JP2022095669A - 3次元検知を備える集積フラックスゲートデバイス - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (20)
- 集積フラックスゲートデバイスであって、
平坦表面を有するパッケージ基板、
前記パッケージ基板の前記平坦表面上に搭載される第1の集積フラックスゲートダイ、及び、
前記パッケージ基板の前記平坦表面上に搭載される第2の集積フラックスゲートダイ、
を含み、
前記第1の集積フラックスゲートダイが、
第1の半導体基板と、
前記第1の半導体基板上に形成される第1の集積回路と、
前記第1の集積回路の上に形成され、前記パッケージ基板の前記平坦表面に対して平行に向けられる、第1の磁気コアと、
を含み、
前記第2の集積フラックスゲートダイが、
第2の半導体基板と、
前記第2の半導体基板上に形成される第2の集積回路と、
前記第2の集積回路の上に形成され、前記パッケージ基板の前記平坦表面に直交して向けられる、第2の磁気コアと、
を含む、集積フラックスゲートデバイス。 - 請求項1に記載の集積フラックスゲートデバイスであって、
前記第1の集積フラックスゲートダイが、前記第1の集積回路の上に形成される第3の磁気コアであって、前記パッケージ基板の前記平坦表面に平行に、及び、前記第1及び前記第2の磁気コアに直交して向けられる、前記第3の磁気コアを含む、集積フラックスゲートデバイス。 - 請求項1に記載の集積フラックスゲートデバイスであって、
前記パッケージ基板の前記平坦表面上に搭載される第3の集積フラックスゲートダイを更に含み、
前記第3の集積フラックスゲートダイが、
第3の半導体基板と、
前記第3の半導体基板上に形成される第3の集積回路と、
前記第3の集積回路の上に形成され、前記パッケージ基板の前記平坦表面に平行に、及び、前記第1及び前記第2の磁気コアに直交して向けられる、第3の磁気コアと、
を含む、集積フラックスゲートデバイス。 - 請求項1に記載の集積フラックスゲートデバイスであって、
前記第2の集積フラックスゲートダイが、垂直エッジと、第1の水平エッジと、前記垂直エッジ及び前記第1の水平エッジによって画定される搭載可能表面とを有し、
前記第2の集積フラックスゲートダイが、前記搭載可能表面によって前記パッケージ基板に搭載される、集積フラックスゲートデバイス。 - 請求項4に記載の集積フラックスゲートデバイスであって、
前記第2の集積フラックスゲートダイが、前記第1の水平エッジに対して直角に配置される第2の水平エッジを有し、前記第2の水平エッジが、1mm未満の長さ、及び前記パッケージ基板の前記平坦表面に直交する位置を有する、集積フラックスゲートデバイス。 - 請求項4に記載の集積フラックスゲートデバイスであって、
前記第2の集積回路が、前記垂直エッジに直交し、及び、前記第1の水平エッジに平行に配置される、頂部金属層を含む、集積フラックスゲートデバイス。 - 請求項4に記載の集積フラックスゲートデバイスであって、
前記第2の磁気コアが、互いに平行に、及び、前記第2の集積フラックスゲートダイの前記垂直エッジに直交して、整合される磁気コアセグメントを含む、集積フラックスゲートデバイス。 - 請求項7に記載の集積フラックスゲートデバイスであって、
前記磁気コアセグメントの各々が、0.7mmに等しいか又は0.7mmよりも小さいセグメント長を有する、集積フラックスゲートデバイス。 - 請求項7に記載の集積フラックスゲートデバイスであって、
前記第1の磁気コアが連続的なコア長を有し、
前記第2の磁気コアの前記磁気コアセグメントが、前記連続的なコア長と実質的に同じ総コア長を有する、集積フラックスゲートデバイス。 - 請求項7に記載の集積フラックスゲートデバイスであって、
前記第1の磁気コアが連続的なコア長を有し、
前記第2の磁気コアの前記磁気コアセグメントの各々が、前記連続的なコア長の約3分の1のセグメントコア長を有する、集積フラックスゲート。 - 電磁検知デバイスであって、
平坦表面を有するパッケージ基板、
前記パッケージ基板上に搭載される第1のダイ、及び、
前記パッケージ基板上に搭載される第2のダイ、
を含み、
前記第1のダイが、
第1の集積回路と、
前記第1の集積回路の上に形成され、前記パッケージ基板の前記平坦表面に平行な第1の検知軸を有する、第1の磁気コアと、
を含み、
前記第2のダイが、
第2の集積回路と、
前記第2の集積回路の上に形成され、前記パッケージ基板の前記平坦表面に直交する第2の検知軸を有する、第2の磁気コアと、
を含む、電磁検知デバイス。 - 請求項11に記載の電磁検知デバイスであって、
前記第1のダイが、前記第1の集積回路の上に形成される第3の磁気コアを含み、
前記第3の磁気コアが、前記パッケージ基板の前記平坦表面に平行な、及び、前記第1の検知軸及び前記第2の検知軸に直交する、第3の検知軸を含む、電磁検知デバイス。 - 請求項11に記載の電磁検知デバイスであって、
前記パッケージ基板上に搭載される第3のダイを更に含み、
前記第3のダイが、
第3の集積回路と、
前記第3の集積回路の上に形成され、前記平坦表面に平行な、及び、前記第1の検知軸及び前記第2の検知軸に直交する、第3の検知軸を有する、第3の磁気コアと、
を含む、電磁検知デバイス。 - 請求項11に記載の電磁検知デバイスであって、
前記第1の集積回路が、第1の励振信号を生成するように構成され、
前記第1の磁気コアが、前記第1の励振信号に応答して前記第1の検知軸に沿って第1の磁場を検知するように構成される、電磁検知デバイス。 - 請求項14に記載の電磁検知デバイスであって、
前記第2の集積回路が、第2の励振信号を生成するように構成され、
前記第2の磁気コアが、前記第2の励振信号に応答して前記第2の検知軸に沿って第2の磁場を検知するように構成される、電磁検知デバイス。 - 請求項14に記載の電磁検知デバイスであって、
前記第2の磁気コアが、前記第1の励振信号に応答して前記第2の検知軸に沿って第2の磁場を検知するように構成され、
前記第2の集積回路が、前記第1の励振信号に応答して、前記検知された前記第2の磁場を測定するように構成される、電磁検知デバイス。 - 集積フラックスゲート回路であって、
基板、回路、及び、フラックスゲート、を含み、
前記回路が、
前記基板上でつくられる能動領域を備えるトランジスタと、
前記トランジスタに対する相互接続を提供するために前記能動領域の上に形成される金属層と、
を有し、
前記フラックスゲートが、
前記金属層の上に形成される第1の磁気コアセグメントと、
前記金属層の上に形成され、前記第1の磁気コアセグメントと平行に整合される、第2の磁気コアセグメントと、
集合磁気コアを確立するために前記第1及び第2の磁気コアセグメントに巻き付くコイルと、
を有する、集積フラックスゲート回路。 - 請求項17に記載の集積フラックスゲート回路であって、
前記第1の磁気コアセグメントが第1のセグメントコア長を有し、
前記第2の磁気コアセグメントが第2のセグメントコア長を有し、
前記第1のセグメントコア長及び前記第2のセグメントコア長が、約1mmであるか又は1mmよりも大きい総コア長を画定する、集積フラックスゲート回路。 - 請求項17に記載の集積フラックスゲート回路であって、
前記フラックスゲートが、前記金属層の上に形成される第3の磁気コアセグメントを含
み、前記第3の磁気コアセグメントが、前記第1及び第2の磁気コアセグメントと平行に整合され、
前記コイルが、前記集合磁気コアを確立するように、前記第1、第2、及び第3の磁気コアセグメントに巻き付く、集積フラックスゲート回路。 - 請求項19に記載の集積フラックスゲート回路であって、
前記第1の磁気コアセグメントが第1のセグメントコア長を有し、
前記第2の磁気コアセグメントが第2のセグメントコア長を有し、
前記第3の磁気コアセグメントが第3のセグメントコア長を有し、
前記第1、第2、及び第3のセグメントコア長が、約1mmであるか又は1mmよりも大きい総コア長を画定する、集積フラックスゲート回路。
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