜約５０％低下させることができる。換言すれば、電極層１７２、上基板１３０、及び反射防止層１７４のスタックを通過する際の約３００ｎｍ〜約４１０ｎｍの範囲の波長の光の透過率がＸ％である場合、電極層１７２、上基板１３０、反射防止層１７４、及び光フィルタ層１２０のスタックを通過する際の約３００ｎｍ〜約４１０ｎｍの範囲の波長の光の透過率がＹ％であり得ると共に、透過率差（Ｘ％−Ｙ％）が少なくとも２０％であり得る。換言すれば、光フィルタ層１２０は、入射ＵＶ光の量を低減することにより、表示パネル２００Ａの敏感なコンポーネントにとって有害な可能性のある放射線からの保護をもたらすことができる。

同時に、光フィルタ層１２０は、高い可視光透過率を示して表示パネル２００Ａの色忠実度を保つことができる。光フィルタ層１２０は、例えば、約４５０ｎｍ〜約５００ｎｍの範囲の波長の光の少なくとも約８０％〜約９５％を透過させることができる。いくつかの代替的な実施形態では、約５００ｎｍ〜約８００ｎｍの範囲の波長の光に関する光フィルタ層１２０の透過率は、８５％よりも高く約９５％までであり得る。すなわち、光フィルタ層１２０の存在は、ＵＶ光等の光スペクトルの有害部分から光に敏感な（photosensitive）コンポーネントを保護しつつ、色を忠実に再現する表示パネル２００Ａの能力に影響を及ぼさない。

光フィルタ層１２０は、所望の透過率特性を示す任意の適当な材料製であり得る。いくつかの実施形態では、光フィルタ層１２０は無機材料製とすることができ、かかる無機材料は、酸化亜鉛又は化学式Ｚｎ_{（１−ｘ）}Ｍｇ_ｘＯ若しくはＺｎ_{（１−ｘ）}Ｍｎ_ｘＯに従ってマグネシウム又はマンガンでドープした酸化亜鉛を含むことができ、式中、ｘはドーパント（Ｍｇ又はＭｎ）の原子によって置換された亜鉛原子の割合を示す。いくつかの代替的な実施形態では、光フィルタ層１２０は、複数の異なる材料の膜で構成され得る。例えば、第１膜は酸化亜鉛を含むことができ、第２膜は酸化セリウム又は酸化銅を含むことができる。提示した化学式は例示にすぎず、光フィルタ層１２０を構成し得る複数の膜の数、順序、又は組成物を制限する意図はない。光フィルタ層１２０の厚さに特に制限はなく、設計要件に応じて調整することができる。同様に、光フィルタ層１２０の形状は、任意の所望のパターンに応じて形成できるので、制限を課されない。例えば、光フィルタ層１２０は、角形又は丸形のコーナを呈し得る。

本実施形態では、光フィルタ層１２０の上面１２０ｕ及び反射防止層１７４の上面１７４ａは、周辺領域１０６ではシラン表面処理等の疎水化を施されて疎水性材料の層を形成し得る。微視的観点では、光フィルタ層１２０の上面１２０ｕ及び反射防止層１７４の上面１７４ａは、周辺領域１０６では疎水性材料で機能化されて疎水層１８０を形成することで、疎水性を得ることができる。疎水層１８０を形成する材料は、シラン、フッ化シラン、長鎖アルコール又は酸を含み得るが、これらに限定されない。疎水層１８０の厚さは、約０．１ナノメートル〜約９０ナノメートルの範囲にあり得る。疎水層１８０は多数の目的を果たす。例えば、疎水層１８０は、周囲環境からの浸入水から表示パネル２００Ａをさらに保護することができる。さらに、露出した疎水層１８０は、製造プロセス中に鋭い縁及び良好な直線性を有するパターン遮光層１１０を形成するのに役立ち得る。

図２Ｂ〜図２Ｆには、本開示の一実施形態による図２Ａの表示パネル２００Ａの製造方法の概略断面図が示されている。図２Ｂに示す実施形態では、シール剤１５０を介して上基板１３０と下基板１６０とを組み立て、このとき表示媒体層１４０を上基板１３０と下基板１６０との間に充填してシール剤１５０で囲む。ブランケット反射防止層１７４は、上基板１３０の上面１３０ｕに形成することができ、電極層１７２は、上面１３０ｕとは反対側の上基板１３０の下面１３０ｂに形成することができる。さらに、配向層１４２及び配向層１４４を、上基板１３０及び下基板１６０の上に、いずれも表示媒体層１４０と物理的に接触させてそれぞれ配置する。本実施形態では、シール剤１５０はＵＶ硬化型シール剤であり得る。換言すれば、約４００ｎｍ未満の波長を有する硬化光１０（ＵＶ光）での照射が必要であり得る。硬化光１０は、用いるシール剤１５０の材料に応じて約３６５ｎｍの最大強度を有し得る。代替的に、シール剤１５０は、３６５ｎｍの波長のＵＶ光で主に硬化し得る。照射ステップ中に必要な硬化光１０は、いくつかの既存のコンポーネント、例えば２つの配向層１４２及び１４４にとって有害であり得る。例えば、配向層１４２及び１４４が有機配向材料製である場合、配向層１４２及び１４４は、高線量又はＵＶ光への長期暴露の影響を受けやすい。すなわち、配向層１４２及び１４４は、約２５０ナノメートル（ｎｍ）〜約４１０（ｎｍ）の範囲の波長を有する硬化光１０で長時間又は強い照射を受けると損傷し得る。したがって、本実施形態では、シール剤１５０の照射及び硬化のために硬化光１０を当てる際に、マスク２０を用いて第２領域１０４を遮蔽する。マスク２０は、反射防止層１７４の上に載せる。こうして、第２領域１０４におけるコンポーネントは硬化光１０から防護され得る。

シール剤１５０の硬化後にマスク２０を除去し、図２Ｃに示すように、光フィルタ層１２０をパターン膜蒸着により反射防止層１７４の上面１７４ａに配置することができる。パターンは、反射防止層１７４に配置された補助マスク（図示せず）により生成することができる。補助マスクは、第２領域１０４と一致する領域を露出させる開口を含み得る。第２領域１０４と一致する領域を露出させるマスクを反射防止層１７４に載せたら、光フィルタ層１２０をゾル・ゲル法、スパッタリング、又は原子層堆積により作製することができる。したがって、本実施形態では、光フィルタ層１２０のパターンが表示パネルの第２領域１０４を画定することができる。その後、焼鈍ステップをさらに実施して光フィルタ層１２０の形成を完了することができる。焼鈍ステップは、約１５０℃〜約４００℃の範囲の温度で約１０分間〜約３時間の範囲の時間にわたり実施され得る。

いくつかの代替的な実施形態では、図２Ｄに示すように、シール剤１５０の硬化前に光フィルタ層１２０を形成することができる。光フィルタ層１２０の形成プロセスは、図２Ｃに関して説明したものと同様又は実質的に同一であり得る。遮光層１２０は、硬化プロセス中に第２領域１０４において硬化光１０を遮蔽するマスクとして働くことができる。光フィルタ層１２０のフィルタリング特性として、光フィルタ層１２０は、第２領域１０４内に配置された２つの配向層１４２及び１４４を保護することができる。

具体的には、光フィルタ層１２０は、ＵＶ光を吸収又は散逸させることができるので、光フィルタ層１２０が形成されている第２領域１０４内の透過ＵＶ光の強度は、第２領域１０４の外側、例えばシール剤１５０が形成される領域の透過ＵＶ光の強度よりも低い。したがって、光フィルタ層１２０が下にあるコンポーネントを光化学的損傷から保護しながら、シール剤１５０を適切に硬化させることができる。

図２Ｅに示すように、図２Ｃのステップ又は図２Ｄのステップに続いて、疎水層１８０を第２領域１０４における光フィルタ層１２０の上面１２０ｕ及び反射防止層１７４の上面１７４ａに形成することができる。具体的には、図２Ａに示す反射防止層１７４の上面１７４ａは、３つの部分に分かれることができる。周辺領域１０６の上面１７４ｃは、光フィルタ層１２０により露出されて機能化され、第２領域１０４の上面１７４ｄは、光フィルタ層１２０により覆われ、第１領域１０２の上面１７４ｅは、機能化されずに光フィルタ層１２０により露出される。したがって、露出した上面１７４ｅは、隣接する機能化された上面１７４ｃ及び機能化された光フィルタ層１２０よりも親水性が高い。

この実施形態では、表面機能化ステップ中に第１領域１０２を覆い第２領域１０４及び周辺領域１０６を露出させる補助マスク（図示せず）の使用により、疎水層１８０のパターンを形成することができる。代替的な実施形態では、ブランケット疎水層を光フィルタ層１２０及び反射防止層１７４上に形成した後にパターニングして、疎水層１８０のパターンを形成することができる。こうして疎水層１８０は、光フィルタ層１２０と接触して第２領域１０４に延びる部分１８０’と、反射防止層１７４と接触して周辺領域１０６にある別の部分１８０’’とを有するが、疎水層１８０は第１領域１０２には存在しない。

その後、パターン遮光層１１０を、インクジェット、スーパーインクジェット、スクリーン、及びＡＰＲ印刷技術等の湿式法により第１領域１０２で上基板１３０上に形成し、図２Ａに示す表示パネル２００Ａが形成されるようにする。パターン遮光層１１０の材料は、有機色素材料を含み得るが、本開示はこれに限定されない。本実施形態では、表示パネル２００Ａの周辺領域１０６における反射防止層１７４の上面１７４ｃ及び第２領域１０４における光フィルタ層１２０の上面１２０ｕは、第１領域１０２における上面１７４ｅよりも疎水性が高い。したがって、インク材料は、印刷プロセス中に第２領域１０４又は周辺領域１０６に流れ込むことなく第１領域１０２に均一に広がることができる。こうして、インク材料は、第１領域１０２内に均一に分布されてしっかりと拘束され得る。その後、硬化プロセスを実施してインク材料を固め、パターン遮光層１１０を形成することができる。特に、パターン遮光層１１０は、直線性の良好な鋭い縁を呈することができる。

図２Ｆに、本開示の別の実施形態による表示パネル２００Ｂの断面図を示す。図２Ｆに示す表示パネル２００Ｂの構造は、本開示の一実施形態の実施例であり得る。図２Ｆに示す表示パネル２００Ｂは、図２Ａに示す表示パネル２００Ａと同様であり、２つの実施形態において同じ又は同様の参照符号は同じ又は同様の要素又はコンポーネントを示す。図２Ｆに示す表示パネル２００Ｂが図２Ａに示す表示パネル２００Ａと異なるのは、表示パネル２００Ｂのパターン遮光層１１０が上基板１３０の上面１３０ｕと接触している点である。開口Ｇが反射防止層１７４に存在することで、表示パネル２００Ｂの第１領域１０２において上基板１３０を露出させ、パターン遮光層１１０は上基板１３０に直接堆積される。開口Ｇは、反射防止層１７４を２つの部分に分離することができ、一方の部分１７４’は第２領域１０４、他方の部分１７４’’は周辺領域１０６にある。２つの部分１７４’及び１７４’’は面一であり得る。換言すれば、反射防止層１７４は、表示パネル２００Ｂの第１領域１０２では空白であり、パターン遮光層１１０の下面１１０ｂは、上基板１３０の上面１３０ｕと物理的に接触する。

図２Ｇに、本開示の別の実施形態による表示パネル２００Ｃの断面図を示す。図２Ｇに示す表示パネル２００Ｃは、図２Ｆに示す表示パネル２００Ｂと同様であり、２つの実施形態において同じ又は同様の参照符号は同じ又は同様の要素又はコンポーネントを示す。図２Ｇに示す表示パネル２００Ｃが図２Ｆに示す表示パネル２００Ｂと異なるのは、表示パネル２００Ｃがパターン遮光層１１０上で第１領域１０２に延びる反射防止パターン１７６をさらに含む点である。パターン遮光層１１０の上面１１０ｕは、反射防止パターン１７６により覆われる。本実施形態では、反射防止層１７４の２つの部分１７４’及び１７４’’が第２領域１０４及び周辺領域１０６で上基板１３０の上面１３０ｕと接触している一方で、第１領域１０２では、パターン遮光層１１０が反射防止パターン１７６と上基板１３０との間に介在している。すなわち、表示パネル２００Ｃでは、反射防止層１７４の２つの部分１７４’及び１７４’’が面一であり得る一方で、反射防止パターン１７６は反射防止層１７４と面一ではあり得ない。

図２Ｈに、本開示の別の実施形態による表示パネル２００Ｄの断面図を示す。図２Ｈに示す表示パネル２００Ｄの構造は、本開示の一実施形態の実施例であり得る。図２Ｈに示す表示パネル２００Ｄは、図２Ａに示す表示パネル２００Ａと同様であり、２つの実施形態において同じ又は同様の参照符号は同じ又は同様の要素又はコンポーネントを示す。図２Ｈに示す表示パネル２００Ｄが図２Ａに示す表示パネル２００Ａと異なるのは、表示パネル２００Ｄの光フィルタ層１２０’が第１膜１２２及び第１膜１２２上に配置された第２膜１２４により構成される点である。第１膜１２２及び第２膜１２４は、異なる材料製であり得るか又は異なる組成物を有し得る。例えば、第１膜１２４が酸化亜鉛を含有し得る一方で、第２膜１２４は酸化セリウムを含み得る。第１膜１２２は、反射防止層１７４と第２膜１２４との間に挟まれる。第２膜１２４の上面１２０ｕを機能化することができ、疎水層１８０がその上に形成され、これは図２Ａの実施形態と同様である。

表示パネル２００Ｂ、２００Ｃ、及び２００Ｄは、表示パネル２００Ａに関して前述し図２Ｂ〜図２Ｅに示すのと同様のステップで製造することができる。

図３Ａに、本開示の別の実施形態による表示パネル３００Ａの断面図を示す。図３Ａに示す表示パネル３００Ａの構造は、本開示の一実施形態の実施例であり得る。図３Ａに示す表示パネル３００Ａは、図２Ａに示す表示パネル２００Ａと同様であり、２つの実施形態において同じ又は同様の参照符号は同じ又は同様の要素又はコンポーネントを示す。図３Ａに示す表示パネル３００Ａが図２Ａに示す表示パネル２００Ａと異なるのは、上基板１３０’が第２領域１０４に延びる凹部Ｒ１３０’を有する点である。第２領域１０４における上基板１３０’の厚さＴ１０４は、第１領域１０２又は周辺領域１０６における上基板１３０’の厚さＴ１０２よりも小さい。換言すれば、第１領域１０２又は周辺領域１０６における上基板１３０’の上面１３０ｃは、上基板１３０’の下面１３０ｂまでの距離が第２領域１０４における上基板１３０’の上面１３０ｄよりも遠い。

本実施形態では、光フィルタ層１２０は、凹部Ｒ１３０’内に上基板１３０’の上面１３０ｄと接触して配置することができ、反射防止層１７４は、表示パネル３００Ａの第２領域１０４で光フィルタ層１２０の上に配置することができる。反射防止層１７４は、第１領域１０２及び周辺領域１０６で上基板１３０’の上面１３０ｃと接触し得ると共に、第２領域１０４で光フィルタ層１２０の上面１２０ｕと接触し得る。したがって、光フィルタ層１２０は、凹部Ｒ１３０’内に配置されて反射防止層１７４と上基板１３０’との間に挟まれる。図２Ａに示す表示パネル２００Ａとの別の相違点は、表示パネル３００Ａでは、疎水層１８０が第２領域１０４及び周辺領域１０６で反射防止層１７４の上面１７４ａに接触して形成される点である。疎水層１８０の下面１８０ｂは、反射防止層１７４の上面１７４ａと接触する。

本実施形態では、凹部Ｒ１３０’は、上基板１３０’の一部を第２領域１０４となるよう設計された領域から除去することにより形成される。凹部Ｒ１３０’は、ドライ（例えばプラズマ）又はウェット（例えばフッ酸での）エッチングプロセスにより形成することができる。エッチングプロセスは、パターン無しの上基板上で、上基板１３０’のうち除去対象部分を露出させて補助マスク（図示せず）又はパターンフォトレジスト層（図示せず）を用いて実施することができる。エッチングステップ後、第２領域１０４における上基板１３０’の厚さＴ１０４は、第２領域１０４外の上基板１３０’の厚さＴ１０２よりも小さい。

光フィルタ層１２０の厚さは、凹部Ｒ１３０’の深さと同様又は実質的に同一であり得るので、光フィルタ層１２０の上面１２０ｕは、第１領域１０２における上基板１３０’の上面１３０ｃと面一であり得る。光フィルタ層１２０の形成は、図２Ｃで上述したものと同様に実施することができ、その説明はここでは省略する。本実施形態では、光フィルタ層１２０を形成するために焼鈍ステップも含まれ得る。

光フィルタ層１２０の形成後、ブランケット反射防止層１７４が上基板１３０’上に形成されることが図示されている。反射防止層１７４は、第２領域１０４の外側で上基板１３０’の上面１３０ｃと接触し得る一方で、第２領域１０４では光フィルタ層１２０の上面１２０ｕと接触し得る。したがって、本実施形態では、光フィルタ層１２０は、上基板１３０’内に埋め込まれて反射防止層１７４及び上基板１３０’に閉じ込められる。

本実施形態では、光フィルタ層１２０の形成後にシール剤１５０を介して上基板１３０’と下基板１６０とを組み立てることができるが、表示パネル３００Ａは、表示媒体層１４０と上基板１３０’との間及び表示媒体層１４０と下基板１６０との間にそれぞれ形成された配向層１４２及び配向層１４４をさらに含むことができる。シール剤１５０はＵＶ硬化型シール剤であり得る。光フィルタ層１２０のフィルタリング特性として、光フィルタ層１２０は、シール剤１５０の硬化中に２つの配向層１４２及び１４４をＵＶ照射から保護することができる。したがって、ＵＶ光照射が引き起こす２つの配向層１４２及び１４４の損傷を軽減又は防止することができる。

シール剤１５０が硬化されたら、疎水層１８０を第２領域１０４及び周辺領域１０６に形成することができる。本実施形態によれば、疎水層１８０は、第１領域１０２を画定する所定の領域では空白及び／又は欠如（absent）であり得る。その後、パターン遮光層１１０を第１領域１０２において反射防止層１７４上にインクジェット印刷プロセス等の印刷プロセスにより形成することで、図３Ａに示す構造が得られるようにする。疎水層１８０が第１領域１０２で欠如しているので、パターンが鮮明で縁の直線性が良好なパターン遮光層１１０を形成することができる。

図３Ｂに、本開示の別の実施形態による表示パネル３００Ｂの断面図を示す。図３Ｂに示す表示パネル３００Ｂの構造は、本開示の一実施形態の実施例であり得る。図３Ｂに示す表示パネル３００Ｂは、図３Ａに示す表示パネル３００Ａと同様であり、２つの実施形態において同じ又は同様の参照符号は同じ又は同様の要素又はコンポーネントを示す。図３Ｂに示す表示パネル３００Ｂが図３Ａの表示パネル３００Ａと異なるのは、表示パネル３００Ｂでは、パターン遮光層１１０が上基板１３０’の上面１３０ｃと接触している点である。具体的には、開口Ｇが反射防止層１７４に存在することで、パターン遮光層１１０が堆積される第１領域１０２で上基板１３０’を露出させる。換言すれば、反射防止層１７４は、表示パネル３００Ｂの第１領域１０２では欠如しており、パターン遮光層１１０の下面１１０ｂは、第１領域１０２で上基板１３０’の上面１３０ｃと物理的に接触する。本開示の一実施形態によれば、表示パネル３００Ｂは、表示パネル３００Ａに関して説明したものと同様のステップに従って製造することができる。

図３Ｃに、本開示の別の実施形態による表示パネル３００Ｃの断面図を示す。図３Ｃに示す表示パネル３００Ｃの構造は、本開示の一実施形態の実施例であり得る。図３Ｃに示す表示パネル３００Ｃは、図３Ｂに示す表示パネル３００Ｂと同様であり、２つの実施形態において同じ又は同様の参照符号は同じ又は同様の要素又はコンポーネントを示す。図３Ｃに示す表示パネル３００Ｃが図３Ｂの表示パネル３００Ｂと異なるのは、表示パネル３００Ｃでは、反射防止パターン１７６がパターン遮光層１１０の上面１１０ｕにさらに配置されることである。反射防止層１７４の材料は、反射防止パターン１７６の材料と同じであっても異なっていてもよい。

反射防止層１７４の形成を実施した後に、パターン遮光層１１０を形成し、続いて反射防止パターン１７６を形成することができる。反射防止パターン１７４は、第１領域１０２で上基板１３０’を露出させる開口Ｇを有するように上基板１３０’に形成することができる。パターン遮光層１１０の形成前に、反射防止パターン１７４の上面１７４ａを改質してその上に疎水層１８０を形成させることができ、疎水層１８０は、第１領域１０２では欠如している。したがって、第１領域１０２において、パターンが鮮明で縁の直線性が良好なパターン遮光層１１０を形成することができる。続いて、反射防止パターン１７６をパターン遮光層１１０上に形成することができる。いくつかの代替的な実施形態では、パターン遮光層１１０の形成後に、反射防止層１７４及び反射防止パターン１７６を同時に形成することができる。この実施形態では、疎水層が反射防止パターン１７６上に形成されないように反射防止パターン１７６に表面疎水処理を施さなくてもよい。いくつかの代替的な実施形態では、反射防止パターン１７６の形成後に表面疎水処理を施してもよい。代替的に、パターン遮光層１１０の形成後に、反射防止層１７４の上の疎水層１８０を選択的に除去してもよい。

図４Ａに、本開示の別の実施形態による表示パネル４００Ａの断面図を示す。
図４Ａに示す表示パネル４００Ａの構造は、本開示の一実施形態の実施例であり得る。図４Ａに示す表示パネル４００Ａは、図３Ａに示す表示パネル３００Ａと同様であり、２つの実施形態において同じ又は同様の参照符号は同じ又は同様の要素又はコンポーネントを示す。図４Ａに示す表示パネル４００Ａが図３Ａの表示パネル３００Ａと異なるのは、上基板１３０’’の凹部Ｒ１３０’’が第１領域１０２及び第２領域１０４に延びる点である。第１領域１０２及び第２領域１０４における上基板１３０’’の厚さＴ１０４は、周辺領域１０６における上基板１３０’’の厚さＴ１０６よりも小さい。

本実施形態では、パターン遮光層１１０を光フィルタ層１２０と共に凹部Ｒ１３０’’内に配置し、パターン遮光層１１０及び光フィルタ層１２０は、いずれも上基板１３０’’の上面１３０ｄと接触し、且つ反射防止層１７４により覆われる。換言すれば、反射防止層１７４は、周辺領域１０６で上基板１３０’’の上面１３０ｃと、第２領域１０４で光フィルタ層１２０の上面１２０ｕと、また第１領域１０２でパターン遮光層１１０の上面１１０ｕと接触することができる。さらに、表示パネル４００Ａでは、反射防止層１７４は、第１領域１０２、第２領域１０４、及び周辺領域１０６に連続的に延びるブランケット層とすることができ、疎水層１８０は、反射防止層１７４上に選択的に配置されて表示パネル４００Ａの第１領域１０２、第２領域１０４、及び周辺領域１０６に連続的に延びることができる。

図４Ｂに、本開示の別の実施形態による表示パネル４００Ｂの断面図を示す。図４Ｂに示す表示パネル４００Ｂの構造は、本開示の一実施形態の実施例であり得る。図４Ｂに示す表示パネル４００Ｂは、図４Ａに示す表示パネル４００Ａと同様であり、２つの実施形態において同じ又は同様の参照符号は同じ又は同様の要素又はコンポーネントを示す。図４Ｂに示す表示パネル４００Ｂが図４Ａに示す表示パネル４００Ａと異なるのは、反射防止層１７４及び疎水層１８０が表示パネル４００Ｂの第１領域１０２では欠如している点である。したがって、パターン遮光層１１０の上面１１０ｕは、表示パネル４００Ｂの第１領域１０２において露出する。

図４Ｃに、本開示の別の実施形態による表示パネル４００Ｃの断面図を示す。図４Ｃに示す表示パネル４００Ｃの構造は、本開示の一実施形態の実施例であり得る。図４Ｃに示す表示パネル４００Ｃは、図４Ｂに示す表示パネル４００Ｂと同様であり、２つの実施形態において同じ又は同様の参照符号は同じ又は同様の要素又はコンポーネントを示す。図４Ｃに示す表示パネル４００Ｃが図４Ｂの表示パネル４００Ｂと異なるのは、疎水層１８０が周辺領域１０６でさらで欠如している点である。すなわち、表示パネル４００Ｃでは、反射防止層１７４の部分１７４’’の上面１７４ｃが疎水層１８０により覆われない。

図４Ｄに、本開示の別の実施形態による表示パネル４００Ｄの断面図を示す。図４Ｄに示す表示パネル４００Ｄの構造は、本開示の一実施形態の実施例であり得る。図４Ｄに示す表示パネル４００Ｄは、図４Ａに示す表示パネル４００Ａと同様であり、２つの実施形態において同じ又は同様の参照符号は同じ又は同様の要素又はコンポーネントを示す。図４Ｄに示す表示パネル４００Ｄが図４Ａの表示パネル４００Ａと異なるのは、反射防止層１７４及び疎水層１８０が周辺領域１０６で欠如している点である。換言すれば、上基板１３０’’の上面１３０ｃは、表示パネル４００Ｄの周辺領域１０６において露出する。

図５Ａに、本開示の別の実施形態による表示パネル５００Ａの断面図を示す。図５Ａに示す表示パネル５００Ａの構造は、本開示の一実施形態の実施例であり得る。図５Ａに示す表示パネル５００Ａは、図４Ｄに示す表示パネル４００Ｄと同様であり、２つの実施形態において同じ又は同様の参照符号は同じ又は同様の要素又はコンポーネントを示す。図５Ａに示す表示パネル５００Ａが図４Ｄの表示パネル４００Ｄと異なるのは、上基板１３０が凹部を一切有しない点である。表示パネル５００Ａでは、上基板１３０の上面１３０ｕが平坦であり、表示パネル５００Ａの第１領域１０２、第２領域１０４、及び周辺領域１０６に連続的に延びる。換言すれば、上基板１３０の厚さＴ１３０は、表示パネル５００Ａの第１領域１０２、第２領域１０５、及び周辺領域１０６で等しい。したがって、パターン遮光層１１０及び光フィルタ層１２０は、上基板１３０内に閉じ込められない。

図５Ｂに、本開示の別の実施形態による表示パネル５００Ｂの断面図を示す。図５Ｂに示す表示パネル５００Ｂの構造は、本開示の一実施形態の実施例であり得る。図５Ｂに示す表示パネル５００Ｂは、図５Ａに示す表示パネル５００Ａと同様であり、２つの実施形態において同じ又は同様の参照符号は同じ又は同様の要素又はコンポーネントを示す。図５Ｂに示す表示パネル５００Ｂが図５Ａの表示パネル５００Ａと異なるのは、反射防止層１７４及び疎水層１８０が表示パネル５００Ｂの第１領域１０２に延びない点である。換言すれば、パターン遮光層１１０の上面１１０ｕは、反射防止層１７４及び疎水層１８０により露出されない。

図５Ｃに、本開示の別の実施形態による表示パネル５００Ｃの断面図を示す。図５Ｃに示す表示パネル５００Ｃの構造は、本開示の一実施形態の実施例であり得る。図５Ｃに示す表示パネル５００Ｃは、図５Ｂに示す表示パネル５００Ｂと同様であり、２つの実施形態において同じ又は同様の参照符号は同じ又は同様の要素又はコンポーネントを示す。表示パネル５００Ｃが表示パネル５００Ｂと異なるのは、反射防止層１７４の部分１７４’’が周辺領域１０６に延びる点である。反射防止層１７４の部分１７４’’は、上基板１３０の上面１３０ｕと接触する。換言すれば、表示パネル５００Ｃでは、上基板１３０の上面１３０ｕが、上に重なる層により完全に覆われる。表示パネル５００Ｃでは、反射防止層１７４の部分１７４’及び１７４’’は面一でなくてもよい。表示パネル５００Ｃでは、反射防止層１７４の部分１７４’’、パターン遮光層１１０、及び光フィルタ層１２０の全てが、上基板１３０の上面１３０ｕと接触し且つ面一であり得る。本実施形態では、疎水層１８０は反射防止層１７４の部分１７４’’まで延びていなくてもよいが、いくつかの代替的な実施形態では、疎水層１８０は、反射防止層１７４の部分１７４’’上にさらに延びていてもよい。代替的に、疎水層１８０は、いくつかのさらに他の実施形態では除去してもよい。

図６Ａに、本開示の別の実施形態による表示パネル６００Ａの断面図を示す。図６Ａに示す表示パネル６００Ａの構造は、本開示の一実施形態の実施例であり得る。図６Ａに示す表示パネル６００Ａは、図２Ａに示す表示パネル２００Ａと同様であり、２つの実施形態において同じ又は同様の参照符号は同じ又は同様の要素又はコンポーネントを示す。表示パネル６００Ａが表示パネル２００Ａと異なるのは、上基板１３０’’’が表示パネル６００Ａの第１領域１０２内に延びる凹部Ｒ１３０’’’を有する点である。第２領域１０４における上基板１３０’’’の厚さＴ１０４は、第１領域１０２における上基板１３０’’’の厚さＴ１０２よりも大きい。周辺領域１０６における上基板１３０’’’の上面１３０ｃは、第２領域１０４における上基板１３０’’’の上面１３０ｅと面一であるが、２つの上面１３０ｃ及び１３０ｅは、凹部Ｒ１３０’’’が位置する第１領域１０２における上基板１３０’’’の上面１３０ｄと面一ではない。すなわち、上面１３０ｄは、２つの上面１３０ｃ及び１３０ｅよりも上基板１３０’’’の下面１３０ｂに近い。

表示パネル６００Ａでは、パターン遮光層１１０が上基板１３０’’’の凹部Ｒ１３０’’’内に配置される一方で、反射防止層１７４は、上基板１３０’’’の２つの上面１３０ｃ及び１３０ｅとパターン遮光層１１０の上面１１０ｕとに配置される。さらに、光フィルタ層１２０は反射防止層１７４上に配置される。反射防止層１７４は、表示パネル６００Ａの第１領域１０２、第２領域１０４、及び周辺領域１０６に連続的に延びる。

光フィルタ層１２０は、表示パネル７００Ａの第２領域１０２で反射防止層１７４の上面１７４ａに配置される。別の言い方をすると、反射防止層１７４は、第２領域１０４で光フィルタ層１２０と上基板１３０’’’との間に介在している。光フィルタ層１２０の上面１２０ｕを改質することができ、疎水層１８０がその上に形成される。表示パネル６００Ａでは、疎水層１８０は、光フィルタ層１２０の上面１２０ｕの上にのみ形成され得る。すなわち、第２領域１０４外の反射防止層１７４の上面１７４ａは疎水化を示さない。

図６Ｂに、本開示の別の実施形態による表示パネル６００Ｂの断面図を示す。図６Ｂに示す表示パネル６００Ｂの構造は、本開示の一実施形態の実施例であり得る。図６Ｂに示す表示パネル６００Ｃは、図６Ａに示す表示パネル６００Ａと同様であり、２つの実施形態において同じ又は同様の参照符号は同じ又は同様の要素又はコンポーネントを示す。表示パネル６００Ｂが表示パネル６００Ａと異なるのは、反射防止層１７４が周辺領域１０６に延びない点である。したがって、表示パネル６００Ｂでは、周辺領域１０６における上基板１３０’’’の上面１３０ｃが露出する。

図６Ｃに、本開示の別の実施形態による表示パネル６００Ｃの断面図を示す。図６Ｃに示す表示パネル６００Ｃの構造は、本開示の一実施形態の実施例であり得る。図６Ｃに示す表示パネル６００Ｃは、図６Ｂに示す表示パネル６００Ｂと同様であり、２つの実施形態において同じ又は同様の参照符号は同じ又は同様の要素又はコンポーネントを示す。表示パネル６００Ｃが表示パネル６００Ｂと異なるのは、反射防止層１７４が表示パネル７００Ｃの第１領域１０２において空白である一方で、反射防止層１７４の部分１７４’’が周辺領域１０６に延びる点である。反射防止層１７４の部分１７４’’は、上基板１３０’’’の上面１３０ｃと接触する。表示パネル６００Ｃでは、反射防止層１７４の２つの部分１７４’及び１７４’’は、面一であり且つ上基板１３０’’’の２つの上面１３０ｃ及び１３０ｅそれぞれと接触し得る。

図７Ａに、本開示の別の実施形態による表示パネル７００Ａの断面図を示す。図７Ａに示す表示パネル７００Ａの構造は、本開示の一実施形態の実施例であり得る。図７Ａに示す表示パネル７００Ａは、図６Ａに示す表示パネル６００Ａと同様であり、２つの実施形態において同じ又は同様の参照符号は同じ又は同様の要素又はコンポーネントを示す。具体的には、表示パネル７００Ａでは、第２領域における反射防止層１７４の部分１７４’及び光フィルタ層１２０の相対位置が、表示パネル６００Ａと比べた場合に入れ替わっている。すなわち、表示パネル７００Ａでは、光フィルタ層１２０が上基板１３０’’’と反射防止層１７４の部分１７４’との間に挟まれる。反射防止層１７４の２つの部分１７４’及び１７４’’は面一ではないが、これは、部分１７４’が光フィルタ層１２０上に配置される一方で、部分１７４’’は凹部Ｒ１３０’’’内のパターン遮光層１１０及び上基板１３０’’’の上に配置されるからである。さらに、光フィルタ層１２０の上面１２０ｕが反射防止層１７４の部分１７４’と接触する一方で、疎水層１８０は反射防止層１８４上に形成される。

図７Ｂに、本開示の別の実施形態による表示パネル７００Ｂの断面図を示す。図７Ｂに示す表示パネル７００Ｂの構造は、本開示の一実施形態の実施例であり得る。表示パネル７００Ｂは、図７Ａに示す表示パネル７００Ａと同様であり、２つの実施形態において同じ又は同様の参照符号は同じ又は同様の要素又はコンポーネントを示す。表示パネル７００Ｂが表示パネル７００Ａと異なるのは、反射防止層１７４及び疎水層１８０が表示パネル７００Ｂの周辺領域１０６では空白及び／又は欠如である点である。すなわち、反射防止層１７４及び疎水層１８０は、表示パネル７００Ｂの周辺領域１０６を覆わない。

図７Ｃに、本開示の別の実施形態による表示パネル７００Ｃの断面図を示す。図７Ｃに示す表示パネル７００Ｃの構造は、本開示の一実施形態の実施例であり得る。図７Ｃの表示パネル７００Ｃは、図７Ａに示す表示パネル７００Ａと同様であり、２つの実施形態において同じ又は同様の参照符号は同じ又は同様の要素又はコンポーネントを示す。表示パネル７００Ｃが表示パネル７００Ａと異なるのは、反射防止層１７４及び疎水層１８０が第１領域１０２において空白である点である。したがって、凹部Ｒ１３０’’’に形成されたパターン遮光層１１０の上面１１０ｕが露出する。

上記に鑑みて、本開示の一実施形態による表示パネルは、上基板上にパターン遮光層により囲まれた光フィルタ層を含む。光フィルタ層は、約４５０ｎｍ〜約８００ｎｍの範囲の波長の入射光の少なくとも約８０％を透過させる一方で、約２５０ｎｍ〜約４１０ｎｍの範囲の波長の光の透過率を少なくとも２０％低下させることができる。したがって、光フィルタ層は、表示パネルの敏感なコンポーネントを光誘起損傷から保護するのに役立ち得る。

発明の範囲又は趣旨から逸脱せずに本発明の構造にさまざまな修正及び変更を加えることができることが、当業者には明らかであろう。上記に鑑みて、添付の特許請求の範囲及びそれらの等価物の範囲内に入る場合は本発明が本発明の修正及び変更を包含することが意図される。表示パネル４００Ａ、４００Ｂ、４００Ｃ、４００Ｄ、５００Ａ、５００Ｂ、５００Ｃ、６００Ａ、６００Ｂ、６００Ｃ、７００Ａ、７００Ｂ、及び７００Ｃは、本開示において前述したものと同様のステップで製造することができる。

本発明の表示パネルは、表示機能を必要とする電子装置に応用可能であり得る。

１０硬化光
２０マスク
１００，２００Ａ，２００Ｂ，２００Ｃ，２００Ｄ，３００Ａ，３００Ｂ，３００Ｃ，４００Ａ，４００Ｂ，４００Ｃ，４００Ｄ，５００Ａ，５００Ｂ，５００Ｃ，６００Ａ，６００Ｂ，６００Ｃ，７００Ａ，７００Ｂ，７００Ｃ表示パネル
１０２第１領域
１０４第２領域
１０６周辺領域
１１０パターン遮光層
１２０，１２０’ 光フィルタ層
１２２，１２４薄膜
１３０，１３０’，１３０’’，１３０’’’ 上基板
１１０ｕ，１２０ｕ，１３０ｃ，１３０ｄ，１３０ｅ，１３０ｕ，１７４ａ，１７４ｃ，１７４ｄ，１７４ｅ上面
１１０ｂ，１２０ｂ，１３０ｂ，１８０ｂ下面
１４０表示媒体
１４２，１４４配向層
１５０シール剤
１６０下基板
１７２電極層
１７４反射防止層
１７４’，１７４’’，１８０’，１８０’’ 部分
１７６反射防止パターン
１８０疎水層
Ｅ１００外縁
Ｇ開口
Ｒ１３０’，Ｒ１３０’’，Ｒ１３０’’’ 凹部
Ｔ１０２，Ｔ１０４，Ｔ１０６，Ｔ１３０厚さ

Claims

第１領域及び該第１領域に隣接して位置する第２領域を有する表示パネルであって、
上基板と、
該表示パネルの前記第１領域で前記上基板の上面に配置されたパターン遮光層と、
該表示パネルの前記第２領域で前記上基板上に配置された光フィルタ層であり、該光フィルタ層は、約３００ｎｍ〜約４１０ｎｍの範囲の波長の透過率を少なくとも約２０％〜約５０％低下させ、約４５０ｎｍ〜約８００ｎｍの範囲の波長の光に関する該光フィルタ層の透過率が、少なくとも約８０％〜９５％である光フィルタ層と、
前記上基板に対向して配置された下基板と、
前記上基板と前記下基板との間に配置され、該表示パネルの前記第１領域内に位置するシール剤と、
前記上基板、前記下基板、及び前記シール剤に閉じ込められた表示媒体層と
を備えた表示パネル。
請求項１に記載の表示パネルにおいて、前記光フィルタ層は、該表示パネルの前記第１領域を露出させる表示パネル。
請求項１に記載の表示パネルにおいて、約５００ｎｍ〜約８００ｎｍの範囲の波長の光に関する前記光フィルタ層の透過率は、少なくとも約８５％〜９５％である表示パネル。
請求項１に記載の表示パネルにおいて、前記光フィルタ層の材料が無機材料である表示パネル。
請求項１に記載の表示パネルにおいて、前記光フィルタ層の材料がＺｎＯ又はマグネシウムでのドープＺｎＯである表示パネル。
請求項１に記載の表示パネルにおいて、前記光フィルタ層は、複数の薄膜により構成され、該複数の薄膜は薄膜毎に異なる材料を含む表示パネル。
請求項１に記載の表示パネルにおいて、上記上基板は、該表示パネルの前記第２領域に凹部を有し、前記光フィルタ層は、前記凹部内に配置される表示パネル。
請求項１に記載の表示パネルにおいて、前記上基板は、前記表示パネルの前記第１領域に凹部を有し、前記パターン遮光層は、前記凹部内に配置される表示パネル。
請求項１に記載の表示パネルにおいて、前記ディスプレイの前記第２領域で前記上基板の前記上面に配置された反射防止層をさらに備えた表示パネル。
請求項９に記載の表示パネルにおいて、該表示パネルの前記第１領域における前記パターン遮光層は、該表示パネルの前記第２領域における前記反射防止層の一部と面一である表示パネル。
請求項９に記載の表示パネルにおいて、前記反射防止層は、該表示パネルの前記第１領域にさらに延びると共に前記パターン遮光層と接触する表示パネル。
請求項９に記載の表示パネルにおいて、前記光フィルタ層は、前記反射防止層と接触する表示パネル。
請求項１に記載の表示パネルにおいて、該表示パネルの前記第２領域に延びる疎水層をさらに備えた表示パネル。
請求項１に記載の表示パネルにおいて、前記表示媒体層に接触した配向層をさらに備え、前記配向層は有機材料製である表示パネル。
表示パネルを製造する方法であって、
第２領域に隣接して該第２領域を囲む第１領域に位置するシール剤により、上基板を下基板と組み合わせるステップと、
前記第２領域で前記上基板と前記下基板との間に表示媒体層を形成するステップであり、前記表示媒体層を前記上基板、前記下基板、及び前記シール剤で閉じ込める、表示媒体層を形成するステップと、
前記第２領域で前記上基板の上面に光フィルタ層を形成するステップであり、前記光フィルタ層は、約３００ｎｍ〜約４１０ｎｍの範囲の波長の光の透過を少なくとも約２０％〜約５０％低下させ、約４５０ｎｍ〜約８００ｎｍの範囲の波長の光に関する光フィルタ層の透過率が少なくとも約８０％〜９５％である、光フィルタ層を形成するステップと、
前記第１領域で前記上基板の前記上面にパターン遮光層を形成するステップと
を含む方法。
請求項１５に記載の方法において、前記シール剤はＵＶ硬化型シール剤である方法。
請求項１６に記載の方法において、前記光フィルタ層を前記シール剤の硬化前に形成し、前記光フィルタ層は前記第１領域を露出させる方法。
請求項１６に記載の方法において、前記シール剤の硬化中にマスクを用いて前記第２領域を遮蔽し、前記シール剤の硬化後に前記マスクを除去する方法。
請求項１５に記載の方法において、前記光フィルタ層を約１５０℃〜約４００℃の範囲の温度で約１０分間〜約３時間の範囲の時間にわたって焼鈍するステップをさらに含む方法。
請求項１５に記載の方法において、前記光フィルタ層の形成前に前記上基板の一部を除去して凹部を形成するステップであり、前記光フィルタ層及び前記パターン遮光層の少なくとも一方を前記凹部内に配置する、凹部を形成するステップをさらに含む方法。
請求項１５に記載の方法において、前記上基板の前記上面に反射防止層を形成するステップをさらに含む方法。
請求項１５に記載の方法において、前記パターン遮光層の形成前に疎水層を形成するステップであり、前記疎水層は前記第１領域で空白である、疎水層を形成するステップをさらに含む方法。
請求項１６に記載の方法において、前記第２領域で前記表示媒体層に接触した配向層をさらに形成し、前記配向層の材料は有機材料である方法。