WO2009099123A1 - 物理量センサ及びその製造方法 - Google Patents
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- G01P15/125—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values by capacitive pick-up
Definitions
- the present invention relates to a physical quantity sensor such as an acceleration sensor formed using MEMS (Micro Electro Mechanical System) technology.
- MEMS Micro Electro Mechanical System
- an acceleration sensor formed using an SOI substrate includes a movable portion that is displaced by acceleration on an SOI layer (active layer) located above the support substrate, a detection unit that measures the displacement of the movable portion, and the like. Is provided.
- the detection unit is formed of a comb-like electrode structure including a movable electrode and a fixed electrode, and detects the displacement of the movable unit by a change in capacitance.
- the present invention is to solve the above-described conventional problems, and in particular, to provide a physical quantity sensor capable of increasing the detection accuracy in a structure in which the movable portion is translated in the height direction. Yes.
- Another object of the present invention is to provide a method of manufacturing a physical quantity sensor that can easily and appropriately form a comb-like electrode structure in which the movable electrode and the fixed electrode are displaced in the height direction.
- the physical quantity sensor according to the present invention is configured to detect a displacement of the movable substrate based on a change in capacitance, a support substrate, a movable portion positioned above the support substrate and supported so as to be movable in parallel in a height direction.
- a first detection unit and a second detection unit Each of the first detection unit and the second detection unit includes a movable electrode and a fixed electrode arranged alternately in a plane, the movable electrode is formed integrally with the movable unit, and the fixed electrode is the movable It is formed separately from the electrode, In an initial state, at least one of the upper surface or the lower surface of the movable electrode and the fixed electrode is disposed so as to be displaced in the height direction, and the displacement direction of the first movable electrode with respect to the first fixed electrode constituting the first detector The shift direction of the second movable electrode with respect to the second fixed electrode constituting the second detection unit is opposite to that of the second detection electrode.
- the lower surfaces of the first movable electrode, the first fixed electrode, the second movable electrode, and the second fixed electrode are in the same position, and the first movable electrode and the second fixed electrode are
- the first fixed electrode and the second movable electrode are both formed at the same height and different height from the first movable electrode and the second fixed electrode.
- the movable range of the movable electrode can be easily increased, and the detection accuracy can be improved.
- the upper surfaces of the first movable electrode, the first fixed electrode, the second movable electrode, and the second fixed electrode are at the same position, and the first movable electrode and the second fixed electrode Are formed at the same height, while the first fixed electrode and the second movable electrode are both formed at the same height and different height from the first movable electrode and the second fixed electrode. It may be.
- the movable range of the movable electrode can be easily increased, and the detection accuracy can be improved.
- the first movable electrode, the first fixed electrode, the second movable electrode, and the second fixed electrode are all formed with the same height, and in an initial state, the upper surface of the first movable electrode
- the upper surface of the second fixed electrode is at the same position, and the upper surface of the second movable electrode and the upper surface of the first fixed electrode are at the same position and in the height direction with respect to the first movable electrode and the second fixed electrode. It is more preferable that the configuration is shifted. Thereby, the movable range of the movable electrode can be easily increased, high output can be obtained, and detection accuracy can be further improved.
- an anchor portion fixed on the support substrate that supports the movable portion and the detection portion is provided, and the anchor portion is located inside an area surrounding the outermost periphery of the movable portion. Preferably it is located.
- the physical quantity sensor manufacturing method includes a support substrate, a movable part positioned above the support substrate and supported so as to be movable up and down, and detecting displacement of the movable part based on a change in capacitance.
- a movable electrode and a fixed electrode arranged alternately in a plane, and the movable electrode formed integrally with the movable portion and the movable electrode are separated from each other.
- the fixed electrode is formed by the following steps.
- Forming irregularities in the detection portion forming region on the back surface of the silicon substrate Forming an oxide insulating layer on the back surface of the silicon substrate; Bonding the silicon substrate onto the support substrate; Removing unnecessary portions from the silicon substrate, and forming the movable electrode or the fixed electrode at a position corresponding to a concave portion or a convex portion formed on the back surface of the silicon substrate at this time; Removing the oxide insulating layer located between the movable electrode and the support substrate by etching so that the movable electrode can move in the vertical direction together with the movable portion;
- the movable electrode and the fixed electrode having different positions on the lower surface can be formed with high accuracy, and a physical quantity sensor having a comb-like electrode structure with high detection accuracy can be manufactured easily and appropriately.
- a concave portion is formed at a position where the convex portion is formed on the back surface on the upper surface of the silicon substrate, and a convex portion is formed at a position where the concave portion is formed on the back surface, and then the silicon substrate is formed. It is preferable that the movable electrode and the fixed electrode are formed by removing unnecessary portions from the substrate. Thereby, a physical quantity sensor with higher detection accuracy can be manufactured easily and appropriately.
- the oxide insulating layer is formed on the back surface of the silicon substrate by thermal oxidation. Accordingly, the oxide insulating layer can be formed with a predetermined thickness along the unevenness, and the silicon substrate can be appropriately bonded onto the support substrate.
- the movable portion that translates in the height direction is provided, Forming irregularities in each of the first detection portion formation region and the second detection portion formation region on the back surface of the silicon substrate, Unnecessary portions are removed from the silicon substrate, and at this time, the recesses (or projections) formed in the first detection unit formation region and the recesses (or projections) formed in the second detection unit formation region.
- a first movable electrode of the first detection unit and a second fixed electrode of the second detection unit are formed at corresponding positions, and a convex portion (or a concave portion) formed in the first detection unit formation region, and the first It is preferable to form the first fixed electrode of the first detection unit and the second movable electrode of the second detection unit at positions corresponding to the convex portions (or concave portions) formed in the second detection unit formation region.
- a detection unit having a structure in which the movable unit moves in parallel in the height direction can be formed appropriately and easily.
- a differential output can be appropriately obtained by the first detection portion and the second detection portion, and the detection accuracy can be increased.
- a comb-like electrode structure in which the movable electrode and the fixed electrode are displaced in the height direction can be formed easily and appropriately.
- FIG. 1A is a plan view of the acceleration sensor according to the present embodiment
- FIG. 1B is a side view of the beam portion viewed from the direction of arrow A
- FIG. 1C is a diagram in which acceleration acts in the height direction.
- FIG. 2 is an enlarged perspective view showing a part of the spring part, the beam part, and the arm part
- FIG. 3 is taken along the line BB shown in FIG. It is the fragmentary sectional view which looked at the cut surface cut
- the acceleration sensor 1 is formed using an SOI (Silicon on Insulator) substrate 2 as shown in FIG.
- the SOI substrate 2 is formed of a support substrate 3 formed of a silicon substrate, an SOI layer (active layer) 5 formed of a silicon substrate, and, for example, SiO 2 positioned between the support substrate 3 and the SOI layer 5. This is a laminated structure of the oxide insulating layer 4.
- the element portion 13 is formed in the SOI layer 5.
- a movable part (weight) 6, detection parts 61 and 62 for detecting a displacement amount of the movable part 6, and support parts 8 to 11 are formed.
- the movable portion 6 is supported by the anchor portions 21 and 23 via the support portions 8 to 11.
- the oxide insulating layer 4 shown in FIG. 3 is not formed under the movable part 6 and the detection parts 61 and 62 and is floating on the support substrate 3, but the anchor parts 21 to 24 are formed on the support substrate 3. 4 is fixedly supported.
- the movable portion 6 has a rectangular region C (indicated by a dotted line in FIG. 1 (a)) surrounding its outermost peripheral surface.
- a concave portion 7 is formed which is recessed from the position of the width center of the outermost surfaces 6a, 6b in the left-right direction (X1 direction, X2 direction) of the movable portion 6 toward the center O direction of the movable portion 6.
- two arm portions 25 and 26 extending in the X2 direction are provided from the first anchor portion 21.
- two arm portions 27 and 28 extending in the X1 direction are provided from the second anchor portion 23.
- slits 40 having a predetermined interval are formed between the arm portions 25 and 26 extending from the first anchor portion 21 in the Y1-Y2 direction.
- slits 41 with a predetermined interval are formed between the arm portions 27 and 28 extending from the second anchor portion 23 in the Y1-Y2 direction.
- These arm portions 25 to 28 may be supported on the support substrate 3 through the oxide insulating layer 4 or may be floated on the support substrate 3 after the oxide insulating layer 4 is removed. It is preferable that the elements 28 to 28 float from the support substrate 3 because the influence of the distortion can be reduced when the support substrate 3 is distorted, for example.
- the end portions of the arm portions 25 to 28 opposite to the anchor portions 21 and 23 have a width dimension W1 narrower than the width dimension W2 of the arm portions 25 to 28.
- the anchor side spring part 29 which has is linearly connected.
- the arm portions 25 to 28 are more rigid than the anchor side spring portion 29.
- the anchor side spring portion 29 has a shape in which the height dimension (thickness dimension) H1 is longer than the width dimension W1.
- the height dimension H1 of the anchor side spring portion 29 is the same as the height dimension H2 of the arm portions 25-28.
- the length dimension L2 is larger than the width dimension W1.
- the anchor side spring portion 29 has a width dimension W1 of 0.8 to 2.0 ⁇ m, a length dimension L2 of 50 to 100 ⁇ m, and a height dimension H1 of about 10 to 30 ⁇ m.
- the arm portion 25 provided in the first anchor portion 21 is parallel to the Y2 direction outside the outer peripheral surface 6 b of the movable portion 6 via the anchor-side spring portion 29.
- An extending first beam portion 30 is provided continuously.
- the arm portion 26 provided in the first anchor portion 21 is connected to the Y1 direction on the outer side of the outer peripheral surface 6b of the movable portion 6 via the anchor-side spring portion 29.
- a second beam portion 31 extending in parallel is provided continuously.
- the arm portion 27 provided in the second anchor portion 23 is parallel to the Y2 direction outside the outer peripheral surface 6a of the movable portion 6 via the anchor-side spring portion 29.
- the 3rd beam part 32 extended in this is connected. Further, as shown in FIG. 1 (a), the arm portion 28 provided in the second anchor portion 23 is connected to the Y1 direction on the outer side of the outer peripheral surface 6a of the movable portion 6 via the anchor-side spring portion 29. A fourth beam portion 33 extending in parallel is provided continuously. As shown in FIG. 1A, the rear end portions 30b to 33b of the beam portions 30 to 33 are connected to the anchor side spring portion 29.
- each of the beam portions 30 to 33 is larger than the width dimension W1 of the anchor side spring portion 29. Therefore, each of the beam portions 30 to 33 is more rigid than the anchor side spring portion 29.
- each beam part 30 to 33 is substantially the same as the height dimension H1 of the anchor side spring part 29 and the height dimension H2 of the arm part, and each beam part 30 to 33 is supported. It floats on the substrate 3.
- the length dimension L1 of each beam portion 30 to 33 is such that the tip portions 30a to 33a of each beam portion 30 to 33 are different from each corner of the movable portion 6 and X1. It is formed with a length substantially opposite in the ⁇ X2 direction.
- the distal end portions 30a to 33a of the beam portions 30 to 33 and the vicinity of the four corners of the movable portion 6 are connected via a movable portion side spring portion 34 extending linearly.
- the width dimension and height dimension (thickness dimension) of the movable part side spring part 34 are substantially the same as the width dimension W1 and the height dimension H1 of the anchor side spring part 29.
- the beam portions 30 to 33 have a width dimension W3 of 10 to 30 ⁇ m, a length dimension L1 of 300 to 600 ⁇ m, and a height dimension of about 10 to 30 ⁇ m.
- the support portion including the arm portions 25 to 28, the anchor side spring portion 29, the beam portions 30 to 33, and the movable portion side spring portion 34 is provided between the movable portion 6 and the first anchor portion 21 and the second anchor portion 23. 8 to 11 are connected.
- both the anchor side spring part 29 and the movable part side spring part 34 are difficult to bend in the height direction (thickness direction). Therefore, as shown in FIG. 1B, in the initial state where no acceleration is applied in the height direction (Z direction), the beam portions 30 to 33 are parallel to the Y1-Y2 direction and displaced in the height direction. Not.
- the beam portions 30 to 33 have high rigidity, the beam portions 30 to 33 themselves hardly bend or twist, for example, and the beam portions 30 to 33 have a rectangular parallelepiped shape, and the height of the beam portions 30 to 33 is twisted by the spring portions 29 and 34. Displace in the direction. As described above, the movable portion 6 is moved to the upper surface 3a (see FIG. 3) of the support substrate 3 by the twist of the spring portions 29 and 34 and the displacement of the tip portions 30a to 33a of the beam portions 30 to 33 in the height direction. And move downward (translate in the height direction) while maintaining a parallel state.
- slits 43 and 44 are provided at predetermined intervals from the position of the width center of the outermost peripheral surfaces 6c and 6d facing the Y1-Y2 direction of the movable part 6 toward the center O of the movable part 6. It has been.
- a space 19 having a size necessary for installing the fixed electrodes 57 and 58 constituting the detection parts 61 and 62 is provided in the movable part inside the slits 43 and 44.
- a recess 19a that is recessed in the center O direction of the movable portion 6 is formed in the space 19, and a third anchor portion 22 and a fourth anchor portion 24 are installed in the recess 19a.
- slits 54 and 55 are formed at predetermined intervals in the X1-X2 direction, respectively.
- the slits 54, 55 formed between the arm portions 50, 51 and between the arm portions 52, 53 are spatially continuous with the slits 43, 44 formed in the movable portion 6 and are opened to the outside of the movable portion 6. ing.
- the two arm portions 50 and 51 extending from the third anchor portion 22 extend in the X1 direction and the X2 direction in the space 19 formed in the movable portion 6, respectively.
- Comb-shaped first fixed electrodes 57 arranged in parallel at a predetermined interval in the X1-X2 direction are formed.
- the two arm portions 52 and 53 extending from the fourth anchor portion 24 extend in the X1 direction and the X2 direction in the space 19 formed in the movable portion 6, respectively.
- Comb-shaped second fixed electrodes 58 arranged in parallel at a predetermined interval in the X1-X2 direction are formed. Note that the arrangement of the comb electrodes is an example, and a structure in which the electrodes are arranged in the Y1-Y2 direction may be employed.
- first movable electrodes 59 that are arranged in parallel with the first fixed electrodes 57 alternately at intervals are formed integrally with the movable portion 6. Yes.
- second movable electrodes 60 arranged in parallel with the second fixed electrodes 58 alternately with a space are formed integrally with the movable portion 6. Yes.
- the first detection unit 61 is configured by the first fixed electrode 57 and the first movable electrode 59 shown in FIG. 1A, and the second fixed electrode 58 and the second movable electrode 60 shown in FIG. 2 detection part 62 is comprised.
- the movable electrodes 59 and 60 and the fixed electrodes 57 and 8 are all shown in a cross-sectional shape cut from the height direction (film thickness direction). For easy discrimination, only the movable electrodes 59 and 60 are shown by hatching.
- the lower surfaces of the first movable electrode 59, the first fixed electrode 57, the second movable electrode 60, and the second fixed electrode 58 are in the same position ( Reference position indicated by a dotted line).
- the first movable electrode 59 and the second fixed electrode 58 are formed at the same height, and the upper surface of the first movable electrode 59 and the upper surface of the second fixed electrode 58 are at the same position.
- the first fixed electrode 57 and the second movable electrode 60 are both formed at the same height, but the upper surface is at a position lower than the first movable electrode 59 and the second fixed electrode 58.
- the upper surfaces of the first movable electrode 59, the first fixed electrode 57, the second movable electrode 60, and the second fixed electrode 58 are the same in the initial state (the state where acceleration is not acting). This is a position (reference position indicated by a dotted line).
- the first movable electrode 59 and the second fixed electrode 58 are formed at the same height, and the lower surface of the first movable electrode 59 and the lower surface of the second fixed electrode 58 are at the same position.
- the first fixed electrode 57 and the second movable electrode 60 are both formed at the same height, but their lower surfaces are higher than the first movable electrode 59 and the second fixed electrode 58.
- the first movable electrode 59, the first fixed electrode 57, the second movable electrode 60, and the second fixed electrode 58 are all formed with the same height dimension (thickness dimension).
- the upper surface of the first movable electrode 59 and the upper surface of the second fixed electrode 58 are at the same position, and the upper surface of the second movable electrode 60 and the first fixed electrode.
- the upper surface of 57 is arranged at the same position and shifted to a lower position with respect to the first movable electrode 59 and the second fixed electrode 58.
- the potentials of the fixed electrodes 57 and 58 and the potentials of the movable electrodes 59 and 60 are the wiring layers 70, 71 and 72 drawn from the connection positions of the first anchor part 21, the third anchor part 22 and the fourth anchor part 24. (See FIG. 1A), respectively, and the differential output of the capacitance of the first detection unit 61 and the second detection unit 62 can be obtained. Based on this differential output, the moving distance and moving direction of the movable part 6 can be known.
- the wiring layer 70 is drawn to the outside of the element portion 13 through the slit 40 between the two arm portions 25 and 26 extending from the first anchor portion 21.
- the wiring layer 70 is formed on the oxide insulating layer 4 from the connection position with the first anchor portion 21.
- the wiring layer 71 passes through the slit 54 formed between the two arm portions 50 and 51 extending from the third anchor portion 22 and the slit 44 formed in the movable portion 6, and the element portion. 13 is pulled out to the outside.
- the wiring layer 71 is also formed, for example, on the oxide insulating layer 4 from the connection position with the anchor portion.
- the wiring layer 72 passes through the slit 55 formed between the two arm portions 52, 53 extending from the fourth anchor portion 24 and the slit 43 formed in the movable portion 6, and the element portion. 13 is pulled out to the outside.
- the wiring layer 72 is also formed, for example, on the oxide insulating layer 4 from the connection position with the anchor portion.
- a rib portion in which an SOI layer is left in the slit may be formed under each wiring layer 70 to 72, and the wiring layers 70 to 72 may be formed on the rib portion.
- FIG. 7 shows a method of manufacturing the first detection unit 61 in FIG.
- the uneven portion 80 is formed in the first detection portion formation region on the back surface of the SOI layer (silicon substrate) 5.
- the uneven portion 80 can be formed by etching.
- an uneven alignment key 81 is also formed on the back surface of the SOI layer 5.
- an oxide insulating layer (SiO 2 layer) 4 is formed on the back surface of the SOI layer 5 by thermal oxidation.
- the oxide insulating layer 4 may be formed by sputtering, CVD, or the like. However, in order to make the back surface of the SOI layer 5 a clean flat surface excluding the concave portion, the oxide insulating layer 4 is formed by thermal oxidation. Is preferred.
- the SOI layer 5 is bonded onto the support substrate 3 via the oxide insulating layer 4.
- a bonding method thermocompression bonding, room temperature bonding, or the like can be used.
- the surface of the SOI layer 5 is subjected to CMG, CMP, or CMG and CMP as necessary to adjust the SOI layer 5 to a predetermined film thickness.
- the SOI layer 5 located on the alignment key 81 is removed by etching or the like to expose the uneven alignment key 81 made of the oxide insulating layer 4.
- an uneven portion 82 is formed on the upper surface of the SOI layer 5.
- the uneven portion 82 is formed by etching.
- a recess 85 is formed at the upper surface position of the SOI layer 5 facing the protrusion 83 formed on the lower surface of the SOI layer in the thickness direction, and is formed on the lower surface of the SOI layer.
- a convex portion 86 is formed at the upper surface position of the SOI layer 5 facing the concave portion 84 in the thickness direction.
- the formation position of the uneven portion 82 formed on the upper surface of the SOI layer 5 can be adjusted with high accuracy based on the alignment key 81 exposed from the SOI layer 5.
- the unnecessary SOI layer 5 between the irregularities is removed using deep RIE (Deep RIE), and a part of the SOI layer 4 at the position corresponding to the irregularities 82 and 80 is obtained.
- the first movable electrode 59 and the first fixed electrode 57 are formed leaving In this step, the movable portion 6, the anchor portions 21 to 24, and the support portions 8 to 11 shown in FIG. 1A are left from the SOI layer 5 and other unnecessary SOI layers 5 are removed.
- the oxide insulating layer 4 between the first detection unit 61 and the support substrate 3 is removed by an isotropic etching process using wet etching or dry etching.
- an isotropic etching process using wet etching or dry etching.
- the oxide insulating layer 4 under the movable part 6 also needs to be removed, a large number of fine holes leading to the oxide insulating layer 4 are formed in the movable part 6, and the fine holes are formed.
- the oxide insulating layer 4 under the movable part 6 is also removed by isotropic etching. In this step, the oxide insulating layer 4 under the anchor portions 21 to 24 is left, and the anchor portions 21 to 24 are fixedly supported on the support substrate 3.
- the manufacturing method of the first detection unit 61 shown in FIG. 6 has been described above.
- the second detection unit 62 shown in FIG. 6 is the second movable electrode of the second detection unit 62 in the process of FIG. What is necessary is just to form so that 60 may be a layer corresponding to reference numeral 57 and the second fixed electrode 58 may be a layer corresponding to reference numeral 59.
- first detection unit 61 and the second detection unit 62 shown in FIGS. 4 and 5 are formed in accordance with the manufacturing process shown in FIG. 7, but the first detection unit 61 and the second detection unit 62 shown in FIG. In the manufacturing process, it is not necessary to form the uneven portion 80 shown in FIG. Moreover, in the manufacturing process of the 1st detection part 61 and the 2nd detection part 62 shown in FIG. 5, formation of the uneven
- a differential output can be appropriately obtained by the first detection portion 61 and the second detection portion 62, and detection accuracy can be improved. I can do it.
- the first movable electrode 59, the first fixed electrode 57, and the second movable electrode 60 and the second fixed electrode 58, which form the first detection unit 61 are formed from the same SOI layer 5. Is. That is, in order to obtain the differential output by forming the first detection unit 61 and the second detection unit 62 in the SOI layer 5 having a limited film thickness, the movable electrodes and the fixed components constituting the detection units 61 and 62 are fixed. The height dimension (film thickness) and arrangement of the electrodes are extremely important. In addition, it is necessary to be able to form the movable electrode and the fixed electrode with the simplest possible manufacturing method and with high accuracy.
- the first movable electrode 59 and the second fixed electrode 58 have the same height dimension (film thickness) and arrangement relationship, and the second movable electrode 60 and the first fixed electrode 57 are the same. Are in the same height dimension (film thickness) and arrangement relationship.
- the second movable electrode 60 and the first fixed electrode 57 are shifted in the height direction with respect to the first movable electrode 59 and the second fixed electrode 58.
- both the amount of displacement of the first movable electrode with respect to the fixed electrode and the amount of displacement of the second movable electrode with respect to the fixed electrode are both It must be considered that the facing area is secured and fluctuates with the fixed electrode.
- there is basically only one step between the upper surface and the lower surface of the movable electrode and the fixed electrode and by adopting such an electrode arrangement, the movable range of the movable electrodes 59 and 60 can be increased. Even if the displacement amount of the movable part 6 is increased, the displacement can be detected appropriately, and the detection accuracy can be improved.
- At least the movable electrode and the fixed electrode having different positions on the lower surface can be formed by a simple process with high accuracy, and a Z-axis detection sensor with high detection accuracy can be appropriately manufactured.
- all of the anchor portions 21 to 24 are located inside a region C surrounding the outermost periphery of the movable portion 6.
- the manufacturing method shown in FIG. 7 can be applied to a structure other than the structure in which the movable portion 6 is translated in the height direction.
- the movable part 6 has a structure in which the movable part 6 is translated in the height direction, and the first movable electrode 59 is displaced from the first fixed electrode 57 constituting the first detection part 61 by using the manufacturing method of FIG.
- a structure in which the direction and the displacement direction of the second movable electrode 60 with respect to the second fixed electrode 58 constituting the second detection unit 62 are opposite to each other can be manufactured appropriately and easily.
- acceleration sensor of the above-described embodiment is a single-axis type for Z-axis detection
- a sensor unit for X-axis detection or Y-axis detection can also be provided to form a biaxial or triaxial acceleration sensor.
- This embodiment can be applied not only to an acceleration sensor but also to an angular velocity sensor or the like.
- FIG. 1A is a plan view of the acceleration sensor according to the present embodiment
- FIG. 1B is a side view of the beam portion viewed from the direction of arrow A
- FIG. 1C is a diagram in which acceleration acts in the height direction.
- FIG. 1 is a partial cross-sectional view of a cut surface cut in a height direction along the line BB shown in FIG.
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Abstract
【課題】 特に、可動部が高さ方向に平行移動する構造のものにおいて、検出精度を高めることが出来る物理量センサを提供することを目的としている。 【解決手段】 支持基板と、支持基板の上方に位置し高さ方向に平行移動可能に支持された可動部6と、可動部の変位を静電容量変化に基づき検知するための第1検知部61及び第2検出部62とを有している。第1検出部61及び第2検出部62は共に交互に並設された可動電極と固定電極とで構成され、可動電極は可動部に一体に形成され、固定電極は前記可動電極とは分離して形成されている。初期状態では可動電極及び固定電極が高さ方向にずれて配置されており、第1検出部を構成する第1固定電極57に対する第1可動電極59のずれ方向と、第2検出部を構成する第2固定電極58に対する第2可動電極60のずれ方向とが反対方向となっている。
Description
本発明は、MEMS(微小電気機械システム:Micro ElectroMechanical System)技術を用いて形成された加速度センサ等の物理量センサに関する。
SOI基板を用いて形成された例えば加速度センサは、支持基板の上方に位置するSOI層(活性層)に、加速度を受けて変位する可動部、及び可動部の変位を測定するための検出部等が設けられる。
高さ方向(Z方向)への加速度の検知を可能とするために、Z軸方向へ加速度が作用したときに例えば可動部をシーソー動作させる構造が知られている。シーソー型では、可動部の重心からずらした位置で可動部を支持している。下記特許文献に示すように、検出部は可動電極と固定電極とを備えた櫛歯状電極構造で形成され、静電容量変化により可動部の変位を検知する。
しかし下記特許文献には、可動部が高さ方向に平行移動する構造の検知手段について具体的例示が記載されていない。
また下記特許文献には高さ寸法(膜厚)が異なる可動電極及び固定電極の具体的製造方法が開示されている。しかしながらいずれも、電極幅を可動電極と固定電極とで変え、エッチング速度差等を利用するもので、特に例えば特許文献1の図12Bから図12Cに至るリリース工程の精度を出すのが非常に難しいものと思われる。すなわち特許文献の製造方法では、所望の形状の可動電極及び固定電極を高精度に製造できないものと推測される。
特開2006-266873号公報
そこで本発明は上記従来の課題を解決するためのものであり、特に、可動部が高さ方向に平行移動する構造のものにおいて、検出精度を高めることが出来る物理量センサを提供することを目的としている。
また本発明は、可動電極及び固定電極が高さ方向にずれた櫛歯状電極構造を簡単且つ適切に形成できる物理量センサの製造方法を提供することを目的としている。
本発明における物理量センサは、支持基板と、前記支持基板の上方に位置し高さ方向に平行移動可能に支持された可動部と、前記可動部の変位を静電容量変化に基づき検知するための第1検知部及び第2検出部と、を有しており、
前記第1検出部及び第2検出部は共に平面的に交互に並設された可動電極と固定電極とで構成され、前記可動電極は前記可動部に一体に形成され、前記固定電極は前記可動電極とは分離して形成されており、
初期状態では前記可動電極及び前記固定電極の上面あるいは下面の少なくとも一方が高さ方向にずれて配置されており、前記第1検出部を構成する第1固定電極に対する第1可動電極のずれ方向と、前記第2検出部を構成する第2固定電極に対する第2可動電極のずれ方向とが反対方向となっていることを特徴とするものである。これにより可動部が高さ方向に平行移動する構造において、第1検出部と第2検出部とで差動出力を適切に得ることができ、検出精度を高めることが出来る。
前記第1検出部及び第2検出部は共に平面的に交互に並設された可動電極と固定電極とで構成され、前記可動電極は前記可動部に一体に形成され、前記固定電極は前記可動電極とは分離して形成されており、
初期状態では前記可動電極及び前記固定電極の上面あるいは下面の少なくとも一方が高さ方向にずれて配置されており、前記第1検出部を構成する第1固定電極に対する第1可動電極のずれ方向と、前記第2検出部を構成する第2固定電極に対する第2可動電極のずれ方向とが反対方向となっていることを特徴とするものである。これにより可動部が高さ方向に平行移動する構造において、第1検出部と第2検出部とで差動出力を適切に得ることができ、検出精度を高めることが出来る。
本発明では、初期状態では、前記第1可動電極、前記第1固定電極、前記第2可動電極及び前記第2固定電極の下面は同位置であり、前記第1可動電極と第2固定電極は同じ高さで形成され、一方、前記第1固定電極と前記第2可動電極は、共に同じ高さで且つ前記第1可動電極及び前記第2固定電極と異なる高さで形成されている構成であることが好ましい。これにより、可動電極の可動可能範囲を大きくしやすく、検出精度を向上させることが出来る。
また本発明では、初期状態では、前記第1可動電極、前記第1固定電極、前記第2可動電極及び前記第2固定電極の上面は同位置であり、前記第1可動電極と第2固定電極は同じ高さで形成され、一方、前記第1固定電極と前記第2可動電極は、共に同じ高さで且つ前記第1可動電極及び前記第2固定電極と異なる高さで形成されている構成であってもよい。これにより、可動電極の可動可能範囲を大きくしやすく、検出精度を向上させることが出来る。
あるいは本発明では、前記第1可動電極、前記第1固定電極、前記第2可動電極及び前記第2固定電極は全て同じ高さ寸法で形成され、初期状態では、前記第1可動電極の上面と前記第2固定電極の上面が同位置にあり、第2可動電極の上面と前記第1固定電極の上面とが同位置で且つ前記第1可動電極及び第2固定電極に対して高さ方向にずれて配置されている構成であることがより好適である。これにより、可動電極の可動可能範囲を大きくしやすく、且つ高出力を得ることができ、検出精度をより向上させることが出来る。
また本発明では、前記可動部及び前記検出部を支持する前記支持基板上に固定されたアンカ部が設けられており、前記アンカ部は、前記可動部の最外周を囲んだ領域よりも内側に位置していることが好ましい。これにより支持基板が変形してもアンカ部に接続している各素子部分に伝播される歪みの影響を小さくでき、検出精度を向上させることができる。
また本発明における物理量センサの製造方法は、支持基板と、前記支持基板の上方に位置し上下移動可能に支持された可動部と、前記可動部の変位を静電容量変化に基づき検知するための可動電極及び固定電極とが平面的に交互に並設して成る検知部と、を備え、前記可動部と一体に形成される前記可動電極と、前記可動電極とは分離して形成される前記固定電極を以下の工程を有して形成することを特徴とするものである。
シリコン基板の裏面の検知部形成領域に凹凸を形成する工程、
前記シリコン基板の裏面に酸化絶縁層を形成する工程、
前記シリコン基板を前記支持基板上に接合する工程、
前記シリコン基板から不要な部分を除去し、このとき前記シリコン基板の裏面に形成された凹部あるいは凸部に対応した位置に前記可動電極あるいは前記固定電極を形成する工程、
前記可動電極と、前記支持基板との間に位置する酸化絶縁層をエッチングにて除去して前記可動電極を前記可動部とともに上下方向に移動可能にする工程。
前記シリコン基板の裏面に酸化絶縁層を形成する工程、
前記シリコン基板を前記支持基板上に接合する工程、
前記シリコン基板から不要な部分を除去し、このとき前記シリコン基板の裏面に形成された凹部あるいは凸部に対応した位置に前記可動電極あるいは前記固定電極を形成する工程、
前記可動電極と、前記支持基板との間に位置する酸化絶縁層をエッチングにて除去して前記可動電極を前記可動部とともに上下方向に移動可能にする工程。
これにより、下面の位置が異なる可動電極及び固定電極を高精度に形成でき、検出精度の高い櫛歯状電極構造の物理量センサを簡単且つ適切に製造できる。
また本発明では、前記シリコン基板の上面に前記裏面に凸部が形成された位置には凹部を、前記裏面に凹部が形成された位置には凸部を対応させて形成し、その後、前記シリコン基板から不要な部分を除去して前記可動電極及び前記固定電極を形成することが好ましい。これにより、より検出精度に優れた物理量センサを簡単且つ適切に製造できる。
また本発明では、前記シリコン基板の裏面に熱酸化により前記酸化絶縁層を形成することが好ましい。これにより、酸化絶縁層を凹凸に沿って所定厚に形成でき、シリコン基板を支持基板上に適切に接合することが可能になる。
また本発明では、高さ方向に平行移動する前記可動部を備え、
前記シリコン基板の裏面の第1検知部形成領域と、第2検知部形成領域の夫々に凹凸を形成し、
前記シリコン基板から不要な部分を除去し、このとき前記第1検知部形成領域に形成された凹部(あるいは凸部)と、前記第2検知部形成領域に形成された凹部(あるいは凸部)に対応した位置に、第1検知部の第1可動電極と、第2検知部の第2固定電極を形成し、前記第1検知部形成領域に形成された凸部(あるいは凹部)と、前記第2検知部形成領域に形成された凸部(あるいは凹部)に対応した位置に、第1検知部の第1固定電極と、第2検知部の第2可動電極を形成することが好ましい。可動部が高さ方向に平行移動する構造の検出部を適切且つ容易に形成できる。
前記シリコン基板の裏面の第1検知部形成領域と、第2検知部形成領域の夫々に凹凸を形成し、
前記シリコン基板から不要な部分を除去し、このとき前記第1検知部形成領域に形成された凹部(あるいは凸部)と、前記第2検知部形成領域に形成された凹部(あるいは凸部)に対応した位置に、第1検知部の第1可動電極と、第2検知部の第2固定電極を形成し、前記第1検知部形成領域に形成された凸部(あるいは凹部)と、前記第2検知部形成領域に形成された凸部(あるいは凹部)に対応した位置に、第1検知部の第1固定電極と、第2検知部の第2可動電極を形成することが好ましい。可動部が高さ方向に平行移動する構造の検出部を適切且つ容易に形成できる。
本発明では、可動部が高さ方向に平行移動する構造の物理量センサにおいて、第1検出部と第2検出部とで差動出力を適切に得ることができ、検出精度を高めることが出来る。
また本発明の物理量センサの製造方法によれば、可動電極及び固定電極が高さ方向にずれた櫛歯状電極構造を簡単且つ適切に形成できる。
図1(a)は本実施形態における加速度センサの平面図、図1(b)は、矢印A方向から見たビーム部の側面図、図1(c)は、高さ方向に加速度が作用して変位したビーム部及び可動部の側面図、図2は、ばね部、ビーム部、及び腕部の一部を示す拡大斜視図、図3は図1(a)に示すB-B線に沿って高さ方向に切断した切断面を矢印方向から見た部分断面図、である。
加速度センサ1は、図3に示すようにSOI(Silicon on Insulator)基板2を用いて形成される。SOI基板2は、シリコン基板で形成された支持基板3と、シリコン基板で形成されたSOI層(活性層)5と、支持基板3とSOI層5の間に位置する例えばSiO2で形成された酸化絶縁層4の積層構造である。
図1(a)に示すようにSOI層5には素子部13が形成される。素子部13には、可動部(錘)6と、可動部6の変位量を検出するための検出部61,62、及び支持部8~11が形成される。可動部6は支持部8~11を介してアンカ部21,23に支持されている。可動部6や検出部61,62の下には図3に示す酸化絶縁層4が形成されておらず支持基板3上に浮いているがアンカ部21~24は支持基板3上に酸化絶縁層4を介して固定支持されている。
図1(a)に示す形態では、可動部6は、その最外周面を囲んだ領域C(図1(a)では点線で示す)が矩形状で形成される。可動部6の左右方向(X1方向、X2方向)の最外側面6a,6bの幅中心の位置から可動部6の中心O方向に向けて窪む凹部7が形成されている。
そして凹部7の可動部6の中心O寄りの位置に第1アンカ部21と第2アンカ部23が設けられる。
第1アンカ部21からはX2方向に延びる2本の腕部25,26が設けられる。一方、第2アンカ部23からはX1方向に延びる2本の腕部27,28が設けられる。図1(a)に示すように、第1アンカ部21から延びる腕部25,26の間にはY1-Y2方向に所定間隔のスリット40が形成されている。また同様に、第2アンカ部23から延びる腕部27,28の間にはY1-Y2方向に所定間隔のスリット41が形成されている。
これら腕部25~28は、支持基板3に酸化絶縁層4を介して支持されていてもよいし、酸化絶縁層4が除去されて支持基板3上に浮いていてもよいが、腕部25~28は支持基板3上から浮いているほうが、例えば支持基板3が歪んだときにその歪みの影響を小さくでき好適である。
図1(a)、図2に示すように、各腕部25~28のアンカ部21,23側と反対側の端部には腕部25~28の幅寸法W2よりも細い幅寸法W1を有するアンカ側ばね部29が直線的に連設されている。腕部25~28はアンカ側ばね部29よりも高剛性である。
図2に示すようにアンカ側ばね部29は、その高さ寸法(厚さ寸法)H1が、幅寸法W1に比べて長い形状である。この実施形態では、アンカ側ばね部29の高さ寸法H1は腕部25~28の高さ寸法H2と同じである。また、長さ寸法L2は幅寸法W1よりも大きい。アンカ側ばね部29の幅寸法W1は0.8~2.0μm、長さ寸法L2は、50~100μm、高さ寸法H1は10~30μm程度である。
図1(a)に示すように第1アンカ部21に設けられた腕部25には、アンカ側ばね部29を介して、可動部6の外周面6bの外側にて、Y2方向に平行に延びる第1ビーム部30が連設されている。また図1(a)に示すように、第1アンカ部21に設けられた腕部26には、アンカ側ばね部29を介して、可動部6の外周面6bの外側にて、Y1方向に平行に延びる第2ビーム部31が連設されている。また図1(a)に示すように第2アンカ部23に設けられた腕部27には、アンカ側ばね部29を介して、可動部6の外周面6aの外側にて、Y2方向に平行に延びる第3ビーム部32が連設されている。さらに図1(a)に示すように、第2アンカ部23に設けられた腕部28には、アンカ側ばね部29を介して、可動部6の外周面6aの外側にて、Y1方向に平行に延びる第4ビーム部33が連設されている。図1(a)に示すように、各ビーム部30~33の後端部30b~33b側がアンカ側ばね部29に接続される。
図1(a)、図2に示すように各ビーム部30~33の幅寸法W3は、アンカ側ばね部29の幅寸法W1よりも大きい。よって各ビーム部30~33は、アンカ側ばね部29よりも高剛性である。
各ビーム部30~33の高さ寸法(厚さ寸法)は、アンカ側ばね部29の高さ寸法H1、腕部の高さ寸法H2と略同一であり、各ビーム部30~33は、支持基板3上で浮いている。この実施形態では、図1(a)に示すように、各ビーム部30~33の長さ寸法L1は、各ビーム部30~33の先端部30a~33aが、可動部6の各角とX1-X2方向にてほぼ対向する長さで形成されている。そして、各ビーム部30~33の先端部30a~33aと可動部6の四つ角近傍間が直線的に延びる可動部側ばね部34を介して連結されている。可動部側ばね部34の幅寸法や高さ寸法(厚さ寸法)は、アンカ側ばね部29の幅寸法W1及び高さ寸法H1とほぼ同じである。ビーム部30~33の幅寸法W3は10~30μm、長さ寸法L1は、300~600μm、高さ寸法は10~30μm程度である。
このように可動部6と第1アンカ部21及び第2アンカ部23の間は、腕部25~28、アンカ側ばね部29、ビーム部30~33及び可動部側ばね部34よりなる支持部8~11により連結されている。
アンカ側ばね部29及び可動部側ばね部34は、いずれも高さ方向(厚み方向)に撓み難い。よって、図1(b)のように、高さ方向(Z方向)に加速度が作用していない初期状態では、各ビーム部30~33はY1-Y2方向に平行であり高さ方向に変位していない。
図1(b)に示す初期状態から例えば加速度に伴う力(慣性力)が可動部6に対して下方向に作用すると、可動部側ばね部34及びアンカ側ばね部29は捩れ、図1(c)に示すように、各ビーム部30~33の後端部30b~33b側を回転中心として、各ビーム部30~33の先端部30a~33bが同じ変位量にて下方向に向けて回動変位する。すなわちビーム部30~33の先端部30a~33aのほうが、後端部30b~33bよりも下方向に変位する。ビーム部30~33の剛性は高いため、ビーム部30~33自体が例えば曲がったり捩れたりはほとんどせず、ビーム部30~33は直方体形状を保ちながら、ばね部29,34の捩れにより高さ方向に変位する。このようにばね部29,34の捩れ、及び、各ビーム部30~33の先端部30a~33aの高さ方向への変位により、可動部6が、支持基板3の上面3a(図3参照)と平行な状態を維持しつつ下方向に向けて移動する(高さ方向に平行移動する)。
図1(a)に示すように、可動部6のY1-Y2方向に向く最外周面6c,6dの幅中心の位置から可動部6の中心Oに向けて所定間隔のスリット43,44が設けられている。スリット43,44よりも内側の可動部には検出部61,62を構成する固定電極57,58を設置するに必要な大きさの空間19が設けられている。
図1(a)に示すように、空間19には、可動部6の中心O方向に凹む凹部19aが形成され、この凹部19a内に、第3アンカ部22及び第4アンカ部24が設置される。第3アンカ部22からは2本の腕部50,51(兼固定電極)がY2方向に延びている。また、第4アンカ部24からは2本の腕部52,53(兼固定電極)がY1方向に延びている。腕部50,51間、及び腕部52,53間には夫々、X1-X2方向に所定間隔のスリット54,55が形成されている。腕部50、51間及び腕部52,53間に形成された各スリット54,55は、可動部6に形成されたスリット43,44と空間的に連続して可動部6の外側に開放されている。
図1(a)に示すように、第3アンカ部22から延びる2本の腕部50,51から、可動部6に形成された空間19内にて、夫々X1方向、及びX2方向に延び、X1-X2方向に所定の間隔を空けて並設された櫛歯状の第1固定電極57が形成されている。また図1(a)に示すように、第4アンカ部24から延びる2本の腕部52,53から、可動部6に形成された空間19内にて、夫々X1方向及びX2方向に延び、X1-X2方向に所定の間隔を空けて並設された櫛歯状の第2固定電極58が形成されている。なお櫛歯電極の並びは一例であり、Y1-Y2方向に並設される構造でもよい。
図1(a)に示すように、空間19内には、第1固定電極57と交互に且つ間隔を空けて並設された第1可動電極59が、可動部6と一体的に形成されている。また図1(a)に示すように空間19内には、第2固定電極58と交互に且つ間隔を空けて並設された第2可動電極60が、可動部6と一体的に形成されている。
図1(a)に示す第1固定電極57と第1可動電極59とで第1検出部61が構成され、図1(a)に示す第2固定電極58と第2可動電極60とで第2検出部62が構成される。
第1検出部61と第2検出部62の具体的構成及び検出原理を以下で説明する。
図4、図5、及び図6では、いずれも可動電極59、60及び固定電極57、8を高さ方向(膜厚方向)から切断した断面形状で示しているが、可動電極と固定電極を区別しやすいように可動電極59,60のみを斜線で示している。
図4、図5、及び図6では、いずれも可動電極59、60及び固定電極57、8を高さ方向(膜厚方向)から切断した断面形状で示しているが、可動電極と固定電極を区別しやすいように可動電極59,60のみを斜線で示している。
図4に示す実施形態では、初期状態(加速度が作用していない状態)では、第1可動電極59、第1固定電極57、第2可動電極60、第2固定電極58の下面は同位置(点線で示す基準位置)である。また第1可動電極59と第2固定電極58は同じ高さで形成され、第1可動電極59の上面と第2固定電極58の上面とは同位置である。一方、第1固定電極57と第2可動電極60は共に同じ高さで形成されるが、上面が第1可動電極59及び第2固定電極58よりも低い位置にある。
図4(a)に示すように、可動電極59、60が下方向に移動すると、第1検出部61では、第1可動電極59と第1固定電極57との対向面積は変化しないため、静電容量は変化しない。一方、第2検出部62では、第2可動電極60と第2固定電極58との対向面積が減少するため、静電容量が減少する。
次に、図4(b)に示すように、可動電極59、60が上方向に移動すると、第1検出部61では、第1可動電極59と第1固定電極57との対向面積は減少するため、静電容量は減少する。一方、第2検出部62では、第2可動電極60と第2固定電極58との対向面積が変化しないため、静電容量は変化しない。
図5に示す他の実施形態では、初期状態(加速度が作用していない状態)では、第1可動電極59、第1固定電極57、第2可動電極60、第2固定電極58の上面は同位置(点線で示す基準位置)である。また第1可動電極59と第2固定電極58は同じ高さで形成され、第1可動電極59の下面と第2固定電極58の下面とは同位置である。一方、第1固定電極57と第2可動電極60は共に同じ高さで形成されるが、下面が第1可動電極59及び第2固定電極58よりも高い位置にある。
図5(a)に示すように、可動電極59、60が下方向に移動すると、第1検出部61では、第1可動電極59と第1固定電極57との対向面積は減少するため、静電容量は減少する。一方、第2検出部62では、第2可動電極60と第2固定電極58との対向面積は変化しないため、静電容量は変化しない。
次に、図5(b)に示すように、可動電極59、60が上方向に移動すると、第1検出部61では、第1可動電極59と第1固定電極57との対向面積は変化しないため、静電容量は変化しない。一方、第2検出部62では、第2可動電極60と第2固定電極58との対向面積が減少するため、静電容量は減少する。
次に図6に示す実施形態では、第1可動電極59、第1固定電極57、第2可動電極60及び第2固定電極58は全て同じ高さ寸法(厚さ寸法)で形成される。図6(a)(b)に示すように、初期状態では、第1可動電極59の上面と第2固定電極58の上面が同位置にあり、第2可動電極60の上面と第1固定電極57の上面とが同位置で且つ第1可動電極59及び第2固定電極58に対して低い位置にずれて配置されている。
図6(a)に示すように、可動電極59、60が下方向に移動すると、第1検出部61では、第1可動電極59と第1固定電極57との対向面積は増大するため、静電容量は増大する。一方、第2検出部62では、第2可動電極60と第2固定電極58との対向面積は減少するため、静電容量は減少する。
次に、図6(b)に示すように、可動電極59、60が上方向に移動すると、第1検出部61では、第1可動電極59と第1固定電極57との対向面積は減少するため、静電容量は減少する。一方、第2検出部62では、第2可動電極60と第2固定電極58との対向面積が増大するため、静電容量は増大する。
固定電極57、58の電位、及び可動電極59、60の電位は、第1アンカ部21、第3アンカ部22及び第4アンカ部24との接続位置から引き出された配線層70,71,72(図1(a)参照)を介して夫々取り出され、第1検出部61及び第2検出部62の静電容量の差動出力を得ることが出来る。この差動出力に基づき、可動部6の移動距離及び移動方向を知ることができる。
図1(a)に示すように、配線層70は、第1アンカ部21から延びる2本の腕部25,26間のスリット40を通って素子部13の外側に引き出されている。この実施形態では、図3に示すように配線層70は、第1アンカ部21との接続位置から酸化絶縁層4上に形成されている。
また図1(a)に示すように、配線層71は、第3アンカ部22から延びる2本の腕部50,51間のスリット54及び可動部6に形成されたスリット44を通って素子部13の外側に引き出されている。この配線層71も配線層70と同様にアンカ部との接続位置から例えば酸化絶縁層4上に引き出し形成される。
また図1(a)に示すように、配線層72は、第4アンカ部24から延びる2本の腕部52,53間のスリット55及び可動部6に形成されたスリット43を通って素子部13の外側に引き出されている。この配線層72も配線層70と同様にアンカ部との接続位置から例えば酸化絶縁層4上に引き出し形成される。
また各配線層70~72の下にはスリット内にSOI層が残されたリブ部が形成され、このリブ部上に配線層70~72が形成される構成でもよい。このようにリブ部を設けることで電気的に安定して配線層70~72を形成できる。
次に、図7を用いて、可動電極及び固定電極の製造方法を説明する。図7は、図6のうち第1検出部61の製造方法を示している。
図7(a)に示す工程では、SOI層(シリコン基板)5の裏面の第1検出部形成領域に凹凸部80を形成する。凹凸部80はエッチングにて形成できる。また、SOI層5の裏面には、凹凸状のアライメントキー81も形成する。
次に、SOI層5の裏面に熱酸化により酸化絶縁層(SiO2層)4を形成する。なお、酸化絶縁層4をスパッタ法やCVD等で形成してもよいが、SOI層5の裏面を凹部の部分を除いてきれいな平坦面とするには、熱酸化により酸化絶縁層4を形成するのが好適である。
次に、図7(b)に示す工程では、SOI層5を酸化絶縁層4を介して支持基板3上に接合する。接合の方法として熱圧着や常温接合等を用いることが出来る。
図7(b)に示す工程では、必要に応じて、SOI層5の表面をCMG、あるいはCMP、又は、CMG及びCMPを施してSOI層5を所定膜厚に調整する。
次に、図7(c)に示す工程では、アライメントキー81上に位置するSOI層5をエッチング等で除去して酸化絶縁層4からなる凹凸状のアライメントキー81を露出させる。
続いて、図7(d)に示す工程では、SOI層5の上面に凹凸部82を形成する。凹凸部82をエッチングにて形成する。図7(d)に示すように、SOI層の下面に形成された凸部83と厚さ方向にて対向するSOI層5の上面位置に凹部85を形成し、SOI層の下面に形成された凹部84と厚さ方向にて対向するSOI層5の上面位置に凸部86を形成する。SOI層5の上面に形成された凹凸部82の形成位置は、SOI層5から露出しているアライメントキー81に基づき高精度に調整できる。
次に、図7(e)に示す工程では、凹凸間の不要なSOI層5をディープRIE(Deep RIE)を用いて除去し、凹凸部82,80に対応する位置のSOI層4の一部を残して、第1可動電極59及び第1固定電極57を形成する。またこの工程では、SOI層5から図1(a)に示す可動部6、アンカ部21~24、支持部8~11を残し、それ以外の不要なSOI層5を除去する。
そして図7(f)の工程では、第1検出部61と支持基板3との間にある酸化絶縁層4を、ウエットエッチングやドライエッチングによる等方性エッチング工程にて除去する。なおこの工程では、可動部6の下にある酸化絶縁層4も除去される必要があるので、可動部6には酸化絶縁層4にまで通じる多数の微細孔を形成しておき、微細孔を介して可動部6下の酸化絶縁層4も等方性エッチングで除去されるようにしておくことが好ましい。またこの工程では、アンカ部21~24の下にある酸化絶縁層4は残され、アンカ部21~24は支持基板3上に固定支持された状態を保っている。
上記では、図6に示す第1検出部61の製造方法について説明したが、図6に示す第2検出部62は、図7(e)の工程で、第2検出部62の第2可動電極60が符号57に相当する層、第2固定電極58が符号59に相当する層となるように形成すればよい。
また、図4及び図5に示す第1検出部61及び第2検出部62の形成も図7に示す製造工程に準じて行うが、図4に示す第1検出部61及び第2検出部62の製造工程では、図7(a)に示す凹凸部80の形成を必要としない。また図 5に示す第1検出部61及び第2検出部62の製造工程では、図7(d)に示す凹凸部82の形成を必要としない。
本実施形態の特徴的部分について説明する。本実施形態では、初期状態(加速度が作用していない状態)では、第1検出部61を構成する第1可動電極59と第1固定電極57の上面あるいは下面の少なくとも一方が高さ方向にずれて配置され、第2検出部62を構成する第2可動電極60と第2固定電極58の上面あるいは下面の少なくとも一方が高さ方向にずれて配置されている。また、第1検出部61を構成する第1固定電極57に対する第1可動電極59のずれ方向と、第2検出部62を構成する第2固定電極58に対する第2可動電極60のずれ方向とが反対方向となっている。
これにより可動部6が高さ方向(Z方向)に平行移動する構造において、第1検出部61と第2検出部62とで差動出力を適切に得ることができ、検出精度を高めることが出来る。
ところで、第1検出部61を構成する第1可動電極59、第1固定電極57及び第2検出部62を構成する第2可動電極60、第2固定電極58は同じSOI層5から形成されたものである。すなわち限られた膜厚のSOI層5に第1検出部61と第2検出部62を形成して差動出力を得るようにするには、各検出部61,62を構成する可動電極及び固定電極の高さ寸法(膜厚)及び配置が極めて重要である。また可動電極及び固定電極をできる限り簡単な製造方法で且つ高精度に形成できるようにしなければならない。
図4、図5、図6は、いずれも第1可動電極59と第2固定電極58とが同じ高さ寸法(膜厚)及び配置関係にあり、第2可動電極60と第1固定電極57とが同じ高さ寸法(膜厚)及び配置関係にある。そして第1可動電極59及び第2固定電極58に対して、第2可動電極60及び第1固定電極57は高さ方向にずれた配置となっている。例えば第1可動電極、固定電極、第2可動電極の順に上面及び下面が段々とずれる配置では、限られたSOI層5の中で複数段を高精度に形成することが困難であり、また工程プロセスが複雑になる。しかも可動部6の変位を差動出力で検知するために固定電極に対する第1可動電極のずれ量と、固定電極に対する第2可動電極のずれ量の双方を、可動部の変位中、可動電極と固定電極との間で対向面積が確保され且つ変動するように考慮しなければならない。一方、本実施形態では、基本的に可動電極及び固定電極における上面及び下面の段差は一段しかなく、このような電極配置とすることで、可動電極59,60の可動可能範囲を大きくでき、すなわち可動部6の変位量を大きくしても適切に変位検知を行うことができ、検出精度を向上させることができる。
また図6に示す実施形態では、第1検出部61の静電容量が増大(あるいは減少)したとき、第2検出部62の静電容量は減少(あるいは増大)するので、差動出力を図4、図5に示す構成に比べて大きくできる。
また図7に示す製造方法を用いることで、少なくとも下面の位置が異なる可動電極及び固定電極を高精度に簡単なプロセスで形成でき、検出精度の高いZ軸検知型センサを適切に製造できる。
また図1(a)に示すようにアンカ部21~24の全ては可動部6の最外周を囲んだ領域Cよりも内側に位置している。これにより、例えば応力の影響を受けて支持基板3が変形しても、各アンカ部21~24から可動部6や検出部等の各素子部分に伝播される歪みの影響を小さくできる。よって歪みによる可動電極59,60と固定電極57,58との相対位置の変化を小さくでき検出精度を向上させることができる。
特に、素子部13を構成する可動部6下や可動電極下のみならず固定電極や支持部8~11を構成する腕部25~28、50~53の下にも絶縁層がなく支持基板3上から浮いていることがより効果的に検出精度を向上させる上で好適である。
図7に示す製造方法は、可動部6が高さ方向に平行移動する構造以外のものにも適用できる。ただし、可動部6が高さ方向に平行移動する構造であって、図7の製造方法を使用することで、第1検出部61を構成する第1固定電極57に対する第1可動電極59のずれ方向と、第2検出部62を構成する第2固定電極58に対する第2可動電極60のずれ方向とを反対方向とした構造を適切且つ容易に製造することができる。
上記した本実施形態の加速度センサはZ軸検知の1軸型であったが、X軸検知あるいはY軸検知のセンサ部も設けて、2軸型あるいは3軸型の加速度センサとすることも出来る。
本実施形態は加速度センサのみならず角速度センサ等にも適用可能である。
本実施形態は加速度センサのみならず角速度センサ等にも適用可能である。
1 加速度センサ
2 SOI基板
3 支持基板
4 酸化絶縁層
5 SOI層(シリコン基板)
6 可動部
8~11 支持部
13 素子部
21~24 アンカ部
29 アンカ側ばね部
30~33ビーム部
34 可動部側ばね部
40、43、44、54、55 スリット
57、58 固定電極
59、60 可動電極
61 第1検出部
62 第2検出部
70~72 配線層
2 SOI基板
3 支持基板
4 酸化絶縁層
5 SOI層(シリコン基板)
6 可動部
8~11 支持部
13 素子部
21~24 アンカ部
29 アンカ側ばね部
30~33ビーム部
34 可動部側ばね部
40、43、44、54、55 スリット
57、58 固定電極
59、60 可動電極
61 第1検出部
62 第2検出部
70~72 配線層
Claims (9)
- 支持基板と、前記支持基板の上方に位置し高さ方向に平行移動可能に支持された可動部と、前記可動部の変位を静電容量変化に基づき検知するための第1検知部及び第2検出部と、を有しており、
前記第1検出部及び第2検出部は共に平面的に交互に並設された可動電極と固定電極とで構成され、前記可動電極は前記可動部に一体に形成され、前記固定電極は前記可動電極とは分離して形成されており、
初期状態では前記可動電極及び前記固定電極の上面あるいは下面の少なくとも一方が高さ方向にずれて配置されており、前記第1検出部を構成する第1固定電極に対する第1可動電極のずれ方向と、前記第2検出部を構成する第2固定電極に対する第2可動電極のずれ方向とが反対方向となっていることを特徴とする物理量センサ。 - 初期状態では、前記第1可動電極、前記第1固定電極、前記第2可動電極及び前記第2固定電極の下面は同位置であり、前記第1可動電極と第2固定電極は同じ高さで形成され、一方、前記第1固定電極と前記第2可動電極は、共に同じ高さで且つ前記第1可動電極及び前記第2固定電極と異なる高さで形成されている請求項1記載の物理量センサ。
- 初期状態では、前記第1可動電極、前記第1固定電極、前記第2可動電極及び前記第2固定電極の上面は同位置であり、前記第1可動電極と第2固定電極は同じ高さで形成され、一方、前記第1固定電極と前記第2可動電極は、共に同じ高さで且つ前記第1可動電極及び前記第2固定電極と異なる高さで形成されている請求項1記載の物理量センサ。
- 前記第1可動電極、前記第1固定電極、前記第2可動電極及び前記第2固定電極は全て同じ高さ寸法で形成され、初期状態では、前記第1可動電極の上面と前記第2固定電極の上面が同位置にあり、第2可動電極の上面と前記第1固定電極の上面とが同位置で且つ前記第1可動電極及び第2固定電極に対して高さ方向にずれて配置されている請求項1記載の物理量センサ。
- 前記可動部及び前記検出部を支持する前記支持基板上に固定されたアンカ部が設けられており、前記アンカ部は、前記可動部の最外周を囲んだ領域よりも内側に位置している請求項1ないし4のいずれかに記載の物理量センサ。
- 支持基板と、前記支持基板の上方に位置し上下移動可能に支持された可動部と、前記可動部の変位を静電容量変化に基づき検知するための可動電極及び固定電極とが平面的に交互に並設して成る検知部と、を備え、前記可動部と一体に形成される前記可動電極と、前記可動電極とは分離して形成される前記固定電極を以下の工程を有して形成することを特徴とする物理量センサの製造方法。
シリコン基板の裏面の検知部形成領域に凹凸を形成する工程、
前記シリコン基板の裏面に酸化絶縁層を形成する工程、
前記シリコン基板を前記支持基板上に接合する工程、
前記シリコン基板から不要な部分を除去し、このとき前記シリコン基板の裏面に形成された凹部あるいは凸部に対応した位置に前記可動 電極あるいは前記固定電極を形成する工程、
前記可動電極と、前記支持基板との間に位置する酸化絶縁層をエッチングにて除去して前記可動電極を前記可動部とともに上下方向に移動可能にする工程。 - 前記シリコン基板の上面に前記裏面に凸部が形成された位置には凹部を、前記裏面に凹部が形成された位置には凸部を対応させて形成し、その後、前記シリコン基板から不要な部分を除去して前記可動電極及び前記固定電極を形成する請求項6記載の物理量センサの製造方法。
- 前記シリコン基板の裏面に熱酸化により前記酸化絶縁層を形成する請求項6又は7に記載の物理量センサの製造方法。
- 高さ方向に平行移動する前記可動部を備え、
前記シリコン基板の裏面の第1検知部形成領域と、第2検知部形成領域の夫々に凹凸を形成し、
前記シリコン基板から不要な部分を除去し、このとき前記第1検知部形成領域に形成された凹部(あるいは凸部)と、前記第2検知部形成領域に形成された凹部(あるいは凸部)に対応した位置に、第1検知部の第1可動電極と、第2検知部の第2固定電極を形成し、前記第1検知部形成領域に形成された凸部(あるいは凹部)と、前記第2検知部形成領域に形成された凸部(あるいは凹部)に対応した位置に、第1検知部の第1固定電極と、第2検知部の第2可動電極を形成する請求項6ないし8のいずれかに記載の物理量センサの製造方法。
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JP2008027845 | 2008-02-07 | ||
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PCT/JP2009/051933 WO2009099123A1 (ja) | 2008-02-07 | 2009-02-05 | 物理量センサ及びその製造方法 |
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WO (1) | WO2009099123A1 (ja) |
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2009
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