JP2012059743A - 電子部品装置の製法およびそれに用いる電子部品封止用樹脂組成物シート - Google Patents
電子部品装置の製法およびそれに用いる電子部品封止用樹脂組成物シート Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012059743A JP2012059743A JP2010198623A JP2010198623A JP2012059743A JP 2012059743 A JP2012059743 A JP 2012059743A JP 2010198623 A JP2010198623 A JP 2010198623A JP 2010198623 A JP2010198623 A JP 2010198623A JP 2012059743 A JP2012059743 A JP 2012059743A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sheet
- electronic component
- length
- resin composition
- axis direction
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 title claims abstract description 74
- 238000007789 sealing Methods 0.000 title claims abstract description 34
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 28
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 47
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims abstract description 27
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 47
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 47
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 39
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 39
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 claims description 27
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 22
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims description 16
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims description 15
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 8
- 239000004850 liquid epoxy resins (LERs) Substances 0.000 claims description 6
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 6
- 238000009434 installation Methods 0.000 claims description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 9
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 9
- 239000012768 molten material Substances 0.000 abstract 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 9
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 9
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 8
- 229920006243 acrylic copolymer Polymers 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- -1 glycidyl ester Chemical class 0.000 description 8
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 8
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 7
- PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N bisphenol F Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1CC1=CC=C(O)C=C1 PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 6
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 5
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 5
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 5
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 5
- OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 2-(2-cyanopropan-2-yldiazenyl)-2-methylpropanenitrile Chemical compound N#CC(C)(C)N=NC(C)(C)C#N OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N Acrylonitrile Chemical compound C=CC#N NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 4
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 4
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 4
- 239000003505 polymerization initiator Substances 0.000 description 4
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 3
- 238000010526 radical polymerization reaction Methods 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- AAAQKTZKLRYKHR-UHFFFAOYSA-N triphenylmethane Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 AAAQKTZKLRYKHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- FVCSARBUZVPSQF-UHFFFAOYSA-N 5-(2,4-dioxooxolan-3-yl)-7-methyl-3a,4,5,7a-tetrahydro-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1C(C(OC2=O)=O)C2C(C)=CC1C1C(=O)COC1=O FVCSARBUZVPSQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005062 Polybutadiene Substances 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000008065 acid anhydrides Chemical class 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CQEYYJKEWSMYFG-UHFFFAOYSA-N butyl acrylate Chemical compound CCCCOC(=O)C=C CQEYYJKEWSMYFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910002026 crystalline silica Inorganic materials 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 2
- 239000003063 flame retardant Substances 0.000 description 2
- VOZRXNHHFUQHIL-UHFFFAOYSA-N glycidyl methacrylate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCC1CO1 VOZRXNHHFUQHIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 2
- QWVGKYWNOKOFNN-UHFFFAOYSA-N o-cresol Chemical compound CC1=CC=CC=C1O QWVGKYWNOKOFNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AFEQENGXSMURHA-UHFFFAOYSA-N oxiran-2-ylmethanamine Chemical compound NCC1CO1 AFEQENGXSMURHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FDPIMTJIUBPUKL-UHFFFAOYSA-N pentan-3-one Chemical compound CCC(=O)CC FDPIMTJIUBPUKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 2
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 2
- 229920003048 styrene butadiene rubber Polymers 0.000 description 2
- 239000000454 talc Substances 0.000 description 2
- 229910052623 talc Inorganic materials 0.000 description 2
- RUEBPOOTFCZRBC-UHFFFAOYSA-N (5-methyl-2-phenyl-1h-imidazol-4-yl)methanol Chemical compound OCC1=C(C)NC(C=2C=CC=CC=2)=N1 RUEBPOOTFCZRBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 1755-01-7 Chemical compound C1[C@H]2[C@@H]3CC=C[C@@H]3[C@@H]1C=C2 HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 0.000 description 1
- WYGWHHGCAGTUCH-UHFFFAOYSA-N 2-[(2-cyano-4-methylpentan-2-yl)diazenyl]-2,4-dimethylpentanenitrile Chemical compound CC(C)CC(C)(C#N)N=NC(C)(C#N)CC(C)C WYGWHHGCAGTUCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFUGQJXVXHBTEM-UHFFFAOYSA-N 2-hydroperoxy-2-(2-hydroperoxybutan-2-ylperoxy)butane Chemical compound CCC(C)(OO)OOC(C)(CC)OO WFUGQJXVXHBTEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004342 Benzoyl peroxide Substances 0.000 description 1
- OMPJBNCRMGITSC-UHFFFAOYSA-N Benzoylperoxide Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)OOC(=O)C1=CC=CC=C1 OMPJBNCRMGITSC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 1
- 229920002125 Sokalan® Polymers 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 235000019400 benzoyl peroxide Nutrition 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- IYJMFNNRVITCDG-UHFFFAOYSA-N biphenylene;phenol Chemical group OC1=CC=CC=C1.C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C2=C1 IYJMFNNRVITCDG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 125000000664 diazo group Chemical group [N-]=[N+]=[*] 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- 238000010528 free radical solution polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229920003049 isoprene rubber Polymers 0.000 description 1
- VSWALKINGSNVAR-UHFFFAOYSA-N naphthalen-1-ol;phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1.C1=CC=C2C(O)=CC=CC2=C1 VSWALKINGSNVAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 150000002978 peroxides Chemical class 0.000 description 1
- 229920002401 polyacrylamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 239000004584 polyacrylic acid Substances 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 238000004382 potting Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000013557 residual solvent Substances 0.000 description 1
- 238000007665 sagging Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000010558 suspension polymerization method Methods 0.000 description 1
- 238000010557 suspension polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- USFPINLPPFWTJW-UHFFFAOYSA-N tetraphenylphosphonium Chemical compound C1=CC=CC=C1[P+](C=1C=CC=CC=1)(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 USFPINLPPFWTJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOCC1CO1 BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the groups H01L21/18 - H01L21/326 or H10D48/04 - H10D48/07 e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the groups H01L21/18 - H01L21/326 or H10D48/04 - H10D48/07 e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/561—Batch processing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the groups H01L21/18 - H01L21/326 or H10D48/04 - H10D48/07 e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/563—Encapsulation of active face of flip-chip device, e.g. underfilling or underencapsulation of flip-chip, encapsulation preform on chip or mounting substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
- H01L23/293—Organic, e.g. plastic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
- H01L23/293—Organic, e.g. plastic
- H01L23/295—Organic, e.g. plastic containing a filler
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
- H01L23/3121—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
- H01L2224/73203—Bump and layer connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
- H01L2924/1025—Semiconducting materials
- H01L2924/10251—Elemental semiconductors, i.e. Group IV
- H01L2924/10253—Silicon [Si]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12042—LASER
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
- Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
- Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
- Y10T29/4913—Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc.
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
- Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
- Y10T29/4913—Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc.
- Y10T29/49146—Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc. with encapsulating, e.g., potting, etc.
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
- Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
Abstract
【解決手段】実装基板上の電子部品搭載エリアに合わせ、上記エリアよりもやや小さいか、若干大きい、成形温度における粘度が20〜250Pa・sのシートBを積載し、さらにその上に、上記エリアよりも大きく、上記成形温度における粘度が2000〜50000Pa・sのシートAを積載した後、減圧状態のチャンバー内で上記成形温度に加熱し、上記シートAがシートBおよび電子部品を被覆した状態となるまで垂れ下がらせ、その後、上記チャンバー内の圧力を開放し、上記シートAの被覆により実装基板との間に形成された密閉空間内で、シートBの溶融物による電子部品のアンダーフィルを行う。
【選択図】なし
Description
(A)上記成形温度における粘度が2000〜50000Pa・sであり、かつ、その寸法が下記の条件(1)を満たす熱硬化性樹脂組成物シート。
<条件(1)>
Ax>P+8
Ay>Q+8
〔Ax:シートAのX軸方向長さ(mm),Ay:シートAのY軸方向長さ(mm),P:電子部品搭載エリアのX方向の長さ(mm),Q:電子部品搭載エリアのY方向の長さ(mm)〕
(B)上記成形温度における粘度が20〜250Pa・sであり、かつ、その寸法が下記の条件(2)を満たす熱硬化性樹脂組成物シート。
<条件(2)>
Ax≧Bx>P×0.8
Ay≧By>Q×0.8
〔Bx:シートBのX軸方向長さ(mm),By:シートBのY軸方向長さ(mm),P:電子部品搭載エリアのX方向の長さ(mm),Q:電子部品搭載エリアのY方向の長さ(mm),Ax:シートAのX軸方向長さ(mm),Ay:シートAのY軸方向長さ(mm)〕
Ax>P+8
Ay>Q+8
〔Ax:シートAのX軸方向長さ(mm),Ay:シートAのY軸方向長さ(mm),P:電子部品搭載エリアのX方向の長さ(mm),Q:電子部品搭載エリアのY方向の長さ(mm)〕
t1+t2+40+P>Ax>t1+t2+8+P
t1+t2+40+Q>Ay>t1+t2+8+Q
(t1+0.5)−〔(n×Vc)/(P×Q)〕>Az>t1−〔(n×Vc)/(P×Q)〕
〔Ax:シートAのX軸方向長さ(mm),Ay:シートAのY軸方向長さ(mm),Az:シートAの厚み(mm),t1:電子部品の厚み(mm),t2:電子部品の接続用電極部高さ(mm),P:電子部品搭載エリアのX方向の長さ(mm),Q:電子部品搭載エリアのY方向の長さ(mm),Vc:電子部品1個あたりの体積(mm3),n:封止する電子部品の個数〕
Ax≧Bx>P×0.8
Ay≧By>Q×0.8
〔Bx:シートBのX軸方向長さ(mm),By:シートBのY軸方向長さ(mm),P:電子部品搭載エリアのX方向の長さ(mm),Q:電子部品搭載エリアのY方向の長さ(mm),Ax:シートAのX軸方向長さ(mm),Ay:シートAのY軸方向長さ(mm)〕
Ax≧Bx>P×0.8
Ay≧By>Q×0.8
{〔P×Q×(t1+t2)−n(Vc+Vb)〕/(P×Q)}+0.1>Bz>(t2×P×Q−Vb×n)/(P×Q)
〔Bx:シートBのX軸方向長さ(mm),By:シートBのY軸方向長さ(mm),Bz:シートBの厚み(mm),t1:電子部品の厚み(mm),t2:電子部品の接続用電極部高さ(mm),P:電子部品搭載エリアのX方向の長さ(mm),Q:電子部品搭載エリアのY方向の長さ(mm),Vb:電子部品1個に搭載されているバンプ(接続用電極部)の総体積(mm3),Vc:チップ1個あたりの体積(mm3),n:封止する電子部品の個数),Ax:シートAのX軸方向長さ(mm),Ay:シートAのY軸方向長さ(mm)〕
における粘度が特定の範囲であり、かつそのサイズが特定の条件を満たす熱硬化性樹脂組成物シートであれば、その材料は、特に限定はないが、好ましくは、下記(a)〜(d)成分を含有するエポキシ樹脂組成物が用いられる。
(a)25℃における粘度が1.0〜10.0Pa・sであるエポキシ樹脂。
(b)硬化剤。
(c)下記の(c1)〜(c3)成分からなり、(c2)および(c3)成分の合計含有量が、(c1)成分100重量部に対して2〜60重量部の範囲内である無機質充填剤。
(c1)平均粒径が5〜20μmの無機質充填剤。
(c2)平均粒径が1〜3μmの無機質充填剤。
(c3)平均粒径が0.3〜0.8μmの無機質充填剤。
(d)可撓性付与剤。
(e)軟化点が60〜130℃のエポキシ樹脂および液状エポキシ樹脂の混合物。
(f)硬化剤。
(g)平均粒径が0.3〜3μmの無機質充填剤。
(h)可撓性付与剤。
ビスフェノールA型エポキシ樹脂(DIC社製、EXA−850CRP。25℃における粘度:4.4Pa・s、エポキシ当量:171)
ビスフェノールA型エポキシ樹脂(三菱化学社製、YL−980。液状、エポキシ当量:186)
トリフェニルメタン型エポキシ樹脂(日本化薬社製、EPPN−501HY。軟化点;60℃、エポキシ当量:169)
フェノールノボラック樹脂(明和化成社製、ND−564。水酸基当量:107、軟化点:65℃)
フェノールノボラック樹脂(群栄化学工業社製、GS−180。水酸基当量:105、軟化点:83℃)
フェノールアラルキル樹脂(明和化成社製、MEHC−7800S。水酸基当量:174、軟化点:76℃)
平均粒径5.8μm、最大粒径24μmの球状溶融シリカ(電気化学工業社製、FB−7SDC)
平均粒径1.5μm、最大粒径5.1μmの球状溶融シリカ(アドマテックス社製、SO−32R)
平均粒径0.5μm、最大粒径1.5μmの球状溶融シリカ(アドマテックス社製、SO−25R)
3−グリシドキシプロピルトリメトキシシランで表面処理した無機質充填剤III。
テトラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレート
2−フェニル−4−メチル−5−ヒドロキシメチルイミダゾール(四国化成工業社製、2PHZ−PW)
アクリル系共重合体(ブチルアクリレート:アクリロニトリル:グリシジルメタクリレート=85:8:7重量%からなる共重合体。重量平均分子量80万)
上記各成分材料を、下記の表1および表2に示す割合で分散混合し、これに各成分材料の合計量と同量のメチルエチルケトンを加えて、塗工用ワニスを調整した。そして、上記ワニスを、厚み38μmのポリエステルフィルム(三菱樹脂社製、MRF−38)の剥離処理面上に、コンマコーターにより塗工し、乾燥することにより、厚みが50μmの樹脂組成物シートを得た。ついで、別途用意したポリエステルフィルムの剥離処理面を、上記樹脂組成物シートに貼り合わせて巻き取った。その後、ポリエステルフィルムを適宜剥離しながら、ロールラミネーターにより上記樹脂組成物シートを積層することにより、所望の厚みの樹脂組成物シート(樹脂シート1〜15)を得た。なお、上記のようにして得られた樹脂組成物シートの粘度を、回転型粘度計(HAKKE社製、レオストレスRS1)を用い、測定温度130℃、ギャップ100μm、回転コーン直径20mm、回転速度10s-1という条件で測定した。この測定結果も、下記の表1および表2に併せて示した。
電子部品であるSiチップ(縦10mm×横10mm×厚み(t1)0.2mm。電子部品1個あたりの体積(Vc)は20mm3)に、接続用電極部であるバンプ(直径0.5mm、高さ(t2)0.1mm)を52個設けた(電子部品1個に搭載されているバンプの総体積(Vb)は、1.0205mm3)。実装基板であるエポキシ基板上(縦70mm×横70mm)に、このバンプ付きSiチップを、1mm間隔の碁盤目状に4個配列設置した(封止する電子部品の個数(n)は4個であり、電子部品搭載エリアのX方向の長さ(P)は21mm、電子部品搭載エリアのY方向の長さ(Q)は21mmである)(図1(iii),(iv)参照)。
得られた電子部品装置集合体について、封止樹脂がエポキシ基板の端まで流れていたものを×、エポキシ基板の端まで流れていなかったものを○とした。なお、封止樹脂がエポキシ基板の端まで流れた場合は、成形装置を汚染する可能性がある。
得られた電子部品装置について、実装基板側から光を透過させた状態でマイクロスコープを用いてアンダーフィル部分を観察し、ボイドが確認されたものを×、ボイドが確認されなかったものを○とした。
Ay シートAのY軸方向長さ(mm)
Az シートAの厚み(mm)
t1 電子部品の厚み(mm)
t2 電子部品の接続用電極部高さ(mm)
P 電子部品搭載エリアのX方向の長さ(mm)
Q 電子部品搭載エリアのY方向の長さ(mm)
n 封止する電子部品の個数
Vc 電子部品1個あたりの体積(mm3)
Bx シートBのX軸方向長さ(mm)
By シートBのY軸方向長さ(mm)
Bz シートBの厚み(mm)
Vb 電子部品1個に搭載されているバンプの総体積(mm3)
1 プレス上板
2 チャンバー
3 実装基板
4 プレス下板
5 電子部品
6 電子部品の接続用電極部(バンプ)
7 シートA
8 シートB
9 封止樹脂層
Claims (10)
- 実装基板上に複数の電子部品を並べて設置した後、上記実装基板における電子部品搭載エリア上に、下記(B)に示す熱硬化性樹脂組成物シート〔シートB〕、およびその上に下記(A)に示す熱硬化性樹脂組成物シート〔シートA〕を積載し、かつ上記電子部品搭載エリアの中心および平面XY方向と、両シートA,Bの中心および平面XY方向とが略合致するよう設置する工程と、この設置状態を保持した上記実装基板を、減圧状態のチャンバー内で70〜150℃から選ばれる成形温度に加熱し、上記シートAの全周の端部を軟化により実装基板に接するまで垂れ下がらせ、シートAの全周で囲われた空間を密閉する工程と、この垂れ下がり状態においてシートBおよび電子部品を被覆した上記シートAをプレスする工程と、上記チャンバー内の圧力を開放し、上記シートAと実装基板との間に形成された密閉空間内で、シートBの溶融物による電子部品のアンダーフィルを行う工程と、上記アンダーフィルを行った後、両シートA,Bの樹脂組成物を熱硬化させ、実装基板上の複数の電子部品が樹脂封止されてなる電子部品装置集合体を得る工程と、この電子部品装置集合体をダイシングし、個々の電子部品装置を得る工程とを備えたことを特徴とする電子部品装置の製法。
(A)上記成形温度における粘度が2000〜50000Pa・sであり、かつ、その寸法が下記の条件(1)を満たす熱硬化性樹脂組成物シート。
<条件(1)>
Ax>P+8
Ay>Q+8
〔Ax:シートAのX軸方向長さ(mm),Ay:シートAのY軸方向長さ(mm),P:電子部品搭載エリアのX方向の長さ(mm),Q:電子部品搭載エリアのY方向の長さ(mm)〕
(B)上記成形温度における粘度が20〜250Pa・sであり、かつ、その寸法が下記の条件(2)を満たす熱硬化性樹脂組成物シート。
<条件(2)>
Ax≧Bx>P×0.8
Ay≧By>Q×0.8
〔Bx:シートBのX軸方向長さ(mm),By:シートBのY軸方向長さ(mm),P:電子部品搭載エリアのX方向の長さ(mm),Q:電子部品搭載エリアのY方向の長さ(mm),Ax:シートAのX軸方向長さ(mm),Ay:シートAのY軸方向長さ(mm)〕 - 上記シートAの寸法が、下記の条件(1′)を満たす請求項1記載の電子部品装置の製法。
<条件(1′)>
t1+t2+40+P>Ax>t1+t2+8+P
t1+t2+40+Q>Ay>t1+t2+8+Q
(t1+0.5)−〔(n×Vc)/(P×Q)〕>Az>t1−〔(n×Vc)/(P×Q)〕
〔Ax:シートAのX軸方向長さ(mm),Ay:シートAのY軸方向長さ(mm),Az:シートAの厚み(mm),t1:電子部品の厚み(mm),t2:電子部品の接続用電極部高さ(mm),P:電子部品搭載エリアのX方向の長さ(mm),Q:電子部品搭載エリアのY方向の長さ(mm),Vc:電子部品1個あたりの体積(mm3),n:封止する電子部品の個数〕 - 上記シートBの寸法が、下記の条件(2′)を満たす請求項1または2記載の電子部品装置の製法。
<条件(2′)>
Ax≧Bx>P×0.8
Ay≧By>Q×0.8
{〔P×Q×(t1+t2)−n(Vc+Vb)〕/(P×Q)}+0.1>Bz>(t2×P×Q−Vb×n)/(P×Q)
〔Bx:シートBのX軸方向長さ(mm),By:シートBのY軸方向長さ(mm),Bz:シートBの厚み(mm),t1:電子部品の厚み(mm),t2:電子部品の接続用電極部高さ(mm),P:電子部品搭載エリアのX方向の長さ(mm),Q:電子部品搭載エリアのY方向の長さ(mm),Vb:電子部品1個に搭載されているバンプ(接続用電極部)の総体積(mm3),Vc:チップ1個あたりの体積(mm3),n:封止する電子部品の個数),Ax:シートAのX軸方向長さ(mm),Ay:シートAのY軸方向長さ(mm)〕 - チャンバー内の減圧が、0.01〜5kPaの範囲である請求項1〜3のいずれか一項に記載の電子部品装置の製法。
- プレス工程が、50〜1000kPaの圧力で行われる請求項1〜4のいずれか一項に記載の電子部品装置の製法。
- 両シートA,Bが熱硬化する温度が、150℃を超える温度である請求項1〜5のいずれか一項に記載の電子部品装置の製法。
- 上記シートAとして、下記の(a)〜(d)成分を含有するエポキシ樹脂組成物からなる樹脂組成物シートを用いる、請求項1〜6のいずれか一項に記載の電子部品装置の製法。
(a)25℃における粘度が1.0〜10.0Pa・sであるエポキシ樹脂。
(b)硬化剤。
(c)下記の(c1)〜(c3)成分からなり、(c2)および(c3)成分の合計含有量が、(c1)成分100重量部に対して2〜60重量部の範囲内である無機質充填剤。
(c1)平均粒径が5〜20μmの無機質充填剤。
(c2)平均粒径が1〜3μmの無機質充填剤。
(c3)平均粒径が0.3〜0.8μmの無機質充填剤。
(d)可撓性付与剤。 - 上記シートBとして、下記の(e)〜(h)成分を含有するエポキシ樹脂組成物からなる樹脂組成物シートを用いる、請求項1〜7のいずれか一項に記載の電子部品装置の製法。
(e)軟化点が60〜130℃のエポキシ樹脂および液状エポキシ樹脂の混合物。
(f)硬化剤。
(g)平均粒径が0.3〜3μmの無機質充填剤。
(h)可撓性付与剤。 - 請求項1〜8のいずれか一項に記載の製法に用いられる樹脂組成物シートであって、上記シートAとシートBとからなるシートセットであることを特徴とする電子部品封止用樹脂組成物シート。
- 請求項1〜8のいずれか一項に記載の製法に用いられる樹脂組成物シートであって、上記シートAとシートBとが積層一体化されてなることを特徴とする電子部品封止用樹脂組成物シート。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010198623A JP5349432B2 (ja) | 2010-09-06 | 2010-09-06 | 電子部品装置の製法およびそれに用いる電子部品封止用樹脂組成物シート |
EP20110180025 EP2426707A1 (en) | 2010-09-06 | 2011-09-05 | Method for Manufacturing Electronic Parts Device and Resin Composition for Electronic Parts Encapsulation |
US13/225,681 US8938878B2 (en) | 2010-09-06 | 2011-09-06 | Method for manufacturing electronic parts device and resin composition for electronic parts encapsulation |
TW100132150A TW201218288A (en) | 2010-09-06 | 2011-09-06 | Method for manufacturing electronic parts device and resin composition for electronic parts encapsulation |
CN201110270558.8A CN102386111B (zh) | 2010-09-06 | 2011-09-06 | 电子部件装置的制造方法和电子部件封装用树脂组合物 |
KR20110090033A KR20120024507A (ko) | 2010-09-06 | 2011-09-06 | 전자 부품 장치의 제조 방법 및 전자 부품 밀봉용 수지 조성물 시트 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010198623A JP5349432B2 (ja) | 2010-09-06 | 2010-09-06 | 電子部品装置の製法およびそれに用いる電子部品封止用樹脂組成物シート |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012059743A true JP2012059743A (ja) | 2012-03-22 |
JP5349432B2 JP5349432B2 (ja) | 2013-11-20 |
Family
ID=44677611
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010198623A Expired - Fee Related JP5349432B2 (ja) | 2010-09-06 | 2010-09-06 | 電子部品装置の製法およびそれに用いる電子部品封止用樹脂組成物シート |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8938878B2 (ja) |
EP (1) | EP2426707A1 (ja) |
JP (1) | JP5349432B2 (ja) |
KR (1) | KR20120024507A (ja) |
CN (1) | CN102386111B (ja) |
TW (1) | TW201218288A (ja) |
Cited By (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013147589A (ja) * | 2012-01-20 | 2013-08-01 | Nitto Denko Corp | 電子部品封止用樹脂組成物シートおよびそれを用いた電子部品装置の製法 |
JP2014039017A (ja) * | 2012-07-17 | 2014-02-27 | Nitto Denko Corp | 半導体装置の製造方法 |
WO2014080717A1 (ja) * | 2012-11-20 | 2014-05-30 | 日東電工株式会社 | 電子部品装置の製造方法、及び、電子部品装置 |
JP2014107503A (ja) * | 2012-11-29 | 2014-06-09 | Mikado Kiki Hanbai Kk | 真空加熱加圧封止成形装置及び真空加熱加圧封止成形方法 |
WO2015015980A1 (ja) * | 2013-08-01 | 2015-02-05 | 日東電工株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
WO2015015979A1 (ja) * | 2013-08-01 | 2015-02-05 | 日東電工株式会社 | 半導体装置の製造方法、及び、封止用シート |
WO2015098838A1 (ja) * | 2013-12-26 | 2015-07-02 | 日東電工株式会社 | 半導体装置の製造方法及び熱硬化性樹脂シート |
WO2015098842A1 (ja) * | 2013-12-26 | 2015-07-02 | 日東電工株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
WO2015129689A1 (ja) * | 2014-02-26 | 2015-09-03 | 日東電工株式会社 | 電子部品パッケージの製造方法 |
KR20170134354A (ko) | 2015-03-31 | 2017-12-06 | 도레이 카부시키가이샤 | 전자 부품용 수지 시트, 보호 필름 부착 전자 부품용 수지 시트, 및 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
JPWO2017038691A1 (ja) * | 2015-08-28 | 2018-03-08 | 日立化成株式会社 | 緩衝シート用組成物及び緩衝シート |
WO2018159619A1 (ja) * | 2017-03-03 | 2018-09-07 | リンテック株式会社 | 封止シート、および半導体装置の製造方法 |
WO2018168758A1 (ja) * | 2017-03-15 | 2018-09-20 | 住友ベークライト株式会社 | 樹脂シート、積層樹脂シート、および樹脂組成物 |
JP2019009266A (ja) * | 2017-06-23 | 2019-01-17 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミック電子部品の製造方法、及び、積層セラミック電子部品 |
US10435279B2 (en) | 2015-03-06 | 2019-10-08 | Walmart Apollo, Llc | Shopping space route guidance systems, devices and methods |
WO2021029259A1 (ja) * | 2019-08-09 | 2021-02-18 | ナガセケムテックス株式会社 | モールドアンダーフィル封止用の多層シート、モールドアンダーフィル封止方法、電子部品実装基板及び電子部品実装基板の製造方法 |
JP6856787B1 (ja) * | 2020-01-29 | 2021-04-14 | 住友化学株式会社 | 電子部品の製造方法 |
JP2021134219A (ja) * | 2020-02-21 | 2021-09-13 | デクセリアルズ株式会社 | アンダーフィル材、及びこれを用いた半導体装置の製造方法 |
WO2022163763A1 (ja) * | 2021-02-01 | 2022-08-04 | ナガセケムテックス株式会社 | 電子部品実装基板の封止方法および熱硬化性シート |
WO2023095697A1 (ja) * | 2021-11-29 | 2023-06-01 | 東洋インキScホールディングス株式会社 | 保護シート、電子デバイスパッケージ及びその製造方法 |
KR102732191B1 (ko) | 2019-08-09 | 2024-11-19 | 나가세케무텍쿠스가부시키가이샤 | 몰드 언더필 봉지용의 다층 시트, 몰드 언더필 봉지 방법, 전자 부품 실장 기판 및 전자 부품 실장 기판의 제조 방법 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9985186B2 (en) | 2013-06-06 | 2018-05-29 | Lumileds Llc | Light emitting diode laminated with a phosphor sheet and manufacturing method thereof |
JP2018046230A (ja) * | 2016-09-16 | 2018-03-22 | イビデン株式会社 | プリント配線板 |
JP2018046231A (ja) * | 2016-09-16 | 2018-03-22 | イビデン株式会社 | プリント配線板 |
EP3690931A4 (en) * | 2017-09-29 | 2021-02-17 | Nagase ChemteX Corporation | PRODUCTION PROCESS OF AN ASSEMBLY STRUCTURE AND LAMINATE SHEET USED IN THE LATEST |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09260433A (ja) * | 1996-03-22 | 1997-10-03 | Nitto Denko Corp | 半導体装置の製法およびそれによって得られた半導体装置 |
JP2003249509A (ja) * | 2002-02-26 | 2003-09-05 | Asuriito Fa Kk | 半導体封止方法および封止された半導体 |
JP2004327623A (ja) * | 2003-04-23 | 2004-11-18 | Three M Innovative Properties Co | 封止用フィルム接着剤、封止用フィルム積層体及び封止方法 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5641997A (en) * | 1993-09-14 | 1997-06-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Plastic-encapsulated semiconductor device |
EP0771023A3 (en) * | 1995-10-27 | 1999-03-24 | Honeywell Inc. | Method of applying a protective coating on a semiconductor integrated circuit |
WO1999004430A1 (en) * | 1997-07-21 | 1999-01-28 | Aguila Technologies, Inc. | Semiconductor flip-chip package and method for the fabrication thereof |
JP2001107009A (ja) * | 1999-09-30 | 2001-04-17 | Three M Innovative Properties Co | 熱硬化性接着剤組成物及びそれを用いた接着構造 |
WO2002058108A2 (en) * | 2000-11-14 | 2002-07-25 | Henkel Loctite Corporation | Wafer applied fluxing and underfill material, and layered electronic assemblies manufactured therewith |
JP5035580B2 (ja) | 2001-06-28 | 2012-09-26 | ナガセケムテックス株式会社 | 弾性表面波デバイスおよびその製法 |
JP4166997B2 (ja) * | 2002-03-29 | 2008-10-15 | 富士通メディアデバイス株式会社 | 弾性表面波素子の実装方法及び樹脂封止された弾性表面波素子を有する弾性表面波装置 |
US7495344B2 (en) * | 2004-03-18 | 2009-02-24 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Semiconductor apparatus |
JP4754185B2 (ja) * | 2004-05-27 | 2011-08-24 | リンテック株式会社 | 半導体封止用樹脂シートおよびこれを用いた半導体装置の製造方法 |
JP4730652B2 (ja) | 2004-06-02 | 2011-07-20 | ナガセケムテックス株式会社 | 電子部品の製造方法 |
US7906860B2 (en) * | 2007-10-26 | 2011-03-15 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor device |
JP5047324B2 (ja) | 2010-03-25 | 2012-10-10 | 京セラ株式会社 | カード固定装置及び携帯端末機 |
-
2010
- 2010-09-06 JP JP2010198623A patent/JP5349432B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-09-05 EP EP20110180025 patent/EP2426707A1/en not_active Withdrawn
- 2011-09-06 CN CN201110270558.8A patent/CN102386111B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2011-09-06 KR KR20110090033A patent/KR20120024507A/ko active IP Right Grant
- 2011-09-06 TW TW100132150A patent/TW201218288A/zh unknown
- 2011-09-06 US US13/225,681 patent/US8938878B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09260433A (ja) * | 1996-03-22 | 1997-10-03 | Nitto Denko Corp | 半導体装置の製法およびそれによって得られた半導体装置 |
JP2003249509A (ja) * | 2002-02-26 | 2003-09-05 | Asuriito Fa Kk | 半導体封止方法および封止された半導体 |
JP2004327623A (ja) * | 2003-04-23 | 2004-11-18 | Three M Innovative Properties Co | 封止用フィルム接着剤、封止用フィルム積層体及び封止方法 |
Cited By (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013147589A (ja) * | 2012-01-20 | 2013-08-01 | Nitto Denko Corp | 電子部品封止用樹脂組成物シートおよびそれを用いた電子部品装置の製法 |
JP2014039017A (ja) * | 2012-07-17 | 2014-02-27 | Nitto Denko Corp | 半導体装置の製造方法 |
WO2014080717A1 (ja) * | 2012-11-20 | 2014-05-30 | 日東電工株式会社 | 電子部品装置の製造方法、及び、電子部品装置 |
JP2014107503A (ja) * | 2012-11-29 | 2014-06-09 | Mikado Kiki Hanbai Kk | 真空加熱加圧封止成形装置及び真空加熱加圧封止成形方法 |
JP2015032648A (ja) * | 2013-08-01 | 2015-02-16 | 日東電工株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
WO2015015979A1 (ja) * | 2013-08-01 | 2015-02-05 | 日東電工株式会社 | 半導体装置の製造方法、及び、封止用シート |
JP2015032647A (ja) * | 2013-08-01 | 2015-02-16 | 日東電工株式会社 | 半導体装置の製造方法、及び、封止用シート |
WO2015015980A1 (ja) * | 2013-08-01 | 2015-02-05 | 日東電工株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
WO2015098838A1 (ja) * | 2013-12-26 | 2015-07-02 | 日東電工株式会社 | 半導体装置の製造方法及び熱硬化性樹脂シート |
WO2015098842A1 (ja) * | 2013-12-26 | 2015-07-02 | 日東電工株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
WO2015129689A1 (ja) * | 2014-02-26 | 2015-09-03 | 日東電工株式会社 | 電子部品パッケージの製造方法 |
US10435279B2 (en) | 2015-03-06 | 2019-10-08 | Walmart Apollo, Llc | Shopping space route guidance systems, devices and methods |
KR20170134354A (ko) | 2015-03-31 | 2017-12-06 | 도레이 카부시키가이샤 | 전자 부품용 수지 시트, 보호 필름 부착 전자 부품용 수지 시트, 및 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
JPWO2017038691A1 (ja) * | 2015-08-28 | 2018-03-08 | 日立化成株式会社 | 緩衝シート用組成物及び緩衝シート |
WO2018159619A1 (ja) * | 2017-03-03 | 2018-09-07 | リンテック株式会社 | 封止シート、および半導体装置の製造方法 |
JPWO2018159619A1 (ja) * | 2017-03-03 | 2019-12-26 | リンテック株式会社 | 封止シート、および半導体装置の製造方法 |
WO2018168758A1 (ja) * | 2017-03-15 | 2018-09-20 | 住友ベークライト株式会社 | 樹脂シート、積層樹脂シート、および樹脂組成物 |
JP2019009266A (ja) * | 2017-06-23 | 2019-01-17 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミック電子部品の製造方法、及び、積層セラミック電子部品 |
JP6894077B1 (ja) * | 2019-08-09 | 2021-06-23 | ナガセケムテックス株式会社 | モールドアンダーフィル封止用の多層シート、モールドアンダーフィル封止方法、電子部品実装基板及び電子部品実装基板の製造方法 |
WO2021029259A1 (ja) * | 2019-08-09 | 2021-02-18 | ナガセケムテックス株式会社 | モールドアンダーフィル封止用の多層シート、モールドアンダーフィル封止方法、電子部品実装基板及び電子部品実装基板の製造方法 |
KR102732191B1 (ko) | 2019-08-09 | 2024-11-19 | 나가세케무텍쿠스가부시키가이샤 | 몰드 언더필 봉지용의 다층 시트, 몰드 언더필 봉지 방법, 전자 부품 실장 기판 및 전자 부품 실장 기판의 제조 방법 |
JP6856787B1 (ja) * | 2020-01-29 | 2021-04-14 | 住友化学株式会社 | 電子部品の製造方法 |
JP2021118336A (ja) * | 2020-01-29 | 2021-08-10 | 住友化学株式会社 | 電子部品の製造方法 |
JP2021134219A (ja) * | 2020-02-21 | 2021-09-13 | デクセリアルズ株式会社 | アンダーフィル材、及びこれを用いた半導体装置の製造方法 |
JP7436240B2 (ja) | 2020-02-21 | 2024-02-21 | デクセリアルズ株式会社 | アンダーフィル材、及びこれを用いた半導体装置の製造方法 |
WO2022163763A1 (ja) * | 2021-02-01 | 2022-08-04 | ナガセケムテックス株式会社 | 電子部品実装基板の封止方法および熱硬化性シート |
WO2023095697A1 (ja) * | 2021-11-29 | 2023-06-01 | 東洋インキScホールディングス株式会社 | 保護シート、電子デバイスパッケージ及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201218288A (en) | 2012-05-01 |
JP5349432B2 (ja) | 2013-11-20 |
EP2426707A1 (en) | 2012-03-07 |
KR20120024507A (ko) | 2012-03-14 |
CN102386111B (zh) | 2015-04-22 |
US8938878B2 (en) | 2015-01-27 |
CN102386111A (zh) | 2012-03-21 |
US20120055015A1 (en) | 2012-03-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5349432B2 (ja) | 電子部品装置の製法およびそれに用いる電子部品封止用樹脂組成物シート | |
JP5133598B2 (ja) | 封止用熱硬化型接着シート | |
JP4088337B2 (ja) | 電子部品用接着剤及び半導体チップ積層体の製造方法 | |
JP4989402B2 (ja) | 中空型デバイス封止用樹脂組成物シートおよびそれを用いて封止した中空型デバイス | |
WO2011104996A1 (ja) | 熱硬化性樹脂組成物、bステージ熱伝導性シート及びパワーモジュール | |
KR20020038532A (ko) | 액상 에폭시 수지 조성물 및 반도체 장치 | |
CN107210274B (zh) | 密封用膜及使用该密封用膜的电子部件装置 | |
JP5180162B2 (ja) | 電子部品封止用シート状エポキシ樹脂組成物およびそれにより得られた電子部品装置集合体ならびに電子部品装置 | |
WO2014136720A1 (ja) | 半導体装置の製造方法及び熱硬化性樹脂シート | |
WO2011013326A1 (ja) | 液状樹脂組成物、およびそれを用いた半導体装置 | |
JP4656269B2 (ja) | 液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP3695521B2 (ja) | 液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
TWI763877B (zh) | 半導體密封用熱硬化性環氧樹脂薄片、半導體裝置及其製造方法 | |
WO2014162951A1 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP3985148B2 (ja) | 液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
WO2018150779A1 (ja) | 樹脂組成物、樹脂シート及び半導体装置並びに半導体装置の製造方法 | |
CN110892525B (zh) | 半导体装置 | |
JP7124819B2 (ja) | 封止用フィルム、封止構造体及び封止構造体の製造方法 | |
JP2008260845A (ja) | 封止用熱硬化型接着シート | |
JP2006316250A (ja) | 液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP2017045934A (ja) | 接着フィルム | |
TWI824114B (zh) | 密封用薄片 | |
JP7070559B2 (ja) | 封止用フィルム及び封止構造体、並びにこれらの製造方法 | |
TW201430966A (zh) | 密封體的製造方法、密封體製造用框狀間隔件、密封體及電器 | |
JP2024514135A (ja) | モールディング用エポキシ樹脂組成物 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20121126 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130711 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130723 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130820 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |