JP2016194482A - 検査方法および検査装置 - Google Patents

Abstract

【課題】検出欠陥の数、検査時間の増加を抑える検査法を提供する。
【解決手段】試料の第１の部分に照明光を照射し、第１の部分の透過光の第１の光学画像または第１の部分の反射光の第２の光学画像を取得し、第１の参照画像と第１の光学画像の第１の比較または第２の参照画像と第２の光学画像の第２の比較を、第１の欠陥判断閾値により行い、第１の部分の第１の欠陥の有無を判断し、第１の部分に第１の欠陥を有りと判断した場合には、第１の欠陥の第１の座標と、第１の欠陥判断閾値と、第１の光学画像または第２の光学画像と、第１の参照画像または第２の参照画像と、を保存し、第１の部分の第１の欠陥数を欠陥合計数として計算し、欠陥合計数が欠陥数閾値より大きい場合には、第１の欠陥判断閾値を所定量増加の第２の欠陥判断閾値を計算し、欠陥合計数が欠陥数閾値以下である場合は、第２の欠陥判断閾値を第１の欠陥判断閾値と等しくする。
【選択図】図３

Description

本発明は、検査装置および検査方法に関する。たとえば、半導体素子の製造等に用いられるマスクなどの被検査試料にレーザー光を照射してパターン像の光学画像を取得してパターンを検査する検査装置、および検査方法に関する。

近年、半導体素子に要求される回路線幅の精度管理の要求はますます高くなっている。これらの半導体素子は、回路パターンが形成された原画パターン（フォトリソグラフィマスク或いはレチクルともいう。以下、マスクと総称する）を用いて、いわゆるステッパと呼ばれる縮小投影露光装置でウェハ上にパターンを露光転写して回路形成することにより製造される。よって、かかる微細な回路パターンをウェハに転写するためのマスクの製造には、微細な回路パターンを描画することができる電子ビームを用いたパターン描画装置を用いる。かかるパターン描画装置を用いてウェハに直接パターン回路を描画することもある。

そして、多大な製造コストのかかるＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）やＦＰＧＡ（Ｆｉｅｌｄ Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｇａｔｅ Ａｒｒａｙ）などのＬＳＩの製造にとって、歩留まりの向上は欠かせない。歩留まりを低下させる大きな要因の一つとして、半導体ウェハ上に超微細パターンをフォトリソグラフィ技術で露光、転写する際に使用されるマスクのパターン欠陥があげられる。近年、半導体ウェハ上に形成されるＬＳＩパターン寸法の微細化に伴って、パターン欠陥として検出しなければならない寸法も極めて小さいものとなっている。そのため、ＬＳＩ製造に使用される転写用マスクの欠陥を検査するパターン検査装置の高精度化が望ましいとされている。

検査手法としては、拡大光学系を用いてフォトリソグラフィマスク等の試料上に形成されているパターンを所定の倍率で撮像した光学画像と、設計データ、あるいは試料上の同一パターンを撮像した光学画像と比較することにより検査を行う方法が知られている。例えば、パターン検査方法として、同一マスク上の異なる場所の同一パターンを撮像した光学画像データ同士を比較する「ｄｉｅ ｔｏ ｄｉｅ（ダイ−ダイ）検査」や、パターン設計されたＣＡＤデータをマスクにパターンを描画する時に描画装置が入力するための装置入力フォーマットに変換した描画データ（パターンデータ）を検査装置に入力して、これをベースに設計画像データ（参照画像）を生成して、それとパターンを撮像した測定データとなる光学画像とを比較する「ｄｉｅ ｔｏ ｄａｔａｂａｓｅ（ダイ−データベース）検査」がある。かかる検査装置における検査方法では、試料はステージ上に載置されステージが動くことによって光束が試料上を走査し、検査が行われる。試料には、光源及び照明光学系によって光束が照射される。試料を透過あるいは反射した光は光学系を介して、光検出器上に結像される。光検出器で撮像された画像は測定データとして比較回路へ送られる。比較回路では、画像同士の位置合わせの後、測定データと参照データとを適切なアルゴリズムに従って比較し、一致しない場合には、パターン欠陥有りと判定する。

特許文献１には、検査閾値を可変にして、厳しい閾値で検査するフォトリソグラフィマスク上の箇所と、不必要に厳しい閾値で検査しないようにする箇所を設けることにより、擬似欠陥を多発させないようにすることができる旨が開示されている。

特開２００９−２２９２３０号公報

本発明が解決しようとする課題は、過剰に検出する欠陥の数および検査時間の増加を抑制することができる検査方法および検査装置を提供することである。

実施形態の検査方法は、被検査試料の第１の部分に照明光を照射し、第１の部分を透過した照明光を結像した第１の光学画像または第１の部分によって反射された照明光を結像した第２の光学画像を取得し、第１の光学画像の参照となる第１の参照画像と第１の光学画像の第１の比較または第２の光学画像の参照となる第２の参照画像と第２の光学画像の第２の比較を、第１の欠陥判断閾値に基づきおこない、第１の部分の第１の欠陥の有無を判断し、第１の部分は第１の欠陥を有すると判断された場合には、第１の欠陥の第１の座標と、第１の欠陥判断閾値と、第１の光学画像または第２の光学画像と、第１の参照画像または第２の参照画像と、を保存し、第１の部分の第１の欠陥数を欠陥合計数として計算し、欠陥合計数が欠陥数閾値より大きい場合には、第１の欠陥判断閾値を所定量増加させた第２の欠陥判断閾値を計算し、欠陥合計数が欠陥数閾値以下である場合には、第２の欠陥判断閾値を第１の欠陥判断閾値と等しくする。

上記態様の検査方法において、欠陥合計数が欠陥数閾値より大きい場合には、第１の欠陥判断閾値を所定量増加させた第２の欠陥判断閾値を計算する場合において、さらに第２の欠陥判断閾値が限界欠陥判断閾値より大きい場合には、第２の欠陥判断閾値を限界欠陥判断閾値と等しくすることが好ましい。

上記態様の検査方法において、欠陥合計数が欠陥数閾値より大きい場合には、第１の欠陥判断閾値を所定量増加させた第２の欠陥判断閾値を計算し、欠陥合計数が欠陥数閾値以下である場合には、第２の欠陥判断閾値を第１の欠陥判断閾値と等しくする後に、被検査試料の第２の部分に照明光を照射し、第２の部分を透過した照明光を結像した第３の光学画像または第２の部分によって反射された照明光を結像した第４の光学画像を取得し、第３の光学画像の参照となる第３の参照画像と第３の光学画像の第３の比較または第４の光学画像の参照となる第４の参照画像と第４の光学画像の第４の比較を、第２の欠陥判断閾値に基づきおこない、第２の部分の第２の欠陥の有無を判断し、第２の部分は第２の欠陥を有すると判断された場合には、第２の欠陥の第２の座標と、第２の欠陥判断閾値と、第３の光学画像または第４の光学画像と、第３の参照画像または第４の参照画像と、を保存し、第２の部分の第２の欠陥数を計算し、第１の欠陥数と第２の欠陥数を加算して欠陥合計数を計算し、欠陥合計数が欠陥数閾値より大きい場合には、第２の欠陥判断閾値を所定量増加させた第３の欠陥判断閾値を計算し、欠陥合計数が欠陥数閾値以下である場合には、第３の欠陥判断閾値を第２の欠陥判断閾値と等しくすることが好ましい。

上記態様の検査方法において、欠陥合計数が欠陥数閾値より大きい場合には、第１の欠陥判断閾値を所定量増加させた第２の欠陥判断閾値を計算し、欠陥合計数が欠陥数閾値以下である場合には、第２の欠陥判断閾値を第１の欠陥判断閾値と等しくする後に、第１の光学画像または第２の光学画像に基づいて空間転写像を作成し、第１の参照画像または第２の参照画像に基づいて参照転写像を作成し、空間転写像と参照転写像の第３の比較をおこない、第３の比較に基づいて第１の欠陥の補正の要否を判断することが好ましい。

実施形態の検査装置は、被検査試料の第１の部分に照明光を照射する照明部と、第１の部分を透過した照明光を結像した第１の光学画像または第１の部分によって反射された照明光を結像した第２の光学画像を取得する結像部と、第１の光学画像の参照となる第１の参照画像と第１の光学画像の第１の比較または第２の光学画像の参照となる第２の参照画像と第２の光学画像の第２の比較を、第１の欠陥判断閾値に基づきおこなう比較部と、第１の部分の第１の欠陥の有無を判断する判断部と、第１の欠陥判断閾値を保存する欠陥判断閾値記憶部と、第１の欠陥の第１の座標と、第１の欠陥判断閾値と、第１の光学画像または第２の光学画像と、第１の参照画像または第２の参照画像と、を保存する欠陥情報記憶部と、第１の部分における第１の欠陥数を欠陥合計数として保存する欠陥合計数記憶部と、欠陥数閾値を保存する欠陥数閾値記憶部と、を備える。

本発明の一態様によれば、過剰に検出する欠陥の数および検査時間の増加を抑制することができる検査装置および検査方法の提供が可能となる。

本実施形態における検査装置とリソグラフィシミュレータの要部の模式図。 本実施形態において検査されるマスクの模式図。 本実施形態における検査方法のフローチャート。 本実施形態におけるリソグラフィシミュレータを用いた検査方法のフローチャート。

以下、本発明の実施形態について図面を参照しつつ説明する。

なお、以下の記載においては、フォトリソグラフィマスク（被検査試料）を単にマスクと表記する。

（実施形態）
実施形態の検査方法は、被検査試料の第１の部分に照明光を照射し、第１の部分を透過した照明光を結像した第１の光学画像または第１の部分によって反射された照明光を結像した第２の光学画像を取得し、第１の光学画像の参照となる第１の参照画像と第１の光学画像の第１の比較または第２の光学画像の参照となる第２の参照画像と第２の光学画像の第２の比較を、第１の欠陥判断閾値に基づきおこない、第１の部分の第１の欠陥の有無を判断し、第１の部分は第１の欠陥を有すると判断された場合には、第１の欠陥の第１の座標と、第１の欠陥判断閾値と、第１の光学画像または第２の光学画像と、第１の参照画像または第２の参照画像と、を保存し、第１の部分の第１の欠陥数を欠陥合計数として計算し、欠陥合計数が欠陥数閾値より大きい場合には、第１の欠陥判断閾値を所定量増加させた第２の欠陥判断閾値を計算し、欠陥合計数が欠陥数閾値以下である場合には、第２の欠陥判断閾値を第１の欠陥判断閾値と等しくする。

図１は、第１の実施形態における検査装置１０００とリソグラフィシミュレータ２０００の模式図である。本実施形態の検査装置は、マスクの欠陥検査を行うパターン検査装置である。

保持部１００には、マスクＭが載置される。

ステージ２００は保持部１００の下に配置され、保持部１００を支持する。ステージ２００は、互いに直交する横方向であるＸ方向およびＹ方向に、それぞれ第１のモーター２１０ａおよび第２のモーター２１０ｂによって移動される。また、ステージ２００は、鉛直方向に垂直な面内で、第３のモーター２１０ｃによって回転される。レーザー測長計２２０は、ステージ２００のＸ方向における位置およびＹ方向における位置を測定する。

移動制御部３００は、後述する制御計算機６５０にバスライン６７０を介して接続される走査範囲設定機構３１０と、走査範囲設定機構３１０で設定される走査範囲内でステージ２００が移動されるように第１のモーター２１０ａ、第２のモーター２１０ｂおよび第３のモーター２１０ｃを制御するモーター制御機構３２０と、を備える。

照明部４００は、光源４１０と、第１の照明部用レンズ４２０と、第２の照明部用レンズ４３０と、第１の照明部用ミラー４４０と、コンデンサレンズ４５０と、第１の照明部用光束分配手段４６０と、第２の照明部用ミラー４７０と、第２の照明部用光束分配手段４８０と、対物レンズ４９０と、を備える。

光源４１０から出射されたレーザー光などの照明光は、第１の照明部用レンズ４２０および第２の照明部用レンズ４３０により平行な光束に拡径される。拡径された光束は、第１の照明部用ミラー４４０とコンデンサレンズ４５０によりマスクＭの上面に照射される。第１の照明部用レンズ４２０と、第２の照明部用レンズ４３０と、第１の照明部用ミラー４４０と、コンデンサレンズ４５０は、透過照明系を構成する。なお、光源４１０の波長は、マスクＭを用いて露光が行われた場合に近い状態でマスクＭの検査をすることができるため、マスクＭが用いられる露光装置が有する光源の波長と同程度であることが望ましい。

また、光源４１０から出射されたレーザー光などの照明光は、第１の照明部用レンズ４２０および第２の照明部用レンズ４３０により平行な光束に拡径された後、第２の照明部用レンズ４３０と第１の照明部用ミラー４４０との間に配置された第１の照明部用光束分配手段４６０により反射される。第１の照明部用光束分配手段４６０により反射された照明光は、第２の照明部用ミラー４７０と第２の照明部用光束分配手段４８０によりマスクＭの下面に照射される。第１の照明部用光束分配手段４６０と第２の照明部用ミラー４７０と第２の照明部用光束分配手段４８０は反射照明系を構成する。なお、第１の照明部用光束分配手段４６０および第２の照明部用光束分配手段４８０としては、具体的には、ハーフミラー、スリット、偏光ビームスプリッタなどを好ましく用いることができる。

結像部５００は、第１の光検出器５１０と、第１の結像部用レンズ５２０と、第２の光検出器５３０と、第２の結像部用レンズ５４０と、分離ミラー５５０と、を備える。

透過照明系によりマスクＭの上面に照射されマスクＭを透過した照明光は、透過光と呼ばれる。また、反射照明系によりマスクＭの下面に照射された後、マスクＭにより反射された照明光は、反射光と呼ばれる。透過光と反射光は、対物レンズ４９０と第２の照明部用光束分配手段４８０を通して分離ミラー５５０に入射される。透過光は、分離ミラー５５０から第１の結像部用レンズ５２０を通して第１の光検出器５１０に結像される。また、反射光は、分離ミラー５５０から第２の結像部用レンズ５４０を通して第２の光検出器５３０に結像される。

制御部６００は、比較部６１０と、参照部６２０と、展開部６２２と、パターンデータ記憶部６３０と、欠陥判断閾値記憶部６３１と、限界欠陥判断閾値記憶部６３３と、欠陥数閾値記憶部６３５と、欠陥情報記憶部６３７と、欠陥合計数記憶部６３８と、欠陥判断アルゴリズム記憶部６３９と、位置検出部６４０と、制御計算機６５０と、判断部６６０と、バスライン６７０と、レビュー部６８０と、を備える。

オートフォーカス部７００は、オートフォーカス光束分配手段７１０と、フォーカスずれ検出機構７２０と、フォーカス制御機構７３０と、オートフォーカス部用モーター７４０と、を備える。

オートフォーカス光束分配手段７１０は、反射光をフォーカスずれ検出機構７２０に入射する。フォーカスずれ検出機構７２０は、入射された反射光からフォーカスずれの程度を検出し、フォーカス制御機構７３０にフォーカスずれの程度を入力する。フォーカス制御機構７３０は、入力されたフォーカスずれの程度に基づいて、オートフォーカス手段用モーター７４０を制御して対物レンズ４９０を高さ方向に動かし、対物レンズ４９０の焦点をマスクＭ上にあわせる。なお、ステージ２００を鉛直方向に動かしてもよい。なお、オートフォーカス光束分配手段７１０としては、具体的には、ハーフミラー、スリット、偏光ビームスプリッタなどを好ましく用いることができる。

リソグラフィシミュレータ２０００は、転写像作成部２０１０と、転写像比較部２０２０と、転写像判断部２０３０と、を備える。リソグラフィシミュレータは、露光装置によってマスクからウェハに転写される露光イメージを推定し、この露光イメージ上でパターンの良否を判断する。リソグラフィシミュレータ２０００は、検査装置１０００が備えるインターフェース８００を介して検査装置１０００と接続されている。なおリソグラフィシミュレータ２０００と検査装置１０００との接続のされ方はこれに限定されず、たとえばリソグラフィシミュレータ２０００は検査装置１０００に内蔵されていて、バスライン６７０とリソグラフィシミュレータ２０００がインターフェース８００を介さず直接接続されていても良い。

図２は、本実施形態において検査されるマスクＭの模式図である。

マスクＭは、基板Ｓ上に設けられた第１の部分１０、第２の部分２０、第３の部分３０、第４の部分４０、第５の部分５０および第６の部分６０を有する。ここで基板Ｓはたとえば石英からなる。第１の部分１０は、パターン１０ａ、パターン１０ｂ、パターン１０ｃ、パターン１０ｄ、パターン１０ｅ、パターン１０ｆ、パターン１０ｇ、パターン１０ｈおよびパターン１０ｉを有する。第２の部分２０は、パターン２０ａ、パターン２０ｂ、パターン２０ｃ、パターン２０ｄ、パターン２０ｅ、パターン２０ｆ、パターン２０ｇ、パターン２０ｈおよびパターン２０ｉを有する。第３の部分３０は、パターン３０ａ、パターン３０ｂ、パターン３０ｃ、パターン３０ｄ、パターン３０ｅ、パターン３０ｆ、パターン３０ｇ、パターン３０ｈおよびパターン３０ｉを有する。第４の部分４０は、パターン４０ａ、パターン４０ｂ、パターン４０ｃ、パターン４０ｄ、パターン４０ｅ、パターン４０ｆ、パターン４０ｇ、パターン４０ｈおよびパターン４０ｉを有する。第５の部分５０は、パターン５０ａ、パターン５０ｂ、パターン５０ｃ、パターン５０ｄ、パターン５０ｅ、パターン５０ｆ、パターン５０ｇ、パターン５０ｈおよびパターン５０ｉを有する。第６の部分６０は、パターン６０ａ、パターン６０ｂ、パターン６０ｃ、パターン６０ｄ、パターン６０ｅ、パターン６０ｆ、パターン６０ｇ、パターン６０ｈおよびパターン６０ｉを有する。ここでパターンはたとえばクロムを含む金属薄膜等からなる。

欠陥を有しない各パターンの形状は、基板Ｓに平行な面内において一辺の長さがＬの正方形である。しかし、パターン１０ｄのｙ方向での一辺の長さＬ_１０ｄはＬ／４である。パターン１０ｅのｘ方向での一辺の長さＬ_１０ｅはＬ／４である。パターン１０ｆのｘ方向での一辺の長さＬ_１０ｆは３Ｌ／４である。パターン２０ｂのｘ方向での一辺の長さＬ_２０ｂは３Ｌ／４である。パターン４０ｃのｙ方向での一辺の長さＬ_４０ｃは３Ｌ／４である。パターン４０ｇのｘ方向での一辺の長さＬ_４０ｇはＬ／４である。パターン４０ｈのｙ方向での一辺の長さＬ_４０ｈはＬ／４である。パターン５０ａのｙ方向での一辺の長さＬ_５０ａは３Ｌ／４である。パターン６０ｆのｘ方向での一辺の長さＬ_６０ｆはＬ／４である。パターン６０ｉのｙ方向での一辺の長さＬ_６０ｉはＬ／４である。

マスクＭの検査方法としては、たとえばＸ軸方向を主走査方向、Ｙ軸方向を副走査方向として、ステージ２００のＸ軸方向の移動により照明光をＸ軸方向に走査し、ステージ２００のＹ軸方向の移動により走査位置をＹ軸方向に所定のピッチで移動させる。図２に示したマスクＭの場合は、まずステージ２００をＸ軸方向に移動させることにより照明光をＸ軸方向に走査し、順に、第１の部分１０、第２の部分２０、第３の部分３０を検査する。次に、ステージ２００をＹ軸方向に移動させ、第４の部分４０を検査する。次に、ステージ２００のＸ軸方向の移動により照明光をＸ軸方向に走査し、順に、第５の部分５０、第６の部分６０を検査する。なお、マスクＭの検査方法は、上記の記載に限定されない。

図３は、本実施形態における検査方法のフローチャートである。

まず、制御計算機６５０は、照明部４００を用いて、マスクＭの第１の部分１０に照明光を照射し（Ｓ１０）、結像部５００を用いて第１の部分１０を透過した照明光を結像した透過光学画像（以下、第１の光学画像という）または第１の部分１０によって反射された照明光を結像した反射光学画像（以下、第２の光学画像という）を取得する（Ｓ１２）。取得された第１の光学画像と第２の光学画像は、比較部６１０に入力される。

次に、制御計算機６５０は、パターンデータ記憶部６３０に保存されているパターンデータを、展開部６２２に入力して、各層ごとに展開する。パターンデータは設計者によってあらかじめ作成されている。ここで、パターンデータは通常検査装置１０００によって直接読みこめるように設計されていない。そのため、パターンデータは、まず各層（レイヤ）ごとに作成された中間データに変換された後に、各検査装置１０００によって直接読み込める形式のデータに変換され、その後展開部６２２に入力される。

次に、制御計算機６５０は、参照部６２０を用いて、展開部６２２で各層ごとに展開されたパターンデータから、第１の光学画像の参照となる透過用参照画像（以下、第１の参照画像という）または第２の光学画像の参照となる反射用参照画像（以下、第２の参照画像という）を作成する。作成された第１の参照画像または第２の参照画像は、比較部６１０に入力される。

次に、制御計算機６５０は、比較部６１０を用いて、第１の参照画像と第１の光学画像の第１の比較または第２の参照画像と第２の光学画像の第２の比較を、第１の欠陥判断閾値に基づきおこなう（Ｓ１４）。ここで第１の比較の一例としては、第１の光学画像のパターンの箇所の透過光量と、対応する第１の参照画像のパターンの箇所の透過光量を比較する手法が挙げられる。また、第２の比較の一例としては、第２の光学画像のパターンの箇所の反射光量と、対応する第２の参照画像のパターンの箇所の反射光量を比較する手法が挙げられる。

なお、第１の光学画像と第１の参照画像または第２の光学画像と第２の参照画像と、第１の比較の結果と第２の比較の結果、欠陥と判断された箇所は、レビュー部６８０に送られ、オペレータによるレビューがおこなわれる。ここでレビューとは、検査装置が検出した欠陥箇所をオペレータが光学画像と参照画像を視認し再確認する作業のことをいう。

次に、制御計算機６５０は、判断部６６０を用いて、第１の部分１０の第１の欠陥の有無を判断する（Ｓ１６）。

ここで欠陥判断閾値とは、検査対象であるパターンの欠陥の有無を判断するための閾値である。なお、欠陥判断閾値は、欠陥判断閾値記憶部６３１に保存されている。

次に、第１の欠陥判断アルゴリズムについて述べる。すなわち、欠陥を有しない参照画像における正方形パターンの一辺の長さはＬ、検査対象であるパターンの一辺の長さをｌ_０、また第１の欠陥判断閾値をε_１としたとき、｜Ｌ−ｌ_０｜／Ｌ＜＝ε_１である場合には、欠陥はないと判断する。一方、｜Ｌ−ｌ_０｜／Ｌ＞ε_１である場合には、欠陥はあると判断する。なお、本実施形態の欠陥判断アルゴリズムは、欠陥判断アルゴリズム記憶部６３９に保存されている。

ここで第１の欠陥判断閾値ε_１を２０／１００とすると、パターン１０ｄのｙ方向では｜Ｌ−ｌ_０｜／Ｌ＝｜Ｌ−Ｌ／４｜／Ｌ＝３／４＞２０／１００である。また、パターン１０ｅのｘ方向では｜Ｌ−ｌ_０｜／Ｌ＝｜Ｌ−Ｌ／４｜＝３／４＞２０／１００である。また、パターン１０ｆのｘ方向では｜Ｌ−ｌ_０｜／Ｌ＝｜Ｌ−３Ｌ／４｜＝１／４＞２０／１００である。したがって、パターン１０ｄ、パターン１０ｅ、パターン１０ｆは欠陥を有すると判断される。すなわち、第１の部分１０は、第１の欠陥を有すると判断される。

一方、パターン１０ａ、パターン１０ｂ、パターン１０ｃ、パターン１０ｇ、パターン１０ｈ、パターン１０ｉでは、ｘ方向ｙ方向共に、｜Ｌ−ｌ_０｜／Ｌ＝｜Ｌ−Ｌ｜／Ｌ＝０＜２０／１００である。したがって、第１の部分１０で、パターン１０ａ、パターン１０ｂ、パターン１０ｃ、パターン１０ｇ、パターン１０ｈ、パターン１０ｉは欠陥を有しないと判断される。

なお本実施形態の欠陥判断閾値は、たとえば上記の第１の欠陥判断閾値２０／１００を１００倍して２０として、欠陥判断に用いる等といったことも可能である。

本実施形態のように、第１の部分１０は第１の欠陥を有すると判断された場合は、制御計算機６５０は、第１の部分１０における第１の欠陥の第１の座標と、第１の欠陥判断閾値と、第１の光学画像または第２の光学画像と、第１の参照画像または第２の参照画像と、を欠陥情報記憶部６３７に保存する（Ｓ２０）。なお、ここでさらに欠陥を有するパターンの線幅や形状等の、欠陥関連情報をあわせて保存しても良い。

ここで欠陥の座標の計測方法について記載する。比較部６１０には、位置検出部６４０から、その時点で比較処理を行っているパターン領域の座標が入力される。判断部６６０で欠陥を検出した場合には、その欠陥箇所の位置座標を算出し、マスクＭの光学画像で基準となるマークと欠陥の場所との相対的な座標として表す。ここで、基準となるマークとしては、たとえば、マスクＭ上の検査領域の四隅に配置されてプレート回転アラインメントに使用するアラインメントマークＡ_１、Ａ_２、Ａ_３およびＡ_４の一つを定義することが好ましく用いられる。なお、レビュー部６８０によるレビュー画面では，この基準となるマークからの相対的な座標も表示される。本実施形態では、たとえば、パターン１０ｄ、パターン１０ｅ、パターン１０ｆの座標が保存される。なお、第１の光学画像または第２の光学画像、または第１の参照画像または第２の参照画像のマスクＭ内における位置を座標として保存しても良く、特に限定されるものではない。

一方、第１の部分１０は第１の欠陥を有しないと判断された場合は、制御計算機６５０は、第２の欠陥判断閾値ε_２を第１の欠陥判断閾値ε_１＝２０／１００と等しくする（Ｓ１８）。

次に、制御計算機６５０は、第１の部分１０の第１の欠陥数を欠陥合計数として計算する（Ｓ２２）。本実施形態では、パターン１０ｄ、パターン１０ｅおよびパターン１０ｆが欠陥を有する。したがって第１の欠陥数は３であり、欠陥合計数は３である。なお、欠陥合計数は、欠陥合計数記憶部６３８に保存される。

次に、制御計算機６５０は、欠陥合計数が欠陥数閾値より大きいか否かを判断する（Ｓ２４）。本実施形態では、欠陥数閾値は２であるものとする。この場合、欠陥合計数は３であるので欠陥数閾値より大きいと判断される。なお、欠陥数閾値は、欠陥数閾値記憶部６３５に保存される。

欠陥合計数が欠陥数閾値より大きい場合には、制御計算機６５０は、第１の欠陥判断閾値ε_１より所定量大きい第２の欠陥判断閾値ε_２を計算する（Ｓ２６）。本実施形態では上記所定量を１０／１００として、第２の欠陥判断閾値ε_２は２０／１００＋１０／１００＝３０／１００と計算される。上記所定量と第２の欠陥判断閾値は、欠陥判断閾値記憶部６３１に保存される。さらに、制御計算機６５０は、欠陥合計数が欠陥数閾値より大きい場合には、第１の欠陥判断アルゴリズムよりも検出される欠陥の数を減少させることの出来る欠陥判断アルゴリズムを第２の欠陥判断アルゴリズムとして第２の部分２０の検査に用いることを決定しても良い。ここで本実施形態の欠陥判断アルゴリズムには、公知の欠陥判断アルゴリズムをいずれも好ましく用いることができる。

一方、制御計算機６５０は、欠陥合計数が欠陥数閾値以下であると判断した場合は、第２の欠陥判断閾値ε_２を第１の欠陥判断閾値ε_１と等しくする（Ｓ１８）。

次に、制御計算機６５０は、第２の欠陥判断閾値ε_２は限界欠陥判断閾値より大きいかを判断する（Ｓ２８）。第２の欠陥判断閾値ε_２が限界欠陥判断閾値より大きければ、第２の欠陥判断閾値を限界欠陥判断閾値と等しくする（Ｓ３０）。第２の欠陥判断閾値ε_２は限界欠陥判断閾値以下であれば、Ｓ３２に移る。本実施形態では、限界欠陥判断閾値は３０／１００としている。すると、第２の欠陥判断閾値ε_２は３０／１００であり限界欠陥判断閾値と等しいため、Ｓ３２に移る。一方、なお、限界欠陥判断閾値は限界欠陥判断閾値記憶部６３３に保存されている。

なお、欠陥判断アルゴリズムは、たとえば欠陥判断閾値をε_ｘとしてＬ／｜Ｌ−ｌ_０｜＞ε_ｘである場合には欠陥はないと判断し、Ｌ／｜Ｌ−ｌ_０｜＜＝ε_ｘである場合には欠陥はあると判断しても良い。その際には、たとえば、Ｓ２４で、欠陥合計数が欠陥数閾値より大きい場合には、Ｓ２６で第１の欠陥判断閾値より所定量小さい第２の欠陥判断閾値を計算し、Ｓ２４で欠陥合計数が欠陥数閾値より小さい場合には、Ｓ１８で第２の欠陥判断閾値を第１の欠陥判断閾値と等しくする。また、たとえば、Ｓ２８で第２の欠陥判断閾値が限界欠陥判断閾値以下である場合には、Ｓ３０で第２の欠陥判断閾値を前記限界欠陥判断閾値と等しくする。

以降のＳ３２からＳ５２の記載において、Ｓ１０からＳ３０についての記載と重複する記載は省略する。

次に、制御計算機６５０は、照明部４００を用いて、マスクＭの第２の部分２０に照明光を照射し（Ｓ３２）、結像部５００を用いて第２の部分２０を透過した照明光を結像した透過光学像（以下、第３の光学画像という）または第２の部分２０によって反射された照明光を結像した反射光学像（以下、第４の光学画像という）を取得する（Ｓ３４）。取得された第３の光学画像と第４の光学画像は、比較部６１０に入力される。

次に、制御計算機６５０は、参照部６２０を用いて、展開部６２２で各層ごとに展開されたパターンデータから、第３の光学画像の参照となる透過用参照画像（以下、第３の参照画像）または第４の光学画像の参照となる反射用参照画像（以下、第４の参照画像）を作成する。作成された第３の参照画像または第４の参照画像は、比較部６１０に入力される。なお第３の参照画像と第４の参照画像がそれぞれ第１の参照画像と第２の参照画像と同じである場合には、第３の参照画像と第４の参照画像の作成をしなくともよい。

次に、制御計算機６５０は、比較部６１０を用いて、第３の参照画像と第３の光学画像の第３の比較または第４の参照画像と第４の光学画像の第４の比較を、第２の欠陥判断閾値に基づきおこなう（Ｓ３６）。

次に、制御計算機６５０は、判断部６６０を用いて、第２の部分２０の第２の欠陥の有無を判断する（Ｓ３８）。

本実施形態では、第２の欠陥判断閾値ε_２は、３０／１００である。また、第２の欠陥判断アルゴリズムと第１の欠陥判断アルゴリズムは同一であるものとする。パターン２０ｂのＸ方向においてｌ_０＝３Ｌ／４であるが、｜Ｌ−ｌ_０｜／Ｌ＝｜Ｌ−３Ｌ／４｜＝１／４＜３０／１００である。そのため、パターン２０ｂはＸ方向において欠陥を有しないと判断される。同様にして、第２の部分２０は欠陥を有しないと判断される。

なお、たとえば第１の部分１０と第２の部分２０で設けられるパターンが異なっている、たとえば第１の部分１０にはラインアンドスペースパターンが設けられており、第２の部分２０にはホールパターンが設けられているような場合には、第１の欠陥判断アルゴリズムと第２の欠陥判断アルゴリズムを異なるものとすることができる。ここでそれぞれの欠陥判断アルゴリズムには、公知のマスクの欠陥判断に用いられる欠陥判断アルゴリズムをいずれも好ましく用いることができる。たとえば、ラインアンドスペースパターンにおいては、真のライン線幅または真のライン間隔との誤差量を基準にして欠陥の有無を判断することが出来る。また、ホールパターンにおいては、真のホールの大きさとの誤差量を基準にして欠陥の有無を判断することが出来る。

第２の部分２０は第２の欠陥を有すると判断された場合は、制御計算機６５０は、第２の部分２０における第２の欠陥の第２の座標と、第２の欠陥判断閾値と、第３の光学画像または第４の光学画像と、第３の参照画像または第４の参照画像と、を欠陥情報記憶部６３７に保存する（Ｓ４２）。一方、本実施形態のように第２の部分２０は第２の欠陥を有しないと判断された場合は、制御計算機６５０は、第３の欠陥判断閾値ε_３を第２の欠陥判断閾値ε_３＝３０／１００と等しくする（Ｓ４０）。

次に、制御計算機６５０は、第２の部分２０の第２の欠陥数を計算する。次に、第１の欠陥数と第２の欠陥数を加算して欠陥合計数を計算する（Ｓ４４）。次に、制御計算機６５０は、欠陥合計数が欠陥数閾値より大きいかを判断する（Ｓ４６）。欠陥合計数が欠陥数閾値より大きいと判断された場合には、制御計算機６５０は、第２の欠陥判断閾値ε_２を所定量増加させた第３の欠陥判断閾値ε_３を計算する（Ｓ４８）。一方、欠陥合計数は欠陥数閾値より大きくないと判断された場合は、第３の欠陥判断閾値ε_３を第２の欠陥判断閾値ε_２と等しくする（Ｓ４０）。

次に、制御計算機６５０は、第３の欠陥判断閾値ε_３は限界欠陥判断閾値より大きいかを判断する（Ｓ５０）。第３の欠陥判断閾値ε_３が限界欠陥判断閾値より大きければ、第３の欠陥判断閾値を限界欠陥判断閾値と等しくする（Ｓ５２）。第３の欠陥判断閾値ε_３は、たとえば第３の部分３０の検査に用いられる。

この後、同様にして、第３の部分３０、第４の部分４０、第５の部分５０、第６の部分６０の検査をおこなう。なお第２の部分２０で検査を終了してもよい。

表１は、本実施形態の検査の結果をまとめたものである。

第１の部分１０では欠陥判断閾値は２０／１００である。一方、第２の部分２０、第３の部分３０、第４の部分４０、第５の部分５０および第６の部分６０では欠陥判断閾値は３０／１００である。この結果、欠陥合計数は、第１の部分１０、第２の部分２０、第３の部分３０で３となっている。また、第４の部分４０と第５の部分５０で欠陥合計数は５となっている。さらに。第６の部分６０で欠陥合計数は７となっている。

表２は、第１の部分から第６の部分すべてで欠陥判断閾値に２０／１００を用いたと仮定した場合の検査の結果をまとめたものである。

この場合は、さらに第２の部分および第５の部分が欠陥を有すると判断される。そのため、第６の部分における欠陥合計数は１０である。すなわち、本実施形態では、欠陥判断閾値を第１の部分と第２ないし第６の部分でそれぞれ２０／１００と３０／１００と異なるものとすることにより、欠陥合計数を減らすことが出来る。

図４は、本実施形態におけるリソグラフィシミュレータを用いた検査方法のフローチャートである。

まず、リソグラフィシミュレータ２０００が、転写像作成部２０１０を用いて、第１の光学画像または第２の光学画像と転写パラメータに基づいて、当該マスクに半導体露光装置用の照明光が照射されウェハに転写されたと仮定した場合の、空間転写像を作成する（Ｓ７０）。ここで転写パラメータは、たとえば、点光源やダイポール光源といった露光に用いられる光源の種類、露光に用いられる波長、露光に用いられるレンズの開口数である。

なお、第１の光学画像または第２の光学画像は、たとえば欠陥情報記憶部６３７に保存されている。リソグラフィシミュレータ２０００は、インターフェース８００を介して第１の光学画像または第２の光学画像を読み出し、空間転写像作成に用いることができる。

次に、リソグラフィシミュレータ２０００が、転写像作成部２０１０を用いて、第１の参照画像または第２の参照画像に基づいて参照転写像を作成する（Ｓ７２）。

次に、リソグラフィシミュレータ２０００が、転写像比較部２０２０を用いて、空間転写像と参照転写像の第３の比較をおこなう（Ｓ７４）。

次に、リソグラフィシミュレータ２０００が、転写像判断部２０３０を用いて、第３の比較に基づいて第１の欠陥の補正の要否を判断する（Ｓ７６）。

次に、本実施形態の作用効果を述べる。

通常、欠陥を判断する基準となる所定のアルゴリズムと所定の閾値については、検査の前に感度評価マスクと呼ばれるマスクを用い、対象となる欠陥を検出することが出来る適切な設定がなされる。しかし、パターンの微細化が進み、ＯＰＣ（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ Ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ：光近接効果補正）技術等が多用されるにつれて、上述の感度評価マスクを用いてなされた設定では、対象となる欠陥を検出できない可能性が生じている。これを解決する手法の一つとして、感度評価マスクで設定される所定のアルゴリズムと所定の閾値よりも高い欠陥検出感度を有するアルゴリズムと閾値を用いて欠陥を検出する手法がある。この場合、ウェハに転写された場合には問題とならない欠陥（ヌイサンス欠陥）が数多く検出されるために、検査時間のレビュー時間の増加や、欠陥情報を保存する記憶装置の大容量化が必要となるという問題があった。

本実施形態では、第１の部分の第１の欠陥数を欠陥合計数として計算し、欠陥合計数が欠陥数閾値より大きい場合には、第１の欠陥判断閾値を所定量増加させた第２の欠陥判断閾値を計算する。すなわち、欠陥合計数が多くなりすぎたときには、欠陥判断閾値を変更する。さらに、第１の欠陥判断アルゴリズムよりも検出される欠陥の数を減少させることの出来る欠陥判断アルゴリズムを第２の欠陥判断アルゴリズムとして第２の部分２０の検査に用いる。これにより、検査時間・レビュー時間の増加抑制や、欠陥情報記憶部６３７の大容量化の抑制をすることが可能となる。

さらに本実施形態では、第２の欠陥判断閾値が限界欠陥判断閾値より大きい場合には、第２の欠陥判断閾値を限界欠陥判断閾値と等しくする。これにより、あまりにも欠陥判断閾値が大きいと、問題となる欠陥を見落とす可能性が大きくなるため、欠陥判断閾値の最大値を限界欠陥判断閾値として設けることができる。これにより、欠陥の見落としのない検査をすることが可能になる。

また本実施形態では、欠陥合計数が欠陥数閾値より大きい場合には、第１の欠陥判断閾値を所定量増加させた第２の欠陥判断閾値を計算し、欠陥合計数が欠陥数閾値以下である場合には、第２の欠陥判断閾値を第１の欠陥判断閾値と等しくする後に、被検査試料の第２の部分に照明光を照射し、第２の部分を透過した照明光を結像した第３の光学画像または第２の部分によって反射された照明光を結像した第４の光学画像を取得し、第３の光学画像の参照となる第３の参照画像と第３の光学画像の第３の比較または第４の光学画像の参照となる第４の参照画像と第４の光学画像の第４の比較を、第２の欠陥判断閾値に基づきおこない、第２の部分の第２の欠陥の有無を判断し、第２の部分は第２の欠陥を有すると判断された場合には、第２の欠陥の第２の座標と、第２の欠陥判断閾値と、第３の光学画像または第４の光学画像と、第３の参照画像または第４の参照画像と、を保存し、第２の部分の第２の欠陥数を計算し、第１の欠陥数と第２の欠陥数を加算して欠陥合計数を計算し、欠陥合計数が欠陥数閾値より大きい場合には、第２の欠陥判断閾値を所定量増加させた第３の欠陥判断閾値を計算し、欠陥合計数が欠陥数閾値以下である場合には、第３の欠陥判断閾値を第２の欠陥判断閾値と等しくする。このようにすると、たとえば本実施形態では、第１の部分で欠陥合計数が欠陥数閾値より大きい場合に、第２ないし第６の部分でより大きな欠陥判断閾値を用いて検査をすることが可能となる。これにより、検出される過剰な欠陥の数を抑制させ、検査時間・レビュー時間の増加を抑制することが可能となる。さらに、欠陥情報記憶部に保存される光学画像や参照画像の数を減少させることが可能となるため、欠陥情報記憶部６３７の大容量化の抑制が可能となる。

本実施形態の検査装置１０００は、さらにリソグラフィシミュレータ２０００を備え、空間転写像を作成して欠陥の有無や欠陥の補正の要否を判断することができる。これにより、マスクでは欠陥と判断される欠陥であっても、ウェハに転写された場合には問題とならないヌイサンス欠陥であれば、欠陥と判断されないようにする検査方法の実施をすることが可能となる。そのため、過剰に検出する欠陥の数、検査時間の増加、レビュー時間の増加、または欠陥情報記憶部６３７の大容量化をさらに抑制することが可能となる。

以上、本実施形態の検査方法によれば、被検査試料の第１の部分に照明光を照射し、第１の部分を透過した照明光を結像した第１の光学画像または第１の部分によって反射された照明光を結像した第２の光学画像を取得し、第１の光学画像の参照となる第１の参照画像と第１の光学画像の第１の比較または第２の光学画像の参照となる第２の参照画像と第２の光学画像の第２の比較を、第１の欠陥判断閾値に基づきおこない、第１の部分の第１の欠陥の有無を判断し、第１の部分は第１の欠陥を有すると判断された場合には、第１の欠陥の第１の座標と、第１の欠陥判断閾値と、第１の光学画像または第２の光学画像と、第１の参照画像または第２の参照画像と、を保存し、第１の部分の第１の欠陥数を欠陥合計数として計算し、欠陥合計数が欠陥数閾値より大きい場合には、第１の欠陥判断閾値を所定量増加させた第２の欠陥判断閾値を計算し、欠陥合計数が欠陥数閾値以下である場合には、第２の欠陥判断閾値を第１の欠陥判断閾値と等しくすることにより、過剰に検出する欠陥の数および検査時間の増加を抑制することができる検査装置および検査方法の提供が可能となる。

以上の説明において、「制御部」「比較部」「参照部」「展開部」「位置検出部」「判断部」「転写像作成部」「転写像比較部」「転写像判断部」の処理内容或いは動作内容は、コンピュータで動作可能なプログラムにより構成することができる。或いは、ソフトウェアとなるプログラムだけではなく、ハードウェア、またはハードウェアとソフトウェアとの組み合わせにより実施させても構わない。或いは、ファームウェアとの組み合わせでも構わない。また、プログラムにより構成される場合、プログラムは、図示していない磁気ディスク装置、磁気テープ装置、ＦＤ、ＲＯＭ（リードオンリメモリ）、ＳＳＤ（ソリッドステートドライブ）の記録媒体に記録される。また、「パターンデータ記憶部」「欠陥判断閾値記憶部」「限界欠陥判断閾値記憶部」「欠陥数閾値記憶部」「欠陥情報記憶部」「欠陥合計数記憶部」「欠陥判断アルゴリズム記憶部」などの記憶部は、たとえば磁気ディスク装置、磁気テープ装置、ＦＤ、ＲＯＭ（リードオンリメモリ）、ＳＳＤ（ソリッドステートドライブ）などの記録媒体を含む。

なお上記の説明では、図３のフローチャートでＳ１０からＳ５２までのステップをおこなうことにより、第１の部分１０と第２の部分２０両方を検査している。しかし、たとえば、まず第１の部分１０を検査し、Ｓ２６により第１の欠陥判断閾値より所定量大きい第２の欠陥判断閾値が計算されることが明らかとなったらＳ２６より前のステップに戻り、第１の欠陥判断閾値を増加させた上で第１の部分１０をもう一度検査し、その上で第２の部分２０を検査してもよい。

実施形態では、構成等、本発明の説明に直接必要としない部分等については記載を省略したが、必要とされる構成等を適宜選択して用いることができる。また、本発明の要素を具備し、当業者が適宜設計変更しうる全ての検査装置および検査方法は、本発明の範囲に包含される。本発明の範囲は、特許請求の範囲およびその均等物の範囲によって定義されるものである。

１０ 第１の部分
２０ 第２の部分
３０ 第３の部分
４０ 第４の部分
５０ 第５の部分
６０ 第６の部分
１００ 保持部
２００ ステージ
２１０ａ 第１のモーター
２１０ｂ 第２のモーター
２１０ｃ 第３のモーター
２２０ レーザー測長計
３００ 移動制御部
３１０ 走査範囲設定機構
３２０ モーター制御機構
４００ 照明部
４１０ 光源
４２０ 第１の照明部用レンズ
４３０ 第２の照明部用レンズ
４４０ 第１の照明部用ミラー
４５０ コンデンサレンズ
４６０ 第１の照明部用光束分配手段
４７０ 第２の照明部用ミラー
４８０ 第２の照明部用光束分配手段
４９０ 対物レンズ
５００ 結像部
５１０ 第１の光検出器
５２０ 第１の結像部用レンズ
５３０ 第２の光検出器
５４０ 第２の結像部用レンズ
５５０ 分離ミラー
６００ 制御部
６１０ 比較部
６２０ 参照部
６２２ 展開部
６３０ パターンデータ記憶部
６３１ 欠陥判断閾値記憶部
６３３ 限界欠陥判断閾値記憶部
６３５ 欠陥数閾値記憶部
６３７ 欠陥情報記憶部
６３８ 欠陥合計数記憶部
６３９ 欠陥判断アルゴリズム記憶部
６４０ 位置検出部
６５０ 制御計算機
６６０ 判断部
６７０ バスライン
６８０ レビュー部
７００ オートフォーカス部
７１０ オートフォーカス光束分配手段
７２０ フォーカスずれ検出機構
７３０ フォーカス制御機構
７４０ オートフォーカス部用モーター
８００ インターフェース
１０００ 検査装置
２０００ リソグラフィシミュレータ
２０１０ 転写像作成部
２０２０ 転写像比較部
２０３０ 転写像判断部
Ｍ マスク
Ａ_１、Ａ_２、Ａ_３、Ａ_４ アライメントマーク
Ｓ 基板

Claims (5)

1. 被検査試料の第１の部分に照明光を照射し、
   前記第１の部分を透過した前記照明光を結像した第１の光学画像または前記第１の部分によって反射された前記照明光を結像した第２の光学画像を取得し、
   前記第１の光学画像の参照となる第１の参照画像と前記第１の光学画像の第１の比較または前記第２の光学画像の参照となる第２の参照画像と前記第２の光学画像の第２の比較を、第１の欠陥判断閾値に基づきおこない、
   前記第１の部分の第１の欠陥の有無を判断し、
   前記第１の部分は前記第１の欠陥を有すると判断された場合には、
   前記第１の欠陥の第１の座標と、前記第１の欠陥判断閾値と、前記第１の光学画像または前記第２の光学画像と、前記第１の参照画像または前記第２の参照画像と、を保存し、
   前記第１の部分の第１の欠陥数を欠陥合計数として計算し、
   前記欠陥合計数が欠陥数閾値より大きい場合には、前記第１の欠陥判断閾値を所定量増加させた第２の欠陥判断閾値を計算し、前記欠陥合計数が前記欠陥数閾値以下である場合には、前記第２の欠陥判断閾値を前記第１の欠陥判断閾値と等しくする、
   検査方法。
2. 前記欠陥合計数が前記欠陥数閾値より大きい場合には、前記第１の欠陥判断閾値を前記所定量増加させた前記第２の欠陥判断閾値を計算する場合において、
   さらに前記第２の欠陥判断閾値が限界欠陥判断閾値より大きい場合には、前記第２の欠陥判断閾値を前記限界欠陥判断閾値と等しくすることを特徴とする、請求項１記載の検査方法。
3. 前記欠陥合計数が前記欠陥数閾値より大きい場合には、前記第１の欠陥判断閾値を前記所定量増加させた前記第２の欠陥判断閾値を計算し、前記欠陥合計数が前記欠陥数閾値以下である場合には、前記第２の欠陥判断閾値を前記第１の欠陥判断閾値と等しくする後に、
   前記被検査試料の第２の部分に照明光を照射し、
   前記第２の部分を透過した前記照明光を結像した第３の光学画像または前記第２の部分によって反射された前記照明光を結像した第４の光学画像を取得し、
   前記第３の光学画像の参照となる第３の参照画像と前記第３の光学画像の第３の比較または前記第４の光学画像の参照となる第４の参照画像と前記第４の光学画像の第４の比較を、前記第２の欠陥判断閾値に基づきおこない、
   前記第２の部分の第２の欠陥の有無を判断し、
   前記第２の部分は前記第２の欠陥を有すると判断された場合には、
   前記第２の欠陥の第２の座標と、前記第２の欠陥判断閾値と、前記第３の光学画像または前記第４の光学画像と、前記第３の参照画像または前記第４の参照画像と、を保存し、
   前記第２の部分の第２の欠陥数を計算し、
   前記第１の欠陥数と前記第２の欠陥数を加算して前記欠陥合計数を計算し、
   前記欠陥合計数が前記欠陥数閾値より大きい場合には、前記第２の欠陥判断閾値を前記所定量増加させた第３の欠陥判断閾値を計算し、前記欠陥合計数が前記欠陥数閾値以下である場合には、前記第３の欠陥判断閾値を前記第２の欠陥判断閾値と等しくすることを特徴とする、
   請求項１または請求項２記載の検査方法。
4. 前記欠陥合計数が前記欠陥数閾値より大きい場合には、前記第１の欠陥判断閾値を前記所定量増加させた前記第２の欠陥判断閾値を計算し、前記欠陥合計数が前記欠陥数閾値以下である場合には、前記第２の欠陥判断閾値を前記第１の欠陥判断閾値と等しくする後に、
   前記第１の光学画像または前記第２の光学画像に基づいて空間転写像を作成し、
   前記第１の参照画像または前記第２の参照画像に基づいて参照転写像を作成し、
   前記空間転写像と前記参照転写像の第３の比較をおこない、
   前記第３の比較に基づいて前記第１の欠陥の補正の要否を判断する、
   請求項１ないし請求項３いずれか一項記載の検査方法。
5. 被検査試料の第１の部分に照明光を照射する照明部と、
   前記第１の部分を透過した前記照明光を結像した第１の光学画像または前記第１の部分によって反射された前記照明光を結像した第２の光学画像を取得する結像部と、
   前記第１の光学画像の参照となる第１の参照画像と前記第１の光学画像の第１の比較または前記第２の光学画像の参照となる第２の参照画像と前記第２の光学画像の第２の比較を、第１の欠陥判断閾値に基づきおこなう比較部と、
   前記第１の部分の第１の欠陥の有無を判断する判断部と、
   前記第１の欠陥判断閾値を保存する欠陥判断閾値記憶部と、
   前記第１の欠陥の第１の座標と、前記第１の欠陥判断閾値と、前記第１の光学画像または前記第２の光学画像と、前記第１の参照画像または前記第２の参照画像と、を保存する欠陥情報記憶部と、
   前記第１の部分における第１の欠陥数を欠陥合計数として保存する欠陥合計数記憶部と、
   欠陥数閾値を保存する欠陥数閾値記憶部と、
   を備える検査装置。

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