JP2013057119A - 方向性電磁鋼板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】mass%で、C:0.001〜0.10%、Si:1.0〜5.0%、Mn:0.01〜1.0%、SおよびSe:合計0.01〜0.05%、sol.Al:0.003〜0.050%およびN:0.001〜0.020%を含有する鋼スラブを熱間圧延し、冷間圧延し、一次再結晶焼鈍し、MgOを主成分とする焼鈍分離剤を塗布し、仕上焼鈍する方向性電磁鋼板の製造方法において、一次再結晶焼鈍における500〜600℃間の昇温速度S1を100℃/s以上、600〜700℃間の昇温速度S2を30〜0.6×S1℃/sとし、焼鈍分離剤中に含まれるイオン半径が0.6〜1.3Å、イオン−酸素間引力が0.7Å−2以下の元素のMgOに対する総含有量W(mol%)を、0.01S2−5.5≦Ln(W)≦0.01S2−4.3を満たすよう調整する。
【選択図】なし
Description
0.01S2−5.5≦Ln(W)≦0.01S2−4.3 ・・・(1)
を満たすよう調整することを特徴とする方向性電磁鋼板の製造方法である。
C:0.001〜0.10mass%
Cは、ゴス方位粒を発生させるのに有用な成分であり、斯かる効果を発現させるためには、0.001mass%以上の含有を必要とする。一方、Cが0.10mass%を超えると、後工程の脱炭焼鈍で磁気時効を起こさない0.005mass%以下まで脱炭することが難しくなる。よって、Cは0.001〜0.10mass%の範囲とする。好ましくは、0.01〜0.08mass%の範囲である。
Siは、鋼の電気抵抗を高めて鉄損を低下させると共に、鉄のBCC組織を安定化させ、高温での熱処理を可能とするために必要な成分であり、少なくとも1.0mass%の添加を必要とする。しかし、5.0mass%を超える添加は、鋼を硬質化し、冷間圧延することを困難とする。よって、Siは、1.0〜5.0mass%の範囲とする。好ましくは、2.5〜4.0mass%の範囲である。
Mnは、鋼の熱間脆性の改善に有効に寄与すると共に、SやSeを含有している場合には、MnSやMnSe等の析出物を形成し、インヒビタとしての機能を発揮する元素である。Mnの含有量が0.01mass%より少ないと、上記効果が十分に得られず、一方、1.0mass%を超えると、MnSe等の析出物が粗大化してインヒビタとしての効果が失われるようになる。よって、Mnは0.01〜1.0mass%の範囲とする。好ましくは、0.04〜0.40mass%の範囲である。
Alは、鋼中でAlNを形成して分散第二相として析出し、インヒビタとして作用する有用成分である。しかし、添加量がsol.Alで0.003mass%未満では、AlNの析出量が十分ではなく、一方、0.050mass%を超えて添加すると、AlNが粗大に析出してインヒビタとしての作用が失われるようになる。よって、Alはsol.Alとして0.003〜0.050mass%の範囲とする。好ましくは、0.01〜0.04mass%の範囲である。
Nは、Alと同様、AlNを形成するために必要な成分である。しかし、添加量が0.001mass%未満では、AlNの析出が不十分であり、一方、0.020mass%を超えて添加すると、スラブ加熱時にふくれ等を生じるようになる。よって、Nは0.001〜0.020mass%の範囲とする。好ましくは、0.005〜0.010mass%の範囲である。
SおよびSeは、MnやCuと結合してMnSeやMnS,Cu2−xSe,Cu2−xSを形成し、鋼中に分散第二相として析出し、インヒビタとしての作用を発揮する有用成分である。これらS,Seの合計含有量が0.01mass%未満では、上記の効果が十分には得られず、一方、0.05mass%を超えると、スラブ加熱時における固溶が不完全となるだけでなく、製品板における表面欠陥の原因ともなる。よって、SおよびSeは、単独添加および複合添加のいずれの場合も0.01〜0.05mass%の範囲とする。好ましくは、合計で0.01〜0.03mass%の範囲である。
Cu,Ni,Cr,Sb,Sn,MoおよびBiは、結晶粒界や表面に偏析しやすい元素であり、補助的なインヒビタとしての作用を有する元素であるため、さらなる磁気特性の向上を目的として添加することができる。しかし、いずれの元素も、添加量が上記下限値に満たない場合は、二次再結晶過程の高温域で一次再結晶粒の粗大化を抑制する効果が十分ではなく、一方、上記上限値を超える添加は、被膜の外観不良や二次再結晶不良を引き起こすおそれがある。よって、添加する場合には、上記範囲で添加するのが好ましい。
これらのB,Ge,As,P,Te,Nb,TiおよびVも、補助的なインヒビタとしての作用を有し、さらなる磁気特性の改善に有効な元素である。しかし、上記添加量に満たない場合には、二次再結晶過程の高温域で、一次再結晶粒の粗大化を抑制する効果が十分に得られない。一方、上記添加量を超えると、二次再結晶不良や被膜の外観不良を発生しやすくする。よって、これらの元素を添加する場合には、上記範囲で添加するのが好ましい。
本発明の方向性電磁鋼板は、上記に説明した成分組成を有する鋼を従来公知の精錬プロセスで溶製し、連続鋳造法または造塊−分塊圧延法等の方法で鋼素材(鋼スラブ)とし、その後、上記鋼スラブを熱間圧延して熱延板とし、必要に応じて熱延板焼鈍を施した後、1回もしくは中間焼鈍を挟む2回以上の冷間圧延により最終板厚の冷延板とし、一次再結晶焼鈍と脱炭焼鈍を施した後、MgOを主成分とする焼鈍分離剤を塗布し、最終仕上焼鈍を施し、その後、必要に応じて絶縁被膜の塗布・焼付けを兼ねた平坦化焼鈍を経る一連の工程からなる製造方法である。
なお、上記製造方法において、一次再結晶焼鈍および焼鈍分離剤以外の製造条件については、従来公知の方法を採用することができ、特に制限はない。よって、本発明における一次再結晶焼鈍条件および焼鈍分離剤の条件について以下に説明する。
最終板厚まで圧延した冷延板を一次再結晶焼鈍する条件、特に加熱過程における昇温速度は、先述したように、二次再結晶組織に大きな影響を及ぼすため、厳密な制御が必要とされる。そこで、本発明においては、二次再結晶粒を製品コイル全長に亘って安定的に細粒化し、製品コイル内の鉄損特性に優れる領域の比率を高めるため、上記加熱過程を、回復が進行する低温域と、一次再結晶が起こる高温域とに分け、それぞれの領域の昇温速度を適正に制御することとした。
ここで、一次再結晶焼鈍の加熱過程の低温域(500〜600℃)における昇温速度S1が100℃/s未満の場合には、歪エネルギーがきわめて高い変形帯では、優先的に回復(歪エネルギーの緩和)が生じるため、ゴス方位{110}<001>の再結晶を促進させることができない。これに対して、S1を100℃/s以上とした場合には、歪エネルギーが高い状態のままで変形組織を高温まで保持することができるので、ゴス方位{110}<001>の再結晶を比較的低温(600℃近傍)で起こさせることができる。これがS1を100℃/s以上とする理由である。
逆に、600〜700℃の昇温速度を30℃/s未満にすると、ゴス方位{110}<001>に次いで再結晶を起こしやすい<111>方位が増加するので、二次再結晶粒が粗大化するおそれがある。以上が、S2を30℃/s以上0.6×S1℃/s以下とする理由である。
また、一次再結晶焼鈍は、一般に脱炭焼鈍と兼ねて行われることが多いが、本発明においても、脱炭焼鈍と兼ねた一次再結晶焼鈍としてもよく、あるいは、別々として一次再結晶焼鈍後に脱炭焼鈍を施してもよい。
さらに、一次再結晶焼鈍の前または後、あるいは、一次再結晶焼鈍中に窒化処理を施してインヒビタを補強することが行われることがあるが、本発明においても窒化処理を適用することは可能である。
上記一次再結晶焼鈍あるいはさらに脱炭焼鈍後の鋼板は、その後、焼鈍分離剤を塗布し、仕上焼鈍を施して二次再結晶させるが、本発明の特徴は、この際、焼鈍分離剤中に添加する微量成分の含有量を上記昇温速度S2に合わせて適正範囲に調節すると共に、上記微量添加成分を、イオン半径が0.6〜1.3Åで、イオン−酸素間引力が0.7Å−2以下の元素に限定するところにある。ここで、このような条件を満たす元素としては、Ca,Sr,LiおよびNa等があり、これらは単独または2種以上を複合して添加してもよい。
MgO+SiO2 → Mg2SiO4
となり、フォルステライトを生成する反応であるが、イオン半径が上記範囲にある元素を導入することで、仕上焼鈍中にMg2+イオンと置換させると共に、イオン半径の違いから生じる格子の不整合によりMgO格子中に格子欠陥を導入して拡散を起こし易くし、上記反応を促進させることができるからである。イオン半径が、上記範囲より大き過ぎたり、小さ過ぎたりすると、Mg2+イオンとの置換反応が起こらないため反応促進効果は期待できない。
すなわち、SiO2は、被膜形成の際に、オストワルド成長のような乖離−再凝集過程を経て鋼板表層に移動していくものと考えられるが、ここに、イオン−酸素間引力が0.7Å−2以下のイオンを導入すると、SiO2の結合を切断して上記乖離過程を起こし易くし、SiO2が表層に濃化してMgOとの接触の機会が高まるため、フォルステライトの形成反応が促進される。しかし、イオン−酸素間引力が、0.7Å−2を超えると、上記効果が得られなくなる。
0.01×S2−5.5≦Ln(W)≦0.01×S2−4.3 ・・・(1)
を満たす範囲に制御する必要がある。
というのは、高温域の昇温速度S2が高くなり過ぎると、形成されるサブスケールのデンドライト状シリカ(SiO2)が鋼板表層下に深く入り込むようになるので、上記微量添加成分の量を高めて、仕上焼鈍中にSiO2が鋼板表面に移動するのを促進させてやる必要がある。逆に、S2が低下すると、デンドライト状シリカが深く入り込まないので、上記微量添加成分量が少なくてもSiO2が鋼板表面に移動することができる。したがって、微量添加成分の添加量Wは、昇温速度S2に応じて適正範囲に調整する必要があり、Wが、上記(1)式の範囲よりも低くなると、SiO2の表層への移動促進効果がなくなり、一方、上記(1)式の範囲を超えると、SiO2の表面への移動が進みすぎて、フォルステライトの形態が劣化し、被膜の外観不良を引き起こすようになる。
Claims (5)
- C:0.001〜0.10mass%、Si:1.0〜5.0mass%、Mn:0.01〜1.0mass%、SおよびSeのうちから選ばれる1種または2種:合計0.01〜0.05mass%、sol.Al:0.003〜0.050mass%およびN:0.001〜0.020mass%を含有し、残部がFeおよび不可避的不純物からなる成分組成を有する鋼スラブを熱間圧延し、1回もしくは中間焼鈍を挟む2回以上の冷間圧延して最終板厚とし、一次再結晶焼鈍し、MgOを主成分とする焼鈍分離剤を塗布した後、仕上焼鈍を施す方向性電磁鋼板の製造方法において、
上記一次再結晶焼鈍における500〜600℃間の昇温速度S1を100℃/s以上、600〜700℃間の昇温速度S2を30〜0.6×S1℃/sとすると共に、
上記焼鈍分離剤中に含まれるイオン半径が0.6〜1.3Å、イオン−酸素間引力が0.7Å−2以下の元素のMgOに対する総含有量W(mol%)を、上記S2との関係において下記(1)式を満たすよう調整することを特徴とする方向性電磁鋼板の製造方法。
記
0.01S2−5.5≦Ln(W)≦0.01S2−4.3 ・・・(1) - 上記一次再結晶焼鈍後、脱炭焼鈍することを特徴とする請求項1に記載の方向性電磁鋼板の製造方法。
- 上記イオン半径が0.6〜1.3Å、イオン−酸素間引力が0.7Å−2以下である元素は、Ca,Sr,LiおよびNaのうちから選ばれる1種または2種以上であることを特徴とする請求項1または2に記載の方向性電磁鋼板の製造方法。
- 上記鋼スラブは、上記成分組成に加えてさらに、Cu:0.01〜0.2mass%、Ni:0.01〜0.5mass%、Cr:0.01〜0.5mass%、Sb:0.01〜0.1mass%、Sn:0.01〜0.5mass%、Mo:0.01〜0.5mass%およびBi:0.001〜0.1mass%のうちから選ばれる1種または2種以上を含有することを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の方向性電磁鋼板の製造方法。
- 上記鋼スラブは、上記成分組成に加えてさらに、B:0.001〜0.01mass%、Ge:0.001〜0.1mass%、As:0.005〜0.1mass%、P:0.005〜0.1mass%、Te:0.005〜0.1mass%、Nb:0.005〜0.1mass%、Ti:0.005〜0.1mass%およびV:0.005〜0.1mass%から選ばれる1種または2種以上を含有することを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の方向性電磁鋼板の製造方法。
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