JP2013098350A - 積層型インダクタおよびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】高いＱを得ることができる積層型インダクタを提供する。
【解決手段】３５質量％〜７５質量％の硼珪酸ガラスのマトリクス中に、５質量％〜４０質量％のα−石英と、５質量％〜６０質量％の珪酸亜鉛とが分散されており、前記硼珪酸ガラスはＳｉＯ_２およびＢ_２Ｏ_３の含有率がそれぞれ、ＳｉＯ_２＝７０質量％〜９０質量％、Ｂ_２Ｏ_３＝１０質量％〜３０質量％である絶縁体層に、内部導体材料としてＡｇまたはＣｕまたはこれらを主成分とした金属を印刷塗布してなる複数の絶縁体シートを積層した後、該積層体を水素または窒素またはこれら両方を含む還元雰囲気中で８７５℃〜９２０℃の温度で焼成することにより、前記内部導体の周囲の絶縁体層への内部導体材料の金属成分拡散距離が１０μｍ以上２０μｍ以下である。
【選択図】図５

Description

本発明は、積層型電子部品に関するものであり、特に絶縁体層の誘電率が低く、移動体通信機器などで使用する高周波領域での特性が良好な積層型インダクタに関する。

積層型インダクタに代表されるインダクタ部を有する積層型電子部品１００は、積層された複数の絶縁体層と絶縁体層内に形成されたスパイラル状の内部導体を備えて積層体を構成している。積層体の両端面には引き出し電極が露出しており、この引き出し電極に電気的に接続するように図１のような外部電極を形成している。外部電極の形成は、一般的に金属成分とガラスフリットとを含む金属ペーストを積層体の両端部に塗布、乾燥、焼付けすることにより金属電極膜を形成し、続いて金属電極膜上にＮｉを主成分とするめっき膜を形成し、さらにその上に、Ｓｎを主成分とするめっき膜を形成することにより行なう。

高周波用積層型インダクタの絶縁体層には、低温焼成が可能であり、高周波特性が比較的優れていることから硼珪酸ガラス系材料を選択することが特許文献１に記載されている。また、特許文献１および２には、内部導体材料としては、比抵抗率の低いＡｇを用いることが記載されており、焼成雰囲気は、内部導体にＡｇ系材料を用いるため大気中で行っている。

近年、移動体通信機器などの高周波回路基板に使用される積層型インダクタは小型化が急速に進められているが、積層型インダクタにおいてはこの小型化の流れはＱ値の低下を招いている。こうしたＱ値の低下に対し、特許文献３には、積層型インダクタの重要な特性であるＱ値（quality factor）を向上させるため、内部導体パターン形状を工夫して、コイル内径を大きくし、Ｑ値を向上させることが記載されている。

特開平４−７８０９号公報 特開平１０−３３８５４５号公報 特開２０１０−１６５９７５号公報

特許文献１、２および３に記載された積層型電子部品には、次のような問題が生じる。大気中で焼成された内部導体材料は、焼成過程において内部導体周辺の絶縁体層に内部導体材料の金属成分が拡散することがある。このため、スパイラル状の内部導体により発生するフラックス（磁束）を阻害し、インダクタの重要な特性であるＱ値（quality factor）を低下させてしまう。

このような課題は、本発明に係る積層型インダクタを、以下の構成とすることにより解決される。すなわち、本発明に係る積層型インダクタは、硼珪酸ガラスを主成分とする絶縁体層に、内部導体としてＡｇまたはＣｕまたはこれらを主成分とする金属を含む内部導体材料を印刷塗布し、この絶縁体層を複数積層し、次いで個片に切断した積層体を得、この個片に切断した積層体を水素または窒素またはこれら両者を含む還元雰囲気中で８７５℃〜９２０℃の温度で焼成することにより、前記内部導体の周囲の絶縁体層への内部導体材料の金属成分の拡散距離が１０μｍ以上２０μｍ以下となるようにする。積層型インダクタをこのような構成とすることにより、インダクタの重要な特性であるＱ値（quality factor）が改善される。

本発明によれば、インダクタ部品の重要な特性であるＱ値（quality factor）を向上させた積層型インダクタが提供される。

従来技術に係る積層型インダクタの一例を示した概略構成図である。 本発明の実施形態に係る積層型インダクタの一実施形態を示した概略構成図である。 図２の積層型インダクタの製造方法の一実施形態を示した概略構成図である。 本発明の実施形態に係る焼成前の積層型インダクタの一実施例を示した概略構成図である。 本発明の実施形態に係る内部導体材料の拡散状態を示すＥＰＭＡ解析写真である。 積層型インダクタのＱ特性の周波数依存性を示したグラフである。

以下、本発明を実施するための形態について、添付図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、同一又は同等の要素については同一の符号を付し、説明が重複する場合にはその説明を省略する。

本発明の実施形態に係る積層型電子部品の一例として、積層型インダクタ１を図２に示す。図２（ａ）および図２（ｂ）は、異なる角度からの積層型インダクタ１の斜視構成を示した図である。図２に示された積層型インダクタ１は、略直方体形状の外形を有し、その長手方向において対向する一対の端面１ａ、１ｂおよび実装時に基板（図示せず）に対向する底面１ｃを有する。なお、上記積層型インダクタ１の外形形状は略立方体形状であってもよい。この積層型インダクタ１には、内部に設けた内部電極３の両端部とおのおの電気的に接続した一対の外部電極２を有している。各外部電極２は、端面１ａ、１ｂと底面１ｃとで構成する角部Ｃを挟んで形成されており、底面１ｃに形成する底面部２ａと、端面１ａ、１ｂに形成する端面部２ｂとで構成している。各外部電極２の底面部２ａと端面部２ｂとは連続的に形成しており、それにより、各外部電極２は、角部Ｃを挟んで底面１ｃと隣り合う端面１ａ、１ｂの一部と底面１ｃの一部とを連続的に覆う断面Ｌ字状の端子形状となっている。すなわち、各外部電極２はL字形状に形成されている。

次に、積層型インダクタ１を作製する手順について説明する。まず、絶縁体ペーストと導体ペーストとを用意する。

絶縁体ペーストは、絶縁体材料（非磁性セラミック組成物）と有機ビヒクルとを混練して作製する。絶縁体材料は、非磁性セラミック組成物として、３５質量％（ｗｔ％）〜７５質量％（ｗｔ％）の硼珪酸系ガラス粉末のマトリクス中に、５質量％（ｗｔ％）〜４０質量％（ｗｔ％）のα−石英粉末と、５質量％（ｗｔ％）〜６０質量％（ｗｔ％）の珪酸亜鉛粉末とが混合・分散されており、前記硼珪酸系ガラス粉末はＳｉＯ_２およびＢ_２Ｏ_３の含有率がそれぞれ、ＳｉＯ_２が７０質量％（ｗｔ％）〜９０質量％（ｗｔ％）、Ｂ２Ｏ３が１０質量％（ｗｔ％）〜３０質量％（ｗｔ％）のものを用いることができる。絶縁体材料としては、低誘電率化ができることから硼珪酸系ガラスが好ましいが、低温焼成が可能であることから、チタン酸系複合酸化物、ジルコン酸系複合酸化物、あるいはこれらの混合物を用いることもできる。絶縁体材料（非磁性セラミック組成物）粉末の平均粒径は特に限定されないが、通常、０．１μｍ〜５μｍ、より好ましくは、０．５μｍ〜３μｍ とすることが好ましい。有機ビヒクルには、例えば有機バインダとしてエチルセルロースを溶剤としてテルピネオールに溶解したものを用いることができる。有機バインダとしては、この他にメタクリル酸エステル重合体、アクリル酸エステル−メタクリル酸エステル共重合体、α−メチルスチレン重合体、テトラフルオロエチレン重合体等の易熱分解性の有機バインダが使用可能である。溶剤としてはアルコール、トルエン、アセトン、メチルエチルケトン、トリクロロエチレンまたはこれらの混合物や水などが使用可能である。絶縁体ペーストの、非磁性セラミック組成物に対する、有機バインダおよび溶剤の比率は特に限定されず、通常の比率、例えば、非磁性セラミック組成物１００質量部に対し有機バインダは５質量部〜１５質量部程度、溶剤は１００質量部〜２００質量部程度とすればよい。より具体的には、例えば、非磁性セラミック組成物１００質量部に対し、有機バインダとしてエチルセルロース１０質量部、溶剤としてテルピネオール１４０質量部とすることができる。この非磁性セラミック組成物と、有機バインダおよび溶剤とをライカイ機で３時間混練し、絶縁体ペーストを得る。

導体ペーストとして、Ａｇ電極の場合、Ａｇ粉末（平均粒径１．０μｍ〜２．５μｍ）と有機ビヒクルとを、質量比８０：２０〜９０：１０の割合で混合させ導体ペーストとすることができる。Ｃｕ電極の場合、Ｃｕ粉末（平均粒径０．２μｍ〜０．５μｍ）と有機ビヒクルとを、質量比８０：２０〜９０：１０の割合で混合させ導体ペーストとすることができる。ここで、Ａｇ粉末、Ｃｕ粉末それぞれの平均粒径は、市販のレーザー回折式粒度分布測定装置を用い、累積５０％粒子径を平均粒径とした。

図３（ａ）に示すように、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルム上に絶縁体ペーストを塗布してシート化し、絶縁体シート７を複数枚用意する。次に、絶縁体シート７を用いて、内部導体材料を印刷塗布した絶縁体シート１４、１５、１６、１７を作製する。まず、絶縁体シート７にＬ字状貫通孔８、９を形成し、これらＬ字状貫通孔８、９に導体ペーストを印刷充填して絶縁体シート１４を作製する。次に、他の絶縁体シート７にＬ字状貫通孔８、９と貫通ビアホール１０（ａ）とを形成し、これらＬ字状貫通孔８、９と貫通ビアホール１０（ａ）に導体ペーストを印刷充填するとともに、引き出し電極パターン１１を印刷形成して絶縁体シート１５を作製する。なお、貫通ビアホール１０（ａ）は、コイルパターン１２を層間で連結させるためのものである。また、他の絶縁体シート７にＬ字状貫通孔８、９を形成し、これらＬ字状貫通孔８、９に導体ペーストで印刷充填するとともに引き出し電極パターン１３を印刷形成して絶縁体シート１６を作製する。さらに、上記絶縁体シート１４に貫通ビアホール１０（ｂ）を形成し、この貫通ビアホール１０（ｂ）を導体ペーストで印刷充填するとともにコイルパターン１２を印刷形成した絶縁体シート１７を作製する。なお、図示するように、各絶縁体シート１４、１５、１６、１７には、複数のＬ字状貫通孔、複数の貫通ビアホール、複数の引き出し電極パターン、複数のコイルパターンを、複数個の積層型インダクタを同時に作製するように形成する。

次に、図３（ｂ）に示すように、各絶縁体シート７、１４、１５、１６、１７をコイルパターン１２、引き出し電極パターン１１、１３が連結するように適宜積層し、プレスすることで、グリーン積層型インダクタ基板を作製する。このグリーン積層型インダクタ基板を、製品ごとになるように個片に切断することでグリーン積層型インダクタを得る。

なお、図２に示された内部導体３によるコイルの巻き数が１回であるが、インダクタンス値に応じ、複数回の巻き数とする構成としても構わない。また、絶縁体シート上に形成するコイルパターン１２もこれに限定するものではない。貫通ビアホール１０（ａ）、１０（ｂ）の位置も巻き数に応じてコイルパターン１２の周回上であればこれに限定するものではない。

（グリーン積層型インダクタの製造方法）
以下では、各絶縁体シートの製造方法について詳しく説明する。

積層型インダクタの作製に用いられる上述の絶縁体シート７は、まず、ドクターブレード法などによってＰＥＴフィルム上に絶縁体ペーストを塗布形成し、乾燥して絶縁体シートとする。絶縁体シート７の非磁性セラミック組成物は、硼珪酸系ガラスガラスで構成する。絶縁体シート７の厚みは５μｍ〜４０μｍ程度として複数枚作製する。絶縁体シート１４は、絶縁体シート７にレーザー加工などにより、外部電極形成用のＬ字状貫通孔８、９を形成し、これらのＬ字状貫通孔８、９を導体ペーストで充填する。そして乾燥工程を経て絶縁体シート１４とする。

絶縁体シート１５は、絶縁体シート１４にレーザー加工などにより、コイルパターン１２と連結させるための貫通ビアホール１０（ａ）を形成し、導体ペーストを充填する。そして乾燥工程を経て、コイルパターン１２を外部に入出力するための引き出し電極パターン１１を形成する。引き出し電極パターン１１は、導体ペーストをスクリーン印刷などにより形成し、絶縁体シート１５を作製する。なお、上記貫通ビアホール１０（ａ）と引き出し電極パターン１１の形成は、それぞれ印刷工程を分けて実施しているが、１回の印刷で同時に形成しても構わない。

絶縁体シート１６は、絶縁体シート１４にコイルパターンを外部に入出力するための引き出し電極パターン１３を形成する。引き出し電極パターン１３は、導体ペーストをスクリーン印刷などで形成することによって得ることができる。

このとき、外部電極用の導体ペーストを充填したＬ字状貫通孔８と引き出し電極パターン１１とは電気的に接続されている。また、外部電極用の導体ペーストを充填したＬ字状貫通孔９と引き出し電極パターン１３とは電気的に接続されている。

なお、導体ペーストを充填した貫通ビアホール１０（ａ）、１０（ｂ）と引き出し電極パターン１１、１３とコイルパターン１２とは、各絶縁体シートにおいて、１回の工程で同時に形成してもよく、または、複数回の工程に分けて形成してもよい。また、本実施形態の引き出し電極パターン１１、１３とコイルパターン１２の厚みは１２μｍ程度としている。

上記のＬ字状貫通孔８、９や貫通ビアホール１０（ａ）、１０（ｂ）の形成方法としては、レーザー加工のほかにドリル加工、メカパンチング加工など、最適な工法で実施すればよい。導体ペーストの導体材料として、本実施形態ではＡｇまたはＣｕを用いているが、この他にこれらを主成分とする金属であれば良く、一例としてそれらを１つ以上含む合金が挙げられる。ただしこれに限定するものではない。

さらに導体ペーストを充填したＬ字状貫通孔８、９の幅についても特に限定はされず、コイルパターン１２の外径サイズに適宜対応した幅であれば、特に限定されない。

絶縁体シート１７は、上述のように絶縁体シート１４を加工することに代えて、絶縁体シート７に、Ｌ字状貫通孔８、９およびレーザー加工などによりコイルパターン１２を連結させるための貫通ビアホール１０（ｂ）を形成する。これらの貫通ビアホール１０（ｂ）に導体ペーストを充填する。次いで、コイルパターン１２を印刷することによって絶縁体シート１７としている。コイルパターン１２としては、１種類以上から構成するものとし、コイルの巻き数（インダクタンス値）によって適宜変更できる。これに伴い、貫通ビアホール１０（ｂ）の位置は、巻き数に応じてコイルパターン１２の周回上で適宜変更する。上記コイルパターン１２は、Ｌ字状貫通孔８、９および貫通ビアホール１０（ｂ）を導体ペーストで充填するときに、同時に印刷によって形成しても構わない。

上述のとおりに準備した各絶縁体シート７、１４、１５、１６、１７をＰＥＴフィルムから剥離し、図３（ｂ）のような構成で、剥離積層工法や熱圧着積層工法によって積層し、さらに一軸加圧工程（たとえば、４０℃、１００Ｎ／ｍｍ^２、３０秒保持）を経て、グリーン積層型インダクタ基板を形成する。グリーン積層型インダクタ基板は、ダイシングソーまたは押し切り切断機などにより、Ｌ字状貫通孔８、９に充填した導体材料が切断面に露出するようにしながら製品ごとに個片に切断して、グリーン積層型インダクタを得る（図４参照）。グリーン積層型インダクタの外部電極２は、積層体内部に埋もれた構造となり、かつ、積層体表面に、断面Ｌ字状の構造として露出している。

上記グリーン積層型インダクタは、固化乾燥（１１０℃〜１５０℃）後に面取り加工する。例えば、バレル研磨を施し、積層体の角に曲率半径ｒの曲面Ｒを形成する。バレル研磨としては、バレル漕中にグリーン積層型インダクタ１、研磨用メディア、研磨液等を入れ、回転、振動などにより、相対運動を生じさせることで上記グリーン積層型インダクタを研磨加工できる。研磨用メディアは必ずしも入れる必要はなく、研磨液についても特に制限されないが、グリーン積層型インダクタに含まれるバインダに対して難溶である水等を用いてもよい。

（焼成と電極めっき処理）
次いでバレル研磨したグリーン積層型インダクタを、還元雰囲気焼成する。例えば、φ１００ｍｍの管状炉内に挿入し、還元雰囲気として窒素ガスを２リットル／分、水素ガスを０．２リットル／分の流量で流入する。焼成プロファイルを、常温から４００℃までの昇温速度を２．０℃／分とし、４００℃から焼成温度までの昇温速度を３．３℃／分とし、焼成温度で２時間保持する。焼成温度は、８７５℃〜９２０℃の範囲の温度とするとよい。焼成の後、例えば個片形状が縦１．０ｍｍ×横０．５ｍｍ×厚み０．５ｍｍ形状（以下、１００５形状という）の積層型インダクタを得る。実施形態における焼成温度の下限値を確認するため、焼成温度８７０℃、および８６０℃で焼成した積層型インダクタも作製する。実施形態における焼成温度の上限値を確認するため、焼成温度として９３０℃で焼成した積層型インダクタも作製する。また、焼成雰囲気の比較用として、内部導体がＡｇ導体で作製されたグリーン積層型インダクタについて、φ１００ｍｍの管状炉にて大気雰囲気で８６０℃〜９００℃の温度範囲において焼成し、積層型インダクタ１を得る。

さらに上記焼成した積層型インダクタ１は、端部に無電解めっき、もしくは電気めっきをする。例えば、外部電極２上に５μｍ厚さのＣｕめっき層を形成する。さらに、前記Ｃｕめっき層の上に、はんだ食われを防止するためＮｉめっき層を２μｍ形成し、次いで、はんだ付け性を高めるためにＳｎめっき層を４μｍ形成する。

以上の説明では、外部電極２がＬ字状の端子形状に形成したものを積層型インダクタ１として例示したが、このＬ字状端子を外部電極とすることにより、積層インダクタを実装基板上に実装するに際し、積層インダクタの底面もしくは上面を実装基板に対向させて実装することが可能となり、実装時の素子搭載自由度が向上する。先に述べた内部導体のコイル軸が、実装面に対して平行でありかつ、前記積層体の対向する端面に形成した一対の外部電極の対向方向に対して垂直となるように構成（実装）すればよい（図２参照）。例えば、図１に示すような５面端子である外部電極を備えた積層型インダクタ、即ち、外部電極が対向する２つの端面と、それぞれの端面に隣接する４つの面の端部に回りこむように形成された積層型インダクタにも適用でき、同様の効果を得ることができる。

絶縁体ペーストの非磁性セラミック組成物には硼珪酸系ガラスとして、ＳｉＯ_２：８０質量％（ｗｔ％）、Ｂ_２Ｏ_３：１８質量％（ｗｔ％）、Ｋ_２Ｏ：２質量％（ｗｔ％）を含む粉末６５質量％（ｗｔ％）、Ｚｎ_２ＳｉＯ_４（珪酸亜鉛）粉末１５質量％（ｗｔ％）、α−石英粉末２０質量％（ｗｔ％）含むものを用いた。また、各粉末はそれぞれ平均粒径が硼珪酸ガラス：１．２μｍ、Ｚｎ_２ＳｉＯ_４（珪酸亜鉛）：０．５μｍ、α−石英：０．７μｍのものを用いた。導体ペーストとして、Ａｇ電極の場合、Ａｇ粉末（平均粒径２．０μｍ）と有機ビヒクルとを、質量比８５：１５の割合で混合させ導体ペーストとし、Ｃｕ電極の場合、Ｃｕ粉末（平均粒径０．３μｍ）と有機ビヒクルとを、質量比８０：２０の割合で混合させ導体ペーストとし、前記実施形態に示した製造方法に従いグリーン積層型インダクタを用意した。

（評価方法）
グリーン積層型インダクタの焼成温度、内部導体材料、並びに焼成雰囲気別にＱ値および内部導体材料の金属成分の拡散距離を測定した。なお、Ｑ値の評価はインピーダンスアナライザを用い、１ＧＨｚでのＱ値が４０以上を「○」、４０より小さいものを「×」と判定した。高周波対応可能なインダクタとして、１ＧＨｚでのＱ値が４０以上の特性を要求されることが多いことからＱ値４０を判定基準とした。焼結性評価の基準は、焼結による収縮率が１５％以上を「○」、焼結による収縮率が１５％未満を「×」とした。内部導体材料の金属成分の拡散距離の測定は、以下によって行った。積層型インダクタのスパイラル状の内部導体で形成したコイルの中心軸に平行に（絶縁体シートに垂直に）切断して断面を得た。この断面を電子線マイクロアナライザー（ＥＰＭＡ）により、１μｍ当たりの電子線照射条件を加速電圧が１５．０ｋＶ、照射電流が０．１μＡ、測定時間が３０ｍｓｅｃとして分析を行った。実施例３の解析例を図５に示す。このときの内部導体材料の金属成分濃度が１質量％（ｗｔ％）以上となっている領域の内部導体と絶縁体との界面からの距離を測定した。これらの測定結果は、５個の個片のそれぞれに対して５ヶ所の断面を測定した平均値とし、表１にまとめて示す。

実施例２と比較例２の結果（焼成温度８８０℃、内部導体材料Ａｇ）から、１００５形状の積層型インダクタの場合、大気雰囲気焼成に対し還元雰囲気焼成では内部導体材料の金属成分拡散距離が短く、かつＱ値が高いことがわかる。このときのＱ値の周波数特性を図６に示す。比較例５に示すように、還元雰囲気焼成においても、焼成温度が９３０℃以上になると内部導体材料の金属成分拡散距離が長くなり、かつＱ特性も低下する。また、比較例４に示すように、還元雰囲気焼成においても、焼成温度が８７０℃以下になると内部導体材料の金属成分拡散距離が短くなりこの点では好ましいが、内部導体材料の焼結性が不十分となり連結性が悪くなる（導電性が低くなる）。このため直流重畳抵抗Ｒｄｃが高くなりＱ値が低くなる。また、絶縁体材料が未焼結状態であることからインダクタの抗折強度不足やめっき液進入の原因となる。これらから還元雰囲気における焼成温度は８７５℃から９２０℃が好ましい範囲であることが分かる。

次いで、実施例５に示すように、内部導体材料をＣｕで作製した場合も還元雰囲気焼成することで、Ｑ値が高いことが確認でき、かつ内部導体材料の金属成分拡散距離も短いことがわかった。なお、Ｃｕは極めて酸化しやすいので、製造の際に焼成工程を酸化雰囲気で行うと、Ｃｕ酸化物を生じて体積が膨張し、クラックが発生してしまうという問題がある。

このように本実施形態で製造された積層型インダクタの内部導体は、還元雰囲気焼成中において内部導体材料電極の金属成分が絶縁体側へ拡散することを抑制できる。さらに詳しくは、絶縁体内への内部導体材料の金属成分拡散距離が１０μｍ〜２０μｍとなる構成とするように焼成することで、Ｑ値が高くかつ焼結状態が良好な積層型インダクタを提供できる。絶縁体内への内部導体材料の金属成分拡散距離をこの範囲とすることで、スパイラル状の内部導体により発生するフラックス（磁束）を阻害することを抑えられるのでＱ特性が向上する。

スパイラル状の内部導体により発生するフラックスを阻害することを抑えられることから積層体内にスパイラル状の内部導体を備える積層型ＬＣフィルタなどの積層型電子部品においても利用の可能性がある。

１…積層型インダクタ、１ａ、１ｂ…端面、１ｃ…底面、１ｄ…頂面、２…外部電極、２ａ…底面部、２ｂ…端面部、３…内部導体、７…絶縁体シート、８、９…Ｌ字状貫通孔、１４、１５、１６、１７…絶縁体シート

Claims (3)

1. 硼珪酸ガラスを主成分とする絶縁体内に、内部導体がスパイラル状に積層されており、前記絶縁体内への内部導体材料の金属成分拡散距離が１０μｍ〜２０μｍであることを特徴とする積層型インダクタ。
2. 前記内部導体材料がＡｇまたはＣｕまたはこれらを主成分とする金属である請求項１記載の積層型インダクタ。
3. 硼珪酸ガラスを主成分とする絶縁体内に、ＡｇまたはＣｕまたはこれらを主成分とする金属である内部導体がスパイラル状に積層されているグリーン積層型インダクタを、水素または窒素またはこれら両者を含む還元雰囲気中で８７５℃〜９２０℃の温度範囲で焼成することを特徴とする積層型インダクタの製造方法。