JP2012041387A

JP2012041387A - α置換ビニル基含有芳香族化合物及びその重合体

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Publication number: JP2012041387A
Application number: JP2010181158A
Authority: JP
Inventors: Tomoyuki Yomogida; 知行蓬田; Masami Watanabe; 正美渡邉; Motohiro Takeshima; 基浩竹嶋; Shinji Aoki; 慎治青木
Original assignee: Idemitsu Kosan Co Ltd
Current assignee: Idemitsu Kosan Co Ltd
Priority date: 2010-08-12
Filing date: 2010-08-12
Publication date: 2012-03-01

Abstract

【課題】高発光効率の有機ＥＬ素子を製造する新規重合体とそのモノマーを提供する。
【解決手段】下記式（１）で表される芳香族化合物。式中、Ｘは、Ａｒ^１，Ｚ及びＡｒ^２の任意の位置に置換する。ｎは２以上の整数である。

【選択図】なし

Description

本発明は芳香族化合物、その重合体、その重合体を含むインク、有機デバイス用材料、正孔注入材料又は正孔輸送材料及び有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）に関する。

有機ＥＬ素子を用いたディスプレイや照明デバイスの実用化検討が活発化しているが、特に低コスト化、大画面化が大きな課題として挙げられている。そのため、これまでの真空蒸着型の有機ＥＬ素子から（溶液）塗布型の有機ＥＬ素子への期待が高まっている。

塗布型の有機ＥＬ素子は材料の利用効率が高く、大画面成膜が容易であり、その製造に真空系が不要であり装置コストが安価であるため期待が高まっている。
塗布型素子の有機ＥＬ材料としては低分子系と高分子系が挙げられるが、塗布均一性、積層素子化の観点から高分子系が好ましい。特にディスプレイ、照明デバイスの共通層となりうる高分子系の発光層、正孔輸送（注入）層の材料開発が望まれている。

高分子系の正孔輸送（注入）層材料としては、低分子正孔輸送材料にビニル基を導入して、その繰り返し単位を有する重合体が知られている（例えば特許文献１〜１０）。また、特許文献１１はイソプロペニル基を重合性官能基に含む電荷輸送物質の重合体を開示している。
しかしながら、上記の重合体を正孔輸送（注入）層に有する有機ＥＬ素子は、寿命（半減寿命）や発光効率等の素子特性が必ずしも十分でなく、特に、ディスプレイや照明の用途で、実用的な高輝度、高温駆動を行うと極めて寿命が短くなるという問題があった。

特開平７−９０２５５号公報特開平８−５４８３３号公報特開平８−２６９１３３号公報特開２００１−０９８０２３号公報特開２００２−１１０３５９号公報特開２００３−３１３２４０号公報特開２００４−０５９７４３号公報特開２００６−２３７５９２号公報特開２００８−１９８９８９号公報特開２００８−２１８９８３号公報特開２００４−９３７９３号公報

本発明の目的は、高発光効率、長寿命の有機ＥＬ素子を製造できる、塗布で層形成可能な新規な重合体とそのモノマーを提供することである。

本発明によれば、以下の芳香族化合物等が提供される。
１．下記式（１）で表される芳香族化合物。

（式中、Ｘは、Ａｒ^１，Ｚ及びＡｒ^２の任意の位置に置換する。
Ｒ^１はハロゲン、置換もしくは無置換の炭素数１〜１０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜１０のアルコキシ基、ケイ素含有基、置換もしくは無置換の炭素数３〜１０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３〜１０のシクロアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜４０のアリール基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜４０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数７〜４０のアラルキル基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜４０のヘテロアリール基である。
Ａｒ^１及びＡｒ^２は同一でも異なっていてもよく、それぞれ置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜１００のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜１００のヘテロアリール基、置換もしくは無置換の炭素数７〜１００のアラルキル基、又は置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜１００のアリール及び／又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜１００のヘテロアリールで置換されたアミノ基である。
Ｚは、単結合、置換もしくは無置換の炭素数１〜１０のアルキレン基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜１０のシクロアルキレン基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜１００のアリーレン基、置換もしくは無置換の環形成炭素数７〜１００のアラルキレン基、置換もしくは無置換の環形成炭素数７〜１００のアリールイミノ基、又は置換もしくは無置換の環形成炭素数５〜１００のヘテロアリーレン基である。
ｍは１〜４の整数、ｎは２以上の整数である。
複数のＸは同一でも異なっていてもよい。
ｍが２以上の場合、複数のＡｒ^２は同一でも異なっていてもよい。
ｍが２以上の場合、Ｚは上記の対応するｍ＋１価の基である。
Ａｒ^１，Ａｒ^２及びＺは、互いに結合してもよい。）
２．下記式（２）で表される１に記載の芳香族化合物。

（式中、Ｘ及びｎは式（１）と同じである。Ｘの結合位置は任意である。
Ａｒ^ａ、Ａｒ^ｂ、Ａｒ^２１、Ａｒ^３〜Ａｒ^５は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換のベンゼン環、置換もしくは無置換のナフタレン環、置換もしくは無置換のフルオレン環、置換もしくは無置換のクリセン環、置換もしくは無置換のフルオランテン環、置換もしくは無置換のベンゾ［ｂ］フルオランテン環、置換もしくは無置換のフェナントレン環、置換もしくは無置換のベンゾフェナントレン環、置換もしくは無置換のジベンゾフェナントレン環、置換もしくは無置換のベンゾクリセン環、置換もしくは無置換のピセン環、置換もしくは無置換のジベンゾフラン環、又は置換もしくは無置換のジベンゾチオフェン環からなる基を表す。
但し、置換される場合、置換基はアリール基又はヘテロアリール基ではない。
ｏ、ｐ及びｑは、それぞれ独立に０又は１である。
３．下記式（３）で表される１に記載の芳香族化合物。

（式中、Ｘ、Ｚ、ｍ及びｎは式（１）と同じである。Ｘの結合位置は任意である。
Ａｒ^３１は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜１００のアリール基、炭素数７〜１００のアラルキル基、環形成炭素数６〜１００のアリールアミノ基、又は環形成原子数５〜１００のヘテロアリール基である。
Ａｒ^６及びＡｒ^７は同一でも異なっていてもよく、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜６０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜６０のヘテロアリール基である。
Ａｒ^３１，Ａｒ^６，Ａｒ^７及びＺは、互いに結合してもよい。
ｍが２以上の場合、複数のＡｒ^６及びＡｒ^７は同一でも異なっていてもよい。）
４．前記Ａｒ^６及びＡｒ^７の少なくとも１つが、下記式（４）〜（７）で示される基から選択される３に記載の芳香族化合物。

（式中、Ｒ^２〜Ｒ^９はそれぞれ炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数３〜１０のシクロアルキル基、環形成炭素数６〜３０のアリール基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数３〜１０のシクロアルコキシ基、環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基、炭素数７〜４０のアラルキル基（アリール部分の環形成炭素数が６〜３０）、環形成原子数３〜３０のヘテロアリール基、モノもしくはジアルキルアミノ基（アルキル部分の炭素数が１〜２０）、モノもしくはジアリールアミノ基（アリール部分の環形成炭素数が６〜３０）、３つのアルキル及び／又はアリールで置換されたシリル基（アルキル部分の炭素数が１〜２０、アリール部分の環形成炭素数が６〜３０）、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基又はヒドロキシル基である。
ｅ、ｇ、ｈ、ｉ及びｋは、それぞれ独立に、０〜４の整数である。
ｆ、ｊ及びｌは、それぞれ独立に、０〜３の整数である。
Ａｒ^８は炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数３〜１０のシクロアルキル基、環形成炭素数６〜３０のアリール基、１〜３のアリールで置換されたアルキル基（アルキル部分の炭素数が１〜２０、アリール部分の環形成炭素数が６〜３０）又は環形成原子数３〜３０のヘテロアリール基である。
Ｌ^２〜Ｌ^５はそれぞれ独立に、単結合又は置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリーレン基である。）
５．１〜３のいずれかに記載の芳香族化合物を重合して得られる重合体。
６．式（８）を繰り返し単位として有する重合体。

（式中、Ｒ^１、Ａｒ^１、Ａｒ^２、Ｚ及びｍは式（１）と同じである。
ｒは繰り返し数である。）
７．式（９）を繰り返し単位として有する重合体。

（式中、Ｒ^１は式（１）と同じであり、Ａｒ^３１、Ｚ、Ａｒ^６、Ａｒ^７、ｍは式（３）と同じである。
ｒは繰り返し数である。）
８．５〜７のいずれかに記載の重合体を含むインク。
９．５〜７のいずれかに記載の重合体からなる有機デバイス用材料。
１０．５〜７のいずれかに記載の重合体からなる正孔注入材料又は正孔輸送材料。
１１．陰極と陽極間に少なくとも発光層を含む１以上の有機薄膜層が挟持されている有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記有機薄膜層の少なくとも１層が、５〜７のいずれかに記載の重合体を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子。

本発明によれば、高発光効率、長寿命の有機ＥＬ素子を製造できる、塗布で層形成可能な新規な重合体とそのモノマーが提供できる。

本発明の芳香族化合物は下記式（１）で表される。

式中、Ｒ^１はハロゲン、置換もしくは無置換の炭素数１〜１０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜１０のアルコキシ基、置換もしくは無置換のシリル基、置換もしくは無置換の炭素数３〜１０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３〜１０のシクロアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜４０のアリール基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜４０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数７〜４０のアラルキル基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜４０のヘテロアリール基である。Ｒ^１は、好ましくは炭素数１〜１０のアルキル基であり、より好ましくは炭素数１〜６のアルキル基である。

Ａｒ^１及びＡｒ^２は同一でも異なっていてもよく、それぞれ置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜１００のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜１００のヘテロアリール基、置換もしくは無置換の炭素数７〜１００のアラルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜１００のアリールアミノ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数１２〜１００のジアリールアミノ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数１８〜１００のトリアリールアミノ基、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜１００のヘテロアリール基、又は環形成炭素数６〜１００のアリール及び／又は環形成原子数５〜１００のヘテロアリールでモノ又はジ置換されたアミノ基（この置換アミノ基はさらに置換されていてもよい）である。

Ｚは、単結合、置換もしくは無置換の炭素数１〜１０のアルキレン基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜１０のシクロアルキレン基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜１００のアリーレン基、置換もしくは無置換の環形成炭素数７〜１００のアラルキレン基、置換もしくは無置換の環形成炭素数７〜１００のアリールイミノ基、又は置換もしくは無置換の環形成炭素数５〜１００のヘテロアリーレン基である。
ｍが２以上の場合、Ｚは上記の対応するｍ＋１価の基である。

ｍは１〜４の整数、ｎは２以上の整数である。
複数のＸは同一でも異なっていてもよい。
ｍが２以上の場合、複数のＡｒ^２は同一でも異なっていてもよい。
Ａｒ^１，Ａｒ^２及びＺは、互いに結合してもよい。

Ｘはα置換ビニル基であり、式（１）においてＸの結合位置は任意である。本発明の芳香族化合物は、分子内にα置換ビニル基Ｘを２つ以上有する。
α置換ビニル基は重合性官能基であり、重合性官能基とは１種類の単位化合物の分子が２個以上結合して、単位化合物の整数倍の分子量をもつ化合物を生成する化学反応を引き起こす官能基である。

本明細書で、アリール基は、１以上の炭化水素芳香環（縮合環を含む）からなる基である。単環のみ、縮合環のみ、複数の単環及び／又は縮合環が単結合で結合したものを含む（ただし環は全て芳香環である）。ヘテロアリール基は、ヘテロ原子を含む芳香環を１以上含む基である。単環のみ、縮合環のみ、複数の単環及び／又は縮合環が単結合で結合したものを含み（ただし環は全て芳香環である）、少なくとも１つの環がヘテロ原子を含む。

また、本明細書において、「環形成炭素」とは飽和環、不飽和環、又は芳香環を構成する炭素原子を意味する。「環形成原子」とは環（飽和環、不飽和環、及び芳香環を含む）を構成する炭素原子及びヘテロ原子を意味する。
水素原子には、軽水素、重水素、三重水素が含まれる。

ｎは好ましくは２である。ｎが２であると、３以上の化合物より、高分子量化する際に不溶化し難く、さらに分子量、分子量分布の制御が容易となる。

通常、α置換ビニル基が１個置換した化合物をモノマーとして重合した場合、α置換ビニル基の立体的な障害のため、安定なポリマーを得ることは難しい。例えば、最も構造が簡単であるα−メチルスチレンは、極低温（−７８℃）で重合することが可能であるが、天井温度が低いので分解し易い。

また、低分子有機ＥＬ材料についてα置換ビニル基が１個置換した化合物は、溶解度が低いため低温で反応せず、ポリマーにすることができない。また、室温、高温で反応させた場合、連鎖移動反応により反応が即座に停止してしまい、２量化体が主な生成物となるおそれがある。

式（１）で表される芳香族化合物において、ｎ＝２である式（１０）の芳香族化合物が好ましい。

式中、Ａｒ^１、Ａｒ^２、Ｚ、Ｘ、ｍは式（１）と同じである。

α置換ビニル基を２個以上置換することで、インダン環を有するポリマーにすることが可能である。
トリフルオロ酢酸、トリフルオロメタンスルホン酸等のプロトン酸、塩化第二スズ、三フッ化ホウ素・エーテラート等のルイス酸を用いてカチオン重合した場合、フリーデルクラフツ反応によりインダン環が生成することが知られている（Ｍａｋｒｏｍｏｌ．Ｃｈｅｍ．１９２，１９６９−１９７９，１９９１；Ｍａｃｒｏｍｏｌ．ＲａｐｉｄＣｏｍｍｕｎ．２００７，２８，１２１９−１２２４；Ｊ．Ｍａｃｒｏｍｏｌ．Ｓｃｉ．，ＰｕｒｅＡｐｐｌ．Ｃｈｅｍ．１９９２，Ａ２９，７５３）。

また、式（１）の芳香族化合物において、２つのＸがＡｒ^１に結合した式（１１）の芳香族化合物が好ましい。Ａｒ^１におけるＸの置換位置は限定されない。

式中、Ａｒ^１、Ａｒ^２、Ｘ、Ｚ、ｍは式（１）と同じである。

Ａｒ^１上にα置換ビニル基を２つ導入することにより、側鎖型ポリマーの合成が可能となる。また、式（１１）の芳香族化合物は、重合方法を変更することで、アタクチック型構造、シンジオタクチック型構造、アイソタクチック型構造、らせん構造の重合体とすることができ、立体構造の制御が可能である。
また、式（１１）の芳香族化合物は、式（１０）の芳香族化合物よりも分子量及び分子量分布を制御し易い。

また、式（１１）の芳香族化合物において、ｍ＝１である式（１２）の芳香族化合物が好ましい。式（１２）の芳香族化合物は溶解性に優れている。

式中、Ａｒ^１、Ａｒ^２、Ｘ、Ｚは式（１）と同じである。

本発明の芳香族化合物は好ましくは式（２）で表わされる。

式中、Ｘ及びｎは式（１）と同じである。Ｘの結合位置は任意である。
Ａｒ^ａ、Ａｒ^ｂ、Ａｒ^２１、Ａｒ^３〜Ａｒ^５は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換のベンゼン環、置換もしくは無置換のナフタレン環、置換もしくは無置換のフルオレン環（例えば、置換もしくは無置換の炭素数１５〜３３の９，９−ジアルキルフルオレン環、置換もしくは無置換の９，９−ジフェニルフルオレン環）、置換もしくは無置換のクリセン環、置換もしくは無置換のフルオランテン環、置換もしくは無置換のベンゾ［ｂ］フルオランテン環、置換もしくは無置換のフェナントレン環、置換もしくは無置換のベンゾフェナントレン環、置換もしくは無置換のジベンゾフェナントレン環、置換もしくは無置換のベンゾクリセン環、置換もしくは無置換のピセン環、置換もしくは無置換のジベンゾフラン環、又は置換もしくは無置換のジベンゾチオフェン環からなる基を表す。

但し、置換される場合、置換基はアリール基又はヘテロアリール基ではない。
ｏ、ｐ及びｑは、それぞれ独立に０又は１である。好ましくは、ｏ及びｐが１、ｑが０である。また、好ましくは、ｏが１、ｐ及びｑが０である。

Ａｒ^ａ、Ａｒ^ｂ、Ａｒ^２１、Ａｒ^３〜Ａｒ^５が上記の基の場合、高分子化合物を形成する際に、重合性単量体の重合溶媒への溶解性が高くなるため、重合性単量体の繰り返し単位数を増やすことができる。また、得られる高分子化合物の塗布溶媒への溶解性が向上するとともに、塗布液の粘度が適度に向上し、均一な塗布膜を形成し易くなる。
さらに、上記置換基により有機ＥＬ素子用材料（特にホスト材料）としての安定性が高まり、有機ＥＬ素子をより長寿命化することができる。

また、基本構造（重合性官能基と置換基を除く部位）の置換基はアリール基及びヘテロアリール基を含まないため、共役系が広がることなく、励起３重項エネルギー（ＥｇＴ）の大きさを維持することができる。

尚、重合性官能基Ｘを有する環はさらに置換基を有しないことが好ましい。このようにすることで、高分子化合物を形成する際に立体障害が小さくすることができ、重合性単量体の繰り返し単位を増やすことができる。さらに塗布液の粘度が適度に向上するので、均一な塗布膜を形成することが可能になる。
重合性官能基ＸはＡｒ^ｂ又はＡｒ^２１に置換していることが好ましい。また、重合性官能基Ｘはベンゼン環又はナフタレン環に置換していることが好ましい。

本発明の重合性単量体を重合して得られる高分子化合物を、有機ＥＬ素子の発光層のホスト材料に用いると、この高分子化合物の３重項エネルギーギャップが大きいため、燐光発光性のドーパントを発光させることができる。
また、本発明の重合性単量体は、３重項エネルギーギャップ（励起３重項エネルギー）が大きいため、１重項エネルギーギャップ（励起１重項エネルギー）も大きく、あらゆる蛍光ドーパントを発光させることができる。

式（２）の芳香族化合物は、窒素原子を含まない多環式骨格を基本構造とするため、分子の安定性が高く、有機ＥＬ素子を長寿命化する。
基本構造の環形成原子数（水素原子以外の原子数、即ち炭素原子、酸素原子及び硫黄原子の原子数）が少なすぎると、分子の安定性が十分に高くならない。一方、基本構造の環形成原子数が多くなりすぎるとＨＯＭＯ−ＬＵＭＯギャップが狭くなり、３重項エネルギーギャップが有用な発光波長に満たなくなる。

式（２）の芳香族化合物は、基本構造に適度な環形成原子数を有するため、有用な発光波長を示し、安定性が高い。従って燐光発光層の燐光ホストとして好適に利用することができる。

尚、式（２）の芳香族化合物は基本構造にアントラセンを含まない。アントラセンは、励起３重項エネルギー（ＥｇＴ）が１．９ｅＶ程度と比較的小さいため、５２０ｎｍ〜７２０ｎｍの可視光領域の発光波長を有する燐光ドーパントに対するエネルギー移動が確保できず、さらに、励起された３重項エネルギーを発光層内に閉じ込めることができないためである。
また、式（２）の芳香族化合物は基本構造にペリレン、ピレン及びナフタセン等も含まないが、これは上記アントラセンと同様の理由である。

尚、式（２）の芳香族化合物の基本構造に含まれる環は、アントラセン、ペリレン、ピレン及びナフタセン等より、励起３重項エネルギー（ＥｇＴ）が比較的大きいため、５２０ｎｍ〜７２０ｎｍの可視光領域の発光波長を有する燐光ドーパントに対するエネルギー移動がより確保しやすく、さらに、励起された３重項エネルギーをより効果的に発光層内に閉じ込めることができる。

また、本発明の芳香族化合物は好ましくは下記式（３）で表される。

式中、Ｘ、ｍ、Ｚ及びｎは式（１）と同じである。Ｘの結合位置は任意である。
Ａｒ^３１は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜１００のアリール基、炭素数７〜１００のアラルキル基、環形成炭素数６〜１００のアリールアミノ基、又は環形成原子数５〜１００のヘテロアリール基である。好ましくは、環形成炭素数６〜３０のアリール基又は炭素数７〜３６のアラルキル基であり、より好ましくは、１〜５のベンゼン環から形成されたアリール基である。

Ａｒ^６及びＡｒ^７は同一でも異なっていてもよく、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜６０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜６０のヘテロアリール基である。

また、Ａｒ^３１，Ａｒ^６，Ａｒ^７及びＺは、互いに結合してもよい。
ｍが２以上の場合、複数のＡｒ^６，Ａｒ^７及びＺは同一でも異なっていてもよい。

式（３）で表される芳香族化合物は、アミンユニットを有するため、重合してポリマーにすることで、塗布型の有機デバイスの正孔輸送性材料として使用できる。低分子材料が有する性能、特にイオン化ポテンシャル、エネルギーギャップ等の電子特性を損なわず、耐熱性、溶解性、塗布均一性を向上させることが可能である。

また、これまで溶解性が低く、塗布が困難であった低分子の正孔輸送材料においても式（３）で表されるモノマー構造にし、重合してポリマーにすることで、上記の性能を保持し塗布型の正孔輸送材料として利用可能となる。

式（３）の芳香族化合物において、ｎ＝２である式（３０）の芳香族化合物が好ましい。

式中、Ａｒ^３１、Ｚ、Ａｒ^６、Ａｒ^７、Ｘ及びｍは式（１）と同じである。

また、式（３０）の芳香族化合物において、ＸがＡｒ^３１に結合した式（３１）の芳香族化合物が好ましい。Ａｒ^３１におけるＸの置換位置は限定されない。

式（３１）の化合物の重合体を正孔輸送材料として用いる場合、ｎ＝２であると好ましい。この重合体は側鎖型ポリマーとすることができ、１つの繰り返し単位あたりに正孔輸送機能を有するアミンユニットが１つ導入されているため、正孔移動度の向上、ポリマーにした際の耐熱性（Ｔｇ等）の向上が可能である。
式（３１）の芳香族化合物を用いた重合においても、得られるポリマーの分子量、分子量分布及び立体構造を制御でき、ポリマー物性の微調整が可能であるため、ポリマー物性を最大限に引き出すことが可能である。

また、式（３１）の芳香族化合物において、ｍ＝１である式（３２）の芳香族化合物がより好ましい。

式（３２）で表される芳香族化合物を用いて重合して得られるポリマーは、式（３１）で表される芳香族化合物よりも溶解性を向上させることができる。

式（３）、（３０）〜（３２）で表される芳香族化合物において、Ａｒ^６及びＡｒ^７の少なくとも１つが下記式（３３）で表わされる基であることが好ましい。

式中、Ｌ^１は単結合又は置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリーレン基である。

Ｌ^１が置換されている場合の置換基は、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数３〜１０のシクロアルキル基、環形成炭素数６〜３０のアリール基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数３〜１０のシクロアルコキシ基、環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基、炭素数７〜３１のアラルキル基（アリール部分の環形成炭素数は６〜３０）、環形成原子数３〜３０の複素環基、炭素数１〜２０のアルキル基を有するモノもしくはジアルキルアミノ基、環形成炭素数６〜３０のアリール基を有するモノもしくはジアリールアミノ基、炭素数３〜２０のトリアルキルシリル基、環形成炭素数１８〜３０のトリアリールシリル基、炭素数８〜３０のジアルキルアリールシリル基もしくはアルキルジアリールシリル基（アリール部分の環形成炭素数は６〜２０）、炭素数８〜３０のアルキルアリールアミノ基（アリール部分の環形成炭素数は６〜２０）、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基及びヒドロキシル基からなる群から選択される１以上の基である。

Ｙは置換もしくは無置換のヘテロ原子である。
Ｙが置換されている場合の置換基は、水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数３〜１０のシクロアルキル基、環形成炭素数６〜３０のアリール基、炭素数７〜３１のアラルキル基（アリール部分の環形成炭素数は６〜３０）及び環形成原子数３〜３０の複素環基からなる群から選択される１以上の基である。

Ｒ^２及びＲ^３は、それぞれ独立に、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数３〜１０のシクロアルキル基、環形成炭素数６〜３０のアリール基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数３〜１０のシクロアルコキシ基、環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基、炭素数７〜３１のアラルキル基（アリール部分の環形成炭素数は６〜３０）、環形成原子数３〜３０の複素環基、炭素数１〜２０のアルキル基を有するモノもしくはジアルキルアミノ基、環形成炭素数６〜３０のアリール基を有するモノもしくはジアリールアミノ基、炭素数３〜２０のトリアルキルシリル基、環形成炭素数１８〜３０のトリアリールシリル基、炭素数８〜３０のジアルキルアリールシリル基もしくはアルキルジアリールシリル基（アリール部分の環形成炭素数は６〜２０）、炭素数８〜３０のアルキルアリールアミノ基（アリール部分の環形成炭素数は６〜２０）、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基及びヒドロキシル基からなる群から選択される基である。
ｃは０〜３の整数である。ｄは０〜４の整数である。

式（３）、（３０）〜（３２）のＡｒ^６、Ａｒ^７のうち少なくとも１つが式（３３）の基であることにより、得られる重合体の正孔輸送能等のデバイスに必要な性能が向上するとともに、耐還元性（耐電子性）が向上するので、有機デバイス、特に有機ＥＬ素子の耐久性、寿命が向上する。

式（３３）において、ヘテロ原子とは、水素、炭素以外の原子を表すが、好ましくは、Ｎ、Ｏ、Ｓ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｐｏ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｂであり、より好ましくは、Ｎ、Ｏ、Ｓであり、Ｎの場合、下記式（６）に示すＡｒ^８が置換したＮＡｒ^８が好ましい。

式（３）、（３０）〜（３２）の芳香族化合物において、好ましくはＡｒ^６及びＡｒ^７のいずれか１つ又は両方が、下記式（４）〜（７）で示される基から選択される。Ａｒ^６及びＡｒ^７は同じでも異なってもよい。

式中、Ｒ^２〜Ｒ^９はそれぞれ炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数３〜１０のシクロアルキル基、環形成炭素数６〜３０のアリール基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数３〜１０のシクロアルコキシ基、環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基、アリール部分の環形成炭素数が６〜３０の炭素数７〜４０のアラルキル基、環形成原子数３〜３０のヘテロアリール基、炭素数１〜２０のアルキル基を有するモノもしくはジアルキルアミノ基、環形成炭素数６〜３０のアリール基を有するモノもしくはジアリールアミノ基、３つのアルキル及び／又はアリールで置換されたシリル基（アルキル部分の炭素数が１〜２０、アリール部分の環形成炭素数が６〜３０）、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基又はヒドロキシル基である。

ｅ、ｇ、ｈ、ｉ及びｋは、それぞれ独立に、０〜４の整数である。ｆ、ｊ及びｌは、それぞれ独立に、０〜３の整数である。
Ａｒ^８は炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数３〜１０のシクロアルキル基、環形成炭素数６〜３０のアリール基、１〜３のアリールで置換されたアルキル基（アルキル部分の炭素数が１〜２０、アリール部分の環形成炭素数が６〜３０）又は環形成原子数３〜３０のヘテロアリール基である。好ましくは炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数３〜１０のシクロアルキル基又は環形成炭素数６〜１０のアリール基であり、より好ましくは炭素数１〜６のアルキル基又はフェニル基である。
Ｌ^２〜Ｌ^５はそれぞれ独立に、単結合又は置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリーレン基である。

上記Ｌ^２〜Ｌ^５が置換されている場合の置換基は、単結合、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数３〜１０のシクロアルキル基、環形成炭素数６〜３０のアリール基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数３〜１０のシクロアルコキシ基、環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基、炭素数７〜３１のアラルキル基、ジアラルキル基、トリアラルキル基（アリール部分の環形成炭素数が６〜３０）、環形成原子数３〜３０の複素環基、炭素数１〜２０のアルキル基を有するモノもしくはジアルキルアミノ基、環形成炭素数６〜３０のアリール基を有するモノもしくはジアリールアミノ基、炭素数３〜２０のトリアルキルシリル基、環形成炭素数１８〜３０のトリアリールシリル基、炭素数８〜３０のジアルキル（アリール）シリル基もしくはアルキル（ジアリール）シリル基（アリール部分の環形成炭素数は６〜２０）、炭素数７〜３０のアルキル（アリール）アミノ基（アリール部分の環形成炭素数は６〜２０）、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基及びヒドロキシル基からなる群から選択される１以上の基である。

式（４）〜（７）で表される基を有すると、得られる重合体の正孔輸送能等の、デバイスに必要な性能が向上するとともに、耐還元性（耐電子性）が向上するので、有機デバイス、特に有機ＥＬ素子の耐久性、寿命が向上する。

式（４）〜（７）で表される基のＬ^２〜Ｌ^５が、それぞれ独立に、置換もしくは無置換のフェニレン基、ナフチレン基、ビフェニリレン基、ターフェニリレン基及びフルオレニリレン基からなる群から選択されると好ましい。耐熱性、特にガラス転移温度（Ｔｇ）を向上させるためには、フェニレン基、ナフチレン基、ビフェニリレン基、ターフェニリレン基及びフルオレニリレン基が好ましい。

本発明の芳香族化合物を以下に例示する。ただしこの構造に限定されるものではない。

本発明の重合体は、上記式（１）〜（３）のいずれかの芳香族化合物をモノマーとして重合して得られる。式（１）〜（３）の芳香族化合物のホモポリマーでもよいし、２種以上の式（１）〜（３）の芳香族化合物のコポリマー（ランダム、ブロック等）でもよいし、式（１）〜（３）の芳香族化合物と他のモノマーとのコポリマー（ランダム、ブロック等）でもよい。

本発明の重合体は、有機溶媒への溶解性が低い低分子ＥＬ材料にα置換ビニル基か導入された化合物をモノマーとして重合し、高分子量化しているため、低分子材料が有するエネルギーギャップ等の電子特性を損なわず、かつ、溶解性が向上している。
また、低分子発光材料・正孔注入材料では困難であった塗布法で、発光層、正孔注入輸送層が均一に形成できるため、ディスプレイや照明用途の低コスト化又は大画面化に適している

本発明の重合体の重合方法は問わないが、例えば、ラジカル重合法、イオン重合法、リビング重合法、ラジカルリビング重合法、配位重合等が挙げられる。特に、ラジカル重合又はカチオン重合が好ましい。ラジカル重合の開始剤としては、例えばアゾ化合物、過酸化物が挙げられ、アゾビスイソブチロニトリル（ＡＩＢＮ）、アゾビスイソブチル酸ジエステル誘導体、過酸化ジベンゾイル（ＢＰＯ）が好ましい。

カチオン重合の開始剤としては、各種強酸（ｐ−トルエンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸等）や、ルイス酸が好ましい。

重合溶媒は特に問わないが、例えばトルエン・キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、ジクロロエタン・クロロホルム・クロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素・芳香族炭化水素系溶媒、テトラヒドロフラン・ジオキサン等のエーテル系溶媒、ジメチルホルムアミド等のアミド系溶媒、メタノール等のアルコール系溶媒、酢酸エチル等のエステル系溶媒、アセトン等のケトン系溶媒等が挙げられる。溶媒の選択により、均一系で重合する溶液重合や、生成したポリマーが沈澱する沈澱重合を行うこともできる。

これらの有機溶媒は単独で用いてもよいし、２種以上用いてもよい。有機溶媒の使用量は、単量体の濃度が０．１〜９０重量％になるような量が好ましく、１〜５０重量％になる量がより好ましい。

重合温度は、反応媒体が液状を保つ範囲であれば特に限定されない。−１００〜２００℃が好ましく、０〜１２０℃がより好ましい。反応時間は、反応温度等の反応条件で変わるが、１時間以上が好ましく、２〜１７０時間がより好ましい。

重合生成物は公知の方法により、例えば、メタノール等の低級アルコールに反応溶液を加えて析出させた沈殿物を濾過、乾燥することにより、目的とする高分子化合物を得ることができる。高分子化合物の純度が低い場合は、再結晶、ソックスレー連続抽出、力ラムクロマトグラフィー等の通常の方法にて精製すればよい。
このように精製することにより、未反応モノマー及び重合触媒等の不純物が除去されるので、有機デバイス、特に有機ＥＬ素子の耐久性、寿命が向上する。

式（１１）で表されるモノマーをカチオン重合すると式（８）で表される繰り返し単位を含む重合体が得られる。

式中、Ｒ^１、Ａｒ^１、Ａｒ^２、Ｚ及びｍは式（１）と同じである。ｒは繰り返し数である。

式（３１）で表されるモノマーをカチオン重合すると式（９）で表される繰り返し単位を含む重合体が得られる。

式中、Ｒ^１は式（１）と同じであり、Ａｒ^３１、Ｚ、Ａｒ^６、Ａｒ^７、ｍは式（３）と同じである。ｒは繰り返し数である。

式（９）の繰り返し単位を含む重合体はインダン環−正孔輸送ユニットを繰り返し単位とする非共役系正孔輸送ポリマーである。

また、式（８）又は（９）の構造単位を含む重合体は、それぞれ、式（１１）又は（３１）で表されるモノマー１以上を重合して製造することが可能である。さらに、式（１１）又は（３１）で表されるモノマー１以上と他のモノマーと共重合させてもよい。共重合体にはランダム共重合体、ブロック共重合体等が含まれる。

本発明の重合体は、低分子材料が有する性能、特にイオン化ポテンシャル、エネルギーギャップ等の電子特性は損なわず、かつ耐熱性、溶解性、塗布均一性を向上させることが可能である。また、これまで溶解性が低く、塗布が困難であった低分子の正孔輸送材料においても式（１）で表されるモノマーにしてポリマーにすることにより、上記に記載した性能を保持し、塗布型の正孔輸送材料として利用可能となる。インダン環−正孔輸送ユニットを繰り返し単位とする非共役系正孔輸送ポリマーであることが好ましい。

また、本発明の重合体は好ましくは、下記式（９１）で表されるインダン環−正孔輸送ユニットを繰り返し単位とする非共役系正孔輸送ポリマーである。
式（９１）の重合体は、式（３２）で表されるモノマー１以上を重合して製造することが可能である。さらに、式（３２）で表されるモノマー１以上と他のモノマーと共重合させてもよい。

式中、Ｒ^１、Ａｒ^３１、Ｚ、Ａｒ^６、Ａｒ^７、ｒは式（９）と同じである。

以下に本発明の重合体を例示する。

本発明のインクは上記の重合体を含む。塗布法で正孔注入輸送層等の層を均一に形成できるため、ディスプレイや照明用途の低コスト化又は大画面化に適している。

本発明の重合体は有機デバイス用材料として使用できる。有機デバイスの例としては、有機ＥＬ素子、有機ＴＦＴ、有機太陽電池等の光電変換素子、イメージセンサー等が挙げられる。
有機ＥＬ素子は、壁掛けテレビのフラットパネルディスプレイ等の平面発光体、一般又は特殊照明、複写機、プリンター、液晶ディスプレイのバックライト又は計器類等の光源、表示板、標識灯等に利用できる。
また、本発明の重合体は、電子写真感光体用材料としても使用できる。

本発明の有機ＥＬ素子は、陰極と陽極間に少なくとも発光層を含む一以上の有機薄膜層が挟持され、有機薄膜層の少なくとも１層が上記の重合体を含有する。本発明の重合体は発光層に用いることができる。ホストとしてもドーパントとしても用いることができるが、ホストとして用いることが好ましい。
有機薄膜層は、好ましくは正孔輸送層又は正孔注入層のいずれか一方又は両方を有し、本発明の重合体は正孔輸送層及び正孔注入層に用いることができる。

本発明の重合体を用いた有機ＥＬ素子は寿命、発光効率等の素子特性に優れ、ディスプレイや照明用途で実用的な高温駆動を行っても劣化が小さく、実用に適する。

また、好ましくは正孔注入層及び正孔輸送層のいずれか一方又は両方が、アクセプター材料を含有する。特に、陽極に接する層に含有することが好ましい。
アクセプター材料を含有させることにより、正孔注入層及び正孔輸送層中の正孔密度を増加したり、正孔移動度が高まるので、得られる有機ＥＬ素子の駆動電圧を低下させたり、キャリアバランスが向上して、長寿命化が可能になる。

アクセプター材料は、好ましくは電子吸引性の置換基又は電子欠乏環を有する有機化合物である。
電子吸引性の置換基として、例えば、ハロゲン、ＣＮ−、カルボニル基、アリールホウ素基等が挙げられる。
電子欠乏環として、例えば、２−ピリジル、３−ピリジル、４−ピリジル、２−キノリル、３−キノリル、４−キノリル、２−イミダゾール、４−イミダゾール、３−ピラゾール、４−ピラゾール、ピリダジン、ピリミジン、ピラジン、シンノリン、フタラジン、キナゾリン、キノキサリン、３−（１，２，４−Ｎ）−トリアゾリル、５−（１，２，４−Ｎ）−トリアゾリル、５−テトラゾリル、４−（１−Ｏ，３−Ｎ）−オキサゾール、５−（１−Ｏ，３−Ｎ）−オキサゾール、４−（１−Ｓ，３−Ｎ）−チアゾール、５−（１−Ｓ，３−Ｎ）−チアゾール、２−ベンゾキサゾール、２−ベンゾチアゾール、４−（１，２，３−Ｎ）−ベンゾトリアゾール、及びベンズイミダゾールからなる群から選択される化合物等が挙げられるが、必ずしもこれらに限定されるわけではない。

上記アクセプター材料は、キノイド誘導体であると好ましい。
キノイド誘導体は、下記式（１ａ）〜（１ｉ）に示される化合物が挙げられ、より好ましくは（１ａ）、（１ｂ）に示される化合物である。

式（１ａ）〜（１ｉ）において、Ｒ^１〜Ｒ^４８は、それぞれ水素、ハロゲン、フルオロアルキル基、シアノ基、アルコキシ基、アルキル基又はアリール基であり、好ましくは水素、シアノ基である。

式（１ａ）〜（１ｉ）において、Ｘは電子吸引基であり、下記式（ｊ）〜（ｐ）の構造のいずれかからなる。好ましくは、（ｊ）、（ｋ）、（ｌ）の構造である。

式中、Ｒ^４９〜Ｒ^５２は、それぞれ水素、フルオロアルキル基、アルキル基、アリール基又は複素環であり、Ｒ^５０とＲ^５１が環を形成してもよい。
式（１ａ）〜（１ｉ）において、Ｙは、−Ｎ＝又は−ＣＨ＝である。

Ｒ^１〜Ｒ^４８のハロゲンとして、フッ素、塩素が好ましい。
Ｒ^１〜Ｒ^４８のフルオロアルキル基として、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基が好ましい。
Ｒ^１〜Ｒ^４８のアルコキシル基として、メトキシ基、エトキシ基、ｉｓｏ―プロポキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基が好ましい。
Ｒ^１〜Ｒ^４８のアルキル基として、メチル基、エチル基、プロピル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、シクロヘキシル基が好ましい。
Ｒ^１〜Ｒ^４８のアリール基として、フェニル基、ナフチル基が好ましい。
Ｒ^４９〜Ｒ^５２のフルオロアルキル基、アルキル基、アリール基は、Ｒ^１〜Ｒ^４８と同様である。

Ｒ^４９〜Ｒ^５２の複素環は、好ましくは下記式に示す置換基である。

Ｒ^５０とＲ^５１が環を形成する場合、Ｘは、好ましくは下記式に示す置換基である。

式中、Ｒ^５１’及びＲ^５２’は、それぞれメチル基、エチル基、プロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基である。

キノイド誘導体の具体例としては、以下の化合物が挙げられる。

アクセプター含有層に含まれるアクセプター材料の含有量は、好ましくは層全体に対して１〜１００モル％であり、より好ましくは５０〜１００モル％である。
また、正孔注入層又は正孔輸送層にフラーレンが含まれていてもよい。例えばＣ_６０を代表とするカーボンクラスター化合物が挙げられ、Ｃ_６０以外のＣ_７０、Ｃ_７６、Ｃ_７８、Ｃ_８２、Ｃ_８４、Ｃ_９０、Ｃ_９６等でもよい。

本発明の有機ＥＬ素子の代表的な素子構成としては、
（１）陽極／発光層／陰極
（２）陽極／正孔注入層／発光層／陰極
（３）陽極／発光層／電子注入層／陰極
（４）陽極／正孔注入層／発光層／電子注入層／陰極
（５）陽極／有機半導体層／発光層／陰極
（６）陽極／有機半導体層／電子障壁層／発光層／陰極
（７）陽極／有機半導体層／発光層／付着改善層／陰極
（８）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子注入層／陰極
（９）陽極／絶縁層／発光層／絶縁層／陰極
（１０）陽極／無機半導体層／絶縁層／発光層／絶縁層／陰極
（１１）陽極／有機半導体層／絶縁層／発光層／絶縁層／陰極
（１２）陽極／絶縁層／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／絶縁層／陰極
（１３）陽極／絶縁層／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子注入層／陰極
等の構造を挙げることができる。
これらの中で通常（８）の構成が好ましく用いられるが、これらに限定されるものではない。

本発明の重合体を発光層に用いる場合、本発明の重合体単独で発光層を形成してもよく、他の材料と混合して用いてもよい。他の材料は、例えば、発光材料、ドーピング材料、正孔注入材料及び電子注入材料等である。

本発明の重合体と共に発光層に使用できるホスト材料又はドーピング材料としては、例えば、ナフタレン、フェナントレン、ルブレン、アントラセン、テトラセン、ピレン、ペリレン、クリセン、デカシクレン、コロネン、テトラフェニルシクロペンタジエン、ペンタフェニルシクロペンタジエン、フルオレン、スピロフルオレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、９，１０−ビス（フェニルエチニル）アントラセン、１，４−ビス（９’−エチニルアントラセニル）ベンゼン等の縮合多量芳香族化合物及びそれらの誘導体、トリス（８−キノリノラート）アルミニウム、ビス−（２−メチル−８−キノリノラート）−４−（フェニルフェノリナート）アルミニウム等の有機金属錯体、トリアリールアミン誘導体、スチリルアミン誘導体、スチルベン誘導体、クマリン誘導体、ピラン誘導体、オキサゾン誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、ベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、ピラジン誘導体、ケイ皮酸エステル誘導体、ジケトピロロピロール誘導体、アクリドン誘導体、キナクリドン誘導体等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。好ましい他の材料は、スチリルアミン化合物及びアリールアミン化合物のいずれか一方又は両方である。

本発明の重合体を正孔輸送帯域に用いる場合、本発明の正孔輸送材料単独で正孔注入、輸送層を形成してもよく、他の材料と混合して用いてもよい。

本発明の重合体と混合して正孔輸送層又は正孔注入層を形成する他の材料としては、従来、光導電材料において正孔の電荷輸送材料として慣用されているものや、有機ＥＬ素子の正孔注入・輸送層に使用される公知のものの中から任意のものを選択して用いることができる。

本発明の重合体を含有する層を形成する方法としては、例えば、重合体の溶液を成膜する方法が挙げられる。成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、スリットコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット法、ノズルプリンティング法等が挙げられる、パターン形成をする場合には、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット印刷法が好ましい。これらの方法による成膜は当業者に周知の条件により行うことができる。
成膜後、真空、加熱（高くても２００℃）乾燥して、溶媒を除去すればよく、光、高温（２００℃以上）加熱による重合反応は不要である。従って、光、高温加熱による性能劣化は抑制される。

成膜用溶液は、少なくとも１種類の本発明の重合体と溶媒を含む。この他、他の正孔輸送材料、電子輸送材料、発光材料、アクセプター材料、安定剤等の添加剤を含んでいてもよい。さらに、粘度及び／又は表面張力を調節するための添加剤、例えば、増粘剤（高分子量化合物、本発明の重合体の貧溶媒等）、粘度降下剤（低分子量化合物等）、界面活性剤等を含有していてもよい。高分子量化合物としては、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエステル、ポリアミド、ポリウレタン、ポリスルホン、ポリメチルメタクリレート、ポリメチルアクリレート、セルロース等の絶縁性樹脂及びそれらの共重合体、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリシラン等の光導電性樹脂、ポリチオフェン、ポリピロール等の導電性樹脂が挙げられる。また、保存安定性を改善するために、フェノール系酸化防止剤、リン系酸化防止剤等、有機ＥＬ素子の性能に影響しない酸化防止剤を含有していてもよい。

成膜用溶液中の重合体の含有量は、溶媒を除いた組成物の全重量に対して２０〜１００重量％が好ましく、４０〜１００重量％がより好ましい。溶媒の割合は、成膜用溶液の１〜９９．９重量％が好ましく、８０〜９９重量％がより好ましい。

溶媒としては、クロロホルム、塩化メチレン、１，２−ジクロロエタン、１，１，２−トリクロロエタン、クロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジオキソラン、アニソール等のエーテル系溶媒；トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒；シクロへキサン、メチルシクロへキサン、ｎ−ペンタン、ｎ−へキサン、ｎ−へプタン、ｎ−オクタン、ｎ−ノナン、ｎ−デカン等の脂肪族炭化水素系溶媒；アセトン、メチルエチルケトン、シクロへキサノン、べンゾフェノン、アセトフェノン等のケトン系溶媒；酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート、安息香酸メチル、酢酸フェニル等のエステル系溶媒；エチレングリコール、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジメトキシエタン、プロピレングリコール、ジエトキシメタン、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、グリセリン、１，２−へキサンジオール等の多価アルコール及びその誘導体；メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、シクロへキサノール等のアルコール系溶媒；ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒；Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等のアミド系溶媒が例示される。また、これらの有機溶媒は、単独で、又は複数組み合わせて用いることができる。これらのうち、溶解性、成膜の均一性、粘度特性等の観点から、芳香族炭化水素系溶媒、エーテル系溶媒、脂肪族炭化水素系溶媒、エステル系溶媒、ケトン系溶媒が好ましく、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、ジエチルベンゼン、トリメチルベンゼン、ｎ−プロピルベンゼン、イソプロピルベンゼン、ｎ−ブチルベンゼン、イソブチルベンゼン、５−ブチルベンゼン、ｎ−へキシルベンゼン、シクロへキシルベンゼン、１−メチルナフタレン、テトラリン、１，３−ジオキサン、１，４−ジオキサン、１，３−ジオキソラン、アニソール、エトキシベンゼン、シクロへキサン、ビシクロへキシル、シクロヘキセニルシクロヘキサノン、ｎ−ヘプチルシクロへキサン、ｎ−へキシルシクロヘキサン、デカリン、安息香酸メチル、シクロへキサノン、２−プロピルシクロへキサノン、２−へプタノン、３−へプタノン、４−へプタノン、２−オクタノン、２−ノナノン、２−デカノン、ジシクロへキシルケトン、アセトフェノン、ベンゾフェノンがより好ましい。

インク調製においては、ポリマーと溶媒の重量比は、１ｗｔ％〜１０ｗｔ％が好ましく、１ｗｔ％〜５ｗｔ％がより好ましい。

［芳香族化合物の合成］
合成例１−１

窒素気流下、３−ブロモフルオランテン２８．２ｇ（１００ｍｍｏｌ）に脱水トルエン、脱水エーテルを加え、−４５℃に冷却し、ｎ−ブチルリチウムヘキサン溶液（１．５８Ｍ）を７６ｍｌ滴下して、攪拌しながら１時間かけて−５℃まで昇温した。再び−４５℃まで冷却し、ボロン酸トリイソプロピルエステル６０ｍｌをゆっくり滴下してから２時間反応した。
室温に戻した後、１０％希塩酸水溶液を加えて攪拌し、有機層を抽出した。飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、ろ別後、濃縮した。得られた固体を、シリカゲルクロマトグラフィー（展開溶媒：トルエン）で精製し、得られた固体をｎ−ヘキサンで洗浄した後、減圧乾燥し、１４．８ｇ（収率６０％）の固体を得た。ＦＤ−ＭＳ（電界脱着質量分析）の分析により、目的物と同定した。

合成例１−２

窒素気流下、冷却管付き１０００ｍＬ三口フラスコ中に１、３、５−トリブロモベンゼン２０．０ｇ（６３．４ｍｍｏｌ）、脱水ジエチルエーテル５００ｍＬを加えて撹拌し、ドライアイス／アセトンバスにて−７８℃まで冷却した。冷却後、ｎ−ブチルリチウム４．１ｇ（６３．４ｍｍｏｌ）をゆっくり加え、２時間冷却したまま撹拌した。次にＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド６．０６ｇ（６３．４ｍｍｏｌ）を脱水ジエチルエーテル５０ｍＬで希釈して滴下し、滴下後そのまま６時間撹拌した。
その後、室温まで戻し、１０％塩酸でクエンチした。水を加え、水層が中性になるまで水洗し、有機層を取り出した。この有機層へＭｇＳＯ_４を加えて乾燥し、ろ過によりＭｇＳＯ_４を除去した。溶媒を減圧下にて除去し、エタノールで再結晶することにより、固体１３．３ｇを得た。ＮＭＲ、ＭＳ等にて目的生成物（収率７４％）であることを確認した。

合成例１−３

窒素気流下、冷却管付き５００ｍＬ三口フラスコ中にメチルトリフェニルホスホニウムヨージド６０．９ｇ（１５０．８ｍｍｏｌ）、脱水ＴＨＦ３００ｍＬを加えて撹拌し、メタノール／ドライアイスバスにて−３０℃まで冷却した。冷却後、水素化ナトリウム３．６ｇ（１５０．８ｍｍｏｌ）をゆっくり加え、１時間冷却したまま撹拌した。次に室温まで戻し、３時間撹拌した。再度メタノール／ドライアイスバスにて−３０℃まで冷却し、合成例１−２で得た化合物２１ｇ（７５．４ｍｍｏｌ）を加え、３０分間撹拌し、室温に戻して３時間撹拌した。メタノールを５０ｍＬ加え、反応を終了した。塩化メチレン及び水を加えて目的物を抽出し、有機層を取り出した。この有機層へＭｇＳＯ_４を加えて乾燥し、ろ過によりＭｇＳＯ_４を除去した。溶媒を減圧下にて除去し、展開溶媒を塩化メチレン：ヘキサン＝１：１としカラムクロマトグラフィにより単離し、目的物１７．３ｇを得た。ＮＭＲ、ＭＳ等にて目的生成物（収率８３％）であることを確認した。

合成例１−４

合成例１−３と同様の方法により合成を行い、目的物を１３．４ｇ（収率：９０％）得た。

合成例１−５

窒素気流下、冷却管付き５００ｍＬ三口フラスコ中に、合成例１−４で得た化合物１０ｇ（５０．８ｍｍｏｌ）、ほう酸トリブチル２６．９ｇ（１１６．８ｍｍｏｌ）、脱水テトラヒドロフラン６０ｍＬを加えて撹拌し、メタノール／ドライアイスバスにて−７８℃まで冷却した。冷却後、ｎ−ブチルリチウム３．９ｇ（６０．９ｍｍｏｌ）をゆっくり滴下し、滴下後１時間冷却したまま撹拌した。次に室温まで戻し、７時間撹拌した。反応終了後、メタノール１０ｍＬを滴下し、さらに１ＮＨＣｌ水溶液１００ｍＬを滴下した。塩化メチレン、水を加え、目的物を抽出し、有機層を取り出した。この有機層へＭｇＳＯ_４を加えて乾燥し、ろ過によりＭｇＳＯ_４を除去した。溶媒を減圧下にて除去し、展開溶媒を塩化メチレン：酢酸エチル＝５０：７としカラムクロマトグラフィにより単離し、白色固体４．９１ｇを得た。ＮＭＲ、ＭＳ等にて目的生成物イソプロペニルフェニルボロン酸（収率６０％）であることを確認した。

合成例１−６

窒素気流下、冷却管付き５００ｍＬ三口フラスコ中に、合成例１−３で得た化合物１２．４ｇ（４５ｍｍｏｌ）、合成例１−１で得た化合物１２．３ｇ（５０ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム１．２ｇ（１．０ｍｍｏｌ）に、ジメトキシエタン（ＤＭＥ）１５０ｍｌ、２ｍｏｌ／Ｌの炭酸ナトリウム水溶液７５ｍｌを加え、１０時間加熱還流下、攪拌した。
反応終了後、析出晶を濾取し、得られた固体を、水、メタノール及びヘキサンで洗浄した。減圧乾燥し、１２．７ｇ（収率７１％）の固体を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、目的物と同定した。

合成例１−７

窒素気流下、冷却管付き２００ｍＬ三口フラスコ中に、合成例１−６で得た化合物１１．９ｇ（３０ｍｍｏｌ）に脱水トルエン、脱水ジエチルエーテルを加え、−４５℃に冷却し、ｎ−ブチルリチウム２．５ｇ（４０ｍｍｏｌ）を滴下して、攪拌しながら１時間かけて−５℃まで昇温した。再び−４５℃まで冷却し、ボロン酸トリイソプロピルエステル１６．３ｇ（８６．７ｍｍｏｌ）をゆっくり滴下してから２時間反応した。室温に戻した後、１０％希塩酸溶液を加えて攪拌し、有機層を抽出した。飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、ろ別後、濃縮した。得られた固体を、シリカゲルクロマトグラフィー（展開溶媒：トルエン）で精製し、得られた固体をｎ−ヘキサンで洗浄し、減圧乾燥したところ、６．３ｇ（収率５８％）の固体を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、目的物と同定した。

合成例１−８

窒素気流下、冷却管付き２００ｍＬ三口フラスコ中に、９，９’−ジメチル−２，７−ジブロモフルオレン４．８ｇ（１３．５ｍｍｏｌ）、合成例１−７で得た化合物５．４ｇ（１５ｍｍｏｌ）及びテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム１．２ｇ（０．７５ｍｍｏｌ）に、ジメトキシエタン５０ｍｌ及び２ｍｏｌ／Ｌ炭酸ナトリウム水溶液２５ｍｌを加え、８時間加熱還流下、攪拌した。
反応終了後、析出晶を濾取し、得られた固体を、水、メタノール、ヘキサンで洗浄した。減圧乾燥し、６．０ｇ（収率６８％）の固体を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、目的物と同定した。

実施例１

窒素気流下、冷却管付き２００ｍＬ三口フラスコ中に、合成例１−８で得た化合物６．０ｇ（１０ｍｍｏｌ）、合成例１−５で得た４−ビニルフェニルボロン酸１．５ｇ（１０ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム１．２ｇ（０．５０ｍｍｏｌ）、ジメトキシエタン（ＤＭＥ）５０ｍｌ及び２ｍｏｌ／Ｌの炭酸ナトリウム水溶液２５ｍｌを加え、１０時間加熱還流下、攪拌した。
反応終了後、析出晶を濾取し、得られた固体を、水、トルエン、アセトンで洗浄した。減圧下乾燥させ、４．７ｇ（収率７５％）の淡黄色固体を得て、ＮＭＲ、ＦＤ−ＭＳ等にて目的物と同定した。

合成例２−１

窒素気流下、冷却管付き３００ｍＬ三口フラスコ中に、９−ブロモフェナントレン２５．７ｇ（１００ｍｍｏｌ）に脱水トルエン、脱水ジエチルエーテルを加え、−４５℃に冷却し、ｎ−ブチルリチウム７．７ｇ（１２０ｍｍｏｌ）を滴下して、攪拌しながら１時間かけて−５℃まで昇温した。再び−４５℃まで冷却し、ボロン酸トリイソプロピルエステル６０ｍｌをゆっくり滴下してから２時間反応した。
室温に戻した後、１０％希塩酸溶液を加えて攪拌して有機層を抽出した。飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、ろ別後濃縮した。得られた固体を、シリカゲルクロマトグラフィー（展開溶媒：トルエン）で精製し、得られた固体をｎ−ヘキサンで洗浄し、減圧乾燥したところ１４．４ｇ（収率６５％）の固体を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、目的物と同定した。

合成例２−２

窒素気流下、冷却管付き３００ｍＬ三口フラスコ中に、合成例１−３で得た化合物１２．４ｇ（４５ｍｍｏｌ）、合成例２−１で得た化合物１１．１ｇ（５０ｍｍｏｌ）及びテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム１．２ｇ（１．０ｍｍｏｌ）に、ジメトキシエタン（ＤＭＥ）１５０ｍｌ及び２ｍｏｌ／Ｌの炭酸ナトリウム水溶液７５ｍｌを加え、１０時間加熱還流下、攪拌した。
反応終了後、析出晶を濾取し、得られた固体を、水、メタノール、ヘキサンで洗浄した。減圧乾燥し、１１．９ｇ（収率７０％）の固体を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、目的物と同定した。

合成例２−３

窒素気流下、冷却管付き１００ｍＬ三口フラスコ中に、合成例２−２で得た化合物を１１．２ｇ（３０ｍｍｏｌ）に脱水トルエン、脱水ジエチルエーテルを加え、−４５℃に冷却し、ｎ−ブチルリチウム２．５ｇ（４０ｍｍｏｌ）を滴下して、攪拌しながら１時間かけて−５℃まで昇温した。再び−４５℃まで冷却し、ボロン酸トリイソプロピルエステル１６．３ｇ（８６．７ｍｍｏｌ）をゆっくり滴下してから２時間反応した。
室温に戻した後、１０％希塩酸溶液を加えて攪拌し、有機層を抽出した。飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、ろ別後濃縮した。得られた固体を、シリカゲルクロマトグラフィー（展開溶媒：トルエン）で精製し、得られた固体をｎ−ヘキサンで洗浄した後、減圧乾燥し、６．３ｇ（収率６２％）の固体を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、目的物と同定した。

合成例２−４

窒素気流下、冷却管付き３００ｍＬ三口フラスコ中に、２，６−ジブロモナフタレン３．９ｇ（１３．５ｍｍｏｌ）、合成例２−３で得た化合物５．１ｇ（１５ｍｍｏｌ）及びテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム１．２ｇ（０．７５ｍｍｏｌ）に、ジメトキシエタン（ＤＭＥ）５０ｍｌ及び濃度２ｍｏｌ／Ｌの炭酸ナトリウム水溶液２５ｍｌを加え、７時間加熱還流下、攪拌した。
反応終了後、析出晶を濾取し、得られた固体を、水、メタノール、ヘキサンで洗浄した。減圧乾燥し、４．７ｇ（収率７０％）の固体を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、目的物と同定した。

合成例２−５

窒素気流下、冷却管付き２００ｍＬ三口フラスコ中に、合成例２−４で得た化合物４．９ｇ（１０ｍｍｏｌ）に脱水トルエン、脱水ジエチルエーテルを加え、−４５℃に冷却し、ｎ−ブチルリチウム０．９ｇ（１３．４ｍｍｏｌ）滴下して、攪拌しながら１時間かけて−５℃まで昇温した。再び−４５℃まで冷却し、ボロン酸トリイソプロピルエステル７ｍｌをゆっくり滴下してから２時間反応した。
室温に戻した後、１０％希塩酸溶液を加えて攪拌し、有機層を抽出した。飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、ろ別後、濃縮した。得られた固体を、シリカゲルクロマトグラフィー（トルエン）で精製し、得られた固体をｎ−ヘキサンで洗浄し、減圧乾燥したところ、２．８ｇ（収率６０％）の固体を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、目的物と同定した。

合成例２−６

窒素気流下、冷却管付き２００ｍＬ三口フラスコ中に、２，６−ジブロモナフタレン３．１４ｇ（１１ｍｍｏｌ）、合成例２−５で得た化合物５．６ｇ（１２ｍｍｏｌ）及びテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム１．０ｇ（０．６ｍｍｏｌ）に、ジメトキシエタン（ＤＭＥ）１００ｍｌ及び２ｍｏｌ／Ｌの炭酸ナトリウム水溶液５０ｍｌを加え、８時間加熱還流下、攪拌した。反応終了後、析出晶を濾取し、得られた固体を水、メタノール及びヘキサンで洗浄した。減圧乾燥し、５．３ｇ（収率７０％）の固体を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、目的物と同定した。

実施例２

窒素気流下、冷却管付き３００ｍＬ三口フラスコ中に、合成例２−６で得た化合物１２．５ｇ（２０ｍｍｏｌ）、合成例１−５で得た４−ビニルフェニルボロン酸３．０ｇ（２０ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム２．４ｇ（１．０ｍｍｏｌ）、ジメトキシエタン（ＤＭＥ）１００ｍｌ及び２ｍｏｌ／Ｌの炭酸ナトリウム水溶液５０ｍｌを加え、１０時間、加熱還流下に攪拌した。
反応終了後、析出晶を濾取し、得られた固体を、水、トルエン及びアセトンで洗浄した。減圧乾燥し、１０．３ｇ（収率７８％）の固体を得た。ＮＭＲ、ＦＤ−ＭＳ等にて目的物と同定した。

合成例３−１

窒素気流下、冷却管付き２００ｍＬ三口フラスコ中に、１−ブロモジベンゾフラン１１．０ｇ（４４．６ｍｍｏｌ）、脱水テトラヒドロフラン５０ｍＬをメタノール／ドライアイスバスにて−１０℃まで冷却し、ｎ−ＢｕＬｉ２．９ｇ（４４．８ｍｍｏｌ）をゆっくり滴下し、その後１時間撹拌した。さらにドライアイスを追加して−６０℃まで冷却し、ほう酸トリイソプロピル２５．１ｇ（１３３．５ｍｍｏｌ）をゆっくり滴下し、滴下後、室温まで戻して１７時間撹拌した。
反応終了後、メタノール５０ｍＬを滴下し、さらに１ＮＨＣｌ水溶液１００ｍＬを滴下した。酢酸エチル、水を加え、目的物を抽出し、有機層を取り出した。取り出した有機層へＭｇＳＯ_４を加えて乾燥し、ろ過によりＭｇＳＯ_４を除去した。溶媒を減圧下にて除去し、展開溶媒を塩化メチレン：酢酸エチル＝５０：７としカラムクロマトグラフィにより単離し、白色固体６．８０ｇを得た。ＮＭＲ、ＭＳ等にて目的生成物（収率７２％）であることを確認した。

合成例３−２

窒素気流下、冷却管付き２００ｍＬ三口フラスコ中に、４，４’−ジブロモジフェニルアミン４ｇ（１２．２ｍｍｏｌ）、合成例３−１で得た４−ジベンゾフランボロン酸５．７ｇ（２６．９ｍｍｏｌ）、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（０）０．５８ｇ（０．５ｍｏｌ）、炭酸ナトリウム３．８８ｇ（３６．６ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフラン６０ｍＬ、水１５ｍＬを加えた後、８０℃にて還流し、８時間加熱攪拌した。反応終了後、析出した結晶を濾取し、トルエン：ヘキサン＝１：１の混合溶媒でのカラムクロマトにより精製した。白色粉末４．６ｇを得て、ＮＭＲ、ＭＳ等にて目的生成物（収率７５％）であることを確認した。

合成例３−３

窒素気流下、冷却管付き５００ｍＬ三口フラスコ中に、合成例３−２で得た化合物６．７ｇ（１３．４ｍｍｏｌ）、３，５−トリス（４−ブロモフェニル）ブロモベンゼン６．３ｇ（１３．４ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム（II）０．５ｇ（２．７ｍｏｌ）、ｒａｃ−ＢＩＭＡＰ２．５ｇ（４．０ｍｍｏｌ）、ナトリウムｔｅｒｔ−ブチトキシド２．６ｇ（２６．８ｍｍｏｌ）、脱水トルエン３６０ｍＬを加えた後、１０５℃にて１．５時間加熱攪拌した。
反応終了後、室温まで放冷し、水を加え、目的物を抽出し、有機層を取り出した。取り出した有機層へＭｇＳＯ_４を加えて乾燥し、ろ過によりＭｇＳＯ_４を除去した。溶媒を減圧下にて除去し、トルエン：ヘキサン＝１：３の混合溶媒でのカラムクロマトグラフィーにより精製した。得られた固体へトルエンを加えて加熱し、室温まで放冷して再結晶した。析出した白色固体をろ過により回収した。回収した白色固体１．４ｇを得た。ＮＭＲ、ＭＳ等にて目的生成物（収率１２％）であることを確認した。

合成例３−４

合成例３−３と同様の方法により合成を行い、目的物を１．７ｇ（収率：１３％）得た。

実施例３−１

窒素気流下、冷却管付き１００ｍＬ三口フラスコ中に、合成例３−３で得た化合物２．０ｇ（２．３ｍｍｏｌ）、イソプロペニルボロン酸ピナコールエステル１．２ｇ（６．９ｍｍｏｌ）、１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン−パラジウム（ＩＩ）ジクロリド−ジクロロメタン錯体０．３ｇ（０．４ｍｏｌ）、炭酸カリウム１．９ｇ（１３．８ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフラン８０ｍＬ、水１０ｍＬを加えた後、加熱還流下、７時間加熱攪拌した。
反応終了後、室温まで放冷し、塩化メチレンを加え、目的物を抽出し、有機層を取り出した。取り出した有機層へＭｇＳＯ_４を加えて乾燥し、ろ過によりＭｇＳＯ_４を除去した。溶媒を減圧下にて除去し、トルエン：ヘキサン＝１：２の混合溶媒でのカラムクロマトにより精製した。得られた固体へトルエンを加えて加熱し、室温まで放冷して再結晶した。析出した白色固体をろ過により回収した。回収した白色固体１．５ｇを得た。ＮＭＲ、ＭＳ等にて目的生成物（収率８１％）であることを確認した。

実施例３−２

合成例３−４で得た化合物を用いて実施例３−１と同様の方法により合成を行い、目的物を１．８ｇ（収率：７９％）得た。

合成例４−１

合成例３−１と同様の方法により合成を行い、目的物を５．３ｇ（収率：６８％）得た。

合成例４−２

合成例３−２と同様の方法により合成を行い、目的物を５．５ｇ（収率：６８％）得た。

合成例４−３

合成例３−３と同様の方法により合成を行い、目的物を１．５ｇ（収率：１４％）得た。

合成例４−４

合成例３−３と同様の方法により合成を行い、目的物を１．１ｇ（収率：１０％）得た。

実施例４−１

実施例３−１と同様の方法により合成を行い、目的物を２．１ｇ（収率：７８％）得た。

実施例４−２

実施例３−１と同様の方法により合成を行い、目的物を１．４ｇ（収率：８０％）得た。

合成例５−１

窒素気流下、冷却管付き２００ｍＬ三口フラスコ中にて、９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール５．０ｇ（２０．６ｍｍｏｌ）、脱水Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド１５０ｍＬを氷水浴にて０℃まで冷却し、Ｎ−ブロモスクシンイミド３．７ｇ（２０．６ｍｍｏｌ）を加えて２４時間撹拌した。
反応終了後、酢酸エチル、水を加え、目的物を抽出し、有機層を取り出した。取り出した有機層へＭｇＳＯ_４を加えて乾燥し、ろ過によりＭｇＳＯ_４を除去した。溶媒を減圧下にて除去し、展開溶媒を酢酸エチル：ヘキサン＝１：１としカラムクロマトグラフィにより精製した。さらにトルエン、ヘキサンを用いて再結晶し、４．３１ｇの固体を得た。ＮＭＲ、ＭＳ等にて目的生成物（収率６５％）であることを確認した。

合成例５−２

合成例３−１と同様の方法により合成を行い、目的物を８．３ｇ（収率：７０％）得た。

合成例５−３

合成例３−２と同様の方法により合成を行い、目的物を５．３ｇ（収率：７２％）得た。

合成例５−４

合成例３−３と同様の方法により合成を行い、目的物を１．８ｇ（収率：１３％）得た。

合成例５−５

合成例３−３と同様の方法により合成を行い、目的物を２．１ｇ（収率：１４％）得た。

実施例５−１

実施例３−１と同様の方法により合成を行い、目的物を２．３ｇ（収率：８０％）得た。

実施例５−２

実施例３−１と同様の方法により合成を行い、目的物を１．８ｇ（収率：７６％）得た。

合成例６−１

窒素気流下、冷却管付き２００ｍＬ三口フラスコ中に、カルバゾール５．５ｇ（３２．９ｍｍｏｌ）、ブロモヨードメタン１１．２ｇ（３９．５ｍｍｏｌ）、銅３．１ｇ（４９．４ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム６．８ｇ（４９．４ｍｍｏｌ）、ジメチルスルホキシド５０ｍＬを加えた後、１２０℃にて還流し、２４時間加熱攪拌した。反応終了後、室温まで放冷し、トルエン、水を加え、目的物を抽出し、有機層を取り出した。取り出した有機層へＭｇＳＯ_４を加えて乾燥し、ろ過によりＭｇＳＯ_４を除去した。溶媒を減圧下にて除去し、トルエン、ヘキサンを用いて再結晶し、析出した白色固体をろ過により回収した。回収した白色固体３．２ｇを得た。ＮＭＲ、ＭＳ等にて目的生成物（収率３４％）であることを確認した。

合成例６−２

合成例３−１と同様の方法により合成を行い、目的物を６．５ｇ（収率：７８％）得た。

合成例６−３

合成例３−２と同様の方法により合成を行い、目的物を５．２ｇ（収率：７０％）得た。

合成例６−４

合成例３−３と同様の方法により合成を行い、目的物を２．０ｇ（収率：１５％）得た。

合成例６−５

合成例３−３と同様の方法により合成を行い、目的物を１．５ｇ（収率：１２％）得た。

実施例６−１

実施例３−１と同様の方法により合成を行い、目的物を１．８ｇ（収率：７５％）得た。

実施例６−２

実施例３−１と同様の方法により合成を行い、目的物を２．０ｇ（収率：７３％）得た。

［ポリマー合成］
実施例７
窒素気流下にて、市販のトリフルオロメタンスルホン酸（１０ｇ、０．０６６５ｍｏｌ、分子量１５０．０８、比重１．７０）を脱水塩化メチレンに加え、０．１３３Ｍ（溶液量合計５００ｍＬ）に調製した。トリフルオロメタンスルホン酸はトルエンと完全均一となり、以下の反応に用いた。

流管を取り付けた三口の１Ｌフラスコを充分窒素置換し、窒素気流下にて実施例１のモノマー１．６ｇ（２．５ｍｍｏｌ）、脱水トルエン３８ｍＬを入れ、室温にて完全に溶解させた。これに上記のように調製したトリフルオロメタンスルホン酸塩化メチレン溶液９．０ｍＬ（１．２ｍｍｏｌ）を加えた。この溶液を室温にて６時間攪拌した。反応液をメタノールへ滴下して再沈殿させ、白色固体を析出させた。析出した固体をろ過により回収した。回収した固体をトルエンに溶かし、次いで水を加えて水層が中性になるまで水洗し、有機層を取り出した。この有機層にＭｇＳＯ_４を加えて乾燥し、ろ過してＭｇＳＯ_４を除去した。ろ液を濃縮し、ヘキサンへ滴下して白色固体を析出させた。ろ過により析出固体を回収し、加熱乾燥にて十分に乾燥させることで、１．４ｇ（回収率８５％）の重合体を得た。得られた重合体の平均分子量は５５００、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．４であった。

実施例８

実施例２で得たモノマーを用いて、実施例７と同様の方法により重合を行い、目的物を１．８ｇ（回収率：８０％）得た。得られたポリマーの平均分子量５，３００、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．３であった。

実施例９

還流管を取り付けた三口の１Ｌフラスコを充分窒素置換し、窒素気流下にて実施例３−１のモノマー２．０ｇ（２．５ｍｍｏｌ）、脱水トルエン３８ｍＬを入れ、室温にて完全に溶解させた。これに上記のように調製したトリフルオロメタンスルホン酸塩化メチレン溶液９．０ｍＬ（１．２ｍｍｏｌ）を加えた。この溶液を室温にて６時間攪拌した。反応液をメタノールへ滴下して再沈殿させ、白色固体を析出させた。析出した固体をろ過により回収した。回収した固体をトルエンに溶かし、次いで水を加えて水層が中性になるまで水洗し、有機層を取り出した。この有機層にＭｇＳＯ_４を加えて乾燥し、ろ過してＭｇＳＯ_４を除去した。ろ液を濃縮し、ヘキサンへ滴下して白色固体を析出させた。ろ過により析出固体を回収し、加熱乾燥にて十分に乾燥させることで１．７ｇ（回収率８５％）の重合体を得た。得られた重合体の平均分子量は２３００、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．３であった。

実施例１０

実施例３−２で得たモノマーを用いて、実施例７と同様の方法により重合を行い、目的物を１．７ｇ（回収率：８２％）得た。得られたポリマーの平均分子量２８００、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．２であった。

実施例１１

実施例４−１で得たモノマーを用いて、実施例７と同様の方法により重合を行い、目的物を１．８ｇ（回収率：８０％）得た。得られたポリマーの平均分子量３０００、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．４であった。

実施例１２

実施例４−２で得たモノマーを用いて、実施例７と同様の方法により重合を行い、目的物を２．０ｇ（回収率：９０％）得た。得られたポリマーの平均分子量３０００、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．４であった。

実施例１３

実施例５−１で得たモノマーを用いて、実施例７と同様の方法により重合を行い、目的物を１．９ｇ（回収率：８０％）得た。得られたポリマーの平均分子量４３００、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．３であった。

実施例１４

実施例５−２で得たモノマーを用いて、実施例７と同様の方法により重合を行い、目的物を１．６ｇ（収率：８５％）得た。得られたポリマーの平均分子量３６００、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．４であった。

実施例１５

実施例６−１で得たモノマーを用いて、実施例７と同様の方法により重合を行い、目的物を１．５ｇ（回収率：８３％）得た。得られたポリマーの平均分子量３３００、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．３であった。
であった。

実施例１６

実施例６−２で得たモノマーを用いて、実施例７と同様の方法により重合を行い、目的物を１．８ｇ（回収率：８７％）得た。得られたポリマーの平均分子量３２００、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．３であった。

［有機ＥＬ素子の製造と評価：発光材料としての使用］
製造例１
ドーパントＤ１を以下のようにして合成した。

窒素気流下、６，１２−ジブロモクリセン１９．３ｇ（５０ｍｍｏｌ）、ジ（ｐ−トリル）アミン３．９５ｇ（２０ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム０．０８ｇ（０．４ｍｍｏｌ）、トリ−ｔ−ブチルホスフィン０．４ｇ（２ｍｍｏｌ）、ｔ−ブトキナトリウム２．８ｇ（３０ｍｍｏｌ）及び乾燥トルエン２００ｍｌを加えた後、１００℃にて一晩加熱乾燥した。反応終了後、析出した結晶を濾取し、トルエン１００ｍｌ、メタノール２００ｍｌにて洗浄し、５．５ｇ（収率５５％）の淡黄色固体を得た。ＮＭＲ、ＦＤ−ＭＳ等にて、目的物（Ｄ１）と同定した。

製造例２
低分子ホスト材料Ｈ１を以下のようにして合成した。
合成例２−１〜２−６において、合成例１−３で得た化合物の代わりに３，５−ジブロモベンゼンを用い、２，６−ジブロモナフタレンの代わりに６−ブロモナフタレンを用いたこと以外は同様にして、下記低分子ホスト材料Ｈ１を得た。

実施例１７
２５ｍｍ×７５ｍｍ×厚さ１．１ｍｍのＩＴＯ透明電極付きガラス基板（ジオマティック社製）を、イソプロピルアルコール中で５分間超音波洗浄した後、ＵＶオゾン洗浄を３０分間行なった。
洗浄後の透明電極付きガラス基板に、スピンコート法でポリエチレンジオキシチオフェン・ポリスチレンスルホン酸（ＰＥＤＯＴ・ＰＳＳ）の混合物を５０ｎｍの膜厚で成膜し、正孔注入層とした。

次いで、下記式で示されるポリマーＡ（Ｍｗ＝１４５，０００）のトルエン溶液（０．６質量％）をスピンコート法で２０ｎｍの膜厚で成膜し、１７０℃で３０分間乾燥した。このポリマーＡ膜は、正孔輸送層として機能する。
さらに、シクロヘキサノンを溶媒に用い、実施例７で得たポリマー中に、Ｉｒ（ｐｉｑ）_３（「ＬＴ−Ｅ７１１」、オージェック製、ドーパント）を１０重量％混合した溶液を調製し、スピンコート法にて一層からなる膜厚４０ｎｍの発光層を成膜した。
その後、成膜済みの基板を真空蒸着装置に移送した。

この膜上に膜厚２０ｎｍのトリス（８−キノリノール）アルミニウム膜を成膜した。このＡｌｑ膜は、電子輸送層として機能する。
このＡｌｑ膜上に、フッ化リチウムを１ｎｍの膜厚に成膜し、電子注入層とした。
最後にアルミニウムを膜厚１５０ｎｍで成膜し、陰極を形成し、窒素中でガラス封止して、有機ＥＬ素子を作製した。
電流を流して該有機ＥＬ素子の性能を評価したところ、赤色に発光し、発光効率１０．８ｃｄ／Ａ、初期輝度５０００ｃｄ／ｍ^２、室温での輝度半減寿命は６４０時間であった。
さらに、本素子を初期輝度５０００ｃｄ／ｍ^２、６０℃のオーブン内で駆動させたところ、輝度半減寿命は２３０時間であった。
従って、６０℃輝度半減寿命／室温輝度半減寿命比は、０．３６であった。これらの結果を表１に示す。

実施例１８
実施例１７において、実施例７で得たポリマーの代わりに、実施例８で得たポリマーを用いたこと以外は同様にして有機ＥＬ素子を作製した。実施例１７と同様にして評価した結果を表１に示す。

実施例１９
実施例１７において、実施例７で得たポリマーの代わりに、実施例８で得たポリマーを用い、Ｉｒ（ｐｉｑ）_３の代わりにＤ１を用いたこと以外は同様にして有機ＥＬ素子を作製した。実施例１７と同様にして評価した結果を表１に示す。

比較例１
実施例１７において、発光層の材料として、実施例７で得たポリマーの代わりに低分子ホスト材料Ｈ１を用いて発光層を形成したところ、発光層の膜が不均一となり、有機ＥＬ素子の発光も不均一化し、性能を評価することができなかった。
これは、低分子ホスト材料Ｈ１及びＩｒ（ｐｉｑ）_３のシクロヘキサノンへの溶解性が不十分であることに起因し、さらに、膜形成の際に凝集して結晶化したためと推測される。

比較例２
実施例１７において、発光層の材料として、実施例７で得たポリマーの代わりに低分子ホスト材料Ｈ１を用い、Ｉｒ（ｐｉｑ）_３の代わりにドーパントＤ１を用い、スピンコート法により発光層を形成したところ、発光層の膜が不均一となり、有機ＥＬ素子の発光も不均一化し、性能を評価することができなかった。
これは、低分子ホスト材料Ｈ１及びドーパントＤ１のシクロヘキサノンへの溶解性が不十分であり、さらに、膜形成の際に凝集して結晶化したためと推測される。

比較例３
実施例１７において、発光層の材料として、実施例７で得たポリマーの代わりに特開平２００５−０６３９３８に記載の下記高分子ホスト材料（ポリマーＢ）を用いて発光層を形成して有機ＥＬ素子を作製したところ、有機ＥＬ素子は発光しなかった。
これは、ポリマーＢ（ピレン誘導体）は励起３重項エネルギーＥｇ（Ｔ）が小さいため、燐光ドーパントに対するエネルギー移動が確保できず、また、励起された３重項エネルギーを発光層内に閉じ込めることができなかったためと推測する。
また、ポリマーＢは、繰り返し単位中においてピレン骨格が放射状に広がっているため、重合体の分子量が小さく（ポリスチレン換算重量平均分子量＝４，２００）、溶媒への溶解性が小さく、たとえ、発光層が形成されたとしても、膜の均一性に乏しかったために発光しなかったものと推測される。

［有機ＥＬ素子の製造と評価：正孔輸送材料としての使用］
実施例２０
２５ｍｍ×７５ｍｍ×１．１ｍｍ厚のＩＴＯ透明電極付きガラス基板（ジオマティック社製）を、イソプロピルアルコール中で５分間超音波洗浄した後、ＵＶオゾン洗浄を３０分間行なった。
洗浄後の透明電極付きガラス基板に、スピンコート法で正孔注入層に用いるポリエチレンジオキシチオフェン・ポリスチレンスルホン酸（ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ（アクセプター））の混合物を１０ｎｍの膜厚で成膜した。

次に正孔輸送性重合体として、実施例９で得られた重合体を用い、その重合体の１，４−ジオキサン溶液（１．０重量％）を調製して、スピンコート法で４０ｎｍの膜厚で成膜し、１００℃で３０分間乾燥した。
さらに下記化合物ＥＭ１を蒸着し膜厚４０ｎｍの発光層を成膜した。同時に発光層の材料として、下記のスチリル基を有するアミン化合物Ｄ２を、ＥＭ１とＤ２の重量比が４０：２になるように蒸着した。

この膜上にＡｌｑを膜厚１０ｎｍに成膜した。この層は、電子注入層として機能する。この後、還元性ドーパントであるＬｉ（Ｌｉ源：サエスゲッター社製）とＡｌｑを二元蒸着させ、電子注入層（陰極）としてＡｌｑ：Ｌｉ膜（膜厚１０ｎｍ）を形成した。このＡｌｑ：Ｌｉ膜上に金属Ａｌを蒸着させ金属陰極を形成し、窒素中でガラス封止して、有機ＥＬ素子を作製した。

電流を流して性能を評価したところ青色に発光し、発光効率６．６ｃｄ／Ａ、室温での輝度半減寿命ＬＴ５０は１，０００ｃｄ／ｍ^２で３，３００ｈｒであった。
さらに、本素子を６０℃のオーブン内で駆動させたところ、輝度半減寿命ＬＴ５０は１，０００ｃｄ／ｍ^２で１，４００ｈｒであった。従って、６０℃輝度半減寿命／室温輝度半減寿命比は、０．４２であった。

実施例２１〜２７
実施例２０において、正孔輸送性重合体として、それぞれ実施例１０〜１６で得られた重合体を用いたこと以外は、同様に有機ＥＬ素子を作製した。電流を流して性能を評価した。結果を表２に示す。

実施例２８
実施例２０において、発光層の材料として、スチリル基を有するアミン化合物Ｄ２の代わりにアリールアミン化合物Ｄ１を用いた以外は同様にして有機ＥＬ素子を作製した。Ｍｅはメチル基である。以下実施例２０と同様に有機ＥＬ素子を評価した。結果は表２に示す。

比較例４
実施例２０において、正孔輸送性重合体として、特開平１−１０５９５４号公報記載に開示されている方法に基づいて合成した下記構造単位からなるポリマーＣを用いたこと以外は、同様に有機ＥＬ素子を作製して、評価した。
電流を流して性能を評価したところ青色に発光し、発光効率２．３ｃｄ／Ａ、室温での輝度半減寿命ＬＴ５０は１，０００ｃｄ／ｍ^２で５００ｈｒであった。

さらに、本素子を６０℃のオーブン内で駆動させたところ、輝度半減寿命ＬＴ５０は１，０００ｃｄ／ｍ^２１００ｈｒであった。従って、６０℃輝度半減寿命／室温輝度半減寿命比は０．２０であった。

比較例５
実施例２０において、正孔輸送性重合体として、特開平８−０５４８３３号公報記載の製造例に開示されている方法に基づいて合成した下記構造単位からなるポリマーＤを用いたこと以外は、同様に有機ＥＬ素子を作製して、評価した。
電流を流して性能を評価したところ青色に発光し、発光効率３．０ｃｄ／Ａ、室温での輝度半減寿命ＬＴ５０は１，０００ｃｄ／ｍ^２で７００ｈｒであった。

さらに、本素子を６０℃のオーブン内で駆動させたところ、輝度半減寿命ＬＴ５０は１，０００ｃｄ／ｍ^２で１５０ｈｒであった。従って、６０℃輝度半減寿命／室温輝度半減寿命比は０．２１であった。

比較例６
比較例４において、発光層の材料としてドーパントをＤ１に代えたこと以外は、同様に有機ＥＬ素子を作製して評価した。
電流を流して性能を評価したところ青色に発光し、発光効率２．５ｃｄ／Ａ、室温での輝度半減寿命ＬＴ５０は１，０００ｃｄ／ｍ^２で６００ｈｒであった。さらに、本素子を６０℃のオーブン内で駆動させたところ、輝度半減寿命ＬＴ５０は１，０００ｃｄ／ｍ^２で１５０ｈｒであった。従って、６０℃輝度半減寿命／室温輝度半減寿命比は０．２５であった。

表２に示すように、実施例で用いた化合物は比較例に比べて、発光効率及び寿命で優れており、高温駆動しても寿命低下の割合は小さかった。比較例で用いた化合物は高温駆動すると寿命低下が著しかった。

本発明の有機ＥＬ素子は、壁掛けテレビのフラットパネルディスプレイ等の平面発光体、複写機、プリンター、液晶ディスプレイのバックライト又は計器類等の光源、表示板、標識灯等に利用できる。

Claims

下記式（１）で表される芳香族化合物。

（式中、Ｘは、Ａｒ^１，Ｚ及びＡｒ^２の任意の位置に置換する。
Ｒ^１はハロゲン、置換もしくは無置換の炭素数１〜１０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜１０のアルコキシ基、ケイ素含有基、置換もしくは無置換の炭素数３〜１０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３〜１０のシクロアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜４０のアリール基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜４０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数７〜４０のアラルキル基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜４０のヘテロアリール基である。
Ａｒ^１及びＡｒ^２は同一でも異なっていてもよく、それぞれ置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜１００のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜１００のヘテロアリール基、置換もしくは無置換の炭素数７〜１００のアラルキル基、又は置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜１００のアリール及び／又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜１００のヘテロアリールで置換されたアミノ基である。
Ｚは、単結合、置換もしくは無置換の炭素数１〜１０のアルキレン基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜１０のシクロアルキレン基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜１００のアリーレン基、置換もしくは無置換の環形成炭素数７〜１００のアラルキレン基、置換もしくは無置換の環形成炭素数７〜１００のアリールイミノ基、又は置換もしくは無置換の環形成炭素数５〜１００のヘテロアリーレン基である。
ｍは１〜４の整数、ｎは２以上の整数である。
複数のＸは同一でも異なっていてもよい。
ｍが２以上の場合、複数のＡｒ^２は同一でも異なっていてもよい。
ｍが２以上の場合、Ｚは上記の対応するｍ＋１価の基である。
Ａｒ^１，Ａｒ^２及びＺは、互いに結合してもよい。）
下記式（２）で表される請求項１に記載の芳香族化合物。

（式中、Ｘ及びｎは式（１）と同じである。Ｘの結合位置は任意である。
Ａｒ^ａ、Ａｒ^ｂ、Ａｒ^２１、Ａｒ^３〜Ａｒ^５は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換のベンゼン環、置換もしくは無置換のナフタレン環、置換もしくは無置換のフルオレン環、置換もしくは無置換のクリセン環、置換もしくは無置換のフルオランテン環、置換もしくは無置換のベンゾ［ｂ］フルオランテン環、置換もしくは無置換のフェナントレン環、置換もしくは無置換のベンゾフェナントレン環、置換もしくは無置換のジベンゾフェナントレン環、置換もしくは無置換のベンゾクリセン環、置換もしくは無置換のピセン環、置換もしくは無置換のジベンゾフラン環、又は置換もしくは無置換のジベンゾチオフェン環からなる基を表す。
但し、置換される場合、置換基はアリール基又はヘテロアリール基ではない。
ｏ、ｐ及びｑは、それぞれ独立に０又は１である。
下記式（３）で表される請求項１に記載の芳香族化合物。

（式中、Ｘ、Ｚ、ｍ及びｎは式（１）と同じである。Ｘの結合位置は任意である。
Ａｒ^３１は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜１００のアリール基、炭素数７〜１００のアラルキル基、環形成炭素数６〜１００のアリールアミノ基、又は環形成原子数５〜１００のヘテロアリール基である。
Ａｒ^６及びＡｒ^７は同一でも異なっていてもよく、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜６０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜６０のヘテロアリール基である。
Ａｒ^３１，Ａｒ^６，Ａｒ^７及びＺは、互いに結合してもよい。
ｍが２以上の場合、複数のＡｒ^６及びＡｒ^７は同一でも異なっていてもよい。）
前記Ａｒ^６及びＡｒ^７の少なくとも１つが、下記式（４）〜（７）で示される基から選択される請求項３に記載の芳香族化合物。

（式中、Ｒ^２〜Ｒ^９はそれぞれ炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数３〜１０のシクロアルキル基、環形成炭素数６〜３０のアリール基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数３〜１０のシクロアルコキシ基、環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基、炭素数７〜４０のアラルキル基（アリール部分の環形成炭素数が６〜３０）、環形成原子数３〜３０のヘテロアリール基、モノもしくはジアルキルアミノ基（アルキル部分の炭素数が１〜２０）、モノもしくはジアリールアミノ基（アリール部分の環形成炭素数が６〜３０）、３つのアルキル及び／又はアリールで置換されたシリル基（アルキル部分の炭素数が１〜２０、アリール部分の環形成炭素数が６〜３０）、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基又はヒドロキシル基である。
ｅ、ｇ、ｈ、ｉ及びｋは、それぞれ独立に、０〜４の整数である。
ｆ、ｊ及びｌは、それぞれ独立に、０〜３の整数である。
Ａｒ^８は炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数３〜１０のシクロアルキル基、環形成炭素数６〜３０のアリール基、１〜３のアリールで置換されたアルキル基（アルキル部分の炭素数が１〜２０、アリール部分の環形成炭素数が６〜３０）又は環形成原子数３〜３０のヘテロアリール基である。
Ｌ^２〜Ｌ^５はそれぞれ独立に、単結合又は置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリーレン基である。）
請求項１〜３のいずれかに記載の芳香族化合物を重合して得られる重合体。
式（８）を繰り返し単位として有する重合体。

（式中、Ｒ^１、Ａｒ^１、Ａｒ^２、Ｚ及びｍは式（１）と同じである。
ｒは繰り返し数である。）
式（９）を繰り返し単位として有する重合体。

（式中、Ｒ^１は式（１）と同じであり、Ａｒ^３１、Ｚ、Ａｒ^６、Ａｒ^７、ｍは式（３）と同じである。
ｒは繰り返し数である。）
請求項５〜７のいずれかに記載の重合体を含むインク。
請求項５〜７のいずれかに記載の重合体からなる有機デバイス用材料。
請求項５〜７のいずれかに記載の重合体からなる正孔注入材料又は正孔輸送材料。
陰極と陽極間に少なくとも発光層を含む１以上の有機薄膜層が挟持されている有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記有機薄膜層の少なくとも１層が、請求項５〜７のいずれかに記載の重合体を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子。