JP2011163967A - 加速度センサ - Google Patents
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- 230000001133 acceleration Effects 0.000 title claims abstract description 283
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 209
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 claims abstract description 203
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 135
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 55
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 23
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 16
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 description 13
- 230000008569 process Effects 0.000 description 12
- 239000005360 phosphosilicate glass Substances 0.000 description 11
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 8
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 7
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 7
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 7
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 7
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 3
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000011982 device technology Methods 0.000 description 1
- 230000004069 differentiation Effects 0.000 description 1
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
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- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
【解決手段】加速度センサ100は、基板1と、基板1に対して基板1の厚み方向に変位可能に基板1の表面に支持され、かつ可動電極7を有する変位部材3と、可動電極7と対向するよう配置され、かつ可動電極7との間に静電力を発生させるための固定電極6とを備え、加速度が小さい域では、変位部材3が基板1の厚み方向に変位しても可動電極7と固定電極6との対向面積が一定であり、かつ加速度が大きい域で変位部材3が基板1の厚み方向に変位すると可動電極7と固定電極6との対向面積が変化するよう構成されている。
【選択図】図1
Description
(実施の形態1)
最初に本発明の実施の形態1の加速度センサの構成について説明する。
上記の本実施の形態の加速度センサ100の構造は、たとえば、シリコン基板上に成膜、パターニング、エッチング、平坦化といったプロセスを繰り返し行う、いわゆる半導体微細加工技術、MEMSデバイス技術によって製造可能である。固定電極6の高さと可動電極7の高さが異なる構造については、3段階の成膜、パターニング、エッチングにより製造可能である。
本実施の形態の加速度センサでは、たとえば固定部材2とアンカー部材5との間に一定の直流電圧が印加されることにより、印加される加速度が大きい域すなわち変位部材3の変位が大きい域で、固定電極6と可動電極7との電位差による静電力に起因する復元力が得られる。これにより、等価的に梁部材4の復元力を増加すなわち剛性を高めることにより、印加される加速度の検出範囲を広げることができる。以下、詳細に説明する。
本実施の形態の加速度センサ100によれば、加速度が小さい域では、変位部材3が基板1の厚み方向に変位しても可動電極7と固定電極6との対向面積が一定であり、かつ加速度が大きい域で変位部材3が基板1の厚み方向に変位すると可動電極7と固定電極6との対向面積が変化する。このため、可動電極7と固定電極6との対向面積の変化による静電容量Ciの変化に応じて発生する静電力Feleを加速度が小さい域で一定にし、加速度が大きい域で大きくすることができる。
本発明の実施の形態2の加速度センサは、実施の形態1の加速度センサと比較して、可動電極および固定電極の構成が主に異なっている。
本実施の形態の加速度センサ100によれば、複数の可動電極部71および複数の固定電極部61は、互いに対向するように配置された可動電極部71と固定電極部61との組Pを複数個有している。そして、加速度が小さい域では、変位部材3が基板1の厚み方向に変位しても複数個の組Pの可動電極部71と固定電極部61との対向面積の合計が一定であり、かつ加速度が大きい域で変位部材3が基板1の厚み方向に変位すると複数個の組Pの可動電極部71と固定電極部61との対向面積の合計が変化する。
本発明の実施の形態3の加速度センサは、実施の形態1の加速度センサと比較して、変位部材の構成が主に異なっている。
図36を参照して、本実施の形態の加速度センサ100に対して検出軸DA方向の加速度AZが印加されると、ねじれ梁33が変形し、加速度AZによってねじれ梁33を除く変位部材3に働く力とねじれ梁33の復元力とがつりあう位置に慣性質量体31が変位する。慣性質量体31は、加速度AZの方向と反対方向に変位する。
本実施の形態の加速度センサ100によれば、変位部材3は、基板1に支持され、かつねじれ軸線Tを中心としてねじれるねじれ梁33と、ねじれ軸線Tを中心に回転可能なようにねじれ梁33に支持された検出フレーム部32と、平面視においてねじれ軸線Tからずれた仮想線L上の位置において検出フレーム部32に支持されたリンク梁34と、基板1に対して基板1の厚み方向に変位可能にリンク梁34に支持され、かつ可動電極7を有する慣性質量体31とを含んでいる。
本発明の実施の形態4の加速度センサは、実施の形態1の加速度センサと比較して、変位部材の構成が主に異なっている。
図41を参照して、本実施の形態の加速度センサ100に対して検出軸DA方向の加速度AZが印加されると、ねじれ梁33が変形し、加速度AZによってねじれ梁33を除く変位部材3に働く力とねじれ梁33の復元力とがつりあう位置に慣性質量体31が変位する。慣性質量体31は、加速度AZの方向と反対方向に変位する。
本実施の形態の加速度センサ100によれば、変位部材3は、基板1に支持され、かつねじれ軸線Tを中心としてねじれるねじれ梁33と、ねじれ軸線Tを中心に回転可能なようにねじれ梁33に支持され、かつ可動電極7を有する検出フレーム部32と、平面視においてねじれ軸線Tからずれた仮想線L上の位置において検出フレーム部32に支持されたリンク梁34と、基板1に対して基板1の厚み方向に変位可能にリンク梁34に支持された慣性質量体31とを含んでいる。
本発明の実施の形態5の加速度センサは、実施の形態1の加速度センサと比較して、慣性質量体を基板に対して移動させるための電圧印加電極をさらに備えている点で主に異なっている。
本発明の実施の形態6の加速度センサは、実施の形態4の加速度センサと比較して、固定電極および可動電極の構成が主に異なっている。
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることを意図される。
Claims (13)
- 基板と、
前記基板に対して前記基板の厚み方向に変位可能に前記基板の表面に支持され、かつ可動電極を有する変位部材と、
前記可動電極と対向するよう配置され、かつ前記可動電極との間に静電力を発生させるための固定電極とを備え、
加速度が小さい域では、前記変位部材が前記基板の厚み方向に変位しても前記可動電極と前記固定電極との対向面積が一定であり、かつ
加速度が大きい域で前記変位部材が前記基板の厚み方向に変位すると前記可動電極と前記固定電極との対向面積が変化するよう構成されている、加速度センサ。 - 前記可動電極の前記基板の厚み方向の寸法と前記固定電極の前記基板の厚み方向の寸法とが異なる大きさに構成されている、請求項1に記載の加速度センサ。
- 前記可動電極は、互いに分離された複数の可動電極部を含み、
前記固定電極は、互いに分離された複数の固定電極部を含み、
複数の前記可動電極部および複数の前記固定電極部は、互いに対向するように配置された前記可動電極部と前記固定電極部との組を複数個有し、
加速度が小さい域では、前記変位部材が前記基板の厚み方向に変位しても複数個の前記組の前記可動電極部と前記固定電極部との対向面積の合計が一定であり、かつ
加速度が大きい域で前記変位部材が前記基板の厚み方向に変位すると複数個の前記組の前記可動電極部と前記固定電極部との対向面積の合計が変化するよう構成されている、請求項1に記載の加速度センサ。 - 複数個の前記組は、加速度が小さい域において、前記可動電極部が前記基板の厚み方向に変位することによって
前記可動電極部と前記固定電極部との対向面積が大きくなる組と、
前記可動電極部と前記固定電極部との対向面積が小さくなる組とを有している、請求項3に記載の加速度センサ。 - 前記可動電極部と前記固定電極部との前記基板の厚み方向の寸法が同一であり、
複数個の前記組は、
前記基板に対して前記可動電極部が前記固定電極部より下に位置するよう構成された第1の組と、
前記基板に対して前記可動電極部が前記固定電極部より上に位置するよう構成された第2の組とを有している、請求項4に記載の加速度センサ。 - 前記変位部材は、
前記基板に支持された梁部材と、
前記基板に対して前記基板の厚み方向に変位可能に前記梁部材に支持され、前記可動電極を有する慣性質量体とを含んでいる、請求項1〜5のいずれかに記載の加速度センサ。 - 前記変位部材は、
前記基板に支持され、かつねじれ軸線を中心としてねじれるねじれ梁と、
前記ねじれ軸線を中心に回転可能なように前記ねじれ梁に支持された検出フレーム部と、
平面視において前記ねじれ軸線からずれた仮想線上の位置において前記検出フレーム部に支持されたリンク梁と、
前記基板に対して前記基板の厚み方向に変位可能に前記リンク梁に支持され、かつ前記可動電極を有する慣性質量体とを含んでいる、請求項1〜5のいずれかに記載の加速度センサ。 - 前記変位部材は、
前記基板に支持され、かつねじれ軸線を中心としてねじれるねじれ梁と、
前記ねじれ軸線を中心に回転可能なように前記ねじれ梁に支持され、かつ前記可動電極を有する検出フレーム部と、
平面視において前記ねじれ軸線からずれた仮想線上の位置において前記検出フレーム部に支持されたリンク梁と、
前記基板に対して前記基板の厚み方向に変位可能に前記リンク梁に支持された慣性質量体とを含んでいる、請求項1〜5のいずれかに記載の加速度センサ。 - 前記可動電極の前記基板とは反対側の端面および前記固定電極の前記基板とは反対側の端面の前記基板に対する高さが同一の高さになるよう構成されており、
前記変位部材と対向するように前記基板の上に形成され、かつ前記変位部材を前記基板に対して前記基板の厚み方向に移動させるために電圧を印加される電圧印加電極をさらに備えた、請求項1〜8のいずれかに記載の加速度センサ。 - 前記可動電極と前記固定電極とは前記基板の前記表面に沿う方向に対向するよう配置されている、請求項1〜9のいずれかに記載の加速度センサ。
- 前記変位部材と対向するよう前記基板の前記表面上に配置され、かつ前記変位部材と静電容量を構成する検出電極をさらに備えた、請求項1〜10のいずれかに記載の加速度センサ。
- 基板と、
前記基板に対して前記基板の厚み方向に変位可能に前記基板の表面に支持され、かつ可動電極を有する変位部材と、
前記可動電極と対向するよう配置され、かつ前記可動電極との間に静電力を発生させるための固定電極とを備え、
前記可動電極は、互いに分離された複数の可動電極部を含み、
前記固定電極は、互いに分離された複数の固定電極部を含み、
複数の前記可動電極部および複数の前記固定電極部は、互いに対向するように配置された前記可動電極部と前記固定電極部との組を少なくとも2個有し、
複数の前記可動電極部の全ての前記基板とは反対側の端面および複数の前記固定電極部の全ての前記基板とは反対側の端面の前記基板に対する高さ、および複数の前記可動電極部の全ての前記基板側の端面および複数の前記固定電極部の全ての前記基板側の端面の前記基板に対する高さのいずれかが同一の高さになるよう構成されており、
複数個の前記組は、加速度が小さい域において、前記変位部材が前記基板の厚み方向に変位すると少なくとも2個の前記組のうち、一方の前記組の前記可動電極部と他方の前記組の前記可動電極部とが前記基板の厚み方向に互いに反対方向に変位することによって、加速度が小さい域において、一方の前記組では前記可動電極部と前記固定電極部との対向面積が一定となり、かつ他方の前記組では前記可動電極部と前記固定電極部との対向面積が変化するよう構成されており、
加速度が小さい域では、加速度が大きい域と比較して複数個の前記組の前記可動電極部と前記固定電極部との間の静電力の合計の変化が小さくなるよう構成されている、加速度センサ。 - 前記変位部材は、
前記基板に支持され、かつねじれ軸線を中心としてねじれるねじれ梁と、
前記ねじれ軸線を中心に回転可能なように前記ねじれ梁に支持され、かつ前記可動電極を有する検出フレーム部と、
平面視において前記ねじれ軸線からずれた仮想線上の位置において前記検出フレーム部に支持されたリンク梁と、
前記基板に対して前記基板の厚み方向に変位可能に前記リンク梁に支持された慣性質量体とを含んでいる、請求項12に記載の加速度センサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010027728A JP5352865B2 (ja) | 2010-02-10 | 2010-02-10 | 加速度センサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010027728A JP5352865B2 (ja) | 2010-02-10 | 2010-02-10 | 加速度センサ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011163967A true JP2011163967A (ja) | 2011-08-25 |
JP5352865B2 JP5352865B2 (ja) | 2013-11-27 |
Family
ID=44594814
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010027728A Active JP5352865B2 (ja) | 2010-02-10 | 2010-02-10 | 加速度センサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5352865B2 (ja) |
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- 2010-02-10 JP JP2010027728A patent/JP5352865B2/ja active Active
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JP5352865B2 (ja) | 2013-11-27 |
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