JP2009525769A - 電磁放射線への有害な暴露を減らすための治療デバイス、システム、および方法 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (67)
- a)所定の波長の電磁放射線を放出するためのエネルギー源と、
b)所定の表面に対するデバイスの接近を感知するための近接センサであって、前記表面への接近に従って前記電磁放射線の放出を活性化または非活性化するための信号を前記エネルギー源に送る近接センサと、
を備えることを特徴とする電磁放射線を供給するための治療デバイス。 - 前記エネルギー源による望ましくない方向への電磁放射線の放出をシールドするための放射線シールドをさらに備える、請求項1に記載のデバイス。
- 前記近接センサは、前記デバイスと前記所定の表面との間の機械的な係合を感知する機械センサを含む、請求項1に記載のデバイス。
- 前記近接センサは、前記デバイスが前記所定の表面に接近するときに抵抗の変化を感知する抵抗センサを含む、請求項1に記載のデバイス。
- 前記近接センサは、前記デバイスが前記所定の表面に接近するときに静電容量の変化を感知する容量センサを含む、請求項1に記載のデバイス。
- 前記近接センサは、前記デバイスが前記所定の表面に接近するときに光または音声の信号を送受信するセンサを含む、請求項1に記載のデバイス。
- 前記近接センサは、前記デバイスが前記所定の表面に接近するときに温度の変化を感知する温度センサを含む、請求項1に記載のデバイス。
- 前記デバイスと使用するために所定の材料を投与するための材料投与システムをさらに備える、請求項1に記載のデバイス。
- 前記投与システムは手動で操作される、請求項8に記載のデバイス。
- 前記エネルギー源および前記投与システムを制御するための制御メカニズムをさらに備える、請求項1に記載のデバイス。
- 前記制御メカニズムは、処方計画データを保持するように動作可能な記憶デバイスと、前記処方計画データに従って前記エネルギー源および前記材料投与システムを制御するように動作可能なプロセッサを含む、請求項10に記載のデバイス。
- 前記制御メカニズムは、前記処方計画データに従った時間およびパワーレベルで、前記エネルギー源からの前記放射線放出を制御するように動作可能である、請求項11に記載のデバイス。
- 前記処方計画データを更新するためにコンピューティングデバイスとの通信を行うように動作可能なインターフェースをさらに備える、請求項11に記載のデバイス。
- 前記処方計画データを更新するために少なくとも1つのサーバを有するコンピュータネットワークとの通信を行うように動作可能なインターフェースをさらに備える、請求項11に記載のデバイス。
- 前記記憶デバイスは取り外し可能である、請求項11に記載のデバイス。
- 前記デバイスは、前記治療デバイスの使用量を表すログデータを前記記憶デバイス内で保持するように動作可能であり、前記デバイスは、前記ログデータをアップロードするためにコンピューティングデバイスとの通信を行うように動作可能なインターフェースをさらに備える、請求項11に記載のデバイス。
- 前記エネルギー源は光源である、請求項1に記載のデバイス。
- 前記エネルギー源は、無電極ランプ、マイクロ波、蛍光管、石英ハロゲンランプ、アークランプ、レーザ、レーザダイオード、および発光ダイオードからなるグループから選択される、請求項1に記載のデバイス。
- 前記エネルギー源は、410、415、580、630、660、663、680、800、810、820、830、840、850、および900nmから選択される少なくとも1つのピーク波長を有する、請求項1に記載のデバイス。
- 前記エネルギー源は、40nm、より好ましくは20nmの帯域幅を有する少なくとも1つのピーク波長を備える、請求項1に記載のデバイス。
- 前記エネルギー源は、415nmのピーク波長および20nmの帯域幅を有する、請求項1に記載のデバイス。
- 前記エネルギー源は、活性化されたときに、連続的にまたはパルス的に動作する、請求項1に記載のデバイス。
- 前記エネルギー源および近接センサは、ヘッド内に配置されており、フェースプレートは、前記ヘッドの構造と一体である、請求項1に記載のデバイス。
- 前記エネルギー源および近接センサは、取り外し可能なフェースプレートを有するヘッド内に配置される、請求項1に記載のデバイス。
- 前記投与システムは、材料を収納するための取り外し可能容器を受けるように適合された、請求項8に記載のデバイス。
- 前記容器は前記デバイスによって読み取り可能な識別子を有する、請求項25に記載のデバイス。
- 前記フェースプレートは、前記ヘッドに機能的に接続された延長部を含む、請求項24に記載のデバイス。
- 前記エネルギー源に近接して配置されたエネルギー反射層をさらに備える、請求項1に記載のデバイス。
- 温度データを前記制御メカニズムに供給するための温度感知デバイスをさらに備える、請求項10に記載のデバイス。
- 前記制御メカニズムは、前記受信した温度データが事前に指定した制限範囲外であるときに、前記エネルギー源を調整することが可能である、請求項29に記載のデバイス。
- 前記温度感知デバイスはp−n接合ダイオードである、請求項29に記載のデバイス。
- 関節痛、慢性疼痛、手根管症候群、細胞損傷、軟部組織損傷、座瘡、TMJ、糖尿病性神経障害、神経痛、老化肌、季節性情動障害、炎症、小じわ及びしわ、粘膜炎、乾癬、酒さ、湿疹、口腔カンジダ、口腔癌、蜂巣炎、ならびに創傷からなるグループから選択された病気の治療のための、請求項1に記載のデバイスの使用。
- 座瘡の治療のための、請求項1に記載のデバイスの使用。
- 前記エネルギー源は、波長380nmから460nmの範囲内の電磁放射線を放出する、請求項33に記載の使用。
- 前記エネルギー源は、波長395nmから430nmの範囲内の電磁放射線を放出する、請求項33に記載の使用。
- 前記エネルギー源は、波長405nmから425nmの範囲内の電磁放射線を放出する、請求項33に記載の使用。
- 前記エネルギー源は、波長460nmから1000nmの範囲内の電磁放射線を放出する、請求項33に記載の使用。
- 前記エネルギー源は、波長550nmから900nmの範囲内の電磁放射線を放出する、請求項33に記載の使用。
- 前記エネルギー源は、波長600nmから850nmの範囲内の電磁放射線を放出する、請求項33に記載の使用。
- 前記エネルギー源は、波長630nmの電磁放射線を放出する、請求項33に記載の使用。
- 光若返り治療のための請求項1に記載のデバイスの使用。
- 前記エネルギー源は、波長500nmから1000nmの範囲内の電磁放射線を放出する、請求項41に記載の使用。
- 前記エネルギー源は、波長550nmから900nmの範囲内の電磁放射線を放出する、請求項41に記載の使用。
- 前記エネルギー源は、波長570nmから850nmの範囲内の電磁放射線を放出する、請求項41に記載の使用。
- 前記エネルギー源は、波長580nm、630nm、633nm、660nm、810nm、830nm、900nm、およびそれらの組合せからなるグループから選択された放射で電磁放射線を放出する、請求項41に記載の使用。
- セルライトの治療のための、請求項1に記載のデバイスの使用。
- 前記エネルギー源は、波長500nmから1000nmの範囲内の電磁放射線を放出する、請求項46に記載の使用。
- 前記エネルギー源は、波長550nmから900nmの範囲内の電磁放射線を放出する、請求項46に記載の使用。
- 前記エネルギー源は、波長570nmから850nmの範囲内の電磁放射線を放出する、請求項46に記載の使用。
- 前記エネルギー源は、波長810nmで、レーザまたはLEDエネルギーを放出する、請求項46に記載の使用。
- 前記エネルギー源は、高周波および赤外放射線の組合せを放出する、請求項46に記載の使用。
- ユーザの皮膚の外観を改善するための、請求項1に記載のデバイスの使用。
- エネルギー源を支持するための基部と、
所定の表面に対するフェースプレートの接近を感知するための近接センサであって、前記表面への接近に従って前記エネルギー源を活性化または非活性化するための信号を送る近接センサと、
前記エネルギー源を制御するための制御メカニズムを収容する本体に、前記基部を取り付けるためのマウントと、
を備えることを特徴とする治療デバイス用のフェースプレート。 - マウントが前記本体に取り付けられるときに、前記制御メカニズムと通信する前記基部内に配置されたコネクタをさらに備える、請求項53に記載のフェースプレート。
- 前記コネクタは、前記本体内の電源から前記エネルギー源に電力を送る、請求項53に記載のフェースプレート。
- 前記フェースプレートの識別情報を前記制御メカニズムに送る識別デバイスをさらに備える、請求項53に記載のフェースプレート。
- 処方計画データを格納するためのメモリ記憶デバイスをさらに備える、請求項53に記載のフェースプレート。
- 前記エネルギー源を備える前記基部と略平行に取り付けられた外表面をさらに備え、前記エネルギー源は、前記基部と前記外表面との間に配置されている、請求項53に記載のフェースプレート。
- 前記エネルギー源による望ましくない方向への電磁放射線の放出をシールドするための放射線シールドをさらに備える、請求項53に記載のフェースプレート。
- 放射線を放出するためのエネルギー源と、所定の表面への接近を感知するための近接センサと、前記エネルギー源に動作可能に接続されたコントローラとを備える治療デバイスを制御するための方法であって、
前記方法は、
前記コントローラで、前記所定の表面への前記デバイスの接近に関する前記近接センサから信号を受信することと、
前記近接センサからの前記信号に従って前記エネルギー源を制御することと、
を含むことを特徴とする方法。 - 前記コントローラで、治療計画を表す処方計画データを受信することをさらに含む、請求項60に記載の方法。
- 前記処方計画データは、前記デバイス内に配置されたデータベース内に保持されるデータのセットである、請求項61に記載の方法。
- 前記治療デバイスは、材料を投与するための材料投与システムを含み、
前記制御は、前記材料投与システムからの前記材料の前記投与を制御することを含む、請求項62に記載の方法。 - 前記制御は、
前記処方計画に従った時間およびパワーレベルで、前記エネルギー源からの放射線放出を制御することと、
前記時間中に前記デバイスから温度データを受信することと、
前記温度データが前記処方計画データによって指定された制限の範囲外にあるときに、前記放射線放出を調整することと、
を含む、請求項63に記載の方法。 - 前記エネルギー源は、前記エネルギー源のタイプを指定するための識別子を含む、請求項64に記載の方法。
- 前記材料投与システムは、前記材料のタイプを指定するための識別子を含む、請求項64に記載の方法。
- 前記治療デバイスは、コンピューティングデバイスとの通信を行うように動作可能なインターフェースを含み、
前記方法は、
前記治療デバイスの使用量を表すログデータを格納することと、
前記コンピューティングデバイスとのリンクを確立することと、
前記ログデータを前記コンピューティングデバイスに送ることと、
を含む、請求項64に記載の方法。
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