JP2012255785A - 3次元センサに関するシステムと方法 - Google Patents
3次元センサに関するシステムと方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012255785A JP2012255785A JP2012130770A JP2012130770A JP2012255785A JP 2012255785 A JP2012255785 A JP 2012255785A JP 2012130770 A JP2012130770 A JP 2012130770A JP 2012130770 A JP2012130770 A JP 2012130770A JP 2012255785 A JP2012255785 A JP 2012255785A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- die
- sensor
- axis
- activation surface
- application
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 38
- 230000004913 activation Effects 0.000 claims description 115
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 12
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 28
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 9
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 4
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 230000035807 sensation Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
- G01R33/028—Electrodynamic magnetometers
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/0052—Manufacturing aspects; Manufacturing of single devices, i.e. of semiconductor magnetic sensor chips
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
- G01R33/0206—Three-component magnetometers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
- Gyroscopes (AREA)
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
Abstract
【課題】マルチ軸センサを製造する方法を提供する。
【解決手段】第1のアプリケーション・エレクトロニクスを備えた第1の活性化表面114を有する第1のダイ102を製作するステップと、第2のアプリケーション・エレクトロニクスを有する第2の活性化表面115、および、第2のアプリケーション・エレクトロニクスから第2の活性化表面と隣接している第2のダイ104の側面インタフェースまで伸びる少なくとも一つの電気的接続を有する第2のダイを製造するステップと、第1の活性化表面と同一平面上の側面インタフェースを整列配置するステップと、複数の電気的接続119と第1の活性化表面との間に少なくとも一つの電気的接続を形成するステップとを有する。
【選択図】図1
【解決手段】第1のアプリケーション・エレクトロニクスを備えた第1の活性化表面114を有する第1のダイ102を製作するステップと、第2のアプリケーション・エレクトロニクスを有する第2の活性化表面115、および、第2のアプリケーション・エレクトロニクスから第2の活性化表面と隣接している第2のダイ104の側面インタフェースまで伸びる少なくとも一つの電気的接続を有する第2のダイを製造するステップと、第1の活性化表面と同一平面上の側面インタフェースを整列配置するステップと、複数の電気的接続119と第1の活性化表面との間に少なくとも一つの電気的接続を形成するステップとを有する。
【選択図】図1
Description
[0001] 磁力計が、方向情報を提供するためにポータブル電子デバイスにおいて使われる。この種のデバイス内部の物理的なスペースが小さいので、したがって、それらが使用される磁力計は大きさに制限がある。このように、非常に小型センサが組み立てられることができるので、集積回路磁力計が使われる。
[0002] 集積回路磁力計の1つの限界は、3次元センサが単一のダイに現在組み立てられることができないということである。その代わりに、別々のセンサダイは、直交して配置されなければならず、3次元センサデバイスを形成するために一緒に組み立てられなければならない。一般的に、その活性化回路が非回転ダイに対して垂直であるように、この装置はダイのうちの少なくとも1つが回転することを必要とする。これは各々に対して垂直である表面を電気的に接続する必要があり、それは現在のむずかしくて高価な技術である。
[0003] 上で述べた理由に関し、および、当業者が本願明細書を読んで理解するために以下に述べる他の理由に関し、3次元センサための改良されたシステムと方法用の技術の必要性がある。
[0004] 本発明の実施形態は、直交するダイを接続させるための方法および装置を提供し、以下の詳細な説明を読み、研究することによって理解される。
[0005] ある実施形態では、マルチ軸センサを製造する方法であって、
第1のアプリケーション・エレクトロニクスを備えた第1の活性化表面を有する第1のダイを製作するステップと、
第2のアプリケーション・エレクトロニクスを有する第2の活性化表面、および、第2のアプリケーション・エレクトロニクスから第2の活性化表面と隣接している第2のダイの側面インタフェースまで伸びる少なくとも一つの電気的接続を有する第2のダイを製造するステップと、
第1の活性化表面と同一平面上の側面インタフェースを整列配置するステップと、
複数の電気的接続と第1の活性化表面との間に少なくとも一つの電気的接続を形成するステップと
を有する。
[0005] ある実施形態では、マルチ軸センサを製造する方法であって、
第1のアプリケーション・エレクトロニクスを備えた第1の活性化表面を有する第1のダイを製作するステップと、
第2のアプリケーション・エレクトロニクスを有する第2の活性化表面、および、第2のアプリケーション・エレクトロニクスから第2の活性化表面と隣接している第2のダイの側面インタフェースまで伸びる少なくとも一つの電気的接続を有する第2のダイを製造するステップと、
第1の活性化表面と同一平面上の側面インタフェースを整列配置するステップと、
複数の電気的接続と第1の活性化表面との間に少なくとも一つの電気的接続を形成するステップと
を有する。
[0006] 現在の開示の実施形態は、好ましい実施形態および以下図の説明を考慮して、より容易によく理解され、更なる効果および用途ついてより直ちに明らかになる。
[0013] 一般的な慣行によれば、種々の記載されている特徴は、一定の比率で描かれず、典型的な実施形態に関連する特定の特徴を強調するように描かれる。図面およびテキストを通して同じエレメントには同じ参照番号が用いられる。
[0014] 以下の詳細な説明において、例示の特定の実施形態によって示され、本願発明の一部を形成する図面を参照して、本願発明を説明する。しかし、他の実施形態が利用されることができ、論理的、機械的および電気的な変更が可能であることができ得る。さらに、図面および明細書に示される方法は、個々の行為が実行されることができるオーダーを限定するように解釈されない。したがって、以下の詳細な説明は、限定的に解釈されない。
[0015] 本発明の実施形態は、垂直方向のセンサダイから垂直方向のセンサの側面の方へ接続インタフェースを延長することによって、直交して方位付けされたセンサダイを電気的に接続する必要性について述べる。垂直に取り付けたセンサダイの側面は、水平に方位付けられたセンサから成る水平表面に合わせられる。垂直方向のセンサの側面上の接続インタフェースは、水平に方位付けられたセンサの水平表面に接続されている。後で詳しく述べるように、垂直方向のセンサの側面も有する水平に方位付けられたセンサの表面を整列配置することは、他の構成要素(例えばプリント回路基板(PCB)または他の電子デバイス)へのセンサの取付けを容易にする。
[0016] 図1は、多数の軸に沿ってアプリケーションを実行するためのアプリケーション・エレクトロニクスを含む集積回路デバイスを例示する線図である。すなわち、アプリケーション・エレクトロニクスは、複数の軸に沿って感知するセンサを含む。図1に図示した実施形態では、集積回路センサデバイス100は、y軸120、x軸122およびz軸124に沿って感知する。ある実施形態では、センサデバイス100は、磁場の構成要素を測定することができる磁気センサから成る。かかる実施形態では、センサデバイス100は、磁場を測定するために様々な磁気検知技術の一つ以上を利用する。例えば、センサデバイス100は、異方性磁気抵抗(AMR)センサ、巨大磁気抵抗(GMR)センサ、トンネリング磁気抵抗(TMR)センサ、磁気インピーダンス(MI)センサなどを使用して磁場を感知することができる。他の実施形態では、アプリケーション・エレクトロニクスは、慣性または回転センサのような他のセンサ機能を提供する。
[0017] 図1に示すように、センサデバイス100は、水平に方位付けられた活性化表面114から成る第1のダイ102、および、垂直方向の活性化表面115から成る第2のダイ104を含む。本願明細書において用いられる用語「水平」および「垂直」は、センサデバイス100が載置されるベースに関して、ダイ102およびダイ104の活性化表面領域が互いに直交して配置されることを示す。
[0018] ある実施形態では、ダイ102は、活性化表面114に作られる少なくとも一つのアプリケーション・センサ116を有する集積回路ダイとして製造される。図1の特定の実施形態では、アプリケーション・センサ116は、2本の直交軸(x軸122およびy軸120)に沿って感知する平面方向(面内)のセンサを備える。すなわち、アプリケーション・センサ116は、活性化表面114の平面にある方向の感覚に有能なだけである。活性化表面114を含んでいる平面に対して直角である磁場の構成要素を感知することが可能ではない。ダイ104はまた、活性化表面115に作られる少なくとも一つのアプリケーション・センサ110を有する集積回路として製造される。アプリケーション・センサ116のように、アプリケーション・センサ110はまた、活性化表面の平面に形成される。アプリケーション・センサ110は、センサ116によって感知される2つの軸に対して直角である少なくとも一つの軸に沿って、感知するように方位付けされる。別の実施形態では、アプリケーション・センサ116は、(例えば、x軸122のような)単一の軸をに沿って感知し、アプリケーション・センサ110は、他の2つの直交軸(例えば、y軸120およびz軸124)に沿って感知する。
[0019] 活性化表面115は、アプリケーション・センサ110の製造中に水平に方位付けされる。次いで、ダイ102およびダイ104がウェハ再構築を通じて一緒に組み立てられるとき、活性化表面115の平面が活性化表面114の平面と直角をなすように、ダイ104は回転する。例えば、水平アプリケーション・センサ116が、水平活性化表面114の平面のy軸120およびx軸122に沿って感知するとき、ダイ104は、垂直アプリケーション・センサ110が、垂直活性化表面115の平面のz軸124に沿って感知するように回転する。このように、単一のウェハを形成するためにアプリケーション・センサ110をアプリケーション・センサ116と結合することにより、センサデバイス100が3つの直交軸(例えば、y軸120、x軸122および、z軸124)に沿って感知することができる。
[0020] ダイ104が回転したあと、結合手段は、ダイ104をダイ102に結合する。結合手段は、ポリフィル(poly-fill)、または、他の集積回路結合手段を含むことができる。ダイ102にダイ104を結合することによって、センサ100は、3つの直交軸に沿って方向を感知することができる単一の再構築されたウェハになる。ある実施形態では、活性化表面115は、ダイ102の垂直側面112に結合される。別の実施形態では、ダイ104のいかなる側も垂直側部面112に結合されることができ、活性化表面115は、活性化表面314に対して直交方位に維持される。
[0021] アプリケーション・センサ110をアプリケーション・センサ116に電気的に接続するために、ダイ104は、アプリケーション・センサ110からダイ104の水平面インタフェース128の方へ伸びる複数の垂直の電気的接続118を含む。図1に示すように、側面128および活性化表面114が同じ平面内で整列配置されるように、側面インタフェース128は活性化表面114に配置される。次いで、相互接続119は、ダイ104上の垂直電気的接続118とダイ102の活性化表面114上のアプリケーション・センサ116との間のセンサ100に形成される。ある実施形態では、相互接続119は、側面インタフェース128および活性化表面114と同じ平面にあるように作られる。複数のボンディングパッド126は、センサ100を他の装置(例えばプリント回路基板または他の集積回路)と相互接続するように表面114に提供される。
[0022] 図2は、図1にて説明したように、センサデバイス100を組み立てる方法を例示する線図である。複数の単一の軸のセンサは、(250で示すような)第1のウェハの上に形成され、複数の2軸センサは、(260で示すような)第2のウェハの上に形成される。2つのウェハは、上で議論される技術のいずれに基づいてもよい。第1のウェハは、単一の軸センサダイの行および列に第1のウェハをソーイングすることにより、(252で示される)個々の単一の軸センサダイに個別化される。第1のウェハの個別化もまた、垂直の電気的接続118を露出させる。第2のウェハは、2軸センサダイの行および列に第2のウェハをソーイングすることによって、(262で示される)個々の2軸センサダイに個別化される。254で示すように、個々の単一の軸センサダイは、活性化表面が垂直方向であるように、回転する。図1に戻って参照すると、ダイ104は、センサ110から側面インタフェース128まで伸びている垂直電気的接続118で示される。単一の軸のセンサダイの回転もまた、各々のダイのための側面インタフェース128を整列配置するのに役立ち、その結果、それらのそれぞれの垂直電気的接続118が、264で示すように非回転2軸センサダイの活性化表面114によって形成される平面に配置される。
[0023] 個々のシングルの軸センサダイおよび個々の非回転2軸センサダイは、再構築されたウェハを形成するために互いに結合される。ウェハが再構築されるとき、ウェハ・レベル・プロセスのパフォーマンスが、個々の単一の軸センサダイを個々の2軸センサダイに電気的に接続する。これは、270で例示される。ある実施形態では、垂直電気的接続118は、メタライゼーション層への接続のための接続118を準備するために研磨される。接続118が研磨されるとき、絶縁層は、再構築されたウェハの上に堆積され、ボンディングパッド126および118に接触を形成するためのパターンが絶縁層にエッチングされる。電気的接続を形成するために、メタライゼーション層は側面インタフェースおよび第1の活性化表面の上に堆積され、絶縁層にエッチングされる接触間に電気的接続を形成する。メタライゼーション層が堆積するとき、他のパターンはメタライゼーション層の一部を除去し、第1のダイ102と第2のダイ104と間の電気的接続の形成を完了させるためにメタライゼーション層にエッチングされる。次いで、結果として生じる3軸センサは、(272で示される)個々のセンサに分離される。
[0024] 実施形態によっては、ダイは最終的なセンサデバイスによって占められるスペースの量を減らすバックグラウンドである。例えば、オペレーションのために不必要な材料は、回転されるダイの減少する寸法に結果としてなる(223で示される)第1のウェハから作り出されるダイの底面からの背景である。更に、不必要な材料は、ダイ104の高さに合致するために(233で示される)第2のウェハの底面から除去される。
[0025] 図3は、3つ単一軸のウェハが、3本の直交軸に沿って感知することができるセンサデバイス300を形成するために一緒に結合される、(全体的に300で示される)3つの軸センサデバイスの他の実施形態を例示している図である。センサデバイス300は、第1のダイ302、第2のダイ304および第3のダイ306を含む。
[0026] ダイ302は、水平に方位付けられた活性化表面314、および、活性化表面314に作られるアプリケーション・センサ316を含む。アプリケーション・センサ316は、活性化表面314によって形成される平面の中にある軸に沿って感知することができる。例えば、図3に示すように、活性化表面314によって形成される平面は、y軸320およびx軸322を含む。したがって、活性化表面314に横たわるアプリケーション・センサ316は、x軸322、y軸320、もしくは、x軸322およびy軸320の平面の他の軸に沿って感知することができる。
[0027] 第2のダイ304は、側面インタフェース328上に形成された電気的接続318、および、垂直方向の活性化表面315上に形成されるアプリケーション・センサ310を含む。アプリケーション・センサ310が、活性化表面315にあるとき、アプリケーション・センサ310が活性化表面315を含んでいる平面において感知する。図3に示すように、活性化表面315は、z軸324およびy軸320によって形成される平面にある。アプリケーション・センサ310が、平面の中の感覚は、活性化表面315によって形成される面内で感知するとき、アプリケーション・センサ310は、z軸324、y軸320、または、z軸324およびy軸320の組合せに沿って感知することができる。
[0028] 第3のダイ306は、垂直方向の活性化表面313の上に形成されるアプリケーション・センサ311、および、側面インタフェース330に形成された電気的接続317を含む。アプリケーション・センサ311が活性化表面313にあるので、アプリケーション・センサ311は、活性化表面313を含む平面において感知する。図3に示すように、活性化表面313は、z軸324およびy軸320によって形成される平面にある。アプリケーション・センサ311が活性化表面313を含む平面内で感知するので、アプリケーション・センサ311は、z軸324、y軸320、または、z軸324およびy軸320の組合せに沿って感知することができる。全ての3次元の感度を提供するために、アプリケーション・センサ316によって感知される軸に加えて、アプリケーション・センサ310によって感知される軸に対して直角であると軸に沿って、アプリケーション・センサ311は、感知する。センサ310、311および316は、図1に関して上記したセンサ技術のいずれかを利用する。
[0029] 第2のダイ304および第3のダイ306は、図2に関して上記の通りに同様の方法で第1のダイ302に結合される。ダイ304および306がダイ302に結合されるとき、側面インタフェース328および側面インタフェース330が活性化表面314に合わせられるように、それらはダイ302に関して配置される。側面インタフェース328が活性化表面314に合わせられるとき、接続318は相互接続319を介して活性化表面314に接続している。側面インタフェース330が、活性化表面314に合わせられるとき、接続317は相互接続321を介して活性化表面314に接続している。整列配置された表面の相互接続が、単一の平坦面に作られる相互接続319および321を許容する。
[0030] 図3は、ダイ302の対向する側に結合されるダイ304およびダイ306を例示するけれども、他の実施形態では、それらは、ダイ302の隣接した側にとどまり、その結果、活性化表面315および活性化表面313が互いに対して直角の平面にある。
[0031] 図4は、3つのシングルの軸ウェハが3本の直交軸に沿って感知することができるセンサデバイス400を形成するために結合される(全体的に400で示される)3つの軸センサデバイスの他の実施形態を例示している図である。センサデバイス400は、第1のダイ402、第2のダイ404および第3のダイ406を含む。3つの単一の軸のウェハの使用により、3つの同じく設計されたデバイスを使用している3つの軸のウェハの形成を可能にする。
[0032] 第1のダイ402は、活性化表面414に作られたアプリケーション・センサ416および第1の水平に方位付けられた活性化表面414を含む。アプリケーション・センサ416は、活性化表面414によって形成される平面内にある軸に沿って感知することができる。例えば、図4に示すように、活性化表面414によって形成される平面は、y軸420およびx軸422を含む。したがって、活性化表面414に横たわるアプリケーション・センサ416は、x軸422、y軸420、もしくは、x軸422およびy軸420の平面の他の軸に沿って感知する。
[0033] 第3のダイ406は、第1のダイ402と類似し、第2の水平に方位付けられた活性化表面413、および、活性化表面413に作られるアプリケーション・センサ411を含む。アプリケーション・センサ411は、活性化表面413によって形成される平面内にある軸に沿って感知することができる。例えば、図4に示すように、活性化表面413によって形成される平面は、y軸420およびx軸422を含む活性化表面414を含む同じ平面である。したがって、活性化表面413に横たわるアプリケーション・センサ411は、x軸422、y軸420、または、x軸422およびy軸420のの平面の他の軸に沿って感知する。更に、センサ411は、センサ416によって感知される軸に対して直角である軸において感知する。例えば、センサ416がy軸420に沿って感知するとき、センサ411はx軸422に沿って感知する。また、第3のダイ406は、第1のダイ406の側面に結合され、上記の通りにウェハ・プロセスを介して第1のダイ406に電気的に接続される。
[0034] 第2のダイ404は、垂直方向の活性化表面415の上に形成されるアプリケーション・センサ410と、側面インタフェース428に形成された電気的接続418を含む。アプリケーション・センサ410が、活性化表面415にあるとき、アプリケーション・センサ410は、活性化表面415を含んでいる平面において感知する。図4に示すように、活性化表面415は、z軸424およびy軸420によって形成される平面にある。アプリケーション・センサ410が、活性化表面415によって形成された平面内で感知されるので、アプリケーション・センサ410は、z軸424、y軸420、または、z軸424およびy軸420の組合せに沿って感知する。第2のダイは、図2に関して上記の通り同様の方法で第1のダイ402または第3のダイ406に結合される。ダイ404、406および402が再構築されたウェハを形成するために接合されるときに、側面インタフェース428は活性化表面414および413に合わせられる。側面インタフェース428が、活性化表面414および413に合わせられるとき、接続418は、相互接続419を介して活性化表面414または活性化表面413に接続される。
[0035] 図5a-bは、センサデバイスの取付けを例示する。図5aにおいて、センサデバイス500aは、取付表面550に結合されて、ワイヤーボンディング540を介して取付表面550に電気的に接続される。例えば、センサデバイス500aのベースは、取付表面550に結合され、センサデバイス500aは、図1のセンサデバイス100、図3のセンサデバイス300または図4のセンサデバイス400と同様に機能する。取付面550は、プリント回路基板(PCB)または他の表面でありえる。センサデバイス500aを取付表面550に接続するために、導線は、センサデバイス500aの水平活性化表面にあるボンディングパッドに結合される。ボンディングパッドは、ボンディングパッド126として図1に示される。導線が、センサデバイス500aの水平活性化表面にあるボンディングパッドに結合されるとき、導線は取付面550に接続される。
[0036] 別の実施形態では、図5bは、取付表面550に接続され、フリップチップ接続445を介して取付表面550に電気的に結合されるセンサデバイス500bを例示する。例えば、センサデバイス500bの水平活性化表面は、取付表面550に直接接続されることができる。センサデバイス500bの水平活性化表面が、取付表面550に直接接続するとき、センサデバイス500bの水平活性化表面にあるボンディングパッドは、取付表面550に直接結合される。
[0037] 図6は、マルチ軸センサを組み立てるために第1のダイを第2のダイに電気的に接続する方法600を例示している工程系統図である。方法は、第1のアプリケーション・エレクトロニクスを備えた第1の活性化表面を有する第1のダイを製造するステップ602から始まる。第1のアプリケーション・エレクトロニクスは、第1の活性化表面の平面内に横たわる少なくとも一つの方向の軸線に沿って感度が高い測定機能を実行するように設計されている。例えば、ある実施形態では、アプリケーション・エレクトロニクスは、単一の軸または2軸磁気センサから成る。
[0038] 方法は、第2のアプリケーション・エレクトロニクスを有する第2の活性化表面、を有する第2のダイ、および、第2のアプリケーション・エレクトロニクスから第2の活性化表面と隣接している第2のダイの側面インタフェースまで伸びる複数の電気的接続を製造するステップ604へ進む。第1のダイと同様に、アプリケーション・エレクトロニクスは、第1の活性化表面の平面内に位置する少なくとも一つの方向軸線に沿って、感度が高い測定機能を実行するように設計される。ある実施形態では、第2のアプリケーション・エレクトロニクスは、単一の軸か2軸磁気センサから成る。側面上のインタフェースは、第2のアプリケーション・エレクトロニクスと相互接続する複数の電気的接続へのアクセスを提供する。
[0039] 方法は、第1の活性化表面と同一平面上の側面インタフェースを整列配置するステップ606へ進む。例えば、第2のダイの側面インタフェースが、第1の活性化表面と整列配置し、第1の活性化表面および側面は同じ平面の中にあるように、第2のダイは回転する。ある実施形態では、第1の活性化表面と同一平面上にある側面を整列配置することで、第2のダイを更に回転させ、その結果、第1の活性化表面が、第1の活性化表面に関して直交して方位づけされるように構成されている。
[0040] 方法は、複数の電気的接続と第1の活性化表面との間の少なくとも一つの電気的接続を形成するステップ608へ進む。電気的接続を形成することは、ウェハ・レベル・プロセスを使用して実行される。ある実施形態では、電気的接続を形成することは、メタライゼーション層に接続するためのインタフェースを準備するために側面上でインタフェースを研磨することを含む。側面が研磨されるとき、絶縁体層は、再構成されたウェハの上に堆積され、ボンディングパッドに接触を形成するためのパターンは、絶縁体層にエッチングされる。電気的接続を形成するために、メタライゼーション層は、接触を接続するために側面インタフェースおよび第1の活性化表面の上に堆積する。
[0041] ある実施形態では、第2の活性化表面が、第1のダイの垂直側面に接着されるように、第1のダイはポリフィル(poly-fill)を有する第2のダイに結合される。ある実施形態では、方法は、第1のダイおよび第2のダイをプリント回路基板に載置することを更に含む。図3および4に関して言及したように、いくつかの別の実施形態では、方法は、3つの独立した単一の軸のセンシングダイを利用することを含む。そのような実施形態では、方法は、第3のダイを製造することを更に含み、第3のダイは第3のアプリケーションを有する第3の活性化表面から成る。
例示の実施形態
[0042] 実施形態1は、マルチ軸センサを製造する方法であって、該方法は、
第1のアプリケーション・エレクトロニクスを備えた第1の活性化表面を有する第1のダイを製作するステップと、
第2のアプリケーション・エレクトロニクスを有する第2の活性化表面、および、第2のアプリケーション・エレクトロニクスから第2の活性化表面と隣接している第2のダイの側面インタフェースまで伸びる少なくとも一つの電気的接続を有する第2のダイを製造するステップと、
第1の活性化表面と同一平面上の側面インタフェースを整列配置するステップと、
複数の電気的接続と第1の活性化表面との間に少なくとも一つの電気的接続を形成するステップと
を有することを特徴とする。
[0042] 実施形態1は、マルチ軸センサを製造する方法であって、該方法は、
第1のアプリケーション・エレクトロニクスを備えた第1の活性化表面を有する第1のダイを製作するステップと、
第2のアプリケーション・エレクトロニクスを有する第2の活性化表面、および、第2のアプリケーション・エレクトロニクスから第2の活性化表面と隣接している第2のダイの側面インタフェースまで伸びる少なくとも一つの電気的接続を有する第2のダイを製造するステップと、
第1の活性化表面と同一平面上の側面インタフェースを整列配置するステップと、
複数の電気的接続と第1の活性化表面との間に少なくとも一つの電気的接続を形成するステップと
を有することを特徴とする。
[0043] 実施形態2は、実施形態1の方法を含み、少なくとも一つの電気的接続を形成するステップが、ウェハ・レベル・プロセスを実行するステップを有することを特徴とする。
[0044] 実施形態3は、実施形態2の方法を含み、ウェハ・レベル・プロセスを実行するステップは、
側面インタフェースを研磨するステップと、
マルチ軸センサの表面の上に絶縁層を堆積させるステップと、
絶縁層を第1のパターンでエッチングするステップと、
マルチ軸センサの表面の上にメタライゼーション層を堆積させるステップと、
メタライゼーション層を第2のパターンでエッチングするステップ
のうちの少なくとも1つから成ることを特徴とする。
側面インタフェースを研磨するステップと、
マルチ軸センサの表面の上に絶縁層を堆積させるステップと、
絶縁層を第1のパターンでエッチングするステップと、
マルチ軸センサの表面の上にメタライゼーション層を堆積させるステップと、
メタライゼーション層を第2のパターンでエッチングするステップ
のうちの少なくとも1つから成ることを特徴とする。
[0045] 実施形態4は実施形態1〜3のいずれかの方法を含み、第1の活性化表面と同一平面上の側面インタフェースを整列配置するステップが更に、第2の活性化表面が、第1の活性化表面に対して直交して方位づけされるように、第2のダイを回転させるステップを有することを特徴とする。
[0046] 実施形態5は、実施形態1〜4のいずれかの方法を含み、第1のアプリケーション・エレクトロニクスおよび第2のアプリケーション・エレクトロニクスが更に各々、平面方向の(面内)磁気センサから成ることを特徴とする。
[0047] 実施形態6は、実施形態5の方法を含み、第1のアプリケーション・エレクトロニクスは、2軸磁気センサから成る。
[0048] 実施形態7は、実施形態1〜6のいずれかの方法を含み、第2のダイの第2の活性化表面を第1のダイに結合するステップを更に含む。
[0048] 実施形態7は、実施形態1〜6のいずれかの方法を含み、第2のダイの第2の活性化表面を第1のダイに結合するステップを更に含む。
[0049] 実施形態8は、実施形態1〜7のいずれかの方法を含み、該方法が、
第3のダイを製造するステップであって、第3のダイが、第3のアプリケーション・エレクトロニクスを有する第3の活性化表面と、第2の複数の電気的接続とを有することを特徴とするステップと、
第1の活性化表面および第3の活性化表面との間に少なくとも一つの電気的接続を形成するステップと
をさらに有することを特徴とする。
第3のダイを製造するステップであって、第3のダイが、第3のアプリケーション・エレクトロニクスを有する第3の活性化表面と、第2の複数の電気的接続とを有することを特徴とするステップと、
第1の活性化表面および第3の活性化表面との間に少なくとも一つの電気的接続を形成するステップと
をさらに有することを特徴とする。
[0050] 実施形態9は、実施形態1〜8のいずれかの方法を含み、第1のダイおよび第2のダイの一方または両方をバックグラインド(backgrinding)することを更に含む。
[0051] 実施形態10は、実施形態1〜9のいずれかの方法を含み、マルチ軸センサをプリント回路基板に載置することを更に含む。
[0051] 実施形態10は、実施形態1〜9のいずれかの方法を含み、マルチ軸センサをプリント回路基板に載置することを更に含む。
[0052] 実施形態11は、方向センサ装置を含み、該装置が、
第1のアプリケーション・エレクトロニクスを備える第1の活性化表面と、
第1のダイに結合された第2のダイであって、該第2のダイが、第2のアプリケーション・エレクトロニクスを備えた第2の活性化表面を包含し、第2の活性化表面が、第1の活性化回路に対して垂直に方位付けされたことを特徴とする、第2のダイと、
第2のアプリケーション・エレクトロニクスから第2の活性化表面と隣接している第2のダイの側面インタフェースまで伸びている複数の電気的接続であって、第2のダイの側面インタフェースが第1の活性化表面と同一平面上であることを特徴とする、複数の電気的接続と、
複数の電気的接続と第1の活性化表面との間に少なくとも一つの電気相互接続と
を有することを特徴とする。
第1のアプリケーション・エレクトロニクスを備える第1の活性化表面と、
第1のダイに結合された第2のダイであって、該第2のダイが、第2のアプリケーション・エレクトロニクスを備えた第2の活性化表面を包含し、第2の活性化表面が、第1の活性化回路に対して垂直に方位付けされたことを特徴とする、第2のダイと、
第2のアプリケーション・エレクトロニクスから第2の活性化表面と隣接している第2のダイの側面インタフェースまで伸びている複数の電気的接続であって、第2のダイの側面インタフェースが第1の活性化表面と同一平面上であることを特徴とする、複数の電気的接続と、
複数の電気的接続と第1の活性化表面との間に少なくとも一つの電気相互接続と
を有することを特徴とする。
[0053] 実施形態12は、実施形態11の装置を含み、第1のアプリケーション・エレクトロニクスおよび第2のアプリケーション・エレクトロニクスは各々、平面方向の(面内)磁気センサから更に成る。
[0054] 実施形態13は、実施形態12の装置を含み、第1のアプリケーション・エレクトロニクスは2軸磁気センサから成る。
[0055] 実施形態14は、実施形態12-13のいずれかの装置を含み、第2のアプリケーション・エレクトロニクスは2軸磁気センサから成る。
[0055] 実施形態14は、実施形態12-13のいずれかの装置を含み、第2のアプリケーション・エレクトロニクスは2軸磁気センサから成る。
[0056] 実施形態15は、実施形態11〜14のいずれかの装置を含み、第1のダイは、第1のダイに第2のダイの第2の活性化表面を結合することによって第2のダイに結合される。
[0057] 実施形態16が、実施形態11〜15のいずれかの装置を包含し、
少なくとも一つの電気的接続が、側面インタフェースおよび第1の活性化表面の上に堆積するメタライゼーション層とを備える。
少なくとも一つの電気的接続が、側面インタフェースおよび第1の活性化表面の上に堆積するメタライゼーション層とを備える。
[0058] 実施形態17は、実施形態11〜16のいずれかの装置を含み、
第1のダイに結合される第3のダイであって、該第3のダイが第3のアプリケーション・エレクトロニクスを備えた第3の活性化表面を包含することを特徴とする、第3のダイと、
第3の活性化表面と第1の活性化表面との間の少なくとも一つの電気的相互接続と
を更に有することを特徴とする。
第1のダイに結合される第3のダイであって、該第3のダイが第3のアプリケーション・エレクトロニクスを備えた第3の活性化表面を包含することを特徴とする、第3のダイと、
第3の活性化表面と第1の活性化表面との間の少なくとも一つの電気的相互接続と
を更に有することを特徴とする。
[0059] 実施形態18は、複数の軸を感知するための装置を含み、該装置が、
第1の活性化表面を有する第1のダイと、
第2の活性化表面を包含する第2のダイであって、第1の活性化表面および第2の活性化表面が、互いに対して直交する平面内に包含されることを特徴とする、第2のダイと、
第2の活性化表面に各々結合する複数の電気的接続を含んでいる接続側面インタフェースと、
第2のダイを第1のダイに結合する結合材料と、
第1の活性化表面に複数の電気的接続の間に形成された少なくとも一つの電気相互接続と、
を有することを特徴とする。
第1の活性化表面を有する第1のダイと、
第2の活性化表面を包含する第2のダイであって、第1の活性化表面および第2の活性化表面が、互いに対して直交する平面内に包含されることを特徴とする、第2のダイと、
第2の活性化表面に各々結合する複数の電気的接続を含んでいる接続側面インタフェースと、
第2のダイを第1のダイに結合する結合材料と、
第1の活性化表面に複数の電気的接続の間に形成された少なくとも一つの電気相互接続と、
を有することを特徴とする。
[0060] 実施形態19は、実施形態18の装置を含み、第1のアプリケーション・エレクトロニクスおよび第2のアプリケーション・エレクトロニクスは各々、平面方向の(面内)磁気センサから更に成り、
第1のアプリケーション・エレクトロニクスおよび第2のアプリケーション・エレクトロニクスが一緒に3つの直交軸上の磁場を感知することを提供する。
第1のアプリケーション・エレクトロニクスおよび第2のアプリケーション・エレクトロニクスが一緒に3つの直交軸上の磁場を感知することを提供する。
[0061] 実施形態20は、実施形態18-19のいずれかの装置を含み、少なくとも一つの電気相互接続が、ウェハ・レベル・プロセスを使用して形成されることを特徴とする。
[0062] 特定の実施形態を例示し、本願明細書において記載してきたけれども、同じ目的を達成するために算出されるいかなる装置も特定の図示した実施形態と置換されることができることは当業者によって認められる。したがって、本発明が特許請求の範囲およびそれの均等の範囲だけによって制限されることは明白に企図される。
[0062] 特定の実施形態を例示し、本願明細書において記載してきたけれども、同じ目的を達成するために算出されるいかなる装置も特定の図示した実施形態と置換されることができることは当業者によって認められる。したがって、本発明が特許請求の範囲およびそれの均等の範囲だけによって制限されることは明白に企図される。
Claims (3)
- マルチ軸センサを製造する方法であって、
第1のアプリケーション・エレクトロニクス(116)を備えた第1の活性化表面(114)を有する第1のダイ(102)を製作するステップと、
第2のアプリケーション・エレクトロニクス(110)を有する第2の活性化表面(115)、および、第2のアプリケーション・エレクトロニクス(110)から第2の活性化表面(115)と隣接している第2のダイ(104)の側面インタフェース(128)まで伸びる少なくとも一つの電気的接続を有する第2のダイ(104)を製造するステップと、
第1の活性化表面(114)と同一平面上の側面インタフェース(128)を整列配置するステップと、
複数の電気的接続(118)と第1の活性化表面(114)との間に少なくとも一つの電気的接続を形成するステップと
を有することを特徴とする方法。 - 第3のダイ(306)を製造するステップであって、第3のダイ(306)が、第3のアプリケーション・エレクトロニクス(311)を備えた第3の活性化表面(313)と、第2の複数の電気的接続(317)とを有することを特徴とするステップと、
第1の活性化表面(114)および第3の活性化表面(313)との間に少なくとも一つの電気的接続を形成するステップと
をさらに有することを特徴とする請求項1に記載の方法。 - 方向センサ装置であって、
第1のアプリケーション・エレクトロニクス(116)を備える第1の活性化表面(114)を包含する第1のダイ(102)と、
第1のダイ(102)に結合された第2のダイ(104)であって、該第2のダイ(104)が、第2のアプリケーション・エレクトロニクス(110)を備えた第2の活性化表面(115)を包含し、第2の活性化表面(115)が、第1の活性化回路(114)に対して垂直に方位付けされたことを特徴とする、第2のダイ(104)と、
第2のアプリケーション・エレクトロニクス(110)から第2の活性化表面(115)と隣接している第2のダイ(104)の側面インタフェースまで伸びている複数の電気的接続(118)であって、第2のダイ(104)の側面インタフェースが第1の活性化表面(114)と同一平面上であることを特徴とする、複数の電気的接続(118)と、
複数の電気的接続(118)と第1の活性化表面(114)との間に少なくとも一つの電気的相互接続と、
を有することを特徴とする方向センサ装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US13/156,758 US8459112B2 (en) | 2011-06-09 | 2011-06-09 | Systems and methods for three dimensional sensors |
US13/156,758 | 2011-06-09 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012255785A true JP2012255785A (ja) | 2012-12-27 |
Family
ID=46458139
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012130770A Pending JP2012255785A (ja) | 2011-06-09 | 2012-06-08 | 3次元センサに関するシステムと方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8459112B2 (ja) |
EP (1) | EP2533066A2 (ja) |
JP (1) | JP2012255785A (ja) |
KR (1) | KR20120137311A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017049240A (ja) * | 2015-09-01 | 2017-03-09 | ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ | 多軸磁気抵抗センサパッケージ |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9488699B2 (en) * | 2012-04-26 | 2016-11-08 | Honeywell International Inc. | Devices for sensing current |
EP3039434B1 (en) | 2013-08-30 | 2020-01-15 | Honeywell International Inc. | Disturbance rejection for current-measurement systems |
JP6571411B2 (ja) * | 2014-07-04 | 2019-09-04 | ローム株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP6932561B2 (ja) * | 2017-06-15 | 2021-09-08 | キヤノン電子株式会社 | 3軸磁気検出装置および人工衛星 |
CN111964672B (zh) * | 2020-08-08 | 2022-06-17 | 武汉利科夫科技有限公司 | 一种基于三轴tmr传感器的惯性/地磁组合导航系统低噪声测量电路 |
JP2022032282A (ja) * | 2020-08-11 | 2022-02-25 | トヨタ自動車株式会社 | 自動車用磁界検出器および自動車用磁界測定システム |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4136355A1 (de) * | 1991-11-05 | 1993-05-06 | Smt & Hybrid Gmbh, O-8010 Dresden, De | Verfahren und anordnung zur dreidimensionalen montage von elektronischen bauteilen und sensoren |
US6918297B2 (en) * | 2003-02-28 | 2005-07-19 | Honeywell International, Inc. | Miniature 3-dimensional package for MEMS sensors |
JP2006047267A (ja) * | 2003-07-18 | 2006-02-16 | Aichi Steel Works Ltd | 3次元磁気方位センサおよびマグネト・インピーダンス・センサ素子 |
JP2007525676A (ja) * | 2004-02-27 | 2007-09-06 | ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド | 垂直ダイ・チップオンボード |
Family Cites Families (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4030204A (en) | 1974-03-18 | 1977-06-21 | Edwards Robert A | Remote indicating solid state magnetic sensor |
US4306436A (en) | 1980-05-12 | 1981-12-22 | Rockwell International Corporation | Method and apparatus for regulating preselected loads on forming dies |
FR2714478B1 (fr) | 1993-12-23 | 1996-01-26 | Thomson Csf | Détecteur de champ magnétique en couches minces. |
US5554806A (en) * | 1994-06-15 | 1996-09-10 | Nippondenso Co., Ltd. | Physical-quantity detecting device |
US6060780A (en) * | 1996-02-23 | 2000-05-09 | Denson Corporation | Surface mount type unit and transducer assembly using same |
JP3573100B2 (ja) | 2001-02-06 | 2004-10-06 | 日立金属株式会社 | 方位計及び方位の測定方法 |
US6808955B2 (en) * | 2001-11-02 | 2004-10-26 | Intel Corporation | Method of fabricating an integrated circuit that seals a MEMS device within a cavity |
US7145330B2 (en) | 2002-08-16 | 2006-12-05 | Brown University Research Foundation | Scanning magnetic microscope having improved magnetic sensor |
US6918186B2 (en) | 2003-08-01 | 2005-07-19 | The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. | Compact navigation system and method |
US7271586B2 (en) | 2003-12-04 | 2007-09-18 | Honeywell International Inc. | Single package design for 3-axis magnetic sensor |
US7126330B2 (en) | 2004-06-03 | 2006-10-24 | Honeywell International, Inc. | Integrated three-dimensional magnetic sensing device and method to fabricate an integrated three-dimensional magnetic sensing device |
US7368312B1 (en) * | 2004-10-15 | 2008-05-06 | Morgan Research Corporation | MEMS sensor suite on a chip |
US7671478B2 (en) | 2005-09-02 | 2010-03-02 | Honeywell International Inc. | Low height vertical sensor packaging |
US7237437B1 (en) | 2005-10-27 | 2007-07-03 | Honeywell International Inc. | MEMS sensor systems and methods |
US7467552B2 (en) * | 2005-11-10 | 2008-12-23 | Honeywell International Inc. | Miniature package for translation of sensor sense axis |
JP4904052B2 (ja) | 2005-12-27 | 2012-03-28 | アルプス電気株式会社 | 磁気方位検出装置 |
US7536909B2 (en) | 2006-01-20 | 2009-05-26 | Memsic, Inc. | Three-dimensional multi-chips and tri-axial sensors and methods of manufacturing the same |
US7509748B2 (en) | 2006-09-01 | 2009-03-31 | Seagate Technology Llc | Magnetic MEMS sensors |
JP2008064761A (ja) | 2006-09-06 | 2008-03-21 | Samsung Electro Mech Co Ltd | ハイブリッド型センサモジュール及びそれを用いたセンシング方法 |
US7813851B2 (en) * | 2007-02-21 | 2010-10-12 | Autoliv Asp, Inc. | Sensing misalignment detection and estimation system |
US7868445B2 (en) | 2007-06-25 | 2011-01-11 | Epic Technologies, Inc. | Integrated structures and methods of fabrication thereof with fan-out metallization on a chips-first chip layer |
US20100221860A1 (en) * | 2008-06-19 | 2010-09-02 | Noureddine Hawat | Precision micro-electromechanical sensor (mems) mounting in organic packaging |
US7926193B2 (en) | 2008-08-01 | 2011-04-19 | Honeywell International Inc. | Nanowire magnetic sensor |
EP2194391B8 (en) | 2008-12-03 | 2012-05-09 | STMicroelectronics Srl | Broad range magnetic sensor and manufacturing process thereof |
US20110234218A1 (en) | 2010-03-24 | 2011-09-29 | Matthieu Lagouge | Integrated multi-axis hybrid magnetic field sensor |
US8316552B1 (en) | 2011-05-05 | 2012-11-27 | Honeywell International Inc. | Systems and methods for three-axis sensor chip packages |
US20120299587A1 (en) | 2011-05-26 | 2012-11-29 | Honeywell International Inc. | Three-axis magnetic sensors |
-
2011
- 2011-06-09 US US13/156,758 patent/US8459112B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-05-22 EP EP12168983A patent/EP2533066A2/en not_active Withdrawn
- 2012-06-08 JP JP2012130770A patent/JP2012255785A/ja active Pending
- 2012-06-11 KR KR1020120062057A patent/KR20120137311A/ko not_active Application Discontinuation
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4136355A1 (de) * | 1991-11-05 | 1993-05-06 | Smt & Hybrid Gmbh, O-8010 Dresden, De | Verfahren und anordnung zur dreidimensionalen montage von elektronischen bauteilen und sensoren |
US6918297B2 (en) * | 2003-02-28 | 2005-07-19 | Honeywell International, Inc. | Miniature 3-dimensional package for MEMS sensors |
JP2006047267A (ja) * | 2003-07-18 | 2006-02-16 | Aichi Steel Works Ltd | 3次元磁気方位センサおよびマグネト・インピーダンス・センサ素子 |
JP2007525676A (ja) * | 2004-02-27 | 2007-09-06 | ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド | 垂直ダイ・チップオンボード |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017049240A (ja) * | 2015-09-01 | 2017-03-09 | ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ | 多軸磁気抵抗センサパッケージ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2533066A2 (en) | 2012-12-12 |
US20120313193A1 (en) | 2012-12-13 |
US8459112B2 (en) | 2013-06-11 |
KR20120137311A (ko) | 2012-12-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2012255785A (ja) | 3次元センサに関するシステムと方法 | |
JP5977780B2 (ja) | 垂直ダイ・チップオンボード | |
EP2752676B1 (en) | Triaxial magnetic field sensor | |
JP2012247415A (ja) | 3軸磁気センサ | |
JP5465861B2 (ja) | 一体型3軸場センサおよびその製造方法 | |
JP5140291B2 (ja) | 動きセンサ | |
TWI664707B (zh) | 可摺疊基板 | |
CN104627951B (zh) | 微机械传感器设备 | |
US7992313B2 (en) | Sensor chip, detection device and method of manufacturing detection device | |
JP2012237751A (ja) | 3軸センサ・チップパッケージに関するシステムと方法 | |
CN105277217A (zh) | 具有环状磁体的磁性传感器设备 | |
JP5237943B2 (ja) | 磁気検出装置及びその製造方法、ならびに前記磁気検出装置を用いた角度検出装置、位置検出装置及び磁気スイッチ | |
CN1853113B (zh) | 制造电子器件的方法 | |
JP2022095669A (ja) | 3次元検知を備える集積フラックスゲートデバイス | |
KR100801276B1 (ko) | 하이브리드형 지자기 센서 및 그 제조방법 | |
JP2007292692A (ja) | 磁気デバイス | |
KR100676411B1 (ko) | 반도체 부품 및 이의 제조방법 | |
JP2016038253A (ja) | 光センサ及び光学式エンコーダユニット | |
KR20120125176A (ko) | 3축 센서 칩 패키지 시스템 및 방법 | |
KR20120132366A (ko) | 3-축 자기 센서 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150608 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160516 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160520 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20161214 |