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WO2014080717A1 - 電子部品装置の製造方法、及び、電子部品装置 - Google Patents

電子部品装置の製造方法、及び、電子部品装置 Download PDF

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Publication number
WO2014080717A1
WO2014080717A1 PCT/JP2013/078604 JP2013078604W WO2014080717A1 WO 2014080717 A1 WO2014080717 A1 WO 2014080717A1 JP 2013078604 W JP2013078604 W JP 2013078604W WO 2014080717 A1 WO2014080717 A1 WO 2014080717A1
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WO
WIPO (PCT)
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electronic component
layer
sheet
resin composition
thermosetting resin
Prior art date
Application number
PCT/JP2013/078604
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
豊田　英志
祐作 清水
剛 鳥成
Original Assignee
日東電工株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日東電工株式会社 filed Critical 日東電工株式会社
Publication of WO2014080717A1 publication Critical patent/WO2014080717A1/ja

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    • H01L24/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector

Definitions

  • the present invention relates to an electronic component device manufacturing method and an electronic component device.
  • resin sealing is performed to protect an electronic component (for example, a semiconductor element, a capacitor, a resistance element, etc.) mounted on a mounting substrate.
  • Resin sealing is performed by transfer sealing with a powdered thermosetting resin composition or potting with a liquid thermosetting resin composition, etc. It has been proposed to encapsulate electronic components mounted on the board using a sheet-like thermosetting resin composition.
  • the viscosity at a molding temperature is 20 to 20 according to the electronic component mounting area on the mounting substrate.
  • a sheet B of 250 Pa ⁇ s is loaded, and a sheet A having a viscosity of 2000 to 50000 Pa ⁇ s at the molding temperature is further stacked thereon, and then heated to the molding temperature in a vacuum chamber. Is suspended until the sheet B and the electronic component are covered, and then the pressure in the chamber is released, and the sheet is covered with the sheet A in a sealed space formed between the mounting substrate and the sheet A.
  • a method of underfilling an electronic component with a melt of B has been proposed (see, for example, Patent Document 1).
  • Patent Document 1 has room for improvement in that the device structure that can be underfilled is limited. That is, there is room for improvement in that the method described in Patent Document 1 can be used only when the size of the electronic component and the gap width (bump height) between the electronic component and the mounting substrate are within a specific range. was there.
  • the present invention has been made in view of the above-described problems, and the purpose thereof is not limited to the size of the electronic component or the gap width between the electronic component and the mounting substrate, and a sheet-like thermosetting resin composition is used.
  • An object of the present invention is to provide an electronic component device manufacturing method that enables overmolding and underfilling, and an electronic component device manufactured by the electronic component device manufacturing method.
  • the present invention is a method of manufacturing an electronic component device, the step of preparing a mounting substrate in which electronic components are connected face-down, and a sheet-like thermosetting resin composition is disposed on the electronic components.
  • a mounting substrate in which electronic components are connected face-down is prepared, and a sheet-like thermosetting resin composition is disposed on the electronic component to form a laminate.
  • the laminate is pressed in a vacuum chamber.
  • the electronic component is overmolded with the sheet-like thermosetting resin composition, and the sheet-like thermosetting resin composition enters the gap between the mounting substrate and the electronic component.
  • the sheet-like thermosetting resin composition enters more into the gap between the mounting substrate and the electronic component.
  • the laminate after pressing is pressurized in a high-pressure chamber.
  • the sheet-like thermosetting resin composition that has entered the gap between the mounting substrate and the electronic component is further filled into the gap.
  • the electronic component is pressurized in the high-pressure chamber. It becomes possible to fill the underfill to the center lower part of the part.
  • the electronic component is pressurized in the high-pressure chamber. It is possible to fill the underfill to the central lower part.
  • the step of pressing is a step of pressing the laminate at a temperature selected from 70 to 150 ° C. in a decompressed chamber
  • the sheet-like thermosetting resin composition has two layers.
  • the viscosity of the layer A on the side in contact with the electronic component in the step of obtaining the laminate is lower in the range of 70 to 150 ° C. than the viscosity of the layer B not in contact with the electronic component. preferable.
  • the layer A is pressed when pressed at a temperature selected from 70 to 150 ° C.
  • the resin that constitutes can be suitably inserted into the gap between the electronic component and the mounting substrate.
  • the resin constituting the layer A can enter the gap between the electronic component and the mounting substrate.
  • the minimum viscosity of the layer A at 70 to 150 ° C. is 5 Pa ⁇ s or more and 300 Pa ⁇ s or less.
  • the resin constituting the layer A is changed to a gap between the electronic component and the mounting substrate when pressed at a temperature selected from 70 to 150 ° C. More preferably.
  • the resin constituting the layer A can be suitably entered by the gap between the electronic component and the mounting substrate. Further, when the minimum viscosity at 70 to 150 ° C.
  • the minimum viscosity of layer A at 70 to 150 ° C. is the minimum viscosity when measured at a temperature rise condition of 10 ° C./min and a measurement frequency of 1 Hz using a viscoelasticity measuring device ARES manufactured by TA Instruments. Say.
  • the minimum viscosity at 70 to 150 ° C. of the layer B is 300 Pa ⁇ s or more and 3000 Pa ⁇ s or less.
  • the minimum viscosity at 70 to 150 ° C. of the layer B is 300 Pa ⁇ s or more, deformation of the overmold after the pressing step (for example, sagging of the corners of the package) can be suppressed.
  • the minimum viscosity of the layer B at 70 to 150 ° C. is 3000 Pa ⁇ s or less, the flatness of the resin surface after pressure pressing can be maintained.
  • the minimum viscosity at 70 to 150 ° C. of layer B refers to the minimum viscosity when measured under a temperature rising condition of 10 ° C./min using a viscoelasticity measuring device ARES manufactured by TA Instruments.
  • the pressurizing step is preferably a step of applying a pressure of 1 to 20 kgf / cm 2 for 10 minutes to 2 hours under a condition of 50 to 200 ° C.
  • the pressurizing step is a step of applying a pressure of 1 to 20 kgf / cm 2 for 10 minutes to 2 hours under a condition of 50 to 200 ° C.
  • the resin constituting the layer A is bonded to the electronic component and the mounting substrate. It is possible to more suitably enter the gap.
  • the present invention also relates to a method for manufacturing an electronic component device, the step of preparing a mounting substrate in which the electronic components are connected face down, and a frame material in which openings corresponding to the shape of the electronic components are formed.
  • a step of stacking the frame material so that the electronic component is accommodated in the opening a step of obtaining a laminate by disposing a sheet-like thermosetting resin composition on the electronic component, The step of pressing the laminated body in a reduced-pressure chamber, the step of removing the frame material after the pressing step, and the laminated body after removing the frame material in a high-pressure chamber And a step of applying pressure.
  • a mounting substrate on which electronic components are connected face down and a frame member in which an opening corresponding to the shape of the electronic component is formed are prepared.
  • the frame material is stacked on the mounting substrate so that the electronic component is accommodated in the opening.
  • a sheet-like thermosetting resin composition is arrange
  • the laminate is pressed in a vacuum chamber.
  • the electronic component is overmolded with the sheet-like thermosetting resin composition, and the sheet-like thermosetting resin composition enters the gap between the mounting substrate and the electronic component.
  • the frame material since the frame material is used, it can suppress that a sheet-like thermosetting resin composition spreads more than necessary. Further, since the sheet material is prevented from spreading by the frame material and then pressed, the sheet material is more preferably used for the gap between the mounting substrate and the electronic component by the press. Things get in. Moreover, since the sheet-like thermosetting resin composition is prevented from spreading by the frame material, the size (area in plan view) of the sheet-like thermosetting resin composition is set to the size of electronic component (in plan view). The resin can be suitably sealed even if it is approximately equal to the area. Next, after removing the frame material, the laminate is pressurized in a high-pressure chamber.
  • the sheet-like thermosetting resin composition that has entered the gap between the mounting substrate and the electronic component is further filled into the gap.
  • the electronic component is pressurized in the high-pressure chamber. It becomes possible to fill the underfill to the center lower part of the part.
  • the electronic component is pressurized in the high-pressure chamber. It is possible to fill the underfill to the central lower part.
  • an electronic component device according to the present invention is manufactured by the method for manufacturing an electronic component device described above in order to solve the above-described problems.
  • overmolding and underfilling can be performed using a sheet-like thermosetting resin composition without being limited by the size of the electronic component or the gap width between the electronic component and the mounting substrate.
  • (A) is a cross-sectional schematic diagram for demonstrating the manufacturing method of the electronic component apparatus which concerns on one Embodiment of this invention, (b) is the top view.
  • (A) is a cross-sectional schematic diagram for demonstrating the manufacturing method of the electronic component apparatus which concerns on one Embodiment of this invention, (b) is the top view.
  • (A) is a cross-sectional schematic diagram for demonstrating the manufacturing method of the electronic component apparatus which concerns on one Embodiment of this invention, (b) is the top view. It is a cross-sectional schematic diagram for demonstrating the manufacturing method of the electronic component apparatus which concerns on one Embodiment of this invention.
  • the method of manufacturing an electronic component device includes a step of preparing a mounting substrate in which electronic components are connected face-down, and a sheet-like thermosetting resin composition is disposed on the electronic component to obtain a laminate. At least a step of pressing the laminated body in a chamber under reduced pressure, and a step of pressing the laminated body after pressing in a chamber under a high pressure state.
  • the method for manufacturing an electronic component device of the present invention may use a frame material in which an opening corresponding to the shape of the electronic component is formed. That is, the method for manufacturing an electronic component device according to the present invention includes a step of preparing a mounting substrate in which electronic components are connected face down, and a step of preparing a frame member in which an opening corresponding to the shape of the electronic component is formed.
  • a step of stacking the frame material so that the electronic component is accommodated in the opening, a step of obtaining a laminate by disposing a sheet-like thermosetting resin composition on the electronic component, and the laminate A step of pressing in a chamber in a reduced pressure state, a step of removing the frame material after the step of pressing, and a step of pressing the laminated body after removing the frame material in a chamber in a high pressure state
  • the structure containing these may be sufficient.
  • FIG. 1A is a schematic cross-sectional view for explaining a method for manufacturing an electronic component device according to an embodiment of the present invention
  • FIG. 1B is a plan view thereof
  • FIG. 2A is a schematic cross-sectional view for explaining a method for manufacturing an electronic component device according to an embodiment of the present invention
  • FIG. 2B is a plan view thereof
  • FIG. 3A is a schematic cross-sectional view for explaining a method for manufacturing an electronic component device according to an embodiment of the present invention
  • FIG. 3B is a plan view thereof.
  • 4 to 7 are schematic cross-sectional views for explaining a method for manufacturing an electronic component device according to an embodiment of the present invention.
  • a mounting substrate 14 in which semiconductor chips 12 as electronic components are connected face down is prepared.
  • “Face-down connection” means that the circuit surface of the semiconductor chip 12 is fixed so as to face the electrode formation surface of the mounting substrate.
  • the semiconductor chip 12 can be manufactured by dicing a semiconductor wafer having a circuit formed on the surface thereof into pieces by a conventionally known method.
  • the shape of the semiconductor chip 12 in plan view may be changed according to the target electronic component device, for example, a square or a rectangle that is independently selected with a side length of 1 to 50 mm. Also good.
  • the mounting substrate 14 can be subjected to a conventional surface treatment such as plasma treatment for the purpose of improving the adhesiveness with the sealing resin (sheet-like thermosetting resin composition 20) after resin sealing.
  • the thickness of the semiconductor chip 12 may be changed according to the size of the target electronic component device, and is, for example, 20 to 800 ⁇ m, preferably 50 to 500 ⁇ m.
  • a conductive member 13 is formed on the circuit forming surface of the semiconductor chip 12.
  • the conducting member 13 is not particularly limited, and examples thereof include bumps, pins, and leads.
  • the material of the conducting member 13 is not particularly limited. For example, a tin-lead metal material, a tin-silver metal material, a tin-silver-copper metal material, a tin-zinc metal material, a tin-zinc-bismuth material. Examples thereof include solders (alloys) such as metal materials, gold-based metal materials, and copper-based metal materials.
  • the height of the conductive member 13 is also determined according to the application, and is generally about 5 to 100 ⁇ m. The height of each conductive member 13 on the circuit formation surface of the semiconductor chip 12 may be the same or different.
  • a frame member 16 (see FIGS. 2A and 2B) is prepared as necessary.
  • the frame member 16 is for preventing the resin from spreading when the semiconductor chip 12 is resin-sealed (overmolding and underfilling).
  • the frame member 16 has a square or rectangular outer shape in plan view, and an opening 16a (see FIG. 2A) that is slightly larger than the shape of the semiconductor chip 12 is formed in the center.
  • the outer shape of the frame member 16 is not particularly limited as long as the opening 16a that can accommodate the semiconductor chip 12 is provided.
  • the thickness of the frame member 16 is the thickness of the semiconductor chip 12 or the semiconductor chip 12 and the mounting substrate 14. And the gap (space 26 shown in FIG. 3A), the viscosity of the sheet-like thermosetting resin composition 20 (see FIG. 3A), and the like.
  • FIGS. 2A and 2B show an example in which only one semiconductor chip 12 is provided on the mounting substrate 14, but the mounting substrate 14 has a plurality of semiconductor chips 12. Also good. In this case, a plurality of openings 16 a may be provided corresponding to the positions of the plurality of semiconductor chips 12.
  • thermosetting resin composition 20 is disposed on the semiconductor chip 12 to mount the mounting substrate 14, the semiconductor chip 12, and the sheet shape.
  • a laminate 30 in which the thermosetting resin composition 20 is laminated is obtained.
  • the sheet-like thermosetting resin composition 20 has a function of filling (underfilling) the space 26 on the circuit forming surface side and sealing (overmolding) the semiconductor chip 12.
  • the sheet-like thermosetting resin composition 20 may be composed of one layer or may be composed of two or more layers.
  • the viscosity of the layer 24 (layer A) on the side in contact with the semiconductor chip 12 is in the range of 70 to 150 ° C. than the viscosity of the layer 22 (layer B) not in contact with the semiconductor chip 12. Preferably it is low.
  • the viscosity of the layer 24 on the side in contact with the semiconductor chip 12 is lower in the range of 70 to 150 ° C. than the viscosity of the layer 22 not in contact with the semiconductor chip 12, when pressing at a temperature selected from 70 to 150 ° C.
  • the resin constituting the layer 24 can be suitably inserted into the gap between the semiconductor chip 12 and the mounting substrate 14. Further, also in the pressurizing step, which will be described later, the resin constituting the layer 24 can suitably enter the gap between the semiconductor chip 12 and the mounting substrate 14.
  • the minimum viscosity of the layer 24 at 70 to 150 ° C. is preferably 5 Pa ⁇ s or more and 300 Pa ⁇ s or less, preferably 10 Pa ⁇ s or more and 200 Pa. ⁇ S or less is more preferable, and 20 Pa ⁇ s or more and 100 Pa ⁇ s or less is more preferable.
  • the minimum viscosity at 70 to 150 ° C. of the layer 24 is 300 Pa ⁇ s or less, the resin constituting the layer 24 is transferred to the semiconductor chip 12 and the mounting substrate 14 when pressed at a temperature selected from 70 to 150 ° C. It is possible to make it enter through the gap.
  • the resin that constitutes the layer 24 can be suitably penetrated by the gap between the semiconductor chip 12 and the mounting substrate 14.
  • the minimum viscosity of the layer 24 at 70 to 150 ° C. is 5 Pa ⁇ s or more, it is possible to suppress the resin from flowing out of the sealing range after the press.
  • the minimum viscosity at 70 to 150 ° C. of the layer 22 and the layer 24 was measured using a viscoelasticity measuring device ARES manufactured by TA Instruments and at a temperature rising condition of 10 ° C./min and a measurement frequency of 1 Hz. Of the minimum viscosity.
  • the minimum viscosity of the layer 22 at 70 to 150 ° C. is preferably 300 Pa ⁇ s to 3000 Pa ⁇ s, and preferably 500 Pa ⁇ s. It is more preferably 2000 Pa ⁇ s or less and even more preferably 1000 Pa ⁇ s or more and 1500 Pa ⁇ s or less.
  • the minimum viscosity at 70 to 150 ° C. of the layer 22 is 300 Pa ⁇ s or more, deformation of the overmold after the pressing step (for example, sagging of the corners of the package) can be suppressed.
  • the minimum viscosity at 70 to 150 ° C. of the layer 22 is 3000 Pa ⁇ s or less, the flatness of the resin surface after the pressure pressing can be maintained.
  • the viscosity of the sheet-like thermosetting resin composition 20 can be the same as that of the layer 24 (layer A). That is, in this case, the minimum viscosity of the sheet-like thermosetting resin composition 20 at 70 to 150 ° C. is preferably 5 Pa ⁇ s or more and 300 Pa ⁇ s or less, more preferably 10 Pa ⁇ s or more and 200 Pa ⁇ s or less, and 20 Pa ⁇ s. More preferred is 100 Pa ⁇ s or less. When the minimum viscosity at 70 to 150 ° C.
  • the sheet-like thermosetting resin composition 20 is 300 Pa ⁇ s or less, the sheet-like thermosetting resin composition 20 is pressed at a temperature selected from 70 to 150 ° C. It is possible to allow the resin that constitutes the material to penetrate into the gap between the semiconductor chip 12 and the mounting substrate 14. Moreover, also in the process of pressurizing, the resin constituting the sheet-like thermosetting resin composition 20 can be suitably entered by the gap between the semiconductor chip 12 and the mounting substrate 14. In addition, when the minimum viscosity at 70 to 150 ° C. of the sheet-like thermosetting resin composition 20 is 5 Pa ⁇ s or more, it is possible to suppress the resin from flowing out of the sealing range after pressure pressing.
  • thermosetting resin composition 20 As a constituent material of the sheet-like thermosetting resin composition 20 (the layer 22 and the layer 24), a material capable of obtaining the above-mentioned minimum viscosity may be appropriately selected, and examples thereof include a thermosetting resin. A combination with a thermoplastic resin is also possible.
  • thermosetting resin examples include phenol resin, amino resin, unsaturated polyester resin, epoxy resin, polyurethane resin, silicone resin, and thermosetting polyimide resin. These resins can be used alone or in combination of two or more. In particular, an epoxy resin containing a small amount of ionic impurities that corrode the semiconductor chip is preferable. Moreover, as a hardening
  • the epoxy resin is not particularly limited as long as it is generally used as an adhesive composition, for example, bisphenol A type, bisphenol F type, bisphenol S type, brominated bisphenol A type, hydrogenated bisphenol A type, bisphenol AF type.
  • the phenol resin acts as a curing agent for the epoxy resin.
  • a phenol novolac resin a phenol aralkyl resin, a cresol novolac resin, a tert-butylphenol novolac resin, a novolak type phenol resin such as a nonylphenol novolac resin
  • examples include resol type phenol resins, biphenylene type phenol resins, and polyoxystyrenes such as polyparaoxystyrene. These can be used alone or in combination of two or more.
  • biphenylene type phenol resins and phenol novolac resins are particularly preferable.
  • Biphenylene type phenol resin and phenol novolac resin are excellent in curability with epoxy resin, and are excellent in electrical insulation and adhesive reliability of the cured product.
  • the compounding ratio of the epoxy resin and the phenol resin is preferably such that, for example, the hydroxyl group in the phenol resin is 0.5 to 2.0 equivalents per equivalent of the epoxy group in the epoxy resin component. More preferred is 0.8 to 1.2 equivalents. That is, if the blending ratio of both is out of the above range, sufficient curing reaction does not proceed and the properties of the cured epoxy resin are likely to deteriorate.
  • thermosetting acceleration catalyst (curing accelerator) of the epoxy resin and the phenol resin is not particularly limited, and can be appropriately selected from known thermosetting acceleration catalysts.
  • stimulation catalyst can be used individually or in combination of 2 or more types.
  • the thermosetting acceleration catalyst for example, an amine-based curing accelerator, a phosphorus-based curing accelerator, an imidazole-based curing accelerator, a boron-based curing accelerator, a phosphorus-boron-based curing accelerator, or the like can be used.
  • an imidazole type hardening accelerator is preferable from a sclerosing
  • an inorganic filler can be appropriately blended in the sheet-like thermosetting resin composition 20.
  • the inorganic filler examples include silica, clay, gypsum, calcium carbonate, barium sulfate, alumina oxide, beryllium oxide, silicon carbide, silicon nitride and other ceramics, aluminum, copper, silver, gold, nickel, chromium, lead And various inorganic powders made of metals such as tin, zinc, palladium, solder, or alloys, and other carbons. These can be used alone or in combination of two or more. Among these, silica, particularly fused silica is preferably used.
  • the average particle size of the inorganic filler is preferably in the range of 0.1 to 30 ⁇ m, and more preferably in the range of 0.5 to 25 ⁇ m. In the present invention, inorganic fillers having different average particle sizes may be used in combination.
  • the average particle size is a value determined by a photometric particle size distribution meter (manufactured by HORIBA, apparatus name: LA-910).
  • the blending amount of the inorganic filler is preferably set to 100 to 1400 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the organic resin component. Particularly preferred is 230 to 900 parts by weight.
  • the blending amount of the inorganic filler is 100 parts by weight or more, heat resistance and strength are improved.
  • liquidity is securable by setting it as 1400 weight part or less.
  • additives can be appropriately blended with the sheet-like thermosetting resin composition 20 as necessary.
  • other additives include flame retardants, silane coupling agents, ion trapping agents, pigments such as carbon black, and the like.
  • flame retardant include antimony trioxide, antimony pentoxide, brominated epoxy resin, and the like. These can be used alone or in combination of two or more.
  • silane coupling agent include ⁇ - (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, ⁇ -glycidoxypropyltrimethoxysilane, ⁇ -glycidoxypropylmethyldiethoxysilane, and the like.
  • an elastomer component may be added as an additive for viscosity adjustment.
  • the elastomer component is not particularly limited as long as it thickens the resin.
  • various acrylic copolymers such as polyacrylic acid ester; polystyrene-polyisobutylene copolymer, styrene acrylate copolymer, etc.
  • elastomers having a styrene skeleton rubber polymers such as butadiene rubber, styrene-butadiene rubber (SBR), ethylene-vinyl acetate copolymer (EVA), isoprene rubber, and acrylonitrile rubber.
  • SBR styrene-butadiene rubber
  • EVA ethylene-vinyl acetate copolymer
  • isoprene rubber acrylonitrile rubber
  • the thickness of the sheet-like thermosetting resin composition 20 is not particularly limited, but the strength of the cured resin and the gap between the semiconductor chip 12 and the mounting substrate 14 (space 26). In consideration of the filling property, it is preferably 100 ⁇ m or more and 1000 ⁇ m or less. In addition, the thickness of the sheet-like thermosetting resin composition 20 can be appropriately set in consideration of the gap between the semiconductor chip 12 and the mounting substrate 14.
  • Method for producing sheet-like thermosetting resin composition 20 examples include a calendering method, a casting method in an organic solvent, an inflation extrusion method in a closed system, a T-die extrusion method, and a co-extrusion method. Examples thereof include a dry laminating method. Of these, the T-die extrusion method is preferable.
  • each layer may be individually manufactured and then bonded.
  • the laminate 30 obtained in the step of obtaining the laminate is placed on the press lower plate 61 in the molding apparatus 60. (See FIG. 4). Thereafter, the press upper plate 62 is moved to seal the inside of the chamber 64 of the molding apparatus, and then the inside of the chamber 64 is decompressed (see FIG. 5). Thereafter, it is heated to a molding temperature selected from 70 to 150 ° C. (more preferably, 90 to 110 ° C.). In this state, as shown in FIG. 6, it presses with the press upper board 62 from the sheet-like thermosetting resin composition 20 side.
  • the frame member 16 serves as a guide, and the resin constituting the sheet-like thermosetting resin composition 20 enters the gap between the semiconductor chip 12 and the mounting substrate 14.
  • the press described above is based on the viewpoint of bonding the sheet-like thermosetting resin composition 20 and the semiconductor chip 12 and the resin constituting the sheet-like thermosetting resin composition 20 (layer 24) to the semiconductor chip 12 and the mounting substrate. From the viewpoint of suitably entering into the gap with 14, it is preferably performed at a pressure of 0.5 to 5 MPa. At that time, the temperature is preferably set at a molding temperature selected from 70 to 150 ° C., and the pressing time is preferably 30 seconds to 5 minutes.
  • the resin constituting the sheet-like thermosetting resin composition 20 is Heating is not always necessary as long as the gap between the semiconductor chip 12 and the mounting substrate 14 can be entered, and pressing at a reduced pressure and normal temperature (for example, 23 ° C.) may be used.
  • the press of the sheet-like thermosetting resin composition 20 by the press upper plate 62 may be a press until it comes into contact with the upper surface of the frame member 16 or may be a press up to the front (upper side) than the contact. Good.
  • the height of the manufactured electronic component device can be made more constant.
  • a desired height can be obtained without preparing each frame member 16 corresponding to the height of the electronic component device to be manufactured. It is possible to manufacture an electronic component device having the same.
  • the resin constituting the sheet-like thermosetting resin composition 20 (layer 24) further enters the gap between the mounting substrate 14 and the semiconductor chip 12. .
  • the chamber 66 of the pressurizing device is pressurized. (See FIG. 7). Thereby, the sheet-like thermosetting resin composition 20 that has entered the gap between the mounting substrate 14 and the semiconductor chip 12 is further filled in the gap.
  • the inside of the chamber 66 is preferably heated.
  • the specific pressurizing condition is preferably a step of applying a pressure of 1 to 20 kgf / cm 2 for 10 minutes to 2 hours under a condition of 50 to 200 ° C., and under a condition of 100 to 180 ° C.
  • the treatment is performed by applying a pressure of 5 to 15 kgf / cm 2 for 30 to 90 minutes.
  • the pressurizing step is a step of applying a pressure of 1 to 20 kgf / cm 2 for 10 minutes to 2 hours under a condition of 50 to 200 ° C.
  • the resin constituting the layer 24 is transferred to the semiconductor chip 12 and the mounting substrate 14. It is possible to further enter the gap.
  • a conventionally known pressurizing apparatus can be used, and examples thereof include an autoclave.
  • thermosetting process Thereafter, the sheet-like thermosetting resin composition 20 is heated and cured as necessary. Thereby, the electronic component device 70 in which the semiconductor chip 12 is resin-sealed on the mounting substrate 14 can be obtained.
  • the heating temperature in the thermosetting step is preferably 90 to 200 ° C, more preferably 120 to 175 ° C.
  • the heating time is preferably 30 to 240 minutes, and more preferably 60 to 180 minutes.
  • the sheet-like thermosetting resin composition 20 can also be thermoset by this heating. In this case, the thermosetting step can be omitted.
  • the case where the semiconductor chip 12 is used as the electronic component has been described.
  • other elements may be used.
  • a capacitor, a sensor device, a light emitting element, a vibration element, or the like can be used as the electronic component.
  • the resin constituting the sheet-like thermosetting resin composition can be suitably inserted into the gap between the electronic component and the mounting substrate.
  • layer A low viscosity layer
  • layer A-1 The following (a) to (h) are blended with a mixer, kneaded for 2 minutes at 120 ° C. with a twin-screw kneader, and then extruded from a die to obtain a layer A-1 having a thickness of 100 ⁇ m.
  • Epoxy resin manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd., YSLV-80XY 643 parts
  • phenolic resin ND-564, Showa Polymer Co., Ltd.
  • curing accelerator manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd., 2PHZ-PW 12 parts
  • Elastomer Mitsubishi Rayon Co., Ltd.
  • filler manufactured by Denki Kagaku Kogyo, FB-5SDC
  • Layer A-2 The following (a) to (h) are blended with a mixer, kneaded for 2 minutes at 120 ° C. with a twin-screw kneader, and then extruded from a die to form a layer A-2 having a thickness of 500 ⁇ m. Got.
  • Epoxy resin manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd., YSLV-80XY 643 parts
  • phenol resin manufactured by Gunei Chemical Co., GS-200
  • curing accelerator manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd., 2PHZ-PW
  • Elastomer Mitsubishi Rayon Co., Ltd.
  • filler manufactured by Denki Kagaku Kogyo, FB-5SDC
  • Silane coupling agent manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., KBM-403
  • Layer A-3 The following (a) to (h) are blended with a mixer, kneaded for 2 minutes at 120 ° C. with a twin-screw kneader, and then extruded from a die to obtain a layer A-3 having a thickness of 100 ⁇ m. Got.
  • Epoxy resin manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd., YSLV-80XY 643 parts
  • phenolic resin ND-564, Showa Polymer Co., Ltd.
  • curing accelerator manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd., 2PHZ-PW 12 parts
  • Elastomer Mitsubishi Rayon Co., Ltd.
  • filler manufactured by Denki Kagaku Kogyo, FB-5SDC
  • Layer A-4 The following (a) to (h) are blended with a mixer, kneaded for 2 minutes at 120 ° C. with a twin-screw kneader, and then extruded from a die to obtain a layer A-4 having a thickness of 100 ⁇ m. Got.
  • Epoxy resin manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd., YSLV-80XY 643 parts
  • phenolic resin ND-564, Showa Polymer Co., Ltd.
  • curing accelerator manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd., 2PHZ-PW
  • Elastomer Mitsubishi Rayon Co., Ltd.
  • filler manufactured by Denki Kagaku Kogyo, FB-5SDC
  • Silane coupling agent manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., KBM-403
  • 5 parts carbon (Mitsubishi Chemical Corporation, # 20) 5 parts
  • flame retardant FP-100, manufactured by Fushimi Pharmaceutical Co., Ltd.) 50 copies
  • layer B high viscosity layer
  • Layer B-1 high viscosity layer
  • the following (a) to (f) are blended with a mixer, kneaded for 2 minutes at 120 ° C. with a twin-screw kneader, and then extruded from a die to obtain a layer B-1 having a thickness of 400 ⁇ m.
  • Epoxy resin manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd., YSLV-80XY 286 parts
  • phenol resin MEH-7851-SS, manufactured by Meiwa Kasei Co., Ltd.
  • curing accelerator manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd., 2PHZ-PW
  • Silica filler manufactured by Denki Kagaku Kogyo, FB-9454
  • Silane coupling agent manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., KBM-403
  • carbon Mitsubishi Chemical Corporation, # 20
  • Layer B-2 The following (a) to (f) are blended with a mixer, kneaded for 2 minutes at 120 ° C. with a twin-screw kneader, and then extruded from a die to obtain a layer B-2 having a thickness of 400 ⁇ m.
  • a mixer kneaded for 2 minutes at 120 ° C. with a twin-screw kneader, and then extruded from a die to obtain a layer B-2 having a thickness of 400 ⁇ m.
  • Epoxy resin manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd., YSLV-80XY 286 parts
  • phenol resin MEH-7851-SS, manufactured by Meiwa Kasei Co., Ltd.
  • curing accelerator manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd., 2PHZ-PW
  • Silica filler manufactured by Denki Kagaku Kogyo, FB-9454
  • Silane coupling agent manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., KBM-403
  • carbon Mitsubishi Chemical Corporation, # 20
  • Layer B-3 The following (a) to (f) are blended with a mixer, kneaded for 2 minutes at 120 ° C. with a twin-screw kneader, and then extruded from a die to obtain a layer B-3 having a thickness of 400 ⁇ m.
  • a mixer kneaded for 2 minutes at 120 ° C. with a twin-screw kneader, and then extruded from a die to obtain a layer B-3 having a thickness of 400 ⁇ m.
  • Epoxy resin manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd., YSLV-80XY 286 parts
  • phenol resin MEH-7851-H, manufactured by Meiwa Kasei Co., Ltd.
  • curing accelerator manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd., 2PHZ-PW
  • Silica filler manufactured by Denki Kagaku Kogyo, FB-9454
  • Silane coupling agent Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., KBM-403
  • carbon Mitsubishi Chemical Corporation, # 20
  • Viscoelasticity measuring device manufactured by TA Instruments Co., Ltd. for the minimum viscosities of layer A-1, layer A-2, layer A-3, layer A-4, layer B-1, layer B-2 and layer B-3 Measurement was performed using ARES at a temperature rising condition from 60 ° C. to 10 ° C./min. The measurement frequency was 1 Hz. The results are shown in Table 1.
  • Example 1 The layer A-1 and the layer B-1 produced as described above were laminated by pressing at 90 ° C. for 1 minute under the condition of 0.1 MPa. Thereby, a sheet-like thermosetting resin composition having a total thickness of 500 ⁇ m was obtained. This was designated as a sheet-like thermosetting resin composition according to Example 1.
  • Example 2 The layer A-2 produced above was used as the sheet-like thermosetting resin composition according to Example 2.
  • Example 3 The layer A-3 and the layer B-2 produced as described above were laminated at 90 ° C. for 1 minute under a pressure of 0.1 MPa. Thereby, a sheet-like thermosetting resin composition having a total thickness of 500 ⁇ m was obtained. This was designated as a sheet-like thermosetting resin composition according to Example 3.
  • Example 4 The layer A-3 and the layer B-3 produced as described above were laminated at 90 ° C. for 1 minute under the condition of 0.1 MPa. Thereby, a sheet-like thermosetting resin composition having a total thickness of 500 ⁇ m was obtained. This was designated as a sheet-like thermosetting resin composition according to Example 4.
  • Example 5 Layer A-4 and layer B-2 produced above were laminated by pressing at 90 ° C. for 1 minute under the condition of 0.1 MPa. Thereby, a sheet-like thermosetting resin composition having a total thickness of 500 ⁇ m was obtained. This was designated as a sheet-like thermosetting resin composition according to Example 5.
  • Example 6 Layer A-4 and layer B-3 produced above were laminated by pressing at 90 ° C. for 1 minute under the condition of 0.1 MPa. Thereby, a sheet-like thermosetting resin composition having a total thickness of 500 ⁇ m was obtained. This was designated as a sheet-like thermosetting resin composition according to Example 6.
  • Example 6 An organic substrate (mounting substrate) to which a semiconductor chip (electronic component) was flip-chip connected (connected face-down) was prepared. A semiconductor chip having a 15 mm square and a thickness of 0.7 mm was used. The bump used for flip chip connection was lead-free solder, and had a height of 70 ⁇ m, a diameter of 70 ⁇ m, and a pitch of 180 ⁇ m.
  • the organic substrate a substrate having a size of 45 mm square and plasma-treated under conditions of 100% argon, 350 W, and 10 seconds was used.
  • the frame member and the organic substrate were overlapped so that the semiconductor chip was accommodated in the opening.
  • the sheet-shaped thermosetting resin composition having a thickness of 500 ⁇ m obtained in Example 1 (cut to 21 mm in length and 21 mm in width) was placed so as to cover the semiconductor chip.
  • the laminated body with a frame material was arrange
  • pressing is performed by a press upper plate at a temperature of 130 ° C. and a pressure of 1000 kPa for 30 seconds, and then the pressure in the chamber is released, so that a molten resin ( The resin constituting the layer A) was filled.
  • the autoclave constant temperature pressurization apparatus
  • the chamber in the autoclave was adjusted to 12 kgf / cm 2 with nitrogen gas and pressurized at 150 ° C. for 1 hour.
  • the resin constituting the layer A (layer A-1 to layer A-4) is further inserted into the gap between the organic substrate and the semiconductor chip, and the resin composition is thermally cured to thereby form a semiconductor chip as an electronic component.
  • an electronic component device was obtained in the same manner as described above for the 500 ⁇ m thick sheet-like thermosetting resin compositions obtained in Examples 2 to 6 (those cut to 21 mm length and 21 mm width). Furthermore, except for changing the pressure of the chamber in the autoclave to 5 kgf / cm 2 or 18 kgf / cm 2, thereby obtaining the electronic component device in the same manner as described above.

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Abstract

　電子部品がフェイスダウン接続された実装基板を準備する工程と、電子部品上に、シート状熱硬化性樹脂組成物を配置して積層体を得る工程と、積層体を、減圧状態のチャンバー内でプレスする工程と、プレス後の積層体を、高圧状態のチャンバー内で加圧する工程とを含む電子部品装置の製造方法。

Description

電子部品装置の製造方法、及び、電子部品装置
　本発明は、電子部品装置の製造方法、及び、電子部品装置に関する。
　従来、半導体パッケージ等の電子機器の製造過程において、実装基板上に実装した電子部品（例えば、半導体素子、コンデンサ、抵抗素子等）の保護等のために樹脂封止が行われている。樹脂封止は、粉末状の熱硬化性樹脂組成物によるトランスファー封止や液状の熱硬化性樹脂組成物によるポッティング等によって行われているが、より簡便に樹脂封止するために、実装基板上に搭載した電子部品を、シート状の熱硬化性樹脂組成物を用いて樹脂封止することが提案されている。
　従来、実装基板上に搭載した電子部品を、シート状の熱硬化性樹脂組成物を用いて樹脂封止する方法として、実装基板上の電子部品搭載エリアに合わせて、成形温度における粘度が２０～２５０Ｐａ・ｓのシートＢを積載し、さらにその上に、上記成形温度における粘度が２０００～５００００Ｐａ・ｓのシートＡを積載した後、減圧状態のチャンバー内で上記成形温度に加熱し、上記シートＡを、シートＢおよび電子部品を被覆した状態となるまで垂れ下がらせ、その後、上記チャンバー内の圧力を開放し、上記シートＡの被覆により実装基板との間に形成された密閉空間内で、シートＢの溶融物による電子部品のアンダーフィルを行う方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
特開２０１２－５９７４３号公報
　しかしながら、特許文献１に記載の方法では、アンダーフィルできるデバイス構造が制限されているという点で改善の余地があった。すなわち、特許文献１に記載の方法は、電子部品のサイズや、電子部品と実装基板とのギャップ幅（バンプの高さ）が特定の範囲内にある場合にしか利用できないという点で改善の余地があった。
　本発明は、上述した課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、電子部品のサイズや、電子部品と実装基板とのギャップ幅に制限されず、シート状熱硬化性樹脂組成物を用いてオーバーモールドとアンダーフィルとを行なうことを可能とする電子部品装置の製造方法、及び、当該電子部品装置の製造方法により製造された電子部品装置を提供することにある。
　本願発明者等は、下記の構成を採用することにより、前記の課題を解決できることを見出して本発明を完成させるに至った。
　すなわち、本発明は、電子部品装置の製造方法であって、電子部品がフェイスダウンで接続された実装基板を準備する工程と、前記電子部品上に、シート状熱硬化性樹脂組成物を配置して積層体を得る工程と、前記積層体を、減圧状態のチャンバー内でプレスする工程と、プレス後の前記積層体を、高圧状態のチャンバー内で加圧する工程とを含むことを特徴とする。
　本発明に係る電子部品装置の製造方法によれば、電子部品がフェイスダウンで接続された実装基板を準備し、前記電子部品上に、シート状熱硬化性樹脂組成物を配置して積層体を得る。次に、前記積層体を、減圧状態のチャンバー内でプレスする。その結果、電子部品にシート状熱硬化性樹脂組成物によるオーバーモールドがされるとともに、実装基板と電子部品とのギャップにシート状熱硬化性樹脂組成物が入り込む。また、減圧状態を大気圧に開放した際にも、実装基板と電子部品とのギャップにシート状熱硬化性樹脂組成物がより入り込む。次に、プレス後の前記積層体を、高圧状態のチャンバー内で加圧する。その結果、実装基板と電子部品とのギャップに入り込んだシート状熱硬化性樹脂組成物がさらに、前記ギャップに充填される。
　このように、本発明では、電子部品のサイズが大きく、減圧プレスだけでは電子部品の中央下部部分にまでアンダーフィルが充分できない場合であっても、さらに高圧状態のチャンバー内で加圧するため、電子部品の中央下部部分にまでアンダーフィルを充填することが可能となる。また、電子部品と実装基板とのギャップ幅が狭く、プレスだけでは電子部品の中央下部部分にまでアンダーフィルが充分にできない場合であっても、高圧状態のチャンバー内で加圧するため、電子部品の中央下部部分にまでアンダーフィルを充填することが可能となる。
　前記構成において、前記プレスする工程は、前記積層体を、減圧状態のチャンバー内で、７０～１５０℃から選ばれる温度においてプレスする工程であり、前記シート状熱硬化性樹脂組成物が、２層以上で構成されており、前記積層体を得る工程において前記電子部品と接する側の層Ａの粘度が、前記電子部品と接しない層Ｂの粘度よりも、７０～１５０℃の範囲において低いことが好ましい。電子部品と接する側の層Ａの粘度が、電子部品と接しない層Ｂの粘度よりも、７０～１５０℃の範囲において低いと、７０～１５０℃から選ばれる温度においてプレスした際に、層Ａを構成する樹脂を、電子部品と実装基板とのギャップに好適に入り込ませることができる。また、加圧する工程においても、層Ａを構成する樹脂を、電子部品と実装基板とのギャップに好適に入り込ませることができる。
　前記構成において、前記層Ａの７０～１５０℃における最低粘度が、５Ｐａ・ｓ以上３００Ｐａ・ｓ以下であることが好ましい。層Ａの７０～１５０℃における最低粘度が、３００Ｐａ・ｓ以下であると、７０～１５０℃から選ばれる温度においてプレスした際に、層Ａを構成する樹脂を、電子部品と実装基板とのギャップにより好適に入り込ませることができる。また、加圧する工程においても、層Ａを構成する樹脂を、電子部品と実装基板とのギャップにより好適に入り込ませることができる。また、層Ａの７０～１５０℃における最低粘度が、５Ｐａ・ｓ以上であると、加圧プレス後の樹脂の封止範囲外への流れ出しを抑制することができる。なお、層Ａの７０～１５０℃における最低粘度は、ＴＡインスツルメント社製、粘弾性測定装置ＡＲＥＳを用い、１０℃／分の昇温条件、且つ、測定周波数１Ｈｚにおいて測定した際の最低粘度をいう。
　前記構成において、前記層Ｂの７０～１５０℃における最低粘度が、３００Ｐａ・ｓ以上３０００Ｐａ・ｓ以下であることが好ましい。層Ｂの７０～１５０℃における最低粘度が、３００Ｐａ・ｓ以上であると、プレスする工程の後のオーバーモールドの変形（例えば、パッケージの角のダレ）を抑制することができる。また、層Ｂの７０～１５０℃における最低粘度が、３０００Ｐａ・ｓ以下であると、加圧プレス後の樹脂表面の平坦性を維持することができる。なお、層Ｂの７０～１５０℃における最低粘度は、ＴＡインスツルメント社製、粘弾性測定装置ＡＲＥＳを用い、１０℃／分の昇温条件において測定した際の最低粘度をいう。
　前記構成において、前記加圧する工程は、５０～２００℃の条件下において、１～２０ｋｇｆ／ｃｍ２の圧力を１０分～２時間加える工程であることが好ましい。前記加圧する工程が、５０～２００℃の条件下において、１～２０ｋｇｆ／ｃｍ２の圧力を１０分～２時間加える工程であると、層Ａを構成する樹脂を、電子部品と実装基板とのギャップにさらに好適に入り込ませることができる。
　また、本発明は、電子部品装置の製造方法であって、電子部品がフェイスダウンで接続された実装基板を準備する工程と、前記電子部品の形状に対応する開口が形成された枠材を準備する工程と、前記開口に前記電子部品が収容されるように前記枠材を重ねる工程と、前記電子部品上に、シート状熱硬化性樹脂組成物を配置して積層体を得る工程と、前記積層体を、減圧状態のチャンバー内でプレスする工程と、前記プレスする工程の後に、前記枠材を除去する工程と、前記枠材を除去した後の前記積層体を、高圧状態のチャンバー内で加圧する工程とを含むことを特徴とする。
　本発明に係る電子部品装置の製造方法によれば、電子部品がフェイスダウンで接続された実装基板と、前記電子部品の形状に対応する開口が形成された枠材を準備する。次に、前記開口に前記電子部品が収容されるように、前記実装基板に、前記枠材を重ねる。また、前記電子部品上に、シート状熱硬化性樹脂組成物を配置して積層体を得る。次に、前記積層体を、減圧状態のチャンバー内でプレスする。その結果、電子部品にシート状熱硬化性樹脂組成物によるオーバーモールドがされるとともに、実装基板と電子部品とのギャップにシート状熱硬化性樹脂組成物が入り込む。この際、枠材を使用しているため、シート状熱硬化性樹脂組成物が必要以上に拡がることを抑制することができる。また、枠材によりシート状熱硬化性樹脂組成物が拡がることを抑制した上で、プレスが行なわれるため、プレスにより実装基板と電子部品とのギャップに、より好適にシート状熱硬化性樹脂組成物が入り込む。また、枠材によりシート状熱硬化性樹脂組成物が拡がることを抑制しているため、シート状熱硬化性樹脂組成物のサイズ（平面視での面積）を電子部品の大きさ（平面視での面積）と同等程度としても好適に樹脂封止することができる。次に、枠材を除去した後、前記積層体を、高圧状態のチャンバー内で加圧する。その結果、実装基板と電子部品とのギャップに入り込んだシート状熱硬化性樹脂組成物がさらに、前記ギャップに充填される。
　このように、本発明では、電子部品のサイズが大きく、減圧プレスだけでは電子部品の中央下部部分にまでアンダーフィルが充分できない場合であっても、さらに高圧状態のチャンバー内で加圧するため、電子部品の中央下部部分にまでアンダーフィルを充填することが可能となる。また、電子部品と実装基板とのギャップ幅が狭く、プレスだけでは電子部品の中央下部部分にまでアンダーフィルが充分にできない場合であっても、高圧状態のチャンバー内で加圧するため、電子部品の中央下部部分にまでアンダーフィルを充填することが可能となる。
　また、本発明に係る電子部品装置は、前記の課題を解決するために、前記に記載の電子部品装置の製造方法により製造されたことを特徴とする。
　本発明によれば、電子部品のサイズや、電子部品と実装基板とのギャップ幅に制限されず、シート状熱硬化性樹脂組成物を用いてオーバーモールドとアンダーフィルとを行なうことができる。
（ａ）は、本発明の一実施形態に係る電子部品装置の製造方法を説明するための断面模式図であり、（ｂ）は、その平面図である。 （ａ）は、本発明の一実施形態に係る電子部品装置の製造方法を説明するための断面模式図であり、（ｂ）は、その平面図である。 （ａ）は、本発明の一実施形態に係る電子部品装置の製造方法を説明するための断面模式図であり、（ｂ）は、その平面図である。 本発明の一実施形態に係る電子部品装置の製造方法を説明するための断面模式図である。 本発明の一実施形態に係る電子部品装置の製造方法を説明するための断面模式図である。 本発明の一実施形態に係る電子部品装置の製造方法を説明するための断面模式図である。 本発明の一実施形態に係る電子部品装置の製造方法を説明するための断面模式図である。
　本発明の電子部品装置の製造方法は、電子部品がフェイスダウンで接続された実装基板を準備する工程と、前記電子部品上に、シート状熱硬化性樹脂組成物を配置して積層体を得る工程と、前記積層体を、減圧状態のチャンバー内でプレスする工程と、プレス後の前記積層体を、高圧状態のチャンバー内で加圧する工程とを少なくとも含む。
　また、本発明の電子部品装置の製造方法は、前記電子部品の形状に対応する開口が形成された枠材を用いてもよい。すなわち、本発明の電子部品装置の製造方法は、電子部品がフェイスダウンで接続された実装基板を準備する工程と、前記電子部品の形状に対応する開口が形成された枠材を準備する工程と、前記開口に前記電子部品が収容されるように前記枠材を重ねる工程と、前記電子部品上に、シート状熱硬化性樹脂組成物を配置して積層体を得る工程と、前記積層体を、減圧状態のチャンバー内でプレスする工程と、前記プレスする工程の後に、前記枠材を除去する工程と、前記枠材を除去した後の前記積層体を、高圧状態のチャンバー内で加圧する工程とを含む構成であってもよい。
　以下、本発明の一実施形態に係る各工程について図面を参照しつつ説明する。図１（ａ）は、本発明の一実施形態に係る電子部品装置の製造方法を説明するための断面模式図であり、（ｂ）は、その平面図である。図２（ａ）は、本発明の一実施形態に係る電子部品装置の製造方法を説明するための断面模式図であり、（ｂ）は、その平面図である。図３（ａ）は、本発明の一実施形態に係る電子部品装置の製造方法を説明するための断面模式図であり、（ｂ）は、その平面図である。図４～図７は、本発明の一実施形態に係る電子部品装置の製造方法を説明するための断面模式図である。
　［実装基板を準備する工程］
　図１（ａ）、図１（ｂ）に示すように、実装基板を準備する工程では、電子部品としての半導体チップ１２がフェイスダウンで接続された実装基板１４を準備する。「フェイスダウンで接続」とは、半導体チップ１２の回路面が実装基板の電極形成面と対向する形態で固定されていることを意味する。半導体チップ１２は従来公知の方法により、表面に回路が形成された半導体ウェハをダイシングして個片化するなどして作製することができる。半導体チップ１２の平面視での形状としては目的とする電子部品装置に応じて変更すればよく、例えば一辺の長さが１～５０ｍｍの間で独立して選択される正方形又は矩形などであってもよい。実装基板１４は、樹脂封止後の封止樹脂（シート状熱硬化性樹脂組成物２０）との接着性向上を目的として慣用の表面処理、例えば、プラズマ処理等を施すことができる。
　半導体チップ１２の厚さは、目的とする電子部品装置のサイズに応じて変更すればよく、例えば２０～８００μｍであり、好ましくは５０～５００μｍである。
　半導体チップ１２の回路形成面には導通部材１３が形成されている。導通部材１３としては特に限定されず、バンプ、ピン、リードなどが挙げられる。導通部材１３の材質としては特に限定されず、例えば、錫－鉛系金属材、錫－銀系金属材、錫－銀－銅系金属材、錫－亜鉛系金属材、錫－亜鉛－ビスマス系金属材等の半田類（合金）や、金系金属材、銅系金属材などが挙げられる。導通部材１３の高さも用途に応じて定められ、一般的には５～１００μｍ程度である。半導体チップ１２の回路形成面において個々の導通部材１３の高さは同一でも異なっていてもよい。
　［枠材を準備する工程］
　次に、必要に応じて枠材１６（図２（ａ）、図２（ｂ）参照）を準備する。枠材１６は、半導体チップ１２を樹脂封止（オーバーモールド及びアンダーフィル）する際に、樹脂が拡がらないようにするためのものである。枠材１６は、外形が平面視で正方形又は矩形をしており、中央には、半導体チップ１２の形状よりも一回り大きい開口１６ａ（図２（ａ参照）が中央に形成されている。なお、枠材１６の外形は、半導体チップ１２が収容可能な開口１６ａが設けられていれば、特に制限されない。枠材１６の厚さは、半導体チップ１２の厚さや、半導体チップ１２と実装基板１４とのギャップ（図３（ａ）に示す空間２６）、シート状熱硬化性樹脂組成物２０（図３（ａ）参照）の粘度等に応じて適宜設定できる。
　［枠材を重ねる工程］
　次に、開口１６ａに半導体チップ１２が収容されるように枠材１６を重ねる（図２（ａ）、図２（ｂ）参照）。図２（ａ）、図２（ｂ）では、半導体チップ１２が実装基板１４に１つだけ設けられた例をしているが、実装基板１４には、複数の半導体チップ１２が設けられていてもよい。この場合、開口１６ａは、複数の半導体チップ１２の位置に対応して複数設けられていてもよい。
　［積層体を得る工程］
　次に、図３（ａ）、図３（ｂ）に示すように、半導体チップ１２上にシート状熱硬化性樹脂組成物２０を配置して、実装基板１４、半導体チップ１２、及び、シート状熱硬化性樹脂組成物２０が積層された積層体３０を得る。
　（シート状熱硬化性樹脂組成物）
　本実施形態に係るシート状熱硬化性樹脂組成物２０は、回路形成面側の空間２６を充填（アンダーフィル）するとともに、半導体チップ１２を封止（オーバーモールド）する機能を有する。
　シート状熱硬化性樹脂組成物２０は、１層で構成されていてもよく、２層以上で構成されていてもよい。２層以上で構成される場合、半導体チップ１２と接する側の層２４（層Ａ）の粘度が、半導体チップ１２と接しない層２２（層Ｂ）の粘度よりも、７０～１５０℃の範囲において低いことが好ましい。半導体チップ１２と接する側の層２４の粘度が、半導体チップ１２と接しない層２２の粘度よりも、７０～１５０℃の範囲において低いと、７０～１５０℃から選ばれる温度においてプレスした際に、層２４を構成する樹脂を、半導体チップ１２と実装基板１４とのギャップに好適に入り込ませることができる。また、後述する、加圧する工程においても、層２４を構成する樹脂を、半導体チップ１２と実装基板１４とのギャップに好適に入り込ませることができる。
　シート状熱硬化性樹脂組成物２０が２層以上で構成される場合、層２４の７０～１５０℃における最低粘度は、５Ｐａ・ｓ以上３００Ｐａ・ｓ以下であることが好ましく、１０Ｐａ・ｓ以上２００Ｐａ・ｓ以下がより好ましく、２０Ｐａ・ｓ以上１００Ｐａ・ｓ以下がさらに好ましい。層２４の７０～１５０℃における最低粘度が、３００Ｐａ・ｓ以下であると、７０～１５０℃から選ばれる温度においてプレスした際に、層２４を構成する樹脂を、半導体チップ１２と実装基板１４とのギャップにより好適に入り込ませることができる。また、加圧する工程においても、層２４を構成する樹脂を、半導体チップ１２と実装基板１４とのギャップにより好適に入り込ませることができる。また、層２４の７０～１５０℃における最低粘度が、５Ｐａ・ｓ以上であると、加圧プレス後の樹脂の封止範囲外への流れ出しを抑制することができる。なお、層２２及び層２４の７０～１５０℃における最低粘度は、ＴＡインスツルメント社製、粘弾性測定装置ＡＲＥＳを用い、１０℃／分の昇温条件、且つ、測定周波数１Ｈｚにおいて測定した際の最低粘度をいう。
　また、シート状熱硬化性樹脂組成物２０が２層以上で構成される場合、層２２の７０～１５０℃における最低粘度が、３００Ｐａ・ｓ以上３０００Ｐａ・ｓ以下であることが好ましく、５００Ｐａ・ｓ以上２０００Ｐａ・ｓ以下がより好ましく、１０００Ｐａ・ｓ以上１５００Ｐａ・ｓ以下がさらに好ましい。層２２の７０～１５０℃における最低粘度が、３００Ｐａ・ｓ以上であると、プレスする工程の後のオーバーモールドの変形（例えば、パッケージの角のダレ）を抑制することができる。また、層２２の７０～１５０℃における最低粘度が、３０００Ｐａ・ｓ以下であると、加圧プレス後の樹脂表面の平坦性を維持することができる。
　シート状熱硬化性樹脂組成物２０が、１層で構成される場合、シート状熱硬化性樹脂組成物２０の粘度としては、層２４（層Ａ）と同等のものを用いることができる。すなわち、この場合、シート状熱硬化性樹脂組成物２０の７０～１５０℃における最低粘度は、５Ｐａ・ｓ以上３００Ｐａ・ｓ以下が好ましく、１０Ｐａ・ｓ以上２００Ｐａ・ｓ以下がより好ましく、２０Ｐａ・ｓ以上１００Ｐａ・ｓ以下がさらに好ましい。シート状熱硬化性樹脂組成物２０の７０～１５０℃における最低粘度が、３００Ｐａ・ｓ以下であると、７０～１５０℃から選ばれる温度においてプレスした際に、シート状熱硬化性樹脂組成物２０を構成する樹脂を、半導体チップ１２と実装基板１４とのギャップにより好適に入り込ませることができる。また、加圧する工程においても、シート状熱硬化性樹脂組成物２０を構成する樹脂を、半導体チップ１２と実装基板１４とのギャップにより好適に入り込ませることができる。また、シート状熱硬化性樹脂組成物２０の７０～１５０℃における最低粘度が、５Ｐａ・ｓ以上であると、加圧プレス後の樹脂の封止範囲外への流れ出しを抑制することができる。
　シート状熱硬化性樹脂組成物２０（層２２、層２４）の構成材料としては、上記最低粘度を得られるものを適宜選択すればよいが、例えば、熱硬化性樹脂が挙げられる。なお、熱可塑性樹脂との併用も可能である。
　前記熱硬化性樹脂としては、フェノール樹脂、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、又は熱硬化性ポリイミド樹脂等が挙げられる。これらの樹脂は、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。特に、半導体チップを腐食させるイオン性不純物等の含有が少ないエポキシ樹脂が好ましい。また、エポキシ樹脂の硬化剤としてはフェノール樹脂が好ましい。
　前記エポキシ樹脂は、接着剤組成物として一般に用いられるものであれば特に限定は無く、例えばビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ビスフェノールＳ型、臭素化ビスフェノールＡ型、水添ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＡＦ型、ビフェニル型、ナフタレン型、フルオンレン型、フェノールノボラック型、オルソクレゾールノボラック型、トリスヒドロキシフェニルメタン型、テトラフェニロールエタン型等の二官能エポキシ樹脂や多官能エポキシ樹脂、又はヒダントイン型、トリスグリシジルイソシアヌレート型若しくはグリシジルアミン型等のエポキシ樹脂が用いられる。これらは単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。これらのエポキシ樹脂のうち、ビスフェノール型のエポキシ樹脂が特に好ましい。ビスフェノール型のエポキシ樹脂は、熱硬化性樹脂組成物として柔軟性、可とう性を発揮し易い点で優れる。
　さらに、前記フェノール樹脂は、前記エポキシ樹脂の硬化剤として作用するものであり、例えば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ｔｅｒｔ－ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、ビフェニレン型フェノール樹脂、ポリパラオキシスチレン等のポリオキシスチレン等が挙げられる。これらは単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。これらのフェノール樹脂のうちビフェニレン型フェノール樹脂、フェノールノボラック樹脂が特に好ましい。ビフェニレン型フェノール樹脂やフェノールノボラック樹脂は、エポキシ樹脂との硬化性に優れ、且つ、硬化物の電気絶縁性や接着信頼性に優れる。
　前記エポキシ樹脂とフェノール樹脂の配合割合は、例えば、前記エポキシ樹脂成分中のエポキシ基１当量当たりフェノール樹脂中の水酸基が０．５～２．０当量になるように配合することが好適である。より好適なのは、０．８～１．２当量である。すなわち、両者の配合割合が前記範囲を外れると、十分な硬化反応が進まず、エポキシ樹脂硬化物の特性が劣化し易くなるからである。
　エポキシ樹脂とフェノール樹脂の熱硬化促進触媒（硬化促進剤）としては、特に制限されず、公知の熱硬化促進触媒の中から適宜選択して用いることができる。熱硬化促進触媒は単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。熱硬化促進触媒としては、例えば、アミン系硬化促進剤、リン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、ホウ素系硬化促進剤、リン－ホウ素系硬化促進剤などを用いることができる。なかでも、硬化性の観点から、イミダゾール系硬化促進剤が好ましい。
　また、シート状熱硬化性樹脂組成物２０には、無機充填剤を適宜配合することができる。
　前記無機充填剤としては、例えば、シリカ、クレー、石膏、炭酸カルシウム、硫酸バリウム、酸化アルミナ、酸化ベリリウム、炭化珪素、窒化珪素等のセラミック類、アルミニウム、銅、銀、金、ニッケル、クロム、鉛、錫、亜鉛、パラジウム、半田等の金属、又は合金類、その他カーボン等からなる種々の無機粉末が挙げられる。これらは、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。なかでも、シリカ、特に溶融シリカが好適に用いられる。
　無機充填剤の平均粒径は、０．１～３０μｍの範囲内であることが好ましく、０．５～２５μｍの範囲内であることがより好ましい。なお、本発明においては、平均粒径が相互に異なる無機充填剤同士を組み合わせて使用してもよい。また、平均粒径は、光度式の粒度分布計（ＨＯＲＩＢＡ製、装置名；ＬＡ－９１０）により求めた値である。
　前記無機充填剤の配合量は、有機樹脂成分１００重量部に対し１００～１４００重量部に設定することが好ましい。特に好ましくは２３０～９００重量部である。無機充填剤の配合量を１００重量部以上にすると、耐熱性や強度が向上する。また、１４００重量部以下とすることにより、流動性が確保できる。
　なお、シート状熱硬化性樹脂組成物２０には、前記無機充填剤以外に、必要に応じて他の添加剤を適宜に配合することができる。他の添加剤としては、例えば難燃剤、シランカップリング剤、イオントラップ剤、カーボンブラック等の顔料等が挙げられる。前記難燃剤としては、例えば、三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、臭素化エポキシ樹脂等が挙げられる。これらは、単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。前記シランカップリング剤としては、例えば、β－（３、４－エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ－グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン等が挙げられる。これらの化合物は、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。前記イオントラップ剤としては、例えばハイドロタルサイト類、水酸化ビスマス等が挙げられる。これらは、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。また、高温硬化時の粘性の向上を考慮し、粘度調整用の添加剤として、エラストマー成分を添加することもできる。エラストマー成分は、樹脂を増粘するものであれば、特に制限されないが、例えば、ポリアクリル酸エステルなどの各種アクリル系共重合体；ポリスチレンーポリイソブチレン系共重合体、スチレンアクリレート系共重合体などのスチレン骨格を有するエラストマー；ブタジエンゴム、スチレンーブタジエンゴム（ＳＢＲ）、エチレンー酢酸ビニルコポリマー（ＥＶＡ）、イソプレンゴム、アクリロニトリルゴムなどのゴム質重合体などが挙げられる。
　シート状熱硬化性樹脂組成物２０の厚さ（複層の場合は、総厚）は特に限定されないものの、硬化後の樹脂の強度や、半導体チップ１２と実装基板１４とのギャップ（空間２６）の充填性を考慮すると１００μｍ以上１０００μｍ以下が好ましい。なお、シート状熱硬化性樹脂組成物２０の厚さは、半導体チップ１２と実装基板１４とのギャップを考慮して適宜設定することができる。
　（シート状熱硬化性樹脂組成物の作製方法）
　本実施形態に係るシート状熱硬化性樹脂組成物２０の製造方法としては、例えばカレンダー製膜法、有機溶媒中でのキャスティング法、密閉系でのインフレーション押出法、Ｔダイ押出法、共押出し法、ドライラミネート法等が例示できる。なかでも、Ｔダイ押出法、が好ましい。シート状熱硬化性樹脂組成物２０が２層以上の構成の場合、各層を個別に作製し、その後、貼り合わせてもよい。
　［プレス工程］
　次に、上記積層体を得る工程において得た積層体３０を、成形装置６０内のプレス下板６１上に裁置する。（図４参照）。その後、プレス上板６２を移動させて成形装置のチャンバー６４内を密閉した後、チャンバー６４内を減圧状態する（図５参照）。その後、７０～１５０℃（より好ましくは、９０～１１０℃）から選ばれる成形温度に加熱する。この状態で、図６に示すように、シート状熱硬化性樹脂組成物２０側からプレス上板６２でプレスする。この際、枠材１６を使用している場合には、枠材１６がガイドとなり、シート状熱硬化性樹脂組成物２０を構成する樹脂を、半導体チップ１２と実装基板１４とのギャップに入り込ませることができる。上記プレスは、シート状熱硬化性樹脂組成物２０と半導体チップ１２とを接着させる観点、及び、シート状熱硬化性樹脂組成物２０（層２４）を構成する樹脂を、半導体チップ１２と実装基板１４とのギャップに好適に入り込ませる観点から、０．５～５ＭＰａの圧力で行うことが好ましい。その際、温度は７０～１５０℃から選ばれる成形温度のままに設定し、プレス時間は３０秒～５分が好ましい。
　なお、本実施形態では、減圧状態にした後、７０～１５０℃から選ばれる成形温度に加熱した後、プレスする場合について説明したが、シート状熱硬化性樹脂組成物２０を構成する樹脂を、半導体チップ１２と実装基板１４とのギャップに入り込ませることができるのであれば、加熱は必ずしも必要ではなく、減圧状態、常温（例えば、２３℃）においてのプレスであってもよい。
　また、プレス上板６２によるシート状熱硬化性樹脂組成物２０のプレスは、枠材１６の上面に接するまでのプレスであってもよく、接するよりも手前（上側）までのプレスであってもよい。枠材１６の上面に接するまでのプレスである場合には、製造される電子部品装置の高さをより一定とすることが可能となる。また、枠材１６の上面に接するよりも手前（上側）までのプレスである場合には、製造する電子部品装置の高さに応じた枠材１６をそれぞれ準備することなく、所望の高さを有する電子部品装置を製造することが可能である。
　次に、成形装置６０内の圧力を減圧から大気圧に開放すると、シート状熱硬化性樹脂組成物２０（層２４）を構成する樹脂が、実装基板１４と半導体チップ１２とのギャップにさらに入り込む。
［枠材を除去する工程］
　その後、枠材１６を使用した場合には、枠材１６を除去する。
　［加圧する工程］
　次に、プレス後の積層体３０（枠材１６を使用した場合は、枠材１６を除去した後の積層体３０）を、加圧装置のチャンバー６６内に密閉した後、チャンバー６６を加圧状態にする（図７参照）。これにより、実装基板１４と半導体チップ１２とのギャップに入り込んだシート状熱硬化性樹脂組成物２０がさらに、ギャップに充填される。加圧の際、チャンバー６６内は、加熱すること好ましい。具体的な加圧条件としては、５０～２００℃の条件下において、１～２０ｋｇｆ／ｃｍ２の圧力を１０分～２時間加える工程であることが好ましく、１００℃～１８０℃の条件下で、５～１５ｋｇｆ／ｃｍ２の圧力を３０分～９０分加える処理であることがより好ましい。前記加圧する工程が、５０～２００℃の条件下において、１～２０ｋｇｆ／ｃｍ２圧力を１０分～２時間加える工程であると、層２４を構成する樹脂を、半導体チップ１２と実装基板１４とのギャップにさらに好適に入り込ませることができる。このような加圧装置としては、従来公知の加圧装置を使用することができ、例えば、オートクレーブを挙げることができる。
　［熱硬化工程］
　その後、必要に応じて、シート状熱硬化性樹脂組成物２０を加熱し、硬化させる。これにより、実装基板１４上に半導体チップ１２が樹脂封止された電子部品装置７０を得ることができる。前記熱硬化工程における加熱温度は、９０～２００℃で行なうことが好ましく、１２０～１７５℃で行なうことがより好ましい。また、加熱時間は、３０～２４０分であることが好ましく、６０～１８０分であることがより好ましい。なお、前記加圧する工程において、加熱とともに加圧を行なう場合には、この加熱によりシート状熱硬化性樹脂組成物２０を熱硬化させることもできる。この場合、熱硬化工程を省略することができる。
　上述した実施形態では、電子部品として半導体チップ１２を用いた場合について説明したが、これら以外の要素を用いてもよい。例えば、電子部品としてコンデンサやセンサデバイス、発光素子、振動素子等を用いることができる。このような場合でも、シート状熱硬化性樹脂組成物を構成する樹脂を、電子部品と実装基板とのギャップに好適に入り込ませることができる。
　以下に、この発明の好適な実施例を例示的に詳しく説明する。但し、この実施例に記載されている材料や配合量等は、特に限定的な記載がない限りは、この発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。また、部とあるのは、重量部を意味する。
＜シート状熱硬化性樹脂組成物の作製＞
１．層Ａ（低粘度層）の作製
　（層Ａ－１）
　下記（ａ）～（ｈ）をミキサーにてプレンドし、２軸混練機にて１２０℃の条件下で２分間混練し、続いて、ダイから押出しすることで、厚さ１００μｍの層Ａ－１を得た。
（ａ）エポキシ樹脂（新日鐵化学社製、ＹＳＬＶ－８０ＸＹ）
　　　６４３部
（ｂ）フェノール樹脂（昭和高分子社製、ＮＤ－５６４）
　　　３６０部
（ｃ）硬化促進剤（四国化成工業社製、２ＰＨＺ－ＰＷ）
　　　　１２部
（ｄ）エラストマー（三菱レイヨン社製、メタブレンＣ１３２Ｅ）
　　　１７５部
（ｅ）フィラー（電気化学工業社製、ＦＢ－５ＳＤＣ）
　　３７５０部
（ｆ）シランカップリング剤（信越化学工業社製、ＫＢＭ－４０３）
　　　　　５部
（ｇ）カーボン（三菱化学社製、＃２０）
　　　　　５部
（ｈ）難燃剤（伏見製薬所社製、ＦＰ－１００）
　　　　５０部
　（層Ａ－２）
　下記（ａ）～（ｈ）をミキサーにてプレンドし、２軸混練機にて１２０℃の条件下で２分間混練し、続いて、ダイから押出しすることで、厚さ５００μｍの層Ａ－２を得た。
（ａ）エポキシ樹脂（新日鐵化学社製、ＹＳＬＶ－８０ＸＹ）
　　　６４３部
（ｂ）フェノール樹脂（群栄化学社製、ＧＳ－２００）
　　　３６０部
（ｃ）硬化促進剤（四国化成工業社製、２ＰＨＺ－ＰＷ）
　　　　１２部
（ｄ）エラストマー（三菱レイヨン社製、メタブレンＣ１３２Ｅ）
　　　１７５部
（ｅ）フィラー（電気化学工業社製、ＦＢ－５ＳＤＣ）
　　４２５０部
（ｆ）シランカップリング剤（信越化学工業社製、ＫＢＭ－４０３）
　　　　　５部
（ｇ）カーボン（三菱化学社製、＃２０）
　　　　　５部
（ｈ）難燃剤（伏見製薬所社製、ＦＰ－１００）
　　　　５０部
　（層Ａ－３）
　下記（ａ）～（ｈ）をミキサーにてプレンドし、２軸混練機にて１２０℃の条件下で２分間混練し、続いて、ダイから押出しすることで、厚さ１００μｍの層Ａ－３を得た。
（ａ）エポキシ樹脂（新日鐵化学社製、ＹＳＬＶ－８０ＸＹ）
　　　６４３部
（ｂ）フェノール樹脂（昭和高分子社製、ＮＤ－５６４）
　　　３６０部
（ｃ）硬化促進剤（四国化成工業社製、２ＰＨＺ－ＰＷ）
　　　　１２部
（ｄ）エラストマー（三菱レイヨン社製、メタブレンＣ１３２Ｅ）
　　　１７５部
（ｅ）フィラー（電気化学工業社製、ＦＢ－５ＳＤＣ）
　　２７５０部
（ｆ）シランカップリング剤（信越化学工業社製、ＫＢＭ－４０３）
　　　　　５部
（ｇ）カーボン（三菱化学社製、＃２０）
　　　　　５部
（ｈ）難燃剤（伏見製薬所社製、ＦＰ－１００）
　　　　５０部
　（層Ａ－４）
　下記（ａ）～（ｈ）をミキサーにてプレンドし、２軸混練機にて１２０℃の条件下で２分間混練し、続いて、ダイから押出しすることで、厚さ１００μｍの層Ａ－４を得た。
（ａ）エポキシ樹脂（新日鐵化学社製、ＹＳＬＶ－８０ＸＹ）
　　　６４３部
（ｂ）フェノール樹脂（昭和高分子社製、ＮＤ－５６４）
　　　３６０部
（ｃ）硬化促進剤（四国化成工業社製、２ＰＨＺ－ＰＷ）
　　　　１２部
（ｄ）エラストマー（三菱レイヨン社製、メタブレンＣ１３２Ｅ）
　　　１７５部
（ｅ）フィラー（電気化学工業社製、ＦＢ－５ＳＤＣ）
　　４６００部
（ｆ）シランカップリング剤（信越化学工業社製、ＫＢＭ－４０３）
　　　　　５部
（ｇ）カーボン（三菱化学社製、＃２０）
　　　　　５部
（ｈ）難燃剤（伏見製薬所社製、ＦＰ－１００）
　　　　５０部
２．層Ｂ（高粘度層）の作製
　（層Ｂ－１）
　下記（ａ）～（ｆ）をミキサーにてプレンドし、２軸混練機にて１２０℃の条件下で２分間混練し、続いて、ダイから押出しすることで、厚さ４００μｍの層Ｂ－１を得た。
（ａ）エポキシ樹脂（新日鐵化学社製、ＹＳＬＶ－８０ＸＹ）
　　　２８６部
（ｂ）フェノール樹脂（明和化成社製、ＭＥＨ－７８５１－ＳＳ）
　　　３０３部
（ｃ）硬化促進剤（四国化成工業社製、２ＰＨＺ－ＰＷ）
　　　　　６部
（ｄ）シリカフィラー（電気化学工業社製、ＦＢ－９４５４）
　　３６９５部
（ｅ）シランカップリング剤（信越化学工業社製、ＫＢＭ－４０３）
　　　　　５部
（ｆ）カーボン（三菱化学社製、＃２０）
　　　　　５部
　（層Ｂ－２）
　下記（ａ）～（ｆ）をミキサーにてプレンドし、２軸混練機にて１２０℃の条件下で２分間混練し、続いて、ダイから押出しすることで、厚さ４００μｍの層Ｂ－２を得た。
（ａ）エポキシ樹脂（新日鐵化学社製、ＹＳＬＶ－８０ＸＹ）
　　　２８６部
（ｂ）フェノール樹脂（明和化成社製、ＭＥＨ－７８５１－ＳＳ）
　　　３０３部
（ｃ）硬化促進剤（四国化成工業社製、２ＰＨＺ－ＰＷ）
　　　　　６部
（ｄ）シリカフィラー（電気化学工業社製、ＦＢ－９４５４）
　　３１９５部
（ｅ）シランカップリング剤（信越化学工業社製、ＫＢＭ－４０３）
　　　　　５部
（ｆ）カーボン（三菱化学社製、＃２０）
　　　　　５部
　（層Ｂ－３）
　下記（ａ）～（ｆ）をミキサーにてプレンドし、２軸混練機にて１２０℃の条件下で２分間混練し、続いて、ダイから押出しすることで、厚さ４００μｍの層Ｂ－３を得た。
（ａ）エポキシ樹脂（新日鐵化学社製、ＹＳＬＶ－８０ＸＹ）
　　　２８６部
（ｂ）フェノール樹脂（明和化成社製、ＭＥＨ－７８５１－Ｈ）
　　　３０３部
（ｃ）硬化促進剤（四国化成工業社製、２ＰＨＺ－ＰＷ）
　　　　　６部
（ｄ）シリカフィラー（電気化学工業社製、ＦＢ－９４５４）
　　４８９５部
（ｅ）シランカップリング剤（信越化学工業社製、ＫＢＭ－４０３）
　　　　　５部
（ｆ）カーボン（三菱化学社製、＃２０）
　　　　　５部
　（最低粘度の測定）
　層Ａ－１、層Ａ－２、層Ａ－３、層Ａ－４、層Ｂ－１、層Ｂ－２及び層Ｂ－３の最低粘度について、ＴＡインスツルメント社製、粘弾性測定装置ＡＲＥＳを用い６０℃から、１０℃／分の昇温条件にて測定した。測定周波数は、１Ｈｚとした。結果を表１に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
  
　（実施例１）
　上記にて作製した層Ａ－１と層Ｂ－１とを９０℃、１分間、０．１ＭＰａの条件で加圧して積層した。これにより、総厚５００μｍのシート状熱硬化性樹脂組成物を得た。これを実施例１に係るシート状熱硬化性樹脂組成物とした。
　（実施例２）
　上記にて作製した層Ａ－２を実施例２に係るシート状熱硬化性樹脂組成物とした。
　（実施例３）
　上記にて作製した層Ａ－３と層Ｂ－２とを９０℃、１分間、０．１ＭＰａの条件で加圧して積層した。これにより、総厚５００μｍのシート状熱硬化性樹脂組成物を得た。これを実施例３に係るシート状熱硬化性樹脂組成物とした。
　（実施例４）
　上記にて作製した層Ａ－３と層Ｂ－３とを９０℃、１分間、０．１ＭＰａの条件で加圧して積層した。これにより、総厚５００μｍのシート状熱硬化性樹脂組成物を得た。これを実施例４に係るシート状熱硬化性樹脂組成物とした。
　（実施例５）
　上記にて作製した層Ａ－４と層Ｂ－２とを９０℃、１分間、０．１ＭＰａの条件で加圧して積層した。これにより、総厚５００μｍのシート状熱硬化性樹脂組成物を得た。これを実施例５に係るシート状熱硬化性樹脂組成物とした。
　（実施例６）
　上記にて作製した層Ａ－４と層Ｂ－３とを９０℃、１分間、０．１ＭＰａの条件で加圧して積層した。これにより、総厚５００μｍのシート状熱硬化性樹脂組成物を得た。これを実施例６に係るシート状熱硬化性樹脂組成物とした。
　＜電子部品装置の作製＞
　（実施例１～６）
　半導体チップ（電子部品）がフリップチップ接続（フェイスダウンで接続）された有機基板（実装基板）を準備した。半導体チップとしては、１５ｍｍ角、厚さ０．７ｍｍのものを用いた。フリップチップ接続に用いられているバンプは、無鉛はんだであり、高さ７０μｍ、直径７０μｍ、ピッチ１８０μｍであった。有機基板としては、大きさが４５ｍｍ角であり、アルゴン１００％、３５０Ｗ、１０秒間の条件でプラズマ処理がされているものを用いた。
　一方、中央に２２ｍｍ角の開口を有する４５ｍｍ角のＳＵＳ製の枠材（厚さ１１１０μｍ）を準備した。
　次に、上記半導体チップが上記開口に収容されるように、上記枠材と上記有機基板とを重ねた。次いで、実施例１にて得られた厚さ５００μｍのシート状熱硬化性樹脂組成物（縦２１ｍｍ、横２１ｍｍにカットしたもの）を、それぞれ、半導体チップを覆うように配置した。その後、枠材付きの積層体を成形装置内に配置し、成形装置内のチャンバーを、１０Ｔｏｒｒまで減圧した。さらに、プレス下板および上板に設置されたヒーターにより１３０℃に加熱した。次いで、チャンバーを減圧状態に保ったまま、プレス上板により、温度１３０℃、圧力１０００ｋＰａで３０秒間プレスし、その後チャンバーの圧力を開放することにより、有機基板と半導体チップとのギャップに溶融樹脂（層Ａを構成する樹脂）を充填した。
　次に、成形装置から枠材付きの積層体を取り出し、枠材を取り外した後、オートクレーブ（恒温加圧装置）内に配置した。その後、オートクレーブ内のチャンバーを、窒素ガスにより１２ｋｇｆ／ｃｍ２とし、１５０℃で１時間加圧した。これにより、層Ａ（層Ａ－１～層Ａ－４）を構成する樹脂を、有機基板と半導体チップとのギャップにさらに入り込ませるとともに、樹脂組成物を熱硬化させて電子部品としての半導体チップを封止（オーバーモールドおよびアンダーフィル）し、常温まで自然冷却させることにより電子部品装置を得た。
　また、実施例２～６にて得られた厚さ５００μｍのシート状熱硬化性樹脂組成物（縦２１ｍｍ、横２１ｍｍにカットしたもの）についても、上記と同様にして電子部品装置を得た。
　さらに、オートクレーブ内のチャンバーの圧力を５ｋｇｆ／ｃｍ２又は１８ｋｇｆ／ｃｍ２に変更した以外は、上記と同様にして電子部品装置を得た。
　＜電子部品装置の作製＞
　（比較例１）
　オートクレーブ（恒温加圧装置）内に配置しなかったこと以外は、実施例１と同様にして、電子部品装置を得た。
　（評価）
　アンダーフィルが充分に行なえているか否かを硬化後の成型物を研磨して確認した。半導体チップの下側に樹脂が充分に充填されており、ボイドの混入が見られなかったものを〇、半導体チップの下側に樹脂が充分に充填されておらず、ボイドの混入が見られたものを×として評価した。結果を表２に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
  
　１２　　半導体チップ
　１３　　導通部材
　１４　　実装基板
　１６　　枠材
　１６ａ　開口
　２０　　シート状熱硬化性樹脂組成物
　２２　　層Ｂ
　２４　　層Ａ
　２６　　空間
　３０　　積層体
　６０　　成形装置
　６１　　プレス下板
　６２　　プレス上板
　６４　　成形装置のチャンバー
　６６　　加圧装置のチャンバー

Claims (7)

  1. 　電子部品がフェイスダウンで接続された実装基板を準備する工程と、
    　前記電子部品上に、シート状熱硬化性樹脂組成物を配置して積層体を得る工程と、
    　前記積層体を、減圧状態のチャンバー内でプレスする工程と、
    　プレス後の前記積層体を、高圧状態のチャンバー内で加圧する工程と
    を含むことを特徴とする電子部品装置の製造方法。
  2. 　前記プレスする工程は、前記積層体を、減圧状態のチャンバー内で、７０～１５０℃から選ばれる温度においてプレスする工程であり、
    　前記シート状熱硬化性樹脂組成物が、２層以上で構成されており、前記積層体を得る工程において前記電子部品と接する側の層Ａの粘度が、前記電子部品と接しない層Ｂの粘度よりも、７０～１５０℃の範囲において低いことを特徴とする請求項１に記載の電子部品装置の製造方法。
  3. 　前記層Ａの７０～１５０℃における最低粘度が、５Ｐａ・Ｓ以上３００Ｐａ・Ｓ以下であることを特徴とする請求項１又は２に記載の電子部品装置の製造方法。
  4. 　前記層Ｂの７０～１５０℃における最低粘度が、３００Ｐａ・Ｓ以上３０００Ｐａ・Ｓ以下であることを特徴とする請求項１～３のいずれか１に記載の電子部品装置の製造方法。
  5. 　前記加圧する工程は、５０～２００℃の条件下において、１～２０ｋｇｆ／ｃｍ２の圧力を１０分～２時間加える工程である請求項１～４のいずれか１に記載の電子部品装置の製造方法。
  6. 　電子部品がフェイスダウン接続された実装基板を準備する工程と、
    　前記電子部品の形状に対応する開口が形成された枠材を準備する工程と、
    　前記開口に前記電子部品が収容されるように前記枠材を重ねる工程と、
    　前記電子部品上に、シート状熱硬化性樹脂組成物を配置して積層体を得る工程と、
    　前記積層体を、減圧状態のチャンバー内でプレスする工程と、
    　前記プレスする工程の後に、前記枠材を除去する工程と、
    　前記枠材を除去した後の前記積層体を、高圧状態のチャンバー内で加圧する工程と
    を含むことを特徴とする電子部品装置の製造方法。
  7. 　請求項１～６のいずれか１に記載の電子部品装置の製造方法により製造された電子部品装置。
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