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JP2011210874A - 電子部品および電子部品の製造方法 - Google Patents

電子部品および電子部品の製造方法 Download PDF

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JP2011210874A
JP2011210874A JP2010075939A JP2010075939A JP2011210874A JP 2011210874 A JP2011210874 A JP 2011210874A JP 2010075939 A JP2010075939 A JP 2010075939A JP 2010075939 A JP2010075939 A JP 2010075939A JP 2011210874 A JP2011210874 A JP 2011210874A
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ceramic
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Yoshitomo Matsushita
慶友 松下
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Abstract

【課題】高温負荷寿命を低減させることなく、機械的強度の高い電子部品および電子部品の製造方法を提供すること。
【解決手段】内部電極層と誘電体層とが交互に複数積層された電子部品であって、前記内部電極層の積層方向の一端面で接している第1誘電体粒子の粒径が、前記内部電極層の積層方向の他端面で接している第2誘電体粒子の粒径より大きく、前記第1誘電体粒子により形成される第1セラミック層は前記第2誘電体粒子により形成される第2セラミック層に比べ厚みが小さいことを特徴とする電子部品。
【選択図】図2

Description

本発明は、積層セラミックコンデンサなどの電子部品および当該電子部品の製造方法に関する。
電子機器に実装される電子部品の一例としては、積層型セラミック電子部品が例示され、コンデンサ、バンドパスフィルタ、インダクタ、積層三端子フィルタ、圧電素子、PTCサーミスタ、NTCサーミスタ、またはバリスタ等が知られている。
これら積層型セラミック電子部品を構成するコンデンサ素子本体は、たとえば、焼成後に誘電体層となるグリーンシートと、焼成後に内部電極層となる内部電極パターン層とが積層されて構成される直方体形状のグリーンチップを準備し、同時焼成して製造される。
ここで、グリーンシートと内部電極パターン層の積層方法としては、たとえば、グリーンシートをPETフィルムなどの支持体に塗布し、その上に内部電極パターン層を塗布したシートユニットを形成し、当該シートユニットを順次積層していく方法がある。
しかし、この場合、一つのシートユニットを形成する誘電体層と内部電極層とは比較的十分な接合強度を有しているものの、内部電極層と当該シートユニットの上に形成される他のシートユニットの誘電体層との接合強度は不十分となる傾向があった。このように誘電体層と内部電極層との接合強度が不十分である場合、機械的強度が悪化する傾向にある。
このような実情から、内部電極層と、当該シートユニットの上に形成される他のシートユニットのグリーンシートとの接合強度を高める技術が求められている。たとえば、特許文献1には平均粒径α1のセラミックを含む第1のセラミック層の上に内部電極層を形成し、さらにその上に前記平均粒径α1よりも小さい平均粒径α2のセラミックを含む第2のセラミック層を形成し、これらの組み合わせを順次積層していく方法が開示されている。この方法によれば、内部電極層とセラミック層の接合強度は得られると考えられるが、第1のセラミック層と第2のセラミック層とは、プレスによる加熱圧着のみであるため接合強度は不十分なものとなる。このため、素子本体としては機械的強度が不十分なものとなる。また、より粒径の小さいセラミックを含む第1のセラミック層の厚みは第2のセラミック層の厚みよりも薄いことから高温負荷寿命が低減すると考えられる。
特開2003−264120号公報
本発明は、このような実状に鑑みてなされ、高温負荷寿命を低減させることなく、機械的強度の高い電子部品および電子部品の製造方法を提供することを目的とする。
上記の目的を達成するため、本発明に係る電子部品は、
内部電極層と誘電体層とが交互に複数積層された電子部品であって、
前記内部電極層の積層方向の一端面で接している第1誘電体粒子の粒径が、前記内部電極層の積層方向の他端面で接している第2誘電体粒子の粒径より大きく、
前記第1誘電体粒子により形成される第1セラミック層は前記第2誘電体粒子により形成される第2セラミック層に比べ厚みが小さいことを特徴とする。
また、本発明に係る電子部品の製造方法は、
第1セラミック粒子と導電性粒子とを含む内部電極層用ペーストを準備する工程と、
第2セラミック粒子を含む誘電体層用ペーストを準備する工程と、
前記誘電体層用ペーストを支持体に塗布することでグリーンシートを得る工程と、
前記グリーンシート上に内部電極パターン層が形成されたシートユニットを得る工程と、
前記シートユニットを積層しグリーンチップを得る工程と、
前記グリーンチップを焼成し素子本体を得る工程と、を有し、
前記シートユニットに形成された内部電極パターン層のグリーンシートに接している面に比較して、接していない面の近傍には前記第1セラミック粒子が多く偏在していることを特徴とする。
本発明によれば、高温負荷寿命を低減させることなく、誘電体層と内部電極層との接合強度を高めることができ、機械的強度の高い電子部品および電子部品の製造方法を提供することができる。
好ましくは、前記第1セラミック層の厚みをt1、第2セラミック層の厚みをt2としたとき、0.160≦t1/(t1+t2)≦0.275である。
好ましくは、前記第1誘電体粒子の粒径をr1、前記第2誘電体粒子の粒径をr2としたとき、r1/r2≦2.17である。
好ましくは、前記第1セラミック層は、積層方向に存在する単一の前記第1誘電体粒子が平面上に並んで構成される。
本発明の電子部品の製造方法は、好ましくは、さらに、前記シートユニットを80℃以下で乾燥する工程を有する。
好ましくは、前記内部電極パターン層に含まれる導電性粒子の含有量を100重量部としたとき、内部電極パターン層に含まれる前記第1セラミック粒子の含有量が10〜20重量部である。
本発明に係る電子部品としては、特に限定されず、積層セラミックコンデンサ、圧電素子、チップインダクタ、チップバリスタ、チップサーミスタ、チップ抵抗、その他の表面実装(SMD)チップ型電子部品などが例示されるが、好ましくは、積層セラミックコンデンサである。
図1は本発明の一実施形態に係る積層セラミックコンデンサの断面図である。 図2は、本発明の一実施形態に係る積層体の断面図である。 図1に示す積層セラミックコンデンサの製造過程を示す工程概略図である。 図3bは、図3aの続きの工程を示す工程概略図である。 図3cは、図3bに示す内部電極パターン層の一部IIIBを拡大した拡大断面図である。 図3dは、図3bの続きの工程を示す工程概略図である。 図3eは、図3dの続きの工程を示す工程概略図である。 図3fは、図3eの続きの工程を示す工程概略図である。 図3gは、本発明の一実施形態に係るシートユニットの断面図である。 図4は、本発明の実施例における抗折強度の測定方法の説明図である。
以下、本発明を図面に示す実施形態に基づき説明する。
本実施形態では、電子部品の一例として、積層セラミックコンデンサについて説明する。
積層セラミックコンデンサの全体構成
図1に示すように、本発明の一実施形態に係る積層セラミックコンデンサ1は、素子本体10を有する。前記素子本体10は、誘電体層20と内部電極層30とが交互に積層された構造である。素子本体10の形状に特に制限はないが、通常、直方体状とされる。また、その寸法にも特に制限はなく、用途に応じて適当な寸法とすればよい。図1に示すように、前記素子本体10の両側端部には、素子本体10の内部で交互に配置された内部電極層30と各々導通する一対の外部電極4が形成してある。
(内部電極層)
内部電極層30の厚みは用途等に応じて適宜決定すればよいが、通常、0.5〜5μm、特に0.5〜2.5μm程度であることが好ましい。
内部電極層30に含有される導電材230は特に限定されないが、誘電体層20の構成材料として、耐還元性を有する材料を使用する場合には、卑金属を用いることができる。導電材として用いる卑金属としては、Ni、Cu、Ni合金またはCu合金が好ましい。内部電極層30の主成分をNiにした場合には、誘電体が還元されないように、低酸素分圧(還元雰囲気)で焼成するという方法がとられている。
導電材の粒径は好ましくは0.05〜2.00μm、より好ましくは0.05〜1.00μmである。
(外部電極)
外部電極4の厚みは用途等に応じて適宜決定されればよいが、通常、10〜50μm程度であることが好ましい。
外部電極は導電性粉末により構成される。導電性粉末としては例えば卑金属が挙げられるが特に限定されず、安価なNi,Cuや、これらの合金を用いることができる。
(誘電体層)
前記誘電体層20は、図2に示すように前記第1誘電体粒子221により形成される第1セラミック層21と、前記第2誘電体粒子222により形成される第2セラミック層22とを有し、前記第1セラミック層21は前記第2セラミック層22に比べ厚みが小さい。また、図2に示すように、前記内部電極層30の積層方向の一端面で接している第1誘電体粒子221の粒径が、前記内部電極層30の積層方向の他端面で接している第2誘電体粒子222の粒径より大きい。
前記第1セラミック層21の厚みをt1、前記第2セラミック層22の厚みをt2としたとき、好ましくは0.160≦t1/(t1+t2)≦0.275である。t1/(t1+t2)をこの範囲とすることで、高温負荷寿命を低減させることなく、電子部品の機械的強度を高めることができる。
前記第1セラミック層21は、積層方向に存在する単一の前記第1誘電体粒子221が平面上に並んで構成されることが好ましい。ここで一層とは、第1誘電体粒子221以外の粒子を除外するものではなく、例えば、図2に示すように、第1誘電体粒子221よりも小さな誘電体粒子などを含んでいてもよい。
また、前記第1誘電体粒子221の粒径をr1、前記第2セラミック層22に含まれる第2誘電体粒子222の粒径をr2としたとき、1<r1/r2≦2.17であることが好ましい。r1/r2をこの範囲とすることで、高温負荷寿命を低減させることなく、電子部品の機械的強度を高めることができる。
前記誘電体層20の厚みは、好ましくは2〜40μm、より好ましくは2〜30μmであり、積層数は、2〜300程度である。
前記第1誘電体粒子221および第2誘電体粒子222の組成としては、例えば、以下に示す組成が挙げられる。
前記第1誘電体粒子および第2誘電体粒子の主成分としては、例えば組成式(Ba1−xCa(Ti1−yZr)Oで表される誘電体酸化物が挙げられる。この際、酸素(O)量は、上記式の化学量論組成から若干偏倚してもよい。
上記式中、xは、好ましくは0≦x≦0.15である。xはCaの原子数を表し、記号x、すなわちCa/Ba比を変えることで結晶の相転移点を任意にシフトさせることが可能となる。そのため、容量温度係数や比誘電率を任意に制御することができる。
上記式中、yは、好ましくは0≦y≦1.00である。yはTi原子数を表すが、TiOに比べ還元されにくいZrOを置換していくことにより耐還元性がさらに増していく傾向がある。
上記式中、mは、好ましくは0.995≦m≦1.020である。mを0.995以上にすることにより還元雰囲気下での焼成に対して半導体化を生じることが防止され、mを1.020以下にすることにより焼成温度を高くしなくても緻密な焼結体を得ることができる。
前記第1誘電体粒子および第2誘電体粒子の副成分としては、例えば、以下の第1〜第4副成分を含有してもよい。すなわち、MgO,CaO,BaOおよびSrOから選択される少なくとも1種を含む第1副成分と、SiO系の焼結助剤を含む第2副成分と、V,MoOおよびWOから選択される少なくとも1種を含む第3副成分と、Rの酸化物(ただし、RはSc,Y,La,Ce,Pr,Nd,Pm,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,YbおよびLuから選択される少なくとも1種)を含む第4 副成分と、を有する。
上記各副成分の比率は、上記主成分100モルに対し、好ましくは
第1副成分:0.1〜5モル、
第2副成分:1〜10モル、
第3副成分:0.01〜0.2モル、
第4副成分:0.1〜12モル、
である。
なお、第4副成分の上記比率は、Rの酸化物のモル比ではなく、R元素単独のモル比である。すなわち、たとえば第4副成分(Rの酸化物)として、Yの酸化物を用いた場合、第4副成分の比率が1モルであることは、Yの比率が1モルなのではなく、Y元素の比率が1モルであることを意味する。
上記所定組成を有する主成分に加えて、これらの第1〜第4副成分を含有させることにより、高い誘電率を維持しながら、容量温度特性を向上させることができ、特に、EIA規格のX8R特性を満足させることができる。第1〜第4副成分の好ましい含有量は上記の通りであり、また、その理由は以下の通りである。
第1副成分(MgO,CaO,BaOおよびSrO)は、容量温度特性を平坦化させる効果を示す。なお、第1副成分中における各酸化物の構成比率は任意である。
第2副成分は、焼結助剤として機能する。第2副成分の含有量が少なすぎると、容量温度特性が悪くなる傾向にある。一方、含有量が多すぎると、IR寿命が不十分となる傾向にある。また、第2副成分は、SiO単独で用いても良いが、(Ba,Ca)SiO2+x (ただし、x=0.8〜1.2)であることが好ましい。(Ba,Ca)SiO2+x におけるxは、好ましくは0.8〜1.2であり、より好ましくは0.9〜1.1である。xが小さすぎると、すなわちSiOが多すぎると、主成分に含まれるチタン酸バリウムと反応して誘電体特性を悪化させてしまう。一方、xが大きすぎると、融点が高くなって焼結性を悪化させるため、好ましくない。なお、第2副成分においてBaとCaとの比率は任意であり、一方だけを含有するものであってもよい。
第3副成分(V,MoOおよびWO)は、キュリー温度以上での容量温度特性を平坦化する効果と、IR寿命を向上させる効果とを示す。なお、第3副成分中における各酸化物の構成比率は任意である。
第4副成分(Rの酸化物)は、キュリー温度を低温側へシフトさせる効果と、容量温度特性を平坦化する効果とを示す。
前記第1誘電体粒子221および第2誘電体粒子222の組成は、特に限定されず、第1誘電体粒子と第2誘電体粒子の組成が同一であってもよいし、多少異なっていてもよいが、同一であることが好ましい。
積層セラミックコンデンサの製造方法
本発明の実施形態に係る積層セラミックコンデンサは、従来の積層セラミックコンデンサと同様に、ペーストを用いた通常の印刷法やシート法によりグリーンチップを作製し、これを焼成した後、外部電極を印刷または転写して焼成することにより製造される。以下、製造方法について具体的に説明する。
(内部電極層用ペースト)
本発明の実施形態に係る内部電極層用ペーストは第1セラミック粒子と導電性粒子とを含み、第1セラミック粒子および導電性粒子を有機ビヒクルまたは水系ビヒクルとともに混練することにより塗料化して調整される。
内部電極層用ペーストに含有される第1セラミック粒子としては、特に限定されないが、粒径は、好ましくは0.05μm〜2.00μm、より好ましくは0.05μm〜1.00μmである。
前記導電性粒子としては、特に限定されないが、焼成後に上記した導電材となる各種導電性金属、合金、各種酸化物、有機金属化合物、レジネート等が挙げられる。たとえば、主成分をNiとした粒子を使用する場合には、好ましくはNi含有量が90重量%以上の粒子、より好ましくはNi含有量が95重量%以上の粒子を使用する。なお、導電性粒子の粒径は、好ましくは0.1μm〜0.7μm、より好ましくは0.1μm〜0.3μmである。
有機ビヒクルとは、樹脂を有機溶剤中に溶解したものである。有機ビヒクルに用いる樹脂は特に限定されず、エチルセルロース、ポリビニルブチラール等の通常の各種樹脂から適宜選択すればよい。また、用いる有機溶剤も特に限定されず、印刷法やシート法など、利用する方法に応じて、テルピネオール、ブチルカルビトール、アセトン、トルエン等の各種有機溶剤から適宜選択すればよい。
また、水系ビヒクルに用いる水溶性樹脂も特に限定されず、例えば、ポリビニルアルコール、セルロース、水溶性アクリル樹脂などを用いればよい。
(誘電体層用ペースト)
本発明の実施形態に係る誘電体層用ペーストは、第2セラミック粒子を含み、第2セラミック粒子を前記有機ビヒクルまたは前記水系ビヒクルとともに混練することにより塗料化して調整される。
前記第2セラミック粒子の粒径は、好ましくは0.15μm〜0.5μmであり、より好ましくは0.2μm〜0.3μmである。前記第2セラミック粒子の組成は、特に限定されないが、例えば、焼成後に上記した第1誘電体粒子または第2誘電体粒子となるような組成が挙げられる。
また、第2セラミック粒子は例えば、上記した第1誘電体粒子または第2誘電体粒子の主成分または副成分の酸化物やその混合物、複合酸化物を混合することにより得られるが、その他、焼成により上記した酸化物や複合酸化物となる各種化合物、例えば、炭酸塩、シュウ酸塩、硝酸塩、水酸化物、有機金属化合物等から適宜選択し、混合することによっても得られる。
なお、上記の第2セラミック粒子を得る方法と同様にして、第1セラミック粒子も得ることができる。第1セラミック粒子の組成は特に限定されず、第2セラミック粒子と同一の組成であっても、異なっていてもよい。例えば、第1セラミック粒子は上記した第1誘電体粒子または第2誘電体粒子の主成分または副成分のみを有するものであってもよい。
(外部電極用ペースト)
外部電極用ペーストに含有される外部電極用ペーストは、上記した導電性粉末、および有機ビヒクルを混練し、上記した内部電極層用ペーストと同様にして調製すればよい。
(グリーンチップ)
本発明の実施形態に係るグリーンチップは、グリーンシートと内部電極パターン層とを有するシートユニットを複数積層させることにより得られる。
まず、グリーンシート120は、たとえばPETフィルムなどで構成される支持体100の表面に、ドクターブレード法などで誘電体層用ペーストを塗布することにより形成される(図3a)。次いで、支持体100上に形成されたグリーンシート120の表面に、内部電極層用ペーストを所定のパターンに塗布して、内部電極パターン層130を形成し、シートユニット140を得る(図3b)。
前記グリーンシート120は、焼成後に図1に示す誘電体層20となり、内部電極パターン層130は、焼成後に図1に示す内部電極層30となる。
図3bに示す内部電極パターン層130の形成方法は、層を均一に形成できる方法であれば特に限定されず、たとえば内部電極層用ペーストを用いたスクリーン印刷法あるいはグラビア印刷法などの厚膜形成方法、あるいは蒸着、スパッタリングなどの薄膜法が例示される。
本実施形態では、グリーンシート120の表面に、内部電極パターン層130を形成した後、またはその前に、内部電極パターン層130が形成されていないグリーンシート120の表面隙間(余白パターン部分)に、内部電極パターン層130と実質的に同じ厚みの余白パターン層を形成してもよい。余白パターン層を形成するのは、グリーンシート120の上で内部電極パターン層130間に段差を生じさせないためである。
次いで、図3dに示すように、シートユニット140において内部電極パターン層130のグリーンシート120に接している面に比較して、接していない面の近傍には、前記第1セラミック粒子331を多く偏在させる。第1セラミック粒子331を多く偏在させる方法は特に限定されないが、例えば前記シートユニット140を所定の条件において乾燥させる方法がある。
まず、所定の条件において乾燥させる方法としては、前記グリーンシート120の上に内部電極パターン層130を積層したシートユニット140を、雰囲気温度を80℃以下として乾燥させることが好ましい。乾燥工程の雰囲気温度をこの範囲とすることで、比重の差により導電性粒子330と第1セラミック粒子331は分離する(図3c)。すなわち、図3cに示すように、比重の高い導電性粒子330が重力により下降する。これにより、比重の低い第1セラミック粒子331は導電性粒子330よりも上側に存在することになり、図3dに示すような第1セラミック粒子331の偏在の状態を作ることができる。
一方、乾燥工程において上記の雰囲気温度以上にすると、第1セラミック粒子331を偏在させることが困難になる傾向がある。これは、内部電極パターン層130の内部で対流が生じ、図3gに示すように、導電性粒子330と第1セラミック粒子331が分散するためであると考えられる。
また、上記乾燥工程における雰囲気温度は、より好ましくは60℃以上80℃以下である。
また、上記の所定の条件における乾燥を行う方法および遠心力を利用する方法においては、グリーンシートの上に内部電極パターン層を積層する前に、内部電極パターン層のみに対して上記の方法を施すことで第1セラミック粒子331を偏在させ、その後にこの第1セラミック粒子331が偏在した内部電極パターン層をグリーンシートの上に積層させてもよい。このようにすることで、内部電極パターン層に含まれる導電性粒子がグリーンシートに過剰に侵入するのを防ぐことができる。
第1セラミック粒子の粒径をrC1とし導電性粒子の粒径をrとしたとき、好ましくはrC1はrより小さく、より好ましくは、0.15≦rC1/r≦0.7であり、さらに好ましくは0.25≦rC1/r≦0.5である。
第1セラミック粒子の粒径が導電性粒子の粒径に比べて小さいことで、導電性粒子間に生じる隙間に第1セラミック粒子が入り込むことができる。このため、上記した、所定の条件における乾燥を行う方法または遠心力を利用する方法のような比重の差による分離を行う場合に分離効率が高くなる。
上記の工程により得られたシートユニット140を複数積層することにより積層体150を得て(図3e、図3f)、積層体150を格子状に切断することによりグリーンチップが複数形成される。
(グリーンチップの焼成)
グリーンチップはバレル研磨等された後、水で洗浄され、乾燥され、焼成される。なお、焼成前に、グリーンチップに脱バインダ処理を施す。脱バインダ処理は、内部電極層用ペースト中の導電材の種類に応じて適宜決定されればよいが、導電材としてNiやNi合金等の卑金属を用いる場合、脱バインダ雰囲気中の酸素分圧を10−45〜10Paとすることが好ましい。酸素分圧が前記範囲含まれると、脱バインダ効果が上がり、内部電極層の酸化が低減される傾向にある。
また、上記以外の脱バインダ条件としては、昇温速度を好ましくは5〜300℃/時間、保持温度を好ましくは180〜800℃、温度保持時間を好ましくは0〜24時間とする。また、焼成雰囲気は、空気もしくは還元性雰囲気とすることが好ましく、還元性雰囲気における雰囲気ガスとしては、たとえばNとHとの混合ガスを加湿して用いることが好ましい。
また、焼成時の保持温度は、好ましくは1100〜1400℃である。保持温度が前記範囲に含まれることにより、緻密化が十分になり、内部電極層の異常焼結による電極の途切れを防ぐことができる。
還元性雰囲気中で焼成した場合、コンデンサ素子本体にはアニールを施すことが好ましい。アニールは、誘電体層を再酸化するための処理であり、これによりIR寿命を著しく長くすることができるので、信頼性が向上する。アニールの際の雰囲気中の酸素分圧を0.1Pa以上、保持温度を1100℃以下、保持時間を0〜20時間、冷却速度を50〜500℃/時間とすることが好ましい。また、アニールの雰囲気ガスとしては、たとえば、加湿したNガス等を用いることが好ましい。
脱バインダ処理、焼成およびアニールは、連続して行なっても、独立に行なってもよい。
上記のようにして得られた素子本体に、例えばバレル研磨やサンドブラストなどにより端面研磨を施し、外部電極用ペーストを印刷または転写して焼成し、外部電極4を形成する。外部電極用ペーストの焼成条件は、例えば、加湿したNとHとの混合ガス中で600〜800℃ にて10分間〜1時間程度とすることが好ましい。そして、必要に応じ、外部電極4 表面に、めっき等により被覆層を形成する。
このようにして製造された本発明の実施形態に係る積層セラミックコンデンサは、ハンダ付等によりプリント基板上などに実装され、各種電子機器等に使用される。
本実施形態では誘電体層20と内部電極層30がこのような構成をとることにより、図2に示すように、粒径の大きな第1誘電体粒子221が誘電体層20と内部電極層30との間でアンカーとしての役割を果たし、誘電体層20と内部電極層30との接着強度を向上させることができる。
また、第1誘電体粒子221よりも粒径の第2誘電体粒子222で構成される第2セラミック層22が存在することにより、電子部品の高温負荷寿命を向上させることができる。
本発明の実施形態に係る積層セラミックコンデンサの製造方法では、図3dに示すように、シートユニット140において内部電極パターン層120のグリーンシートに接している面に比較して、接していない面の近傍には前記第1セラミック粒子331が多く偏在している。
シートユニット140がこのような構成をとることにより、図3eに示すように、シートユニットを複数積層した際、例えば内部電極パターン層130Aに含まれる第1セラミック粒子331Aと、内部電極パターン層130Aと接するシートユニット140Bのグリーンシート120Bに含まれる第2セラミック粒子322Bとが接触する。そうすると、グリーンチップの焼成の際に第2セラミック粒子322Bは第1セラミック粒子331Aの存在により粒成長し、図2に示す第1誘電体粒子221となる。
また、第2セラミック粒子の粒径をrC2としたとき、好ましくは第1セラミック粒子の粒径rC1はrC2より小さく、より好ましくは、0.15≦rC1/rC2≦0.75であり、さらに好ましくは0.3≦rC1/rC2≦0.5である。
第1セラミック粒子の粒径rC1が第2セラミック粒子の粒径rC2に比べて小さいことで、第2セラミック粒子が第1セラミック粒子に接触しやすく、第2セラミック粒子が粒成長を促進させる効果が高まる。
以上、本発明の実施形態について説明してきたが、本発明はこうした実施形態に何等限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々なる態様で実施し得ることは勿論である。
たとえば、上述した実施形態では、電子部品として積層セラミックコンデンサを例示したが、本発明の実施形態に係る電子部品としては、積層セラミックコンデンサに限定されず、誘電体層および内部電極層を有する電子部品であれば何でも良い。また、第1セラミック粒子および第2セラミック粒子としてはEIA規格のX8R特性、X7R特性、X5R特性を満足する誘電体原料が例示されるが、特に限定されない。
試料1
(第1セラミック粒子および第2セラミック粒子)
まず、第1セラミック粒子および第2セラミック粒子を作製するための出発原料として、焼成後の組成が、主成分であるBaTiO 100モルに対して、MgO1モル、(Ba0.6Ca0.4)SiO:3モル、V:0.1モル、Y:2モル、MnO:0.374モル、となるように配合して、ボールミルにより1 6 時間湿式混合し、乾燥させ第1セラミック粒子と第2セラミック粒子の原料粒子(以下、セラミック原料粒子という)を得た。
(内部電極層用ペースト)
得られたセラミック原料粒子をボールミルで15時間、湿式粉砕し、乾燥し、0.1μmの第1セラミック粒子を得た。次いで、平均粒径が0.4μmのNi粒子100重量部に対して、第1セラミック粒子を20重量部と、有機ビヒクル(エチルセルロース8重量部をブチルカルビトール92重量部に溶解したもの)40重量部と、ブチルカルビトール10重量部と、を3本ロールにより混練してペースト化し内部電極層用ペーストを得た。
(誘電体層用ペースト)
得られたセラミック原料粒子をボールミルで15時間、湿式粉砕し、乾燥し、0.25μmの第2セラミック粒子を得た。次いで、これらと、アクリル樹脂4.8 重量部と、酢酸エチル100重量部と、ミネラルスピリット6重量部と、トルエン4重量部とをボールミルで混合してペースト化し、誘電体層用ペーストを得た。
(外部電極用ペースト)
平均粒径0.5μmのCu粒子100重量部と、有機ビヒクル(エチルセルロース樹脂8重量部をブチルカルビトール92重量部に溶解したもの)35重量部及びブチルカルビトール7重量部とを混練してペースト化し、外部電極用ペーストを得た。
(積層体製造工程)
得られた誘電体層用ペーストを用いて、PETフィルム上に、ドクターブレード法によりシート成形を行い、乾燥することにより、グリーンシートを形成した。このとき、グリーンシートの厚みは、3.0μmとした。この上に内部電極層用ペーストを印刷することによりシートユニットを得た後、PETフィルムからシートユニットを剥離した。次いで、これらのシートユニットを複数積層することにより積層体を得た。シートユニットの積層数は200層であった。
次いで、積層体を所定サイズに切断しグリーンチップを得た後、脱バインダ処理、焼成及びアニールを行って、コンデンサ素子本体を得た。
脱バインダ処理は、昇温時間15℃/時間、保持温度280℃、保持時間2時間、空気雰囲気の条件で行った。
焼成は、昇温速度200℃/時間、保持温度1260〜1340℃、保持時間2時間、冷却速度300℃/時間、加湿したN2+H2混合ガス雰囲気(酸素分圧は10−6Pa)の条件で行った。
アニールは、保持温度1200℃、温度保持時間2時間、冷却速度300℃/時間、窒素雰囲気の条件で行った。なお、脱バインダ処理及び焼成の際の雰囲気ガスの加湿には、水温を35℃としたウェッターを用いた。
(外部電極の形成)
このようにして得た素子本体に、サンドブラスト等にて端面研磨を施し、外部電極としてCuを塗布し、外部電極6,8を形成することによりコンデンサ試料を得た。
得られたコンデンサ試料のサイズは、1.6mm×0.8mm×0.8mmであり、内部電極層に挟まれた誘電体層の数は200であり、1層あたりの誘電体層の厚み(層間厚み)は、2μm、第1セラミック層の厚み(t1)は0.32μm、第2セラミック層の厚み(t2)は1.68μm、内部電極層の厚みは0.9μmであった。
本発明の実施例では、以下に示す方法により、素子本体の機械的強度として抗折強度を測定し、コンデンサ試料の高温負荷寿命の評価を行った。結果を表1に示す。
(抗折強度)
抗折強度はJIS−R1601に規定される3点式測定法に準拠して以下のとおり測定した。まず、コーナーに幅W1の段を設けた一対の治具44を幅W2の間隔で置いた。そして、図4に示すように素体本体42を治具44の段部分に置いた。その後、幅:2.0mm、底面の曲率半径:0.5mmの荷重46により速度30mm/minで素体本体42を加圧し、破壊した時点の荷重圧力を求めた。荷重圧力は単位[N]で表され、本実施例では、65N以上を良好とし、80N以上を好ましい範囲とした。
(高温負荷寿命)
コンデンサ試料に対し、160℃で10V/μmの直流電圧の印加状態に保持することにより、高温負荷寿命を測定した。本実施例では印加開始から抵抗が一桁落ちるまでの時間を寿命と定義し、これを10個のコンデンサ試料に対して行い、その平均寿命時間を算出した。本実施例では、20時間以上を良好とした。
試料2〜8
第1セラミック粒子の粒径rC1および第2セラミック粒子の粒径rC2を変えた以外は試料1と同様にして素子本体およびコンデンサ試料を作成し、抗折強度および高温負荷寿命を測定した。結果を表1に示す。
試料11〜13
第1セラミック粒子の粒径rC1、内部電極層用ペーストに含まれる第1セラミック粒子の含有量およびシートユニットの乾燥温度を表2に示すものとした以外は試料1と同様にして素子本体およびコンデンサ試料を作成し、抗折強度および高温負荷寿命を測定した。結果を表2に示す。
試料21〜25
第1セラミック粒子の粒径rC1、内部電極層用ペーストに含まれる第1セラミック粒子の含有量を表3に示すものとした以外は試料1と同様にして素子本体およびコンデンサ試料を作成し、抗折強度および高温負荷寿命を測定した。結果を表3に示す。
Figure 2011210874
Figure 2011210874
Figure 2011210874
試料1〜7
試料1〜7より、第1誘電体粒子を有する場合は(試料1、3〜7)、第1誘電体粒子を有しない場合(試料2)に比べて抗折強度が高くなることが確認できた。
また、t1/(t1+t2)が、0.160≦t1/(t1+t2)≦0.275の範囲に含まれる場合には(試料1、3〜5)、抗折強度および高温負荷寿命が良好なものとなることが確認できた。
試料11〜13
試料11〜13より、乾燥温度が80℃以下の場合には(試料11、13)、乾燥温度が80℃を超える場合(試料11)に比べて抗折強度が高くなることが確認できた。これは、乾燥温度が80℃を超えると、内部電極パターン層130において対流が起こり、乾燥時間を設けても、図3gに示すように第1セラミック粒子は偏在せず、内部電極パターン層中に平均的に存在することにより、第1誘電体粒子が形成されないためであると考えられる。
試料21〜25
試料21〜25より、内部電極層用ペーストに含まれる導電性粒子を100重量部としたときの内部電極層用ペーストに含まれる第1セラミック粒子の含有量が10〜20重量部の範囲に含まれる場合には(試料22〜24)、第1セラミック粒子の含有量が当該範囲から外れる場合(試料21、25)に比べて抗折強度および高温負荷寿命が良好なものとなることが確認できた。これより、第1セラミック粒子が少なすぎると(試料21)、第1誘電体粒子が形成されず、このため、抗折強度が低下すると考えられる。また、第1セラミック粒子が多すぎると(試料25)、第1セラミック層の厚みが第2セラミック層の厚みより厚くなりすぎ、このため、高温負荷寿命が低下すると考えられる。
1… 積層セラミックコンデンサ
10… 素子本体
20… 誘電体層
21… 第1セラミック層
22… 第2セラミック層
30… 内部電極層
4… 外部電極
221… 第1誘電体粒子
222… 第2誘電体粒子
230… 導電材
100… 支持体
120,120A,120B,120C… グリーンシート
130,130A,130B,130C… 内部電極パターン層
322,322A,322B,322C… 第2セラミック粒子
330,330A,330B,330C… 導電性粒子
331,331A,331B,331C… 第1セラミック粒子
140,140A,140B,140C… シートユニット
150… 積層体
42… 素体本体
44… 治具
46… 荷重

Claims (9)

  1. 内部電極層と誘電体層とが交互に複数積層された電子部品であって、
    前記内部電極層の積層方向の一端面で接している第1誘電体粒子の粒径が、前記内部電極層の積層方向の他端面で接している第2誘電体粒子の粒径より大きく、
    前記第1誘電体粒子により形成される第1セラミック層は前記第2誘電体粒子により形成される第2セラミック層に比べ厚みが小さいことを特徴とする電子部品。
  2. 前記第1セラミック層の厚みをt1、第2セラミック層の厚みをt2としたとき、0.160≦t1/(t1+t2)≦0.275である請求項1に記載の電子部品。
  3. 前記第1誘電体粒子の粒径をr1、前記第2誘電体粒子の粒径をr2としたとき、r1/r2≦2.17である請求項1または2に記載の電子部品。
  4. 前記第1セラミック層は、積層方向に存在する単一の前記第1誘電体粒子が平面上に並んで構成される請求項1〜3のいずれかに記載の電子部品。
  5. 前記電子部品が積層セラミックコンデンサである請求項1〜4のいずれかに記載の電子部品。
  6. 第1セラミック粒子と導電性粒子とを含む内部電極層用ペーストを準備する工程と、
    第2セラミック粒子を含む誘電体層用ペーストを準備する工程と、
    前記誘電体層用ペーストを支持体に塗布することでグリーンシートを得る工程と、
    前記グリーンシート上に内部電極パターン層が形成されたシートユニットを得る工程と、
    前記シートユニットを積層しグリーンチップを得る工程と、
    前記グリーンチップを焼成し素子本体を得る工程と、を有し、
    前記シートユニットに形成された内部電極パターン層のグリーンシートに接している面に比較して、接していない面の近傍には前記第1セラミック粒子が多く偏在していることを特徴とする電子部品の製造方法。
  7. さらに、前記シートユニットを80℃以下で乾燥する工程を有する請求項6に記載の電子部品の製造方法。
  8. 前記内部電極パターン層に含まれる導電性粒子の含有量を100重量部としたとき、内部電極パターン層に含まれる前記第1セラミック粒子の含有量が10〜20重量部である請求項6または7に記載の電子部品の製造方法。
  9. 前記電子部品が積層セラミックコンデンサである請求項6〜8のいずれかに記載の電子部品の製造方法。
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